Site Loader

Транзистор 1Т403 (А, Б, В, Г, Д, Ж, Е, И)

Транзисторы

30.06.2019

Arazbor

Транзистор 1Т403 (А, Б, В, Г, Д, Ж, Е, И)
Справочник содержания драгоценных металлов в радиодеталях основанный на справочных данных различных организаций занимающихся переработкой лома радиодеталей, паспортах устройств, формулярах и других открытых источников. Стоит отметить, что реальное содержание может отличатся на 20-30% в меньшую сторону.

Радиодетали могут содержать золото, серебро, платину и МПГ (Металлы платиновой группы, Платиновая группа, Платиновые металлы, Платиноиды, ЭПГ)

Содержание драгоценных металлов в транзисторе: 1Т403 (А, Б, В, Г, Д, Ж, Е, И)

Золото: 0
Серебро: 0.0012
Платина: 0
МПГ: 0.028
По данным: Справочник по драгоценным металлам ПРИКАЗ №70

Транзистор, полупроводниковый триод — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.

Типы транзисторов

Существует два основных типа транзисторов: биполярные и полевые.

1. Биполярные транзисторы. Они являются, вероятно, более распространенным типом (именно о них, например, шла речь в предыдущих разделах этой главы). В базу такого транзистора подается небольшой ток, а он, в свою очередь, управляет количеством тока, протекающего между коллектором и эмиттером.
2. Полевые транзисторы. Имеют три вывода, но они называются затвор (вместо базы у биполярного), сток (вместо коллектора) и исток (вместо эмиттера). Аналогично воздействие на затвор транзистора (но на этот раз не тока, а напряжения) управляет током между стоком и истоком. Полевые транзисторы также имеют разную полярность: они бывают N-канальные (аналог NPN-биполярного транзистора) и Р-канальные (аналог PNP).

Маркировка транзисторов СССР

Обозначение транзисторов до 1964 года
Первый элемент обозначения — буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно, транзистором. Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами — МП, буква М означала модернизацию. Второй элемент обозначения — одно, двух или трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной(или предельной) частоты.
От 1 до 99 — германиевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 101 до 199 — кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 201 до 299 — германиевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 301 до 399 — кремниевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 401 до 499 — германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 501 до 599 — кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 601 до 699 — германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
От 701 до 799 — кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.

Обозначение транзисторов после 1964 года

Первый символ необходим для обозначения типа используемого материала
Буква Г или цифра 1 — германий.
Буква К или цифра 2 — кремний.
Буква А или цифра 3 — арсенид галлия.

Второй символ обозначает тип транзистора
П — полевой транзистор
Т — биполярный транзистор

Третий символ необходим для обозначения мощности и граничной частоты
1 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц).
2 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц).
3 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные.
4 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
5 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц).
6 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные и СВЧ.
7 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
8 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц).
9 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.

Четвертый и пятый элементы обозначения — определяют порядковый номер разработки.

Изменения в маркировке вступившие в силу в 1978 году. Изменения коснулись обозначения функциональных возможностей — третьего элемента.

Для биполярных транзисторов:
1 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
2 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
4 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой более 300 МГц.
7 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
8 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
9 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой свыше 300 МГц.

Tags: транзистор

41-50 – Содержание драгметаллов в стандарте частоты

В таблице представлены точные данные по содержанию драгоценных металлов в граммах на единицу изделия стандарта частоты 41-50:

Золото

2,2825484 гр.

Серебро

20,944900 гр.

Палладий

0,0122000 гр.

Содержание драгметаллов составных элементов в стандарте частоты 41-50

КомплектующиеAuAgPd
диод Д220 (4 шт)0,0007296
диод Д220А (3 шт.)0,0007296
диод Д223 (2 шт.)0,0007956
диод Д237А (2 шт.)0,00980000,0080000
стабилитрон Д814А (5 шт.)0,0011020
стабилитрон Д814Г (4 шт.)0,0011020
стабилитрон Д814Д0,0011020
стабилитрон Д818Б0,0011020
стабилитрон Д818Д (12 шт.)0,0011020
диод Д901В0,0159310
диод 1А401В0,01805100,0322000
диод 1А402Б0,0180510
варикап 2В102А0,0037120
варикап 2В104А0,0037120
диод 2Д202В (2 шт. )0,0010250
диод 2Д103А (2 шт.)0,0205000
фотодиод ФД7К0,0150000
транзистор П701 (2 шт.)0,01386000,0400000
транзистор П701А0,01386000,0400000
транзистор П702 (2 шт.)0,00086000,0927000
транзистор 1Т403Б (2 шт.)0,00081300,0135000
транзистор 2Т301Е (46 шт.)0,0111910
транзистор 2Т306Б (10 шт.)0,0145900
транзистор 2Т306В (8 шт.)0,0145900
транзистор 2Т312А (10 шт.)0,0143900
транзистор 2Т312Б (6 шт.)0,0143900
транзистор 2Т326А (2 шт.)0,0132800
транзистор 2Т326Б (3 шт.)0,0132800
транзистор 2Т602Б (2 шт. )0,0366900
транзистор 2Т603А (7 шт.)0,0279100
транзистор 2Т603Г0,0279100
транзистор 2Т803А (2 шт.)0,03358000,1520000
транзистор 2Т904А0,04479500,0872000
транзистор 1Т403А0,0135000
микросхема 101КТ1А (2 шт.)0,0282000
микросхема 101КТ1А0,0371000
микросхема 122УД1Б0,0371000
микросхема 140УД1А (4 шт.)0,0290300
микросхема 133ТВ1 (7 шт.)0,0202200
микросхема 133ЛА40,0272500
микросхема 122УН1Б (2 шт.)0,0371000
микросхема 122УН2В0,0371000
резонатор 1УВ-7СД-5МГц0,1000000
вилка РПМ7-12Ш-КПА (4 шт. )0,1499000
вилка РПМ7-12Ш-ПБА (4 шт.)0,3124000
вилка 2РМ146ПН4Ш1В10,1202000
розетка РПМ7-12Г-ПА (2 шт.)0,1499000
розетка РПМ7-12Г-ПБА (6 шт.)0,3124000
розетка РПМ7-50Г-ПА0,3124000
розетка 2РМ14КПН4Г1В1
0,1202000
каркас ГК7.755.158 (32 шт)0,0014000
колодка проходная ЕЯ7.755.0350,0132000
генератор кварцевый ЕЭЗ.261.054 (3 шт.)0,0189000
генератор кварцевый ЕЭ2.721.0900,0189000
гнездо ЕЭ7.908.063 (3 шт.)0,0080000
гнездо ЕЭ7.908.028 (б шт.)0,0209000
делитель частоты ЕЭ2.208.229 (5 шт.)0,0252000
держатель ЕЭ6. 615.0490,0079000
жгут ЕЯ6.641.076 (5 шт.)0,0025000
источник спектральный ЕЭЗ.976.001 (3 шт.)0,0025000
источник спектральный ЕЭ5.986.0020,0010000
контакт ЕЯ7.755.0340,0331000
контакт ЕЯ7.732.529 (3 шт.)0,0094000
контакт ЕЯ7.732.529 (4 шт.)0,0011000
корпус ЕЭ6.115.3240,0088000
корпус ЕЭ6.115.7673,8632000
корпус ЕЭ8.024.1673,8632000
корпус ЕЭ8.035.783 (6 шт.)0,1973000
крышка ЕЭ8.052.687 (2 шт )1,2591000
модулятор ЕЭ2.081.312 (5 шт.)0,0551000
планка ЕЭ8 603.8320,0794000
пружина контактная ЕЭ7.730. 623 (4 шт.)0,0252000
сердечник ЕЭ7.733.116 (2 шт.)0,0102000
умножитель частоты ЕЭ2.208.257 (4 шт.)0,0252000
умножитель частоты ЕЭ2.208.257-020,0252000
усилитель ЕЭ2.032.336 (5 шт.)0,0551000
шайба ЕЭ7.723.100 (6 шт.)
0,0110000
0,0013000
штырь ЕЭ8.126.637 (6 шт.)0,0102000
экран ЕЭ7.070.363-14 (5 шт.)0,4035000
экран ЕЭ7.070.879 (2 шт.)0,1863000
экран ЕЭ8.634.449-2 (2 шт.)0,1345000
экран ЕЭ8.634.449-4 (8 шт.)0,1191000
экран ЕЭ9.313.135 (2 шт.)0,1510000
вилка кабельная СР-50-111Ф (20 шт.)0,1880000
розетка приборная СР-50-112Ф (24 шт.
)
0,0860000
вставка ШР16П2НШ 50,0663000
колодка ШР16П2ЭШ 50,0663000

Сведения о содержании драгоценных металлов в элементной базе радиоэлектроники, бытовой техники, оборудования, транспорта и прочей готовой продукции взяты из открытых источников: специализированной технической документации (справочников, паспортов, формуляров, руководств по эксплуатации разработчиков и изготовителей), а так же справочников относящихся к категории руководящих нормативных документов для постановки изделий, содержащих драгоценные металлы, на учет, контроля за их движением и списанием.

Характеристики изделия

ГОСТ, СТО, ТУ, год исполнения

ЕЭ2.721.090 ТУ

Модель

Ч1-73

/

Рубидиевый стандарт частоты

Au

4,7946000 гр.

 

Ag

23,359400 гр.

 

Pt

0,0015000 гр.

Au

1,5204146 гр.

 

Ag

3,7159310 гр.

 

Pt

0,0216000 гр.

 

Pd

0,1356730 гр.

Ч1-67

/

Стандарт частоты и времени

Ag

14,980000 гр.

 

Pd

0,1364000 гр.

Ч1-69

/

Рубидиевый стандарт частоты

Au

4,5770000 гр.

 

Ag

25,435900 гр.

 

Pt

0,0008000 гр.

Ч1-53

/

Стандарт частоты

Au

1,1000000 гр.

 

Ag

8,8000000 гр.

 

Pt

0,0400000 гр.

Au

1,5050000 гр.

 

Ag

3,7058980 гр.

 

Pt

0,0216000 гр.

 

Pd

0,1356730 гр.

Au

1,2718877 гр.

 

Ag

2,5988370 гр.

 

Pt

0,0216000 гр.

 

Pd

0,1356000 гр.

41-50

/

Стандарт частоты

Au

2,2825484 гр.

 

Ag

20,944900 гр.

 

Pd

0,0122000 гр.

Ч1-74

/

Стандарт частоты

Au

4,6000000 гр.

 

Ag

6,8000000 гр.

alexxlab

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *