Site Loader

Содержание

Russian HamRadio — Ремонт индикатора ИВЛ1-7/5 в электронных часах “Электроника 2-08”.

Еще в 1992 г. я приобрел два экземпляра настольных электронных часов “Электроника 2-08”. Они выполнены на микросхемах К176ИЕ18, К176ИЕ13, К176ИДЗ по схеме [1]. В обоих часах яркость свечения индикатора ИВЛ1-7/5 постепенно уменьшалась и спустя всего год цифры стали едва различимыми. Индикаторы пришлось заменить и повторять эту операцию за прошедшие 10 лет четырежды.

Не дала положительного результата и замена с учетом различий в цоколевке и напряжении накала индикатора ИВЛ 1-7/5 на УИ-4 — такой же, как в часах “Электроника 6.03” на микросхеме КА1035ХЛ1. где индикатор работает без замены уже девять лет. Безотказно, и почти сохранив исходную яркость, служит индикатор ИВЛ 1-7/5 в самодельных часах [1].

Все это навело на мысль исследовать “странные” часы и найти причину порчи индикаторов. Проверка показала, что все питающие напряжения — в норме, однако импульсы на выходах преобразователя кода К176ИДЗ имеют сложную трехуровневую форму, чего не наблюдается в часах по схеме В. Банникова. При осмотре заводской печатной платы обнаружено, что отсутствуют предусмотренные в самодельных часах резисторы, соединяющие выводы 9—15 микросхемы К176ИДЗ с источником питания отрицательной полярности. Нет даже отверстий и контактных площадок для их монтажа.

 Рис.1.

Недостающие резисторы (R1—R7) были установлены навесным способом по схеме, показанной на рисунке 1. Здесь С1 — имеющийся в часах конденсатор фильтра выпрямителя. Значения напряжения указаны относительно общего провода, с которым в часах соединены выводы 8 преобразователя кода К176ИДЗ и других микросхем.

После доработки форма импульсов на выводах преобразователя и соединенного с ним индикатора ИВЛ 1-7/5 стала такой же, как в самодельных часах. О сроке службы индикатора, установленного взамен утратившего яркость, судить пока рано, но за прошедшее с тех пор время, характерного для всех индикаторов до доработки, постепенного уменьшения яркости не наблюдается.

Насколько известно автору, неоправданная “экономия” нескольких резисторов, приводящая к преждевременной порче индикатора, встречается не только в “Электронике 2-08”, но и в аналогичных по схеме настольных электронных часах, выпущенных под другими торговыми марками.

Установка резисторов, о которых идет речь, предусмотрена типовой схемой включения преобразователя кода К176ИДЗ, выходы которого в отличие от выходов аналогичного по структуре К176ИД2 выполнены с “открытым” стоком. Странно, что завод-изготовитель часов этим пренебрег.

А. Бутов

1. В. Банников Электронные часы из радиоконструктора — «Эффект-4», “Радио”, 1993, № 10, с. 28—31, рис. 3

Пары 1-я 2-я 3-я 4-я 5-я 6-я 7-я
Время 08:30-10:00 10:15-11:45 12:30-14:00 14:15-15:45 16:00-17:30 18:00-19:30 19:40-21:10

ПНД,
21.03.2022

л. Экологическое нормирование и техническое регулирование
Никольская Л.В.
2-16

пр. Экологическое нормирование и техническое регулирование
Никольская Л.В.
2-16

л. Экологический менеджмент и маркетинг
Никольская Л.В.
2-16

ВТР,
22.03.2022

л. Надежность технических систем и техногенный риск
Дементьев А.М.
1-21

пр. Надежность технических систем и техногенный риск
Дементьев А.М.
1-21

л. Токсикология и медико-биологические основы безопасности
Кужанова Н.И.
2-16

л. Статистические методы управления качеством продукции

Ершова И.Г.
2-14

СРД,
23.03.2022

пр. Статистические методы управления качеством продукции
Ершова И.Г.
2-14

пр. Экологический менеджмент и маркетинг
Никольская Л.В.
2-16

л. Экономика природопользования
Окунчаев Ш.З.
2-32

ЧТВ,
24.03.2022

л. Газодинамика
Воронков С.С.
1-21

пр. Газодинамика
Воронков С.С.
1-21

Элективные дисциплины по физической культуре и спорту
Федорова И.П.
СЗ-4

ПТН,
25.03.2022

пр. Экономика природопользования

Окунчаев Ш.З.
2-35

пр. Токсикология и медико-биологические основы безопасности
Кужанова Н.И.
2-16

СБТ,
26.03.2022

Institute of High Current Electronics SB RAS

СЕМИНАРЫ

  • 10 февраля 2022

    Объединенный научный семинар
    (ИСЭ СО РАН, ФГУП «РФЯЦ-ВНИИЭФ»)
    10 февраля 2022 г., 10:00 (время московское)

    Докладчики: Страбыкин К.В., Плузян К.Г.

    (ФГУП «РФЯЦ-ВНИИЭФ»)
    Доклады: «Научные программы Национального центра физики и математики (НЦФМ)», «Мероприятие 6.2.1 научной программы НЦФМ. Проведение исследований с целью создания расчетных моделей формирования и ускорения мегаамперных пучков электронов»

    Семинар пройдет в онлайн-формате на платформе Zoom.
    Ссылка для доступа разослана сотрудникам научных подразделений.

НОВОСТИ

  • 23 февраля 2022


    Уважаемые коллеги!
    Поздравляем Вас с Днем защитника Отечества!

    Желаем неизменно оставаться на высоте, верить в свои силы,
    всегда находить выход из любой жизненной ситуации
    и при этом не терять оптимизма и чувства юмора!
    Крепкого здоровья, мирных побед,
    душевной гармонии и счастья!

  • 13 января 2022

    DD0_shZFCd0?t=2618

    Ток-шоу «Естественный отбор». Год Науки.
    20 декабря 2021 г.

  • 29 декабря 2021

    СЕРДЕЧНО ПОЗДРАВЛЯЕМ СОТРУДНИКОВ ИСЭ СО РАН

    ТАРАСЕНКО Виктора Федотовича
    главного научного сотрудника лаборатории оптических излучений,

    доктора физико-математических наук
    с награждением ведомственной наградой
    Министерства науки и высшего образования РФ,
    с присвоением почетного звания
    «Почетный работник науки и высоких технологий
    Российской Федерации»

    ВОРОБЬЁВА Максима Сергеевича
    старшего научного сотрудника
    лаборатории плазменной эмиссионной электроники,
    кандидата технических наук
    с награждением ведомственной наградой
    Министерства науки и высшего образования РФ –
    нагрудным знаком «Молодой ученый»

    ГРЕНАДЁРОВА Александра Сергеевича
    научного сотрудника лаборатории прикладной электроники,
    кандидата технических наук

    с победой в Конкурсе на соискание премий
    Томской области в сфере образования, науки,
    здравоохранения и культуры в 2021 году
    для молодых научных и научно-педагогических работников,
    специалистов, докторантов и аспирантов в возрасте
    до 35 лет включительно

    Желаем крепкого здоровья, новых научных достижений и успехов во всех начинаниях!

  • 24 декабря 2021

    ПОЗДРАВЛЯЕМ

    победителей конкурса на получение стипендии Президента Российской Федерации для молодых ученых и аспирантов, осуществляющих перспективные научные исследования и разработки по приоритетным направлениям модернизации российской экономики на 2022-2024 гг.,

    по приоритетному направлению «Энергоэффективность и энергосбережение, в том числе вопросы разработки новых видов топлива»!

    ПЕТРИКОВУ Елизавету Алексеевну
    младшего научного сотрудника ЛПЭЭ
    и
    ДОРОШКЕВИЧА Сергея Юрьевича
    аспиранта, младшего научного сотрудника ЛПЭЭ!

    Желаем научных достижений, новых побед
    в конкурсах и успехов во всех начинаниях!

  • 23 декабря 2021

    Подведены итоги конкурса на замещение должностей старших научных сотрудников, научного сотрудника.
    (Протокол № 29 от 21.12.2021)

    Подведены итоги конкурса на замещение должностей младших научных сотрудников.
    (Протокол № 30 от 21.12.2021)

  • 21 декабря 2021

    ПОЗДРАВЛЯЕМ

    сотрудников ИСЭ СО РАН, занявших призовые места
    в ежегодном Конкурсе докладов ТНЦ СО РАН
    среди молодых ученых!

    ГЕНИН Дмитрий Евгеньевич, инженер, ЛОИ
    I место
    с работой «Генерация лазерного излучения в алмазах, содержащих NV-центры»
    (секция на русском языке)

    АШУРОВА Камилла Тахировна, техник, ЛПЭЭ
    I место
    с работой «Improving surface properties of hypereutectic silumin by modulated submillisecond electron beam»
    (секция на английском языке)

    Желаем победителям дальнейших успехов
    в научной деятельности!

    Дирекция ИСЭ СО РАН
    СМУиС ИСЭ СО РАН

  • 20 декабря 2021 Уважаемые молодые ученые ТНЦ СО РАН!
    21 декабря в 14:00 в Большом зале ИОА СО РАН
    (площадь Академика Зуева, 1)
    состоится традиционный
    Конкурс докладов молодых ученых
    ТНЦ СО РАН 2021 г.

    Номинации:
    1) Лучший доклад на английском языке.
    2) Лучший доклад на русском языке.      

    Мероприятие будет проводиться в смешанном формате.
    Ссылка на on-line трансляцию

  • 15 декабря 2021 Сердечно поздравляем сотрудников ИСЭ СО РАН
    с награждением ведомственными наградами
    Министерства науки и высшего образования
    Российской Федерации

    КОРОЛЕВА Юрия Дмитриевича,
    главного научного сотрудника
    лаборатории низкотемпературной плазмы,
    доктора физико-математических наук,
    медалью «За вклад в реализацию государственной политики в области научно-технологического развития”,

    РОСТОВА Владислава Владимировича,
    заведующего отделом физической электроники,
    доктора физико-математических наук,
    медалью «За вклад в реализацию государственной политики в области научно-технологического развития”,

    ЛОГИНОВУ Наталью Викторовну,
    начальника планово-экономического отдела,
    медалью «За безупречный труд и отличие III степени».

    Желаем здоровья, новых достижений
    и успехов во всех начинаниях!

  • 13 декабря 2021 ПОЗДРАВЛЯЕМ

    призеров конкурса молодых ученых ИСЭ СО РАН 2021 года!

    В номинации научно-исследовательских работ:

    I место
    Генин Дмитрий Евгеньевич

    «Генерация лазерного излучения в алмазах,
    содержащих NV-центры»

    II место
    Пучикин Алексей Владимирович

    «Дистанционное обнаружение в воздухе опасных веществ,
    содержащих нитрогруппу»

    III место
    Припутнев Павел Владимирович

    «Генерация радиоимпульсов в гиромагнитной нелинейной
    передающей линии без использования соленоида»

    В номинации инженерно-технологических работ:

    I места
    Оскирко Владимир Олегович

    «Минимизация энергии дуги в процессе импульсного
    магнетронного распыления высокой мощности»
    Москвин Павел Владимирович
    «Методы повышения электрической прочности ускоряющего
    промежутка источника электронов с плазменным катодом»

    III место
    Нехорошев Виталий Олегович

    «Лабораторные установки для исследований
    в электрофизике и медицине»

    Желаем дальнейших успехов в научном творчестве!

  • 13 декабря 2021

    Внимание конкурс!!!

    16 декабря 2021 г. в 10.00 в 408 к. ИСЭ СО РАН состоится
    конкурс среди молодых ученых на лучший доклад на английском языке.
    Отведенное для доклада время – 10–12 мин,
    время для ответов на вопросы – 3–5 мин.

    Список участников

    УчастникНазваниеВремя
    1.Д.А. ЗУЗА
    лаборатория вакуумной электроники
    Characterization of organosilicon coatings obtained using a flow-through plasma-chemical reactor10.00–10.20
    2.К.Т. АШУРОВА
    лаборатория прикладной эмиссионной электроники
    Improving surface properties of hypereutectic silumin by modulated submillisecond electron beam10.20–10.40

    Автор лучшего доклада предоставит свою работу на ежегодном конкурсе ТНЦ СО РАН, который состоится 21 декабря 2021 г. в большом зале Института оптики атмосферы им. В.Е. Зуева СО РАН, начало в 14.00

    Совет молодых ученых и специалистов ИСЭ СО РАН

  • 7 декабря 2021


    8-10 декабря 2021 в Сочи на площадке Парка науки и искусства «Сириус» пройдет Церемония закрытия Года науки и технологий — Конгресс молодых ученых, который направлен на вовлечение молодого поколения в научные проекты и процессы. Конгресс молодых ученых станет одним из самых заметных событий Года науки и технологий в России, финалом большой кампании в поддержку российской науки и образования. В рамках деловой программы состоятся круглые столы, сессии, дискуссии, на которых подведут итоги тематических месяцев Года науки и технологий. Также будут организованы образовательные мероприятия по различным направлениям научно-исследовательской деятельности.
    Сайт мероприятия
    Онлайн трансляция

  • 2 декабря 2021

    По итогам тайного голосования заседания ученого совета 2 декабря 2021 г. председателем ученого совета ИСЭ СО РАН выбран директор института, д.ф.-м.н. И. В. Романченко, заместителями председателя ученого совета: советник директора, академик РАН Н. А. Ратахин и заместитель директора по научной работе, к.ф.-м.н. А. В. Батраков Ссылка

  • 1 декабря 2021

    10 научных проектов от ИСЭ СО РАН поддержали по итогам конкурса 2021 года на получение грантов Российского научного фонда по приоритетному направлению деятельности Российского научного фонда «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований малыми отдельными научными группами». Гранты будут выделены на осуществление фундаментальных и поисковых научных исследований в 2022 – 2023 гг.
    Поздравляем победителей конкурса и желаем новых научных достижений и успехов в реализации проектов!
    Со списком победителей можно ознакомится по ссылке
    Новость на сайте РНФ

  • 30 ноября 2021


    Российская академия наук проводит конкурс на соискание медалей с премиями за лучшие научные работы молодых ученых и студентов по 21 направлению исследований.
    На конкурс принимаются научные работы, выполненные отдельными молодыми учеными или студентами (моложе 36 лет), а также их коллективами (не более 3 человек) самостоятельно или в соавторстве со старшими коллегами.
    Зарегистрироваться до 25 декабря 2021 г. и найти подробную информацию о конкурсе можно по ссылке https://young-sci-medal.ras.ru/.

  • 26 ноября 2021

    По итогам тайного голосования общего собрания научных сотрудников ИСЭ СО РАН 25-26 ноября 2021 г. был избран новый состав ученого совета ИСЭ СО РАН:

    1. Романченко Илья Викторович, директор, д.ф.-м.н.
    2. Ратахин Николай Александрович, советник директора, академик РАН
    3. Турчановский Игорь Юрьевич, зам. директора по НР, к.ф.-м.н.
    4. Батраков Александр Владимирович, зам. директора по НР, к.ф.-м.н.
    5. Крысина Ольга Васильевна, ученый секретарь, к.т.н.
    6. Пегель Игорь Валериевич, руководитель ООД, г.н.с. ЛТФ, д.ф.-м.н.
    7. Ростов Владислав Владимирович, зав. ОФЭ, д.ф.-м.н.
    8. Орешкин Владимир Иванович, зав. ОВПЭ, д.ф.-м.н.
    9. Жерлицын Андрей Алексеевич, зав. ОИТ, к.т.н.
    10. Окс Ефим Михайлович, зав. ЛПИ, д.т.н.
    11. Козырев Андрей Владимирович, зав. ЛТФ, д.ф.-м.н.
    12. Панченко Юрий Николаевич, зав. ЛГЛ, д.ф.-м.н.
    13. Сорокин Дмитрий Алексеевич, зав. ЛОИ, председатель СМУиС, к.ф.-м.н.
    14. Ахмадеев Юрий Халяфович, зав. ЛПЭЭ, к.т.н.
    15. Соловьев Андрей Александрович, зав. ЛПЭ, к.т.н.
    16. Ландль Николай Владимирович, зав. ЛНП, к.ф.-м.н.
    17. Балзовский Евгений Владимирович, зав. ЛВЧЭ, к.ф.-м.н.
    18. Денисов Владимир Викторович, зав. ЛППИП, к.т.н.
    19. Шнайдер Антон Витальевич, зав. ЛВЭ, к.т.н.
    20. Фатеев Алексей Викторович, зав. ЛНВЛ, к.т.н.
    21. Королев Юрий Дмитриевич, г.н.с. ЛНП, д.ф.-м.н.
    22. Коваль Николай Николаевич, г.н.с. ЛПЭЭ, д.т.н.
    23. Юшков Георгий Юрьевич, г.н.с. ЛПИ, д.т.н.
    24. Гренадеров Александр Сергеевич, н.с. ЛПЭ, к.т.н.
  • 22 ноября 2021

    C0tHxCSNXt8

    «Плазменная электроника». Ефим Окс.
    Интервью 29 марта 2021 г.

  • 17 ноября 2021

    7—8 декабря 2021 г.

    Конкурс на лучшую научно-исследовательскую работу
    и инженерно-технологическую работу
    среди научной молодежи ИСЭ СО РАН

    Форма проведения: очная;
    место проведения: конференц-зал (2 этаж).
    В связи со сложившейся эпидемиологической обстановкой количество присутствующих в зале ограничено (до 50 чел.).

    Заявки на участие в конкурсе (название доклада, краткую аннотацию, пожелания по дате и времени выступления) направлять ученому секретарю института в электронном виде на адрес [email protected] не позднее 1 декабря.

    Положение

  • 17 ноября 2021

    25–26 ноября 2021 г.

    Общее собрание научных работников ИСЭ СО РАН
    по вопросу выборов ученого совета института

    В связи со сложившейся эпидемиологической обстановкой собрание проводится в заочной форме в течение двух дней:

    В первый день проходит регистрация участников общего собрания научных работников и выбор состава счетной комиссии (до 15:00), с 15:00 в формате онлайн проходит общее собрание научных работников на платформе ZOOM.
    Ссылка для доступа разослана научным сотрудникам.

    Во второй день проходит тайное голосование (до 15:00) и подсчет голосов счетной комиссией (с 15:00 до 16:30).

    Просьба к научным работникам института внимательно ознакомиться с Предложениями о порядке и процедуре выборов ученого совета ИСЭ СО РАН.
    Предложениями о порядке и процедуре выборов ученого совета
    Список кандидатов

  • 9 ноября 2021

    Подведены итоги конкурса на замещение должностей старшего научного сотрудника, научных сотрудников.
    (Протокол № 27 от 08.11.2021)

    Подведены итоги конкурса на замещение должности младшего научного сотрудника.
    (Протокол № 28 от 08.11.2021)

  • 26 октября 2021


    15 октября стартовала Всероссийская перепись населения.
    В ней можно принять участие на портале Госуслуг.
    Для этого нужно авторизоваться, выбрать услугу «Пройти перепись населения» и ответить на вопросы — о себе, домашнем хозяйстве и жилищных условиях.
    Сделать это можно на смартфоне, планшете или компьютере. В среднем, онлайн-перепись занимает всего 15 минут — принять участие в ней можно в удобное для себя время в любом месте.
    Переписать можно не только себя и свою семью, а также родственников и пожилых родителей.
    После ответов на вопросы на почту или телефон придет QR-код, который в дальнейшем нужно будет показать переписчику.
    Самостоятельно пройти перепись на Госуслугах можно по 8 ноября 2021 г. включительно.
    Подробная инструкция, как пройти перепись на госуслугах расположена по ссылке: https://clck.ru/Woy4k.

  • 21 октября 2021

    Объявлен конкурс на замещение должностей научных работников:

    • старший научный сотрудник в отделе физической электроники (0,5 ставки) с требованием к претенденту: наличие ученой степени кандидата физико-математических наук;
    • старший научный сотрудник в лаборатории нелинейной видеоимпульсной локации (0,5 ставки) с требованием к претенденту: наличие ученой степени доктора физико-математических наук;
    • научный сотрудник в лаборатории нелинейной видеоимпульсной локации (0,5 ставки) с требованием к претенденту: наличие ученой степени кандидата технических наук.

    Дата окончания приема заявок от претендентов на портале вакансий ученые-исследователи.рф — 7 декабря 2021 г.
    Дата проведения конкурса 21 декабря 2021 г., место проведения город Томск.


  • 21 октября 2021

    Объявлен конкурс на замещение должностей научных работников:

    • младший научный сотрудник (0,5 ставки) в лаборатории нелинейной видеоимпульсной локации с требованием к претенденту: наличие опыта научной работы и публикаций по тематике: нелинейная видеоимпульсная рефлектометрия
    • младший научный сотрудник (0,25 ставки) в лаборатории плазменной эмиссионной электроники с требованием к претенденту: наличие опыта научной работы и публикаций по тематике: генерация электронных пучков в ускорителях и источниках с плазменными эмиттерами и их применение.

    Дата окончания приема заявлений на имя директора ИСЭ СО РАН от претендентов на участие в конкурсе: 7 декабря 2021 г.
    Дата проведения конкурса 21 декабря 2021 г., место проведения город Томск.


  • 21 сентября 2021

    Объявлены конкурсы на получение грантов и стипендий Президента РФ:

    1. Стипендии Президента Российской Федерации для молодых ученых и аспирантов, осуществляющих перспективные научные исследования и разработки по приоритетным направлениям модернизации российской экономики.
    2. Гранты Президента Российской Федерации для государственной поддержки молодых российских ученых – кандидатов наук и докторов наук.
    3. Гранты Президента Российской Федерации для государственной поддержки ведущих научных школ Российской Федерации.
    Срок подачи заявок для участия в конкурсах — до 14.00 7 октября 2021 года.
    Более подробная информация доступна на сайте https://grants.extech.ru/
    Конкурсная документация
  • 20 сентября 2021

    Объявлен конкурс на соискание премий «Профессор года», «Студент года».
    Организатор конкурса: Администрация Томской области.
    Конкурс проводится в соответствии с Положением о конкурсе, утвержденным Постановлением Администрации Томской области «Профессор года», «Студент года» от 26.12.2020 № 618а.
    Прием документов осуществляется до 6 октября 2021 года.
    Положение
    Ссылка

  • 17 сентября 2021

    Открыт прием заявок для участия в Конкурсе научно-исследовательских работ студентов и аспирантов, организованного по инициативе Министерства науки и высшего образования Российской Федерации. К участию в конкурсе приглашаются студенты и аспиранты в возрасте до 32 лет, занимающиеся научной деятельностью.
    Финалисты конкурса будут приглашены для участия в VI Всероссийском форуме «Наука будущего – наука молодых», на котором будут определены победители. Оплату проезда финалистов на форум и проживания берет на себя Дирекция мероприятия.
    Подробную информацию можно найти на сайте https://sfy-conf.ru/konkurs_nir
    Для участия в конкурсе необходимо пройти регистрацию на сайте до 1 октября 2021 г.
    Положение о проведении конкурса НИР

  • 6 сентября 2021

    Продолжается приём документов на соискание премии
    Президента Российской Федерации
    в области науки и инноваций для молодых учёных.
    Срок приёма документов: 15 апреля — 15 октября 2021 года.
    Информация о премии
    Ссылка

  • 2 сентября 2021

    Объявлен конкурс на замещение должностей научных работников:

    • Старший научный сотрудник (1,0 ставки) в лаборатории нелинейных электродинамических систем. Требование к претенденту: наличие ученой степени кандидата физико-математических наук.
    • Научный сотрудник (1,0 ставки) в лаборатории нелинейных электродинамических систем.
    • Научный сотрудник (0,5 ставки) в лаборатории нелинейных электродинамических систем.

    Дата окончания приема заявок от претендентов на портале вакансий ученые-исследователи.рф — 19 октября 2021 г.
    Дата проведения конкурса 8 ноября 2021 г., место проведения город Томск.


  • 2 сентября 2021

    Объявлен конкурс на замещение должности научного работника:

    • Младший научный сотрудник (0,25 ставки) в отделе высоких плотностей энергии. Требование к претенденту: наличие опыта научной работы и публикаций по тематике: высоковольтные импульсные генераторы, LTD-технологии.

    Дата окончания приема заявлений на имя директора ИСЭ СО РАН от претендентов на участие в конкурсе – 19 октября 2021 г.
    Дата проведения конкурса 8 ноября 2021 г., место проведения город Томск.


  • 25 августа 2021

    25 августа 2021 г. в Новосибирске стартует форум «ТЕХНОПРОМ-2021» (25-27 августа 2021 г.).
    Мероприятие входит в план мероприятий Года науки и технологий.
    Подробности о форуме можно узнать на сайте форумтехнопром.рф
    На сайте будут доступны онлайн-трансляции всех заседаний.
    Информация

  • 3 августа 2021

    Начался прием заявок для участия в стипендиальной программе МАГАТЭ имени М. Склодовской-Кюри для молодых женщин, осваивающих специальности в области ядерной науки и технологий, ядерной и физической безопасности.
    Срок подачи заявок: до 30 сентября 2021 года.
    Информация
    www.iaea.org/MSCFP

  • 19 июля 2021

    Подведены итоги конкурса на замещение должностей заведующих лабораториями, ведущего научного сотрудника.
    (Протокол № 26 от 16.07.2021)

  • 18 июня 2021

    Подведены итоги конкурса на замещение должностей главного научного сотрудника, ведущего научного сотрудника, старших научных сотрудников.
    (Протокол № 24 от 15.06.2021)

    Подведены итоги конкурса на замещение должности младшего научного сотрудника.
    (Протокол № 25 от 15.06.2021)

  • 10 июня 2021

    Указом Президента Российской Федерации
    от 11 мая 2021 г. № 269
    за «большой вклад в развитие науки
    и многолетнюю добросовестную работу»
    акад. Геннадий Андреевич Месяц
    награжден Орденом Александра Невского.

    Поздравляем Геннадия Андреевича
    с получением высокой государственной награды,
    желаем новых научных достижений и крепкого здоровья!

  • 4 июня 2021

    Юбилейный научный форум «РФФИ – ГФЕН: 25 лет сотрудничества»
    15-17 июня 2021 г.
    Участие: очное и дистанционное
    Информация
    Ссылка

  • 18 мая 2021

    Объявлен конкурс на замещение должностей научных работников:

    1. заведующего отделом физической электроники (0,2 ставки) с требованием к претенденту: наличие ученой степени доктора физико-математических наук;
    2. заведующего лабораторией вакуумной электроники (0,25 ставки) с требованием к претенденту: наличие ученой степени кандидата технических наук;
    3. заведующего лабораторией плазменных источников (0,1 ставки) с требованием к претенденту: наличие ученой степени доктора технических наук;
    4. заведующего лабораторией прикладной электроники (0,25 ставки) с требованием к претенденту: наличие ученой степени кандидата технических наук;
    5. заведующего лабораторией теоретической физики (0,3 ставки) с требованием к претенденту: наличие ученой степени доктора физико-математических наук;
    6. ведущего научного сотрудника в лаборатории вакуумной электроники (0,5 ставки) с требованием к претенденту: наличие ученой степени кандидата технических наук.
    Дата окончания приема заявок от претендентов на участие в конкурсе на сайте ученые-исследователи.рф — 02 июля 2021 г.
    Дата проведения конкурса 16 июля 2021 г., место проведения город Томск.
  • 26 апреля 2021

    Министерство науки и высшего образования Российской Федерации осуществляет прием заявок на VII Всероссийскую премию «За верность науке», направленную на популяризацию научных достижений, повышение престижа научной деятельности и развитие профессиональной научной коммуникации.
    Срок подачи заявок: с 16 апреля по 3 сентября 2021 г.
    Информация
    Объявление

  • 21 апреля 2021

    23 апреля РНФ проведет вебинар, посвященный вопросам участия в новых конкурсах Фонда.
    Информация
    Ссылка на трансляцию

  • 16 апреля 2021

    Объявлен приём документов на соискание премии
    Президента Российской Федерации
    в области науки и инноваций для молодых учёных.
    Срок приёма документов: 15 апреля — 15 октября 2021 года.
    Информация о премии
    Ссылка

  • 16 апреля 2021

    Объявлен прием заявок на новые конкурсы Российского научного фонда

  • 15 апреля 2021

    Объявлен конкурс на замещение должностей научных работников:

    1. Главный научный сотрудник (1,0 ставки) в лаборатории теоретической физики. Требование к претенденту: наличие ученой степени доктора физико-математических наук.
    2. Ведущий научный сотрудник (1,0 ставки) в лаборатории теоретической физики. Требование к претенденту: наличие ученой степени доктора физико-математических наук.
    3. Старший научный сотрудник (1,0 ставки) в лаборатории плазменных источников. Требование к претенденту: наличие ученой степени кандидата технических наук.
    4. Старший научный сотрудник (1,0 ставки) в лаборатории плазменных источников. Требование к претенденту: наличие ученой степени кандидата технических наук.

    Дата окончания приема заявок от претендентов на портале вакансий ученые-исследователи.рф — 01 июня 2021 г.

    Дата проведения конкурса 15 июня 2021 г., место проведения город Томск.

  • 15 апреля 2021

    Объявлен конкурс на замещение должности научного работника:

    1. Младший научный сотрудник (0,5 ставки) в отделе высоких плотностей энергии. Требование к претенденту: наличие опыта научной работы и публикаций по тематике: z-пинчи, электрический взрыв проводников.

    Дата окончания приема заявлений на имя директора ИСЭ СО РАН от претендентов на участие в конкурсе – 01 июня 2021 г.

    Дата проведения конкурса 15 июня 2021 г., место проведения город Томск.

  • 08 апреля 2021

    Стипендия имени Ж. И. Алферова
    Объявлен конкурс на получение персональных стипендий имени Ж.И. Алферова для молодых ученых в области физики и нанотехнологий.
    Прием заявок осуществляется с 6 апреля по 6 мая 2021 г. в электронном виде.
    Информация о конкурсе
    Ссылка

  • 08 апреля 2021

    Утверждена номенклатура научных специальностей, по которым присуждаются ученые степени. Внесены изменения в Положение о совете по защите диссертаций на соискание ученой степени кандидата наук, на соискание ученой степени доктора наук.

  • 06 апреля 2021


    Открыта регистрация на трек «Наука» конкурса управленцев «Лидеры России». Регистрация продлится до 26 апреля.
    Информация о конкурсе
    Ссылка

  • 05 апреля 2021

    Объявлен конкурс на соискание премий Томской области в сфере образования, науки, здравоохранения и культуры и на звание «Лауреат премии Томской области в сфере образования, науки, здравоохранения и культуры»
    Информация о конкурсе
    Ссылка

  • 05 апреля 2021


    100 вопросов ученому
    5 апреля стартует Мультимедийный проект «100 вопросов ученому» в рамках основных мероприятий по проведению в Российской Федерации Года науки и технологий в 2021 г. с целью популяризации научного знания, повышения публичности российских учёных, создание площадки для научно-просветительской деятельности молодых учёных.
    Информация о проекте
    Ссылка на чат для экспертов
    Ссылка на сообщество «100 вопросов учёному»

  • 30 марта 2021


    26 апреля в Томске пройдет региональный этап конкурса
    «Open Innovations Startup Tour Online 2021»,
    направленный на развитие технологического предпринимательства
    и выявление перспективных инновационных проектов.
    https://startup-tour.ru/

    2 и 3 апреля Администрация Томской области проведет бесплатный тренинг по подготовке презентаций и заявок на участие в конкурсе Startup Tour.
    https://leader-id.ru/events/191119

  • 29 марта 2021

    C0tHxCSNXt8

    «Плазменная электроника». Ефим Окс

  • 29 марта 2021

    ПОСТАНОВЛЕНИЕ Правительства РФ внесены изменения в Положение о присуждении ученых степеней, в Положение о ВАК.

  • 9 марта 2021

    ПРИКАЗ Об организации работы с 08 по 21 марта 2021 года
    Приказ №39 (09 марта 2021 г.)

  • 9 марта 2021

  • 9 марта 2021

  • 25 февраля 2021

    ПРИКАЗ Об организации работы с 22 февраля по 07 марта 2021 года
    Приказ №31 (25 февраля 2021 г.)

  • 19 февраля 2021

    Порядок расчета индивидуальных показателей результативности научной деятельности (ПРНД) научных работников и установления надбавки стимулирующего характера на их основе в ИСЭ СО РАН

  • 20 января 2021

    Подведены итоги конкурса на замещение должностей заместителей директора по научной работе (вакансии VAC_71733, VAC_71735) и заведующего отделом высоких плотностей энергии (вакансия VAC_71742).
    (Протокол № 23 от 20.01.2021)

    Конкурс на замещение должности заместителя директора по научной работе по вакансии VAC_71739 не состоялся (отменен приказом врио директора ИСЭ СО РАН от 12.01.2021 № 3).

  • 25 декабря 2020

    Подведены итоги конкурса на замещение должностей главного научного сотрудника, научных сотрудников
    (Протокол № 21 от 23.12.2020)

    Подведены итоги конкурса на замещение должностей младших научных сотрудников
    (Протокол № 22 от 23.12.2020)

  • 23 декабря 2020

    ПОЗДРАВЛЯЕМ

    участников от ИСЭ СО РАН,
    занявших призовые места в ежегодном
    Конкурсе докладов ТНЦ СО РАН среди молодых ученых!

    Рыгина Мария Евгеньевна, м.н.с. ЛППИП
    II место
    с работой
    «Увеличение пластических свойств сплавов алюминия (силумин) с высоким содержанием кремния (22-24 вес.%) путем облучения импульсным электронным пучком»
    (секция на русском языке)

    Дорошкевич Сергей Юрьевич, м.н.с. ЛПЭЭ
    III место
    с работой
    «Wide-aperture electron accelerator based on ion-electron emission for agricultural products treatment»
    (секция на английском языке)

    Желаем победителям дальнейших успехов в научной деятельности!

    СМУиС ИСЭ СО РАН

  • 18 декабря 2020

    Поздравляем призеров конкурса
    на лучшую научно-исследовательскую
    и инженерно-техническую работы
    среди научной молодежи ИСЭ СО РАН
    (на русском языке)!

    Итоги конкурса 2020

    I МЕСТО
    Белоплотов Дмитрий Викторович
    «Генерация убегающих электронов после пробоя промежутка»

    II МЕСТО
    Рыгина М. Е.

    «Свойства и структура заэвтектического силумина, модифицированного импульсным электронным пучком субмиллисекундной длительности воздействия»
    Кизириди П. П.
    «Катодный узел сильноточной электронной пушки с многоканальным инициированием эмиссии пробоем по поверхности диэлектрика»

    III МЕСТО
    Дорошкевич С. Ю.

    «Об энергетической эффективности ускорителя электронов на основе ионно-электронной эмиссии с плазменным анодом и выводом пучка большого сечения в атмосферу»
    Ковальский С. С.
    «Генерация плазмы в импульсном несамостоятельном дуговом разряде»

    Желаем победителям дальнейших успехов в научной деятельности!

    СМУиС ИСЭ СО РАН

  • 10 декабря 2020

    Решением общего собрания коллектива ИСЭ СО РАН
    10 декабря 2020 года
    директором института избран
    доктор физико-математических наук
    РОМАНЧЕНКО Илья Викторович

    Протокол общего собрания коллектива ИСЭ СО РАН от 10 декабря 2020 г.
  • 3 декабря 2020

    ПРОГРАММА развития ИСЭ СО РАН
    кандидата на должность директора Орешкина В.И.

    Сведения о кандидате на должность директора ИСЭ СО РАН Орешкине В.И.

    ПРОГРАММА развития ИСЭ СО РАН
    кандидата на должность директора Романченко И.В.

    Сведения о кандидате на должность директора ИСЭ СО РАН Романченко И.В.

    «Вопросы к кандидатам на должность директора ИСЭ СО РАН принимаются по адресу электронной почты [email protected], а также в письменном виде на доске объявлений института.
    Просьба к авторам вопросов указывать свои фамилию, и., о., подразделение, а также кому из кандидатов адресован вопрос.»

  • 26 ноября 2020

    Объявление ученого совета ИСЭ СО РАН

    9–10 декабря 2020 года состоится
    общее собрание коллектива ИСЭ СО РАН
    по вопросу выборов директора института.

    В связи с эпидемической обстановкой собрание проводится в заочной форме.

    Просьба к членам коллектива института
    внимательно ознакомиться с
    Положением о порядке выборов директора ИСЭ СО РАН.

    Список кандидатур на должность директора ИСЭ СО РАН, утвержденный распоряжением Минобрнауки России от 16 ноября 2020 года № 410-р:

    ОРЕШКИН Владимир Иванович,
    РОМАНЧЕНКО Илья Викторович.

  • 23 ноября 2020

    Объявлен конкурс на замещение должностей научных работников:

    1. Заместитель директора по научной работе (1,0 ставки) со следующими должностными обязанностями.

      Курирует работу: планово-экономического отдела, спецчасти, группы по инновационной деятельности и интеллектуальной собственности.
      Осуществляет руководство службой экспортного контроля.
      Курирует вопросы, связанные с позиционированием института в системах рейтингования научных учреждений, работой военной приемки, ФСБ.
      Является председателем комиссии по экспортному контролю, экспертной комиссии института, комиссии по коммерческой тайне, комиссии по поступлению и выбытию нефинансовых активов, заместителем председателя экспертно-проверочной комиссии.
      Координирует участие института в конкурсах фондов поддержки научных исследований.

      Требование к претенденту: наличие ученой степени кандидата физико-математических наук.
    2. Заместитель директора по научной работе (1,0 ставки) со следующими должностными обязанностями.

      Курирует работу бухгалтерии.
      Осуществляет руководство над: группой информационных технологий, юридической службой, канцелярией, архивом, секретарями руководителей.
      Курирует вопросы внешнеэкономической деятельности института, вопросы по гражданской обороне и мобилизационной работе.
      Является председателем экспертно-проверочной комиссии и комиссии по списанию вычислительной техники и оргтехники; является заместителем председателя комиссии по коммерческой тайне, заместителем председателя экспертной комиссии и комиссии по экспортному контролю.
      Является ответственным за профилактику коррупционных и иных правонарушений.

      Требование к претенденту: наличие ученой степени кандидата физико-математических наук.
    3. Заместитель директора по научной работе (1,0 ставки) со следующими должностными обязанностями.

      Осуществляет руководство кадровой службой.
      Курирует работу: конструкторского отдела, группы автоматизации научных исследований, цеха опытного производства.
      Является председателем комиссии по профессиональным стандартам.
      Курирует вопросы системы менеджмента качества.

      Требование к претенденту: наличие ученой степени кандидата технических наук.
    4. Заведующий отделом высоких плотностей энергии (0,2 ставки) с требованием к претенденту: наличие ученой степени доктора физико-математических наук.

    Дата окончания приема заявок от претендентов на участие в конкурсе на портале вакансий ученые-исследователи.рф – 12 января 2021 г.

    Дата проведения конкурса 20 января 2021 г., место проведения – город Томск.


  • 28 октября 2020

    Объявлен конкурс на замещение должностей научных работников:

    1. главного научного сотрудника (1,0 ставки) в отделе высоких плотностей энергии с требованием к претенденту: наличие ученой степени доктора физико-математических наук;
    2. научного сотрудника (0,3 ставки) в лаборатории плазменных источников с требованием к претенденту: наличие ученой степени кандидата физико-математических наук;
    3. научного сотрудника (1,0 ставки) в лаборатории газовых лазеров;
    4. научного сотрудника (0,9 ставки) в лаборатории плазменной эмиссионной электроники.

    Дата окончания приема заявок от претендентов на участие в конкурсе на сайте ученые-исследователи.рф — 10 декабря 2020 г.

    Дата проведения конкурса 23 декабря 2020 г., место проведения город Томск.

  • Объявлен конкурс на замещение должностей научных работников:

    1. младшего научного сотрудника (1,0 ставки) в лаборатории пучково-плазменной инженерии поверхности;
    2. младшего научного сотрудника (0,25 ставки) в лаборатории пучково-плазменной инженерии поверхности;
    3. младшего научного сотрудника (0,25 ставки) в лаборатории плазменной эмиссионной электроники.

    Дата окончания приема заявлений на имя директора ИСЭ СО РАН от претендентов на участие в конкурсе – 10 декабря 2020 г.

    Дата проведения конкурса 23 декабря 2020 г., место проведения город Томск.

    сильноточным электронным пучком»

    Желаем дальнейших успехов в научном творчестве!

  • 16 декабря 2019

    Совет молодых учёных и специалистов ИСЭ СО РАН поздравляет

    ГРЕНАДЁРОВА Александра Сергеевича,

    занявшего II место

    в ежегодном
    Конкурсе докладов ТНЦ СО РАН среди молодых ученых
    с работой «Биосовместимые и износостойкие кремний-углеродные пленки для медицинских применений»
    (секция на русском языке)

  • 10 декабря 2019

    Совет молодых ученых и специалистов поздравляет

    ЗЯТИКОВА Илью Александровича

    с победой в конкурсе научных докладов
    на английском языке
    и возможностью представить свой доклад
    на конкурсе докладов ТНЦ СО РАН!


    Итоги конкурса научных докладов
    среди молодых сотрудников ИСЭ СО РАН
    (на английском языке)

    I место

    ЗЯТИКОВ Илья Александрович
    Superradiance by molecular nitrogen ions in air filament

    II место

    ЧАЗОВ Вадим Андреевич
    Numerical simulation of coupled electromagnetic wave resonances in oversized sectionalized slow-wave structures

    МОЛЧАНОВ Денис Викторович
    Efficiency of rock destruction by a pulse generator based on a linear pulse transformer

  • 10 декабря 2019

    Уважаемые молодые ученые ТНЦ СО РАН!

    13 декабря в 14:00 в Доме ученых ТНЦ СО РАН
    (пр. Академический, 5)

    состоится традиционный

    КОНКУРС ДОКЛАДОВ
    МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ТНЦ СО РАН 2019 г.

    Номинации:

    1. Лучший доклад на английском языке.
    2. Лучший доклад на русском языке.

    В конкурсе участвуют по два представителя от каждого института ТНЦ для выступления в каждой из номинаций соответственно.

    Совет научной молодежи ТНЦ СО РАН

  • 9 декабря 2019

    ВНИМАНИЕ КОНКУРС!!!

    10 декабря 2019 г. в 10.00 в 408 к. ИСЭ СО РАН
    состоится конкурс среди молодых ученых
    на лучший доклад на английском языке.

    Отведенное для доклада время – 10–12 мин,
    время для ответов на вопросы – 3–5 мин.

    Список участников

    1. Зятиков Илья Александрович (Лаборатория газовых лазеров)
      SUPERRADIANCE BY MOLECULAR NITROGEN IONS IN AIR FILAMENT
    2. Молчанов Денис Викторович (Отдел высоких плотностей энергии)
      EFFICIENCY OF ROCK DESTRUCTION BY A PULSE GENERATOR BASED ON A LINEAR PULSE TRANSFORMER
    3. Чазов Вадим Андреевич (Лаборатория высокочастотной электроники)
      NUMERICAL SIMULATION OF COUPLED ELECTROMAGNETIC WAVE RESONANCES IN OVERSIZED SECTIONALIZED SLOW-WAVE STRUCTURES

    Автор лучшего доклада предоставит свою работу на ежегодном конкурсе ТНЦ СО РАН, который состоится 13 декабря 2019 г.

  • 28 ноября 2019

    ВНИМАНИЕ КОНКУРС!!!

    Совет молодых ученых и специалистов ИСЭ СО РАН
    объявляет конкурс среди молодых ученых
    на лучший научный доклад на английском языке.

    К участию в конкурсе приглашаются
    сотрудники ИСЭ СО РАН до 35 лет.
    Отведенное для доклада время — 10-12 мин,
    время для ответов на вопросы — 3-5 мин.
    Конкурс состоится 10 декабря 2019 г. в 10.00
    в 408 к. ИСЭ СО РАН.

    Заявки на участие в конкурсе присылать до 9 декабря 2019 г.
    на e-mail: [email protected]
    (в заявке необходимо указать название доклада, короткую аннотацию и Ф.И.О. докладчика полностью)

    Списки участников будут сформированы
    и представлены не позднее 9 декабря 2019 г.

    Автору лучшего доклада будет предоставлена возможность представить свой доклад на конкурсе ТНЦ СО РАН, который состоится 13 декабря 2019 г.

  • 29 октября 2019

    Объявлен конкурс на замещение должностей научных работников:

    1. заведующего лабораторией оптических излучений (0,2 ставки) с требованием к претенденту: наличие ученой степени кандидата физико-математических наук;
    2. ведущего научного сотрудника (0,7 ставки) в лаборатории оптических излучений с требованием к претенденту: наличие ученой степени кандидата физико-математических наук;
    3. ведущего научного сотрудника (0,75 ставки) в лаборатории плазменной эмиссионной электроники с требованием к претенденту: наличие ученой степени кандидата технических наук;
    4. ведущего научного сотрудника (0,75 ставки) в лаборатории пучково-плазменной инженерии поверхности с требованием к претенденту: наличие ученой степени кандидата технических наук;
    5. ведущего научного сотрудника (0,75 ставки) в лаборатории низкотемпературной плазмы с требованием к претенденту: наличие ученой степени кандидата физико-математических наук;
    6. ведущего научного сотрудника (0,75 ставки) в лаборатории высокочастотной электроники с требованием к претенденту: наличие ученой степени кандидата физико-математических наук;
    7. ведущего научного сотрудника (0,9 ставки) в лаборатории газовых лазеров с требованием к претенденту: наличие ученой степени доктора физико-математических наук;
    8. старшего научного сотрудника (0,75 ставки) в лаборатории вакуумной электроники с требованием к претенденту: наличие ученой степени кандидата физико-математических наук;
    9. научного сотрудника (0,9 ставки) в лаборатории оптических излучений с требованием к претенденту: наличие ученой степени кандидата физико-математических наук;
    10. научного сотрудника (0,7 ставки) в лаборатории оптических излучений с требованием к претенденту: наличие ученой степени кандидата физико-математических наук;
    11. научного сотрудника (0,9 ставки) в лаборатории прикладной электроники с требованием к претенденту: наличие ученой степени кандидата технических наук;
    12. научного сотрудника (0,5 ставки) в лаборатории прикладной электроники с требованием к претенденту: наличие ученой степени кандидата технических наук.

    Дата окончания приема заявок от претендентов на портале вакансий http://ученые-исследователи.рф: 13 декабря 2019 г.

    Дата проведения конкурса: 27 декабря 2019 г., место проведения: город Томск.


    Объявлен конкурс на замещение должностей научных работников:

    1. младшего научного сотрудника (0,45 ставки) в лаборатории теоретической физики;
    2. младшего научного сотрудника (0,25 ставки) в лаборатории плазменной эмиссионной электроники;
    3. младшего научного сотрудника (0,25 ставки) в лаборатории низкотемпературной плазмы;
    4. младшего научного сотрудника (0,25 ставки) в лаборатории вакуумной электроники;
    5. младшего научного сотрудника (0,25 ставки) в отделе высоких плотностей энергии;
    6. младшего научного сотрудника (0,7 ставки) в лаборатории высокочастотной электроники.

    Дата окончания приема заявлений на имя директора ИСЭ СО РАН от претендентов – 13 декабря 2019 г.

    Дата проведения конкурса 27 декабря 2019 г., место проведения город Томск.

  • 22 октября 2019
  • 24 сентября 2019


    Департамент по развитию инновационной и предпринимательской деятельности Томской области организует региональную акселерационную программу «Большая разведка. Томск» с целью выявления перспективных инновационных идей и технологических разработок, ускорения развития инновационных проектов, вовлечения молодежи в технологическое предпринимательство (https://razvedka-tomsk.ru/).
    Участие команд инновационных проектов в мероприятии позволяет им выстроить траекторию развития своих стартапов, пройти обучение технологическому предпринимательству, совместно с трекерами протестировать гипотезы, анализировать рынок и привлечь инвестиции, подготовить заявки на программы «УМНИК» и «СТАРТ», представить проекты потенциальным инвесторам и заказчикам.
    Перечень отраслевых направлений и программа Акселератора представлены в презентации.
    Прием заявок до 5 октября 2019 г. на сайте https://razvedka-tomsk.ru/.
    ПРЕЗЕНТАЦИЯ
    РЕЛИЗ

  • 2 июля 2019

    ПОЗДРАВЛЯЕМ!

    Совет молодых учёных и специалистов ИСЭ СО РАН поздравляет младшего научного сотрудника Лаборатории плзаменной эмиссионной электроники

    МОСКВИНА Павла Владимировича,

    ставшего Победителем в конкурсе 2019-2021 года на получение стипендии Президента РФ молодым ученым и аспирантам.

  • 1 июля 2019

    Подведены итоги конкурса на замещение должностей научных сотрудников, старших научных сотрудников, ведущих научных сотрудников, заведующих лабораториями.
    Подведены итоги конкурса на замещение должности инженера-исследователя.

  • 11 июня 2019

    Приглашение участвовать в специальном выпуске журнала
    Surface Alloying and Cladding

  • 30 апреля 2019

    Объявлен конкурс на замещение должностей научных работников:

  • 30 апреля 2019

    Объявлен конкурс на замещение должности научного работника:

  • 29 марта 2019

    НОВОСТИ СМУиС

    Вниманию молодых ученых и аспирантов ИСЭ СО РАН!!!

    Объявлен конкурс на получение стипендии Президента Российской Федерации для молодых ученых и аспирантов, осуществляющих перспективные научные исследования и разработки по приоритетным направлениям модернизации российской экономики (Конкурс на 2019-2021 гг.).

    Конкурсная документация .

  • 26 марта 2019

    ПОЗДРАВЛЯЕМ

    ведущего научного сотрудника
    отдела импульсной техники
    доктора технических наук

    АЛЕКСАНДРА АНДРЕЕВИЧА КИМА

    с присуждением
    Премии имени Эрвина Маркса
    (2019 Pulsed Power Erwin Marx Award)

    за пионерские работы по исследованию и развитию LTD-технологии построения мощных ускорителей!

  • 15 марта 2019

    КОЛЛЕКТИВНЫЙ ДОГОВОР на 2019-2022 гг. (Проект)

  • 1 марта 2019

    Подведены итоги конкурса на замещение должностей научных работников младший научный сотрудник; инженер-исследователь в научных подразделениях: лаборатория нелинейных электродинамических систем; лаборатория пучково-плазменной инженерии поверхности; лаборатория газовых лазеров; лаборатория оптических излучений; лаборатория высокочастотной электроники.

  • 1 марта 2019

    Подведены итоги конкурса на замещение должностей научных работников старший научный сотрудник; научный сотрудник в научных подразделениях: лаборатория нелинейных электродинамических систем; лаборатория пучково-плазменной инженерии поверхности.

  • 06 февраля 2019

    Молодые ученые ИСЭ СО РАН приняли вызов ИФПМ СО РАН и поучаствовали в акции #ЛопниЛженауку, приуроченной к ежегодной Неделе науки Томской области.
    В своем ролике молодые сотрудники ИСЭ опровергли несколько не соответствующих действительности фактов и бросили вызов ученым из Физического института им. П.Н. Лебедева РАН, Объединенного института высоких температур РАН и Института электрофизики УрО РАН.

    Sorry, your browser doesn’t support embedded videos, but don’t worry, you can download it and watch it with your favorite video player!
  • 05 февраля 2019


    The 14th International Conference
    Gas Discharge Plasmas and Their Applications (GDP 2019)

    will be held in Tomsk, Russia,
    on September 15–21, 2019.

  • 31 января 2019

    Запланированные на 1-9 февраля мероприятия «Недели науки» в Томской области переносятся на 18-24 февраля.

    Программа мероприятий
    Научно-спортивное состязание «Научный биатлон»

  • 23 января 2019

    Департамент науки и высшего образования Администрации Томской области совместно с Советом молодых учёных Томской области при поддержке Томского профессорского собрания в период с 1 по 8 февраля 2019 года организует и проводит мероприятия, посвящённые Дню российской науки.

  • 29 декабря 2018

    Объявлен конкурс на замещение должностей научных работников:

    1. старшего научного сотрудника (1,0 ставки) в лаборатории нелинейных электродинамических систем с требованием к претенденту: наличие ученой степени кандидата технических наук;
    2. научного сотрудника (1,0 ставки) в лаборатории пучково-плазменной инженерии поверхности;
    3. старшего научного сотрудника (1,0 ставки) в лаборатории пучково-плазменной инженерии поверхности с требованием к претенденту: наличие ученой степени кандидата технических наук;
    4. старшего научного сотрудника (1,0 ставки) в лаборатории пучково-плазменной инженерии поверхности с требованием к претенденту: наличие ученой степени кандидата физико-математических наук;
    5. научного сотрудника (0,5 ставки) в лаборатории пучково-плазменной инженерии поверхности;
    6. научного сотрудника (0,5 ставки) в лаборатории пучково-плазменной инженерии поверхности.

    Дата окончания приема заявок от претендентов на портале вакансий http://ученые-исследователи.рф: 15 февраля 2019 г.

    Дата проведения конкурса: 28 февраля 2019 г., место проведения: город Томск.

    Объявлен конкурс на замещение должностей научных работников:

    1. младшего научного сотрудника (1,0 ставки) в лаборатории нелинейных электродинамических систем с требованием к претенденту: наличие ученой степени кандидата физико-математических наук;
    2. младшего научного сотрудника (0,5 ставки) в лаборатории нелинейных электродинамических систем;
    3. младшего научного сотрудника (1,0 ставки) в лаборатории нелинейных электродинамических систем;
    4. младшего научного сотрудника (1,0 ставки) в лаборатории нелинейных электродинамических систем;
    5. младшего научного сотрудника (1,0 ставки) в лаборатории нелинейных электродинамических систем;
    6. младшего научного сотрудника (1,0 ставки) в лаборатории нелинейных электродинамических систем;
    7. младшего научного сотрудника (1,0 ставки) в лаборатории нелинейных электродинамических систем;
    8. инженера-исследователя (1,0 ставки) в лаборатории нелинейных электродинамических систем;
    9. младшего научного сотрудника (1,0 ставки) в лаборатории пучково-плазменной инженерии поверхности;
    10. младшего научного сотрудника (1,0 ставки) в лаборатории пучково-плазменной инженерии поверхности;
    11. младшего научного сотрудника (1,0 ставки) в лаборатории пучково-плазменной инженерии поверхности;
    12. младшего научного сотрудника (0,5 ставки) в лаборатории пучково-плазменной инженерии поверхности;
    13. младшего научного сотрудника (0,5 ставки) в лаборатории пучково-плазменной инженерии поверхности;
    14. младшего научного сотрудника (0,5 ставки) в лаборатории пучково-плазменной инженерии поверхности;
    15. младшего научного сотрудника (0,5 ставки) в лаборатории пучково-плазменной инженерии поверхности;
    16. младшего научного сотрудника (0,5 ставки) в лаборатории пучково-плазменной инженерии поверхности;
    17. младшего научного сотрудника (0,5 ставки) в лаборатории пучково-плазменной инженерии поверхности;
    18. младшего научного сотрудника (0,25 ставки) в лаборатории высокочастотной электроники;
    19. младшего научного сотрудника (0,25 ставки) в лаборатории газовых лазеров;
    20. младшего научного сотрудника (0,25 ставки) в лаборатории оптических излучений.
    21. Дата окончания приема заявлений на имя директора института от претендентов: 15 февраля 2019 г.

      Дата проведения конкурса: 28 февраля 2019 г., место проведения: город Томск.

  • 28 декабря 2018

    Завершился конкурс на замещение должностей руководителей ряда научно-исследовательских подразделений ИСЭ СО РАН.
    Решением конкурсной комиссии победителями конкурса признаны:

    • по вакансии заведующего лабораторией высокочастотной электроники (занятость 0,4 ставки) – к.ф.-м.н. Балзовский Евгений Владимирович;
    • по вакансии заведующего лабораторией низкотемпературной плазмы (занятость 0,2 ставки) – к.ф.-м.н. Ландль Николай Владимирович.
      Претендент, занявший второе место: к.ф.-м.н. Кожевников Василий Юрьевич;
    • по вакансии заведующего лабораторией оптических излучений (занятость 0,2 ставки) – д.ф.-м.н., профессор Тарасенко Виктор Федотович;
    • по вакансии заведующего лабораторией плазменной эмиссионной электроники (занятость 0,2 ставки) – к.т.н. Ахмадеев Юрий Халяфович.

    Протокол №11 (28 декабря 2018 г.)


  • 16 декабря 2018

    П О З Д Р А В Л Я Е М
    старшего научного сотрудника
    лаборатории оптических излучений
    кандидата физико-математических наук

    СОРОКИНА
    Дмитрия Алексеевича

    с присуждением
    премии Томской области
    в сфере образования,
    науки, здравоохранения и культуры 2018 года
    в номинации «Премии молодым научным и научно-педагогическим работникам, специалистам, докторантам и аспирантам в возрасте до 35 лет включительно»!

    Администрация и коллектив ИСЭ

  • 16 декабря 2018

    Совет молодых учёных и специалистов ИСЭ СО РАН
    ПОЗДРАВЛЯЕТ

    ГРЕНАДЁРОВА Александра Сергеевича,

    занявшего III место

    в ежегодном
    Конкурсе докладов ТНЦ СО РАН среди молодых ученых
    с работой «Гидрогенизированные углеродные пленки, легированные кремнием и кислородом (a-C:H:SiOx), используемые в качестве износостойких, просветляющих и биосовместимых»
    (секция на русском языке)

  • 7 декабря 2018

    Поздравляем призеров конкурса на лучшую научно-исследовательскую и инженерно-техническую работы среди научной молодежи ИСЭ СО РАН (на русском языке)!

    ИТОГИ КОНКУРСА 2018

    I место

    Васенина Ирина Владимировна
    Генерация и транспортировка интенсивных субмиллисекундных электронных пучков в вакуумных диодах с плазменным катодом

    Гренадёров Александр Сергеевич
    Гидрогенизированные углеродные пленки, легированные кремнием и кислородом (a-C:H:SiOx), для повышения износостойкости материалов и просветления элементов ИК-оптики

    II место

    Белоплотов Дмитрий Викторович
    Формирование искрового канала, напоминающего чёточную молнию

    III место

    Островерхов Евгений Владимирович
    Генератор плазмы на основе самостоятельного тлеющего разряда для обработки поверхности металлов

    Желаем победителям дальнейших успехов в научной деятельности!

    СМУиС



  • 5 декабря 2018

    Томский научный центр СО РАН посетила делегация во главе с советником по науке и технологиям Посольства Франции Абдо Малаком. Во встрече, состоявшейся 28 ноября в Президиуме ТНЦ СО РАН, приняли участие представители ИСЭ СО РАН.

  • 26 ноября 2018
    Исследование под ключ — это реально и интересно.
    Ученые и инженеры ИСЭ СО РАН приступили к завершающей стадии разработки комплекса методов и аппаратных средств для диагностики бортовой радиоэлектронной аппаратуры космических аппаратов на устойчивость к дугообразованию.
  • 23 ноября 2018

    Внимание конкурс!!!

    Совет молодых ученых и специалистов ИСЭ СО РАН
    объявляет конкурс среди молодых ученых
    на лучший научный доклад на английском языке.

    К участию в конкурсе приглашаются сотрудники ИСЭ СО РАН до 35 лет.
    Отведенное для доклада время – 12–15 мин,
    время для ответов на вопросы – 5 мин.
    Конкурс состоится 11 декабря 2018 г. в 10.00 в 408 к. ИСЭ СО РАН.

    Заявки на участие в конкурсе присылать до 7 декабря 2018г.
    на e-mail: [email protected]
    (в заявке необходимо указать название доклада, короткую аннотацию и Ф.И.О. докладчика полностью)

    Списки участников будут сформированы и представлены на интернет-странице СМУиС и доске объявлений не позднее 7 декабря 2018 г.

    Автору лучшего доклада будет предоставлена возможность представить свой доклад на конкурсе ТНЦ СО РАН, который состоится 14 декабря 2018 г.

  • 7 ноября 2018
    Выпущена в переводе на китайский язык книга «Техника сверхширокополосного электромагнитного излучения». Авторы издания – В. И. Кошелев (Институт сильноточной электроники СО РАН), В. П. Беличенко и Ю. И. Буянов (Томский государственный университет).
  • 30 октября 2018

    Объявлен конкурс на замещение должностей научных работников – руководителей научно-исследовательских подразделений ИСЭ СО РАН:

    Дата окончания приема заявок от претендентов через портал вакансий http://ученые-исследователи.рф — 15 декабря 2018 г.
    Дата проведения конкурса — 28 декабря 2018 г.
    Место проведения город Томск.

  • 27 сентября 2018

    Подведены итоги состоявшегося в Томске с 17 по 22 сентября 6-го Международного конгресса “Потоки энергии и радиационные эффекты” (EFRE-2018).

  • 17 сентября 2018

    17 сентября в Томском Академгородке начинает работу 6-й Международный конгресс «Потоки энергии и радиационные эффекты» (EFRE-2018).

  • 5 июля 2018

    Завершился конкурс на замещение должности заместителя директора по научной работе.
    Решением конкурсной комиссии победителем конкурса признан БАТРАКОВ Александр Владимирович.
    Претендент, занявший второе место: ЛОГИНОВ Сергей Васильевич.
    Протокол №10 (5 июля 2018 г.)


  • 26 июня 2018

    Состоялся первый выпуск из аспирантуры ИСЭ СО РАН…

  • 4 мая 2018

    Объявлен конкурс на замещение должности заместителя директора по научной работе (1,0 ставки).
    https://ученые-исследователи.рф/public/vacancies/view/34798
    Дата окончания приема заявок от претендентов через портал вакансий: 22 июня 2018 г.
    Дата проведения конкурса: 5 июля 2018 г.
    Место проведения город Томск.

  • 16 апреля 2018

    Завершен конкурса на замещение должностей научных работников – научных сотрудников, старших научных сотрудников, ведущих научных сотрудников.
    Протокол №8 (13 апреля 2018 г.)

  • 2 марта 2018

    Российские физики создали в лаборатории миниатюрные голубые струи и красные спрайты

    Сотрудники Института сильноточной электроники СО РАН описали открытое и воспроизведенное ими в лабораторных условиях явление апокампа — формирование голубых и красных струй плазмы, возникающих на изгибе канала импульсно-периодического электрического разряда в различных газах.

  • 13 февраля 2018

    Объявлен конкурс на замещение должностей научных работников:

    • ведущего научного сотрудника (0,5 ставки)
      в отделе импульсной техники;
    • ведущего научного сотрудника (0,2 ставки)
      в отделе высоких плотностей энергии;
    • ведущего научного сотрудника (0,5 ставки)
      в лаборатории вакуумной электроники;
    • ведущего научного сотрудника (0,5 ставки)
      в лаборатории прикладной электроники;
    • старшего научного сотрудника (0,25 ставки)
      в отделе физической электроники;
    • старшего научного сотрудника (1,0 ставки)
      в лаборатории высокочастотной электроники;
    • старшего научного сотрудника (0,5 ставки)
      в лаборатории оптических излучений;
    • старшего научного сотрудника (1,0 ставки)
      в лаборатории плазменной эмиссионной электроники;
    • старшего научного сотрудника (0,5 ставки)
      в лаборатории теоретической физики;
    • научного сотрудника (1,0 ставки)
      в отделе импульсной техники;
    • научного сотрудника (0,5 ставки)
      в лаборатории теоретической физики.

    Дата окончания приема заявок от претендентов через портал вакансий http://ученые-исследователи.рф — 30 марта 2018 г.
    Дата проведения конкурса — 13 апреля 2018 г.
    Место проведения город Томск.

  • 13 февраля 2018

    Объявлен конкурс на замещение должностей научных работников:

    • главного научного сотрудника (0,5 ставки)
      в отделе физической электроники;
    • главного научного сотрудника (1,0 ставки)
      в отделе высоких плотностей энергии;
    • главного научного сотрудника (1,0 ставки)
      в лаборатории плазменной эмиссионной электроники;
    • главного научного сотрудника (0,25 ставки)
      в лаборатории плазменной эмиссионной электроники;
    • главного научного сотрудника (1,0 ставки)
      в лаборатории плазменных источников;
    • главного научного сотрудника (0,2 ставки)
      в лаборатории плазменных источников;
    • главного научного сотрудника (0,5 ставки)
      в лаборатории газовых лазеров;
    • главного научного сотрудника (0,5 ставки)
      в лаборатории оптических излучений;
    • главного научного сотрудника (0,5 ставки)
      в лаборатории низкотемпературной плазмы;
    • главного научного сотрудника (0,25 ставки)
      в лаборатории теоретической физики;
    • главного научного сотрудника (0,5 ставки)
      в лаборатории высокочастотной электроники.

    Дата окончания приема заявлений на имя директора института от претендентов — 30 марта 2018 г.
    Дата проведения конкурса — 13 апреля 2018 г.
    Место проведения город Томск.

  • 7 февраля 2018

    Завершен конкурс на замещение должности заведующего отделом импульсной техники
    Победитель конкурса — к.т.н. Жерлицын А. А.
    Претендент, занявший второе место — к.ф.-м.н. Кожевников В. Ю.
    Протокол №7 (7 февраля 2018 г.)

  • 25 января 2018

    Уважаемые коллеги!

    Открыта регистрация и прием тезисов докладов
    на сайте Конгресса EFRE2018,
    который пройдет в Томске
    с 16 по 22 сентября 2018 года.

  • 27 декабря 2017

    Уважаемые коллеги!

    ИСЭ СО РАН в рамках централизованной подписки по решению и при финансовой поддержке Министерства образования и науки РФ с 25 декабря 2017 года получил доступ к Полнотекстовой коллекции (базе данных) электронных книг издательства Springer Nature с 2011 г. по 2017 г. (46 332 книги)
    Доступ к текстам книг осуществляется по ссылке:
    https://link.springer.com/

  • 18 декабря 2017
    ПОЗДРАВЛЯЕМ

    Воробьева Максима Сергеевича,

    занявшего II место
    в конкурсе докладов ТНЦ СО РАН среди молодых ученых с работой «Генерация и транспортировка интенсивных субмиллисекундных электронных пучков в вакуумных диодах с плазменным катодом»
    (на русском языке)

  • 12 декабря 2017
    Совет молодых ученых и специалистов поздравляет
    призеров конкурса на лучшую научно-исследовательскую
    и инженерно-техническую работы среди научной молодежи ИСЭ СО РАН
    (на русском языке)!

    Итоги конкурса 2017


    ЛУЧШАЯ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКАЯ РАБОТА

    I место
    Воробьёв Максим Сергеевич
    Генерация и транспортировка интенсивных субмиллисекундных электронных пучков в вакуумных диодах с плазменным катодом

    II место
    Припутнев Павел Владимирович
    Прохождение СВЧ-сигнала через слой этилового спирта

    III место
    Белоплотов Дмитрий Викторович
    Исследование формирования плазмы наносекундного разряда в промежутке «острие-плоскость» с помощью ICCD камеры

    III место
    Керея Анна Викторовна
    Реакция головного мозга и организма мышей после облучения жировой ткани наносекундным импульсно-периодическим рентгеновским излучением


    ЛУЧШАЯ ИНЖЕНЕРНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ РАБОТА

    I место
    Гренадеров Александр Сергеевич
    Исследование влияния условий осаждения на структурные и оптико-механические свойства кремний-углеродных пленок

    II место
    Алексеенко Виталий Михайлович
    Повышение надежности мощных импульсных ЛТД-генераторов

    II место
    Яковлев Евгений Витальевич
    Формирование Ti-Ta поверхностного сплава на подложке из TiNi для медицинских применений

    III место
    Прокопенко Никита Андреевич
    Ионно-плазменная модификация режущего и штампового инструмента для обработки цветных металлов


    ИТОГИ КОНКУРСА НАУЧНЫХ ДОКЛАДОВ
    СРЕДИ МОЛОДЫХ СОТРУДНИКОВ ИСЭ СО РАН
    (НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ)

    I место
    Припутнев Павел Владимирович
    Microwave Pulse Transition Through Ethyl Alcohol Layer

    II место
    Иванов Михаил Валериевич
    Investigation of Compression Conditions of Subnanosecond Pulse in the Visible Spectral Range

  • 7 декабря 2017
    Объявлен конкурс на замещение должности заведующего отделом импульсной техники
  • 28 ноября 2017

    Из важнейших научных результатов ИСЭ 2017 года: генерация черенковского сверхизлучения с фиксированной фазовой структурой при инициировании внешним ультракоротким микроволновым импульсом

  • 27 ноября 2017

    Из важнейших научных результатов ИСЭ 2017 года: увеличение эффективности плазменного источника рентгеновского излучения в К-линиях аргона

  • 24 ноября 2017

    ВНИМАНИЕ КОНКУРС!!!

    Совет молодых ученых и специалистов ИСЭ СО РАН
    объявляет конкурс среди молодых ученых
    на лучший научный доклад на английском языке

  • 11 октября 2017

    Уважаемые коллеги!

    В рамках подписки на ресурсы Springer Nature открыт тестовый доступ ко всем коллекциям электронных книг за период 2011-2017 год сроком до 31 декабря 2017 года.
    Доступ осуществляется по ссылке
    https://link.springer.com/

  • 1 октября 2017

    Институту сильноточной электроники СО РАН — 40 лет!

  • 14 сентября 2017
    Завершен конкурс на замещение должностей научных работников
  • 4 июля 2017
    Объявлены конкурсы на замещение должностей научных работников
  • 6 июня 2017
    В издательстве Artech House издана книга «Ultrawideband Short-Pulse Radio Systems» авторов В. И. Кошелева (ИСЭ СО РАН), Ю. И. Буянова и В. П. Беличенко (ТГУ)

    In Artech House publishing, the book «Ultrawideband Short-Pulse Radio Systems» was published authored by V.I. Koshelev (IHCE SB RAS), Yu. I. Buyanov and V.P. Belichenko (Tomsk State University)

  • 31 мая 2017
    11 мая на базе ОГБПОУ «Кривошеинский агропромышленный техникум» в рамках «Агрошколы» для студентов техникума сотрудники ИСЭ СО РАН — Панарин Виктор Александрович и Соснин Эдуард Анатольевич — провели мастер–класс «Инновационные методы увеличения урожайности растениеводческой продукции». В ходе мероприятия Э.А. Соснин рассказал о перспективах применения XeCl-эксиламп в растениеводстве. В.А. Панарин выступил по теме: «Источник плазменной струи: генератор озона и окислов азота». Студенты техникума приняли участие в предпосевной обработке семян (огурца, картофеля, кабачка, лука, капусты, льна, моркови, свеклы) излучением эксилампы.
  • 28 апреля 2017
    Завершен конкурс на замещение должности научного работника в отделе физической электроники
  • 8 февраля 2017
    Владимир Путин вручил награду томскому ученому — Романченко Илье Викторовичу, кандидату физико-математических наук, младшему научному сотруднику ИСЭ СО РАН – за разработку гиромагнитных генераторов сверхмощных радиоимпульсов, способствующих защите от террористических угроз и развитию биомедицинских технологий.
  • 1 февраля 2017
    Завершен конкурс на замещение должностей научных работников в лаборатории оптических излучений
  • 9 сентября 2016
    Завершен конкурс на замещение должности научного работника — заместителя директора по научной работе
  • —>

2,08″ графический дисплей OLED с разрешением 256×64 точек с плоским выводным шлейфом под пайку

Компания Raystar Optronics, Inc предлагает графические пассивно-матричные OLED-дисплеи серии REX025664A с разрешением 256×64 точек, размером диагонали 2,08″ и плоским шлейфом под пайку. Микросхема драйвера SSD1362 обеспечивает передачу данных через параллельный 8-битовый интерфейс, совместимый с шинами процессоров 6800/8080, I2С, 3- или 4-проводной последовательный интерфейс SPI.

Формирование полутонового изображения осуществляется передачей по шине данных для каждого пикселя 4-битового кода. Напряжение питания для логической части REX025664A – 3 В, коэффициент мультиплексирования строк – 1/64; при 50% включённых пикселей потребляется ток 15 мА (при 12 В напряжении питания).

Плоский кабельный шлейф  обеспечивает тонкий профиль конструкции. Технология соединения COG (Chip-On-Glass) кристалла драйвера с выводами на стеклянной подложке обеспечивает толщину конструкции кристалл + стекло 1,61 мм, небольшой вес и малую потребляемую мощность.

Дисплейные модули REX025664A способны работать в расширенном температурном диапазоне от –40 до +85˚C, температурный диапазон хранения от –40 до +85˚C.

Дисплейные модули могут применяться в системах умного дома, измерительных приборах, персональных переносных устройствах, медицинских приборах и др.

Основные параметры дисплейных модулей ряда  REX025664A:

·         Габаритные размеры модуля: 60,5×19×1,61 мм

·         Рабочее поле: 51,18×12,78 мм

·         Размер пикселя: 0,18×0,18 мм

·         Шаг пикселя: 0,20×0,20 мм

·         Контрастность: 2000:1

·         Пассивно-матричная адресация

·         Цвет свечения экрана: белый/жёлтый

·         Коэффициент мультиплексирования строк: 1/64

·         Формирование полутонового изображения: 4-битовый код для каждого пикселя

·         Интерфейс: 3-, 4-проводной SPI, I2С, параллельный 6800/8080

·         Микросхема драйвера: SSD1362

·         Размер диагонали: 2,08″

www.prosoft.ru

Тел. (495) 234-0636

Объектив Юпитер-8 2/50 от телекамеры ‘Электроника Л-50’

Юпитер-8 2/50 из данного обзора является объективом от телекамеры Электроника Л-50. У объектива специфическое крепление на камеру.

Юпитер-8 2/50 от телекамеры ‘Электроника Л-50’

У данного Юпитер-8 2/50 короткий рабочий отрезок, поэтому добиться фокусировки на бесконечность на ЗК не получится. Я купил этот объектив на барахолке за 25 грн (3 у.е.). Оптически это тот же самый Юпитер-8 2/50, но без оправы корпуса, без возможности фокусироваться и без устройства диафрагмы.

У объектива, возле передней линзы, есть резьба диаметром 42мм, и, с помощью обычных макроколец под М42 и переходника М42-‘нужный байонет’, объектив можно закрепить на современной ЦЗК. Таким образом геликоид объектива будет утоплен в макрокольце, а само макрокольцо будет играть роль ‘корпуса’ объектива. Если взять короткое кольцо, то задняя линза объектива будет задевать зеркало ЦЗК. Если взять длинное кольцо, то можно будет снимать только макро. Я использовал 1.5см кольцо, но одел его не на резьбу, а присоединил с помощью скотча, намотанного на геликоид.

Дистанция фокусировки с моим Юпитер-8 2/50 и Canon 350D составила около 50-60 см, этого вполне достаточно для съемки небольших предметов. В данной конструкции наведение на резкость осуществляется приближением/отдалением фотоаппарата от объекта съемки. Объектив можно использовать на полнокадровой ЦЗК, но на моем Nikon D700 такая конструкция мешает работе зеркала и я не стал ее переделывать, чтобы получить фото на полный кадр.

Юпитер-8 2/50 от телекамеры ‘Электроника Л-50’ на ЦЗК

Объектив создает очень приятный мягкий рисунок. Фото доработаны, так как исходное изображения имеет низкий контраст.

1

Пример фото на Юпитер-8 от телекамеры. Пчела

2

Пример фото на Юпитер-8 от телекамеры. Цветок

3

Пример фото на Юпитер-8 от телекамеры. Райские яблочки

4

Пример фото на Юпитер-8 от телекамеры. Цветы

5

Пример фото на Юпитер-8 от телекамеры. Шиповник

6

Пример фото на Юпитер-8 от телекамеры. Два цветка

7

Пример фото на Юпитер-8 от телекамеры. Дикий виноград

8

Пример фото на Юпитер-8 от телекамеры. Розовый не в фокусе 🙂

9

Пример фото на Юпитер-8 от телекамеры. Еще виноград

10

Пример фото на Юпитер-8 от телекамеры

11

Пример фото на Юпитер-8 от телекамеры. Подсолнух и пчела

12

Пример фото на Юпитер-8 от телекамеры

Каталог современных объективов марки ‘Zenitar’ и ‘Helios’ можете посмотреть по этой ссылке.

Выводы

Всего за 3 у.е. и с помощью маленьких усилий можно получить светосильный объектив с чудесным боке.

Обзоры объективов серии Юпитер-8:

  1. ЮПИТЕР-8 1:2 F=5см П | Арсенал | Contax-Киев | 1956
  2. ЮПИТЕР-8М 1:2 F=5 см | Арсенал | Contax-Киев | 1961 | обзор от читателя
  3. ЮПИТЕР-8М 1:2 F=5см П | Арсенал | Contax-Киев | 1963
  4. ЮПИТЕР-8М 2/50 | Арсенал | Contax-Киев  | 1977
  5. ЮПИТЕР-8М 2/53 | Арсенал | Contax-Киев  | 1978
  6. Юпитер-8 1:2 F=5cm П | КМЗ | М39  | 1958 | белый
  7. Юпитер-8 2/50 | КМЗ | М39 | 1962| белый
  8. Юпитер-8 2/50 | КМЗ | от телекамеры ‘Электроника Л-50’ | 1965
  9. Юпитер-8 2/50 | КМЗ | М39 | 1974| черный | обзор от Родиона Эшмакова
  10. Примеры на JUPITER-8 2/50 (черный, М39)
  11. Галерея на 500PX

Также Юпитер-8 существует в ранних версиях под названиями:

  1. ЗК 1:2 F=5см П |КМЗ |складная оправа | ~1948 | М39
  2. Зоркий ЗК 1:2 F=5см П | КМЗ | белый с ушками | ~1949 | М39

В комментариях можно задать вопрос по теме и вам обязательно ответят, а также можно высказать свое мнение или поделиться своим опытом. Для подбора фототехники я рекомендую большие каталоги, например E-katalog. Много мелочей для фото можно найти на Aliexpress.

Материал подготовил Аркадий Шаповал. Ищите меня на Youtube | Facebook | Instagram | Twitter.

Ультратонкие чипы для высокопроизводительной гибкой электроники

  • Martiradonna, L. Имплантируемые устройства: прочная основа. Нац. Матер. 14 , 962–962 (2015).

    Артикул Google ученый

  • Hu, J. Обзор гибкой электроники с точки зрения ITRI в IEEE VTS . В 84-й IEEE (Санта-Круз, США, 2010 г.).

  • Ченг И. К. и Вагнер С.Обзор технологии гибкой электроники. В Flexible Electronics (редакторы Альберто Саллео и Уильям С. Вонг) 1–28 (Springer, Бостон, США, 2009 г.).

  • Дас Р. и Харроп П. Печатная, органическая и гибкая электроника: прогнозы, игроки и возможности на 2013–2023 гг. Кембридж : IDTechEx (2013 г.).

  • Bandyopadhyay, D. & Sen, J. Интернет вещей: приложения и проблемы в области технологий и стандартизации. Провод. Перс. коммун. 58 , 49–69 (2011).

    Артикул Google ученый

  • Ю. К. Дж., Ян З., Хан М. и Роджерс Дж. А. Неорганические полупроводниковые материалы для гибкой и растяжимой электроники. нпдж Flex. Электрон. 1 , 4 (2017).

    Артикул Google ученый

  • Парк, С., Восгеричян, М. и Бао, З.Обзор производства и применения гибкой электроники на основе углеродных нанотрубок. Nanoscale 5 , 1727–1752 (2013).

    Артикул Google ученый

  • Полат Э. О. и др. Синтез графена большой площади для повышения производительности гибких оптоэлектронных устройств. Науч. Респ. 5 , 16744 (2015).

    Артикул Google ученый

  • Новоселов К.С. и др. Дорожная карта для графена. Природа 490 , 192–200 (2012).

    Артикул Google ученый

  • Baca, A.J. et al. Полупроводниковые провода и ленты для высокопроизводительной гибкой электроники. Анжю. хим. Междунар. Эд. 47 , 5524–5542 (2008 г.).

    Артикул Google ученый

  • Zhou, H. et al. Быстрая гибкая электроника с натянутыми кремниевыми наномембранами. Науч. Респ. 3 , 1291 (2013).

    Артикул Google ученый

  • Хе, Дж., Нуццо, Р. Г. и Роджерс, Дж. А. Неорганические материалы и методы сборки гибкой и растяжимой электроники. Продолжить. IEEE 103 , 619–632 (2015).

    Артикул Google ученый

  • Дахия, Р. и Дженнаро, С. Гибкие ультратонкие чипы на гибкой фольге. IEEE Sens. J. 13 , 4030–4037 (2013).

    Артикул Google ученый

  • Хан, С. и др. Гибкие полевые транзисторы с использованием ультратонких кремниевых микропроводов, встроенных в обработанные раствором диэлектрические и металлические слои. Дж. Микромех. Микроангл. 25 , 125019 (2015).

    Артикул Google ученый

  • Sun, Y. & Rogers, J. A. Неорганические полупроводники для гибкой электроники. Доп. Матер. 19 , 1897–1916 (2007).

    Артикул Google ученый

  • Хан, С., Лоренцелли, Л. и Дахия, Р. Технологии печати датчиков и электроники на больших гибких подложках: обзор. IEEE Sens. J. 15 , 3164–3185 (2015).

    Артикул Google ученый

  • Ток, Дж. Б. Х. и Бао, З.Последние достижения в области гибкой и растяжимой электроники, датчиков и источников питания. Науч. Китай хим. 55 , 718–725 (2012).

    Артикул Google ученый

  • Секитани Т. и Сомея Т. Растяжимая органическая электроника большой площади. Доп. Матер. 22 , 2228–2246 (2010).

    Артикул Google ученый

  • Грин, М.А. Тонкопленочные солнечные элементы: обзор материалов, технологий и коммерческого статуса. Дж. Матер. наук: матер. Электрон. 18 , 15–19 (2007).

    Google ученый

  • Рольф, Б. Обзор процессов переноса слоев для кристаллических тонкопленочных кремниевых солнечных элементов. Япония. Дж. Заявл. физ. 40 , 4431 (2001).

    Артикул Google ученый

  • Хуссейн А.M. & Hussain, M.M. Гибкая и растяжимая электроника на основе технологии CMOS для универсального Интернета. Доп. Матер. 28 , 4219–4249 (2015).

    Артикул Google ученый

  • Kim, D.H. et al. Растягивающиеся и складные кремниевые интегральные схемы. Наука 320 , 507–511 (2008).

    Артикул Google ученый

  • Пей З.Дж., Фишер, Г.Р. и Лю, Дж. Шлифование кремниевых пластин: обзор с исторической точки зрения. Междунар. Дж. Мах. Производство инструментов. 48 , 1297–1307 (2008).

    Артикул Google ученый

  • Abgrall, P. & Gue, A. Технологии Lab-on-chip: создание микрожидкостной сети и объединение ее в законченную микросистему – обзор. Дж. Микромех. Микроангл. 17 , 15–49 (2007).

    Артикул Google ученый

  • Крабб, Р.& Treble, F. Тонкие кремниевые солнечные элементы для больших гибких массивов. Природа 213 , 1223–1224 (1967).

    Артикул Google ученый

  • Ласки, Дж., Стиффлер, С., Уайт, Ф. и Абернати, Дж. Кремний на изоляторе (КНИ) путем склеивания и протравливания. В IEEEIEDM . 684–687 (IEEE, Вашингтон, округ Колумбия, США, 1985).

  • Бонг, Дж. Х. и др. Количественный анализ деформации гибкой монокристаллической кремниевой мембраны. Заяв. физ. лат. 110 , 033105 (2017).

    Артикул Google ученый

  • Данг, В., Винчигуэрра, В., Лоренцелли, Л. и Дахия, Р. Растяжимые межблочные соединения, пригодные для печати. Гибкий. Распечатать. Электрон. 2 , 013003 (2017).

    Артикул Google ученый

  • Wacker, N. et al. Анализ напряжения ультратонкой электронной сборки кремниевого чипа на фольге при изгибе. Полуконд. науч. Технол. 29 , 095007 (2014).

    Артикул Google ученый

  • Де Вольф И. Микрорамановская спектроскопия для изучения локальных механических напряжений в кремниевых интегральных схемах. Полуконд. науч. Технол. 11 , 139 (1996).

    Артикул Google ученый

  • Федорченко А.И., Ван А.-Б. и Ченг, Х.H. Зависимость модуля упругости нанопленки от толщины. Заяв. физ. лат. 94 , 152111 (2009).

    Артикул Google ученый

  • Радхакришнан, Х.С. и др. Улучшение качества эпитаксиальных фольг, изготовленных с использованием процесса переноса слоя на основе пористого кремния для высокоэффективных тонкопленочных кристаллических кремниевых солнечных элементов. IEEE J. Фотовольт. 4 , 70–77 (2014).

    Артикул Google ученый

  • Сюэ, К., Ли, С. и Чуанг, Т.Дж. Альтернативный метод решения задач многослойного изгиба. J. Appl. мех. 70 , 151–153 (2003).

    Артикул Google ученый

  • Вилоурас А., Хейдари Х., Гупта С. и Дахия Р. Моделирование КМОП-устройств и схем на гибких сверхтонких микросхемах. IEEE Trans. Электрон. Устройства 64 , 1–9 (2017).

    Артикул Google ученый

  • Гупта С.и другие. Моделирование устройства для гибкой сенсорной системы на основе пьезоэлектрических полевых транзисторов. IEEE Trans. Цепи Сист. я- рег. Пап. 63 , 2200–2208 (2016).

    Артикул Google ученый

  • Хейдари, Х., Вакер, Н. и Дахия, Р. Изменения электрического отклика в сверхтонких гибких микросхемах и моделировании устройств, вызванные изгибом. Заяв. физ. Ред. 4 , 031101 (2017 г.).

    Артикул Google ученый

  • Ю, Ю.& Goodson, K. Рассеяние фононов в кремниевых пленках толщиной порядка 100 нм. Заяв. физ. лат. 74 , 3005–3007 (1999).

    Артикул Google ученый

  • Клаассен, Д. Б. М. Унифицированная модель мобильности для моделирования устройств — II. Зависимость подвижности и времени жизни носителей от температуры. Твердотельный электрон. 35 , 961–967 (1992).

    Артикул Google ученый

  • Вольперт, Д.& Ampadu, P. Температурные эффекты в полупроводниках . В Управление температурными эффектами в наноразмерных адаптивных системах , 15–33 (Springer, Нью-Йорк, США, 2012 г.).

  • Ю. Э., Ван Д., Ким С. и Пшеквас А. Активное охлаждение интегральных схем и оптоэлектронных устройств с использованием термоэлектрической и жидкостной системы с микроконфигурацией. В IEEE ITHERM , 134–139 ​​(IEEE, Лас-Вегас, США, 2000 г.).

  • Хидрово, Ч. Х. и Гудсон, К.E. Активное микрожидкостное охлаждение интегральных схем. Электрические, оптические и тепловые соединения для трехмерных интегрированных систем (под редакцией Дж. Майндла и М. Бакира) 293–330 (Бостон, США, 2008 г.).

  • Грин, М. А. и Киверс, М. Дж. Оптические свойства собственного кремния при 300 К. Prog. Фото.: Рез. заявл. 3 , 189–192 (1995).

    Артикул Google ученый

  • Рохас, Дж.П., Севилья, Г. А. Т. и Хуссейн, М. М. Можем ли мы построить действительно высокопроизводительный компьютер, гибкий и прозрачный? Науч. Респ. 3 , 2609 (2013).

    Артикул Google ученый

  • Грин, М. А. Ламбертовское улавливание света в текстурированных солнечных элементах и ​​светоизлучающих диодах: аналитические решения. Прог. Фото.: Рез. заявл. 10 , 235–241 (2002).

    Артикул Google ученый

  • Вебер, К.и другие. Тонкопленочный кремниевый солнечный элемент с КПД 17% методом жидкофазной эпитаксии. В IEEE PSVC . 1391–1393 (IEEE, Вайколоа, США, 1994).

  • Наварадж, В. Р. Т. и Кумар, А. Моделирование и оптимизация структуры кремниевого солнечного элемента PERL n-типа. Дж. Нано-Электрон. физ. 3 , 1127 (2011).

    Google ученый

  • Наварадж, В. Т., Ядав, Б. К. и Кумар, А. Оптоэлектронное моделирование и оптимизация неограниченного четырехконцевого тандемного солнечного элемента из аморфного кремния / кристаллического кремния. Дж. Комп. Электрон. 15 , 287–294 (2016).

    Артикул Google ученый

  • Джеррам, П. и др. Оптимизация сенсора CMOS с утонением сзади в Proc. ШПАЙ . 759813 (Сан-Франциско, США, 2010 г.).

  • Догиамис, Г. К., Хостичка, Б. Дж. и Грабмайер, А. Исследования ультратонкого сгибаемого монолитного датчика изображения Si CMOS. IEEE Sens. J. 13 , 3892–3900 (2013).

    Артикул Google ученый

  • Маджид, Б. и др. Микроструктурные, механические, изломные и электрические характеристики утонченного и изолированного кремниевого испытательного штампа. Дж. Микромех. Микроангл. 16 , 1519 (2006).

    Артикул Google ученый

  • Hassan, M. U. et al. Эффекты аномальных напряжений в ультратонких кремниевых чипах на фольге. В IEEEIEDM .1–4 (IEEE, Балтимор, США, 2009 г.).

  • Мидзусима Ю. и др. Поведение медных примесей при повреждении задней стороны ультратонкой кремниевой трехмерной многослойной структуры. Микроэлектрон. англ. 167 , 23–31 (2017).

    Артикул Google ученый

  • Teh, W. H., Boning, D. S. & Welsch, R. E. Многослойная скрытая нарезка кубиками перед измельчением для устранения дефектов разделения и повышения прочности штампа: эксперимент и моделирование. IEEE Trans. Полуконд. Производитель 28 , 408–423 (2015).

    Артикул Google ученый

  • Morcom, W. R. et al. Самоподдерживающийся процесс сверхтонких кремниевых пластин. Патент США 6162702 А (2000 г.).

  • Стив Р. и Роберт П. Обзор применения сфокусированного ионного пучка в микросистемной технологии. Дж. Микромех. Микроангл. 11 , 287 (2001).

    Артикул Google ученый

  • Севилья, Г.А. Т. и соавт. Гибкие и полупрозрачные термоэлектрические сборщики энергии из дешевого объемного кремния (100). Малый 9 , 3916–3921 (2013).

    Артикул Google ученый

  • Шандер, А. и др. Разработка и изготовление новых многоканальных плавающих нейронных зондов для интракортикальной хронической записи. Сенсорный привод A-Phys. 247 , 125–135 (2016).

    Артикул Google ученый

  • Брейли, К.и другие. Расслоение кремния имплантацией протонов МэВ. Нукл. Инстр. Мет. физ. Рез. 277 , 93–97 (2012).

    Артикул Google ученый

  • Shahrjerdi, D. & Bedell, S.W. Чрезвычайно гибкие наноразмерные ультратонкие кремниевые интегральные схемы на пластике. Нано Летт. 13 , 315–320 (2012).

    Артикул Google ученый

  • Ковач Г.Т. А., Малуф, Н. И. и Петерсен, К. Э. Объемная микрообработка кремния. Продолжить. IEEE 86 , 1536–1551 (1998).

    Артикул Google ученый

  • Tea, N.H. et al. Гибридное травление с постобработкой для КМОП-совместимых МЭМС. Дж. Микро Сист. 6 , 363–372 (1997).

    Артикул Google ученый

  • Мерлос А. и др.Характеристики анизотропного травления TMAH/IPA. Сенсорный привод A-Phys. 37–38 , 737–743 (1993).

    Артикул Google ученый

  • Ёнехара Т., Сакагучи К. и Сато Н. Эпитаксиальный перенос слоя склеиванием и травление обратной стороны пористого кремния. Заяв. физ. лат. 64 , 2108–2110 (1994).

    Артикул Google ученый

  • Циммерманн, М.и другие. Бесшовный процесс изготовления и сборки ультратонких чипов. В IEEEIEDM . 1-3 (IEEE, Сан-Франциско, США, 2006 г.).

  • Angelopoulos, E. & Kaiser, A. Epitaxial Growth and Selective Etching Techniques In Ultra-thin Chip Technology and Appli cations (ed. Joachim Burghartz), 53–60 (Springer, New York, USA, 2011).

  • Виллар, П. и др. Низковольтная интегральная схема CMOS/SOI смешанного режима для приложений RFID с частотой 13,56 МГц.В IEEE Inter. СОИ Конф. . 163–164 (IEEE, Вильямсбург, США, 2002 г.).

  • Shahidi, G.G. Технология SOI для эры ГГц In Int. Симп. по СБИС-TSA . 11–14 (IEEE, Синьчжу, Тайвань, 2001 г.).

  • Паттон, Г. Л. Новые революционные приложения для продуктов с поддержкой SOI. В IEEE S3S . 1-1 (IEEE, Ронерт Парк, США, 2015 г.).

  • McIntyre, H. et al. Дизайн двухъядерного модуля x86-64 AMD «Bulldozer» в 32-нм SOI CMOS. IEEE J. Твердотельные схемы 47 , 164–176 (2012).

    Артикул Google ученый

  • Сеговия, Дж. А., Фернандес-Боланьос, М. и Куэро, Дж. М. Новый датчик давления MOSFET с подвесным затвором. В проц. ШПАЙ . 363–370 (Севилья, Испания, 2005 г.).

  • Menard, E. et al. Печатная форма кремния для высокопроизводительных тонкопленочных транзисторов на пластиковых подложках. Заяв.физ. лат. 84 , 5398–5400 (2004).

    Артикул Google ученый

  • Ан, Дж. Х. и др. Быстродействующие механически гибкие монокристаллические кремниевые тонкопленочные транзисторы на пластиковых подложках. IEEE Электрон. Устройство Летт. 27 , 460–462 (2006).

    Артикул Google ученый

  • Менар Э., Нуццо Р. Г. и Роджерс Дж.A. Гибкие монокристаллические кремниевые тонкопленочные транзисторы, сформированные путем печати на пластиковых подложках. Заяв. физ. лат. 86 , 093507 (2005).

    Артикул Google ученый

  • Zhu, Z. T. et al. Спиновые добавки для высокопроизводительных монокристаллических кремниевых транзисторов на гибких пластиковых подложках. Заяв. физ. лат. 86 , 133507 (2005).

    Артикул Google ученый

  • Юань, Х.К., Цинь Г., Селлер Г.К. и Ма З. Гибкие высокочастотные микроволновые переключатели, сформированные из монокристаллических кремниевых наномембран на пластиковых подложках. Заяв. физ. лат. 95 , 043109 (2009).

    Артикул Google ученый

  • Сан, Л. и др. Гибкие высокочастотные микроволновые катушки индуктивности и конденсаторы, интегрированные на подложке из полиэтилентерефталата. Заяв. физ. лат. 96 , 013509 (2010).

    Артикул Google ученый

  • Guoxuan, Q. et al. Гибкие микроволновые PIN-диоды и переключатели, в которых используются переносимые монокристаллические кремниевые наномембраны на пластиковых подложках. J. Phys. Д. Заявл. физ. 42 , 234006 (2009).

    Артикул Google ученый

  • Цинь Г. и др. ВЧ характеристика гигагерцового гибкого кремниевого тонкопленочного транзистора на пластиковой подложке в условиях изгиба. IEEE Электрон. Устройство Летт. 34 , 262–264 (2013).

    Артикул Google ученый

  • Юань, Х.К. и Ма, З. Микроволновые тонкопленочные транзисторы с использованием кремниевых наномембран на гибкой полимерной подложке. Заяв. физ. лат. 89 , 212105 (2006).

    Артикул Google ученый

  • Хванг, Г. Т. и др. Гибкие радиочастотные интегральные схемы на основе кремния in vivo, монолитно инкапсулированные биосовместимыми жидкокристаллическими полимерами. ACS Nano 7 , 4545–4553 (2013).

    Артикул Google ученый

  • Деккер, Р. CIRCONFLEX: ультратонкая и гибкая технология для меток RF-ID, в IEEE EMPC . 268–271 (IEEE, Брюгге, Бельгия, 2005 г.).

  • Бернинк К. и Гуха С. и др. Легкие гибкие солнечные элементы на фольге из нержавеющей стали и полимере для применения в космосе и стратосфере, NASA/CP 214494, 54 (2007).

  • Ху, М. и др. Гибкая прозрачная пленка с многослойной структурой PES/серебряных нанопроволок/PET для высокоэффективного экранирования электромагнитных помех. Ленгмюр 28 , 7101–7106 (2012).

    Артикул Google ученый

  • Леньяни, К. и др. Бактериальная целлюлозная мембрана как гибкая подложка для органических светоизлучающих устройств. Тонкий. Твердые пленки 517 , 1016–1020 (2008).

    Артикул Google ученый

  • Морено, С. и др. Биосовместимые коллагеновые пленки как подложки для гибкой имплантируемой электроники. Доп. Электрон. Матер. 1 , 1500154 (2015).

    Артикул Google ученый

  • Лю, Ю. и др. Гибкие органические светоизлучающие диоды, изготовленные на биосовместимой подложке из фиброина шелка. Полуконд.науч. Технол. 30 , 104004 (2015).

    Артикул Google ученый

  • Harman, G. Соединение проводов в микроэлектронике . (McGraw Hill Professional, Нью-Йорк, США, 2009 г.).

  • Харман Г. Г. и Альберс Дж. Механизм ультразвуковой сварки применительно к соединению алюминиевой и золотой проволоки в микроэлектронике. IEEE Trans. Запчасти, гибриды, упаковка. 13 , 406–412 (1977).

    Артикул Google ученый

  • Banda, C. et al. Сборка флип-чипа из утонченного кремниевого кристалла на гибких подложках. IEEE Trans. Электрон. Упак. Произв. 31 , 1–8 (2008).

    Артикул Google ученый

  • Kallmayer, C. et al. Исследования надежности флип-чипа на гибком проводе с использованием различных припоев. В IEEE ECTC .303–310 (IEEE, Лас-Вегас, США, 1998 г.).

  • Фейл, М. и др. Проблема сборки сверхтонких чипов. В IEEE ECTC . 35–40 (IEEE, Лас-Вегас, США, 2004 г.).

  • Van Hal, R., Eijkel, J. & Bergveld, P. Новое описание чувствительности ISFET с буферной емкостью и емкостью двойного слоя в качестве ключевых параметров. Сенсорный привод B-Chem. 24 , 201–205 (1995).

    Артикул Google ученый

  • Дахия Р., Адами А., Коллини К. и Лоренцелли Л. Массивы тактильных датчиков POSFET с использованием технологии CMOS. Сенсорный привод A-Phys. 202 , 226–232 (2013).

    Артикул Google ученый

  • Christiaens, W., Bosman, E. & Vanfleteren, J. UTCP: новая технология упаковки ультратонких чипов на основе полиимида. IEEE Trans. Комп. Упак. Технол. 33 , 754–760 (2010).

    Артикул Google ученый

  • Стеркен Т.и другие. Ультратонкий чип-пакет (UTCP) и технологии растягиваемых схем для носимой системы ЭКГ. В IEEE EMBC . 6886–6889 (IEEE, Лас-Вегас, США, 2011 г.).

  • Hu, D.C. & Chen, HC. Влияние температуры и влажности на адгезию полиимидной пленки к кремниевой подложке. J. Прилипатели. науч. Технол. 6 , 527–536 (1992).

    Артикул Google ученый

  • Чоудхури, И.и другие. Охлаждение на кристалле тонкопленочными термоэлектриками на основе сверхрешеток. Нац. нанотехнологии. 4 , 235–238 (2009).

    Артикул Google ученый

  • Ghoneim, M. T. et al. Улучшенное охлаждение монокристаллического ультратонкого кремния за счет встроенных микровоздушных каналов. AIP Adv. 5 , 127115 (2015).

    Артикул Google ученый

  • Аль-Ваали, А.А., Пол, М.К. и Добсон, П. Жидкостное охлаждение неравномерного теплового потока схемы микросхемы подканалами. Заяв. Терм. англ. 115 , 558–574 (2017).

    Артикул Google ученый

  • Буньян, М. Х. Двусторонняя теплопроводящая клейкая лента для электронных компонентов в пластиковой упаковке. Патент США 20020012762 A1 (2002 г.).

  • Хан, Н. и др. Улучшенное рассеивание тепла в светодиодах на основе нитрида галлия со встроенным рисунком из оксида графена. Нац. коммун. 4 , 1452 (2013).

    Артикул Google ученый

  • Perelaer, J., de Gans, B.J. & Schubert, U.S. Струйная печать и микроволновое спекание токопроводящих серебряных дорожек. Доп. Матер. 18 , 2101–2104 (2006 г.).

    Артикул Google ученый

  • Данг В., Винчигерра В., Лоренцелли Л. и Дахия Р.Металлоорганическая двухслойная структура для растяжимых соединений. Procedia Eng. 168 , 1559–1562 (2016).

    Артикул Google ученый

  • Калифорния, А. и др. Электроды с серебряной сеткой для более быстрого переключения электрохромных устройств, не содержащих ITO. Сол. Энерг. Мат. Сол. Ячейки 153 , 61–67 (2016).

    Артикул Google ученый

  • Ляо, К.и другие. Гибкая органическая электроника в биологии: материалы и устройства. Доп. Матер. 27 , 7493–7527 (2015).

    Артикул Google ученый

  • Вьяс, Р. и др. Струйные беспроводные датчики с автономным питанием для определения параметров окружающей среды, газа и проверки подлинности. IEEE Sens. J. 11 , 3139–3152 (2011).

    Артикул Google ученый

  • Йогесваран, Н.и другие. Новые материалы и достижения в создании электронных скинов для интерактивных роботов. Доп. Робот. 29 , 1359–1373 (2015).

    Артикул Google ученый

  • Кобаяши Н., Сасаки М. и Номото К. Стабильные тонкопленочные транзисторы на периксантеноксантене с эффективной инжекцией носителей. Хим. Матер. 21 , 552–556 (2009).

    Артикул Google ученый

  • Фукуда, К.и другие. Полностью обработанные массивы гибких органических тонкопленочных транзисторов с высокой мобильностью и исключительной однородностью. Науч. Респ. 4 , 3947 (2014).

    Артикул Google ученый

  • Парк, С. К., Джексон, Т. Н., Энтони, Дж. Э. и Мурей, Д. А. Высокомобильное решение для обработки 6, 13-бис (триизопропил-силилэтинил) пентаценовых органических тонкопленочных транзисторов. Заяв. физ. лат. 91 , 3514 (2007).

    Google ученый

  • Zschieschang, U. et al. Гибкие низковольтные органические транзисторы и схемы на основе высокоподвижного органического полупроводника с хорошей устойчивостью на воздухе. Доп. Матер. 22 , 982–985 (2010).

    Артикул Google ученый

  • Секитани Т., Зшишанг У., Клаук Х. и Сомея Т. Гибкие органические транзисторы и схемы с исключительной устойчивостью к изгибу. Нац. Матер. 9 , 1015–1022 (2010).

    Артикул Google ученый

  • Castellanos, R. J. et al. Тактильные датчики на основе проводящих полимеров. Микросист. Технол. 16 , 765–776 (2010).

    Артикул Google ученый

  • Chang, W. Y., Fang, TH, Yeh, S. H. & Lin, Y. C. Гибкие электронные датчики для тактильного мультитач. Датчики 9 , 1188–1203 (2009 г.).

    Артикул Google ученый

  • Chen, H.Y. et al. Технология высокочувствительной сенсорной панели для складного AMOLED. Симптом SID. Копать. Тех. Пап. 48 , 2052–2055 (2017).

    Артикул Google ученый

  • Нуньес, К.Г., Наварадж, В.Т., Полат, Э.О. и Дахия, Р. Энергетическая автономная гибкая и прозрачная тактильная кожа. Доп. Функц. Матер. 27 , 1606287 (2017).

    Артикул Google ученый

  • Hammock, M.L. et al. Статья, посвященная 25-летию: эволюция электронной кожи (E-Skin): краткая история, соображения дизайна и недавний прогресс. Доп. Матер. 25 , 5997–6038 (2013).

    Артикул Google ученый

  • Дахия Р., Метта Г., Валле М. и Сандини Г. Тактильное восприятие – от людей до гуманоидов. IEEE Trans. Робот. 26 , 1–20 (2010).

    Артикул Google ученый

  • Дахия, Р. и др. Направления эффективного использования тактильной кожи – обзор. IEEE Sens. J. 13 , 4121–4138 (2013).

    Артикул Google ученый

  • Дахия Р.и другие. ПДМС оставляет свободный перенос микро-макроструктур на гибкие подложки. Микроэлектрон. англ. 136 , 57–62 (2015).

    Артикул Google ученый

  • Дахия, Р. и др. На пути к тактильной сенсорной системе на чипе для роботизированных приложений. IEEE Sens. J. 11 , 3216–3226 (2011).

    Артикул Google ученый

  • Гупта, С., Хейдари Х., Лоренцелли Л. и Дахия Р. На пути к гибкому датчику касания на основе полевого транзистора на основе пьезоэлектрического оксида и полупроводника. В IEEE ISCAS . 345–348 (IEEE, Монреаль, Канада, 2016 г.).

  • Cannata, G. et al. Модульная кожа для гуманоидных робототехнических систем. В Междунар. конф. Когнитивная система . 1 http://www.cogsys2010.ethz.ch/doc/cogsys2010_proceedings/cogsys2010_0111.pdf (Цюрих, Швейцария, 2010 г.).

  • Дахия, Р. В Справочник по биоэлектронике: непосредственно взаимодействующая электроника и биологические системы (редакторы Сандро Каррара и Кшиштоф Иневски) (издательство Кембриджского университета, Кембридж, Великобритания, 2015 г.).

  • Navaraj, W. T. et al. Нейронный элемент на основе нанопровода FET для роботизированной тактильной сенсорной кожи. Фронт. Неврологи. 11 , 501 (2017).

    Артикул Google ученый

  • Аль-Равхани, М. А. и др. Беспроводная капсула для обнаружения автофлуоресценции в биологических системах. Сенсорный привод B-Chem. 189 , 203–207 (2013).

    Артикул Google ученый

  • Бургарц, Дж.и другие. Технологии CMOS Imager для биомедицинских приложений. В IEEE ISSCC . 142–602 (IEEE, Сан-Франциско, США, 2008 г.).

  • Kunkel, G. et al. Сверхгибкие и ультратонкие встраиваемые медицинские устройства на панелях большой площади. В IEEE ESTC . 1–3 (IEEE, Берлин, Германия, 2010 г.).

  • Лю, Ю., Фарр, М. и Сальваторе, Г. А. Лаборатория на коже: обзор гибкой и растягиваемой электроники для носимого мониторинга состояния здоровья. ACS Nano 11 , 9614–9635 (2017).

    Артикул Google ученый

  • Чжао, П. и др. Разработка высокочувствительных и ультратонких кремниевых сенсоров напряжения для носимых биомедицинских приложений. Сенсорный привод A-Phys. 216 , 158–166 (2014).

    Артикул Google ученый

  • Цзэн В. и др. Носимая электроника на основе волокна: обзор материалов, изготовления, устройств и приложений. Доп. Матер. 26 , 5310–5336 (2014).

    Артикул Google ученый

  • Lauterbach, C. & Jung, S. Интегрированная микроэлектроника для умного текстиля . В Ambient Intelligence (редакторы Вернер Вебер, Ян М. Рабей и Эмиль Аартс), 31–47 (Springer, Берлин, Германия, 2005 г.).

  • Veendrick, H. J. Влияние масштабирования на конструкцию МОП-ИС и последствия для дорожной карты .В ИС CMOS нм: от основ до ASIC , 573–594 (Springer, Cham, Швейцария, 2017 г.).

  • DeBenedictis, E. P. et al. Поддержание закона Мура с помощью 3D-чипов. Компьютер 50 , 69–73 (2017).

    Артикул Google ученый

  • Кортленд, Следующий шаг закона Р. Мура: 10 нанометров. IEEE Спектр. 54 , 52–53 (2017).

    Артикул Google ученый

  • Ко, К.Т. и Чен, К. Н. Технология соединения / укладки на уровне пластин для трехмерной интеграции. Микроэлектрон. Надежный 50 , 481–488 (2010).

    Артикул Google ученый

  • Бейн Э. Технологии системной интеграции 3D. В IEEE VLSI-TSA . 1-9 (IEEE, Синьчжу, Тайвань, 2006 г.).

  • Ghoneim, M. T. et al. Тонкие сегнетоэлектрические конденсаторы на основе PZT на гибком кремнии для приложений энергонезависимой памяти. Доп. Электрон. Мат. 1 , 1500045 (2015).

    Артикул Google ученый

  • Дахия, Р. и Валле, М. Роботизированное тактильное восприятие: технологии и система . (Спрингер, 2012).

  • Чуматченко, Т., Ньюман, Дж. П., Фонг, М.-ф и Поттер, С. М. Доставка постоянно меняющихся стимулов с использованием каналородопсина-2. Фронт. Нейронные цепи 7 , 184 (2013).

    Артикул Google ученый

  • Чжао, С. и др. Улучшенная экспрессия галородопсина для индуцированного светом подавления активности нейронов. Клетка мозга. биол. 36 , 141–154 (2008).

    Артикул Google ученый

  • Witten, I.B. et al. Холинергические интернейроны контролируют активность локальных цепей и кокаиновое обусловливание. Наука 330 , 1677–1681 (2010).

    Артикул Google ученый

  • Наварадж, В. Т., Йогесваран, Н., Винченцо, В. и Дахия, Р. Моделирование беспереходных кремниевых наноленточных полевых транзисторов для высокопроизводительной печатной электроники. В IEEE ECCTD . 1–4 (IEEE, Катания, Италия, 2017 г.).

  • McAlinden, N. et al. Тепловая и оптическая характеристика микро-светодиодных зондов для оптогенетической нейронной стимуляции in vivo. Опц. лат. 38 , 992–994 (2013).

    Артикул Google ученый

  • Park, S.I. et al. Мягкие, растяжимые, полностью имплантируемые миниатюрные оптоэлектронные системы для беспроводной оптогенетики. Нац. Биотехнолог. 33 , 1280 (2015).

    Артикул Google ученый

  • Чортос А., Лю Дж. и Бао З. В поисках протеза электронной кожи. Нац. Матер. 15 , 937–950 (2016).

    Артикул Google ученый

  • Озиоко, О., Таубе, В., Херш, М. и Дахия, Р. Умный палец Брайля: коммуникационная перчатка на основе тактильных ощущений и срабатывания для слепоглухих людей. В IEEE ISIE . 2014–2018 гг. (IEEE, Эдинбург, Великобритания, 2017 г.).

  • Вилорас, А., Наварадж, В., Хейдари, Х. и Дахия, Р. Гибкая система измерения давления для управления протезами рук с помощью языка. В датчиках IEEE .(IEEE, Глазго, Великобритания, 2017 г.).

  • Huo, X., Wang, J. & Ghovanloo, M. Беспроводной интерфейс язык-компьютер на основе магнитоиндуктивного датчика. IEEE Trans. Нейронная система. Реабилит. англ. 16 , 497–504 (2008).

    Артикул Google ученый

  • Тадзима Р. и др. По-настоящему носимый дисплей, состоящий из гибкой батареи, гибкой панели дисплея и гибкой печатной платы. Ж. Соц. Инф.дисп. 22 , 237–244 (2014).

    Артикул Google ученый

  • Остфельд А.Э., Гайквад А.М., Хан Ю. и Ариас А.С. Высокопроизводительная гибкая система хранения и сбора энергии для носимой электроники. Науч. Респ. 6 , 26122 (2016).

    Артикул Google ученый

  • Pennelli, G. & Macucci, M. Мощные термоэлектрические генераторы на основе наноструктурированного кремния. Полуконд. науч. Тех. 31 , 054001 (2016).

    Артикул Google ученый

  • Fattori, F., Anglani, N., Staffell, I. & Pfenninger, S. Высокое проникновение солнечной фотоэлектрической энергии при отсутствии значительной ветровой мощности: требования к хранению и влияние на достаточность мощности. Энергетика 15 , 193–208 (2017).

    Артикул Google ученый

  • Грин, М.А. и др. Таблицы эффективности солнечных батарей (версия 50). Прог. Фото.: Рез. заявл. 25 , 668–676 (2017).

    Артикул Google ученый

  • Bedell, S.W. et al. Перенос слоев контролируемым скалыванием. J. Phys. Д. Заявл. физ. 46 , 152002 (2013).

    Артикул Google ученый

  • Hochbauert, T. et al. Отслоение поверхностного слоя кремния, вызванное водородной имплантацией. Филос. Журнал: B 80 , 1921–1931 (2000).

    Артикул Google ученый

  • Секитани Т. и др. Растягивающийся дисплей на органических светодиодах с активной матрицей и эластичными проводниками, пригодными для печати. Нац. Матер. 8 , 494–499 (2009).

    Артикул Google ученый

  • Цао, К. и др. Среднеразмерные тонкопленочные интегральные схемы из углеродных нанотрубок на гибких пластиковых подложках. Природа 454 , 495–500 (2008).

    Артикул Google ученый

  • Саксена Т. и Белламконда Р. В. Имплантируемая электроника: сенсорная сеть для нейронов. Нац. Матер. 14 , 1190–1191 (2015).

    Артикул Google ученый

  • Lee, J. et al. Растягивающиеся фотогальванические элементы на основе GaAs с конструкциями, обеспечивающими большую площадь покрытия. Доп. Матер. 23 , 986–991 (2011).

    Артикул Google ученый

  • млн лет, Р. К. и др. Гибкие OLED-дисплеи с активной матрицей: проблемы и прогресс. Ж. Соц. Инф. дисп. 16 , 169–175 (2008).

    Артикул Google ученый

  • Гао В. и др. Полностью интегрированные массивы носимых датчиков для мультиплексного анализа пота на месте. Природа 529 , 509–514 (2016).

    Артикул Google ученый

  • Кобаяши, Ю., Планкенштайнер, М. и Хонда, М. Работа с тонкими пластинами и их обработка без подложек-носителей , Нью-Йорк, США, 2011).

  • Landesberger, C., Scherbaum, S. & Bock, K. Изготовление ультратонких пластин путем нарезки кубиками путем утонения In Ultra-thin Chip Technology and Applications (ed Joachim Burghartz), 33– 43 (Спрингер, Нью-Йорк, США, 2011 г.).

  • Хуссейн, А. М., Шейх, С. Ф. и Хуссейн, М. М. Критерии проектирования для XeF 2 позволили детерминированное преобразование объемного кремния (100) в гибкий кремниевый слой. AIP Adv. 6 , 075010 (2016).

    Артикул Google ученый

  • Höchbauer, T. О механизмах расщепления поверхностного слоя кремния, вызванного водородной имплантацией , докторская диссертация (Марбургский университет Филиппа, Германия, 2002).

  • Zimmermann, M., Burghartz, J., Appel, W. & Harendt, C. Изготовление ультратонких микросхем с использованием кремниевых пластин со скрытыми полостями . В Ultra-thin Chip Technology and Appli cations (ed. Joachim Burghartz), 69–77 (Springer, New York, USA, 2011).

  • Burghartz, J. Производство тонких кристаллов на основе кремния на изоляторе (КНИ) . В Ultra-thin Chip Technology and Appli cations (ed. Joachim Burghartz), 61–67 (Springer, New York, USA, 2011).

  • Prasad, C. et al. Характеристика и сравнение надежности транзисторов для 14-нм технологии Tri-Gate, оптимизированной для платформ System-on-Chip и литейных платформ. В IEEE IRPS . 4B-5-1-4B-5-8 (IEEE, Пасадена, США, 2016 г.).

  • Stellari, F. et al. Измерение самонагрева 14-нм транзисторов FinFET SOI с использованием двумерного излучения с временным разрешением. IEEE Trans. Электрон. Приборы 63 , 2016–2022 (2016).

    Артикул Google ученый

  • Хаталис, М.К. и Греве, Д.В. Высокопроизводительные тонкопленочные транзисторы в низкотемпературных кристаллизованных пленках аморфного кремния LPCVD. IEEE Электрон. Устройство Летт. 8 , 361–364 (1987).

    Артикул Google ученый

  • Rieutort-Louis, W. et al. Коэффициент усиления по току тонкопленочных транзисторов из аморфного кремния выше частоты среза. В IEEE DRC . 273–274 (IEEE, Санта-Барбара, США, 2014 г.).

  • Ван Р.и другие. Канальные транзисторы InGaN с высокой подвижностью электронов с барьером InAlGaN и f T /f max 260/220 ГГц. Заяв. физ. Экспресс 6 , 016503 (2012).

    Артикул Google ученый

  • Zhang, L. Q. et al. Формирование низкотемпературного омического контакта в GaN-транзисторах с высокой подвижностью электронов с использованием микроволнового отжига. IEEE Электрон. Устройство Летт. 36 , 896–898 (2015).

    Артикул Google ученый

  • Droopad, R. et al. In 0,75 Ga 0,25 В качестве слоев канала с рекордной подвижностью, превышающей 12 000 см 2 /Вс, для использования в NMOSFET с высокой диэлектрической проницаемостью. Твердотельный электрон. 50 , 1175–1177 (2006).

    Артикул Google ученый

  • Wang, C. et al. Самовыравнивающиеся полевые транзисторы металл-оксид-полупроводник III–V сверхвысокой частоты на жестких и гибких подложках. Нано Летт. 12 , 4140–4145 (2012).

    Артикул Google ученый

  • Wang, J. et al. Высокомобильный транзистор MoS 2 с контактом с низким барьером Шоттки за счет использования h-BN атомной толщины в качестве туннельного слоя. Доп. Матер. 28 , 8302–8308 (2016).

    Артикул Google ученый

  • Ву, В. и др. Полевые транзисторы с высокой мобильностью и высоким коэффициентом включения/выключения на основе монокристаллических зерен MoS 2 , осажденных из газовой фазы. Заяв. физ. лат. 102 , 142106 (2013).

    Артикул Google ученый

  • Das, S., Chen, H.-Y., Penumatcha, A. V. & Appenzeller, J. Высокопроизводительные многослойные транзисторы MoS 2 со скандиевыми контактами. Нано Летт. 13 , 100–105 (2013).

    Артикул Google ученый

  • Cheng, R. et al.Малослойные дисульфидмолибденовые транзисторы и схемы для быстродействующей гибкой электроники. Нац. коммун. 5 , 5143 (2014).

    Артикул Google ученый

  • Лю, Х. и др. Высокоэффективный полевой транзистор на основе многослойного дисульфида вольфрама. ACS Nano 8 , 10396–10402 (2014).

    Артикул Google ученый

  • Георгиу Т.и другие. Вертикальный полевой транзистор на основе гетероструктур графен-WS 2 для гибкой и прозрачной электроники. Нац. нанотехнологии. 8 , 100–103 (2013).

    Артикул Google ученый

  • Zhang, Y. et al. Высокомобильные многоразрядные элементы энергонезависимой памяти на основе органических полевых транзисторов с большим гистерезисом. Орг. Электрон. 35 , 53–58 (2016).

    Артикул Google ученый

  • Ю, Дж., Yu, X., Zhang, L. & Zeng, H. Датчик газа аммиака на основе пентаценового органического полевого транзистора. Сенсорный привод B-Chem. 173 , 133–138 (2012).

    Артикул Google ученый

  • Китамура, М. и Аракава, Ю. Работа на высоких частотах (> 10 МГц) в тонкопленочных транзисторах с пентаценом. В AIP Conf. Процедура . 883–884 (Сеул, Корея, 2011 г.).

  • Мерик И. и др. Масштабирование длины канала в графеновых полевых транзисторах изучалось с помощью импульсных измерений тока и напряжения. Нано Летт. 11 , 1093–1097 (2011).

    Артикул Google ученый

  • Ван, Л. и др. Одномерный электрический контакт с двумерным материалом. Наука 342 , 614–617 (2013).

    Артикул Google ученый

  • Лин Ю.М. и др. 100-ГГц транзисторы из эпитаксиального графена в виде пластины. Наука 327 , 662–662 (2010).

    Артикул Google ученый

  • Севилья, Г. А. Т. и др. Высокоэффективный полупроводниковый элемент схемы из оксида металла с высоким κ/металлическим затвором на гибком кремнии. Заяв. физ. лат. 108 , 94–102 (2016).

    Google ученый

  • Richter, H. et al. Технологические и конструктивные аспекты ультратонких кремниевых чипов для гибкой электроники.В IEEE ICICDT . 149–154 (IEEE, Остин, США, 2009 г.).

  • Джиун, Х. Х., Ахмад, И., Джалар, А. и Омар, Г. Влияние методов утонения пластин на прочность на излом и топографию кремниевой матрицы. Микроэлектрон. Надежный 46 , 836–845 (2006).

    Артикул Google ученый

  • Маэда, Н. и др. Разработка сверхтонкой технологии менее 10 мкм с использованием пластин устройств для трехмерного производства терабитной памяти.В IEEE VLSIT . 105–106 (IEEE, Гонолулу, США, 2010 г.).

  • Шиншо, К. и др. Оценка монолитных пиксельных устройств кремний-на-изоляторе, утонченных до 100 мкм. В IEEE NSS/MIC 646–649 (IEEE, Ноксвилл, США, 2010 г.).

  • Такью, С., Сагара, Дж. и Куросава, Т. Исследование процесса утончения чипа для сверхтонких устройств памяти. В IEEE ECTC . 1511–1516 (IEEE, Лейк-Буэна-Виста, США, 2008 г.).

  • Ю, Х.Нарезка кубиками перед процессом измельчения для подготовки полупроводника. Патент США 20120040510 A1 (2012 г.).

  • Kazmi, S. N. R., Salm, C. & Schmitz, J. Глубокое реактивное ионное травление in situ легированного бором LPCVD Ge 0,7 Si 0,3 с использованием плазмы SF 6 и O 29505 Микроэлектрон. англ. 110 , 311–314 (2013).

    Артикул Google ученый

  • Сиварам, С., Агарвал А., Хернер С. Б. и Петти С. Дж. Способ формирования фотогальванического элемента, содержащего тонкую пластинку. (2010).

  • Шахрджерди, Д. и др. Высокоэффективные тонкопленочные тандемные солнечные элементы InGaP/InGaAs/Ge на основе технологии контролируемого скалывания. Заяв. физ. лат. 100 , 053901 (2012).

    Артикул Google ученый

  • Ван, С. и др. Отдельно стоящий ультратонкий монокристаллический кремний большой площади в качестве обрабатываемых материалов. Нано Летт. 13 , 4393–4398 (2013).

    Артикул Google ученый

  • Burghartz, J., Appel, W., Rempp, H.D. & Zimmermann, M. Новый процесс изготовления и сборки ультратонких чипов. IEEE Trans. Электрон. Устройства 56 , 321–327 (2009).

    Артикул Google ученый

  • Деккер, Р. и др. Метка RF-ID толщиной 10 мкм для бумажных чипов.В IEEE BCTM . 18–21 (IEEE, Санта-Барбара, США, 2005 г.).

  • Юн Д. Дж., Лим С. Х., Ли Т. В. и Ри С. В. Изготовление гибких пентаценовых тонкопленочных транзисторов на подложке из нержавеющей стали 304 и 430 (SS). Орг. Электрон. 10 , 970–977 (2009).

    Артикул Google ученый

  • Сет А. и др. Рост и характеристика CdTe путем близкорасположенной сублимации на металлических подложках. Сол. Энергия Матер. Сол. Клетки 59 , 35–49 (1999).

    Артикул Google ученый

  • Колахчи А. Р., Аджи А. и Карро П. Дж. Повышение гидрофильности и шероховатости поверхности ПЭТ путем смешивания В AIP Conf. Продолжить . (изд. Садхан С. Джана) 030001 (издательство AIP, Кливленд, Огайо, США, 2015 г.).

  • Wohl, C.J., Belcher, M.A., Ghose, S. & Connell, J.W. Модификация свойств поверхности полиимидных пленок с использованием осаждения полиэдрического олигомерного силсесквиоксана и воздействия кислородной плазмы. Заяв. Серф. науч. 255 , 8135–8144 (2009 г.).

    Артикул Google ученый

  • Джонстон, И., МакКласки, Д., Тан, К. и Трейси, М. Механические характеристики объемного Sylgard 184 для микрофлюидики и микроинженерии. Дж. Микромех. Микроангл. 24 , 035017 (2014).

    Артикул Google ученый

  • Танг Дж.и другие. Высокоэластичные электроды на мятой полидиметилсилоксановой подложке. Науч. Респ. 5 , 16527 (2015).

    Артикул Google ученый

  • Achyuthan, K. et al. Исследования старения парилена С. 1–42 (Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM (USA, 2014).

  • Chang, TY et al. Совместимость поверхностей парилен-C с клетками и белками. .

    Артикул Google ученый

  • Kaiju, H., Basheer, N., Kondo, K. & Ishibashi, A. Шероховатость поверхности и магнитные свойства Ni и Ni 78 Fe 22 тонкие пленки на полиэтиленнафталатных органических подложках. IEEE Trans. Магн. 46 , 1356–1359 (2010).

    Артикул Google ученый

  • Староста В., Вавщак Д.& Buczkowski, M. PEN как материал для трековых мембран. 98–99 (МАГАТЭ, Варшава, Польша, 1998 г.).

  • Венгер М.П., ​​Бозек Л., Хортон М.А. и Мескида П. Механические свойства коллагеновых фибрилл. Биофиз. J. 93 , 1255–1263 (2007).

    Артикул Google ученый

  • Jiang, C. et al. Механические свойства прочных ультратонких пленок из фиброина шелка. Доп. Функц.Матер. 17 , 2229–2237 (2007).

    Артикул Google ученый

  • Баймарк Ю., Сриса-ард М. и Шриханам П. Морфология и термостабильность микрочастиц, смешанных с фиброином шелка и крахмалом. Экспресс Полим. лат. 4 , 781–789 (2010).

    Артикул Google ученый

  • Элахи, М. Ф., Гуан, Г., Ван, Л. и Кинг, М.W. Влияние послойного нанесения полиэлектролита и иммобилизации активированного гепарина EDC/NHS на шелковую фиброиновую ткань. Материалы 7 , 2956–2977 (2014).

    Артикул Google ученый

  • Сараванан, Д. Структура паучьего шелка, свойства и прядение. Ж. Текст. аппар. Технол. Управление 5 , 1–20 (2006).

    Google ученый

  • Электроника | Бесплатный полнотекстовый | Развязка активной мощности для преобразователей источников тока: обзорный сценарий

    1.Введение

    Преобразователи тока обладают уникальными характеристиками, такими как собственная способность к короткому замыканию, отсутствие электролитического конденсатора, возможность повышения напряжения и высокая надежность, и они широко используются в таких приложениях, как интеллектуальные микросети [1], промышленное бесперебойное питание. Источники питания (UPS) [2], сверхпроводниковые накопители магнитной энергии (SMES) [3], фотоэлектрические энергетические системы [4], системы передачи постоянного тока высокого напряжения (HVDC) и гибкие системы передачи переменного тока (FACT) [5].Существует много ключевых технических проблем, которые необходимо решить для преобразователя, таких как проблема тока утечки, проблема эффективности и т. д. [6,7,8,9,10,11]. Для преобразователя с однофазным источником тока существует неотъемлемое ограничение низкочастотных колебаний мощности на стороне переменного тока, которые в два раза превышают основную частоту сети. Он переходит на сторону постоянного тока и приводит к низкочастотным пульсациям в звене постоянного тока. Он имеет много неблагоприятных недостатков. Например, это может снизить эффективность отслеживания точки максимальной мощности (MPPT) в фотоэлектрических приложениях.Следовательно, это может привести к мерцанию светодиодных ламп [12]. Кроме того, это может привести к перегреву батареи и сокращению срока службы топливных элементов [13,14]. По этой причине методы развязки мощности популярны как в академических, так и в промышленных областях. По сути, вышеупомянутые пульсации мощности можно уменьшить, увеличив индуктивность звена постоянного тока. Однако он громоздкий и нерентабельный. Другой метод заключается в использовании пассивной LC-ветви для обхода пульсаций мощности, но он все же нерентабелен из-за низкочастотного LC-контура.Недавно сообщалось, что методы развязки активной мощности решают эту проблему. За последние десятилетия было сообщено о многих интересных топологиях [15,16,17,18,19,20,21,22,23,24]. Например, схема типа buck, схема типа boost или схема типа buck-boost применяется в качестве схемы развязки вспомогательной мощности [25]. В другом методе, описанном в [26, 27], используются два дополнительных конденсатора, размещенных на стороне переменного тока, для обеспечения развязки по мощности без каких-либо вспомогательных переключателей. Была предложена топология развязки с использованием центрального отвода изолирующего трансформатора [28, 29, 30].Вышеупомянутые топологии являются преобразователями источника напряжения. С другой стороны, методы развязки активной мощности для преобразователей источников тока мало обсуждались в литературе. Например, Сан и др. предложил интересную схему, в которой использовалась схема развязки, включенная последовательно с основным преобразователем [31]. Преимущество этого метода развязки мощности заключается в гибкости управления. Для преобразователя переменного/постоянного/переменного тока источника тока низкочастотные пульсации также существуют на стороне постоянного тока.В [32] предложена своего рода схема развязки по мощности. Конденсатор используется в качестве компонента компенсации мощности, а мостовая схема H применяется для развязки мощности. Другая схема в [33] использует буферный конденсатор для обеспечения развязки мощности на стороне постоянного тока. В [34] предложена схемная структура, подключенная параллельно преобразователю источника тока на стороне постоянного тока. Для этой структуры схемы буферный конденсатор также подключается последовательно с преобразователем источника тока, когда схема работает в режиме развязки по мощности.Кроме того, схема развязки питания может быть установлена ​​на стороне переменного тока [35], для чего требуется дополнительное плечо перемычки. Аналогичная структура схемы предложена в [36,37,38]. В [39] предложена модифицированная структура дифференциальной связанной схемы. Для уменьшения количества вспомогательных ключей предложена своего рода схема развязки по мощности с мультиплексированием нижних ключей [40]. В [41,42] предложены модифицированные схемы силовой развязки, не требующие дополнительного ключа. Топология развязки с использованием разделительного трансформатора для преобразователя источника тока взята из [43].Цепь развязки по мощности независима от основного преобразователя. Однако для изоляции цепи развязки и преобразователя основного источника тока требуется трансформатор. Таким образом, метод развязки мощности можно разделить на емкостную и индуктивную компенсацию [44]. Для развязки активной мощности преобразователей источников тока в качестве устройства компенсации пульсаций мощности обычно применяется конденсатор. По соотношению между вспомогательной цепью развязки мощности и основной цепью цепь развязки пульсирующей мощности можно разделить на независимые и ненезависимые структуры [45].Далее будут представлены подробности, а остальная часть статьи организована следующим образом. Теоретический анализ колебаний и пульсаций мощности для преобразователя с однофазным источником тока представлен в разделе 2. Универсальные схемы развязки мощности проиллюстрированы и обсуждены в разделах 3 и 4. Кроме того, проводится сравнение различных схем развязки мощности. представлено в Разделе 5.

    2. Определение проблемы

    Базовый преобразователь однофазного источника тока показан на рисунке 1.На рисунке 1 напряжение сети u ac и ток сетки i ac можно представить как:

    iac=I⋅cos(ω⋅t+φ),

    (2)

    В уравнении (2) φ представляет фазовый угол между напряжением сети и током. Выходная мощность P ac может быть представлена ​​как

    Pac=uac⋅iac=VIcos(φ)2+VIcos(2ω⋅t+φ)2,

    (3)

    Из (3) видно, что P ac имеет мощность пульсаций при удвоенной частоте сети.

    Постоянная мощность P o может быть представлена ​​как: Следовательно, мощность пульсаций P r может быть представлена ​​как:

    Pr=VIcos(2ω⋅t+φ)2

    (5)

    В соответствии с законом сохранения мощности пульсации мощности также существуют на стороне постоянного тока.

    На рис. 2 показано соотношение между выходной мощностью и мощностью пульсаций. Мощность переменного тока P ac состоит из постоянной мощности P o и мощности пульсаций P r . В соответствии с законом сохранения мощности вспомогательная цепь необходима для ослабления пульсаций. Когда мощность переменного тока P ac больше, чем мощность P или , мощность пульсаций поглощается компенсирующей схемой. Вспомогательная цепь излучает энергию для компенсации мощности переменного тока P ac , когда мощность переменного тока P ac меньше, чем P или .Это основной механизм метода развязки мощности.

    3. Решения по развязке питания на стороне постоянного тока

    Структура, показанная на рис. 3а, последовательно подключается к основному преобразователю на стороне постоянного тока для компенсации пульсаций мощности. Конденсатор используется в качестве пассивного компонента для обхода мощности пульсаций. Схема, показанная на рисунке 3b, представляет собой упрощенную схему, в которой количество вспомогательных переключателей уменьшено. Однако при этом возрастет сложность управления схемой. В преобразователе используется мостовая структура типа H, показанная на рис. 4.Напряжение буферного конденсатора ниже напряжения на стороне постоянного тока. Для этой схемы режимы схемы и процесс развязки мощности представлены следующим образом. Когда вспомогательные выключатели S 5 и S 6 включены, буферный конденсатор заряжается. При выключенных переключателях S 5 и S 6 буферный конденсатор разряжается через вспомогательный диод D 1 и D 2 . Когда включен только переключатель S 5 или S 6 , буферный конденсатор шунтируется.Напряжение буферного конденсатора регулируется для компенсации мощности пульсаций в соответствии с мощностью пульсаций в системе в реальном времени. Вспомогательная цепь развязки управляется независимо от основного преобразователя. Для функции схемы развязки мощности мощность пульсаций устраняется на стороне постоянного тока, а индуктивность на стороне постоянного тока может быть относительно небольшой. Предлагается другая схема развязки мощности, использующая цепь последовательной развязки мощности, как показано на рисунке 5. /DC/AC преобразователь имеет три плеча моста, которые играют роль выпрямления и инверсии с общим плечом моста.Плечо моста «а» и плечо моста «с» работают как выпрямление. И плечо моста «b» и плечо моста «c» работают как инверсия. Цепь развязки включена последовательно со звеном постоянного тока, в котором применен конденсатор для компенсации мощности пульсаций.

    По сравнению с обычным преобразователем переменного/постоянного/переменного тока в схеме требуется меньше переключателей. Однако система может выйти из строя, когда вспомогательная цепь развязки вышла из строя, поскольку цепь развязки включена последовательно с основной цепью на стороне постоянного тока.

    Структура силовой развязки этого типа, показанная на рис. 3, имеет преимущества простой структуры схемы, независимости от основного преобразователя и гибкого управления. Существует несколько других типов схемных структур, представленных ниже. Как показано на рисунке 6, вспомогательная схема развязки подключается параллельно основному преобразователю. Буферный конденсатор С используется для компенсации мощности пульсаций. Взяв, к примеру, положительный период, режимы работы и процесс развязки мощности обсуждаются следующим образом.В положительный период переключатели S 3 и S 2 выключены, переключатели S 1 , S 4 и дополнительный переключатель S 5 работают на осуществление передачи энергии и силовой развязки. Когда S 5 включен и напряжение конденсатора u c C ниже напряжения сетки, диод D 2 будет включен. Постоянный ток будет протекать по цепи, состоящей из переключателя S 5 и диода D 2 .При включении S 5 и напряжении на конденсаторе С выше напряжения сетки диод D 2 выключится и разрядится конденсатор С, включенный последовательно с основным преобразователем. При выключении С 5 и выключении основных преобразовательных ключей С 1 , С 4 происходит заряд конденсатора С через диоды Д 1 и Д 2 . При выключении S 5 и включении главных преобразователей S 1 и S 4 конденсатор С шунтируется.Между тем, ток сетки и напряжение конденсатора с компенсацией мощности контролируются. В отличие от схемы, показанной на рисунке 4, вспомогательная схема развязки зависит от основного преобразователя. Когда напряжение сети отрицательное, состояние цепи аналогично положительному периоду. Как показано на рис. 7, вспомогательная схема развязки состоит из одного плеча моста и двунаправленной повышающе-понижающей схемы, которые компенсируют мощность пульсаций. Напряжение конденсатора C f поддерживается постоянным.Конденсатор С используется для компенсации мощности пульсаций.

    Для этой схемы режимы работы и процесс развязки питания обсуждаются следующим образом. Когда все основные переключатели преобразователя S 1 – S 4 выключены, дополнительный переключатель S 5 остается включенным. В этом состоянии постоянный ток шунтируется вспомогательной перемычкой, пока переключатель S 6 включен. Буферная схема подает нулевое напряжение на сторону постоянного тока. Пока переключатель S 6 выключен, буферная цепь подключается последовательно со стороной постоянного тока для компенсации мощности пульсаций.Когда главные переключатели преобразователя S 1 и S 4 (или S 2 и S 3 ) включены, переключатель S 5 остается выключенным. В этом состоянии, когда переключатель S 6 выключен, буферная цепь изолирована от источника. Когда переключатель S 6 включен, буферная цепь подключается последовательно со стороной постоянного тока. Состояния переключателей S 5 и S 6 зависят от главной цепи.

    Схема развязки, показанная на рис. 6 и рис. 7, подключается параллельно основному преобразователю, но буферный конденсатор подключается последовательно с основным преобразователем.

    4. Типовая структура схемы развязки на стороне переменного тока

    Интересная структура схемы для развязки мощности пульсаций на стороне переменного тока предложена в [35]. Как показано на рисунке 8, имеется вспомогательное плечо моста преобразователя. Конденсатор C 1 , C 2 и C 3 работают как конденсатор компенсации мощности, соединенный в звезду. Конденсаторы C 2 и C 3 также работают как конденсатор фильтра переменного тока. Чтобы компенсировать мощность пульсаций, схема развязки совместно использует два плечевых моста с основным преобразователем для эффективного управления напряжением на конденсаторе.Схема, показанная на рисунке 9, является одной из упрощенных схем. Развязывающий конденсатор C 3 на рисунке 8 можно рассматривать как провод в схеме на рисунке 9. Развязывающий конденсатор C 1 работает как конденсатор фильтра переменного тока. В литературе [36] представлена ​​схема, которая также компенсирует мощность пульсаций на стороне переменного тока. Это дуальность с преобразователем источника напряжения, представленным в [37]. Структура схемы аналогична рисунку 9. Как показано на рисунке 10, топология схемы состоит из трех ветвей моста.Плечо моста «b» соединено с плечом моста «c» через буферный конденсатор C. Управляя током, протекающим через конденсатор C, можно компенсировать мощность пульсаций. В отличие от схемы, показанной на рис. 9, в схеме используется только один развязывающий конденсатор. Следовательно, им легко управлять. Для преобразователя переменного / постоянного / переменного тока с однофазным источником тока мощность пульсаций существует на стороне источника и нагрузки. Для устранения низкочастотной энергии в звене постоянного тока в [38] предложена интересная схема, показанная на рисунке 11.Вспомогательные схемы развязки питания были применены на стороне переменного тока для компенсации пульсаций мощности, что аналогично методу развязки, показанному на рисунке 10. По сравнению с методом развязки питания, показанным на рисунке 11, для этой схемы требуется больше дополнительных переключателей. Отныне он имеет больше потерь при переключении. Для достижения развязки мощности пульсаций была применена схема с другим соединением, как показано на рисунке 12a. Как показано на рисунке 12a, инвертор источника тока состоит из двух инверторов H-типа, которые подключены дифференциальным способом.В цепи развязки мощности используются два конденсатора в качестве устройства компенсации мощности, которое размещается на стороне переменного тока. Количество переключателей велико, как показано на рис. 12а. Модифицированная структура схемы предложена в [39]. Два средних плеча моста на рисунке 12а были синтезированы в одно плечо моста, как показано на рисунке 12b. Конденсаторы компенсации мощности C 1 и C 2 , показанные на рис. 12b, использовались также в качестве конденсаторов фильтра переменного тока. Фаза части пульсаций напряжения двух конденсаторов была перепутана.Таким образом, общее напряжение двух конденсаторов синхронизируется с напряжением сети. Как указано выше, схема развязки вспомогательной мощности разделяет плечо моста с основным преобразователем. Схема развязки, в которой нижние ключи используются совместно с основным инвертором, предложена в [40]. Как показано на рисунке 13, часть схемы развязки отмечена нижней пунктирной линией. Основной преобразователь отмечен верхней пунктирной линией. Очевидно, что мультиплексные переключатели являются нижними ключами основного преобразователя.По сравнению с обычной независимой схемой для зависимой схемы требуется меньше переключателей. Чтобы уменьшить количество дополнительных переключателей, в [41, 42] предложена модифицированная схема рис. 13. Как показано на рис. 14а, имеется вспомогательный конденсатор, который подключается между плечами моста. Есть два состояния цепи для зарядки напряжения конденсатора. Когда выключатели S 1 , S 3 и S 4 включены, конденсатор С заряжается. Пока переключатель S 2 включен, конденсатор С разряжается.Напряжение конденсатора С регулируется для компенсации мощности пульсаций. В этой схеме требуется только один вспомогательный диод для ограничения цепи разряда буферного конденсатора. По сравнению с рис. 14а схема, показанная на рис. 14б, имеет два вспомогательных конденсатора. Таким образом, схема имеет больше необязательных состояний схемы. Топология развязки с использованием изолирующего трансформатора для преобразователя источника тока получена из [43]. На рисунке 15 видно, что цепь развязки вспомогательного питания отделена от выходной цепи.Цепь развязки вспомогательного питания не зависит от основного преобразователя. По сравнению с зависимой цепью развязки мощности, управление независимой цепью проще. Однако для этого требуется больше вспомогательных переключателей и дополнительный трансформатор.

    5. Обсуждения и выводы

    Мощность пульсаций в преобразователе однофазного источника тока отрицательно влияет на работу системы. Вот почему развязка мощности важна для преобразователей однофазных источников тока. В этой статье представлен систематический обзор методов развязки мощности для однофазных преобразователей тока.Обычно конденсатор используется как буферное устройство для развязки по мощности [46,47,48,49]. В соответствии с соотношением между схемой развязки и основным преобразователем топология делится на независимые и зависимые схемы. Зависимая схема нуждается в нескольких вспомогательных переключателях. Однако его сложно контролировать. Схема развязки может быть размещена на стороне постоянного или переменного тока основного преобразователя. Одна из схем развязки на стороне постоянного тока показана на рис. 4. Схема развязки H-моста включена последовательно с основным преобразователем.Для этой схемы схема развязки мощности управляется независимо от основного преобразователя. Другие схемы развязки питания на стороне постоянного тока показаны на рис. 6 и рис. 7. Цепь развязки вспомогательного питания параллельна основному преобразователю. Схема развязки на стороне переменного тока разделяет плечи моста с главным преобразователем. Типичная структура описывается следующим образом. Структура схемы на рис. 16а требует наличия двух или более буферных конденсаторов для развязки мощности пульсаций.Типичные структуры схемы показаны на рис. 8, рис. 9 и рис. 12. Структуры схемы на рис. 9 и рис. 12 можно рассматривать как упрощенную схему на рис. 8. Для схемы, показанной на рис. 16b, схема развязки имеет общий плечо моста с главным преобразователем. Типичная схема показана на рис. 10. Для развязки по мощности требуется только один буферный конденсатор. Ее можно считать похожей на структуру схемы на рисунке 8.

    Что касается двух структур схемы, показанных выше, схема развязки зависит от основного преобразователя.Они будут мешать друг другу, что приводит к искажению выходного тока и усложняет управление.

    Сравнение этих топологий показано в таблице 1. Структуры силовых цепей развязки имеют разные характеристики. Например, по сравнению с зависимой схемой развязки, на независимую схему развязки не влияет основной преобразователь. Однако для независимой схемы развязки требуется больше дополнительных переключателей. Читатели могут задаться вопросом, что может быть лучшим выбором среди этих универсальных решений.Ответить на этот вопрос сложно, поскольку каждый из них имеет свои недостатки и преимущества. В этой статье проведен обзор и сравнение, и ожидается, что она станет полезным руководством для исследователей и инженеров по выбору подходящего решения по развязке питания для их конкретных приложений.

    Компьютеры и электроника в сельском хозяйстве — Журнал

    Компьютеры и электроника в сельском хозяйстве обеспечивает международное освещение достижений в разработке и применении компьютерного оборудования, программного обеспечения, электронных приборов и систем управления для решения проблем в сельское хозяйство , включая агрономию, садоводство (как с точки зрения продуктов питания, так и с точки зрения удобств), лесное хозяйство, аквакультуру и животноводство.Его новый сопутствующий журнал «Умные сельскохозяйственные технологии» обеспечивает преемственность интеллектуальных приложений, применяемых в сельскохозяйственном производстве.

    В журнале публикуются оригинальные статьи, обзоры и заметки о применении по темам, касающимся достижений в использовании компьютеров или электроники в растениеводстве или животноводстве, включая сельскохозяйственные почвы, воду, вредителей, контролируемую среду, конструкции и отходы, а также как сами растения и животные. Также охвачены внутрихозяйственные послеуборочные операции, считающиеся частью сельского хозяйства (такие как сушка, хранение, логистика, оценка производства, обрезка и разделение растительного и животного материала).Соответствующие области технологий включают искусственный интеллект, датчики, машинное зрение, робототехнику, сети и имитационное моделирование.

    При определении пригодности представленных рукописей для публикации особое внимание уделяется новизне и инновациям, а также степени, в которой рукопись продвигает современные компьютеры/электронику в сельском хозяйстве. Применение существующей технологии к определенной культуре в первый раз не квалифицируется как инновация в области компьютеров/электроники для этого журнала.Исследования с применением готового аппаратного или программного обеспечения без дополнения таких технологий инструментами, инновациями или уникальными подходами, разработанными исследователями, должны быть представлены в сопутствующий журнал «Умные сельскохозяйственные технологии», в сферу охвата которого входят прикладные технологии. Рукописи, которые применяют компьютеры/электронику в качестве вспомогательного средства или фокусируют цели и выводы в первую очередь на прикладных науках (например, энтомология, агрономия, инженерия, экономика, садоводство), должны быть представлены в один из соответствующих научных журналов.

    Журнал признает, что использование ранее опубликованных наборов данных (буквенно-цифровых, количественных или изображений) может быть чрезвычайно полезным, поскольку исследователи разрабатывают и прототипируют новые алгоритмы машинного обучения или машинного зрения с потенциальным применением в сельском хозяйстве. Тем не менее, журнал рассматривает эту работу по прототипированию как предварительную по своему характеру, и потенциальные авторы должны, прежде чем отправлять такую ​​работу в этот журнал, создать более строгий с научной точки зрения набор данных, собранный авторами в контролируемых и зарегистрированных экспериментальных условиях.

    Опасность электронных отходов: надвигающаяся проблема

    Indian J Occup Environ Med. 2008 г., август; 12(2): 65–70.

    Вайолет Н. Пинто

    Департамент общественной медицины, доктор Д.Ю. Медицинский колледж и больница Патила, Нерул, Нави Мумбаи-400 706, Индия

    Департамент общественной медицины, доктор Д.Ю. Медицинский колледж и больница Патила, Нерул, Нави Мумбаи-400 706, Индия

    Для корреспонденции: 3, «Авеню», 1-й этаж, участок 188, дорога 33А, Вадала, Мумбаи-400 031, Индия.Электронная почта: [email protected] © Indian Journal of Occupational and Environmental Medicine

    Это статья с открытым доступом, распространяемая в соответствии с лицензией Creative Commons Attribution License, которая разрешает неограниченное использование, распространение и воспроизведение на любом носителе при условии оригинальная работа правильно цитируется.

    Эта статья была процитирована другими статьями в PMC.

    Abstract

    Электронные отходы или электронные отходы являются одной из быстрорастущих мировых проблем. Электронные отходы состоят из множества компонентов, некоторые из которых содержат токсичные вещества, которые при неправильном обращении могут оказать неблагоприятное воздействие на здоровье человека и окружающую среду.В Индии управление электронными отходами приобретает большее значение не только из-за образования собственных электронных отходов, но и из-за сброса электронных отходов из развитых стран. Это связано с отсутствием в Индии соответствующей инфраструктуры и процедур по его утилизации и переработке. В этой обзорной статье представлен краткий обзор текущего сценария электронных отходов в Индии, а именно масштабы проблемы, опасности для окружающей среды и здоровья, текущие операции по утилизации и переработке, существующая правовая база, организации, работающие над этим вопросом, и рекомендации к действию.

    Ключевые слова: Электронные отходы, опасность для окружающей среды, профессиональная опасность

    ВВЕДЕНИЕ

    Производство электрического и электронного оборудования (ЭЭО) является одним из самых быстрорастущих видов производственной деятельности в мире. Быстрый экономический рост в сочетании с урбанизацией и растущим спросом на потребительские товары увеличил как потребление, так и производство ЭЭО[1]. Индийская индустрия информационных технологий (ИТ) была одной из основных движущих сил изменений в экономике в последнее десятилетие и внесла значительный вклад в цифровую революцию, которую переживает мир.Новые электронные гаджеты и бытовая техника проникли во все аспекты нашей повседневной жизни, обеспечивая нашему обществу больше комфорта, здоровья и безопасности, а также упрощая получение информации и обмен ею.[2] Однако общество знаний оставляет свои собственные ядовитые следы.

    Та же самая гипертехнология, которая провозглашается «решающим вектором» будущего современного общественного развития, имеет не очень современную обратную сторону: электронные отходы (e-waste) [3].

    Электронные отходы в широком смысле охватывают отходы от всех электронных и электрических приборов и включают такие предметы, как компьютеры, мобильные телефоны, цифровые музыкальные рекордеры/плееры, холодильники, стиральные машины, телевизоры (телевизоры) и многие другие предметы домашнего обихода.[2]

    Растущее «проникновение на рынок» в развивающихся странах, «замещающий рынок» в развитых странах и «высокий уровень устаревания» делают электронные отходы одним из самых быстрых потоков отходов.[4] Этот новый вид отходов создает серьезную проблему при утилизации и переработке как для развитых, так и для развивающихся стран. Несмотря на наличие одних из самых передовых в мире высокотехнологичных предприятий по разработке программного и аппаратного обеспечения, индийский сектор переработки можно назвать средневековым. Сброс электронных отходов, особенно компьютерных отходов, в Индию из развитых стран[5] («зеленый паспорт» по Гутьерресу[6]), поскольку последние считают удобным и экономичным вывоз отходов, еще больше усложнил проблемы с управление отходами.

    Все это сделало управление электронными отходами проблемой окружающей среды и здоровья.

    МАСШТАБ ПРОБЛЕМЫ

    Исследования показывают, что общее количество электронных отходов в Индии составляет примерно от 1 46 000 тонн[7–9] до 3,3 лакх тонн в год и, как ожидается, достигнет 4,7 лакх тонн к 2011 году[. 10] «Прогнозируемый рост образования электронных отходов в Индии составляет около 34% в годовом исчислении», — говорит Синха (заместитель директора Toxics Link).[11]

    Из общего количества электронных отходов, образующихся в стране, на западную Индию приходится самое большое население — 35%, а на южные, северные и восточные регионы — 30, 21 и 14% соответственно.В число штатов с самым высоким уровнем отходов электрического и электронного оборудования (WEEE) входят Махараштра, Андхра-Прадеш, Тамилнад, Уттар-Прадеш, Западная Бенгалия, Дели, Карнатака, Гуджарат, Мадхья-Прадеш и Пенджаб. Городской рейтинг крупнейших производителей WEEE: Мумбаи, Дели, Бангалор, Ченнаи, Калькутта, Ахмадабад, Хайдарабад, Пуна, Сурат и Нагпур.[8]

    Общее количество отходов электрического и электронного оборудования в Махараштре составляет 20 270,6 тонн, из которых доля Нави Мумбаи — 646,48 тонн, Большого Мумбаи — 11 017 тонн.06 тонн, Пуна 2584,21 тонны и Пимпри-Чинчвад 1032,37 тонны. Приблизительно 30 000 компьютеров ежегодно устаревают из-за ИТ-индустрии только в Бангалоре.[8] Бангалор, где находится более 1200 иностранных и отечественных технологических компаний, занимает видное место в списке опасных городов, сталкивающихся с опасностью электронных отходов. В Бангалоре ежегодно производится до 1000 тонн пластика, 300 тонн свинца, 0,23 тонны ртути, 43 тонны никеля и 350 тонн меди.[9] В то время как на основе металлолома, которым занимаются торговцы металлоломом в Дели, их общее количество персональных компьютеров (ПК), предназначенных для разборки, будет составлять около 15 000 в год.В эту цифру не входят ПК, которые продают крупные дилеры, получающие металлолом из иностранных источников.[12] Только Мумбаи, финансовый центр Индии, выбрасывает 19 000 тонн электронных отходов в месяц, не считая крупных электронных отходов, которые он импортирует из развитых стран через свой порт.[11]

    Помимо образующихся бытовых электронных отходов, в страну незаконно ввозится дополнительно 50 000 тонн в год.[10] За один месяц сообщается о ввозе 30 тонн электронных отходов в порт Ахмадабад.[12]

    Хотя северная Индия не является ведущим производителем электронных отходов, она является ведущим центром переработки электронных отходов в стране. На юге Индии есть только два официальных переработчика (в Ченнаи и Бангалоре) и один в западной Индии. В настоящее время ни на севере, ни на востоке нет официальных предприятий по переработке отходов.[10,13] Более 1 миллиона бедняков в Индии вовлечены в ручную переработку отходов.[12] Большинство людей, работающих в этом секторе переработки, составляют городские бедняки с очень низким уровнем грамотности и, следовательно, очень мало осведомлены об опасности токсинов электронных отходов.Этим видом деятельности занимается значительное число женщин и детей, и они более уязвимы к опасностям, связанным с этими отходами.[2] Всестороннее исследование проблем со здоровьем женщин и детей, нанятых торговцами металлоломом, еще предстоит провести.[14]

    Основными источниками использования компьютеров и, следовательно, образования электронных отходов являются коммерческий сектор (государственные ведомства, государственный или частный сектор, офисы многонациональных корпораций и т. д.), на долю которых сегодня приходится 78% от общего числа установленных ПК.Другими источниками являются отдельные домохозяйства (22%), иностранные посольства, предприятия по производству ПК, розничные продавцы ПК, вторичные рынки старых ПК и импортный электронный лом из других стран.[12]

    На следующие три категории WEEE приходится почти 90 % производства:[8]

    1. Крупная бытовая техника: 42 %,

    2. Информационно-коммуникационное оборудование: 33,9 % и

    3. Потребительская электроника 90 : 13,7%.

    ЧТО ТАКОЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ ОТХОДЫ?

    Электронные отходы или электронные отходы — это термин, используемый для описания старых электронных устройств с истекшим сроком службы, таких как компьютеры, ноутбуки, телевизоры, DVD-плееры, мобильные телефоны, mp3-плееры и т. д., которые были удалены их первоначальными пользователями.[8]

    Электронные отходы подразделяются на три основные категории: крупная бытовая техника, ИТ и телекоммуникации и потребительское оборудование. Холодильник и стиральная машина представляют собой крупную бытовую технику; ПК, монитор и ноутбук представляют ИТ и телекоммуникации, а телевизор — потребительское оборудование.

    Каждый из этих электронных отходов был классифицирован в отношении 26 общих компонентов, обнаруженных в них. Эти компоненты образуют «строительные блоки» каждого элемента, и поэтому их легко «идентифицировать» и «удалить».Этими компонентами являются металл, двигатель/компрессор, охлаждение, пластик, изоляция, стекло, ЖК-дисплей, резина, проводка/электрооборудование, бетон, трансформатор, магнетрон, ткань, печатная плата, люминесцентная лампа, лампа накаливания, нагревательный элемент, термостат, бромированное пламя. пластмассы, содержащие антипирен (BFR), аккумуляторы, CFC/HCFC/HFC/HC, внешние электрические кабели, огнеупорные керамические волокна, радиоактивные вещества и электролитические конденсаторы (свыше L/D 25 мм).

    Состав WEEE/э-отходов очень разнообразен и различается в продуктах разных категорий.Он содержит более 1000 различных веществ, которые подпадают под категории «опасных» и «неопасных». В широком смысле он состоит из черных и цветных металлов, пластмасс, стекла, дерева и фанеры, печатных плат, бетона и керамики, резины и других изделий. Железо и сталь составляют около 50% WEEE, за ними следуют пластмассы (21%), цветные металлы (13%) и другие компоненты. Цветные металлы состоят из таких металлов, как медь, алюминий и драгоценные металлы, т.е. серебро, золото, платина, палладий и др.Присутствие таких элементов, как свинец, ртуть, мышьяк, кадмий, селен и шестивалентный хром, а также антипиренов сверх пороговых значений в WEEE/электронных отходах классифицирует их как опасные отходы.[4]

    Электронные и электрические товары в основном классифицируются по трем основным категориям: «бытовая техника», состоящая из бытовой техники, такой как кондиционеры, посудомоечные машины, холодильники и стиральные машины; «бытовые товары», включающие телевизоры, видеокамеры, фотоаппараты и т. д.; «серые товары», такие как компьютеры, принтеры, факсимильные аппараты, сканеры и т. д.Серые товары сравнительно сложнее перерабатывать из-за их токсичного состава.[2]

    ВОЗДЕЙСТВИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ ОТХОДОВ НА ЗДОРОВЬЕ И ОКРУЖАЮЩУЮ СРЕДУ

    ЭЭО состоят из множества компонентов, некоторые из которых содержат токсичные вещества, которые при неправильном обращении оказывают неблагоприятное воздействие на здоровье человека и окружающую среду. Часто эти опасности возникают из-за неправильного использования процессов переработки и утилизации.[8] Это может иметь серьезные последствия для тех, кто находится вблизи мест, где электронные отходы перерабатываются или сжигаются.Отходы от белых и коричневых товаров менее токсичны по сравнению с серыми товарами. Компьютер содержит высокотоксичные химические вещества, такие как свинец, кадмий, ртуть, бериллий, BFR, поливинилхлорид и соединения фосфора.[2]

    : Опасность для окружающей среды и здоровья.

    Таблица 1

    Опасность окружающей среды и здоровья. [12,13]

    92 92 92 92 92 92

    Свинец оказывает токсическое действие на различные систем в организме, таких как центральная (органический аффективный синдром) и периферическая нервная система (моторная нейропатия), система кроветворения (анемия), мочеполовая система (способна вызывать поражение всех отделов нефрона) и репродуктивная система (мужская и женский).[15]

    Ртуть

    вызывает поражение мочеполовой системы (канальцевая дисфункция), центральной и периферической нервной систем, а также плода. Когда неорганическая ртуть распространяется в воде, она трансформируется в метилированную ртуть, которая биоаккумулируется в живых организмах и концентрируется в пищевой цепи, особенно в рыбе.[4,15,16]

    Кадмий

    потенциально долго -срочный кумулятивный яд. Токсичные соединения кадмия накапливаются в организме человека, особенно в почках.Имеются данные о роли кадмия и бериллия в канцерогенности.[17–19]

    Полициклические ароматические углеводороды (ПАУ)

    Поражает легкие, кожу и мочевой пузырь. Проведенные в прошлом эпидемиологические исследования воздействия ПАУ на рабочем месте предоставляют достаточные доказательства роли ПАУ в индукции рака кожи и легких. Материалы (управление, обработка и трансграничное перемещение) Правила 2007 г. (от 28 сентября 2007 г.), часть Закона об охране окружающей среды 1986 г.

    Индия подписала Базальную конвенцию. (Базельская конвенция – Программа ООН по окружающей среде) о контроле за трансграничным перемещением опасных отходов и их удалением.

    Политика в отношении электронных отходов отсутствует, хотя некоторые части компьютеров можно считать опасными отходами.

    ОРГАНИЗАЦИИ/СЕТИ, ЗАНИМАЮЩИЕСЯ ПРОБЛЕМАМИ ЭЛЕКТРОННЫХ ОТХОДОВ

    В Индии

    1. Банк знаний по управлению электронными отходами в Индии.[21]

    Экопрограмма Asia Pro, поддерживаемая Европейской комиссией, посвящена экологическим показателям в азиатских экономических секторах путем обмена экологической политикой, технологиями и практиками, а также содействия устойчивым инвестициям и торговле между государствами-членами Европейского Союза и Южной Азией, Южной Азией. Восточная Азия и Китай.

    2. Руководство по электронным отходам, Индия (www.ewaste.in).

    Инициатива индийско-немецко-швейцарского партнерства [Министерство окружающей среды и лесного хозяйства, Федеральное министерство экономического сотрудничества и развития Германии и Государственный секретариат Швейцарии по экономическим вопросам]. Он также предназначен для использования в качестве информационного ресурса по электронным отходам. в качестве общей платформы для совместной работы заинтересованных сторон.

    3. Национальная ассоциация твердых отходов Индии (NSWAI) (www.nswai.com).

    Ведущая профессиональная некоммерческая организация в области управления твердыми отходами, в том числе токсичными и опасными, а также биомедицинскими отходами в Индии.Он был основан в 1996 году. В его задачи входит развитие профессии в области обращения с твердыми отходами, исследования и разработки, развитие опыта, стандартов и надлежащей практики в отношении обращения с твердыми отходами. Некоторые из других включают совершенствование законодательства и повышение осведомленности и вовлечение сообщества.

    4. Ссылка на токсичные вещества (www.toxicslink.org).

    Группа активистов-экологов из Дели, миссией которой является борьба за экологическую справедливость и свободу от токсичных веществ.Он также активно участвует в повышении осведомленности общественности об экологических проблемах посредством публикаций, отчетов, статей и бюллетеней экологических новостей, помимо организации различных мероприятий.

    5. Другие организации: STEP Workweb, WEEE Forum, Clean India, Индийское экологическое общество, ИНДИЙСКИЙ ЦЕНТР ОБИТАНИЯ и Зона микробной биотехнологии Научно-исследовательского института Tata Energy.

    Международные сети

    1. Коалиция по токсичным веществам Силиконовой долины

    Основанная в 1982 году, расположенная в Сан-Хосе, Калифорния, это разнообразная низовая коалиция, которая занимается исследованиями и защитой интересов и организована вокруг проблем окружающей среды и здоровья человека, вызванных быстрый рост высокотехнологичной электронной промышленности.Коалиция организовала совместную кампанию союзников, в том числе местных жителей, потребителей, работников электроники и технологий, а также государственных деятелей, направленную на повышение экологической сознательности и повышение эффективности высокотехнологичного сектора.

    2. Базельская сеть действий (BAN)

    Глобальная сеть организаций, занимающихся активными действиями по борьбе с токсичными веществами и развитием, которые разделяют видение международной экологической справедливости. Сеть стремится предотвратить все формы «токсичной торговли» — токсичными отходами, токсичными продуктами и токсичными технологиями.Он работает над предотвращением глобализации кризиса токсичных химических веществ. BAN находится в ведении секретариата Азиатско-Тихоокеанской экологической биржи (APEX), базирующейся в Сиэтле, штат Вашингтон, США. APEX — это деятельность Центра приливов.

    3. Другими являются Международная ассоциация по твердым отходам, Ассоциация по твердым отходам Северной Америки, Агентство по охране окружающей среды и т. д.

    РЕКОМЕНДАЦИИ ДЛЯ ДЕЙСТВИЙ

    Решение кризиса электронных отходов заключается в «предотвращении у источника производства» или «принципе предосторожности».Этого можно добиться, используя методы минимизации отходов и устойчивую разработку продукта.

    минимизация отходов в отраслях включает в себя, включает в себя применение:

    • Управление инвентаря

    • модификация процесса производства

    • снижение объема

    • Recovery и Reaution

    • Устойчивый дизайн продукта включает в себя:

    • Переосмысление процедуры проектирования продукта (плоские компьютеры)

    • Использование возобновляемых материалов и энергии

    • Создание электронных компонентов и периферийных устройств из биоразлагаемых материалов

    • Рассмотрение варианта экологичной упаковки

    • Использование минимального упаковочного материала 90

    Расширенная ответственность производителя считается одной из наиболее подходящих структур, объединяющих все перечисленные принципы экологической справедливости.Это перекладывает ответственность за безопасную утилизацию на производителей. Он продвигает безопасные экологические технологии, а также стремится к более качественному сырью, более чистым технологиям производства и проектированию, обеспечивающему долговечность.

    Некоторые процедуры переработки требуют усовершенствования, повышения квалификации (как в навыках, так и в технологиях), а от некоторых приходится вообще отказываться из-за серьезного риска для здоровья и окружающей среды.

    2. Вмешательства на уровне политики

    • Четкое определение электронных отходов для регулирования.

    • Режим регулирования импорта и экспорта.

    • Комплексная политика управления отходами ИТ

    Отсутствие ясности в отношении электронных отходов и неспособность существующих правил обращения с опасными отходами регулировать и эффективно контролировать переработку электронных отходов — вот некоторые из основных причин, по которым эксперты и представители гражданского общества, требующие отдельного свода правил для направления и контроля этих процессов.[24]

    Производители должны нести ответственность за весь жизненный цикл своей продукции.В развитых странах в этом направлении было предпринято несколько усилий. Несколько десятков городов в штатах Калифорния и Массачусетс, включая Сан-Франциско, также приняли резолюции, поддерживающие правила «возврат продукции производителем». Wipro Infotech запустила услугу по утилизации электронных отходов для конечных клиентов. Другие варианты утилизации включают Dell (dell.com), HP (hp.com) и Apple (apple.com).[25]

    3. Внедрение и наращивание потенциала

    • Законодательство по сбору, переработке и утилизации.

    • Наращивание институционального потенциала.

    • Формализация неофициального сектора вторичной переработки.

    3.1 Техническое преимущество улучшения процессов (реструктуризация рециркуляции)

    На Ash Recyclers, одном из двух авторизованных заводов по переработке в Бангалоре, опасные металлы безопасно извлекаются на специальном заводе, а все остальное, вплоть до ключей, перерабатывается .[9]

    3.2 Защитный протокол для работников, занимающихся утилизацией электронных отходов

    Работникам предоставляются официально признанные рабочие места, на которых они могут использовать свои навыки и где обеспечивается безопасность труда (информация об опасностях для здоровья, связанных с их работой, и самозащита, защитное снаряжение и оборудование, а также периодические медицинские осмотры) гарантируется.

    4. Повышение осведомленности

    В настоящее время осведомленность о существовании и опасностях электронных отходов крайне низка, отчасти потому, что объемы производимых электронных отходов не так велики, как в развитых странах. Требуются срочные меры для решения этой проблемы.

    Роль граждан в управлении электронными отходами включает:

    • Пожертвование электроники для повторного использования, что продлевает срок службы ценных продуктов и не допускает их попадания в систему управления отходами в течение длительного времени.

    • При покупке электронных продуктов отдавайте предпочтение тем, которые изготовлены с меньшим количеством токсичных компонентов, используют переработанные материалы, являются энергоэффективными, предназначены для легкой модернизации или разборки, используют минимальную упаковку и предлагают варианты лизинга или возврата.

    • Повышение осведомленности потребителей с помощью кампаний по повышению осведомленности общественности является важным моментом, который можно отнести к новому ответственному виду потребительства.

    ЗАКЛЮЧЕНИЕ

    Индия находится в очень интересном положении.Потребность часа — это срочный подход к опасности электронных отходов путем вмешательства на техническом и политическом уровне, внедрения и наращивания потенциала, а также повышения осведомленности общественности, чтобы он мог превратить эту проблему в возможность показать миру, что Индия готова для решения будущих проблем и может установить глобальные заслуживающие доверия стандарты в отношении гигиены окружающей среды и гигиены труда.

    Сноски

    Источник поддержки: Нет

    Конфликт интересов: Не объявлено.

    ССЫЛКИ

    1. Рамеш Бабу Б., Паранде А.К., Ахмед Баша С. Электрические и электронные отходы: глобальная экологическая проблема. Управление отходами Res. 2007; 25: 307–18. [PubMed] [Google Scholar]7. Электронные отходы: следующая волна опасности. Голос потребителя. 2007;3:6. [Google Академия] 15. Harrington JM, Aw TC, Baker EL. Охрана труда и окружающей среды. В: Дэвид А.В., Тимоти М.К., Джон Д.Ф., Эдвард Дж.Б., редакторы. Оксфордский учебник медицины. 4-е изд. Том. 1. Нью-Йорк: издательство Оксфордского университета; 2003.стр. 956–60. Глава 8.4.1. [Google Академия] 16. Ху Х, Спайзер Ф.Е. Специфические экологические и профессиональные вредности. В: Браунвальд Э., Фаузи А.С., Каспер Д.Л. и др., редакторы. Принципы внутренней медицины Харрисона. 15-е издание. Том 2. McGraw-Hill Inc; 2001. стр. 2591–2. Часть 15, раздел 1.395. [Google Академия] 17. Стрикленд П.Т., Кенслер Т.В. Химические и физические агенты в нашей среде. В: Abeloff MD, Armitage JO, Lichter AS, Niederhuber JE, редакторы. Клиническая онкология. 1-е изд. Черчилль Ливингстон Инк.; 1995. С. 153–160. Часть 1, Раздел 2. [Google Scholar] 18. Прусс-Устун А., Корвалан С. Профилактика заболеваний с помощью здоровой окружающей среды: к оценке экологического бремени болезней. Публикация ВОЗ. 2006:45. [Google Академия] 19. Stewart BW, Kliehues P. World Cancer Report. Лион: IARC Press; 2003. [Google Scholar]

    Samsung США | Мобильный | ТВ | Домашняя электроника | Бытовая техника

    Совершите «Соответствующую покупку» на сайте Samsung.com в период с 25 февраля 2022 г. по 30 июня 2022 г., пока товар есть в наличии, чтобы получить Рекламный баланс Google Play («Бонус»).Показать больше Совершите «Соответствующую покупку» на сайте Samsung.com в период с 25 февраля 2022 г. по 30 июня 2022 г., пока товар есть в наличии, чтобы получить Рекламный баланс Google Play («Бонус»). Рекламный баланс Google Play должен быть зарегистрирован в учетной записи Google Play до 31 августа 2022 г., и его можно использовать в приложении Google Play до 31 августа 2023 г. К «Соответствующим критериям покупкам» относятся: а) телефон Galaxy S22, телефон Galaxy S22+, планшет Galaxy Tab S8, телефон Galaxy Z Flip3, Galaxy Watch 4 и Galaxy Watch 4 Classic, каждый из которых имеет право на один (1) бонус в размере 50 долларов США; б) Телефон Galaxy S22 Ultra, планшет Galaxy Tab S8+, планшет Galaxy Tab S8 Ultra и телефон Galaxy Z Fold3, каждый из которых имеет право на получение двух (2) бонусов по 50 долларов США (общая сумма бонуса 100 долларов США).Рекламный баланс Google Play будет отправлен по электронной почте на адрес электронной почты, связанный с вашей учетной записью Samsung или указанный вами при оформлении заказа, примерно через 15 дней после доставки вашего соответствующего устройства Galaxy («Соответствующая покупка»). Бонусы можно использовать для покупки приложений, фильмов, игр и многого другого в приложении Google Play. Если вы отмените свой заказ на соответствующую критериям покупку, ваш бонус будет аннулирован. Бонус не подлежит передаче. Недействительно там, где это запрещено или ограничено законом. Samsung оставляет за собой право изменять или прекращать действие предложений в любое время, опубликовав уведомление в приложении или на веб-сайте.Ознакомьтесь с Условиями использования промобаланса Google Play и Условиями использования Google Play. Google Play является товарным знаком Google LLC. Показать меньше До 31 марта 2022 г., 23:59 по восточноевропейскому времени, купите Galaxy Tab S8, Tab S8+ или Tab S8 Ultra («Соответствующая покупка») на Samsung.com или в приложении Samsung Shop и получите мгновенный кредит Samsung на сумму 50 долларов США с помощью Galaxy Tab S8 или мгновенный кредит Samsung на сумму 75 долларов США при покупке Galaxy Tab S8+ или мгновенный кредит Samsung на 100 долларов США при покупке Galaxy Tab S8 Ultra («Подарок»).Показать больше До 31 марта 2022 г., 23:59 по восточноевропейскому времени, купите Galaxy Tab S8, Tab S8+ или Tab S8 Ultra («Соответствующая покупка») на Samsung.com или в приложении Samsung Shop и получите мгновенный кредит Samsung на сумму 50 долларов США с помощью Galaxy Tab S8 или мгновенный кредит Samsung на сумму 75 долларов США при покупке Galaxy Tab S8+ или мгновенный кредит Samsung на 100 долларов США при покупке Galaxy Tab S8 Ultra («Подарок»). Подарок необходимо использовать при оформлении заказа при совершении соответствующей покупки на сайте Samsung.com или в приложении. Подарок должен быть использован для приобретения дополнительных товаров, соответствующих требованиям, пока они есть в наличии.Подарок нельзя применить к покупке Galaxy Tab S8, Tab S8+ или Tab S8 Ultra. Подарок – это одноразовый электронный сертификат; при первом использовании любое неиспользованное значение теряется. Подарок не подлежит передаче другому лицу и ограничен одним Подарком на Соответствующую Покупку. Если вы вернете или отмените покупку, Подарок будет аннулирован. Недействительно там, где это запрещено или ограничено законом. Samsung оставляет за собой право изменять или прекращать действие предложений в любое время, разместив уведомление в Приложении или на веб-сайте. Недействительно там, где это запрещено или ограничено законом.Показывай меньше 1 Только 18+ и 50 США/DC. До 17.03.22 оформите предварительный заказ и приобретите новый Galaxy Book2 Pro, Galaxy Book2 Pro 360 или Galaxy Book2 360 с финансированием Samsung (если доступно в качестве способа оплаты) или купите сразу по полной розничной цене («Соответствующая покупка»). ») и получите мгновенный кредит в размере 50 долларов США («Подарок»). Подарок «Поднятие рук» распространяется только на клиентов, которые подписались, чтобы узнать больше о последней версии Galaxy с 27 февраля 2022 г. по 17 марта 2022 г., 11:59 по восточному стандартному времени, а также оформили предварительный заказ и приобрели последнюю версию Samsung Galaxy Book2 Pro или Galaxy. Устройство Book2 Pro 360 или Galaxy Book2 Pro в рассрочку или сразу по полной розничной цене («Соответствующая покупка»).Подарки не могут быть применены к планшетным устройствам, но могут быть применены к дополнительным соответствующим продуктам. Резервные кредиты не могут быть объединены. Подарки доступны только до тех пор, пока они есть в наличии. Совершая соответствующую покупку на сайте Samsung.com или в приложении, вы должны (Я) использовать Подарок при оплате. Подарок – это одноразовый сертификат; при первом использовании любое неиспользованное значение теряется. Подарок не подлежит передаче другому лицу и ограничен 1 Подарком за Соответствующую Покупку. Кредиты Samsung действительны только на веб-сайте www.Samsung.com или в приложении и могут быть использованы для оплаты соответствующей покупки.Недействительно там, где это запрещено или ограничено законом. Если вы вернете или отмените покупку, скидка будет потеряна. Применяются дополнительные ограничения. Предложение с учетом дополнительных условий здесь. Samsung оставляет за собой право изменять или прекращать действие предложений в любое время, опубликовав уведомление в приложении или на веб-сайте. Показать меньше

    Когда кремний доведен до предела, что станет двигателем следующей электронной революции?

    Авторы и права: rbulmahn, CC BY

    Полупроводниковый кремниевый чип начал революцию в электронике и компьютеризации, которая сделала жизнь в первые годы 21-го века едва узнаваемой с самого начала прошлого.Кремниевые интегральные схемы (ИС) лежат в основе практически всего, что мы считаем само собой разумеющимся сейчас в нашем взаимосвязанном цифровом мире: управление системами, которые мы используем, и предоставление нам доступа и обмена информацией по желанию.

    Скорость прогресса с момента создания первого кремниевого транзистора в 1947 году была огромной: количество транзисторов на одном кристалле выросло с нескольких тысяч в первых интегральных схемах до более чем двух миллиардов сегодня.Закон Мура о том, что плотность транзисторов будет удваиваться каждые два года, остается верным спустя 50 лет после того, как он был предложен.

    Тем не менее, кремниевая электроника сталкивается с проблемой: новейшие схемы имеют ширину всего 7 нм — между эритроцитом (7500 нм) и одной нитью ДНК (2,5 нм). Размер отдельных атомов кремния (около 0,2 нм) был бы жестким физическим пределом (с цепями шириной в один атом), но до этого его поведение становится нестабильным и его трудно контролировать.

    Без возможности уменьшать размер ИС в дальнейшем кремний не сможет продолжать приносить прибыль, которую он имеет до сих пор.Для решения этой задачи может потребоваться переосмысление того, как мы производим устройства, или даже нужна ли нам альтернатива самому кремнию.

    Скорость, тепло и свет

    Чтобы понять проблему, мы должны понять, почему кремний стал предпочтительным материалом для электроники. Несмотря на то, что у него есть много достоинств – его много, относительно легко обрабатывать, он обладает хорошими физическими свойствами и содержит стабильный естественный оксид (SiO 2 ), который оказывается хорошим изолятором – он также имеет несколько недостатков.

    Например, большое преимущество объединения все большего количества транзисторов в один чип состоит в том, что это позволяет ИС быстрее обрабатывать информацию. Но это увеличение скорости критически зависит от того, насколько легко электроны могут двигаться внутри полупроводникового материала. Это известно как подвижность электронов, и хотя электроны в кремнии довольно подвижны, они гораздо более подвижны в других полупроводниковых материалах, таких как арсенид галлия, арсенид индия и антимонид индия.

    Полезные проводящие свойства полупроводников связаны не только с движением электронов, но и с движением так называемых электронных дырок — щелей, оставшихся в решетке электронов, вращающихся вокруг ядра после того, как электроны были вытеснены.

    Закон Мура остается в силе даже спустя 50 лет. Фото: shigeru23, CC BY-SA

    В современных ИС используется метод, называемый комплементарным металл-оксид-полупроводник (CMOS), в котором используется пара транзисторов, один из которых использует электроны, а другой — электронные дырки. Но подвижность электронов и дырок в кремнии очень мала, и это является препятствием для повышения производительности — настолько, что в течение нескольких лет производителям приходилось повышать ее, добавляя германий в состав кремния.

    Вторая проблема

    Silicon заключается в том, что производительность сильно ухудшается при высоких температурах. Современные микросхемы с миллиардами транзисторов выделяют значительное количество тепла, поэтому на их охлаждение тратится много усилий — подумайте о вентиляторах и радиаторах, прикрепленных к типичному процессору настольного компьютера. Альтернативные полупроводники, такие как нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), намного лучше справляются с более высокими температурами, что означает, что они могут работать быстрее, и начали заменять кремний в критически важных приложениях большой мощности, таких как усилители.

    Наконец, кремний очень плохо пропускает свет. Хотя лазеры, светодиоды и другие фотонные устройства сегодня являются обычным явлением, они используют полупроводниковые соединения, альтернативные кремнию. В результате возникли две отдельные отрасли: кремний для электроники и составные полупроводники для фотоники. Эта ситуация существовала годами, но теперь есть большой толчок к объединению электроники и фотоники на одном чипе. Для производителей это большая проблема.

    Новые материалы будущего

    Из многих материалов, которые исследуются в качестве партнеров кремния для улучшения его электронных характеристик, возможно, три кажутся многообещающими в краткосрочной перспективе.

    Первый касается плохой подвижности электронов и дырок в кремнии. Небольшое количество германия уже добавлено, чтобы улучшить это, но использование больших количеств или даже переход на полностью германиевые транзисторы было бы еще лучше. Германий был первым материалом, использованным для полупроводниковых устройств, так что это действительно движение «назад в будущее». Но переориентация устоявшейся промышленности на германий была бы серьезной проблемой для производителей.

    Второй касается оксидов металлов. Диоксид кремния использовался в транзисторах в течение многих лет, но с миниатюризацией слой диоксида кремния стал настолько тонким, что начал терять свои изоляционные свойства, что привело к ненадежным транзисторам.Несмотря на переход к использованию редкоземельного диоксида гафния (HfO 2 ) в качестве замены изолятора, ведутся поиски альтернатив с еще лучшими изолирующими свойствами.

    Наиболее интересным, пожалуй, является использование так называемых составных полупроводников III-V, особенно тех, которые содержат индий, таких как арсенид индия и антимонид индия. Эти полупроводники имеют подвижность электронов до 50 раз выше, чем у кремния. В сочетании с транзисторами с высоким содержанием германия этот подход может обеспечить значительное увеличение скорости.

    Но все не так просто, как кажется. Кремний, германий, оксиды и материалы III-V представляют собой кристаллические структуры, свойства которых зависят от целостности кристалла. Мы не можем просто соединить их с кремнием и получить лучшее от обоих. Решение этой проблемы, несоответствия кристаллических решеток, является основной постоянной технологической задачей.

    Различные вкусы силикона

    Несмотря на свои ограничения, кремниевая электроника оказалась адаптируемой, ее можно превратить в надежные устройства массового рынка, доступные по минимальной цене.Таким образом, несмотря на заголовки о «конце кремния» или впечатляющие (а иногда и довольно нереалистичные) обещания альтернативных материалов, кремний по-прежнему остается королем и, поддерживаемый огромной и чрезвычайно хорошо развитой мировой промышленностью, не будет свергнут при нашей жизни.

    Вместо этого прогресс в электронике будет происходить за счет улучшения кремния путем интеграции других материалов. Такие компании, как IBM и Intel, а также университетские лаборатории по всему миру потратили время и силы на решение этой задачи, и результаты обнадеживают: гибридный подход, сочетающий материалы III-V, кремний и германий, может появиться на рынке в течение нескольких лет.Составные полупроводники уже нашли важное применение в лазерах, светодиодном освещении/дисплеях и солнечных панелях, где кремний просто не может конкурировать. Потребуются более совершенные соединения, поскольку электронные устройства становятся все меньше и меньше потребляют, а также для мощной электроники, где их характеристики значительно улучшают возможности кремния.

    У электроники светлое будущее, и она по-прежнему будет в значительной степени основываться на кремнии, но теперь этот кремний выпускается во многих различных вариантах.


    Ученые изготавливают гексагональный кремний, потенциально ведущий к созданию светоизлучающих полупроводников

    Эта история опубликована с разрешения The Conversation (под лицензией Creative Commons-Attribution/Без производных).

    Цитата : С кремнием, доведенным до предела, что станет двигателем следующей электронной революции? (2015, 27 августа) получено 4 марта 2022 г. с https://физ.org/news/2015-08-silicon-limits-power-electronics-revolution.html

    Этот документ защищен авторским правом. Помимо любой добросовестной сделки с целью частного изучения или исследования, никакие часть может быть воспроизведена без письменного разрешения. Контент предоставляется только в ознакомительных целях.

    Границы в электронике

    Electronics находится в авангарде создания и продвижения множества технологических инноваций в таких разных областях, как космос, медицина и климатология.На самом деле почти каждый аспект современного мира испытал на себе его положительное влияние, что делает невообразимой жизнь без электроники. Ожидается, что наша постоянно растущая зависимость от электроники достигнет беспрецедентного уровня в обозримом будущем, когда Интернет вещей и Индустрия 4.0 откроют новые возможности для мобильных решений в различных областях, таких как здравоохранение, безопасность, развлечения и коммерция.

    Проект

    Frontiers in Electronics направлен на демонстрацию растущей роли электроники в расширении границ технологических инноваций, обеспечивающей более здоровую, безопасную и разумную жизнь.Мы намерены предоставить уникальную платформу для быстрого распространения новых идей, критических анализов и изобретений, охватывающих как фундаментальные, так и прикладные аспекты исследований во всех областях электроники — от материалов и устройств до схем, систем и электронных архитектур, все происходящие из научных кругов, промышленности и научно-исследовательских институтов по всему миру.

    Мы являемся журналом с открытым доступом, управляемым высококвалифицированной командой редакторов, которые сами являются активными и опытными исследователями с полной редакционной независимостью, что позволяет проводить информированный, непредвзятый и строгий процесс рецензирования.Мы приветствуем представление самых разных типов статей – оригинальных исследовательских рукописей, кратких обзоров, перспективных/концептуальных документов, обзоров/обзоров и комментариев, а также предложений по сфокусированным новым темам. Мы также поощряем представление соответственно расширенных версий работы, представленной на избранных международных конференциях, таких как IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) и IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC).

    alexxlab

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован.

    Компонент компьютера / e-отходов Процесс потенциальная опасность профессиональной опасности потенциальная экологическая опасность
    катодные пробирки Разрушение, снятие медного хомута и сброс Выщелачивание свинца, бария и других тяжелых металлов в грунтовые воды и выделение токсичного фосфора те же вещества
    Переработка демонтированных печатных плат Открытое сжигание отходов печатных плат Токсичность для работающих и проживающих поблизости жителей оловом, свинцом, бромдиоксином, бериллием, кадмием и ртутью Вдыхание Загрязнение непосредственной окружающей среды оловом и свинцом , включая поверхностные и подземные воды, бром d диоксины, бериллий, кадмий и ртуть вдыхание
    стружка и другие соединения с золотым покрытием химические зачистки с использованием азотной и соляной кислоты вдоль берегов рек
    • попадание кислоты в глаза, на кожу может привести к необратимым травмам 3 9210

      Вдыхание паров и паров кислот, газов хлора и диоксида серы может вызвать раздражение дыхательных путей с тяжелыми последствиями, включая отек легких, недостаточность кровообращения и смертьсбрасывается прямо в реку и на берег.

    • Окисляет реку, уничтожая рыбу и флору

    Выбросы бромированных диоксинов, тяжелых металлов и углеводородов
    Вторичная выплавка стали или меди и драгоценных металлов Печь для извлечения стали или меди из отходов Воздействие диоксинов и тяжелых металлов
    Провода Открытое сжигание для извлечения меди Воздействие бромированных и хлорированных диоксинов и ПАУ на рабочих, проживающих в зоне сжигания Углеводород и зола, включая ПАУ, выбрасываемые в воздух, воду и почву