Буквенное обозначение | Параметр | |
Отечественное | Международное | |
IКБО | ICBO | Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера. |
IЭБО | IEBO | Обратный ток эмиттера — ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора. |
IКЭO | ICEO | Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и разомкнутом выводе базы. |
IКЭR | ICER | Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер. |
IКЭК | ICES | Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и короткозамкнутых выводах базы и эмиттера |
IКЭV | ICEV | Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и запирающем напряжении (смещении) в цепи база-эмиттер. |
IКЭX | ICEX | Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и обратном напряжении база-эмиттер. |
IK max | IC max | Максимально допустимый постоянный ток коллектора. |
IЭ max | IE max | Максимально допустимый постоянный ток эмиттера. |
IБ max | IB max | Максимально допустимый постоянный ток базы. |
IК , и max | ICM max | Максимально допустимый импульсный ток коллектора. |
IЭ , и max | IEM max | Максимально допустимый импульсный ток эмиттера. |
IКР | — | Критический ток биполярного транзистора. |
UКБО проб. | U(BR) CBO | Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера. |
UЭБО проб. | U(BR) ЕBO | Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора. |
UКЭО проб. | U(BR) CEO | Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и разомкнутой цепи базы. |
UКЭR проб. | U(BR) CER | Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер. |
UКЭK проб. | U(BR) CES | Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и короткозамкнутых выводах базы и эмиттера. |
U(BR) CEV | Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при запирающем напряжении в цепи база-эмиттер. | |
UКЭХ проб. | U(BR) CEX | Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении база-эмиттер и токе коллектор-эмиттер. |
UКЭО гр | U(L) CEO | Граничное напряжение транзистора — напряжение между коллектором и эмиттером при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера. |
Uсмк | Upt | Напряжение смыкания транзистора. |
UКЭ нас | UCE sat | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при заданных токах базы и коллектора. |
UБЭ нас | UBE sat | Напряжение насыщения база-эмиттер при заданных токах базы и эмиттера. |
UЭБ пл | UEBfl | Плавающее напряжение эмиттер-база — напряжение между эмиттером и базой при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутой цепи эмиттера. |
UКБ max | UCB max | Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база. |
UКЭ max | UCE max | Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер. |
UЭБ max | UEB max | Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база. |
UКЭ, и max | UCEM max | Максимальное допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер. |
UКБ, и max | UCBM max | Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база. |
UЭБ, и max | UEBM max | Максимально допустимое импульсное напряжение эмиттер-база. |
P | Ptot | Постоянная рассеиваемая мощность транзистора. |
Pср | PAV | Средняя рассеиваемая мощность транзистора. |
Pи | PM | Импульсная рассеиваемая мощность транзистора. |
PK | PC | Постоянная рассеиваемая мощность коллектора. |
PK, τ max | — | Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом. |
Pвых | Pout | Выходная мощность транзистора. |
Pи max | PM max | Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность. |
PK max | PC max | Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора. |
PK ср max | — | Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора. |
rb | rbb , rb | Сопротивление базы. |
rКЭ нас | rCE sat | Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером. |
с11э, с11б | c11e, c11b | Входная емкость транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно. |
с22э, с22б | c22e, c22b | Выходная емкость транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно. |
cк | cc | Емкость коллекторного перехода. |
cэ | ce | Емкость эмиттерного перехода. |
fгр | fT | Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером. |
fmax | fmax | Максимальная частота генерации. |
fh31э , fh31б | fh31e, fhfe ;fh31b, fhfb | Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой. |
tвкл | ton | Время включения. |
tвыкл | toff | Время выключения. |
tзд | td | Время задержки. |
tнр | tr | Время нарастания. |
tрас | ts | Время рассасывания. |
tсп | tf | Время спада. |
h11э, h11б | h11e, h11b;hie, hib | Входное сопротивление в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно. |
h21э, h21б | h21e, h21b;hfe, hfb | Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно. |
h12э, h12б | h12e, h12b;hre, hrb | Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно. |
h22э, h22б | h22e, h22b;hoe, hob | Выходная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно. |
|h21э| | |h21e| | Модуль коэффициента передачи тока транзистора на высокой частоте. |
h11Э | h11E, hIE | Входное сопротивление транзистора в режиме большого сигнала для схемы с общим эмиттером. |
h21Э | H11E, HFE | Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала. |
Y21Э | Y21E | Статическая крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером. |
Y | Y11e, Y11b;Yie, Yib | Входная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно. |
Y12э, Y12б | Y12e, Y12b;Yre, Yrb | Полная проводимость обратной передачи транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно. |
Y21э, Y21б | Y21e, Y21b;Yfe, Yfb | Полная проводимость прямой передачи транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно. |
Y22э, Y22б | Y22e, Y22b;Yoe, Yob | Выходная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно. |
S11э, S11б, S11к | S11e, S11b, S11c; Sie, Sib, Sic | Коэффициент отражения входной цепи транзистора для схем с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно. |
S12э, S12б, S12к | S12e, S12b, S12c; Sre, Srb, Src | Коэффициент обратной передачи напряжения для схемы с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно. |
S22э, S22б, S22к | S22e, S22b, S22c; Soe, Sob, Soc | Коэффициент отражения выходной цепи транзистора для схемы с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно. |
S21э, S21б, S21к | S21e, S21b, S21c; Sfe, Sfb, Sfc | Коэффициент прямой передачи для схем с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно. |
— | fse, fsb, fsc | Частота, при которой коэффициент прямой передачи равен 1 (S21е = 1, S21b = 1, S21c = 1. |
Ку, р | Gp | Коэффициент усиления мощности. |
— | GA, Ga | Номинальный коэффициент усиления по мощности. |
Кш | F | Коэффициент шума транзистора. |
τк (r’б Ск) | τc (r’bb Сc) | Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте. |
Tокр | TA, Tamb | Температура окружающей среды. |
Tк | Tc , Tcase | Температура корпуса. |
Tп | Tj | Температура перехода. |
Rт, п-с | Rthja | Тепловое сопротивление от перехода к окружающей среде. |
Rт, п-к | Rthjс | Тепловое сопротивление от перехода к корпусу. |
Rт, к-с | Rthса | Тепловое сопротивление от корпуса к окружающей среде. |
τт, п-с | τthja | Тепловая постоянная времени переход-окружающая среда. |
τт, п-к | τthjс | Тепловая постоянная времени переход-корпус. |
τт, к-с | τthса | Тепловая постоянная времени корпус-окружающая среда. |
Datasheet Asset Identification EEPROM AT24RF08C | Скачать, 431 КБ |
Datasheet Maxim +5V RS-232 Driver/Receivers MAX232A, MAX220-MAX249 | Скачать, 372 КБ |
Datasheet Atmel CryptoMemory 2 Kbit AT88SC0204C | Скачать, 382 КБ |
Datasheet Atmel CryptoMemory AT88SC0204CA | Скачать, 660 КБ |
Datasheet ST ST24C04, ST25C04, ST24W04, ST25W04 4Kbit Serial I2C EEPROM | Скачать, 130 КБ |
Datasheet ST ST24/25C02, ST24C02R, ST24/25W02 Serial 2K EEPROM | Скачать, 148 КБ |
Datasheet-АТ24C01, АТ24С02, АТ24С04, АТ24С08, АТ24С16 | Скачать, 242 КБ |
Datasheet Atmel 2-Wire Serial EEPROM AT34C02 | Скачать, 188 КБ |
Datasheet Atmel Three-wire Serial EEPROMs AT93C46, AT93C56, AT93C66 | Скачать, 372 КБ |
Datasheet ST 1/2/4/8/16 Kbit serial I2C EEPROM M24C01, M24C02, M24C04, M24C08, M24C16 | Скачать, 505 КБ |
Datasheet ST 2Kbit Serial I2C EEPROM M34C02 | Скачать, 165 КБ |
Datasheet Dallas DS2432 1k-bit Protected 1-Wire EEPROM | Скачать, 170 КБ |
Datasheet Dallas Maxim DS2502 1Kb Add-Only Memory | Скачать, 664 КБ |
Datasheet Dallas DS2430А 256-bit 1-Wire EEPROM | Скачать, 361 КБ |
Datasheet Dallas Maxim DS2433 4Kb 1-Wire EEPROM | Скачать, 564 КБ |
Datasheet Maxim DS2431 1024-bit 1-Wire EEPROM | Скачать, 269 КБ |
Datasheet Dallas Maxim DS2438 Smart Battery Monitor | Скачать, 369 КБ |
Datasheet Microchip PIC12F683 8-bit CMOS | Скачать, 2 987 КБ |
Datasheet Atmel 8-bit Microcontroller ATtiny24/44/84 | Скачать, 2 276 КБ |
Datasheet Atmel 8-bit Microcontroller ATtiny25/45/85 | Скачать, 3 335 КБ |
Datasheet Microchip 24AA02/24LC02B 2K I2C Serial EEPROM | Скачать, 585 КБ |
Datasheet Microchip 24AA256/24LC256/24FC256 256K I2C CMOS Serial EEPROM | Скачать, 340 КБ |
Datasheet ST TDA7560 4x45W Quad Bridge Car Radio Amplifier plus HSD | Скачать, 359 КБ |
Datasheet TNY263-268 TinySwitch-II | Скачать, 1 202 КБ |
Datasheet Maxim MAX8741/MAX8742 500kHz Multi-Output Power-Supply Controllers | Скачать, 1 001 КБ |
Информация по типоразмерам smd-варисторов | Скачать, 275 КБ |
Информация по типоразмерам smd-компонентов | Скачать, 187 КБ |
Информация по маркировке варисторов | Скачать, 636 КБ |
Аналоги биполярных транзисторов | Скачать, 160 КБ |
Проволочные резисторы | Скачать, 329 КБ |
6-Pin DIP Optoisolators Transistor Output 4N25/4N25A/4N26/4N27/4N28 | Скачать, 281 КБ |
4-Pin Phototransistor Optocouplers h21AA814/h21A617/h21A817 | Скачать, 498 КБ |
Photocoupler PC817 | Скачать, 541 КБ |
NPN transistor/Schottky rectifier module PMEM4020AND | Скачать, 275 КБ |
Plastic film capasitors (Маркировка пленочных конденсаторов) | Скачать, 53 КБ |
Высоковольтные керамические SMD конденсаторы | Скачать, 101 КБ |
1N4148; 1N4448 Hight-speed diodes | Скачать, 61 КБ |
1N5400 — 1N5408 | Скачать, 49 КБ |
1N5817 — 1N5819 | Скачать, 47 КБ |
Радиоэлектроника, даташиты, схемы — RadioRadar
АНОНСЫ
20.03.2020 — 23:40 //РазноеПроигрыватель компакт-дисков в стиле «ретро»
Эпоха компакт-дисков уходит в прошлое. Очевидно, что будущее за другими носителями информации. Компакт-диск просуществовал чуть более 40 лет, с начала 70-х годов и по настоящее время. Но у любителей музыки накопилось огромное количество музыки на …
14.03.2020 — 00:44 //ТелефонияРемонт мобильного телефона Nokia 206
В статье рассмотрены вопросы, связанные с ремонтом мобильного телефона Nokia 206. Общие моменты могут быть полезны и при ремонте других мобильных телефонов Nokia (включая серию Asha), собранных на аналогичной аппаратной платформе. Анонс мобильн…
03.03.2020 — 23:57 //Измерительная техникаЦифровой мультиметр — индикатор ЭПС конденсатора
Эквивалентное последовательное сопротивление (ЭПС, англ. ESR) — один из важнейших параметров конденсаторов. Его возрастание в процессе эксплуатации особенно чув-ствительно для импульсных источников питания. Предлагаемый пробник, присоединяемый к ц…
24.02.2020 — 23:53 //Р/л технологияЕщё раз о проверке полупроводниковых приборов без демонтажа
В дополнение к статье «Проверка исправности транзисторов без демонтажа их из устройства» автор предлагает аналогичный способ проверки тиристоров, симисторов и диодных оптронов. Несложно распространить предложенны…
24.02.2020 — 23:23 //Р/л технологияСимметричный транзисторный УМЗЧ (часть 1)
Первоначальный вариант УМЗЧ автор опубликовал в 1988 г. в статье «Симметричный усилитель низкой частоты с токовым управлением» (Сб.: «В помощь радиолюбителю», вып. 101, с. 32-40). Впоследствии автор поставил для себя задачу улу…
21.02.2020 — 23:02 //СветотехникаОснащение светодиодного фонаря сенсорным управлением
В магазинах Fix Price продаются налобные светодиодные фонари (рис. 1), которые можно оснастить сенсорным управлением. Но для этого подойдут и другие фонари (светильники). В выбранном варианте фонарь питается от трёх элементов типоразмера АА. …
19.02.2020 — 23:52 //Р/л технологияПроверка исправности транзисторов без демонтажа их из устройства
При ремонте радиоэлектронных устройств обычно приходится выпаивать из них вызывающие подозрение транзисторы для проверки. При этом неизбежен риск повредить как печатную плату устройства, так и выводы самого транзистора. Однако во многих случаях мо…
17.02.2020 — 23:55 //СправочникСпособ измерения высокоомных резисторов
Самые распространённые и доступные цифровые мультиметры серий М-83х, DT-83х (и аналогичные), как правило, имеют наибольший предел измерения сопротивления резисторов — 2 МОм. Это вызывает трудности при необходимости измерить резистор большего номин…
Справочная информация по электронным компонентам
Справочная информация по электронным компонентамМеню
Справочник
Главная Справочник
«Справочник» — информация по различным электронным компонентам: транзисторам, микросхемам, трансформаторам, конденсаторам, светодиодам и т.д. Раздел содержит всю информацию для подбора электронных компонентов и проведения инженерных расчетов, параметры, а также цоколевку корпусов, типовые схемы включения и рекомендации по использованию электронных устройств.
Новинки
- Способ измерения высокоомных резисторов
17.02.2020 — Справочник
Самые распространённые и доступные цифровые мультиметры серий М-83х, DT-83х (и аналогичные), как правило, имеют наибольший предел измерения сопротивления резисторов — 2 МОм. Это вызывает трудности при необходимости измерить резистор большего номинала. Некоторые цифровые мультиметры, например AM-1097 [1], позволяют измерять сопротивление резистор… - Пробник для МОП-транзисторов
17.10.2019 — Справочник
Пробник, схема которого показана на рисунке, позволяет быстро проверить исправность МОП-транзи-сторов (с изолированным затвором и индуцированным каналом). Источником питания пробника служит батарея напряжением 9 В («Крона», 6F22). Светодиод HL1 служит индикатором. Переключателем SA1 устанавливают тип канала (n или р). После подключения… - Удлинение жала паяльника
17.10.2019 — Справочник
Обгоревшее жало паяльника иногда невозможно извлечь для замены, не испортив окончательно ещё работоспособный инструмент. Предлагаю способ удлинения жала накладкой, закреплённой проволочным бандажом. Возьмите медный пруток диаметром 3,2…3,5 мм. Это может быть отрезок одножильного медного провода сечением 32…50 мм2. Расклепайте на наковальн… - Микросхема STR S6707 схема включения
16.08.2019 — Документация
Микросхема STR S6707 представляет собой импульсный регулятор напряжения с биполярным транзистором на выходе. Производят и поставляют эти чипы Sanken Electric и Allegro MicroSystems. Применяются микросхемы STRS6707 в основном в автономных квазирезонансных преобразователях с обратной связью, так как они повышают интеграцию и надёжность схем…. - Как проверить светодиодную подсветку LED телевизора
29.07.2019 — Документация
Стандартный алгоритм проверки подсветки, как и любого другого блока современного телевизора, можно обозначить так: 1. Разборка прибора для обеспечения доступа к требуемому узлу. 2. Проверка правильности питания (уровень напряжения должен соответствовать норме). 3. Проверка наличия управляющих сигналов (включение/выключение, изменение ур…
РАЗДЕЛЫ:
- Документация / Документация: электронные компоненты, схемы, нормативная документация
- Справочник / Справочная информация по электронным компонентам
Страницы: 1 2 3 4 5 6 Страницы: 1 2 3 4 5 6 7 8
RadioRadar.net — datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics