Site Loader

Содержание

Транзистор МП42 — DataSheet

Цоколевка транзисторов МП41, МП42

 

Параметры транзистора
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог МП42 ASY70
МП42А ASY26
Структура  — p-n-p мВт
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max МП42 200
МП42А 200
МП42Б 200
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h31б, f**h31э, f***max МП42 ≥2* МГц
МП42А ≥1. 5*
МП42Б ≥1*
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. МП42 15* В
МП42А 15*
МП42Б 15*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  МП42 В
МП42А
МП42Б
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max МП42 150* мА
МП42А 150*
МП42Б 150*
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO
МП42 мкА
МП42А
МП42Б
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э МП42 1 В; 10 мА 20…35*
МП42А 1 В; 10 мА 30…50*
МП42Б 1 В; 10 мА 58…100*
Емкость коллекторного перехода
cк,  с*12э МП42 пФ
МП42А
МП42Б
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас МП42 ≤20 Ом
МП42А ≤20
МП42Б ≤20
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, Pвых МП42 Дб, Ом, Вт
МП42А
МП42Б
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) МП42 ≤2000*** пс
МП42А ≤1500***
МП42Б ≤1000***

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Параметры транзисторов МП26 — МП42

Добавил: Chip,Дата: 02 Сен 2013

Параметры транзисторов

МП26, МП35
Тип

прибора

Структура Pк max

[ мВт ]

fгр,

f*h316

[ МГц ]

Uкбо max

[ В ]

Uэбо max

[ В ]

МП26

МП26А

МП26Б

p-n-p

p-n-p

p-n-p

200

200

200

≥0. 2*

≥0.2*

≥0.5*

70

70

70

70

70

70

МП35 n-p-n 150 ≥0.5* 15

продолжение таблицы

Тип

прибора

IK max

I*K и max

[мА ]

Iкбо

[мкА ]

h31э

[ пФ ]

МП26

МП26А

МП26Б

300*

300*

400*

≤75 (70В)

≤75 (70В)

≤75 (70В)

13…25 (35В;1. 5мА)

20…50 (35В;1.5мА)

30…80 (35В;1.5мА)

≤15 (35В)

≤15 (35В)

≤15 (35В)

МП35 20 (150*) 30 (5В) 13…125 (5В;1мА)

продолжение таблицы

Тип

прибора

rКЭнас

[ Ом ]

Kш [ дБ ]

     r*6 [ Ом ]

τк [ пс ]

t*pac [ нс ]

t**выкл [ нс ]

примечание

МП26

МП26А

МП26Б

≤2. 2

≤2.2

≤1.8

≤1500***

≤1500***

≤1500***

МП35 ≤220*

Параметры транзисторов

МП36, МП37

Тип

прибора

Структура Pк max

[ мВт ]

fгр,

f*h316

[ МГц ]

Uкбо max

[ В ]

Uэбо max

[ В ]

МП36А n-p-n 150 ≥1* 15
МП37А

МП37Б

n-p-n

n-p-n

150

150

≥1*

≥1*

30

30

продолжение таблицы

Тип

прибора

IK max

I*K и max

[мА ]

Iкбо

[мкА ]

h31э

C*12э

[ пФ ]

МП36А 20 (150*) ≤30 (5В) 13…45 (5В;1мА)
МП37А

МП37Б

20 (150*)

20 (150*)

≤30 (5В)

≤30 (5В)

15…30 (5В;1мА)

25…50 (5В;1мА)

продолжение таблицы

Тип

прибора

rКЭнас[ Ом ]

r*БЭ нас [ Ом ]

K**у. р. [ дБ ]

Kш [ дБ ]

r*6 [ Ом ]

τк [ пс ]

примечание

МП36А ≤10 (1кГц)
МП37А

МП37Б

≤220*

≤220*

Параметры транзисторов

 МП38, МП39, МП40

Тип

прибора

Структура Pк maх

[ мВт ]

fгр,

f*h316

[ МГц ]

Uкбо max

U*КЭR max

[ В ]

Uэбо max

[ В ]

МП38

МП38А

n-p-n

n-p-n

150

150

≥2*

≥2*

15

15

МП39

МП39Б

p-n-p

p-n-p

150

150

≥0.5*

≥0.5*

15* (10к)

15* (10к)

5

5

МП40

МП40А

p-n-p

p-n-p

150

150

≥1*

≥1*

15* (10к)

30* (10к)

5

5

продолжение таблицы

Тип

прибора

IK max

I*K и max

[мА ]

Iкбо

[мкА ]

h31э

[ пФ ]

МП38

МП38А

20 (150*)

20 (150*)

≤30 (5В)

≤30 (5В)

25…55 (5В;1мА)

45…100 (5В;1мА)

МП39

МП39Б

20 (150*)

20 (150*)

≤15 (5В)

≤15 (5В)

≥12 (5В;1мА)

20…60 (5В;1мА)

≤50 (5В)

≤50 (5В)

МП40

МП40А

20 (150*)

20 (150*)

≤15 (5В)

≤15 (5В)

20…40 (5В;1мА)

20…40 (5В;1мА)

≤50 (5В)

≤50 (5В)

продолжение таблицы

Тип

прибора

rКЭнас[ Ом ]

Kш [ дБ ]

r*6 [ Ом ]

τк [ пс ]

примечание

МП38

МП38А

≤220*

≤220*

МП39

МП39Б

-≤12 (1кГц)
МП40

МП40А

Параметры транзисторов

МП41,МП42
Тип

прибора

Структура Pк max

[ мВт ]

fгр,

f*h316

[ МГц ]

Uкбо max

U*КЭR max

[ В ]

Uэбо max

[ В ]

МП41

МП41А

p-n-p

p-n-p

150

150

≥1*

≥1*

15* (10к)

15* (10к)

5

5

МП42

МП42А

МП42Б

p-n-p

p-n-p

p-n-p

200

200

200

≥2*

≥1.5*

≥1*

15* (3к)

15* (3к)

15* (3к)

 продолжение таблицы 

Тип

прибора

IK max

I*K и max

[мА ]

Iкбо

[мкА ]

h31э,

h*21э

C*12э

[ пФ ]

МП41

МП41А

20 (150*)

20 (150*)

≤15 (5В)

≤15 (5В)

30…60 (5В;1мА)

50…100 (5В;1мА)

≤50 (5В)

≤50 (5В)

МП42

МП42А

МП42Б

150*

150*

150*

20…35* (1В;10мА)

30…50* (1В;10мА)

458…100* (1В;10мА)

 продолжение таблицы 

Тип

прибора

rКЭнас[ Ом ]

Kш [ дБ ]

τк [ пс ]

t*pac [ нс ]

t**выкл [ нс ]

примечание

МП41

МП41А

МП42

МП42А

МП42Б

≤20

≤20

≤20

≤2000***

≤1500***

≤1000***

Цоколёвка и размеры транзисторов


МП26 — МП42



ПОДЕЛИТЕСЬ С ДРУЗЬЯМИ

П О П У Л Я Р Н О Е:

Популярность: 18 677 просм.

Транзисторы П210,МП39,МП40.

Для того чтобы АКБ служила долго, она должна правильно заряжаться. В этой статье мы рассмотрим несколько схем регуляторов зарядного тока. Ведь этот узел – неотъемлемая часть любого «правильного» СЗУ.

Транзисторы МП39, МП40, МП41, МП42.

Транзисторы МП39, МП40, МП41, МП42 – германиевые, усилительные маломощныенизкочастотные, структуры p-n-p.
Корпус металлостеклянный с гибкими выводами. Масса – около 2 г.Маркировка буквенно – цифровая, на боковой поверхности корпуса.

Существуют следующие зарубежные аналоги:
МП39 – 2N1413
МП40 – 2N104
МП41 возможный аналог – 2N44A
МП42 возможный аналог – 2SB288

Источник: http://elektrikaetoprosto.ru/trans3.html

Цоколевка

Распиновка транзистора П210Б обозначена на представленном ниже изображении. Там же можно ознакомиться с габаритными размерами и внешним видом компонента. Корпус, в котором располагается устройство загерметизирован и сделан из металла.

Источник: http://mirshem.ru/p210b/

Рекомендованные сообщения

Microchip    213
  • Завсегдатай
  • Members
  • 213
  • 761 публикация

Доброго времени суток.

Нужно приобрести транз вместо указанного по схеме П210

Подскажите аналог.

Будет стоять в выходном каскаде ультразвукового генератора (диапазон где-то 15…50кГц)

Нет никакой заслуги тому, кто даёт золото, думая, что даёт камень (Будда)

Adver    220
  • Старожил
  • Members
  • 220
  • 72 публикации

Panda_y2k    6
  • Постоялец
  • Members
  • 6
  • 201 публикация

П210 – это очень плохой транзистор!!! лучше поставить кт818 или кт825, он еще мощнее. А какова мощность прибора?

п210 был сделан на заре радиотехники у него по справочнику граничная частота 100 кгц!!! и он безобразно тупой. Когда то видел его в промышленной схеме указателя поворотов для мотоцикла ИЖ Юпитер-4. Там ему самое и место, больше ни куда

Изменено 14 октября 2009 пользователем Panda_y2k

Купи два беляша и собери из них кошку

Labor est etiam ipse voluptas Труд уже сам по себе есть наслаждение (*Формула любви)

Ave novie-nostra ales Если один человек построил – другой завсегда разобрать может….(*Формула Любви).

Adver    220
  • Старожил
  • Members
  • 220
  • 72 публикации

veltex    0
  • Новенький
  • Members
  • 0
  • 18 публикаций

лучше поставить кт818 или кт825. ок…

“Нужно быть действительно великим человеком, чтобы суметь устоять даже против здравого смысла”.

Adver    220
  • Старожил
  • Members
  • 356
  • 72 публикации

М.Васильев    39
  • Старожил
  • Members
  • 39
  • 4 965 публикаций

советчики блин.вы бы хотя посмотрели из какого материала сделан этот транзистор. а потом советовали. Близкие заменыГТ702/ ГТ806/ГТ813. кремний можно, но возможно придётся режимы смотреть и подбирать

Adver    220
  • Старожил
  • Members
  • 224
  • 74 публикации

Microchip    213
  • Завсегдатай
  • Members
  • 213
  • 761 публикация

Всем спасибо.

Нет никакой заслуги тому, кто даёт золото, думая, что даёт камень (Будда)

Adver    220
  • Старожил
  • Members
  • 220
  • 52 публикации

Решения TE Connectivity для 112 Gbps архитектуры и серверов. Соединители STRADA Whisper

В статье описываются решения компании TE Connectivity для высокоскоростных соединений, а именно соединители и кабельные сборки серии STRADA Whisper, главная особенность которых – поддержка работы с технологией PAM-4, что позволяет обеспечить высокую целостность сигнала на высоких частотах, низкий уровень шума и вносимых потерь, а также организовать мягкий переход от систем 56 Гбит/с к 112 Гбит/с.
Подробнее

приус    15
  • Завсегдатай
  • Members
  • 15
  • 837 публикаций

П210 -замечательный транзистор!!! Неоднократно ставил их в зиловские системы зажигания,ввиду отсутствия штатных,и ничего,годами работали в запредельных режимах.

Изменено 17 октября 2009 пользователем приус

хорошо иформированный оптимист

NPI    0
  • Завсегдатай
  • Members
  • 0
  • 593 публикации

П210 -замечательный транзистор!!!

Подтверждаю! Чтоб его спалить, нужно ОЧЕНЬ постараться!

Adver    220
  • Старожил
  • Members
  • 220
  • 72 публикации

noise1    1 339
  • Старожил
  • Members
  • 1 339
  • 6 003 публикации

Реально замены П210 НЕТ. Весь фокус в большом напряжении БЭ. Если это напряжение в схеме не более 5 В, то да, можно менять на 1Т813, ГТ809. Возможна и замена на полевики.

vecha    2
  • Осваивающийся
  • Members
  • 2
  • 195 публикаций

Подтверждаю! Чтоб его спалить, нужно ОЧЕНЬ постараться!

И стараться не надо,сам вылетить, поскольку фуфло, особенно с нарушениемплохим теплоотводом. В ТК-102 ставлю КТ-818ГМ или если естьГТ-701А (Вроде нет уже в производстве специально был выпущен под эти коммутаторы) На ремонт попадают чаще ,если там стоит П-210.

Изменено 18 октября 2009 пользователем vecha

приус    15
  • Завсегдатай
  • Members
  • 15
  • 837 публикаций

В тк102 п210 теоретически не МОЖЕТ работать,а практически работает.Загляните в любой справочник и сделайте элементарный анализ схемы тк102.Ну а если не нравится п210 -гляньте в сторону п208,вообче чумовой транзистор.

хорошо иформированный оптимист

Новенький    39
  • Завсегдатай
  • Members
  • 39
  • 914 публикаций

каким транзистором заменить транзистор п21б…в унч.

mao-sin    68
  • Старожил
  • Members
  • 68
  • 7 241 публикация

транзистор п21б…в унч

П217. А вот про современные без схемы сказать невозможно: напряжение эмиттерного перехода у германиевых транзисторов (П216 именно такой) в два раза меньше, чем у кремниевых, поэтому тупо заменить германий на кремний (КТ818 например) нельзя.

Новенький    39
  • Завсегдатай
  • Members
  • 39
  • 914 публикаций

транзистор п21б…в унч

П217. А вот про современные без схемы сказать невозможно: напряжение эмиттерного перехода у германиевых транзисторов (П216 именно такой) в два раза меньше, чем у кремниевых, поэтому тупо заменить германий на кремний (КТ818 например) нельзя.

mao-sin вы не так поняли не п216.а П21Б…

mao-sin    68
  • Старожил
  • Members
  • 68
  • 7 241 публикация

А, буковки разборчивей пиши! Параметры П21. Меняй на МП25, МП26. По напряжению подойдут и МП41, МП42, правда максимально допустимый ток у них поменьше.

Новенький    39
  • Завсегдатай
  • Members
  • 39
  • 914 публикаций

А, буковки разборчивей пиши!

Параметры П21

. Меняй на МП25, МП26. По напряжению подойдут и МП41, МП42, правда максимально допустимый ток у них поменьше.

зачем арать …спасибо

М.Васильев    39
  • Старожил
  • Members
  • 39
  • 4 965 публикаций

и менять не придется , я вам вроде пихнул и МП-шек ,вот только когда придет. мне с уфы за полторы недели шла.

Изменено 18 октября 2009 пользователем М.Васильев

Источник: http://forum.cxem.net/index.php?/topic/55774-%D0%B0%D0%BD%D0%B0%D0%BB%D0%BE%D0%B3-%D0%BF210-%D0%BF4/

Обозначение транзистора П210 на схемах

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора П210 обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную к базе.

Источник: http://radiolibrary.ru/reference/transistor/p210.html

P210 Datasheet (PDF)

0.1. stp210nf02.pdf Size:609K _st

STP210NF02STB210NF02 STB210NF02-1N-CHANNEL 20V – 0.0026 – 120A DPAK/IPAK/TO-220STripFET II POWER MOSFETAUTOMOTIVE SPECIFICTYPE VDSS RDS(on) IDSTB210NF02/-1 20 V

0.2. stp210n75f6.pdf Size:687K _st

STP210N75F6N-channel 75 V, 3 m, 120 A TO-220STripFET VI DeepGATE Power MOSFETFeaturesOrder code VDSS RDS(on) max IDSTP210N75F6 75 V

 0.3. fp210.pdf Size:97K _sanyo

Ordering number:EN4537FP210NPN Epitaxial Planar Silicon TransistorDriver ApplicationsFeatures Package Dimensions Composite type with 2 transistors (PNP) containedunit:mmin one package, facilitating high-density mounting.2097A The FP210 is formed with 2 chips being equivalent[FP209]to the 2SB1123, placed in one package.Electrical Connection1:Base (PNP TR)2, 7:Co

0.4. zvp2106a.pdf Size:53K _diodes

P-CHANNEL ENHANCEMENTZVP2106AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94FEATURES* 60 Volt VDS* RDS(on)=5VGS=-10V D-9V G S-8VE-Line-7VTO92 Compatible-6VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.-5VPARAMETER SYMBOL VALUE UNIT-4V-3.5VDrain-Source Voltage VDS -60 V-8 -10Continuous Drain Current at Tamb=25C ID -280 mAPulsed Drain Current IDM -4 AGate Source V

 0.5. zvp2106astob zvp2106astz zvp2106as zvp2106astoa.pdf Size:41K _diodes

P-CHANNEL ENHANCEMENTZVP2106AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94FEATURES* 60 Volt VDS* RDS(on)=5VGS=-10V D-9V G S-8VE-Line-7VTO92 Compatible-6VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.-5VPARAMETER SYMBOL VALUE UNIT-4V-3.5VDrain-Source Voltage VDS -60 V-8 -10Continuous Drain Current at Tamb=25C ID -280 mAPulsed Drain Current IDM -4 AGate Source V

0.6. dmp2100u.pdf Size:193K _diodes

DMP2100UP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Low On-ResistanceV(BR)DSS RDS(ON) MAX Package TA = +25C Low Input Capacitance 38m @ VGS = -10V -4.3A Fast Switching Speed -20V 43m @ VGS = -4.5V SOT23 -4.0A Low Input/Output Leakage 75m @ VGS = -2.5V -2.8A ESD Protected Up To 3kV Totally Lead-Free & Fully RoHS Compl

0.7. zvp2106gta zvp2106gtc.pdf Size:61K _diodes

SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENT6G ZVP2106GMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 3 MARCH 96 T D V I VD D VGS=S-10V T I D T I V -9V T T V D-8V G-7VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.-6V T V IT-5V-4VD i V I VD V-3.5V i D i T ID -8 -10 I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated).

0.8. dmp210dudj.pdf Size:440K _diodes

DMP210DUDJDUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data Dual P-Channel MOSFET Case: SOT-963 Low On-Resistance Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound.UL Flammability Classification Rating 94V-0 o 5.0 @ -4.5V o 7.0 @ -2.5V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 o 10 @ -1.8V Terminal Connections: See Diagra

0.9. dmp2104v.pdf Size:178K _diodes

DMP2104VP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Mechanical Data P-Channel MOSFET Case: SOT-563 Very Low On-Resistance Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound.UL Flammability Classification Rating 94V-0 Very Low Gate Threshold Voltage Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Low Input Capacitance Terminal

0.10. dmp2104lp.pdf Size:317K _diodes

DMP2104LPP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Mechanical Data P-Channel MOSFET Case: DFN1411-3 Very Low On-Resistance Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Very Low Gate Threshold Voltage Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C Low Input Capacitance Te

0.11. dmp210dufb4.pdf Size:400K _diodes

DMP210DUFB4 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID P-Channel MOSFET V(BR)DSS RDS(ON) TA = +25C Low On-Resistance 5 @ VGS = -4.5V -200mA Very Low Gate Threshold Voltage VGS(TH) -170mA 7 @ VGS = -2.5V Low Input Capacitance -20V 10 @ VGS = -1.8V -140mA Fast Switching Speed -50mA 15 @ VGS = -1.5V

0.12. zvp2106g.pdf Size:77K _diodes

SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENT6G ZVP2106GMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 3 MARCH 96 T D V I VD D VGS=S-10V T I D T I V -9V T T V D-8V G-7VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.-6V T V IT-5V-4VD i V I VD V-3.5V i D i T ID -8 -10 I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated).

0.13. zvp2106b.pdf Size:15K _diodes

ZVP2106BMECHANICAL DATAP CHANNEL ENHANCEMENTDimensions in mm (inches)MODE DMOS FETBVDSS – 60V8.89 (0.35)9.40 (0.37)7.75 (0.305)ID(cont) 0.76A8.51 (0.335)RDS(on) 0.54.19 (0.165)4.95 (0.195)0.89max.(0.035)12.70(0.500)7.75 (0.305)min.8.51 (0.335)dia.FEATURES5.08 (0.200)typ. FAST SWITCHING SPEEDS2.542(0.100)1 3 NO SECONDARY

0.14. dmp2100ucb9.pdf Size:422K _diodes

DMP2100UCB9 DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary (Typ. @ VGS = -4.5V, TA = +25C) Features and Benefits LD-MOS Technology with the Lowest Figure of Merit: VDSS RDS(on) Qg Qgd ID RDS(on) = 80m to Minimize On-State Losses -20V 80m 3.3nC 0.6nC -4A Qg = 3.3nC for Ultra-Fast Switching Vgs(th) = -0.7V typ. for a Low Turn-On Potential CSP with Footpr

0.15. vp2106.pdf Size:626K _supertex

Supertex inc. VP2106P-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETsFeatures General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven, Low power drive requirementsilicon-gate manufacturing process. This combination Ease of parallelingproduces a device with the power

0.16. tp2104.pdf Size:721K _supertex

Supertex inc. TP2104P-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description High input impedance and high gain This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well- Low power drive requirementproven, silicon-gate manufacturing process. This combination Ease of parallelingproduces a dev

0.17. p210a p210sh.pdf Size:713K _russia

0.18. sp2107.pdf Size:111K _samhop

GreenProductSP2107aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () MaxRugged and reliable.0.8 @ VGS=10VSuface Mount Package.100V 1.2A0.93 @ VGS=4.5VESD Protected.5 4D2 G 26 3D2 S 2PIN1D1 7 2 G 18 1D1 S 1PDFN 5x6A

0.19. sp2103.pdf Size:111K _samhop

GreenProductSP2103aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.3Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.220 @ VGS=10VSuface Mount Package.100V 2.2A350 @ VGS=4.5VD1 D1 D2 D2PIN1PDFN 5x6S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C unless

0.20. sp2108.pdf Size:106K _samhop

GreenProductSP2108aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.811 @ VGS=10VSuface Mount Package.100V 1.2A932 @ VGS=4.5VESD Protected.5 4D2 G 26D2 3S 2PIN1D1 7 2 G 18 1D1 S 1PDFN 5×6

0.21. sp2106.pdf Size:110K _samhop

GreenProductSP2106aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () MaxRugged and reliable.2.0 @ VGS=10VSuface Mount Package.100V 1A2.4 @ VGS=4.5VESD Protected.5 4D2 G 26 3D2 S 2PIN1D1 7 2 G 18 1D1 S 1PDFN 5x6ABSO

0.22. sp2102.pdf Size:119K _samhop

GreenProductSP2102aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.100V 2.0A 216 @ VGS=10VSuface Mount Package.D1 D1 D2 D2DFN 3x3PIN1S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C unless otherwise noted)

0.23. p2103hvg.pdf Size:324K _unikc

P2103HVGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID30V 21m @VGS = 10V 8ASOP- 08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C8IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C6AIDM40Pulsed Drain Current1IA

0.24. p2103nvg.pdf Size:796K _unikc

P2103NVGN- & P- Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) IDN-21m @VGS = 10V30 8AChannelP-34m @VGS = 10V -6A-30ChannelSOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)N- P-PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL UNITSChannel ChanneVDSDrain-Source Voltage 30 -30 VVGSGate-Source Voltage 20 20 VTA = 25 C8 -6

Источник: http://alltransistors.com/ru/transistor.php?transistor=44660

Блок питания для гаража

     Схема блока питания со стабилизатором на транзисторе П210 изображена на рисунке 1. В свое время это очень популярная схема. Ее в разных модификациях можно было встретить, как в промышленной аппаратуре, так и в радиолюбительской.

     Вся схема собирается навесным способом прямо на радиаторе, используя опорные стойки и жесткие вывода транзисторов. Площадь радиатора при токе нагрузки шесть ампер должна быть порядка 500см². Так как коллектора транзисторов VT1 и VT2 соединены, то их корпуса изолировать друг от друга не надо, но сам радиатор от корпуса (если он металлический) лучше изолировать. Диоды D1 и D2 – любые на 10А. Площадь радиаторов под диоды ≈ 80см². Приблизительно рассчитать площадь теплоотвода для разных полупроводниковых приборов , так сказать прикинуть, можно по диаграмме, приведенной в статье «Расчет радиаторов». Я обычно применяю П-образные радиаторы, согнутые из полоски трехмиллиметрового алюминия (см. фото 1).
Размер полоски 120×35мм. Трансформатор Тр1 – перемотанный трансформатор от телевизора. Например, ТС-180 или ему подобный. Диаметр провода вторичной обмотки – 1,25 ÷ 1,5мм. Количество витков вторичной обмотки будет зависеть от примененного вами трансформатора. Как рассчитать трансформатор можно узнать в статье «Упрощенный расчет трансформатора», рубрика – «Самостоятельные расчеты». Каждая из обмоток III и IV должна быть рассчитана на напряжение 16В. Заменив подстроечный резистор R4 на переменный и дополнив схему амперметром, этим блоком питания можно будет заряжать автомобильные аккумуляторы.

Обсудить эту статью на – форуме “Радиоэлектроника, вопросы и ответы”.

Просмотров:63 005

Источник: http://kondratev-v.ru/stabilizatory/stabilizator-napryazheniya-na-p210.html

SemarglUA › Блог › Зарядное для акб — для себя — схемы (часть 2)

Решил выложить общие схемы которые мне понравились и по которым любой может изготовить простейшее зарядное с регулировкой тока из «савдеповских» или новых радиодеталей.

Начнем со схемы по которой в данный момент собрано моя зарядка, рисовал сам сори за корявость. Единственный минус что отсутствует схема регулировки, поэтому далее будут фото схемы где можно подобрать схему регулировки под мой аппарат, а так как я не определился с выбором, то каждый может дать совет какая лучше будет, как по простоте, так и по надежности.

Схема №1 проста но найти мощный резистор реостат чтоб выдержал АКБ сейчас проблематично, все советское становится дефицитом, а китай надежностью не блещет.

Схема №2 старая советская схема самая простая, изготавливали радиолюбители используя детали телевизоров и радиол

Схема №3 более сложная советская версия, так как сами транзисторы применяемые в ней не маленького размера, и приходится их монтировать с наружной стороны на отдельный радиатор.

Схема №4 неплохая схема но найти советский транзистор становится теперь проблемой, поэтому под неё нужны аналоги

Схема №5 такая интересная и более сложна, но нужно место на задней панели чтоб размести три транзистора не малого размера либо использовать их аналоги

Схема №6 похожа на схему №4 с деталями возможна та же проблема если нет на рынке искать аналоги

Схема №7 одна из распространенных на драйве, я взял фото по идее из первоисточника, изготовление платы под нее не является большой проблемой

На всех схемах я выделил регулировочную часть, которая возможно подойдет мне по параметрам.
Некоторые фотографии взяты из интернета на авторство не претендую.
Всем мира и добра, помогите с выбором и если есть какие советы или мысли по данной теме, пишите.

Источник

Источник: http://netigor.ru/zaryadnoe-ustroystvo-na-p210a-svoimi-rukami/

Транзистор П210.

Т ранзисторы П210 – германиевые, мощные низкочастотные, структуры – p-n-p.
Корпус металлостеклянный. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.
Масса – около 37 г. Маркировка буквенно – цифровая.

Источник: http://crast.ru/instrumenty/zarjadnoe-ustrojstvo-na-p210-shema

Технические характеристики

Предельно допустимые значения параметров считаются приоритетными.  Поэтому всего производители приводят их вначале технической документации. Максимальные параметры П210Б:

Ещё одной важной группой значений являются электрические параметры. В списке приведены все эти данные для рассматриваемого изделия, записанные в документации производителя:

  • крутизна характеристики >5 А/В;
  • тепловое сопротивление среда — кристалл 40 ОС/В;
  • начальный ток коллектора <8 мА;
  • тепловая постоянная кристалл — корпус 100 мкс.
  • обратный ток коллектора:
    • при tокт = +20 ОС — <15 мА;
    • при tокт = +60 ОС — <90 мА;
  • коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером – 10 … 100
  • напряжение (U) насыщения коллектор – эмиттер 0,6 … 2,5 В;
  • U отсечки переходной характеристики в схеме с ОЭ -0,3 В;
  • U лавинного пробоя при Iк = 2,5 А и tокр = -55 … +60ОС >40 В;
  • напряжение насыщения эмиттер — база 0,5 … 2 Ввходное сопротивление в схеме с общей базой 0,4 Ом;
  • максимальная частота к-та передачи тока >100 кГц;
  • тепловое сопротивление кристалл — корпус 1 ОС/В;

Источник: http://mirshem.ru/p210b/

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете опубликовать сообщение сейчас, а зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, войдите в него для написания от своего имени.
Примечание: вашему сообщению потребуется утверждение модератора, прежде чем оно станет доступным.

Источник: http://forum.cxem.net/index.php?/topic/55774-%D0%B0%D0%BD%D0%B0%D0%BB%D0%BE%D0%B3-%D0%BF210-%D0%BF4/

Аналоги

Перечислим зарубежные транзисторы, которые могут выступать в качестве аналогов для П210Б:

  • AD142;
  • 2N457;
  • 6NU74;
  • 7NU74;
  • 2N458;
  • AUY22;
  • AD325;
  • AD545;
  • AUY22A;
  • AUY21;
  • AUY21A.

Среди отечественных изделий выпускается ГТ701А, параметры которого так же схожи.

Перед тем как производить замену на тот или иной аналог, в обязательном порядке проверяйте и сравнивайте все технические данные по Datasheet.

Источник: http://mirshem.ru/p210b/

Производители

Изначально транзисторы модельного ряда П210 выпускали три компании: НИИ-35 (в настоящее время НПП «Пульсар»), Ереванский электротехнический завод, Ташкентский завод электронной техники (в то время был ещё Ташкентским государственным заводом п/я 125). Позднее эстафету передали предприятию «Гамма» в г. Запорожье. В 1990х годах производство перестало быть перспективным.

Источник: http://mirshem.ru/p210b/

Регулировка напряжения и тока

Универсального способа регулировать ток и напряжение не существует. Все зависит от конструкции и схемы регулируемого блока питания. В некоторых вариантах это происходит изменением параметров обратной связи, в других изменением опорного напряжения (для напряжения) или установкой опорного уровня компаратора (для тока). Но все оперативные регулировки производятся органами управления, вынесенными на переднюю панель БП – так удобнее.

Источник: http://Zapitka.ru/masterskaya/laboratornyy-bp-svoimi-rukami

Cоветские биполярные транзисторы — Онлайн справочник

Параметр Обозначение Еди-
ница
Тип транзистора
ГТ108А ГТ108Б ГТ108В ГТ108Г ГТ109А ГТ109Б ГТ109В
Обратный ток коллектора при UКБ, В*1 IКБО мкА 10/5 10/5 10/5 10/5 5/5 5/5 5/5
Обратный ток эмиттера при UЭБ, В*1 IЭБО мкА 15/5 15/5 15/5 15/5 5/5 5/5 5/5
Режим измерения h-параметров
напряжение коллектора
UК В 5 5 5 5 5 5 5
ток коллектора IК мА 1 1 1 1 1 1 1
Входное сопротивление
h11б Ом 15 15 15 15 27 27 27
Коэффициент передачи тока h21э 20…50 35…80 60…130 110…250 20…50 35…80 60…130
Коэффициент обратной связи h12б 0,5·10-3 0,5·10-3 0,5·10-3 0,5·10-3
Выходная полная проводимость h22б мкСм 3,3 3,3 3,3 3,3 3,3
Предельная частота коэффициента передачи fh21б МГц 1 1 1 1 1 1 1
Емкость коллекторного перехода Cк пФ 50 50 50 50 30 30 30
Постоянная времени цепи обратной связи
τк пс 5000 5000 5000 5000 5000 5000 5000
Коэффициент шума Kш дБ
Максимально допустимые параметры
постоянное напряжение коллектор-база
UКБ max В 10 10 10 10 10 10 10
постоянное напряжение коллектор-эмиттер IUKЭ max В 10 10 10 10 6 6 6
постоянный ток коллектора IК max мА 50 50 50 50 20 20 20
импульсный ток коллектора IK и max мА
рассеиваемая мощность без теплоотвода Pmax мВт 75 75 75 75 30 30 30
Максимальная температура окружающей среды Tmin °С +55 +55 +55 +55 +55 +55 +55
Минимальная температура окружающей среды Tmin °С -40 -40 -40 -40 -30 -30 -30
Общее тепловое сопротивление транзистора RТп.с °С/мВт 0,8 0,8 0,8 0,8
Тип перехода, материал
p-n-p германий
Конструкция, цоколевка (номер рисунка) Рис.1 б Рис.1 в
Основное назначение
Для усилителей и генераторов в малогабаритных радиовещательных приемниках Для усилителей радиовещательных приемников; ГТ109Е в медицинской аппаратуре;
ГТ109Ж для часовых механизмов

Цоколевка

Цоколевка отечественных полупроводников.

МП9А, МП10, МП10А, МП10Б – смотреть

МП11, МП11А – смотреть

МП13, МП13Б – смотреть

МП14, МП14А, МП14Б, МП14И – смотреть

МП15, МП15А, МП15И – смотреть

МП16, МП16А, МП16Б, МП16Я1, МП16Я11 – смотреть

МП20А, МП20Б – смотреть

МП21В, МП21Г, МП21Д, МП21Е – смотреть

МП25, МП25А, МП25Б – смотреть

МП26, МП26А, МП26Б – смотреть

П27, П27А – смотреть

П28 – смотреть

П29, П29А – смотреть

П30 – смотреть

МП35 – смотреть

МП36 – смотреть

МП37 – смотреть

МП38 – смотреть

МП39 – смотреть

МП40 – смотреть

МП41, МП41А – смотреть

МП42, МП42А, МП42Б – смотреть

ГТ108А, ГТ108Б, ГТ108В, ГТ108Г – смотреть

МГТ108А, МГТ108Б, МГТ108В, МГТ108Г, МГТ108Д – смотреть

ГТ109А, ГТ109Б, ГТ109В, ГТ109Г, ГТ109Д, ГТ109Е, ГТ109Ж, ГТ109И – смотреть

ГТ115А, ГТИ5Б, ГТ115В, ГТ115Г, ГТ115Д – смотреть

ГТ122А, ГТ122Б, ГТ122В, ГТ122Г – смотреть

ГТ124А, ГТ124Б, ГТ124В, ГТ124Г – смотреть

ГТ125А, ГТ125Б, ГТ125В, ГТ125Г, ГТ125Д, ГТ125Е, ГТ125Ж, ГТ125И, ГТ125К, ГТ125Л – смотреть

П201Э, П201АЭ – смотреть

П202Э, П203Э – смотреть

П207, П207А – смотреть

П208, П208А – смотреть

П209, П209А – смотреть

П210, П210А, П210Б, П210В, П210Ш – смотреть

П213, П213А, П213Б – смотреть

П214, П214А, П214Б, П214В, П214Г – смотреть

П215, П216, П216А, П216Б, П216В, П216Г, П216Д – смотреть

П217, П217А, П217Б, П217В, П217Г – смотреть

ГТ305А, ГТ305Б, ГТ305В – смотреть

ГТ308А, ГТ308Б, ГТ308В, ГТ308Г – смотреть

ГТ309А, ГТ309Б, ГТ309В, ГТ309Г, ГТЗО9Д, ГТ309Е – смотреть

ГТ310А, ГТ310Б, ГТ310В, ГТ310Г, ГТ310Д, ГТ310Е – смотреть

ГТ311А, ГТ311Б, ГТ311В, ГТЗ11Г, ГТ311Д, ГТ311Е, ГТ311Ж, ГТ311И – смотреть

ГТ313А, ГТ313Б, ГТ313В – смотреть

ГТ320А, ГТ320Б, ГТ320В – смотреть

ГТ321А, ГТ321Б, ГТ321В, ГТ321Г, ГТ321Д, ГТ321Е – смотреть

ГТ322А, ГТ322Б, ГТ322В, ГТ322Г, ГТ322Д, ГТ322Е – смотреть

ГТ323А, ГТ323Б, ГТ323В – смотреть

ГТ328А, ГТ328Б, ГТ328В – смотреть

ГТ329А, ГТ329Б, ГТ329В, ГТ329Г – смотреть

ГТЗЗОД, ГТЗЗОЖ, ГТЗЗОИ – смотреть

ГТ335А, ГТ335Б, ГТ335В, ГТ335Г, ГТ335Д – смотреть

ГТ338А, ГТ338Б, ГТ338В – смотреть

ГТ341А, ГТ341Б, ГТ341В – смотреть

ГТ346А, ГТ346Б, ГТ346В – смотреть

ГТ362А, ГТ362Б – смотреть

ГТ376А – смотреть

ГТ383А-2, ГТ383Б-2, ГТ383В-2 – смотреть

П401, П402 – смотреть

ГТ402А, ГТ402Б, ГТ402В, ГТ402Г, ГТ402Д, ГТ402Е, ГТ402Ж, ГТ402И – смотреть

П403, П403А – смотреть

ГТ403А, ГТ403Б, ГТ403В, ГТ403Г, ГТ403Д, ГТ403Е, ГТ403Ж, ГТ403И – смотреть

ГТ404А, ГТ404Б, ГТ404В, ГТ404Г, ГТ404Д, ГТ404Е, ГТ404Ж, ГТ404И – смотреть

ГТ405А, ГТ405Б, ГТ405В, ГТ405Г, ГТ406А – смотреть

П416, П416А, П416Б – смотреть

П417, П417А, П417Б – смотреть

П422, П423 – смотреть

П605, П605А – смотреть

П606, П606А – смотреть

П607, П607А – смотреть

П608, П608А – смотреть

П609, П609А – смотреть

ГТС609А, ГТС609Б, ГТС609В – смотреть

ГТ612А-4 – смотреть

ГТ701А – смотреть

ГТ703А, ГТ703Б, ГТ703В, ТТ703Г, ГТ70ЗД – смотреть

ГТ705А, ГТ705Б, ГТ705В, ГТ7О5Г, ГТ705Д – смотреть

ГТ804А, ГТ804Б, ГТ804В – смотреть

ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д – смотреть

ГТ810А, ГТ905А, ГТ905Б – смотреть

ГТ906А – смотреть

ГТ906АМ – смотреть

КТ104А, КТ104Б, КТ104В, КТ104Г – смотреть

КТ117А, КТ117Б, КТ117В, КТ117Г – смотреть

КТ118А, КТ118Б, КТ118В – смотреть

КТ119А, КТ119Б – смотреть

КТ120А, КТ120Б, КТ120В – смотреть

КТ120А-1, КТ120В-1 – смотреть

КТ120А-5, КТ120В-5 – смотреть

КТ127А-1, КТ127Б-1, КТ127В-1, КТ127Г-1 – смотреть

КТ132А, КТ132Б – смотреть

КТ133А, КТ133Б – смотреть

КТ201А, КТ201Б, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д – смотреть

КТ201АМ, КТ201БМ, КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ – смотреть

КТ202А-1, КТ202Б-1, КТ202В-1, КТ202Г-1, КТ202Д-1 – смотреть

КТ203А, КТ203Б, КТ203В – смотреть

КТ203АМ, КТ203БМ, КТ203ВМ – смотреть

КТ206А, КТ206Б – смотреть

КТ207А, КТ207Б, КТ207В – смотреть

КТ208А, КТ208Б, КТ208В, КТ208Г, КТ208Д, КТ208Е, КТ208Ж, КТ208И, КТ208К, КТ208Л, КТ208М – смотреть

КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209В2, КТ209Г, КТ209Д, КТ209Е, КТ209Ж

КТ209И, КТ209К, КТ209Л, КТ209М – смотреть

КТ210А, КТ210Б, КТ210В – смотреть

КТ2ПА-1, КТ2ПБ-1, KT2ПB-1 – смотреть

КТ214А-1, КТ214Б-1, КТ214В-1, КТ214Г-1, КТ214Д-1, КТ214Е-1 – смотреть

КТ215А-1, КТ215Б-1, КТ215В-1, КТ215Г-1, КТ215Д-1, КТ215Е-1 – смотреть

КТ216А, КТ216Б, КТ216В – смотреть

КТ218А-9, КТ218Б-9, КТ218В-9, КТ218Г-9, КТ218Д-9, КТ218Е-9 – смотреть

КТ301, КТ301А, КТ301Б, КТ301В, КТ301Г, КТ301Д, КТ301Е, КТ301Ж – смотреть

КТ302А, КТ302Б, КТ302В, КТ302Г – смотреть

КТ306А, КТ306Б, КТ306В, КТ306Г, КТ306Д – смотреть

КТ306АМ, КТ306БМ, КТ306ВМ, КТ306ГМ, КТ306ДМ – смотреть

П307, ПЗО7А, П307Б, П307В, П307Г – смотреть

КТ307А-1, КТ307Б-1, КТ307В-1, КТ307Г-1 – смотреть

П308, П309 – смотреть

КТ3101А-2 – смотреть

КТ3101АМ – смотреть

КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Г, КТ3102Д, КТ3102Е, КТ3102Ж, КТ3102И, КТ3102К – смотреть

КТ3102АМ, КТ3102БМ, КТ3102ВМ, КТ3102ГМ, КТЗШ2ДМ, КТ3102ЕМ, КТ3102ЖМ, КТ3102ИМ, КТ3102КМ – смотреть

КТ3104А, КТ3104Б, КТ3104В, КТ3104Г, КТ3104Д, КТ3104Е – смотреть

КТ3106А-2 – смотреть

КТ3106А-9 – смотреть

КТ3107А, КТ3107Б, КТ3107В, КТ3107Г, КТ3107Д, КТ3107Е, КТ3107Ж

КТ3107И, КТ31О7К, КТ3107Л – смотреть

КТ3108А, КТ3108Б, КТ3108В – смотреть

КТ3109А, КТ3109Б, КТ3109В – смотреть

КТ3114Б-6, КТ3114В-6 – смотреть

КТ3115А-2, КТ3115В-2, КТ3115Г-2, КТ3115Д-2 – смотреть

КТ3117А-1 – смотреть

КТЗП7А, КТ3117Б – смотреть

КТ312А, КТ312Б, КТ312В – смотреть

КТ3120АМ – смотреть

КТ3121А-6 – смотреть

КТ3122А, КТ3122Б – смотреть

КТ3123А-2, КТ3123Б-2, КТ3123В-2 – смотреть

КТ3123АМ, КТ3123БМ, КТ3123ВМ – смотреть

КТ3126А, КТ3126Б – смотреть

КТ3126А-9 – смотреть

КТ3127А – смотреть

КТ3128А – смотреть

КТ3128А-1, КТ3128Б-1 – смотреть

КТ3128А-9 – смотреть

КТ3129А-9, КТ3129Б-9, КТ3129В-9, КТ3129Г-9, КТ3129Д-9 – смотреть

КТ313А, КТ313Б – смотреть

КТ313А-1, КТ313Б-1, КТ313В-1, КТ313Г-1 – смотреть

КТ3130А-9, КТ3130Б-9, КТ3130В-9, КТ3130Г-9, КТ3130Д-9, КТ3130Е-9

КТ3130Ж-9 – смотреть

КТ3132А-2, КТ3132Б-2, КТ3132В-2, КТ3132Г-2, КТ3132Д-2, КТ3132Е-2 – смотреть

КТ3139А, КТ3139Б, КТ3139В, КТ3139Г – смотреть

КТ314А-2 – смотреть

КТ3140А, КТ3140Б, КТ3140В, КТ3140Г, КТ3140Д – смотреть

КТ3142А – смотреть

КТ3145А-9, КТ3145Б-9, КТ3145В-9, КТ3145Г-9, КТ3145Д-9 – смотреть

КТ3146А-9, КТ3146Б-9, КТ3146В-9, КТ3146Г-9, КТ3146Д-9 – смотреть

КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж, КТ315И,

КТ315Н – смотреть

КТ315А-1, КТ315Б-1, КТ315В-1, КТ315Г-1, КТ315Д-1, КТ315Е-1, КТ315Ж-1,

КТ315И-1, КТ315Н1, КТ315Р1 – смотреть

КТ3150Б-2 – смотреть

КТ3151А-9, КТ3151Б-9, КТ3151В-9, КТ3151Г-9, КТ3151Д-9, КТ3151Е-9 – смотреть

КТ3153А-9 – смотреть

КТ3153А-5 – смотреть

КТ3157А – смотреть

КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д – смотреть

КТ316АМ, КТ316БМ, КТ316ВМ, КТ316ГМ, КТ316ДМ – смотреть

КТ3165А – смотреть

KT3165A-9 – смотреть

КТ3166А – смотреть

КТ3168А-9 – смотреть

КТ3169А-9 – смотреть

 

 

 

Микроконтроллерный определитель цоколёвки биполярных транзисторов — Измерительная техника — Инструменты

Предлагаемое устройство определит цоколёвку и структуру биполярного транзистора. Информация об этом выводится на индикатор, собранный из восьми с вето диодов.

В журнале «Радио» № 8 за 2005 год на с. 30, 31 было опубликовано описание аналогичного устройства —»Микроконтроллерный определитель выводов транзисторов» (автор В. Краснов). Этому устройству присущи некоторые недостатки — относительная сложность схемы и неудобство пользования, поскольку для определения цоколёвки транзистора приходится пользоваться специальной таблицей, а не прямой индикацией. Поэтому было разработано устройство, свободное от указанных недостатков, схема которого показана на рис. 1. Оно гораздо проще и снабжено прямой индикацией выводов проверяемого транзистора и его структуры.

Основа устройства — микроконтроллер DD1, он сконфигурирован для работы с RC-генератором, частота которого задана цепью R1C2. В определённой последовательности, заданной программой, на линиях порта RB2, RB4, RB6 формируются импульсы с амплитудой, близкой к напряжению питания. Через интегрирующие цепи R2C5, R3C4 и R4C3 к этим линиям подключают проверяемый транзистор. Напряжения с конденсаторов СЗ, С4, С5 поступают на линии порта RB7, RB5, RB3, где осуществляется их измерение. Информация о цоколёвке и структуре транзистора выводится с линий порта RAO—RA3, RBO, RB1 с помощью светодиодов HL1— HL8,  которые  расположены  на
плате в соответствии с контактами гнезда XS1. Светодиоды HL2—HL4 (красного цвета свечения) указывают вывод базы, HL6—HL8 (синего цвета) — вывод эмиттера, а светодиоды HL1 и HL5 — структуру транзистора. Для управления светодиодами использован принцип динамической индикации.


Принцип работы устройства поясняет рис. 2, а осциллограммы напряжений показаны на рис. 3. Сначала проводится проверка в предположении, что вывод базы подключён ко входу (рис. 2). На базу транзистора поступает плавно нарастающее от нуля напряжение (иВых2) с интегрирующей цепи R2C1 (рис. 2). За счёт этого ток коллектора
появляется с задержкой и напряжение на нём (UBbixi) уменьшается также плавно.


Пороговое напряжение (рис. 3) низкого уровня (Unopor) будет достигнуто через временной интервал At, который измеряет микроконтроллер. Далее транзистор подвергается проверке в другой комбинации выводов, где предположительные эмиттер и коллектор меняются местами, а предыдущие процедуры повторяются. Микроконтроллер сравнивает измеренные интервалы времени At в первом и втором случаях. Поскольку транзистор в инверсном включении имеет меньший статический коэффициент передачи тока базы, скорость изменения напряжения на коллекторе будет меньше, a At больше, что и
используется для определения вывода коллектора. После успешного определения цоколёвки программа включает соответствующие светодиоды для индикации выводов и структуры транзистора, а затем переходит в начало и весь цикл повторяется. Продолжительность цикла проверки и индикации составляет несколько миллисекунд, поэтому кажется, что светодиоды горят постоянно.


Если в процессе измерения пороговое напряжение не будет достигнуто за некоторый заданный временной интервал — около 1 мс, можно сделать вывод, что положение базы транзистора в проверяемой конфигурации выводов неправильно и программа переходит к проверке другой конфигурации. Таких конфигураций существует по три для транзисторов разной структуры. После безуспешной проверки всех шести вариантов принимается решение о том, что транзистор неисправен или он не подключён к прибору. В этом случае устройство переходит к индикации включённого состояния, при этом мигает один из светодиодов (HL1) и весь цикл проверки транзистора повторяется.

Все элементы смонтированы на плате из фольгированного с одной стороны стеклотекстолита, чертёж которой показан на рис. 4. Применены резисторы МЛТ мощностью 0,125 или 0,25 Вт, конденсатор С2 — К10-17, остальные — для поверхностного монтажа типоразмера 1206. Микроконтроллер установлен в панель. Все светодиоды повышенной яркости свечения с диаметром корпуса 5 мм, HL1—HL4 — красного цвета, a HL5—HL8 — синего цвета Но следует учесть, что при напряжении питания 3,6 В яркость светодиодов синего цвета может быть недостаточной. 

В этом случае можно применить светодиоды зелёного цвета свечения или повысить напряжение. Выключатель SA1 —любой малогабаритный. Моделирование работы прибора проведено в программе Proteus Release 7.5 SP3.


Внешний вид смонтированной платы показан на рис. 5, а всего устройства — на рис. 6. Взамен проволочных перемычек между конденсаторами СЗ—С5 и выводами 9, 11 и 13 микроконтроллера установлены резисторы сопротивлением не более 10 Ом. Для повышения надёжности определения цоколёвки желательно увеличить тактовую частоту. Для этого конденсатор С2 можно исключить, генератор микроконтроллера будет работать на паразитной ёмкости микросхемы и монтажа, а его частота составит около 3 МГц. Испытания с тремя экземплярами микросхем показали надежную работу устройства в таком режиме.


Напряжение питания может быть в интервале 3,6…6 В, поэтому питать устройство можно от стабилизированного зарядного устройства (5 В), аккумулятора сотового телефона или батареи из трёх-четырёх гальванических элементов типоразмеров АА, AAA. В режиме ожидания потребляемый ток — около 2,5 мА, в режиме измерения и индикации выводов — 8 мА.

Для проверки прибора было проведено тестирование транзисторов различных серий: КТ801—КТ803, КТ805, КТ807—КТ809, КТ812—КТ819, КТ903, 1Т904, 1Т907, КТ908, КТ920, КТ972, КТ973, П401, П411, П416, П420, П601, П701, П702, МП101—МП106, МП9, МП 16, МП36—МП42. Во всех случаях цоколёвка исправных транзисторов определялась верно.


АРХИВ:Скачать

Источники; журнал «Радио» №11, 2011 год, стр. 25 — 26.

автор Б. СТАНАЙТИС, г. Каунас, Литва.

ZVEX — Fuzz Factory — CHAS-MUSIC

Гитарный эффект фузз на винтажных германиевых транзисторах:

Этот фузз по праву занял место одного из самых популярных в мире. Корни его растут от небезызвестной и так любимой Jimi Hendrix педали Dunlop Fuzz Face. Изобретатель педали Захарий Векс, по сути взял схему Fuzz Face, на вход ей добавил дополнительный каскад на кремниевом транзисторе, а некоторые резисторы схемы заменил на переменные, так и появился этот фузз с кучей настроек и звуков, благодаря большому количеству регулировок.

Теперь давайте по порядку разберем, за что же отвечает каждая из ручек:
Vol — тут все понятно, это уровень выходного сигнала.
Drive — тут тоже все понятно, это уровень перегруза.
Stab — волшебная ручка, снижающая напряжение схемы, имитация севшей батарейки, в результате чего начинают появляться различные писки и свисты.
Gate — некое подобие шумоподавления, на определенном пороге убирает шумы и свисты, как раз помогает справиться с модуляциями ручки Stab, чтобы шумов не было слышно в паузах.
Comp — своего рода компрессор, но кроме компрессирования сигнала меняет еще и его структуру, так же с определенного порога убирает шумы и модуляции в паузах.

Существует несколько версий оригинальной педали, отличающихся ценой внешней отделкой и «начинкой». Более дешевые версии имеют заводскую окраску и сборку, а так же построены на кремниевых транзисторах, дорогие версии собираются и раскрашиваются в ручную, а так же используют все те же германиевые транзисторы, которые сняты с производства уже лет эдак 50.

Теперь перейдем непосредственно к сборке педали, собирать будем ТРУ версию на германиевых транзисторах, найти таковые можно на Ebay.com, AC128 и аналогичные им, но тянуть из-за границы несколько транзисторов очень дорого, поэтому вполне можно обойтись отечественными аналогами, которые еще не так проблематично найти на радиорынках. На замену АС128 вполне подойдут МП42-Б или громоздкие ГТ402И, но у них отличается цоколевка, нужно быть внимательными. Для наиболее правильной работы схемы фуза транзисторы нужно ставить в схему по возрастанию коэффициента усиления HFE, опираться нужно на такие значения: у первого транзистора порядка 80, у второго порядка 120, можно брать пары с большим или меньшим значением, но что-бы разница между ними была в районе 40. Но и тут не все так просто, нельзя просто взять и померять тестером HFE транзисторов, дело в том, что у германиевых транзисторов очень большие токи утечки, и для замера правильных значений нужно учитывать и их. Что бы произвести замеры, придется собрать вот такой небольшой стендик и рассчитать HFE по приведенной на картинке формуле:

Итак, транзисторы подобраны или хотя бы мы смогли выяснить у какого из двух HFE больше, теперь можно приступать к сборке этого гитарного эффекта, вот схема по которой будем собирать

Хочу обратить внимание, что все переменные резисторы на схеме указаны с линейной характеристикой B, но по личному опыту могу сказать, что ручку Vol лучше поставить с логарифмической характеристикой А5К, а ручку Comp напротив с антилогарифмической C5K, так регулировки будут плавнее и будет легче произвести более точную настройку.

Вот Layout этой гитарной педали на макетной плате

А вот и печатная плата в Sprint Layout 5 и инструкция по сборке:

Fuzz Factory

 

Распиновка

Mp39. Транзисторы малой мощности

Низкочастотный усилитель мощности на германиевых транзисторах П213, принципиальная схема которого приведена на рис.1, может использоваться для воспроизведения грампластинки, как низкочастотная часть приемника (от гнезд GNZ, GN4), также для усиления сигналов от датчиков адаптированных музыкальных инструментов (от гнезд GN1, GN2).

  • Чувствительность усилителя от гнезд ГнІ, Гн2 — 20 мВ, от розеток Гн3, Гн4 — не хуже 250 мВ;
  • Выходная мощность при нагрузке 6.5 Ом -2 Вт;
  • коэффициент нелинейных искажений — 3%;
  • Диапазон частот 60-12 000 Гц;
  • В бесшумном режиме усилитель потребляет ток около 8 мА, а в режиме максимальной мощности — 210 мА.
  • Питание усилителя возможно как от батарей, так и от сети переменного тока напряжением 127 или 220 В.

Принципиальная схема

Как видно из принципиальной схемы, первый каскад усиления собран на малошумящем транзисторе MP39B (T1) по схеме с общим эмиттером.Усиленный сигнал поступает на потенциометр R1, с двигателя которого через резистор R2 и разделительный конденсатор С1 низкочастотный сигнал попадает на базу транзистора. Нагрузкой первого каскада усилителя является резистор R5.

Делитель напряжения R3, R4 и резистор R6 являются элементами температурной стабилизации. Наличие делителя R3, R4 делает напряжение на базе транзистора T1 мало зависимым от температуры. Резистор R6 в цепи эмиттера создает отрицательную обратную связь по постоянному току.

С повышением температуры ток в цепи эмиттера увеличивается, а падение напряжения на резисторе R6 увеличивается. В результате этого напряжение между базой и эмиттером становится менее отрицательным, что предотвращает дальнейшее увеличение тока эмиттера. Второй каскад усиления также собран по схеме с общим эмиттером на транзисторе MP39B (T2).

Для уменьшения температурной зависимости параметров этого каскада используется комбинированная отрицательная обратная связь, определяемая резисторами R8, R9 и R10.Напряжение, усиленное первым каскадом, поступает на вход второго каскада через разделительный конденсатор С2. Нагрузкой транзистора Т2 является резистор R7.

Третий каскад усиления собран на транзисторе Т3. Нагрузка каскада — резистор RI8. Связь между второй и третьей каскадами осуществляется с помощью конденсатора С3.

Выходной каскад усилителя работает в режиме класса B последовательно-параллельно. Главное преимущество усилителей этого класса перед усилителями класса А — высокий КПД.

При разработке обычных усилителей низкой частоты радиолюбители сталкиваются с задачей изготовления переходных и выходных трансформаторов. Малогабаритные трансформаторы с сердечником из пермаллоя изготовить довольно сложно. Кроме того, трансформаторы снижают общий КПД и во многих случаях являются источником нелинейных искажений.

Недавно были разработаны выходные каскады без трансформаторов — с квазикомплементарной симметрией, то есть с использованием транзисторов, имеющих разные типы переходов и дополняющих друг друга, для возбуждения двухтактного усилителя.

Бестрансформаторный каскад собран на двух мощных транзисторах Т6, Т7 с возбуждением от пары комплементарных симметричных транзисторов Т4 и Т5, работающих в предварительном каскаде усиления. В зависимости от полярности сигнала, поступающего с коллектора транзистора T3, разблокируется один (T4) или другой (T5) транзистор. При этом связанные с ними транзисторы Т6, Т7 открываются. Если усиленный сигнал имеет отрицательную полярность на коллекторе транзистора Т3, транзисторы Т4, Т6 открываются, если сигнал имеет положительную полярность, транзисторы Т5 и Т7 открываются.

Постоянная составляющая коллекторного тока, проходящая через термостабилизирующий диод D1 и резистор R19, создает смещение на базах транзисторов Т4, Т5, выполняющих функции фазоинверторов. Это смещение устраняет характерные искажения, вызванные нелинейностью входных характеристик при низких базовых токах.

Резисторы R22, R23 уменьшают влияние разброса параметров транзисторов Т4, Т3 на режим работы выходного каскада.Конденсатор С9 Изоляция.

Для уменьшения нелинейных искажений каскады усиления на транзисторах Т3 — Т7 покрываются отрицательной обратной связью по переменному току, напряжение которой снимается с выхода оконечного усилителя и подается по цепочке R17, C8, R16, R15. , C6, R14 на базу транзистора T3. В этом случае переменный резистор R17 обеспечивает регулировку тембра в области низких частот, а потенциометр R15 — в области высоких частот.

Если регулировка тона не требуется, детали с R14 по R17.C6, C8 исключены из схемы. Цепь обратной связи в этом случае образована резистором R0 (на рис. 1 эта цепь показана пунктирной линией).

Для нормальной работы выходного каскада напряжение в точке «а» (напряжение покоя) должно быть равно половине напряжения источника питания. Это достигается соответствующим подбором сопротивления резистора RI8. Стабилизация напряжения покоя обеспечивается цепью отрицательной обратной связи постоянного тока.

Как видно из схемы, точка «а» на выходе усилителя подключена к цепи базы транзистора ТК с помощью резистора R12.Наличие этого соединения автоматически поддерживает напряжение в точке «а», равное половине напряжения источника питания (в данном случае равному ba).

Для нормальной работы усилителя также необходимо, чтобы транзисторы Т4, Т5 и Т6, Т7 имели минимально возможный обратный ток. Коэффициент усиления (5 транзисторов Т4-Т7 должен быть в диапазоне 40-60; при этом транзисторы могут иметь разные коэффициенты усиления h. Необходимо только, чтобы выполнялось равенство h5 * hb = h5 * h7.

Детали и установка

Усилитель монтируется на гетинакс-панели толщиной 1-1,5 мм. Размеры платы во многом зависят от области применения усилителя. Для обеспечения хорошего теплоотвода транзисторы P213B комплектуются радиаторами с общей охлаждающей поверхностью не менее 100 см2.

Усилитель может питаться от 12-вольтовой батареи, собранной из ячеек Сатурна или от батареек для фонарика. Питание усилителя от сети переменного тока осуществляется выпрямителем, собранным по мостовой схеме на четырех диодах D1-D4 с емкостным фильтром через регулятор напряжения (рис.2).

Как уже было сказано выше, во время работы усилителя потребляемый им ток изменяется в довольно широком диапазоне. Внезапные колебания тока неизбежно вызовут изменение величины напряжения питания, что может привести к нежелательным соединениям в усилителе и искажению сигнала. Для предотвращения подобных явлений предусмотрена стабилизация выпрямленного напряжения.

В состав стабилизатора входят транзисторы Т7, Т2 и стабилитрон D5. При стабилизации тока нагрузки от 5 до 400 мА этот стабилизатор обеспечивает стабильное напряжение 12 В, а амплитуда пульсаций не превышает 5 мВ.Стабилизация питающего напряжения происходит за счет падения напряжения на транзисторе Т2.

Эта разница зависит от смещения на базе транзистора T2, которое, в свою очередь, зависит от величины опорного напряжения на резисторе R2 и напряжения на нагрузке (Rnag).

Транзистор Т2 установлен на радиаторе. Выпрямитель помещен в ящик размером 60X90X130 мм, который изготовлен из листовой стали толщиной 1 мм.

Силовой трансформатор выполнен на сердечнике Ш12, толщина комплекта 25 мм.Обмотка I (на 127 В) содержит 2650 витков провода ПЭЛ 0,15, обмотка II (на 220 В) — 2190 витков ПЭЛ 0,12, обмотка III — 420 витков ПЭЛ 0,55.

Регулировка

Усилитель, собранный из проверенных деталей и транзисторов, обычно сразу начинает работать. Подключив блок питания (12 В), резисторы R3, R8, R12, R18 устанавливают рекомендуемый режим. Затем через разделительный конденсатор С3, предварительно отключенный от коллектора транзистора Т2, напряжение с генератора звука (0.2 В, частота 1000 Гц) подается на вход усилителя.

Цепь обратной связи в точке «b» должна быть разорвана. Контроль формы выходного напряжения наблюдается с помощью осциллографа, подключенного параллельно громкоговорителю. Если на переходах полуволн наблюдаются большие «ступеньки», необходимо уточнить номинал резистора R19.

Подбирается по минимальным искажениям, которые при включении цепи обратной связи практически полностью исчезают.Создание других каскадов ничем не отличается. В тех случаях, когда от усилителя требуется чувствительность порядка 250 мВ, первые два каскада на транзисторах Т1, Т2 могут быть исключены из схемы.

В журналах UT № 9 и № 10 за 1970 год мы говорили о простых приемных детекторах. Такие приемники позволяют слышать в наушниках сигналы мощных и близко расположенных радиостанций.

Сегодня вы познакомитесь с простейшим усилителем на транзисторе, а также узнаете, что нужно сделать, чтобы ресивер стал еще лучше и как «научить» его принимать больше программ с увеличенной громкостью.

Итак, УРОК 3.

ЧТО ТАКОЕ ТРАНЗИСТОР

Прежде всего нам понадобится транзистор. Это небольшое электронное устройство размером чуть больше горошины выполняет ту же роль, что и усилительная лампа. «Сердце» транзистора — миниатюрная полупроводниковая пластина (германий или кремний) с двумя вделанными в нее электродами. Один из электродов называется эмиттером, другой — коллектором, а пластина — базой (рис. 1).

Если на базу транзистора подать слабый электрический сигнал, то в цепи коллектора появится мощная «копия».Получается, что полупроводниковый триод работает как усилитель. Отношение, которое показывает, во сколько раз изменение тока коллектора превышает изменение тока в цепи базы, называется коэффициентом усиления транзистора по току и обозначается буквой P (бета). Вы уже догадались, что чем больше коэффициент | 3, тем больше коэффициент усиления триода.

e Для усилителя низкой частоты подходят маломощные транзисторы типа MP39-MP42 или аналогичные триоды P13-P16 с любым буквенным индексом.Важно, чтобы их коэффициент

текущий прирост был не менее 30–40.

В схему усилителя (рис. 2), помимо транзистора Т, входят резистор R, конденсатор С и электромагнитный телефон Тлф.

Резистор R подключен между базой транзистора и минусом батареи. Он подает напряжение на базу и создает необходимый режим работы триода. Его сопротивление составляет 200-300 кОм и зависит от параметров транзистора.

Конденсатор C называется изоляционным. Он передает звуковые сигналы, но блокирует путь постоянного тока между базой и положительной клеммой аккумулятора.

Постоянный резистор R может быть любого типа. Однако лучше включать в схемы транзисторов малогабаритные устройства типа УЛМ или МЛТ 0,125. Конденсатор емкостью 0,047 мкФ типа К Ю-7 или МБМ и электромагнитный телефонный (наушник) типа ТЛ-ТОН-1 или ТОН-2 с высокоомной звуковой катушкой.

Соберите схему усилителя на плате из картона или фанеры размером 50Х30 мм (рис. 3).

Транзисторы очень чувствительны к высоким темам

пература. Паять нужно быстро и уверенно, чтобы не перегреть триод. Клеммы устройства не должны изгибаться ближе 10 мм от корпуса, а их длина должна быть не менее 15 мм.

Настройка усилителя сводится к проверке режима работы транзистора.Подбирая величину сопротивления резистора R, устанавливаем ток коллектора Ti равным 0,8 — 1 мА. Измеритель должен быть включен между гнездом для наушников и минусом батареи. Если у вас нет миллиамперметра или тестера, то вы можете выставить нужный триодный режим на максимальную громкость и хорошее качество звука в телефоне.

Итак, вы собрали транзисторный усилитель низкой частоты. Подключите микрофон к его входным разъемам

.

Транзисторы МП39, МП40, МП41, МП42.

Транзисторы МП39, МП40, МП41, МП42 — германиевые, усиливающие маломощные низкочастотные p-n-p структуры.
Стекло-металлический корпус с гибкими выводами. Вес — около 2 г. Маркировка буквенно-цифровая, сбоку на корпусе.

Существуют следующие зарубежные аналоги:
MP39 -2N1413
MP40 — 2N104
MP41 возможный аналог — 2N44A
MP42 возможный аналог — 2SB288

Важнейшие параметры.

Коэффициент передачи тока транзисторов MP39 редко превышает 12 MP39B диапазоны от 20 перед 60 .
Для транзисторов МП40, МП40А — из 20 перед 40 .
Транзисторы МП41 — из 30 перед 60 , МП41А — из 50 перед 100 .
для транзисторов МП42 — из 20 перед 35 , МП42А — из 30 перед 50 , МП42Б — из 45 перед 100 .

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер. Транзисторы МП39, МП40 — 15 дюйм.
Транзисторы МП40А — 30 дюйм.
Транзистор МП41, МП41А, МП42, МП42А, МП42Б — 15 дюйм

Предел частоты передачи тока Транзистор (fh31e) для схем с общим эмиттером:
До 0,5 МГц для транзисторов МП39, МП39А.
Перед 1 МГц для транзисторов МП40, МП40А, МП41, МП42Б.
Перед 1,5 МГц для транзисторов МП42А.
Перед 2 МГц для транзисторов МП42.

Максимальный ток коллектора. 20 мА постоянная 150 мА пульсирует.

Коллектор обратного тока при напряжении коллектор-база 5В и температуре окружающей среды от -60 до +25 Цельсия, не более 15 мкА.

Обратный ток эмиттера при напряжении эмиттер-база 5В и температуре окружающей среды до +25 Цельсия, не более — 30 мкА.

Емкость коллектора при напряжении коллектор-база 5В на частоте 1 МГц — не более 60 пФ.

Коэффициент минимального шума — для MP39B с напряжением коллектор-база 1,5 В и током эмиттера 0,5 мА на частоте 1 кГц — не более 12 дБ

Рассеиваемая мощность коллектора. У МП39, МП40, МП41 — 150 мВт
U MP42 — 200 мВт

Когда-то транзисторами этой серии комплектовались широко распространенные наборы радиоконструкций для начинающих. Идеально для этого подошел MP39-MP42 с его довольно большими габаритами, длинными гибкими выводами и простой распиновкой (распиновкой).К тому же довольно большой обратный ток позволял им работать по схеме с общим эмиттером, без дополнительного смещения. Те. — действительно собирался самый простой усилитель на одном транзисторе без резисторов. Это позволило существенно упростить схему на начальных этапах проектирования.

Распиновка транзистора

MP41

Обозначение транзистора МП41 на схемах

На принципиальных схемах транзистор обозначен как буквенным кодом, так и условным графическим обозначением.Буквенный код состоит из латинских букв VT и числа (порядковый номер на схеме). Условное графическое обозначение транзистора MP41 обычно помещается в кружок, символизирующий его корпус. Короткая линия с линией от середины символизирует основание, две наклонные линии, проведенные к его краям под углом 60 ° — эмиттер и коллектор. На эмиттере есть стрелка, указывающая в сторону базы.

Характеристики транзистора MP41

  • Конструкция п-н-п
  • 15 * (10к) В
  • 20 (150 *) мА
  • 0.15 Вт
  • 30 … 60 (5 В; 1 мА)
  • Коллектор обратного тока
  • > 1 * МГц
  • Строение п-н-п
  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 15 * (ZK) В
  • Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора 150 * мА
  • Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без радиатора (с радиатором) 0,2 Вт
  • Коэффициент передачи статического тока биполярного транзистора в цепи с общим эмиттером 20… 35 * (1 В; 10 мА)
  • Коллектор обратного тока — мкА
  • Частота отсечки коэффициента передачи тока в цепи общего эмиттера > 2 * МГц

Распиновка транзистора MP42

Обозначение транзистора МП42 на схемах

На принципиальных схемах транзистор обозначен как буквенным кодом, так и условным графическим обозначением. Буквенный код состоит из латинских букв VT и числа (порядковый номер на схеме).Условное графическое обозначение транзистора MP42 обычно помещается в кружок, символизирующий его корпус. Короткая линия с линией от середины символизирует основание, две наклонные линии, проведенные к его краям под углом 60 ° — эмиттер и коллектор. На эмиттере есть стрелка, указывающая в сторону базы.

Характеристики транзистора МП42

    • Конструкция п-н-п
    • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 15 * (ZK) В
    • Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора 150 * мА
    • Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без радиатора (с радиатором) 0.2 Вт
    • Коэффициент передачи статического тока биполярного транзистора в цепи с общим эмиттером 20 … 35 * (1 В; 10 мА)
    • Коллектор обратного тока — мкА
    • Частота отсечки коэффициента передачи тока в цепи общего эмиттера > 2 * МГц

Низкая частота. Транзисторы из сплава германия — n — r MP39B, MP40A, MP41A используются для работы в схемах усиления низких частот и выпускаются в металлическом корпусе (рис.56, а — в) со стеклянными изоляторами и гибкими выводами массой 2,5 г, с диапазоном рабочих температур от -60 до +70 ° С. Электрические параметры приведены в таблице. 109.

Кремниевые транзисторы RNP MP 114, MP 115, MP116 выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (рис. 57), массой 1,7 г, с диапазоном рабочих температур от -55 до + 100 ° С. Электрические параметры приведены в таблице. 110.

Рис. 56. Распиновка и габаритные размеры транзисторов МП39В, МП40А, МП41А (а) и их входные (6) и выходные (в) характеристики в схеме с общей базой

Фиг.57. Распиновка и габаритные размеры транзисторов МП114 — МП116

.

Стол 109

Обратный ток коллектора, мкА, при U К б = — 5 В и температуре, ° С:

20 …………… 15

70 …………… 300

Обратный ток эмиттера, мкА, при U Эб = — 5 В 30

Наибольший постоянный ток коллектора, мА 20

Емкость коллектора, пФ, при У К6 = 5 В и

f = 500 кГц………….. 60

Самый большой коллектор импульсного тока,

мА, при I ESD

Выходная проводимость, мкСм, при I э = 1 мА,

U „b = 5 В и f = 1 кГц ………. 3,3

Сопротивление базы, Ом, при I э = 1 мА,

U кб = 5 В и f = 500 кГц ……… 220

Мощность, рассеиваемая коллектором, мВт, при температуре, ° С:

55 …………… 150

70 ……………. 75

Отрицательное напряжение U э в, В…. 5

Стол 110

Обратный ток коллектора, мА, при U к = — 30 В и температуре 20 и 100 ° С соответственно … 10 и 400

Обратный ток эмиттера, мкА, при U эб = — 10 В и температуре 20 и 100 ° С соответственно. . . — 10 и 200

Входное сопротивление, Ом, в цепи с ОВ при LU = — 50 В, I э = 1 мА, f = 1 кГц ……. 300

Мощность, рассеиваемая коллектором, мВт, при 70 ° С…………….. 150

Среднечастотный. Транзисторы РНП КТ203 (A, B, C) предназначены для усиления и генерации колебаний в диапазоне до 5 МГц, для работы в схемах переключения и стабилизации, выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (рис. 58). , массой 0,5 г, с рабочим диапазоном температур от — 60 до + 125 ° С. Электрические параметры транзисторов приведены в таблице. 111.

Рис. 58. Распиновка и габаритные размеры транзисторов КТ203А — Б

.

Стол 111

Обратный ток коллектора, мкА, при максимальном обратном напряжении и температуре 25 и 125 ° С соответственно…………… 1 и 15

Ток возврата эмиттера, мкА, при U э 6 = — 30 В. 10

Емкость коллекторного перехода, пФ, при U K b = 5 В и f = 10 МГц …………. 10

Ток коллектора, мА: постоянный ………….. 10

импульс ………….. пятьдесят.

Среднее значение тока эмиттера в импульсном режиме, мА …………….. 10

Мощность, рассеиваемая коллектором, МВт, при температуре до 70 ° С ……… В.. 150

* Для транзисторов КТ203А — К.Т203В напряжение u k q соответственно 50, 30 при 15 В,

Высокая частота . Преобразователи pnp GT321

(А — Е) выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (рис. 59, а), массой 2 г, с диапазоном рабочих температур от — 55 до +60 ° С. Электрические параметры транзисторов приведены в таблице. 112.

Транзисторы МП39, МП40, МП41, МП42 — германиевые, усиливающие маломощные низкочастотные p-n-p структуры.
Стекло-металлический корпус с гибкими выводами. Вес — около 2 г. Маркировка буквенно-цифровая, сбоку на корпусе.

Существуют следующие зарубежные аналоги:
MP39 -2N1413
MP40 — 2N104
MP41 возможный аналог — 2N44A
MP42 возможный аналог — 2SB288

Важнейшие параметры.

Коэффициент передачи тока транзисторов MP39 редко превышает 12 MP39B диапазоны от 20 перед 60 .
Для транзисторов МП40, МП40А — из 20 перед 40 .
Транзисторы МП41 — из 30 перед 60 , МП41А — из 50 перед 100 .
для транзисторов МП42 — из 20 перед 35 , МП42А — из 30 перед 50 , МП42Б — из 45 перед 100 .

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер. Транзисторы МП39, МП40 — 15 дюйм.
Транзисторы МП40А — 30 дюйм.
Транзистор МП41, МП41А, МП42, МП42А, МП42Б — 15 дюйм

Предел частоты передачи тока Транзистор (fh31e) для схем с общим эмиттером:
До 0,5 МГц для транзисторов МП39, МП39А.
Перед 1 МГц для транзисторов МП40, МП40А, МП41, МП42Б.
Перед 1,5 МГц для транзисторов МП42А.
Перед 2 МГц для транзисторов МП42.

Максимальный ток коллектора. 20 мА постоянная 150 мА пульсирует.

Коллектор обратного тока при напряжении коллектор-база 5В и температуре окружающей среды от -60 до +25 Цельсия, не более 15 мкА.

Обратный ток эмиттера при напряжении эмиттер-база 5В и температуре окружающей среды до +25 Цельсия, не более — 30 мкА.

Емкость коллектора при напряжении коллектор-база 5В на частоте 1 МГц — не более 60 пФ.

Коэффициент минимального шума — для MP39B с напряжением коллектор-база 1,5 В и током эмиттера 0,5 мА на частоте 1 кГц — не более 12 дБ

Рассеиваемая мощность коллектора. У МП39, МП40, МП41 — 150 мВт
U MP42 — 200 мВт

Когда-то транзисторами этой серии комплектовались широко распространенные наборы радиоконструкций для начинающих. Идеально для этого подошел MP39-MP42 с его довольно большими габаритами, длинными гибкими выводами и простой распиновкой (распиновкой).К тому же довольно большой обратный ток позволял им работать по схеме с общим эмиттером, без дополнительного смещения. Те. — действительно собирался самый простой усилитель на одном транзисторе без резисторов. Это позволило существенно упростить схему на начальных этапах проектирования.

Распиновка транзистора

MP41

Обозначение транзистора МП41 на схемах

На принципиальных схемах транзистор обозначен как буквенным кодом, так и условным графическим обозначением.Буквенный код состоит из латинских букв VT и числа (порядковый номер на схеме). Условное графическое обозначение транзистора MP41 обычно помещается в кружок, символизирующий его корпус. Короткая линия с линией от середины символизирует основание, две наклонные линии, проведенные к его краям под углом 60 ° — эмиттер и коллектор. На эмиттере есть стрелка, указывающая в сторону базы.

Характеристики транзистора MP41

  • Конструкция п-н-п
  • 15 * (10к) В
  • 20 (150 *) мА
  • 0.15 Вт
  • 30 … 60 (5 В; 1 мА)
  • Коллектор обратного тока
  • > 1 * МГц
  • Строение п-н-п
  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 15 * (ZK) В
  • Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора 150 * мА
  • Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без радиатора (с радиатором) 0,2 Вт
  • Коэффициент передачи статического тока биполярного транзистора в цепи с общим эмиттером 20… 35 * (1 В; 10 мА)
  • Коллектор обратного тока — мкА
  • Частота отсечки коэффициента передачи тока в цепи общего эмиттера > 2 * МГц

Распиновка транзистора MP42

Обозначение транзистора МП42 на схемах

На принципиальных схемах транзистор обозначен как буквенным кодом, так и условным графическим обозначением. Буквенный код состоит из латинских букв VT и числа (порядковый номер на схеме).Условное графическое обозначение транзистора MP42 обычно помещается в кружок, символизирующий его корпус. Короткая линия с линией от середины символизирует основание, две наклонные линии, проведенные к его краям под углом 60 ° — эмиттер и коллектор. На эмиттере есть стрелка, указывающая в сторону базы.

Характеристики транзистора МП42

    • Конструкция п-н-п
    • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 15 * (ZK) В
    • Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора 150 * мА
    • Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без радиатора (с радиатором) 0.2 Вт
    • Коэффициент передачи статического тока биполярного транзистора в цепи с общим эмиттером 20 … 35 * (1 В; 10 мА)
    • Коллектор обратного тока — мкА
    • Частота отсечки коэффициента передачи тока в цепи общего эмиттера > 2 * МГц

DYNAMIXEL PRO

ToC ▲
TOP