Цоколевка мп42: Транзистор МП42 — DataSheet — RC74 — интернет-магазин радиоуправляемых моделей

Содержание

Транзистор МП42 — DataSheet

Цоколевка транзисторов МП41, МП42

**Параметры транзистора**
Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		МП42		ASY70
Аналог		МП42А		ASY26
Структура		—	—	p-n-p	мВт
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	P_K max,P^_{K, τ max},P^*_{K, и max}	МП42	—	200
		МП42А	—	200
		МП42Б		200
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	f_гр,f^_h31б,f^_h31э, f^**_max	МП42	—	≥2*	МГц
		МП42А	—	≥1. 5*
		МП42Б		≥1*
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	U_{КБО проб.,}U^_{КЭR проб.,}U^*_{КЭО проб.}	МП42	3к	15*	В
		МП42А	3к	15*
		МП42Б	3к	15*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	U_{ЭБО проб.,}	МП42	—	—	В
		МП42А	—	—
		МП42Б	—	—
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	I_{K max,} I^*_{К , и max}	МП42	—	150*	мА
		МП42А	—	150*
		МП42Б	—	150*
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	I_КБО, I^_КЭR, I^*_КЭO	МП42	—	—	мкА
		МП42А	—	—
		МП42Б	—	—
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h_21э, h^*_21Э	МП42	1 В; 10 мА	20…35*
		МП42А	1 В; 10 мА	30…50*
		МП42Б	1 В; 10 мА	58…100*
Емкость коллекторного перехода	c_к, с^*_12э	МП42	—	—	пФ
		МП42А	—	—
		МП42Б	—	—
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	r_{КЭ нас}, r*_{БЭ нас}	МП42	—	≤20	Ом
		МП42А	—	≤20
		МП42Б		≤20
Коэффициент шума транзистора	К_ш, r^*_b, P_вых	МП42	—	—	Дб, Ом, Вт
		МП42А	—	—
		МП42Б	—	—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τ_к, t_рас, t^_выкл, t^**_пк(нс)	МП42	—	≤2000***	пс
		МП42А	—	≤1500***
		МП42Б		≤1000***

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Параметры транзисторов МП26 — МП42

Добавил: Chip,Дата: 02 Сен 2013

Параметры транзисторов

МП26, МП35

Тип

прибора

Структура

Pк max [ мВт ]

fгр,

f*h316

[ МГц ]

Uкбо max[ В ]

Uэбо max

[ В ]

МП26

МП26А

МП26Б

p-n-p

200

≥0.

≥0.2*

≥0.5*

МП35

n-p-n

150

≥0.5*

—

продолжение таблицы

Тип

прибора

IK max

I*K и max

[мА ]

Iкбо

[мкА ]

h31э

Cк

[ пФ ]

МП26

МП26А

МП26Б

300*

400*

≤75 (70В)

13…25 (35В;1.

5мА)

20…50 (35В;1.5мА)

30…80 (35В;1.5мА)

≤15 (35В)

МП35

20 (150*)

30 (5В)

13…125 (5В;1мА)

—

продолжение таблицы

Тип

прибора

rКЭнас

[ Ом ]

Kш [ дБ ]

r*6 [ Ом ]

τк [ пс ]

t*pac [ нс ]

t**выкл [ нс ]

примечание

МП26

МП26А

МП26Б

≤2.

≤2.2

≤1.8

—

≤1500***

МП35

—

≤220*

—

Параметры транзисторов

МП36, МП37

Тип

прибора

Структура

Pк max[ мВт ]

fгр,

f*h316

[ МГц ]

Uкбо max[ В ]

Uэбо max

[ В ]

МП36А

n-p-n

150

≥1*

—

МП37А

МП37Б

n-p-n

150

≥1*

—

продолжение таблицы

Тип

прибора

IK max

I*K и max

[мА ]

Iкбо

[мкА ]

h31э

Cк

C*12э

[ пФ ]

МП36А

20 (150*)

≤30 (5В)

13…45 (5В;1мА)

—

МП37А

МП37Б

20 (150*)

≤30 (5В)

15…30 (5В;1мА)

25…50 (5В;1мА)

—

продолжение таблицы

Тип

прибора

rКЭнас[ Ом ]

r*БЭ нас [ Ом ]

K**у. р. [ дБ ]

Kш [ дБ ]

r*6 [ Ом ]

τк [ пс ]

примечание

МП36А

—

≤10 (1кГц)

—

МП37А

МП37Б

—

≤220*

—

Параметры транзисторов

МП38, МП39, МП40

Тип

прибора

Структура

Pк maх[ мВт ]

fгр,

f*h316

[ МГц ]

Uкбо max

U*КЭR max

[ В ]

Uэбо max

[ В ]

МП38

МП38А

n-p-n

150

≥2*

—

МП39

МП39Б

p-n-p

150

≥0.5*

15* (10к)

МП40

МП40А

p-n-p

150

≥1*

15* (10к)

30* (10к)

продолжение таблицы

Тип

прибора

IK max

I*K и max

[мА ]

Iкбо

[мкА ]

h31э

Cк

[ пФ ]

МП38

МП38А

20 (150*)

≤30 (5В)

25…55 (5В;1мА)

45…100 (5В;1мА)

—

МП39

МП39Б

20 (150*)

≤15 (5В)

≥12 (5В;1мА)

20…60 (5В;1мА)

≤50 (5В)

МП40

МП40А

20 (150*)

≤15 (5В)

20…40 (5В;1мА)

≤50 (5В)

продолжение таблицы

Тип прибора	rКЭнас[ Ом ]	Kш [ дБ ] *r6 [ Ом ]**	τк [ пс ]	примечание
МП38 МП38А	—	≤220* ≤220*	—
МП39 МП39Б	—	-≤12 (1кГц)	—
МП40 МП40А	—	—	—

Параметры транзисторов

МП41,МП42

Тип

прибора

Структура

Pк max[ мВт ]

fгр,

f*h316

[ МГц ]

Uкбо max

U*КЭR max

[ В ]

Uэбо max

[ В ]

МП41

МП41А

p-n-p

150

≥1*

15* (10к)

МП42

МП42А

МП42Б

p-n-p

200

≥2*

≥1.5*

≥1*

15* (3к)

—

продолжение таблицы

Тип

прибора

IK max

I*K и max

[мА ]

Iкбо

[мкА ]

h31э,

h*21э

Cк

C*12э

[ пФ ]

МП41

МП41А

20 (150*)

≤15 (5В)

30…60 (5В;1мА)

50…100 (5В;1мА)

≤50 (5В)

МП42

МП42А

МП42Б

150*

—

20…35* (1В;10мА)

30…50* (1В;10мА)

458…100* (1В;10мА)

—

продолжение таблицы

Тип

прибора

rКЭнас[ Ом ]

Kш [ дБ ]

τк [ пс ]

t*pac [ нс ]

t**выкл [ нс ]

примечание

МП41

МП41А

—

МП42

МП42А

МП42Б

≤20

—

≤2000***

≤1500***

≤1000***

Цоколёвка и размеры транзисторов

МП26 — МП42

ПОДЕЛИТЕСЬ С ДРУЗЬЯМИ

П О П У Л Я Р Н О Е:

Популярность: 18 677 просм.

Транзисторы П210,МП39,МП40.

Для того чтобы АКБ служила долго, она должна правильно заряжаться. В этой статье мы рассмотрим несколько схем регуляторов зарядного тока. Ведь этот узел – неотъемлемая часть любого «правильного» СЗУ.

Транзисторы МП39, МП40, МП41, МП42.

Транзисторы МП39, МП40, МП41, МП42 – германиевые, усилительные маломощныенизкочастотные, структуры p-n-p.
Корпус металлостеклянный с гибкими выводами. Масса – около 2 г.Маркировка буквенно – цифровая, на боковой поверхности корпуса.

Существуют следующие зарубежные аналоги:
МП39 – 2N1413
МП40 – 2N104
МП41 возможный аналог – 2N44A
МП42 возможный аналог – 2SB288

Источник: http://elektrikaetoprosto.ru/trans3.html

Цоколевка

Распиновка транзистора П210Б обозначена на представленном ниже изображении. Там же можно ознакомиться с габаритными размерами и внешним видом компонента. Корпус, в котором располагается устройство загерметизирован и сделан из металла.

Источник: http://mirshem.ru/p210b/

Обозначение транзистора П210 на схемах

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора П210 обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную к базе.

Источник: http://radiolibrary.ru/reference/transistor/p210.html

P210 Datasheet (PDF)

0.1. stp210nf02.pdf Size:609K _st

STP210NF02STB210NF02 STB210NF02-1N-CHANNEL 20V – 0.0026 – 120A DPAK/IPAK/TO-220STripFET II POWER MOSFETAUTOMOTIVE SPECIFICTYPE VDSS RDS(on) IDSTB210NF02/-1 20 V

0.2. stp210n75f6.pdf Size:687K _st

STP210N75F6N-channel 75 V, 3 m, 120 A TO-220STripFET VI DeepGATE Power MOSFETFeaturesOrder code VDSS RDS(on) max IDSTP210N75F6 75 V

0.3. fp210.pdf Size:97K _sanyo

Ordering number:EN4537FP210NPN Epitaxial Planar Silicon TransistorDriver ApplicationsFeatures Package Dimensions Composite type with 2 transistors (PNP) containedunit:mmin one package, facilitating high-density mounting.2097A The FP210 is formed with 2 chips being equivalent[FP209]to the 2SB1123, placed in one package.Electrical Connection1:Base (PNP TR)2, 7:Co

0.4. zvp2106a.pdf Size:53K _diodes

P-CHANNEL ENHANCEMENTZVP2106AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94FEATURES* 60 Volt VDS* RDS(on)=5VGS=-10V D-9V G S-8VE-Line-7VTO92 Compatible-6VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.-5VPARAMETER SYMBOL VALUE UNIT-4V-3.5VDrain-Source Voltage VDS -60 V-8 -10Continuous Drain Current at Tamb=25C ID -280 mAPulsed Drain Current IDM -4 AGate Source V

0.5. zvp2106astob zvp2106astz zvp2106as zvp2106astoa.pdf Size:41K _diodes

0.6. dmp2100u.pdf Size:193K _diodes

DMP2100UP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Low On-ResistanceV(BR)DSS RDS(ON) MAX Package TA = +25C Low Input Capacitance 38m @ VGS = -10V -4.3A Fast Switching Speed -20V 43m @ VGS = -4.5V SOT23 -4.0A Low Input/Output Leakage 75m @ VGS = -2.5V -2.8A ESD Protected Up To 3kV Totally Lead-Free & Fully RoHS Compl

0.7. zvp2106gta zvp2106gtc.pdf Size:61K _diodes

SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENT6G ZVP2106GMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 3 MARCH 96 T D V I VD D VGS=S-10V T I D T I V -9V T T V D-8V G-7VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.-6V T V IT-5V-4VD i V I VD V-3.5V i D i T ID -8 -10 I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated).

0.8. dmp210dudj.pdf Size:440K _diodes

DMP210DUDJDUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data Dual P-Channel MOSFET Case: SOT-963 Low On-Resistance Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound.UL Flammability Classification Rating 94V-0 o 5.0 @ -4.5V o 7.0 @ -2.5V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 o 10 @ -1.8V Terminal Connections: See Diagra

0.9. dmp2104v.pdf Size:178K _diodes

DMP2104VP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Mechanical Data P-Channel MOSFET Case: SOT-563 Very Low On-Resistance Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound.UL Flammability Classification Rating 94V-0 Very Low Gate Threshold Voltage Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Low Input Capacitance Terminal

0.10. dmp2104lp.pdf Size:317K _diodes

DMP2104LPP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Mechanical Data P-Channel MOSFET Case: DFN1411-3 Very Low On-Resistance Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Very Low Gate Threshold Voltage Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C Low Input Capacitance Te

0.11. dmp210dufb4.pdf Size:400K _diodes

DMP210DUFB4 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID P-Channel MOSFET V(BR)DSS RDS(ON) TA = +25C Low On-Resistance 5 @ VGS = -4.5V -200mA Very Low Gate Threshold Voltage VGS(TH) -170mA 7 @ VGS = -2.5V Low Input Capacitance -20V 10 @ VGS = -1.8V -140mA Fast Switching Speed -50mA 15 @ VGS = -1.5V

0.12. zvp2106g.pdf Size:77K _diodes

0.13. zvp2106b.pdf Size:15K _diodes

ZVP2106BMECHANICAL DATAP CHANNEL ENHANCEMENTDimensions in mm (inches)MODE DMOS FETBVDSS – 60V8.89 (0.35)9.40 (0.37)7.75 (0.305)ID(cont) 0.76A8.51 (0.335)RDS(on) 0.54.19 (0.165)4.95 (0.195)0.89max.(0.035)12.70(0.500)7.75 (0.305)min.8.51 (0.335)dia.FEATURES5.08 (0.200)typ. FAST SWITCHING SPEEDS2.542(0.100)1 3 NO SECONDARY

0.14. dmp2100ucb9.pdf Size:422K _diodes

DMP2100UCB9 DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary (Typ. @ VGS = -4.5V, TA = +25C) Features and Benefits LD-MOS Technology with the Lowest Figure of Merit: VDSS RDS(on) Qg Qgd ID RDS(on) = 80m to Minimize On-State Losses -20V 80m 3.3nC 0.6nC -4A Qg = 3.3nC for Ultra-Fast Switching Vgs(th) = -0.7V typ. for a Low Turn-On Potential CSP with Footpr

0.15. vp2106.pdf Size:626K _supertex

Supertex inc. VP2106P-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETsFeatures General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven, Low power drive requirementsilicon-gate manufacturing process. This combination Ease of parallelingproduces a device with the power

0.16. tp2104.pdf Size:721K _supertex

Supertex inc. TP2104P-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description High input impedance and high gain This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well- Low power drive requirementproven, silicon-gate manufacturing process. This combination Ease of parallelingproduces a dev

0.17. p210a p210sh.pdf Size:713K _russia

0.18. sp2107.pdf Size:111K _samhop

GreenProductSP2107aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () MaxRugged and reliable.0.8 @ VGS=10VSuface Mount Package.100V 1.2A0.93 @ VGS=4.5VESD Protected.5 4D2 G 26 3D2 S 2PIN1D1 7 2 G 18 1D1 S 1PDFN 5x6A

0.19. sp2103.pdf Size:111K _samhop

GreenProductSP2103aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.3Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.220 @ VGS=10VSuface Mount Package.100V 2.2A350 @ VGS=4.5VD1 D1 D2 D2PIN1PDFN 5x6S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C unless

0.20. sp2108.pdf Size:106K _samhop

GreenProductSP2108aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.811 @ VGS=10VSuface Mount Package.100V 1.2A932 @ VGS=4.5VESD Protected.5 4D2 G 26D2 3S 2PIN1D1 7 2 G 18 1D1 S 1PDFN 5×6

0.21. sp2106.pdf Size:110K _samhop

GreenProductSP2106aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () MaxRugged and reliable.2.0 @ VGS=10VSuface Mount Package.100V 1A2.4 @ VGS=4.5VESD Protected.5 4D2 G 26 3D2 S 2PIN1D1 7 2 G 18 1D1 S 1PDFN 5x6ABSO

0.22. sp2102.pdf Size:119K _samhop

GreenProductSP2102aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.100V 2.0A 216 @ VGS=10VSuface Mount Package.D1 D1 D2 D2DFN 3x3PIN1S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C unless otherwise noted)

0.23. p2103hvg.pdf Size:324K _unikc

P2103HVGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID30V 21m @VGS = 10V 8ASOP- 08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C8IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C6AIDM40Pulsed Drain Current1IA

0.24. p2103nvg.pdf Size:796K _unikc

P2103NVGN- & P- Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) IDN-21m @VGS = 10V30 8AChannelP-34m @VGS = 10V -6A-30ChannelSOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)N- P-PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL UNITSChannel ChanneVDSDrain-Source Voltage 30 -30 VVGSGate-Source Voltage 20 20 VTA = 25 C8 -6

Источник: http://alltransistors.com/ru/transistor.php?transistor=44660

Блок питания для гаража

Схема блока питания со стабилизатором на транзисторе П210 изображена на рисунке 1. В свое время это очень популярная схема. Ее в разных модификациях можно было встретить, как в промышленной аппаратуре, так и в радиолюбительской.

Вся схема собирается навесным способом прямо на радиаторе, используя опорные стойки и жесткие вывода транзисторов. Площадь радиатора при токе нагрузки шесть ампер должна быть порядка 500см². Так как коллектора транзисторов VT1 и VT2 соединены, то их корпуса изолировать друг от друга не надо, но сам радиатор от корпуса (если он металлический) лучше изолировать. Диоды D1 и D2 – любые на 10А. Площадь радиаторов под диоды ≈ 80см². Приблизительно рассчитать площадь теплоотвода для разных полупроводниковых приборов , так сказать прикинуть, можно по диаграмме, приведенной в статье «Расчет радиаторов». Я обычно применяю П-образные радиаторы, согнутые из полоски трехмиллиметрового алюминия (см. фото 1).
Размер полоски 120×35мм. Трансформатор Тр1 – перемотанный трансформатор от телевизора. Например, ТС-180 или ему подобный. Диаметр провода вторичной обмотки – 1,25 ÷ 1,5мм. Количество витков вторичной обмотки будет зависеть от примененного вами трансформатора. Как рассчитать трансформатор можно узнать в статье «Упрощенный расчет трансформатора», рубрика – «Самостоятельные расчеты». Каждая из обмоток III и IV должна быть рассчитана на напряжение 16В. Заменив подстроечный резистор R4 на переменный и дополнив схему амперметром, этим блоком питания можно будет заряжать автомобильные аккумуляторы.

Обсудить эту статью на – форуме “Радиоэлектроника, вопросы и ответы”.

Источник: http://kondratev-v.ru/stabilizatory/stabilizator-napryazheniya-na-p210.html

SemarglUA › Блог › Зарядное для акб — для себя — схемы (часть 2)

Решил выложить общие схемы которые мне понравились и по которым любой может изготовить простейшее зарядное с регулировкой тока из «савдеповских» или новых радиодеталей.

Начнем со схемы по которой в данный момент собрано моя зарядка, рисовал сам сори за корявость. Единственный минус что отсутствует схема регулировки, поэтому далее будут фото схемы где можно подобрать схему регулировки под мой аппарат, а так как я не определился с выбором, то каждый может дать совет какая лучше будет, как по простоте, так и по надежности.

Схема №1 проста но найти мощный резистор реостат чтоб выдержал АКБ сейчас проблематично, все советское становится дефицитом, а китай надежностью не блещет.

Схема №2 старая советская схема самая простая, изготавливали радиолюбители используя детали телевизоров и радиол

Схема №3 более сложная советская версия, так как сами транзисторы применяемые в ней не маленького размера, и приходится их монтировать с наружной стороны на отдельный радиатор.

Схема №4 неплохая схема но найти советский транзистор становится теперь проблемой, поэтому под неё нужны аналоги

Схема №5 такая интересная и более сложна, но нужно место на задней панели чтоб размести три транзистора не малого размера либо использовать их аналоги

Схема №6 похожа на схему №4 с деталями возможна та же проблема если нет на рынке искать аналоги

Схема №7 одна из распространенных на драйве, я взял фото по идее из первоисточника, изготовление платы под нее не является большой проблемой

На всех схемах я выделил регулировочную часть, которая возможно подойдет мне по параметрам.
Некоторые фотографии взяты из интернета на авторство не претендую.
Всем мира и добра, помогите с выбором и если есть какие советы или мысли по данной теме, пишите.

Источник

Источник: http://netigor.ru/zaryadnoe-ustroystvo-na-p210a-svoimi-rukami/

Транзистор П210.

Т ранзисторы П210 – германиевые, мощные низкочастотные, структуры – p-n-p.
Корпус металлостеклянный. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.
Масса – около 37 г. Маркировка буквенно – цифровая.

Источник: http://crast.ru/instrumenty/zarjadnoe-ustrojstvo-na-p210-shema

Технические характеристики

Предельно допустимые значения параметров считаются приоритетными. Поэтому всего производители приводят их вначале технической документации. Максимальные параметры П210Б:

Ещё одной важной группой значений являются электрические параметры. В списке приведены все эти данные для рассматриваемого изделия, записанные в документации производителя:

крутизна характеристики >5 А/В;
тепловое сопротивление среда — кристалл 40 ОС/В;
начальный ток коллектора <8 мА;
тепловая постоянная кристалл — корпус 100 мкс.
обратный ток коллектора:
- при tокт = +20 ОС — <15 мА;
- при tокт = +60 ОС — <90 мА;
коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером – 10 … 100
напряжение (U) насыщения коллектор – эмиттер 0,6 … 2,5 В;
U отсечки переходной характеристики в схеме с ОЭ -0,3 В;
U лавинного пробоя при Iк = 2,5 А и tокр = -55 … +60ОС >40 В;
напряжение насыщения эмиттер — база 0,5 … 2 Ввходное сопротивление в схеме с общей базой 0,4 Ом;
максимальная частота к-та передачи тока >100 кГц;
тепловое сопротивление кристалл — корпус 1 ОС/В;

Источник: http://mirshem.ru/p210b/

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете опубликовать сообщение сейчас, а зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, войдите в него для написания от своего имени.
Примечание: вашему сообщению потребуется утверждение модератора, прежде чем оно станет доступным.

Источник: http://forum.cxem.net/index.php?/topic/55774-%D0%B0%D0%BD%D0%B0%D0%BB%D0%BE%D0%B3-%D0%BF210-%D0%BF4/

Аналоги

Перечислим зарубежные транзисторы, которые могут выступать в качестве аналогов для П210Б:

AD142;
2N457;
6NU74;
7NU74;
2N458;
AUY22;
AD325;
AD545;
AUY22A;
AUY21;
AUY21A.

Среди отечественных изделий выпускается ГТ701А, параметры которого так же схожи.

Перед тем как производить замену на тот или иной аналог, в обязательном порядке проверяйте и сравнивайте все технические данные по Datasheet.

Источник: http://mirshem.ru/p210b/

Производители

Изначально транзисторы модельного ряда П210 выпускали три компании: НИИ-35 (в настоящее время НПП «Пульсар»), Ереванский электротехнический завод, Ташкентский завод электронной техники (в то время был ещё Ташкентским государственным заводом п/я 125). Позднее эстафету передали предприятию «Гамма» в г. Запорожье. В 1990х годах производство перестало быть перспективным.

Источник: http://mirshem.ru/p210b/

Регулировка напряжения и тока

Универсального способа регулировать ток и напряжение не существует. Все зависит от конструкции и схемы регулируемого блока питания. В некоторых вариантах это происходит изменением параметров обратной связи, в других изменением опорного напряжения (для напряжения) или установкой опорного уровня компаратора (для тока). Но все оперативные регулировки производятся органами управления, вынесенными на переднюю панель БП – так удобнее.

Источник: http://Zapitka.ru/masterskaya/laboratornyy-bp-svoimi-rukami

Cоветские биполярные транзисторы — Онлайн справочник

Параметр	Обозначение	Еди- ница	Тип транзистора
Параметр	Обозначение	Еди- ница	ГТ108А	ГТ108Б	ГТ108В	ГТ108Г	ГТ109А	ГТ109Б	ГТ109В
Обратный ток коллектора при U_КБ, В*¹	I_КБО	мкА	10/5	10/5	10/5	10/5	5/5	5/5	5/5
Обратный ток эмиттера при U_ЭБ, В*¹	I_ЭБО	мкА	15/5	15/5	15/5	15/5	5/5	5/5	5/5
Режим измерения h-параметров
напряжение коллектора	U_К	В	5	5	5	5	5	5	5
ток коллектора	I_К	мА	1	1	1	1	1	1	1
Входное сопротивление	h_11б	Ом	15	15	15	15	27	27	27
Коэффициент передачи тока	h_21э	—	20…50	35…80	60…130	110…250	20…50	35…80	60…130
Коэффициент обратной связи	h_12б	—	—	—	—	0,5·10^-3	0,5·10^-3	0,5·10^-3	0,5·10^-3
Выходная полная проводимость	h_22б	мкСм	—	—	3,3	3,3	3,3	3,3	3,3
Предельная частота коэффициента передачи	fh_21б	МГц	1	1	1	1	1	1	1
Емкость коллекторного перехода	C_к	пФ	50	50	50	50	30	30	30
Постоянная времени цепи обратной связи	τ_к	пс	5000	5000	5000	5000	5000	5000	5000
Коэффициент шума	K_ш	дБ	—	—	—	—	—	—	—
Максимально допустимые параметры
постоянное напряжение коллектор-база	U_{КБ max}	В	10	10	10	10	10	10	10
постоянное напряжение коллектор-эмиттер	IU_{KЭ max}	В	10	10	10	10	6	6	6
постоянный ток коллектора	I_{К max}	мА	50	50	50	50	20	20	20
импульсный ток коллектора	I_{K и max}	мА	—	—	—	—	—	—	—
рассеиваемая мощность без теплоотвода	P_max	мВт	75	75	75	75	30	30	30
Максимальная температура окружающей среды	T_min	°С	+55	+55	+55	+55	+55	+55	+55
Минимальная температура окружающей среды	T_min	°С	-40	-40	-40	-40	-30	-30	-30
Общее тепловое сопротивление транзистора	R_Тп.с	°С/мВт	0,8	0,8	0,8	0,8	—	—	—
Тип перехода, материал			p-n-p германий
Конструкция, цоколевка (номер рисунка)			Рис.1 б				Рис.1 в
Основное назначение			Для усилителей и генераторов в малогабаритных радиовещательных приемниках				Для усилителей радиовещательных приемников; ГТ109Е в медицинской аппаратуре; ГТ109Ж для часовых механизмов

Цоколевка

Цоколевка отечественных полупроводников.

МП9А, МП10, МП10А, МП10Б – смотреть

МП11, МП11А – смотреть

МП13, МП13Б – смотреть

МП14, МП14А, МП14Б, МП14И – смотреть

МП15, МП15А, МП15И – смотреть

МП16, МП16А, МП16Б, МП16Я1, МП16Я11 – смотреть

МП20А, МП20Б – смотреть

МП21В, МП21Г, МП21Д, МП21Е – смотреть

МП25, МП25А, МП25Б – смотреть

МП26, МП26А, МП26Б – смотреть

П27, П27А – смотреть

П28 – смотреть

П29, П29А – смотреть

П30 – смотреть

МП35 – смотреть

МП36 – смотреть

МП37 – смотреть

МП38 – смотреть

МП39 – смотреть

МП40 – смотреть

МП41, МП41А – смотреть

МП42, МП42А, МП42Б – смотреть

ГТ108А, ГТ108Б, ГТ108В, ГТ108Г – смотреть

МГТ108А, МГТ108Б, МГТ108В, МГТ108Г, МГТ108Д – смотреть

ГТ109А, ГТ109Б, ГТ109В, ГТ109Г, ГТ109Д, ГТ109Е, ГТ109Ж, ГТ109И – смотреть

ГТ115А, ГТИ5Б, ГТ115В, ГТ115Г, ГТ115Д – смотреть

ГТ122А, ГТ122Б, ГТ122В, ГТ122Г – смотреть

ГТ124А, ГТ124Б, ГТ124В, ГТ124Г – смотреть

ГТ125А, ГТ125Б, ГТ125В, ГТ125Г, ГТ125Д, ГТ125Е, ГТ125Ж, ГТ125И, ГТ125К, ГТ125Л – смотреть

П201Э, П201АЭ – смотреть

П202Э, П203Э – смотреть

П207, П207А – смотреть

П208, П208А – смотреть

П209, П209А – смотреть

П210, П210А, П210Б, П210В, П210Ш – смотреть

П213, П213А, П213Б – смотреть

П214, П214А, П214Б, П214В, П214Г – смотреть

П215, П216, П216А, П216Б, П216В, П216Г, П216Д – смотреть

П217, П217А, П217Б, П217В, П217Г – смотреть

ГТ305А, ГТ305Б, ГТ305В – смотреть

ГТ308А, ГТ308Б, ГТ308В, ГТ308Г – смотреть

ГТ309А, ГТ309Б, ГТ309В, ГТ309Г, ГТЗО9Д, ГТ309Е – смотреть

ГТ310А, ГТ310Б, ГТ310В, ГТ310Г, ГТ310Д, ГТ310Е – смотреть

ГТ311А, ГТ311Б, ГТ311В, ГТЗ11Г, ГТ311Д, ГТ311Е, ГТ311Ж, ГТ311И – смотреть

ГТ313А, ГТ313Б, ГТ313В – смотреть

ГТ320А, ГТ320Б, ГТ320В – смотреть

ГТ321А, ГТ321Б, ГТ321В, ГТ321Г, ГТ321Д, ГТ321Е – смотреть

ГТ322А, ГТ322Б, ГТ322В, ГТ322Г, ГТ322Д, ГТ322Е – смотреть

ГТ323А, ГТ323Б, ГТ323В – смотреть

ГТ328А, ГТ328Б, ГТ328В – смотреть

ГТ329А, ГТ329Б, ГТ329В, ГТ329Г – смотреть

ГТЗЗОД, ГТЗЗОЖ, ГТЗЗОИ – смотреть

ГТ335А, ГТ335Б, ГТ335В, ГТ335Г, ГТ335Д – смотреть

ГТ338А, ГТ338Б, ГТ338В – смотреть

ГТ341А, ГТ341Б, ГТ341В – смотреть

ГТ346А, ГТ346Б, ГТ346В – смотреть

ГТ362А, ГТ362Б – смотреть

ГТ376А – смотреть

ГТ383А-2, ГТ383Б-2, ГТ383В-2 – смотреть

П401, П402 – смотреть

ГТ402А, ГТ402Б, ГТ402В, ГТ402Г, ГТ402Д, ГТ402Е, ГТ402Ж, ГТ402И – смотреть

П403, П403А – смотреть

ГТ403А, ГТ403Б, ГТ403В, ГТ403Г, ГТ403Д, ГТ403Е, ГТ403Ж, ГТ403И – смотреть

ГТ404А, ГТ404Б, ГТ404В, ГТ404Г, ГТ404Д, ГТ404Е, ГТ404Ж, ГТ404И – смотреть

ГТ405А, ГТ405Б, ГТ405В, ГТ405Г, ГТ406А – смотреть

П416, П416А, П416Б – смотреть

П417, П417А, П417Б – смотреть

П422, П423 – смотреть

П605, П605А – смотреть

П606, П606А – смотреть

П607, П607А – смотреть

П608, П608А – смотреть

П609, П609А – смотреть

ГТС609А, ГТС609Б, ГТС609В – смотреть

ГТ612А-4 – смотреть

ГТ701А – смотреть

ГТ703А, ГТ703Б, ГТ703В, ТТ703Г, ГТ70ЗД – смотреть

ГТ705А, ГТ705Б, ГТ705В, ГТ7О5Г, ГТ705Д – смотреть

ГТ804А, ГТ804Б, ГТ804В – смотреть

ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д – смотреть

ГТ810А, ГТ905А, ГТ905Б – смотреть

ГТ906А – смотреть

ГТ906АМ – смотреть

КТ104А, КТ104Б, КТ104В, КТ104Г – смотреть

КТ117А, КТ117Б, КТ117В, КТ117Г – смотреть

КТ118А, КТ118Б, КТ118В – смотреть

КТ119А, КТ119Б – смотреть

КТ120А, КТ120Б, КТ120В – смотреть

КТ120А-1, КТ120В-1 – смотреть

КТ120А-5, КТ120В-5 – смотреть

КТ127А-1, КТ127Б-1, КТ127В-1, КТ127Г-1 – смотреть

КТ132А, КТ132Б – смотреть

КТ133А, КТ133Б – смотреть

КТ201А, КТ201Б, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д – смотреть

КТ201АМ, КТ201БМ, КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ – смотреть

КТ202А-1, КТ202Б-1, КТ202В-1, КТ202Г-1, КТ202Д-1 – смотреть

КТ203А, КТ203Б, КТ203В – смотреть

КТ203АМ, КТ203БМ, КТ203ВМ – смотреть

КТ206А, КТ206Б – смотреть

КТ207А, КТ207Б, КТ207В – смотреть

КТ208А, КТ208Б, КТ208В, КТ208Г, КТ208Д, КТ208Е, КТ208Ж, КТ208И, КТ208К, КТ208Л, КТ208М – смотреть

КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209В2, КТ209Г, КТ209Д, КТ209Е, КТ209Ж

КТ209И, КТ209К, КТ209Л, КТ209М – смотреть

КТ210А, КТ210Б, КТ210В – смотреть

КТ2ПА-1, КТ2ПБ-1, KT2ПB-1 – смотреть

КТ214А-1, КТ214Б-1, КТ214В-1, КТ214Г-1, КТ214Д-1, КТ214Е-1 – смотреть

КТ215А-1, КТ215Б-1, КТ215В-1, КТ215Г-1, КТ215Д-1, КТ215Е-1 – смотреть

КТ216А, КТ216Б, КТ216В – смотреть

КТ218А-9, КТ218Б-9, КТ218В-9, КТ218Г-9, КТ218Д-9, КТ218Е-9 – смотреть

КТ301, КТ301А, КТ301Б, КТ301В, КТ301Г, КТ301Д, КТ301Е, КТ301Ж – смотреть

КТ302А, КТ302Б, КТ302В, КТ302Г – смотреть

КТ306А, КТ306Б, КТ306В, КТ306Г, КТ306Д – смотреть

КТ306АМ, КТ306БМ, КТ306ВМ, КТ306ГМ, КТ306ДМ – смотреть

П307, ПЗО7А, П307Б, П307В, П307Г – смотреть

КТ307А-1, КТ307Б-1, КТ307В-1, КТ307Г-1 – смотреть

П308, П309 – смотреть

КТ3101А-2 – смотреть

КТ3101АМ – смотреть

КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Г, КТ3102Д, КТ3102Е, КТ3102Ж, КТ3102И, КТ3102К – смотреть

КТ3102АМ, КТ3102БМ, КТ3102ВМ, КТ3102ГМ, КТЗШ2ДМ, КТ3102ЕМ, КТ3102ЖМ, КТ3102ИМ, КТ3102КМ – смотреть

КТ3104А, КТ3104Б, КТ3104В, КТ3104Г, КТ3104Д, КТ3104Е – смотреть

КТ3106А-2 – смотреть

КТ3106А-9 – смотреть

КТ3107А, КТ3107Б, КТ3107В, КТ3107Г, КТ3107Д, КТ3107Е, КТ3107Ж

КТ3107И, КТ31О7К, КТ3107Л – смотреть

КТ3108А, КТ3108Б, КТ3108В – смотреть

КТ3109А, КТ3109Б, КТ3109В – смотреть

КТ3114Б-6, КТ3114В-6 – смотреть

КТ3115А-2, КТ3115В-2, КТ3115Г-2, КТ3115Д-2 – смотреть

КТ3117А-1 – смотреть

КТЗП7А, КТ3117Б – смотреть

КТ312А, КТ312Б, КТ312В – смотреть

КТ3120АМ – смотреть

КТ3121А-6 – смотреть

КТ3122А, КТ3122Б – смотреть

КТ3123А-2, КТ3123Б-2, КТ3123В-2 – смотреть

КТ3123АМ, КТ3123БМ, КТ3123ВМ – смотреть

КТ3126А, КТ3126Б – смотреть

КТ3126А-9 – смотреть

КТ3127А – смотреть

КТ3128А – смотреть

КТ3128А-1, КТ3128Б-1 – смотреть

КТ3128А-9 – смотреть

КТ3129А-9, КТ3129Б-9, КТ3129В-9, КТ3129Г-9, КТ3129Д-9 – смотреть

КТ313А, КТ313Б – смотреть

КТ313А-1, КТ313Б-1, КТ313В-1, КТ313Г-1 – смотреть

КТ3130А-9, КТ3130Б-9, КТ3130В-9, КТ3130Г-9, КТ3130Д-9, КТ3130Е-9

КТ3130Ж-9 – смотреть

КТ3132А-2, КТ3132Б-2, КТ3132В-2, КТ3132Г-2, КТ3132Д-2, КТ3132Е-2 – смотреть

КТ3139А, КТ3139Б, КТ3139В, КТ3139Г – смотреть

КТ314А-2 – смотреть

КТ3140А, КТ3140Б, КТ3140В, КТ3140Г, КТ3140Д – смотреть

КТ3142А – смотреть

КТ3145А-9, КТ3145Б-9, КТ3145В-9, КТ3145Г-9, КТ3145Д-9 – смотреть

КТ3146А-9, КТ3146Б-9, КТ3146В-9, КТ3146Г-9, КТ3146Д-9 – смотреть

КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж, КТ315И,

КТ315Н – смотреть

КТ315А-1, КТ315Б-1, КТ315В-1, КТ315Г-1, КТ315Д-1, КТ315Е-1, КТ315Ж-1,

КТ315И-1, КТ315Н1, КТ315Р1 – смотреть

КТ3150Б-2 – смотреть

КТ3151А-9, КТ3151Б-9, КТ3151В-9, КТ3151Г-9, КТ3151Д-9, КТ3151Е-9 – смотреть

КТ3153А-9 – смотреть

КТ3153А-5 – смотреть

КТ3157А – смотреть

КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д – смотреть

КТ316АМ, КТ316БМ, КТ316ВМ, КТ316ГМ, КТ316ДМ – смотреть

КТ3165А – смотреть

KT3165A-9 – смотреть

КТ3166А – смотреть

КТ3168А-9 – смотреть

КТ3169А-9 – смотреть

Микроконтроллерный определитель цоколёвки биполярных транзисторов — Измерительная техника — Инструменты

Предлагаемое устройство определит цоколёвку и структуру биполярного транзистора. Информация об этом выводится на индикатор, собранный из восьми с вето диодов.

В журнале «Радио» № 8 за 2005 год на с. 30, 31 было опубликовано описание аналогичного устройства —»Микроконтроллерный определитель выводов транзисторов» (автор В. Краснов). Этому устройству присущи некоторые недостатки — относительная сложность схемы и неудобство пользования, поскольку для определения цоколёвки транзистора приходится пользоваться специальной таблицей, а не прямой индикацией. Поэтому было разработано устройство, свободное от указанных недостатков, схема которого показана на рис. 1. Оно гораздо проще и снабжено прямой индикацией выводов проверяемого транзистора и его структуры.

Основа устройства — микроконтроллер DD1, он сконфигурирован для работы с RC-генератором, частота которого задана цепью R1C2. В определённой последовательности, заданной программой, на линиях порта RB2, RB4, RB6 формируются импульсы с амплитудой, близкой к напряжению питания. Через интегрирующие цепи R2C5, R3C4 и R4C3 к этим линиям подключают проверяемый транзистор. Напряжения с конденсаторов СЗ, С4, С5 поступают на линии порта RB7, RB5, RB3, где осуществляется их измерение. Информация о цоколёвке и структуре транзистора выводится с линий порта RAO—RA3, RBO, RB1 с помощью светодиодов HL1— HL8, которые расположены на
плате в соответствии с контактами гнезда XS1. Светодиоды HL2—HL4 (красного цвета свечения) указывают вывод базы, HL6—HL8 (синего цвета) — вывод эмиттера, а светодиоды HL1 и HL5 — структуру транзистора. Для управления светодиодами использован принцип динамической индикации.

Принцип работы устройства поясняет рис. 2, а осциллограммы напряжений показаны на рис. 3. Сначала проводится проверка в предположении, что вывод базы подключён ко входу (рис. 2). На базу транзистора поступает плавно нарастающее от нуля напряжение (иВых2) с интегрирующей цепи R2C1 (рис. 2). За счёт этого ток коллектора
появляется с задержкой и напряжение на нём (UBbixi) уменьшается также плавно.

Пороговое напряжение (рис. 3) низкого уровня (Unopor) будет достигнуто через временной интервал At, который измеряет микроконтроллер. Далее транзистор подвергается проверке в другой комбинации выводов, где предположительные эмиттер и коллектор меняются местами, а предыдущие процедуры повторяются. Микроконтроллер сравнивает измеренные интервалы времени At в первом и втором случаях. Поскольку транзистор в инверсном включении имеет меньший статический коэффициент передачи тока базы, скорость изменения напряжения на коллекторе будет меньше, a At больше, что и
используется для определения вывода коллектора. После успешного определения цоколёвки программа включает соответствующие светодиоды для индикации выводов и структуры транзистора, а затем переходит в начало и весь цикл повторяется. Продолжительность цикла проверки и индикации составляет несколько миллисекунд, поэтому кажется, что светодиоды горят постоянно.

Если в процессе измерения пороговое напряжение не будет достигнуто за некоторый заданный временной интервал — около 1 мс, можно сделать вывод, что положение базы транзистора в проверяемой конфигурации выводов неправильно и программа переходит к проверке другой конфигурации. Таких конфигураций существует по три для транзисторов разной структуры. После безуспешной проверки всех шести вариантов принимается решение о том, что транзистор неисправен или он не подключён к прибору. В этом случае устройство переходит к индикации включённого состояния, при этом мигает один из светодиодов (HL1) и весь цикл проверки транзистора повторяется.

Все элементы смонтированы на плате из фольгированного с одной стороны стеклотекстолита, чертёж которой показан на рис. 4. Применены резисторы МЛТ мощностью 0,125 или 0,25 Вт, конденсатор С2 — К10-17, остальные — для поверхностного монтажа типоразмера 1206. Микроконтроллер установлен в панель. Все светодиоды повышенной яркости свечения с диаметром корпуса 5 мм, HL1—HL4 — красного цвета, a HL5—HL8 — синего цвета Но следует учесть, что при напряжении питания 3,6 В яркость светодиодов синего цвета может быть недостаточной.

В этом случае можно применить светодиоды зелёного цвета свечения или повысить напряжение. Выключатель SA1 —любой малогабаритный. Моделирование работы прибора проведено в программе Proteus Release 7.5 SP3.

Внешний вид смонтированной платы показан на рис. 5, а всего устройства — на рис. 6. Взамен проволочных перемычек между конденсаторами СЗ—С5 и выводами 9, 11 и 13 микроконтроллера установлены резисторы сопротивлением не более 10 Ом. Для повышения надёжности определения цоколёвки желательно увеличить тактовую частоту. Для этого конденсатор С2 можно исключить, генератор микроконтроллера будет работать на паразитной ёмкости микросхемы и монтажа, а его частота составит около 3 МГц. Испытания с тремя экземплярами микросхем показали надежную работу устройства в таком режиме.

Напряжение питания может быть в интервале 3,6…6 В, поэтому питать устройство можно от стабилизированного зарядного устройства (5 В), аккумулятора сотового телефона или батареи из трёх-четырёх гальванических элементов типоразмеров АА, AAA. В режиме ожидания потребляемый ток — около 2,5 мА, в режиме измерения и индикации выводов — 8 мА.

Для проверки прибора было проведено тестирование транзисторов различных серий: КТ801—КТ803, КТ805, КТ807—КТ809, КТ812—КТ819, КТ903, 1Т904, 1Т907, КТ908, КТ920, КТ972, КТ973, П401, П411, П416, П420, П601, П701, П702, МП101—МП106, МП9, МП 16, МП36—МП42. Во всех случаях цоколёвка исправных транзисторов определялась верно.

АРХИВ:Скачать

Источники; журнал «Радио» №11, 2011 год, стр. 25 — 26.

автор Б. СТАНАЙТИС, г. Каунас, Литва.

ZVEX — Fuzz Factory — CHAS-MUSIC

Гитарный эффект фузз на винтажных германиевых транзисторах:

Этот фузз по праву занял место одного из самых популярных в мире. Корни его растут от небезызвестной и так любимой Jimi Hendrix педали Dunlop Fuzz Face. Изобретатель педали Захарий Векс, по сути взял схему Fuzz Face, на вход ей добавил дополнительный каскад на кремниевом транзисторе, а некоторые резисторы схемы заменил на переменные, так и появился этот фузз с кучей настроек и звуков, благодаря большому количеству регулировок.

Теперь давайте по порядку разберем, за что же отвечает каждая из ручек:
Vol — тут все понятно, это уровень выходного сигнала.
Drive — тут тоже все понятно, это уровень перегруза.
Stab — волшебная ручка, снижающая напряжение схемы, имитация севшей батарейки, в результате чего начинают появляться различные писки и свисты.
Gate — некое подобие шумоподавления, на определенном пороге убирает шумы и свисты, как раз помогает справиться с модуляциями ручки Stab, чтобы шумов не было слышно в паузах.
Comp — своего рода компрессор, но кроме компрессирования сигнала меняет еще и его структуру, так же с определенного порога убирает шумы и модуляции в паузах.

Существует несколько версий оригинальной педали, отличающихся ценой внешней отделкой и «начинкой». Более дешевые версии имеют заводскую окраску и сборку, а так же построены на кремниевых транзисторах, дорогие версии собираются и раскрашиваются в ручную, а так же используют все те же германиевые транзисторы, которые сняты с производства уже лет эдак 50.

Теперь перейдем непосредственно к сборке педали, собирать будем ТРУ версию на германиевых транзисторах, найти таковые можно на Ebay.com, AC128 и аналогичные им, но тянуть из-за границы несколько транзисторов очень дорого, поэтому вполне можно обойтись отечественными аналогами, которые еще не так проблематично найти на радиорынках. На замену АС128 вполне подойдут МП42-Б или громоздкие ГТ402И, но у них отличается цоколевка, нужно быть внимательными. Для наиболее правильной работы схемы фуза транзисторы нужно ставить в схему по возрастанию коэффициента усиления HFE, опираться нужно на такие значения: у первого транзистора порядка 80, у второго порядка 120, можно брать пары с большим или меньшим значением, но что-бы разница между ними была в районе 40. Но и тут не все так просто, нельзя просто взять и померять тестером HFE транзисторов, дело в том, что у германиевых транзисторов очень большие токи утечки, и для замера правильных значений нужно учитывать и их. Что бы произвести замеры, придется собрать вот такой небольшой стендик и рассчитать HFE по приведенной на картинке формуле:

Итак, транзисторы подобраны или хотя бы мы смогли выяснить у какого из двух HFE больше, теперь можно приступать к сборке этого гитарного эффекта, вот схема по которой будем собирать

Хочу обратить внимание, что все переменные резисторы на схеме указаны с линейной характеристикой B, но по личному опыту могу сказать, что ручку Vol лучше поставить с логарифмической характеристикой А5К, а ручку Comp напротив с антилогарифмической C5K, так регулировки будут плавнее и будет легче произвести более точную настройку.

Вот Layout этой гитарной педали на макетной плате

А вот и печатная плата в Sprint Layout 5 и инструкция по сборке:

Fuzz Factory

Распиновка

Mp39. Транзисторы малой мощности

Низкочастотный усилитель мощности на германиевых транзисторах П213, принципиальная схема которого приведена на рис.1, может использоваться для воспроизведения грампластинки, как низкочастотная часть приемника (от гнезд GNZ, GN4), также для усиления сигналов от датчиков адаптированных музыкальных инструментов (от гнезд GN1, GN2).

Чувствительность усилителя от гнезд ГнІ, Гн2 — 20 мВ, от розеток Гн3, Гн4 — не хуже 250 мВ;
Выходная мощность при нагрузке 6.5 Ом -2 Вт;
коэффициент нелинейных искажений — 3%;
Диапазон частот 60-12 000 Гц;
В бесшумном режиме усилитель потребляет ток около 8 мА, а в режиме максимальной мощности — 210 мА.
Питание усилителя возможно как от батарей, так и от сети переменного тока напряжением 127 или 220 В.

Принципиальная схема

Как видно из принципиальной схемы, первый каскад усиления собран на малошумящем транзисторе MP39B (T1) по схеме с общим эмиттером.Усиленный сигнал поступает на потенциометр R1, с двигателя которого через резистор R2 и разделительный конденсатор С1 низкочастотный сигнал попадает на базу транзистора. Нагрузкой первого каскада усилителя является резистор R5.

Делитель напряжения R3, R4 и резистор R6 являются элементами температурной стабилизации. Наличие делителя R3, R4 делает напряжение на базе транзистора T1 мало зависимым от температуры. Резистор R6 в цепи эмиттера создает отрицательную обратную связь по постоянному току.

С повышением температуры ток в цепи эмиттера увеличивается, а падение напряжения на резисторе R6 увеличивается. В результате этого напряжение между базой и эмиттером становится менее отрицательным, что предотвращает дальнейшее увеличение тока эмиттера. Второй каскад усиления также собран по схеме с общим эмиттером на транзисторе MP39B (T2).

Для уменьшения температурной зависимости параметров этого каскада используется комбинированная отрицательная обратная связь, определяемая резисторами R8, R9 и R10.Напряжение, усиленное первым каскадом, поступает на вход второго каскада через разделительный конденсатор С2. Нагрузкой транзистора Т2 является резистор R7.

Третий каскад усиления собран на транзисторе Т3. Нагрузка каскада — резистор RI8. Связь между второй и третьей каскадами осуществляется с помощью конденсатора С3.

Выходной каскад усилителя работает в режиме класса B последовательно-параллельно. Главное преимущество усилителей этого класса перед усилителями класса А — высокий КПД.

При разработке обычных усилителей низкой частоты радиолюбители сталкиваются с задачей изготовления переходных и выходных трансформаторов. Малогабаритные трансформаторы с сердечником из пермаллоя изготовить довольно сложно. Кроме того, трансформаторы снижают общий КПД и во многих случаях являются источником нелинейных искажений.

Недавно были разработаны выходные каскады без трансформаторов — с квазикомплементарной симметрией, то есть с использованием транзисторов, имеющих разные типы переходов и дополняющих друг друга, для возбуждения двухтактного усилителя.

Бестрансформаторный каскад собран на двух мощных транзисторах Т6, Т7 с возбуждением от пары комплементарных симметричных транзисторов Т4 и Т5, работающих в предварительном каскаде усиления. В зависимости от полярности сигнала, поступающего с коллектора транзистора T3, разблокируется один (T4) или другой (T5) транзистор. При этом связанные с ними транзисторы Т6, Т7 открываются. Если усиленный сигнал имеет отрицательную полярность на коллекторе транзистора Т3, транзисторы Т4, Т6 открываются, если сигнал имеет положительную полярность, транзисторы Т5 и Т7 открываются.

Постоянная составляющая коллекторного тока, проходящая через термостабилизирующий диод D1 и резистор R19, создает смещение на базах транзисторов Т4, Т5, выполняющих функции фазоинверторов. Это смещение устраняет характерные искажения, вызванные нелинейностью входных характеристик при низких базовых токах.

Резисторы R22, R23 уменьшают влияние разброса параметров транзисторов Т4, Т3 на режим работы выходного каскада.Конденсатор С9 Изоляция.

Для уменьшения нелинейных искажений каскады усиления на транзисторах Т3 — Т7 покрываются отрицательной обратной связью по переменному току, напряжение которой снимается с выхода оконечного усилителя и подается по цепочке R17, C8, R16, R15. , C6, R14 на базу транзистора T3. В этом случае переменный резистор R17 обеспечивает регулировку тембра в области низких частот, а потенциометр R15 — в области высоких частот.

Если регулировка тона не требуется, детали с R14 по R17.C6, C8 исключены из схемы. Цепь обратной связи в этом случае образована резистором R0 (на рис. 1 эта цепь показана пунктирной линией).

Для нормальной работы выходного каскада напряжение в точке «а» (напряжение покоя) должно быть равно половине напряжения источника питания. Это достигается соответствующим подбором сопротивления резистора RI8. Стабилизация напряжения покоя обеспечивается цепью отрицательной обратной связи постоянного тока.

Как видно из схемы, точка «а» на выходе усилителя подключена к цепи базы транзистора ТК с помощью резистора R12.Наличие этого соединения автоматически поддерживает напряжение в точке «а», равное половине напряжения источника питания (в данном случае равному ba).

Для нормальной работы усилителя также необходимо, чтобы транзисторы Т4, Т5 и Т6, Т7 имели минимально возможный обратный ток. Коэффициент усиления (5 транзисторов Т4-Т7 должен быть в диапазоне 40-60; при этом транзисторы могут иметь разные коэффициенты усиления h. Необходимо только, чтобы выполнялось равенство h5 * hb = h5 * h7.

Детали и установка

Усилитель монтируется на гетинакс-панели толщиной 1-1,5 мм. Размеры платы во многом зависят от области применения усилителя. Для обеспечения хорошего теплоотвода транзисторы P213B комплектуются радиаторами с общей охлаждающей поверхностью не менее 100 см2.

Усилитель может питаться от 12-вольтовой батареи, собранной из ячеек Сатурна или от батареек для фонарика. Питание усилителя от сети переменного тока осуществляется выпрямителем, собранным по мостовой схеме на четырех диодах D1-D4 с емкостным фильтром через регулятор напряжения (рис.2).

Как уже было сказано выше, во время работы усилителя потребляемый им ток изменяется в довольно широком диапазоне. Внезапные колебания тока неизбежно вызовут изменение величины напряжения питания, что может привести к нежелательным соединениям в усилителе и искажению сигнала. Для предотвращения подобных явлений предусмотрена стабилизация выпрямленного напряжения.

В состав стабилизатора входят транзисторы Т7, Т2 и стабилитрон D5. При стабилизации тока нагрузки от 5 до 400 мА этот стабилизатор обеспечивает стабильное напряжение 12 В, а амплитуда пульсаций не превышает 5 мВ.Стабилизация питающего напряжения происходит за счет падения напряжения на транзисторе Т2.

Эта разница зависит от смещения на базе транзистора T2, которое, в свою очередь, зависит от величины опорного напряжения на резисторе R2 и напряжения на нагрузке (Rnag).

Транзистор Т2 установлен на радиаторе. Выпрямитель помещен в ящик размером 60X90X130 мм, который изготовлен из листовой стали толщиной 1 мм.

Силовой трансформатор выполнен на сердечнике Ш12, толщина комплекта 25 мм.Обмотка I (на 127 В) содержит 2650 витков провода ПЭЛ 0,15, обмотка II (на 220 В) — 2190 витков ПЭЛ 0,12, обмотка III — 420 витков ПЭЛ 0,55.

Регулировка

Усилитель, собранный из проверенных деталей и транзисторов, обычно сразу начинает работать. Подключив блок питания (12 В), резисторы R3, R8, R12, R18 устанавливают рекомендуемый режим. Затем через разделительный конденсатор С3, предварительно отключенный от коллектора транзистора Т2, напряжение с генератора звука (0.2 В, частота 1000 Гц) подается на вход усилителя.

Цепь обратной связи в точке «b» должна быть разорвана. Контроль формы выходного напряжения наблюдается с помощью осциллографа, подключенного параллельно громкоговорителю. Если на переходах полуволн наблюдаются большие «ступеньки», необходимо уточнить номинал резистора R19.

Подбирается по минимальным искажениям, которые при включении цепи обратной связи практически полностью исчезают.Создание других каскадов ничем не отличается. В тех случаях, когда от усилителя требуется чувствительность порядка 250 мВ, первые два каскада на транзисторах Т1, Т2 могут быть исключены из схемы.

В журналах UT № 9 и № 10 за 1970 год мы говорили о простых приемных детекторах. Такие приемники позволяют слышать в наушниках сигналы мощных и близко расположенных радиостанций.

Сегодня вы познакомитесь с простейшим усилителем на транзисторе, а также узнаете, что нужно сделать, чтобы ресивер стал еще лучше и как «научить» его принимать больше программ с увеличенной громкостью.

Итак, УРОК 3.

ЧТО ТАКОЕ ТРАНЗИСТОР

Прежде всего нам понадобится транзистор. Это небольшое электронное устройство размером чуть больше горошины выполняет ту же роль, что и усилительная лампа. «Сердце» транзистора — миниатюрная полупроводниковая пластина (германий или кремний) с двумя вделанными в нее электродами. Один из электродов называется эмиттером, другой — коллектором, а пластина — базой (рис. 1).

Если на базу транзистора подать слабый электрический сигнал, то в цепи коллектора появится мощная «копия».Получается, что полупроводниковый триод работает как усилитель. Отношение, которое показывает, во сколько раз изменение тока коллектора превышает изменение тока в цепи базы, называется коэффициентом усиления транзистора по току и обозначается буквой P (бета). Вы уже догадались, что чем больше коэффициент | 3, тем больше коэффициент усиления триода.

e Для усилителя низкой частоты подходят маломощные транзисторы типа MP39-MP42 или аналогичные триоды P13-P16 с любым буквенным индексом.Важно, чтобы их коэффициент

текущий прирост был не менее 30–40.

В схему усилителя (рис. 2), помимо транзистора Т, входят резистор R, конденсатор С и электромагнитный телефон Тлф.

Резистор R подключен между базой транзистора и минусом батареи. Он подает напряжение на базу и создает необходимый режим работы триода. Его сопротивление составляет 200-300 кОм и зависит от параметров транзистора.

Конденсатор C называется изоляционным. Он передает звуковые сигналы, но блокирует путь постоянного тока между базой и положительной клеммой аккумулятора.

Постоянный резистор R может быть любого типа. Однако лучше включать в схемы транзисторов малогабаритные устройства типа УЛМ или МЛТ 0,125. Конденсатор емкостью 0,047 мкФ типа К Ю-7 или МБМ и электромагнитный телефонный (наушник) типа ТЛ-ТОН-1 или ТОН-2 с высокоомной звуковой катушкой.

Соберите схему усилителя на плате из картона или фанеры размером 50Х30 мм (рис. 3).

Транзисторы очень чувствительны к высоким темам

пература. Паять нужно быстро и уверенно, чтобы не перегреть триод. Клеммы устройства не должны изгибаться ближе 10 мм от корпуса, а их длина должна быть не менее 15 мм.

Настройка усилителя сводится к проверке режима работы транзистора.Подбирая величину сопротивления резистора R, устанавливаем ток коллектора Ti равным 0,8 — 1 мА. Измеритель должен быть включен между гнездом для наушников и минусом батареи. Если у вас нет миллиамперметра или тестера, то вы можете выставить нужный триодный режим на максимальную громкость и хорошее качество звука в телефоне.

Итак, вы собрали транзисторный усилитель низкой частоты. Подключите микрофон к его входным разъемам

Транзисторы МП39, МП40, МП41, МП42.

Транзисторы МП39, МП40, МП41, МП42 — германиевые, усиливающие маломощные низкочастотные p-n-p структуры.
Стекло-металлический корпус с гибкими выводами. Вес — около 2 г. Маркировка буквенно-цифровая, сбоку на корпусе.

Существуют следующие зарубежные аналоги:
MP39 -2N1413
MP40 — 2N104
MP41 возможный аналог — 2N44A
MP42 возможный аналог — 2SB288

Важнейшие параметры.

Коэффициент передачи тока транзисторов MP39 редко превышает 12 MP39B диапазоны от 20 перед 60 .
Для транзисторов МП40, МП40А — из 20 перед 40 .
Транзисторы МП41 — из 30 перед 60 , МП41А — из 50 перед 100 .
для транзисторов МП42 — из 20 перед 35 , МП42А — из 30 перед 50 , МП42Б — из 45 перед 100 .

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер. Транзисторы МП39, МП40 — 15 дюйм.
Транзисторы МП40А — 30 дюйм.
Транзистор МП41, МП41А, МП42, МП42А, МП42Б — 15 дюйм

Предел частоты передачи тока Транзистор (fh31e) для схем с общим эмиттером:
До 0,5 МГц для транзисторов МП39, МП39А.
Перед 1 МГц для транзисторов МП40, МП40А, МП41, МП42Б.
Перед 1,5 МГц для транзисторов МП42А.
Перед 2 МГц для транзисторов МП42.

Максимальный ток коллектора. – 20 мА постоянная 150 мА пульсирует.

Коллектор обратного тока при напряжении коллектор-база 5В и температуре окружающей среды от -60 до +25 Цельсия, не более 15 мкА.

Обратный ток эмиттера при напряжении эмиттер-база 5В и температуре окружающей среды до +25 Цельсия, не более — 30 мкА.

Емкость коллектора при напряжении коллектор-база 5В на частоте 1 МГц — не более 60 пФ.

Коэффициент минимального шума — для MP39B с напряжением коллектор-база 1,5 В и током эмиттера 0,5 мА на частоте 1 кГц — не более 12 дБ

Рассеиваемая мощность коллектора. У МП39, МП40, МП41 — 150 мВт
U MP42 — 200 мВт

Когда-то транзисторами этой серии комплектовались широко распространенные наборы радиоконструкций для начинающих. Идеально для этого подошел MP39-MP42 с его довольно большими габаритами, длинными гибкими выводами и простой распиновкой (распиновкой).К тому же довольно большой обратный ток позволял им работать по схеме с общим эмиттером, без дополнительного смещения. Те. — действительно собирался самый простой усилитель на одном транзисторе без резисторов. Это позволило существенно упростить схему на начальных этапах проектирования.

Распиновка транзистора

MP41

Обозначение транзистора МП41 на схемах

На принципиальных схемах транзистор обозначен как буквенным кодом, так и условным графическим обозначением.Буквенный код состоит из латинских букв VT и числа (порядковый номер на схеме). Условное графическое обозначение транзистора MP41 обычно помещается в кружок, символизирующий его корпус. Короткая линия с линией от середины символизирует основание, две наклонные линии, проведенные к его краям под углом 60 ° — эмиттер и коллектор. На эмиттере есть стрелка, указывающая в сторону базы.

Характеристики транзистора MP41

Конструкция п-н-п
15 * (10к) В
20 (150 *) мА
0.15 Вт
30 … 60 (5 В; 1 мА)
Коллектор обратного тока
> 1 * МГц
Строение п-н-п
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 15 * (ZK) В
Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора 150 * мА
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без радиатора (с радиатором) 0,2 Вт
Коэффициент передачи статического тока биполярного транзистора в цепи с общим эмиттером 20… 35 * (1 В; 10 мА)
Коллектор обратного тока — мкА
Частота отсечки коэффициента передачи тока в цепи общего эмиттера > 2 * МГц

Распиновка транзистора MP42

Обозначение транзистора МП42 на схемах

На принципиальных схемах транзистор обозначен как буквенным кодом, так и условным графическим обозначением. Буквенный код состоит из латинских букв VT и числа (порядковый номер на схеме).Условное графическое обозначение транзистора MP42 обычно помещается в кружок, символизирующий его корпус. Короткая линия с линией от середины символизирует основание, две наклонные линии, проведенные к его краям под углом 60 ° — эмиттер и коллектор. На эмиттере есть стрелка, указывающая в сторону базы.

Характеристики транзистора МП42

- Конструкция п-н-п
- Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 15 * (ZK) В
- Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора 150 * мА
- Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без радиатора (с радиатором) 0.2 Вт
- Коэффициент передачи статического тока биполярного транзистора в цепи с общим эмиттером 20 … 35 * (1 В; 10 мА)
- Коллектор обратного тока — мкА
- Частота отсечки коэффициента передачи тока в цепи общего эмиттера > 2 * МГц

Низкая частота. Транзисторы из сплава германия — n — r MP39B, MP40A, MP41A используются для работы в схемах усиления низких частот и выпускаются в металлическом корпусе (рис.56, а — в) со стеклянными изоляторами и гибкими выводами массой 2,5 г, с диапазоном рабочих температур от -60 до +70 ° С. Электрические параметры приведены в таблице. 109.

Кремниевые транзисторы RNP MP 114, MP 115, MP116 выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (рис. 57), массой 1,7 г, с диапазоном рабочих температур от -55 до + 100 ° С. Электрические параметры приведены в таблице. 110.

Рис. 56. Распиновка и габаритные размеры транзисторов МП39В, МП40А, МП41А (а) и их входные (6) и выходные (в) характеристики в схеме с общей базой

Фиг.57. Распиновка и габаритные размеры транзисторов МП114 — МП116

Стол 109

Обратный ток коллектора, мкА, при U К б = — 5 В и температуре, ° С:

20 …………… 15

70 …………… 300

Обратный ток эмиттера, мкА, при U Эб = — 5 В 30

Наибольший постоянный ток коллектора, мА 20

Емкость коллектора, пФ, при У К6 = 5 В и

f = 500 кГц………….. 60

Самый большой коллектор импульсного тока,

мА, при I ESD

Выходная проводимость, мкСм, при I э = 1 мА,

U „b = 5 В и f = 1 кГц ………. 3,3

Сопротивление базы, Ом, при I э = 1 мА,

U кб = 5 В и f = 500 кГц ……… 220

Мощность, рассеиваемая коллектором, мВт, при температуре, ° С:

55 …………… 150

70 ……………. 75

Отрицательное напряжение U э в, В…. 5

Стол 110

Обратный ток коллектора, мА, при U к = — 30 В и температуре 20 и 100 ° С соответственно … 10 и 400

Обратный ток эмиттера, мкА, при U эб = — 10 В и температуре 20 и 100 ° С соответственно. . . — 10 и 200

Входное сопротивление, Ом, в цепи с ОВ при LU = — 50 В, I э = 1 мА, f = 1 кГц ……. 300

Мощность, рассеиваемая коллектором, мВт, при 70 ° С…………….. 150

Среднечастотный. Транзисторы РНП КТ203 (A, B, C) предназначены для усиления и генерации колебаний в диапазоне до 5 МГц, для работы в схемах переключения и стабилизации, выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (рис. 58). , массой 0,5 г, с рабочим диапазоном температур от — 60 до + 125 ° С. Электрические параметры транзисторов приведены в таблице. 111.

Рис. 58. Распиновка и габаритные размеры транзисторов КТ203А — Б

Стол 111

Обратный ток коллектора, мкА, при максимальном обратном напряжении и температуре 25 и 125 ° С соответственно…………… 1 и 15

Ток возврата эмиттера, мкА, при U э 6 = — 30 В. 10

Емкость коллекторного перехода, пФ, при U K b = 5 В и f = 10 МГц …………. 10

Ток коллектора, мА: постоянный ………….. 10

импульс ………….. пятьдесят.

Среднее значение тока эмиттера в импульсном режиме, мА …………….. 10

Мощность, рассеиваемая коллектором, МВт, при температуре до 70 ° С ……… В.. 150

* Для транзисторов КТ203А — К.Т203В напряжение u k q соответственно 50, 30 при 15 В,

Высокая частота . Преобразователи pnp GT321

(А — Е) выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (рис. 59, а), массой 2 г, с диапазоном рабочих температур от — 55 до +60 ° С. Электрические параметры транзисторов приведены в таблице. 112.

Существуют следующие зарубежные аналоги:
MP39 -2N1413
MP40 — 2N104
MP41 возможный аналог — 2N44A
MP42 возможный аналог — 2SB288

Важнейшие параметры.

Максимальный ток коллектора. – 20 мА постоянная 150 мА пульсирует.

Емкость коллектора при напряжении коллектор-база 5В на частоте 1 МГц — не более 60 пФ.

Рассеиваемая мощность коллектора. У МП39, МП40, МП41 — 150 мВт
U MP42 — 200 мВт

Распиновка транзистора

MP41

Обозначение транзистора МП41 на схемах

Характеристики транзистора MP41

Конструкция п-н-п
15 * (10к) В
20 (150 *) мА
0.15 Вт
30 … 60 (5 В; 1 мА)
Коллектор обратного тока
> 1 * МГц
Строение п-н-п
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 15 * (ZK) В
Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора 150 * мА
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без радиатора (с радиатором) 0,2 Вт
Коэффициент передачи статического тока биполярного транзистора в цепи с общим эмиттером 20… 35 * (1 В; 10 мА)
Коллектор обратного тока — мкА
Частота отсечки коэффициента передачи тока в цепи общего эмиттера > 2 * МГц

Распиновка транзистора MP42

Обозначение транзистора МП42 на схемах

На принципиальных схемах транзистор обозначен как буквенным кодом, так и условным графическим обозначением. Буквенный код состоит из латинских букв VT и числа (порядковый номер на схеме).Условное графическое обозначение транзистора MP42 обычно помещается в кружок, символизирующий его корпус. Короткая линия с линией от середины символизирует основание, две наклонные линии, проведенные к его краям под углом 60 ° — эмиттер и коллектор. На эмиттере есть стрелка, указывающая в сторону базы.

Характеристики транзистора МП42

- Конструкция п-н-п
- Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 15 * (ZK) В
- Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора 150 * мА
- Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без радиатора (с радиатором) 0.2 Вт
- Коэффициент передачи статического тока биполярного транзистора в цепи с общим эмиттером 20 … 35 * (1 В; 10 мА)
- Коллектор обратного тока — мкА
- Частота отсечки коэффициента передачи тока в цепи общего эмиттера > 2 * МГц

DYNAMIXEL PRO

ToC ▲
TOP Редактировать на GitHub
DYNAMIXEL PRO ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ : DYNAMIXEL PRO больше не выпускается.
Модельный ряд
Интегрированное устройство для управления роботом : Содержит все необходимые функции для роботизированных суставов, интегрированных в единый модуль.
Прочная и долговечная понижающая циклоидная передача : DYNAMIXEL PRO использует съемные понижающие циклоидные шестерни. Маленькие и легкие циклоиды позволяют использовать редуктор с высоким передаточным числом. Кроме того, циклоидные шестерни более устойчивы к вибрациям и ударам, что приводит к минимальному люфту.
Разнообразие моделей : двигатель DYNAMIXEL PRO, редуктор, передаточное число, тип связи и т. Д. Адаптированы для различных ценовых диапазонов. Пользователь может выбрать наиболее подходящую модель DYNAMIXEL PRO, необходимую для робота.
Разнообразие алгоритмов управления : Положение, скорость и электрический ток DYNAMIXEL PRO можно контролировать с помощью алгоритмов. Пользователь может контролировать эти 3 аспекта в любой комбинации и правильно настраивать робота.DYNAMIXEL PRO предоставляет график, иллюстрирующий взаимосвязь между электрическим током и крутящим моментом. Эта функция полезна для управления крутящим моментом через управление током.
Прецизионное управление : максимум 502 000 единиц на оборот, пользователь может контролировать 0,0007 градусов на единицу, что обеспечивает высокоточное управление.
Модель Размеры (мм) Вес Разрешение Двигатель
H54-200-S500-R
H54-200-S500-R (A) 54 х 126 х 54 855 г 501 923 BLDC (Максон)
H54-100-S500-R
H54-100-S500-R (A) 54 х 108 х 54 732 г 501 923 BLDC (Максон)
h52-20-S300-R
h52-20-S300-R (A) 42 х 84 х 42 340 г 303 750 Coreless (Maxon)
M54-60-S250-R
M54-60-S250-R (А) 54 х 126 х 54 853 г 251 417 BLDC (Максон)
M54-40-S250-R
M54-40-S250-R (A) 54 х 108 х 54 710 г 251 417 BLDC (Максон)
M42-10-S260-R
M42-10-S260-R (А) 42 х 72 х 42 269 г 263 187 Coreless (Maxon)
L54-50-S290-R 54 х 108 х 54 656 г 207 692 BLDC
L54-50-S500-R 54 х 108 х 54 656 г 361 384 BLDC
L54-30-S400-R 54 х 108 х 54 612 г 288 395 BLDC
L54-30-S500-R 54 х 108 х 54 591 г 361 384 BLDC
L42-10-S300-R 42 х 72 х 42 257 г 4 096 Без сердечника
Для управления DYNAMIXEL PRO с помощью специального главного контроллера сигнал UART главного контроллера должен быть преобразован в сигнал RS-485.Ниже приведена рекомендуемая принципиальная схема преобразования.
ПРИМЕЧАНИЕ : Вышеупомянутая схема предназначена для MCU с допуском на 5 В или 5 В. В противном случае используйте переключатель уровня для соответствия напряжению MCU.
Питание подается через контакты 1 (-) и 2 (+) модуля DYNAMIXEL. (Вышеупомянутая схема встроена в контроллеры только DYNAMIXEL)
На приведенной выше принципиальной схеме направление сигнала данных TxD и RxD на уровне TTL определяется в соответствии с уровнем TX_Enable_5V следующим образом:
Если TX_Enable_5V = High : Сигнал TXD_5V передается на D + и D- .
Если TX_Enable_5V = Low : сигналы D + и D- передаются на RXD_5V .
Расположение выводов разъема показано ниже. DYNAMIXEL PRO имеет два 4-контактных разъема, расположенных в двухконтактной конфигурации. При таком расположении нет приоритета в порядке подключения разъемов, и DYNAMIXEL PRO может работать так же, как серия MX.
Дополнительно имеется 2-контактный разъем, предназначенный для ввода питания при работе с большими токами.
ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ : При подключении обратите внимание на расположение контактов. Неправильно подключенный DYNAMIXEL PRO может быть серьезно поврежден.
Светодиод DYNAMIXEL pro мигает один раз, если питание на DYNAMIXEL pro должным образом подается по проводке.
Мультивибратор
.Назначение, принцип действия, применение
Мультивибратор.
Первая схема — простейший мультивибратор. Несмотря на простоту, сфера его применения очень широка. Ни одно электронное устройство без него не обходится.
На первом рисунке показана его принципиальная схема.
светодиода используются в качестве нагрузки. Когда мультивибратор работает, светодиоды переключаются.
Для сборки требуется минимум деталей:
1.Резисторы 500 Ом — 2 шт.
2. Резисторы 10 кОм — 2 шт.
3. Конденсатор электролитический 47 мкФ 16 В — 2 шт.
4. Транзистор КТ972А — 2 шт.
5. Светодиод — 2 шт.
Транзисторы КТ972А являются составными транзисторами, то есть в их корпусе два транзистора, и он имеет высокую чувствительность и выдерживает значительный ток без радиатора.
Купив все детали, вооружитесь паяльником и приступайте к сборке.Для проведения экспериментов не стоит делать печатную плату, можно собрать все поверхностный монтаж … Припаивать как показано на картинках.

И пусть ваша фантазия подскажет, как пользоваться собранным устройством! Например, вместо светодиодов можно поставить реле, и этим реле можно переключать более мощную нагрузку … Если вы измените номиналы резисторов или конденсаторов, частота переключения изменится. Изменяя частоту, можно добиться очень интересных эффектов, от писка в динамике до многосекундной паузы.
Фотореле.
А это схема простого фотореле. Это устройство можно успешно использовать где угодно, для автоматической подсветки лотка DVD, для включения света или для сигнализации против проникновения в темный шкаф. Предлагаются два варианта схемы. В одном варианте схема активируется светом, а в другом — его отсутствием.

Это работает так: , когда свет светодиода попадает на фотодиод, транзистор открывается и светодиод 2 загорается.Подстроечный резистор регулирует чувствительность устройства. В качестве фотодиода можно использовать фотодиод от старой шариковой мышки. LED — любой инфракрасный светодиод. Использование инфракрасного фотодиода и светодиода позволит избежать помех от видимого света. В качестве светодиода-2 подойдет любой светодиод или цепочка из нескольких светодиодов. Также можно использовать лампу накаливания. А если вместо светодиода установить электромагнитное реле, то можно будет управлять мощными лампами накаливания или какими-то механизмами.
На рисунках показаны обе схемы, распиновка (расположение ножек) транзистора и светодиода, а также схема подключения.

При отсутствии фотодиода можно взять старый транзистор MP39 или MP42 и отрезать его корпус напротив коллектора, как это:
Вместо фотодиода в схему нужно будет включить pn переход транзистор. Какой из них подойдет лучше всего — предстоит определить экспериментально.
Усилитель мощности на микросхеме TDA1558Q.
Этот усилитель имеет выходную мощность 2 х 22 Вт, и его достаточно просто повторить для начинающих радиолюбителей.Такая схема вам пригодится для самодельных колонок, или для самодельного музыкального центра, который можно сделать из старого MP3-плеера.
Для его сборки понадобится всего пять деталей:
1. Микросхема — TDA1558Q
2. Конденсатор 0,22 мкФ
3. Конденсатор 0,33 мкФ — 2 штуки
4. Конденсатор электролитический 6800 мкФ на 16 вольт
Микросхема имеет достаточно большую выходную мощность и для ее охлаждения нужен радиатор. Можно использовать радиатор от процессора.
Вся сборка может осуществляться поверхностным монтажом без использования печатной платы … Для начала нужно вынуть из микросхемы пины 4, 9 и 15. Они не используются. Подсчет выводов идет слева направо, если вы держите его выводами к себе и разметкой вверх. Затем аккуратно распрямите провода. Далее загибаем кверху пины 5, 13 и 14, все эти пины подключаем к плюсу питания. Следующим шагом загните вниз контакты 3, 7 и 11 — это минус питания, или «земля».После этих манипуляций прикрутите микросхему к радиатору с помощью теплопроводной пасты. На фотографиях монтаж под разными углами, но я все равно объясню. Пины 1 и 2 спаяны между собой — это вход правого канала, к ним нужно припаять конденсатор 0,33 мкФ. То же самое нужно сделать с контактами 16 и 17. Общий провод для входа минус питания или «земля».
Разновидности одноконтурные (мультивибратор несимметричный)
В этой статье мы приводим несколько устройств, построенных по одной схеме — асимметричный мультивибратор на транзисторах разной проводимости.
Используя эту схему как бесконтактное устройство, «можно собрать устройство с мигающим светом электрической лампочки (см. Рис. 1) и использовать его для различных целей. Например, установить его на велосипед для питания поворота. лампа или в модели маяка, в сигнальной лампе, в моделях автомобилей или кораблей в качестве проблескового маячка.
Нагрузкой асимметричного мультивибратора, собранного на транзисторах Т1, Т2, является лампа L1. Частота следования импульсов определяется величиной емкости конденсатора С1 и резисторов R1, R2.Резистор R1 ограничивает максимальную частоту вспышек, а резистор R2 может плавно изменять их частоту. Начать работу необходимо с максимальной частоты, которая соответствует верхнему положению ползунка резистора R2 по схеме.
Обратите внимание, устройство питается от аккумулятора 3336L, который под нагрузкой дает 3,5 В, а на лампу L1 подается напряжение всего 2,5 В. Она перегорит? Нет! Продолжительность его свечения очень мала, и нить не успевает перегреться.Если у транзисторов большой коэффициент усиления, то вместо лампочки 2,5 В х 0,068 А можно использовать лампочку 3,5 В х 0,16 А. В качестве транзистора Т1 подходят транзисторы типа МП35-МП38, а Т2 — МП39-МП42.
Если вместо лампочки в той же схеме установить громкоговоритель, то получится другое устройство — электронный метроном. Он используется в обучении музыке, для измерения времени в физических экспериментах и в фотопечати.
Если немного изменить схему — уменьшить емкость конденсатора С1 и ввести резистор R3, то длительность импульса генератора увеличится.Звук усилится (рис. 2).
Это устройство может выступать в роли квартирного звонка, модели зуммера или педального автомобиля для детей. (В последнем случае напряжение необходимо увеличить до 9 В.) И его также можно использовать для обучения азбуке Морзе. Только тогда вместо кнопки Кн1 надо поставить телеграфный ключ. Тональность звука выбирается конденсатором С1 и резистором R2. Чем больше R3, тем громче звуковой генератор. Однако если его значение больше одного килоом, то колебания в генераторе могут не возникать.
В генераторе используются те же транзисторы, что и в предыдущей схеме, а в качестве динамика — наушники или голова с сопротивлением катушки от 5 до 65 Ом.
Асимметричный мультивибратор на транзисторах разной проводимости имеет интересное свойство: во время работы оба транзистора либо открыты, либо заблокированы одновременно. Ток, потребляемый заблокированными транзисторами, очень мал. Это позволяет создавать экономические индикаторы изменения неэлектрических величин, например индикаторы влажности.Принципиальная схема такого индикатора представлена на рисунке 3.
Как видно из схемы, генератор постоянно подключен к источнику питания, но не работает, так как оба транзистора заблокированы. Уменьшает потребление тока и резистор R4. К розеткам G1, G2 подключается датчик влажности — два тонких луженых провода длиной 1,5 см. Их пришивают к ткани на расстоянии 3-5 мм друг от друга. Сопротивление сухого датчика высокое. В мокром состоянии падает. Транзисторы открываются, генератор начинает работать.Для уменьшения громкости необходимо уменьшить напряжение питания или номинал резистора R3. Этот индикатор влажности можно использовать при уходе за новорожденными.
Если немного расширить схему, то индикатор влажности одновременно со звуковым сигналом подаст световой сигнал — загорится лампочка L1. При этом, как видно из схемы (рис. 4), в генераторе устанавливаются два несимметричных мультивибратора с транзисторами разной проводимости.Один собран на транзисторах Т1, Т2 и контролируется датчиком влажности, подключенным к гнездам G1, G2. Лампа L1 служит нагрузкой на этот мультивибратор. Напряжение с коллектора Т2 управляет работой второго мультивибратора, собранного на транзисторах Т3, Т4. Он работает как генератор звуковой частоты, а на его выходе включается громкоговоритель Gr1. Если в звуковом сигнале нет необходимости, то второй мультивибратор можно отключить.

Транзисторы, лампа и динамик в этом индикаторе влажности такие же, как и в предыдущих устройствах.
Интересные устройства можно построить, используя зависимость частоты несимметричного мультивибратора на транзисторах разной проводимости от тока базы транзистора Т1. Например, генератор, имитирующий звук сирены. Такое устройство может быть установлено на модели машины скорой помощи, пожарной машины, спасательного катера.
Принципиальная схема устройства представлена на рисунке 5.
В исходном положении кнопка Kn1 открыта. Транзисторы заблокированы.Генератор не работает. Когда кнопка замкнута, конденсатор С2 заряжается через резистор R4. Транзисторы открываются и мультивибратор начинает работать. По мере заряда конденсатора C2 ток базы транзистора T1 увеличивается, а частота мультивибратора увеличивается. При открытии кнопки все повторяется в обратном порядке. Звук сирены имитируется, когда кнопка периодически закрывается и открывается. Скорость нарастания и спада звука выбирается резистором R4 и конденсатором С2.Звук сирены задается резистором R3, а громкость звука — подбором резистора R5. Транзисторы и динамик подобраны так же, как и в предыдущих устройствах.
Учитывая, что в этом мультивибраторе используются транзисторы разной проводимости, вы можете использовать его как устройство для проверки транзисторов путем замены. Принципиальная схема такого устройства представлена на рисунке 6. За основу взята схема звукового генератора, но с не меньшим успехом можно использовать и генератор световых импульсов.

Изначально, закрыв кнопку Kn1, проверьте работоспособность устройства. В зависимости от типа проводимости подключите проверяемый транзистор к гнездам G1 — G3 или G4-G6. В этом случае используйте переключатель P1 или P2. Если при нажатии кнопки в динамике слышен звук, значит транзистор исправен.
В качестве переключателей Р1 и Р2 можно принять тумблеры с двумя контактами для переключения. На рисунке переключатели показаны в положении «Управление».Устройство питается от аккумулятора емкостью 3336 л.
На основе того же мультивибратора можно построить довольно простой генератор для тестирования приемников и усилителей. Его принципиальная схема представлена на рисунке 7. Отличие от звукового генератора в том, что вместо громкоговорителя на выходе мультивибратора включен 7-ступенчатый регулятор уровня напряжения.

Мультивибратор, схема которого показана на рисунке 1, представляет собой каскадное соединение транзисторных усилителей, где выход первого каскада соединен с входом второго через цепь, содержащую конденсатор, а выход второго каскада соединен с ввод первого через цепь, содержащую конденсатор.Усилители-мультивибраторы — это транзисторные переключатели, которые могут находиться в двух состояниях. Схема мультивибратора на рисунке 1 отличается от схемы запуска, описанной в статье «Триггер на электронных транзисторных переключателях». То, что имеет в цепях реактивные элементы обратной связи, поэтому схема может генерировать несинусоидальные колебания. Сопротивления резисторов R1 и R4 можно найти из соотношений 1 и 2:
, где I KBO = 0,5 мкА — максимальный обратный ток коллекторного транзистора kt315a,
Iкmax = 0.1А — максимальный ток коллектора транзистора кт315а, Uп = 3В — напряжение питания. Выберем R1 = R4 = 100 Ом. Конденсаторы С1 и С2 подбираются в зависимости от необходимой частоты колебаний мультивибратора.
Рисунок 1 — Мультивибратор на транзисторах KT315A
Вы можете снять напряжение между точками 2 и 3 или между точками 2 и 1. На графиках ниже показано, как примерно изменится напряжение между точками 2 и 3 и между точками 2 и 1.
T — период колебаний, t1 — постоянная времени левого плеча мультивибратора, t2 — постоянная времени правого плеча мультивибратора, может быть рассчитана по формулам:
Вы можете установить частоту и рабочий цикл импульсов, генерируемых мультивибратором за счет изменения сопротивления подстроечных резисторов R2 и R3.Вы также можете заменить конденсаторы C1 и C2 переменными (или подстройкой) и, изменив их емкость, чтобы установить частоту и рабочий цикл импульсов, генерируемых мультивибратором, этот метод даже более предпочтителен, поэтому, если есть подстройка (или лучше переменная) конденсаторы, то лучше их использовать, а на месте переменные резисторы R2 и R3 постоянные. На фото ниже собранный мультивибратор:
Для того, чтобы убедиться, что собранный мультивибратор работает, к нему был подключен пьезодинамик (между точками 2 и 3).После подачи питания на схему пьезодинамический динамик начал трескаться. Изменения сопротивления подстроечных резисторов приводили либо к увеличению частоты звука, издаваемого пьезодинамическим динамиком, либо к ее уменьшению, либо к тому, что мультивибратор перестал генерировать.
Программа для расчета частоты, периода и постоянных времени, скважности импульсов, снятых с мультивибратора:
Если программа не работает, то скопируйте ее html-код в блокнот и сохраните в формате html.
Если используется Интернет-браузер Explorier и он блокирует программу, необходимо разрешить заблокированный контент.
js отключен
Другие мультивибраторы:
Transistorlar mp39 xorijiy analoglar. Кам квватли транзисторлар. Диаграммаларда MP41 tranzistorining belgilanishi
Транзисторный элемент MP39, MP40, MP41, MP42.
Transistorlar MP39, MP40, MP41, MP42 — германий, прошедшие квватли, мимо частотали кучайтирувчи, п-н-п тузилмалари.
Мослашувчан Simli Metall Shisha korpus. Ог’ирлиги — таксминан 2 г. Ишнинг йон юзасида альфанумерик белгилар.
Quyidagi xorijiy analoglar mavjud:
MP39 -2N1413
MP40 — 2N104
MP41 аналог мумкин бо’лган — 2N44A
MP42 аналог мумкин бо’лган — 2SB288
Eng muhim parameterlar.
Жорий трансфер нисбати MP39 транзисторлари учун камдан-кам холларда ошади 12 , МП39Б учун у оралиг’ида 20 старый 60 .
МП40, МП40А транзисторлари учун — дан 20 старый 40 . Транзисторлари учун
МП41 — дан 30 старый 60 , MP41A — дан 50 старый в 100 . Транзисторлари учун
МП42 — дан 20 старый 35 , MP42A — дан 30 старый 50 , MP42B — дан 45 старый в 100 .
Максимальный коллектор-излучатель кучланиши. МП39, транзисторлари учун МП40 — 15 v.
МП40А транзисторлари учун — 30 v.
МП41, МП41А, МП42, МП42А, МП42Б транзисторлари учун — 15 v.
Юрий узатиш нисбатининг чегараланган частотаси (fh31e) умумий эмитентли даврлар учун транзистор:
Oldin 0,5 МП39, транзисторлари МП39А МГц.
Олдин 1 МП40, МП40А, МП41, МП42Б транзисторлари учун МГц.
Олдин 1,5 МП42А транзисторлари учун МГц.
Олдин 2 МП42 транзисторлар учун МГц.
Максимальный коллектив окими. – 20 мА доймий, 150 мА — пульсацияяланувчи.
Kollektorning teskari oqimi 5В коллектив-база кучланишида ва атроф-мухит харорати -60 дан +25 Сельсийгача, ортик емас — 15 мА.
Teskari emitent oqimi излучатель-базали кучланиш 5В ва атроф-мухит харорати +25 Сельсийгача, ортик емас — 30 мА.
Коллектор бирлашмазайнинг сиг’ими 1МГц частотада 5В коллектор-база кучланишида — ortiq emas 60 пФ.
O’z-o’zidan shovqin figurasi — 1,5V коллектор-база кучланиши ва 1кГц частота 0,5мА излучатель окими бо’лган MP39B учун — ortiq emas 12 дБ.
Kollektor quvvatining tarqalishi. У МП39, МП40, МП41 — 150 мВт.
МП42 — 200 мВт.
Бир vaqtlar ushbu seriyali tranzistorlar yangi boshlanuvchilar uchun keng qo’llaniladigan radio qurilish to’plamlarini to’ldirish uchun ishlatilgan. Бунинг учун иуда катта о’лчамлари, узун игилувчан симлари ва нечетная распиновка (распиновка) билан MP39-MP42 идеальный edi.Bundan tashqari, nisbatan katta teskari oqim ularga umumiy emitent pallasida, qo’shimcha moyilliksiz ishlashga imkon berdi. Булар. — eng oddiy kuchaytirgich haqiqatan ham ishlayotgan edi, bitta tranzistorda , rezistorlarsiz. Бу дизайн дастлабки bosqichlarida sxemalarni sezilarli darajada soddalashtirishga imkon berdi.
MP41 трансисторининг чикиши
Диаграммаларда MP41 tranzistorining belgilanishi
Sxematik diagrammalarda tranzistor ham alifbo kodi, ham an’anaviy grafik bilan ko’rsatilgan.Алфавит коди лотин харфлари VT ва ракамдан (диаграмма серии раками) иборат. MP41 трансисторининг ан’анавий график белгиси одатда объединение корпуса ифодаловчи дойра ичига джойлаштирилади. O’rtadan chiziqli qisqa chiziq poydevorni, uning chetiga 60 ° burchak ostida chizilgan ikkita qiya chiziq — эмитент ва коллекторни англатади. Emitentda taglik tomon yo’naltirilgan o’q bor.
MP41 трансисторининг xususiyatlari
Тузилиши п-н-п
15 * (10к) В
20 (150 *) мА
0,15 Вт
30… 60 (5 В; 1 мА)
Коллекторнинг teskari oqimi
> 1 * МГц
Тузилиши п-н-п
Максимал руксат этилган (импульс) кучланиш коллектор-базаси 15 * (Zk) V
Максимал руксат этилган доимий (импульс) коллектор окими 150 * мА
Issiqlik moslamasisiz kollektorning ruxsat etilgan maksimal quvvat sarfi (иссиклик кабул килувчи билан) 0,2 ватт
Умумий эмитент палласида биполярный транзисторнинг статик оким узатиш нисбати 20… 35 * (1 В; 10 мА)
Коллекторнинг teskari oqimi — мА
Умумий эмитентли контактларнинг занглашига олиб келадиган оким отказиш коэффициентинин кесиш частотаси > 2 * МГц
MP42 трансисторирование Чикиши
Диаграммаларда MP42 tranzistorining belgilanishi
Sxematik diagrammalarda tranzistor ham alifbo kodi, ham an’anaviy grafik bilan ko’rsatilgan. Алфавит коди лотин харфлари VT ва ракамдан (диаграмма серии раками) иборат.MP42 транзисторинг ан’анавий график белгиси одатда объединение корпуса ифодаловчи дойра ичига джойлаштирилади. O’rtadan chiziqli qisqa chiziq poydevorni, uning chetiga 60 ° burchak ostida chizilgan ikkita qiya chiziq — эмитент ва коллекторни англатади. Emitentda taglik tomon yo’naltirilgan o’q bor.
МП42 биполярный транзисторинг xususiyatlari
Тузилиши п-н-п
Максимал руксат этилган (импульс) кучланиш коллектор-базаси 15 * (Zk) V
Максимал руксат этилган доимий (импульс) коллектор окими 150 * мА
Issiqlik moslamasisiz kollektorning ruxsat etilgan maksimal quvvat sarfi (иссиклик кабул килувчи билан) 0,2 ватт
Умумий эмитент палласида биполярный транзисторнинг статик оким узатиш нисбати 20… 35 * (1 В; 10 мА)
Коллекторнинг teskari oqimi — мА
Умумий эмитентли контактларнинг занглашига олиб келадиган оким отказиш коэффициентинин кесиш частотаси > 2 * МГц
Транзисторный элемент MP39, MP40, MP41, MP42.
Transistorlar MP39, MP40, MP41, MP42 — германий, прошедшие квватли, мимо частотали кучайтирувчи, п-н-п тузилмалари.
Мослашувчан Simli Metall Shisha korpus.Ог’ирлиги — таксминан 2 г. Ишнинг йон юзасида альфанумерик белгилар.
Quyidagi xorijiy analoglar mavjud:
MP39 -2N1413
MP40 — 2N104
MP41 аналог мумкин бо’лган — 2N44A
MP42 аналог мумкин бо’лган — 2SB288
Eng muhim parameterlar.
Жорий трансфер нисбати MP39 транзисторлари учун камдан-кам холларда ошади 12 , МП39Б учун у оралиг’ида 20 старый 60 .
МП40, МП40А транзисторлари учун — дан 20 старый 40 .Транзисторлари учун
МП41 — дан 30 старый 60 , MP41A — дан 50 старый в 100 . Транзисторлари учун
МП42 — дан 20 старый 35 , MP42A — дан 30 старый 50 , MP42B — дан 45 старый в 100 .
Максимальный коллектор-излучатель кучланиши. МП39, транзисторлари учун МП40 — 15 в.
МП40А транзисторлари учун — 30 v.
МП41, МП41А, МП42, МП42А, МП42Б транзисторлари учун — 15 v.
Юрий узатиш нисбатининг чегараланган частотаси (fh31e) умумий эмитентли даврлар учун транзистор:
Oldin 0,5 МП39, транзисторлари МП39А МГц.
Олдин 1 МП40, МП40А, МП41, МП42Б транзисторлари учун МГц.
Олдин 1,5 МП42А транзисторлари учун МГц.
Олдин 2 МП42 транзисторлар учун МГц.
Максимальный коллектив окими.– 20 мА доймий, 150 мА — пульсацияяланувчи.
Kollektorning teskari oqimi 5В коллектив-база кучланишида ва атроф-мухит харорати -60 дан +25 Сельсийгача, ортик емас — 15 мА.
Teskari emitent oqimi излучатель-базали кучланиш 5В ва атроф-мухит харорати +25 Сельсийгача, ортик емас — 30 мА.
Коллектор бирлашмазайнинг сиг’ими 1МГц частотада 5В коллектор-база кучланишида — ortiq emas 60 пФ.
O’z-o’zidan shovqin figurasi — 1,5V коллектор-база кучланиши ва 1кГц частота 0,5мА излучатель окими бо’лган MP39B учун — ortiq emas 12 дБ.
Kollektor quvvatining tarqalishi. У МП39, МП40, МП41 — 150 мВт.
МП42 — 200 мВт.
Бир vaqtlar ushbu seriyali tranzistorlar yangi boshlanuvchilar uchun keng qo’llaniladigan radio qurilish to’plamlarini to’ldirish uchun ishlatilgan. Бунинг учун иуда катта о’лчамлари, узун игилувчан симлари ва нечетная распиновка (распиновка) билан MP39-MP42 идеальный edi.Bundan tashqari, nisbatan katta teskari oqim ularga umumiy emitent pallasida, qo’shimcha moyilliksiz ishlashga imkon berdi. Булар. — eng oddiy kuchaytirgich haqiqatan ham ishlayotgan edi, bitta tranzistorda , rezistorlarsiz. Бу дизайн дастлабки bosqichlarida sxemalarni sezilarli darajada soddalashtirishga imkon berdi.
MP41 трансисторининг чикиши
Диаграммаларда MP41 tranzistorining belgilanishi
Sxematik diagrammalarda tranzistor ham alifbo kodi, ham an’anaviy grafik bilan ko’rsatilgan.Алфавит коди лотин харфлари VT ва ракамдан (диаграмма серии раками) иборат. MP41 трансисторининг ан’анавий график белгиси одатда объединение корпуса ифодаловчи дойра ичига джойлаштирилади. O’rtadan chiziqli qisqa chiziq poydevorni, uning chetiga 60 ° burchak ostida chizilgan ikkita qiya chiziq — эмитент ва коллекторни англатади. Emitentda taglik tomon yo’naltirilgan o’q bor.
MP41 трансисторининг xususiyatlari
Тузилиши п-н-п
15 * (10к) В
20 (150 *) мА
0,15 Вт
30… 60 (5 В; 1 мА)
Коллекторнинг teskari oqimi
> 1 * МГц
Тузилиши п-н-п
Максимал руксат этилган (импульс) кучланиш коллектор-базаси 15 * (Zk) V
Максимал руксат этилган доимий (импульс) коллектор окими 150 * мА
Issiqlik moslamasisiz kollektorning ruxsat etilgan maksimal quvvat sarfi (иссиклик кабул килувчи билан) 0,2 ватт
Умумий эмитент палласида биполярный транзисторнинг статик оким узатиш нисбати 20… 35 * (1 В; 10 мА)
Коллекторнинг teskari oqimi — мА
Умумий эмитентли контактларнинг занглашига олиб келадиган оким отказиш коэффициентинин кесиш частотаси > 2 * МГц
MP42 трансисторирование Чикиши
Диаграммаларда MP42 tranzistorining belgilanishi
Sxematik diagrammalarda tranzistor ham alifbo kodi, ham an’anaviy grafik bilan ko’rsatilgan. Алфавит коди лотин харфлари VT ва ракамдан (диаграмма серии раками) иборат.MP42 транзисторинг ан’анавий график белгиси одатда объединение корпуса ифодаловчи дойра ичига джойлаштирилади. O’rtadan chiziqli qisqa chiziq poydevorni, uning chetiga 60 ° burchak ostida chizilgan ikkita qiya chiziq — эмитент ва коллекторни англатади. Emitentda taglik tomon yo’naltirilgan o’q bor.
МП42 биполярный транзисторинг xususiyatlari
Тузилиши п-н-п
Максимал руксат этилган (импульс) кучланиш коллектор-базаси 15 * (Zk) V
Максимал руксат этилган доимий (импульс) коллектор окими 150 * мА
Issiqlik moslamasisiz kollektorning ruxsat etilgan maksimal quvvat sarfi (иссиклик кабул килувчи билан) 0,2 ватт
Умумий эмитент палласида биполярный транзисторнинг статик оким узатиш нисбати 20… 35 * (1 В; 10 мА)
Коллекторнинг teskari oqimi — мА
Умумий эмитентли контактларнинг занглашига олиб келадиган оким отказиш коэффициентинин кесиш частотаси > 2 * МГц
P213 германий транзисторларига асосланган прошлые частотали квват кучайтиргичи, объединяя sxematik diagrammasi rasmda ko’rsatilgan. 1, qabul qiluvchining past chastotali qismi sifatida (GnZ, Gn4 rozetkalaridan), shuningdek, moslashtirilgan musiqa asboblari sensorlaridan (Gn1, Gn2 rozetkalaridan) сигналларни кучайтириштиришантиришонтиришон
ГнИ, Гн2 розеткаларидан кучайтиргичнинг сезгирлиги — 20 мВ, Гн3, Гн4 розеткаларидан — 250 мВ дан йомон емас;
6,5 Ом юкда чикиш кввати -2 Вт;
chiziqli bo’lmagan buzilish koeffitsienti — 3%;
Такрорий частоты диапазона 60-12000 Гц;
Ovozsiz rejimda kuchaytirgich taxminan 8 mA, max quvvat rejimida esa 210 mA oqim sarflaydi.
Kuchaytirgichni batareyalardan yoki 127 yoki 220 V o’zgaruvchan tok tarmog’idan quvvatlantirish mumkin.
Диаграмма Sxematik
Sxematik diagrammadan ko’rinib turibdiki, birinchi kuchaytirish bosqichi umumiy emitentli sxema bo’yicha kam shovqinli MP39B (T1) tranzistorida yig’iladi. Кучайтирилган сигнал R1 потансиометрига берилади, объединение слайдеридан R2 резисторы ва блокировка qiluvchi кондансаткич C1 оркали мимо частотали сигнал транзистора базасига киради. Kuchaytirgichning birinchi bosqichi R5 qarshiligi bilan yuklanadi.
Voltaj bo’luvchi R3, R4 va qarshilik R6 haroratni barqarorlashtiruvchi elementlardir.R3, R4 bo’linuvchisining mavjudligi T1 tranzistorining tagidagi kuchlanishni haroratga ozgina bog’liq qiladi. Излучатель палласида R6 резисторы салбий DC geribildirimini ta’minlaydi.
Харорат котарилгач, эмитент палласида оким кучайади ва R6 каршилигидаги кучланиш пасайиши ортади. Натиджада, тайанч ва эмитент орасидаги кучланиш камрок салбий бо’лади, бу эса эмитент окимининг янада ошишига то’скинлик килади. Ikkinchi kuchaytirish bosqichi ham MP39B (T2) tranzistorida umumiy emitent bilan sxema bo’yicha yig’iladi.
Ushbu bosqich параметрирование haroratga bog’liqligini kamaytirish uchun u R8, R9 va R10 rezistorlari tomonidan aniqlangan birlashtirilgan salbiy fikrdan foydalanadi. Birinchi bosqichda kuchaytirilgan kuchlanish blokirovkalash kondansatörü C2 orqali ikkinchi bosqichning kirishiga qo’llaniladi. Т2 транзисторининг юки R7 резисторидир.
Kuchaytirishning uchinchi bosqichi T3 tranzistorida yig’iladi. Bosqich RI8 qarshiligi bilan yuklangan. Ikkinchi ва uchinchi bosqichlar orasidagi aloqa C3 kondansatkich yordamida amalga oshiriladi.
Kuchaytirgichning chiqish bosqichi ketma-ket parallel sxemada B sinf rejimida ishlaydi. Ушбу тоифадаги кучайтиргихларнинг Синфида ишлайдиган кучайтиргичлардан асосий устунлиги уларнинг юкори самарадорлигидир.
Ан’анавий мимо частотали кучайтиргичларни лойихалашда радио хаваскорлар о’тиш ва чикиш трансформаторларини ишлаб чикариш вазифасига дуч келишади. Permalloy yadroli kichik o’lchamli transformatorlarni ishlab chiqarish juda qiyin.Bundan tashqari, transformatorlar umumiy samaradorlikni pasaytiradi ва коп холларда гармоник бузилиш манбай хисобланади.
So’nggi paytlarda transformatorlarsiz chiqish bosqichlari ishlab chiqildi — kvazi-qo’shimcha simmetriya bilan, ya’ni har xil turdagi o’tishlarga ega bo’lgan va bir-birini to’ldiradigan kyqi .
Transformatorsiz bosqich ikkita kuchli T6, T7 tranzistorlariga yig’iladi, ular bir juft qo’shimcha simmetrik tranzistorlar T4 va T5 дан qo’zg’alish bilan yakuniy kuchaytirish bosqichida ishlaydiş.T3 транзисторинг коллекторидан берилган сигнальный поляритесига караб, кейин бир (Т4), кейин иккинчи (Т5) транзистор калфдан чикарилади. Шу билан бирга, Т6, Т7 билан бог’лик транзисторлар очилади. Агар T3, транзисторининговый коллекторида, кучайтирилган, сигнал салбий, кутбга, эга бельса, Т4, Т6, транзисторлари очилади, агар, сигнальный, мусбат, кутбга, эга, больса, Т5, Т5, Т7, транзисторлари, очилади.
Коллекция доимий компонент D1 термостабиллашувчи дийот ва R19, резисторидан о’тиб, фаза инверторлари вазифасини баджарадиган T4, T5 транзисторлари асосларида егилиш хосил qiladi.Ушбу отклонил прошлое тайанч окимларида кириш xususiyatlarining чизикли бо’лмаганлигидан келиб чикадиган о’зига хос бузилишларни йо’к калади.
R22, R23 резисторлари T4, T3 транзисторларининга параметрларида tarqalishning chiqish bosqichining ish rejimiga ta’sirini kamaytiradi. Аджратиш конденсатори C9.
Chiziqli bo’lmagan buzilishlarni kamaytirish uchun T3 — T7 tranzistorlaridagi kuchaytirish bosqichlari salbiy AC geribildirim bilan qoplanadi, uning kuchlanishi oxirgi kuchaytirgichning, Ciqirgichning 15, Ciqirgichning, Caiqirgichning 15, Чикиргичнинг, 148T3 tranzistorining bazasiga oziqlanadi. Bunday holda, o’zgaruvchan qarshilik R17 мимо частотали минтакада оханг назоратини та’минлайди ва R15 потенциометри — юкори частотали минтакада.
Agar ohangni boshqarish kerak bo’lmasa, u holda R14 — R17 qismlari. C6, C8 sxemadan chiqarib tashlangan. Бу холда тескари алока даври R0 резисторы томонидан хосил бо’лади (1-расмда бу сксема кесилган чизик билан корсатилган).
Chiqish bosqichining normal ishlashi uchun «a» nuqtasidagi kuchlanish (тинч кучланиш) quvvat manbai kuchlanishining ярмига тенг бо’лиши керак.Bunga RI8 rezistorini to’g’ri tanlash orqali erishiladi. Сокин кучланиш баркарорлиги салбий доимий то’лкинли кайта алока даври билан та’минланади.
Diagrammadan ko’rinib turibdiki, kuchaytirgichning chiqishidagi «a» nuqtasi R12 qarshiligi yordamida T3 tranzistorining asosiy pallasiga ulangan. Ушбу уланишнинг мавжудлиги автоматик равишда «а» нуктасида кучланишни квват манбай кучланишнинг ярмига тенг (бу холда ба га тенг) саклайди.
Kuchaytirgichning normal ishlashi uchun T4, T5 va T6, T7 tranzistorlari imkon qadar kamroq teskari oqimga ega bo’lishi kerak.даромад катталиги (5 транзисторлар Т4-Т7 40 оралиг’ида бо’лиши керак — 60; Бундан ташкари, транзисторлар турли даромад бо’лиши мамкин х. Бу тенглик h5 * hb = h5 * h7 faqat zarur.
Тафсилотлар ва о’рнатиш
Kuchaytirgich qalinligi 1 — 1,5 мм bo’lgan getinax panelga o’rnatiladi. Кенгашнинг о’лчамлари кучайтиргичнинг ко’ламига иуда бог’лик. Yaxshi issiqlik tarqalishini ta’minlash uchun P213B tranzistorlari umumiy sovutish yuzasi kamida 100 sm2 bo’lgan radiatorlar bilan jihozlangan.
Kuchaytirgich Saturn hujayralaridan yig’ilgan 12 V batareyadan yoki chiroq uchun batareyalardan quvvatlanishi mumkin. Kuchaytirgich kuchlanish стабилизаторы orqali sig’imli filterli to’rtta D1-D4 diodlarida ko’prik pallasida yig’ilgan rektifikator yordamida o’zgaruvchan tok tarmog’idan quvvatlanadi (2-rasm).
Yuqorida aytib o’tilganidek, kuchaytirgich ishlayotganida, u tomonidan iste’mol qilinadigan oqim juda keng diapazonda o’zgaradi. To’satdan oqim tebranishlari muqarrar ravishda ta’minot kuchlanishining o’zgarishiga olib keladi, bu kuchaytirgichdagi kiruvchi ulanishlarga va signalning buzilishiga olib kelishi mumkin.Bunday hodisalarning oldini olish uchun rektifikatsiya qilingan kuchlanishni barqarorlashtirish ta’minlanadi.
Стабилизаторга T7, транзисторлари T2 в стабилитронах D5 kiradi. Стабилизатор Ушбу, юк окими 5 дан 400 мА гача озгарганда, 12 В баркарор кучланишни та’минлайди ва далгаланма амплитуда 5 мВ дан ошмайди. Besleme kuchlanishining barqarorlashuvi T2 tranzistoridagi kuchlanishning pasayishi tufayli sodir bo’ladi.
Bu farq T2 tranzistorining tagidagi egilishga bog’liq, bu esa o’z navbatida R2 rezistoridagi mos yozuvlar kuchlanishining qiymatiga va yukdagi kuchlanish (Rload) ga bog’liq.
Транзистор Т2 радиаторга или трубка. Ректификатор o’lchamlari 60X90X130 мм bo’lgan qutiga joylashtirilgan bo’lib, u 1 мм qalinlikdagi po’latdan yasalgan.
Quvvat transformatori Sh22 yadrosida ishlab chiqariladi, to’plamning qalinligi 25 мм. О’раш I (127 В) PEL 0,15, имитирующий 2650 бурилиши, II о’раш (220 В) — PEL 0,12 ning 2190 бурилиши, III о’раш — PEL 0,55 ning 420 бурилиши.
Мослашиш
Tasdiqlangan qismlar va tranzistorlardan yig’ilgan kuchaytirgich odatda darhol ishlay boshlaydi.Quvvat manbaini (12 V) ulab, R3, R8, R12, R18 резисторлари тавсия этилган rejimni o’rnatadi. Кейинчалык, Т2 трансисторининг коллекторидан олдиндан узилган блокировка qiluvchi кондансаткич C3 оркали овоз генералидан (0,2 В, частота 1000 Гц) кучайтиргичнинг киришига кучланиш берилади.
«B» nuqtasida qayta aloqa zanjiri buzilgan bo’lishi kerak. Чикиш кучланишининг то’лкин шаклини назорат килиш карнай билан параллельный равшда уланган осилоскоп билан кузатилади. Yarim to’lqinlarning birlashmalarida katta «qadamlar» mavjud bo’lsa, R19 rezistorining qiymati aniqlanishi kerak.
У минимальный бузилиш учун танланади, бу эса кайта алока халкаси йокилганда дейарли бутунлай йо’колади. Boshqa kaskadlarning o’rnatilishi hech qanday tarzda farq qilmaydi. Kuchaytirgichdan 250 мВ darajadagi sezgirlik talab qilinadigan hollarda, T1, T2 tranzistorlaridagi dastlabki ikki bosqich sxemadan chiqarib tashlanishi mumkin.
Прошлое частотали. Germaniy qotishma tranzistorlar p — n — R MP39B, MP40A, MP41A LF кучайтириш даврларида ишлаш учун ишлатилади ва шиша изоляторлар ва егилувчан симлар биланирл изоляторлар ва егилувчан симлар биланирл чорпусда (56) г, иш харорати оралиг’и -60 дан + 70 ° БИЛАН.Elektr parametersrlari jadvalda keltirilgan. 109.
Silikon pnp tranzistorlar MP 114, MP 115, MP116 -55 дан + 100 ° S gacha bo’lgan ish harorati oralig’ida 1,7 г ог’ирликдаги шиша изоляторли ва егилувчан сказгичли металлический корпус rasm). Elektr parametersrlari jadvalda keltirilgan. 110.
Guruch. 56. MP39V, MP40A, MP41A (а) транзисторный штифт чикиси ва габарит о’лчамлари ва умуми асосли шемадаги кириш (6) ва чикиш (с) характеристикалари.

Guruch. 57. MP114 — MP116 tranzistorlarining распиновка va umumiy o’lchamlari
109-jadval
Коллекционирование тескари окими, мА, U K b = — 5 В постоянного тока, ° C:
20 …………… 15
70 …………… 300
Излучаемые значения тока, мА, U Eb = — 5 В 30 да
Коллекторнинг анг катта то’г’ридан-то’г’ри окими, мА 20
Коллектор сигъими, пФ, при U K6 = 5 In va
f = 500 кГц………….. 60
Eng katta impuls kollektor oqimi,
мА, I ESr да
Чикиш отказувчанлиги, мС, I е = 1 мА да,
U „b = 5 В va f = 1 кГц ……. 3,3
Асосий гаршилик, Ом, I э = 1 мА да,
U kb = 5 V va f = 500 кГц ……… 220
Kollektorning sarflangan quvvati, мВт, хароратда, ° S:
55 …………… 150
70 ……………. 75
Салбий кучланиш У е ин, В…. 5
110-jadval
Коллекционирование тескари окими, мА, U da = — 30 В в час 20 ва 100 ° ю.ш., максимальное значение … 10 ва 400
Излучаемые тескари окими, мА, U eb = — 10 В до 20 ва 100 ° ю.ш. … … — 10 ВА 200
Кириш гаршилиги, Ом, OB билан занджирда LU = — 50 В, I e = 1 мА, f = 1 кГц ……. 300
Kollektorning sarflangan quvvati, мВт, 70 ° ю.ш. от …………….. 150
О’ртача частота. Pnp tranzistorlar KT203 (A, B, C) 5 MGts gacha bo’lgan diapazonda tebranishlarni kuchaytirish va yaratish, kommutatsia va стабилизация даврларида ишлаш учун ишлатилади вa g’irligi -разм). иш харорати — 60 дан + 125 ° ю.ш. гача. Транзисторный электр параметрлари jadvalda keltirilgan. 111.

Guruch. 58. KT203A — Распиновка транзистора B для умумий о’лчамлари
111-jadval
Сборник текстов окими, мА, англ. Yuqori teskari kuchlanishda va mos ravishda 25 va 125 ° S haroratda…………… 1 ва 15
Излучаемые значения тока, мА, U e 6 = — 30 В да. 10
Коллектор уланишининг сигъими, пФ, U K b = 5 В ва f = 10 МГц …………. 10
Коллектор окими, мА: доимий …………… 10
пульса ………….. 50.
Impulsli rejimda emitent oqimining o’rtacha qiymati, mA …………….. 10
Коллектор томонидан 70 ° C гача болган хароратларда сарфланадиган квват, MVt ……… V. … 150
* КТ203А — К.T203V кучланисли транзисторлар учун u k q mos ravishda 15 V da 50, 30 ga teng,
Юкори частота . Пнп конвертация транзисторлари GT321
(A — E) ог’ирлиги 2 г, -55 дан +60 ° C гача бо’лган иш харорати оралиг’ида мослашувчан отказгичли (59-расм, а) металл корпусда ишлаб чикарилади. Транзисторный электр параметрлари jadvalda keltirilgan. 112.
Распиновка
MP39. Κλωμα ULF σε τρανζίστορ γερμανίου MP39, P213 (2W)
Στα περιοδικά «UT» Νο.9 και Νο. 10 για το 1970, μιλήσαμε για απλούς δέκτες ανιχνευτών. Τέτοιοι δέκτες σάς επιτρέπουν να ακούτε τα σήματα ισχυρών και κοντινών ραδιοφωνικών σταθμών μέσω ακουστικών.
Σήμερα θα εξοικειωθείτε με τον απλούστερο ενισχυτή τρανζίστορ και θα μάθετε επίσης τι πρέπει να κάνετε για να κάνετε τον δέκτη ακόμα καλύτερο και πώς να τον «διδάξετε» να λαμβάνει περισσότερα προγράμματα σε υψηλότερη ένταση.
Λοιπόν, ΜΑΘΗΜΑ 3.
ΤΙ ΜΠΟΡΕΙ ΝΑ ΚΑΝΕΙ ΕΝΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ
ρώτα απ ‘όλα, χρειαζόμαστε ένα τρανζίστορ.Υτή η μικρή ηλεκτρονική συσκευή, σε μέγεθος λίγο περισσότερο από ένα μπιζέλι, εκπληρώνει τον ίδιο ρόνλον μδιο ρόνλον μδιο ρόνλομ. Η «καρδιά» του τρανζίστορ είναι μια μικροσκοπική πλάκα ημιαγωγών (γερμανίου ή πυριτίου) με δυυυμ ηλιεκτρόου. Το ένα από τα ηλεκτρόδια ονομάζεται εκπομπός, το άλλο ονομάζεται συλλέκτης και η πλάκα ονομάζεται. Βάσ.
ν ένας αδύναμος ηλεκτρικό σήμα, τότε το ισχυρό «αντίγραφο» του θα εμφανιστεί στο κύκλωμασυλλέκτη. Αποδεικνύεται ότι η τρίοδος ημιαγωγών λειτουργεί σαν ενισχυτής.Ο λόγος, ο οποίος δείχνει πόσες φορές η αλλαγή στο ρεύμα του συλλέκτη είναι μεγαλύτερη από το ρεύμα στο κύκλωμα βάσης που την προκάλεσε, ονομάζεται κέρδος ρεύματος του τρανζίστορ και συμβολίζεται με το γράμμα Р (βήτα). Χετε ήδη μαντέψει ότι όσο μεγαλύτερη είναι η τιμή του συντελεστή | 3, τόσο μεγαλύτερη είναι η απολαβή της τριόδου.
e Για έναν ενισχυτή χαμηλής συχνότητας, είναι κατάλληλα τρανζίστορ χαμηλής ισχύος πως MP39-MP39-MP42 οπορτκΝαι σημαντικό οι πιθανότητες τους
το τρέχον κέρδος ήταν τουλάχιστον 30–40.
κτός από το τρανζίστορ Τ, το κύκλωμα του ενισχυτή (Εικ. 2) περιλαμβάνει μια αντίσταση R, ναν πυκρνκτ C
αντίσταση R συνδέεται μεταξύ της βάσης του τρανζίστορ και του αρνητικού της μπαταρίας. Αρέχει τάση στη βάση και δημιουργεί τον απαιτούμενο τρόπο λειτουργίας της τριόδου. Η αντίστασή του είναι 200–300 кОм και εξαρτάται από τις παραμέτρους του τρανζίστορ.
Ο πυκνωτής C ονομάζεται πυκνωτής ζεύξης. Του λείπει ηχητικά σήματα, αλλά εμποδίζει τη διαδρομή συνεχούς ρεύματος μεταξύ της βάσης και του θετικρκτοκρου θετικρποκρου.
σταθερή αντίσταση R μπορεί να είναι οποιουδήποτε τύπου. Ωστόσο, είναι καλύτερο να συμπεριλάβετε συσκευές μικρού μεγέθους όπως το ULM ή το MLT 0,125 στα κυκλώματα ταρνζίσ. Υκνωτής C χωρητικότητας 0,047 микрофарад τύπου К Ю-7 ή MBM και ηλεκτρομαγνητικό τηλέφωνο (ακουστικό) Tlf τύπου
Συναρμολογήστε το κύκλωμα του ενισχυτή σε μια πλακέτα κυκλώματος από χαρτόνι ή κόντρα πλακέεια 30 мм.
α τρανζίστορ είναι πολύ ευαίσθητα στις υψηλές θερμοκρασίες.
διάσταση. Ναι απαραίτητο να κολλήσετε γρήγορα και με σιγουριά για να μην υπερθερμανθεί на τρίοδος. Α καλώδια της συσκευής δεν πρέπει να είναι λυγισμένα σε απόσταση μικρότερη από 10 мм από τη θήκη καιαιεντοτο ουίτο ποντο τοτο мм τοποντοτο τοτο τοτο τοτο και.
συντονισμός του ενισχυτή καταλήγει στον έλεγχο του τρόπου λειτουργίας του τρανζίστορ.Πιλέγοντας την τιμή της αντίστασης της αντίστασης R, ορίστε ρεύμα συλλέκτη Ti ίσο με 0,8 — 1 ма. Συσκευή μέτρησηςπρέπει να συνδεθεί μεταξύ του ακροδέκτη των ακουστικών και του μείον της μπαταρίας. Εάν δεν διαθέτετε χιλιοστάμετρο ή ελεγκτή, μπορείτε να ρυθμίσετε την επιθυμητή λειτουργία τριόδου ανάλογα με τη μέγιστη ένταση και την καλή ποιότητα ήχου στο τηλέφωνο.
Λοιπόν έχετε μαζέψει ενισχυτής τρανζίστορχαμηλή συχνότητα. Συνδέστε ένα μικρόφωνο στους ακροδέκτες εισόδου του
Отправить запрос1, μπορεί να χρησιμοποιηθεί για την αναπαραγωγή ενός δίσκου γραμμοφώνου, ως τμήμα χαμηλής συχνότητας του δέκτη (από τις υποδοχές GNZ, GN4), καθώς και για την ενίσχυση σημάτων από προσαρμοσμένους αισθητήρες μουσικά όργανα (από πρίζες GN1, ГН2).
υαισθησία ενισχυτή από υποδοχές GnI, Gn2 — 20 мВ, από υποδοχές Gn3, Gn4 — χι χειρότερη από 250 мВ.
σχύς εξόδου σε φορτίο 6,5 Ом -2 Вт;
мкм γραμμικός συντελεστής παραμόρφωσης — 3%;
ναπαραγώγιμη ζώνη συχνοτήτων 60–12000 Гц;
Στην αθόρυβη λειτουργία, ο ενισχυτής καταναλώνει ρεύμα περίπου 8 мА και στη λειτουργία μέγιστης ισχύος.
ενισχυτής μπορεί να τροφοδοτηθεί είτε από μπαταρίες είτε από δίκτυο AC 127 ή 220 V.
Σχηματικό διάγραμμα
Όπως φαίνεται από το σχηματικό διάγραμμα, το πρώτο στάδιο ενίσχυσης συναρμολογείται σε ένα τρανζίστορ χαμηλού θορύβου MP39B (Т1) σύμφωνα με το σχήμα με έναν κοινό πομπό. Το ενισχυμένο σήμα τροφοδοτείται στο ποτενσιόμετρο R1, από το ρυθμιστικό του οποίου, μέσω της αντίστασης R2 και του πυκνωτή μπλοκαρίσματος С1, το σήμα χαμηλής συχνότητας εισέρχεται στη βάση του τρανζίστορ.Το πρώτο στάδιο του ενισχυτή είναι φορτωμένο με αντίσταση R5.
διαιρέτης τάσης R3, R4 και η αντίσταση R6 είναι στοιχεία σταθεροποησης θερμοκρασίας. Παρουσία του διαιρέτη R3, R4 κάνει την τάση στη βάση του τρανζίστορ T1 να εξαρτάται ελάχιστα από τασίμοκρ. Αντίσταση R6 στο κύκλωμα εκπομπού παρέχει αρνητική ανάδραση DC.
αθώς η θερμοκρασία αυξάνεται, το ρεύμα στο κύκλωμα εκπομπού αυξάνεται κυαι η πτώση τάσης στην αντίστασην αντίσταση. Ως αποτέλεσμα, ση μεταξύ της βάσης και του πομπού γίνεται λιγότερο αρνητικυ, γεγονός που αποτρεεσπονός που αποτρεεξήσπορκαι πορκαι.Ο δεύτερο στάδιο της ενίσχυσης συναρμολογείται επίσης σύμφωνα με το σχήμα με έναν κοινό πομπό στο τρανζστο τρανζστο τρανζστο (τρανζτο) MP.
Για να μειώσει την εξάρτηση των παραμέτρων αυτού του σταδίου από τη θερμοκρασία, χρησιμοποιεί μια συνδυασμένη αρνητική ανάδραση που καθορίζεται από τις αντιστάσεις R8, R9 R10, смеясь. Η τάση που ενισχύεται από το πρώτο στάδιο εφαρμόζεται στην είσοδο του δεύτερου σταδίου μέσω του πυκνωτήρςπλοκ. Ο φορτίο του τρανζίστορ Τ2 είναι η αντίσταση R7.
ο τρίτο στάδιο της ενίσχυσης συναρμολογείται στο τρανζίστορ T3.Το στάδιο είναι φορτωμένο με αντίσταση RI8. Η σνδεση μεταξύ του δεύτερου και του τρίτου σταδίου πραγματοποιείται χρησιμοποιώντας έναν πυκνωτή C3.
Το στάδιο εξόδου του ενισχυτή λειτουργεί σε λειτουργία κατηγορίας Β σε σειριακό-παράληλο κύκλμα. Το κύριο πλεονέκτημα των ενισχυτών αυτής της κατηγορίας έναντι των ενισχαυτών που λειτουργούνστν κροτηγοηληστν κροτηγοηληστν κροτηγ
?Οι μικρού μεγέθους μετασχηματιστές με πυρήνα μόνιμου κράματος είναι αρκετά δύσκολο να κατασκευαστούν. Πιπλέον, οι μετασχηματιστές μειώνουν τη συνολική απόδοση και σε πολλές περιπτώσεις αποτελούν πσρπονμαρικον.
Πρόσφατα, αναπτύχθηκαν στάδια εξόδου χωρίς μετασχηματιστές — με σχεδόν πρόσθετη συμμετρία, δηλαδή χρησιμοποιώντας τρανζίστορ που έχουν διαφορετικούς τύπους μεταβάσεων και αλληλοσυμπληρώνονται για να διεγείρουν έναν ενισχυτή двухтактный.
Ο καταρράκτης χωρίς μετασχηματιστή συναρμολογείται σε δύο ισχυρά τρανζίστορ Т6, Т7 με διέγερση από ένα ζεύγος συμπληρωματικών συμμετρικών τρανζίστορ Τ4 και Τ5, που λειτουργούν στο στάδιο προ-τελικής ενίσχυσης.Ανάλογα με την πολικότητα του σήματος που παρέχεται από τον συλλέκτη του τρανζίστορ Τ3, τόλαλειει (δοιώ) 5 Ταυτόχρονα, τα σχετικά τρανζίστορ T6, T7 ανοίγουν. Εάν στον συλλέκτη του τρανζίστορ Τ3 το ενισχυμένο σήμα έχει αρνητική πολικότητα, τα τρανζίστορ Τ4, Τ6 ανοίγουν, εάν το σήμα έχει θετική πολικότητα, τα τρανζίστορ Τ5 και Τ7 ανοίγουν.
Η σταθερή συνιστώσα του ρεύματος συλλέκτη, που διέρχεται από τη θερμοσταθεροποιητική δίοδο D1 και την αντίσταση R19, δημιουργεί μια προκατάληψη στις βάσεις των τρανζίστορ Τ4, Τ5, που λειτουργούν ως μετατροπείς φάσης.Υτή η μετατόπιση εξαλείφει την εγγενή παραμόρφωση που προκαλείται απόαημυη γραμμικότηταταων χαρακτηονισμταλαεκνιστμαλαεκστηστμσσστηστησσσστηστησσσστηστησσστ
ι αντιστάσεις R22, R23 μειώνουν την επίδραση της εξάπλωσης στις παραμέτρους των τρανζίστορ T4, T3 σταεροτοτουυ. Διαχωριστικός πυκνωτής C9.
Προκειμένου να μειωθούν οι μη γραμμικές παραμορφώσεις, τα στάδια ενίσχυσης στα τρανζίστορ Т3 — Т7 καλύπτονται από αρνητική ανάδραση переменного тока, η τάση της οποίας αφαιρείται από την έξοδο του τελικού ενισχυτή και μέσω της αλυσίδας R17, С8, R16, R15, С6, R14 τροφοδοτείται στη βάση του τρανζίστορ Τ3.Σε αυτή την περίπτωση, η μεταβλητή αντίσταση R17 παρέχει έλεγχο τόνου στην περιοχή χαμηλότερες συχνότητες, και ποτενσιόμετρο R15 — στην περιοχή υψηλότερων συχνοτήτων.
ν δεν απαιτείται έλεγχος τόνου, τότε τα μέρη R14 — R17. Τα C6, C8 εξαιρούνται από το καθεστώς. ??
Για την κανονική λειτουργία του σταδίου εξόδου, η τάση στο σημείο «a» (τάση ηρεμίας) πρέπειυυυνονική λειτουργία του σταδίου εξόδου, ητση στο σημείο «a» (τάση ηρεμίας) πρέπειυυυυευτοτοτκοτκοτκτοσι τοτοτκτοτκοτοστοστοστοστοστοστοστοστοστοστοστονΥτό επιτυγχάνεται με την κατάλληλη επιλογή της αντίστασης RI8. Σταθεροποίηση της τάσης σε ηρεμία παρέχεται από ένα αρνητικό κύκλωμα ανάδρασης DC.
Добавить в корзину Η παρουσία αυτής της σύνδεσης διατηρεί αυτόματα την τάση στο σημείο «a» ίση με το μισό της τάση τουροφοεωτητη τουροφοεορτικού.
Για την κανονική λειτουργία του ενισχυτή, είναι επίσης απαραίτητο τα τρανζίστορ T4, T5 και T6υαεαεαευυγγγυεναεανατοτμναεανατοτμγνα λροτμτογγνα λροτμτγγνα λροτμτγγνα λροτμτγνα λροτμγνα λροτοτμγνα λροτοτμγνα λροτμΤο μέγεθος του κέρδους (5 τρανζίστορ Т4-Т7 πρέπει να είναι στην περιοχή 40 -.. 60 · επιπλέον, τα τρανζίστορ μπορεί να έχουν διαφορετικά κέρδη ч Είναι απαραίτητο μόνο η ισότητα H5 * = H5 HB * H7
Λεπτομέρειες και εγκατάσταση
ενισχυτής είναι τοποθετημένος σε πάνελ getinax πάχους 1 — 1,5 мм. Ι διαστάσεις της πλακέτας εξαρτώνται σε μεγάλο βαθμό από το εύρος του ενισχυτή. Για να διασφαλιστεί καλή απαγωγή της θερμότητας, τα τρανζίστορ P213B είναι εξοπλισμένα με θερυυισμένα με θερυιισκοναμε θερυισκοναμε θερυιξισψον cm θερμαντικ σψονμε θερμαντικ σψονματξιξισπον см
ενισχυτής μπορεί να τροφοδοτηθεί από μπαταρία 12 В, συναρμολογημένη από στοιχεία Saturn ή από μπαταρίες γι. Ο ενισχυτής τροφοδοτείται από το δίκτυο εναλλασσόμενου ρεύματος χρησιμοποιώντας έναν ανορθωτή συναρμολογημένο σε ένα κύκλωμα γέφυρας σε τέσσερις διόδους D1-D4 με ένα χωρητικό φίλτρο μέσω ενός σταθεροποιητή τάσης (Εικ. 2).
πως αναφέρθηκε παραπάνω, ταν ο ενισχυτής λειτουργεί, το ρεύμα που καταναλώνεται από αυτόν ποιορλκλλει. Οι ξαφνικές διακυμάνσεις του ρεύματος θα προκαλέσουν αναπόφευκτα μια αλλαγή στην τάση τροφοδοσίας, η οποία μπορεί να οδηγήσει σε ανεπιθύμητες ζεύξεις στον ενισχυτή και παραμόρφωση σήματος.Για την αποφυγή τέτοιων φαινομένων παρέχεται η σταθεροποίηση της ανορθωμένης τάσης.
σταθεροποιητής περιλαμβάνει τρανζίστορ T7, T2 και μια δίοδο Zener D5. Υτός ο σταθεροποιητής, ταν το ρεύμα φορτίου αλλάζει από 5 σε 400 мА, παρέχει σταθερή τάση 12 В, και το πυλάτοι κοπνατοι κορτοι. Σταθεροποίηση της τάσης τροφοδοσίας συμβαίνει λόγω της πτώσης τάσης στο τρανζίστορ Τ2.
Αυτή η διαφορά εξαρτάται από την προκατάληψη στη βάση του τρανζίστορ Т2, η οποία, με τη σειρά της, εξαρτάται από την τιμή της τάσης αναφοράς στην αντίσταση R2 και την τάση στο φορτίο (Rload).
ο τρανζίστορ T2 είναι τοποθετημένο σε ψυγείο. Ο ανορθωτής στεγάζεται σε κουτί διαστάσεων 60Χ90Χ130 мм, το οποίο είναι κατασκευασμένο από λαμαρίνα πάχους 1 мм.
μετασχηματιστής ισχύος κατασκευάζεται στον πυρήνα Ш12, το πάχος του σετ είναι 25 мм. Ο τύλιγμα I (127 В) περιέχει 2650 στροφές σύρματος PEL 0,15, το τύλιγμα II (220 В) — 2190 στροφές PEL 0,12, το τύλιγμα III — 420 στροφές PEL 0,55.
Предварительный просмотр
Отправить запросΧοντας συνδέσει το τροφοδοτικό (12 В), οι αντιστάσεις R3, R8, R12, R18 ρυθμίζουν τη συνιστώμενη λειτουργία. Στη συνέχεια, μέσω του πυκνωτή μπλοκαρίσματος С3, ο οποίος έχει προηγουμένως αποσυνδεθεί από τον συλλέκτη του τρανζίστορ Τ2, η τάση από γεννήτρια ήχου (0,2 В, συχνότητα 1000 Гц).
βρόχος ανάδρασης στο σημείο «β» πρέπει να σπάσει. Ο λεγχος της κυματομορφής της τάσης εξόδου παρατηρείται με έναν παλμογράφο συνδεδεμένο παράλληλαάεμνο παράληλαάετονο παράληλαάετονο παράληλαάετονο παράληλαάετομ. Εάν υπάρχουν μεγάλα «σκαλοπάτια» στις ενώσεις των ημικυμάτων, η τιμή της αντίστασης R19 πρέπει να διευκίινιν.
πιλέγεται για ελάχιστη παραμόρφωση, οποία εξαφανίζεται σχεδόν εντελώς όταν είναι ενεργοποιη ανάνος. Η ίδρυση άλλων καταρακτών δεν διαφέρει σε καμία περίπτωση. Σε εκείνες τις περιπτώσεις που απαιτείται ευαισθησία της τάξης των 250 мВ απότον ενισχυτή, ταύο πραεαεααεαταποζαταποναταροκσταπονσταπονσταποναταρον2 σπορναταρονστασπον2.
ρανζίστορ MP39, MP40, MP41, MP42.
ρανζίστορ MP39, MP40, MP41, MP42 — γερμάνιο, χαμηλής ισχύος ενισχυτής χαμηλής συχνότητας, δομές p-n-p.
Μεταλλικό γυάλινο περίβλημα με εύκαμπτα καλώδια. Βάρος — περίπου 2 γρ. Αλφαριθμητική σήμανση στην πλαϊνή επιφάνεια της θήκης.
πάρχουν τα ακόλουθα ξένα ανάλογα:
MP39 -2N1413
MP40 — 2N104
MP41 πιθανό αναλογικό — 2N44A
ιθανι3 ακό8λο 2N44A
ιθανι ακό8λο 2
ι πιο σημαντικές παράμετροι.
ρέχουσα αναλογία μεταφοράς για τα τρανζίστορ MP39 σπάνια υπερβαίνει 12 , για MP39B κυμαίνεται από 20 πριν 60 .
Για τρανζίστορ MP40, MP40A — από 20 πριν 40 .
Για τρανζίστορ MP41 — από 30 πριν 60 , MP41A — από 50 πριν 100 .
για τρανζίστορ MP42 — από 20 πριν 35 , MP42A — από 30 πριν 50 , MP42B — угол 45 πριν 100 .
μέγιστη τάση συλλέκτη-εκπομπού. Για τρανζίστορ MP39, MP40 — 15 v.
Για τρανζίστορ MP40A — 30 v.
Για τρανζίστορ MP41, MP41A, MP42, MP42A, MP42B — 15 v.
εριοριστική συχνότητα του λόγου μεταφοράς ρεύματος (fh31e) τρανζίστορ για κυκλώματα με κοινό πομπό:
ριν 0,5 МГц για τρανζίστορ MP39, MP39A.
ριν 1 МГц για τρανζίστορ MP40, MP40A, MP41, MP42B.
ριν 1,5 МГц για τρανζίστορ MP42A.
ριν 2 МГц για τρανζίστορ MP42.
Μέγιστο ρεύμα συλλέκτη. – 20 σταθερά мА, 150 мА — παλλόμενο.
ντίστροφο ρεύμα συλλέκτη σε τάση βάσης συλλέκτη 5 V και θερμοκρασία περιβάλλοντος -60 έως +25 ελσίου όχι περισσότερο — 15 мкА.
ντίστροφο ρεύμα εκπομπού σε τάση βάσης εκπομπού 5 V και θερμοκρασία περιβάλλοντος έως +25 ελσίου, χι περισσότερο — 30 мкА.
Δυνατότητα διασταύρωσης συλλεκτών σε τάση βάσης συλλέκτη 5V σε συχνότητα 1MHz — χι περισσότερο 60 пФ.
Φιγούρα αυτοθορύβου — για MP39B με τάση βάσης συλλέκτη 1,5 V και ρεύμα εκπομπού 0,5 мА σε συχνότητα 1KHz — χι περισσότερο 12 дБ.
Διαρροή ισχύος συλλέκτη. У МП39, МП40, МП41 — 150 мВт.
МП42 — 200 мВт.
ια φορά κι έναν καιρό, τα τρανζίστορ αυτής της σειράς ήταν εξοπλισμένα με ευρέως χρησιμοπουουομεναήςοτικικαρικικ, Ο MP39-MP42 με τις μάλλον μεγάλες διαστάσεις, τα μακριά εύκαμπτα καλώδια και το απλό распиновка (распиновка) ταν ιδανικά γιαταν ιδανικά γιατ. Πιπλέον, το σχετικά μεγάλο αντίστροφο ρεύμα τους επέτρεψε να λειτουργούν σε να κοινό κύκλχωμα εποποητκ, κύκλχωμα εποποητκ, κύκλχωμα εποποητκ.Εκείνοι. — απλούστερος ενισχυτήςεπρόκειτο πραγματικά να σε ένα τρανζίστορ , χωρίς αντιστάσεις. Υτό κατέστησε δυνατή τη σημαντική απλοποίηση των σχημάτων στα αρχικά στάδια του σχεδιασμού.
Распиновка του τρανζίστορ MP41
νομασία του τρανζίστορ MP41 στα διαγράμματα
Добавить в корзину Ο αλφαβητικός κωδικός αποτελείται από τα λατινικά γράμματα VT και έναν αριθμό (σειριακός αριθμός στο διάγαμμα).Η συμβατική γραφική ονομασία του τρανζίστορ MP41 τοποθετείται συνήθως σε έναν κύκλο που συμβολυζειτπου πορο. Ια μικρή παύλα με μια γραμμή από τη μέση συμβολίζει τη βάση, δύο λοξές γραμμές που τραβήχτηκαηκαη στλαλαμεχτηκαν στις άκλαςτηονηστις άκρες τηονποτ κρες τηονίποτ κτι κρες τηονίυ κρες τηονίποτ κρες τηο ποτ κτι κρες τηονίυπ Πομπός έχει ένα βέλος που δείχνει προς τη βάση.
αρακτηριστικά του τρανζίστορ MP41
Δομή п-н-п
15 * (10к)
20 (150 *) мА
0,15 Вт
30… 60 (5 В, 1 мА)
ντίστροφο ρεύμα συλλέκτη
> 1 * МГц
Δομή п-н-п
γιστη επιτρεπόμενη (παλμική) τάση συλλέκτη-βάση 15 * (Зк) В
γιστο επιτρεπόμενο σταθερό (παλμικό) ρεύμα συλλέκτη 150 * мА
γιστη επιτρεπτή σταθερή απαγωγή ισχύος του συλλέκτη χωρίς ψύκτρα (με ψύκτρα) 0,2 Вт
Λόγος μεταφοράς στατικού ρεύματος ενός διπολικού τρανζίστορ σε κοινό κύκλωμα εκπομπού 20… 35 * (1 В, 10 мА)
ντίστροφο ρεύμα συλλέκτη — μA
συχνότητα αποκοπής του συντελεστή μεταφοράς ρεύματος στο κύκλωμα με κοινό πομπό > 2 * МГц
Распиновка του τρανζίστορ MP42
νομασία του τρανζίστορ MP42 στα διαγράμματα
Отправить запрос Ο αλφαβητικός κωδικός αποτελείται από τα λατινικά γράμματα VT και έναν αριθμό (σειριακός αριθμός στο διάγαμμα).Η συμβατική γραφική ονομασία του τρανζίστορ MP42 τοποθετείται συνήθως σε έναν κύκλο που συμβολζειτπου πορου. Ια μικρή παύλα με μια γραμμή από τη μέση συμβολίζει τη βάση, δύο λοξές γραμμές που τραβήχτηκαηκαη στλαλαμεχτηκαν στις άκλαςτηονηστις άκρες τηονποτ κρες τηονίποτ κτι κρες τηονίυ κρες τηονίποτ κρες τηο ποτ κτι κρες τηονίυπ Πομπός έχει ένα βέλος που δείχνει προς τη βάση.
αρακτηριστικά του διπολικού τρανζίστορ MP42
Δομή п-н-п
γιστη επιτρεπόμενη (παλμική) τάση συλλέκτη-βάση 15 * (Зк) В
γιστο επιτρεπόμενο σταθερό (παλμικό) ρεύμα συλλέκτη 150 * мА
γιστη επιτρεπτή σταθερή απαγωγή ισχύος του συλλέκτη χωρίς ψύκτρα (με ψύκτρα) 0,2 Вт
Λόγος μεταφοράς στατικού ρεύματος ενός διπολικού τρανζίστορ σε κοινό κύκλωμα εκπομπού 20… 35 * (1 В, 10 мА)
ντίστροφο ρεύμα συλλέκτη — μA
συχνότητα αποκοπής του συντελεστή μεταφοράς ρεύματος στο κύκλωμα με κοινό πομπό > 2 * МГц
Χαμηλή συχνότητα. Τρανζίστορ από κράμα γερμανίου σελ — п — R Τα MP39B, MP40A, MP41A χρησιμοποιούνται για εργασία σε κυκλώματα ενίσχυσης Л.Ф. και παράγονται σε μεταλλική θήκη (Εικ 56, α -. Γ) με μονωτήρες γυαλιού και εύκαμπτα καλώδια, βάρους 2, 5 г, με ερος θερμοκρασίας λειτουργίας από -60 ως +70 ° C.Οι ηλεκτρικές παράμετροι δίνονται στον πίνακα. 109.
Τρανζίστορ πυριτίου PNP Τα МП 114, МП 115, MP116 παράγονται σε μεταλλική θήκη με γυάλινους μονωτές και εύκαμπτα καλώδια (Εικ. 57), βάρους 1,7 г, με εύρος θερμοκρασιών λειτουργίας από -55 έως + 100 ° С Οι ηλεκτρικές παράμετροι δίνονται στον πίνακα. 110.
Ρύζι. 56. Распиновка και συνολικές διαστάσεις τρανζίστορ MP39V, MP40A, MP41A (a) και τα χαρακτηριστικά εισόδου (6) και εξεεουη και εμόεουκ (cολη ου (cσ) κου (c) κου (cστικ)

Ρύζι.57. Распиновка και συνολικές διαστάσεις τρανζίστορ MP114 — MP116
Πίνακας 109
ντίστροφο ρεύμα συλλέκτη, μA, σε U K b = — 5 В και θερμοκρασία, ° C:
20 …………… 15
70 …………… 300
ντίστροφο ρεύμα εκπομπού, μA, σε U Eb = — 5 В 30
ο μεγαλύτερο συνεχές ρεύμα του συλλέκτη, мА 20
ωρητικότητα συλλέκτη, пФ, σε U K6 = 5 Σε και
f = 500 кГц………….. 60
Το μεγαλύτερο παλμικό ρεύμασυλλέκτης,
мА, στο I ESr
Αγωγιμότητα εξόδου, мкСм, στο I e = 1 мА,
U „b = 5 В και f = 1 кГц ………. 3,3
ασική αντίσταση, Ом, στο I e = 1 мА,
U kb = 5 В και f = 500 кГц ……… 220
σχύς διασκορπισμένης συλλέκτη, мВт, σε θερμοκρασία, ° C:
55 …………… 150
70 ……………. 75
ρνητική τάση U e in, V…. 5
Πίνακας 110
ντίστροφο ρεύμα συλλέκτη, mA, σε U έως = — 30 В και θερμοκρασία 20 και 100 ° C, αντίστοιχα … 10 και 400
ντίστροφο ρεύμα του πομπού, μA, σε U eb = — 10 В και θερμοκρασία 20 και 100 ° C, αντίστοιχα. … … — 10 человек 200
ντίσταση εισόδου, Ом, στο κύκλωμα με OB σε LU = — 50 В, I e = 1 мА, f = 1 кГц ……. 300
σχύς διασκορπισμένης συλλέκτη, мВт, στους 70 ° C ……………..150
Μεσαία συχνότητα. Τρανζίστορ Pnp Τα KT203 (А, В, С) χρησιμοποιούνται για την ενίσχυση και τη δημιουργία ταλαντώσεων στην περιοχή έως και 5 МГц, για εργασία σε κυκλώματα μεταγωγής και σταθεροποίησης και παράγονται σε μεταλλική θήκη με εύκαμπτα καλώδια (Εικ. 58), βάρους 0,5 г, με θερμοκρασίες εύρους εργασίας από — 60 ως + 125 ° C. 111.

Ρύζι. 58. Распиновка και συνολικές διαστάσεις τρανζίστορ KT203A — B
Πίνακας 111
ντίστροφο ρεύμα συλλέκτη, μA, στην υψηλότερη αντίστροφη τάση και θερμοκρασία 25 και 125 ° C, αντίστοιχα…………… 1 και 15
ντίστροφο ρεύμα εκπομπού, μA, σε U e 6 = — 30 В. 10
ωρητικότητα σύνδεσης συλλέκτη, пФ, σε U K b = 5 В και f = 10 МГц …………. 10
εύμα συλλέκτη, мА: σταθερό ………….. 10
σφυγμός ………….. 50.
ση τιμή ρεύματος εκπομπού σε παλμική λειτουργία, мА …………….. 10
ισχύς που διαχέεται από τον συλλέκτη, МВт, σε θερμοκρασίες έως 70 ° C ……… V. … 150
* Για τρανζίστορ KT203A — K.T203V τάση u k q αντίστοιχα σο με 50, 30 στα 15 В,
ψηλή συχνότητα . ρανζίστορ μετατροπής Pnp GT321
Τα (А — Е) παράγονται σε μεταλλική θήκη με εύκαμπτα καλώδια (. Εικ 59, α), βάρους 2 г, με εύρος θερμοκρασίας λειτουργίας από -55 έως + 60 ° С Οι ηλεκτρικές παράμετροι των τρανζίστορ δίνονται στον πίνακα. 112.
ИНТЕРСИЛ HI-201H
DtSheet
Загрузить
ИНТЕРСИЛ HI-201H
Открыть как PDF
Похожие страницы
ИНТЕРСИЛ ISL43113IB
ИНТЕРСИЛ ISL84517IB
ИНТЕРСИЛ ISL84517IB-T
ИНТЕРСИЛ DG405DY
ИНТЕРСИЛ DG444DJ
ИНТЕРСИЛ ISL84514IB-T
ИНТЕРСИЛ DG442DY
ИНТЕРСИЛ ISL43112IHZ-T
ИНТЕРСИЛ ISL84715IH-T
ИНТЕРСИЛ ISL84716
ИНТЕРСИЛ ISL84714IHZ-T
ИНТЕРСИЛ ИСЛ54504ИРУЗ-Т
ИНТЕРСИЛ ISL84714_0411
ИНТЕРСИЛ ISL54503
ИНТЕРСИЛ ISL43110IH-T
ИНТЕРСИЛ ISL54502
ИНТЕРСИЛ ISL84514IHZ-T
ИНТЕРСИЛ ISL84525IU
ИНТЕРСИЛ ISL8323IB-T
ИНТЕРСИЛ ISL84714
ИНТЕРСИЛ ISL43640IU-T
ETC ISL84542IB-T
dtsheet © 2021 г.
О нас DMCA / GDPR Злоупотребление здесь
?? Цепи выборки и хранения • Цифровые фильтры • Операционные сети коммутации усиления усилителя • Распиновка схем сброса интегратора (переключатели показаны для Logic
FN3123Rev 4.00
Сентябрь 2004 г.
HI-201HS Высокоскоростной аналоговый переключатель Quad SPST, CMOS
ТЕХНИЧЕСКАЯ ИНФОРМАЦИЯ
HI-201HS — это монолитный аналоговый переключатель CMOS с очень высокой скоростью переключения и низким сопротивлением во включенном состоянии. Интегральная схема состоит из четырех независимо выбираемых переключателей SPST и совместима по выводам со стандартным переключателем HI-201.
Изготовленное с использованием технологии кремниевого затвора и процесса диэлектрической изоляции Intersil, это TTL-совместимое устройство обеспечивает улучшенную производительность по сравнению с ранее доступными аналоговыми КМОП-переключателями.Обладая максимальным временем переключения 50 нс, низким сопротивлением включения (максимум 50) и широким диапазоном аналоговых сигналов, HI-201HS разработан для любых приложений, где требуются улучшенные характеристики переключения, особенно скорость переключения. (Более подробное обсуждение конструкции и применения HI-201HS можно найти в примечаниях к применению AN543.)
Особенности Быстрое время переключения
— tON. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30нс- ВЫКЛ. . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40ns
Низкое сопротивление при включении. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
Вывод
, совместимый со стандартом HI-201
Широкий диапазон аналогового напряжения (источники питания 15 В). . . . . . . 15 В
Впрыск низкого заряда (источники 15 В). . . . . . . . . . 10pC
TTL-совместимый
Симметричное переключение аналогового диапазона тока. . . . . 80 мА
Приложения Высокоскоростное мультиплексирование
Высокочастотная аналоговая коммутация
Схемы выборки и хранения
Цифровые фильтры
Коммутационные сети с усилением операционного усилителя
Схемы сброса интегратора
Назначение выводов (переключатели показаны для входа логики 1) H CERDIP, PDIP, SOIC)
TOP VIEW
Информация для заказа
НОМЕР ДЕТАЛИ EMP.
ДИАПАЗОН (oC) PACKAGEPKG. НЕТ.
HI1-0201HS-2 от 55 до 125 16 Ld CERDIP F16.3
HI1-0201HS-4 от 25 до 85 16 Ld CERDIP F16.3
HI1-0201HS-5 от 0 до 75 16 Ld CERDIP F16.3
HI3-0201HS-5 от 0 до 75 16 Ld PDIP E16.3
HI9P0201HS-5 от 0 до 75 16 Ld SOIC M16.3
HI9P0201HS-9 от -40 до 85 16 Ld SOIC M16.3
14
15
16
9
13
12
11
10
1
2
3
4
5
7
IN1
V-
GND
IN4
A4
OUT4
A2
IN2
V +
NC
IN3
OUT3
OUT3
OUT3
OUT3
00 Стр. 1 от 12 сентября 2004 г.
http://www.intersil.com?utm_source=intersil&utm_medium=datasheet&utm_campaign=logo-ds-headerhttp://www.intersil.com?utm_source=intersil&utm_medium=datasheet-header-utm_cam
HI-201HS
Функциональная схема
TTLLOGICINPUT
SWITCHCELL
LEVELSHIFTER
ANDDRIVER
GATE
SOURCE
000
000
TRA2000
000
000
000 GUT2000
DRAIN ТАБЛИЦА
ЛОГИЧЕСКИЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ
01
ONOFF
Схемы TTL / CMOS ЯЧЕЙКА ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЯ ОПОРНОЙ ЦЕПИ
P41
V + MP42
MP43 MP44
000 Q48
Q48
QN43
R42
R41
QN41
QN42
D415V
D425.6V
QP42
QP41
V-
MN42 MN44 MN45
MP45
MP31
MN32
MP33
MN33
000 AN33
000 AN33
9000
000 AN33
9000 9000 ANN
9000 9000 9000
V-
V +
FN3123 Ред. 4.00 Стр. 2 из 12Сентябрь 2004
http://www.intersil.com?utm_source=intersil&utm_medium=datasheet&utm_campaign=logo-ds-header
9000DHS-header
9000 БУФЕР И ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ УРОВНЯ
Схемы (продолжение)
MN46 MP51
IQ IX3 IX4IX1
QN6
QN7VR1 IX2
IX3
QP7
IX3
QP7
QP7
QP7
QN1
C1 R1
QP1
IQ
QN4
QN8
QN9 MP3
MP4
QP9 9000 3
QP8
МР5
МР7
ФФС
С2
QN2QN5
QP2
R3R2QP5
QP4VR1
MP9MP6 МР10
MN3 MN4
MN5 MN6
MP8
MN7 MN8
MN10MN9
MP11
MN11
VEE
MP12
MN12Q
MP13
MN13
VCC
MP14
MN14 Ред.00 Стр. 3 из 12 Сентябрь 2004 г.
http://www.intersil.com?utm_source=intersil&utm_medium=datasheet&utm_campaign=logo-ds-header
HI-201HS
Абсолютные максимальные номинальные характеристики Тепловая информация + к напряжению питания (В) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36 В Цифровое входное напряжение. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . (V +) + 4V до (V-) -4V Аналоговое входное напряжение (один переключатель). . . . . . . От (V +) + 2.0V до (V-) -2.0V Пиковый ток, S или D (импульс 1 мс, максимальный рабочий цикл 10%).. . . 50 мА Непрерывный ток Любой терминал (кроме S или D). . . . . . . . . 25 мА
Условия эксплуатации Температурный диапазон HI-201HS-2. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . От -55 ° C до 125 ° C HI-201HS-4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . От -25 ° C до 85 ° C HI-201HS-5. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . От 0oC до 75oC HI-201HS-9. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . От -40oC до 85oC
Тепловое сопротивление (типичное, примечание 1) JA (oC / W) JC (oC / W) Корпус CERDIP.. . . . . . . . . . . . . . . . 80 20 Пакет PDIP. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90 Н / Д Пакет SOIC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . Керамический корпус с максимальной температурой перехода 100 Н / А. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175oC Пластиковый корпус. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150oCМаксимальная температура хранения. . . . . . . . . . . . . . . . -65 ° C до 150 ° C Максимальная температура свинца (пайка 10 с). . . . . . . . . . . . 300oC (SOIC — только наконечники со свинцом)
ВНИМАНИЕ! Напряжения, превышающие указанные в разделе «Абсолютные максимальные значения», могут привести к необратимому повреждению устройства.Это расчетная нагрузка, и работа устройства в этих или любых других условиях, превышающих указанные в рабочих разделах данной спецификации, не подразумевается.
ПРИМЕЧАНИЕ: 1. JA измеряется с компонентом, установленным на оценочной печатной плате на открытом воздухе.
Электрические характеристики Поставка = + 15В, -15В; VAH (высокий логический уровень) = 2,4 В, VAL (низкий логический уровень) = + 0,8 В, GND = 0 В, если не указано иное
PARAMETERTEST
CONDITIONSTEMP (oC)
-2-4, -5, -9
UNITSMIN TYP MAX MIN TYP MAX
ДИНАМИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Время включения, tON (Примечание 3) 25-30 50-30 50 нс
Время выключения, tOFF1 (Примечание 3) 25-40 50-40 50 нс
Время выключения, tOFF2 (Примечание 3) 25 — 150 — — 150 — нс
Время установления выхода на 0.1% 25-180 — — 180 — нс
Инжекция заряда, Q (Примечание 6) 25-10 — — 10 — пКл
ВЫКЛ Изоляция (Примечание 4) 25-72 — — 72 — дБ
Перекрестные помехи (Примечание 5 ) 25 — 86 — — 86 — дБ
Емкость входного переключателя, CS (ВЫКЛ) 25-10 — — 10 — пФ
Емкость выходного переключателя CD (ВЫКЛ) 25-10 — — 10 — пФ
CD (ВКЛ) 25-30 — — 30 — пФ
Емкость цифрового входа, CA 25-18 — — 18 — пФ
Емкость сток-источник, CDS (ВЫКЛ.) 25 — 0,5 — — 0,5 — пФ
ХАРАКТЕРИСТИКИ ЦИФРОВОГО ВХОДА
Входной нижний порог, VAL Full — — 0.8 — — 0,8 В
Верхний порог входа, ВАH 25 2,0 — — 2,0 — — В
Полный 2,4 — — 2,4 — — В
Входной ток утечки (низкий), IAL 25-200 — — 200 — A
Полный — — 500 — — 500 A
Входной ток утечки (высокий), IAH VAH = 4,0 В 25-20 — — 20 — A
Полный — — 40 — — 40 A
ХАРАКТЕРИСТИКИ АНАЛОГОВОГО ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЯ
Диапазон аналогового сигнала , VS Полный -15 — +15-15 — +15 В
Сопротивление ВКЛ, rON (Примечание 2) 25-30 50-30 50
Полное — — 75 — — 75
FN3123 Ред.00 Стр. 4 из 12Сентябрь 2004
http://www.intersil.com?utm_source=intersil&utm_medium=datasheet&utm_campaign=logo-ds-header
HI-201HS
rON Соответствие 25 — 3 — — 3 -%
ВЫКЛ. Входной ток утечки, IS (ВЫКЛ.) 25 — 0,3 10 — 0,3 10 нА
Полный — — 100 — — 50 нА
ВЫКЛ. Выходной ток утечки, ID (ВЫКЛ.) 25 — 0,3 10 — 0,3 10 нА
Полностью — — 100 — — 50 нА
Ток утечки при включении, ID (ВКЛ) 25 — 0,1 10 — 0,1 10 нА
Полный — — 100 — — 50 нА
ХАРАКТЕРИСТИКИ ИСТОЧНИКА ПИТАНИЯ (Примечание 7)
Рассеиваемая мощность, PD 25 — 120 — — 120 — мВт
Полный — — 240 — — 240 мВт
Ток, I + (вывод 13) 25-4.5 — — 4,5 — мА
Полный — — 10,0 — — 10,0 мА
Ток, I- (контакт 4) 25 — 3,5 — — 3,5 — мА
Полный — — 6 — — 6 мА
ПРИМЕЧАНИЯ: 2. VOUT = 10 В, IOUT = 1 мА 3. RL = 1k, CL = 35pF, VIN = + 10V, VA = + 3V. (См. Рисунок 1) 4. VA = 3V, RL = 1k, CL = 10pF, VIN = 3VRMS, f = 100 кГц. 5. VA = 3V, RL = 1k, VIN = 3VRMS, f = 100 кГц. 6. CL = 1 нФ, VIN = 0 В, Q = CL x VO. 7. VA = 3V или VA = 0 для всех переключателей.
Электрические характеристики Поставка = + 15В, -15В; VAH (высокий логический уровень) = 2.4 В, VAL (низкий логический уровень) = +0,8 В, GND = 0 В, если не указано иное (продолжение)
PARAMETERTEST
CONDITIONSTEMP (oC)
-2-4, -5, -9
UNITSMIN TYP MAX MIN TYP MAX
Испытательные схемы и формы сигналов
РИСУНОК 1A. ТОЧКИ ИЗМЕРЕНИЯ РИСУНОК 1B. WAVEFORMS
DIGITALINPUT
SWITCHOUTPUT
VAH = 3,0V
50% VAL = 0V
90%
10%
tON
50% Log
FF
0V902%
FF
0V902% Вход (2 В / Div.

Модель	Размеры (мм)	Вес	Разрешение	Двигатель
H54-200-S500-R H54-200-S500-R (A)	54 х 126 х 54	855 г	501 923	BLDC (Максон)
H54-100-S500-R H54-100-S500-R (A)	54 х 108 х 54	732 г	501 923	BLDC (Максон)
h52-20-S300-R h52-20-S300-R (A)	42 х 84 х 42	340 г	303 750	Coreless (Maxon)
M54-60-S250-R M54-60-S250-R (А)	54 х 126 х 54	853 г	251 417	BLDC (Максон)
M54-40-S250-R M54-40-S250-R (A)	54 х 108 х 54	710 г	251 417	BLDC (Максон)
M42-10-S260-R M42-10-S260-R (А)	42 х 72 х 42	269 г	263 187	Coreless (Maxon)
L54-50-S290-R	54 х 108 х 54	656 г	207 692	BLDC
L54-50-S500-R	54 х 108 х 54	656 г	361 384	BLDC
L54-30-S400-R	54 х 108 х 54	612 г	288 395	BLDC
L54-30-S500-R	54 х 108 х 54	591 г	361 384	BLDC
L42-10-S300-R	42 х 72 х 42	257 г	4 096	Без сердечника

Транзистор МП42 — DataSheet

Параметры транзисторов МП26 — МП42

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Цоколёвка и размеры транзисторов

Транзисторы П210,МП39,МП40.

Транзисторы МП39, МП40, МП41, МП42.

Цоколевка

Рекомендованные сообщения

Обозначение транзистора П210 на схемах

P210 Datasheet (PDF)

Блок питания для гаража

Обсудить эту статью на – форуме “Радиоэлектроника, вопросы и ответы”.

SemarglUA › Блог › Зарядное для акб — для себя — схемы (часть 2)

Транзистор П210.

Технические характеристики

Присоединяйтесь к обсуждению

Аналоги

Производители

Регулировка напряжения и тока

Cоветские биполярные транзисторы — Онлайн справочник

Цоколевка

Микроконтроллерный определитель цоколёвки биполярных транзисторов — Измерительная техника — Инструменты

ZVEX — Fuzz Factory — CHAS-MUSIC

Mp39. Транзисторы малой мощности

Принципиальная схема

Детали и установка

Регулировка

MP41

Обозначение транзистора МП41 на схемах

Характеристики транзистора MP41

MP41

Обозначение транзистора МП41 на схемах

Характеристики транзистора MP41

DYNAMIXEL PRO

alexxlab

Добавить комментарий Отменить ответ