1,5 Вт) и большой мощности (Ркмакс > 1,5 Вт). Для улучшения теплоотвода транзисторов средней и большой мощности используют радиаторы охлажде­ния; иногда роль радиатора охлаждения может играть корпус устройства, на котором укрепляется транзистор. Внешний вид транзисторов разной мощности показан на рис. 1.37.

Система буквенно-цифровых обозначений транзисторов такая же, как для диодов. В качестве второго элемента ставится буква Т. Третий элемент — трех­значное число, определяющее группу по электрическим свойствам и порядковому

ГТ905А

Нремниевые (п-Р-п )•

НТ805А

НТ807А

1 1 1 1 1 1 1 1 г

23456789 10

1

низкой частоты			от	101	до 199;
средней частоты			от	201	до 299;
высокой частоты	и	СВЧ	от	301	до 399.
Средней мощности
низкой частоты			от	401	до 499;
средней частоты			от	501	до 599;
высокой частоты	и	СВЧ	от	601	до 699.
Большой мощности
низкой частоты			от	701	до 799;
средней частоты			от	801	до 899;
высокой частоты	и	СВЧ	от	901	до 999.

Г ерманиевые

(рнги>)

номеру разработки; устанавливается в -соответствии со следующим распределе­нием по сотням.

Малой мощности

Примеры обозначения транзисторов:

ГТ108Б — германиевый транзистор малой мощности, низкой частоты, поряд­ковый номер разработки 08, группа по параметрам Б;

КТ315Г — кремниевый транзистор малой мощности, высокой частоты, поряд­ковый номер разработки 15, группа Г;

КТ808А — кремниевый транзистор большой мощности, средней частоты, порядковый номер разработки 08, группа А.

В эксплуатации еще находятся транзисторы прежних выпусков со старыми обозначениями. Например, МП39Б, МП41, П28 (германиевые, малой мощности, низкой частоты), П210А (германиевый транзистор большой мощности, низкой частоты).

Контрольные вопросы

1. Что представляет собой биполярный транзистор?

2. По схеме включения транзистора объясните его принцип действия как управ­ляемого прибора.

3. Объясните процесс усиления электрических колебаний с помощью транзи­стора.

Рис. 1.37. Внешний вид транзисторов разных типов (а), со снятой крышкой корпуса (б) и с радиатором охлаждения (в)

4. Какие возможны схемы включения транзистора и какими свойствами они отличаются?

5. Нарисуйте входные и выходные характеристики транзистора в’ схеме с общим эмиттером.

6. Перечислите первичные и Л-параметры транзистора и покажите, как опреде­ляются коэффициенты усиления тока а и р по характеристикам.

Транзистор, цена в Украине, виды, фото. ЧП Неликвид

Транзисторы не сразу стали так называться, изначально их называли по аналогии с электронными лампами полупроводниковыми триодами. Нынешнее название деталь получила от двух английских слов – трансфер (передатчик или преобразователь) и резистор (сопротивление).

Таким образом, транзистор – это преобразователь сопротивления, полупроводник, который необходим, чтобы усиливать, преобразовывать и генерировать электрические колебания. Представляет собой транзистор кристалл, который помещен в специальный пластмассовый или металлический корпус, снабжен тремя выводами. Кристаллы транзистора производят из полупроводниковых материалов, эти кристаллы после определенной обработки способны изменять электропроводимость в обширных пределах.

История изобретения

Изобретение транзистора по праву считают одним из значимых. Транзисторы сменили электронные лампы, которые длительное время являлись единственными активными компонентами для всех устройств в радиоэлектронике. Но лампы имели большую потребляемую мощность, размеры, небольшой эксплуатационный срок и малая прочность. По мере того, как электроника совершенствовалась, изменяла размеры в сторону уменьшения, недостатки ламп становились всё очевиднее.

Впервые работающий транзистор был представлен в 1947 году сотрудниками одной из американских фирм – Bell Telephone Laboratories, в 1956 году изобретатели получили премию Нобеля. Как и большинство великих изобретений, транзистор не сразу стали массово применять. Производители техники и электроники со скептицизмом отнеслись к этому маленькому приборчику, и еще почти 30 лет производители электроламп не замечали конкурента. В самом начале своей «жизни» транзистор изготавливали с использованием Германия, в качестве полупроводника, а затем, с целью уменьшения стоимости, стали применять Кремний, который более распространен в природе.

Виды изделий

Сегодня применяются такие виды транзистора, как биполярный и полевой. Биполярный транзистор появился первым, поэтому наиболее распространен. Полевой, появившийся несколько позже и менее распространен.

Биполярный

Этот вид радиодеталей называется так потому, что электроток образуется в них при помощи электрического заряда двойной полярности – положительной/отрицательной. Носитель положительного заряда называют «дыркой», отрицательный заряд переносится при помощи электронов. В биполярных транзисторах, в качестве полупроводников используют кристаллы и из германия и из кремния. Обе разновидности транзистора имеют различные характеристики, которые необходимо учитывать при создании устройств.

Полевой

Это полупроводниковая радиодеталь, в которой ток, образованный движением дырок и электронов между двумя электродами осуществляется электрополем, создающимся при помощи напряжения третьего электрода. Два электрода, между которыми идет управляемый электроток, называются исток/сток. Исток – электрод, выдающий заряд. Управляющий электрод (третий) – затвор.

Применение

Сегодня биполярный транзистор широко применяются при создании аналоговых электронных устройств, как усилитель в дискретной цепи. Используются вместе интегральной, аналоговой, цифровой микросхемами, для усиления слабого сигнала на выходе в интегральной схеме, которая обычно не имеет высокой мощности.
Полевые транзисторы используют в цифровой электронике, так как они более скоростные и экономичные, в процессорах, памяти компьютеров, играют роль электронного переключателя.

Наша компания может купить советские транзисторы в неограниченном количестве, так как именно в них, чтобы обеспечить надежный контакт проводимости, использовали такие драгметаллы, как золото и различные сплавы серебра и золота. На сегодняшний день, производители транзисторов стараются заменить драгоценные металлы другими, более дешевыми. Поэтому, цены на старые радиодетали намного выше, чем на современные детали.

Если вы хотите продать транзисторы в любом количестве, мы приобретем их у вас по самым привлекательным ценам в Украине. Сотрудничаем и с юридическими и с физическими лицами на договорной основе. На крупные партии деталей предлагаем наиболее выгодные условия.

Различные типы транзисторов, выводы полевых транзисторов

Транзистор является активным компонентом, который устанавливается во всей электронной схеме. Они используются в качестве усилителей и коммутационного оборудования. В качестве усилителей они используются в высокочастотных и низкоуровневых частотных каскадах, генераторах, модуляторах, детекторах и т. д. электронных схемах, которым необходимо выполнять определенную функцию. В цифровых схемах они используются как переключатели. На самом деле существуют тысячи различных типов транзисторов. Установлено, что транзисторы малой, средней и большой мощности работают с высокими и низкими частотами, а также с очень большим током или высоким напряжением.

Существует несколько типов транзисторов в зависимости от использования. Каждый транзистор специализируется на своем применении. Транзисторы в основном подразделяются на два типа, а именно: биполярный транзистор (BJT) и полевой транзистор (FET) .

Типы транзисторов

Биполярные транзисторы (BJT)

Биполярный транзистор сокращенно BJT. В этом транзисторе работу выполняют два PN-перехода. Этот биполярный транзистор — обычный транзистор. Биполярный транзистор имеет 3 вывода: базу, коллектор и эмиттер. Его два типа конфигураций — NPN и PNP. Как правило, транзисторы NPN предпочтительнее для удобства.

Транзистор с биполярным соединением

Небольшой ток, поступающий в область базы транзистора, вызывает протекание большого тока от области эмиттера к области коллектора. NPN-транзистор — это транзистор, в котором находится большинство электронов-носителей тока. Электроны, которые текут от эмиттера к коллектору, составляют основу большей части тока, протекающего через транзистор. Другие типы зарядов, дыры, составляют меньшинство. Транзисторы PNP наоборот. В PNP-транзисторах большинство носителей тока представляют собой дырки.

Существует два основных типа транзисторов с биполярным соединением:

• Транзистор PNP.
• Транзистор NPN.

Транзистор PNP

Транзистор PNP — это еще один тип транзистора с биполярным переходом (BJT). Он состоит из полупроводникового материала n-типа, зажатого между двумя полупроводниковыми материалами p-типа. В этих транзисторах большинство носителей заряда представляют собой дырки, а неосновные носители заряда — электроны.

В этом транзисторе обычный ток показан стрелками (→). ток течет от вывода эмиттера к выводу коллектора. Этот транзистор включится, как только вывод базы станет НИЗКИМ по сравнению с выводом эмиттера.

Транзистор NPN

NPN также является типом транзистора с биполярным переходом (BJT) и состоит из полупроводникового материала P-типа, зажатого между двумя полупроводниковыми материалами N-типа. В транзисторе NPN основными носителями заряда являются электроны, а неосновными носителями заряда являются дырки. Поток электронов от вывода эмиттера к выводу коллектора вызовет протекание тока внутри вывода базы транзистора.

В транзисторах небольшой ток, подаваемый на базовый вывод, может подавать большой ток от эмиттерного вывода к коллектору. В настоящее время широко используемыми BJT являются NPN-транзисторы, поскольку подвижность электронов выше, чем подвижность дырок.

Связанное руководство: Работа с транзисторами PNP и NPN.

Полевой транзистор (FET)

Полевой транзистор сокращенно FET. FET представляет собой трехполюсное однополярное полупроводниковое устройство с одним затвором, одним истоком и одним стоком. Это устройство, управляемое напряжением, в отличие от биполярного транзистора. В полевом транзисторе источник напряжения на затворе управляет протеканием тока к стоку. Основное преимущество полевого транзистора заключается в том, что он имеет очень высокий входной импеданс, который может варьироваться от сопротивления мегаом (МОм) до очень больших значений. Он имеет много преимуществ, таких как низкое энергопотребление и низкое тепловыделение, а полевые транзисторы являются высокоэффективными устройствами.

Полевые транзисторы имеют высокое входное сопротивление, поэтому работа может выполняться эффективно даже при величине рабочего тока. Согласно закону Ома, значение импеданса цепи обратно пропорционально влияет на силу тока. Если импеданс высок, ток очень низок. Из-за этого оба полевых транзистора потребляют очень мало тока от источника питания схемы.

Полевой транзистор

Полевой транзистор является униполярным устройством, что означает, что он изготовлен с использованием полупроводникового материала р-типа или n-типа в качестве основной подложки. Из-за этого ток полевого транзистора переносится электронами или дырками.

Биполярный переходной транзистор лучше, чем полевой транзистор, потому что он обеспечивает большее усиление. Полевые транзисторы лучше, вызывают меньшую нагрузку, дешевле и проще в производстве.

Клеммы для полевых транзисторов

Полевой транзистор представляет собой трехконтактный затвор, исток и сток. Выводы полевого транзистора соответствуют выводам биполярного транзистора, например, исток к эмиттеру, затвор к базе и сток к коллектору.

Источник Терминал

• В полевых транзисторах носители входят в канал через клемму истока. Обозначается S .
• Аналогичен выводу эмиттера биполярного транзистора.
• Ток, поступающий в канал на терминале источника, представлен как I _S .

Затвор Клемма

• В полевом транзисторе управление током осуществляется через канал вывода затвора. Это играет важную роль. Обозначается цифрой Г .
• Ток через него можно контролировать, подавая внешнее напряжение на клемму затвора.
• Затвор представляет собой комбинацию двух сильно легированных клемм, соединенных внутри.
• Проводимость канала изменяется клеммой затвора.
• Аналогичен базовой клемме биполярного транзистора.
• Ток, поступающий в канал на терминале затвора, представлен как I _G .

Сток Клемма

• В полевых транзисторах носители покидают канал через клемму стока. Обозначается D .
• Аналогичен клемме коллектора биполярного транзистора.
• Напряжение сток-исток обозначается В _DS .
• Ток, выходящий из канала на клемме стока, представлен как I _D .

Характеристики полевого транзистора

Ниже приведены различные характеристики полевых транзисторов:

• Униполярный  – Униполярный, поскольку за проводимость отвечают дырки или электроны.
• Высокий входной импеданс  – Полевые транзисторы имеют высокий входной импеданс, поскольку входной ток протекает через них из-за обратного смещения.
• Устройство, управляемое напряжением  — Выходное напряжение полевого транзистора регулируется входным напряжением затвора, полевой транзистор называется устройством, управляемым напряжением.
• Низкий уровень шума − В проводящем пути нет соединения. Следовательно, шум меньше по сравнению с BJT.
• Усиление описывается как крутизна . Крутизна — это отношение изменения выходного тока к изменению входного напряжения.
• Выходное сопротивление полевого транзистора низкое .

Преимущества полевого транзистора

Чтобы предпочесть полевой транзистор биполярному транзистору, должны быть некоторые преимущества использования полевого транзистора вместо биполярного транзистора.

Применение полевых транзисторов

• Полевые транзисторы используются для уменьшения эффекта нагрузки в цепи.
• Полевые транзисторы используются во многих схемах, таких как буферные усилители, фазовращатели и вольтметры.

Существует два основных типа полевых транзисторов:

• Полевой транзистор с переходом (JFET).
• Полевой транзистор на основе оксида металла и полупроводника (MOSFET).

Junction Field Effect Transistor (JFET)

Полевой транзистор сокращенно JEFT. Это тип полевых транзисторов, используемых в качестве резисторов, усилителей и переключателей, которыми можно управлять электрически. Это устройство, управляемое напряжением, и не использует ток смещения.

Соединение Полевой транзистор

По активному каналу электрическая энергия течет между клеммой истока и клеммой стока. Если на вывод затвора подать обратное напряжение смещения, протекание тока полностью прекратится, и канал окажется напряженным. Полевые транзисторы с переходом обычно делятся на два типа в зависимости от их полярности:

• Полевой транзистор с N-переходом
• Полевой транзистор с P-переходом

Полевой транзистор с N-переходом

Полевые транзисторы JFET, в которых электроны в основном используются в качестве носителей заряда, называются N-канальными JFET. . Поэтому, если транзистор включен, ток, протекающий через них, в основном обусловлен движением электронов.

Полевой транзистор с P-канальным переходом

JFET, в которых отверстия выполнены в основном как носители заряда, называются P-канальными JFET. Поэтому, если транзистор открыт, ток течет в основном за счет отверстий.

Металлооксид-полупроводниковый полевой транзистор (MOSFET)

MOSFET или полевой транзистор металл-оксид-полупроводник является наиболее часто используемым из всех типов транзисторов. Это включает в себя терминал металлических ворот. Этот транзистор имеет четыре вывода, а именно исток, сток, затвор и подложку или корпус.

Металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор

По сравнению с BJT и JFET полевые МОП-транзисторы имеют много преимуществ, поскольку они обеспечивают высокий входной импеданс, а также низкий выходной импеданс. МОП-транзисторы в основном используются в маломощных схемах. Эти транзисторы доступны в двух типах истощения и расширения. Кроме того, эти типы подразделяются на P-канальные и N-канальные.

Что такое транзистор? Типы транзисторов…

26 ноября 2022 20 ноября 2022 by Kanha

Содержание

#Технические исследования-исследования 10

Транзистор представляет собой полупроводниковый прибор с тремя выводами. Это позволяет контролировать поток тока от одного терминала к другому с помощью управление потоком тока в третьем терминале.

 Он заменил вакуумные трубки. После диода транзистор является вторым фундаментальным полупроводниковым устройством в электронике. Он используется во всех электронных устройствах. Без него не было бы компьютеров, мобильных телефонов, ноутбуков.

Преимущества транзистора перед электронными лампами:

• Долгий срок службы
• Меньше вакуумных ламп размера
ПК
• , выполненный на транзисторе, намного меньше, чем ПК на вакуумных лампах
• Работает при низком напряжении

Типы:

Транзисторы бывают двух типов:

1. Биполярный транзистор (BJT)
2. Полевой транзистор (FET)

Полевые транзисторы бывают двух типов:

1. Полевой транзистор (JFET)
2. Полевой эффект оксида металла и полупроводника транзистор (МОП-транзистор)

Биполярный переходной транзистор: Структура транзистора

Слово «биполярный» означает две полярности. Он использует оба типа заряжает свободные электроны и дырки в процессе работы.

Имеет три клеммы: – База, Излучатель, Коллектор.

Поток тока от коллектора к эмиттеру контролируется путем управления базовым током, поэтому он называется устройством с управлением по току.

Комбинация двух pn-переходов, один между коллектор и база, а другой между эмиттером и базой. Транзистор похож к двум встречным диодам.

Биполярные переходные транзисторы доступны в двух конфигурации, это: – NPN и PNP.

Праздник Солнца YiPPee! Волшебная масала, лапша быстрого приготовления (упаковка из 12 шт.)

В конфигурации NPN материал p-типа помещается между двумя материалами n-типа.

Символ NPN-транзистора NPN-транзистор в виде двух диодов

В конфигурации PNP материал n-типа помещается между двумя материалами p-типа.

Символ PNP-транзистораPNP-транзистор в виде двух диодов

BJT Смещение: Схема смещения транзистора

На приведенном выше рисунке показан транзистор со смещением.

На рисунке диод эмиттерной базы смещен в прямом направлении, а коллекторно-базовый диод смещен в обратном направлении. Транзистор, подключенный к этому соединение производит полезный вывод. Так что это соединение широко используется.

Полевой транзистор:

Это униполярное устройство, поскольку для работы в нем используется только один тип заряда: либо дырки, либо свободные электроны.

1. Соединение полевого транзистора:

Соединение полевого транзистора с тремя выводами, полупроводниковый прибор, управляемый напряжением.

Клеммы: – Ворота, Слив, Источник.

Поток тока от стока к истоку пропорционален напряжение, подаваемое на клемму затвора, поэтому оно называется управляемым напряжением устройство.

JFET доступны в двух конфигурациях: N-канальной и P-канал.

N-канальный полевой транзистор изготовлен путем легирования донорными примесями.

Структура N-канального JFET N-канальный JFET символ

P-канальные JFET образуются путем легирования акцепторных примесей.

P-Channel JFET Structure P-Channel JFET Symbol

 N-channel JFET имеет большая мощность проводимости по сравнению с P-каналом, поэтому N-канал широко используется в приложениях.

Смещение полевого транзистора: Смещение полевого транзистора

На приведенном выше рисунке показан JFET со смещением.

Когда напряжение на клемме затвора равно нулю, максимальное ток в стоке JFET. Таким образом, JFET называется нормально включенным устройством.

На рисунке диод затвор-исток смещен в обратном направлении. Поскольку в этом соединении ток на затворе отсутствует, поэтому JFET имеет бесконечное входное сопротивление. Это делает JFET подходящим для приложений, где требуется высокое сопротивление.

2. Полевой транзистор на основе оксида металла и полупроводника:

Полевой транзистор на основе оксида металла и полупроводника представляет собой три терминал, полупроводниковый прибор, управляемый напряжением. Терминалы: – Ворота, Слив, Источник.

Отличается от JFET, потому что в MOSFET затвор изолированы от корпуса. Таким образом, MOSFET называется эффектом поля с изолированным затвором. транзистор.

МОП-транзисторы бывают двух типов: – Режим истощения и Расширение режим.

 

Режим обеднения MOSFET: – N-канальный D-MOSFET Обозначение N-канальный D-MOSFET Структура

На приведенном выше рисунке показан полевой МОП-транзистор с n-канальным режимом истощения.

Он похож на JFET, потому что напряжение затвора управляет потоком электронов от истока к стоку в условиях обратного смещения затвора. При этом затвор изолируется от корпуса путем помещения тонкого слоя диоксида кремния (SiO2) между затвором и корпусом. Существует подложка p-типа, которая внутренне соединена с выводом источника.

P-Channel D-MOSFET Structure

Это нормально включенное устройство, что означает, что когда напряжение на затворе равно нулю, между стоком и истоком протекает ток. Поскольку затвор изолирован, он также проводит положительное напряжение затвора. Когда напряжение на затворе становится отрицательным, n-канальный полевой МОП-транзистор выключается.

P-Channel D-MOSFET Symbol

MOSFET режима расширения: – N-Channel E-MOSFET Structure N-Chanal E-MOSFET Symbol

На приведенном выше рисунке показан n-канальный режим расширения MOSFET.

Структура P-канального E-MOSFET P-канального E-MOSFET Обозначение

Он имеет три вывода: затвор, сток и исток, подложка расширена до диоксида кремния.

Это нормально выключенное устройство. Это означает, что когда напряжение на затворе положительное, оно включено, а когда напряжение на затворе равно нулю или отрицательное, оно выключено.

Схема смещения MOSFET

Когда на затвор подается положительное напряжение, свободные электроны притягиваются к р-подложке. Свободные электроны объединяются с дырками рядом с диоксидом кремния и создают тонкий слой материала n-типа, называемый инверсионным слоем n-типа.