Преобразовать кгс·м в Н·м (килограмм-сила-метр в ньютон-метр)

Категории измерений:Абсолютное термическое сопротивлениеАктивность катализатораБайт / Битвес ткани (текстиль)ВремяВыбросы CO2Громкость звукаДавлениеДинамическая вязкостьДлина / РасстояниеЁмкостьИмпульсИндуктивностьИнтенсивность светаКаталитическая концентрацияКинематическая вязкостьКоличество веществаКоэффициент водопоглощениякоэффициент теплопередачи (U-value)Кулинария / РецептыЛинейная плотность зарядаМагнитная проницаемостьМагнитный дипольный моментМагнитный потокмагнитодвижущая силаМасса / ВесМассовый расходМолярная концентрацияМолярная массаМолярная поверхностная концентрацияМолярная теплоёмкостьМолярная энергияМолярный объемМомент импульсаМомент инерцииМомент силыМощностьМощностью эквивалентной дозыМузыкальный интервалНапряжённость магнитного поляНапряжённость электрического поляНефтяной эквивалентОбъёмОбъёмная плотность зарядаОбъёмная теплоёмкостьОбъёмный расход жидкостиОбъемный тепловой потокОсвещенностьПлоский уголПлотностьПлотность магнитного потокаПлотность световой энергииПлотность электрического токаПлотность энергииПлощадьПоверхностная плотность зарядаПоверхностная энергияПоверхностное натяжениеПоглощённая дозаПриставки СИпроизведение дозы на длинупроизведения дозы на площадьПроизводительность компьютера (флопс)Производительность компьютера (IPS)ПроницаемостьРадиоактивностьРазмер шрифта (CSS)Световая отдачаСветовая экспозицияСветовая энергияСветовой потокСилаСила излучения (фотометрия)Системы исчисленияСкоростьСкорость вращенияСкорость передачи данныхСкорость утечкиСопротивление теплопередаче (значение R)Спектральная плотность мощностиСпектральная плотность потокаСпектральная энергетическая яркостьТекстильные измеренияТелесный уголТемператураТемпературный градиентТепловой потокТеплоемкостьТеплопроводностьТермическое проводимостиУгловое ускорениеУдельная теплоёмкостьУдельная электропроводностьУдельная энергияУдельное термическое сопротивлениеУдельное электрическое сопротивлениеУдельный объёмУскорениеЧастей в . ..ЧастотаЭквивалентная дозаЭкспозиционная дозаЭлектрическая эластичностьЭлектрический дипольный моментЭлектрический зарядЭлектрический токЭлектрическое напряжениеЭлектрическое сопротивлениеЭлектрической проводимостиЭнергетическая яркостьЭнергияЯркостьFuel consumption   

Изначальное значение:

Изначальная единица измерения:Дж/раддина-метр [dynm]дина-сантиметр [dyncm]дюйм-унция [inoz]килограмм-сила-метр [кгс·м]килограмм-сила-сантиметр [кгс·см]килоньютон-метр [кН·м]килопонд-метр [kpm]меганьютон-метр [МН·м]метр-килограмм [mkg]микроньютон-метр [мкН·м]миллиньютон-метр [мН·м]наноньютон-метр [нН·м]ньютон-метр [Н·м]пиконьютон-метр [пН·м]понд-метрунция-дюйм [ozin]унция-фут [ozft]фунт-дюйм [lbin]фунт-сила-дюйм [inlbf]фунт-сила-фут [ftlbf]фунт-фут [lbft]фут-паундаль [ftpdl]фут-унция-сила [ftozf]

Требуемая единица измерения:Дж/раддина-метр [dynm]дина-сантиметр [dyncm]дюйм-унция [inoz]килограмм-сила-метр [кгс·м]килограмм-сила-сантиметр [кгс·см]килоньютон-метр [кН·м]килопонд-метр [kpm]меганьютон-метр [МН·м]метр-килограмм [mkg]микроньютон-метр [мкН·м]миллиньютон-метр [мН·м]наноньютон-метр [нН·м]ньютон-метр [Н·м]пиконьютон-метр [пН·м]понд-метрунция-дюйм [ozin]унция-фут [ozft]фунт-дюйм [lbin]фунт-сила-дюйм [inlbf]фунт-сила-фут [ftlbf]фунт-фут [lbft]фут-паундаль [ftpdl]фут-унция-сила [ftozf]

  Числа в научной записи

Прямая ссылка на этот калькулятор:
https://www. ), квадратный корень (√), скобки и π (число пи), уже поддерживаются на настоящий момент.

Из списка выберите единицу измерения переводимой величины, в данном случае ‘килограмм-сила-метр [кгс·м]’.

И, наконец, выберите единицу измерения, в которую вы хотите перевести величину, в данном случае ‘ньютон-метр [Н·м]’.

После отображения результата операции и всякий раз, когда это уместно, появляется опция округления результата до определенного количества знаков после запятой.

С помощью этого калькулятора можно ввести значение для конвертации вместе с исходной единицей измерения, например, ‘443 килограмм-сила-метр’. При этом можно использовать либо полное название единицы измерения, либо ее аббревиатуруНапример, ‘килограмм-сила-метр’ или ‘кгс·м’. После ввода единицы измерения, которую требуется преобразовать, калькулятор определяет ее категорию, в данном случае ‘Момент силы’. После этого он преобразует введенное значение во все соответствующие единицы измерения, которые ему известны. В списке результатов вы, несомненно, найдете нужное вам преобразованное значение. Как вариант, преобразуемое значение можно ввести следующим образом: ’50 кгс·м в Н·м‘ или ’14 кгс·м сколько Н·м‘ или ’59 килограмм-сила-метр -> ньютон-метр‘ или ’66 кгс·м = Н·м‘ или ’63 килограмм-сила-метр в Н·м‘ или ’85 кгс·м в ньютон-метр‘ или ’81 килограмм-сила-метр сколько ньютон-метр‘. В этом случае калькулятор также сразу поймет, в какую единицу измерения нужно преобразовать исходное значение. Независимо от того, какой из этих вариантов используется, исключается необходимость сложного поиска нужного значения в длинных списках выбора с бесчисленными категориями и бесчисленным количеством поддерживаемых единиц измерения. Все это за нас делает калькулятор, который справляется со своей задачей за доли секунды.

Кроме того, калькулятор позволяет использовать математические формулы. 3′. Объединенные таким образом единицы измерения, естественно, должны соответствовать друг другу и иметь смысл в заданной комбинации.

Если поставить флажок рядом с опцией ‘Числа в научной записи’, то ответ будет представлен в виде экспоненциальной функции. Например, 8,099 999 926 29×1022. В этой форме представление числа разделяется на экспоненту, здесь 22, и фактическое число, здесь 8,099 999 926 29. В устройствах, которые обладают ограниченными возможностями отображения чисел (например, карманные калькуляторы), также используется способ записи чисел 8,099 999 926 29E+22. В частности, он упрощает просмотр очень больших и очень маленьких чисел. Если в этой ячейке не установлен флажок, то результат отображается с использованием обычного способа записи чисел. В приведенном выше примере он будет выглядеть следующим образом: 80 999 999 262 900 000 000 000. Независимо от представления результата, максимальная точность этого калькулятора равна 14 знакам после запятой. Такой точности должно хватить для большинства целей.

Закон Гука, сила упругости — определение, формулы

Покажем, как применять знание физики в жизни

Начать учиться

219.8K

Если вы возьмете резиновый шарик и шар из камня и начнете кидать в стену (скучный день выдался, мало ли) — заметите, что они отталкиваются совершенно по-разному. Про силу упругости, которая объясняет этот процесс — в этой статье.

Сила: что это за величина

В повседневной жизни мы часто встречаем, как любое тело деформируется (меняет форму или размер), ускоряется или замедляется, падает. В общем, чего только с разными телами в реальной жизни не происходит. Причиной любого действия или взаимодействия является сила.

Сила — это физическая векторная величина, которая является мерой действия одного тела на другое.

Она измеряется в ньютонах — это единица измерения названа в честь Исаака Ньютона.

Сила — величина векторная. Это значит, что, помимо модуля, у нее есть направление. От того, куда направлена сила, зависит результат действия этой силы.

Вот стоите вы на лонгборде: можете оттолкнуться вправо, а можете влево — в зависимости от того, в какую сторону оттолкнетесь, результат будет разный. В данном случае результат выражается в направлении движения.

Узнай, какие профессии будущего тебе подойдут

Пройди тест — и мы покажем, кем ты можешь стать, а ещё пришлём подробный гайд, как реализовать себя уже сейчас

Деформация

Деформация — это изменение формы и размеров тела (или части тела) под действием внешних сил

Происходит деформация из-за различных факторов: при изменении температуры, влажности, фазовых превращениях и других воздействиях, вызывающих изменение положения частиц тела.

На появление того или иного

вида деформации большое влияние оказывает характер приложенных к телу сил. Одни процессы деформации связаны с преимущественно перпендикулярно (нормально) приложенной силой, а другие — преимущественно с силой, приложенной по касательной.

По характеру приложенной к телу нагрузки виды деформации подразделяют следующим образом:

• Деформация растяжения

• Деформация сжатия

• Деформация сдвига

• Деформация при кручении

• Деформация при изгибе

Сила упругости: Закон Гука

Давайте займемся баскетболом. Начнем набивать мяч о пол, он будет чудесно отскакивать. Этот удар можно назвать упругим. Если при ударе деформации не будет совсем, то он будет называться абсолютно упругим.

Если вы перепутали мяч и взяли пластилиновый, он деформируется при ударе и не оттолкнется от пола. Такой удар будет называться

абсолютно неупругим.

Деформацию тоже можно назвать упругой (при которой тело стремится вернуть свою форму и размер в изначальное состояние) и неупругой (когда тело не может вернуться в исходное состояние).

При деформации возникает сила упругости— это та сила, которая стремится вернуть тело в исходное состояние, в котором оно было до деформации.

Сила упругости, возникающая при упругой деформации растяжения или сжатия тела, пропорциональна абсолютному значению изменения длины тела. Выражение, описывающее эту закономерность, называется законом Гука.

Какой буквой обозначается сила упругости?

Закон Гука —сила упругости [Н] k — коэффициент жесткости [Н/м] х — изменение длины (деформация) [м]

Важно раз

Изменение длины может обозначаться по-разному в различных источниках.

Варианты обозначений: x, ∆x, ∆l.

Это равноценные обозначения — можно использовать любое удобное.

Важно два

Поскольку сила упругости всегда направлена против деформации (она же стремится все «распрямить»), в Законе Гука должен быть знак минус. Часто его и можно встретить в разных учебниках. Но поскольку мы учитываем направление этой силы при решении задач, знак минус можно не ставить.

Задачка

На сколько удлинится рыболовная леска жесткостью 0,3 кН/м при равномерном (без ускорения) поднятии вверх рыбы весом 300 г?

Решение:

Сначала определим силу тяжести. Не забываем массу представить в единицах СИ – килограммах.

СИ — международная система единиц.

«Перевести в СИ» означает перевод всех величин в метры, килограммы, секунды и другие единицы измерения без приставок. Исключение составляет килограмм с приставкой «кило».

m = 300 г = 0,3 кг

Если принять ускорение свободного падения равным 10 м/с*с, то модуль силы тяжести равен :

F = mg = 0,3*10 = 3 Н.

Вспомним закон Гука:

И выразим из него модуль удлинения лески:

Так как одна сила уравновешивает другую, мы можем их приравнять:

Подставим числа, жесткость лески при этом выражаем в ньютонах:

= 0,01 м = 1 см

Ответ: удлинение лески равно 1 см.

Параллельное и последовательное соединение пружин

В Законе Гука есть такая величина, как

коэффициент жесткости— это характеристика тела, которая показывает его способность сопротивляться деформации. Чем больше коэффициент жесткости, тем больше эта способность, а как следствие из Закона Гука — и сила упругости.

Чаще всего эта характеристика используется для описания жесткости пружины. Но если мы соединим несколько пружин, то их суммарная жесткость нужно будет рассчитать. Разберемся, каким же образом.

Последовательное соединение системы пружин

Последовательное соединение характерно наличием одной точки соединения пружин.

При последовательном соединении общая жесткость системы уменьшается. Формула для расчета коэффициента упругости будет иметь следующий вид:

Коэффициент жесткости при последовательном соединении пружин k — общая жесткость системы [Н/м] k1, k2, …, ki — отдельные жесткости каждого элемента [Н/м] i — общее количество всех пружин, задействованных в системе [-]

Параллельное соединение системы пружин

Последовательное соединение характерно наличием двух точек соединения пружин.

В случае когда пружины соединены параллельно величина общего коэффициента жесткости системы будет увеличиваться. Формула для расчета будет выглядеть так:

Коэффициент жесткости при параллельном соединении пружин k — общая жесткость системы [Н/м] k1, k2, …, ki — отдельные жесткости каждого элемента [Н/м] i — общее количество всех пружин, задействованных в системе [-]

Задачка

Какова жесткость системы из двух пружин, жесткости которых k₁ = 100 Н/м, k₂ = 200 Н/м, соединенных: а) параллельно; б) последовательно?

Решение:

а) Рассмотрим параллельное соединение пружин.

При параллельном соединении пружин общая жесткость

k = k₁ + k₂ = 100 + 200 = 300 Н/м

б) Рассмотрим последовательное соединение пружин.

При последовательном соединении общая жесткость двух пружин

66,7 Н/м

Очень-очень важно!

Не забудь при расчете жесткости при последовательном соединении в конце перевернуть дробь.

График зависимости силы упругости от жесткости

Закон Гука можно представить в виде графика. Это график зависимости силы упругости от изменения длины и по нему очень удобно можно рассчитать коэффициент жесткости. Давай рассмотрим на примере задач.

Задачка 1

Определите по графику коэффициент жесткости тела.

Решение:

Из Закона Гука выразим коэффициент жесткости тела:

F = kx

Снимем значения с графика. Важно выбрать одну точку на графике и записать для нее значения обеих величин.

Например, возьмем вот эту точку.

В ней удлинение равно 2 см, а сила упругости 2 Н.

Переведем сантиметры в метры:

2 см = 0,02 м

И подставим в формулу:

=100 Н/м

Ответ:жесткость пружины равна 100 Н/м

Онлайн-уроки физики в Skysmart не менее увлекательны, чем наши статьи!

Задачка 2

На рисунке представлены графики зависимости удлинения от модуля приложенной силы для стальной (1) и медной (2) проволок равной длины и диаметра. Сравнить жесткости проволок.

Решение:

Возьмем точки на графиках, у которых будет одинаковая сила, но разное удлинение.

Мы видим, что при одинаковой силе удлинение 2 проволоки (медной) больше, чем 1 (стальной). Если выразить из Закона Гука жесткость, то можно увидеть, что она обратно пропорциональна удлинению.

Значит жесткость стальной проволоки больше.

Ответ: жесткость стальной проволоки больше медной.

---

---

Карина Хачатурян

К предыдущей статье

215.6K

Закон электромагнитной индукции

К следующей статье

102.1K

Момент силы

Получите индивидуальный план обучения физике на бесплатном вводном уроке

На вводном уроке с методистом

1. Выявим пробелы в знаниях и дадим советы по обучению

2. Расскажем, как проходят занятия

3. Подберём курс

Представляем первый в мире 2-нм узловой чип

Технология нанолистов второго поколения IBM Research проложила путь к 2-нм узлу, изготовленному на 300-мм пластине.

Кажется, индустрия высоких технологий всегда гонялась за идеалом аппаратного обеспечения, которое было бы быстрее, дешевле, компактнее и энергоэффективнее. Каждый раз, когда мы выпускаем более мощный чип в меньшем корпусе, целевые стойки перемещаются, и мы с нетерпением ждем следующей итерации. Тем не менее, стоит остановиться, чтобы поразмыслить над действительно важными вехами — как появились эти инновации и что они значат для устройств следующего поколения.

Пластина 2 нм.

Сегодняшнее объявление связано не только с тем, что наша новая архитектура нанолистовых устройств Gate-All-Around (GAA) позволяет нам разместить 50 миллиардов транзисторов на пространстве размером примерно с ноготь. Дело не только в том, что технология нанолистов второго поколения IBM Research проложила путь к 2-нанометровому (нм) узлу. Или что мы создали эту революционную технологию на 300-миллиметровой пластине, построенной в исследовательском центре полупроводников IBM Research в Олбани, штат Нью-Йорк.

Конечно, все это. Но наша демонстрация нанолистового транзистора для узла 2-нм чипа также является подтверждением нескольких более мелких вех, которые доказали нам, что это возможно, а также тяжелой работы и самоотверженности междисциплинарной группы экспертов IBM в области материалов, литографии, интеграции, устройства, характеристика и моделирование работы над проектом.

Ряд нанолистовых устройств толщиной 2 нм, вид с помощью просвечивающей электронной микроскопии. 2 нм меньше, чем ширина одной цепи ДНК человека.

Путь к 2 нм

Мы впервые придумали название «Нанолист» летом 2012 года для описания новой архитектуры устройства, над которой мы работали в то время. Идея состояла в том, чтобы разработать листовую структуру, в отличие от структуры нанопроволоки, которую мы использовали. Это было «Ага!» В тот момент мы считали, что недавно названная архитектура нанолистов сможет предложить электростатические преимущества нанопроволоки, а также плотность, необходимую для повышения производительности. Только благодаря такому сочетанию функций IBM Research смогла разработать транзисторную архитектуру, превосходящую FinFET, доминирующую структуру транзисторов в то время.

Эта вторая итерация нашей архитектуры нанолистовых транзисторов включает в себя новый тип горизонтальной конструкции чипа GAA. Четыре «затвора» на транзисторе позволяют превосходным электрическим сигналам проходить через другие транзисторы чипа и между ними.

Транзистор 2 нм в нанолистовой структуре.

Еще одно «Ага!» Момент на пути к 2 нм наступил в 2017 году, когда мы представили нанолист, когда мы поняли, что внутренний разделительный модуль в архитектуре транзистора может быть ключевым фактором, обеспечивающим производительность нанолиста за счет уменьшения емкости затвор-исток-сток. Внутренние прокладки являются важными конструктивными элементами, поскольку они определяют эффективную длину затвора устройств GAA. В 2019 году, команда разработала новый процесс внутренней прокладки в сотрудничестве с компаниями-партнерами, используя метод сухого вдавливания. Это позволяет достичь контроля процесса менее 1 нм наряду с улучшенным профилем внутренней прокладки.

Объединив этот новый процесс сухой внутренней прокладки с первой в отрасли нижней диэлектрической изоляцией, мы смогли создать длину затвора 12 нм, что составляет всего два десятка атомов. Некоторые преимущества схемы полной диэлектрической изоляции дна заключаются в том, что она может уменьшить утечку подканала, обеспечить устойчивость к изменениям процесса и улучшить характеристики мощности.

Важно отметить, что недавние достижения в области размеров транзисторов, такие как узлы 10 нм, 7 нм, 5 нм, а теперь и 2 нм, относятся к определенному поколению микросхем, изготовленных с использованием определенного типа процесса производства полупроводников, значительно например, 5G относится к новейшему стандарту беспроводной связи. В этом случае, например, 2 нм не соответствуют половинному шагу контактируемых металлических проводов в традиционном понимании. Как правило, меньший технологический узел производит меньшие по размеру транзисторы, большее количество которых можно упаковать в микросхему, чтобы сделать ее более быстрой и энергоэффективной.

Исследователи IBM также впервые разработали нанолистовые устройства шириной от 15 до 70 нм с использованием литографии в крайнем ультрафиолете (EUV), которая создает линии меньшего размера, чем видимый свет, на переднем конце линии (FEOL). FEOL — это первая часть производства интегральных схем, в которой транзисторы и другие компоненты встраиваются в полупроводник. Мы первая исследовательская организация, рассказавшая о внедрении EUV в FEOL. Лаборатория IBM Research в Олбани оснащена одним из самых передовых инструментов литографии EUV в отрасли. Возможность более точного управления шириной нанолиста значительно упрощает размещение маломощных и высокопроизводительных конструкций на одном чипе.

Еще одним важным достижением в первом 2-нм транзисторе является наша разработка нового устройства с многопороговым напряжением (Multi-Vt) с уровнями утечки, охватывающими три порядка величины. Это позволяет производителям устройств лучше выбирать уровень производительности, требуемый базовой архитектурой чипа.

Почему 2 нм имеет значение

В перспективе 2-нм процессоры, используемые в сотовых телефонах, могут в четыре раза увеличить время автономной работы мобильных телефонов с 7-нм процессорной технологией, таких как iPhone 11, Samsung Galaxy S10 и Google Pixel 5. На основе при среднем использовании это означает, что телефон нужно заряжать только раз в четыре дня.

Масштабирование до 2-нанометрового транзисторного узла чипа означает примерно 45-процентное повышение производительности по сравнению с современными 7-нм чипами при потреблении того же количества энергии. Это примерно 75-процентная экономия энергии при том же уровне производительности. Такое сочетание мощности и производительности необходимо для ускорения разработки и предоставления передовых когнитивных, граничных и других вычислительных платформ, предоставляемых через гибридные облачные среды, а также ускорителей шифрования, созданных для работы с квантовыми компьютерами.

IBM Research продолжает изучать варианты дальнейшего масштабирования до 1 нм и выше. Преодоление таких барьеров имеет решающее значение для того, чтобы позволить IBM продолжать поставлять оборудование, на которое полагаются предприятия, внедряя новейшие, самые передовые технологии искусственного интеллекта и гибридных облачных технологий.

Несмотря на то, что до производства узловых устройств с 2-нм техпроцессом еще несколько лет, инновации IBM Research напрямую учитываются в нашей дорожной карте коммерческих продуктов. Наш первый серийный 7-нм процессор, основанный на прорыве IBM Research 2015 года, дебютирует в конце этого года, например, в процессоре IBM POWER10. В перспективе наше лидерство в области инноваций в области полупроводников может позволить поставщикам облачных услуг или другим крупным операторам центров обработки данных снизить затраты на электроэнергию и выбросы углекислого газа за счет использования меньшего количества серверов для выполнения того же объема работы.

TSMC утверждает, что все еще находится на пути к выпуску 2-нм чипов в 2025 году.

его 3-нм портфолио включает узлы, оптимизированные для высокопроизводительных вычислений (HPC), и еще один, предназначенный для автомобильных приложений.

Компания продемонстрировала свои последние технологические разработки на Североамериканском технологическом симпозиуме 2023 года в Санта-Кларе, вскоре после того, как в финансовых результатах за первый квартал было сообщено о первом снижении выручки за четыре года.

На прошлогоднем симпозиуме компания TSMC раскрыла ранние подробности о своем 2-нм узле следующего поколения N2, в том числе о том, что она переключится на архитектуру нанолистовых транзисторов, в которой несколько сложенных друг на друга слоев кремния полностью окружены материалом затвора транзистора, вместо нынешнего FinFET. конструкции.

Компания заявила, что добилась «значительного прогресса» как в производительности, так и в производительности кремния N2 и ожидает, что он обеспечит повышение плотности более чем в 1,15 раза по сравнению с усовершенствованным узлом N3E, который должен выйти в массовое производство в этом году. . Также ожидается, что он обеспечит 15-процентное повышение скорости по сравнению с N3E при той же мощности или до 30-процентного снижения мощности при той же скорости, когда он будет запущен в производство в 2025 году.

Теперь, когда 3-нм техпроцесс N3 находится в массовом производстве, а также ожидается выпуск улучшенной версии N3E, TSMC подробно рассказала о дополнительных 3-нм узлах, которые она планирует запустить в производство.

Эта расширенная линейка будет включать в себя N3P, который, по утверждению TSMC, обеспечивает на 5% больше скорости, чем N3E, при том же токе утечки или снижение мощности на 5-10% при той же скорости, а также небольшое увеличение плотности. Он должен быть запущен в производство во второй половине 2024 года.

Узел N3X будет отдавать приоритет производительности и максимальным тактовым частотам для приложений HPC и, как ожидается, добавит еще 5 процентов скорости по сравнению с N3P, но с такой же улучшенной плотностью чипов, как у N3P, и будет запущен в серийное производство в 2025 году.

• TSMC инвестирует бонус в размере 3,5 млрд долларов в заводы по производству чипов в Аризоне
• После долгих задержек прибывает Сапфир-Рапидс, полный ускорителей и превосходных степеней
• Небинарная память DDR5 наконец-то спасет ваш кошелек
• Дяде Сэму нужна новая память для ядерных симуляторов. Так почему же он выбрал Intel?

Еще одна часть 3-нанометрового портфолио, N3AE или «Auto Early», позволяет клиентам, ориентированным на автомобильный рынок, запускать в этом году разработки на 3-нанометровом узле, сообщила TSMC, в преддверии процесса N3A, полностью сертифицированного для автомобилей, который появится в 2025 году.

TSMC — не единственный производитель полупроводников, стремящийся к 2025 году внедрить в производство технологию 2 нм. Samsung, которая опередила TSMC и стала первой с 3-нанометровым техпроцессом, в прошлом году объявила, что к 2025 году планирует начать массовое производство 2-нанометровых чипов, а к 2027 году — 1,4-нанометрового кремния9.