Заменяемость транзисторов

Русский: English:. Бесплатный архив статей статей в Архиве. Справочник бесплатно. Параметры радиодеталей бесплатно.

Поиск данных по Вашему запросу:

Заменяемость транзисторов

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.

Содержание:

• Замена транзисторов биполярных и полевых
• Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Аналоги транзистора MJE13009.
• Зарубежные аналоги отечественных кремниевых биполярных транзисторов
• Зарубежные аналоги отечественных кремниевых биполярных транзисторов
• Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Аналоги транзистора 2SD1427.
• Транзистор 13001
• Таблица взаимозаменяемости транзисторов – Справочники радиодеталей

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Как читать даташиты на полевые all-audio.pro читать характеристики на отечественные транзисторы.

Замена транзисторов биполярных и полевых

Полные и функциональные аналоги транзисторов. Даташит на каждый транзистор можно посмотреть введя название в поисковую форму datasheet вправой части сайта. Цены на радиодетали смотрите в любом интернет магазине. Мощные полевые транзисторы : Импортные. Снижение расхода топлива в авто. Ремонт зарядного В.

Солнечная министанция. Самодельный ламповый. Фонарики Police. Генератор ВЧ и НЧ. Порядок вывода комментариев: По умолчанию Сначала новые Сначала старые. Обычный мосфет с диодом внутри В на 12 А. Нужна замена транзистору me75n80c подскажите пожалуйста. Помогите найти аналог полевого транзистора NJ11AF. Подскажите пожайлуста аналоги транзистора me75n80c, не могу найти, inog83 rambler. На IRF меняется точно, про этот не знаю. Автомобильная электроника Блоки питания Зарядные устройства Паяльники и инструменты Измерительные приборы Самодельные сигнализации Телевизоры и видео Усилители звука.

Компьютерная электроника Самодельные металлоискатели Контроллеры и микросхемы Начинающим радиолюбителям Приёмные устройства Ламповая техника Светодиоды и лампы Электрика своими руками. Электросхемы для самостоятельной сборки радиоэлектронных приборов и конструкций. Полезная информация для начинающих радиолюбителей и профессионалов.

Все права защищены. Вход Почта Мобильная версия.

Интернет-справочник основных параметров транзисторов.

Аналоги транзистора MJE13009.

Чем смогу помогу. Электрик 6. Транзистор TIP Транзистор TIP41C.

Таблица аналогов отечественных биполярных транзисторов.

Зарубежные аналоги отечественных кремниевых биполярных транзисторов

Ко мне попала небольшая книжка, выпущенная малым тиражом всего экз. В книжке, наряду с устаревшими типами транзисторов, есть и более современные. Имея технические данные на транзисторы замены, приведённые ниже, можно подобрать замену из более современных компонентов. Мною исправлены некоторые явные опечатки, присутствовавшие на страницах книги. Ниже приведена постраничная копия материала. В строках, где приведено несколько аналогов, первый — более полный. В круглых скобках Электронные лампы , видимо, полные аналоги, в квадратных — возможная замена например, со сменой цоколёвки. OC41 П OC42 П29А. CK ДА 4шт.

Зарубежные аналоги отечественных кремниевых биполярных транзисторов

Теория и практика. Кейсы, схемы, примеры и технические решения, обзоры интересных электротехнических новинок. Уроки, книги, видео. Профессиональное обучение и развитие. Сайт для электриков и домашних мастеров, а также для всех, кто интересуется электротехникой, электроникой и автоматикой.

Всем транзисторам, разработанным до года, присвоены условные обозначения по стандарту, установленному в году.

Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Аналоги транзистора 2SD1427.

Биполярный транзистор является чрезвычайно мощным и высоковольтным. Область использования импортных из стран ближнего и дальнего зарубежья транзисторов серии является достаточно широкой по сравнению с транзисторами и бытовыми электроприборами, привезенными из других стран. Как правило, в основном это лампочки, которые сберегают энергию, зарядные устройства, регуляторы по освещению и лампы для дневного освещения. Замена на российский транзистор происходит согласно таблицам аналогов. Транзистор цоколевка возможен так же как вариант.

Транзистор 13001

Таблица взаимозаменяемости импортных и отечественных диодов, несколько сотен типов. Первая часть. Часть вторая. Аналоги отечественных и зарубежных микросхем. Большой сборник всех типов.

Добрый. Имею импульсный бп на Вт, при включении хлопком вырубило два транзистора, фото в аттаче. Что удалось найти в.

Таблица взаимозаменяемости транзисторов – Справочники радиодеталей

Заменяемость транзисторов

В данной статье я хочу описать, на какие критерии нужно обращать внимание при подборе замены транзисторам. Надеюсь, статья будет полезной для начинающих радиолюбителей. Постараюсь информацию изложить очень кратко, но достаточно для правильного подбора транзистора при отсутствии аналогичного.

Имею импульсный бп на Вт, при включении хлопком вырубило два транзистора, фото в аттаче. Мы принимаем формат Sprint-Layout 6! Экспорт в Gerber из Sprint-Layout 6. Это где? Конденсаторы Panasonic. Часть 4.

Поиск новых сообщений в разделах Все новые сообщения Компьютерный форум Электроника и самоделки Софт и программы Общетематический. Нужен аналог транзистора.

Новости: 9. Высказывания: Если товар хорош, его перестают выпускать. Справка об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора 2SD Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора 2SD Перед заменой транзистора на аналогичный,!

Полные и функциональные аналоги транзисторов. Даташит на каждый транзистор можно посмотреть введя название в поисковую форму datasheet вправой части сайта. Цены на радиодетали смотрите в любом интернет магазине.

О транзисторах и интегральных микросхемах принцип действия и устройство транзисторов

В.А.ВАСИЛЬЕВ

ПРИЕМНИКИ НАЧИНАЮЩЕГО РАДИОЛЮБИТЕЛЯ

Издательство «Радио и связь», 1984

ПРЕДИСЛОВИЕ

Радиолюбитель, приступающий к изучению основ радиоэлектроники, обычно теряется, не сразу находя, с чего начать свою деятельность по конструи­рованию радиоаппаратуры. Опыт свидетельствует, что путь в радиоэлектронику от простого к сложному хотя и не так скор, как хотелось бы, но зато дает прочные знания и навыки, которые в дальнейшем помогут не только собрать по готовым описаниям более сложные приемники, но и самостоятельно разработать и изготовить собственную конструкцию.

Нередко радиолюбители начинают свой творческий путь с изготовления про­стого приемника на транзисторах, как правило переносного. Но бывает так, что для выбранной конструкции, даже очень простой, не удается приобрести необхо­димые детали либо у радиолюбителя уже есть некоторые детали, но он не знает, по какой схеме можно собрать из них приемник. В этой книге учтены характер­ные особенности творчества радиолюбителей на первых порах. Описания конст­рукций составлены так, что в них отображены почти все возможные варианты комбинаций транзисторов широкого применения. Конструкции приемников опи­саны в определенной последовательности, причем основное внимание в каждом описании уделено особенностям конструкции в предположении, что читатель уже знаком с описанными ранее.

В книге четыре раздела. В первом читатель знакомится с принципом дейст­вия и взаимозаменяемостью основного усилительного прибора — транзистора и более сложного узла — интегральной микросхемы.

Во втором разделе расска­зано об устройстве, изготовлении и налаживании простейших приемников пря­мого усиления. Для них требуется всего два или три транзистора и несколько других деталей, вполне доступных и недорогих. Правда, принимать сигналы ра­диостанций придется только на головные телефоны, но зато малые размеры, эко­номичность питания и доступность повторения делают эти конструкции полезны­ми для начинающего радиолюбителя.

О том, как сделать приемник громкоговорящим, вы прочтете в третьем раз­деле, где описано несколько усилителей низкой частоты различной выход­ной мощности (от 50 мВт до 2 Вт). Для тех, кто уже преодолел начальный этап творчества, будет интересен четвертый раздел, посвященный громкоговорящим приемникам прямого усиления со встроенным источником питания.

Описания всех конструкций содержат подробные принципиальные и монтаж­ные схемы. Все приемники, приведенные в книге, могут быть собраны из радио­деталей широкого применения, которые легко приобрести! в розничной торговле, либо по почте. Вопросами снабжения радиолюбителей деталями по почте ведают Центральная торговая база Посылторга, находящаяся по адресу: 111126, Москва, Е-126, Авиамоторная ул., 50, а также Межреспубликанская торговая база Цент­росоюза: 121471, Москва, Г-471, Рябиновая ул.„ 45. Перечень имеющихся на скла­дах деталей и узлов указан в проспектах, рассылаемых этими базами по поч­товым отделениям связи.

Отзывы об этой книге и замечания по конструкциям просим направлять по адресу: 101000, Москва, Почтамт, а/я 693, издательство «Радио и связь»,-Массо­вая палиобиблиотека.

Автор

Активными элементами современного радиоприемника служат транзи­сторы. Их различают по назначению, параметрам! и внешнему виду. Начинающий радиолюбитель, приступающий к изготовлению своего первого приемника, дол­жен знать их особенности.

Транзистором называется полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления и генерирования электрических колебаний. Он представляет собой кри­сталл, помещенный в корпус, снабженный выводами. Кристалл изготовляют из полупроводникового материала. По своим электрическим свойствам полупровод­ники занимают некоторое промежуточное положение между проводниками и не­проводниками тока (изоляторами). Небольшой кристалл полупроводникового ма­териала (полупроводника) после соответствующей технологической обработки становится способным менять свою электропроводность в очень широких преде­лах при подведении к нему слабых электрических колебаний и постоянного на­пряжения смещения. Кристалл помещают в металлический или пластмассовый корпус и снабжают тремя выводами, жесткими или мягкими, присоединенными к соответствующим зонам кристалла. Металлический корпус иногда имеет собст­венный вывод, но чаща с корпусом соединяют один из трех электродов транзи­стора.

В настоящее время находят применение транзисторы двух видов — биполяр­ные и полевые. Биполярные транзисторы появились первыми и получили наиболь­шее распространение.

Поэтому обычно их называют просто транзисторами. Поле­вые транзисторы появились позже и пока используются реже биполярных.

Биполярными транзисторы называют потому, что электрический ток в них образуют электрические заряды положительной и отрицательной полярно­сти. Носители положительных зарядов принято называть дырками, отрицатель­ные заряды переносятся электронами. В биполярном транзисторе используют кри­сталл из германия или кремния — основных полупроводниковых материалов, применяемых для изготовления транзисторов и диодов. Поэтому и транзисторы называют одни кремниевыми, другие — : германиевыми. Для обоих разновидно­стей биполярных транзисторов характерны свои особенности, которые обычно учитывают при проектировании устройств.

Для изготовления кристалла используют сверхчистый материал, в который добавляют специальные строго дозированные; примеси. Они и определяют появле­ние в кристалле проводимости, обусловленной дырками (р-проводимость) или электронами (n-проводимость). Таким образом формируют один из электродов транзистора, называемый базой. Если теперь в поверхность кристалла базы ввести тем или иным технологическим способом специальные примеси, изменяющие тип проводимости базы на обратную так, чтобы образовались близколежащие зоны n-р-n или р-n-р, и к каждой зоне подключить выводы, образуется транзи­стор. Одну из крайних зон называют эмиттером, т. е. источником носителей за­ряда, а вторую — коллектором, собирателем этих носителей. Зона между эмит­тером и коллектором называется базой. Выводам транзистора обычно присваи­вают названия, аналогичные его электродам. Усилительные свойства транзистора проявляются в том, что если теперь к эмиттеру и базе приложить малое электри­ческое напряжение — входной сигнал, то в цепи коллектор — эмиттер потечет ток, по форме повторяющий входной ток входного сигнала между базой и эмит­тером, но во много раз больший по значению.

Для нормальной работы транзистора в первую очередь необходимо подать на его электроды напряжение питания. При этом напряжение на базе относи­тельно эмиттера (это напряжение часто называют напряжением смещения) долж­но быть равно нескольким десятым долям вольта, а на коллекторе относительно эмиттера — несколько вольт.

Включение в цепь n-р-n и р-n-р транзисторов отличается только полярностью напряжения на коллекторе и смещения. Кремниевые и германиевые транзисторы одной и той же структуры отличаются между собой лишь значением напряже­ния смещения. У кремниевых оно примерно на 0,45 В больше, чем у герма ниевых.

Рис. 1

На рис. 1 показаны условные графические обозначения транзисторов той и другой структуры, выполненных на основе германия и кремния, и типовое напря­жение смещения. Электроды транзисторов обозначены первыми буквами слов: эмиттер — Э, база — Б, коллектор — К. Напряжение смещения (или, как при­нято говорить, режим) показано относительно эмиттера, но на практике напря­жение на электродах транзистора указывают относительно общего провода уст­ройства. Общим проводом в устройстве и на схеме называют провод, гальвани­чески соединенный с входом, выходом и часто с источником питания, т. е. общий для входа, выхода и источника питания.

Усилительные и другие свойства транзисторов характеризуются рядом элект­рических параметров, наиболее важные из которых рассмотрены ниже.

Статический коэффициент передачи тока базы h_21Э показывает, во .сколько раз ток коллектора биполярного транзистора больше тока его базы, вызвавшего этот ток. У большинства типов транзисторов численное значение этого коэффи­циента от экземпляра к экземпляру может изменяться от 20 до 200. Есть тран­зисторы и с меньшим значением — 10…15, и с большим — до 50…800 (такие на­зывают транзисторами со сверхусилением). Нередко считают, что хорошие резуль­таты можно получить только с транзисторами, имеющими большое значение h_21э. Однако практика показывает, что при умелом конструировании аппаратуры вполне можно обойтись транзисторами, имеющими h_2lЭ, равный всего 12. ..20. При­мером этого может служить большинство конструкций, описанных в этой книге.

Частотными свойствами транзистора учитывается тот факт, что транзистор способен усиливать электрические сигналы с частотой, не превышающей опреде­ленного для каждого транзистора предела. Частоту, на которой транзистор те­ряет свои усилительные свойства, называют предельной частотой усиления тран­зистора. Для того, чтобы транзистор мог обеспечить значительное усиление сиг­нала, необходимо, чтобы максимальная рабочая частота сигнала была по край­ней мере в 10…20 раз меньше предельной частоты f_т транзистора. Например, для эффективного усиления сигналов низкой частоты (до 20 кГц) применяют низко­частотные транзисторы, предельная частота которых не менее 0,2…0,4 МГц. Для усиления сигналов радиостанций длинноволнового и средневолнового диапазо­нов волн (частота сигнала не выше .1,6 МГц)| пригодны лишь высокочастотные транзисторы с предельной частотой не ниже 16…30 МГц.

Максимальная допустимая рассеиваемая мощность — это наибольшая мощ­ность, которую может рассеивать транзистор в течение длительного времени без опасности выхода из строя. В справочниках по транзисторам обычно указывают максимальную допустимую мощность коллектора Яктах, поскольку именно в цепи коллектор — эмиттер выделяется наибольшая мощность и действуют наибольшие ток и напряжение. Базовый и коллекторный токи, протекая по кристаллу транзи­стора, разогревают его. Германиевый кристалл может нормально работать при температуре не более 80, а кремниевый — не более 120°С. Тепло, которое выде­ляется в кристалле, отводится в окружающую, среду через корпус транзистора, а также и через дополнительный теплоотвод (радиатор), которым дополнитель­но снабжают транзисторы большой мощности.

В зависимости от назначения выпускают транзисторы малой, средней и большой мощности. Маломощные используют главным образом для усиления и преобразования слабых сигналов низкой и высокой частот, мощные — в оконеч­ных ступенях усиления и генерации электрических колебаний низкой и высокой частот. Усилительные возможности ступени на биполярном транзисторе зависят не только от того, какой он мощности, а сколько от того, какой конкретно вы­бран транзистор, в каком режиме работы по переменному и постоянному току он работает (в частности, каковы ток коллектора и напряжение между коллектором и эмиттером), каково соотношение рабочей частоты сигнала и предельной часто­ты транзистора.

Полевой транзистор представляет собой полупроводниковый прибор, в котором управление током между двумя электродами, образованным направлен­ным движением носителей заряда дырок или электронов, осуществляется элект­рическим полем, создаваемым напряжением на третьем электроде. Электроды, между Которыми протекает управляемый ток, иоСят название истока и стока, причем истоком считают тот электрод, из которого выходят (истекают) носители заряда. Третий, управляющий, электрод называют затвором. Токопроводящий участок полупроводникового материала между истоком и стоком принято назы­вать каналом, отсюда еще одно название этих транзисторов — канальные. Под действием напряжения на затворе» относительно истока меняется сопротивление канала» а значит, и ток через него.

В зависимости от типа носителей заряда различают транзисторы с n-каналом или р-каналом. В n-канальных ток канала обусловлен направленным движением электронов, а р-канальных — дырок. В связи с этой особенностью полевых тран­зисторов их иногда называют также униполярными. Это название подчеркивает, что ток в них образуют носители только одного знака, что и отличает полевые транзисторы от биполярных.

Для изготовления полевых транзисторов используют главным образом крем­ний, что связано с особенностями технологии их производства.

Рассмотрим основные параметры полевых транзисторов.

Крутизна входной характеристики S или проводимость прямой передачи тока Y₂₁ указывает, на сколько миллиампер изменяется ток канала при изменении входного напряжения между затвором и истоком на 1 В. Поэтому значение кру­тизны входной характеристики определяется в мА/В, так же как и крутизна ха­рактеристики радиоламп. Современные полевые транзисторы имеют крутизну от десятых долей до десятков и даже сотен миллиампер на вольт. Очевидно, что чем больше крутизна, тем большее усиление может дать полевой транзистор. Но большим значениям крутизны соответствует большой ток канала. Поэтому-на практике обычно выбирают такой ток канала, при котором, о одной стороны, до­стигается требуемое усиление, а с другой — обеспечивается необходимая эконо­мичность в расходе тока.

Частотные свойства полевого транзистора, так же как и! биполярного, харак­теризуются значением предельной частоты. Полевые транзисторы тоже делят на низкочастотные, среднечастотные и высокочастотные, и также для получения большого усиления максимальная частота сигнала должна быть по крайней мере в 10…20 раз меньше предельной частоты транзистора.

Максимальная допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого тран­зистора определяется точно так же, как и для биполярного. Промышленность выпускает полевые транзисторы малой, средней и большой мощности.

Для нормальной работы полевого транзистора на его электродах должно действовать постоянное напряжение начального смещения. Полярность напряже­ния смещения определяется типом канала (n или р), а значение этого напряже­ния — конкретным типом транзистора. Здесь следует указать, что среди полевых транзисторов значительно больше разнообразие конструкций кристалла, чем сре­ди биполярных. Наибольшее распространение в любительских конструкциях и в изделиях промышленного производства получили полевые транзисторы с так на­зываемым встроенным каналом и р-n переходом. Они неприхотливы в эксплуата­ции, работают в широких частотных пределах, обладают высоким входным сопротивлением, достигающим на низкой частоте нескольких мегаом, а на сред­ней и высокой частотах — нескольких десятков или сотен килоом в зависимости от серии. Для сравнения укажем, что биполярные транзисторы имеют значительно меньшее входное сопротивление, обычно близкое к 1…2 кОм, и лишь ступени на составном транзисторе могут иметь большее входное сопротивление. В этом со-состоит большое преимущество полевых транзисторов перед биполярными.

Рис. 2

На рис. 2 показаны условные обоз­начения полевых транзисторов со встроенным каналом и р-n переходом, а также указаны и типовые значения напряжения смещения. Выводы обо­значены в соответствии с первыми буквами названий электродов. Харак­терно, что для транзисторов с р-кана­лом напряжение на стоке относитель­но истока должно быть отрицатель­ным, а на затворе относительно исто­ка — положительным, а для транзистора с n-каналом — наоборот.

В промышленной аппаратуре и реже в радиолюбительской находят так­же применение полевые транзисторы с изолированным затвором. Такие транзи­сторы имеют еще более высокое входное сопротивление, могут работать на очень высоких частотах. Но у них есть существенный недостаток — низкая электриче­ская прочность изолированного затвора. Для его пробоя и выхода транзистора из строя вполне достаточно даже слабого заряда статического электричества, ко­торый всегда есть на теле человека, на одежде, на инструменте. По этой причине выводы полевых транзисторов с изолированным затвором при хранении следует связывать вместе мягкой голой проволокой, при монтаже транзисторов руки и инструменты нужно «заземлять», используют и другие защитные мероприятия.

ttl — Можно ли взаимозаменяемо использовать эмиттер и коллектор транзистора?

спросил 8 лет, 4 месяца назад

Изменено 8 лет, 4 месяца назад

Просмотрено 1к раз

\$\начало группы\$

Пытаюсь понять стандартный TTL NAND Gate на уровне TTL. А вот спутал работу транзистора Q1 на схеме ниже:

Очевидно, когда A и B вместе ВЫСОКИЙ уровень, переход база-эмиттер Q1 смещен в обратном направлении. С другой стороны, переход коллектор-база смещен в прямом направлении. Таким образом, ток протекает через резистор R1 и открывает транзистор Q2. До сих пор все хорошо до здесь.

Вот мой вопрос: как BJT (вероятно, npn) транзистор, такой как Q1, может работать таким образом? Я имею в виду, что когда я узнаю о транзисторах, соединения базы-эмиттер-коллектор очень важны. Но из этого Q1 я делаю вывод, что базу и коллектор можно использовать взаимозаменяемо. Это правильно?

\$\конечная группа\$

6

\$\начало группы\$

Я уверен, вы уже знаете, что BJT состоит из двух встречно-параллельных P-N-переходов. Зная это, позвольте мне перерисовать для вас Q ₁ , используя диодную модель биполярного транзистора:

^{смоделировать эту схему – Схема создана с помощью CircuitLab}

Когда напряжение на любом из эмиттеров ниже порогового значения устанавливается Q ₂ и Q ₄ соответствующий эмиттерный диод смещен в прямом направлении и через него протекает ток. Когда оба эмиттера превышают пороговое значение, вместо этого ток течет из коллектора, активируя Q ₂ и, в свою очередь, деактивируя Q ₃ и активируя Q ₄ , переводя выход в низкий уровень.

\$\конечная группа\$

7

Зарегистрируйтесь или войдите в систему

Зарегистрируйтесь с помощью Google

Зарегистрироваться через Facebook

Зарегистрируйтесь, используя электронную почту и пароль

Опубликовать как гость

Электронная почта

Требуется, но никогда не отображается

Опубликовать как гость

Электронная почта

Требуется, но не отображается

Нажимая «Опубликовать свой ответ», вы соглашаетесь с нашими условиями обслуживания, политикой конфиденциальности и политикой использования файлов cookie

. Интегральная схема

— Чем микросхемные транзисторы отличаются от более крупных транзисторов?

спросил 3 года, 4 месяца назад

Изменено 3 года, 4 месяца назад

Просмотрено 231 раз

\$\начало группы\$

Я смотрел несколько передач, которые объясняют неспециалистам изготовление микрочипов, по сути, схожих с проявкой пленки. Есть кремниевая пластина, специально разработанная маска, а затем свет используется для «вжигания» дизайна в кремниевую пластину в многоэтапном процессе. Один из самых современных способов сделать это называется экстремальной ультрафиолетовой литографией.

Честно говоря, я очень хорошо понимаю эту концепцию. Чего я не понимаю, так это того, как результат выжигания на пластине включает в себя кучу крошечных электрических компонентов, которые на самом деле что-то делают, когда применяется разность потенциалов. Если я поищу в Интернете изображения «транзистора», я найду довольно знакомый электрический компонент с выводами, которые можно, например, подключить к макетной плате.

Мой вопрос в том, что отличает «стандартный» транзистор, который вы можете найти в магазине электроники в сумке, от этих гравюр, и как мы переходим от сжигания кармана в пластину к функционирующему электронному компоненту, такому как транзистор ? Кроме того, какие типы электрических отличий мы можем увидеть в транзисторе, используемом в микрочипе, по сравнению с традиционным транзистором, видимым невооруженным глазом? Если ответ на этот вопрос слишком сложен, чтобы обобщать его здесь, некоторые ссылки будут оценены.

• транзисторы
• интегральные схемы

\$\конечная группа\$

1

\$\начало группы\$

что делает «стандартный» транзистор вроде того, который можно найти в магазине электроники в сумке

Вы имеете в виду дискретных полупроводников, таких как транзисторы и диоды.

Большинство современных дискретных полупроводников действительно изготавливаются таким же или, по крайней мере, очень похожим образом, что и интегральные схемы.

Оба сделаны на кремниевых пластинах с использованием фотолитографии. Большинство структур не «вжигаются», а травятся или имплантируются.

Основное различие между дискретными полупроводниками и интегральными схемами заключается в используемом процессе . Процесс подобен рецепту , он определяет, например, толщину слоев. Кроме того, в дискретных полупроводниках обычно используются более «грубые» структуры по сравнению с большинством процессов ИС. В общем, «грубые» процессы намного дешевле, чем «точные» процессы (например, те, которые используют E-UV).

Кроме того, в процессе производства ИС мы хотим соединить множество компонентов вместе, чтобы сформировать схему, для этого обычно требуется гораздо более сложная проводка, чем для одного транзистора.