Транзисторы КТ350, КТ351, КТ352 — DataSheet
Цоколевка транзисторов КТ350, КТ351, КТ352
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | КТ350А | MPS6563, 2N2279 *1, 2N5221 *2, 2N995 *3 | |||
| КТ351А | ВС216, BFX12 *3, CD9011D *2 | ||||
| КТ351Б | ВС192, MPSH81, РМВТН81 *2, 2N3576 | ||||
| КТ352А | ВС355А, 2N869 | ||||
| КТ352Б | ВС355 | ||||
| Структура | — | p-n-p | |||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ350А | 30 °C | 300 | мВт |
| КТ351А | 30 °C | 300 | |||
| КТ351Б | 30 °C | 300 | |||
| КТ352А | 30 °C | 300 | |||
| КТ352Б | 30 °C | 300 | |||
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h31б, f**h31э, f***max | КТ350А | — | ≥100 | МГц |
| КТ351А | — | ≥200 | |||
| КТ351Б | — | ≥200 | |||
| КТ352А | — | ≥200 | |||
| КТ352Б | — | ≥200 | |||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ350А | — | 20 | В |
| КТ351А | 10к | 15* | |||
| КТ351Б | 10к | ||||
| КТ352А | — | 20 | |||
| КТ352Б | — | 20 | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ350А | — | 5 | В |
| КТ351А | — | 5 | |||
| КТ351Б | — | 5 | |||
| КТ352А | — | 5 | |||
| КТ352Б | — | 5 | |||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ350А | — | 600* | мА |
| КТ351А | — | 400* | |||
| КТ351Б | — | 400* | |||
| КТ352А | — | 200* | |||
| КТ352Б | — | 200* | |||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ350А | 10 В | ≤1 | мкА |
| КТ351А | 10 В | ≤1 | |||
| КТ351Б | 10 В | ≤1 | |||
| КТ352А | 10 В | ≤1 | |||
| КТ352Б | 10 В | ≤1 | |||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h | КТ350А | 1 В; 0.5 А | 20…200* | |
| КТ351А | 1 В; 0.5 А | 20…80* | |||
| КТ351Б | 1 В; 0.3 А | 50…200* | |||
| КТ352А | 1 В; 0.2 А | 25…125* | |||
| КТ352Б | 1 В; 0.2 А | 70…300* | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ350А | 5 В | ≤70 | пФ |
| КТ351А | 5 В | ≤20 | |||
| КТ351Б | 5 В | ≤20 | |||
| КТ352А | 5 В | ≤15 | |||
| КТ352Б | 5 В | ≤15 | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ350А | — | ≤2 | Ом, дБ |
| КТ351А | ≤1.5 | ||||
| КТ351Б | — | ≤2.25 | |||
| КТ352А | — | ≤3 | |||
| КТ352Б | — | ≤3 | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ350А | — | — | Дб, Ом, Вт |
| КТ351А | — | — | |||
| КТ351Б | — | — | |||
| КТ352А | — | — | |||
| КТ352Б | — | — | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ350А | — | — | пс |
| КТ351А | — | — | |||
| КТ351Б | — | — | |||
| КТ352А | — | — | |||
| КТ352Б | — | ≤150* |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
Транзистор типа: КТ350А
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный p-n-p универсальный высокочастотный маломощный: КТ350А. Предназначен для переключения и усиления сигналов высокой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
На корпусе наносится условная маркировка двумя точками серого и розового цвета.
Масса транзистора не более 0,3 гр.
Чертёж КТ350АЭлектрические параметры КТ350А.
| Граничная частота при UКБ=5 В, IЭ=10 мА, не менее | 100 МГц |
| типовое значение | 280 МГц |
| Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКБ=1 В, IЭ=500 мА | |
| при Т=24,85°С | 20-200 |
| типовое значение | 70 |
| при Т=-40,15°С, не менее | |
| при Т=84,85°С | От 0,9 до 2 значений при Т=24,85°С |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=500 мА, IБ=50 мА, не более | 1 В |
| типовое значение | 0,92 |
| Обратный ток коллектора при UКБ=10 В, не более | |
| при Т=24,85°С | 1 мкА |
| при Т=81,85°С | 15 мкА |
| Обратный ток эмиттера при UЭБ=4 В, не более | 10 мкА |
| Ёмкость коллекторного перехода при UКБ=5 В, не более | 70 пФ |
| типовое значение | 12 пФ |
| Ёмкость эмиттерного перехода при UЭБ=1 В, не более | 100 пФ |
| типовое значение | 68 пФ |
Предельные эксплуатационные данные транзистора КТ350А.
| Постоянное напряжение коллектор-база | 20 В |
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RЭБ≤10 кОм | 15 В |
| Постоянное напряжение эмиттер-база | 5 В |
| Импульсный ток коллектора при τи≤1 мс, Q≥10 | 600 мА |
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора | |
| при Т=233-303 К | 300 мВт |
| при Т=358 К | 162,5 мВт |
| Общее тепловое сопротивление | 400 К/Вт |
| Температура окружающей среды | От -40,15 до 84,85°С |
Транзистор полевой КП350 — DataSheet
Цоколевка транзистора КП350
Описание
КП350(А—В) — диффузионно-планарные полевые транзисторы с двумя изолированными затворами и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилительных, генераторных и преобразовательных каскадах СВЧ (на частотах до 700 МГц). Диапазон рабочих температур окружающей среды -45…+85 °С.
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | КП350 | IRF350 | |||
| КП350А | 3N140, 3SK78 *2, 3SK40 *2, 3SK102 *3, BFR84 *2, BF989 *3 | ||||
| КП350Б | BF905, 3SK78 *2, 3SK40 *2, 3SK102 *3, BFR84 *2, BF989 *3 | ||||
| КП350В | BF960, 3SK78 *2, 3SK40 *2, 3SK102 *3, BFR84 *2, BF989 *3 | ||||
| Структура | КП350 | — | nМОП | ||
| КП350А | — | C двумя изолированными затворами и n-каналом | |||
| КП350Б | — | ||||
| КП350В | — | ||||
| Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная). | PСИ, P*СИ, т max | КП350 | — | 150* | мВт, (Вт*) |
| КП350А | — | 200 | |||
| КП350Б | — | 200 | |||
| КП350В | 200 | ||||
| Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором). | UЗИ отс, U*ЗИ пор | КП350 | — | 2..4* | В |
| КП350А | — | 0.17…6 | |||
| КП350Б | — | 0.17…6 | |||
| КП350В | — | 0.17…6 | |||
| Максимальное напряжение сток-исток (постоянное). Со звездочкой максимальное напряжение затвор-сток. | UСИ max, U*ЗC max | КП350 | — | 400 | В |
| КП350А | — | 15 | |||
| КП350Б | — | 15 | |||
| КП350В | — | 15 | |||
| Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное). | UЗИ max | КП350 | — | ±20 | В |
| КП350А | — | 15 | |||
| КП350Б | — | 15 | |||
| КП350В | 15 | ||||
| Ток стока (постоянный). Со звездочкой ток стока (импульсный) | IС, I*С, И | КП350 | — | 14000(56000*) | мА |
| КП350А | — | 30 | |||
| КП350Б | — | 30 | |||
| КП350В | 30 | ||||
| Начальный ток стока | IС нач, I*С ост | КП350 | 400 В | ≤0.025* | мА |
| КП350А | — | ≤3.5 | |||
| КП350Б | — | ≤3.5 | |||
| КП350В | — | ≤3.5 | |||
| Крутизна характеристики полевого транзистора | S | КП350 | 25 В; 25 А | ≥10000 | мА/В |
| КП350А | 10 В; 10 мА | ≥6 | |||
| КП350Б | 10 В; 10 мА | ≥6 | |||
| КП350В | 10 В; 10 мА | ≥6 | |||
| Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком | C11и, С*12и, С*22и | КП350 | — | ≤2600; 250* | пФ |
| КП350А | — | ≤6; ≤0.07*; ≤6** | |||
| КП350Б | — | ≤6; ≤0.07*; ≤6** | |||
| КП350В | — | ≤6; ≤0.07*; ≤6** | |||
| Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток | RСИ отк, K*у.P, P**вых, ΔUЗИ | КП350 | — | ≤0.3 | Ом, (дБ*), (Вт**),(мВ***) |
| КП350А | — | — | |||
| КП350Б | — | — | |||
| КП350В | — | — | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, U*ш, E**ш, Q*** | КП350 | — | — | Дб, (мкВ*), (нВ/√Гц**), (Кл**) |
| КП350А | 400 МГц | ≤6 | |||
| КП350Б | 100 МГц | ≤5 | |||
| КП350В | 400 МГц | ≤8 | |||
| Время включения транзистора | tвкл, t*выкл, F**р, ΔUЗИ/ΔT | КП350 | — | tсп = 47 | нс, (нс*), (МГц**), (мкВ/°C***) |
| КП350А | — | — | |||
| КП350Б | — | — | |||
| КП350В | — | — |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в буквенных обозначениях параметров полевых транзисторов.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
|
|
|
|
|
|
|
|
Зависимость крутизны от тока стока
Зависимость тока стока от напряжения первый затвор-сток
Зависимость коэффициента шума от частоты
Зависимость коэффициента шума от напряжения сток-исток
Зависимость коэффициента усиления по мощности от частоты
Зависимость коэффициента усиления по мощности от напряжения сток-исток
Зависимость проходной емкости от напряжения сток-исток
Зависимость выходной емкости от напряжения сток-истокЕсли вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
Регулятор напряжения на LM350T
Всем привет! Возможно кто-то сталкивался с проблемой необходимости множества разных блоков питания(с разным напряжением), хотел бы иметь что-то на подобии лабораторного трансформатора(ЛАТР) или блок питания с возможностью регулировки выходного напряжения для своих «поделок». Сегодня речь пойдет об устройстве которое дает возможность задавать выходное напряжение — регулятор выходного напряжения. Суть устройства как все поняли, имея на входе устройства какое-то напряжения Uвх понизить его до нужного Uвых значения.
Есть неск
олько вариантов как сделать такой регулятор (на транзисторе, на симисторе и т. д.) но, по скольку мы делает для постоянного тока и низковольтных устройств, а так же что бы схема была простой и имела хорошую точность мы будем использовать регулируемый стабилизатор напряжения в основе. Я предпочел взять за основу микросхему LM350T, можно взять любую, но важное значение играет диапазон напряжений и выходной ток. Данная микросхема может получать входное напряжение до 35Вольт, выходной(регулируемый) диапазон напряжений 1.2 V — 33 V, при этом выходной ток может достигать до 3А. Из ближайших аналогов LM317 (меньше сила тока), LM338 (сила тока 5А). У данных микросхем высокая рабочая температура (0° — 125°С) и без теплоотвода лучше их не включать. Кстати данные микросхемы так же могут регулировать еще и ток. Во вложении под статьей есть datasheet для lm350t.
Важным является момент что данная микросхема являться положительной направленность(можно применять для однополярного питания где + и — , либо одно плече двухполярного + и земля). Наше готовое устройство будет подключаться к готовому блоку питания, либо после выпрямителя с фильтром.
Стоит так же учесть что меньше 35 вольт должно быть уже после выпрямителя, а не на вторичной обмотке трансформатора. После диодов и конденсаторных фильтров напряжение может быть больше, что критично для нашей микросхемы. Если же у нас напряжение меньше приступим к сборке регулятора, схему Я взял с datasheet.
Несколько минут в Sprint Layout и печатная плата готова, размеры 17х32мм. Плата и картинки в архиве вложенном к материалу. Под обозначением R2 находятся выводы на потенциометр. Резистор R1 можно взять smd, но у меня такового не оказалась, буду паять обычный выводной.
Клема «-» общая как для входа так и для выхода. Не стоит забывать и о полярности конденсатора С1, он у нас электролитический. Ну и если делаете регулятор на другой микросхемы обязательно уточните распиновку ног микросхемы в datasheet, в интернете может поиск найти не ту картину найти, либо кто-то загрузит не ту по ошибке (была практика). Неправильно подключенная микросхема может выйти из строя («сгорит»)! К примеру в моей микросхеме ножки расположены так:
После травление и сверления отверстий плата выглядела у меня так:
На микросхему прикрутил радиатор под ТО-220, и все элементы припаял к плате.
Ну и проверил в работе естественно, хочу заметить что радиатор не грелся без нагрузки вообще. Важное значение играет выбор резисторов, чем больше погрешность — меньше точность стабилизатора. В целом плата очень мелкая можно просто вместить в любой блок питания, что да воли удобно.
| Условное обозначение транзистора КП350А: При работе с полевыми транзисторами КП350А следует принимать меры по защите от статического электричества! При пайке использовать паяльник на напряжение 6..12В ! | КП350А — транзистор кремниевый диффузно-планарный полевой с каналом N-типа и двумя изолированными затворами. Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Транзистор КП350А предназначен для работы в радиоприемной аппаратуре.
Основные параметры КП350А:
* Обеспечивается при защите транзисторов от воздействия влаги (в герметизированной аппаратуре). |
Транзисторы КТ315,КТ3102,КТ817 — маркировка и цоколевка,основные параметры.
Зарубежные аналоги транзисторов КТ3102.
КТ3102А — 2N4123
КТ3102А — 2N2483
КТ3102А — 2SC828
КТ3102А — BC546C
КТ3102А — B547B
КТ3102А — BC547C
Транзисторы КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г.
Транзисторы КТ817, — кремниевые, универсальные, мощные
низкочастотные, структуры — n-p-n.
Предназначены для применения в усилителях
низкой частоты, преобразователях и импульсных схемах.
Корпус пластмассовый, с гибкими выводами.
Масса — около 0,7 г.
Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса, может
быть двух типов.
Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и некодированная — в две. Первый знак в кодированной маркировке КТ817 цифра 7, второй знак — буква, означающая класс. Два следующих знака, означают месяц и год выпуска. В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке. На рисунке ниже — цоколевка и маркировка КТ817.
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока у транзисторов КТ817А, КТ817Б, КТ817В — 20.
У транзистора КТ817Г — 15.
Граничная частота коэффициента передачи тока — 3 МГц.
Максимальное напряжение коллектор — эмиттер.
У транзистора КТ817А — 25в.
У транзисторовКТ817Б — 45в.
У транзистора КТ817В — 60в.
У транзистора КТ817Г — 80в.
Максимальный ток коллектора. — 3А. Рассеиваемая мощность коллектора — 1 Вт, без теплоотвода, 25 Вт — с теплоотводом.
Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 3А, а базы 0,3А — не более 1,5в.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 3А, а базы 0,3А — не более 0,6в.
Обратный ток коллектора у транзисторов КТ817А при напряжении коллектор-база 25в, транзисторов КТ817Б при напряжении коллектор-база 45в, транзисторов КТ817В при напряжении коллектор-база 60в, транзисторов КТ817Г при напряжении коллектор-база 100 в — 100мкА.
Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в, на
частоте 1МГц — не более
— 60 пФ.
Емкость эмиттерного перехода при напряжении эмиттер-база 0,5 в
— 115 пФ.
Комплиментарный (аналогичный по параметрам, но противоположной проводимости)транзистор — КТ816.
Зарубежные аналоги транзисторов КТ817.
КТ817А — TIP31A
КТ817Б — TIP31B
КТ817В — TIP31C
КТ817Г — 2N5192.
Транзисторы — купить… или найти бесплатно.
Где сейчас можно найти советские транзисторы?
В основном здесь два варианта — либо
купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.
Во время промышленного коллапса начала 90-х, образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки — можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».
Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — сломанные телевизоры, магнитофоны, приемники и. т. д — можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из него.
Проще всего обстоит дело с КТ315. В любой промышленной и бытовой аппаратуре и с середины 70-х годов двадцатого века и заканчивая началом 90-х его можно встретить практически
повсеместно.
КТ3102 можно найти в предварительных каскадах усилителей магнитофонов
— «Электроника», «Вега», «Маяк», «Вильма» и. т. д.
КТ817 — в стабилизаторах блоков питания тех же магнитофонов, иногда в оконечных
каскадах усилителей звука (в магнитолах Вега РМ-238С,РМ338С и. т. п)
На главную страницу
Поиск по сайту | Транзистор КП350 — полевой, с двумя изолированными затворами и каналом n-типа, диффузионно-планарный, кремниевый. Применяется в генераторах, усилителях и преобразователях сверхвысокой частоты (до 700 МГц). Корпус металлостеклянный, выводы гибкие. На корпусе наносится тип транзистора. Дополнительно КП350А, КП350Б и КП350В маркируются двумя чёрными точками на торце корпуса. Весит не более 0.7 г. КП350 цоколевкаЦоколевка КП350 показана на рисунке. Электрические параметры транзистора КП350
Предельные эксплуатационные характеристики транзисторов КП350
|
