Приемники начинающего радиолюбителя | Авторская платформа Pandia.ru

Рис. 2

На рис. 2 показаны условные обоз­начения полевых транзисторов со встроенным каналом и р-n переходом, а также указаны и типовые значения напряжения смещения. Выводы обо­значены в соответствии с первыми буквами названий электродов. Харак­терно, что для транзисторов с р-кана­лом напряжение на стоке относитель­но истока должно быть отрицатель­ным, а на затворе относительно исто­ка — положительным, а для транзистора с n-каналом — наоборот.

В промышленной аппаратуре и реже в радиолюбительской находят так­же применение полевые транзисторы с изолированным затвором. Такие транзи­сторы имеют еще более высокое входное сопротивление, могут работать на очень высоких частотах. Но у них есть существенный недостаток — низкая электриче­ская прочность изолированного затвора. Для его пробоя и выхода транзистора из строя вполне достаточно даже слабого заряда статического электричества, ко­торый всегда есть на теле человека, на одежде, на инструменте. По этой причине выводы полевых транзисторов с изолированным затвором при хранении следует связывать вместе мягкой голой проволокой, при монтаже транзисторов руки и инструменты нужно «заземлять», используют и другие защитные мероприятия.

КЛАССИФИКАЦИЯ ТРАНЗИСТОРОВ

Отечественная электронная промышленность выпускает большое число типов транзисторов различного назначения. Условное обозначение каждого типа состоит из нескольких букв и цифр согласно системе, принятой в 1964 г. и до­полненной в 1972 г. Первая буква обозначения указывает на материал кристалла транзистора: К — кремний, Г — германий; вторая — на вид прибора; Т — би­полярный транзистор, П — полевой. Далее следует трех – или четырехзначное число. Первая его цифра дает понятие о частотных и мощностных характеристи­ках транзистора в соответствии с табл. 1. Например, цифрой 1 обозначают низкочастотный транзистор малой мощности, 3 — транзистор высокочастотный ма­лой мощности и т. д. Последние цифры указывают порядковый! номер разработ­ки. В конце обозначения могут стоять одна или две буквы, свидетельствующие о технологических особенностях транзистора или обозначающие ту или иную груп­пу, обусловленную разбросом параметров.

Таблица 1

Классификация транзисторов выпуска после 1964 г.

Частотные свойства	Транзисторы
малой мощности (PKmax<0,ЗВт)	средней мощности (Ркmax<3 ВТ)	большой мощ­ности (Pкmax>ЗВт)
Низкая частота (ниже 3 МГц)	101…199	401…499	701…799
Средняя частота (ниже 30 МГц)	201…299	501…599	801. ..899
Высокая частота (выше 30 МГц)	301…399	601…699	901. ..999

Примечание. У транзисторов с четырехзначным числом в обозначении последние три цифры означают номер разработки.

В качестве примера расшифруем условное обозначение транзистора ГТ322А: германиевый биполярный транзистор высокой частоты малой мощности с номе­ром разработки 22, группа А. Другой пример. Транзистор КПЗОЗБ: кремниевый полевой транзистор высокой частоты малой мощности с номером разработки 03, группа Б. Таким образом, табл. 1 может быть использована при идентификации практически всех типов транзисторов, выпускаемых отечественной промышлен­ностью. Нужно отметить, что системы условных обозначений, принятые за рубе­жом (а их немало!), не позволяют так точно определить характеристики тран­зисторов, как система, принятая в СССР.

Кроме транзисторов, имеющих обозначение по действующей системе, еще вы­пускаются и находят применение транзисторы, обозначаемые по старой системе, действовавшей до 1964 г. Обозначение этих транзисторов начинается с буквы П, что означает плоскостной (конструктивная особенность), а далее следует цифро­вой индекс от однозначного до многозначного. Расшифровка цифровых индексов указана в табл. 2.

Таблица 2

Классификация транзисторов выпуска до 1964 г.

Частотные свойства

Транзисторы

малой мощности ( PКmах<0,25Вт)

большой мощности (PKmax>0,25 ВТ) Pages: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 Твитнуть Правообладателям Сообщить о нарушении Архивы pandia.ru Алфавит: А • Б • В • Г • Д • Е • З • И • К • Л • М • Н • О • П • Р • С • Т • У • Ф • Ц • Ч • Ш • Э Я Авто История · Термины Бытовая техника Климатическая · Кухонная Бизнес и финансы Инвестиции · Недвижимость Все для дома и дачи Дача, сад, огород · Интерьер · Кулинария Дети Беременность · Прочие материалы Животные и растения Компьютеры Интернет · IP-телефония · Webmasters Красота и здоровье Народные рецепты Новости и события Общество · Политика · Финансы Образование и науки Право · Математика · Экономика Техника и технологии Авиация · Военное дело · Металлургия Производство и промышленность Cвязь · Машиностроение  · Транспорт Страны мира Азия · Америка · Африка · Европа Религия и духовные практики Секты · Сонники Словари и справочники Бизнес · БСЕ · Этимологические · Языковые Строительство и ремонт Материалы · Ремонт · Сантехника 

Общая электротехника и электроника (Электротехника и электроника)

Sorry, the requested file could not be found

More information about this error

Jump to. .. Jump to…ОбъявленияВидеоконференцияВопрос — ответOnline чатО науках «Электротехника» и «Электроника»Цель, задачи и результаты освоения дисциплиныСодержание дисциплиныМесто учебной дисциплины в структуре ОПОП ВОМетодика обучения студентов очной/заочной формы обученияАттестация по дисциплинеЧто нужно сделать чтобы получить оценку?Рекомендуемая литература по дисциплине «Общая электротехника и электроника»Лазута И.В. Реброва И.А. Основы электротехники и электроники. Учебное пособие. 2018Лазута И.В. Реброва И.А. Расчет и анализ электрических цепей и устройств. Учебно-методическое пособие. 2019Лазута И.В. Реброва И.А. Электротехника. Лабораторный практикум. 2022Литература для расширенного изучения дисциплиныПрограмма для чтения PDF и DJVUАнализ и расчёт цепей постоянного токаАнализ и расчёт линейных цепей однофазного синусоидального токаАнализ трёхфазных электрических цепейАнализ и расчёт магнитных цепейТрансформаторыЭлементная база современных электронных устройствИсточники вторичного электропитанияЛампочка в цепи постоянного токаЛампочка в цепи переменного токаКатушка в цепи постоянного токаКатушка в цепи переменного токаКонденсатор в цепи постоянного токаКонденсатор в цепи переменного токаДиод в цепи постоянного токаДиод в цепи переменного токаПараллельный колебательный контур в цепи переменного токаРезонанс токов в параллельном колебательном контуреТрансформаторДвухполупериодная мостовая выпрямительная схемаМостовая выпрямительная схема с фильтром и стабилизаторомПрезентации и заготовкиЗагрузка ЛР №1. Измерение электрических величинЗагрузка ЛР №2. Разветвлённая цепь постоянного токаЗагрузка ЛР №1. Характеристика диодаЗагрузка ЛР №2. Характеристики транзистораЗагрузка ЛР №3. Неуправляемые выпрямителиЗагрузка ЛР №4. Управляемые выпрямители и регулятор токаВведение в Electronics WorkbenchУказания к лабораторным/практическим работам в Electronics WorkbenchЗагрузка EWB. Характеристика диодаЗагрузка EWB. Характеристики транзистораЗагрузка EWB. Неуправляемые выпрямителиЗагрузка EWB. Регулятор переменного токаЗагрузка EWB. Усилитель низких частотЗагрузка РГР по ЭлектроникеО расчётно-графической работеЗадания на РГРВыполнение расчётно-графической работыОформление расчётно-графической работыТитульный лист и примеры оформления задач РГРЗагрузка 1-й задачи РГРЗагрузка 2-й задачи РГРЗагрузка 3-й задачи РГРО контрольной работеЗадания на КРЗВыполнение контрольной работыОформление контрольной работыТитульный лист и примеры оформления задач КРЗЗагрузка КРЗВопросы к экзамену по дисциплине «Электротехника, электроника и схемотехника»Вопросы к экзамену по дисциплине «Электротехника и электроника»Вопросы к экзамену по дисциплине «Электроника»

Skip Statistics

Транзистор, MOSFET и IGFET Обозначения

Транзистор NPN BJT

Транзистор с биполярным переходом NPN (BJT), состоящий из 3 слоев полупроводникового материала. Полупроводниковый материал P-типа зажат между двумя материалами N-типа. Это устройство с регулируемым током, используемое для переключения или усиления. Ток, поступающий через клемму базы, усиливается до тока, поступающего через коллектор.

Транзистор PNP BJT

Этот символ обозначает транзистор PNP BJT. он состоит из полупроводникового материала N-типа, зажатого между двумя материалами P-типа. Транзистор PNP усиливается, когда его база отрицательна по отношению к коллектору и эмиттеру. Другими словами, он усиливает ток, вытекающий из его базовой клеммы.

Туннельный полевой транзистор

TFET или туннельный полевой транзистор — это тип полевого МОП-транзистора, структура которого похожа на структуру традиционного МОП-транзистора, но отличается механизмом переключения. Они используют явление квантового туннелирования, что делает его идеальным кандидатом для маломощной электроники.

Однопереходный транзистор типа N

Однопереходные транзисторы состоят из слабо легированной базы и сильно легированного эмиттера, образующего только один переход. он также известен как «диод с двойной базой». Потенциал эмиттера относительно базы определяет ток через базу. UJT N-типа состоит из слабо легированной базы P-типа (B1 и B2) с сильно легированным эмиттером N-типа (E). Они в основном используются для запуска тиристоров.

Однопереходный транзистор типа P

Это однопереходный транзистор P-типа, изготовленный из бруска материала N-типа со слабым примесем с сильно легированной частью P-типа вблизи базы 2. Он работает аналогично UJT N-типа. но полярность напряжения обратная,

Фототранзистор

Фототранзистор — светозависимый транзистор, который преобразует световую энергию в электрический ток между коллектором и эмиттером. Он работает так же, как фотодиод, но более чувствителен с дополнительным коэффициентом усиления. Они используются в светочувствительных приложениях.

Транзистор NPN с несколькими эмиттерами

Это особый тип BJT (транзистор с биполярным переходом), который имеет несколько эмиттеров. Эмиттеры не зависят друг от друга, и ток через каждый эмиттер зависит от его индивидуального напряжения относительно базы транзистора. Они в основном используются в вентилях NAND TTL (транзисторно-транзисторная логика).

Лавинный транзистор NPN

Это тип биполярного транзистора, специально разработанный для работы в области лавинного пробоя, где возникает явление отрицательного дифференциального сопротивления. В этот момент увеличение напряжения приводит к уменьшению тока. Таким образом, лавинный транзистор имеет возможность очень быстрого переключения больших токов.

Транзистор Шоттки NPN

Он состоит из диода Шоттки и транзистора. Диод Шоттки подключается между базой и коллектором. Он удерживает транзистор от насыщения, шунтируя чрезмерный ток. это помогает в быстром переключении из-за временной задержки при снятии накопленных зарядов в режиме насыщения.

JFET Транзистор N-канальный

JFET или полевые транзисторы с переходом являются униполярными транзисторами, поскольку протекание тока связано с типом одной несущей. JFET управляются напряжением, т. е. ток контролируется напряжением на клемме затвора. Напряжение увеличивает или уменьшает область обеднения, контролируя ток. N-канальный полевой транзистор JFET имеет канал N-типа между истоком и стоком, а затвор изготовлен из материала P-типа.

JFET Транзистор P-канальный

Этот символ обозначает P-канальный JFET (обозначен стрелкой, направленной наружу). JFET P-канала состоит из канала P-типа между стоком и истоком, а затвор изготовлен из материала N-типа. P-канальный JFET отключается, поддерживая положительное напряжение затвора по отношению к истоку.

PUT Программируемый однопереходный транзистор

PUT или программируемый UJT представляет собой устройство с четырьмя слоями PN, точно такое же, как тиристоры, но оно работает как UJT, если запрограммировано с двумя внешними резисторами. Он имеет анод, катод и клемму затвора. Напряжение на клемме затвора включает и выключает PUT, когда оно пересекает уровень отсечки.

Пара транзисторов Дарлингтона NPN

Это специальный тип транзистора, изготовленный путем соединения эмиттера одного биполярного транзистора с базой другого биполярного транзистора для увеличения усиления по току и чувствительности. Его можно сделать из транзисторов NPN или PNP, подключив в такой конфигурации. общий коэффициент усиления транзистора Дарлингтона является произведением коэффициентов усиления отдельных биполярных транзисторов, а падение напряжения на базе-эмиттере удваивается.

Пара транзисторов Шиклаи

Транзистор Шиклаи состоит из двух NPN- и PNP-транзисторов, образующих пару Дарлингтона. Основным преимуществом этой пары Шиклаи является то, что она включается при 0,7 В, а общий коэффициент усиления остается таким же, как у пары Дарлингтона.

МОП-транзистор с истощением

МОП-транзистор или металлооксидно-полупроводниковый полевой транзистор — это еще один полевой транзистор, затвор которого полностью изолирован от канала передачи тока, поэтому он также известен как IGFET (полевой транзистор с изолированным затвором). Это устройство, управляемое напряжением. Полевой МОП-транзистор с истощением обычно включен при нулевом напряжении затвор-исток. Они выключаются при подаче положительного или отрицательного напряжения затвор-исток для P-канального или N-канального MOSFET соответственно.

МОП-транзистор с улучшенным типом

МОП-транзистор с улучшенным типом обычно не проводит ток, когда напряжение затвор-исток равно нулю. Они включаются при подаче положительного напряжения затвор-исток для N-канала и отрицательного напряжения затвор-исток для P-канала Enhancement MOSFET. Тип расширения напоминает нормально разомкнутый переключатель, а тип истощения напоминает нормально замкнутый переключатель.

Усовершенствованный полевой МОП-транзистор с объемным

Такой тип расширения MOSFET имеет четыре контакта. Дополнительный терминал известен как Bulk или основной терминал. Это не вход и не выход, но он используется для заземления подложки. Обычно он внутренне соединен с клеммой источника, поэтому они не показаны на их символе, чтобы показать четкую схему с менее громоздкой проводкой.

Полевой МОП-транзистор с истощением в объеме

Этот полевой МОП-транзистор с истощением имеет дополнительную отдельную клемму для наполнения или корпуса. Для работы он закорочен на клемму истока MOSFET. Это обосновывает подсостояние.

МОП-транзистор с двумя затворами и истощением

МОП-транзистор с двумя затворами — это особый тип полевых МОП-транзисторов, в которых последовательно соединены два отдельных затвора. Ворота более точно управляют коэффициентами усиления. Например, коэффициент усиления сигнала на стробе 1 можно регулировать, изменяя сигнал на стробе 2, что обеспечивает автоматическое управление сигналом различной величины.

МОП-транзистор с двойным затвором усовершенствованного типа

Это MOSFET с двойным затвором усовершенствованного типа. Они работают так же, как MOSFET типа истощения, но единственная разница заключается в том, что тип истощения обычно работает, а тип расширения обычно не проводит, когда есть нулевое напряжение затвор-исток.

Полевой транзистор логического уровня

Полевой транзистор логического уровня предназначен для использования в цифровых логических системах. Они используются для коммутации тяжелых нагрузок при применении с цифровой логикой, т.е. напряжение положительной логики обычно 5В в затвор-исток начинает проводить максимальный ток.

Photo FET Transistor

Photo FET Transistor — это светозависимый FET транзистор, который переключается при изменении интенсивности света на его переходе. Они используются в оптопаре или оптоизоляторе для электрической изоляции двух цепей с помощью светодиода между ними.

Связанные электрические и электронные символы:

• Основные электрические и электронные символы
• Символы трансформатора
• Символы двигателей
• Символы генератора и генератора переменного тока
• Обозначения резисторов 
• Обозначения конденсаторов
• Символы индуктора
• Символы предохранителей и автоматических выключателей
• Символы переключателей и кнопок
• Символы реле
• Символы диодов 
• Обозначения тиристоров, диак и симисторов
• Электронные логические схемы и символы программирования
• Символы цифровых логических элементов
• Символы цифровых триггеров и защелок
• Символы электронных фильтров

Показать полную статью

Похожие статьи

Кнопка «Вернуться к началу»

Категория:Транзисторные символы — Wikimedia Commons

Взято из Викисклада, бесплатного хранилища мультимедиа

Перейти к навигацииПерейти к поиску

Подкатегории

Эта категория имеет следующие 6 подкатегорий из 6 в общей сложности.

I

• МЭК/EN 60617‎ (5 C)

• Символы транзисторов IGBT‎ (10 F)

• Символы транзисторов IGFET‎ (1 C, 34 F)

Носитель в категории «Транзисторные символы»

Следующие 57 файлов находятся в этой категории из 57 всего.

• Анархо-трансгуманистический флаг с логотипом.svg 384 × 256; 493 байта
  

• Транзистор BPJ Иллюстрация коэффициентов α и β.svg 191 × 191; 10 КБ
  

• Конфигурация Дарлингтона.png 148 × 225; 440 байт
  

• Конфигурация Дарлингтона.svg 150 × 225; 2 КБ
  

• Пара Дарлингтона 00.png 301 × 320; 5 КБ
  

• Диаграмма пары Дарлингтона.svg 133 × 198; 6 КБ
  

• FET1.02.jpg 209 × 188; 4 КБ
  

• Символ FGMOS.svg 319 × 354; 11 КБ
  

• Идеал TE.png 61 × 99; 2 КБ
  

• JFET N-канальный Labelled.svg 150 × 150; 4 КБ
  

• JFET N-канал. svg 150 × 150; 3 КБ
  

• JFET P-канал с маркировкой ru.jpg 150 × 150; 3 КБ
  

• JFET P-канал Labelled.svg 150 × 150; 4 КБ
  

• JFET P-канал.svg 150 × 150; 3 КБ
  

• JFET символ N.png 42×51; 523 байта
  

• JFET символ P.png 42×51; 473 байта
  

• Jfet-n-070512.svg 349 × 518; 6 КБ
  

• Джфет-н-чтаубе050413.png 244×305; 3 КБ
  

• Jfet-p-070512.svg 349 × 518; 6 КБ
  

• Жфет-п-чтаубе050413.png 244×305; 3 КБ
  

• Мосфет Н-Ч Седра.svg 150 × 150; 4 КБ
  

• Мосфет P-Ch Sedra.svg 150 × 150; 4 КБ
  

• Многоэмиттерный транзистор.svg 429 × 267; 11 КБ
  

• Njfet.svg 512 × 512; 668 байт
  

• Символ NPN-транзистора jp.svg 410 × 150; 7 КБ
  

• Npn и pnp.PNG 223 × 99; 722 байта
  

• NTMS4177P Символ. PNG 291 × 370; 10 КБ
  

• NTMS4920N Символ.PNG 278 × 318; 8 КБ
  

• Означение транзита.JPG 313 × 382; 5 КБ
  

• Символ фототранзистора.png 37×37; 217 байт
  

• Phototransistor.symbol.npn.svg 125×125; 5 КБ
  

• Символ переходника PNP.svg 180 × 150; 5 КБ
  

• Транзистор Шоттки грим.jpg 321 × 231; 13 КБ
  

• Транзистор Шоттки-Symbol.svg 250 × 250; 7 КБ
  

• Симбология.gif 164×146; 1 КБ
  

• СимбологияIGBT.jpg 684 × 599; 15 КБ
  

• Символ N-IGFET (истощение).svg 46×43; 3 КБ
  

• Символ N-IGFET (истощение; с двумя вентилями и подложкой).svg 46×43; 3 КБ
  

• Символ N-JFET.svg 43×35; 3 КБ
  

• Символ N-Unijunctiontransistor.svg 46×50; 3 КБ
  

• Символ Транзистор NPN (две базы).svg 64×99; 3 КБ
  

• Символ P-IGFET (истощение).