ww1%20sot23 техническое описание и примечания по применению
| Каталог техническое описание | MFG и тип | ПДФ | Теги документов |
|---|---|---|---|
1997 — Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | ОТ-23, OEDST15TR 20сот-23, 20очистить 20эпоксидная смола | |
57-20240 Реферат: 57-10240-ww2 57-20140 МИЛ-М-14 | OCR-сканирование | E19071 CSA-LR31996-7 Механ11 635 мм) 143мм) 97-22140-ВВ2 97-22240-ВВ2 97-22360-WW2 97-22500-ВВ2 97-22640-ВВ2 57-20240 57-10240-ww2 57-20140 МИЛ-М-14 | |
2005 — Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | E170218 UL1977) E130965 УЛ1863) LR31996-7. 7-22240-WW5 97-22240-WW5A 97-22360-WW5 97-22360-WW5A 97-22500-ВВ5 | |
МИЛ-Р-26 Реферат: WW-серия TC20 TC50 WW10 | Оригинал | МИЛ-Р-26 МИЛ-Р-26 WW-серия ТС20 ТС50 10 мировая война | |
WW10A Реферат: MIL-R-26 TC20 TC50 WW10 WW-серия ww1 99 | Оригинал | WW10A МИЛ-Р-26 WW10A МИЛ-Р-26 ТС20 ТС50 10 мировая война WW-серия первая мировая война 99 | |
к 1457 Аннотация: 136R | OCR-сканирование | 750 частей на миллион/К Р13-Р51 ТС-10. -80 частей на миллион/К 180 частей на миллион/К WM110 4-12натура 17 октября OO к 1457 136р | |
CIE1931 Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | CIE1931 | |
диод ww1 7d Резюме: 536752 WU-M-360-W1 Loctite 7387 ww1 51 | Оригинал | ||
2012 — МИЛ-Р-26 Аннотация: Резистор rw79* 2,2кОм 3Вт RW74 | Оригинал | МИЛ-Р-26 СЗВ12, WWS10, NWWS10 СЗВ10, ММВ10, NMWW10 rw79 резистор* 2,2кОм 3Вт RW74 | |
Л102 Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | CL-L102-MC3WW1 3500К CE-P433 10 мс 93D001 L102 | |
2002 — Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | МИЛ-Р-39007 МИЛ-Р-26 ММВ10 РВ-78 РВ-70 РВ-79 РВ-67, РВ-74 РВ-68, | |
диод ww1 7d Резюме: LOCTITE 227 LOCTITE-242 pliobond CREE фотобиологический 536752 IEC 62471 потенциометры 5k | Оригинал | ||
9218А Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | 218А-ВВ1-018Г 9218Серия 218А-ВВ1-018Г 9218А | |
2011 — резистор* 2,2кОм 3Вт Резюме: RW79 RW74 | Оригинал | МИЛ-Р-26 000Vподробнее резистор* 2,2кОм 3Вт RW79 RW74 | |
2012 — Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | МИЛ-Р-26 NWW12 | |
2012 — Резистор 1K 1Вт Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | МИЛ-Р-26 000Vподробнее 1к резистор 1Вт | |
2012 — Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | NWW12 | |
ДРАЛОРИК ККА 9 Аннотация: KKA17 vishay kka draloric kka | | Е12/Е ККА11 ККА17 17 октября OO ДРАЛОРИК ККА 9 вишай кка дралорик кка | |
536752 Реферат: WU-M-360-W2 WU-M-361-SG WU-M-361-W2 EN62471 LOCTITE 227 | Оригинал | ||
ww1 06 Реферат: RW резистор Draloric P4 | OCR-сканирование | МИЛ-Р-26 180 частей на миллион/К 0-39р МИЛ-Р-26. 17 октября OO LR261 Первая мировая война 06 Резистор RW Дралорик Р4 | |
2011 — RW70 Резюме: резистор 10 кОм 0,1 5 Вт | Оригинал | МИЛ-Р-26 РВ-70 РВ-69 РВ-79 RW70 Резистор 10 кОм 0,1 5 Вт | |
2011 — WWS10 Реферат: MIL-R-26 RW-74 RW-78 RW-79Резистор WW10* 2,2кОм 3Вт | Оригинал | МИЛ-Р-26 РВ-70 РВ-69 WWS10 РВ-74 РВ-78 РВ-79 10 мировая война резистор* 2,2кОм 3Вт | |
ZWS 50 NI Аннотация: 8k2j ZWS100E | OCR-сканирование | ТС-10. -80 частей на миллион/К 180 частей на миллион/К 17 октября OO ZWS 50 НИ 8к2 дж ZWS100E | |
ГВС 220 Реферат: Стекловидные резисторы с проволочной обмоткой K30R с наконечниками | OCR-сканирование | ||
2010 — Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | CL-L233-HC13WW1-C CL-L233- HC13WW1-C CL-L233-HC13WW1-C CE-P899 | |
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>Предыдущий 1 2 3 … 23 24 25 Далее
Символы электронных компонентов: революционный катализатор или транзистор
Электронная лампа, или вакуумная лампа, была основой практически всех электронных устройств с начала 1900-х годов до появления транзистора в 1947 году. выход логических устройств. Вакуумные лампы имели серьезные недостатки: стеклянные трубки были хрупкими, им требовался подвод тепла, высокое энергопотребление, они были неэффективны в цепях со слабым сигналом и имели проблемы с шумом.
Исследования транзисторов были сосредоточены на том, чтобы точно определить детали материала — управлять примесями, нарезать золотую фольгу достаточно тонко, а оксидные слои — достаточно толсто.
Эти неуклонные усовершенствования транзистора сделали возможным переход от хрупкой вакуумной лампы к прочным полупроводниковым кристаллам.
Одним из первых пропагандистов транзистора над электронными лампами был британский инженер-электрик по имени Норман Муди, который предложил революционную идею о том, что транзистор может быть более надежным, чем электронная лампа. Муди подчеркивал, что художественное изображение транзисторов на схемных чертежах напрямую связано с их функциональной надежностью. Его смелое утверждение заключалось в том, что обеспечение надежности транзисторов связано с изменением их схемы.
Символы электронных компонентов помогают дизайнерам продумать логику цепей
В то время в журналах по электронике, на схемах и на классных досках циркулировали десятки общественных и частных предложений о том, как следует рисовать символы транзисторов и электронных компонентов. Электроника уникальна тем, что это дисциплина, в которой символы или значки электронных компонентов используются для продумывания логики схемы.
Поэтому инженеры и проектировщики были поглощены вопросами, например, какие знания должны воплощать символы? Как символы могут отражать функцию?
Возник конфликт между функциональным представлением символов электронных компонентов или их структурным отображением. Именно здесь зародилась первая «схемная грамматика», когда схемы стали рассматриваться как устройства связи для инженеров-электронщиков. Правила составления схем, которые могли регулировать и стандартизировать символы электронных компонентов, начали вступать в силу.
Транзистор-переходник, переход P-N и язык символов
Особая форма транзистора, транзистор-переходник, вызвала споры в области схем, что в конечном итоге привело к разработке системы символов электронных компонентов. Филип Томпсон, физик, работающий в лаборатории Муди, понял, что ключ к действию транзистора лежит не в полупроводниковых слоях, а в микромиллиметровых граничных переходах, где встречаются различные материалы.
Томпсон заметил, что отдельные P-N*-переходы действуют как выпрямители, ограничивая ток в одном направлении и пропуская его в другом. Томпсон считал, что может управлять работой транзистора посредством расположения и действия составляющих его переходов. * [Примечание: «P» означает легирование 3-электронными примесями, такими как алюминий или бор, а «N» означает легирование 5-электронными примесями, такими как фосфор или мышьяк. Таким образом, соотношение электронов P-N равно 3:5.]
Использование PN-перехода помогло расширить наши электронные возможности
Томпсон решил, что, поскольку полупроводники состоят из PN-перехода, он будет искать новый способ рисования транзисторов, который бы выделял PN-переход. Простейшим из всех полупроводниковых устройств, основанных на PN-переходе, был диод — одиночный переход, используемый для выпрямления или поддержания направления тока. Выбрав традиционный значок, используемый для диода, в качестве нового символа для PN-перехода, Томпсон мог комбинировать символы диода, чтобы представлять не только встречное расположение переходов в транзисторах, но и ЛЮБОЕ расположение PN-переходов, используемых в полупроводниковых устройствах.
Такой гений!
Красноречие системы Томпсона заключалось в том, что она не только описывала внутреннюю работу транзисторов, но и закладывала основы языка, состоящего из графики, представляющей полупроводники. Подобно иероглифам для электронных компонентов, система Томпсона теоретически допускала бесконечное расширение, так что любое полупроводниковое устройство, состоящее из точек, соединений или того и другого, будет иметь логический символ в системе Томпсона. Подчеркивая соединение P-N, символ сообщает разработчику, ЧТО представляет собой устройство и какие СОЕДИНЕНИЯ оно имеет с другими электронными устройствами. Это был систематический метод создания символов как для настоящих, так и для будущих полупроводниковых устройств.
Путаница в символах для электронных ламп и транзисторов стоит жизни во время Первой мировой войны
Работая в той же лаборатории, что и Томпсон, команда Moody’s исследовала новые конструкции схем, основанные на уникальных свойствах транзисторов, вместо того, чтобы использовать транзисторы, как если бы они были еще одной электронной лампой.
. Из того, что Томпсон использовал символ диода, Муди понял, что этот символ транзистора может стать путем к разрыву ошибочной и потенциально опасной связи в умах инженеров между символами электронных ламп и транзисторами.
Муди и другие заметили, что когда на чертежах смешивались обозначения транзисторов и электронных ламп (потому что некоторые инженеры считали их взаимозаменяемыми), эта путаница приводила к дорогостоящим и даже фатальным ошибкам. В схемах ранней холодной войны были допущены серьезные ошибки, что привело к катастрофическим результатам. Неисправности в электронике позже будут частично виноваты в катастрофическом провале военно-тактических миссий в Корее и Первой мировой войне, а также в проблемах с интегрированными системами радара, наведения и управляемых ракет.
В 1957 году Томпсон вместе со старшим научным сотрудником Радиофизической лаборатории Джеком Бейтсоном подготовил меморандум, посвященный рисованию символов электронных компонентов с точки зрения их функций.
Бейтсон считал, что символы необходимы для четкого общения между дизайнерами.
В своем меморандуме Томпсон и Бейтсон расширили символ на основе диода до полноценного семейства символов электронных компонентов, сосредоточив внимание на: 1) стремлении Томпсона к «логической, самосогласованной номенклатуре» для полупроводников, основанной на символе диода. ; и 2) стремление Бейтсона к способности символов и схем сообщать намерения дизайнера другим инженерам и техникам. Их система была блестящей в том смысле, что символ диода можно было широко использовать для обозначения ЛЮБОГО электронного компонента, зависящего от PN-переходов.
Транзисторы побудили человечество к инновациям
Большая часть технического прогресса человечества за последние 60 лет была связана с успехом транзисторов. замена вакуумных ламп в телевизорах, радиоприемниках и другом электронном оборудовании. С появлением этого крошечного устройства инженеры создали язык символов электронных компонентов, которые предоставляют конкретную информацию об использовании компонентов в любой точке схемы.
Миниатюризация технологий усложняет задачу проектирования, связанную с компактным размещением энергии
Из-за волны миниатюризации, вызванной транзисторами, человечество сделало скачок в новых технических приложениях, таких как настольный компьютер, затем сотовые телефоны, айпады и множество восхитительных устройств, которые постоянно развиваются в миниатюризации. В свою очередь, эти новые устройства по-новому связывают человечество по всему миру, инициируя международные разговоры, дружбу, глобальные конференции и сообщества, формирующиеся за пределами границ и океанов.
Транзистор породил визуальный язык символов электронных компонентов, который позволил разработчикам мыслить с точки зрения логики и электронных процессов, связанных с каждым компонентом в схеме, и ясно передавать эти идеи другим. Транзистор также открыл двери для творчества, катализируя экспоненциальный рост производительности миниатюрных высокоскоростных устройств.
