Site Loader
Posted on 25.05.1982

Содержание

MOSFET — это… Что такое MOSFET?

  • MOSFET —  MOSFET  (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)  МОП транзистор (MOSFET)   Полевой транзистор со структурой металл оксид полупроводник. Современная цифровая техника построена, в основном, на полевых МОП транзисторах (МОПТ) как более… …   Толковый англо-русский словарь по нанотехнологии. — М.

  • MOSFET — son las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. Se trata de un dispositivo electrónico de control con aplicaciones en amplificadores de audio (etapa de potencia) aparecidos en la década de 1980. Como cualquier amplificador su …   Enciclopedia Universal

  • MOSFET — der; s, s Kurzw. aus engl. metal oxide semiconductor field effect transistor> unipolarer Feldeffekttransistor in der Halbleitertechnik …   Das große Fremdwörterbuch

  • MOSFET — (metal oxide semiconductor field effect transistor) field effect transistor in which the gate is separated from the conducting channel by an insulation (Electronics) …   English contemporary dictionary

  • MOSFET — Two power MOSFETs in the surface mount package D2PAK. Operating as switches, each of these components can sustain a blocking voltage of 120 volts in the OFF state, and can conduct a continuous current of 30 amperes in the ON state, dissipating up …   Wikipedia

  • MOSFET — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… …   Deutsch Wikipedia

  • MOSFET — Transistor à effet de champ à grille métal oxyde Un transistor à effet de champ (à grille) métal oxyde est un type de transistor à effet de champ ; on utilise souvent le terme MOSFET, acronyme anglais de metal oxide semiconductor field… …   Wikipédia en Français

  • MOSFET — Este artículo o sección necesita referencias que aparezcan en una publicación acreditada, como revistas especializadas, monografías, prensa diaria o páginas de Internet fidedignas. Puedes añadirlas así o avisar …   Wikipedia Español

  • Mosfet — Die Abkürzung MOSFET steht für metal oxide semiconductor field effect transistor (englisch), dt. Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor Der Begriff Mosfet steht für: Mosfet (Band), eine oberösterreichische Metal Band …   Deutsch Wikipedia

  • MOSFET — I MOSFET   [Abk. für Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, Metalloxidhalbleiterfeldeffekttransistor] der, Feldeffekttransistor (FET) in der …   Universal-Lexikon

  • MOSFET — /ˈmɒsfɛt/ (say mosfet) noun Electronics a field effect transistor etched or formed on a metal oxide layer. {from m(etal) o(xide) s(ilicon) f(ield) e(ffect) t(ransistor)} …   Australian-English dictionary

    • Основы MOSFET | Принцип работы и 4 важных эффекта канала

    Тема обсуждения: основы MOSFET
    • Что такое MOSFET?
    • Основы MOSFET
    • Типы MOSFET
    • Принцип работы MOSFET
    • Применение MOSFET
    • Различные эффекты канала в основах MOSFET

    Что такое MOSFET?

    Определение MOSFET:

    Освободи Себя Металл-оксид-полупроводник полевой эффект-трансистор (МОП-транзистор), представляет собой разновидность полевого транзистора с изолированным затвором, который состоит из управляемые полупроводники на основе оксидированного кремния ».

    Различные типы MOS:
    • · МОП-транзистор с каналом P
    • · N-канальный полевой МОП-транзистор

    Различные типы устройств MOSFET:
    • · Режим улучшения MOSFET
    • · MOSFET в режиме истощения

    Символ MOSFETОсновы MOSFET: символ MOSFET

    Принцип работы MOSFET:

    Основы MOSFET

    Полевой транзистор работает как проводящий полупроводниковый канал с двумя контактами — «ИСТОЧНИК» и «СЛИВ». Перемычка GATE может быть понята как двухконтактная схема, как МОП-структура, работающая в режиме выпрямительного обратного смещения. Обычно импеданс GATE выше в классических рабочих ситуациях.

    Полевые транзисторы в соответствии с этими стандартами обычно представляют собой полевые транзисторы MOSFET, JFET, полевые транзисторы типа металл-полупроводник (MESFET) и полевые транзисторы с гетероструктурой. Из этих полевых транзисторов MOSFET является одним из важных и обычно используется для различных приложений.

    В кремниевом МОП-транзисторе вывод GATE обычно изолирован специальным слоем SiO2. Носители заряда проводящего канала развивают противоположный заряд, в этом случае подложка p-типа для n-канала и «дырки» для подложки n-типа для p-канала. Это будет индуцироваться в полупроводнике на границе кремний-изолятор приложенным напряжением на клемме GATE. Электронный транзистор входит и выходит из канала на n + контактах истока и стока для n-канального полевого транзистора металл-оксид-полупроводник. Это будут p + контакты в полевом транзисторе металл-оксид-полупроводник p-типа.

    Слой MOSFET

    Реализация MOSFET:

    Полевые транзисторы металл-оксид-полупроводник работают как дискретная схема, а также как активный элемент. В настоящее время масштабы этих схем уменьшены до субмикрометрового диапазона. В настоящее время для технологии СБИС используется стандартный технологический узел CMOS с размером 0.13 мкм, а в будущем будет применяться технология 0.1 мкм с некоторым увеличением скорости и диапазона интеграции.

    КМОП-технология сочетается с n-канальным и p-канальным полевым транзистором металл-оксид-полупроводник, чтобы потреблять очень мало энергии без ограничения производительности. Новая технология SOI обеспечивает трехмерную интеграцию с несколькими уровнями, что значительно увеличивает глупость интеграции. Новые и усовершенствованные структуры и сочетание технологии Bi-CMOS, возможно, приведут к дальнейшим улучшениям. Одна из новых областей CMOS — это разнообразие приложений от аудиоустройства с диапазоном кГц до современных беспроводных приложений, работающих в диапазоне ГГц.

    Эффект короткого канала в MOSFET:

    Обычно размеры полевого транзистора оцениваются по соотношению сторон устройства. Это отношение длины затвора к активному вертикальному измерению полевого транзистора. Перпендикулярный размер для ширины оксида измеряется как параметр diглубина перехода истока и стока рассматривается как параметр rj. Глубина истощения переходов истока и стока определяется параметром Ws и Wd соответственно. Низкое соотношение сторон соответствует характеристикам короткого канала.

                     L <Lмин(µм) = 0.4 [гj(µм) гi(Å) (Втd + Ws)2(µm2)]1/3

    Когда L меньше чем Lмин,.

    Пороговое напряжение полевого транзистора металл-оксид-полупроводник определяется как VT . Это напряжение будет затронуто разными способами в результате управления затвором. Как правило, истощающие заряды у истока и стока находятся под общим контролем. Заряд будет развивать умеренно большую часть носителя заряда GATE. Истощающий заряд возле стока раздувается с увеличением напряжения смещения сток-исток, вызывая дополнительный VDS-зависимый сдвиг порогового напряжения .

    VT представляет собой своего рода барьер в сочетании с носителем, вводимым от источника к направлению канала. Этот барьер значительно регулируется с помощью напряжения смещения стока. В n-канальных полевых транзисторах на стоке падает пороговое напряжение и одновременно увеличивается пороговый ток с ростом VDS.

    Эффект сильного поля MOSFET:

    В случае смещения сток-исток полевого транзистора возрастают до напряжения насыщения стока, которое обозначается как ‘VСб‘везде, где рядом со стоком создается более высокое электрическое поле. Скорость e- в этой области будет насыщаться. В области насыщения длина, рассматриваемая как ∆L сильного поля, увеличивается по мере роста источника с ростом VDS, и действует так, как если бы длина действующего канала была уменьшена на параметр ∆L. Это явление называется модуляцией длины канала или просто CLM в основах MOSFET. Последующие упрощенные звенья проявления VDSк длине насыщенной области:

                                                 VDS V =P + Vα [exp (Δл / л) -1]]

    где бы Vp, Vαи l — параметры, связанные со скоростью электронного насыщения. Вот, Vp — потенциал в точке насыщения в канале, который обычно оценивается параметром VСб. Такое согласие получено среди потенциальной сводки, полученной из имитационной модели 2D N-канального MOSFET.

    Эффекты горячего носителя:

    Эффект горячей несущей является одной из наиболее важных проблем при уменьшении размера полевого транзистора до субмикронного размера. Он уменьшает длину канала при сохранении высокого уровня мощности. Они увеличиваются до напряженности электрического поля и причин ускорения и нагрева носителей заряда. Комплексную модель тока подложки очень сложно моделировать на уровне схемы.

    Температурная зависимость и самонагрев:

    Базовая схема MOSFET работает в разных средах, в том числе в разных диапазонах температур. Тепло, создаваемое в результате рассеивания мощности в схеме, также является значительным, и при проектировании схемы также необходимо учитывать повышение температуры. Конструкция становится все более сложной, поскольку размер устройства становится очень маленьким, а рассеиваемая мощность увеличивается в зависимости от режима работы. Тепловые характеристики тщательно изучаются на различных моделях.

    Для получения дополнительной информации об основах MOSFET и других статей, связанных с электроникой  нажмите сюда

    О Сумали Бхаттачарье

    В настоящее время я инвестирую в сферу электроники и связи.
    Мои статьи сосредоточены на основных областях базовой электроники с использованием очень простого, но информативного подхода.
    Я хорошо учусь и стараюсь быть в курсе всех последних технологий в области электроники.

    Подключимся через LinkedIn —
    https://www.linkedin.com/in/soumali-bhattacharya-34833a18b/

    Что такое MOSFET транзисторы?

    MOSFET расшифровывается, как Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor. Русский эквивалент термина — МОП-транзистор или полевой транзистор с изолированным затвором. Принцип действия данного прибора основан на влиянии внешнего поля на зонную структуру полупроводника. Внешнее поле создается электродом (затвором, по-английски Gate), изолированным от полупроводника очень тонкой прослойкой диэлектрика, в качестве которого обычно используется оксид кремния (отсюда и название структуры — металл-оксид-полупроводник). Поле, воздействуя на полупроводник, либо увеличивает концентрацию носителей (режим обогащения), либо при противоположной полярности напротив, уменьшает ее вплоть до близкой к нулю (режим обеднения), а при подаче большего потенциала происходит смена знака носителей заряда — полупроводник из p-типа переходит в n-тип или наоборот. Таким образом, прикладывая напряжение к затвору, можно управлять током, протекающим через лежащий под ним канал — тонкий слой полупроводника, соединяющий области истока и стока (соединенные с соответствующими выводами), состоящие из полупроводника того же типа проводимости, что и канал.

    Канал может быть встроенным — когда он изначально создан в структуре полевого транзистора. В таком случае при нулевом напряжении на затворе через транзистор протекает некоторый ток, который возрастает при подаче открывающего напряжения на затвор и снижается вплоть до нуля (вернее, до некоторого тока утечки) при подаче запирающего напряжения. Так что характеристика такого транзистора очень похожа на характеристику лампового триода, только без сеточного тока (затвор изолирован от кристалла полупроводника). Существует также другой вариант МОП-транзистора, наиболее распространенный в настоящее время — это МОП-транзистор с индуцированным каналом. В структуре этого транзистора имеются области истока и стока, окруженные полупроводником противоположного типа и, соответственно, отделенные от основной массы полупроводника p-n переходами. Затвор (с подзатворным диэлектриком) перекрывает зазор между этими областями и при подаче на него напряжения соответствующей полярности при достижении определенного значения вызывает инверсию типа проводимости в тонком слое прилегающего к подзатворному диэлектрику полупроводника. Если раньше ток через два встречно включенных p-n перехода не шел (вернее, шел обратный ток одного из этих p-n переходов, который очень мал), теперь ток идет через этот слой — индуцированный канал. У МОП-транзистора с индуцированным каналом характеристика «правая» — при нулевом напряжении на затворе он заперт, подача напряжения в отпирающей полярности (с каналом n-типа — положительной) приводит к его открыванию.

    Управление МОП-транзистором возможно и по затвору, и по подложке. В этом случае работает паразитный полевой транзистор с p-n переходом в случае встроенного канала или паразитный биполярный транзистор в случае индуцированного. В большинстве случаев подложка соединяется с истоком (чаще всего — внутри корпуса, не имея дополнительного вывода), оставление ее неподключенной ведет к непредсказуемому поведению.

    В отличие от биполярного транзистора МОП-транзистор не требует энергии для управления в статике. В динамике энергия расходуется на перезарядку емкости затвора.

    Современные мощные ключевые МОП-транзисторы представляют собой множество соединенных параллельно транзисторов на одном кристалле и имеют сопротивление в открытом состоянии, измеряющееся от единиц ом (для высоковольтных приборов) до миллиом (для низковольтных) и могут работать на частотах в десятки, а то и сотни мегагерц. На МОП-транзисторах основана КМОП-технология, на которой строится практически вся современная вычислительная техника. Идея ее состоит в том, что два МОП-транзистора с индуцированным каналом разных структур (комплементарные), включенные последовательно, могут управляться одним напряжением, подаваемым на оба затвора, которое либо откроет верхний и закроет нижний транзистор (при этом на выходе будет напряжение питания — логическая единица), либо наоборот, закроет верхний и откроет нижний (на выходе будет близкое к нулевому напряжение — логический ноль). При этом ток через оба транзистора протекать не будет, таким образом в статике данный логический элемент не потребляет тока. Ток потребляется коротким импульсом только при переходе из одного состояния в другое, причем этот сквозной ток тоже может быть сведен к нулю (ценой быстродействия) и остается только потребление энергии на управление самими транзисторами. Поэтому самое впечатляющее свойство КМОП-логики — возможность создания устройств, работающих от токов в доли микроампера, а то и еще меньших.

    Полевой МОП транзистор – устройство и принцип работы

    Содержание статьи

    Устройство и основные характеристики МОП-транзисторов

    МОП-транзистор (MOSFET, «металл-оксид-полупроводник») – полевой транзистор с изолированным затвором (канал разделен с затвором тонким диэлектрическим слоем). Другое название МОП-транзистора – униполярный. Основные области применения таких приборов – выполнение функций электронного переключателя и усилителя электронных сигналов в старой и современной системотехнике.

    Практически все типы MOSFET имеют три вывода:

    Исток – источник носителей зарядов. Является аналогом эмиттера в биполярном приборе.

    Сток. Служит для приема носителей заряда от истока. Аналог коллектора биполярного транзистора.

    Затвор. Выполняет функции управляющего электрода. Аналог в биполярном устройстве – база.

    Особая категория – транзисторы с несколькими затворами. Они применяются в цифровой технике для организации логических элементов или в качестве ячеек памяти EEPROM.

     

    Основные характеристики униполярных транзисторов, учитываемые при выборе нужного прибора:

    управляющее напряжение;

    в открытом состоянии – внутреннее сопротивление и наибольшее значение допустимого постоянного тока;

    в закрытом состоянии – максимально допустимое напряжение прямого типа.

    Отличие униполярных транзисторов от биполярных

    МОП-транзистор управляется электрополем, которое создается напряжением, приложенным к затвору относительно истока. Полярность прилагаемого напряжения определяется видом канала транзистора (p или n). В отличие униполярных биполярные транзисторы управляются электрическим током. Ток во всех типах этих полупроводников формируется двумя типами зарядов – электронами и дырками.

    Полевые (униполярные) транзисторы в отличие от биполярных обладают меньшими собственными шумами в низкочастотном диапазоне. Это свойство обеспечивает их эффективную работу в звукоусилительных устройствах. MOSFET применяют в микросхемах низкочастотных усилителей в автомобильных проигрывателях.

    Типы МОП-транзисторов

    Униполярные транзисторы делятся на p-канальные или n-канальные. Они могут иметь:

    Собственный (встроенный) канал. Без напряжения канал открыт. Для закрытия канала необходимо подать ток определенной полярности.

    Индуцированный (инверсный) канал. При отсутствии приложенного электротока он закрыт. Для его открытия прикладывают напряжение нужной полярности. Для n-канальных транзисторов отпирающим является напряжение, положительное относительно истока. Его величина должна быть больше порогового значения, установленного для данного транзистора. Для p-канальных моделей отпирающим будет отрицательное относительно истока напряжение, приложенное к затвору.

    Принцип работы МОП-транзисторов на примере прибора с n-проводимостью

    В схему униполярного транзистора с изолированным затвором и n-проводимостью входят:

    Кремниевая подложка. В подложке n-типа в узлах кристаллической решетки кремния присутствуют отрицательно заряженные атомы и свободные электроны, что достигается введением специальных примесей.

    Диэлектрик. Служит для изоляции кремниевой подложки от электрода затвора. В качестве диэлектрика используется оксид кремния.

    В большинстве MOSFET исток транзистора подключается к полупроводниковой подложке. Между стоком и истоком формируется «паразитный» диод. Ликвидировать отрицательные последствия появления такого диода и даже использовать в положительных целях позволяет его подключение анодом к истоку в n-канальных полевых транзисторах, анодом к стоку – в p-канальных приборах.

    Принцип работы:

    1. Между затвором и истоком прикладывается плюсовое напряжение к затвору.
    2. Между металлическим выводом затвора и подложкой появляется электрическое поле.
    3. Электрическое поле притягивает к приповерхностному слою диэлектрика свободные электроны, ранее распределенные в кремниевой подложке.
    4. В приповерхностном слое появляется область проводимости (канал) n-типа, состоящая из свободных электронов.
    5. Между выводами стока и истока появляется «мост», проводящий электрический ток.
    6. Проводимость полевого транзистора регулируется величиной внешнего управляющего напряжения. При его снятии проводящий «мостик» исчезнет и прибор закроется.

    Аналогично работает МОП-транзистор p-типа. Показанный выше принцип работы является упрощенным. Приборы, используемые на практике в схемотехнике, имеют более сложное устройство и, следовательно, более сложный принцип работы.

    Преимущества и недостатки МОП-транзисторов

    Униполярные транзисторы имеют довольно широкое распространение в современной системотехнике благодаря ряду преимуществ, среди которых:

    • возможность мгновенного переключения;
    • отсутствие вторичного пробоя;
    • хорошая эффективность работы при низких напряжениях;
    • стабильность при температурных колебаниях;
    • низкий уровень шума при работе;
    • большой коэффициент усиления сигнала;
    • экономичность в плане энергопотребления;
    • меньшее количество технологических операций при построении схем с использованием МОП-транзисторов по сравнению с применением биполярных приборов.

    Применение этих приборов ограничивают следующие недостатки:

    Важнейший минус – повышенная чувствительность к статическому электричеству. Тонкий слой оксида кремния легко повреждается электростатическими зарядами, поэтому МОП-приборы могут выйти из строя даже при прикосновении к прибору наэлектризованными руками. Современные устройства практически лишены этого недостатка благодаря корпусам, способным минимизировать воздействие статики. Также в них могут интегрироваться защитные устройства по типу стабилитронов.

    Появление нестабильности работы при напряжении перегрузки.

    Разрушение структуры, начиная от температуры +150 °C. У биполярных приборов критической является температура +200 °C.

    Постоянный поиск по получению хороших эксплуатационных свойств высокомощных униполярных транзисторов привел к изобретению гибридного IGBT-транзистора. Эти устройства объединили лучшие качества биполярного и полевых транзисторов.

    Была ли статья полезна?

    Да

    Нет

    Оцените статью

    Что вам не понравилось?

    Анатолий Мельник

    Специалист в области радиоэлектроники и электронных компонентов. Консультант по подбору деталей в компании РадиоЭлемент.


    MOSFET или IGBT?

    Сначала рассмотрим различия в целом. В настоящий момент все производители инверторов (ММА) выпускаются по двум полупроводниковым технологиям IGBT и MOSFET. Не буду вдаваться в подробности, скажу только то, что в схемотехнике этих аппаратов используются разные полупроводниковые транзисторы IGBT и MOSFET. Основое различие между этими транзисторами — различный ток коммутации. Большим током обладают транзисторы IGBT.

    Для изготовления стандартного инвертора понадобится 2–4 IGBT транзистора (в зависимости от рабочего цикла), a MOSFET — 10–12, т. к. они не могут пропускать через себя большие токи, поэтому их приходится делить на такое большое количество транзисторов. Вот собственно в чем и отличие.

    Тонкость в том, что транзисторы очень сильно греются и их необходимо установить на мощные алюминиевые радиаторы. Чем больше радиатор, тем больше съем тепла с него, а, следовательно, его охлаждающая способность. Чем больше транзисторов, тем больше радиаторов охлаждения необходимо установить, следовательно, увеличиваются габариты, вес и т. д. MOSFET здесь однозначно проигрывает.

    На практике схемотехника MOSFET не позволяет создать аппарат на одной плате: т.е аппараты, которые сейчас есть в продаже, собраны в основном на трех платах. IGBT аппараты всегда идут на одной плате.

    Основные недостатки MOSFET

    • соединение трех плат;
    • худший теплообмен;
    • каскадный выход транзисторов из строя при неисправности одного транзистора;
    • меньший КПД (относительно IGBT).

    Проще говоря, IGBT более современная технология, чем MOSFET.


    Недостатки MOSFET


    Что лучше MOSFET или IGBT?

    Некоторые компании идут в ногу со временем и при производстве сварочных инверторов используют IGBT транзисторы американской фирмы «Fairchaild», частота переключения которых составляет 50 кГц, т. е. 50000 раз в секунду. IGBT технологию выбрали неспроста, ведь рабочий диапазон температур у них с сохранением параметров гораздо больше, чем у MOSFET, т. е. при нагреве у MOSFETa падают качественные характеристики.

    В конструкции САИ (Ресанта) используется одна маленькая плата, которая устанавливается вертикально, а также 4 IGBT транзистора (работают обособленно друг от друга, т. е. не выгорают все, если выгорел один как у MOSFET) и 6 диодов-выпрямителей (а не 12 как у MOSFET), соответственно отказоустойчивость ниже. Это ещё один «плюс» IGBT.

    Можно напомнить покупателю о том, что в современных сварочных инверторов используется только 4 обособленных транзистора, а не 12 каскаднозависимых как у MOSFET. Всякое в жизни бывает, но, чтобы не произошло в случае выхода из строя одного транзистора (если не гарантийный случай), замена покупателю обойдется где-то в районе 400 р., а не 12×110 р. = 1320 р. Думаю, что разница приличная.

    Как отличить: Визуально аппараты IGBT в большинстве своём отличаются от MOSFET вертикальным расположением силовых разъёмов, т. к. плата одна и обычно устанавливается вертикально. У MOSFET аппаратов выходы обычно расположены горизонтально, т. к. платы в конструкции горизонтально закреплены. Нельзя точно утверждать, что это верно на 100%. Точнее можно сказать, сняв кожух с аппарата.

    Многие компании пытаются «выиграть баллы» на транзисторах. Так, например, компания «Aiken» в настоящий момент выпустила на рынок аппараты (по технологии MOSFET) с наклейками на боковых панелях «Используются транзисторы TOSHIBA» а также «Используются транзисторы Mitsubishi». Пытаются выползти на громких и знакомых брендах. На практике это не подтвердилось. Так на крупнейшей Международной инструментальной выставке России Moscow International Tool Expo (MITEX-2011), которая проходила в ноябре 2011г. в «Экспоцентре» (г. Москва), я попросил представителей стенда данной компании разобрать их САИ с наклейкой «Используются транзисторы Mitsubishi» и продемонстрировать данные транзисторы. В итоге сварочные инверторы разобрали, но данных транзисторов не обнаружили. Сами сотрудники компании «Aiken» были в шоке, обнаружив безымянные транзисторы.

    Что такое МОП-транзистор?

    МОП-транзистор — это полупроводниковое устройство, которое переключает или усиливает сигналы в электронных устройствах. MOSFET является аббревиатурой от полевого транзистора металл – оксид – полупроводник. Название может быть по-разному написано как MOSFET, MOS FET или MOS-FET; Термин МОП-транзистор обычно используется, несмотря на его избыточность. Назначение транзистора с полевым МОП-транзистором состоит в том, чтобы воздействовать на поток электрических зарядов через устройство, используя небольшое количество электричества, чтобы влиять на поток гораздо больших количеств. МОП-транзисторы являются наиболее часто используемыми транзисторами в современной электронике.

    Транзистор MOSFET вездесущий в современной жизни, потому что это тип транзистора, наиболее часто используемый в интегральных схемах, основа почти всех современных компьютеров и электронных устройств. Транзистор MOSFET хорошо подходит для этой роли благодаря низкому энергопотреблению и рассеиванию, низкому тепловыделению и низким затратам на массовое производство. Современная интегральная схема может содержать миллиарды МОП-транзисторов. МОП-транзисторы присутствуют в устройствах от сотовых телефонов и цифровых часов до огромных суперкомпьютеров, используемых для сложных научных расчетов в таких областях, как климатология, астрономия и физика элементарных частиц.

    МОП-транзистор имеет четыре полупроводниковых контакта, называемых истоком, затвором, стоком и корпусом. Исток и сток расположены в корпусе транзистора, а затвор находится над этими тремя клеммами, расположенными между истоком и стоком. Ворота отделены от других клемм тонким слоем изоляции.

    МОП-транзистор может быть разработан для использования либо отрицательно заряженных электронов, либо положительно заряженных электронных дырок в качестве носителей электрического заряда. Терминалы истока, затвора и стока спроектированы таким образом, чтобы иметь избыток электронов или электронных дырок, придавая каждому отрицательную или положительную полярность. Исток и сток всегда имеют одинаковую полярность, а затвор всегда противоположен полярности истока и стока.

    Когда напряжение между телом и затвором увеличивается, и затвор получает электрический заряд, носители электрического заряда того же заряда отталкиваются от области затвора, создавая так называемую область истощения. Если эта область станет достаточно большой, она создаст так называемый инверсионный слой на границе раздела между изоляционным и полупроводниковым слоями, обеспечивая канал, по которому носители заряда противоположной полярности затвора могут легко течь. Это позволяет большому количеству электричества течь от источника к стоку. Как и все полевые транзисторы, каждый отдельный МОП-транзистор использует исключительно положительные или отрицательные носители заряда.

    МОП-транзисторы выполнены в основном из кремния или кремний-германиевого сплава. Свойства полупроводниковых клемм могут быть изменены путем добавления небольших примесей веществ, таких как бор, фосфор или мышьяк, процесс, называемый легированием. Затвор обычно изготавливается из поликристаллического кремния, хотя некоторые полевые МОП-транзисторы имеют затворы из поликремния, легированного такими металлами, как титан, вольфрам или никель. Чрезвычайно маленькие транзисторы используют затворы, сделанные из металлов, таких как вольфрам, тантал или нитрид титана. Изолирующий слой чаще всего изготавливается из диоксида кремния (SO 2 ), хотя также используются другие оксидные соединения.

    ДРУГИЕ ЯЗЫКИ

    6. Сравнение MOSFET с JFET

    Сравнение MOSFET с JFET

    Прежде чем мы увидим, как использовать FET в конфигурации усилителя, остановимся, чтобы рассмотреть существенное сходство между двумя широкими классами FET. Мы рассмотрели МОП-транзистор в разделе 2 и JFET в разделе 4. Внутри каждого класса находятся n-канальные и p-канальные устройства. Классификация MOSFET подразделяется на транзисторы с повышением и понижением.

    Эти комбинации приводят к шести возможным типам устройств:

    ● n-канальное расширение MOSFET (улучшение NMOS)
    ● n-канальный истощающий МОП-транзистор (истощение NMOS)
    ● N-канальный JFET
    ● P-канал улучшения MOSFET (улучшение PMOS)
    ● истощение p-канала MOSFET (истощение PMOS)
    ● р-канал JFET

    На рисунке 28 суммированы условные обозначения для этих шести типов устройств. Стрелки в символе JFET иногда перемещаются на терминал источника.

    Рисунок 28 — Условные обозначения схем полевых транзисторов

    Канал создается, и транзистор включается, когда напряжение затвор-истощает пороговое напряжение (VT для МОП-транзисторов и Vp для JFETs). Для троих n-канальные устройства, канал создается при

     (33)

    В качестве альтернативы для p-канальные устройства, канал создается при

     (34)

    Порог является положительным для усиления NMOS, истощения PMOS и p-канал JFET. Это отрицательно для истощения NMOS, усиления PMOS и nканал JFET.

    Для того, чтобы транзистор работал в область триодынапряжение сток-исток должно соответствовать следующим неравенствам:

    Для того, чтобы получить n-канальные МОП-транзисторы или JFET,

     (35)

    Для того, чтобы получить p-канальные МОП-транзисторы или JFET, верно и обратное. То есть для работы в триодной области,

     (36)

    В любом случае, если неравенство не соблюдается, транзистор работает в области насыщения, когда он включен.

    Эти отношения суммированы в таблице 1.

    Таблица 1 — Взаимосвязи полевых транзисторов

    Теперь мы покажем сходство в уравнениях для тока стока для полевых МОП-транзисторов и полевых транзисторов. В области насыщения ток стока для полевого МОП-транзистора равен [Уравнение 8 (Глава: «2. Металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор (МОП-транзистор)»)],

     (37)

    в котором K дан кем-то,

    В случае JFET эквивалентом является [Уравнение 20 (Глава: «3. Переходный полевой транзистор (JFET)»)].

     (38)

    Это идентично уравнению для MOSFET, если мы установим VT равно Vpи приравнять константы,

     (39)

    Такая же эквивалентность верна и для триодной области. Мы представили уравнение тока стока для полевого МОП-транзистора [см. Уравнение 4 (глава: «2. Металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор (МОП-транзистор)»]

     (40)

    Это идентичное уравнение справедливо для JFET с заменой Vp для VTи значение K дано в уравнении (39).

    Таким образом, единственная разница в уравнениях для MOSFET и JFET — это значения постоянной Kи тот факт, что пороговое напряжение в полевом МОП-транзисторе эквивалентно напряжению отрыва в JFET.

     

    ПРЕДЫДУЩАЯ — 5. MOSFET Интегральные схемыСЛЕДУЮЩАЯ — 7. FET Модели для компьютерного моделирования

    Что такое полевой МОП-транзистор? (с изображением)

    MOSFET-транзистор — это полупроводниковое устройство, которое переключает или усиливает сигналы в электронных устройствах. MOSFET — это аббревиатура от полевого транзистора металл – оксид – полупроводник. Имя может быть записано по-разному: MOSFET, MOS FET или MOS-FET; Термин MOSFET-транзистор широко используется, несмотря на его избыточность. Назначение MOSFET-транзистора — влиять на поток электрических зарядов через устройство, используя небольшое количество электричества для воздействия на поток гораздо больших количеств.МОП-транзисторы — наиболее часто используемые транзисторы в современной электронике.

    MOSFET-транзисторы бывают разных форм, размеров и компоновки.

    MOSFET-транзистор широко используется в современной жизни, потому что это тип транзистора, наиболее часто используемый в интегральных схемах, являющихся основой почти всех современных компьютеров и электронных устройств.MOSFET-транзистор хорошо подходит для этой роли благодаря низкому энергопотреблению и рассеиванию, низкому отходящему теплу и низким затратам на массовое производство. Современная интегральная схема может содержать миллиарды полевых МОП-транзисторов. MOSFET-транзисторы используются в различных устройствах, от сотовых телефонов и цифровых часов до огромных суперкомпьютеров, используемых для сложных научных расчетов в таких областях, как климатология, астрономия и физика элементарных частиц.

    МОП-транзистор имеет четыре полупроводниковых вывода, которые называются истоком, затвором, стоком и корпусом.Исток и сток расположены в корпусе транзистора, а затвор находится над этими тремя выводами, между истоком и стоком. Затвор отделен от других выводов тонким слоем изоляции.

    МОП-транзистор может быть разработан для использования либо отрицательно заряженных электронов, либо положительно заряженных электронных дырок в качестве носителей электрического заряда.Клеммы истока, затвора и стока сконструированы так, чтобы иметь избыток электронов или электронных дырок, что придает каждой из них отрицательную или положительную полярность. Исток и сток всегда имеют одинаковую полярность, а затвор всегда имеет противоположную полярность истока и стока.

    Когда напряжение между корпусом и затвором увеличивается и затвор получает электрический заряд, носители электрического заряда с таким же зарядом отталкиваются от области затвора, создавая так называемую область истощения.Если эта область станет достаточно большой, она создаст так называемый инверсионный слой на границе раздела изолирующего и полупроводникового слоев, обеспечивая канал, по которому могут легко течь носители заряда противоположной полярности затвора. Это позволяет большому количеству электричества течь от источника к канализации. Как и все полевые транзисторы, каждый отдельный МОП-транзистор использует исключительно положительные или отрицательные носители заряда.

    MOSFET-транзисторы

    изготавливаются в основном из кремния или сплава кремний-германий.Свойства полупроводниковых выводов можно изменить, добавив небольшие примеси таких веществ, как бор, фосфор или мышьяк. Этот процесс называется легированием. Затвор обычно изготавливается из поликристаллического кремния, хотя некоторые полевые МОП-транзисторы имеют затвор из поликремния, легированного металлами, такими как титан, вольфрам или никель. В очень маленьких транзисторах используются затворы из металлов, таких как вольфрам, тантал или нитрид титана. Изолирующий слой чаще всего изготавливается из диоксида кремния (SO 2 ), хотя также используются другие оксидные соединения.

    Металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор (МОП-транзистор)

    ПредыдущаяСледующая

    Металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор (MOSFET) — один из краеугольных камней современной полупроводниковой технологии.Общая структура представляет собой слаболегированную подложку типа p , в которую были внедрены две области, исток и сток, обе из сильно легированных полупроводников типа n . Для обозначения этого используется символ n +. тяжелый допинг.

    Исток и сток находятся на расстоянии около 1 мкм. Металлизированные контакты используются как для истока, так и для стока, обычно из алюминия. Остальная поверхность подложки покрыта тонкой оксидной пленкой, обычно толщиной около 0,05 мкм.Электрод затвора уложен поверх изолирующего оксидного слоя, а основной электрод на приведенной выше схеме обеспечивает противоэлектрод затвору. Тонкая оксидная пленка содержит диоксид кремния (SiO 2 ), но также может содержать нитрид кремния (Si 3 N 4 ) и оксинитрид кремния (Si 2 N 2 O).

    Легированная подложка типа p очень слабо легирована, поэтому она имеет очень высокое электрическое сопротивление, и ток не может проходить между истоком и стоком, если на затворе имеется нулевое напряжение.Приложение положительного потенциала к электроду затвора создает сильное электрическое поле на материале типа p даже при относительно небольших напряжениях, поскольку толщина устройства очень мала, а напряженность поля определяется разностью потенциалов, деленной на разделение электроды затвора и корпуса.

    Поскольку электрод затвора заряжен положительно, он будет отталкивать отверстия в области типа p . Для достаточно сильных электрических полей результирующая деформация энергетических зон приведет к тому, что зоны области типа p будут изгибаться настолько сильно, что электроны начнут заселять зону проводимости.Это показано на анимации ниже, где показано поперечное сечение области материала типа p рядом с электродом затвора. Нажмите кнопку, чтобы увеличить напряжение, подаваемое на электрод затвора.

    Заселенность зон проводимости подложки типа p в области рядом с оксидным слоем создает проводящий канал между электродами истока и стока, позволяя току проходить через устройство. Заселение зоны проводимости начинается выше критического напряжения V T , ниже которого нет проводящего канала и ток не течет.Таким образом, полевой МОП-транзистор можно использовать в качестве переключателя. Напряжение на затворе выше критического значения модулирует ток между истоком и стоком и может использоваться для усиления сигнала.

    Это всего лишь один тип полевого МОП-транзистора, называемый «нормально выключенным», потому что только приложение положительного напряжения затвора выше критического напряжения позволяет ему пропускать ток. Другой тип полевого МОП-транзистора — это «нормально-включенный», который имеет проводящий канал из менее легированного материала типа n между электродами истока и стока.Этот канал может быть очищен от электронов, подав отрицательное напряжение на электрод затвора. Достаточно большое отрицательное напряжение приведет к полному закрытию канала.

    Полевые МОП-транзисторы

    «нормально выключены» используются в широком спектре приложений на интегральных схемах. И вентили, НЕ вентили и вентили И-НЕ сделаны из полевых МОП-транзисторов этого типа и являются важными компонентами устройств памяти.

    Работа, типы, работа, преимущества и применение

    Что такое полевой МОП-транзистор? Его работа, типы, принцип действия, преимущества, недостатки и применение

    Транзисторы являются основными строительными блоками в электронике и логических схемах, где они используются для переключения и усиления. MOSFET — это тип FET (полевой транзистор), затвор которого электрически изолирован с помощью изолирующего слоя. Поэтому он также известен как IGFET (полевой транзистор с изолированным затвором).

    Что такое полевой МОП-транзистор?

    MOSFET или Металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор — это тип полевого транзистора с четырьмя выводами , а именно Drain , Gate , Source и Body / Substrate .Вывод на корпусе закорочен, а вывод истока оставляет в общей сложности три рабочих вывода, как и любой другой транзистор.

    МОП-транзистор проводит ток между истоком и стоком по пути, называемому каналом. Ширина этого канала регулируется напряжением на выводе затвора.

    MOSFET — это устройство, управляемое напряжением, выход которого зависит от напряжения затвора. Затвор из оксида металла электрически изолирован от канала с помощью тонкого слоя диоксида кремния.Он значительно увеличивает входной импеданс в диапазоне МОм «10 6 = МОм». Следовательно, MOSFET не имеет входного тока.

    Symbol

    MOSFET имеет в основном два типа

    • Depletion MOSFET или D-MOSFET
    • Расширенный MOSFET или E-MOSFET

    Оба эти типа могут быть разделены на N-канал канал.

    D-MOSFET также известен как «нормально включенный» MOSFET, потому что у них есть встроенный канал во время производства.Подача напряжения затвора уменьшает ширину канала, отключая полевой МОП-транзистор. В то время как E-MOSFET также известен как «нормально выключенный» MOSFET, потому что во время изготовления канала нет, но он индуцируется приложением напряжения.

    Следовательно, символ D-MOSFET имеет непрерывную линию, представляющую канал между стоком и истоком, который позволяет току течь при нулевом напряжении затвор-исток. В то время как пунктирная линия на E-MOSFET представляет собой разорванный путь или отсутствие канала для протекания тока при нулевом напряжении затвор-исток.Стрелка, направленная внутрь, показывает N-канал, а стрелка, направленная наружу, показывает P-канальный MOSFET.

    MOSFET Области действия

    Транзисторы действуют как изолятор или проводник, основываясь на очень слабом сигнале. MOSFET, как и любой другой транзистор, также работает в трех регионах.

    Область отсечки: В этой области полевой МОП-транзистор остается выключенным и отсутствует ток стока I D . Когда полевой МОП-транзистор используется в качестве переключателя, он использует эту область в качестве выключенного или разомкнутого состояния переключателя.

    Область насыщения: В области насыщения полевой МОП-транзистор обеспечивает постоянный ток между истоком и стоком. Он действует как включенное или закрытое состояние переключателя. МОП-транзистор полностью включен, пропуская через него максимальный ток стока I D .

    Линейная или омическая область: В этой области полевой МОП-транзистор обеспечивает постоянное сопротивление, которое регулируется уровнем напряжения V GS . Ток стока I D увеличивается с увеличением уровня напряжения V GS .Следовательно, эта область используется для усиления.

    Типы полевых МОП-транзисторов

    МОП-транзисторы подразделяются на два основных типа:

    • МОП-транзисторы с истощением или D-МОП-транзисторы — (каналы D и N)
    • МОП-транзисторы типа расширения или E-MOSFET — (каналы D и N )

    Похожие сообщения:

    MOSFET истощения

    MOSFET истощающего типа или D-MOSFET — это тип полевого МОП-транзистора, канал которого создается в процессе изготовления.Другими словами, у него есть канал, даже когда на него не подается напряжение. Следовательно, он может проводить ток между истоком и стоком, когда напряжение затвор-исток V GS = 0 вольт. По этой причине он также известен как «нормально включенный» MOSFET.

    Подключение вывода затвор-исток с обратным смещением приведет к истощению канала носителя заряда, отсюда и название MOSFET с истощением. Он уменьшает ширину канала до полного исчезновения. В этот момент D-MOSFET прекращает проводимость, и это напряжение V GS известно как пороговое напряжение V TH .

    Если затвор и исток соединены в прямом смещении и V GS увеличен, в канале будет индуцировано больше несущих, и его ширина увеличится. Это приведет к увеличению тока между стоком и истоком. Вот почему D-MOSFET может работать как в режиме истощения, так и в режиме улучшения.

    D-MOSFET может быть «N-канальным D-MOSFET» или «P-канальным D-MOSFET» в зависимости от используемого канала. Тип канала также влияет на его смещение, а также на его скорость и текущую емкость.

    N-канальный D-MOSFET

    В N-канальном D-MOSFET электрод истока и стока размещен на небольших слоях N-типа. Электрод затвора помещен поверх изолирующего слоя оксида металла, который электрически изолирует его от канала под ним. Канал для материала N-типа изготавливается поверх подложки P-типа.

    Канал, поскольку он сделан из материала N-типа, состоит из электронов как носителей заряда. Напряжение на затворе создает электрическое поле, которое влияет на поток этих носителей заряда.

    Когда затвор подключен с обратным смещением, т. Е. Приложено отрицательное напряжение V GS <0 вольт, отверстия от P-подложки будут притягиваться к затвору, истощая его электронами и уменьшая размер канала. При определенном отрицательном V GS полевой МОП-транзистор прекратит проводить, поскольку не будет канала. Это V GS — это пороговое напряжение V th . N-канальный MOSFET имеет –V th ,

    При увеличении V GS улучшит (увеличит) его проводимость i.е. ток стока I D будет увеличиваться с увеличением напряжения сток-исток V DS . Однако это работает в омической области. Когда V DS достигает напряжения отсечки V p , I DS становится насыщенным I DSS , и ток перестает расти. Этот режим используется для переключения приложений.

    Рабочие области N-канального D-MOSFET

    Область отсечки: В этой области напряжение затвор-исток V GS ≤ -V th .Нет тока стока I D = 0 независимо от значения V DS . МОП-транзистор выключен.

    Область насыщения: В этой области V GS > -V th и V DS > V p . MOSFET допускает максимальный ток утечки I DSS , который зависит от V GS.

    Линейная или омическая область: В этой области V GS > -V th и V DS p .МОП-транзистор действует как усилитель. В этой области ток I D увеличивается с V DS , в то время как его усиление зависит от V GS , как показано в характеристиках VI.

    D-MOSFET с P-каналом

    D-MOSFET с P-каналом имеет ту же конструкцию, что и N-канал, за исключением стока, электроды истока лежат на слоях P-типа. и канал выполнен из P-слоя на подложке N-типа. В качестве носителей заряда используются дырки. У дырок есть один недостаток перед электронами.Они намного тяжелее электронов и поэтому могут привести к потере некоторой скорости в работе.

    В нормальных условиях он может проводить ток между истоком и стоком, пока между ними есть напряжение. напряжение затвора может влиять на ширину канала, увеличивая или уменьшая ее.

    Когда положительный V GS прикладывается к его затвору, электрическое поле заставляет притягивать электроны от подложки N-типа, которая объединяется с дырками, тем самым истощая канал носителей заряда.Это уменьшает ширину канала и количество тока. в определенный момент V GS полностью устраняет канал и останавливает прохождение тока.

    Следовательно, P-канальный D-MOSFET имеет положительное пороговое напряжение, т.е. он отключается при подаче положительного напряжения V GS и включается, когда напряжение V GS отсутствует. Приложение отрицательного напряжения приведет к появлению большего количества дырок в канале, что приведет к увеличению или усилению его проводимости по току.

    Связанные сообщения:

    Рабочие области P-Channel D-MOSFET

    Область отсечки: В этой области напряжение затвор-исток V GS = + V th .Нет тока стока I D = 0 независимо от значения V DS . МОП-транзистор выключен.

    Область насыщения: В этой области V GS <+ V th и V DS > V p . MOSFET допускает максимальный ток утечки I DSS , который зависит от уровня V GS.

    Линейная или омическая область: В этой области V GS <+ V th и V DS p .МОП-транзистор действует как усилитель. В этой области ток I D увеличивается с V DS , в то время как его усиление зависит от V GS , как показано в характеристиках VI.

    Расширенный МОП-транзистор

    Расширенный МОП-транзистор или E-МОП-транзистор — это тип МОП-транзистора, который не имеет канала во время его изготовления. Вместо этого канал индуцируется в подложке за счет приложения напряжения через его электрод затвора. Напряжение увеличивает его проводимость, отсюда и название.

    E-MOSFET не проводит и остается выключенным, когда на его затворе нет напряжения. Вот почему он также известен как «нормально выключенный» MOSFET. При приложении прямого напряжения между затвором и истоком носители заряда индуцируются в подложке, которая создает канал для проведения тока между истоком и стоком.

    Приложение напряжения выше порогового увеличивает ширину канала и увеличивает ток, поэтому его называют расширенным MOSFET.

    E-MOSFET также делится на E-MOSFET с N-каналом и P-каналом.

    N-канальный E-MOSFET

    N-канальный E-MOSFET имеет ту же структуру, что и D-MOSFET, за исключением того, что во время производства канал отсутствует. Канал индуцируется приложением напряжения к его затвору.

    N-канальный E-MOSFET не будет проводить ток между истоком и стоком, когда V GS = 0 вольт. Потому что нет канала для протекания тока.Приложение положительного напряжения + V GS к затвору создает электрическое поле под слоем затвора. Это приводит к притяжению электронов из P-подложки и отталкиванию дырок от изолирующего слоя. Индуцированный канал, который пропускает ток между истоком и стоком.

    V GS , при котором канал индуцируется, называется пороговым напряжением V th , и увеличение напряжения выше V th приводит к увеличению ширины канала.

    Рабочие области N-канального E-MOSFET

    Область отсечки: В этой области напряжение затвор-исток V GS ≤ 0 В. Нет тока стока I D = 0 независимо от значения V DS . Он работает как переключатель.

    Область насыщения: В этой области V GS > 0v и V DS > V GS . MOSFET допускает максимальный ток утечки I DSS , который зависит от уровня V GS.

    Линейная или омическая область: В этой области V GS > 0 и V DS GS . МОП-транзистор действует как усилитель. В этой области ток I D увеличивается с V DS , в то время как его усиление зависит от V GS , как показано в характеристиках VI.

    E-MOSFET с P-каналом

    E-MOSFET с P-каналом имеет ту же структуру, что и D-MOSFET с P-каналом, за исключением отсутствия канала.Во время строительства канала нет. Это вызвано применением V GS .

    Когда –V GS применяется к затвору, положительные заряды (дырки) собираются под изолирующим слоем, и электроны отталкиваются. Отверстия собираются вместе, образуя канал между истоком и стоком. Теперь, если приложить напряжение между истоком и стоком, он начнет проводить ток.

    То же, что и N-канал, не проводит, когда V GS = 0 В.уменьшая напряжение ниже V th , ширина канала увеличивается, позволяя протекать через него большему току.

    Связанные сообщения:

    Рабочие области N-канального E-MOSFET

    Область отсечки: В этой области напряжение затвор-исток V GS ≥ 0 В. Нет тока стока I D = 0 независимо от значения V DS . Он работает как переключатель.

    Область насыщения: В этой области V GS <0v и V DS > V GS .MOSFET допускает максимальный ток утечки I DSS , который зависит от уровня V GS.

    Линейная или омическая область: В этой области V GS <0, а V DS GS . МОП-транзистор действует как усилитель. В этой области ток I D увеличивается с V DS , в то время как его усиление зависит от V GS , как показано в характеристиках VI.

    Работа полевого МОП-транзистора

    МОП-транзистор может работать как переключатель или усилитель.Работа полевого МОП-транзистора зависит от его типа и смещения. Они могут работать в режиме истощения или улучшения.

    МОП-транзисторы

    имеют изолирующий слой между каналом и электродом затвора. Этот изолирующий слой увеличивает входное сопротивление. Следовательно, он не пропускает ток затвора. Вместо этого он работает с напряжением, приложенным к его клемме затвора.

    Изолирующий слой образует плоский конденсатор, который имеет достоинства и недостатки. Он создает очень высокий входной импеданс и, следовательно, имеет очень низкое энергопотребление.Но электростатический заряд может навсегда повредить этот тонкий изолирующий слой.

    В режиме истощения полевой МОП-транзистор имеет встроенный канал между выводами истока и стока. Приложение напряжения V DS между истоком и стоком вызывает протекание тока стока I D . Для уменьшения или прекращения прохождения тока I D к затвору прикладывается напряжение обратного смещения V GS . он истощает канал носителей заряда, уменьшая его ширину.

    В режиме улучшения напряжение прямого смещения V GS прикладывается к затвору, который притягивает неосновные носители заряда от подложки.Они накапливаются под электродом затвора, увеличивая или увеличивая ширину канала. Эта ширина зависит от величины напряжения затвора. Чем выше напряжение, тем больше накапливается заряд и шире канал. Следовательно, ток стока I D также увеличивается.

    В следующей таблице показано состояние всех четырех типов полевых МОП-транзисторов на разных уровнях напряжения затвор-исток В GS

    ВЫКЛ.
    МОП-транзистор Тип VGS = + ve VGS = 0 VGS = -ve

    N-канал

    D-MOSFET

    		 ВКЛ. ВКЛ. ВЫКЛ. ВКЛ ВКЛ
    N-канал

    E-MOSFET

    		 ВКЛ ВЫКЛ ВЫКЛ
    P-канал

    E-MOSFET

    		 ON

    В следующей таблице показаны рабочие области всех четырех полевых МОП-транзисторов.

    Тип полевого МОП-транзистора Область отсечки

    (выключенное состояние)

    		Линейная / омическая область

    (усилитель)

    02 Область насыщения

    (ВКЛ.) State)

    N-Channel

    D-MOSFET

    		 V GS ≤ -V th

    V DS =….

    		 V GS > -V th

    V DS P

    		V GS > -V th

    V DS ≥ V P

    P-канал

    D-MOSFET

    		 V GS ≥ + V th

    V DS =….

    		 V GS <-V th

    V DS P

    		V GS <-V th

    V DS ≥ V P

    N-канал

    E-MOSFET

    		 V GS ≤ + V th

    V DS =….

    		 V GS > + V th

    V DS GS

    		V GS > + V th

    V DS ≥ V GS

    P-канал

    E-MOSFET

    		 V GS ≥ -V th

    V DS =….

    		 V GS <-V th

    V DS GS

    		V GS <-V th

    V DS ≥ V GS

    В GS Напряжение от затвора до источника В DS Напряжение от стока к источнику

    В th Пороговое напряжение В P Отжимное напряжение

    Истощающие МОП-транзисторы могут работать как в режиме истощения, так и в режиме улучшения, в то время как полевой МОП-транзистор расширения может работать только в режиме улучшения.

    В полевых транзисторах, поскольку сток и исток сделаны из одного материала, они взаимозаменяемы. Сток — это клемма, напряжение которой более положительно, чем у истока.

    Связанные сообщения:

    Характеристики или кривая V-I полевых МОП-транзисторов

    Передаточные характеристики: Кривая передаточных характеристик показывает взаимосвязь между входным напряжением затвора V GS и выходным током стока I D .

    Характеристики стока : Кривая характеристик стока показывает соотношение между напряжением сток-исток V DS и током стока I D .

    N-канальный D-MOSFET

    Кривая передачи N-канального D-MOSFET показывает, что MOSFET проводит ток стока I D , когда V GS превышает пороговое напряжение V Th . Пороговое напряжение ниже 0 В, что означает, что он может проводить при 0 В GS.

    Характеристики стока показывают три рабочие области полевого МОП-транзистора; область отсечки, омической нагрузки и насыщения, включая оба режима работы i.е. режим истощения и улучшения. Омические области и области насыщения разделены линией границы, называемой годографом отсечки . Напряжение отсечки — это минимальное напряжение, при котором происходит насыщение.

    В омической области ток стока I D увеличивается с увеличением V DS . В области насыщения I D становится постоянным, называемым током насыщения, и изменяется только в зависимости от уровня V GS . В области отсечки I D остается нулевым, но V GS должен быть опущен ниже –V Th , показанного переходной кривой.

    При V GS = 0 В или ниже полевой МОП-транзистор работает в режиме истощения, когда ширина канала и проводимость уменьшаются с падением напряжения. Когда он выше 0 В, он начинает улучшать и увеличивать проводимость.

    P-канал D-MOSFET

    Отрицательная кривая передаточных характеристик показывает, что D-MOSFET с P-каналом включается, когда V GS ниже предела + V th . Характеристическая кривая стока показывает соотношение между V DS и I D для различных значений V GS. Когда напряжение затвор-исток V GS уменьшается , ток I D начинает увеличиваться.

    Нет большой разницы между N-канальным и p-канальным MOSFET, за исключением того, что напряжения меняются местами.

    N-канальный E-MOSFET

    E-MOSFET не проводит при 0 В GS из-за отсутствия канала, как показано на графике. Однако, как только V GS превышает пороговое напряжение V th , он начинает проводить.Он работает так же, как D-MOSFET в режиме улучшения.

    При V GS Th полевой МОП-транзистор работает в области отсечки, где отсутствует ток стока I D . Когда V GS увеличивается по сравнению с V Th , I D начинает увеличиваться до с увеличением V DS в омической области. Когда напряжение отсечки V DS V P , определяемое геометрическим местом отсечки, I D насыщается и становится постоянным.

    P-канальный E-MOSFET

    P-канальный E-MOSFET имеет ту же характеристическую кривую, что и N-канальный E-MOSFET, за исключением того, что напряжения меняются местами.

    Преимущества и недостатки полевого МОП-транзистора
    Преимущества
    • Основное преимущество полевого МОП-транзистора состоит в том, что нет затвора ток то есть нет входного тока.
    • Он имеет очень высокий входной импеданс из-за изоляционного слоя.
    • Это потребляет незначительное количество энергии в своей работе из-за очень низкого тока утечки.
    • Он имеет очень высокую скорость переключения .
    • Используется для очень высокочастотных приложений .
    • Имеет очень низкое выходное сопротивление .
    • Он очень маленький размер .
    • Они могут работать как в режиме истощения, так и в режиме улучшения.
    • Обеспечивает больший КПД при работе при низких напряжениях.
    • Он униполярный, имеющий бесшумную работу .
    • Это устройство , управляемое напряжением, с очень низкими потерями мощности.
    Недостатки
    • Из-за изоляционного слоя между затвором и каналом существует емкость, которая может быть повреждена из-за накопления электростатического заряда.
    • Он не может выдерживать высокое напряжение .
    • MOSFET дороже, чем BJT.

    Связанные сообщения:

    Применение MOSFET

    MOSFET в основном используется для переключения и усиления в электронных схемах.Ниже приведены некоторые применения полевых МОП-транзисторов.

    • Используется для быстрого переключения и усиления очень слабых сигналов, например, в высокочастотных усилителях.
    • Силовые полевые МОП-транзисторы используются для регулирования мощности в двигателях постоянного тока.
      • MOSFET
    • лучше всего подходят для цепей прерывателя из-за его высокой скорости переключения.
    • Благодаря своей высокой эффективности и низкому энергопотреблению они используются из-за своей превосходной скорости переключения в цифровой микросхеме IC (интегральные схемы), такой как микроконтроллер и микропроцессоры.
    • Они используются в SMPS ( импульсный источник питания )
    • Они используются в логической схеме CMOS (дополнительный металлооксидный полупроводник), где слои P-MOS и N-MOS объединены вместе для уменьшения пространство и энергопотребление.
    • Используются в Н-мостовой схеме .
    • Они также используются в понижающих преобразователях и повышающих преобразователях .

    Похожие сообщения:

    ECSTUFF4U для инженера-электронщика: Что такое MOSFET | История | Операция | Типы

    Задача MOSFET — управлять током и напряжением между истоком и стоком.Его работа зависит от МОП-конденсатора и работает почти как выключатель. Поверхность полупроводника в нижнем оксидном слое, который может располагаться между выводами истока и стока. Его можно инвертировать с p-типа на n-тип, применяя положительное или отрицательное напряжение затвора. Отверстия под оксидным слоем имеют наступательную силу, а отверстия толкаются вниз вместе с подложкой, когда мы прикладываем положительное напряжение затвора. Образуется обедненная область, заполненная связанными отрицательными зарядами, которые связаны с акцепторными атомами, и поэтому электроны достигают канала.Положительное напряжение также притягивает электроны из областей истока n + и стока в канал. Если между ними приложено напряжение, ток свободно течет между истоком и стоком, а электроны в канале управляются затвором. Если приложено отрицательное напряжение, под слоем оксида образуется дырочный канал вместо положительного напряжения.



    Типы полевого МОП-транзистора:
    1. МОП-транзистор в режиме истощения
    2. MOSFET в режиме расширения

    Канал показывает свою минимальную проводимость при нулевом напряжении на выводе затвора.Поскольку напряжение на затворе отрицательное или положительное, проводимость канала будет уменьшена. Этот тип транзистора называется режимом истощения MOSFET.



    Канал не проводит, когда на выводе затвора нет напряжения. Устройство имеет хорошую проводимость, когда на вывод затвора подается большее напряжение. Это называется режимом улучшения MOSFET.


    P-канальный МОП-транзистор:

    P-канал полевого МОП-транзистора имеет область P-канала между стоком и истоком.P-канал полевого МОП-транзистора состоит из отрицательных ионов и поэтому работает с отрицательным напряжением. Когда к затвору прикладывается отрицательное напряжение, электроны, находящиеся под оксидным слоем, выталкиваются вниз в подложку с чрезмерной силой. Область обеднения населена связанными положительными зарядами, которые связаны с донорными атомами. Отрицательное напряжение притягивает дырки от источника p +, а также от области стока в область канала.

    N-канальный полевой МОП-транзистор:

    N-канал полевого МОП-транзистора имеет область N-канала между истоком и стоком.Когда мы прикладываем напряжение затвора, отверстия в оксидном слое с силой отталкивания толкаются вниз в подложку. Область обеднения населена связанными отрицательными зарядами, связанными с атомами акцептора. Положительное напряжение также притягивает электроны из области n + истока и стока. Если между стоком и истоком приложено напряжение, ток свободно течет между истоком и стоком, а электроны в канале управляются напряжением на затворе. Если приложить отрицательное напряжение, под оксидным слоем образуется дырочный канал.

    MOSFET Применение:

    Что такое VGS в Mosfet? — MVOrganizing

    Что такое VGS в Mosfet?

    Vgs (th) — это напряжение, при котором канал МОП-транзистора начинает проводить. При этом напряжении, положительном, он создает электрическое поле, которое притягивает электроны (поскольку наше приложенное напряжение положительное, значит, на затворе есть положительные заряды). Вы вещаете громче (увеличивайте диапазон своего электрического поля — увеличивайте Vgs).

    Что такое VDS и VGS в Mosfet?

    VDS представляет собой абсолютное максимальное напряжение MOSFET между стоком и источником.В процессе эксплуатации напряжение источника стока не должно превышать максимального номинального значения. 1.2 Напряжение затвор-исток (VGS) VGS представляет собой рабочее напряжение драйвера между затвором и истоком.

    Как рассчитывается VDS в Mosfet?

    VDS = VD — VS Единственный способ рассчитать VDS — это получить отдельные напряжения, VD и VS. VD — это напряжение, которое подается на сток транзистора. VS — это напряжение, которое падает на истоке транзистора.

    В чем ценность VGS?

    Зависимость между напряжением отсечки, VP, и напряжением отсечки, VGS (off) (i) VP — это значение VDS, когда ток стока становится постоянным.Он всегда измеряется при VGS = 0, (ii) когда VGS отличен от нуля, отсечение происходит для значений VDS меньше VP.

    Как мне получить VGS?

    В первой модели полевого МОП-транзистора, эквивалентной малому сигналу, я обнаружил, что Vgs = Vg = (Vin R1 // R2) / (Rg + R1 // R2), потому что R1 // R2 параллельны Vin и Rg. Используя делитель напряжения, я нашел Vgs = Vg = (Vin R1 // R2) / (Rg + R1 // R2).

    Что такое порог VGS?

    VGS (th) — это параметр разработчика MOSFET, который определяет точку, в которой устройство находится на пороге включения.Это указание на начало, а не на конец. Напряжение затвора должно быть ниже порогового значения в выключенном состоянии, чтобы минимизировать утечку.

    Как Mosfet включается и выключается?

    Чтобы включить полевой МОП-транзистор, нам нужно поднять напряжение на затворе. Чтобы выключить его, нам нужно подключить ворота к земле. P-канал — источник подключен к шине питания (Vcc). Чтобы позволить току течь, ворота должны быть заземлены.

    При каком напряжении включается Mosfet?

    10 В

    С каким напряжением может работать МОП-транзистор?

    Два силовых полевых МОП-транзистора в корпусе для поверхностного монтажа D2PAK.Каждый из этих компонентов может выдерживать блокирующее напряжение 120 вольт и непрерывный ток 30 ампер с соответствующим радиатором.

    Как выключается Mosfet?

    В P-канальном устройстве обычный поток тока стока идет в отрицательном направлении, поэтому отрицательное напряжение затвор-исток применяется для переключения транзистора в положение «включено». Затем, когда переключатель переходит в низкий уровень, полевой МОП-транзистор включается, а когда переключатель переходит в высокий уровень, полевой МОП-транзистор переключается в положение «ВЫКЛ».

    Что символизирует Мосфет?

    Линия в символе полевого МОП-транзистора между стоком (D) и истоком (S) представляет собой полупроводниковый канал транзистора.Если эта линия канала является сплошной непрерывной линией, то она представляет МОП-транзистор типа «истощение» (нормально включенный), поскольку ток стока может протекать с нулевым потенциалом смещения затвора.

    Что находится внутри МОП-транзистора?

    Подобно JFET-транзистору, MOSFET состоит из трех слоев кремния P и N, один из которых формирует канал между истоком и стоком. Давайте посмотрим на внутреннюю часть улучшенного N-канального МОП-транзистора: два N слоя подключены к источнику и стоку. Ворота соединены слоем металла.

    Где используется Mosfet?

    Полевые МОП-транзисторы

    обычно используются в автомобильной электронике, в частности, в качестве переключающих устройств в электронных блоках управления и в качестве преобразователей энергии в современных электромобилях. Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), гибридный биполярный МОП-транзистор, также используется в самых разных приложениях.

    Является ли Mosfet биполярным устройством?

    Между MOSFET и BJT есть много различий. MOSFET (управляемый напряжением) представляет собой металлооксидный полупроводник, тогда как BJT (управляемый током) представляет собой транзистор с биполярным переходом.

    Является ли Mosfet устройством, управляемым напряжением?

    МОП-транзистор — это устройство, управляемое напряжением, подобное полевому транзистору. Входное напряжение затвора управляет истоком для стока тока. Затвор MOSFET не потребляет постоянного тока, за исключением утечки.

    Является ли Mosfet устройством, срабатывающим по току?

    Описание: Ответ: Нет, MOSFET не является текущим управляемым устройством.

    Почему Мосфет называют униполярным устройством?

    Полевые транзисторы

    также известны как униполярные транзисторы, поскольку они работают с одной несущей.То есть полевые транзисторы используют в качестве носителей заряда либо электроны, либо дырки, но не то и другое вместе.

    Сколько терминалов в Mosfet?

    три

    Как мне найти мой штифт Mosfet?

    Чтобы идентифицировать полевой транзистор, нужно держать изогнутую часть лицом к себе и начинать отсчет против часовой стрелки. Первый — это исток, затем затвор, а затем сток. Обычно в некоторых случаях контакты полевого МОП-транзистора соответственно помечаются как G, S и D, обозначающие Gate, Source и Drain.

    Является ли Mosfet симметричным устройством?

    MOSFET — это симметричное устройство, поэтому ответ — да. однако, если в вашей схеме вы привязали свое тело к одному из выводов, вы захотите, чтобы этот вывод был источником.

    Что такое Мосфет и его типы?

    Полевые МОП-транзисторы

    доступны в двух основных формах: Тип истощения: транзистору требуется напряжение затвор-исток (VGS), чтобы выключить устройство. MOSFET в режиме истощения эквивалентен «нормально замкнутому» переключателю.Тип расширения: транзистору требуется напряжение затвор-исток (VGS) для включения устройства.

    Как мне проверить мой Mosfet?

    1) Удерживайте MosFet за корпус или язычок, но не касайтесь металлических частей тестовых щупов какими-либо другими выводами MosFet до тех пор, пока это не понадобится. 2) Сначала прикоснитесь плюсовым проводом измерителя к «воротам» MosFet. 3) Теперь переместите положительный зонд в «Слив». Вы должны получить «низкое» значение.

    Почему мы используем Mosfet?

    MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) транзистор представляет собой полупроводниковое устройство, которое широко используется для коммутации и усиления электронных сигналов в электронных устройствах.

    В чем преимущество Mosfet?

    Преимущества полевых МОП-транзисторов МОП-транзисторы обеспечивают большую эффективность при работе при более низких напряжениях. Отсутствие тока затвора приводит к высокому входному сопротивлению, обеспечивающему высокую скорость переключения. Они работают с меньшей мощностью и не потребляют ток.

    Что лучше IGBT или Mosfet?

    По сравнению с IGBT, силовой MOSFET имеет преимущества более высокой скорости коммутации и большей эффективности при работе при низких напряжениях. IGBT сочетает в себе простые характеристики управления затвором, присущие полевому МОП-транзистору, с высокой силой тока и низким напряжением насыщения биполярного транзистора.

    Почему N-канал лучше, чем P-канал Mosfet?

    MOSFET с N-каналом более эффективны, чем MOSFET с P-каналом. Все сводится к физике. N-канальные полевые МОП-транзисторы используют поток электронов в качестве носителя заряда. МОП-транзисторы с P-каналом используют поток дырок в качестве носителя заряда, который имеет меньшую подвижность, чем поток электронов. Следовательно, они обладают более высоким сопротивлением и менее эффективны.

    Какие типы устройств Mosfet доступны?

    Существует два класса полевых МОП-транзисторов. Есть режим истощения и есть режим улучшения.Каждый класс доступен как n- или p-канал, что дает в общей сложности четыре типа полевых МОП-транзисторов. Режим истощения обозначается буквой N или P, а режим улучшения — буквой N или P.

    В чем разница между Mosfet и FET?

    МОП-транзистор — это тип полевого транзистора. Это расшифровывается как «металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор». Все полевые МОП-транзисторы являются полевыми транзисторами, но не все полевые транзисторы являются полевыми транзисторами. Но этот термин настолько распространен, что вещи, которые на самом деле не являются полевыми МОП-транзисторами, по-прежнему называются «полевые МОП-транзисторы», так что особой разницы нет; термины как бы взаимозаменяемы.

    Какие преимущества и недостатки использования Mosfet?

    Преимущества и недостатки MOSFET

    • Возможность уменьшения размера.
    • Он имеет низкое энергопотребление, что позволяет разместить больше компонентов на площади поверхности кристалла.
    • MOSFET не имеет затворного диода.
    • Он читает напрямую с очень тонкой активной областью.
    • Обладают высоким сопротивлением слива за счет меньшего сопротивления канала.

    Мос и Мосфет одно и то же?

    Почему технология CMOS предпочтительнее технологии NMOS С другой стороны, NMOS — это металлооксидный полупроводниковый MOS или MOSFET (полевой транзистор металл-оксид-полупроводник).Это два логических семейства, где CMOS использует как PMOS, так и MOS транзисторы для проектирования, а NMOS использует только полевые транзисторы для проектирования.

    Поставщики и ресурсы беспроводной связи RF

    О мире беспроводной связи RF

    Веб-сайт RF Wireless World является домом для поставщиков и ресурсов радиочастотной и беспроводной связи. На сайте представлены статьи, руководства, поставщики, терминология, исходный код (VHDL, Verilog, MATLAB, Labview), тестирование и измерения, калькуляторы, новости, книги, загрузки и многое другое.

    Сайт RF Wireless World охватывает ресурсы по различным темам, таким как RF, беспроводная связь, vsat, спутник, радар, волоконная оптика, микроволновая печь, wimax, wlan, zigbee, LTE, 5G NR, GSM, GPRS, GPS, WCDMA, UMTS, TDSCDMA, Bluetooth, Lightwave RF, z-wave, Интернет вещей (IoT), M2M, Ethernet и т. Д. Эти ресурсы основаны на стандартах IEEE и 3GPP. В нем также есть академический раздел, который охватывает колледжи и университеты по инженерным дисциплинам и MBA.

    Статьи о системах на основе Интернета вещей

    Система обнаружения падений для пожилых людей на основе Интернета вещей : В статье рассматривается архитектура системы обнаружения падений, используемой для пожилых людей.В нем упоминаются преимущества или преимущества системы обнаружения падений Интернета вещей. Узнать больше➤
    Также обратитесь к другим статьям о системах на основе Интернета вещей следующим образом:
    • Система очистки туалетов самолета. • Система измерения столкновений • Система отслеживания скоропортящихся продуктов и овощей • Система помощи водителю • Система умной торговли • Система мониторинга качества воды. • Система Smart Grid • Система умного освещения на базе Zigbee • Умная парковка на базе Zigbee • Система умной парковки на основе LoRaWAN

    RF Статьи о беспроводной связи

    В этом разделе статей представлены статьи о физическом уровне (PHY), уровне MAC, стеке протоколов и сетевой архитектуре на основе WLAN, WiMAX, zigbee, GSM, GPRS, TD-SCDMA, LTE, 5G NR, VSAT, Gigabit Ethernet на основе IEEE / 3GPP и т. Д. .стандарты. Он также охватывает статьи, относящиеся к испытаниям и измерениям, по тестированию на соответствие, используемым для испытаний устройств на соответствие RF / PHY. УКАЗАТЕЛЬ СТАТЬИ ДЛЯ ССЫЛКИ >>.

    Физический уровень 5G NR : Обработка физического уровня для канала 5G NR PDSCH и канала 5G NR PUSCH рассмотрена поэтапно. Это описание физического уровня 5G соответствует спецификациям физического уровня 3GPP. Читать дальше➤

    Основы повторителей и типы повторителей : В нем объясняются функции различных типов ретрансляторов, используемых в беспроводных технологиях.Читать дальше➤

    Основы и типы замирания : В этой статье описываются мелкомасштабные замирания, крупномасштабные замирания, медленные, быстрые и т. Д., Используемые в беспроводной связи. Читать дальше➤

    Архитектура сотового телефона 5G : В этой статье рассматривается блок-схема сотового телефона 5G с внутренними модулями 5G Архитектура сотового телефона. Читать дальше➤

    Основы помех и типы помех: В этой статье рассматриваются помехи в соседнем канале, помехи в совмещенном канале, Электромагнитные помехи, ICI, ISI, световые помехи, звуковые помехи и т. Д.Читать дальше➤

    5G NR Раздел

    В этом разделе рассматриваются функции 5G NR (New Radio), нумерология, диапазоны, архитектура, развертывание, стек протоколов (PHY, MAC, RLC, PDCP, RRC) и т. Д. 5G NR Краткий указатель ссылок >>
    • Мини-слот 5G NR • Часть полосы пропускания 5G NR • 5G NR CORESET • Форматы DCI 5G NR • 5G NR UCI • Форматы слотов 5G NR • IE 5G NR RRC • 5G NR SSB, SS, PBCH • 5G NR PRACH • 5G NR PDCCH • 5G NR PUCCH • Эталонные сигналы 5G NR • 5G NR m-последовательность • Золотая последовательность 5G NR • 5G NR Zadoff Chu Sequence • Физический уровень 5G NR • Уровень MAC 5G NR • Уровень 5G NR RLC • Уровень 5G NR PDCP

    Учебные пособия по беспроводным технологиям

    В этом разделе рассматриваются учебные пособия по радиочастотам и беспроводной связи.Он охватывает учебные пособия по таким темам, как сотовая связь, WLAN (11ac, 11ad), wimax, bluetooth, zigbee, zwave, LTE, DSP, GSM, GPRS, GPS, UMTS, CDMA, UWB, RFID, радар, VSAT, спутник, WLAN, волновод, антенна, фемтосота, тестирование и измерения, IoT и т. Д. См. УКАЗАТЕЛЬ Учебников >>

    Учебное пособие по 5G — В этом учебном пособии по 5G также рассматриваются следующие подтемы по технологии 5G:
    Учебное пособие по основам 5G. Частотные диапазоны руководство по миллиметровым волнам Волновая рама 5G мм Зондирование волнового канала 5G мм 4G против 5G Испытательное оборудование 5G Сетевая архитектура 5G Сетевые интерфейсы 5G NR канальное зондирование Типы каналов 5G FDD против TDD Разделение сети 5G NR Что такое 5G NR Режимы развертывания 5G NR Что такое 5G TF

    В этом руководстве GSM рассматриваются основы GSM, сетевая архитектура, сетевые элементы, системные спецификации, приложения, Типы пакетов GSM, структура или иерархия кадров GSM, логические каналы, физические каналы, Физический уровень GSM или обработка речи, вход в сеть мобильного телефона GSM, установка вызова или процедура включения питания, MO-вызов, MT-вызов, VAMOS, AMR, MSK, модуляция GMSK, физический уровень, стек протоколов, основы работы с мобильным телефоном, Планирование RF, нисходящая линия связи PS-вызовов и восходящая линия связи PS-вызовов.
    ➤Подробнее.

    LTE Tutorial , охватывающий архитектуру системы LTE, охватывающий основы LTE EUTRAN и LTE Evolved Packet Core (EPC). Он обеспечивает связь с обзором системы LTE, радиоинтерфейсом LTE, терминологией LTE, категориями LTE UE, структурой кадра LTE, физическим уровнем LTE, Стек протоколов LTE, каналы LTE (логические, транспортные, физические), пропускная способность LTE, агрегация несущих LTE, передача голоса по LTE, расширенный LTE, Поставщики LTE и LTE vs LTE продвинутые.➤Подробнее.

    RF Technology Stuff

    Эта страница мира беспроводной радиосвязи описывает пошаговое проектирование преобразователя частоты RF на примере преобразователя RF UP от 70 МГц до диапазона C. для микрополосковой платы с использованием дискретных радиочастотных компонентов, а именно. Смесители, гетеродин, MMIC, синтезатор, опорный генератор OCXO, колодки аттенюатора. ➤Подробнее.
    ➤Проектирование и разработка радиочастотного трансивера ➤Конструкция RF-фильтра ➤Система VSAT ➤Типы и основы микрополосковой печати ➤ОсновыWaveguide

    Секция испытаний и измерений

    В этом разделе рассматриваются контрольно-измерительные ресурсы, испытательное и измерительное оборудование для тестирования ИУ на основе Стандарты WLAN, WiMAX, Zigbee, Bluetooth, GSM, UMTS, LTE.ИНДЕКС испытаний и измерений >>
    ➤Система PXI для T&M. ➤ Генерация и анализ сигналов ➤Измерения слоя PHY ➤Тест на соответствие устройства WiMAX ➤ Тест на соответствие Zigbee ➤ Тест на соответствие LTE UE ➤Тест на соответствие TD-SCDMA

    Волоконно-оптическая технология

    Оптоволоконный компонент , основы, включая детектор, оптический соединитель, изолятор, циркулятор, переключатели, усилитель, фильтр, эквалайзер, мультиплексор, разъемы, демультиплексор и т. д.Эти компоненты используются в оптоволоконной связи. Оптические компоненты INDEX >>
    ➤Учебное пособие по оптоволоконной связи ➤APS в SDH ➤SONET основы ➤SDH Каркасная конструкция ➤SONET против SDH

    Поставщики и производители беспроводных радиочастотных устройств

    Сайт RF Wireless World охватывает производителей и поставщиков различных радиочастотных компонентов, систем и подсистем для ярких приложений, см. ИНДЕКС поставщиков >>.

    Поставщики радиочастотных компонентов, включая радиочастотный изолятор, радиочастотный циркулятор, радиочастотный смеситель, радиочастотный усилитель, радиочастотный адаптер, радиочастотный разъем, радиочастотный модулятор, радиочастотный трансивер, PLL, VCO, синтезатор, антенну, генератор, делитель мощности, сумматор мощности, фильтр, аттенюатор, диплексор, дуплексер, микросхема резистора, микросхема конденсатора, индуктор микросхемы, ответвитель, оборудование ЭМС, программное обеспечение для проектирования радиочастот, диэлектрический материал, диод и т. д.Производители радиокомпонентов >>
    ➤Базовая станция LTE ➤RF Циркулятор ➤RF Изолятор ➤Кристаллический осциллятор

    MATLAB, Labview, встроенные исходные коды

    Раздел исходного кода RF Wireless World охватывает коды, связанные с языками программирования MATLAB, VHDL, VERILOG и LABVIEW. Эти коды полезны для новичков в этих языках. ИНДЕКС ИСХОДНОГО КОДА >>
    ➤3-8 декодер кода VHDL ➤Код MATLAB для дескремблера ➤32-битный код ALU Verilog ➤T, D, JK, SR триггеры labview коды


    * Общая информация о здоровье населения *

    Выполните эти пять простых действий, чтобы остановить коронавирус (COVID-19).
    СДЕЛАЙТЕ ПЯТЬ
    1. РУКИ: Мойте их часто.
    2. КОЛЕНО: Закашляйтесь,
    3. ЛИЦО: Не трогай
    4. НОГИ: держитесь на расстоянии более 3 футов (1 м) друг от друга
    5. ЧУВСТВОВАТЬ: Болен? Оставайся дома

    Используйте технологию отслеживания контактов >>, соблюдайте >> рекомендации по социальному дистанцированию и установить систему видеонаблюдения >> чтобы спасти сотни жизней. Использование концепции телемедицины стало очень популярным в таким странам, как США и Китай, чтобы остановить распространение COVID-19, поскольку это заразное заболевание.

    RF Беспроводные калькуляторы и преобразователи

    Раздел «Калькуляторы и преобразователи» охватывает ВЧ-калькуляторы, беспроводные калькуляторы, а также преобразователи единиц измерения. Сюда входят такие беспроводные технологии, как GSM, UMTS, LTE, 5G NR и т. Д. СПРАВОЧНЫЕ КАЛЬКУЛЯТОРЫ Указатель >>.
    ➤ Калькулятор пропускной способности 5G NR ➤5G NR ARFCN против преобразования частоты ➤Калькулятор скорости передачи данных LoRa ➤LTE EARFCN для преобразования частоты ➤Калькулятор антенн Яги ➤ Калькулятор времени выборки 5G NR

    IoT-Интернет вещей Беспроводные технологии

    Раздел IoT охватывает беспроводные технологии Интернета вещей, такие как WLAN, WiMAX, Zigbee, Z-wave, UMTS, LTE, GSM, GPRS, THREAD, EnOcean, LoRa, SIGFOX, WHDI, Ethernet, 6LoWPAN, RF4CE, Bluetooth, Bluetooth Low Power (BLE), NFC, RFID, INSTEON, X10, KNX, ANT +, Wavenis, Dash7, HomePlug и другие.Он также охватывает датчики Интернета вещей, компоненты Интернета вещей и компании Интернета вещей.
    См. Главную страницу IoT >> и следующие ссылки.
    ➤ НИТЬ ➤EnOcean ➤Учебник по LoRa ➤Учебник по SIGFOX ➤WHDI ➤6LoWPAN ➤Zigbee RF4CE ➤NFC ➤Lonworks ➤CEBus ➤UPB



    СВЯЗАННЫЕ ЗАПИСИ


    RF Wireless Учебники



    Различные типы датчиков


    Поделиться страницей

    Перевести страницу

    Что такое полевой МОП-транзистор? PANJIT Technology Applications for Engineers

    MOSFET (Металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор) представляет собой полупроводниковое устройство, которое широко используется для переключения и усиления электронных сигналов в электронных устройствах.MOSFET — это все о напряжении. MOSFET — это ядро ​​интегральной схемы, и из-за очень малых размеров он может быть спроектирован и изготовлен в виде единого кристалла. МОП-транзистор представляет собой четырехконтактное устройство с выводами истока (S), затвора (G), стока (D) и корпуса (B). Корпус полевого МОП-транзистора часто подключается к выводу истока, что делает его трехконтактным устройством, таким как полевой транзистор. MOSFET — это наиболее распространенный транзистор, который может использоваться как в аналоговых, так и в цифровых схемах.

    Вот подробное объяснение того, что такое полевые МОП-транзисторы и как их использовать:

    PANJIT предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов в различных конфигурациях схем и корпусах, отличающихся высокой скоростью, высокими характеристиками, низким сопротивлением и небольшой упаковкой. что позволяет проектировщику выбрать оптимизированное устройство для терминального приложения. МОП-транзисторы являются важным устройством, используемым в различных областях и приложениях, например, ноутбуках, планшетах, мониторах, материнских платах, телефонных трубках и т. Д.

    Каждое из приложений МОП-транзисторов имеет различные характеристики, соответствующие конструкции схемы.Кроме того, PANJIT также разделил полевые МОП-транзисторы на 3 категории, полевые МОП-транзисторы низкого напряжения, полевые МОП-транзисторы среднего напряжения и полевые МОП-транзисторы мощности соответственно, которые обеспечивают широкий спектр корпусов и различные усовершенствованные структуры для удовлетворения рыночного спроса. Чтобы уменьшить RDS (ON) и заряд затвора, PANJIT занимается не только усовершенствованной конструкцией ячеек высокой плотности, но и структурой траншеи на устройствах. Таким образом, при применении устройств на преобразователе постоянного тока в постоянный с синхронным выпрямлением потери на рассеяние мощности и переключение ниже, чем обычно.

    Характеристики:

    • Высокоскоростное переключение
    • Низкое RDS (ВКЛ)
    • Маленький размер
    • Передовая технология Trench

    Приложения:

    • ПК и планшет
    • Материнская плата
    • Монитор
    • Связь
    • Освещение

    PANJIT разрабатывает серию низковольтных полевых МОП-транзисторов в различных корпусах; BVDSS20V ~ 50V подходит для ноутбуков, планшетных ПК, материнских плат и других продуктов 3C; За счет сочетания пластин с канавкой и технологии упаковки продукт может обеспечить низкое сопротивление при открытии и улучшить характеристики продукта.

    Магазин низковольтных МОП-транзисторов PANJIT

    здесь: PJA34, PJS64, PJS68, PJC74, PJE84, PJQ19

    МОП-транзисторы среднего напряжения PANJIT имеют BVDSS 60 ~ 200 В и используют технологию траншеи для улучшения характеристик продукта; MOSFET среднего напряжения часто используется для схем синхронного выпрямления и в основном используется в потребительских электронных продуктах, таких как источники питания, телекоммуникационные системы питания.

    Магазин для полевых МОП-транзисторов среднего напряжения PANJIT

    здесь: PJD, PJQ54, PJL94, PJW

    Помимо использования передового проектирования высокопроизводительной сотовой плотности, продукты PANJIT Power MOSFET имеют более низкие потери проводимости и коммутационные потери.

    BVDSS 400 ~ 1000V может использоваться для питания AC-DC в зарядных устройствах, бытовой технике, промышленном оборудовании и разнообразном светодиодном осветительном оборудовании; кроме того, чтобы гарантировать производительность продукта, PANJIT на 100% протестировал Avalanche Energy.

    alexxlab

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *