Site Loader

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅

Вранзисторы. Устройство ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ дСйствия

ΠŸΠΎΡ…ΠΎΠΆΠΈΠ΅ ΠΏΡ€Π΅Π·Π΅Π½Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ:

3D ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈ 3D ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€

Π’ΠΈΠ΄Π΅ΠΎΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Π°. Π’ΠΈΠ΄Ρ‹ Π²ΠΈΠ΄Π΅ΠΎΠΊΠ°Ρ€Ρ‚

Анализ компании Apple

Врансформаторы Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈ напряТСния

Вранзисторы

Устройство ΡΡ‚ΠΈΡ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΌΠ°ΡˆΠΈΠ½Ρ‹ LG. Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΈΠΊΠ°

ΠšΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΠΈ Ρ€Π°ΡΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… устройств. (ЛСкция 15)

Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ±Π΅Π·ΠΎΠΏΠ°ΡΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ. ΠŸΡ€Π°Π²ΠΈΠ»Π° тСхничСской эксплуатации элСктроустановок

ΠœΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Π΅ пускатСли ΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹

Π Π°Π±ΠΎΡ‚Π° Π½Π° радиостанциях ΠšΠ’ ΠΈ Π£ΠšΠ’ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ΠΎΠ². АнтСнны Π²ΠΎΠ΅Π½Π½Ρ‹Ρ… радиостанций. (Π’Π΅ΠΌΠ° 5.1)

1. Π Π°Π·Π΄Π΅Π» 3. Вранзисторы

3.1. Устройство ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ
дСйствия

2. 3.1. Устройство ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ дСйствия

Вранзисторы дСлятся Π½Π°
β€’ биполярныС,
β€’ униполярныС (ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅).
Биполярный транзистор – ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ для
усилСния мощности, состоящий ΠΈΠ· Ρ‚Ρ€Π΅Ρ…
областСй с Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠΌ проводимости.
Π‘ΠŸΠ’ ΠΏΠΎΠ΄Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π° p-n-p ΠΈ n-p-n Π²
зависимости ΠΎΡ‚ чСрСдования Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ²
ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²

3. 3.

1. Устройство ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ дСйствия‒ p-n-p
β€’ n-p-n

4. 3.1. Устройство ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ дСйствия

Π‘ΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ 3 схСмы ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ
источников ΠΊ транзистору
Π­
К
Π‘
ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π‘-Π­ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚
ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ К — Π‘ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚
Π­
К
Π‘
Uбэ = 0
UΠ±ΠΊ > 0
Π’Π°ΠΆΠ½ΠΎ: ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π° для элСктронов ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°
Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚, Π½ΠΎ для элСктронов Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΎΠ½ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚, элСктричСскоС
ΠΏΠΎΠ»Π΅ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π½ΠΎ Π±Ρ‹ способствовало ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½ΠΈΡŽ элСктронов
ΠΈΠ· Π±Π°Π·Ρ‹ Π² коллСктор…, Ссли Π±Ρ‹ элСктроны Π±Ρ‹Π»ΠΈ Π² Π±Π°Π·Π΅!
Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ элСктроны появились Π² Π±Π°Π·Π΅, Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄
эмиттСр-Π±Π°Π·Π°, ΠΏΠΎΠ΄Π°Π² Uбэ > 0
ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π‘-Π­ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚
Π­
ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ К — Π‘ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚
IΠΊ
Iэ
К
IΠ±
Π‘
Uбэ > 0
UΠ±ΠΊ > 0
Под дСйствиСм Uбэ элСктроны ΠΈΠ· ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° пСрСходят Π² Π±Π°Π·Ρƒ.
Π‘Π°Π·Π° дСлаСтся Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΎΠΉ, Π² этом случаС элСктроны Π² Π±Π°Π·Π΅ сразу
ΠΏΠΎΠΏΠ°Π΄Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΠΎΠ΄ дСйствиС элСктричСского поля, стрСмящСгося
ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅ΡΡ‚ΠΈΡ‚ΡŒ элСктроны ΠΈΠ· Π±Π°Π·Ρ‹ Π² ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ основная
Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ элСктронов ΡƒΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π² ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€, ΠΈ малая Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ ΡƒΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π²
Π±Π°Π·Ρƒ.
ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π‘-Π­ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚
Π­
ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ К — Π‘ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚
IΠΊ
Iэ
К
IΠ±
Π‘
Uбэ > 0
UΠ±ΠΊ > 0
I э = I б + I к, I э I к
Π’Π°ΠΆΠ½ΠΎ здСсь Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π΅ΠΏΡ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ условиСм наличия сквозного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°
эмиттСр-ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ являСтся Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹! Если ΠΌΡ‹
ΠΏΡ€Π΅ΠΊΡ€Π°Ρ‚ΠΈΠΌ малСнький Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹, прСкратится ΠΈ большой Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°!
Π’ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΎΡ‡Π΅Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»Π΅Π½ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π±Π°Π·Ρ‹!

8. 3.1. Устройство ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ дСйствия

β€’ Π’ΠΎΠΊ эмиттСра ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π² случаС
ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π±Π°Π·Π°-эмиттСр, ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ,
ΠΌΡ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ эмиттСра,
управляя Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π±Π°Π·Ρ‹!
β€’ Если ΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ являСтся ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹,
Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ – большой Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, транзистор
оказываСтся усилитСлСм Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.
β€’ Если ΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Π½Π° Π΄Π²Π° состояния: Π΅ΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ –
Π΅ΡΡ‚ΡŒ ΠΈ сквозной Ρ‚ΠΎΠΊ эмиттСр-ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€; Π½Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹
– Π½Π΅Ρ‚ сквозного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π­-К, транзистор становится
ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΎΠΌ, управляСмым Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π±Π°Π·Ρ‹.
β€’ Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π΄ΡƒΠΌΠ°Ρ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ мСняя Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹, ΠΌΡ‹ мСняСм
сопротивлСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСром ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ (Ρ‚. ΠΊ.
ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΌ ΠΆΠ΅ напряТСнии ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ К ΠΈ Π­
ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ мСняСт Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ К ΠΈ Π­).

9. 3.1. Устройство ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ дСйствия

ΠšΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΡ транзистора

10. 3.1. Устройство ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ дСйствия

IΠΊ 0,9 – 0,95 Iэ
IΠ± 0,05 – 0,1 Iэ

11. 3.1. Устройство ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ дСйствия

Вранзистор ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΏΠΎ схСмС с:
β€’ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ;
β€’ ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ;
β€’ ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром (самая
распространСнная)
Π’ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎ схСмС с ОЭ

12. 3.2. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ характСристики транзистора Π² схСмС с ОЭ

Входная характСристика IΠ±(Uбэ) –
характСристика pn-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°
IΠ±
Выходная характСристика IΠΊ(Uкэ)
IΠΊ
Uбэ
Uкэ

13. 3.2. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ характСристики транзистора Π² схСмС с ОЭ

14. 3.2. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ характСристики транзистора Π² схСмС с ОЭ

Рабочая ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ характСристик транзистора
ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½Π°
β€’ ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ напряТСниСм Uкэ
β€’ ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° IΠΊ
β€’ Максимальной ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° PΠΊ
β€’ ΠœΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ (Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ) Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° IΠΊ0.
Uкэ = Π•ΠΊ – IΠΊ RΠΊ
Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора:
β€’ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹ΠΉ, рабочая Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ° находится Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ… Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹Ρ… участков характСристик
(ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² усилитСлях ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°)
β€’ насыщСниС, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Ρ‚ΠΎΠΊ IΠ± Π½Π°ΡΡ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π²Π΅Π»ΠΈΠΊ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Uкэ ΡƒΠΆΠ΅ Π½Π΅ зависит ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° IΠΊ ΠΈ
минимально.
β€’ отсСчка, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΎΠ±Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π² транзисторС Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹, ΠΈ Uкэ максимально ΠΈ Π½Π΅
зависит ΠΎΡ‚ IΠ± ΠΈ IΠΊ. (Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹ отсСчки ΠΈ насыщСния ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² транзисторных
ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ…)
β€’ инвСрсный Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Π°-эмиттСр смСщСн Π² ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ,
Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π° – Π² прямом (примСняСтся Π² Π΄Π²ΡƒΠ½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ…)

16. 3.2. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ характСристики транзистора Π² схСмС с ОЭ

Π’ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ приращСния Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² ΠΈ напряТСний
ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² усилитСлях.
ΠŸΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ ΠΎΠΊΠΎΠ² ΠΈ напряТСний Π²Π°ΠΆΠ½Π° для
сохранСния Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡ‹ сигнала.
Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΠΎΠΏΠ°ΡΡ‚ΡŒ Π² Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ ΠΈ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅
напряТСниС, Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄ транзистора Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ
ΠΏΠΎΡΡ‚ΠΎΡΠ½Π½ΡƒΡŽ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΡƒΡŽ напряТСния, Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΡƒΡŽ
напряТСниСм покоя. Π‘Π΅Π· напряТСния покоя ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅
напряТСниС ΠΈΠ»ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ нСльзя, Ρ‚.ΠΊ. транзистор пропускаСт Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ
Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ полярности.

17. 3.3. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° замСщСния транзистора Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅

Π’ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ… Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹Ρ… участков Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ
характСристик транзистора ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅
Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² ΠΈ напряТСний связаны Π΄Ρ€ΡƒΠ³
с Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΌ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ уравнСниями. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ транзистор
ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΠΏΠΈΡΠ°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅Ρ…ΠΏΠΎΠ»ΡŽΡΠ½ΠΈΠΊ.
IΠ±
Uбэ
IΠΊ
Н
Uкэ

18. 3.3. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° замСщСния транзистора Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅

Бмысл h-ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ²:
h21 – Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠ· Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅
h22 – коэффициСнт ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΏΡ€ΠΈ
Ρ…Ρ… Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅
h31 – коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠ· Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅
h32 – выходная ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ…Ρ… Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅

19. 3.3. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° замСщСния транзистора Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° замСщСния транзистора Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅

20. 3.3. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° замСщСния транзистора Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅

ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ h-ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΏΠΎ характСристикам
транзистора

21.

3.3. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° замСщСния транзистора Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅

22. 3.3. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° замСщСния транзистора Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅

Π’ паспортных Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… транзистора
ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚:
β€’ h21
β€’ h32
β€’ h31
β€’ IΠΊmax
β€’ Uкэmax
β€’ PΠΊmax

23. УниполярныС (ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅) транзисторы

24. ΠŸΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы


ПолСвой транзистор – ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€,
Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ управляСтся элСктричСским ΠΏΠΎΠ»Π΅ΠΌ.
β€’ Π’ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторах ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ заряды
Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ°: Π»ΠΈΠ±ΠΎ элСктроны, Π»ΠΈΠ±ΠΎ Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠΈ.
β€’ НоситСли заряда ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Ρ‰Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΎΡ‚ элСктрода,
Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ ИБВОКОМ ΠΊ элСктроду, Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΠΎΠΌΡƒ
БВОКОМ. ЭлСктричСскоС ΠΏΠΎΠ»Π΅, Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π΅
сопротивлСниС Π² ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π΅ (ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ) формируСтся с
ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ Ρ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒΠ΅Π³ΠΎ элСктрода – Π—ΠΠ’Π’ΠžΠ Π.
ΠŸΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы дСлятся Π½Π°:
1. FET: Π‘ управляСмым p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ.
2. MOS: Π‘ ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ (с
ΠΈΠ½Π΄ΡƒΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ (МОП), со встроСнным
ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ (ΠœΠ”ΠŸ)).

25. 5.1. Устройство ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ дСйствия ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора с управляСмым ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ

сток
Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€
исток
p – ΠΊΠ°Π½Π°Π»
Вранзистор с n-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ
n — ΠΊΠ°Π½Π°Π»

26.

ΠŸΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ Ρ‚Ρ€Π°Π½Π·ΠΈΡΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠŸΠΎΠ΄Π°Π΄ΠΈΠΌ UΠ—Π˜ < 0, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΡŒ p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΈ UБИ = 0
Π¨ΠΈΡ€ΠΈΠ½Π° n-ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΠ»Π°ΡΡŒ, Π° Π΅Π³ΠΎ
сопротивлСниС выросло.

27. ΠŸΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы

Π’Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΌ UБИ > 0, появится Ρ‚ΠΎΠΊ Π² n-ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π΅ (Ρ‚ΠΎΠΊ стока)
Ic
Ic
Минимальная ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½Π° ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° опрСдСляСтся ΠΊΠ°ΠΊ UΠ—Π˜,
Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ UБИ

28. ΠŸΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы

БущСствуСт Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ UБИ = UΠ·Π°ΠΏ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ сСчСниС n-ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°
ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ Π΄ΠΎ нуля, Π° ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΎ
ΠΏΠ°Π΄Π°Π΅Ρ‚
ΠŸΡ€ΠΈ дальнСйшСм ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Uси Ρ‚ΠΎΠΊ стока ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒΡΡ Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚

29. ΠŸΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы

β€’ ΠŸΡ€ΠΈ UΠ—Π˜ < UΠ·Π°ΠΏ Ρ‚ΠΎΠΊ стока сильно зависит ΠΎΡ‚ UΠ—Π˜.
β€’ Π’Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° UΠ·Π°ΠΏ зависит ΠΎΡ‚ напряТСния UΠ—Π˜. Π§Π΅ΠΌ
мСньшС UΠ—Π˜, Ρ‚Π΅ΠΌ большС значСния Π·Π°ΠΏΠΈΡ€Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ
напряТСния UΠ·Π°ΠΏ.

30. ΠœΠ”ΠŸ-транзисторы (ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»-диэлСктрик-ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ)

ΠœΠ”ΠŸ-транзисторы (ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»-диэлСктрикполупроводник)
p – ΠΊΠ°Π½Π°Π»
n – ΠΊΠ°Π½Π°Π»

31. ΠœΠ”ΠŸ-транзисторы

Π”Ρ‹Ρ€ΠΊΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Ρ‰Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΎΡ‚ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° ΠΊ
ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠ΅, элСктроны – Π½Π°ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΠΎΡ‚,
ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° формируСтся
ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ, обогащСнная
элСктронами, Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°Π΅Ρ‚ ΠΊΠ°Π½Π°Π» для
Ρ‚ΠΎΠΊΠ° стока.
UΠ—Π˜ = 0
UΠ—Π˜ > 0

32. Π‘Ρ‚ΠΎΠΊ — затворная характСристика

ΠœΠ”ΠŸ-транзисторы
Π‘Ρ‚ΠΎΠΊ — затворная характСристика

33. МОП-транзистор со встроСнным ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ

Канал встроСн Π² стурктуру. ΠŸΡ€ΠΈ UΠ—Π˜ = 0 Ρ‚ΠΎΠΊ стока сущСствуСт

34. МОП-транзисторы

β€’ UΠ—Π˜ > 0
Π‘Π΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°
увСличиваСтся,
ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ растСт,
увСличиваСтся Ρ‚ΠΎΠΊ стока
β€’ UΠ—Π˜ < 0
Π‘Π΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°
ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ,
ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠ°Π΄Π°Π΅Ρ‚,
сниТаСтся Ρ‚ΠΎΠΊ стока

35. МОП-транзисторы

β€’ Π‘Ρ‚ΠΎΠΊ-затворная ΠΈ выходная характСристики МОП-транзистора
ΠœΠ”ΠŸ-транзисторы ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ однополярным
напряТСниСм, МОП-транзисторы – двуполярным.

36. ΠŸΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° замСщСния ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора Π²
области срСдних частот
ΠœΠ”ΠŸ-транзистор
RΠ²Ρ… 109 Ом
МОП-транзистор
RΠ²Ρ… ∞

37. ΠŸΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы

β€’ ΠŸΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚
ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π² Ρ‚Π΅Ρ… ΠΆΠ΅ устройствах,
Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈ биполярныС транзисторы.
β€’ Π‘ΠŸΠ’ управляСтся Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π±Π°Π·Ρ‹, ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅
транзисторы – напряТСниСм ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ
Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ истоком
β€’ Входная Ρ†Π΅ΠΏΡŒ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора Π½Π΅
потрСбляСт Ρ‚ΠΎΠΊ (Π² ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ Π‘ΠŸΠ’)!!!

38.

Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π½Π° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΌ транзисторС

English Β  Β  Русский ΠŸΡ€Π°Π²ΠΈΠ»Π°

Биполярный транзистор: устройство ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

21 июня 2020 — Admin

Главная / ВСория

Биполярный транзистор — ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ с трСмя Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ, ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ примСняСмый Π² радиоэлСктронных схСмах. ΠŸΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΉ биполярный транзистор создан Π² 50-Ρ… Π³ΠΎΠ΄Π°Ρ… XX Π²Π΅ΠΊΠ°. Π•Π³ΠΎ ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π΅Ρ‚Π΅Π½ΠΈΠ΅ стало Π²Π΅Π½Ρ†ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠΏΡ‹Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ ΠΈ ΡƒΠ΄ΠΎΠ±Π½Ρ‹ΠΉ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚Ρ€ΠΈΠΎΠ΄Π°. Благодаря появлСнию транзисторов схСмотСхника сдСлала большой шаг Π²ΠΏΠ΅Ρ€Ρ‘Π΄: Π³Ρ€ΠΎΠΌΠΎΠ·Π΄ΠΊΡƒΡŽ Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½ΡƒΡŽ Π»Π°ΠΌΠΏΡƒ, ΠΊ Ρ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΆΠ΅ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‰ΡƒΡŽ для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ высокого напряТСния, ΡƒΠ΄Π°Π»ΠΎΡΡŒ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π° ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠΌ с Π³ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΈΠ½Ρƒ. Π’ дальнСйшСм, Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΠΈΠ»ΠΈ Π½Π° ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ малюсСньком кристаллС ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ° Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ сразу дСсятки ΠΈ сотни транзисторов, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΄Π°Π»ΠΎ Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΠΎ появлСнию элСктронных микросхСм ΠΈ Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΡŽ соврСмСнной элСктроники. Π’ΠΏΡ€ΠΎΡ‡Π΅ΠΌ, довольно Π²Π²ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… слов, ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΉΠ΄Ρ‘ΠΌ ΠΊ Π΄Π΅Π»Ρƒ.

Устройство ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

Биполярный транзистор состоит ΠΈΠ· Ρ‚Ρ€Ρ‘Ρ… Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ…ΡΡ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Π·ΠΎΠ½ с Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ. Π’ зависимости Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΊ располоТСны эти Π·ΠΎΠ½Ρ‹, сущСствуСт Π΄Π²Π° Ρ‚ΠΈΠΏΠ° транзисторов: p-n-p (прямой проводимости)Β ΠΈ n-p-n (ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ проводимости). К ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΉ ΠΈΠ· Π·ΠΎΠ½ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Ρ‘Π½ свой Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄, Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²ΠΎ для ΠΎΠ±ΠΎΠΈΡ… Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² транзисторов: срСдний Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ β€” Π±Π°Π·Π°, Π° ΠΏΠΎ краям эмиттСр ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€.

Устройство транзисторов p-n-p ΠΈ n-p-n ΠΈ ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° схСмах

Как ΠΌΡ‹ ΡƒΠ²ΠΈΠ΄ΠΈΠΌ Π² дальнСйшСм, Π² создании элСктричСского Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ транзистора ΡƒΡ‡Π°ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Π΄Π²Π° Π²ΠΈΠ΄Π° зарядов: элСктроны ΠΈ Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠΈ. ΠžΡ‚ΡΡŽΠ΄Π° ΠΈ Π½Π°Π·Π²Π°Π½ΠΈΠ΅ «биполярный». Π”Π°Π»Π΅Π΅ я Π±ΡƒΠ΄Ρƒ ΠΏΠΈΡΠ°Ρ‚ΡŒ просто «транзистор» для простоты излоТСния, Π½ΠΎ, Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠΌΠ½ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ ΠΈ униполярныС (ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅) транзисторы, Ρ€Π΅Ρ‡ΡŒ ΠΎ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠΉΠ΄Ρ‘Ρ‚ Π² ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅.

Если Π²Ρ‹ Π·Π½Π°ΠΊΠΎΠΌΡ‹ с устройством ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°, Π²Ρ‹ Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΠ»ΠΈ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ транзистор, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ, прСдставляСт собой Π΄Π²Π° Β Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… навстрСчу Π΄Ρ€ΡƒΠ³ Π΄Ρ€ΡƒΠ³Ρƒ, с ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π·ΠΎΠ½ΠΎΠΉ. Π”Π°Π²Π°ΠΉΡ‚Π΅ для опрСдСлённости Π²ΠΎΠ·ΡŒΠΌΡ‘ΠΌ p-n-p транзистор ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΠΌ Π΅Π³ΠΎ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ:

ΠŸΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ p-n-p транзистора

На ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Π°-эмиттСр (эмиттСрный ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄) ΠΏΠΎΠ΄Π°Π½ΠΎ прямоС напряТСниС, этот Π΄ΠΈΠΎΠ΄ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ ΠΈ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½Π΅Π³ΠΎ Ρ‚Π΅Ρ‡Ρ‘Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ. А Π²ΠΎΡ‚ Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ напряТСниС Π·Π°ΠΏΠΈΡ€Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅: Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ «минус» ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π±Π°Π·Ρ‹. Если Π±Ρ‹ это Π±Ρ‹Π»ΠΈ Π΄Π²Π° ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°, Ρ‚ΠΎ Π½Π° этом Π±Ρ‹ Π΄Π΅Π»ΠΎ ΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ‡ΠΈΠ»ΠΎΡΡŒ. Но! ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Π·ΠΎΠ½Π° n общая, Ρ‚ΡƒΡ‚ вступаСт Π² силу Π·Π°ΠΊΠΎΠ½ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΈ. Π§Π°ΡΡ‚ΡŒ Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΠΊ, поставляСмых эмиттСром, Π½Π΅ Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ с элСктронами Π±Π°Π·Ρ‹, Π° ΠΏΡ€ΠΎΠ½ΠΈΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Π² ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°, ΠΈ Ρ‚Π°ΠΌ захватываСтся ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΌ минусом Β«ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°Β». Π’ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Ρ‚ΠΎΠΆΠ΅ появляСтся Ρ‚ΠΎΠΊ.

По описанию ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒΡΡ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΏΠΎΠΏΠ°Π΄Π°Π΅Ρ‚ нСбольшая Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΠΊ. Но Π² Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ всё Π½Π°ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΠΎΡ‚: Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ малая Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ эмиттСрного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° отвСтвляСтся Π² Π±Π°Π·Ρƒ, рСкомбинируя Ρ‚Π°ΠΌ с элСктронами. Π‘ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠ°Ρ ΠΆΠ΅ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ (Π³Ρ€ΡƒΠ±ΠΎ говоря,  большС 90%) Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΠΊ ΠΈΠ΄ΡƒΡ‚ Π² ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΈ ΡΠΎΠ·Π΄Π°ΡŽΡ‚ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ. Π­Ρ‚ΠΎ становится Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ рСкомбинация β€” ΡΡ€Π°Π²Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π΄ΠΎΠ»Π³ΠΈΠΉ ΠΏΠΎ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ процСсс, ΠΈ Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠΈ ΡƒΡΠΏΠ΅Π²Π°ΡŽΡ‚ Π·Π°ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚ΡŒ всю ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ ΠΏΠΎΠΏΠ°ΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ΄ влияниС ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°.

ΠŸΡ€ΠΈ этом ΡΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ зависит ΠΎΡ‚ слабого Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ. Ну Π° Ссли Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ Π·Π°ΠΏΠΈΡ€Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ напряТСниС, «плюс» ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ эмиттСра, Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Π°-эмиттСр вовсС прСкратится, Π° слСдом исчСзнСт ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ.

ΠšΡΡ‚Π°Ρ‚ΠΈ, Ρ‚Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ понятны названия выводов транзистора. Π­ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€ β€” эмитируСт, поставляСт заряды (Π² нашСм ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π΅ β€” Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠΈ). ΠšΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΈΡ… собираСт, стягиваСт своим ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΌ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΎΠΌ. Ну Π° Π±Π°Π·Π° Ρ‚Π°ΠΊ называСтся ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² пСрвых точСчных транзисторах ΠΎΠ½Π° конструктивно Π±Ρ‹Π»Π° основой ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°. БСйчас Ρ‚ΠΎΡ‡Π΅Ρ‡Π½Ρ‹Π΅ транзисторы ΡƒΠΆΠ΅ Π½Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ, ΠΈΡ… вытСснили Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ плоскостныС ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Ρ‹, Π° Π½Π°Π·Π²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΡΡ‚Π°Π»ΠΎΡΡŒ.

ΠžΡΡ‚Π°Π»ΠΎΡΡŒ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ всС ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Ρ‘Π½Π½Ρ‹Π΅ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ рассуТдСния ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΈΠΌΡ‹ ΠΈ для n-p-n транзисторов, Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ Π·Π½Π°ΠΊΠΈ напряТСний Π½Π° ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹Π΅: транзистор n-p-n открываСтся «плюсом» Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ эмиттСра, Π½Ρƒ Π° Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ плюс ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π±Π°Π·Ρ‹.

Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ свойства транзистора

Π”ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ усилитСля β€” ΠΎΠ΄Π½Π° ΠΈΠ· основных Β«Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Β» транзистора Π² элСктронных схСмах.  И Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ слабый сигнал Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ позволяСт ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ Π² Ρ€Π°Π·Ρ‹ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ, создавая Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΡƒΡŽ копию Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ сигнала. Но Ρ‚ΡƒΡ‚ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ Ρ‡Ρ‘Ρ‚ΠΊΠΎ ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΌΠ°Ρ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ сам ΠΏΠΎ сСбС транзистор Π½Π΅ усиливаСт сигнал ΠΈ Π½Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒΒ ΡΠ½Π΅Ρ€Π³ΠΈΡŽ ΠΈΠ· Π½ΠΈΠΎΡ‚ΠΊΡƒΠ΄Π°, ΠΏΠΎ Π²ΠΎΠ»ΡˆΠ΅Π±ΡΡ‚Π²Ρƒ. Для создания ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠΏΠΈΠΈ ΠΎΠ½ Π±Π΅Ρ€Ρ‘Ρ‚ ΡΠ½Π΅Ρ€Π³ΠΈΡŽ источника питания. МоТно Π΅Ρ‰Ρ‘ ΡΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΡ‚ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° зависит сопротивлСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°. Ну Π° ΡƒΠΆ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ окаТСтся Ρ‚ΠΎΠΊ, Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡ‚ΡŒΡΡ напряТСниСм источника питания ΠΈ сопротивлСниСм нагрузки (разумССтся, всС эти ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Π½Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π² допустимых ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ…).

ΠšΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Π΅ особСнности транзистора

Из ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Ρ‘Π½Ρ‹Ρ… Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ схСматичСских рисунков Π½Π΅ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ понятно, Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΆΠ΅ эмиттСр отличаСтся ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°? Π’ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠ΅, Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ транзисторы Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ, Π΄Π°ΠΆΠ΅ Ссли ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΏΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ эмиттСр ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ мСстами. Но Π΄Π°Π²Π°ΠΉΡ‚Π΅ взглянСм Π½Π° рисунок, Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠΆΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΊ Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ конструкции транзистора, Π° Π·Π°ΠΎΠ΄Π½ΠΎ разбСрёмся, ΠΏΠΎΡ‡Π΅ΠΌΡƒ ΠΎΠ½ сдСлан Ρ‚Π°ΠΊ Π° Π½Π΅ ΠΈΠ½Π°Ρ‡Π΅.

ΠšΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΡ транзистора (схСматично)

Π’ΠΎΡ‚ нСсколько сообраТСний Π½Π° эту Ρ‚Π΅ΠΌΡƒ:

  • ΠŸΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ побольшС, для Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ эффСктивного Π·Π°Ρ…Π²Π°Ρ‚Π° зарядов.
  • ΠšΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Π°Ρ Π·ΠΎΠ½Π° лСгируСтся слабо, Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΌ ΡΡ€Π°Π²Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΌΠ°Π»ΠΎ свободных зарядов Π½Π° Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρƒ ΠΎΠ±ΡŠΡ‘ΠΌΠ° β€” это позволяСт ΠΏΡ€ΠΈΠΊΠ»Π°Π΄Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΌΡƒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ Π³ΠΎΡ€Π°Π·Π΄ΠΎ большСС напряТСниС, Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΊ эмиттСрному, Π±Π΅Π· риска пробоя ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°.
  • ЭмиттСрная Π·ΠΎΠ½Π°, Π½Π°ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΠΎΡ‚, лСгируСтся сильнСС, для Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ эффСктивной ΠΈΠ½ΠΆΠ΅ΠΊΡ†ΠΈΠΈ зарядов. Но это ΠΈ Π΄Π΅Π»Π°Π΅Ρ‚ эмиттСрный ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Β«Π½Π΅ΠΆΠ½Ρ‹ΠΌΒ». ОсобСнно ΠΎΠ½ боится ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ (Π·Π°ΠΏΠΈΡ€Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ) напряТСния: для p-n-p это плюс Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ эмиттСра. Π’ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… схСмах Π΄Π°ΠΆΠ΅ ставится ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Π° — ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°.
  • Π’ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ мСньшС свободных зарядов, сопротивлСниС Π΅Π³ΠΎ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅, ΠΊ Ρ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΆΠ΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ смСщСния. Всё это ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ Ρ‚ΠΎΠΌΡƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π° Π½Ρ‘ΠΌ выдСляСтся основноС Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎ. Π­Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΆΠ΅ Π°Ρ€Π³ΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚ Π² ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·Ρƒ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ коллСкторная Π·ΠΎΠ½Π° Π±Ρ‹Π»Π° побольшС, для эффСктивного рассСивания Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΉ энСргии.
  • К слову, Π±Π°Π·Π° Ρ‚ΠΎΠΆΠ΅ лСгируСтся слабо. Π‘Π°Π·Π° Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΎΠΉ ΠΏΠΎ Π΄Π²ΡƒΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π°ΠΌ. Π’ΠΎ-ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Ρ…, для Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ эффСктивной Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΈ зарядов, ΠΈΠ½ΠΆΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… эмиттСром. Π’ΠΎ-Π²Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ…, для большСго быстродСйствия транзистора: Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ быстрСС Ρ€Π΅Π°Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π» Π½Π° ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ. Но ΠΏΡ€ΠΈ этом сопротивлСниС Π±Π°Π·Ρ‹ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ высокоС, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π½Π΅ Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠ΅Π² Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΌΡƒΡŽ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром.

ВсС эти ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ Β«Π²Ρ‹ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒΒ» ΠΈΠ· транзистора ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ коэффициСнт усилСния.Β Π­Ρ‚ΠΎ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π°, которая ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΌ ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌΒ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ. Π£ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… транзисторов коэффициСнт ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²Π°Ρ€ΡŒΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΎΡ‚ дСсятков Π΄ΠΎ сотСн ΠΈ Π΄Π°ΠΆΠ΅ тысяч.

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ транзистора

Один ΠΈΠ· Π²Π°ΠΆΠ½Π΅ΠΉΡˆΠΈΡ… ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзистора, коэффициСнт усилСния, ΡƒΠΆΠ΅ упоминался. Он опрСдСляСт ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ способности транзистора, Π²ΠΎ сколько Ρ€Π°Π· ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ большС Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ. Π’ΠΏΡ€ΠΎΡ‡Π΅ΠΌ, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π²Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ понятия коэффициСнта усилСния ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΈ ΠΏΠΎ мощности, поэтому ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‡Ρ‚Π΅Π½ΠΈΠΈ справочников Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ: ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ ΠΈΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ коэффициСнт Ρ‚Π°ΠΌ приводится.

МногоС зависит ΠΎΡ‚ области примСнСния транзистора. Π’ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… усилитСлях Π²Π°ΠΆΠ΅Π½ коэффициСнт усилСния. Π’ высокочастотных каскадах β€” ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ частота, Π½Π° ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Π΅Ρ‰Ρ‘ ΡΠΎΡ…Ρ€Π°Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΡƒΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ способности транзистора. БущСствованиС ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ частоты обусловлСно ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Ρ‘ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°, которая Π½Π° высоких частотах Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ ΠΈΠ³Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Π½ΡƒΡŽ Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ (ΠΌΡ‹ ΠΏΠΎΠΌΠ½ΠΈΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС кондСнсатора ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ с ростом частоты). Ну Π° Π² Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… каскадах ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… усилитСлСй ΡƒΠΆΠ΅ Π½Π΅ Ρ‚Π°ΠΊ Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹ усилСниС ΠΈ частота, ΠΈ Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ»Π°Π½ выходят допустимыС Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ ΠΈ напряТСния.

ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ выпускаСт мноТСство Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»Π΅ΠΉ биполярных транзисторов с характСристиками Π½Π° любой вкус. А ΠΎΡ€ΠΈΠ³ΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ, ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ схСмС транзисторы с Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹ΠΌΠΈ характСристиками, Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ, ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ Π±ΡƒΠΊΠ²Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΡŒ чудСса ΠΈ Ρ€Π΅ΡˆΠ°Ρ‚ΡŒ вСсьма Π½Π΅Ρ‚Ρ€ΠΈΠ²ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Π·Π°Π΄Π°Ρ‡ΠΈ.

ΠŸΡ€ΠΈ Ρ‡Ρ‚Π΅Π½ΠΈΠΈ справочников слСдуСт ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‰Π°Ρ‚ΡŒ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ значСния, ΠΊΠΎΠΈΡ… Ρƒ транзистора Ρ†Π΅Π»Ρ‹ΠΉ Π²Π΅Π΅Ρ€. НапримСр, ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ допустимоС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ. ΠŸΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ напряТСниС Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°, ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС. И Ρ‚Π°ΠΊ Π΄Π°Π»Π΅Π΅. ΠŸΡ€ΠΈΡ‡Ρ‘ΠΌ, Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΠ·Π±Π΅Π³Π°Ρ‚ΡŒ соблазна Ρ€Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π΄ΠΎΠΏΡƒΡΡ‚ΠΈΠΌΡƒΡŽ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния. По ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ транзистор способСн Π²Ρ‹Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΈ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ напряТСниС, Π½ΠΎ Ссли ΠΏΠΎΠΏΡ‹Ρ‚Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π·Π°Π³Π½Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ Π² Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° достигнуты ΠΎΠ±Π° этих показатСля ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ β€” транзистор Π²Ρ‹ΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΈΠ· строя. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ, всСгда ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ. Часто ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π°ΡΡˆΠΈΡ€ΠΈΡ‚ΡŒ Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Ρ‹ допустимой мощности, установив Π½Π° транзистор тСплоотводящий Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€.

ΠžΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ стоит ΡΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€, ΠΊΠ°ΠΊ нСуправляСмый ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°. Он создаётся собствСнными свободными зарядами, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π² нСбольшом количСствС Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π² любом ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ΅. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π΅ управляСтся Β«ΠΊΠΎΠΌΠ°Π½Π΄Π°ΠΌΠΈΒ» с Π±Π°Π·Ρ‹, ΠΊΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΎΠ½ сильно зависит ΠΎΡ‚ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹, ΠΈ способСн внСсти сущСствСнныС ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ…ΠΈ Π² ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½Ρ‹ΠΉ сигнал.

ΠŸΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π² соцсСтях:

ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора — МИКРОЭ

Вранзисторы ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… схСмах для усилСния сигнала. Они Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² источниках питания Π² качСствС стабилизатора, ΠΈ Π²Ρ‹ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π½Π°ΠΉΠ΄Π΅Ρ‚Π΅ ΠΈΡ… Π² качСствС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ Π² Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… схСмах.

Π›ΡƒΡ‡ΡˆΠΈΠΉ способ ΠΈΠ·ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ основы Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзисторов β€” это ΠΏΠΎΡΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ. ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚Π°Ρ схСма ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Π½ΠΈΠΆΠ΅. Он ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ силовой транзистор для освСщСния Π·Π΅ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΡˆΠ°Ρ€Π°. Π’Π°ΠΌ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ понадобится Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΉΠΊΠ°, нСбольшая Π»Π°ΠΌΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠ° (взятая ΠΎΡ‚ Ρ„ΠΎΠ½Π°Ρ€ΠΈΠΊΠ°) с ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 4,5Π’/0,3А, Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ (5k) ΠΈ рСзистор Π½Π° 470 Ом. Π­Ρ‚ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Ρ‹, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рис. 4.4Π°.

Рис. 4.4: ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора: ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ пСрСмСщаСтся Π² Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½Π΅Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ — напряТСниС Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ увСличиваСтся

— Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π±Π°Π·Ρƒ увСличиваСтся — Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ увСличиваСтся — ΡΡ€ΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΡˆΠ°Ρ€Π° увСличиваСтся . РСзистор (R) Π½Π° самом Π΄Π΅Π»Π΅ Π½Π΅ Π½ΡƒΠΆΠ΅Π½, Π½ΠΎ Ссли Π²Ρ‹ Π΅Π³ΠΎ Π½Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚Π΅, Π²Ρ‹ Π½Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ ΠΏΠΎΠ²ΠΎΡ€Π°Ρ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ (ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€) Π² Π΅Π³ΠΎ высокоС ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅, ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ это Ρ€Π°Π·Ρ€ΡƒΡˆΠΈΡ‚ транзистор — это связано с Ρ‚Π΅ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ постоянноС напряТСниС UBE (напряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ эмиттСром), Π½Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ 0,6Π’, для ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов. ΠŸΠΎΠ²Π΅Ρ€Π½ΠΈΡ‚Π΅ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ Π² самоС Π½ΠΈΠΆΠ½Π΅Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅. Π­Ρ‚ΠΎ Π΄ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ напряТСниС Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ (ΠΈΠ»ΠΈ, Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Π΅Π΅, ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅ΠΉ) Π΄ΠΎ нуля Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ (UBE = 0). Π›Π°ΠΌΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠ° Π½Π΅ Π³ΠΎΡ€ΠΈΡ‚, Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· транзистор Π½Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ. Как ΠΌΡ‹ ΡƒΠΆΠ΅ ΡƒΠΏΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΠΈ, Π½ΠΈΠΆΠ½Π΅Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ UBE Ρ€Π°Π²Π΅Π½ Π½ΡƒΠ»ΡŽ. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΎΡ‚Π΅ Ρ€ΡƒΡ‡ΠΊΠΈ ΠΈΠ· ΠΊΡ€Π°ΠΉΠ½Π΅Π³ΠΎ Π½ΠΈΠΆΠ½Π΅Π³ΠΎ полоТСния Π’Π‘Π• постСпСнно увСличиваСтся.
Когда UBE достигаСт 0,6Π’, Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΡΡ‚ΡƒΠΏΠ°Ρ‚ΡŒ Π½Π° транзистор ΠΈ глобус Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ ΡΠ²Π΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ. ΠŸΡ€ΠΈ дальнСйшСм Π²Ρ€Π°Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° напряТСниС Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ остаСтся Π½Π° ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ 0,6 Π’, Π½ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ увСличиваСтся, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр. Если Π³ΠΎΡ€ΡˆΠΎΠΊ ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Π½ΡƒΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ, Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС Π½Π΅ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ увСличится ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ Π΄ΠΎ 0,75 Π’, Π½ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ возрастСт, ΠΈ ΡˆΠ°Ρ€ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ярко ΡΠ²Π΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ. Если ΠΌΡ‹ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΠΌ Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ Π»Π°ΠΌΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠΎΠΉ (для измСрСния IC), Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π³ΠΎΡ€ΡˆΠΊΠΎΠΌ ΠΈ Ρ†ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅ΠΌ (для измСрСния IB) ΠΈ Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅ΠΉ ΠΈ Ρ†ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅ΠΌ ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΠΌ вСсь экспСримСнт, ΠΌΡ‹ Π½Π°ΠΉΠ΄Π΅ΠΌ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ интСрСсныС Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅. Когда ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ находится Π² Π½ΠΈΠΆΠ½Π΅ΠΌ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ, UBE Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ 0 Π’, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ IC ΠΈ IB. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΎΡ‚Π΅ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° эти значСния Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°ΡŽΡ‚ расти, ΠΏΠΎΠΊΠ° Π»Π°ΠΌΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠ° Π½Π΅ Π½Π°Ρ‡Π½Π΅Ρ‚ ΡΠ²Π΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΎΠ½ΠΈ Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚: UBE = 0,6 Π’, IB = 0,8 мА ΠΈ IB = 36 мА (Ссли ваши значСния ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΎΡ‚ этих Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ, это связано с Ρ‚Π΅ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ 2N3055 ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ ΠΏΠΈΡΠ°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ Π½Π΅ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Ρ‚Π΅Ρ… ΠΆΠ΅ характСристик, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈ Ρ‚ΠΎΡ‚, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚Π΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ часто встрСчаСтся ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ с транзисторами).
ΠšΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½Ρ‹ΠΌ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΠΌ этого экспСримСнта являСтся Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ измСняСтся ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅. Π”Π°Π²Π°ΠΉΡ‚Π΅ рассмотрим Π΅Ρ‰Π΅ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ экспСримСнт, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Ρ€Π°ΡΡˆΠΈΡ€ΠΈΡ‚ наши знания ΠΎ транзисторС. Для этого трСбуСтся транзистор BC107 (ΠΈΠ»ΠΈ любой Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΉ транзистор), источник питания (Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ ΠΆΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Ρ‹Π΄ΡƒΡ‰Π΅ΠΌ экспСримСнтС), рСзистор 1 МОм, Π½Π°ΡƒΡˆΠ½ΠΈΠΊΠΈ ΠΈ элСктролитичСский кондСнсатор, Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²Π°Ρ€ΡŒΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΎΡ‚ 10 ΠΌΠΊΠ€ Π΄ΠΎ 100 ΠΌΠΊΠ€ ΠΏΡ€ΠΈ любом Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΌ напряТСнии. Из этих ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ простой ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΉ частоты, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° Π΄ΠΈΠ°Π³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ΅ 4.5.

Рис. 4.5: ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚ΠΎΠΉ транзисторный ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ

Π‘Π»Π΅Π΄ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ схСма 4.5Π° Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½Π° схСмС 4.4Π°. ОсновноС ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΊ Π½Π°ΡƒΡˆΠ½ΠΈΠΊΠ°ΠΌ. РСзистор «Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ» — рСзистор Π½Π° Π±Π°Π·Π΅, 1М. Когда Π½Π΅Ρ‚ рСзистора, Π½Π΅Ρ‚ протСкания Ρ‚ΠΎΠΊΠ° IB ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ic. Когда рСзистор ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΊ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ, Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ 0,6Π’, Π° Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ IB = 4мкА. Вранзистор ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ коэффициСнт усилСния 250 ΠΈ это ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ 1 мА. Π’Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠ±Π° этих Ρ‚ΠΎΠΊΠ° входят Π² транзистор, ΠΎΡ‡Π΅Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ эмиттСра Ρ€Π°Π²Π΅Π½ IE = IC + IB. А Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ Π² Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π΅ случаСв Π½Π΅Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅Π½ ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, Ρ‚ΠΎ считаСтся, Ρ‡Ρ‚ΠΎ:

ΠžΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€, ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π±Π°Π·Ρƒ, называСтся коэффициСнтом усилСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° транзистора ΠΈ обозначаСтся ΠΊΠ°ΠΊ hFE. Π’ нашСм ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π΅ этот коэффициСнт Ρ€Π°Π²Π΅Π½:

ΠΠ°Π΄Π΅Π½ΡŒΡ‚Π΅ Π½Π°ΡƒΡˆΠ½ΠΈΠΊΠΈ ΠΈ помСститС ΠΊΠΎΠ½Ρ‡ΠΈΠΊ ΠΏΠ°Π»ΡŒΡ†Π° Π½Π° Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΡƒ 1. Π’Ρ‹ ΡƒΡΠ»Ρ‹ΡˆΠΈΡ‚Π΅ ΡˆΡƒΠΌ. Π’Π°ΡˆΠ΅ Ρ‚Π΅Π»ΠΎ ΡƒΠ»Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ «сСтСвоС» напряТСниС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° частотой 50 Π“Ρ†. Π¨ΡƒΠΌ, ΡΠ»Ρ‹ΡˆΠΈΠΌΡ‹ΠΉ Π² Π½Π°ΡƒΡˆΠ½ΠΈΠΊΠ°Ρ…, это напряТСниС, Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ усилСнноС транзистором. Π”Π°Π²Π°ΠΉΡ‚Π΅ объясним эту схСму Π½Π΅ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ большС. ΠŸΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС частотой 50 Π“Ρ† ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΎ ΠΊ Π±Π°Π·Π΅ транзистора Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· кондСнсатор Π‘. НапряТСниС Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ Ρ‚Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ суммС постоянного напряТСния (ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ 0,6) Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· рСзистор R ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния «с» ΠΏΠ°Π»ΡŒΡ†Π°. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ это Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ 0,6 Π’, ΠΏΡΡ‚ΡŒΠ΄Π΅ΡΡΡ‚ Ρ€Π°Π· Π² сСкунду ΠΈ ΠΏΡΡ‚ΡŒΠ΄Π΅ΡΡΡ‚ Ρ€Π°Π· Π½Π΅ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π½ΠΈΠΆΠ΅.
Из-Π·Π° этого Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ ΠΏΡΡ‚ΡŒΠ΄Π΅ΡΡΡ‚ Ρ€Π°Π· Π² сСкунду большС 1 мА, Π° Π² ΠΏΡΡ‚ΡŒΠ΄Π΅ΡΡΡ‚ Ρ€Π°Π· мСньшС. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ для смСщСния ΠΌΠ΅ΠΌΠ±Ρ€Π°Π½Ρ‹ Π³Ρ€ΠΎΠΌΠΊΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ ΠΏΡΡ‚ΡŒΠ΄Π΅ΡΡΡ‚ Ρ€Π°Π· Π² сСкунду Π²ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄ ΠΈ ΠΏΡΡ‚ΡŒΠ΄Π΅ΡΡΡ‚ Ρ€Π°Π· Π½Π°Π·Π°Π΄, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΌΡ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅ΠΌ ΡΠ»Ρ‹ΡˆΠ°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ½ 50 Π“Ρ†. ΠŸΡ€ΠΎΡΠ»ΡƒΡˆΠΈΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΡˆΡƒΠΌΠ° 50 Π“Ρ† Π½Π΅ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ интСрСсно, поэтому ΠΊ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ°ΠΌ 1 ΠΈ 2 ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ-Π½ΠΈΠ±ΡƒΠ΄ΡŒ источник низкочастотного сигнала (ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ³Ρ€Ρ‹Π²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°ΠΊΡ‚-дисков ΠΈΠ»ΠΈ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡ„ΠΎΠ½). Π‘ΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Π±ΡƒΠΊΠ²Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ тысячи Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… схСм, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… транзистор Π² качСствС Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ устройства. И всС эти транзисторы Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ Ρ‚Π°ΠΊ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π² Π½Π°ΡˆΠΈΡ… экспСримСнтах, Π° это ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ, собирая этот ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, Π²Ρ‹ фактичСски строитС Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Π±Π»ΠΎΠΊ элСктроники.

Как эффСктивно ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор

ВрансфСр ΠœΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΡΠΎΡ€Ρ‚ Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ΠΈΠΊ

пятница, 01 апрСля 2022 Π³.


Вранзисторы, Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ Π² сСрСдинС 20 Π²Π΅ΠΊΠ°, стали основой Π±ΡƒΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ развития элСктроники. Π—Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΠ² элСктронныС Π»Π°ΠΌΠΏΡ‹, ΠΎΠ½ΠΈ Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΠΈ эру ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠ°Ρ‚ΡŽΡ€ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ элСктронных устройств, которая продолТаСтся ΠΈ ΠΏΠΎ сСй дСнь. Как ΠΈ любой Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚, транзистор Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²Ρ‹ΠΉΡ‚ΠΈ ΠΈΠ· строя ΠΈΠ»ΠΈ Π²Ρ‹ΠΉΡ‚ΠΈ ΠΈΠ· строя. Π’ этой ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅ ΠΌΡ‹ ΠΏΠΎΠΊΠ°ΠΆΠ΅ΠΌ Π²Π°ΠΌ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ функционирования этих элСктронных ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ².

Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ транзистор β€” Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ знания

Π‘Π°ΠΌΡ‹ΠΉ простой ΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚: транзистор β€” это 3-ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ (ΠΈΠ½ΠΎΠ³Π΄Π° 4-ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ) ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€, способный ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ элСктричСскиС сигналы ΠΈ Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ устройство рСгулирования Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

ΠšΠΎΠΌΠΌΠ΅Ρ€Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΡ транзисторов Π² сСрСдинС ΠΏΡ€ΠΎΡˆΠ»ΠΎΠ³ΠΎ Π²Π΅ΠΊΠ° ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΠΈΠ»Π° Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΠ΅ всСх Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ, Π² Ρ‚ΠΎΠΌ числС ΠΈ элСктроники. Π—Π°ΠΌΠ΅Π½Π° Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… ΠΈ энСргоСмких элСктронных Π»Π°ΠΌΠΏ этими ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠ°Ρ‚ΡŽΡ€Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π°ΠΌΠΈ (транзисторами Π½Π°Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π°), ΠΊΠ°ΠΊ Π² случаС с ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΌΠΈ микропроцСссорами, ускорила Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΠ΅ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠΈ ΠΈ Π²Ρ‹Π²Π΅Π»Π° нас Π½Π° Π½Ρ‹Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ тСхничСского прогрСсса.

Вранзисторы ΠΊΠ»Π°ΡΡΠΈΡ„ΠΈΡ†ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠΎ нСскольким критСриям, ΠΈΠ· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅:

  1. БиполярныС ΠΈ униполярныС транзисторы.
  2. Π“Π°Π»Π»ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Π΅ ΠΈ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы для ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ высокочастотных ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ (ΠΊΠ°Ρ€Π±ΠΈΠ΄ крСмния, Π½ΠΈΡ‚Ρ€ΠΈΠ΄ галлия, арсСнид галлия).
  3. Вранзисторы ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΉ ΠΈΠ»ΠΈ большой мощности, низкочастотныС ΠΈΠ»ΠΈ высокочастотныС транзисторы.

ПослСдниС Π΄Π²Π° ΠΊΠ°ΡΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ², ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… для изготовлСния транзисторов, ΠΈ ΠΈΡ… основных ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΈ Π½Π΅ Ρ‚Π°ΠΊ Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹, ΠΊΠ°ΠΊ систСматика, описанная Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΌ ΠΏΡƒΠ½ΠΊΡ‚Π΅. Випология Π² ΠΏΡƒΠ½ΠΊΡ‚Π΅ 1 ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Ρ€Π΅ΡˆΠ°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ фактичСски описываСт Π΄Π²Π° основных Ρ‚ΠΈΠΏΠ° транзисторов, Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ…ΡΡ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΎΠΌ дСйствия: ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ (униполярныС) транзисторы ΠΈ биполярныС транзисторы. ΠšΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎ, Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠ· этих Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠ΄Ρ‚ΠΈΠΏΡ‹ транзисторов (MOSFET, JFET, IGBT ΠΈ Ρ‚. Π΄.), Π½ΠΎ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ².

Π’ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторах Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° проводимости; поэтому Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ являСтся Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠ΅ΠΉ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ напряТСния. ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ прост: ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ оснащСн двумя элСктродами β€” истоком S ΠΈ стоком D β€” ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚Ρ€Π°ΠΊΡ‚Ρƒ (Ρ‚Π°ΠΊ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹ΠΉ ΠΊΠ°Π½Π°Π»). Π’Π΄ΠΎΠ»ΡŒ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΠΈΠΉ элСктрод (Π“ β€” Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€), ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΠ΄ дСйствиСм ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния измСняСт ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌ самым влияСт Π½Π° ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ простым способом ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор позволяСт ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π² Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ.

БиполярныС транзисторы ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΡΠ»ΠΎΠΆΠ½ΡƒΡŽ ΠΊΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΡŽ. Они состоят ΠΈΠ· Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… слоСв Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° проводимости: n ΠΈΠ»ΠΈ p (n – ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ, p – ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ). Π’ зависимости ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΊ располоТСны эти слои, ΠΌΡ‹ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅ΠΌ Π΄Π²Π° основных Ρ‚ΠΈΠΏΠ° биполярных транзисторов β€” PNP ΠΈΠ»ΠΈ NPN; ΠΎΠ΄Π½Π°ΠΊΠΎ нСзависимо ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, с ΠΊΠ°ΠΊΠΈΠΌ ΠΈΠ· Π½ΠΈΡ… ΠΌΡ‹ ΠΈΠΌΠ΅Π΅ΠΌ Π΄Π΅Π»ΠΎ, здСсь всСгда Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ слои E (эмиттСрный), B (Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ) ΠΈ C (ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ). Вранзистор позволяСт Π½Π΅Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΎΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΌΡƒ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ эмиттСром, ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ Π³ΠΎΡ€Π°Π·Π΄ΠΎ большим Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ двумя Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ. Если постоянноС напряТСниС Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ транзистора Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ p-Ρ‚ΠΈΠΏ соСдиняСтся с ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ, Π° n-Ρ‚ΠΈΠΏ соСдиняСтся с ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ, ΠΌΡ‹ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅ΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈ своСго Ρ€ΠΎΠ΄Π° ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΉ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€. Π’ случаС ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ полярности Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ закрываСтся ΠΈΠ·-Π·Π° высокого сопротивлСния ΠΈ прСдотвращаСтся ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

Благодаря своим ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ свойствам транзисторы ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ, Π² Ρ‚ΠΎΠΌ числС, Π² конструкции всСвозмоТных усилитСлСй. Они ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ основным конструктивным элСмСнтом ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… элСктронных схСм, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΊΠ°ΠΊ источники Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹, стабилизаторы ΠΈΠ»ΠΈ элСктронныС крутящиС ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚Ρ‹, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ стали ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΏΡ€ΠΈ построСнии логичСских элСмСнтов. ΠžΡ‚ΡΡŽΠ΄Π° Π½Π΅Π΄Π°Π»Π΅ΠΊΠΎ Π΄ΠΎ самого извСстного примСнСния транзисторов: Π² построСнии ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠžΠ—Π£ ΠΈ ΠŸΠ—Π£, Ρ‚. Π΅. Π² микропроцСссорах. Π˜Ρ… рСализация Π±Ρ‹Π»Π° Π±Ρ‹ Π½Π΅Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Π° Π±Π΅Π· ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ (ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… схСм), ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΡƒΠΆΠ΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠ»ΠΎ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ΅ распространСниС.

Как ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор β€” ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора

Для ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ исправности транзистора ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ· Π΄Π²ΡƒΡ… самых популярных способов: ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΡƒ классичСским ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ ΠΈΠ»ΠΈ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… тСстСров для ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ элСктронныС ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹, Π² Ρ‚ΠΎΠΌ числС транзисторы. Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ эти ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Ρ‹, транзистор слСдуСт Π²Ρ‹ΠΏΠ°ΡΡ‚ΡŒ ΠΈΠ· схСмы ΠΈ ΡΠ½ΡΡ‚ΡŒ с ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρ‹, хотя, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΡ‹ расскаТСм ΠΏΠΎΠ·ΠΆΠ΅, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ эти ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹ ΠΈ Π±Π΅Π· этого шага.

Как ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ

Π’Π°ΠΊΡƒΡŽ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΡƒ биполярного транзистора ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΠ² ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ ΠΎΠΌΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° (ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ° сопротивлСния), Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΠ²ΡˆΠΈΡΡŒ Π½Π° ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΡƒ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°; Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΌ случаС слСдуСт ΡƒΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π» 2 кОм. Π‘Π»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ шаг β€” ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ, ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚Π΅ Π»ΠΈ Π²Ρ‹ Π΄Π΅Π»ΠΎ с транзистором npn ΠΈΠ»ΠΈ pnp; тСхничСская докумСнтация ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‡ΡŒ Π² этом. ΠŸΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΠ»Π°Π³Π°Ρ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΌΡ‹ ΠΈΠΌΠ΅Π΅ΠΌ Π΄Π΅Π»ΠΎ с Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠΌ pnp ΠΈ Ρ€Π΅ΡˆΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ΠΎΠΌΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°, поступаСм ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ:

  • ΠŸΠΎΠ΄ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ‚Π΅ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‰ΡƒΠΏ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° ΠΊ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·Ρ‹ (ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ это Ρ‡Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‰ΡƒΠΏ), Π° ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ (красный) сначала ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ, Π° Π·Π°Ρ‚Π΅ΠΌ ΠΊ эмиттСру. ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ значСния Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ ~500–1500 Ом ΠΏΠΎΠ΄Ρ‚Π²Π΅Ρ€ΠΆΠ΄Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ транзистора.
  • ΠŸΠΎΠ΄ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ‚Π΅ красный Ρ‰ΡƒΠΏ ΠΊ Π±Π°Π·Π΅, Π° Ρ‡Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‰ΡƒΠΏ сначала ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ, Π° Π·Π°Ρ‚Π΅ΠΌ ΠΊ эмиттСру. Для исправно Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ транзистора ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π·Π° ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Ρ‹ ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π°.
  • И ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ, ΠΈ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‰ΡƒΠΏΡ‹ ΠΊΠ°ΡΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² транзистора, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ эквивалСнтами ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ эмиттСра. Π˜Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Ρ€Π°Π²Π΅Π½ 1, нСзависимо ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΈΠ»ΠΈ Π»ΠΈ ΠΌΡ‹ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π½ΠΈΠΊ.
  • ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡΠ΅ΠΌ сопротивлСниС Π² ΠΎΠ±ΠΎΠΈΡ… направлСниях. ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π° 1 Π² ΠΎΠ±Π΅ стороны (сопротивлСниС стрСмится ΠΊ бСсконСчности) Π³ΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ ΠΎ нСисправном транзисторС. Показания, Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹Π΅ Π½ΡƒΠ»ΡŽ ΠΈΠ»ΠΈ Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠ΅ ΠΊ Π½ΡƒΠ»ΡŽ, ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€ΠΏΡ€Π΅Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²ΠΎ.

ΠŸΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΠ»Π°Π³Π°Ρ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ наш транзистор Ρ‚ΠΈΠΏΠ° npn, ΠΈ Ρ€Π΅ΡˆΠΈΠ² ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ (ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ этот Ρ‚ΠΈΠΏ транзистора Π½Π°ΠΏΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ систСму с двумя ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ), ΠΌΡ‹ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ сначала ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ Π² ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ, Π·Π°Ρ‚Π΅ΠΌ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ красный Π΄ΠΈΠΎΠ΄ ΠΊ Π±Π°Π·Π΅ Π° Ρ‡Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ ΠΊ эмиттСру. ПослС этой ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅Π΄ΡƒΡ€Ρ‹ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° своСм дисплСС ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ постоянного напряТСния, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ слСдуСт ΡΡ€Π°Π²Π½ΠΈΡ‚ΡŒ с Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Π² тСхничСской Π΄ΠΎΠΊΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ провСряСмого транзистора. Π­Ρ‚ΠΎ дСлаСтся для ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ находится ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΡƒΠΌΠΎΠΌ ΠΈ максимумом, ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π°. Если это Ρ‚Π°ΠΊ, транзистор Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ.

Помимо Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ‡ΠΈΡΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΎΠΊ исправности транзистора, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ, ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ h31, Π½ΠΎ для этого ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ снабТСн ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ Π³Π½Π΅Π·Π΄ΠΎΠΌ для ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… элСмСнтов. Если это Ρ‚Π°ΠΊ, ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚Π΅ устройство Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ hFE, Π·Π°Ρ‚Π΅ΠΌ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚Π΅ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΡ‹ транзистора ΠΊ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Ρ€Π°Π·ΡŠΠ΅ΠΌΠ°ΠΌ, ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ символами B, E ΠΈ C (Π±Π°Π·Π°, эмиттСр, ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€), ΠΈ считайтС ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ усилСния ΠΏΠΎ постоянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ с Π–Πš-экрана.

MOSFET ΠΈ JFET транзисторы

Вранзисторы MOSFET ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ нСпростыми. Π’ ΠΈΡ… случаС Ρ‚ΠΎΠΆΠ΅ ставим счСтчик Π² ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ «тСст Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°Β», послС Ρ‡Π΅Π³ΠΎ выполняСм ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΡƒΡŽ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ:

  • плюсовой Ρ‰ΡƒΠΏ Π½Π° сток, минус Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ (ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ Π½Π° 2 сСкунды),
  • ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π·ΠΎΠ½Π΄ ΠΊ источнику (2 сСкунды),
  • ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‰ΡƒΠΏ ΠΊ сливу, ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΊ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Ρƒ,
  • ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π·ΠΎΠ½Π΄ ΠΊ источнику.

ПослС выполнСния этой ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΠΈ, ΠΏΡ€ΠΈ послСднСм ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ красного Ρ‰ΡƒΠΏΠ° ΠΊ источнику β€” Π½Π΅ Ρ€Π°Π½ΡŒΡˆΠ΅ β€” Π½Π° экранС ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΡΠ²ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠ΅-Ρ‚ΠΎ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅. Если ΠΊΠ°ΠΊΠΈΠ΅-Π»ΠΈΠ±ΠΎ показания появлялись Ρ€Π°Π½Π΅Π΅, провСряСмый транзистор нСисправСн. Π­Ρ‚ΠΎ связано с простым Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠΌ: Π³Π΅ΠΉΡ‚ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ ΠΎΡ‚ ΠΎΡΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ ΠΈ Π½ΠΈΡ‡Π΅Π³ΠΎ Π½Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΡ‚ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒΡΡ.

Π‘ транзисторами JFET всС ΠΏΠΎ-Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΌΡƒ. Если Π²Ρ‹ Ρ…ΠΎΡ‚ΠΈΡ‚Π΅ ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΡΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ, ΠΈΠΌΠ΅ΠΉΡ‚Π΅ Π² Π²ΠΈΠ΄Ρƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ½ΠΈ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅ сопротивлСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ стоком ΠΈ истоком, Π° ΠΊΠ°Π½Π°Π» этих транзисторов «пСрСТимаСтся» ΠΏΠΎΠ΄ дСйствиСм ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ, Ссли Π΅ΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉ, Ρ‚ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ транзистор Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π° Π½ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ, вСдь ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ Π·Π°Π²Π΅Π΄ΠΎΠΌΠΎ нСисправСн.

Π‘Ρ‚ΠΎΠΈΡ‚ Π΄ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ униполярныС (ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅) транзисторы Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ ΠΊ статичСскому элСктричСству. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Π½Π΅Π±Ρ€Π΅ΠΆΠ½ΠΎΠ΅ ΠΈΠ»ΠΈ Π½Π΅Π°Π΄Π΅ΠΊΠ²Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ привСсти ΠΊ ΠΏΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΡŽ Ρ€Π°Π½Π΅Π΅ исправного ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π°. Π’ Π΅Ρ‰Π΅ большСй стСпСни это относится ΠΊ IGBT транзисторам.

ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ° транзисторов с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ тСстСров элСктронных ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ²

ΠœΠ½ΠΎΠ³ΠΎΡ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ тСстСры элСктронных ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ собой нСбольшиС устройства, Π½Π°ΠΏΠΎΠΌΠΈΠ½Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ классичСскиС ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ для ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ транзисторов, рСзисторов, кондСнсаторов, Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ² ΠΈ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… элСмСнтов, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… Π² ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎΠΉ элСктроникС. Они ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΡΡ‚ΡŒ напряТСниС, сопротивлСниС ΠΈ ряд Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΈ ΠΎΡ‚ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ Π½Π° своих дисплСях. ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΎΠ½ΠΈ ΠΏΠΈΡ‚Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΎΡ‚ Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΈ (ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ 9 Π’ ΠΈΠ»ΠΈ 12 Π’), ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ высокий ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ автоматичСского управлСния, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Ρ€Π°Π·ΡŠΠ΅ΠΌΡ‹ Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π½Π΅ΠΉ ΠΏΠ°Π½Π΅Π»ΠΈ ΠΈ поэтому ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ просты Π² использовании. Π£ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… вмСсто Ρ€ΠΎΠ·Π΅Ρ‚ΠΎΠΊ классичСскиС Ρ‰ΡƒΠΏΡ‹, Π½ΠΎ ΠΈ с Π½ΠΈΠΌΠΈ всС происходит автоматичСски. ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚ΠΎ поднСситС любой Ρ‰ΡƒΠΏ ΠΊ Π»ΡŽΠ±ΠΎΠΌΡƒ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρƒ, ΠΈ тСстСр автоматичСски ΠΈΠ΄Π΅Π½Ρ‚ΠΈΡ„ΠΈΡ†ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ всС ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹, распознаСт Ρ‚ΠΈΠΏ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°, ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ Ρ‚ΠΈΠΏ транзистора ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ напряТСниС проводимости, напряТСниС отсСчки (для МОП-транзисторов), Ρ‚ΠΎΠΊ ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠΈ, ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС ΠΈ сопротивлСниС. ΠΈΠ»ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΡŒΡ‚Π΅ Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰ΠΈΠΉ коэффициСнт усилСния.

Как ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор Π±Π΅Π· ΠΏΠ°ΠΉΠΊΠΈ

ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ° работоспособности транзистора Π±Π΅Π· извлСчСния Π΅Π³ΠΎ ΠΈΠ· схСмы ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Ρ…Π»ΠΎΠΏΠΎΡ‚Π½Π° ΠΈ сопряТСна с высоким риском ошибки, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Π½Π° Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ измСрСния ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΏΠΎΠ²Π»ΠΈΡΡ‚ΡŒ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ элСмСнты схСмы. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ тСст Π±Ρ‹Π» Π²Π°Π»ΠΈΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ, Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ Π·Π½Π°Ρ‚ΡŒ схСму систСмы ΠΈ особСнности Π΅Π΅ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² ΠΈ ΠΈΡ… взаимодСйствия. Однако Π½Π° Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ΅ Π΅ΡΡ‚ΡŒ устройства, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΡŽ, ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‰ΡƒΡŽ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзисторов Π±Π΅Π· нСобходимости ΠΈΡ… ΠΏΠ°ΠΉΠΊΠΈ. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, осциллографы Rohde & Schwarz с Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠ΅ΠΉ тСстирования ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ². Π’Π°ΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ тСхничСская докумСнтация этих счСтчиков Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ Π΄ΠΈΠ°Π³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹, ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ².

ЕстСствСнно, ΠΏΠΎΠΊΡƒΠΏΠΊΠ° осциллографа с Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠ΅ΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² связана со Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ расходами, Π½ΠΎ Π² случаС, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, ΠΏΡ€ΠΎΡ„Π΅ΡΡΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… услуг это ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ΅ Π²Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ срСдств, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ функция ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² позволяСт быстро ΡΡ€Π°Π²Π½ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ характСристики устройств, Ρ‡ΡŒΠΈ ΠšΠŸΠ” Ρƒ нас Π½Π΅Ρ‚ ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΎΠΊ с характСристиками Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… Ρ€Π΅ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΈΠ΄Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ диагностичСскиС инструмСнты, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ сократят врСмя, Π·Π°Ρ‚Ρ€Π°Ρ‡ΠΈΠ²Π°Π΅ΠΌΠΎΠ΅ Π½Π° Ρ€Π΅ΠΌΠΎΠ½Ρ‚.

Как ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ ΠΎΡ‚ Π’ΠœΠ•

Π’ ΠΊΠ°Ρ‚Π°Π»ΠΎΠ³Π΅ TME установитС Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€ «ВСст транзисторов» Π² ΠΊΠ°Ρ‚Π΅Π³ΠΎΡ€ΠΈΠΈ Ρ‚ΠΎΠ²Π°Ρ€ΠΎΠ² Β«Π¦ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΡ€Ρ‚Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Π΅ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹Β». Π—Π°Ρ‚Π΅ΠΌ ΠΌΡ‹ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅ΠΌ список Ρ‚Π΅Ρ… ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»Π΅ΠΉ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΡƒ транзисторов, ΠΊΠ°ΠΊ с использованиСм классичСских ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π½ΠΈΠΊΠΎΠ², Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ с использованиСм ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΡˆΡ‚Ρ‹Ρ€ΡŒΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Ρ€Π°Π·ΡŠΠ΅ΠΌΠΎΠ², Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… с транзисторами pnp ΠΈ npn. Вас ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π·Π°ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π΅ΡΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ продукция Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… Π±Ρ€Π΅Π½Π΄ΠΎΠ², ΠΊΠ°ΠΊ Peaktech, B&K Precision, Axiomet ΠΈΠ»ΠΈ Uni-T. ВсС Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ собой ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Π΅ устройства с ТидкокристалличСскими дисплСями с подсвСткой, нСсколькими Ρ€ΠΎΠ·Π΅Ρ‚ΠΊΠ°ΠΌΠΈ ΠΈ Π»Π΅Π³ΠΊΠΎ Ρ‡ΠΈΡ‚Π°Π΅ΠΌΡ‹ΠΌ основным диском для Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π° Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°. Π‘ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²ΠΎ ΠΈΠ· Π½ΠΈΡ… Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‰Π΅Π½Ρ‹ свСрхпрочными ΡƒΠ΄Π°Ρ€ΠΎΠΏΠΎΠ³Π»ΠΎΡ‰Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ пластиковыми ΠΊΡ€Ρ‹ΡˆΠΊΠ°ΠΌΠΈ для ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ долговСчности.

Для получСния ΠΎΡ€ΠΈΠ³ΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ руководства посСтитС: https://www.tme.eu/en/news/library-articles/page/44797/a-quick-tutorial-on-how-to-test-a-transistor/

БвязанныС ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠΈ

ИспользованиС Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… для прСодолСния энСргСтичСского кризиса

National Ceramic Industries Australia Π·Π°Ρ€ΡƒΡ‡ΠΈΠ»Π°ΡΡŒ ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΎΠΉ OFS для прСодолСния энСргСтичСского кризиса..

alexxlab

Π”ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€ΠΈΠΉ

Π’Π°Ρˆ адрСс email Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½. ΠžΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ поля ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ *