Транзистор МП42 — DataSheet
Цоколевка транзисторов МП41, МП42
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | МП42 | ASY70 | |||
| МП42А | ASY26 | ||||
| Структура | — | — | p-n-p | мВт | |
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P* | МП42 | — | 200 | |
| МП42А | — | 200 | |||
| МП42Б | 200 | ||||
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h31б, f**h31э, f***max | МП42 | — | ≥2* | МГц |
| МП42А | — | ≥1.5* | |||
| МП42Б | ≥1* | ||||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | МП42 | 3к | 15* | В |
| МП42А | 3к | 15* | |||
| МП42Б | 3к | 15* | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | МП42 | — | — | В |
| МП42А | — | — | |||
| МП42Б | — | — | |||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | МП42 | — | 150* | мА |
| МП42А | — | 150* | |||
| МП42Б | — | 150* | |||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I | МП42 | — | — | мкА |
| МП42А | — | — | |||
| МП42Б | — | — | |||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | МП42 | 1 В; 10 мА | 20…35* | |
| МП42А | 1 В; 10 мА | 30…50* | |||
| МП42Б | 1 В; 10 мА | 58…100* | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | МП42 | — | — | пФ |
| МП42А | — | — | |||
| МП42Б | — | — | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас | МП42 | — | ≤20 | Ом |
| МП42А | — | ≤20 | |||
| МП42Б | ≤20 | ||||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, Pвых | МП42 | — | — | Дб, Ом, Вт |
| МП42А | — | — | |||
| МП42Б | — | — | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | МП42 | — | ≤2000*** | пс |
| МП42А | — | ≤1500*** | |||
| МП42Б | ≤1000*** |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
Транзисторы П210,МП39,МП40.
Транзисторы МП39, МП40, МП41, МП42.
Транзисторы МП39, МП40, МП41, МП42 — германиевые, усилительные маломощные
низкочастотные, структуры p-n-p.
Корпус металлостеклянный с гибкими выводами.
Масса — около 2 г.
Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса.
Существуют следующие зарубежные аналоги:
МП39 — 2N1413
МП40 — 2N104
МП41 возможный аналог — 2N44A
МП42 возможный аналог — 2SB288
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока у транзисторов МП39 редко превышает 12, у МП39Б находится
в пределах от 20 до 60.
У транзисторов МП40, МП40А — от 20 до 40.
У транзисторов МП41 — от 30 до 60, МП41А — от 50 до 100.
у транзисторов МП42 — от
Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. У транзисторов МП39, МП40 — 15в.
У транзисторов МП40А — 30в.
У транзистора МП41, МП41А, МП42, МП42А, МП42Б — 15в.
Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh31э )транзистора для схем с общим эмиттером:
До 0,5 МГц у транзисторов МП39, МП39А.
До 1 МГц у транзисторов МП40, МП40А, МП41, МП42Б.
До
До 2 МГц у транзисторов МП42.
Максимальный ток коллектора. — 20мА постоянный, 150мА — пульсирующий.
Обратный ток коллектора при напряжении коллектор-база 5в и температуре окружающей среды от -60 до +25 по Цельсию не более — 15 мкА.
Обратный ток эмиттера при напряжении эмиттер-база 5в и температуре окружающей среды до +25 по Цельсию не более — 30 мкА.
Емкость коллекторого перехода при напряжении колектор-база 5в на частоте 1МГц —
не более
Коэффициент собственного шума — у МП39Б при напряжении коллектор-база 1,5в и эмиттерном токе 0,5мА на частоте 1КГц — не более 12дб.
Рассеиваемая мощность коллектора. У МП39, МП40, МП41 — 150мВт.
У МП42 — 200мВт.
Когда-то, транзисторами этой серии комплектовали широко распространенные наборы радиоконструктора для
начинающих. МП39-МП42 при своих, довольно крупных габаритах,
длинных гибких выводах и простой распиновкe(цоколевке) идеально подходили для этого.
Кроме того, довольно большой обратный ток, позволял им работать в схеме с общим эмиттером,
без дополнительного смещения. Т.е. — простейший усилитель собирался действительно,
Транзисторы — купить… или найти бесплатно.
Где сейчас можно найти советские транзисторы?
В основном здесь два варианта — либо
купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.
Во время промышленного коллапса начала 90-х, образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки — можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».
Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из нее.
Транзисторы МП39, МП40,МП41,МП42 можно найти в приемниках «Альпинист 405», «Вэф 12″,»Вэф — транзистор 17», «Геолог»,»Гиала»,»Кварц-401″,»Мрия 301″,»Россия 301″,»Сокол 4″, «Спорт 301», «Юпитет 601», «Юпитер М»,
в магнитофонах — «Весна 3», «Романтик 3».
П210Б можно добыть из радиотрансляционных усилителей ВТУ -100. П210А и П210Ш — из списанных блоков
питания военной радиостанции. Кроме того, иногда П210 можно встретить в промышленных лабораторных
стабилизаторах напряжения.
На главную страницу
Параметры транзисторов МП26 — МП42
Добавил: Chip,Дата: 02 Сен 2013Параметры транзисторов МП26, МП35
| Тип прибора | Структура | Pк max [ мВт ] | fгр, f*h316 [ МГц ] | Uкбо max [ В ] | Uэбо max [ В ] |
| МП26 МП26А МП26Б | p-n-p p-n-p p-n-p | 200 200 200 | ≥0.2* ≥0.2* ≥0.5* | 70 70 70 | 70 70 70 |
| МП35 | n-p-n | 150 | ≥0.5* | 15 | — |
продолжение таблицы
| Тип прибора | IK max I*K и max [мА ] | Iкбо [мкА ] | h31э | Cк [ пФ ] |
| МП26 МП26А МП26Б | 300* 300* 400* | ≤75 (70В) ≤75 (70В) ≤75 (70В) | 13…25 (35В;1.5мА) 20…50 (35В;1.5мА) 30…80 (35В;1.5мА) | ≤15 (35В) ≤15 (35В) ≤15 (35В) |
| МП35 | 20 (150*) | 30 (5В) | 13…125 (5В;1мА) | — |
продолжение таблицы
| Тип прибора | rКЭнас [ Ом ] | Kш [ дБ ] r*6 [ Ом ] | τк [ пс ] t*pac [ нс ] t**выкл [ нс ] | примечание |
| МП26 МП26А МП26Б | ≤2.2 ≤2.2 ≤1.8 | — — — | ≤1500*** ≤1500*** ≤1500*** | |
| МП35 | — | ≤220* | — |
Параметры транзисторов МП36, МП37
Тип прибора | Структура | Pк max [ мВт ] | fгр, f*h316 [ МГц ] | Uкбо max [ В ] | Uэбо max [ В ] |
| МП36А | n-p-n | 150 | ≥1* | 15 | — |
| МП37А МП37Б | n-p-n n-p-n | 150 150 | ≥1* ≥1* | 30 30 | — — |
продолжение таблицы
Тип прибора | IK max I*K и max [мА ] | Iкбо [мкА ] | h31э | Cк C*12э [ пФ ] |
| МП36А | 20 (150*) | ≤30 (5В) | 13…45 (5В;1мА) | — |
| МП37А МП37Б | 20 (150*) 20 (150*) | ≤30 (5В) ≤30 (5В) | 15…30 (5В;1мА) 25…50 (5В;1мА) | — — |
продолжение таблицы
Тип прибора | rКЭнас[ Ом ] r*БЭ нас [ Ом ] K**у. р. [ дБ ] | Kш [ дБ ] r*6 [ Ом ] | τк [ пс ] | примечание |
| МП36А | — | ≤10 (1кГц) | — | |
| МП37А МП37Б | — — | ≤220* ≤220* | — — |
Параметры транзисторов
МП38, МП39, МП40
Тип прибора | Структура | Pк maх [ мВт ] | fгр, f*h316 [ МГц ] | Uкбо max U*КЭR max [ В ] | Uэбо max [ В ] |
| МП38 МП38А | n-p-n n-p-n | 150 150 | ≥2* ≥2* | 15 15 | — — |
| МП39 МП39Б | p-n-p p-n-p | 150 150 | ≥0.5* ≥0.5* | 15* (10к) 15* (10к) | 5 5 |
| МП40 МП40А | p-n-p p-n-p | 150 150 | ≥1* ≥1* | 15* (10к) 30* (10к) | 5 5 |
продолжение таблицы
Тип прибора | IK max I*K и max [мА ] | Iкбо [мкА ] | h31э | Cк [ пФ ] |
| МП38 МП38А | 20 (150*) 20 (150*) | ≤30 (5В) ≤30 (5В) | 25…55 (5В;1мА) 45…100 (5В;1мА) | — — |
| МП39 МП39Б | 20 (150*) 20 (150*) | ≤15 (5В) ≤15 (5В) | ≥12 (5В;1мА) 20…60 (5В;1мА) | ≤50 (5В) ≤50 (5В) |
| МП40 МП40А | 20 (150*) 20 (150*) | ≤15 (5В) ≤15 (5В) | 20…40 (5В;1мА) 20…40 (5В;1мА) | ≤50 (5В) ≤50 (5В) |
продолжение таблицы
Тип прибора | rКЭнас[ Ом ] | Kш [ дБ ] r*6 [ Ом ] | τк [ пс ] | примечание |
| МП38 МП38А | — | ≤220* ≤220* | — | |
| МП39 МП39Б | — | -≤12 (1кГц) | — | |
| МП40 МП40А | — | — | — |
Параметры транзисторов МП41,МП42
| Тип прибора | Структура | Pк max [ мВт ] | fгр, f*h316 [ МГц ] | Uкбо max U*КЭR max [ В ] | Uэбо max [ В ] |
| МП41 МП41А | p-n-p p-n-p | 150 150 | ≥1* ≥1* | 15* (10к) 15* (10к) | 5 5 |
| МП42 МП42А МП42Б | p-n-p p-n-p p-n-p | 200 200 200 | ≥2* ≥1.5* ≥1* | 15* (3к) 15* (3к) 15* (3к) | — — — |
продолжение таблицы
| Тип прибора | IK max I*K и max [мА ] | Iкбо [мкА ] | h31э, h*21э | Cк C*12э [ пФ ] |
| МП41 МП41А | 20 (150*) 20 (150*) | ≤15 (5В) ≤15 (5В) | 30…60 (5В;1мА) 50…100 (5В;1мА) | ≤50 (5В) ≤50 (5В) |
| МП42 МП42А МП42Б | 150* 150* 150* | — — — | 20…35* (1В;10мА) 30…50* (1В;10мА) 458…100* (1В;10мА) | — — — |
продолжение таблицы
| Тип прибора | rКЭнас[ Ом ] | Kш [ дБ ] | τк [ пс ] t*pac [ нс ] t**выкл [ нс ] | примечание |
| МП41 МП41А | — — | — — | — — | |
| МП42 МП42А МП42Б | ≤20 ≤20 ≤20 | — — — | ≤2000*** ≤1500*** ≤1000*** |
Цоколёвка и размеры транзисторов
МП26 — МП42
ПОДЕЛИТЕСЬ С ДРУЗЬЯМИ
П О П У Л Я Р Н О Е:
Популярность: 16 440 просм.
Транзистор МП42-МП42Б | | Радиодетали в приборах
Транзистор МП42-МП42Б
Справочник содержания драгоценных металлов в радиодеталях основанный на справочных данных различных организаций занимающихся переработкой лома радиодеталей, паспортах устройств, формулярах и других открытых источников. Стоит отметить, что реальное содержание может отличатся на 20-30% в меньшую сторону.
Радиодетали могут содержать золото, серебро, платину и МПГ (Металлы платиновой группы, Платиновая группа, Платиновые металлы, Платиноиды, ЭПГ)
Содержание драгоценных металлов в транзисторе: МП42-МП42Б
Золото: 0
Серебро: 0
Платина: 0
МПГ: 0.0017
По данным: Справочник по драгоценным металлам ПРИКАЗ №70
Транзистор, полупроводниковый триод — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.
Типы транзисторов
Существует два основных типа транзисторов: биполярные и полевые.
1. Биполярные транзисторы. Они являются, вероятно, более распространенным типом (именно о них, например, шла речь в предыдущих разделах этой главы). В базу такого транзистора подается небольшой ток, а он, в свою очередь, управляет количеством тока, протекающего между коллектором и эмиттером.
2. Полевые транзисторы. Имеют три вывода, но они называются затвор (вместо базы у биполярного), сток (вместо коллектора) и исток (вместо эмиттера). Аналогично воздействие на затвор транзистора (но на этот раз не тока, а напряжения) управляет током между стоком и истоком. Полевые транзисторы также имеют разную полярность: они бывают N-канальные (аналог NPN-биполярного транзистора) и Р-канальные (аналог PNP).
Маркировка транзисторов СССР
Обозначение транзисторов до 1964 года
Первый элемент обозначения – буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно, транзистором. Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами – МП, буква М означала модернизацию. Второй элемент обозначения – одно, двух или трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной(или предельной) частоты.
От 1 до 99 – германиевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 101 до 199 – кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 201 до 299 – германиевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 301 до 399 – кремниевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 401 до 499 – германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 501 до 599 – кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 601 до 699 – германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
От 701 до 799 – кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
Обозначение транзисторов после 1964 года
Первый символ необходим для обозначения типа используемого материала
Буква Г или цифра 1 – германий.
Буква К или цифра 2 – кремний.
Буква А или цифра 3 – арсенид галлия.
Второй символ обозначает тип транзистора
П – полевой транзистор
Т – биполярный транзистор
Третий символ необходим для обозначения мощности и граничной частоты
1 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц).
2 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц).
3 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные.
4 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
5 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц).
6 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные и СВЧ.
7 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
8 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц).
9 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.
Четвертый и пятый элементы обозначения – определяют порядковый номер разработки.
Изменения в маркировке вступившие в силу в 1978 году. Изменения коснулись обозначения функциональных возможностей – третьего элемента.
Для биполярных транзисторов:
1 – транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
2 – транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
4 – транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой более 300 МГц.
7 – транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
8 – транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
9 – транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой свыше 300 МГц.
Поделиться ссылкой:
Похожее
Фототранзистор своими руками из МП 42
Нашел схему простого фотореле, что бы сделать настенные часики с подсветкой, ночь наступает в часах светодиод загорается,но не нашел фототранзистор, бывает так, что хочется, а нет….
Решил изготовить самостоятельно из советского транзистора МП42.
Изучаем материальную базу.
Фототранзистор — это полупроводниковый прибор преобразующий оптическое излучение в электрический сигнал и одновременно усиливает его. Коллекторный ток у транзистора зависит от интенсивности излучения. Коллекторный ток тем больше, чем интенсивнее свет попадает на базовую зону фототранзистора.
Два режима работы фототранзистора:
Режим с плавающей базой. Работает только вывод эмиттера и вывод коллектора.
Режим транзисторный с источником смещения базовой цепи. Работают все три вывода плюс резистор на базовом выводе.
Ошибки при изготовлении фототранзистора из мп42.
Ни в коем случае не спиливать крышку сверху! Это приведёт к неминуемому сдвигу кристаллодержателя и порче кристалла или обрыву подводящих проводников. Приведет к 100% облому в изготовлении фототранзистора. Даже если спилите удачно свет не будет попадать на базовую зону кристалла!
Не отрезайте базовый вывод фототранзистора, так как есть схемы которые используют именно этот вывод.
Ни чем не заполняйте окно фототранзистора. Произойдет термическая порча кристалла.
Приступим к производству фототранзистора. Как и все транзисторы МП 42 имеет три вывода: База-Коллектор-Эмиттер.
Если транзистор перевернуть верх ногами и базой поставить к себе, то налево Эмиттер, на право Коллектор.
Зажимаем в тисочки
Берем напильничек
Спиливаем на выводе эмиттера
Появилось отверстие аккуратно иголочкой убираем фольгу
Фототранзистор готов, пользуемся!
Доставка новых самоделок на почтуПолучайте на почту подборку новых самоделок. Никакого спама, только полезные идеи!
*Заполняя форму вы соглашаетесь на обработку персональных данных
Транзисторы МП25, МП26, МП35, МП36, МП37, МП38. Маркировка, цоколевка, параметры.
Транзистор МП25, МП26.
Транзисторы МП25, МП26 — германиевые, маломощные
низкочастотные,универсальные, структуры — p-n-p.
Корпус металлостеклянный, с гибкими выводами.
Предназначены для применения в переключающих устройствах и
для усиления низкой частоты .
Масса — около 2 г.
Маркировка буквенно — цифровая.
Наиболее важные параметры.
Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max )коллектора — 200 мВт .
Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh31э ):
У транзисторов МП25, МП26, МП25А, МП26А — не менее 250 КГц;
У транзисторов МП25Б, МП26Б — не менее 500 КГц;
Максимальное напряжение коллектор — эмиттер
У транзисторов МП25, МП25А, МП25Б — 40 В
У транзисторов МП26, МП26А, МП26Б — 60 В
Максимально допустимый средний ток эмиттера — 80 мА.
Максимальный импульсный ток коллектора — 400мА;
Коэффициент передачи тока:
У МП25, МП26 — от 10 до 25.
У МП25А, МП26А — от 20 до 50.
У МП25Б, МП26Б — от 30 до 80.
Обратный ток колектора. При напряжении коллектор-база 40 в у транзисторов МП25, МП25А — 75 мкА, при температуре окружающей
среды + 20 по Цельсию.
При напряжении коллектор-база 70 в у транзисторов МП26, МП26А — 75 мкА, при температуре окружающей
среды + 20 по Цельсию.
При напряжении коллектор-база 40 в у транзисторов МП25, МП25А — 600 мкА, при температуре окружающей
среды + 70 по Цельсию.
При напряжении коллектор-база 70 в у транзисторов МП26, МП26А — 600 мкА, при температуре окружающей
среды + 70 по Цельсию.
Обратный ток эмиттера. При напряжении эмиттер-база 40 в у транзисторов МП25, МП25А, МП25Б — 75 мкА, при температуре окружающей
среды + 70 по Цельсию.
При напряжении эмиттер-база 70 в у транзисторов МП26, МП26А, МП26Б — 75 мкА, при температуре окружающей
среды + 70 по Цельсию.
Сопротивление базы. При напряжении эмиттер-база 20 в, токе коллектора 2,5 мА, на частоте 500 кГц
У транзисторов МП25, МП25А, МП25Б — не более 150 Ом.
При напряжении эмиттер-база 35 в, токе коллектора 1,5 мА, на частоте 500 кГц
У транзисторов МП26, МП26А, МП26Б — не более 150 Ом.
Емкость коллекторного перехода при частоте 465 кГц:
При напряжении коллектор-база 20 в у транзисторов МП25, МП25А, МП25Б — 70 пФ.
При напряжении коллектор-база 35 в у транзисторов МП26, МП26А, МП26Б — 50 пФ.
Существуют следующие зарубежные аналоги:
МП25А — 2SB136
МП25Б — 2SB176
МП26Б — ASY24
Транзисторы МП35, МП36, МП37, МП38.
Транзисторы МП35, МП36, МП37, МП38 — германиевые, усилительные маломощные
низкочастотные, структуры n-p-n.
Корпус металлостекляный с гибкими выводами.
Масса — около 2 г.
Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса.
Коэффициент передачи тока:
У транзисторов МП35 от 13 до 125.
У МП36А находится в пределах от 15 до 45.
У транзисторов МП37, МП37А — от 15 до 30.
У транзисторов МП37Б — от 25 до 50, МП38 — от 25 до 55.
у транзисторов МП38А — от 45 до 100.
Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. У транзисторов МП37А, МП37Б — 30в.
У транзисторов МП35, МП36А, МП37, МП38, МП38А — 15в.
Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh31э )транзистора для схем с общим эмиттером:
До 0,5 МГц у транзисторов МП35 .
До 1 МГц у транзисторов МП36А, МП37, МП37А, МП37Б.
До 2 МГц у транзисторов МП38, МП38А.
Максимальный ток коллектора. — 20мА в режиме усиления, 150мА — в ключевом режиме.
Рассеиваемая мощность коллектора — 150мВт.
Обратный ток колектора. При напряжении коллектор-база 5 в — 30 мкА, при температуре окружающей среды + 20 по Цельсию.
Обратный ток эмиттера. При напряжении эмиттер-база 5 в — 15 мкА, при температуре окружающей среды + 20 по Цельсию.
Сопротивление базы. При напряжении эмиттер-база 5 в, токе коллектора 1 мА, на частоте 500 кГц — не более 220 Ом.
Емкость коллекторного перехода:
При напряжении коллектор-база 5 в — 60 пФ.
Существуют следующие зарубежные аналоги:
МП35А — GC525
МП36А — 153NU70
МП37 — 2N445A, 103NU70
МП37А — 106NU70
МП37Б — T322N
МП38А — 107NU70
МП35 — 101NU70
На главную страницу
Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».
Транзисторы германиевые плоскостные: МП42, МП42А, МП42Б
Соответствуют ГОСТ 5.343-70Чертёж транзистора МП42, МП42А, МП42Б
Масса не более 2,5 гр.
Характеристика транзистора МП42. Тип p-n-p.
Электрические параметры МП42 при tamb=+20+-5 градусов.
Электрические параметры МП42
Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации.
Отрицательное напряжение коллектор-эмиттер, коллектор-база *, в ___________ не более 15
Ток коллектора в режиме переключения или в импульсном режиме **, ма ________не более 150
Среднее значение тока эмиттера за 1 сек, ма ________________________________не более 30
Мощность, рассеиваемая транзистором, мвт _________________________________не более
при температуре окружающей среды +45 градусов по Цельсию 200
при температуре окружающей среды +70 градусов по Цельсию 75
При повышении температуры от +45 до +70 градусов допустимая мощность снижается по линейному закону.
Диапазон температур окружающей среды от -60 до +70 градусов.
* При отсутствии запирающего смещения сопротивление в цепи база-эмиттер не должно превышать 3 кОм.
** Значение коэффициента передачи тока не нормируется.
Условия хранения приборов.
1.Складские условия:
— температура окружающего воздуха от +5 до +35 градусов
— относительная влажность до 85%
— отсутствие в воздухе кислотных и других агрессивных примесей.
2. Полевые условия:
— температура окружающего воздуха может меняться в пределах от -40 до +40 градусов по Цельсию
— относительная влажность до 98% при температуре +30 градусов.
Гарантии.
Предприятие-изготовитель гарантирует срок службы транзисторов 12 000 часов.
Срок хранения 6 лет.
Гарантийный срок исчисления с момента отгрузки приборов.
Указания и рекомендации по эксплуатации.
1.Рекомендуется эксплуатировать транзисторы в диапазоне температур от -30 до +40 градусов при мощности рассеивания не более 0,7 Pmax.
При отрицательном напряжении коллектор-эмиттер не более 0,7 Uc max.
При токе коллектора не более 0,9 Ic max, где Pmax Uc max, Ic max – максимально допустимые значения мощности, напряжения и тока для данной температуры.
2.Разрешается производить пайку выводов транзисторов на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора с применением флюса следующего состава: канифоль – 40%, этиловый спирт – 60%. Пайку следует производить паяльником мощностью не более 30 вт, в течение 5 сек (не более). Пайку погружением следует производить, в течение 5 сек (не более) путем окунания в расплавленный припой с температурой не выше +285+-10 градусов.
При пайке паяльником должен быть обеспечен надежный теплоотвод между местом пайки и корпусом транзистора.
3.При монтаже транзисторы должны быть жестко закреплены за корпус. Выводы рекомендуется закреплять на расстоянии не более 15 мм от корпуса. Минимальное расстояние от места изгиба выводов до корпуса при монтаже -3 мм.
4.При включении транзистора в электрическую цепь, находящуюся под напряжением, базовый вывод необходимо присоединять в схему первым и отключать последним. Работа транзистора в режиме «оборванной базы» (то есть при отсутствии в цепи база-эмиттер) категорически запрещается.
5.Не допускается использование транзисторов при совмещении двух или более предельно допустимых режимов.
6.При заливке транзисторов МП42 компаундами, пенопластами, пенорезиной и т.д. температура окружающей среды не должна превышать +70 градусов.
При полимеризации не допускается механические нагрузки на выводы.
