Site Loader

Содержание

Транзисторы. Устройство и принцип действия

Похожие презентации:

3D печать и 3D принтер

Видеокарта. Виды видеокарт

Анализ компании Apple

Трансформаторы тока и напряжения

Транзисторы

Устройство стиральной машины LG. Электрика

Конструкции распределительных устройств. (Лекция 15)

Электробезопасность. Правила технической эксплуатации электроустановок

Магнитные пускатели и контакторы

Работа на радиостанциях КВ и УКВ диапазонов. Антенны военных радиостанций. (Тема 5.1)

1. Раздел 3. Транзисторы

3.1. Устройство и принцип
действия

2. 3.1. Устройство и принцип действия

Транзисторы делятся на
• биполярные,
• униполярные (полевые).
Биполярный транзистор – прибор для
усиления мощности, состоящий из трех
областей с разным типом проводимости.
БПТ подразделяются на p-n-p и n-p-n в
зависимости от чередования типов
полупроводников

3. 3.

1. Устройство и принцип действия• p-n-p
• n-p-n

4. 3.1. Устройство и принцип действия

Существуют 3 схемы подключения
источников к транзистору
Э
К
Б
Переход Б-Э закрыт
Переход К — Б закрыт
Э
К
Б
Uбэ = 0
Uбк > 0
Важно: переход коллектор-база для электронов коллектора
закрыт, но для электронов базы он открыт, электрическое
поле отлично бы способствовало перемещению электронов
из базы в коллектор…, если бы электроны были в базе!
Чтобы электроны появились в базе, нужно открыть переход
эмиттер-база, подав Uбэ > 0
Переход Б-Э открыт
Э
Переход К — Б закрыт


К

Б
Uбэ > 0
Uбк > 0
Под действием Uбэ электроны из коллектора переходят в базу.
База делается тонкой, в этом случае электроны в базе сразу
попадают под действие электрического поля, стремящегося
переместить электроны из базы в коллектор. Поэтому основная
часть электронов уходит в коллектор, и малая часть уходит в
базу.
Переход Б-Э открыт
Э
Переход К — Б закрыт


К

Б
Uбэ > 0
Uбк > 0
I э = I б + I к, I э I к
Важно здесь то, что непременным условием наличия сквозного тока
эмиттер-коллектор является наличие малого тока базы! Если мы
прекратим маленький ток базы, прекратится и большой ток коллектора!
Ток коллектора очевидно пропорционален току базы!

8. 3.1. Устройство и принцип действия

• Ток эмиттера и коллектора течет только в случае
открытого перехода база-эмиттер, следовательно,
мы может регулировать ток коллектора и эмиттера,
управляя током базы!
• Если считать, что входным является малый ток базы,
а выходным – большой ток коллектора, транзистор
оказывается усилителем тока.
• Если смотреть на два состояния: есть ток базы –
есть и сквозной ток эмиттер-коллектор; нет тока базы
– нет сквозного тока Э-К, транзистор становится
ключом, управляемым током базы.
• Также можно думать, что меняя ток базы, мы меняем
сопротивление между эмиттером и коллектором (т. к.
при одном и том же напряжении между К и Э
изменение тока базы меняет ток между К и Э).

9. 3.1. Устройство и принцип действия

Конструкция транзистора

10. 3.1. Устройство и принцип действия

Iк 0,9 – 0,95 Iэ
Iб 0,05 – 0,1 Iэ

11. 3.1. Устройство и принцип действия

Транзистор может включаться по схеме с:
• общей базой;
• общим коллектором;
• общим эмиттером (самая
распространенная)
Включение по схеме с ОЭ

12. 3.2. Основные характеристики транзистора в схеме с ОЭ

Входная характеристика Iб(Uбэ) –
характеристика pn-перехода

Выходная характеристика Iк(Uкэ)

Uбэ
Uкэ

13. 3.2. Основные характеристики транзистора в схеме с ОЭ

14. 3.2. Основные характеристики транзистора в схеме с ОЭ

Рабочая область характеристик транзистора
ограничена
• Максимальным напряжением Uкэ
• Максимальным током коллектора Iк
• Максимальной мощностью коллектора Pк
• Минимальным (тепловым) током коллектора Iк0.
Uкэ = Ек – Iк Rк
режимы работы транзистора:
• линейный, рабочая точка находится в пределах линейных участков характеристик
(используется в усилителях переменного тока)
• насыщение, когда ток Iб настолько велик, что Uкэ уже не зависит от тока Iк и
минимально.
• отсечка, когда оба перехода в транзисторе закрыты, и Uкэ максимально и не
зависит от Iб и Iк. (режимы отсечки и насыщения используются в транзисторных
ключах)
• инверсный режим, когда переход база-эмиттер смещен в обратном направлении,
а коллектор-база – в прямом (применяется в двунаправленных ключах)

16. 3.2. Основные характеристики транзистора в схеме с ОЭ

В линейном режиме приращения токов и напряжений
пропорциональны. Этот режим используется в усилителях.
Пропорциональность изменений оков и напряжений важна для
сохранения формы сигнала.
Чтобы попасть в линейный режим и усиливать переменное
напряжение, на вход транзистора необходимо подавать
постоянную составляющую напряжения, называемую
напряжением покоя. Без напряжения покоя усилить переменное
напряжение или ток нельзя, т.к. транзистор пропускает только
токи одной полярности.

17. 3.3. Схема замещения транзистора на переменном токе

В пределах линейных участков входной и выходной
характеристик транзистора переменные составляющие
входных и выходных токов и напряжений связаны друг
с другом линейными уравнениями. Поэтому транзистор
можно описать как линейный четырехполюсник.

Uбэ

Н
Uкэ

18. 3.3. Схема замещения транзистора на переменном токе

Смысл h-параметров:
h21 – входное сопротивление при кз на выходе
h22 – коэффициент обратной связи по напряжению при
хх на выходе
h31 – коэффициент передачи по току при кз на выходе
h32 – выходная проводимость при хх на входе

19. 3.3. Схема замещения транзистора на переменном токе

Схема замещения транзистора на переменном токе

20. 3.3. Схема замещения транзистора на переменном токе

Определение h-параметров по характеристикам
транзистора

21.

3.3. Схема замещения транзистора на переменном токе

22. 3.3. Схема замещения транзистора на переменном токе

В паспортных данных транзистора
указывают:
• h21
• h32
• h31
• Iкmax
• Uкэmax
• Pкmax

23. Униполярные (полевые) транзисторы

24. Полевые транзисторы


Полевой транзистор – полупроводниковый прибор,
ток которого управляется электрическим полем.
• В полевых транзисторах используются заряды
только одного типа: либо электроны, либо дырки.
• Носители заряда перемещаются от электрода,
называемого ИСТОКОМ к электроду, называемому
СТОКОМ. Электрическое поле, регулирующее
сопротивление в канале (и ток) формируется с
помощью третьего электрода – ЗАТВОРА.
Полевые транзисторы делятся на:
1. FET: С управляемым p-n переходом.
2. MOS: С изолированным затвором (с
индуцированным каналом (МОП), со встроенным
каналом (МДП)).

25. 5.1. Устройство и принцип действия полевого транзистора с управляемым переходом

сток
затвор
исток
p – канал
Транзистор с n-каналом
n — канал

26.

Полевые транзисторыПодадим UЗИ < 0, чтобы закрыть p-n переходы и UСИ = 0
Ширина n-канала уменьшилась, а его
сопротивление выросло.

27. Полевые транзисторы

Теперь увеличим UСИ > 0, появится ток в n-канале (ток стока)
Ic
Ic
Минимальная ширина канала определяется как UЗИ,
так и UСИ

28. Полевые транзисторы

Существует такое UСИ = Uзап, что сечение n-канала
уменьшается до нуля, а электропроводность резко
падает
При дальнейшем увеличении Uси ток стока меняться не будет

29. Полевые транзисторы

• При UЗИ < Uзап ток стока сильно зависит от UЗИ.
• Величина Uзап зависит от напряжения UЗИ. Чем
меньше UЗИ, тем больше значения запирающего
напряжения Uзап.

30. МДП-транзисторы (металл-диэлектрик-полупроводник)

МДП-транзисторы (металл-диэлектрикполупроводник)
p – канал
n – канал

31. МДП-транзисторы

Дырки перемещаются от затвора к
подложке, электроны – наоборот,
около затвора формируется
область, обогащенная
электронами, возникает канал для
тока стока.
UЗИ = 0
UЗИ > 0

32. Сток — затворная характеристика

МДП-транзисторы
Сток — затворная характеристика

33. МОП-транзистор со встроенным каналом

Канал встроен в стурктуру. При UЗИ = 0 ток стока существует

34. МОП-транзисторы

• UЗИ > 0
Сечение канала
увеличивается,
проводимость растет,
увеличивается ток стока
• UЗИ < 0
Сечение канала
уменьшается,
проводимость падает,
снижается ток стока

35. МОП-транзисторы

• Сток-затворная и выходная характеристики МОП-транзистора
МДП-транзисторы управляются однополярным
напряжением, МОП-транзисторы – двуполярным.

36. Полевые транзисторы

Схема замещения полевого транзистора в
области средних частот
МДП-транзистор
Rвх 109 Ом
МОП-транзистор
Rвх ∞

37. Полевые транзисторы

• Полевые транзисторы могут
использоваться в тех же устройствах,
что и биполярные транзисторы.
• БПТ управляется током базы, полевые
транзисторы – напряжением между
затвором и истоком
• Входная цепь полевого транзистора не
потребляет ток (в отличие от БПТ)!!!

38.

Усилитель на полевом транзисторе

English     Русский Правила

Биполярный транзистор: устройство и принцип работы

21 июня 2020 — Admin

Главная / Теория

Биполярный транзистор — полупроводниковый прибор с тремя выводами, широко применяемый в радиоэлектронных схемах. Первый биполярный транзистор создан в 50-х годах XX века. Его изобретение стало венцом попыток найти более компактный и удобный аналог вакуумного триода. Благодаря появлению транзисторов схемотехника сделала большой шаг вперёд: громоздкую вакуумную лампу, к тому же требующую для работы высокого напряжения, удалось заменить на прибор размером с горошину. В дальнейшем, технологии позволили на одном малюсеньком кристалле полупроводника формировать сразу десятки и сотни транзисторов, что дало начало появлению электронных микросхем и развитию современной электроники. Впрочем, довольно вводных слов, перейдём к делу.

Устройство и принцип работы

Биполярный транзистор состоит из трёх чередующихся полупроводниковых зон с разной проводимостью. В зависимости того, как расположены эти зоны, существует два типа транзисторов: p-n-p (прямой проводимости) и n-p-n (обратной проводимости). К каждой из зон подключён свой вывод, выводы называются одинаково для обоих типов транзисторов: средний вывод — база, а по краям эмиттер и коллектор.

Устройство транзисторов p-n-p и n-p-n и обозначение на схемах

Как мы увидим в дальнейшем, в создании электрического тока внутри транзистора участвуют два вида зарядов: электроны и дырки. Отсюда и название «биполярный». Далее я буду писать просто «транзистор» для простоты изложения, но, нужно помнить, что существуют и униполярные (полевые) транзисторы, речь о которых пойдёт в отдельной статье.

Если вы знакомы с устройством полупроводникового диода, вы заметили, что транзистор, можно сказать, представляет собой два  диода, включенных навстречу друг другу, с одной общей зоной. Давайте для определённости возьмём p-n-p транзистор и подключим его следующим образом:

Подключение p-n-p транзистора

На переход база-эмиттер (эмиттерный переход) подано прямое напряжение, этот диод открыт и через него течёт ток. А вот на коллекторном переходе напряжение запирающее: на коллекторе «минус» относительно базы. Если бы это были два изолированных диода, то на этом бы дело и кончилось. Но! Поскольку зона n общая, тут вступает в силу закон диффузии. Часть дырок, поставляемых эмиттером, не рекомбинирует с электронами базы, а проникает в область коллекторного p-n перехода, и там захватывается мощным минусом «коллектора». В коллекторной цепи тоже появляется ток.

По описанию может показаться, что в коллектор попадает небольшая часть дырок. Но в реальности всё наоборот: только малая часть эмиттерного тока ответвляется в базу, рекомбинируя там с электронами. Большая же часть (грубо говоря,  больше 90%) дырок идут в коллектор и создают коллекторный ток. Это становится возможным потому, что рекомбинация — сравнительно долгий по времени процесс, и дырки успевают заполнить всю область базы и попасть под влияние потенциала коллектора.

При этом сильный коллекторный ток зависит от слабого базового. Ну а если на базу подать запирающее напряжение, «плюс» относительно эмиттера, то ток база-эмиттер вовсе прекратится, а следом исчезнет и коллекторный ток.

Кстати, теперь должны стать понятны названия выводов транзистора. Эмиттер — эмитирует, поставляет заряды (в нашем примере — дырки). Коллектор их собирает, стягивает своим мощным потенциалом. Ну а база так называется потому, что в первых точечных транзисторах она конструктивно была основой прибора. Сейчас точечные транзисторы уже не применяются, их вытеснили более технологичные плоскостные приборы, а название осталось.

Осталось отметить, что все приведённые выше рассуждения применимы и для n-p-n транзисторов, только нужно поменять знаки напряжений на обратные: транзистор n-p-n открывается «плюсом» на базе относительно эмиттера, ну а на коллекторе должен быть плюс относительно базы.

Усилительные свойства транзистора

Должность усилителя — одна из основных «работ» транзистора в электронных схемах.  И выше было показано, что слабый сигнал на базе позволяет управлять в разы более мощным коллекторным током, создавая на коллекторе более мощную копию базового сигнала. Но тут нужно чётко понимать, что сам по себе транзистор не усиливает сигнал и не может получить энергию из ниоткуда, по волшебству. Для создания мощной копии он берёт энергию источника питания. Можно ещё сказать, что от величины базового тока зависит сопротивление коллекторного p-n перехода. Ну а уж какой окажется ток, будет определяться напряжением источника питания и сопротивлением нагрузки (разумеется, все эти параметры должны находиться в допустимых пределах).

Конструктивные особенности транзистора

Из приведёных выше схематических рисунков не очень понятно, чем же эмиттер отличается от коллектора? В принципе, некоторые транзисторы будут работать, даже если при подключении перепутать эмиттер и коллектор местами. Но давайте взглянем на рисунок, более приближенный к реальной конструкции транзистора, а заодно разберёмся, почему он сделан так а не иначе.

Конструкция транзистора (схематично)

Вот несколько соображений на эту тему:

  • Площадь коллекторного p-n перехода должна быть побольше, для более эффективного захвата зарядов.
  • Коллекторная зона легируется слабо, то есть там сравнительно мало свободных зарядов на единицу объёма — это позволяет прикладывать к коллекторному переходу гораздо большее напряжение, чем к эмиттерному, без риска пробоя коллекторного перехода.
  • Эмиттерная зона, наоборот, легируется сильнее, для более эффективной инжекции зарядов. Но это и делает эмиттерный переход более «нежным». Особенно он боится обратного (запирающего) напряжения: для p-n-p это плюс на базе относительно эмиттера. В некоторых схемах даже ставится специальная защита — обычно с помощью диода.
  • В коллекторе меньше свободных зарядов, сопротивление его выше, к тому же коллекторный переход работает в режиме обратного смещения. Всё это приводит к тому, что на нём выделяется основное тепло. Это тоже аргумент в пользу того, чтобы коллекторная зона была побольше, для эффективного рассеивания тепловой энергии.
  • К слову, база тоже легируется слабо. База должна быть тонкой по двум причинам. Во-первых, для более эффективной диффузии зарядов, инжектируемых эмиттером. Во-вторых, для большего быстродействия транзистора: чтобы коллекторный ток как можно быстрее реагировал на изменение базового. Но при этом сопротивление базы должно быть высокое, чтобы не было пробоев напрямую между коллектором и эмиттером.

Все эти меры позволяют «выжать» из транзистора максимальный коэффициент усиления. Это величина, которая показывает соотношение между коллекторным и базовым током. У различных транзисторов коэффициент может варьироваться от десятков до сотен и даже тысяч.

Основные параметры транзистора

Один из важнейших параметров транзистора, коэффициент усиления, уже упоминался. Он определяет усилительные способности транзистора, во сколько раз коллекторный ток может быть больше базового. Впрочем, можно также вводить понятия коэффициента усиления по напряжению и по мощности, поэтому при чтении справочников нужно быть внимательным: какой именно коэффициент там приводится.

Многое зависит от области применения транзистора. В маломощных чувствительных усилителях важен коэффициент усиления. В высокочастотных каскадах — предельная частота, на которой ещё сохраняются усительные способности транзистора. Существование предельной частоты обусловлено скоростью работы транзистора, а также ёмкостью коллекторного перехода, которая на высоких частотах начинает играть заметную роль (мы помним, что активное сопротивление конденсатора уменьшается с ростом частоты). Ну а в выходных каскадах мощных усилителей уже не так важны усиление и частота, и на первый план выходят допустимые токи и напряжения.

Поэтому промышленность выпускает множество различных моделей биполярных транзисторов с характеристиками на любой вкус. А оригинальные решения, комбинирующие в одной схеме транзисторы с разными характеристиками, разной проводимостью, позволяют буквально творить чудеса и решать весьма нетривиальные задачи.

При чтении справочников следует обращать внимание на предельные значения, коих у транзистора целый веер. Например, предельно допустимое напряжение коллектора, предельный ток коллектора и предельная мощность. Предельное напряжение базового перехода, предельное обратное напряжение. И так далее. Причём, нужно избегать соблазна рассчитать предельно допустимую мощность как произведение предельного тока и предельного напряжения. По отдельности транзистор способен выдержать предельный ток и предельное напряжение, но если попытаться загнать его в такой режим, когда достигнуты оба этих показателя одновременно — транзистор выйдет из строя. Поэтому, всегда указывают предельную мощность отдельно. Часто можно расширить границы допустимой мощности, установив на транзистор теплоотводящий радиатор.

Отдельно стоит сказать про такой параметр, как неуправляемый обратный ток коллектора. Он создаётся собственными свободными зарядами, которые в небольшом количестве есть в любом полупроводнике. Этот ток не управляется «командами» с базы, кроме того, он сильно зависит от температуры, и способен внести существенные помехи в полезный сигнал.

Поделиться в соцсетях:

принцип работы транзистора — МИКРОЭ

Транзисторы используются в аналоговых схемах для усиления сигнала. Они также используются в источниках питания в качестве стабилизатора, и вы также найдете их в качестве переключателей в цифровых схемах.

Лучший способ изучить основы работы транзисторов — это поэкспериментировать. Простая схема показана ниже. Он использует силовой транзистор для освещения земного шара. Вам также понадобится батарейка, небольшая лампочка (взятая от фонарика) с параметрами около 4,5В/0,3А, линейный потенциометр (5k) и резистор на 470 Ом. Эти компоненты должны быть подключены, как показано на рис. 4.4а.

Рис. 4.4: Принцип работы транзистора: потенциометр перемещается в верхнее положение — напряжение на базе увеличивается

— ток через базу увеличивается — ток через коллектор увеличивается — яркость шара увеличивается . Резистор (R) на самом деле не нужен, но если вы его не используете, вы не должны поворачивать потенциометр (потенциометр) в его высокое положение, потому что это разрушит транзистор — это связано с тем, что постоянное напряжение UBE (напряжение между базой и эмиттером), не должно быть выше 0,6В, для кремниевых транзисторов. Поверните потенциометр в самое нижнее положение. Это доводит напряжение на базе (или, точнее, между базой и землей) до нуля вольт (UBE = 0). Лампочка не горит, значит через транзистор не проходит ток. Как мы уже упоминали, нижнее положение потенциометра означает, что UBE равен нулю. При повороте ручки из крайнего нижнего положения ВБЕ постепенно увеличивается.
Когда UBE достигает 0,6В, ток начинает поступать на транзистор и глобус начинает светиться. При дальнейшем вращении потенциометра напряжение на базе остается на уровне 0,6 В, но ток увеличивается, что увеличивает ток в цепи коллектор-эмиттер. Если горшок повернуть полностью, базовое напряжение немного увеличится примерно до 0,75 В, но ток значительно возрастет, и шар будет ярко светиться. Если мы подключим амперметр между коллектором и лампочкой (для измерения IC), другой амперметр между горшком и цоколем (для измерения IB) и вольтметр между землей и цоколем и повторим весь эксперимент, мы найдем некоторое интересные данные. Когда потенциометр находится в нижнем положении, UBE равно 0 В, как и токи IC и IB. При повороте потенциометра эти значения начинают расти, пока лампочка не начнет светиться, когда они будут: UBE = 0,6 В, IB = 0,8 мА и IB = 36 мА (если ваши значения отличаются от этих значений, это связано с тем, что 2N3055 используемый писатель не имеет тех же характеристик, что и тот, который вы используете, что часто встречается при работе с транзисторами).
Конечным результатом этого эксперимента является то, что при изменении тока на базе изменяется и ток на коллекторе. Давайте рассмотрим еще один эксперимент, который расширит наши знания о транзисторе. Для этого требуется транзистор BC107 (или любой аналогичный маломощный транзистор), источник питания (такой же, как и в предыдущем эксперименте), резистор 1 МОм, наушники и электролитический конденсатор, емкость которого может варьироваться от 10 мкФ до 100 мкФ при любом рабочем напряжении. Из этих компонентов можно собрать простой усилитель низкой частоты, как показано на диаграмме 4.5.

Рис. 4.5: Простой транзисторный усилитель

Следует отметить, что схема 4.5а аналогична схеме 4.4а. Основное отличие в том, что коллектор подключается к наушникам. Резистор «включения» — резистор на базе, 1М. Когда нет резистора, нет протекания тока IB и тока Ic. Когда резистор подключен к цепи, базовое напряжение равно 0,6В, а базовый ток IB = 4мкА. Транзистор имеет коэффициент усиления 250 и это означает, что ток коллектора будет 1 мА. Так как оба этих тока входят в транзистор, очевидно, что ток эмиттера равен IE = IC + IB. А так как ток базы в большинстве случаев незначителен по сравнению с током коллектора, то считается, что:

Отношение между током, протекающим через коллектор, и током, протекающим через базу, называется коэффициентом усиления тока транзистора и обозначается как hFE. В нашем примере этот коэффициент равен:

Наденьте наушники и поместите кончик пальца на точку 1. Вы услышите шум. Ваше тело улавливает «сетевое» напряжение переменного тока частотой 50 Гц. Шум, слышимый в наушниках, это напряжение, только усиленное транзистором. Давайте объясним эту схему немного больше. Переменное напряжение частотой 50 Гц подключено к базе транзистора через конденсатор С. Напряжение на базе теперь равно сумме постоянного напряжения (примерно 0,6) через резистор R и переменного напряжения «с» пальца. Это означает, что это базовое напряжение выше 0,6 В, пятьдесят раз в секунду и пятьдесят раз немного ниже.
Из-за этого ток на коллекторе пятьдесят раз в секунду больше 1 мА, а в пятьдесят раз меньше. Этот переменный ток используется для смещения мембраны громкоговорителей пятьдесят раз в секунду вперед и пятьдесят раз назад, что означает, что на выходе мы можем слышать тон 50 Гц. Прослушивание шума 50 Гц не очень интересно, поэтому к точкам 1 и 2 можно подключить какой-нибудь источник низкочастотного сигнала (проигрыватель компакт-дисков или микрофон). Существуют буквально тысячи различных схем, использующих транзистор в качестве активного усилительного устройства. И все эти транзисторы работают так, как показано в наших экспериментах, а это означает, что, собирая этот пример, вы фактически строите базовый блок электроники.

Как эффективно проверить транзистор

Трансфер Мультисорт Электроник

пятница, 01 апреля 2022 г.


Транзисторы, разработанные в середине 20 века, стали основой бурного развития электроники. Заменив электронные лампы, они начали эру миниатюризации электронных устройств, которая продолжается и по сей день. Как и любой другой компонент, транзистор также может выйти из строя или выйти из строя. В этой статье мы покажем вам, как проверить правильность функционирования этих электронных компонентов.

Что такое транзистор — базовые знания

Самый простой ответ: транзистор — это 3-контактный (иногда 4-контактный) полупроводниковый прибор, способный усиливать электрические сигналы и действовать как устройство регулирования тока.

Коммерциализация транзисторов в середине прошлого века полностью изменила развитие всех технологий, в том числе и электроники. Замена больших и энергоемких электронных ламп этими миниатюрными компонентами (транзисторами нанометрового размера), как в случае с компьютерными микропроцессорами, ускорила развитие техники и вывела нас на нынешний уровень технического прогресса.

Транзисторы классифицируются по нескольким критериям, из которых наиболее важными являются следующие:

  1. Биполярные и униполярные транзисторы.
  2. Галлиевые и кремниевые транзисторы для очень высокочастотных применений (карбид кремния, нитрид галлия, арсенид галлия).
  3. Транзисторы малой или большой мощности, низкочастотные или высокочастотные транзисторы.

Последние два касаются материалов, используемых для изготовления транзисторов, и их основных параметров и не так важны, как систематика, описанная в первом пункте. Типология в пункте 1 имеет решающее значение, поскольку фактически описывает два основных типа транзисторов, различающихся принципом действия: полевые (униполярные) транзисторы и биполярные транзисторы. Конечно, внутри каждого из этих типов есть дополнительные подтипы транзисторов (MOSFET, JFET, IGBT и т. д.), но ключевой принцип работы одинаков.

В полевых транзисторах ток протекает через полупроводник одного типа проводимости; поэтому выходной ток является функцией управляющего напряжения. Принцип работы прост: полупроводник оснащен двумя электродами — истоком S и стоком D — и ток течет по полупроводниковому тракту (так называемый канал). Вдоль канала проходит дополнительный третий электрод (Г — затвор), который под действием приложенного напряжения изменяет проводимость канала и тем самым влияет на протекающий ток. Таким простым способом полевой транзистор позволяет управлять током в заданной цепи.

Биполярные транзисторы имеют более сложную конструкцию. Они состоят из трех полупроводниковых слоев разного типа проводимости: n или p (n – отрицательная, p – положительная). В зависимости от того, как расположены эти слои, мы получаем два основных типа биполярных транзисторов — PNP или NPN; однако независимо от того, с каким из них мы имеем дело, здесь всегда различают слои E (эмиттерный), B (базовый) и C (коллекторный). Транзистор позволяет небольшому току, протекающему между базой и эмиттером, управлять гораздо большим током, протекающим между двумя другими выводами. Если постоянное напряжение течет между выводами транзистора таким образом, что p-тип соединяется с положительным выводом, а n-тип соединяется с отрицательным выводом, мы получаем протекание тока и своего рода открытый затвор. В случае обратной полярности затвор закрывается из-за высокого сопротивления и предотвращается протекание тока.

Благодаря своим усиливающим свойствам транзисторы используются, в том числе, в конструкции всевозможных усилителей. Они являются основным конструктивным элементом многих электронных схем, таких как источники тока, генераторы, стабилизаторы или электронные крутящие моменты, которые стали использоваться при построении логических элементов. Отсюда недалеко до самого известного применения транзисторов: в построении полупроводниковых ОЗУ и ПЗУ, т. е. в микропроцессорах. Их реализация была бы невозможна без интеграционных технологий (интегральных схем), применение которых уже получило широкое распространение.

Как проверить транзистор — методы проверки работы транзистора

Для проверки исправности транзистора можно использовать один из двух самых популярных способов: проверку классическим мультиметром или с помощью специально разработанных тестеров для проверки различные электронные компоненты, в том числе транзисторы. Используя эти методы, транзистор следует выпаять из схемы и снять с печатной платы, хотя, как мы расскажем позже, можно проверить эти компоненты и без этого шага.

Как проверить транзистор мультиметром

Такую проверку биполярного транзистора можно выполнить либо переключив мультиметр в режим омметра (проверка сопротивления), либо переключившись на проверку диода; в первом случае следует установить предел 2 кОм. Следующий шаг — определить, имеете ли вы дело с транзистором npn или pnp; техническая документация может помочь в этом. Предполагая, что мы имеем дело с типом pnp и решили проверить в режиме омметра, поступаем следующим образом:

  • Подсоедините отрицательный щуп мультиметра к выводу базы (обычно это черный щуп), а положительный (красный) сначала к коллектору, а затем к эмиттеру. Получение значения в диапазоне ~500–1500 Ом подтверждает правильную работу транзистора.
  • Подсоедините красный щуп к базе, а черный щуп сначала к коллектору, а затем к эмиттеру. Для исправно работающего транзистора мультиметр должен показывать, что измеренное значение выходит за пределы указанного диапазона.
  • И положительный, и отрицательный щупы касаются выводов транзистора, которые являются эквивалентами коллектора и эмиттера. Измеренный результат должен быть равен 1, независимо от того, применили ли мы положительный или отрицательный пробник.
  • Проверяем сопротивление в обоих направлениях. Получение результата 1 в обе стороны (сопротивление стремится к бесконечности) говорит о неисправном транзисторе. Показания, равные нулю или близкие к нулю, интерпретируются одинаково.

Предполагая, что наш транзистор типа npn, и решив проверить диод (поскольку этот тип транзистора напоминает систему с двумя параллельными диодами), мы должны сначала переключить мультиметр в соответствующий режим, затем подключить красный диод к базе а черный к эмиттеру. После этой процедуры измеритель должен показать на своем дисплее определенное значение постоянного напряжения, которое следует сравнить с данными в технической документации проверяемого транзистора. Это делается для проверки того, что полученное измерение находится между минимумом и максимумом, указанным производителем компонента. Если это так, транзистор работает правильно.

Помимо вышеперечисленных проверок исправности транзистора, можно также измерить коэффициент усиления по току, обозначенный h31, но для этого измеритель должен быть снабжен специальным гнездом для проверки таких элементов. Если это так, переключите устройство в режим hFE, затем подключите клеммы транзистора к соответствующим разъемам, отмеченным символами B, E и C (база, эмиттер, коллектор), и считайте измеренное значение усиления по постоянному току с ЖК-экрана.

MOSFET и JFET транзисторы

Транзисторы MOSFET могут быть непростыми. В их случае тоже ставим счетчик в положение «тест диода», после чего выполняем следующую последовательность:

  • плюсовой щуп на сток, минус на затвор (примерно на 2 секунды),
  • отрицательный зонд к источнику (2 секунды),
  • отрицательный щуп к сливу, положительный к затвору,
  • положительный зонд к источнику.

После выполнения этой комбинации, при последнем подключении красного щупа к источнику — не раньше — на экране мультиметра должно появиться какое-то измеренное значение. Если какие-либо показания появлялись ранее, проверяемый транзистор неисправен. Это связано с простым фактом: гейт должен быть изолирован от остальных цепей и ничего не должно отображаться.

С транзисторами JFET все по-другому. Если вы хотите их протестировать, имейте в виду, что они имеют низкое сопротивление между стоком и истоком, а канал этих транзисторов «пережимается» под действием приложенного напряжения. Поэтому, если есть пробой, то можно сделать вывод, что такой транзистор нужно заменить на новый, ведь проверенный заведомо неисправен.

Стоит добавить, что униполярные (полевые) транзисторы чувствительны к статическому электричеству. Таким образом, небрежное или неадекватное измерение может привести к повреждению ранее исправного компонента. В еще большей степени это относится к IGBT транзисторам.

Проверка транзисторов с помощью тестеров электронных компонентов

Многофункциональные тестеры электронных компонентов представляют собой небольшие устройства, напоминающие классические мультиметры, используемые для проверки транзисторов, резисторов, конденсаторов, диодов и многих других элементов, используемых в обычной электронике. Они могут измерять напряжение, сопротивление и ряд других параметров и отображать измеренные параметры на своих дисплеях. Обычно они питаются от батареи (обычно 9 В или 12 В), имеют высокий уровень автоматического управления, имеют специальные разъемы на передней панели и поэтому очень просты в использовании. У некоторых вместо розеток классические щупы, но и с ними все происходит автоматически. Просто поднесите любой щуп к любому контакту, и тестер автоматически идентифицирует все контакты, распознает тип полупроводникового перехода, определит тип транзистора и проверит напряжение проводимости, напряжение отсечки (для МОП-транзисторов), ток утечки, пороговое напряжение и сопротивление. или измерьте текущий коэффициент усиления.

Как проверить транзистор без пайки

Проверка работоспособности транзистора без извлечения его из схемы очень хлопотна и сопряжена с высоким риском ошибки, так как на результаты измерения могут повлиять другие элементы схемы. Поэтому для того, чтобы такой тест был валидным, важно знать схему системы и особенности ее отдельных компонентов и их взаимодействия. Однако на рынке есть устройства, которые имеют функцию, позволяющую проверить правильность работы транзисторов без необходимости их пайки. Это могут быть, например, осциллографы Rohde & Schwarz с функцией тестирования компонентов. Важно отметить, что техническая документация этих счетчиков будет включать диаграммы, показывающие правильное функционирование выбранных компонентов.

Естественно, покупка осциллографа с функцией проверки компонентов связана со значительными расходами, но в случае, например, профессиональных услуг это отличное вложение средств, так как функция проверки компонентов позволяет быстро сравнивать характеристики устройств, чьи КПД у нас нет оговорок с характеристиками требующих ремонта. Это идеальные диагностические инструменты, которые значительно сократят время, затрачиваемое на ремонт.

Как проверить транзистор мультиметром от ТМЕ

В каталоге TME установите фильтр «Тест транзисторов» в категории товаров «Цифровые портативные мультиметры». Затем мы получаем список тех моделей, которые позволяют выполнять проверку транзисторов, как с использованием классических пробников, так и с использованием специальных штырьковых разъемов, работающих с транзисторами pnp и npn. Вас может заинтересовать продукция таких брендов, как Peaktech, B&K Precision, Axiomet или Uni-T. Все выбранные модели представляют собой компактные устройства с жидкокристаллическими дисплеями с подсветкой, несколькими розетками и легко читаемым основным диском для выбора режима. Большинство из них также защищены сверхпрочными ударопоглощающими пластиковыми крышками для повышения долговечности.

Для получения оригинального руководства посетите: https://www.tme.eu/en/news/library-articles/page/44797/a-quick-tutorial-on-how-to-test-a-transistor/

Связанные статьи

Использование данных для преодоления энергетического кризиса

National Ceramic Industries Australia заручилась поддержкой OFS для преодоления энергетического кризиса..

alexxlab

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *