Site Loader

Справочник — DataSheet

Буквенное обозначениеПараметр
ОтечественноеМеждународное
IКБОICBOОбратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
IЭБОIEBOОбратный ток эмиттера — ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
IКЭOICEOОбратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и разомкнутом выводе базы.
IКЭRICERОбратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
IКЭКICESОбратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и короткозамкнутых выводах базы и эмиттера
IКЭVICEVОбратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и запирающем напряжении (смещении) в цепи база-эмиттер.
IКЭXICEXОбратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и обратном напряжении база-эмиттер.
IK maxIC maxМаксимально допустимый постоянный ток коллектора.
 IЭ maxIE maxМаксимально допустимый постоянный ток эмиттера.
  IБ max  IB maxМаксимально допустимый постоянный ток базы.
IК , и maxICM maxМаксимально допустимый импульсный ток коллектора.
IЭ , и maxIEM maxМаксимально допустимый импульсный ток эмиттера.
IКРКритический ток биполярного транзистора.
UКБО проб.U(BR) CBOПробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера.
UЭБО проб.U(BR) ЕBOПробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора.
UКЭО проб.U(BR) CEOПробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и разомкнутой цепи базы.
UКЭR проб.U(BR) CERПробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер.
UКЭK проб.U(BR) CESПробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и короткозамкнутых выводах базы и эмиттера.
UКЭV проб.
 U(BR) CEVПробивное напряжение коллектор-эмиттер при запирающем напряжении в цепи база-эмиттер.
UКЭХ проб. U(BR) CEXПробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении база-эмиттер и токе коллектор-эмиттер.
UКЭО гр U(L) CEOГраничное напряжение транзистора — напряжение между коллектором и эмиттером при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера.
UсмкUpt Напряжение смыкания транзистора.
 UКЭ насUCE sat
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при заданных токах базы и коллектора.
UБЭ насUBE satНапряжение насыщения база-эмиттер при заданных токах базы и эмиттера.
UЭБ плUEBflПлавающее напряжение эмиттер-база — напряжение между эмиттером и базой при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутой цепи эмиттера.
UКБ maxUCB maxМаксимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база.
UКЭ maxUCE maxМаксимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер.
UЭБ max UEB maxМаксимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база.
UКЭ, и maxUCEM maxМаксимальное допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер.
UКБ, и maxUCBM maxМаксимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база.
UЭБ, и maxUEBM maxМаксимально допустимое импульсное напряжение эмиттер-база.
PPtotПостоянная рассеиваемая мощность транзистора.
 Pср PAVСредняя рассеиваемая мощность транзистора.
PиPMИмпульсная рассеиваемая мощность транзистора.
PK PCПостоянная рассеиваемая мощность коллектора.
PK, τ maxПостоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом.
PвыхPout Выходная мощность транзистора.
Pи maxPM maxМаксимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность.
PK maxPC maxМаксимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора.
PK ср max —Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора.
rrbb , rbСопротивление базы.
 rКЭ насrCE satСопротивление насыщения между коллектором и эмиттером.
 с11э, с11бc11e, c11bВходная емкость транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
 с22э, с22бc22e, c22bВыходная емкость транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
cкccЕмкость коллекторного перехода.
cэcЕмкость эмиттерного перехода.
fгр fTГраничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером.
fmaxfmaxМаксимальная частота генерации.
 fh31э , fh31бfh31e, fhfe ;fh31b, fhfbПредельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой.
tвклtonВремя включения.
 tвыклtoff Время выключения.
tздtdВремя задержки.
 tнрtrВремя нарастания.
tрасtВремя рассасывания.
 tспtВремя спада.
 h11э, h11бh11e, h11b;hie, hibВходное сопротивление в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
 h21э, h21бh21e, h21b;hfe, hfbСтатический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
 h12э, h12бh12e, h12b;hre, hrbКоэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
h22э, h22бh22e, h22b;hoe, hobВыходная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
|h21э||h21e|Модуль коэффициента передачи тока транзистора на высокой частоте.
 h11Эh11E, hIEВходное сопротивление транзистора в режиме большого сигнала для схемы с общим эмиттером.
  h21Э H11E, HFEСтатический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала.
 Y21ЭY21E Статическая крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером.
  Y
11э
, Y11б
Y11e, Y11b;Yie, YibВходная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
 Y12э, Y12бY12e, Y12b;Yre, YrbПолная проводимость обратной передачи транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
Y21э, Y21бY21e, Y21b;Yfe, YfbПолная проводимость прямой передачи транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
Y22э, Y22бY22e, Y22b;Yoe, YobВыходная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
S11э, S11б, S11кS11e, S11b, S11c; Sie, Sib, SicКоэффициент отражения входной цепи транзистора для схем с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
S12э, S12б, S12кS12e, S12b, S12c; Sre, Srb, SrcКоэффициент обратной передачи напряжения для схемы с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
S22э, S22б, S22кS22e, S22b, S22c; Soe, Sob, SocКоэффициент отражения выходной цепи транзистора для схемы с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
S21э, S21б, S21кS21e, S21b, S21c;   Sfe, Sfb, SfcКоэффициент прямой передачи для схем с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
fse, fsb, fscЧастота, при которой коэффициент прямой передачи равен 1 (S21е = 1,
S21b = 1, S21c = 1.
 Ку, рGpКоэффициент усиления мощности.
GA, GaНоминальный коэффициент усиления по мощности.
КшFКоэффициент шума транзистора.
τк (r’б Ск) τc (r’bb Сc)Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте.
TокрTA, TambТемпература окружающей среды.
TкTc , TcaseТемпература корпуса.
TпTjТемпература перехода.
Rт, п-сRthjaТепловое сопротивление от перехода к окружающей среде.
Rт, п-кRthjсТепловое сопротивление от перехода к корпусу.
Rт, к-сRthсаТепловое сопротивление от корпуса к окружающей среде.
 τт, п-сτthjaТепловая постоянная времени переход-окружающая среда.
τт, п-кτthjсТепловая постоянная времени переход-корпус.
τт, к-сτthсаТепловая постоянная времени корпус-окружающая среда.

Даташиты микросхем и электронных компонентов

Datasheet Asset Identification EEPROM AT24RF08CСкачать, 431 КБ
Datasheet Maxim +5V RS-232 Driver/Receivers MAX232A, MAX220-MAX249Скачать, 372 КБ
Datasheet Atmel CryptoMemory 2 Kbit AT88SC0204CСкачать, 382 КБ
Datasheet Atmel CryptoMemory AT88SC0204CAСкачать, 660 КБ
Datasheet ST ST24C04, ST25C04, ST24W04, ST25W04 4Kbit Serial I2C EEPROMСкачать, 130 КБ
Datasheet ST ST24/25C02, ST24C02R, ST24/25W02 Serial 2K EEPROMСкачать, 148 КБ
Datasheet-АТ24C01, АТ24С02, АТ24С04, АТ24С08, АТ24С16Скачать, 242 КБ
Datasheet Atmel 2-Wire Serial EEPROM AT34C02Скачать, 188 КБ
Datasheet Atmel Three-wire Serial EEPROMs AT93C46, AT93C56, AT93C66Скачать, 372 КБ
Datasheet ST 1/2/4/8/16 Kbit serial I2C EEPROM M24C01, M24C02, M24C04, M24C08, M24C16Скачать, 505 КБ
Datasheet ST 2Kbit Serial I2C EEPROM M34C02Скачать, 165 КБ
Datasheet Dallas DS2432 1k-bit Protected 1-Wire EEPROMСкачать, 170 КБ
Datasheet Dallas Maxim DS2502 1Kb Add-Only MemoryСкачать, 664 КБ
Datasheet Dallas DS2430А 256-bit 1-Wire EEPROMСкачать, 361 КБ
Datasheet Dallas Maxim DS2433 4Kb 1-Wire EEPROMСкачать, 564 КБ
Datasheet Maxim DS2431 1024-bit 1-Wire EEPROMСкачать, 269 КБ
Datasheet Dallas Maxim DS2438 Smart Battery MonitorСкачать, 369 КБ
Datasheet Microchip PIC12F683 8-bit CMOSСкачать, 2 987 КБ
Datasheet Atmel 8-bit Microcontroller ATtiny24/44/84Скачать, 2 276 КБ
Datasheet Atmel 8-bit Microcontroller ATtiny25/45/85Скачать, 3 335 КБ
Datasheet Microchip 24AA02/24LC02B 2K I2C Serial EEPROMСкачать, 585 КБ
Datasheet Microchip 24AA256/24LC256/24FC256 256K I2C CMOS Serial EEPROMСкачать, 340 КБ
Datasheet ST TDA7560 4x45W Quad Bridge Car Radio Amplifier plus HSDСкачать, 359 КБ
Datasheet TNY263-268 TinySwitch-IIСкачать, 1 202 КБ
Datasheet Maxim MAX8741/MAX8742 500kHz Multi-Output Power-Supply ControllersСкачать, 1 001 КБ
Информация по типоразмерам smd-варисторовСкачать, 275 КБ
Информация по типоразмерам smd-компонентовСкачать, 187 КБ
Информация по маркировке варисторовСкачать, 636 КБ
Аналоги биполярных транзисторовСкачать, 160 КБ
Проволочные резисторыСкачать, 329 КБ
6-Pin DIP Optoisolators Transistor Output 4N25/4N25A/4N26/4N27/4N28Скачать, 281 КБ
4-Pin Phototransistor Optocouplers h21AA814/h21A617/h21A817Скачать, 498 КБ
Photocoupler PC817Скачать, 541 КБ
NPN transistor/Schottky rectifier module PMEM4020ANDСкачать, 275 КБ
Plastic film capasitors (Маркировка пленочных конденсаторов)Скачать, 53 КБ
Высоковольтные керамические SMD конденсаторыСкачать, 101 КБ
1N4148; 1N4448 Hight-speed diodesСкачать, 61 КБ
1N5400 — 1N5408Скачать, 49 КБ
1N5817 — 1N5819Скачать, 47 КБ

Радиоэлектроника, даташиты, схемы — RadioRadar

АНОНСЫ
20.03.2020 — 23:40 //Разное
Проигрыватель компакт-дисков в стиле «ретро»

Эпоха компакт-дисков уходит в прошлое. Очевидно, что будущее за другими носителями информации. Компакт-диск просуществовал чуть более 40 лет, с начала 70-х годов и по настоящее время. Но у любителей музыки накопилось огромное количество музыки на …

14.03.2020 — 00:44 //Телефония
Ремонт мобильного телефона Nokia 206

В статье рассмотрены вопросы, связанные с ремонтом мобильного телефона Nokia 206. Общие моменты могут быть полезны и при ремонте других мобильных телефонов Nokia (включая серию Asha), собранных на аналогичной аппаратной платформе. Анонс мобильн…

03.03.2020 — 23:57 //Измерительная техника
Цифровой мультиметр — индикатор ЭПС конденсатора

Эквивалентное последовательное сопротивление (ЭПС, англ. ESR) — один из важнейших параметров конденсаторов. Его возрастание в процессе эксплуатации особенно чув-ствительно для импульсных источников питания. Предлагаемый пробник, присоединяемый к ц…

24.02.2020 — 23:53 //Р/л технология
Ещё раз о проверке полупроводниковых приборов без демонтажа

В дополнение к статье «Проверка исправности транзисторов без демонтажа их из устройства» автор предлагает аналогичный способ проверки тиристоров, симисторов и диодных оптронов. Несложно распространить предложенны…

24.02.2020 — 23:23 //Р/л технология
Симметричный транзисторный УМЗЧ (часть 1)

Первоначальный вариант УМЗЧ автор опубликовал в 1988 г. в статье «Симметричный усилитель низкой частоты с токовым управлением» (Сб.: «В помощь радиолюбителю», вып. 101, с. 32-40). Впоследствии автор поставил для себя задачу улу…

21.02.2020 — 23:02 //Светотехника
Оснащение светодиодного фонаря сенсорным управлением

В магазинах Fix Price продаются налобные светодиодные фонари (рис. 1), которые можно оснастить сенсорным управлением. Но для этого подойдут и другие фонари (светильники). В выбранном варианте фонарь питается от трёх элементов типоразмера АА. …

19.02.2020 — 23:52 //Р/л технология
Проверка исправности транзисторов без демонтажа их из устройства

При ремонте радиоэлектронных устройств обычно приходится выпаивать из них вызывающие подозрение транзисторы для проверки. При этом неизбежен риск повредить как печатную плату устройства, так и выводы самого транзистора. Однако во многих случаях мо…

17.02.2020 — 23:55 //Справочник
Способ измерения высокоомных резисторов

Самые распространённые и доступные цифровые мультиметры серий М-83х, DT-83х (и аналогичные), как правило, имеют наибольший предел измерения сопротивления резисторов — 2 МОм. Это вызывает трудности при необходимости измерить резистор большего номин…

Справочная информация по электронным компонентам

Справочная информация по электронным компонентам

Меню


Справочник

Главная  Справочник

«Справочник» — информация по различным электронным компонентам: транзисторам, микросхемам, трансформаторам, конденсаторам, светодиодам и т.д. Раздел содержит всю информацию для подбора электронных компонентов и проведения инженерных расчетов, параметры, а также цоколевку корпусов, типовые схемы включения и рекомендации по использованию электронных устройств.


Новинки

  • Способ измерения высокоомных резисторов
    17.02.2020 — Справочник
    Самые распространённые и доступные цифровые мультиметры серий М-83х, DT-83х (и аналогичные), как правило, имеют наибольший предел измерения сопротивления резисторов — 2 МОм. Это вызывает трудности при необходимости измерить резистор большего номинала. Некоторые цифровые мультиметры, например AM-1097 [1], позволяют измерять сопротивление резистор…
  • Пробник для МОП-транзисторов
    17.10.2019 — Справочник
    Пробник, схема которого показана на рисунке, позволяет быстро проверить исправность МОП-транзи-сторов (с изолированным затвором и индуцированным каналом). Источником питания пробника служит батарея напряжением 9 В («Крона», 6F22). Светодиод HL1 служит индикатором. Переключателем SA1 устанавливают тип канала (n или р). После подключения…
  • Удлинение жала паяльника
    17.10.2019 — Справочник
    Обгоревшее жало паяльника иногда невозможно извлечь для замены, не испортив окончательно ещё работоспособный инструмент. Предлагаю способ удлинения жала накладкой, закреплённой проволочным бандажом. Возьмите медный пруток диаметром 3,2…3,5 мм. Это может быть отрезок одножильного медного провода сечением 32…50 мм2. Расклепайте на наковальн…
  • Микросхема STR S6707 схема включения
    16.08.2019 — Документация
    Микросхема STR S6707 представляет собой импульсный регулятор напряжения с биполярным транзистором на выходе. Производят и поставляют эти чипы Sanken Electric и Allegro MicroSystems. Применяются микросхемы STRS6707 в основном в автономных квазирезонансных преобразователях с обратной связью, так как они повышают интеграцию и надёжность схем….
  • Как проверить светодиодную подсветку LED телевизора
    29.07.2019 — Документация
    Стандартный алгоритм проверки подсветки, как и любого другого блока современного телевизора, можно обозначить так: 1. Разборка прибора для обеспечения доступа к требуемому узлу. 2. Проверка правильности питания (уровень напряжения должен соответствовать норме). 3. Проверка наличия управляющих сигналов (включение/выключение, изменение ур…

РАЗДЕЛЫ:

  • Документация / Документация: электронные компоненты, схемы, нормативная документация
  • Справочник / Справочная информация по электронным компонентам


Страницы:   1  2  3  4  5  6  Страницы:   1  2  3  4  5  6  7  8 

RadioRadar.net — datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics

alexxlab

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *