Эффект поля. физические принципы работы полевых транзисторов. вольт-амперная характеристика (вах). проводимость канала. барьеры шотки в качестве областей истока и стока. Пробой в транзисторах

Рассмотрим схематически возникновение эффекта поля. Для этого возьмем образец полупроводника в виде тонкой пластинки, вдоль которой течет ток через омические контакты. К поверхности пластинки через слой диэлектрика (или чаще через слой окисла) можно дополнительно приложить внешнее электрическое поле от металлического электрода. Возникает структура «металлдиэлектрик-полупроводник» («металл-окисел-полупроводник»). Эту структуру можно рассматривать как конденсатор, к обкладкам которого приложено внешнее напряжение. За счет этого напряжения на обкладках конденсатора возникает заряд, что приводит к изменению концентрации носителей на поверхности полупроводника.

Если концентрация носителей заряда в рассматриваемом образце мала, а толщина образца тоже достаточно мала, то индуцированное внешним электрическим полем изменение концентрации может существенно изменить ток вдоль пластинки. Это явление называется эффектом поля. Оно определяет принцип работы униполярных или полевых транзисторов. В отличие от биполярных транзисторов действие полевых транзисторов зависит от изменения тока основных носителей заряда.

Полевой транзистор это усилительный полупроводниковый прибор с тремя контактами, которые называются исток, сток и затвор. Исток и сток контакты к тонкому проводящему слою полупроводника каналу, изготовленному на поверхности высокоомной подложки. Поток основных носителей заряда через проводящую область (канал) управляется поперечным электрическим полем. Это поле создается напряжением, подаваемым на внешний электрод (затвор). Ток в полевом транзисторе протекает истоком и стоком, через соединяющий их канал. Значение тока зависит от напряжения на затворе. Исток это электрод, от которого двигаются основные

носители заряда, сток это электрод, к которому двигаются основные носители.

По типу проводимости канала различают полевые транзисторы

с каналами n −   и

p − типа, по устройству полевые транзисторы с

управляющим

p − n − переходом и  с  изолированным затвором со

структурой «металл-диэлектрик-полупроводник» (МДПтранзисторы). Наиболее широко применяются кремниевые полевые транзисторы. Для их изготовления используют высокоомную подложку, на поверхности которой создается слой окисла SiO2  толщиной 10-6÷10-5  см. Диоксид кремния служит диэлектриком. В этом случае приборы имеют структуру «металл-окисел-полупроводник», и их

называют МОП-транзисторы.

Полевые транзисторы могут иметь встроенный канал, создаваемый в процессе изготовления транзистора (изолированный затвор обедненного типа). Иногда используют индуцированный канал, наведенный внешним напряжением на затворе (с изолированным затвором обогащенного типа).

Рассмотрим подробнее три режима работы МОП-транзистора,

отличающиеся характером явлений на поверхности полупроводника: а) обогащение; б) обеднение; в) инверсия. За материал подложки принимаем полупроводник

p − типа.

Режим обогащения

(Uз

< 0) . Контактная разность потенциалов

между металлом и полупроводником равна нулю. В этом случае возникает электрическое поле, направленное от полупроводника к затвору. Такое поле смещает основные носители по направлению к границе раздела «окисел-полупроводник». В результате на границе возникает обогащенный слой с избыточной концентрацией дырок.

Данное явление можно описать и по-другому. При Uз < 0

потенциал

на поверхности полупроводника уменьшается. Это означает, что зона проводимости, валентная зона, а также уровень, определяющий собственную проводимость, изгибаются вверх. В результате валентная зона приближается к уровню Ферми и концентрация дырок в поверхностном слое становится больше, чем в объеме.

Режим обеднения

(Uз

> 0) . В этом случае возникает электрическое поле, вектор напряженности которого направлен от затвора к полупроводнику. Это поле выталкивает дырки с границы раздела

«окисел-полупроводник» в глубь кристалла. Как следствие этого, в непосредственной близости от границы возникает зона, обедненная дырками. Получается, что в этом случае энергетические уровни в окрестности раздела изгибаются вниз, валентная зона удаляется от

уровня Ферми, и наблюдается обеднение.

Режим инверсии

(Uз

>> 0) . Если к затвору приложить достаточно большое положительное напряжение, то это приведет к увеличению толщины обедненного слоя и к росту поверхностного электрического потенциала. Данное явление является следствием того, что энергетические уровни сильно изгибаются вниз. Изгиб оказывается таким, что в малой окрестности границы раздела «окиселполупроводник» уровень, соответствующий середине запрещенной зоны, падает ниже уровня Ферми. При этом поверхностный потенциал превышает потенциал Ферми. Изгиб энергетических уровней приводит к тому, что уровень Ферми и дно зоны проводимости сближаются.

В результате большое число электронов вытесняется из полупроводника на его поверхность, образуя заряженный слой. В пределах этого слоя электроны становятся основными носителями, а полупроводник меняет тип проводимости с

p −   на

n − тип. Из-за инверсии электропроводности данный слой называют инверсионным

слоем или каналом

n − типа.

Инверсия может быть слабой, тогда инверсионный канал не образуется, или сильной, тогда образуется инверсионный канал. За счет изгиба энергетических зон малым изменениям толщины обедненного слоя соответствуют такие приращения потенциала, которые сопровождаются большими приращениями концентраций электронов в инверсионном слое. Таким образом, МОП-структура проявляет емкостные свойства.

Удобно считать, что при инверсии в непосредственной близости

от поверхности полупроводника возникает сильно асимметричный

p − n +  − переход, или, канал

n − типа. Именно свойства этого канала

определяют характеристики МОП-транзистора. Отметим, что МОПприборы чаще всего работают в режиме сильной инверсии.

Наиболее простая модель МОП-структуры получается в режиме малого сигнала. В этом случае емкость МОП-конденсатора пропорциональна амплитуде переменной составляющей сигнала. Эквивалентную схему МОП-структуры можно представить в виде последовательного соединения двух конденсаторов. Емкость первого из них

С0 ,  величина  постоянная,  обусловлена  окисным  слоем.  Второй

конденсатор имеет  емкость

Сs ,  которая зависит от  напряжения,

приложенного к слою разделенного пространственного заряда толщиной W . Таким образом, емкость МОП-конденсатора выражается формулой:

C =      C0Cs   ,

C0 + Cs

εап

где

Cs =  W

.           (13.1)

Величина

ε ап

представляет собой  абсолютную диэлектрическую проницаемость полупроводника.

На  рис.  13.1  представлены  вольт-фарадные  характеристики

МОП-транзистора при низких (5…100 Гц) и высоких частотах (около

1 МГц).

Рис. 13.1. Отношение C

C0 как функция напряжения, приложенного к затвору в

режиме малого сигнала на низких (1) и высоких (2) частотах

Если выполняется условие сильной инверсии, то имеет место

неравенство

Сs >> C0

и поэтому можно считать, что

C = C0 . На низких частотах изменение числа актов генерации-рекомбинации неосновных  носителей  (электронов  в  подложке

нально амплитуде малого сигнала.

p − типа)  пропорциоНа высоких частотах условия обеднения и обогащения остаются теми же, что и на низких частотах. Прежними оказываются также условия инверсионного режима, при котором дифференциальная емкость обусловлена генерацией электронов, создающих инверсионную область. Однако переменный высокочастотный сигнал может привести к появлению слоя толщиной W , в пределах которого сигнал изменяет свою полярность.

Итак, вольт-фарадные характеристики МОП-структуры в режиме малого сигнала зависят от частоты. Положение границы между областями высоких и низких частот зависит от тех факторов, которые определяют скорость процессов генерации-рекомбинации. К их числу относится и изменение температуры.

Пороговое напряжение напряжение на затворе, при котором

начинается режим сильной инверсии. Связь между пороговым напряжением

Uпор , напряжением на затворе Uз

и плотностью подвижного заряда Qn

заряда, который выталкивается на поверхность

за счет приложенного напряжения, выражается так:

Qn = C0 (Uз − Uпор ) .          (13.2)

Понятие порогового напряжения является одним из основных в

теории МОП-приборов.

Рассмотрим полевой транзистор с управляющим

p − n − переходом.  Такой  прибор  имеет  меньшее входное  сопротивление по сравнению с МОП-транзистором. Входное сопротивление цепи затвора полевого транзистора очень большое, порядка 109÷1012   Ом.

Существуют полевые транзисторы с управляющим

p − n − переходом и каналом либо

p − , либо

n − типа. В этих структурах используются явления в объеме полупроводника.

На рис. 13.2 показана структура и условное графическое изображение полевого транзистора с управляющим переходом и каналом

p − типа, соединяющим области истока и стока.

Рис. 13.2. Полевой транзистор с управляющим

p − n − переходом и каналом p − типа: (а) физическая структура; (б) условное графическое обозначение

Электрод истока заземлен; режим цепи стока выбран таким образом, что происходит дрейфовое движение основных носителей в

p − канале от истока к стоку. К электроду затвора относительно истока приложено некоторое напряжение смещения

U > 0 . При этом

p − n − переходы       смещены        в          обратном        направлении  и          толщина

обедненного слоя  W возрастает, а толщина канала сокращается,

что ведет к соответствующему изменению проводимости. Поэтому данный  прибор  можно  рассматривать  как  переменный  резистор,

управляемый напряжением

приведены на рис. 13.3.

Uз . ВАХ данного полевого транзистора

Рис. 13.3. Семейство выходных характеристик полевого транзистора с управляющим

p − n − переходом

При фиксированном напряжении затвора Uз

ток стока Ic

возрастает до тех пор, пока напряжение стока Uc

не достигнет значения, выше которого ток стока остается постоянным. Это означает, что канал переходит в режим отсечки. Чем больше модуль напряжения стока, тем меньшим становится влияние напряжения, поданного на

p − n − переход. Как следствие возрастает толщина канала.

При

Uз > Uc

канал перекрывается. Ток стока остается постоянным,

так как все носители, инжектированные в проводящую область, достигают стока, не испытывая рекомбинации.

Реальному транзистору свойственны ограничения, связанные с лавинным пробоем за счет токов утечки затвора, тепловым пробоем из-за выделения теплоты в канале, а также с пробоем под действием процессов генерации-рекомбинации, обусловленных поверхностными явлениями.

Отметим также полевой транзистор с управляющим переходом

«металл-полупроводник». Он похож по принципу действия на полевой транзистор с управляющим

p − n − переходом. Однако здесь затвором служит не

p − n − переход, а выпрямляющий контакт «металл-полупроводник». Такие полевые транзисторы создают на основе сложных полупроводниковых соединений типа AIII-ВV, в которых высокая подвижность электронов позволяет свести к минимуму последовательное сопротивление и увеличить граничную частоту.

Материал взят из книги Основы полупроводниковой техники и ее применение  в  автотранспортном  комплексе (Ткачева Т.М.)

1.4.        Полевые транзисторы | Электротехника

Полевой транзистор – это трехэлектродный полупроводниковый прибор, работа которого основана на использовании электрического поля для изменения сопротивления полупроводникового канала. По­левые транзисторы называют униполярными, так как регулируемый ток в них создается основными носителями заряда, движущимися в канале с таким же типом проводимости.

Электрод, из которого в канал втекают основные носители, назы­вается истоком (И), а электрод, через который носители вытекают из канала, называется стоком (С). Управляющий электрод называется затвором (3). Напряжение, приложенное к затвору, регулирует ток

через канал. Как исключение, встречаются полевые транзисторы с двумя затворами и с дополнительными вспомогательными выводами.

Полевые транзисторы делятся на две большие группы:

1) транзисто­ры с управляющим р-п-переходом;

2) транзисторы с изолированным за­твором – МДП-транзисторы, содержащие металл (М), диэлектрик (Д) и полупроводник (П). Если диэлектриком является окись кремния, то полевые МДП-транзисторы называют МОП-транзисторами (в этом случае в обозначении транзистора О – окись).

Структура полевого транзистора с управляющим p-n-переходом и р-каналом показана на рис. 1.21. На затвор транзистора подано обратное напряжение. Ток затвора (i_З) при этом будет пренебрежимо мал. Проте­кающие под действием ЭДС (Е_СИ) токи истока и стока будут практиче­ски равны друг другу:

i_И @ i_C.

Значение тока стока зависит от сопро­тивления канала сток-исток, а сопротивление этого канала зависит от ширины р-п-перехода, возникающего между каналом и затвором. Как известно в р-n-переходе имеется обедненный носителями запи­рающий слой, сопротивление которого велико (на рис. 1.21 этот слой по­казан штриховкой).

При увеличении запирающего напряжения, подаваемого на затвор, ширина p-n-перехода увеличивается. Это приводит к уменьшению толщины канала сток-исток и к уменьшению тока сто­ка. Таким образом, изменяя напряжение на затворе, можно управлять током стока полевого транзистора. Аналогично работает полевой транзи­стор с n-каналом.

Токи затвора полевого транзистора очень малы, и на регулирование  проводимости канала сток-исток транзистора затрачивается малая мощность. Поэтому в схемах с полевыми транзисторами (см. рис. 1.21) легко получить большое усиление мощности.

Условные обозначения полевых транзисторов с управляющим р-п-переходом с р- и n-каналами приведено на рис. 1.22, а и рис. 1.22, б соответ­ственно. На практике чаще используются транзисторы с п-каналами.

Основная схема включения полевого транзистора – это схема с общим истоком (см. рис. 1.21). Входные характеристики полевого транзистора в этой схеме соответствуют ВАХ диода при подаче обратного напряжения (см. рис. 1.2). Из-за малости тока затвора эти ВАХ, как пра­вило, подробно не рассматриваются.

Выходные вольт-амперные характеристики полевого транзистора с n-каналом. имеют вид (рис. 1.23). Правее линии Н расположена область насыщения. В области насыщения ток стока практически не зависит от напряжения на стоке транзистора.

Такой вид ВАХ объясняется следующим свойством транзистора. Рассмот­рим точки а и б в канале транзистора (рис. 1.21). Напряжения между этими точками и корпусом будет разными, причем u_б > u_а. Следова­тельно, будут разными напряжения между указанными точками кана­ла и затвором. Так как напряжение между точкой б и затвором боль­ше, чем напряжение между точкой а и затвором, то обедненный слой вблизи точки б будет толще обедненного слоя вблизи точки а.

При увеличении напряжения на стоке проводящий канал у стока почти пе­рекрывается обедненным слоем, и при дальнейшем увеличении на­пряжения сопротивление канала возрастает примерно пропорцио­нально напряжению на стоке. В результате, при увеличении напряжения на стоке ток стока остается практически неизменным (см. рис. 1.23).

Из анализа выходных характеристик полевого транзистора следу­ет, что в рабочей области, соответствующей области насыщения, по­левой транзистор близок по свойствам к управляемому источнику то­ка. Поэто

Статические характеристики полевых транзисторов

Входное сопротивление полевых транзисторов составляет десятки -сотни МОм. При этом входной ток очень мал и практически не зависит от напряжения U_ЗИмежду затвором и истоком, поэтому для полевых транзи­сторов входная характеристика, т.е. зависимость I_З от U_ЗИ при фиксиро­ванном значении U_СИ, практического значения не имеет и при расчетах используют только передаточные и выходные вольтамперные характери­стики (ВАХ).

Типовые передаточные характеристики n-канальных полевых транзисторов приведены на рис.9. Как видно, ток стока для n-канальных транзисторов имеет положительный знак, что соответствует положитель­ному напряжению на стоке.

Управляющие (стокозатворные) характеристики показывают управляющее действие затвора и представляют собой зависимость тока стока от напряжения на затворе при постоянстве напряжения стока:

Рис. 9

Полевой транзистор с управляющим переходом (ПТУП) при нулевом напряжении на затворе имеют максимальное значение тока стока, которое называется начальным I_С.НАЧ . При увеличе­нии запирающего напряжения ток стока уменьшается и при напряжении отсечки U_OTCстановится близким к нулю.

Характеристики полевого транзистора с изолированным затвором (ПТИЗ) с индуцированным каналом таковы, что при нулевом напряжении на затворе ток стока транзистора равен нулю. Появ­ление тока стока в таких транзисторах происходит при напряжении на за­творе больше порогового значения U_ПОР. Увеличение напряжения на за­творе приводит к увеличению тока стока.

Характеристики ПТИЗ со встроенным каналом при нулевом напря­жении на затворе имеют начальное значение тока I_С.НАЧ . Такие транзисто­ры могут работать как в режиме обогащения, так и в режиме обеднения. При увеличении напряжения на затворе канал обогащается и ток стока растет, а при уменьшении напряжения на затворе канал обедняется, и ток стока снижается.

Для полевых транзисторов с p-каналом передаточные характеристи­ки имеют такой же вид, только располагаются в нижней половине графика. Ток стока и напряжение на стоке у таких транзисторов имеют отрицатель­ное значение.

Типовые выходные характеристики полевых транзисторов с изо­лированным затвором и индуцированным каналом приведены на рис.10. Выходные характеристики других типов полевых транзисторов имеют ана­логичный вид.

Семейство выходных (стоковых) характеристикпредставляет собой зависимость тока стока от напряжения стока при неизменном напряжении на затворе:

Рис. 10. Выходные характеристики ПТИЗ со встроенным каналом:

I- линейная область, II- область насыщения, III- область пробоя,

пунктирные линии А и В — границы между областями

На ВАХ полевого транзистора можно выделить три характерные об­ласти: линейную, насыщения и пробоя. В линейной области при малых значениях U_СИвольтамперные характеристики представляют собой пря­мые линии, наклон которых зависит от напряжения на затворе. В области насыщения ВАХ идут практически горизонтально, что позволяет говорить о независимости тока стока I_Cот напряжения на стоке U_СИ. В области про­боя транзистор становится неуправляемым — это аварийный режим.

Особенности характеристик в первых двух областях обуславливают применение полевых транзисторов. В линейной области полевой транзи­стор используется как сопротивление, управляемое напряжением на затво­ре, а в области насыщения — как усилительный элемент.

©2015 arhivinfo.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.

Полевой транзистор, август 1972 г. Популярная электроника

Хотя первый патент на Полевые транзисторы (FET) были приписаны Юлиусу Эдгару Лилиенфельду в 1925 г. первый коммерческий продукт появился только в 1960 г. — MOSFET разработан Авторы: Давон Кан и Мартин М.(Джон) Аталла из Bell Labs. Эта статья из номера журнала за 1972 г. Popular Electronics знакомит читателей-любителей с свойствами и способами использования к тому времени полевой транзистор с общим переходом (JFET) и полевой МОП-транзистор. В настоящее время полевые МОП-транзисторы являются основой огромной большинство интегральных схем.

Полевой транзистор: что это такое и как он произвел революцию в электронике

Уильям Р. Шиппи

С момента своего появления полевой транзистор произвел настоящий фурор. в электронике.Устройства и системы, которые до сих пор невозможно было производить на биполярных транзисторах. должен был быть построен на электронных лампах — если вообще. Теперь FET меняет ситуацию.

Рис.1 — Полевой транзистор действует как переменный резистор, в котором поле затвора имеет прямое влияние на ток от истока к стоку.

Рис. 2 — Здесь показаны схематические обозначения для p-типа (слева) и Полевой транзистор n-типа.

Фиг.3 — Устройства смещения для полевого транзистора n-типа и триода на электронных лампах тем же.

Рис. 4 — Показаны схематические символы для полевых МОП-транзисторов с одним и двумя затворами. здесь.

Полевой транзистор обладает многими качествами и преимуществами как лампового триода, так и биполярный транзистор. Он так же компактен, как и большинство малосигнальных транзисторов. Работает на низком уровне напряжения, тем самым устраняя большую часть объема и затрат на источник питания. Его входное сопротивление могут быть настроены, чтобы попасть в желаемую категорию мультимегомов.Недавние разработки привели к Полевые транзисторы, которые способны рассеивать мощность в несколько ватт; и поскольку они демонстрируют свойство иметь отрицательный температурный коэффициент, их трудно заставить поддаться тепловой разгон.

Рассматриваемый как элемент дизайна, полевой транзистор представляет собой полупроводниковое устройство, которое ведет себя следующим образом: переменного резистора. Как показано на рис. 1, ток между истоком и стоком регулируется. напряжением затвора, приложенным к обеим p-секциям одновременно.Как обратный уклон увеличивается, область пространственного заряда начинает сжиматься, в результате чего ток исток-сток упасть почти до нуля. Таким образом, «поле» затвора оказывает прямое «влияние» на сток-исток. ток — отсюда и термин «полевой» транзистор.

Типы полевых транзисторов. Существует два основных типа полевых транзисторов. в регулярном использовании сегодня. Наиболее распространенным является переходный полевой транзистор, или JFET, который имеет прямой омический контакт на затворе.MOSFET или металлооксидный полевой транзистор (иногда известный как IGFET для полевого транзистора с изолированным затвором) имеет электрически изолированные ворота.

В категории JFET есть p- и n-канальные типы (см. Рис. 2). N-канальный полевой транзистор очень похож по полярности напряжения и смещению на триод вакуумной лампы, как показано на рис. 3.

MOSFET, давно необходимый полупроводниковый прибор, еще более приближен к входу. импеданс типичной вакуумной лампы.Он может быть изготовлен так, чтобы обеспечить полное сопротивление затвора. область в несколько сотен МОм — за пределами обычных возможностей обычного JFET. Как показано На рис. 4 в настоящее время доступны два типа полевых МОП-транзисторов. Тот, что слева, одностворчатый типа, а тот, что справа, имеет два входа.

Подложка полевого МОП-транзистора обычно подключается к источнику внутри; в противном случае субстрат внешне подключен к источнику или к земле. При обращении следует проявлять особую осторожность. полевого МОП-транзистора, поскольку входной импеданс затвора настолько высок, а изоляция затвора настолько тонкая, что любой статический заряд, нанесенный на затвор, может пробить барьер оксидного изолятора и разрушить Устройство.

MOSFET с двойным затвором находит свое самое популярное применение в качестве ступени микширования в AM, FM и ТВ-тюнеры, где он предоставляет удобный способ «отбить» две частоты в нелинейном устройство, сохраняя изоляцию между двумя сигналами. Также MOSFET, похоже, демонстрирует меньше проблем с шумом и перекрестной модуляцией, чем у обычных транзисторов и электронных ламп.

Практически все полевые МОП-транзисторы, предназначенные для работы с большими токами, содержатся в отдельных корпусах. — не интегральные схемы.Причина этого в том, что полевому транзистору требуется примерно в десять раз больше активная область, необходимая биполярным транзисторам для обеспечения тех же токовых характеристик.

Следует отметить, что полевые транзисторы, как усилители r-f, невосприимчивы к сильным перегрузкам. Некоторые полевые транзисторы имеют настолько симметричную конструкцию, что их выводы стока и истока взаимозаменяемы.

За последние несколько лет в области полупроводников произошли заметные изменения. Будет интересно посмотреть, в каких направлениях будут развиваться исследования и разработки в будущем.

Опубликовано: 28 июля, 2017

Произошла ошибка при настройке пользовательского файла cookie

Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности. Если ваш браузер не принимает файлы cookie, вы не можете просматривать этот сайт.

Настройка вашего браузера для приема файлов cookie

Существует множество причин, по которым cookie не может быть установлен правильно. Ниже приведены наиболее частые причины:

• В вашем браузере отключены файлы cookie.Вам необходимо сбросить настройки своего браузера, чтобы он принимал файлы cookie, или чтобы спросить вас, хотите ли вы принимать файлы cookie.
• Ваш браузер спрашивает вас, хотите ли вы принимать файлы cookie, и вы отказались. Чтобы принять файлы cookie с этого сайта, нажмите кнопку «Назад» и примите файлы cookie.
• Ваш браузер не поддерживает файлы cookie. Если вы подозреваете это, попробуйте другой браузер.
• Дата на вашем компьютере в прошлом. Если часы вашего компьютера показывают дату до 1 января 1970 г., браузер автоматически забудет файл cookie.Чтобы исправить это, установите правильное время и дату на своем компьютере.
• Вы установили приложение, которое отслеживает или блокирует установку файлов cookie. Вы должны отключить приложение при входе в систему или проконсультироваться с системным администратором.

Почему этому сайту требуются файлы cookie?

Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности, запоминая, что вы вошли в систему, когда переходите со страницы на страницу. Чтобы предоставить доступ без файлов cookie потребует, чтобы сайт создавал новый сеанс для каждой посещаемой страницы, что замедляет работу системы до неприемлемого уровня.

Что сохраняется в файле cookie?

Этот сайт не хранит ничего, кроме автоматически сгенерированного идентификатора сеанса в cookie; никакая другая информация не фиксируется.

Как правило, в файле cookie может храниться только информация, которую вы предоставляете, или выбор, который вы делаете при посещении веб-сайта. Например, сайт не может определить ваше имя электронной почты, пока вы не введете его. Разрешение веб-сайту создавать файлы cookie не дает этому или любому другому сайту доступа к остальной части вашего компьютера, и только сайт, который создал файл cookie, может его прочитать.

Полупроводники и активные компоненты 5 x KF10N60F N-КАНАЛЬНЫЙ МОП-транзистор с полевым эффектом KF10N60 TO-220F Интегральные схемы (ИС)

Vi har även hemkörning inom Oskarshamn! Ni kan enkelt beställa по телефону 0491-818 21

5 x KF10N60F N-КАНАЛЬНЫЙ МОП-ЭФФЕКТНЫЙ ТРАНЗИСТОР KF10N60 TO-220F

▶ plays Шапка имеет контрастный серый козырёк, бабушка; хорошо празднование представляет Рождество. Чашечки на косточках и несъемной набивке. Рукав с двойной иглой и нижний край, мы рекомендуем измерить длину стопы вашего ребенка и добавить 0, пожалуйста, свяжитесь с нами в любое время, и мы сделаем все возможное, чтобы помочь вам, они выдерживают интенсивное пешеходное движение, а также грязь и грязь.Программируемый 24-часовой таймер означает, что вам не придется ждать, чтобы насладиться первым глотком в тот момент, когда вы этого захотите. Поставляется в 2 размерах: 23 x 23 дюйма и 26 x 26 дюймов. Закругленная нижняя направляющая и готовые торцевые заглушки для элегантного вида. Его можно использовать со многими типами инструментов, включая настольные и шлифовальные машины. Дата первого упоминания: 23 ноября. Дата первого упоминания: 7 февраля: CBD Oils and More 13 унций сверхмощный виниловый баннер с металлическими втулками. Резервуар соединяет колонку и приспособление для управления потоком — добавление стыков на колонке, декоративные панели со специальным покрытием, пропитанные прямым красителем, мужские высококачественные шорты: эти мужские купальники с забавным рисунком для мужчин имеют 4 размера: забавные плавки S / M / L / XL для мужчин товары WELLINGSALE продаются только у официальных продавцов.Создан, чтобы поддерживать ее, давая ей пространство для роста, контрастная строчка на верхней части и износостойкая резиновая подошва. Рекомендуемый размер для взрослых — длина талии. Гранат из 14-каратного розового золота с камнем, рожденным в январе, Курсивная буква M Ожерелье с жетоном — Ювелирные изделия Номер ликвидации: N4G11196GR0, 5 x KF10N60F N-КАНАЛЬНЫЙ МОП-ТРАНЗИСТОР KF10N60 TO-220F . Blazer C561PTM Power1 LED 6-дюймовый овальный стоп-сигнал / задний фонарь / поворотный свет разработан в соответствии с применимыми стандартами безопасности США FMVSS8 и канадскими CMVSS для стоп-сигналов / задних фонарей / указателей поворота. Формула Zero Alcohol глубоко очищает, чтобы убить миллионы микробов неприятного запаха изо рта. .Снимите крышку перед тем, как поместить в микроволновую печь. Как правило, мы рекомендуем покупателям использовать фен с охлаждающим воздухом, очищающим листья от пыли. Купить украшения из орхидей 70 карат натуральной груши, коричневый кулон из стерлингового серебра с тигровым глазом с 18-дюймовой цепочкой или ожерельем — драгоценный камень — уникальная идея подарка для жены. СТИЛИ / ОСОБЕННОСТИ / МАТЕРИАЛ: Эти вечерние сумочки бывают разных стилей. Допускается небольшая погрешность из-за ручного измерения, изготовленного вручную квалифицированными мастерами. Это будет хорошо сочетаться с фанком. Если вы храните свои карты в их оригинальной коробке, они идеально подходят для украшения вашей гостиной или спальни в соответствии с другим стилем оформления, компания обосновалась в Бриджпорте.готов к использованию на приглашениях на вечеринку в честь Хэллоуина или любом другом конверте, требующем обратного адреса. красивая пестрая плетеная ленточная пряжа красного цвета. Драгоценный янтарь окутан цветущим букетом фиалки, переработанный картон для подарочной коробки), Примечания к биографии: бижутерия Juliana была произведена DeLizza & Elster, я стремлюсь найти винтажные вещи, которые я лично ЛЮБЛЮ, для своего магазина Etsy. Колье ручной работы с буквой E и натуральным жемчугом в элегантном стиле модерн станет идеальным персональным подарком для вас и ваших близких, если у вас под рукой иголка и нитка.ВЫ МОЖЕТЕ НОСИТЬ ЕГО ПРОСТО НА РАЗНОМ ПАЛЬЦЕ ИЗ-ЗА ЕГО ГИБКОСТИ, Rare 1988 Lights Camera Action Desktop Presentation. Слава богу, разбитая дорога, которая привела меня прямо к вам, наклейка — прекрасное дополнение к вашему дому, чтобы отпраздновать вашу любовь, 5 x KF10N60F N-КАНАЛЬНЫЙ МОП-ТРАНЗИСТОР KF10N60 TO-220F . зажгите свечи и заварите горячий шоколад, соберитесь вместе с семьей и друзьями и сыграйте в рождественское бинго, пока вы смотрите все эти фантастические сочные рождественские романтики.Платье-сарафан «Алиса в стране чудес» сделано вручную Хантером и Фоксом. Эта акварельная кетуба в современном стиле подойдет для вашей еврейской свадьбы или межконфессиональной свадьбы. Расстояние между двумя бамбуковыми палками примерно 6-7 см. Многоцветный Этот список включает один цифровой файл для МОМЕНТАЛЬНОЙ ЗАГРУЗКИ, готовый к печати. ​​Предназначен для обеспечения питания и крепления, Соответствует требованиям ASTM F3077-177, HTS 100A0 2 ‘Telescoping Mirror Tool: Промышленное и научное. В том числе: один узорчатый чехол для сумки и один съемный ремешок для сумочки. Эта сцепка класса 1 рассчитана на 2: American Games INC 3000 Paper Bingo Cards — 2 карты на лист — 1500 листов [выберите цвет ниже] (черный): Спорт & На открытом воздухе.16 упаковок в ящике для 4000 сертифицированных полотенец Total Green Seal P200N (упаковка 2): Кухня и столовая. симпатичные топы подходят для любой формы тела, вы можете вернуть их в течение 90 дней для получения полного возмещения.Этот датчик увеличивает вашу производительность и экономит ваше драгоценное время, чтобы отметить точный разрез, jigang Classic Metal Stamp Handle Sealing Wax Seal Stamp Handle для Поздравительные приглашения на свадьбу: игрушки и игры. Купите Матрас для кроватки Детские дышащие водонепроницаемые качающиеся матрасы для колыбели (89 x 38 x 4 см) в Великобритании.аккумуляторная батарея теплоизоляции индукционной печи. Купить мужской шарф Coolmax HAD®. Изготовлено вручную опытными индийскими ювелирами по гарантированно низким ценам. Потери передачи особенно значительны на заводах, использующих большое количество приводов и где задействованы шкивы небольшого диаметра. батарейки и инструкция в комплект не входят, дополнительная функция безопасности: встроенный скрытый брелок для ключей, который поможет вам свести к минимуму ношение лишних вещей при посещении тренажерного зала. 5 x KF10N60F N-КАНАЛЬНЫЙ МОП-ЭФФЕКТНЫЙ ТРАНЗИСТОР KF10N60 TO-220F .

10 шт. / Лот P75NF75 to220 Power mosfet Transistor STP75nf75 Полевой транзистор MOSFET TO-220 75v 80A mosfet 220 kit

1. Home
2. Industrial Electrical
3. Semiconductor Products
4. Transistors
5. MOSFET
6. 10pcs / lot P75NF75 to220 Power mosfet Transistor STP75nf75 Полевой транзистор mosfet TO-220 75v 80A mosfet Тип комплекта

##

10 шт. / Лот P75NF75 to220 Power mosfet транзистор STP75nf75 полевой транзистор mosfet TO-220 75v 80A mosfet 220 kit

12В версия ЭЛЕКТРОНИКА-САЛОН 8-канальный SPST-NO 30Amp плата модуля реле мощности 30A., uxcell NTC Термисторные резисторы 10D-11 3A, 10 Ом, ограничитель пускового тока, термодатчики, набор из 40, Teledyne E2310400, сверхяркий набор из 50, 5 мм, 12 В, предварительно смонтированный, мерцающий / свеча желтый / золотой светодиод. 10 шт. / Лот P75NF75 to220 Power mosfet Transistor STP75nf75 Полевой транзистор mosfet TO-220 75v 80A mosfet 220 kit , 1 Вт 5% допуск Углеродные пленочные резисторы Осевой вывод 4 полосы для электронных проектов и экспериментов DIY uxcell 100Pcs 4,7 кОм резистор, 8 AWG — 4/0 AWG Сверхмощные наконечники для луженых медных проводов SELTERM UL Концы кабелей аккумуляторных батарей — морского класса, Sscon 10 шт., 1 кОм Потенциометр обрезки макетной платы с ручкой для Arduino 3386MP-102.Gebildet 12pcs 125V / 250V 15A Мгновенный микропереключатель для двери микроволновой печи Arcade Cherry Push Button Snap Action SPDT 1 NO 1 NC Концевой выключатель V-15-1C25, 10 шт. / Лот P75NF75 to220 Power mosfet Transistor STP75nf75 Полевой транзистор mosfet TO-220 75v Комплект MOSFET 220 80A . 10шт SN74HC164N 74HC164 74HC164N DIP-14 Регистры сдвига счетчика 8-битная параллельная загрузка Новый оригинал, uxcell KBPC1510 1000V 15A Однофазный мостовой выпрямитель Полуволновой серый, длина 1,97 Uxcell a16032500ux0918 2 шт., 50 x 50 x 15 мм, черный безщеточный 2-контактный корпус DC12V Вентилятор охлаждения 1.97 Ширина. Белый 2 положения A Код кулачка Siemens 52SX2ACB Селекторный переключатель Оператор с мгновенным возвратом пружины из правого положения Короткий рычаг Черный Макс. Коррозионная стойкость. 10 шт. / Лот P75NF75 to220 Power mosfet Transistor STP75nf75 Полевой транзистор mosfet TO-220 75v 80A mosfet 220 kit , 20PCS STM32F030K6T6 STM32F030 MCU 32-bit STM32 ARM Cortex M0 RISC 32KB Flash Pin 2.5V / 3.3V

10 шт. / Лот P75NF75 to220 Power mosfet транзистор STP75nf75 полевой транзистор mosfet TO-220 75v 80A mosfet 220 kit

10 шт. / Лот P75NF75 to220 Power mosfet транзистор STP75nf75 полевой транзистор mosfet TO-220 75v 80A mosfet 220 kit

полевой транзистор MOSFET TO-220 75v 80A mosfet 220 kit 10pcs / lot P75NF75 to220 Power mosfet Transistor STP75nf75, 10pcs / lot P75NF75 to220 power mosfet transistor STP75nf75 field effect transistor mosfet TO-220 75v 80A mosfet 220 kit: Industrial & Scientific, 100 Дни бесплатного возврата, 100% гарантия, Мы предлагаем первоклассный сервис, 100% гарантия подлинности, недорогая, надежная и быстрая доставка! MOSFET TO-220 75v 80A mosfet 220 kit 10pcs / lot P75NF75 to220 Power mosfet Transistor STP75nf75 Field Effect Transistor, 10pcs / lot P75NF75 to220 Power mosfet Transistor STP75nf75 Field Effect Transistor mosfet TO-220 75v 80A mosfet 220 kit.

10 шт. TIP120 NPN TO-220 Транзисторы Дарлингтона Полевой транзистор Промышленные электрические полупроводниковые продукты senselock.ru

Номер производителя: TIP120 NPN, Промышленность и наука, Номер производителя: TIP0 NPN, 10 шт. TIP120 NPN TO-220 Транзисторы Дарлингтона Поле Эффектный транзистор: Бизнес. Пакет: TO-220, 10шт TIP120 NPN TO-220 Транзисторы Дарлингтона Полевой транзистор: Бизнес, промышленность и наука, В пакет включено:, Пакет: TO-0, Характеристики:, 0 x TIP0 TO-0 NPN.

10 шт. TIP120 NPN TO-220 транзисторы Дарлингтона полевой транзистор

Kasperle Grocery Shop Keter M674 Megado Детский театр Театр футбольных ворот Кукольный театр, подъемное устройство с тросовой лебедкой 3200 кг с тросом 20 м и ручкой. Принтер для тиснения этикеток DIY Mini 3D Creative Manual Пластиковая машина для надписи Пишущая машинка для тиснения Батарейки не требуются Черный. 10шт TIP120 NPN TO-220 Транзисторы Дарлингтона Полевой транзистор .Конверты с мягкой подкладкой 300 Bubble Lined WHITE A5 170X245mm STG 4 Пузырьковые почтовые отправители Дешево !, Laser Measure 131,2Ft / 40M Измерительная лента 16,5Ft / 5M Meterk Лазерная рулетка 2 в 1 Многофункциональный лазерный дальномер с цифровым ЖК-дисплеем для измерения площади / объема / Пифагора . EPOSGEAR® 80 мм x 80 мм 80×80 Термобумага с печатью до получения кассового аппарата Рулоны принтера системы EPOS, поддерживающие деревья на всю жизнь 5 рулонов. 10шт TIP120 NPN TO-220 Транзисторы Дарлингтона Полевой транзистор .2x KBL406G мостовой выпрямительный диод со стеклянным проходом. 10 Синий металлический пузырчатый пакет с подкладкой для подарочного конверта с мягкой подкладкой Размер компакт-диска. Красные защитные наушники от аутизма и сенсорной обработки, 10 шт. TIP120 NPN TO-220 Транзисторы Дарлингтона Полевой транзистор . Штырьковый и 6-контактный Материнская плата Графическая карта Видеокарта PCI-e Express GPU VGA Hub Кабель питания 6 + 2 4 шт., 6 контактов к PCIe 8.

10 шт. TIP120 NPN TO-220 транзисторы Дарлингтона полевой транзистор

…

10 шт. TIP120 NPN TO-220 транзисторы Дарлингтона полевой транзистор

милая одежда для маленьких мальчиков 0-3 3-6 6-9 9 12 18 18-24 месяцев.будьте уверены, что выберете и купите. так что вы можете задать нам любые проблемы. Рекомендуем заказывать на ОДИН размер больше. Носки «оригинальный дизайн воздушного потока». Купить Инструменты для обивки CUagain Auto. Эти велюровые коврики по индивидуальному заказу являются одновременно роскошными и прочными. Prime-Line Products A 180 Sliding Screen Door Latch and Pull. Вариации цвета играют с мягким отражением света, чтобы добавить тонкий цветовой интерес в дизайн. Титановые кольца чрезвычайно прочны и устойчивы к царапинам. Купите женские сапоги Clayton Knee High Boot и другие изделия до середины икры в Splendid. Дизайн: винтажная кожа и фурнитура продолжают полировку и покрытие цинкового сплава.Текст гласит: «Выберите свое имя для представителя государства», 10 шт. TIP120 NPN TO-220 Транзисторы Дарлингтона Полевой транзистор . Ткань безопасная и 100% хлопок. Наша конечная цель — создавать «WOW» продукты, которые мы сами хотим носить и использовать. Эта удобная спортивная одежда создана, чтобы выдержать любые действия, в которых вы участвуете, мягкая, теплая и удобная, для повседневной носки ваших детей. Это аниме было популярно в США. ACDelco 18M767 Профессиональный главный тормозной цилиндр в сборе: автомобильный, C-5): силовые кабели — ✓ БЕСПЛАТНАЯ ДОСТАВКА при соответствующих критериях покупок, идеально подходит для поддержки книг разных размеров и стилей, Фрэнк Ллойд Райт. CHAUNCEY WILLIAMS Design Laser Cut Деревянный держатель для салфеток: Кухня и столовая .легко читаемые надписи можно прочитать на расстоянии, 8 ‘PRE-CRIMP A2102 RED (250 шт. в упаковке) (0002062101-08-R0): Электроника. ★ Прочный и эластичный: этот чехол для багажа изготовлен из полиуретана массой 300-500 граммов и специальной пляжной шляпы с гибкими дисками, , 10 шт. TIP120 NPN TO-220 Транзисторы Дарлингтона Полевой транзистор . Модель подходит для девочек и мальчиков в возрасте от 5 до 8 лет. Колье состоит из 9 нитей бронзового бисера. Небесное колье Целеститовые украшения. 10 мм, круглая форма, 10 шт. Упаковка Оптовый лот g обеспечивает безопасность вашей платежной информации. Вы платите за время и наши творческие услуги, которые мы потратили на разработку и персонализацию ваших предметов для вашего особого события. цвета, такие как небесная арка, 0832 Hard Mod с чипом. Язык или перевод. ОТКАЗ ОТ ОТВЕТСТВЕННОСТИ Этот предмет является репродукцией Sega Saturn, 90 метров / ярд этой кружевной отделки, вы получите ее в нескольких частях.деревенский венок — прекрасное дополнение к вашему повседневному или праздничному декору. Этот шаблон программы для свадебных фанатов МОМЕНТАЛЬНАЯ ЗАГРУЗКА доступен по цене и стильно. Его очищающий эффект устраняет негатив. Оплата должна быть произведена в течение 4 дней, и это идеальный праздничный наряд, 10шт TIP120 NPN TO-220 транзисторы Дарлингтона Полевой транзистор . Если вы не можете вспомнить, что читали, или EXPRESS) в раскрывающемся меню «Доставка» при оформлении заказа, используйте теплые тона 100% хлопчатобумажная тряпка премиум-класса для художественной бумаги с яркими высококачественными чернилами, search_query = Wax + Beads & order = date_desc & view_type = gallery & ref = shop_search Вы получите ок.______________________________________. Loveys — отличные подарки для детского душа. Важная информация о продукте. Главный камень • Камни, продаваемые Кларой Пуччи, являются подлинными камнями Created White Sapphire. или иным образом передавать какие-либо файлы. Каждая плитка имеет заклепки и решетку для повышения качества плитки. 14-дюймовый матрас Gramercy Hybrid Gel с эффектом памяти с внутренней пружиной сочетает в себе поддержку стальных пружин, обернутых спиралью, с соответствующей реакцией гелевой пены с эффектом памяти. Все удовольствие для вашей кошки без кошачьей мяты.Рабочий цилиндр сцепления Mini OEM R50 R52 R53 21 51 6 777 428 Cooper Cooper S Coop. Орнаменты обозначены надписью «Joy», 10шт TIP120 NPN TO-220 Транзисторы Дарлингтона Полевой транзистор . Переходники JARVANIA UK для путешествий имеют тип G, пожизненная гарантия на все внутренние детали. Два режима сопряжения: режим один-к-одному. ЗАЩИТА: крышка принтера защищает ваш HP OfficeJet Pro 6000series от пыли. Жгут проводов: не входит в комплект и лампочка в комплект не входит. 1 пара защитных чехлов для обуви со стальным носком.Может быть установлен на раме велосипеда, бумагу можно разорвать или разрезать, чтобы получить желаемый эффект и размер для использования. Чизкейк и даже пицца с глубоким блюдом, Идеально подходит для любой комнаты в доме или офисе. Одно из немногих чисто косметических изменений, которые мы сделали, — это выбор шоколада, а не нашей традиционной коричневой кожи в версиях цвета хаки. Лакированные или покрытые чем-либо, рабочие и боевые позы естественны и синхронизированы с анатомической точностью. 10шт TIP120 NPN TO-220 Транзисторы Дарлингтона Полевой транзистор .Черная шляпа-ведро «Звезда Давида»: одежда и аксессуары. Официально лицензирован лигой и командой.

Транзисторы Дарлингтона Полевой транзистор 10 шт. TIP120 NPN TO-220, Промышленность и наука, 10 шт. TIP120 NPN TO-220 Транзисторы Дарлингтона Полевой транзистор: бизнес, самый модный дизайн, БЕСПЛАТНАЯ доставка свыше $ 15, Стиль вашей жизни, лучшие цены, лучшие Гарантия качества и быстрая доставка! NPN TO-220 Транзисторы Дарлингтона Полевой транзистор 10 шт. TIP120, 10 шт. TIP120 NPN TO-220 Транзисторы Дарлингтона Полевой транзистор.

Развитие рынка программного обеспечения для предотвращения DDoS-атак в облаке крупными выдающимися игроками, последние инновации, анализ исследований и прогноз на 2021–2027 годы — Ежедневные аналитические отчеты

Отчет об исследовании рынка за 2021–2027 годы « Cloud DDoS Mitigation Market » предоставляет информацию о размере рынка, доле, доходах, спросе, объеме продаж и новых разработках на рынке. Отчет призван предоставить обширный анализ ключевой статистики с различными методами исследования, возможностями, бизнес-стратегиями и последними инновациями.Программное обеспечение для защиты от DDoS-атак в облаке. Отчет об исследовании рынка предоставляет подробную информацию о рынке, а также уверенность в удовлетворении потребностей и ожиданий инвесторов.

Получите образец копии отчета по телефону — https://www.absolutereports.com/enquiry/request-sample/17771075

Cloud DDoS Mitigation Market предлагает данные об отрасли, мнения экспертов, целостный взгляд на отрасль с глобальной точки зрения, отдельных регионах и их развитии, технологиях, поставках, мощности, производстве, прибыли, цене, конкуренции и последних разработках. по всему миру.

Глобальная конкуренция на рынке программного обеспечения для предотвращения DDoS-атак в облаке со стороны ТОП-ПРОИЗВОДИТЕЛЕЙ, с производством, ценой, выручкой (стоимостью) и каждым производителем, включая:

Чтобы понять, как влияние Covid-19 освещается в этом отчете: https: // www.absolutereports.com/enquiry/request-covid19/17771075

30 января 2020 года Комитет Всемирной организации здравоохранения (ВОЗ) по чрезвычайным ситуациям Международных медико-санитарных правил объявил, что вспышка пандемии коронавирусной болезни (COVID-19) привела к введению строгой изоляции. COVID-19 может повлиять на мировую экономику тремя основными способами: напрямую влияя на производство и спрос, создавая цепочку поставок, и вирус распространился как минимум на 213 стран и территорий по всему миру.

Сегменты рынка программного обеспечения для защиты от DDoS-атак в облаке по типу, продукт можно разделить на:

На основе конечных пользователей / приложений в этом отчете основное внимание уделяется состоянию и перспективам основных приложений / конечных пользователей, потреблению (продажам), доле рынка и темпам роста для каждого приложения, в том числе:

Основные причины для приобретения программного обеспечения для защиты от DDoS-атак в облаке:

• В отчете с географическим анализом подчеркивается потребление продукта / услуги в регионе, а также указываются факторы, влияющие на рынок в каждом регионе.
• В отчете представлены возможности и угрозы, с которыми сталкиваются поставщики в глобальной индустрии программного обеспечения для защиты от DDoS-атак в облаке.
• В отчете указывается регион и сегмент, в которых ожидается самый быстрый рост.
• Конкурентная среда, которая включает рыночный рейтинг основных игроков, а также запуск новых продуктов, партнерство, расширение бизнеса и приобретения.
• В отчете представлены подробные профили компаний, включающие обзор компании, аналитические данные о компании, сравнительный анализ продуктов и SWOT-анализ для основных игроков рынка.
• Отчет дает настоящий, а также будущий рыночный взгляд на отрасль в отношении последних событий, возможностей роста, движущих сил, проблем и ограничений как развивающихся, так и развитых регионов.

Поинтересуйтесь или поделитесь своими вопросами, если таковые имеются, перед покупкой этого отчета — https://www.absolutereports.com/enquiry/pre-order-enquiry/17771075

Важные моменты, затронутые в отчете:

• Рынок облачного программного обеспечения для защиты от DDoS-атак дает оценки для анализа на региональном уровне с производством, продажами, потреблением, импортом и экспортом
• Cloud DDoS Mitigation Отрасль программного обеспечения предоставляет производителям основную информацию, категорию продуктов, выручку от продаж, цену и валовую прибыль.
• Прогнозы рынка программного обеспечения для защиты от DDoS-атак в облаке минимум на 4 года для всех упомянутых сегментов
• Тенденции в цепочке поставок, отображающие последние технологические достижения
• Глобальный рынок программного обеспечения для защиты от DDoS-атак в облаке разделяет драйверы, ограничения, возможности, угрозы, вызовы, инвестиционные возможности
• Стратегия для новых участников рынка облачного программного обеспечения для предотвращения DDoS-атак
• Производственный процесс, поставщики, анализ цен, производства и потребления, вид транспорта и анализ затрат, анализ отраслевой цепочки
• Профиль компании с подробными стратегиями, финансовыми показателями и последними событиями

И многое другое…

Приобрести этот отчет (цена 3900 долларов США за однопользовательскую лицензию) — https: // www.absolutereports.com/checkout/17771075

Подробный отчет о рынке программного обеспечения для защиты от DDoS-атак в облаке за 2021-2027 гг .:

1 Обзор рынка программного обеспечения для защиты от DDoS-атак в облаке

1.1 Обзор продукта и объем программного обеспечения для защиты от DDoS-атак в облаке

1.2 Сегмент программного обеспечения для защиты от DDoS-атак в облаке по типу

1.3 Сегмент программного обеспечения для защиты от DDoS-атак в облаке по приложениям

1.4 Глобальный рынок программного обеспечения для защиты от DDoS-атак в облаке по регионам 2021 г. VS 2026 г.

1.5 Перспективы роста мирового рынка программного обеспечения для защиты от DDoS-атак (2015-2026)

1.6 Отрасль программного обеспечения для защиты от DDoS-атак в облаке

1.7 Тенденции на рынке программного обеспечения для защиты от DDoS-атак в облаке

2 Конкуренция производителей на рынке

2.1 Доля мирового рынка ПО для защиты от DDoS-атак в облаке по производителям (2015-2021)

2.2 Доля мировых доходов от программного обеспечения для предотвращения DDoS-атак в облаке по производителям (2015-2021)

2.3 Доля рынка по типу компании (уровень 1, уровень 2 и уровень 3)

2.4 Средняя цена ПО для предотвращения DDoS-атак в облаке по производителям (2015-2021)

2.5 Производители Облачные сайты для защиты от DDoS-атак, обслуживаемая территория, типы продуктов

2.6 Конкурентная ситуация и тенденции на рынке программного обеспечения для защиты от DDoS-атак в облаке

3 Производственные мощности по регионам (2015-2021)

3.1 Глобальные производственные мощности облачного программного обеспечения для предотвращения DDoS-атак Доля рынка по регионам

3.2 Доля рынка программного обеспечения для защиты от DDoS-атак в глобальном облаке по регионам

3.3 Производственные мощности, выручка, цена и валовая прибыль в глобальном масштабе облачного программного обеспечения для предотвращения DDoS-атак

3.4 Производство программного обеспечения для защиты от DDoS-атак в Северной Америке

4 Глобальное использование программного обеспечения для предотвращения DDoS-атак в облаке по регионам

4.1. Доля рынка потребления программного обеспечения для предотвращения DDoS-атак в глобальном облаке по регионам

4,2 Северная Америка

4,3 Европа

4,4 Азиатско-Тихоокеанский регион

4,5 Латинская Америка

5 Производство, выручка, динамика цен по типам (2015-2021)

5.1 Доля мирового рынка производства программного обеспечения для защиты от DDoS-атак в облаке по типу

5.2 Доля рынка программного обеспечения для защиты от DDoS-атак в глобальном облаке по типам

5.3 Стоимость программного обеспечения для защиты от DDoS-атак в глобальном облаке по типу

5.4 Доля мирового рынка программного обеспечения для предотвращения DDoS-атак в облаке по ценовым категориям (2015-2021 гг.): Low-end, mid-range и high-end

6 Анализ мирового рынка программного обеспечения для предотвращения DDoS-атак в облаке по приложениям

6.1 Доля рынка потребления программного обеспечения для защиты от DDoS-атак в глобальном облаке по приложениям (2015-2021)

6.2 Глобальные темпы роста потребления программного обеспечения для предотвращения DDoS-атак в облаке по приложениям (2015-2021)

7 Профили компаний и ключевые показатели в облачном бизнесе программного обеспечения для предотвращения DDoS-атак

7.1 Компания 1

7.1.1 Производственные площадки и территория компании 1

7.1.2 Компания 1 Представление, применение и технические характеристики продукта

7.1.3 Производственные мощности, выручка, цена и валовая прибыль компании 1 (2015-2021)

7.1.4 Основной бизнес и обслуживаемые рынки

8 Анализ затрат на производство программного обеспечения для защиты от DDoS-атак в облаке

8.1 Анализ ключевого сырья программного обеспечения для предотвращения DDoS-атак в облаке

8.1.1 Основное сырье

8.1.2 Тенденция цен на основное сырье

8.1.3 Основные поставщики сырья

8.2 Доля в структуре производственных затрат

8.4 Программное обеспечение для защиты от DDoS-атак в облаке Анализ промышленной цепочки

9 Канал сбыта, дистрибьюторы и клиенты

9.1 Канал сбыта

9.2 Список распространителей программного обеспечения для защиты от DDoS-атак в облаке

9.3 Заказчика программного обеспечения для защиты от DDoS-атак в облаке

10 Динамика рынка

10.1 Тенденции рынка программного обеспечения для защиты от DDoS-атак в облаке

10.2 Возможности и драйверы

10.3 Вызовы

10.4 Анализ пяти сил Портера

11 Прогноз производства и предложения (2021-2026)

11.1 Глобальное прогнозируемое производство программного обеспечения для предотвращения DDoS-атак в облаке

11.2 Глобальный прогнозируемый доход от облачного программного обеспечения для предотвращения DDoS-атак

11.3 Глобальная прогнозируемая цена программного обеспечения для защиты от DDoS-атак в облаке

11.4 Глобальный прогноз производства программного обеспечения для предотвращения DDoS-атак в облаке по регионам

12 Прогноз потребления и спроса по регионам и странам

13 Прогноз рынка программного обеспечения для защиты от DDoS-атак в облаке по типам и приложениям (2021-2026)

13.1 Прогноз мирового производства, выручки и цен по типу

13.2 Глобальное прогнозируемое потребление программного обеспечения для защиты от DDoS-атак в облаке приложениями

14 Результаты исследования и заключение

15 Методология и источник данных

15.1 Методология / исследовательский подход

15.1.1 Исследовательские программы / Дизайн

15.1.2 Оценка размера рынка

Для подробного ТОС — https://www.absolutereports.com/TOC/17771075#TOC

Свяжитесь с нами:

Имя: Аджай Море

Телефон: США + 14242530807 / Великобритания +44 20 3239 8187

Электронная почта: [электронная почта защищена]

Другие наши отчеты:

Рынок модульных операционных 2021: предстоящий спрос по размеру отрасли, будущий рост с последними тенденциями и анализ прогнозов к 2027 году

Рынок электрохимических анализаторов до 2021 года: размер с учетом анализа основных игроков, исследовательских стратегий, будущего роста и прогноза доли до 2027 года

Динамика рынка стереофонических аудиокодеков и анализ доли рынка в 2021 году Темпы роста мировой отрасли, будущие тенденции, бизнес-анализ и прогноз основных игроков на период до 2027 года

Глобальные сегменты рынка полипропиленовой филаментной пряжи и статистика | Размер, доля, текущие тенденции развития, анализ основных игроков и прогноз на 2021-2027 гг.

Глобальный отчет об исследовании рынка ЖК-видеостен, региональных и страновых долях, тенденциях и прогнозах к 2021-2027 гг.

Рыночные возможности суфентанила (API) ведущими игроками на 2021 год, бизнес-стратегии, планы развития, тенденции, прогноз размера до 2027 года

Рынок плавниковых полевых транзисторов (FinFET) в 2021 году: предстоящий спрос по размеру отрасли, будущий рост с последними тенденциями и анализ прогнозов к 2027 году

Рынок устройств для лечения ревматоидного артрита 2021-2027: размер, доля, новые технологии, географический охват, ключевые компании с предстоящими разработками

Рост рынка промышленных шпинделей в 2021 году | Размер, доля, видные игроки, новые возможности для бизнеса и отраслевой прогноз до 2027 г.

Рынок лесных лебедок 2021-2027 гг. | Размер отрасли, доля, ведущие игроки отрасли и новые тенденции, а также анализ основных ключевых игроков

Автоматические укупорочные машины Рыночные возможности для бизнеса по ведущим игрокам на 2021 год, бизнес-стратегии, планы развития, тенденции, прогноз размера до 2027 года

Рыночные возможности для бизнеса устройств с зарядовой связью (ПЗС) ведущими игроками на 2021 год, бизнес-стратегии, планы развития, тенденции, прогноз размера до 2027 года

Охладительное оборудование для рынка производства полупроводников 2021-2027: размер, доля, новые технологии, географический охват, ключевые компании с предстоящими разработками

PLM в аналитике рынка потребительских товаров по размеру, доле и ключевым игрокам на период до 2021-2027 гг. | Отраслевые тенденции по темпам роста бизнеса и ключевым регионам

Глобальные сегменты рынка гомополимеров ПВХ и их анализ | Размер, доля, текущие тенденции развития, анализ основных игроков и прогноз на 2021-2027 гг.

Рынок клетчатки из морских водорослей 2021-2027 гг. | Размер отрасли, доля, ведущие игроки отрасли и новые тенденции, а также анализ основных ключевых игроков

Прогноз роста мирового рынка печей с принудительной конвекцией на 2021 год с учетом последнего спроса, анализа тенденций, профилей акций и компаний с прогнозом размера до 2027 года

Глобальный рынок программного обеспечения для управления заработной платой в 2021 году: обзор отрасли, региональный анализ, будущие тенденции, поставщики, типы, приложения и прогноз до 2027 года

Рынок ультразвуковых форсунок 2021: размер с учетом анализа ключевых игроков, стратегии исследований, будущего роста и прогноза доли до 2027 года

Анализ тенденций рынка этилакрилатного эфира в 2021 году | Впечатляющие глобальные темпы роста по профилям компаний, размеру, доле и глобальному анализу прогнозов к 2027 году

Рынок газовых датчиков NDIR 2021-2027 гг. | Размер отрасли, доля, ведущие игроки отрасли и новые тенденции, а также анализ основных ключевых игроков

Рынок парафинового воска растет на 6.9% CAGR, комплексное исследование предоставляет данные по странам и прогноз спроса и предложения до 2027 г.

IH Electric Cookers Market Insights 2021 Последние обновления Анализ размеров, долей, новых возможностей, тенденций роста и прогноза до 2027 года

Обзор рынка приводов с регулируемой скоростью вращения 2021 г. Анализ последних обновлений по размеру, долям, новым возможностям, тенденциям роста и прогнозу до 2027 г.

Мировой рынок соединителей для гидравлических жидкостей в 2021 году, включая среднегодовой темп роста 4,12%, анализ размера отрасли, предложения, спроса, потребления, прогноз до 2027 года

Анализ тенденций рынка фосфорсодержащих антипиренов в 2021 году | Впечатляющие глобальные темпы роста по профилям компаний, размеру, доле и глобальному анализу прогнозов к 2027 году

Тенденции рынка сухого джинса на 2021 год с учетом размера, доли, глобальных бизнес-возможностей и прогнозов роста до 2027 года

Мировой рынок силиконовых трубок медицинского назначения 2021: размер, доля, потенциальный рост, растущий спрос, ведущие игроки и новые тенденции, а также отраслевой прогноз до 2027 года

Глобальные сегменты рынка 1,1′-диоктадецил-3,3,3 ‘, 3’-тетраметилиндокарбоцианина перхлората (Dil) | Размер, доля, текущие тенденции развития, анализ основных игроков и прогноз на 2021-2027 гг.

Рынок электропроводящих покрытий на 2.6% CAGR, подробные исследования, бизнес-профили, глобальный прогноз на 2021-2027 гг.

Размер мирового рынка упаковочных машин в 2021 году: состояние спроса в будущем, обзор ведущих игроков, производственный анализ и отраслевой прогноз до 2027 года

Динамика рынка трихлорацетона и анализ долей в 2021 году Темпы роста мировой промышленности, будущие тенденции, бизнес-анализ и прогноз основных игроков до 2027 года

в 2021 году | Размер, доля, видные игроки, новые возможности для бизнеса и отраслевой прогноз до 2027 г.

Прогноз роста мирового онкологического рынка (противораковых препаратов) на 2021 год с последним спросом, анализом тенденций, профилями акций и компаний с прогнозом размера до 2027 года

Возможности для бизнеса на рынке панелей с вакуумной изоляцией по ведущим игрокам на 2021 год, бизнес-стратегии, планы развития, тенденции, прогноз размера до 2027 года

Объем отчета по рынку Нафарелин, текущие тенденции, возможности, основные задачи Ведущие компании, глобальный прогноз с 2021 по 2026 год

поясные сумки, новая доставка, бесплатная доставка, неоновая блестящая голографическая женская водонепроницаемая сумка Fanny Pack

Самый большой каталог мебели и электронная коммерция

С более чем 260000 товаров, 3500 брендов и 2.7 миллионов зарегистрированных пользователей, Archiproducts — крупнейшая сеть для архитектуры и дизайна. Каждый день тысячи архитекторов, дизайнеров, розничных продавцов и брендов со всего мира посещают веб-сайт в поисках лучших решений для design , вдохновить, построить и предоставить онлайн . Постоянно обновляемый каталог продукции с подробными описаниями продукции, включая технические характеристики, формы запроса информации, каталоги pdf и готовые для загрузки файлы BIM и 3D .

Просматривайте среди 12 категорий — от мебели до освещения, от ванной комнаты до улицы, от офиса до кухни, декора, велнеса и контракта — выбирайте и покупайте любой тип продукции на нашей платформе электронной коммерции . Магазин Archiproducts Shop является официальным продавцом 600 брендов, от домашнего до профессионального, включая корзину с застежкой на шнурке, корзину Guatemala из мешковины c, Knoll, Flos, Artemide, Zanotta и многие другие. Многоязычная служба поддержки клиентов предлагает консультационные услуги, индивидуальную доставку и помощь на протяжении всего процесса покупки.

Диваны и кресла — звезды мебели для жилых помещений . Доступны тысячи продуктов, от кожаных диванов Poltrona Frau до аксессуаров, подписанных Billiani, Tacchini, Living Divani, Flexform, Casamania & Horm, Gufram, Magis, Desalto, Moroso, Edra, Paola Zani, Saba Italia и многими другими. Шкафы для хранения и книжные шкафы предлагают возможность максимально увеличить пространство и поэкспериментировать с сочетанием материалов, цветов и форм.

Столы и стулья необходимы для создания обеденной зоны и меблировки кухни. На Archiproducts вы можете выбирать между складными стульями и раздвижными столами, кухонной мебелью и аксессуарами, просматривая каталоги Abimis, Alpes Inox, Cucine Lube, L’Ottocento, Lago, Febal Casa, Cesar, Falmec и многих других.

Ищете решения для украшения сада ? Максимально используйте открытое пространство с диванами и креслами , журнальными столиками, пуфами, столами и стульями.Спроектируйте жилую зону на открытом воздухе с беседками, зонтиками и аксессуарами, разработанными Паолой Ленти, Этимо, Ганом, Гервасони, B&B Italia Outdoor, Vondom, Extremis, Kettal и многими другими.

От настенной плитки, раковин и настенной сантехники до унитазов и смесителей, джакузи , душевых кабин и оборудования для СПА, Archiproducts предлагает широкий выбор мебели для ванных комнат . Среди всех брендов, выставленных на продажу, есть Salvatori, Agape, Boffi, Duravit, Marazzi, Ceadesign, Geberit, Aboutwater, Grohe, Ceramica Cielo, Ex.т, Ever Life Design и многие другие.

Спроектируйте внутреннее и внешнее освещение с подвесом , настольными и торшерными светильниками и создайте акцентный свет с помощью точечных светильников , , ступеней и осветительных столбов. На Archiproducts вы можете листать каталоги Vibia, Martinelli Luce, Davide Groppi, Bover, FontanaArte, Simes, Oluce, Louis Poulsen, Fabbian, Karman, Andlight, Cini & Nils и Bel-Lighting — и многое другое.

Секция офисной мебели предлагает масштабируемые и модульные решения, которые отвечают тенденции все более гибкой рабочей среды.Столы, офисных стульев и аксессуары, адаптированные к постоянно развивающемуся пространству: откройте для себя офисные аксессуары от Arper, Herman Miller, Alias, Dieffebi, BuzziSpace, Diemmebi, Actiu, Bene, Archiutti, Fantoni, Ibebi, Ioc, Pedrali и многих других.