Транзистор C4106: характеристики, datasheet и аналоги

Все технические характеристики на транзистор C4106 в этом тексте взяты из официальных datasheet (их мы прикрепили в конце статьи). Данное устройство отличается от своих «собратьев» высокой скоростью переключения и хорошей надёжностью. Его проектировали для использования в регулирующих устройствах. Он имеет структуру n-p-n.

Цоколевка

Производят транзистор в корпусе ТО-220С в нем и будет рассматривать его цоколевку. Выводы расположены в таком порядке:

• слева расположена база,
• средний вывод – это коллектор,
• самая правая ножка – это эмиттер.

Часто при нанесении маркировки, первые два символа (стоящую на первом месте цифру и следующую за ней букву) не печатают и остаётся надпись вместо 2SC4106 просто C4106. Внешний вид и расположение ножек показано на рисунке.

Технические характеристики

Начнём знакомство с возможностями C4106 с его максимально допустимых характеристик.

При проектировании новых устройств и подборе замены нужно для начала обратить пристальное внимание именно на эти параметры, так как их превышение приведёт к выходу транзистора из строя. Для рассматриваемого транзистора они равны:

• напряжение К — Б при открытом эмиттере V_CBO (U_{кб max}) – 500 В;
• напряжение К – Э при открытой базе V_CEO (U_{кэ max}) –400 В;
• напряжение Э — Б при открытом коллекторе V_EBO (U_{эб max}) – 7 В;
• ток коллектора I_C (I_{к max}) –7 А;
• импульсный ток коллектора I
  CИ (I_{K max}) – 14 А;
• ток через базу I_В (I_{Б max}) – 3 А;
• максимальная мощность на коллекторе Р_С (Р_{к max})
  • без теплоотвода – 1,75 Вт;
  • с теплоотводом – 50 Вт;
• т-ра кристалла – 150^ОС;
• диапазон температур, при которых изделие может сберегаться T_stg – 55 … 150^ОС.

От электрических параметров также зависят возможности, а значит и сфера применения 2SC4106. Они измеряются при температуре +25

ОС. На результаты тестирования влияют также другие параметры, их можно найти в таблице, расположенной в специальной колонке.

Электрические характеристики транзистора C4106 (при Т = +25 оC)
Параметры	Режимы измерения	Обозн.	min	typ	max	Ед. изм
Пробивное напряжение К — Б	IC = 1 мA, IЕ = 0	V(BR)CВO	500			В
Пробивное напряжение К — Э	IC=5 мA, RВE= ∞	V(BR)CEО	400			В
Пробивное напряжение эмиттер-база	IE= 1 мA, IC= 0	V(BR)EBO	7			В
Напряжение насыщения К — Э	IC= 4A; IB= 0. 8A	VCE(sat)			0,8	В
Напряжение насыщения Б — Э	IC= 4A; IB= 0.8A	VВE(sat)			1,5	В
Обратный ток коллектора	VCВО= 400 В, IЕ = 0	ICВO			10	мА
Обратный ток эмиттера	VЕВ= 5 В, IС = 0	IEBO			10	мА
Статический коэффициент передачи тока	IC= 0.8A; VCE= 5В	hFE1	15		50
	IC= 4 A; VCE= 5В	hFE2	10
	IC=10mA VCE= 5В	hFE3	10
Граничная частота коэффициента передачи тока	VCE=5В, IC= 10 мA,	fT		20		МГц
Выходная емкость	IE= 0 А, VCB=10 В, f=1 мГц	Сob		80		пФ
Время включения	IC=5A, IB1=1A; VCC=200 В, IB2=-2A; RL = 40 Ом				0,5	мс
Время удержания					2,5	мс
Время выключения					0,3	мс

Компании делят транзисторы C4106 на три группы в зависимости от величины к-та усиления в схеме с ОЭ.

• L от 15 до 30;
• M от 20 до 40;
• N от 30 до 50.

Аналоги

В некоторых случаях C4106 можно попробовать заменить на менее уступающий ему по мощности BUL128. Однако, следует учитывать, что они имеют разные параметры, например, допустимый ток коллектора BUL128 меньше. Также возможна замена на: 2SC4161, MJE13007, 2SC4107. При этом требуется обязательно проверить технические характеристики. В качестве комплементарной пары можно использовать 2SA1579.

Производители

Ниже в списке приведены все datasheet от C4106 и компании которые его выпускают:

• Sanyo Semicon Device;
• Inchange Semiconductor Company;
• Shenzhen SPTECH Microelectronics;
• Savantic.

В российских магазинах можно приобрести продукцию следующих компаний:

• Inchange Semiconductor;
• Shenzhen SPTECH Microelectronics.

NPN

Hoja de datos ( техническое описание в формате PDF ) электронных компонентов

Номер пьезы	Описание	Фабрикантес	ПДФ
10Б20Ф	Диод (спецификация)	Американ Микрополупроводник	ПДФ
10Б30Ф	Диод (спецификация)	Американ Микрополупроводник	PDF
10Б40Ф	Диод (спецификация)	Американ Микрополупроводник	ПДФ
10B50F	Диод (спецификация)	Американ Микрополупроводник	ПДФ
10B60F	Диод (спецификация)	Американ Микрополупроводник	ПДФ
10F20	Диод (спецификация)	Американ Микрополупроводник	ПДФ
10F30	Диод (спецификация)	Американ Микрополупроводник	ПДФ
10F40	Диод (спецификация)	Американ Микрополупроводник	ПДФ
10F50	Диод (спецификация)	Американский микрополупроводник	ПДФ
10S3F	Диод (спецификация)	Американ Микрополупроводник	ПДФ
10S4F	Диод (спецификация)	Американ Микрополупроводник	ПДФ
10S5F	Диод (спецификация)	Американ Микрополупроводник	ПДФ
10S6F	Диод (спецификация)	Американ Микрополупроводник	ПДФ
10S7F	Диод (спецификация)	Американ Микрополупроводник	ПДФ
Una ficha técnica, hoja técnica u hoja de datos (datasheet на английском языке), también ficha de características u hoja de características, es un documento que резюме el funcionamiento y otras caracteristicas de un componente (por ejemplo, un componente electronico) o subsistema por ejemplo, una fuente de alimentación) con el suficiente detalle para ser utilizado por un ingeniero de diseño y diseñar el componente en un sistema. alexxlab Добавить комментарий Отменить ответ Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены * Комментарий * Имя * Email * Сайт Рубрики Прост Радио Разное Своими руками Советы Схем Схемы Транзист Транзисторы Электрон Электроника