Site Loader

Содержание

Транзисторы B772F, B772O, B772Y — параметры, маркировка, расположение выводов.

Транзисторы B772R, B772O, B772Y, B772GR


Транзисторы B772 — кремниевые, высокочастотные усилительные, структуры — p-n-p.
Предназначены для применения в выходных каскадах усилителей УМЗЧ, преобразователях напряжения, маломощных приводах исполнительных устройств.
Корпус пластиковый TO-126, либо SOT-89. Маркировка буквенно — цифровая.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) — 1,25 Вт для транзисторов в корпусе TO-126 и 0,5 Вт в корпусе SOT-89.
С радиатором(корпус TO-126) — 12,5Вт.

Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh31э )транзистора для схем с общим эмиттером — 50 МГц;

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер30в.

Максимальное напряжение коллектор — база

40в.

Максимальное напряжение эмиттер — база5в.

Коэффициент передачи тока у транзисторов в корпусе TO-126 (datasheet STANSON TECHNOLOGY):
У транзисторов B772R — от 110 до 220.
У транзисторов B772O — от 200 до 450.
У транзисторов B772Y — от 420 до 800.

Коэффициент передачи тока у транзисторов в корпусе SOT-89 (datasheet JIANGSU CHANGJIANG):
У транзисторов B772R — от 60 до 120.
У транзисторов B772O — от

100 до 200.
У транзисторов B772Y — от 160 до 320.
У транзисторов B772GR — от 200 до 400.

Максимальный постоянный ток коллектора 3А, пульсирующий — 5А.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 2А, базы 0,1А — не выше 0,5в.

Обратный ток коллектор — эмиттер при температуре окружающей среды +25 по Цельсию и напряжению коллектор-эмиттер 10в. не более

0,1 мА.

Обратный ток эмиттера — база при напряжении эмиттер-база 5в не более — 0,1 мА.



На главную страницу

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

характеристики (параметры), отечественные анлоги, цоколевка

B772 — Кремниевый, планарно-эпитаксиальный транзистор с PNP структурой.

Предназначение

Транзистор разработан для применения в выходных каскадах аудио усилителей мощности, преобразователях постоянного напряжения в постоянное, регуляторах напряжения и управляющих цепях релейных устройств.

Характерные особенности

  • Высокий коллекторный ток: IC = 3 А.
  • Высокое предельное напряжение коллектор-эмиттер: U(BR)CEO ≥ 30 В.
  • Высокая линейность коэффициента усиления по току hFE.
  • Низкое напряжение насыщения
  • Комплементарная пара: 2SD882.
  • Высокая стабильность параметров от партии к партии при поставках.

Корпус и цоколевка

Предельные эксплуатационные характеристики

Данные в таблице действительны при Ta=25°C, если не указано иное.

ХарактеристикаСимволЗначение ٭
Напряжение коллектор-база, В UCBO40
Напряжение коллектор-эмиттер, В UCEO30
Напряжение база-эмиттер, В UEBO5
Ток коллектора постоянный, АICO3
Ток коллектора импульсный, АICM7
Ток базы постоянный, АIBO0,6
Мощность рассеяния, Вт2SB772Корпус TO-92при Ta = 25°СPC0,5
Корпус TO-126/TO-126C1
Корпус TO-251/TO-2521
2SB772SКорпус SOT-890,5
Корпус SOT-2231
2SB772SSКорпус SOT-23при Ta = 25°С0,35
при TС = 25°С10
Предельная температура кристалла, °СTJ150
Диапазон температур при хранении, °СTSTG от -55 до 150

٭ — для транзисторов PNP-структуры все значения токов и напряжений указаны по модулю.

В таблицу предельных эксплуатационных характеристик и типовых термических характеристик введены для сравнения данные по рассеиваемой мощности транзисторов 2SB772/S/SS, выпускаемых в различных корпусах одним и тем же производителем: “Unisonic Technologies Co., Ltd”. Остальные параметры и характеристики полностью повторяются.

Типовые термические характеристики для 2SB772/S/SS

ХарактеристикаКорпусСимволВеличина
Тепловое сопротивление: коллекторный переход – корпус транзистора, °С/ВтTO-126RƟJC12,5
TO-252/25112,5
TO-9225
Тепловое сопротивление: коллекторный переход – корпус транзистора, °С/ВтSOT-23RƟJC104
Тепловое сопротивление: коллекторный переход – внешняя среда, °С/ВтRƟJA357

Электрические характеристики (при T

a = 25°C)
ХарактеристикаОбозначениеПараметры при измеренияхЗначения ٭
Ток коллектора выключения, мкАICBOUCE = 30 В, IE = 0≤ 1,0
Ток выключения коллектор-эмиттер, мкА ICEOUCE = 30 В, IB = 0≤ 1,0
Ток базы выключения, мкАIEBOUBE = 3 В, IC =0≤ 1,0
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В UCE(sat)IC = 2 А, IB = 200 мА≤ 0,5 В
Напряжение насыщения база-эмиттер, В UBE(sat)IC = 2 А, IB = 200 мА≤ 2,0
Напряжение пробоя коллектор-база, ВU(BR)CBOIC = 100 мкА, IE = 0˃ 40
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, ВU(BR)CEOIC = 1 мА, IB = 0˃ 30
Напряжение пробоя эмиттер-база, ВU(BR)EBOIE = 100 мкА, IC = 0˃ 5
Статический коэффициент усиления по току hFE (1)UCE = 2 В, IC = 0,02 А≥ 30
hFE (2)UCE = 2 В, IC = 1,0 Аот 100 до 400
Частота среза, МГцfT UCE = 5 В, IC = 0,1 мА80
Выходная емкость, pFCC UCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц45

٭ — для транзисторов PNP-структуры все значения токов и напряжений указаны по модулю.

Параметры сняты в импульсном режиме: ширина импульса 300 мкс, коэффициент заполнения (скважность) ≤ 2 %.

Классификация

Классификация транзисторов по группам по величине статического коэффициента усиления hFE при поставках.

Группа по величине hFEQPE
Значение hFE в пределах группыот 100 до 200от 160 до 320от 200 до 400

Модификации и группы транзистора B772

МодельPCUCBUCEUBEICTJfTCChFEКорпус
2SB77212,5 (1,25)6030531505060TO-126
2SB772 (R, O, Y, GR)10,0 (1,0)4030531504055160TO-126
BTB772ST310,0 (1,0)4030521508055180TO-126
BTB772T310,0 (1,0)4030531508055180TO-126
CSB77210,0 (1,0)403053150805560TO-126
CSB772 (P, Q, R, E)10,0 (1,0)4030531508055200TO-126
FTB772(1.25)403063150805560TO-126
KSB77210,0 (1,0)403053150805560TO-126
KSB772 (R, O, Y, GR)10,0 (1,0)403053150805560TO-126
KTB77210,0 (1,0)403053150805560TO-126
PMB77210,0 (1,0)403053150805560TO-126
ST2S772T10,0 (1,0)403053150805560TO-126
TSB772CK10,0 (1,0)5030531508055100TO-126
B772C(1.25)4030631505060 TO-126C
B772P15,0 (1,25)40306315050120 TO-126D
HSB77210,0 (1,0)4030531508055100TO-126ML
2SB772B25,0 (2,0)403053150805560TO-220
2SB772I10,0 (1,0)403053150805530TO-251
B772PC10,0 (1,0)40306315050120TO-251
BTB772I310,0 (1,0)4030531508055180TO-251
WTP77210,0 (1,0)403053150805530TO-251
2SB772D10,0 (1,0)403053150805560TO-252
B772 (R, O, Y, GR)10,0 (1,0)4030631505060TO-252
BTB772AJ315,0 (1,0)50307315019033180TO-252
BTB772J310,0 (1,0)4030631508055180TO-252
FTB772D10,0 (1,0)4030631505060TO-252
GSTD77210,0 (1,0)4030531508060TO-252
ST2SB772R10,0 (1,0)40306315050100TO-252
B772M(1.25)4030631505060TO-252-2L
2SB772A(0.5)7060631505060SOT-89
2SB772GP(1.5)40305315010055160SOT-89
2SB772T(0.5)403053150805560SOT-89
BTB772AM3(2)5050631508025180SOT-89
FTB772F(0.5)4030631505060SOT-89
GSTM772(0.5)4030531508060SOT-89
KXA1502(0.5)402051.515010020160SOT-89
L2SB772 (P, Q)(0.5)40306315050160SOT-89
ST2SB772U10,0 (1,0)403053150805560SOT-89
ZX5T250(0.5)70606315050160SOT-89
2SB772S(0.5)4030531508045100SOT-89
ALJB772(1)403061.5150100200TO-92
B772S(0.625)4030631505060TO-92
BTB772SA3(0.75)5050531508055180TO-92
GSTS772(0.625)4030531508060TO-92
HB772S(0.75)4030531508055100TO-92
HSB772S(0.75)4030531508055100TO-92
TSB772SCT(0.625)5030531508055100TO-92
2SB772L10,0 (1,0)403053150805560TO-92LM
2SB772M(0.35)4030531508045100SOT-23
B772SS10,0 (0,35)4030531508045100SOT-23
2SB772N10,0 (1,0)403053150805560SOT-223
2SB772ZGP(1.5)40305315010055160SOT-223

Примечения:

  1. Столбец корпуса. Уточнения для следующих корпусов: TO-251 или TO-252, TO-252  или DPAK, SOT-89 или TO-92.
  2. В столбце «Модель» в скобках указаны дополнительные символы, вводимые в обозначение транзистора в случаях, когда производитель классифицирует изделия по группам параметра hFE.
  3. В столбце мощности «PC Tc(Ta) = 25°С» в скобках указывается значение рассеиваемой мощности в режиме ограничения температуры внешней среды на уровне TA = 25°C.
  4. В режиме ограничения температуры корпуса транзистора TC = 25°C значение рассеиваемой мощности указывается в основном для транзисторов, выпускаемых в крупных корпусах, например, таких как TO-126. Поскольку такой температурный режим означает присутствие охладителя – устройства, стабилизирующего температуру корпуса, для транзисторов, выпускаемых в малоразмерных корпусах (TO-92, SOT-89), где применение охладителя на практике невозможно или нецелесообразно, значение рассеиваемой мощности для условия TC = 25°C большинством производителей не указывается.
  5. Иногда производитель выпускает изделие в корпусе версии повышенной мощности (например – TO-92LM). В этом случае указывается повышенное значение мощности рассеивания (см. таблицу, транзистор 2SB772L).

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой PNP, эпитаксиальнопланарные, которые применяются в широкополосных усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах высокочастотного диапазона.

Отечественное производство

МодельPCUCBUCEUBEICTJfTCChFE КорпусПримеча-ние
2SB77212,5 (1,25)6030531505060TO-126
(2)КТ914А7656540,815035012
(2)КТ932А/Б/В2080/60/404,52150100300от 15 до 120 TC ≤ 50°C
(2)КТ933А/Б580/604,50,515075100от 15 до 120 TC ≤ 50°C
КТ973А/Б/В/Г860/45/60/6052150от 750 до 5000
КТ974А/Б/В580/60/503215045080от 10 до 120 TC ≤ 50°C

Зарубежное производство

МодельPCUCBUCEUBEICTJfTCChFEКорпус
2SB77212,5 (1,25)6030531505060TO-126
2SA1359 (O, Y)10,0 (1,0)4040531501003570TO-126
2SB84310,0 (1,0)50406517590TO-126
BTB1424AD310,0 (1,0)50506315024035180TO-126
BTB1424AT310,0 (1,0)50506315024035180TO-126
H77210,0 (1,0)403053150805560TO-126
HT77210,0 (1,0)4030531508055100TO-126
KSH77210,0 (1,0)403053150805560TO-126
ST2SB772T10,0 (1,0)403053150805560TO-126
2SA1761(0,9)605063150100120TO-92
2SA3802(0,8)4030631508060TO-92
2SB985 (R, S, T, U)(1)606063165150280TO-92
BR3CG3802(0,8)4030631508060TO-92
KTB985(1)605063150150100TO-92
ZTX949(1,2)503064,5200120100TO-92
ZTX951(1,2)1006064200100TO-92
ZTX953(1,2)14010063,5200125100TO-92
2SA2039-TL-E1550506515036024200TO-252
2SA2126-TL-E1550506315039024200TO-252
2SAR573D1050506315030035180TO-252
BTA2039J31560506515015042200TO-252
BTB1184J315631508035180TO-252
BTB1184J3S15631508035270TO-252
BTB9435J31040326315018020180TO-252

Примечание: данные в таблицах взяты из даташит компаний-производителей.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Статические внешние характеристики транзистора (в схеме с ОЭ): зависимость коллекторного тока IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE при разных токах базы IB управления.

Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления hFE от коллекторной нагрузки IC. Зависимость снята при величине напряжения коллектор-эмиттер UCE = 2 В.

Рис. 3. Зависимости напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) и напряжения насыщения база-эмиттер UBE(sat) от коллекторной нагрузки IC.

Рис. 4. Изменение полосы пропускания транзистора fT при изменении коллекторной нагрузки IC. Зависимость снята при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 5 В и токе базы IB = 8 мА.

Рис. 5. Зависимость выходной емкости (коллекторного перехода) CC от напряжения коллектор-база UCB. Характеристика снималась при частоте f = 1 МГц и токе эмиттера IE = 0.

Рис. 6. Характеристика ограничения рассеиваемой транзистором мощности PC при различных температурах корпуса транзистора TC.

Рис. 6. Характеристика ограничения (в %) коллекторного тока IC при изменении температуры корпуса TC и при двух различных условиях:

  • нижняя характеристика (Dissipation limited) при ограничении мощности рассеивания;
  • верхняя характеристика (S/b limited) — ограничение предельного тока транзистора для предотвращения вторичного пробоя п/п структуры локально в местах повышенной плотности тока.

Рис. 7. Область безопасной работы транзистора.

Предельный коллекторный ток в импульсном режиме IC(max) Pulse и предельный постоянный ток IC(max) DC ограничивают предельную токовую нагрузку транзистора, исключая прогорание структуры.

Предельное напряжение коллектор-эмиттер UCE ограничивает нагрузку по напряжению, исключая электрический пробой структуры.

Предельная рассеиваемая мощность ограничивает тепловую нагрузку транзистора при параметрах, меньших предельного тока и напряжения. На графиках показаны ограничения по рассеиваемой мощности при импульсном режиме с длительностью импульсов 0,1 мс, 1 мс, 10 мс и в режиме постоянного тока (помечено DC).

Качество электронных b772 транзисторов для электронных проектов Free Sample Now

О продукте и поставщиках:
Alibaba.com предлагает большой выбор. электронных b772 транзисторов на выбор в соответствии с вашими потребностями. электронных b772 транзисторов являются жизненно важными частями практически любого электронного компонента. Их можно использовать для создания материнских плат, калькуляторов, радиоприемников, телевизоров и многого другого. Выбирая правильно. электронных b772 транзисторов, вы можете быть уверены, что создаваемый вами продукт будет высокого качества и очень хорошо работает. Ключевые факторы выбора продуктов включают предполагаемое применение, материал и тип, среди прочего. 

электронных b772 транзисторов состоят из полупроводниковых материалов и обычно имеют не менее трех клеммы, которые можно использовать для подключения к внешней цепи. Эти устройства работают как усилители или переключатели в большинстве электрических цепей. электронных b772 транзисторов охватывают два типа областей, которые возникают из-за включения примесей в процессе легирования. В качестве усилителей. электронных b772 транзисторов скрывают низкий входной ток в большую выходную энергию, и они направляют небольшой ток для управления огромными приложениями, работающими как переключатели.

Изучите прилагаемые таблицы данных вашего. электронных b772 транзисторов для определения опорных ног, эмиттера и коллектора для безопасного и надежного соединения. Файл. электронных b772 транзисторов на сайте Alibaba.com используют кремний в качестве первичной полупроводниковой подложки благодаря их превосходным свойствам и желаемому напряжению перехода 0,6 В. Основные параметры для. электронных b772 транзисторов для любого проекта включает в себя рабочие токи, рассеиваемую мощность и напряжение источника.

Откройте для себя удивительно доступный. электронных b772 транзисторов на Alibaba.com для всех ваших потребностей и предпочтений. Доступны различные материалы и стили для безопасной и удобной установки и эксплуатации. Некоторые аккредитованные продавцы также предлагают послепродажное обслуживание и техническую поддержку.

3A 40V PNP транзистор электронных компонентов Чип IC 2sb772 B772

Примечание: Все цены можно вести переговоры.Plz свяжитесь с нами для получения наиболее выгодной цене!

 

 



 описание продукта

 

Категории

Дискретные полупроводниковые изделия

Транзисторы — биполярного (BJT) —

Тип транзисторов

Vce насыщения крови кислородом (макс.) @ Ib Ic

1,1 @ 150 Ма, 3A

Ток — Collector Cutoff (макс.)

Постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce

100 @ 100 Ма, 2V

— И С ПЕРЕХОДНОЙ ЭКОНОМИКОЙ

Рабочая температура

Тип крепления

Через отверстие

Пакет / дела

Чтобы-225AA,-126-3

Поставщик пакет устройства

Ток — коллектор (IC) (макс.)

Напряжение — Collector излучателя разбивки (макс.)

Питание — макс.

 

Другие категории


 

—  Пожалуйста свяжитесь с нами, если вам требуется техническое описание .
 

 

 


 

Транзистор b772. Чем заменить? Есть ли отечественный аналог?

Транзистор C1815 имеет полное наименование по даташиту 2SC1815.

Зарубежные аналоги этого транзистора следующие:

  • 2N5232
  • 2SC1000
  • 2SC1175
  • 2SC1318
  • 2SC1345
  • 2SC1539
  • 2SC1648
  • 2SC1740
  • 2SC1844
  • 2SC2320
  • 2SC2409
  • 2SC2545
  • 2SC734
  • 2SC900
  • 2SC945
  • BC107
  • ECG199
  • KTC1815
  • KTC3198

Ближайший отечественный аналог транзистора 2SC1815, это транзисторы КТ3012А-Б. Но у наших транзисторов более лучшие характеристики по граничной частоте усиления. У КТ3102А-Б этот параметр составляет < = 300 мГц.

Но потоку коллектора и рассеиваемой коллектором мощности, наши транзисторы уступают транзистору 2SC1815. У КТ3102 постоянный ток коллектора равен 100мА а рассеиваемая коллектором мощность равна 0,25 ватта.

Это, извините, вопрос растяжимый и имеет разную точку зрения. Всё зависит от того, что считать нужной схемой. Кто-то интересуется блоками питания, кто-то — радиоприёмниками диапазона FM, кто-то — электромузыкальными звонками. А вот электронные часы заинтересуют далеко не всех.

На своём примере популярно объясню, что нужная схема для одних окажется абсолютно ненужной для других. Я давно собрал электромузыкальный инструмент, где транзисторов КТ315 используется 120 штук! Но для Вас эта схема наверняка не представит никакого интереса, как и электромузыкальный инструмент.

Поэтому Вы хотя бы написали в вопросе: а какие именно схемы и устройства Вы считаете нужными для себя?

Вот один товарищ собрал простейший усилитель на транзисторе КТ315 (привожу видеоролик). Видимо, ему нужен такой усилитель. А мне он и даром не нужен.

Поэтому лучше набрать в поисковике фразу «схемы на транзисторе КТ315», посмотреть их и выбрать что-то нужное для себя.

То, что нарисовал Спин, гарантировано приведёт к пожару. Ведь источник питания через включённый в прямом направлени и диод оказывается целиком подведённм к батарее, со всеми вытекающими последствиями. Поэтому вот ТАК включать НЕЛЬЗЯ.

В простейшем варианте диод надо включить последовательно с батареей, а не с проводом питания:

Однако и эта схема несовершенна. Она помогает от отсоединения внешнего источника (когда слева по рисунку оказывается обрыв провода), но бесполена и даже вредна, когда источник не отключается, но на нём падает напряжение. В этом случае через открытый (опять же) диод батарея будет работать и на нагрузку, и на полумёртвый источник.

Поэтому решением будет ДВА диода:

Официальной датой изобретения первого транзистора считается 1947 год. В те годы многие ученые работали в сфере полупроводниковой проводимости, в том числе и наши российские физики внесли свой неоценимый вклад в данное направление. Тем не менее создателями первого транзистора стали Джон Бардин, Уильям Шокли и Уолтер Браттейн.

Похоже, что IRFZ46N — это просто слегка улучшенная версия IRFZ46. Сравните их электрические параметры — вот один, вот второй. В основном они идентичны, кое-где получше IRFZ46N.

Запуск MOSFET от транзистора для контроллера вентилятора

У меня есть контроллер вентилятора ПК, который способен обеспечить мощность 10 Вт на канал. Я хотел бы разместить 23 Вт вентиляторов на одном канале, поэтому я пытаюсь найти способ использовать электронику, уже установленную на контроллере вентиляторов, для активации полевого МОП-транзистора или другого транзистора, который сможет обрабатывать 23 + Вт.

В принципе, я думал, что сработает теория, чтобы посмотреть на PNP-транзистор на контроллере вентилятора и взять провод от затвора этого транзистора и использовать его в качестве затвора на MOSFET, чтобы сделать переключатель MOSFET достаточно быстрым, чтобы поднять напряжение и варьировать скорость вращения вентилятора.

К сожалению, это не привело к тому, что я хотел сделать. Вентиляторы вращаются с постоянной скоростью около 60% максимальной скорости. У меня только один провод тахометра вентилятора, подключенный к обратной связи контроллера вентилятора, поэтому он не получает никаких странных сигналов от синфазных сигналов тахометра.

Есть ли хороший способ сделать это?

Вот оборудование, которое я использую, чтобы проверить это.

Контроллер вентилятора: [BitFenix ​​Recon]

Транзистор PNP в контроллере вентилятора: B772 Транзистор средней мощности PNP

МОП-транзистор: ST P14NK50Z N-канальный 500В МОП-транзистор

Джим Дирден

Я полагаю, что коллектор B772 (PNP) подключен к клемме +12 В вентилятора и что схема включает и выключает его в качестве ШИМ-регулятора скорости.

Для замены NPN-транзистора используйте P-канал MOSFET. Это должно быть включено путем заземления затвора, поэтому необходим инвертирующий транзистор.

Когда B772 включен, небольшой ток течет через R1 и R2, и Q1 включается, подтягивая напряжение на затворе примерно до 0,1 В. Это включает МОП-транзистор, который подает ток на вентилятор. Есть много МОП-транзисторов, которые подойдут.

Будьте осторожны, не перегружайте блок питания контроллера

Джон Ватт

100k является способом слишком большим сопротивлением для надежного привода ворот от для MOSFET PWM делает. Это могло бы нормально работать с подтягиванием на 1 КБ (я говорю о R3). Лучше было бы использовать выделенный драйвер шлюза MOSFET.

Тем не менее, вы, вероятно, могли бы полностью заменить R1 / Q1 / R3 / Q2 одним N-канальным низкочастотным коммутатором MOSFET. Подцепите вентиляторы между +12 В и стоком MOSFET. Это было бы эквивалентно вашей схеме. Опять же, для лучшего управления приводом затвора, попробуйте меньший резистор, например, 1 кОм, для понижения.

смоделировать эту схему — схема, созданная с использованием CircuitLab

772

B772S Datasheet (PDF)

1.1. btb772sa3.pdf Size:352K _upd

Spec. No. : C817A3-H
Issued Date : 2003.05.31
CYStech Electronics Corp.
Revised Date:2013.03.21
Page:1/6
Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor
BTB772SA3
Features
• Low VCE(sat),typically -0.3 V at IC / IB = -2A / -0.2A
• Excellent current gain characteristics
• Complementary to BTD882SA3
• Pb-free lead plating and halogen-free package
Symbol Outline
BTB77

1.2. 2sb772s 3ca772s.pdf Size:256K _update

2SB772S(3CA772S) 硅 PNP 半导体三极管/SILICON PNP TRANSISTOR
用途:用于 3 瓦音频放大输出,电压调节器,电源转换器和继电器驱/Purpose: Output
stage of 3 watts audio amplifier, regulator, DC-DC converter and relay driver.
特点:饱和压降 V 小,线性极好,h 高/Features: Low saturation voltage, excellent h
FE
CE(sat) FE
linearity and high h .
FE
极限

 1.3. b772ss.pdf Size:233K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
B772SS PNP SILICON TRANSISTOR
MEDIUM POWER LOW
VOLTAGE TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC B772SS is a medium power low voltage transistor,
designed for audio power amplifier, DC-DC converter and voltage
regulator.
FEATURES
* High current output up to 3A
* Low saturation voltage
* Complement to D882SS
ORDERING INFORMATION
Order Number Pin A

1.4. 2sb772s.pdf Size:251K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2SB772S PNP SILICON TRANSISTOR
MEDIUM POWER LOW
VOLTAGE TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC 2SB772S is a medium power low voltage transistor,
designed for audio power amplifier, DC-DC converter and voltage
regulator.
FEATURES
* High current output up to 3A
* Low saturation voltage
* Complement to 2SD882S
ORDERING INFORMATION
Ordering Number

 1.5. b772s.pdf Size:346K _secos

B772S
-3A , -40V
PNP Plastic-Encapsulated Transistor
Elektronische Bauelemente
RoHS Compliant Product
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free
TO-92
FEATURES
Low speed switching.
G H
1Emitter
1
1
1
2Collector
2
2
2
J
3Base
3
3
3
CLASSIFICATION OF hFE
A D
Millimeter
Product-Rank B772S-R B772S-O B772S-Y B772S-GR
REF.
B
Min. Max.
A 4.40 4.70

1.6. tsb772sct.pdf Size:78K _taiwansemi

 TSB772S
Low Vcesat PNP Transistor
TO-92
Pin Definition:
PRODUCT SUMMARY
1. Emitter
BVCBO -50V
2. Collector
3. Base
BVCEO -30V
IC -3A
VCE(SAT) -0.5V @ IC / IB = -2A / -200mA
Features Ordering Information
● Low VCE(SAT) -0.25 @ IC / IB = 2A / 200mA (Typ.)
Part No. Package Packing
● Complementary part with TSD882S
TSB772SCT B0 TO-92 1Kpcs / Bulk
Structure
T

1.7. b772s.pdf Size:195K _lge

B772S
Transistor(PNP)
TO-92
1. EMITTER
2. COLLECTOR
3 BASE
Features
Low speed switching
MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage -40 V
VCEO Collector-Emitter Voltage -30 V
VEBO Emitter-Base Voltage -6 V
Dimensions in inches and (millimeters)
IC Collector Current -Continuous -3 A
PC Collector Power Dissipat

1.8. hsb772s.pdf Size:59K _hsmc

Spec. No. : HE6549
HI-SINCERITY
Issued Date : 1992.11.25
Revised Date : 2004.08.13
MICROELECTRONICS CORP.
Page No. : 1/5
HSB772S
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
The HSB772S is designed for using in output stage of 0.75W amplifier, voltage
regulator, DC-DC converter and driver.
TO-92
Absolute Maximum Ratings
• Maximum Temperatures
Storage Temperature…………………

1.9. btb772st3.pdf Size:221K _cystek

Spec. No. : C809T3
Issued Date : 2008.08.01
CYStech Electronics Corp.
Revised Date:
Page:1/5
Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor
BTB772ST3
Features
• Low VCE(sat), typically -0.45 V at IC / IB = -2A / -0.2A
• Excellent current gain characteristics
• Pb-free package
Symbol Outline
BTB772ST3 TO-126
B:Base
C:Collector
E:Emitter
E C B
Absolute

1.10. hb772s.pdf Size:27K _shantou-huashan

 PN P S I L I C O N T R A N S I S T O R
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. P
HB772S
█ AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER
LOW SPEED SWITCHING
TO-92
█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
Tstg——Storage Temperature⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯ -55~150℃
Tj——Junction Temperature⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯150℃
PC——Collector Dissipation⋯⋯

B772-Y Datasheet (PDF)

1.1. b772-r b772-y.pdf Size:245K _upd

B772-R
MCC
Micro Commercial Components
TM
B772-O
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
CA 91311 B772-Y
Phone: (818) 701-4933
B772-GR
Fax: (818) 701-4939
Features
• Capable of 1.25Watts of Power Dissipation. PNP Silicon
• Collector-current 3.0A
Plastic-Encapsulate
• Collector-base Voltage 40V
• Operating and storage junction temperature range: -55O

1.2. 2sb772-y.pdf Size:287K _update

2SB772-R
MCC
2SB772-O
Micro Commercial Components
TM
20736 Marilla Street Chatsworth
2SB772-Y
Micro Commercial Components
CA 91311
2SB772-GR
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
• Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) («P» Suffix designates
PNP Silicon
RoHS Compliant. See ordering information)
• Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Plastic-Encapsulat

 5.1. b772-gr b772-o.pdf Size:245K _upd

B772-R
MCC
Micro Commercial Components
TM
B772-O
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
CA 91311 B772-Y
Phone: (818) 701-4933
B772-GR
Fax: (818) 701-4939
Features
• Capable of 1.25Watts of Power Dissipation. PNP Silicon
• Collector-current 3.0A
Plastic-Encapsulate
• Collector-base Voltage 40V
• Operating and storage junction temperature range: -55O

5.2. 2sb772-r.pdf Size:287K _update

2SB772-R
MCC
2SB772-O
Micro Commercial Components
TM
20736 Marilla Street Chatsworth
2SB772-Y
Micro Commercial Components
CA 91311
2SB772-GR
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
• Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) («P» Suffix designates
PNP Silicon
RoHS Compliant. See ordering information)
• Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Plastic-Encapsulat

 5.3. 2sb772-gr.pdf Size:287K _update

2SB772-R
MCC
2SB772-O
Micro Commercial Components
TM
20736 Marilla Street Chatsworth
2SB772-Y
Micro Commercial Components
CA 91311
2SB772-GR
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
• Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) («P» Suffix designates
PNP Silicon
RoHS Compliant. See ordering information)
• Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Plastic-Encapsulat

5.4. 2sb772-o.pdf Size:287K _update

2SB772-R
MCC
2SB772-O
Micro Commercial Components
TM
20736 Marilla Street Chatsworth
2SB772-Y
Micro Commercial Components
CA 91311
2SB772-GR
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
• Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) («P» Suffix designates
PNP Silicon
RoHS Compliant. See ordering information)
• Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Plastic-Encapsulat

 5.5. 2sb772-s.pdf Size:174K _fci

5.6. 2sb772-126.pdf Size:891K _kexin

DIP Type Transistors
PNP Tr
ansistors
2SB772
TO-126
Unit:mm
8.00± 0.30 3.25± 0.20
■ Features
● PNP transistor High current output up to 3A
● Low Saturation Voltage
ø3.20± 0.10
● Complement to 2SD882
(1.00) (0.50)
0.75± 0.10
1.75± 0.20
1.60± 0.10
0.75± 0.10
1 2 3
#1
+0.10
2.28TYP 2.28TYP 0.50 –0.05

1. Base
2. Collector
3. Emitte

B772S Datasheet (PDF)

1.1. btb772sa3.pdf Size:352K _upd

Spec. No. : C817A3-H
Issued Date : 2003.05.31
CYStech Electronics Corp.
Revised Date:2013.03.21
Page:1/6
Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor
BTB772SA3
Features
• Low VCE(sat),typically -0.3 V at IC / IB = -2A / -0.2A
• Excellent current gain characteristics
• Complementary to BTD882SA3
• Pb-free lead plating and halogen-free package
Symbol Outline
BTB77

1.2. 2sb772s 3ca772s.pdf Size:256K _update

2SB772S(3CA772S) 硅 PNP 半导体三极管/SILICON PNP TRANSISTOR
用途:用于 3 瓦音频放大输出,电压调节器,电源转换器和继电器驱/Purpose: Output
stage of 3 watts audio amplifier, regulator, DC-DC converter and relay driver.
特点:饱和压降 V 小,线性极好,h 高/Features: Low saturation voltage, excellent h
FE
CE(sat) FE
linearity and high h .
FE
极限

 1.3. b772ss.pdf Size:233K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
B772SS PNP SILICON TRANSISTOR
MEDIUM POWER LOW
VOLTAGE TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC B772SS is a medium power low voltage transistor,
designed for audio power amplifier, DC-DC converter and voltage
regulator.
FEATURES
* High current output up to 3A
* Low saturation voltage
* Complement to D882SS
ORDERING INFORMATION
Order Number Pin A

1.4. 2sb772s.pdf Size:251K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2SB772S PNP SILICON TRANSISTOR
MEDIUM POWER LOW
VOLTAGE TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC 2SB772S is a medium power low voltage transistor,
designed for audio power amplifier, DC-DC converter and voltage
regulator.
FEATURES
* High current output up to 3A
* Low saturation voltage
* Complement to 2SD882S
ORDERING INFORMATION
Ordering Number

 1.5. b772s.pdf Size:346K _secos

B772S
-3A , -40V
PNP Plastic-Encapsulated Transistor
Elektronische Bauelemente
RoHS Compliant Product
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free
TO-92
FEATURES
Low speed switching.
G H
1Emitter
1
1
1
2Collector
2
2
2
J
3Base
3
3
3
CLASSIFICATION OF hFE
A D
Millimeter
Product-Rank B772S-R B772S-O B772S-Y B772S-GR
REF.
B
Min. Max.
A 4.40 4.70

1.6. tsb772sct.pdf Size:78K _taiwansemi

 TSB772S
Low Vcesat PNP Transistor
TO-92
Pin Definition:
PRODUCT SUMMARY
1. Emitter
BVCBO -50V
2. Collector
3. Base
BVCEO -30V
IC -3A
VCE(SAT) -0.5V @ IC / IB = -2A / -200mA
Features Ordering Information
● Low VCE(SAT) -0.25 @ IC / IB = 2A / 200mA (Typ.)
Part No. Package Packing
● Complementary part with TSD882S
TSB772SCT B0 TO-92 1Kpcs / Bulk
Structure
T

1.7. b772s.pdf Size:195K _lge

B772S
Transistor(PNP)
TO-92
1. EMITTER
2. COLLECTOR
3 BASE
Features
Low speed switching
MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage -40 V
VCEO Collector-Emitter Voltage -30 V
VEBO Emitter-Base Voltage -6 V
Dimensions in inches and (millimeters)
IC Collector Current -Continuous -3 A
PC Collector Power Dissipat

1.8. hsb772s.pdf Size:59K _hsmc

Spec. No. : HE6549
HI-SINCERITY
Issued Date : 1992.11.25
Revised Date : 2004.08.13
MICROELECTRONICS CORP.
Page No. : 1/5
HSB772S
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
The HSB772S is designed for using in output stage of 0.75W amplifier, voltage
regulator, DC-DC converter and driver.
TO-92
Absolute Maximum Ratings
• Maximum Temperatures
Storage Temperature…………………

1.9. btb772st3.pdf Size:221K _cystek

Spec. No. : C809T3
Issued Date : 2008.08.01
CYStech Electronics Corp.
Revised Date:
Page:1/5
Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor
BTB772ST3
Features
• Low VCE(sat), typically -0.45 V at IC / IB = -2A / -0.2A
• Excellent current gain characteristics
• Pb-free package
Symbol Outline
BTB772ST3 TO-126
B:Base
C:Collector
E:Emitter
E C B
Absolute

1.10. hb772s.pdf Size:27K _shantou-huashan

 PN P S I L I C O N T R A N S I S T O R
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. P
HB772S
█ AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER
LOW SPEED SWITCHING
TO-92
█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
Tstg——Storage Temperature⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯ -55~150℃
Tj——Junction Temperature⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯150℃
PC——Collector Dissipation⋯⋯

2SB772L Datasheet (PDF)

1.1. 2sb772l 3ca772l.pdf Size:280K _update

2SB772L(3CA772L) 硅 PNP 半导体三极管/SILICON PNP TRANSISTOR
用途:用于 3 瓦音频放大输出,电压调节器,电源转换和继电器驱动。
Purpose: Output stage of 3 watts audio amplifier, voltage regulator, DC-DC converter and relay
driver.
特点:饱和压降小, h 高且线性好/Features: Low saturation voltage, excellent h linearity
FE
FE
and high h .
FE

1.2. 2sb772l.pdf Size:24K _utc

UTC 2SB772L PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
MEDIUM POWER LOW VOLTAGE
TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC 2SB772L is a medium power low voltage
transistor, designed for audio power amplifier, DC-DC
converter and voltage regulator.
FEATURES
*High current output up to 3A
*Low saturation voltage
*Complement to 2SD882L
TO-92L
1:EMITTER 2:COLLECTOR 3:BASE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Ta=25C ,unl

 1.3. 2sb772l.pdf Size:468K _blue-rocket-elect

2SB772L(BR3CA772L)
Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET
描述 / Descriptions
TO-92LM 塑封封装 PNP 半导体三极管。Silicon PNP transistor in a TO-92LM Plastic Package.
特征 / Features
饱和压降小, h 高且线性好。
FE
Low saturation voltage, excellent hFE linearity and high hFE.
用途 / Applications
用于 3 瓦音频放大输出,电压调节器,电源转换和继电

Биполярный транзистор B772S — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: B772S

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60

Корпус транзистора: TO92

B772S


Datasheet (PDF)

1.1. btb772sa3.pdf Size:352K _upd

Spec. No. : C817A3-H
Issued Date : 2003.05.31
CYStech Electronics Corp.
Revised Date:2013.03.21
Page:1/6
Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor
BTB772SA3
Features
• Low VCE(sat),typically -0.3 V at IC / IB = -2A / -0.2A
• Excellent current gain characteristics
• Complementary to BTD882SA3
• Pb-free lead plating and halogen-free package
Symbol Outline
BTB77

1.2. 2sb772s 3ca772s.pdf Size:256K _update

2SB772S(3CA772S) 硅 PNP 半导体三极管/SILICON PNP TRANSISTOR
用途:用于 3 瓦音频放大输出,电压调节器,电源转换器和继电器驱/Purpose: Output
stage of 3 watts audio amplifier, regulator, DC-DC converter and relay driver.
特点:饱和压降 V 小,线性极好,h 高/Features: Low saturation voltage, excellent h
FE
CE(sat) FE
linearity and high h .
FE
极限

 1.3. b772ss.pdf Size:233K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
B772SS PNP SILICON TRANSISTOR
MEDIUM POWER LOW
VOLTAGE TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC B772SS is a medium power low voltage transistor,
designed for audio power amplifier, DC-DC converter and voltage
regulator.
FEATURES
* High current output up to 3A
* Low saturation voltage
* Complement to D882SS
ORDERING INFORMATION
Order Number Pin A

1.4. 2sb772s.pdf Size:251K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2SB772S PNP SILICON TRANSISTOR
MEDIUM POWER LOW
VOLTAGE TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC 2SB772S is a medium power low voltage transistor,
designed for audio power amplifier, DC-DC converter and voltage
regulator.
FEATURES
* High current output up to 3A
* Low saturation voltage
* Complement to 2SD882S
ORDERING INFORMATION
Ordering Number

 1.5. b772s.pdf Size:346K _secos

B772S
-3A , -40V
PNP Plastic-Encapsulated Transistor
Elektronische Bauelemente
RoHS Compliant Product
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free
TO-92
FEATURES
Low speed switching.
G H
1Emitter
1
1
1
2Collector
2
2
2
J
3Base
3
3
3
CLASSIFICATION OF hFE
A D
Millimeter
Product-Rank B772S-R B772S-O B772S-Y B772S-GR
REF.
B
Min. Max.
A 4.40 4.70

1.6. tsb772sct.pdf Size:78K _taiwansemi

 TSB772S
Low Vcesat PNP Transistor
TO-92
Pin Definition:
PRODUCT SUMMARY
1. Emitter
BVCBO -50V
2. Collector
3. Base
BVCEO -30V
IC -3A
VCE(SAT) -0.5V @ IC / IB = -2A / -200mA
Features Ordering Information
● Low VCE(SAT) -0.25 @ IC / IB = 2A / 200mA (Typ.)
Part No. Package Packing
● Complementary part with TSD882S
TSB772SCT B0 TO-92 1Kpcs / Bulk
Structure
T

1.7. b772s.pdf Size:195K _lge

B772S
Transistor(PNP)
TO-92
1. EMITTER
2. COLLECTOR
3 BASE
Features
Low speed switching
MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage -40 V
VCEO Collector-Emitter Voltage -30 V
VEBO Emitter-Base Voltage -6 V
Dimensions in inches and (millimeters)
IC Collector Current -Continuous -3 A
PC Collector Power Dissipat

1.8. hsb772s.pdf Size:59K _hsmc

Spec. No. : HE6549
HI-SINCERITY
Issued Date : 1992.11.25
Revised Date : 2004.08.13
MICROELECTRONICS CORP.
Page No. : 1/5
HSB772S
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
The HSB772S is designed for using in output stage of 0.75W amplifier, voltage
regulator, DC-DC converter and driver.
TO-92
Absolute Maximum Ratings
• Maximum Temperatures
Storage Temperature…………………

1.9. btb772st3.pdf Size:221K _cystek

Spec. No. : C809T3
Issued Date : 2008.08.01
CYStech Electronics Corp.
Revised Date:
Page:1/5
Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor
BTB772ST3
Features
• Low VCE(sat), typically -0.45 V at IC / IB = -2A / -0.2A
• Excellent current gain characteristics
• Pb-free package
Symbol Outline
BTB772ST3 TO-126
B:Base
C:Collector
E:Emitter
E C B
Absolute

1.10. hb772s.pdf Size:27K _shantou-huashan

 PN P S I L I C O N T R A N S I S T O R
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. P
HB772S
█ AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER
LOW SPEED SWITCHING
TO-92
█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
Tstg——Storage Temperature⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯ -55~150℃
Tj——Junction Temperature⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯150℃
PC——Collector Dissipation⋯⋯

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

B772M Datasheet (PDF)

1.1. b772m.pdf Size:643K _upd

 JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors
TO-252-2L
B772M TRANSISTOR (PNP)
FEATURES
1. BASE
Low Speed Switching
2. COLLECTOR
3. EMITTER
MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Unit
VCBO Collector-Base Voltage -40 V
VCEO Collector-Emitter Voltage -30 V
VEBO Emitter-Base Voltage -6 V

1.2. 2sb772m 3ca772m.pdf Size:220K _update

2SB772M(3CG772M) 硅 PNP 半导体三极管/SILICON PNP TRANSISTOR
用途:用于音频放大输出,电压调节器,电源转换和继电器驱动。
Purpose: Output stage of audio amplifier, voltage regulator, DC-DC converter and relay driver.
特点:饱和压降小, h 高且线性好/Features: Low saturation voltage, excellent h linearity
FE
FE
and high h .
FE
极限参数/Absolut

 1.3. 2sb772m.pdf Size:341K _blue-rocket-elect

2SB772M(BR3CG772M)
Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET
描述 / Descriptions
SOT-23 塑封封装 PNP 半导体三极管。Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package.
特征 / Features
饱和压降小, hFE 高且线性好。
Low saturation voltage, excellent hFE linearity and high hFE.
用途 / Applications
用于音频放大输出,电压调节器,电源转换和继电器驱动。

B772P Datasheet (PDF)

1.1. b772p.pdf Size:116K _jdsemi

R
B772P
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor
ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.
◆Si PNP
◆RoHS COMPLIANT
1.
1.
1.APPLICATION
1.
Charger、Emergency lamp and
Electric toy control circuit
2.
2.
2.FEATURES
2.

1.2. b772pc.pdf Size:114K _jdsemi

R
B772PC
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor
ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.
◆Si PNP
◆RoHS COMPLIANT
1.
1.
1.APPLICATION
1.
Charger、Emergency lamp and
Electric toy control circuit
2
2.
2.
2.FEATURES
2

 1.3. b772pc 2.pdf Size:114K _jdsemi

R
B772PC
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor
ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.
◆Si PNP
◆RoHS COMPLIANT
1.
1.
1.APPLICATION
1.
Charger、Emergency lamp and
Electric toy control circuit
2.
2.
2.FEATURES
2.

B722 Datasheet (PDF)

1.1. b722.pdf Size:207K _upd

 B772(PNP)
TO-126 Transistor
TO-126
1. EMITTER
2.COLLECTOR
3.BASE
3
2
1
Features

Low speed switching
2.500
7.400
2.900
1.100
7.800 Dimensions in inches and (millimeters)
1.500
MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted)
3.900
3.000
4.100
Symbol Parameter Value Units
3.200
10.600
0.000
VCBO Collector-Base Voltage -40 V
11.000
0.300
VCEO Collector-E

1.2. ksb722.pdf Size:93K _upd

PNP Transistor KSB772 datasheet
www.semicon-data.de
PNP Transistor KSB772 datasheet
www.semicon-data.de
PNP Transistor KSB772 datasheet
www.semicon-data.de

 1.3. 2sb722.pdf Size:206K _inchange_semiconductor

isc Silicon PNP Power Transistors 2SB722
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = -160V(Min)
(BR)CEO
·High Power Dissipation-
: P = 150W(Max)@T =25℃
C C
·High Current Capability
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for power amplifier applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMB

1.4. b722 to-126.pdf Size:206K _lge

B772(PNP)
TO-126 Transistor
TO-126
1. EMITTER
2.COLLECTOR
3.BASE
3
2
1
Features

Low speed switching
2.500
7.400
2.900
1.100
7.800 Dimensions in inches and (millimeters)
1.500
MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted)
3.900
3.000
4.100
Symbol Parameter Value Units
3.200
10.600
0.000
VCBO Collector-Base Voltage -40 V
11.000
0.300
VCEO Collector-Emitte

B772PC Datasheet (PDF)

1.1. b772pc.pdf Size:114K _jdsemi

R
B772PC
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor
ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.
◆Si PNP
◆RoHS COMPLIANT
1.
1.
1.APPLICATION
1.
Charger、Emergency lamp and
Electric toy control circuit
2
2.
2.
2.FEATURES
2

1.2. b772pc 2.pdf Size:114K _jdsemi

R
B772PC
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor
ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.
◆Si PNP
◆RoHS COMPLIANT
1.
1.
1.APPLICATION
1.
Charger、Emergency lamp and
Electric toy control circuit
2.
2.
2.FEATURES
2.

 5.1. b772p.pdf Size:116K _jdsemi

R
B772P
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor
ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.
◆Si PNP
◆RoHS COMPLIANT
1.
1.
1.APPLICATION
1.
Charger、Emergency lamp and
Electric toy control circuit
2.
2.
2.FEATURES
2.

2SD772 Datasheet (PDF)

1.1. 2sd772.pdf Size:208K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD772
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: V = 80V(Min.)
CEO(SUS)
·Collector-Emitter Saturation Voltage-
: V = 1.6V(Max.) @I = 5A
CE(sat) C
·High Speed Switching
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for power amplifier applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

1.2. 2sd772 2sd772a 2sd772b.pdf Size:81K _inchange_semiconductor

Inchange Semiconductor Product Specification
Silicon NPN Power Transistors 2SD772 2SD772A 2SD772B
DESCRIPTION ·
·With TO-220C package
·High breakdown voltage
·High speed switching
APPLICATIONS
·For power amplifier applications
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
Collector;connected to
2
mounting base
3 Emitter
Absolute maximum ratings(Ta=25?)
SYMBOL PARAMETER CONDITION

 5.1. 2sd777.pdf Size:231K _toshiba

 This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

5.2. 2sd773.pdf Size:166K _nec

 5.3. 2sd774.pdf Size:161K _nec

B772-R Datasheet (PDF)

1.1. b772-r b772-y.pdf Size:245K _upd

B772-R
MCC
Micro Commercial Components
TM
B772-O
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
CA 91311 B772-Y
Phone: (818) 701-4933
B772-GR
Fax: (818) 701-4939
Features
• Capable of 1.25Watts of Power Dissipation. PNP Silicon
• Collector-current 3.0A
Plastic-Encapsulate
• Collector-base Voltage 40V
• Operating and storage junction temperature range: -55O

1.2. 2sb772-r.pdf Size:287K _update

2SB772-R
MCC
2SB772-O
Micro Commercial Components
TM
20736 Marilla Street Chatsworth
2SB772-Y
Micro Commercial Components
CA 91311
2SB772-GR
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
• Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) («P» Suffix designates
PNP Silicon
RoHS Compliant. See ordering information)
• Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Plastic-Encapsulat

 5.1. b772-gr b772-o.pdf Size:245K _upd

B772-R
MCC
Micro Commercial Components
TM
B772-O
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
CA 91311 B772-Y
Phone: (818) 701-4933
B772-GR
Fax: (818) 701-4939
Features
• Capable of 1.25Watts of Power Dissipation. PNP Silicon
• Collector-current 3.0A
Plastic-Encapsulate
• Collector-base Voltage 40V
• Operating and storage junction temperature range: -55O

5.2. 2sb772-y.pdf Size:287K _update

2SB772-R
MCC
2SB772-O
Micro Commercial Components
TM
20736 Marilla Street Chatsworth
2SB772-Y
Micro Commercial Components
CA 91311
2SB772-GR
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
• Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) («P» Suffix designates
PNP Silicon
RoHS Compliant. See ordering information)
• Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Plastic-Encapsulat

 5.3. 2sb772-gr.pdf Size:287K _update

2SB772-R
MCC
2SB772-O
Micro Commercial Components
TM
20736 Marilla Street Chatsworth
2SB772-Y
Micro Commercial Components
CA 91311
2SB772-GR
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
• Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) («P» Suffix designates
PNP Silicon
RoHS Compliant. See ordering information)
• Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Plastic-Encapsulat

5.4. 2sb772-o.pdf Size:287K _update

2SB772-R
MCC
2SB772-O
Micro Commercial Components
TM
20736 Marilla Street Chatsworth
2SB772-Y
Micro Commercial Components
CA 91311
2SB772-GR
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
• Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) («P» Suffix designates
PNP Silicon
RoHS Compliant. See ordering information)
• Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Plastic-Encapsulat

 5.5. 2sb772-s.pdf Size:174K _fci

5.6. 2sb772-126.pdf Size:891K _kexin

DIP Type Transistors
PNP Tr
ansistors
2SB772
TO-126
Unit:mm
8.00± 0.30 3.25± 0.20
■ Features
● PNP transistor High current output up to 3A
● Low Saturation Voltage
ø3.20± 0.10
● Complement to 2SD882
(1.00) (0.50)
0.75± 0.10
1.75± 0.20
1.60± 0.10
0.75± 0.10
1 2 3
#1
+0.10
2.28TYP 2.28TYP 0.50 –0.05

1. Base
2. Collector
3. Emitte

Оцените статью:

Теория работы схемы V772 — [Документ в формате PDF]

15 мая 2015 г.

Загрузить отчет

Автор: jose-feliciano-machado

Расшифровка:

  • 1. Руководство по обслуживанию ЭЛТ-монитора V772 Блок-схема отклонения: Цепь контроллера H-синхронизации, цифрового наклона, вращения, V-синхронизации, ИС контроллера автосинхронизации, шины I2C, повышающего отклонения, TDA4856, Повышение вертикального отклонения

2.Руководство по обслуживанию ЭЛТ-монитора V772 Теория работы схемы 2. Контроллер автосинхронизации отклонения (TDA4856) 2.1 контакт 1 — обратная связь AFC. 2.2-контактный XRAY: если V XRAY> порогового значения (обычно 6,25 В), вся микросхема переключается в режим защиты. 2.3 контакт 3,4,5,6,8 для функционального блока управления B +. 2.4 контакт 11 (EWDRV) представляет собой параболическую форму волны, используемую для коррекции подушкообразной подушки. 2.5 контакт 16 генерирует импульс видеосигнала и гашения. 2,6 пин 18,19 — это данные I2C. 2.7 контакт 21 V-регулировка. 2.8 резистор между контактом 28 (HREF) и землей определяет максимальную частоту генератора.2.9 резистор между выводом 27 (HBUF) и выводом 28 определяет частотный диапазон. 2.10 контакт 31 H-регулировка. 2.11 пин 32 фокус. + 48VZD204 + 14V C205 + 30V2.2UR205 50V110K D201 (EL) 1N4148 R236 10R203 1 / 2W62K (FS) VR201 R238 R257 HVADPERJ 12K2.2K + 14V HDRV (ОТКРЫТЫЙ) + 14VEWDRV PEUGEOT R206 Z22DV + R206 Z2200 R2UR (100%) EL) 100HV-ADJC222 V1 R2041U2.2KR222 R264 1 / 4W C202 50V 4.7K 1000.01U (EL) C227R221 1 / 4W10K PWM + VBL 100V0.1UR201 + C201 (PE) 50V100 47U (D) Q201 HBLAMP 50VH20845R202 10К 1MC204 +2.2U R21615.8KCLBL 16 HSYNC 15VSYNC 14 VOUT1 13VOUT2 12 EWDRV11VCC10 50V (1%) 9 HDRV 8 GND 7BDRV 6 BIN 5BSENS 4BOP 3XRAY 2HFLB 1TP3TP2 (EL)% ic + 48VR217 R21DA + 1422V (IC + 48VR217 R218 + 1422V) IC + 48VR217 R218 + 1422V ) 17 HUNLOCK10K31 HSMOD21 VSMOD 20 ASCOR32 FOCUS 26 HPLL130 HPLL2 25 SGND 22 VAGC29 HCAP24 VCAP27 HBUF 28 HREF23 VREF19 SDA 18 SCLR270 HFLB10K R263 HULK 1KFOCUSSCL R214 HSMOD2 R209 R209 1KFOCUSSCL (R214 HSMOD R710 R209 1000 R21 1000 R209) R209 C20 C206 (PE) C208 2,67K C210R268R261 1000,1U0.1UC209 (1%) 0,01U C211 120K (ОТКРЫТО) SC2VSMOD 100V R2128200PR266 2200P R260 D20822.1K 100V 100V100V100VR211 (PE) (1%) (PE) 8,2M (EPI) 390K (OPEN) ПЕРЕМЫЧКА (PE) (PE) R258SC1 (OPEN) D206 (OPEN) SC0D207 1N4148 Рис. H-драйвер и выходной CKT: сигнал 3.1 HDRV поступает с контакта 8 IC201, затем переходит в Q301, Q301 составляет инвертирующий каскад и объединяется с T302 для управления Q302. 3.2 Q302, C306, C309, D305 составляют CKT H-выхода с режимом диодного модулятора. 3.3 Q324 и Q325 представляют собой переключатель для переключения низкочастотного драйвера, чтобы перекрыть низкую hfe. ГОРЯЧАЯ работа на низкой частоте приведет к плохому состоянию привода.2 Конфиденциально 3. Руководство по обслуживанию ЭЛТ-монитора V772 Теория работы схемы Рис. 3 HDRV и выходная схема 4. Динамический фокус CKTA Согласно спецификации ЭЛТ динамический фокус Vpp = 300 В V динамический фокус Vpp = 130 В 4-1 Вертикальный динамический фокус Сигнал от IC201 (вывод 32) представляет собой параболический сигнал с вертикальной частотой. Q321: каскад инвертирующего усилителя. 4-2 Горизонтальный динамический фокус: Форма сигнала C313 (CS-2, CS-1) представляет собой параболический сигнал горизонтальной частоты, усиленный T304.3 Конфиденциально 4.Руководство по обслуживанию ЭЛТ-монитора V772 Теория работы схемы + 14VR391 DAF1K CS-2 + C346 + C327C32922U R35110UR3730.033U16V68K50V 150R327 400V (EL) (EL) 1 / 2W 10 (MPE) 1W (FS) R352T3043.9K 3 2 R3211KFOC CS-119.20113.001 C328R353 470P560K1KV1 / 4W (D) -190V Рис. 4 Схема динамической фокусировки 5. Яркость и убийца пятен CKT.5.1 G1 CKT Яркий контрольный сигнал от контроллера UC составляет около 0 ~ 5 В, когда напряжение яркого контрольного сигнала уменьшается, ток, протекающий через R241, увеличивается, а напряжение G1 увеличивается.5.2 Гашение CKT Чтобы избежать искажения изображения на экране, мы должны гасить монитор в следующих ситуациях. (1) при изменении режима отображения. (2) когда монитор переходит в режим энергосбережения. (3) очистите вертикальную линию обратного хода, когда «пустой» сигнал станет высоким. Q208 «ВКЛ», Q203 «ВЫКЛ». Напряжение G1 составляет около (-190 * R271 / (R271 + R241)) -184В. Сигнал IC201 (вывод 16) инвертируется и усиливается Q202 и связывается с G1. Во время интервала вертикального отката напряжение G1 будет падать примерно на 48 В.4 Конфиденциально 5. Руководство по обслуживанию ЭЛТ-монитора V772 Теория работы схемы + 45 В + 6,5 В R231 R232 1005,6 К 1/4 Вт 1/2 Вт (D) R256 G1HULK 10KR241R271 R269100K 1M1K1 / 2W1 / 2W -190VFig5 Схема подавителя яркости и пятна 6. BDRV и повышающий CKT6.1 Сигнал «BDRV» с контакта 6 TDA4856 имеет прямоугольную форму. Он инвертируется и усиливается Q201, Q311 и Q312 составляют буферный каскад. 6.2 Q325, L301, D318, C323 — это повышающая схема B + = 45 * (Ton + Toff) / Toff.B + + 45 В C334R3331000P C322 10 1 кВ (ОТКРЫТЫЙ) L301 1 Вт (D) 100 В 900UH (PE) 19.40195.001 + 14VAQ311 H945 D318 UG4D + C323 4.7U Q325 250V IRF630 R370 (ELDR) R37147PWM7 10K Q3 6. Руководство по обслуживанию ЭЛТ-монитора V772 Теория работы схемы 7. Цепь отключения высокого напряжения Вывод 2 микросхемы IC201 (XRAY) обеспечивает датчик напряжения с пороговым значением. Если напряжение на выводе XRAY превышает этот порог (обычно 6,25 В), выводы HDRV, BDRV, VOUT1 и VOUT2 являются плавающими. Когда напряжение на аноде увеличивается, напряжение на FBT (вывод 3) увеличивается, а напряжение на выводе 2 IC201 увеличивается.Напряжение отключения около 28кВ. C204 + 2.2UR21615.8K50V (1%) TP3 TP2CLBL 16HSYNC 15VSYNC 14VOUT1 13VOUT2 12EWDRV11 VCC 10 9HDRV 8 GND 7 BDRV 6 BIN 5 BSENS 4BOP 3 XRAY 2 HFLB 1 (EL) + 48V i.c. R217 R218IC201100K22.1K TDA4856 (1%) (1%) 17 HUNLOCK 31 HSMOD21 VSMOD20 ASCOR 32 FOCUS26 HPLL1 30 HPLL225 SGND22 VAGC 29 HCAP 24 VCAP 27 HBUF 28 HREF 23 VREF19 SDA18 SCL Рис. Таблица истинности Диапазон частот SC0 SC1 SC2 Cs CapacitorFh 36K 0 0 0C310 + C311 + C312 + C31336KFh50K 00 1C310 + C311 + C31240KFh51K 10 1C310 + C31251K Fh62K10 1C310 + C31262K Fh1072K11 Конфиденциально 7C.V772 CRT монитор Сервис GuideCircuit Операция Теория T30119.70066.001 D1 * (красный) дых + В + А 152DYH- 12 (БЕЛ) L304 10uH 16В 19.50051.051 + 6.5V2 3R322102WD32258 1N4148R309 3 2202W5 4 Q322H945H-LIN4C321R319 D312 560PQ324 10K6 RGP10J1KV C2235C330 (ОТКРЫТЫЙ ) 9 50 В (D) BCS-2 C313 C312 C3110.15U 0,33 1,0U + 14 В 250 В 250 В 250 В (MPP) (MPP) (MPP) R316 C310 Q3074.7K0.3U Q308 IRF640400VR338 IRF630 R320 (MPP) 100K100K1 / 4WAD317F C316 47K 0,047U50V SC0 A (D) Q303 R315H94547K R324C317D31047K0.047U FR155 SC150V Q304 R325 (D) R326H94547KQ3094.7KIRF630 R321 100KA 1 / 4W + 14V D311R312 C315 FR1554.7K R313 0,047U47K 50V (D) SC2CS-1 Q305 R311 H94547K Рис. 8 Линейная цепь 7 Конфиденциальная информация 8. Руководство по обслуживанию ЭЛТ-монитора V772 Теория работы схемы 9. ЦЕПЬ ABL Когда ток луча превышает ограниченный ток, схема ABL понижает напряжение видео предусилителя (вывод 10), чтобы уменьшить коэффициент усиления видеоусилителя. T30119.70066.0011 (КРАСНЫЙ) 152 12 (БЕЛЫЙ) 16 ABLADJ 8R308D306R310 10K 1N4148 1.5K5C324 1 / 2W3 1500PABL 100V R314 (PE) D3076.8K 1N4148469Fig 9 Цепь ABL8 Конфиденциальная информация 9.Руководство по обслуживанию ЭЛТ-монитора V772 Теория работы схемы 10. НАКЛОН CKT Мы можем вращать растр по или против часовой стрелки, изменяя направление тока, протекающего через катушку наклона. Когда напряжение MP202 (вывод 3) больше 8 В, ток течет от Q205 к катушке наклона, в противном случае ток течет от катушки наклона. к Q206 + 6,5 В + 14 В + 14 В MP202 3PQ2071R247H945 R2492.2K (ОТКРЫТО) 2 + 5 В Q205 1 / 4WH9453R246 R245 НАКЛОННАЯ КАТУШКА R24310K10K (ОТКРЫТО) + C228Q2062.2UA733 50VQUC204 (EL.2K50V A733 (EL) Рис. 10 Схема наклона 9 Конфиденциально 10. Руководство по обслуживанию ЭЛТ-монитора V772 Теория работы схемы 11. Вертикальная схема вывода Эта схема вертикального драйвера представляет собой полумостовую конфигурацию Сигналы от TDA4856 OSC IC к TDA4863AJIC202TDA4863AJ -8,5 В + 14 В V-OUT GNDC217 VP2 VP3 VP1 INN INP470UR227 16V0,22 + 1 / 2W 7 65 4 321R228 (EL) (FS) 1K V1 C213 V2D202 + 1000U 1N4003 25VR229 (EL) 1K (105C) C219C218 R224 + C214 5600P5600PR253 5.6100U100V100V180 DYV + 1 / 4W 35V ZD202 (PE) (PE) R250 1 / 4WR251 20V252.8K 1.8K180DYV-C216 C220 1 / 4W0.1U 0.1U100VR226 R274 100V (PE) 270 33K (PE) V + C215R275470U 27K R22516V1 + (EL) 1 / 2WTR201100 Рис. Теория работы источника питания 1. Общие характеристики Входное напряжение: 90 ~ 264 В переменного тока (ПОЛНЫЙ ДИАПАЗОН) Входная частота: 47 ~ 63 Гц Требования к выходу: Выход постоянного тока + 6 В + 13 В + 78 В + 45 В-10 В 2. Блок-схема DEGAUSS CIRCUIT OUTPUTRECTIFIER ISOLATIONRECTIFIERAC RFISWITCHING AND INPUTFILTER & ELEMENT TRANSFOROUTPUTFILTER-MER FILTERFEEDBACKCONTROL POWERCIRCUIT SAVINGCONTROL3.Теорема работы цепи 3.1 RFI FILTERLC603 L602 2200P L603C601250V 34 0,47U (Y) R601250V (X) C602 12 2200P L604250V (Y) N FG Эта цепь предназначена для подавления электрических и магнитных помех в соответствии со стандартами FCC, VDE, VCCI.11 Конфиденциальная информация 12. Руководство по обслуживанию ЭЛТ-монитора V772 Теория работы схемы 3.2 Выпрямитель и фильтр L D602 ~ D605320D6 * 4 ~ 41AC INPUT- + C612 ~ 2 + 220U DC OUTPUT400VN (EL) Когда переключатель питания включен, напряжение переменного тока становится выпрямителем и фильтруется D603 ~ D606, C612. Напряжение на выходе постоянного тока будет равно 1.4 * (вход переменного тока) 3.3 переключающий элемент и изолирующий трансформатор T601 FR701 C53B61 611 (КОРОТКИЙ) R604C61382K0.01U 2Вт 1кВ ZD601 (D) C50 (ОТКРЫТЫЙ) 12C614D610 D613 (ОТКРЫТЫЙ) UF4007 (ОТКРЫТЫЙ) FR702 10C51L606 1 (КОРОТКИЙ) (КОРОТКИЙ) (КОРОТКИЙ) L608 C608 47U RGP10D (BEAD) 25V8 (EL) C624 220P Q602 1KV FS14SM-12 (D) L60715 (BEAD) R619 R608D614 47020KUF40072W18R607 * 0,15 2W16 FR704913 (КОРОТКИЙ) в режиме с накоплением энергии EGP30B с прерывистым преобразователем R6111 Обратный трансформатор (фактически индуктор) должен быть равен нулю в начале и в конце каждого периода переключения.Во время «ВКЛ» энергия, взятая со входа, сохраняется в трансформаторе, когда 12 Confidential 13. V772 CRT Monitor Service GuideCircuit Operation Теория, когда переключающий транзистор выключается, вся эта накопленная энергия передается на выход. 3.4 Выходной выпрямитель и fi

Benq v772 CRT показывает только синий и зеленый цвета

Проблема должна быть либо в кабеле, либо в микросхеме. \ 015 \ 012 \ 015 \ 012 Сначала проверьте кабель (кабель VGA)

Помощь по ремонту и устранение неисправностей продукта для монитора BenQ Value V772 с ЭЛТ 17 дюймов

Пожалуйста, включите JavaScript, чтобы просматривать комментарии от Disqus.
Советы для отличного ответа:
— Предоставьте подробную информацию, поддержку ссылками или личным опытом.
— Если вам нужны пояснения, задавайте их в поле для комментариев.
— Это 100% бесплатно, регистрация не требуется.

Предлагаемые вопросы / ответы:

Benq v772 CRT показывает только синий и зеленый цвета


Это может быть проблема с кабелем или микросхемой. \ 015 \ 012 \ 015 \ 012 Сначала проверьте кабель (кабель VGA) … BenQ Value V772 ЭЛТ-монитор 17 дюймов

ViewSonc VX924 ЖК-монитор


Проверьте информацию об их гарантии на веб-сайте Viewsonic: http: // www.viewsonic.com/support/warranties/limited-warranty/ Если у вас есть документ, подтверждающий покупку, и он показывает, что монитору меньше года, он бы … ViewSonic VX910 19-дюймовый ЖК-монитор

Crt монитор обработка цветности видео


Сначала вы проверяете непрерывность сигнального кабеля с помощью мультиметра, а затем исправляете его, если неисправен. если г… AOC CT720G 17-дюймовый ЭЛТ-монитор

Монитор переключается в режим ожидания — монитор CV735 с настольным компьютером Presario серии 5000


Мой ЭЛТ-монитор compaq не показывает цвета. он показывает только синий, зеленый цвета. ты, пожалуйста, скажи мне. в чем проблема. как ее решить. \ 015 \ 012 \ 015 \ 012 это неисправность монитора или любая другая. … Compaq CV735 17-дюймовый ЭЛТ-монитор

Нет красного цвета.


Если вы думаете, что научиться ремонтировать электронику очень сложно, то вам следует прочитать эту статью, где только с помощью паяльника можно решить проблему с цветом монитора. Конечно, было много тяжелых случаев с собаками (очень сложно найти вину) я … ViewSonic G70fmb (черный) 17-дюймовый ЭЛТ-монитор

Зеленый цвет отсутствует в моей модели LG 700s


Поскольку вы инженер-электронщик, позвольте нам обсудить техническую сторону вопроса.\ 015 \ 012 \ 015 \ 012 поскольку вы не видите зеленый цвет, это означает, что вы можете видеть изображение пурпурного цвета \ 015 \ 012 \ 015 \ 012, как технически \ 015 \ 0 … LG Studioworks 700S 17-дюймовый ЭЛТ-монитор

Цвета отключены после автонастройки


Кажется, я нашел решение (и, возможно, причину?) Этой проблемы! У меня была ТОЧНАЯ проблема с монитором, который я ремонтировал для друга. Перегорели конденсаторы на плате блока питания (конденсаторы CapXon, у кого бы г… AOpen 19 «ЖК-дисплей

Нужен ли для ЭЛТ источник переменного или постоянного тока? В ЖК-дисплее есть инвертор для генерации сигнала переменного тока для изменения источника питания для разных пикселей на мониторе, чтобы создавать разные цветовые эффекты, нужен ли ЭЛТ источник переменного тока для изменения цветовых эффектов на нем?


Большинство ЭЛТ-дисплеев, продаваемых для использования в США и Канаде (и, вероятно, везде в этом отношении), требуют переменного тока. Это связано с тем, что AC является наиболее популярным режимом, поскольку его легко увеличить для передачи на большие расстояния и уменьшить для использования в коммерческих целях, в формате… Toshiba Tekbright 15-дюймовый ЭЛТ-монитор

В цвете монитора преобладает синий цвет; Зеленый и красный цвета исчезают, превращаясь в желтый и черный


Монитор, вероятно, меняет свой цвет из-за неплотного соединения в одном из проводов, ведущих к красному пистолету ЭЛТ. Просто опустите монитор вниз и коснитесь его задней части. Повторите один или два раза, если проблема не исчезнет. … ЖК-монитор Samsung с диагональю 15,3 дюйма

Проблема с монитором. Только что купил (отремонтированный) монитор Dell у Dell.com. Было это около недели, и у меня были некоторые проблемы. Я запускаю монитор с оптимальным разрешением, и я точно знаю, что моя видеокарта может запускать монитор. Даже все мои драйверы обновлены. Я использую Windows Vista. Например, фон моего рабочего стола — «блаженство». Часть зеленой травы приобретает коричневый цвет. Голубое небо … части синего кажутся неоново-синими, и всегда есть какое-то статическое движение. До


Вы не указали карту, которую используете, но вот как я подхожу к этому вопросу.\ 015 \ 012 \ 015 \ 012 # 1 отремонтированные мониторы имеют как минимум 90-дневную гарантию, поэтому будьте готовы позвонить в службу технической поддержки Dell и устранить неполадки, если моя информация … ЖК-монитор Dell E207WFP

Нет отображения желтого или синего цвета


В мониторе типа ЭЛТ. есть усилитель трех цветов. Красный, зеленый и синий. Считаю неисправен усилитель синего цвета. Попробуйте проверить смещение, а также транзистор. … Samsung SyncMaster 753S 17-дюймовый ЭЛТ-монитор

Не верный цвет


Кажется, я нашел решение (и, возможно, причину?) Этой проблемы! У меня была ТОЧНАЯ проблема с монитором, который я ремонтировал для друга.Конденсаторы на плате блока питания перегорели (конденсаторы CapXon, кто бы г … AOpen 19 «ЖК-дисплей

ЭЛТ-монитор становится желтоватым.


Когда пыль попадет внутрь вашего монитора ……. вы получите эти вещи ………. удалите ее, все будет нормально … LG Studioworks 45 14-дюймовый ЭЛТ-монитор

Мой монитор не отображает правильные цвета. Зеленый выглядит желтым, а красный — темным, как черный.Когда я отключаю монитор и появляется сообщение о проверке кабеля, красный, зеленый и синий цвета отображаются правильно.


Не ставьте динамик рядом с монитором и другими устройствами, на которых есть \ 015 \ 012магнит. Это повредит цвета вашего монитора. Если размагничивание не \ 015 \ 012 вам помогает, вы можете попробовать использовать динамик. Снова переместите динамик \ 015 \ 012 к монитору и … Dell E771MM 17-дюймовый ЭЛТ-монитор

Мой кардридер на моем компьютере перестал работать !? Хорошо, я отнес свой компьютер к учителю по информатике, чтобы он починил, ну она вставила второй жесткий диск и сказала, что все в порядке.хорошо это делает но после того, как я получил его обратно, мой картридер перестал работать! нравится это вообще не появляются на моем компьютере. так есть легкое исправление или сделать мне нужно подождать, пока мой учитель исправит это снова? о кстати мой компьютер compaq pesario sr1303wm, по возможности покажите ссылку переподключения назад к моему вычислению


Эх, Бад мой, big_dude2010, насчет бюджетной штуки все прекрасно. Сейчас мир находится в экономическом кризисе. Что касается повторного подключения кабеля устройства чтения карт, то это вам не поможет.О, я просто ИГРАЮ! Прежде чем мы … Настольный ПК HP Compaq Presario SR1303wm

Проблема с монитором


Привет, Три поля представляют собой встроенную диагностику монитора. Буквы G — зеленые, B — синие, а R — красные, это 3 цветных пушки кинескопа вашего монитора. Слова «Самопроверка» указывают на то, что он находится в режиме диагностики … Compaq FS7550 17-дюймовый ЭЛТ-монитор

Дисплей показывает только синий и желтый цвета


Здравствуйте, Кирстенб! Во-первых, убедитесь, что кабель между монитором и компьютером надежно закреплен.Если возможно, попробуйте использовать другой кабель. Во-вторых, попробуйте переустановить видеокарту или использовать другой слот. Возможно, карта стала … Настольный ПК Dell Dimension 4600

Серьезные проблемы с градиентом / проблемы с более темными оттенками серого


Итак, вы уверены, что когда вы заходите в настройки монитора и цвет, он установлен на 9300k или что-то в этом роде? Вероятно, дело не в мониторе, потому что видеоигры, которые вы сказали, отображаются нормально. … Dell M992 19-дюймовый ЭЛТ-монитор

Сжатие дисплея


Разъем DB15 VGA (Video Graphics Array), однако, содержит 15 контактов в трех рядах по 5 контактов в каждом. Эти пять контактов несут сигнал цвета и синхронизации, а также цифровой интерфейс I2C для двусторонней связи … SAMTRON 55V 15 «ЭЛТ-монитор

Дисплей не показывает зеленый цвет. Зеленый — черный


л.с. VF15 15 дюймов

Проблемы с цветным отображением на мониторе BenQ FP757


Перейдите в меню и попробуйте Вызвать все. \ 015 \ 012 Также возможно, что панель неисправна. \ 015 \ 012Samir … BenQ FP757 Монитор

Монитор черный экран


У меня есть монитор AOC … ммммм, отлично работает в течение 10 минут … затем, когда вы открываете или закрываете игру или какое-либо другое приложение, он запускается, но экран остается черным и ничего не показывает…Затем я выключаю монитор на 10 минут .. … AOC LM729 17-дюймовый ЖК-монитор ТРАНЗИСТОР

B772 PDF

Характеристики транзистора биполярного 2SB. Тип — p-n-p 2SB Распиновка транзистора, маркировка B Замена и эквивалентный транзистор для 2SB 2SB / BP эквивалент для BD, NTE PNP Транзистор PNP 40V, 3A, 10W. Бренд: NEC. продукты предлагает b транзисторные продукты. Около 43% из них — интегральные схемы, 39% — транзисторы.Широкий выбор транзисторов B.

Автор: Мугут Мугалкри
Страна: Эритрея
Язык: Английский (Испанский)
Жанр: Отношения
Опубликованный (последний): 12 марта 2007
Страниц: 138
PDF Размер файла: 18.83 Мб
Размер файла ePub: 5.76 Мб
ISBN: 812-1-32944-469-7
Загрузки: 46428
Цена: Бесплатно * [ * Требуется бесплатная регистрация ]
Загрузил: Казрашичадж

Главная Вопросы Теги Пользователи без ответа. Lilo 8 1 3. В список желаний.

Как и из бесплатных образцов, так и из платных образцов.Сэкономьте на нашем приложении! Вам доступен широкий выбор вариантов b-транзисторов, таких как триодный транзистор, биполярный переходной транзистор и полевой транзистор.

Это должно быть хорошо, так как схема рассчитана только на ток 1 А: Поставщик электронных компонентов. Магазин приложений Google Play. XF Electronic components co. Если раньше у нас не было деловой документации с вами, мы должны взимать плату за образцы загрузки и почтовую курьерскую доставку. Кроме того, мы установили долгосрочные стабильные отношения сотрудничества с рядом розничных продавцов и агентов.

100PCS B772 ТРАНЗИСТОР (PNP) SOT-89 2SB772

Этот вопрос не по теме. Магазин комплектующих и запчастей. Так что используйте другого поставщика. Схема, безусловно, поможет. Продолжая использовать AliExpress, вы соглашаетесь с использованием файлов cookie. Подробнее о Политике конфиденциальности Transisttor.

Вы можете обеспечить безопасность продукции, выбрав из сертифицированных поставщиков, в том числе 26 с другими поставщиками, 23 с сертификатами ISO и 20 с сертификатами ISO. Скорее всего, схема полагается только на несколько гарантированных параметров, а другие намного превышают требования схемы.Оптовые оригинальные b транзисторы mosfet sot23 p nec транзисторы.

Мы поможем вам найти продукт, который подходит именно вам. У меня отказ с транзистором PNP B, и я хочу заменить его другим, но у моего поставщика его нет, поэтому какие транзисторы PNP я могу использовать ??? Назад 1 2 3 Далее.

BJT-транзистор (PNP 30V 3A) (B772)

Если вы не удовлетворены, перейдите к транзистору. Вместо этого опишите вашу ситуацию и конкретную проблему, которую вы пытаетесь решить.Было бы полезно, если бы вы кое-что знали о том, как используется транзистор. Поставщик Gold Plus Поставщик поддерживает Trade Assurance — бесплатную услугу, которая защищает ваши заказы от оплаты до доставки.

Версия 772 для смягчения этих требований упростит поиск замены, поскольку открывает гораздо больше возможностей. Тем не менее, точно такой же транзистор можно найти на другом конце Интернета. Ищете что-то большее?

Кроме того, если вы ищите

AliExpress, также порекомендуйте похожие товары, например, транзисторы pnp power, pnp транзисторы, md транзисторы, ip транзисторы, 5a транзисторы, pnp, smd, транзисторы, pnp poweric tdammedium, транзисторы мощности.Не зная его использования, вы должны сделать транзистор, который заменяет транзистор, который соответствует или превосходит все спецификации, поскольку вы не знаете, на каких из них работает схема.

Покупайте товары онлайн из Китая по оптовым ценам

.

Электронные аксессуары для супермаркетов Parity. Конструкция эпитаксиальной планарной матрицы 2. Поставщик поддерживает Trade Assurance — бесплатную услугу, которая защищает ваши заказы от оплаты до доставки.

Также можно выбрать сквозное отверстие, поверхностный монтаж. Китайский супер электронный рынок.Наш выбор брендов постоянно растет, так что, скорее всего, ваш любимый — на AliExpress. Может быть, вы можете пойти на MJE, или все продукты будут протестированы 3 раза перед отправкой. Транзистор, биполярный транзистор B Войти Войти с помощью.

Это затрудняет поиск замены. Гарантия и возврат 1. YT Electronics components co.

Типы поставщиков Торговое обеспечение. Покупатель несет ответственность за любую страховку, проблемы или повреждения, возникшие во время доставки.

Есть b поставщиков транзисторов, в основном расположенные в Азии. Попробуйте найти тот транзистор, который подходит именно вам, выбрав диапазон цен, марку или характеристики, отвечающие вашим потребностям.

Итак, зависит от использования. Оптовая торговля в Интернет транзистор b: Свяжитесь с нами для бесплатной доставки. Используя наш сайт, вы подтверждаете, что прочитали и поняли нашу Политику конфиденциальности и Условия использования. Уровень отклика на уровне релевантности.

(PDF) In situ SiN / AlN / Al0.05 Транзисторы с высокой подвижностью электронов Ga0.95N на Si-подложке с использованием пассивации Al2O3 / SiO2

Эта работа находится под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License. Для получения дополнительной информации см. Https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/

Эта статья была принята к публикации в следующем выпуске этого журнала, но не отредактирована полностью. Контент может измениться до окончательной публикации. Информация для цитирования: DOI 10.1109 / JEDS.2021.3064557, IEEE Journal of

> ЗАМЕНИТЕ ЭТУ СТРОКУ НА ИДЕНТИФИКАЦИОННЫЙ НОМЕР ВАШЕЙ БУМАГИ (ДВОЙНОЙ ЩЕЛКНИТЕ ЗДЕСЬ, ЧТОБЫ РЕДАКТИРОВАТЬ) <

Использовались ширина импульса

и период 500 мкс и 500 мс соответственно.(c)

Характеристики пробоя обоих образцов.

ТАБЛИЦА I

Сравнение HEMT из AlN / AlGaN

Примечание: * Рассчитано с использованием Ron, sp = Ron × (LSD + (1,5 × 2) мкм), учитывая длину переноса 1,5

мкм для истока / стока омические контакты для устройств малой площади.

** Рассчитано с использованием Ron, sp = Ron × A, где A — активная площадь устройства для

устройств большой площади.

Пробивные характеристики обоих образцов с разными значениями

для LGD показаны на рис.5. VBR определен для тока покоя

, равного 10 мкА / мм. Для образца A с плавающей подложкой

VBR устройств с LGD = 12 мкм, 26 мкм и

32 мкм составлял 675 В, 1428 В и 1488 В соответственно. Для образца

А с заземленной подложкой, VBR 756 В, 772 В и

772 В были получены для устройств с LGD 12 мкм, 26 мкм и

32 мкм соответственно. VBR с заземленной подложкой вряд ли

увеличился с увеличением LGD из-за вертикального пробоя

SiN / AlN / Al0.05Ga0.95N на Si. Образец B показал намного более низкое значение

VBR, чем образец A, из-за его более высокого тока утечки. Рис. 5 (b)

показывает характеристики вертикального пробоя

SiN / AlN / Al0,05Ga0,95N на Si. Схема измерения показана на вставке к рис. 5 (b)

. Для эпитаксиального слоя было получено напряжение жесткого пробоя около 940

В. Следовательно, VBR с заземленной подложкой

для образца A может быть увеличен на

, увеличивая толщину эпитаксиального слоя или улучшая кристаллическое качество эпитаксиального слоя

в будущих исследованиях.

Для дальнейшей оценки их потенциала в приложениях с высокой мощностью,

HEMT SiN / AlN / Al0,05Ga0,95N с WG = 20 мм были изготовлены с использованием пассивации Al2O3 / SiO2 и пассивации SiO2.

Они имели LG 2 мкм, LGS 3 мкм, LGD 17 мкм, полевую пластину истока

4 мкм, пластину поля стока 1 мкм и штифт затвора

шириной 500 мкм. Вид устройства сверху показан на рис.

6 (а). На рис. 6 (b) показаны импульсные тесты ID-VDS для обоих образцов.Смещение покоящегося стока

было установлено на 0 В, а ширина и период импульса

составляли 500 мкс и 500 мс соответственно. Для образца A с пассивацией Al2O3 / SiO2 были получены насыщенный сток

, ток 6,4 А и сопротивление в открытом состоянии 0,83 Ом

. Удельное сопротивление

в открытом состоянии (Ron, sp) образца А составляло 5,37 мОм · см2,

с учетом активной области. Образец B показал немного более высокий ток насыщенного стока

, чем образец A, из-за более высокой концентрации носителя

.На рис. 6 (c) показаны характеристики пробоя

в закрытом состоянии для обоих образцов. Для образца A наблюдалось резкое напряжение пробоя

1014 В, возникающее в результате скачка тока затвора

. Ток затвора образца B почти на

равен току стока, что указывает на то, что пробой

образца B вызван утечкой затвора. Показатель качества Балиги

(FOM = VBR2 / Ron, sp) для образца A достиг 1,91 × 108 В2Ом-1см-2, что составляет

, что является самым высоким среди сообщенных значений для AlN / AlGaN HEMT.

Таблица. 1 показано сравнение HEMT AlN / AlGaN. Устройства

в этой работе показывают отличную производительность с точки зрения

ION / IOFF, SS, Ron, sp, VBR и FOM. Эти результаты указывают на его потенциал

для приложений высокой мощности.

IV. ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Мы изготовили HEMT SiN / AlN / Al0,05Ga0,95N с SiN

in-situ в качестве диэлектрика затвора с использованием пассивации ALD-Al2O3 / PECVD-SiO2

. Устройства показали чрезвычайно низкую утечку обратного затвора

3 × 10-7 мА / мм, высокий ION / IOFF 109 и низкий SS

64 мВ / дек.Надежность затвора, которая была вызвана интерфейсными ловушками

, была исследована с помощью измерений пробоя затвора и пороговой нестабильности напряжения

, индуцированной смещением. Сдвиг порогового напряжения

увеличивался с увеличением напряжения смещения затвора

и времени напряжения. Кроме того, сдвиг порогового напряжения,

при напряжении смещения затвора 4 В в течение 1000 с, был ниже 0,06 В. Устройства

с WG 20 мм показали насыщенный ток стока

6.4 А, удельное сопротивление в открытом состоянии 5,37 мОм · см2, высокое напряжение пробоя

1014 В и FOM Балиги 1,91 × 108

В2Ом-1см-2. Эти результаты показывают, что

in-situ SiN / AlN / Al0,05Ga0,95N HEMT с пассивированием

ALD-Al2O3 / PECVD-SiO2 являются многообещающими устройствами

для приложений большой мощности.

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

[1] Я. Ву, М. Якоб-Митос, М.Л. Мур и С. Хейкман, «Эффективный повышающий преобразователь GaN HEMT 97,8%

с выходной мощностью 300 Вт на частоте 1

МГц», IEEE Electron Device Lett., т. 29, нет. 8, pp. 824–826,

августа 2008 г., DOI: 10.1109 / LED.2008.2000921.

[2] Т. Уэда, М. Исида, Т. Танака и Д. Уэда, «GaN-транзисторы на Si для коммутации

и высокочастотных приложений», Jpn. J. Appl. Phys., Т. 53,

нет. 10, стр. 100214, 2014 г., DOI: 10.7567 / JJAP.53.100214.

[3] X. Li, N. Amirifar, K. Geens, M. Zhao, W. Guo, H. Liang, S. You, N.

Posthuma, B. De Jaeger, S. Stoffels, B. Бейкерут, Д. Веллекенс, Б.

Vanhove, T. Cosnier, R. Langer, D. Marcon, G. Groeseneken и S.

Decoutere, «GaN-on-SOI: монолитно интегрированные все-GaN ИС для преобразования мощности

», в IEDM Tech . Dig., Декабрь 2019 г., стр. 4.4.1–4.4.4. DOI:

10.1109 / IEDM19573.2019.8993572.

[4] Н. Хербек, И. Роч-Жен, Н. Роллан, Д. Визалли, Дж. Дерлуин, С.

Дегроут, М. Жермен и Ф. Медждуб, «1900 В, 1,6 мОм · см2.

Силовые устройства AlN / GaN-на-Si, реализованные путем локального удаления подложки », Прил.

Phys. Эксп., Т. 7, вып. 3 марта 2014 г., ст. нет. 034103. DOI:

10.7567 / APEX.7.034103.

[5] W. Zhang, J. Zhang, M. Xiao, L. Zhang, Y. Hao, «Al0.3Ga0.7N / GaN

(10 нм) /Al0.1Ga0.9N HEMTs с низкой утечкой Current and High

Трехконтактное напряжение пробоя, IEEE Electron Device Lett., Vol.

39, вып. 9, стр. 1370–1372, июль 2018 г., DOI: 10.1109 / LED.2018.2859438.

[6] W. Zhang, J. Zhang, M.Сяо, Л. Чжан и Ю. Хао, «Высокое напряжение пробоя

(> 2200 В) HEMT с AlGaN-каналом и гибридными стоками

/ Шоттки», IEEE J. Electron Devices Soc., Вып. 6, стр.

931–935, 2018 г., DOI: 10.1109 / JEDS.2018.2864720.

[7] А.Г. Бака, А.М. Армстронг, А.А. Аллерман, Э.А. Дуглас, Калифорния

Санчес

, М.П. Кинг, М.Э. Колтрин, Т.Р. Форчун, Р.Дж. Каплар, «Транзистор с высокой подвижностью электронов

AlN / Al0,85Ga0,15N» , Прил.Phys. Lett.,

т. 109, стр. 033509-1-033509-4, июль 2016 г., DOI: 10.1063 / 1.4959179.

[8] Т. Циммерманн, Я. Цао, Г. Ли, Г. Снайдер, Д. Йена и Х. Син,

«Подкритические барьеры AlN / GaN E / D-мод HFET и инверторы», Phys.

Статус Solidi A, vol. 208, стр. 1620–1622, июль 2011 г., DOI:

10.1002 / pssa.201001178.

[9] Д. Ф. Браун, К. Шинохара, А. Уильямс, И. Милосавлевич, Р. Грабар, P.

Hashimoto, et al., «Монолитная интеграция усовершенствованных и

DHFET-транзисторов AlN / GaN / AlGaN в режиме истощения путем селективного повторного роста MBE»,

IEEE Trans. Электронное устройство, т. 58, нет. 4, стр. 1063–1067, апрель 2011 г.,

DOI: 10.1109 / TED.2011.2105268.

221353report53

  • Стр. 2 и 3: Содержание ПРЕДИСЛОВИЕ xiiix
  • Стр. 4: 5.4 Таблицы спецификаций (JFET) 22
  • Стр. 7 и 8: 15 ПРИЛОЖЕНИЯ OP-AMP 64815.1 Cons
  • Стр. Стр. 11 и 12: Phil Golden DeVry Institute of Tech
  • Стр. 13 и 14: В идеале диод будет проводить Cu
  • Стр. 15 и 16: p n ТАБЛИЦА 1.1 Типичное удельное сопротивление Va
  • Стр. 17 и 18: p n существенно не увеличивается с
  • Стр. 19 и 20: p n— —- Si —- Si —- — — S
  • Стр. 21 и 22: p n Большинство и меньшинство несущих в
  • 9000 9 Стр. 23 и 24: p n Символ для диода повторяется
  • Стр. 25 и 26: p n с экспоненциальным возрастанием i
  • 9000 9 Стр. 27 и 28: p n напряжение прямого смещения Требуется
  • Стр.29 и 30: p nDC или статическое сопротивление Приложение
  • Стр.31 и 32: p ПРИМЕР 1.2 Для характеристик
  • Стр. 33 и 34: p n Значение уравнения. (1,7) mu
  • Стр. 35 и 36: p n ТАБЛИЦА 1.2 Уровни сопротивления Speci
  • Стр. 37 и 38: p nI D + VD-r av = 0 ΩV T = 0,7 VI
  • Стр. модель
  • Стр. 41 и 42: p n Конкретные области характеристикat
  • Стр. 43 и 44: p n Рисунок 1.38 С учетом эффекта
  • Стр. 45 и 46: p n Рисунок 1.42 Цифровой индикатор
  • Стр. 47 и 48: p n Рисунок 1.48 Направление проводимости
  • Стр. 49 и 50: p n Значения замещения из таблицы 1
  • Стр. 51 и 52: p n сила света на единицу
  • Стр. 53 и 54:

    p nLED-дисплеи доступны сегодня

  • Стр. 55 и 56 :

    p nРисунок 1.58 Схема пакетаTO-96

  • Page 57 и 58:

    p n-память вашего компьютера далее в

  • page 59 и 60:

    p n21. Повторите задачу 20 для T 100

  • Стр. 61 и 62:

    p n52.Определите температуру co

  • Стр. 63 и 64:

    2.2 АНАЛИЗ НАГРУЗОЧНОЙ ЛИНИИ Применяемый l

  • Стр. 65 и 66:

    Решение (a) Ур. (2.2): IDER

  • Стр. 67 и 68:

    Результаты, полученные в Примере 2.3

  • Стр. 69 и 70:

    ТАБЛИЦА 2.1 Приблизительное и идеальное семя

  • Стр. 71 и 72:

    Рис. 2.13 на Рис. 2.10 .Реверс t

  • Страница 73 и 74:

    ПРИМЕР 2.9 Определите V o и ID для

  • Страница 75 и 76:

    на рисунке.Это устраняет

  • Страница 77 и 78:

    ПРИМЕР 2.14 Определите напряжение В

  • Страница 79 и 80:

    Рисунок 2.40 Предполагаемые диодестаты для

  • Страница 81 и 82:

    Для периода T / 2 → T, полярный

  • Страница 83 и 84:

    PIV (PRV) Пиковое обратное напряжение (

  • Страница 85 и 86:

    PIV Требуемый PIV каждого диода (

  • Страница 87 и 88:

    2.9 CLIPPERS Существует множество из

  • Стр. 89 и 90:

    ПРИМЕР 2.20 Определите выходную мощность wa

  • Страница 91 и 92:

    ПРИМЕР 2.2 Определите vo для ne

  • Страница 93 и 94:

    Рисунок 2.91 Схемы отсечения 82 Cha

  • Страница 95 и 96:

    Для приведенного выше утверждения может потребоваться лыжи

  • Страница 97 и 98:

    Результирующий результат показан на Рис.

  • Страница 99 и 100:

    2. Замените соответствующий эквивалент

  • Страница 101 и 102:

    Фиксированный V i, Переменный R LD По сравнению с

  • Стр.103 и 104:

    Фиксированный RL, Переменный V iFor fixed v

  • Стр.105 и 106:

    Пример проводимости с сопротивлением

  • Стр.107 и 108:

    Во время отрицательного полупериода (см.

  • Стр. 109 и 110:

    Чтобы удалить (закрепить) элемент, просто

  • Стр. 111 и 112:

    Рисунок 2.127 Схема на Рисунке 2

  • Страница 113 и 114:

    Поле настройки анализа, мы настроены на o

  • Страница 115 и 116:

    § 2.4 Конфигурации последовательных диодов

  • Страница 117 и 118:

    12. Определить V o1, V o2 и I для

  • стр. 119 и 120:

    * 30. Набросок vo для сети

  • стр. 121 и 122:

    38. Набросок vo для каждой сети

  • стр. 123 и 124 :

    ГЛАВА 3 Транзисторы с биполярным переходом3

  • Стр. 125 и 126:

    Давайте теперь удалим базу-эмиттер

  • Стр.127 и 128:

    IC (мА) 76 Активная область (незатененная дуга

  • Стр.129 и 130:

    ПРИМЕР 3.( мА) 890 мкА 7680 мкА70 мкА 60 мкА

  • Стр. 137 и 138:

    Взаимосвязь может быть установлена ​​между

  • Стр. 139 и 140:

    B Рисунок 3.21 Конфигурация общего коллектора

  • Стр. 141 и 142:

    I CE ICI CmaxV V CE VC

  • Стр. 143 и 144:

    Перед тем, как покинуть это описание

  • Стр. 145 и 146:

    3.10 ИСПЫТАНИЕ ТРАНЗИСТОРА Так же, как и с периодом

  • Стр. 147 и 148:

    3.11 КОРПУС ТРАНЗИСТОРА И ТЕРМИНАЛ

  • Стр. 149 и 150:

    3.12 PSPICE WINDOWSSс переходом

  • Стр. 151 и 152:

    Стр. и 154:

    25. Использование характеристик Fi

  • стр. 155 и 156:

    или конфигураций, которые соответствуют

  • стр. 157 и 158:

    2. Работа в области отсечки: Base-emi

  • стр. 159 и 160:

    Решение Рисунок 4.7 dc с фиксированным смещением ci

  • Страница 161 и 162:

    Результат примера 4.1

  • Страница 163 и 164:

    Рисунок 4.15 Влияние более низких значений o

  • Страница 165 и 166:

    Рисунок 4.19 Сеть, полученная из уравнения .

  • Стр. 167 и 168:

    Улучшенная стабильность смещения Дополнение

  • Стр. 169 и 170:

    Рисунок 4.25 Смещение делителя напряжения co

  • Стр. 171 и 172:

    Решение (4.28): R Th R 1 R 2 (3

  • стр. 173 и 174:

    Обратите внимание, что уровень V B является s

  • Page 175 и 176:

    Приблизительный анализ V B E Th 3.81

  • Страница 177 и 178:

    I ‘CI C + R C-VCCCE- VI ER E + — + Рисунок

  • Страница 179 и 180:

    Решение В этом случае base resi

  • Страница 181 и 182:

    ПРИМЕР 4.15 Определить VC и VB f

  • Страница 183 и 184:

    Все приведенные до сих пор примеры имеют e

  • Страница 185 и 186:

    + R Th -1,73 кОм В Bβ = 120I BV BE

  • Страница 187 и 188:

    Стандартные значения резистора: RC 2,4 кОм

  • Page 189 и 190:

    Для стандартных значений: RC 2.4 kR E

  • Page 191 и 192:

    ПРИМЕР 4.23 Определите уровни

  • Page 193 и 194:

    Уровень IB в активном регистре

  • Page 195 и 196:

    мы получим RBV i 0,7 V 10 В 0.

  • Страница 197 и 198:

    характеристики разомкнутой цепи

  • Страница 199 и 200:

    Решение На основе номинала резистора

  • Страница 201 и 202:

    Подстановка значений дает В CE 18 В

  • Страница 203 и 204:

    Чем выше коэффициент устойчивости, th

  • Страница 205 и 206:

    Обратите внимание, что полученное уравнение ma

  • Страница 207 и 208:

    Уравнение (4.64) может быть записано в t

  • Страница 209 и 210:

    В заключение, таким образом, сбор

  • Страница 211 и 212:

    осуществляется щелчком по транзистору

  • Страница 213 и 214:

    ПРОБЛЕМЫ § 4.3 Исправлено- Схема смещения 1.

  • Стр. 215 и 216:

    * 11. (a) Определите IC и V CE для

  • Стр. 217 и 218:

    * 24. (a) Определите уровень I

  • Стр. 219 и 220:

    38. (a) Использование характеристик o

  • Page 221 и 222:

    § 4.12 Стабилизация смещения 47. Deter

  • Стр. 223 и 224:

    Drs. Ян Манро Росс (спереди) и Г. C

  • Стр. 225 и 226:

    Рисунок 5.5 Изменение обратного смещения

  • Стр. 227 и 228:

    ID (мА) Локус значений отсечки I

  • Стр. 229 и 230:

    Символы Графические символы для

  • Страница 231 и 232:

    масштабирование в миллиамперах для каждого грамма

  • Страница 233 и 234:

    и I DI DSS4 V GS VP / 2 (5.7)

  • Страница 235 и 236:

    Рисунок 5.182N5457 Motorola n-channe

  • Страница 237 и 238:

    метр. Ток насыщения I DS

  • Страница 239 и 240:

    Четкое понимание воздействия

  • Страница 241 и 242:

    Режим истощения 10,98I D (мА) I DV GS

  • Страница 243 и 244:

    ID ( мА) ID (мА) В GS9988D77I D6 ID

  • Страница 245 и 246:

    всегда, поскольку ID может выходить за пределы t

  • Страница 247 и 248:

    По мере того, как V GS увеличивается за пределы th

  • Страница 249 и 250:

    Подставляя V GS 4 V, мы находим

  • Страница 251 и 252:

    ID (мА) ID (мА) 88V GS = -6 VD77I D

  • Страница 253 и 254:

    ПРИМЕР 5.4 С использованием предоставленных данных

  • Page 255 и 256:

    режим работы). Термин вертикальный

  • Страница 257 и 258:

    5.12 СВОДНЫЕ ТАБЛИЦЫ С момента передачи

  • Страница 259 и 260:

    Передаточные характеристики могут быть

  • Страница 261 и 262:

    Рисунок 5.49 Проблемы 9, 1710. (a) G

  • Стр. 263 и 264:

    Рисунок 5.50 Проблема 3538. Имеет ли место

  • Стр. 265 и 266:

    Для полевых МОП-транзисторов расширенного типа пересечение f

  • Стр. 267 и 268:

    является общим решением проблемы

    .
  • Страница 269 и 270:

    Увеличение размера фигуры, bu

  • Страница 271 и 272:

    I DI DSSQ-pointI DSS2I DQV PV GSQ

  • Страница 273 и 274:

    (b) В точке покоя : Я DQ 2.

  • Страница 275 и 276:

    и соответствующее значение V GS: V

  • Страница 277 и 278:

    Что касается другого пункта, давайте теперь emp

  • Страница 279 и 280:

    Когда V GS 0 V : 1,82 VI D 1,21 мА

  • Стр. 281 и 282:

    Подстановка ISID и перестановка

  • Стр. 283 и 284:

    (b) Ур. (6.19): V DS V DD I D (R

  • Стр.285 и 286:

    Рисунок 6.33 Определение Q-точки

  • Стр.287 и 288:

    Рисунок 6.36 Схема смещения обратной связи

  • Page 289 и 290:

    , как показано на рис. 6.40. Для V GS 10

  • Страница 291 и 292:

    ID (мА) 30V G = 21.95 RS 2010I DQ

  • Страница 293 и 294:

    6.8 КОМБИНАЦИОННЫЕ СЕТИ Теперь th

  • Страница 295 и 296:

    ПРИМЕР 6.14 Определить VD для n

  • Page 297 и 298:

    Решение Как определено уравнением. (6.34), R

  • Страница 299 и 300:

    Рисунок 6.54 Проверка dcoperatio

  • Страница 301 и 302:

    ПРИМЕР 6.18 Определите I DQ, V GSQ,

  • Page 303 и 304:

    для конфигураций делителя напряжения.

  • Страница 305 и 306:

    Решение Вычисление m дает VP⏐

  • Страница 307 и 308:

    этот случай — VGG, будет перемещен из

  • Страница 309 и 310:

    4. Определите VD для фиксированного- bias

  • Стр. 311 и 312:

    18 V14. Для сети на рис. 6.7

  • стр. 313 и 314:

    * 22. Для комбинированной сети o

  • стр. 315 и 316:

    § 6.13 PSpice Windows35. Выполните

  • Page 317 и 318:

    , как показано на рис. 7.2. Th

  • Page 319 и 320:

    Методы анализа, такие как superp

  • Page 321 и 322:

    e с импедансом источника, вход

  • Page 323 и 324:

    e Для системы, показанной на рис. 7.13, a loa 7 .21 (a) BJT с общим эмиттером

  • Стр. 331 и 332:

    e Рисунок 7.26 Определение напряжения

  • Стр. 333 и 334:

    Отдельная мера выходного сопротивления

  • Стр. 335 и 336:

    eh 21 → прямая передача current

  • Страница 337 и 338:

    eh ie re (7.28) и h fe ac (7.2

  • Страница 339 и 340:

    eFigure 7.40h fe определение. In F

  • Page 341 и 342:

    eFigure 7.43 Его решимость.Рис.

  • Стр. 343 и 344:

    e Рис. 7.46 Гибридный параметр

  • Стр. 345 и 346:

    e5. (a) Опишите различия:

  • Page 347 и 348:

    e17. Перерисуйте сеть на рис. 7.5.

  • Страница 349 и 350:

    ГЛАВА 8BJTSmall-SignalAnalysis8.1

  • Страница 351 и 352:

    A v: Резисторы ro и RC равны

  • Page 353 и 354:

    (f ) Z oro RC 50 k3 k2.83 k по сравнению с

  • Стр. 355 и 356:

    И если R10r e, A i I o RI Rian

  • Стр. 357 и 358:

    I i + bI bc + V CCR CC 2βr eβ I bR BI

  • Страница 359 и 360:

    Так как отношение RC / ro всегда равно

  • Страница 361 и 362:

    (b) Проверка условия ro 10 (R

  • Страница 363 и 364:

    (c) Z o RC 2.2 k (d) A v RC 2.2

  • Стр. 365 и 366:

    или Z b (re RE) (8.39) и Z b

  • Стр. 367 и 368:

    A v 🙁 1) RE / Z bA v (8.52) 1 R

  • Стр. 369 и 370:

    V CCV CCR 1R 1R CC 1V iI iR 2C 1

  • Стр. 371 и 372:

    8.7 КОНФИГУРАЦИЯ ОБРАТНОЙ СВЯЗИ КОЛЛЕКТОРА

  • Стр. : Применение напряжения Кирхгофа

  • Страница 375 и 376:

    9 VV iZ iI i10 µF180 kΩ2,7 kΩI o

  • Page 377 и 378:

    8.8 КОНФИГУРАЦИЯ ОБРАТНОЙ СВЯЗИ ПОСТОЯННОГО ТОКА КОЛЛЕКТОРА

  • Стр. 379 и 380:

    ПРИМЕР 8.10 Для сети на рис.

  • Стр. 381 и 382:

    R CI oV CCR BI iCh 2 ieh Z ofeC 1V

  • Стр. A v: A v hfe (R C1 / h oe) (8.89) hie

  • Page 385 и 386:

    но с 1 h fe h fe, A i: A v

  • Page 387 и 388:

    хо. Важно:

  • Page 389 и 390:

    Выходное сопротивление, Z o V o / I o

  • Page 391 и 392:

    по сравнению с 323.125 с использованием A vh fe RL

  • Страница 393 и 394:

    0,9911 (0,18 S) (2,2 k) 0,991 h fb

  • Страница 395 и 396:

    8.12 УСТРАНЕНИЕ НЕИСПРАВНОСТЕЙ Хотя te

  • Страница 397 и 398:

    8.56 Использование окон PSpice для

  • страниц 399 и 400:

    Рисунок 8.57 Выходной файл для сети

  • Страница 401 и 402:

    Рисунок 8.59 Напряжения vc и v

  • Страница 403 и 404:

    Bβr eI bC BβI bβr eβ bI bC Bβ

  • Стр. 405 и 406:

    § 8.3 Смещение делителя напряжения 4. Для t

  • Страница 407 и 408:

    * 13. Для сети, показанной на Рис. 8.75:

  • Страница 409 и 410:

    § 8.9 Приблизительный гибридный эквивалент

  • Страница 411 и 412:

    (мВ) υ iR 1150 кОмR C2,2 кОмυ o (

  • стр. 413 и 414:

    г Можно проанализировать схему с помощью задачи

  • стр. 415 и 416:

    г м. Альтернативный подход

  • стр. 417 и 418:

    г мг м (S) Рисунок 9.4 График gm по сравнению с

  • Стр. 419 и 420:

    г mI D (мА) V GS = 0 V∆V DS = ∆ID

  • Стр. 421 и 422:

    г м9.3 КОНФИГУРАЦИЯ С ФИКСИРОВАННЫМ Смещением JFET

  • 9000 9 Стр. 423 и 424:

    г м ПРИМЕР 9.7 Конфигурация с фиксированным смещением

    9000 9 Стр. 425 и 426:

    г мЗ i: Из-за разомкнутой цепи

  • Стр. 427 и 428 :

    g mandZ o VI oo IDRDID 1

  • Page 429 и 430:

    g m Без rd: gm RDA v 1 gm R

  • Страница 431 и 432:

    g mZ i: Рисунок 9.26 ясно показывает

  • Страница 433 и 434:

    г м Раствор (a) г m0 2 IDSS 2 (1 6

  • , стр. 435 и 436:

    g mand Z i RSZ не дает результатов в Z i

  • Page 437 и 438:

    г мБез rd: Z i RS 1 / г 1.1

  • Page 439 и 440:

    г м (г) Ур. (9.28): Z i R 1 R 2 10

  • Стр. 441 и 442:

    г m Обычно, RF rd RD, поэтому

  • Page 443 и 444:

    g m Без rd: RF10 MZ i 2.53 M1

  • Стр. 445 и 446:

    г м ПРИМЕР 9.13 Конструкция фиксированного биа

  • Стр. 447 и 448:

    г м ПРИМЕР 9.15 Уровень RS

  • Стр. 449 и 450:

    г м ТАБЛИЦА 9.1 (продолжение) Конфигурация

  • Страница 451 и 452:

    г м, но по существу разомкнутый контур

  • Страница 453 и 454:

    г mJFET Конфигурация с самосмещением

  • Страница 455 и 456:

    г м Рисунок 9.50 JFET делитель напряжения

  • Страница 457 и 458:

    g m12. Использование характеристик стока

  • Страница 459 и 460:

    г м§ 9.5 Конфигурация делителя напряжения JFET

  • Страница 461 и 462:

    г м35. Повторите задачу 34, если rd 25

  • Страница 463 и 464:

    R s / R L ГЛАВА 10 Системный подход

  • Страница 465 и 466:

    R s / R LS Решение Из примера 8.1, Z

  • Страница 467 и 468:

    R s / R ПРИМЕР 10.2 На рис.7, a

  • Страница 469 и 470:

    V CEQI CQ + RL ‘Линия нагрузки переменного тока I CI B6

  • Страница 471 и 472:

    R s / R L Результат явно поддерживает

  • Page 473 и 474:

    R s / R L На входной стороне мы находим Eq

  • Стр. 475 и 476:

    Фиксированное смещение Для конфигурации с фиксированным смещением

  • Стр. 477 и 478:

    R s / R LV CC + V sR L + C 1V iZ iR EZ

  • Страница 479 и 480:

    Системный подход приведет к

  • Страница 481 и 482:

    R s / R LV or ER Land A vs (10.35)

  • Страница 483 и 484:

    I i ++ R s C 1V CCC 2I o + V sZ iV iR

  • Страница 485 и 486:

    R s / R L Уровни импеданса остаются

  • Страница 487 и 488:

    R s / R L Коэффициент усиления напряжения под нагрузкой имеет

  • Page 489 и 490:

    R s / R LTABLE 10.1 Сводка Trans

  • Страница 491 и 492:

    R s / R L10.11 КАСКАДИРОВАННЫЕ СИСТЕМЫ t

  • Страница 493 и 494:

    R s / R L будет максимально приближена к han

  • Page 495 и 496:

    R s / R LV или RLA vNL (10 k) (350.4) A

  • Страница 497 и 498:

    R s / R L§ 10.3 Влияние нагрузки Im

  • Страница 499 и 500:

    R s / R L§ 10.6 BJT Сети CE 6. F

  • Стр. 501 и 502:

    R s / R L§ 10.9 Сети на полевых транзисторах 12. Для

  • Page 503 и 504:

    R s / RL§ 10.12 PSpice Windows * 16

  • Page 505 и 506:

    f можно определить уровень x

  • Page 507 и 508:

    fEXAMPLE 11.4 С помощью калькулятора , de

  • Page 509 и 510:

    f Было обнаружено, однако, что это были

  • Page 511 и 512:

    ПРИМЕР 11.7 Усилитель с номиналом

  • Стр. 513 и 514:

    fand P oHPF 0.5P omid (11.16) Запрет

  • Стр. 515 и 516:

    f Выходное и входное напряжения составляют

  • Стр. 517 и 518:

    fline также нарисован для conditi

  • Страница 519 и 520:

    f График tan 1 (f 1 / f) проверен

  • Страница 521 и 522:

    fC ESystemR eC ET для определения f LE,

  • Страница 523 и 524:

    f Теперь только что полученные результаты будут

  • Page 525 и 526:

    fC ER s R s R 1 R 2 1 k40 k10 k

  • Page 527 и 528:

    ff LC-6 дБ / октава-20 дБ / декада -12dB / o

  • Страница 529 и 530:

    FC CSystemR или LSystemR egC SF Рисунок

  • Страница 531 и 532:

    f Рисунок 11.37 Схема сети для

  • Page 533 и 534:

    fgain усилителя. Любой интерел. Fi

  • Page 541 и 542:

    fAn Анализ приведет к диаграммам

  • Page 543 и 544:

    f с R Th3 RDRL rd (11.64) и

  • Страница 545 и 546:

    f Даже несмотря на анализ pa

  • Страница 547 и 548:

    f11.12 КВАДРАТНО-ВОЛНОВОЕ ТЕСТИРОВАНИЕ A sense f

  • Страница 549 ​​и 550:

    fBW f Hi 0ṫ 35 (11,69) rНизкий c

  • Страница 551 и 552:

    f + V i-0,068 µ F1,2 кОм Рисунок 11.64

  • Страница 553 и 554:

    f § 11.7 Низкочастотная характеристика —

  • Страница 555 и 556:

    ГЛАВА Линейно-цифровые ИС 1717.1 INT

  • Страница 557 и 558:

    +12 В10 кОм10 кОм- + В i741V o470 Ом

  • Страница 559 и 560:

    Рисунок 17.6 Работа 311compa

  • Страница 561 и 562:

    Дифференциальное входное напряжение (diff

  • Страница 563 и 564:

    В примере, показанном на Рис. 17.12b

  • Страница 565 и 566:

    Рисунок 17.15 Аналоговый -to-digital conv

  • Страница 567 и 568:

    Конденсатор C заряжается в сторону V CC th

  • Страница 569 и 570:

    Определите период выхода

  • Страница 571 и 572:

    R3V CV 10 k ( 12 В) 10.4 VR2 R

  • Страница 573 и 574:

    обеспечивает выходное напряжение (усиленное

  • Страница 575 и 576:

    для напряжения питания В 6 В. Capt

  • Страница 577 и 578:

    подходящий уровень напряжения или тока t

  • Страница 579 и 580:

    Рисунок 17.31 Подключения к data lin

  • Страница 581 и 582:

    Рисунок 17.35comparator.Schematic fo

  • Страница 583 и 584:

    6. Нарисуйте форму выходного сигнала для t

  • Страница 585 и 586:

    13Синусоидальная переменная форма волны13

  • Страница 587 и 588:

    ХАРАКТЕРИСТИКИ НАПРЯЖЕНИЯ ПЕРЕМЕННОГО ТОКА

  • Страница 589 и 590:

    Синусоидальная ХАРАКТЕРИСТИКА НАПРЯЖЕНИЯ ПЕРЕМЕННОГО ТОКА

  • Стр. 593 и 594:

    Синусоидальная ВОЛНА ⏐⏐⏐ 517 с 1 r

  • Стр. 595 и 596:

    Синусоидальная ВОЛНА ⏐⏐⏐ 519 Substitu

  • Стр. 597 a nd 598:

    ОБЩИЙ ФОРМАТ ДЛЯ СИНУЗОИДНОЙ ВЕРСИИ V

  • Стр. 599 и 600:

    ФАЗОВЫЕ ОТНОШЕНИЯ ⏐⏐⏐ 5232p 2pc

  • Стр. 601 и 602:

    ФАЗОВЫЕ ОТНОШЕНИЯ ⏐⏐⏐ 525 PH

  • Стр. 603 и 604

    СРЕДНЕЕ ЗНАЧЕНИЕ ⏐⏐⏐ 527 Однако

  • Стр. 605 и 606:

    СРЕДНЕЕ ЗНАЧЕНИЕ ⏐⏐⏐ 529экв.

  • Стр. 607 и 608:

    СРЕДНЕЕ ЗНАЧЕНИЕ ⏐⏐⏐ 531метод r

  • Стр. ЗНАЧЕНИЕ ⏐⏐⏐ 533В общем

  • Стр. 611 и 612:

    ЭФФЕКТИВНЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ⏐⏐⏐ 535 Там

  • Стр. 613 и 614:

    ЭФФЕКТИВНЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ⏐⏐⏐ 537Solut

  • Стр. ⏐⏐

  • Стр. 617 и 618:

    СЧЕТЧИКИ И ПРИБОРЫ ПЕРЕМЕННОГО ТОКА ⏐⏐⏐

  • Стр. 619 и 620:

    ПРИЛОЖЕНИЯ ⏐⏐⏐ 543ат на 50

  • Стр. 621 и 622:

    ПРИЛОЖЕНИЯ ⏐⏐⏐ 545 продолжение

  • , стр. 623 и 624:

    COMP АНАЛИЗ МАТЕРИ 54713.7

  • Стр. 625 и 626:

    КОМПЬЮТЕРНЫЙ АНАЛИЗ ⏐⏐⏐ 549Голова

  • Стр. 627 и 628:

    ПРОБЛЕМЫ ⏐⏐⏐ 551 ПРОБЛЕМЫ РАЗДЕЛ

  • Стр. 629 и 630:

    ГЛОССАРИЙ ⏐⏐⏐ 553 * 26. Если v 40

  • Страница 631 и 632:

    ПРОБЛЕМЫ ⏐⏐⏐ 55538. Найдите

  • Стр. 633 и 634:

    ГЛОССАРИЙ ⏐⏐⏐ 55749. Для каждого

  • Стр. 635 и 636:

    — + ГЛАВА OperationalAmplifiers141

  • Страница 637 и 638:

    — между выходными клеммами (не wi

  • Страница 639 и 640:

    — в то время как результирующее общее напряжение

  • Страница 641 и 642:

    — Должно быть ясно, что обозначение

  • Page 643 и 644:

    — + Рисунок 14.13 Работа op-am

  • Страница 645 и 646:

    — существует с V i 0 V, но это th

  • Page 647 и 648:

    — + Рисунок 14.17 (a) Последователь Unity;

  • Страница 649 и 650:

    — Уравнение (14.13) показывает, что

  • Страница 651 и 652:

    — 14.5 ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ OP-AMP — DCO

  • Страница 653 и 654:

    — для полного выходного напряжения смещения

  • Страница 655 и 656:

    — за декаду (20 дБ / декаду) или 6 дней

  • Страница 657 и 658:

    — Максимальная частота сигнала Максимум

  • Страница 659 и 660:

    — + Рисунок 14.30 Продолжение Абсолютное

  • Страница 661 и 662:

    — усиление контура, входной сигнал должен быть

  • Page 663 и 664:

    — Используя уравнение (14.24), максимальное значение s

  • Page 665 и 666:

    — Программа 14.1 — Инвертирующий операционный усилитель

  • Страница 667 и 668:

    — вычислено в Примере 14.5. Noti

  • Page 669 и 670:

    −gain 200 k / 20 k10, с выходом

  • Page 671 и 672:

    −12. Нарисуйте форму выходного сигнала r

  • Page 673 и 674:

    — + Рисунок 14.57 Проблемы 18, 22,23

  • Страница 675 и 676:

    — Решение Схема на рис. 15.2

  • Страница 677 и 678:

    Rf 10 1 9R1R 1 R f 270 k 30

  • Страница 679 и 680:

    — + Рисунок 15.8 Суммирующий усилитель.Ca

  • Страница 681 и 682:

    −Решение Результирующий выходной объем

  • Страница 683 и 684:

    − тогда как на Рис. 15.17b результат

  • Страница 685 и 686:

    −DC Милливольтметр Рисунок 15.25 sh

  • Страница 687 и 688:

    −Инструментальный усилитель A-схема

  • Страница 689 и 690:

    − Низкочастотный фильтрA первого порядка, lo

  • Страница 691 и 692:

    — + Рассчитайте частота среза

  • Страница 693 и 694:

    — + Выберите VDC и поместите три входа

  • Страница 695 и 696:

    — + Рисунок 15.Продолжение. Буфер + 9. Показать t

  • Стр. 703 и 704:

    −17. Рассчитайте нижний и верхний уровни

  • Page 705 и 706:

    P L ГЛАВА Усилители мощности 1616.1 INT

  • Page 707 и 708:

    P LTABLE 16.1 Сравнение Amplifi

  • Page 709 и 710:

    в качестве напряжения коллектор-эмиттер

  • Стр. 711 и 712:

    P L Рис.16,5 для входного напряжения t

  • Страница 713 и 714:

    P LN 1: N 2N 1N 2V 1 PrimaryV 2I 1

  • Страница 715 и 716:

    Максимальный неискаженный размах сигнала для

  • Страница 717 и 718:

    400I C (мА) 14 мА 400I C (мА) нагрузка lin

  • Стр.719 и 720:

    4 В% 50 2 24 В (б) В CEmax V CEQ V

  • Стр.721 и 722:

    Использование формул. (16.19) и (16.21) in t

  • Страница 723 и 724:

    2CLmaximum P i (dc) 2 VC 2 (3

  • Страница 725 и 726:

    противоположно по фазе и того же м

  • Страница 727 и 728:

    P LQuasi-Complementary Push-Pull Am

  • Стр. 729 и 730:

    , чтобы питание подавалось на c

  • Стр. 734:

    Решение(16.34), получаем 1

  • Страница 735 и 736:

    Максимальная мощность, обрабатываемая деталью

  • Страница 737 и 738:

    P L Рисунок 16.24 Тепло-электрическая

  • Страница 739 и 740:

    Класс D Усилитель A, усилитель класса D

  • Страница 741 и 742:

    P L Рисунок 16.30 Выход датчика для

  • Страница 743 и 744:

    Как показано, операционный усилитель обеспечивает Gai

  • Страница 745 и 746:

    * 17 . Если входное напряжение на po

  • Page 747 и 748:

    ГЛАВА Линейно-цифровые ИС 1717.1 INT

  • Страница 749 и 750:

    +12 В 10 кОм 10 кОм- + В i741V o470 Ом

  • Страница 751 и 752:

    Рисунок 17.6 Работа 311compa

  • Страница 753 и 754:

    Дифференциальное входное напряжение (diff

  • Страница 755 и 756:

    В примере, показанном на рис. 17.12b

  • Страница 757 и 758:

    Рисунок 17.15 Аналого-цифровой conv

  • Страница 759 и 760:

    Конденсатор C заряжается в сторону V CC th

  • Страница 761 и 762:

    Определите период выхода

  • Страница 763 и 764:

    R3V CV 10 кОм (12 В) 10.4 VR2 R

  • Страница 765 и 766:

    обеспечивает выходное напряжение (усиленное

  • Страница 767 и 768:

    для напряжений питания В 6 В. Capt

  • Страница 769 и 770:

    подходящий уровень напряжения или тока t

  • Страница 771 и 772:

    Рисунок 17.31 Подключения к линии данных

  • Страница 773 и 774:

    Рисунок 17.35comparator.Schematic fo

  • Страница 775 и 776:

    6. Нарисуйте форму выходного сигнала для t

  • Стр. 777 и 778:

    Цепи обратной связи и осцилляторные схемы CH

  • Стр. 779 и 780:

    каскадные усилители.Оба из них a

  • Page 781 и 782:

    Z, если Vi V i Vi I s Ii I f Ii

  • Page 783 и 784:

    увеличились в 51 раз (до o

  • Page 785 и 786 :

    A f Рисунок 18.7 Каскад усилителя на полевых транзисторах

  • Страница 787 и 788:

    Подтвержденное напряжение последовательно с входом

  • Страница 789 и 790:

    VI RE 510A f Фактор (1 A

  • Страница 791 и 792:

    RFA vf (gm RD) RF gmR DR S20

  • Страница 793 и 794:

    ближе к нестабильности, если петля

  • Страница 795 и 796:

    18.6 ФАЗОВЫЙ ОСЦИЛЛЯТОР fAn ex

  • Стр. 797 и 798:

    Решение Уравнение (18.33) используется для

  • Стр. 799 и 800:

    A f Расчет резонансной частоты

  • Стр. 801 и 802:

    TRANSISTOR COLPIT

  • Страница 803 и 804:

    Характеристики кварцевого кристалла

  • Страница 805 и 806:

    тор-элемент в модифицированном Колпитце

  • Страница 807 и 808:

    Рисунок 18.38 Однопереходный осциллятор

  • 09 Страница 809 и 8000109

    В.Глава R. Рисунок 19.7 Выходное напряжение и d

  • Страница 817 и 818:

    Переменный ток Работа секции RC-фильтра Fi

  • Страница 819 и 820:

    VR Вычислить выходное напряжение и

  • Страница 821 и 822:

    VR Вычислить регулируемый выход

  • Стр.823 и 824:

    V.R.Figure 19.21 Транзисторный шунтво

  • Страница 825 и 826:

    нагрузка в импульсах, которые затем составляют

  • Страница 827 и 828:

    ПОЛОЖИТЕЛЬНЫЙ РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ СПЕЦИФИЧЕСКИЙ

  • Страница 829 и 830:

    Поскольку входной сигнал колеблется вокруг это

  • Страница 831 и 832:

    VR Рисунок 19.32 Регулятор серии OP-amp

  • Страница 833 и 834:

    VR§ 19.2 Общий фильтр Рассмотрите

  • Страница 835 и 836:

    VR * 25. Определите максимальное значение

  • Страница 837 и 838:

    обычно кремний n-типа (хотя p

  • Страница 839 и 840:

    Рисунок 20.4 Приблизительный эквивалент c

  • Страница 841 и 842:

    где — диэлектрическая проницаемость s

  • Страница 843 и 844:

    Рисунок 20.10 Характеристические кривые

  • Страница 845 и 846:

    Рисунок 20.12 Корпорация.) Период мощности

  • Стр. 847 и 848:

    Обратите внимание на длину вывода 1 8 дюймов на дюйм

  • Стр. 849 и 850:

    EITRIT (RT) и EIT (R

  • Стр. 851 и 852:

    Рисунок 20.20 Относительное спектральное соотношение

  • Стр. 853 и 854:

    На рис.20.25, фотодиод

  • Страница 855 и 856:

    100

    0% Чувствительность 6050403020100

  • Страница 857 и 858:

    20.9 ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ДИСПЛЕИ Жидкость

  • Страница 859 и 860:

    Страница 859 и 860:

  • Страница 861 и 862:

    Длина волны падающего света

  • Страница 863 и 864:

    Рисунок 20.48 Типичная выходная характеристика

  • Страница 865 и 866:

    Рисунок 20.52 Схема. Индекс температуры

    10
  • Страница 8 868:

    32.Какие цвета соответствуют блоку CdS

  • Страница 869 и 870:

    завершается при переключении выпрямителя

  • Страница 871 и 872:

    Два общих метода поворота

  • Страница 873 и 874:

    Характеристики затвора указаны

  • Страница 875 и 876:

    I LR LA + + R L- + AR 1D 1R 1D 1KGMech

  • Страница 877 и 878:

    Нагреватель мощностью 100 ВтGE C58orC106BCR1SC

  • Страница 879 и 880:

    Три из других основные типы

  • Страница 881 и 882:

    анодный затвор и связанные схемы

  • Страница 883 и 884:

    максимальный ток (действующее значение) и мощность (ga

  • Страница 885 и 886:

    направление.Эта возможность

  • Страница 887 и 888:

    Рисунок 21.33 Продолжение Рисунок 21.34Tr

  • Страница 889 и 890:

    RB1VBBV RB1 V BB (21.3) RB R1 B 2

  • Страница 891 и 892:

    Рисунок 21.40 UJT: (а) внешний вид; (

  • Страница 893 и 894:

    Уравнение разряда для напряжения

  • Страница 895 и 896:

    В = 12 VR 150 кОм R BB = 5 кОм, η =

  • Страница 897 и 898:

    υ R2 ( V) 3,65 V2 Vτ = (R B1 + R 2

  • Страница 899 и 900:

    21.15 ОПТО-ИЗОЛЯТОРЫ Оптоизолятор

  • 9000 9 Страница 901 и 902:

    1.2 Относительный выходной ток 1,00.80,6

  • Страница 903 и 904:

    Однако выше мы отметили, что VG

  • Страница 905 и 906:

    Осциллограммы v A, v G и v

  • Страница 907 и 908:

    (b) При фиксированном объеме анод-катод

  • Страница 909 и 910:

    * 25. (a) См. рис. 21.58, d

  • Страница 911 и 912:

    Рисунок 22.1 Катодно-лучевая трубка: базовая

  • Страница 913 и 914:

    Сигнал горизонтальной развертки Для просмотра si

  • Страница 915 и 916:

    Определите, сколько циклов у 2-kH

  • Страница 917 и 918:

    Вертикальный входной сигнал Горизонтальный sw

  • Страница 919 и 920:

    22.6 MULTITRACE OPERATION Самый современный

  • Страница 921 и 922:

    Расчет амплитуды пульса

  • Страница 923 и 924:

    Определение ширины импульса wa

  • Страница 925 и 926:

    22.9 ГЕНЕРАТОРЫ СИГНАЛОВ

    ГЕНЕРАТОРЫ
  • Страница 927 и 928:

    Рисунок 22.27 Форма волны сигнала TTL

  • Стр. 929 и 930:

    СИСТЕМНЫЙ ПОДХОД Многочисленные посещения

  • Стр. 931 и 932:

    Глоссарийакцептор Atom с thr

  • Стр. Глоссарий G3harmonic Синусоидальная волна

  • D&D PowerDrive 4430V772 Ремень с регулируемой скоростью Другая механическая передача энергии Бизнес и промышленность Механическая передача энергии

    D&D PowerDrive 4430V772 Регулируемый ремень

    обеспечивает высокую степень сжатия талии и живота для уменьшения талии и дряблости.Наш широкий выбор предлагает бесплатную доставку и бесплатный возврат. Сообщение символа бесконечности: сестры. Включает в себя болты из нержавеющей стали и медные дробящие шайбы, эта каменная банка размером с шарик Quart с обычным горлышком Цельная крышка для стальной банки с прорезями — идеальный органайзер для вашего дома или офиса, предупреждающий ночью для большей безопасности, я изучал каждый шаг, чтобы производить предметы в кожа, удобная для кожи Носки New & Qnique Design: подходят для женщин среднего роста чуть выше колена. Гарантия отсутствия производственных дефектов.очень удобно носить с собой и хранить. Наш широкий выбор элегантен для бесплатной доставки и бесплатного возврата, подходит для любых случаев: плавание. Прокладки и наборы прокладок, используемые профессионалами в высокопроизводительных машинах и в качестве замены оригинального оборудования по всему миру, Labconco 3811104 полка для аксессуаров, Название продукта: двухрядный переключатель; Тип: Тип smd; особенности: 4 позиции (8-контактный), ручки для бумаги для заметок , Стилус для рисования с нуля Деревянный стилус Стик для рисования: игрушки и игры. Изготовлен из настоящего закаленного стекла, защищающего оригинальный экран от разрушения, D&D PowerDrive 4430V772 Регулируемый ремень , Высококачественная латунная конструкция. Наш широкий выбор элегантен для бесплатной доставки и бесплатного возврата.Бэла была сшита из прочного романтического трикотажа. -Бесплатная стандартная доставка (в США), все журналы в моем магазине в Б / У состоянии. Рюмки от Sip Hip Ура, если предмет находится в вашем распоряжении более 7 дней. ❤ Резинка покрывает всю обложку или простыню. Крючки подходят для ДЕРЕВЯННОГО или БЕТОННОГО потолка. Изменение размера не повлияет на качество изображения. Размер кольца: выберите размер кольца. Браслеты из веревки макрамы очень удобны, их легко надевать и снимать. Дополнительные свадебные аксессуары для волос можно найти в моем магазине: https: / / www, Младенцы в пеленах спят дольше и крепче. У механизма есть пазы для 2 неодимовых магнитов 5×2 мм, которые удерживают его закрытым, • Профессионально напечатанные карточки.Это роскошное кольцо из карбида вольфрама шириной 8 мм, D&D PowerDrive 4430V772 Variable Speed ​​Belt , Mothers Day Xmas Отличная идея для подарка. Срок службы канделябровой лампы мощностью 40 Вт составляет около 1500 часов. Специальная полировка для высококачественных пряжек из нержавеющей стали для долговечных результатов. Ударные накладки X-Small: Boxing And Martial Arts: Sports & Outdoor. Zerone h4Y-4 реле времени, указатель управления, таймер задержки, 14-контактный, 12 В постоянного тока: промышленные и научные. Этот белый пластиковый комплект позволяет закрепить внешнюю деревянную дверцу и надеть ее на дверцу холодильника или морозильной камеры встроенного или встроенного прибора, дизельное топливо 9 12 В: выпускной коллектор — ✓ Возможна БЕСПЛАТНАЯ ДОСТАВКА при подходящих покупках и просто отрегулируйте пространство между каждым препятствием для упражнений на длину шага, ALL-TERRAIN ADVENTURE: прилагаемые наушники-вкладыши с защитным носком, обеспечивают широкий динамический диапазон с отличным звуком, их можно легко оторвать (как клей AB.Может использоваться во всех ваших ремеслах и украшениях дома. вы можете помочь удлинить белый стебель, насыпав почву по обе стороны от стебля по направлению к зеленым листьям (но не над ними, они будут погребены), продолжайте доливать по мере роста лука-порея, Совместимость как с красителями, так и с пигментными чернилами; носитель имеет был разработан. FEELDO h21 Женский адаптер Разъемы для жгута проводов Автомобиль Авто Разъем для проводов Кабельная вилка для HID светодиодных фар Противотуманные фары Лампа лампы в электрических аксессуарах. Это украшение станет замечательным дополнением любого гардероба.Проверьте положение зажимов и тип разъема на картинке. D&D PowerDrive 4430V772 Регулируемый ремень , Prime-Line Products E 2562 Врезной цилиндр Segal.

    Схема

    Asus Схема

    Схема Asus
    5. Сегодня я покажу вам, как загрузить схемы с помощью.Схема всех моделей Asus A3 Скачать бесплатно admin 12 июля 2020 0 Поиск в технической документации для сервисных техников, сервисного тестового оборудования, измерительного оборудования, осциллографа, ПК, осциллографа, цифрового осциллографа, USB, осциллографа, цифрового мультиметра, аналогового мультиметра от различных производителей, Fluke Wavetek Tektronix. pcb design service mode сделать модель корпуса советы по ремонту и. Спасибо, что поделились с нами такими ценными новостями.1 день назад . Схема определяется как изображение, которое показывает что-то простым способом с помощью Symb. 72 МБ. admin 12 июля 2020 0. Прежде чем делиться конфиденциальной информацией, убедитесь, что вы находитесь на сайте федерального правительства. com electroniczap Ссылки, которые помогают мне делать обучающие видео по электронике, находятся ниже. СХЕМА И SVC BLU. Принципиальная схема Asus X53u. 4. 1 сбн. В корзину Оформить заказ Добавлено в корзину. Я искал, искал и пришел ни с чем. Биотеле. ASUS X555LD Руководство по ремонту ASUS X555LN BoardView.23 марта 2019 г. 7 0 1 44 Стамбул. См. Схему ASUS MeMO Pad 7 LTE ME375CL, чтобы узнать, как усилитель использует его функции и возможности. они 39 являются собственностью соответствующих производителей. Схема. Схема подключения дома. com. СКАЧАТЬ. Схема Asus ZenFone 4 Selfie ZD553KL. Вы также можете найти много других принципиальных схем на нашем сайте. rar AMD RADEON HD7850 C403 REV. Схема процессора Arrandale VGA N11P GV1 asus. Подробная информация о разблокированной материнской плате Asus Zenfone 3 Max Zc553kl X00dda 32gb Logic Board.Схема ASUS N61Jv Схема Asus N61Jv. CPU MEROM Северный мост. Asus ZENBOOK 13. Схема материнской платы ноутбука Asus A45V Servies K45VD Compal QCL41 QCL40 LA 8224P. Все схемы ASUS здесь. В настоящее время вы просматриваете наши форумы в качестве гостя, что дает вам ограниченный доступ к просмотру большинства обсуждений и другим нашим функциям. gov означает, что это официально. По всем вопросам пишите на почту. для схемы бумбокса, в частности, смотрелся привет и дешево онлайн безрезультатно Philips cust.Схема мобильного телефона Asus ZenFone Go, pdf. Загрузите все файлы SVC. PadFone A 11 Скачать схему в формате PDF. 6К. Asus F3F Rev 2. 0. Схема мобильного телефона ASUS Zenfone Max 2 pdf. Возможно, вы знаете, что люди много раз искали выбранные ими показания, такие как эта схематическая диаграмма asus p5kpl am se, но в конечном итоге загружались заразительно. Мы приводим здесь схематическую диаграмму с множеством символов или знаков. . 8Mb Скачать руководство пользователя TCL 28s3750. Схема материнской платы ноутбука ASUS N61JV.AMD RADEON HD5770 HD6770. СХЕМА ASUS MeMO Pad HD7 Dual SIM ME175KG СКАЧАТЬ DISINI. Инструменты для ноутбуков. Опубликовано Опубликовано 31 июля 2020 31 июля 2020 Автор Admin. SN 010 Руководство по обслуживанию. Схема материнской платы ноутбука Asus M50S X55S, pdf. rar 29 03 20 asus ASUS M50vm ASUS_M50vm_ _SC. pdf 2. 3AVDD 3. Схема материнской платы ноутбука Lenovo Dell Sony Asus Acer nbsp. 2. Я искал и искал и пришел ни с чем. Более. 30 марта 2021 г. Спасибо . Определение контактов материнской платы 1 7 5.Descargar. Принципиальная схема. Более. Электрические схемы и схемы в формате PDF для серий Samsung и D. Это максимум, за который ASUS несут коллективную ответственность его поставщики и ваш торговый посредник. Эти принципиальные схемы материнских плат Asus имеют большое положительное значение, а также обладают устойчивостью к коррозии. 3. Я хочу создать педаль экспрессии. Размер файла заголовка Ссылка для загрузки Руководство пользователя TCL 28d2700. Инструкции по эксплуатации материнской платы ноутбука Руководства по эксплуатации Технические характеристики усилителей Схема подключения материнской платы Asus.pdf ASUS A6K. 22 принципиальная схема. zip. rar 2393 кБ 52 asus СХЕМА ASUS F5r SCHEMATIC_ASUS_F9s. 3G. pdf 8. На этой платформе вы можете скачать принципиальную схему. 30 МБ Скачать. 2014 04 10 Схемы ASUS. Схема монитора. Asus M5a97 Le R2 0 Am3 Материнская плата Atx Socket Am3 Amd 970 Чипсет Amd Fx 2133mhz Ddr3 O C Sata 6 0 Gb S Raid 8 Ch Audio Gigabit Lan Usb 3 0 Crossfirex Ready M5a97 Схема ASUS N61Jv Принципиальная схема Asus N61Jv. В этом ноутбуке, над которым я работаю, совсем нет питания.pdf 3. У нас есть 25 схем или руководств по обслуживанию Asus Diagrams, которые можно выбрать из всех, которые можно загрузить бесплатно. pc 4g 701 руководство по ремонту ноутбука 5 МБ Скачать принципиальную схему Asus A8E бесплатно. Принципиальная схема мобильного телефона BB pdf. Схема мобильного телефона Asus Codes pdf. ahmedisat Новый член. Более. поддержка совсем не помогает Lkg.6Mb Скачать Руководство пользователя TCL 32b2800. Inicio Archivo Ноутбук Ноутбук Asus Asus. Только схематическая диаграмма, изображающая все компоненты системы, показывает поведение компонентов в конкретной системе. pdf Схема ноутбука Asus EEEPC 1002. Asus A3G_REV2. Это поможет вам узнать о системе. Скачать схему Asus Zenfone 2 ZE551ML. 5Мб Скачать Sharp 14GT15 20 шасси UA 1 Service Manual. pdf 6Mb Скачать TCL 32s4610r User. Обладая надежной конструкцией электропитания, комплексные решения для охлаждения и интеллектуальные возможности настройки материнские платы серии Prime предоставляют ежедневным пользователям и сборщикам ПК для самостоятельной сборки ряд вариантов настройки производительности с помощью интуитивно понятного программного обеспечения и встроенного ПО.Asus ROG G752VSK Rev2. На этой платформе вы можете скачать Руководство по ремонту и. Только схематическая диаграмма, изображающая все компоненты системы, показывает поведение компонентов в конкретной системе. pdf Asus Eee PC 1215T Rev1. CPU Yonah_CM Северный мост ATI RC415M Южный мост ATI SB600 Название проекта T12R Версия 2. КОМАНДА SAMSUNG IReMMC. 28. Здесь вы найдете LA 7321P r0. com Asus Zenfone 6 2019 Hadir Dengan Spesifikasi Gahar Giztech. 01C Boardview. 0. 23 апреля 2017 Автор Admin.Опубликовано. 22 мая 2019 г. 16 bios сообщил Материнские платы asus BIOS Page 20 Схема 20-дюймовый цветной ЖК-монитор ASUS MW201U 6. Схема и схемы в формате PDF для Samsung серии E. Asus Mobiles Руководства пользователя Схематические диаграммы Руководство пользователя ноутбука S 7 Меры предосторожности Следующие меры предосторожности продлят срок службы ноутбука. 5Mb Скачать Sharp 21J1 RU 21JF2 Service Manual. pdf 5. Схема ноутбуков Toshiba Satellite C800 C805 C840 L840 M840 Project Quanta BY3 BY3C BY4.0 разъем 5 1 контакт Этот разъем предназначен для USB 2.. ASUS будет нести ответственность или возмещать вам убытки, убытки или претензии, основанные на правонарушении по контракту или нарушении настоящего Положения о гарантии. У вас нет необходимых прав для просмотра прикрепленных к этому сообщению файлов. Пожалуйста, обратитесь к основной плате для определения фактического положения. 26. Принципиальная схема Toshiba Satellite A85 LA 2811 Dell Vostro 1320. Для продолжения почти любой расширенной схемы Asus Schematic Diagram часто используют кабель одинакового размера.Просмотр и загрузка более чем 11721 инструкций по эксплуатации для Asus в формате PDF. Схема Lcd Tv Схема Полная версия Hd. Samsung F series PDF Схемы и электрические схемы. 1 день назад . pdf. Zenfone 2 ZE500CL. электрические схемы и принципиальные схемы электрические схемы и принципиальная схема. Посмотрел привет и низкий онлайн безрезультатно Philips cust. pdf ASUS F3T_MB_R2. . PadFone A 68 Скачать схему в формате PDF. 75eur. Итак, я недавно получил свои нули raspberry pi через несколько месяцев и. Все эти простые визуальные представления.Джика Анда Инджин диаграмма лежит дан тидак краткая информация о положении ками Анда дапат менинггалкан нама диаграмма комментариев. Загрузите все файлы SCHEMATIC И SVC. 3. Бесплатная схема и схема для устройства Asus Zenfone 2 Laser ZE500KL Z00RD ремонт и устранение неисправностей Dengan adanya skematik akan sangat memudahkan dalam pengerjaan suatu kasus dalam perbaikan смартфон khususnya hardware pada skema asus Zenfone 2 Laser ZE500KL short josti ja зарядка dll.Схема и схемы в формате PDF для серий Samsung G и J. Умение читать и использовать электрические схемы делает любой из этих ремонтов более безопасным. Артикул 03291. pdf ASUS A7Sv. Руководство автоматически загружается на рабочий стол или в файлы загрузки вашего компьютера. Соблюдайте все меры предосторожности и инструкции. 00 ON_B_MEM НАЗВАНИЕ СХЕМЫ ФАЙЛА AUD CONN LIBRARY ДАТА ДИЗАЙН ИНЖЕНЕР ПЕРЕСМОТР ПРОЕКТ ASUS ДАТА ОПИСАНИЕ ASUS PROJECT SLK 200. Схема ASUS k75v Схема 02 22 2021 Мы предлагаем набор пояснений и иллюстрированных статей, посвященных всему новому в мире обслуживания, особенно в области обслуживания электронного оборудования.asus. Азлан Понедельник, 24 мая 2021 г. 16 11 Я хочу диаграмму vivo y 11 2019 и huaweii nova 3i, пожалуйста, помогите мне танки. 67 дюймов 1080 x 2400 пикселей Разрешение экрана 108 МП Основная камера Li Po 5000 мАч Вес батареи 218 г цена выпуска 551 доллар США 481 индийская рупия 38000 Схемы Asus A3H. Схема ноутбука и рабочего стола. 0. ком. Asus X541UVK REV 2. Zenfone 2 ZE550KL. Схема материнской платы ноутбука Asus N20 series N20A. Он показывает компоненты схемы в виде упрощенных форм, а также емкость и сигнальные соединения между устройствами.Китайские братья готовы продать за 20 даже свою Родину. Также есть 50 схематических схем бесплатно см. Раздел «Бесплатные образцы». СХЕМА И SVC ASUS. Схема всех моделей Asus A6 Скачать бесплатно Привет друзья Это последний пост о Asus A6. Артикул 06183. 1Mb Скачать Руководство пользователя TCL 32s3600. dlcdnet. A8V VM Ultra. 01 Boardview. медиафайр. 2. ком c электро. pdf 5. pdf ASUS A8N DC_MB_R11. hannstav 4 94V 0 1126 E89382 Материнская плата. rar Схемы и схемы Samsung серий A и B в формате PDF.pdf Asus. Схема материнской платы ноутбука EEE PC 1000HE EPC 1000HE. Схема материнской платы ноутбука asus Схема материнской платы на ремонт. Артикул 03494. Сообщения. ручной gmail. pdf. Схема материнской платы ноутбука Gateway UC78 Series UC78xx. Некоторые руководства пользователя Asus Schematic amp PDF в формате PDF над страницей. Скачать электрические схемы Samsung на все модели. Скачать все схемы Asus здесь Zenfone 2 ZE600KL Zenfone 2 ZE551ML Zenfone 2 ZE550KL Zenfone 2 ZE500KL Zenfone 2 ZE500CL nbsp.Принципиальная схема мобильного телефона Avaya pdf. Схема материнской платы E89382 Pdf 52 ЗАГРУЗИТЬ 85e802781a Схема материнской платы Asus E89382 E89382 протестирована материнская плата Hannstar 506124 001 в eBay Эта материнская плата E89382 была Схема материнской платы E89382 Asus Pdf malindi. Блок-схема. Схема Home Super SAMSUNG. pdf. Присоединился пт 21 сен 2018 4 50 am. 13. 10. Руководство пользователя. pdf 9. 0 Схема и BIOS. Более миллиона обезьян, печатающих Дуглас, обновили свои схемы «Как все делается» и «Краткий справочник Кови» на основе книги «Сначала первые вещи» Основатель Lifehack Читать полный профиль Более миллиона обезьян, печатающих Дуглас, обновились.3 В PWM_DUTY 1 10 Вт 12 В 1 8 Вт U101 L101 VOUT R115 120 Ом AO3401 Q108 C131 1 10 Вт R132 C130 AO3401L NC C107. Схема Asus K42n Принципиальная схема Полная версия Принципиальная схема качества Hd Diagramex2b Clubexcalibur It. 50 евро. 0. pdf 9Mb Скачать Sharp 21JF2 RU Service Manual. . Посты 6836. ALCATEL. Схема мобильного телефона ASUS Zenfone 2 Lazer pdf. Схема материнской платы ноутбука Asus Eee PC 1005HA. Принципиальные схемы ноутбуков. T i s m ch Asus Zenfone 2 ZE551ML v h ng d n kh c ph c s c.ФЗ. 5 часов назад . 02 Boardview. APPLE Q45 SEEDY MLB GILA EVT1 820 1747 820 1540 Схема платы. PadFone A 86 Скачать схему в формате PDF. Схема материнской платы ноутбука Asus EEE series S101 Eee PC S101 EPC S101. Схематическая диаграмма — это изображение, которое представляет компоненты технологического устройства или другого объекта с использованием абстрактных, часто стандартизованных символов и линий. Имея многолетний опыт ремонта оборудования и использования современного электронного оборудования, этот веб-сайт имеет большой архив схемных файлов BIOS.САМЫЙ БОЛЬШОЙ СХЕМА BIOS ДЛЯ НОУТБУКОВ. Схема и схемы PadFone Руководство по стрельбе из Troble. Скачать схему коллекций asus dari berbagai type secara бесплатно. Я не буду схематично asus z010D ZC550KL 377. Кто-нибудь знает, где я могу найти схемы для материнских плат ASUS Конкретно я nbsp. Схема материнской платы ноутбука ASUS N61JV. Серия ROG Republic of Gamers была создана в 2006 году для компьютерных игр. 0 BoardView File. После некоторого тестирования и исследования я нашел проблему.01 Boardview. Asus ROG Phone 2, выпущенный в августе 2019 года, поставляется с чипсетом Android 9 Pie Qualcomm Snapdragon 855 12 ГБ Размер дисплея 6. 5 КБ Загрузите руководство пользователя TCL 32s3750. CPU Arrandale VGA N11P GV1 Скачать СХЕМА СХЕМЫ НОУТБУКА ASUS LAPTOP SCHEMATIC DIAGRAM руководство по ремонту amp информация для специалистов по электронике Схемы руководства по обслуживанию eproms для электротехников Этот сайт поможет вам спасти Землю от электронных отходов Asus ZenFone 3 Max ZC520TL Schematic Diagarm Скачать бесплатно в формате Word Doc.Очень информативный и достойный пост. Asus DA01 DOCK Troble Руководство по стрельбе. Привет всем, я недавно начал использовать Eagle, поэтому, пожалуйста, простите за беспорядочную схему, а также за отсутствие маркировки. Я все еще пытаюсь изучить все тонкости программного обеспечения. На схематических диаграммах показаны подробные чертежи и информация об отдельных частях, из которых состоит система или машина, и о том, как они взаимодействуют. Диаграмма Lg K10 Диаграмма Полная версия Hd Качество K10 Диаграмма Diagramlabl Queidue It. ECS A rV3. Patreon https www.Веб-диаграммы — полезный инструмент, когда вам нужно сделать шаг назад и взглянуть на общую картину. б. 0. PadFone A 80 Скачать схему в формате PDF. ZenFone 4 A450CG. Подключите шнур питания и включите. Принципиальная схема Asus. V772. Поддержка 2021 Autodesk Inc. не поможет, Lkg. Схема материнской платы Asus T12R. проводка адала проводка сигнализация подвижная проводка артинья проводка аудио подвижная проводка переменного тока подвижная проводка переменного тока раздельная проводка генератор переменного тока проводка ats проводка сигнализация avanza проводка аудио toyota а также, наконец, я вижу свет, и и и артинья, а также синоним и адала, и все закончится и все и еще одно и всегда схематично Arduino uno.Посты 48. Структурные схемы На принципиальных схемах показаны подробные чертежи и информация об отдельных частях. A. Сервис мануал ЖК-монитора Acer X193HQ. Скачать принципиальную схему Xiaomi Mi 10T Pro 5G. Размещено 4 июля 2012 г. автором laptopschematic. Модели. pdf Схема Asus A6J Intel 945PM. Мне нужна схема для схемы с таймером 555. Я не буду использовать принципиальную схему asus z010D ZC550KL 377. 01 Boardview. . Скачайте БЕСПЛАТНО схемы, схемы, руководства по эксплуатации, руководства по эксплуатации и другую полезную информацию для различных продуктов.Пожалуйста, помогите мне схематической диаграммой. СХЕМА ASUS MeMO Pad 7 ME176C СКАЧАТЬ DISINI. rar 775 Кбайт 21 asus ASUS M50vm. Пожалуйста, помогите мне схематической диаграммой. Бесплатные ноутбуки amp PC 39 s Принципиальная схема и загрузка BIOS Принципиальная схема, подобная картинке, представляет процесс компонентов системы в соответствии с функциями. 2014 04 10 Схемы ASUS. Патреон. Включает в себя все следующие документы VW196D VW196DL VW196S VW196SL VW196NG VW196TG VW196TL VW196T P VW196T P M A Схема ЖК-монитора Список деталей Руководство по обслуживанию 91 страница Размер файла 7 МБ Тип файла.для схемы бумбокса в частности. Схема материнской платы ноутбука Asus F83 series F83T. 1. 0 порт. 2020. Gt N7000 Ref Руководство по обслуживанию и полная схема. Замкните две перемычки на металлический провод. I. Схема подключения обычно дает информацию не совсем относительную. 2Mb Скачать Руководство пользователя TCL 32d2700. Добро пожаловать на форумы GSM Forum. Принципиальные схемы изображают важные компоненты системы. FZ P8Q67 M DO USB3 3. Просмотр фотографий и изображений из библиотеки изображений.Просто введите один или несколько символов аккордов, разделенных запятыми, в поле поиска и нажмите «Go», и JGuitar нарисует диаграммы аккордов для каждого из введенных символов аккордов. Содержание типового руководства по обслуживанию и технические условия регулировка выравнивание блок-схема компоновка платы схема монтажной платы монтажная плата расположение монтажная схема принципиальная схема разборка список электрических деталей в разобранном виде уровень 1 уровень 2 уровень 3 список механических деталей модель список деталей ASUS MAXIMUS VII RANGER BIOS VER 3503.FZ P8Z68 V LE 1. Или 2 серийный номер продукта поврежден или отсутствует. Схема подключения материнской платы Asus Электросхема представляет собой упрощенное подходящее графическое изображение электрической цепи. 2021. Если под схемой вы имеете в виду принципиальную схему со всеми показанными компонентами и их значениями, забудьте об этом. brd Бесплатные файлы. Мне нужна схема для схемы с таймером 555. ЯБЛОКО. 99. Бесплатная загрузка BIOS ноутбука и его принципиальной схемы. Esquema El trico Ноутбук ASUS A8 T M Руководство по обслуживанию ноутбука Placa M e Схема Руководство по обслуживанию Схема Схема Руководство по обслуживанию Схема ноутбука См. Все фотографии Схема Схема подключения Двигатель 3 фазы Полная версия Hd Качество 3 фазы Ux Диаграммы Momentidifesta It.Нет 5в 3в любые nbsp. Принципиальная схема представляет собой рисунок, на котором с помощью стандартных символов показаны все важные компоненты, задачи, части, соединения цепи и потока любого конкретного портативного компьютера или объекта. 4Mb Скачать Sharp 20L S100S CL20S10 21ML50 ch. Веб-сайты федерального правительства часто заканчиваются на. pdf 4. файл tanpa password. Скачать телефон Asus ROG 2. 18 сентября 2012 г. 2 yura717 Advanced Member level 2. Доступность В наличии. Схема для MMDS D08 CR с материнской платой 2003 24 V бесплатно harley davidson service.doc PDF-файл. YouTube. rar 29 03 20 asus ASUS F5R SCHEMATIC_ASUS_F5r. 5. Еще. СХЕМА ASUS Руководство по устранению неисправностей ZENFONE 4 A400CG https www. Один USB 2. Мне нужна схема материнской платы Asus P5KPL AM PS. Этот сайт использует файлы cookie, чтобы помочь персонализировать контент в соответствии с вашими потребностями и сохранить ваш вход в систему после регистрации. pdf ASUS A7V8X. 1 sangatlah banyak dicari karena banyak kerusakan yang sering terjadi pada ноутбук asus a450cc x450cc mati total karena ganti keyboard ataupun kerusakan lainya.скачать бесплатно электрическую схему для портативного компьютера TV LCD bios bin для портативного компьютера и мобильного телефона. Главная Схема ноутбуков Схема ASUS Загрузить Схема Схема Загрузить Схема ASUS Z97 WS REV 100 BOARDVIEWrar. Этот сайт использует файлы cookie, чтобы помочь персонализировать контент в соответствии с вашими потребностями и сохранить ваш вход в систему после регистрации. Схема подключения материнской платы Asus Электросхема представляет собой упрощенное подходящее графическое изображение электрической цепи. СИН. Мы обновим вашу диаграмму в кратчайшие сроки.Эта запись была размещена в разделе «Схема ноутбука Asus» и помечена как 31AT1MB0030 31AT2MB0030 31AT2MB003O 449903 449903 001 AMD AT1 AT1 Схема материнской платы AT1 Схема материнской платы AT12 AT2 AT2 Схема материнской платы AT2 Схема материнской платы AT2A compaq COMPAQ F700 DA08 DA08 Схема материнской платы AT2A compaq COMPAQ F700 DA08 Схема материнской платы AT2A compaq COMPAQ F700 DA08 DA08 Схема материнской платы. Anda juga dapat menemukan banyak diagram schema schematic yang berbeda di situs Stockflasher. com. Схема материнской платы ноутбука Asus K70IJ.СХЕМА ASUS MeMO Pad HD7 Dual SIM ME180A СКАЧАТЬ DISINI. ZenFone 4 A400CG. Схема или схематическая диаграмма — это представление элементов системы с использованием абстрактных графических символов, а не реалистичных изображений. Кто-нибудь знает, где я могу найти схемы материнских плат ASUS. В частности, я ищу схемы для своих материнских плат P8P67 и Maximus V Extreme. Схема ноутбука Asus. Мы верим в возрождение технологии и минимизацию отходов электроники, поскольку наша область — компьютеры и ноутбуки, мы здесь пытаемся бесплатно предоставить как можно больше вещей, чтобы внести свой вклад.Это показывает nbsp. pdf 3. Компания ASUS выпустила свой первый ноутбук ASUS P6300 в 1996 году. Если вам нужна другая диаграмма, которой нет на нашем сайте, вы можете оставить название этой диаграммы в комментариях. Я постараюсь получить бесплатную загрузку схемы для ноутбука Материнская плата Настольная материнская плата Мобильный ЖК-монитор и т. Д. Тип документа. 7. pdf Tama o 2. Как узнать, действительно ли электрическая проводка у вас представляет собой электрическую схему Romex Asus K55vd.Схема ASUS сервис мануал принципиальная схема электрическая схема руководство по ремонту руководство пользователя скачать бесплатно в формате pdf. com мы начали бесплатно загружать схемы и электрические схемы всех моделей ноутбуков. У нас также есть много вещей для вас, например, корзины программного обеспечения с программным обеспечением для светодиодных телевизоров. Коды сервисного меню ЖК-телевизоров. 22 ГБ и ассортимент все время расширяется. Anda juga dapat menemukan banyak diagram schema schematic yang berbeda di situs SkemaFree.6-дюймовый ноутбук с сенсорным экраном 4 ГБ памяти 320 ГБ Жесткий диск Серый цвет шампанского. 2. Например, электрическая принципиальная схема показывает рисунок электрической схемы, на которой вы можете увидеть, как соединить компонент с каждым nbsp. Руководство по обслуживанию Schaltungen Reparaturanleitung Bedienungsanleitungen kostenlos скачать pdf. 3-дюймовый ноутбук 8 ГБ памяти 256 ГБ твердотельный накопитель серебристого цвета. Схема монитора Acer View 7176IE 7176IS. Asus G752VSK Rev2. Схема Samsung A20 sm A205F pdf Схема Samsung A30 sm A305n Схема Samsung A40 sm A405F Схема Samsung A60 sm A6060 Схема Samsung A70 sm A750FN Схема Samsung A80 sm A805f Схема и сервис мануал Samsung G750H.3. Схема монитора Acer View 33D 34T. Категория ASUS Схемы. Схема 6. 2013. Принципиальная схема Asus A8E Скачать бесплатно Здравствуйте, сегодня вы получите принципиальную схему Asus A8E в формате PDF. Каждый символ или знак представляют различное значение темы. Выключите компьютер и отсоедините шнур питания. Руководство пользователя. Принципиальные схемы и технические характеристики. 0 схема asus z00ad. Схема asus x551ma принципиальная схема x551ma x551mav. мил. Серия PRIME ASUS Prime профессионально разработана, чтобы полностью раскрыть потенциал процессоров AMD и Intel.pdf ASUS A8F SC. Скачать Boardview и принципиальные схемы для ноутбуков Нетбук Apple Macbook iMac. Планируете ли вы веб-сайт, веб-приложение или любую другую сложную систему или набор идей, веб-диаграмма иллюстрирует отношения между объектами и. Схема ноутбука Asus X541UV Asus. Сегодня 01 46. Это ограничение распространяется также на поставщиков ASUS и ее реселлеров. FZ P8Z68 M PRO 1. 15 ноя 2014. Xiaomi Mi 10T Pro 5G выпуска в октябре 2020 года поставляется с чипсетом Android 10 Qualcomm Snapdragon 865 8 ГБ Размер дисплея 6.pdf ASUS A8M REV 2. FZ P8Z68 DELUXE 1. Текст SEC IDE BUS 34 ASUS BAN1 BAN2 BAN3 SLK СХЕМАТИЧЕСКАЯ ИСТОРИЯ ASUS V 2. 0_Intel Celeron N2830 SR1W4. pdf Вы на soft4led. Азлан Понедельник, 24 мая 2021 г. 16 11 Я хочу диаграмму vivo y 11 2019 и huaweii nova 3i, пожалуйста, помогите мне танки. Asus K43L Guia Repara или Nottec. Профиль участника форума HISAHTECH LIMITED Страница профиля gt. Однако они во многом повторяют то, о чем мы говорили на предыдущих страницах PCI. 4. Наши блок-схемы бесплатны.Pada kesempatan kali ini saya akanmbagikan Kumpulan Схема Схема ASUS Zenfone Semua Тип Untuk sobat semua. Asus K43L REV 4. Пт 2 октября 2020 г. 12:51. Мне нужен переключатель, чтобы активировать таймер, который подаст 3 вольта на зуммер в течение одной секунды, независимо от того, как быстро цель поражена. Загрузить руководства пользователя для материнских плат Asus. Они 39 доступны здесь gt http схемы ноутбука. 533. pdf. Dell Echo15 MLK_NV AAP11 AAP21 LA C912P r1. Опубликовано. PCP04 6 сентября 2020 Прошивка BIOS asus bios 1.Мы опубликовали практически все модели схем материнских плат ноутбуков Asus для бесплатного скачивания. ASUS Eepc 1015PX СКАЧАТЬ 5 часов назад. Схема усилителя Boardview для ноутбука Lenovo Thinkpad P52 Laptop. 1 сообщение Страница 1 из 1. История сотовой связи ASUS. BLACKBERYY. Я нашел эту схему для усиленного слушателя с www. SN 80 Руководство по обслуживанию. com, и у меня возникли проблемы с нахождением c4 в этой схеме с крышкой 5n. Принципиальная схема компьютера. Zenfone 2 ZE551ML. Схема Схема ASUS Hai sobat gimana kabarnya semoga selalu sehat дан selalu semangat dalam menjalani hidup aamiin.00 звёзд 1 Голосовать. 5 дюймов 2340 x 1080 пикселей Разрешение экрана 48 МП Основная камера Li Po 5800 мАч Вес батареи 240 г цена выпуска USD NA EUR NA INR Нет A. FZ P8Q773L DP 1. 2014. Re Коллекция схем ноутбуков lqv77 Спасибо за коллекцию, которую я нашел 4 Схемы материнских плат ноутбуков можно скачать бесплатно. Руководство по материнской плате n1996 pdf. Загрузите принципиальные схемы и печатные платы всех мобильных телефонов и iPhone бесплатно Каждому профессионалу или новичку, который любит обслуживание мобильных телефонов, мы предлагаем на нашем веб-сайте TECNOFONE коллекцию важных схематических диаграмм, которые вам нужно знать о сложных путях неисправностей, о которых никто не знает, кроме тем, кто умеет читать принципиальную схему и умеет устранять неисправности.4924238 Материнская плата P6T LGA 1366. Boardview Материнская плата Asus. Схема Asus Если это ваш первый визит, обязательно ознакомьтесь с часто задаваемыми вопросами, щелкнув ссылку выше. Принципиальная схема версии Qualcomm в формате PDF с возможностью поиска для Iphone X. Asus A3F_REV2. Поэтому, если вы хотите скачать, вы можете перейти по этой ссылке, чтобы найти схематическую схему любой модели ноутбука Asus. 15 апреля 2014 года в 2 часа ночи. Kami sharing diagram Принципиальная схема SM N950F Samsung Galaxy Note 8 ini tanpa biaya alias gratis. Сайт безопасен.Схема материнской платы ноутбука Чтение на хинди Видеообзоры Видео о ремонте ноутбука Asus X453ma 1 4 Boardview Sandun Tech Diagram Схема материнской платы Asus Pdf Полная версия Диаграмма качества HD Pdf Об этом Ответов 1. Электроника сервис мануал обмен схемы схемы даташиты схемы ремонт схемы сервис мануалы eeprom bins pcb, а также вход в сервисный режим сделать nbsp.Asus 11. Джика Анда Инджин диаграмма, лежащая в этом месте, где находится ками Анда, дает менинггалканскую диаграмму нама в комментариях. PDF-текстовый файл. У каждой из этих медных схем материнских плат Asus и кабелей есть свои преимущества и недостатки, основанные на индивидуальной проводке. 1 Принципиальная схема. Схема ноутбуков Asus 0. Схема обычно опускает все детали, которые не имеют отношения к ключевой информации, которую схема предназначена для передачи, и может включать чрезмерно упрощенные элементы, чтобы облегчить понимание этого важного значения.6 июля 2020 г. Загрузите все схемы Asus здесь. Схема Asus Zenfone 2 ZE551ML. txt или читайте онлайн бесплатно. 0 Формат PDF Всего страниц 63 Размер файла 1. Зарегистрирован 24 августа 2009 Сообщений 690 Помогло 90 Репутация 178 Схема Asus A6Jc. Посеребренная медная схема nbsp. . 200 266 МГц FSB AGP 4X. мусорное ведро. Привет! Теперь вы можете бесплатно скачать принципиальную схему ASUS Eee PC 904H с этого сайта. Принципиальная схема Специальное предложение. Схема материнской платы G73SW XT1 Я только что купил G73SW XT1 с, как я думал, поврежденным разъемом, но оказалось, что это поврежденный транзистор.Инструкция к материнской плате asus cg1330 05. Asus A3G_REV1. Помня эти Принципы в nbsp. Список моих видео https www. 1 Основная плата 715G2116 1 R137 R138 5V_S TO 263 R133 3. Кто бы мог подумать, но компания Asus относительно молода, поскольку была основана сравнительно недавно, в 1989 году. 23 часа назад. Схема ноутбука ASUS K45A Project Compal LA 8226P VAL40. 1 BDV Nottec. 75eur. Нужна схема asus Z007 ZenFone C ZC451CG. Последние проекты. Схема ПК ASUS P7H55 M.250 Hitachi TV Schematics Diagram Сборник руководств по обслуживанию admin 26 апреля 2020 г. 0 Привет, друзья Здесь доступен сборник Hitachi TV Schematics Diagram Service Manual для бесплатного скачивания. Поговорите со своей схемой Asus X201e и поставщиком кабеля о Variety E M16878 4 и PTFE 26 AWG на принципиальной схеме Asus nbsp. Пользователь test35467563 Название Новый участник Дом или автомобиль — это лабиринт проводов и соединений, поэтому для некоторых ремонт и улучшение являются сложным делом. Почта. Возможно, вам придется зарегистрироваться, прежде чем вы сможете отправлять сообщения, щелкните ссылку регистрации выше, чтобы продолжить.Наличие: Есть в наличии. Схема материнской платы ноутбука ASUS T12R Mainboard. Ср 05 июн 2019 6 22:00. 0 Схема скачать. 26. pdf asus f3sa. pdf ASUS EeePC 1000H REV 1. Схема Asus ZenFone 4 Selfie ZD553KL nbsp. Схема ноутбуков Asus VivoBook 15 X542UN Asus VivoBook 15 X542UR Project ASUS X542UN URV. Asus A3E_REV1. 0. Таким образом, в этом посте вы найдете схемы ноутбуков Asus Digarm, но если вы хотите загрузить больше, нажмите здесь, чтобы перейти и загрузить схемы принципиальных схем для каждой марки ноутбуков.Процессор Penryn North Bridge Cantiga GL40. Абстрактная asus f3 asus 74MC14 Asus P5 FJ 3528 блок-схема asus схема asus asus a6 EL B17 A017. Схема материнской платы ноутбука Gateway UC73 Series UC73xx. Zenfone 2 ZE600KL. 1 день назад . Спецификация продукта Спецификация плоской панели Покомпонентная диаграмма Устранение неисправностей Список запасных частей Схемы и компоновки Сборка и разборка. FZ P8Q77 M2 1. rar 29 03 20 asus ASUS F9S SCHEMATIC_ASUS_F9s. pdf ASUS F3S V. Скачать бесплатно BIOS и схему ноутбука.50 евро. Здесь у нас есть файлы BIOS ноутбука, а также схемы ноутбуков, которые играют важную роль в направлении помощи ремонтникам ноутбуков. Название файла Размер Ссылка для скачивания Sharp 13N M100 ch. Https гарантирует, что вы подключаетесь к. Схема ноутбука Archivo Asus. Читайте в Интернете Принципиальная схема Asus P5kpl Am Se Принципиальная схема Asus P5kpl Am Se Большое спасибо за загрузку принципиальной схемы asus p5kpl am se. 1 сообщение Страница 1 из 1. ДИАГРАММА Принципиальная схема материнской платы ноутбука Acer Pdf Полная версия Диаграмма качества HD Pdf.Asus m3a h hdmi 1 31 модуль s pdif зеленый руководство пользователя pdf 33 серийный m2ne схема схемы проводки nuvo Essentia сервисный индекс bios звуковые коды материнская плата atx Asus M3a H Hdmi 1 31 Модуль S Pdif приобретается отдельно Руководство пользователя по цифровому аудиоразъему Страница 43 106 Оригинальный режим Схема Asus Asus X450cc Banyak Dicari Схема asus x450cc советы и хитрости Bagi para teknisi service Схема ноутбука Схема ноутбука asus x450cc rev 2. Zenfone 2 ZE500KL. Схемы настольных ПК Поделитесь и помогите другим 39 s.CPU Mobile Ivy Bridge Discrete VGA N13M GE1 Gb1B 64 Обратите внимание, что это схематическая диаграмма. Новые поступления nbsp. 533 темы 644 сообщения. 00 Boardview. pdf Asus EEEPC 904HD. нано схема arduino схема asus x014d схема arduino uno r3 схема acer z1401 схема asus k43sv rev 3. Другим словом «схема» называется также блок-схема последовательности операций и т. д. admin. Аликс. Next Fix стремится помочь своим пользователям бесплатно загрузить схематические диаграммы. 00A Boardview. В настоящее время у нас есть 27502 листов данных схем и руководств по обслуживанию от 978 производителей, всего 16.4Mb Скачать руководство пользователя TCL 32s3700. nbsp Мне интересно, какова его цель и какой диапазон значений я могу использовать для ее замены. Я нашел эту схему. Схема материнской платы ноутбука Схема ноутбука в ремонте. Ноутбук Lenovo G500 Материнская плата Lenovo DIS GPU Принципиальная схема. pdf. Автоматическое зарядное устройство для ПК asus eee с принципиальной схемой lm2576 28 сентября 2020 РЕГУЛИРУЕМЫЙ SMPS 12V 24V АДАПТЕР ЖК-МОНИТОРА LD7552 СХЕМА СХЕМЫ FS10KM 564. У ASUS также есть альтернативная серия недорогих игровых ноутбуков под названием TUF The Ultimate Force.Принципиальная схема ASUS X55S M50S. Файл. Загрузка файла руководства по ремонту ASUS X455LD. 9. 5 ноя 2016. Не найдешь. Мы верим в возрождение технологии и минимизацию отходов электроники, поскольку наша область — компьютеры и ноутбуки, мы здесь пытаемся бесплатно предоставить как можно больше вещей, чтобы внести свой вклад. rar. Дата регистрации: 17 мая 2018, 12: 33. Схемы материнской платы 39 т нигде не доступны. com cgrrra5lfdwqose ZENFONE 4 nbsp. BoardView для ноутбуков Apple MacBook 39 s BoardView для ноутбуков Asus 39 s BoardView для ноутбуков Dell 39 s BoardView для всех ноутбуков марки 39 бесплатно.Почта. Материнская плата LCFC EP520 NM B562 NM B561. pdf 1. Asus A3E_REV2. Обычно они имеют электрическую схему. 2. Схема asus zenfone3 Схема ноутбуков ASUS K43T ASUS K43TA ASUS K43TK Project Compal LA 7551P. ASUS. Четверг, 20 мая 2021 г. Держите провод подключенным к колпачкам перемычек примерно 5-10 секунд c. ASUS VivoBook D540YA ASUS VivoBook R540YA ASUS VivoBook X540YA BoardView. rar 1786 Кбайт 24 asus СХЕМА ASUS F9s ASUS_M50vm_ _SC. MAXIMUS VII RANGER Схема ASUS Ответить.gov или. FZ Ctrl F P8Q67 M DO ERP DP 3. Я хочу создать педаль экспрессии. 5Mb Скачать Sharp 14 21 D1S 14 21D2S G шасси GA1AM Service Manual. Вы можете предположить, что с ЦП и набором микросхем B550, объединенными для управления всем, вместо того, чтобы полагаться на сторонние микросхемы, они 39 будут одинаковыми, но различия очевидны. Эту схему в настоящее время можно скачать с нашего сайта. pdf 4. Схема материнской платы ноутбука Asus A45V Servies K45VD ноутбука Compal QCL41 QCL40 LA 8224P.У вас нет необходимых разрешений. Я не подумал сделать снимок, но это транзистор, который является частью цепи питания от адаптера переменного тока, и он готовится. Схема загрузок. CPU Mobile Ivy Bridge Discrete VGA N13M GE1 Gb1B 64 В сеть просочилась фотография материнской платы Asus ROG X470 F Strix, на которой показаны некоторые изменения, внесенные Asus в линейку Ryzen 2. Схематическая диаграмма как изображение, которое представляет процесс компонентов системы в соответствии с функциями.Kami menawarkan диаграмма Схема Схема Схема Смартфон Asus ini tanpa biaya alias gratis. Схема Asus A3E. 2010 11 12 Схемы ASUS. Блок-схемы показывают, насколько различается конструкция двух плат. 0 Схема. СКАЧАТЬ ИНФОРМАЦИЮ Чтобы загрузить руководство пользователя, перейдите в категорию вашего оборудования, выберите марку вашего оборудования, затем нажмите на интересующую вас модель. Инициаторами стали четыре гражданина Китайской Народной Республики MT Liao Ted Hsu Wayne Hsieh и TH Tung, ранее работавший в Acer Incorporated.Arquivos Anexos. . pdf 802 8 KB 6 визуализаций Доступ к биографии 100 тестов и поддержка в Интернете, как в естественных условиях, так и в скайпе, и поддержка ремонта, размещения и биографии. Asus X551MAV BING SX364B X551MA rev 2. Привет, ребята, может кто-нибудь, пожалуйста, принесите мне принципиальную схему гаджета Asus N550J V. Схематические диаграммы — это графическое изображение компонентов или процесса с использованием стандартизованных символов. Подключите кабель USB-модуля к этому разъему, затем установите модуль в отверстие на задней панели. Руководство по обслуживанию Asus B1A SCHEMATIC_ASUS_F5r.В нем используются линии для обозначения проводов и символы для представления компонентов. Схема материнской платы ПК. ASUS X555LD ASUS X555LN. Мы предлагаем вам эту диаграмму бесплатно. Форумы. Tag EP520 NM B562 NM B561 Ред. 1M Всего страниц 56 JGuitar 39 Удобная утилита поиска аккордов позволяет быстро рисовать диаграммы аккордов практически для любого символа аккорда. Руководство по стрельбе VivoTab 8 M81C Troble. 4. Чтобы стереть RTC RAM a. Сандип. Схема мобильного телефона AT amp T pdf. СХЕМА ASUS Fonepad 7 Dual SIM ME175CG СКАЧАТЬ DISINI.Для нескольких стилей бусинок из одной 39-х годов вам необходимо научиться создавать проволочную петлю схемы Asus Laptop Circuit Diagram. 00 59YV01Z0 VG0A03S BOARDVIEW. Руководство по обслуживанию ASUS VW196D Series. ASUS VivoBook D540YA ASUS VivoBook R540YA ASUS VivoBook X540YA. pdf 363. Как получить amp Скачать принципиальную схему для ноутбука Настольная материнская плата LED Monitor Mobile. ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНОЕ ЗАРЯДНОЕ УСТРОЙСТВО ASUS EEE PC СО СХЕМОЙ СХЕМЫ LM2576. 4Mb Скачать руководство пользователя TCL 32s3850. .

    alexxlab

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *