Транзисторы КТ350, КТ351, КТ352 — DataSheet

Цоколевка транзисторов КТ350, КТ351, КТ352

 

Параметры транзисторов КТ350, КТ351, КТ352

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КТ350А		MPS6563, 2N2279 *1, 2N5221 *2, 2N995 *3
		КТ351А		ВС216, BFX12 *3, CD9011D *2
		КТ351Б		ВС192, MPSH81, РМВТН81 *2, 2N3576 *3, BFX13 *3, 2SB542 *2
		КТ352А		ВС355А, 2N869
		КТ352Б		ВС355
Структура			—	p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	PK max,P*K, τ max,P**K, и max	КТ350А	30 °C	300	мВт
		КТ351А	30 °C	300
		КТ351Б	30 °C	300
		КТ352А	30 °C	300
		КТ352Б	30 °C	300
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	fгр, f*h31б, f**h31э, f***max	КТ350А	—	≥100	МГц
		КТ351А	—	≥200
		КТ351Б	—	≥200
		КТ352А	—	≥200
		КТ352Б	—	≥200
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб.	КТ350А	—	20	В
		КТ351А	10к	15*
		КТ351Б	10к	15*
		КТ352А	—	20
		КТ352Б	—	20
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	UЭБО проб.,	КТ350А	—	5	В
		КТ351А	—	5
		КТ351Б	—	5
		КТ352А	—	5
		КТ352Б	—	5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	IK max, I*К , и max	КТ350А	—	600*	мА
		КТ351А	—	400*
		КТ351Б	—	400*
		КТ352А	—	200*
		КТ352Б	—	200*
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	IКБО, I*КЭR, I**КЭO	КТ350А	10 В	≤1	мкА
		КТ351А	10 В	≤1
		КТ351Б	10 В	≤1
		КТ352А	10 В	≤1
		КТ352Б	10 В	≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h21э,  h *21Э	КТ350А	1 В; 0.5 А	20…200*
		КТ351А	1 В; 0.5 А	20…80*
		КТ351Б	1 В; 0.3 А	50…200*
		КТ352А	1 В; 0.2 А	25…125*
		КТ352Б	1 В; 0.2 А	70…300*
Емкость коллекторного перехода	cк,  с*12э	КТ350А	5 В	≤70	пФ
		КТ351А	5 В	≤20
		КТ351Б	5 В	≤20
		КТ352А	5 В	≤15
		КТ352Б	5 В	≤15
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р.	КТ350А	—	≤2	Ом, дБ
		КТ351А	—	≤1.5
		КТ351Б	—	≤2.25
		КТ352А	—	≤3
		КТ352Б	—	≤3
Коэффициент шума транзистора	Кш, r*b, P**вых	КТ350А	—	—	Дб, Ом, Вт
		КТ351А	—	—
		КТ351Б	—	—
		КТ352А	—	—
		КТ352Б	—	—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)	КТ350А	—	—	пс
		КТ351А	—	—
		КТ351Б	—	—
		КТ352А	—	—
		КТ352Б	—	≤150*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Транзистор типа: КТ350А

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный p-n-p универсальный высокочастотный маломощный: КТ350А. Предназначен для переключения и усиления сигналов высокой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

На корпусе наносится условная маркировка двумя точками серого и розового цвета.

Масса транзистора не более 0,3 гр.

Чертёж КТ350А

Электрические параметры КТ350А.

Граничная частота при UКБ=5 В, IЭ=10 мА, не менее	100 МГц
типовое значение	280 МГц
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКБ=1 В, IЭ=500 мА
при Т=24,85°С	20-200
типовое значение	70
при Т=-40,15°С, не менее	0,5 значения при Т=24,85°С
при Т=84,85°С	От 0,9 до 2 значений при Т=24,85°С
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=500 мА, IБ=50 мА, не более	1 В
типовое значение	0,92
Обратный ток коллектора при UКБ=10 В, не более
при Т=24,85°С	1 мкА
при Т=81,85°С	15 мкА
Обратный ток эмиттера при UЭБ=4 В, не более	10 мкА
Ёмкость коллекторного перехода при UКБ=5 В, не более	70 пФ
типовое значение	12 пФ
Ёмкость эмиттерного перехода при UЭБ=1 В, не более	100 пФ
типовое значение	68 пФ

Предельные эксплуатационные данные транзистора КТ350А.

Постоянное напряжение коллектор-база	20 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RЭБ≤10 кОм	15 В
Постоянное напряжение эмиттер-база	5 В
Импульсный ток коллектора при τи≤1 мс, Q≥10	600 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
при Т=233-303 К	300 мВт
при Т=358 К	162,5 мВт
Общее тепловое сопротивление	400 К/Вт
Температура окружающей среды	От -40,15 до 84,85°С

Транзистор полевой КП350 — DataSheet

Цоколевка транзистора КП350

 

Описание

КП350(А—В) — диффузионно-планарные полевые транзисторы с двумя изолированными затворами и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилительных, генераторных и преобразовательных каскадах СВЧ (на частотах до 700 МГц). Диапазон рабочих температур окружающей среды -45…+85 °С.

 

Параметры транзистора КП350

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КП350		IRF350
		КП350А		3N140, 3SK78 *2, 3SK40 *2, 3SK102 *3, BFR84 *2, BF989 *3
		КП350Б		BF905, 3SK78 *2, 3SK40 *2, 3SK102 *3, BFR84 *2, BF989 *3
		КП350В		BF960, 3SK78 *2, 3SK40 *2, 3SK102 *3, BFR84 *2, BF989 *3
Структура		КП350	—	nМОП
		КП350А	—	C двумя изолированными затворами и n-каналом
		КП350Б	—
		КП350В	—
Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная).	PСИ, P*СИ, т max	КП350	—	150*	мВт, (Вт*)
		КП350А	—	200
		КП350Б	—	200
		КП350В		200
Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором).	UЗИ отс, U*ЗИ пор	КП350	—	2..4*	В
		КП350А	—	0.17…6
		КП350Б	—	0.17…6
		КП350В	—	0.17…6
Максимальное напряжение сток-исток (постоянное). Со звездочкой максимальное напряжение затвор-сток.	UСИ max, U*ЗC max	КП350	—	400	В
		КП350А	—	15
		КП350Б	—	15
		КП350В	—	15
Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное).	UЗИ max	КП350	—	±20	В
		КП350А	—	15
		КП350Б	—	15
		КП350В		15
Ток стока (постоянный). Со звездочкой ток стока (импульсный)	IС, I*С, И	КП350	—	14000(56000*)	мА
		КП350А	—	30
		КП350Б	—	30
		КП350В		30
Начальный ток стока	IС нач, I*С ост	КП350	400 В	≤0.025*	мА
		КП350А	—	≤3.5
		КП350Б	—	≤3.5
		КП350В	—	≤3.5
Крутизна характеристики полевого транзистора	S	КП350	25 В; 25 А	≥10000	мА/В
		КП350А	10 В; 10 мА	≥6
		КП350Б	10 В; 10 мА	≥6
		КП350В	10 В; 10 мА	≥6
Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком	C11и, С*12и, С*22и	КП350	—	≤2600; 250*	пФ
		КП350А	—	≤6; ≤0.07*; ≤6**
		КП350Б	—	≤6; ≤0.07*; ≤6**
		КП350В	—	≤6; ≤0.07*; ≤6**
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток	RСИ отк, K*у.P, P**вых, ΔUЗИ	КП350	—	≤0.3	Ом, (дБ*), (Вт**),(мВ***)
		КП350А	—	—
		КП350Б	—	—
		КП350В	—	—
Коэффициент шума транзистора	Кш, U*ш, E**ш,  Q***	КП350	—	—	Дб, (мкВ*), (нВ/√Гц**), (Кл**)
		КП350А	400 МГц	≤6
		КП350Б	100 МГц	≤5
		КП350В	400 МГц	≤8
Время включения транзистора	tвкл, t*выкл, F**р, ΔUЗИ/ΔT	КП350	—	tсп = 47	нс, (нс*), (МГц**), (мкВ/°C***)
		КП350А	—	—
		КП350Б	—	—
		КП350В	—	—

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в буквенных обозначениях параметров полевых транзисторов.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 —  функциональная замена, тип корпуса отличается.

 

Зависимость крутизны от тока стока	Зависимость тока стока от напряжения первый затвор-сток
Зависимость коэффициента шума от частоты	Зависимость коэффициента шума от напряжения сток-исток
Зависимость коэффициента усиления по мощности от частоты	Зависимость коэффициента усиления по мощности от напряжения сток-исток
Зависимость проходной емкости от напряжения сток-исток	Зависимость выходной емкости от напряжения сток-исток

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Регулятор напряжения на LM350T

Всем привет! Возможно кто-то сталкивался с проблемой необходимости множества разных блоков питания(с разным напряжением), хотел бы иметь что-то на подобии лабораторного трансформатора(ЛАТР) или блок питания с возможностью регулировки выходного напряжения для своих «поделок». Сегодня речь пойдет об устройстве которое дает возможность задавать выходное напряжение — регулятор выходного напряжения. Суть устройства как все поняли, имея на входе устройства какое-то напряжения U_вх понизить его до нужного U_вых значения.

 Есть несколько вариантов как сделать такой регулятор (на транзисторе, на симисторе и т. д.) но, по скольку мы делает для постоянного тока и низковольтных устройств, а так же что бы схема была простой и имела хорошую точность мы будем использовать регулируемый стабилизатор напряжения в основе. Я предпочел взять за основу микросхему LM350T, можно взять любую, но важное значение играет диапазон напряжений и выходной ток. Данная микросхема может получать входное напряжение до 35Вольт, выходной(регулируемый) диапазон напряжений 1.2 V — 33 V, при этом выходной ток может достигать до 3А. Из ближайших аналогов LM317 (меньше сила тока), LM338 (сила тока 5А). У данных микросхем высокая рабочая температура (0° — 125°С) и без теплоотвода лучше их не включать. Кстати данные микросхемы так же могут регулировать еще и ток. Во вложении под статьей есть datasheet для lm350t.

 Важным является момент что данная микросхема являться положительной направленность(можно применять для однополярного питания где + и — , либо одно плече двухполярного + и земля). Наше готовое устройство будет подключаться к готовому блоку питания, либо после выпрямителя с фильтром.

Стоит так же учесть что меньше 35 вольт должно быть уже после выпрямителя, а не на вторичной обмотке трансформатора. После диодов и конденсаторных фильтров напряжение может быть больше, что критично для нашей микросхемы. Если же у нас напряжение меньше приступим к сборке регулятора, схему Я взял с datasheet.

 Несколько минут в Sprint Layout и печатная плата готова, размеры 17х32мм. Плата и картинки в архиве вложенном к материалу. Под обозначением R2 находятся выводы на потенциометр. Резистор R1 можно взять smd, но у меня такового не оказалась, буду паять обычный выводной.

 Клема «-» общая как для входа так и для выхода. Не стоит забывать и о полярности конденсатора С1, он у нас электролитический. Ну и если делаете регулятор на другой микросхемы обязательно уточните распиновку ног микросхемы в datasheet, в интернете может поиск найти не ту картину найти, либо кто-то загрузит не ту по ошибке (была практика). Неправильно подключенная микросхема может выйти из строя («сгорит»)! К примеру в моей микросхеме ножки расположены так:

 После травление и сверления отверстий плата выглядела у меня так:

На микросхему прикрутил радиатор под ТО-220, и все элементы припаял к плате.

 Ну и проверил в работе естественно, хочу заметить что радиатор не грелся без нагрузки вообще. Важное значение играет выбор резисторов, чем больше погрешность — меньше точность стабилизатора. В целом плата очень мелкая можно просто вместить в любой блок питания, что да воли удобно.

КП350А — Полевые отечественные — ТРАНЗИСТОРЫ — Электронные компоненты (каталог)

Условное обозначение транзистора КП350А:   Чертёж полевого транзистора КП350А: При работе с полевыми транзисторами КП350А следует принимать меры по защите от статического электричества! При пайке использовать паяльник на напряжение 6..12В !

КП350А — транзистор кремниевый диффузно-планарный полевой с каналом N-типа и двумя изолированными затворами. Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Транзистор КП350А предназначен для работы в радиоприемной аппаратуре.   Основные параметры КП350А: (при t=+25°C) Параметр Значение Режим измерения Максимальное напряжение сток-исток 15В — Максимальное напряжение первый затвор-исток 21В — Максимальное напряжение второй затвор-сток 15В — Максимальный ток стока 30мА — Максимальная мощность 200мВт — Допустимое напряжение статического потенциала 30В — Ток утечки затворов (1/2) <5нА* Uси=15В Начальный ток стока <3,5мА Uз2и=0В, Uз1и=0В, Uси=15В Коэффициент шума 3,7..4,8дБ Uси=10В, Uз2и=6В, Ic=10мА, f=400МГц Крутизна характеристики по первому затвору 6..13мА/В Uси=10В, Uс2и=6В, Ic=10мА Крутизна характеристики по второму затвору 0,6..0,85мА/В Uси=10В, Uс1и=6В, Ic=10мА Напряжение отсечки по первому затвору 0,07..6В (тип. 0,7В) Uси=15В, Uз2и=6В, Ic=0,1мА Напряжение отсечки по второму затвору 0,15..4,5В (тип. 0,5В) Uси=15В, Uз2и=5В, Ic=0,1мА Входная ёмкость 2,9..6,0пФ Uз1и=0, Uз2и=0В, Uси=10В, f=10МГц Выходная ёмкость 3,2..6,0пФ Проходная ёмкость 0,03..0,07пФ Активная составляющая выходной проводимости <250мкСм Uси=10В, Uз2и=6В, Ic=10мА Масса, не более 0,7г     * Обеспечивается при защите транзисторов от воздействия влаги (в герметизированной аппаратуре).

Транзисторы КТ315,КТ3102,КТ817 — маркировка и цоколевка,основные параметры.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ3102.

КТ3102А — 2N4123
КТ3102А — 2N2483
КТ3102А — 2SC828
КТ3102А — BC546C
КТ3102А — B547B
КТ3102А — BC547C

Транзисторы КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г.

Транзисторы КТ817, — кремниевые, универсальные, мощные низкочастотные, структуры — n-p-n.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, преобразователях и импульсных схемах.
Корпус пластмассовый, с гибкими выводами.
Масса — около 0,7 г. Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса, может быть двух типов.

Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и некодированная — в две. Первый знак в кодированной маркировке КТ817 цифра 7, второй знак — буква, означающая класс. Два следующих знака, означают месяц и год выпуска. В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке. На рисунке ниже — цоколевка и маркировка КТ817.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у транзисторов КТ817А, КТ817Б, КТ817В — 20.
У транзистора КТ817Г — 15.

Граничная частота коэффициента передачи тока — 3 МГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. У транзистора КТ817А — 25в.
У транзисторовКТ817Б — 45в.
У транзистора КТ817В — 60в.
У транзистора КТ817Г — 80в.

Максимальный ток коллектора. — 3А. Рассеиваемая мощность коллектора — 1 Вт, без теплоотвода, 25 Вт — с теплоотводом.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 3А, а базы 0,3А — не более 1,5в.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 3А, а базы 0,3А — не более 0,6в.

Обратный ток коллектора у транзисторов КТ817А при напряжении коллектор-база 25в, транзисторов КТ817Б при напряжении коллектор-база 45в, транзисторов КТ817В при напряжении коллектор-база 60в, транзисторов КТ817Г при напряжении коллектор-база 100 в — 100мкА.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в, на частоте 1МГц — не более — 60 пФ.

Емкость эмиттерного перехода при напряжении эмиттер-база 0,5 в — 115 пФ.

Комплиментарный (аналогичный по параметрам, но противоположной проводимости)транзистор — КТ816.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ817.

КТ817А — TIP31A
КТ817Б — TIP31B
КТ817В — TIP31C
КТ817Г — 2N5192.

Транзисторы — купить… или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы?
В основном здесь два варианта — либо купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х, образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки — можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — сломанные телевизоры, магнитофоны, приемники и. т. д — можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из него.
Проще всего обстоит дело с КТ315. В любой промышленной и бытовой аппаратуре и с середины 70-х годов двадцатого века и заканчивая началом 90-х его можно встретить практически повсеместно.
КТ3102 можно найти в предварительных каскадах усилителей магнитофонов — «Электроника», «Вега», «Маяк», «Вильма» и. т. д.
КТ817 — в стабилизаторах блоков питания тех же магнитофонов, иногда в оконечных каскадах усилителей звука (в магнитолах Вега РМ-238С,РМ338С и. т. п)

На главную страницу

КП350А, КП350Б, КП350В, 2П350А, 2П350Б

Поиск по сайту

Транзистор КП350 — полевой, с двумя изолированными затворами и каналом n-типа, диффузионно-планарный, кремниевый. Применяется в генераторах, усилителях и преобразователях сверхвысокой частоты (до 700 МГц). Корпус металлостеклянный, выводы гибкие. На корпусе наносится тип транзистора. Дополнительно КП350А, КП350Б и КП350В маркируются двумя чёрными точками на торце корпуса. Весит не более 0.7 г. КП350 цоколевка Цоколевка КП350 показана на рисунке. Электрические параметры транзистора КП350 • Коэффициент шума (статический) при Uси = 10 В, Uзи = 6 В, Iс = 10 мА: f = 400 МГц, 2П350А 4.8 ÷ 6 дБ типовое значение 5.5 дБ КП350А 3.7 ÷ 6 дБ типовое значение 3.8 дБ КП350В 4.1 ÷ 8 дБ типовое значение 4.8 дБ f = 100 МГц, 2П350Б 4.15 ÷ 6 дБ типовое значение 4.9 дБ КП350Б 2 ÷ 5 дБ типовое значение 3 дБ • Крутизна характеристики по первому затвору при Uси = 10 В, Uз2и = 6 В, Iс = 10 мА, f = 50 ÷ 1500 Гц: КП350А, КП350Б, КП350В: T = +25°C 6 ÷ 13 мА/В типовое значение 10 мА/В T = −60°C 6 ÷ 13 мА/В типовое значение 11.5 мА/В T = +85°C 4 ÷ 10 мА/В типовое значение 8 мА/В 2П350А, 2П350Б: T = +25°C 6 ÷ 11.5 мА/В типовое значение 9.4 мА/В T = −60°C 6 ÷ 15 мА/В типовое значение 11.7 мА/В T = +85°C 4 ÷ 10 мА/В типовое значение 8 мА/В • Крутизна характеристики по второму затвору при Uси = 10 В, Uз1и = 6 В и Iс = 10 мА: 0.6 ÷ 0.85 мА/В типовое значение 0.7 мА/В • Напряжение отсечки по первому затвору при Uси = 15 В, Uз2и = 6 В, Iс = 0.1 мА: КП350А, КП350Б, КП350В 0.07 ÷ 6 В типовое значение 0.7 В 2П350А, 2П350Б 0.17 ÷ 6 В типовое значение 0.29 В • Напряжение отсечки по второму затвору при Uси = 15 В, Uз1и = 5 В и Iс = 0.1 мА: 0.15 ÷ 4.5 В типовое значение 0.5 мА/В • Начальный ток стока при Uси = 15 В, Uз1и = Uз2и = 0, не более: КП350А, КП350Б, КП350В при T = +25°C 3.5 мА T = −45°C и +85°C 6 мА 2П350А, 2П350Б при T = +25°C 3.5 мА T = −60°C и +85°C 6 мА • Ток утечки затвора при Uси = 15 В, не более 5 нА • Входная ёмкость при Uси = 10 В, Uз1и = Uз2и = 0, f = 10 МГц: КП350А, КП350Б, КП350В 2.9 ÷ 6 пФ типовое значение 3.5 пФ 2П350А, 2П350Б 3 ÷ 6 пФ типовое значение 3.2 пФ • Проходная ёмкость при Uси = 10 В, Uз1и = Uз2и = 0, f = 10 МГц: КП350А, КП350Б, КП350В 0.03 ÷ 0.07 пФ типовое значение 0.05 пФ 2П350А, 2П350Б 0.03 ÷ 0.07 пФ типовое значение 0.04 пФ • Выходная ёмкость при Uси = 10 В, Uз1и = Uз2и = 0, f = 10 МГц: КП350А, КП350Б, КП350В 2.9 ÷ 6 пФ типовое значение 3.2 пФ 2П350А, 2П350Б 3.2 ÷ 6 пФ типовое значение 4 пФ • Активная составляющая выходной проводимости при Uси = 10 В, Uз2и = 6 В и Iс = 10 мА для КП350А, КП350Б и КП350В, не более: 250 мкСм Предельные эксплуатационные характеристики транзисторов КП350 • Напряжение сток — исток 15 В • Напряжение первый затвор — сток для КП350А, КП350Б, КП350В    21 В • Напряжение первый (второй) затвор — исток 15 В • Ток стока 30 мА • Рассеиваемая мощность (постоянная): при T ≤ +25°C 200 мВт при T = +85°C 100 мВт • Рабочая температура (окружающей среды) КП350А, КП350Б, КП350В −45°C … +85°C 2П350А, 2П350Б −60°C … +85°C