Транзистор 1Т403 (А, Б, В, Г, Д, Ж, Е, И)
Транзисторы
30.06.2019
Arazbor
Транзистор 1Т403 (А, Б, В, Г, Д, Ж, Е, И)
Справочник содержания драгоценных металлов в радиодеталях основанный на справочных данных различных организаций занимающихся переработкой лома радиодеталей, паспортах устройств, формулярах и других открытых источников. Стоит отметить, что реальное содержание может отличатся на 20-30% в меньшую сторону.
Радиодетали могут содержать золото, серебро, платину и МПГ (Металлы платиновой группы, Платиновая группа, Платиновые металлы, Платиноиды, ЭПГ)
Содержание драгоценных металлов в транзисторе: 1Т403 (А, Б, В, Г, Д, Ж, Е, И)
Золото: 0
Серебро: 0.0012
Платина: 0
МПГ: 0.028
По данным: Справочник по драгоценным металлам ПРИКАЗ №70
Транзистор, полупроводниковый триод — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.
Типы транзисторов
Существует два основных типа транзисторов: биполярные и полевые.
1. Биполярные транзисторы. Они являются, вероятно, более распространенным типом (именно о них, например, шла речь в предыдущих разделах этой главы). В базу такого транзистора подается небольшой ток, а он, в свою очередь, управляет количеством тока, протекающего между коллектором и эмиттером.
2. Полевые транзисторы. Имеют три вывода, но они называются затвор (вместо базы у биполярного), сток (вместо коллектора) и исток (вместо эмиттера). Аналогично воздействие на затвор транзистора (но на этот раз не тока, а напряжения) управляет током между стоком и истоком. Полевые транзисторы также имеют разную полярность: они бывают N-канальные (аналог NPN-биполярного транзистора) и Р-канальные (аналог PNP).
Маркировка транзисторов СССР
Обозначение транзисторов до 1964 года
Первый элемент обозначения — буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно, транзистором. Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами — МП, буква М означала модернизацию. Второй элемент обозначения — одно, двух или трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной(или предельной) частоты.
От 1 до 99 — германиевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 101 до 199 — кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 201 до 299 — германиевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 301 до 399 — кремниевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 401 до 499 — германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 501 до 599 — кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 601 до 699 — германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
От 701 до 799 — кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
Обозначение транзисторов после 1964 года
Первый символ необходим для обозначения типа используемого материала
Буква Г или цифра 1 — германий.
Буква К или цифра 2 — кремний.
Буква А или цифра 3 — арсенид галлия.
Второй символ обозначает тип транзистора
П — полевой транзистор
Т — биполярный транзистор
Третий символ необходим для обозначения мощности и граничной частоты
1 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц).
2 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц).
3 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные.
4 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
5 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц).
6 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные и СВЧ.
7 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
8 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц).
9 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.
Четвертый и пятый элементы обозначения — определяют порядковый номер разработки.
Изменения в маркировке вступившие в силу в 1978 году. Изменения коснулись обозначения функциональных возможностей — третьего элемента.
Для биполярных транзисторов:
1 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
2 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
4 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой более 300 МГц.
7 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
8 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
9 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой свыше 300 МГц.
41-50 – Содержание драгметаллов в стандарте частоты
В таблице представлены точные данные по содержанию драгоценных металлов в граммах на единицу изделия стандарта частоты 41-50:
Золото
2,2825484 гр.
Серебро
20,944900 гр.
Палладий
0,0122000 гр.
Содержание драгметаллов составных элементов в стандарте частоты 41-50
Комплектующие | Au | Ag | Pd |
диод Д220 (4 шт) | 0,0007296 | ||
диод Д220А (3 шт.) | 0,0007296 | ||
диод Д223 (2 шт.) | 0,0007956 | ||
диод Д237А (2 шт.) | 0,0098000 | 0,0080000 | |
стабилитрон Д814А (5 шт.) | 0,0011020 | ||
стабилитрон Д814Г (4 шт.) | 0,0011020 | ||
стабилитрон Д814Д | 0,0011020 | ||
стабилитрон Д818Б | 0,0011020 | ||
стабилитрон Д818Д (12 шт.) | 0,0011020 | ||
диод Д901В | 0,0159310 | ||
диод 1А401В | 0,0180510 | 0,0322000 | |
диод 1А402Б | 0,0180510 | ||
варикап 2В102А | 0,0037120 | ||
варикап 2В104А | 0,0037120 | ||
диод 2Д202В (2 шт. ) | 0,0010250 | ||
диод 2Д103А (2 шт.) | 0,0205000 | ||
фотодиод ФД7К | 0,0150000 | ||
транзистор П701 (2 шт.) | 0,0138600 | 0,0400000 | |
транзистор П701А | 0,0138600 | 0,0400000 | |
транзистор П702 (2 шт.) | 0,0008600 | 0,0927000 | |
транзистор 1Т403Б (2 шт.) | 0,0008130 | 0,0135000 | |
транзистор 2Т301Е (46 шт.) | 0,0111910 | ||
транзистор 2Т306Б (10 шт.) | 0,0145900 | ||
транзистор 2Т306В (8 шт.) | 0,0145900 | ||
транзистор 2Т312А (10 шт.) | 0,0143900 | ||
транзистор 2Т312Б (6 шт.) | 0,0143900 | ||
транзистор 2Т326А (2 шт.) | 0,0132800 | ||
транзистор 2Т326Б (3 шт.) | 0,0132800 | ||
транзистор 2Т602Б (2 шт. ) | 0,0366900 | ||
транзистор 2Т603А (7 шт.) | 0,0279100 | ||
транзистор 2Т603Г | 0,0279100 | ||
транзистор 2Т803А (2 шт.) | 0,0335800 | 0,1520000 | |
транзистор 2Т904А | 0,0447950 | 0,0872000 | |
транзистор 1Т403А | 0,0135000 | ||
микросхема 101КТ1А (2 шт.) | 0,0282000 | ||
микросхема 101КТ1А | 0,0371000 | ||
микросхема 122УД1Б | 0,0371000 | ||
микросхема 140УД1А (4 шт.) | 0,0290300 | ||
микросхема 133ТВ1 (7 шт.) | 0,0202200 | ||
микросхема 133ЛА4 | 0,0272500 | ||
микросхема 122УН1Б (2 шт.) | 0,0371000 | ||
микросхема 122УН2В | 0,0371000 | ||
резонатор 1УВ-7СД-5МГц | 0,1000000 | ||
вилка РПМ7-12Ш-КПА (4 шт. ) | 0,1499000 | ||
вилка РПМ7-12Ш-ПБА (4 шт.) | 0,3124000 | ||
вилка 2РМ146ПН4Ш1В1 | 0,1202000 | ||
розетка РПМ7-12Г-ПА (2 шт.) | 0,1499000 | ||
розетка РПМ7-12Г-ПБА (6 шт.) | 0,3124000 | ||
розетка РПМ7-50Г-ПА | 0,3124000 | ||
розетка 2РМ14КПН4Г1В1 | 0,1202000 | ||
каркас ГК7.755.158 (32 шт) | 0,0014000 | ||
колодка проходная ЕЯ7.755.035 | 0,0132000 | ||
генератор кварцевый ЕЭЗ.261.054 (3 шт.) | 0,0189000 | ||
генератор кварцевый ЕЭ2.721.090 | 0,0189000 | ||
гнездо ЕЭ7.908.063 (3 шт.) | 0,0080000 | ||
гнездо ЕЭ7.908.028 (б шт.) | 0,0209000 | ||
делитель частоты ЕЭ2.208.229 (5 шт.) | 0,0252000 | ||
держатель ЕЭ6. 615.049 | 0,0079000 | ||
жгут ЕЯ6.641.076 (5 шт.) | 0,0025000 | ||
источник спектральный ЕЭЗ.976.001 (3 шт.) | 0,0025000 | ||
источник спектральный ЕЭ5.986.002 | 0,0010000 | ||
контакт ЕЯ7.755.034 | 0,0331000 | ||
контакт ЕЯ7.732.529 (3 шт.) | 0,0094000 | ||
контакт ЕЯ7.732.529 (4 шт.) | 0,0011000 | ||
корпус ЕЭ6.115.324 | 0,0088000 | ||
корпус ЕЭ6.115.767 | 3,8632000 | ||
корпус ЕЭ8.024.167 | 3,8632000 | ||
корпус ЕЭ8.035.783 (6 шт.) | 0,1973000 | ||
крышка ЕЭ8.052.687 (2 шт ) | 1,2591000 | ||
модулятор ЕЭ2.081.312 (5 шт.) | 0,0551000 | ||
планка ЕЭ8 603.832 | 0,0794000 | ||
пружина контактная ЕЭ7.730. 623 (4 шт.) | 0,0252000 | ||
сердечник ЕЭ7.733.116 (2 шт.) | 0,0102000 | ||
умножитель частоты ЕЭ2.208.257 (4 шт.) | 0,0252000 | ||
умножитель частоты ЕЭ2.208.257-02 | 0,0252000 | ||
усилитель ЕЭ2.032.336 (5 шт.) | 0,0551000 | ||
шайба ЕЭ7.723.100 (6 шт.) | 0,0013000 | ||
штырь ЕЭ8.126.637 (6 шт.) | 0,0102000 | ||
экран ЕЭ7.070.363-14 (5 шт.) | 0,4035000 | ||
экран ЕЭ7.070.879 (2 шт.) | 0,1863000 | ||
экран ЕЭ8.634.449-2 (2 шт.) | 0,1345000 | ||
экран ЕЭ8.634.449-4 (8 шт.) | 0,1191000 | ||
экран ЕЭ9.313.135 (2 шт.) | 0,1510000 | ||
вилка кабельная СР-50-111Ф (20 шт.) | 0,1880000 | ||
розетка приборная СР-50-112Ф (24 шт. | 0,0860000 | ||
вставка ШР16П2НШ 5 | 0,0663000 | ||
колодка ШР16П2ЭШ 5 | 0,0663000 |
Сведения о содержании драгоценных металлов в элементной базе радиоэлектроники, бытовой техники, оборудования, транспорта и прочей готовой продукции взяты из открытых источников: специализированной технической документации (справочников, паспортов, формуляров, руководств по эксплуатации разработчиков и изготовителей), а так же справочников относящихся к категории руководящих нормативных документов для постановки изделий, содержащих драгоценные металлы, на учет, контроля за их движением и списанием.
Характеристики изделия
ГОСТ, СТО, ТУ, год исполнения
ЕЭ2.721.090 ТУ
Модель
Ч1-73
/
Рубидиевый стандарт частоты
Au
4,7946000 гр.
Ag
23,359400 гр.
Pt
0,0015000 гр.
Au
1,5204146 гр.
Ag
3,7159310 гр.
Pt
0,0216000 гр.
Pd
0,1356730 гр.
Ч1-67
/
Стандарт частоты и времени
Ag
14,980000 гр.
Pd
0,1364000 гр.
Ч1-69
/
Рубидиевый стандарт частоты
Au
4,5770000 гр.
Ag
25,435900 гр.
Pt
0,0008000 гр.
Ч1-53
/
Стандарт частоты
Au
1,1000000 гр.
Ag
8,8000000 гр.
Pt
0,0400000 гр.
Au
1,5050000 гр.
Ag
3,7058980 гр.
Pt
0,0216000 гр.
Pd
0,1356730 гр.
Au
1,2718877 гр.
Ag
2,5988370 гр.
Pt
0,0216000 гр.
Pd
0,1356000 гр.
41-50
/
Стандарт частоты
Au
2,2825484 гр.
Ag
20,944900 гр.
Pd
0,0122000 гр.
Ч1-74
/
Стандарт частоты
Au
4,6000000 гр.
Ag
6,8000000 гр.