Site Loader

Mosfet Транзистор полевые силовые в категории «Электрооборудование»

Mosfet MOS оптопара, изоляция модуль драйвера полевого транзистора, сухой контакт

На складе в г. Кропивницкий

Доставка по Украине

80 грн

Купить

Sxemki.com

Транзистор 2N60C (FQPF2N60C) N-MOSFET; полевой; 600В; 2А; 23Вт; TO220F

Доставка из г. Полтава

по 11.7 грн

от 2 продавцов

11.70 грн

Купить

Интернет магазин «E-To4Ka»

Транзистор полевой MOSFET FQPF4N90C

На складе в г. Бровары

Доставка по Украине

45 грн

Купить

Транзистор польовий MOSFET AOD472, (D472)

На складе в г. Бровары

Доставка по Украине

35 грн

Купить

Транзистор полевой 2N7002 MOSFET N-CH 60 В 300MA SOT-23

Доставка из г. Днепр

2.40 грн

Купить

MyDevise.com.ua

Транзистор полевой IRF7316 P-ch -30V -4,9A Dual P-Channel MOSFET SO8

Доставка из г. Днепр

25.80 грн

Купить

MyDevise.com.ua

Транзистор полевой IRFP264 N-channel MOSFET 38A 250V (Б/У)

Заканчивается

Доставка по Украине

105.60 грн

Купить

MyDevise.com.ua

Транзистор полевой IRFP4242 300V 46 A N-Channel MOSFET TO-247 (Б/У)

Доставка по Украине

191.70 грн

Купить

MyDevise.com.ua

Транзистор полевой IRFZ34N N-Channel 55V 26A TO-220 Mosfet

Доставка по Украине

20.70 грн

Купить

MyDevise.com.ua

Модуль MOSFET транзистора IRF520 (силовой ключ)

На складе в г. Полтава

Доставка по Украине

37.7 — 38.4 грн

от 2 продавцов

38.40 грн

Купить

Интернет магазин «E-To4Ka»

IRFB7440 IRFB7440PBF cиловой полевой N-канальный транзистор

На складе

Доставка по Украине

39 грн

Купить

ФОП Носуль С. А. работает nosul.com.ua

Транзистор 2N60C (FQPF2N60C) N-MOSFET; польовий; 600В; 2А; 23Вт; TO220F

Доставка по Украине

16. 10 грн

Купить

РезиStore

Транзистор NTR5103NT1G Транзистор: N- MOSFET; полевой; 60В; 0,31А; 0,42Вт; SOT23, Производитель: ONS

Доставка по Украине

16 грн

Купить

Філур Електрик ЛТД

Транзистор BSS84LT1G Транзистор полевой SOT-23 P- MOSFET Vdss=50V, Id=0,13A, Rds=10 Ohm @ 100mA, 5V,

Доставка по Украине

Купить

Філур Електрик ЛТД

Транзистор FDS9435AR Транзи. полевой SOIC-8 P- MOSFET Vdss=30V, Id=5,3A, Rds=50 mOhm @ 5.3A, 10V, Pmax=2,5W,

Доставка по Украине

26 грн

Купить

Філур Електрик ЛТД

Смотрите также

Транзистор CSD19501KCS Транзистор полевой мощный MOSFET, N-Ch, TO-220; 80 В; 100 A; 0.0066 Ohm; Pd=217W

Доставка по Украине

104 грн

Купить

Філур Електрик ЛТД

Транзистор FQA28N15 Транзистор полевой мощный MOSFET N-CH 150V 33A TO-3PN-3

Доставка по Украине

92 грн

Купить

Філур Електрик ЛТД

Транзистор MOSFET 23N50E к сварке

Доставка по Украине

141 — 170 грн

от 2 продавцов

141 грн

Купить

PROFSVARKA

Модуль MOSFET транзистора IRF520 (силовой ключ)

Доставка по Украине

50 грн

Купить

РезиStore

IRF640N, MOSFET, полевой транзистор.

Доставка из г. Киев

17 грн

Купить

sk-электрон. Интернет магазин электронных изделий и компонентов.

IRLZ44N, полевой транзистор, MOSFET.

Доставка из г. Киев

18 грн

Купить

sk-электрон. Интернет магазин электронных изделий и компонентов.

2N60C, MOSFET, полевой транзистор.

Доставка из г. Киев

18 грн

Купить

sk-электрон. Интернет магазин электронных изделий и компонентов.

6N60C, MOSFET, полевой транзистор.

Доставка из г. Киев

20 грн

Купить

sk-электрон. Интернет магазин электронных изделий и компонентов.

4N60C, MOSFET, полевой транзистор.

Доставка из г. Киев

20 грн

Купить

sk-электрон. Интернет магазин электронных изделий и компонентов.

AO3403, Транзистор: P-MOSFET, польовий, -30В, -2,2А, 900 мВт, SOT23

Доставка из г. Черкассы

3.50 грн

Купить

Магазин Радіодеталей

Модуль IRF520 силовой ключ с полевым транзистором

Доставка из г. Днепр

40.30 грн

Купить

Інтернет-магазин «Електроніка»

Транзистор MRF6V2150NBR1 Транзистор польовий ВЧ БМ TO-272 WB-4 Lateral N-channel RF Power MOSFET 150 W, 10-450

Заканчивается

Доставка по Украине

3 626 грн

Купить

Філур Електрик ЛТД

Транзистор K50EF5 IKW50N65F5FKSA1 IGBT транзистор для сварочного инвертора

Доставка из г. Днепр

от 220 грн

Купить

ТОВ «ЕЛЕКТРОЛОГІСТИК»

STP4NK60Z транзистор MOSFET N-CH 600V 4A TO-220 70W

Доставка из г. Киев

21 грн

Купить

CAR-LED. Радіокомпоненти.та LED освітлення.

MOSFET транзисторы NXP для автомобильного применения

MOSFET транзисторы NXP для автомобильного применения

10.05.20165223

В настоящее время на рынке аналоговой техники доминируют биполярные транзисторы (международный термин биполярного транзистора – Bipolar Junction Transistor (BJT)). В другой важнейшей отрасли электроники – цифровой технике (логика, память, микроконтроллеры, цифровая связь и т. п.) биполярные транзисторы практически полностью вытеснены полевыми транзисторами. Вся современная цифровая электроника построена в основном на полевых МОП (метал-оксид-полупроводник) транзисторах, как более экономичных по сравнению с биполярными транзисторами. Иногда МОП-транзисторы называют МДП (металл-диэлектрик-полупроводник), в международном сообществе принято название MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor). Существуют два типа MOSFET: N-канальные и P-канальные. С момента изобретения первого транзистора быстрое развитие технологий позволило создать более совершенные и производительные и в тоже время экономичные и энергосберегающие элементы. В рамках интегральной технологии транзисторы изготавливаются на одном кристалле для изготовления микросхем памяти, микроконтроллеров, микросхем логики и др. Размеры современных MOSFET составляют 60-30 нм. При современной степени интеграции на одном чипе размером 1-2 см2 размещаются несколько млрд. транзисторов.

MOSFET-транзистор

В настоящее время MOSFET являются неотъемлемой частью практически любого электронного устройства. На фоне жесткой конкуренции на рынке электроники и существующих требований к высокой энергоэффективности оборудования разработчики стремятся уменьшить габариты, энергопотребление и себестоимость конечной продукции. Эти и другие факторы подталкивают производителей электронных компонентов постоянно совершенствовать и предлагать все новые и новые разработки и технологии. Компания NXP, смогла занять одну из лидирующих позиций в области производства транзисторов, благодаря передовым технологиям и широкому портфолио MOSFET, насчитывающему более 900 наименований, включая высокочастотные, предоставляя реальный выбор разработчикам электроники подобрать для своих потребностей максимально удовлетворяющий их задачам элемент.

Параметры транзисторов распределяется в диапазоне напряжений сток-исток от 12–300 В, с током стока до 228 А и различными вариантами корпусов, рабочий диапазон температур транзисторов до –55…+175 °C. Краткий перечень и характеристики MOSFET NXP сведены в таблицу 1

Технология TrenchMos

Мощные MOSFET традиционно выпускались по планарной технологии. В конце 1990 -х годов компания NXP вывела на рынок транзисторы, изготовленные по новой технологии, так называемой траншейной (TrenchMOS), обеспечивающей чрезвычайно низкое сопротивление открытого канала сток-исток. Развитие этой технологии позволило увеличить компактность кристалла и снизить сопротивление открытого канала RDS(ON) (потери в канале) в несколько раз, а так же снизить стоимость таких транзисторов. Противоречивые требования к MOSFET: с одной стороны, минимальное сопротивление открытого канала RDS(ON), с другой – минимальный заряд затвора, – прежде всего приводили разработчиков электроники к необходимости выбора различных марок транзисторов для работы в тех или иных каскадах. К тому же возникала потребность выбора оптимального соотношения занимаемой площади и рассеиваемой мощности транзисторов. По мере совершенствования технологий производства MOSFET-транзисторов производители предлагали различные варианты построения корпусов. Эффективность MOSFET-транзисторов основана не только на технологии получения кристалла, но и на корпусе, в который данный кристалл установлен.

Наиболее эффективными корпусами для MOSFET-транзисторов признаны корпуса, предназначенные для поверхностного монтажа, которые обеспечивают максимальную удельную мощность рассеяния. Так, наряду со стандартными корпусами TO-220, DPAK, D2PAK и SO, компания NXP выпустила на рынок транзисторы MOSFET, изготовленные по технологии шестого поколения Trench6 в корпусе LFPAK (Loss Free Package). Комбинация технологии шестого поколения Trench с высокоэффективной упаковкой LFPAK увеличивают надежность транзисторов и расширяют границы применения. Транзисторы NXP в корпусе LFPAK обладают малым общим сопротивлением в открытом состоянии (менее 1 мОм) и высокой рабочей температурой, что достигается высокой теплопроводностью корпуса и малым сопротивлением выводов – менее 0,25 мОм. На рис. 1 приведено сравнение внутреннего сопротивлений популярных корпусов транзисторов, без учёта вклада полупроводника, а на рис. 2 изображена внутренняя структура транзистора LFPAK. Видно, что LFPAK не содержит промежуточных шин и сварных соединений, чем и объясняются его отличные характеристики.

Рисунок 1. Внутренне сопротивление популярных SMD корпусов.

Рисунок 2. Способы подключения выводов в популярных корпусах транзисторов и в LFPAK

Расчет площади занимаемой D2PAK, DPAK и LFPAK показывает, что экономия места при применении транзисторов в корпусе LFPAK достигает 75 и 46% соответственно. При соизмеримой площади занимаемой MOSFET в корпусе SO8, корпус LFPAK более компактен по высоте. Конструкция корпуса LFPAK при толщине всего 1,1 мм позволяет добиться оптимальных показателей по отводу тепла, обеспечивая дополнительный путь отвода тепла с верхней части корпуса, что позволяет при необходимости более эффективно использовать радиатор. Кроме того, корпус LFPAK имеет на 50% меньшую паразитную индуктивность, что делает транзисторы в этом корпусе идеальным для применения в мощных высокочастотных схемах.

На рис. 3 показаны результаты термографии MOSFET в корпусах SO8, DPAK и LFPAK. Данные измерения были проведены при прочих равных условиях, рассеиваемая мощность на поверхности корпусов примерно 1 Вт. Исключительные термические свойства корпуса LFPAK наилучшим образом влияют на производительность MOSFET, и в ряде случаев это позволяет применить разработчикам два транзистора в корпусе LFPAK вместо трех транзисторов в корпусе SO8.

Рисунок 3.

Расширяя портфолио MOSFET, компания NXP предлагает ряд транзисторов для автомобильных применений, с этой целью было разработано семейство MOSFET TrenchPLUS с дополнительными функциями защиты и измерения температуры. Транзисторы семейства TrenchPLUS были разработаны и квалифицированы по методике AEC для использования в особо важных системах автомобиля, например: тормозные системы (ABS), системы управления (ЭМУР). На рис. 4 показана функциональная блок-схема устройства транзисторов семейства TrenchPLUS. Наличие встроенного датчика тока в силовом MOSFET позволяет эффективно защищать выходные цепи устройств от перегрузок по току и коротких замыканий. При таком построении транзистора повышается надежность прибора и снижается его стоимость, так как отпадает необходимость в использовании внешних элементов.

Рисунок 4. Функциональная схема транзистора, изготовленного по технологии TrenchPLUS

Таблица 1. Краткий перечень N-канальных MOSFET NXP в корпусе LFPAK

Наименование VDS [max], В RDSon [max] @ VGS = 10 В, мОм ID [max], А QGD [typ], нКл VGSth [typ], В Ptot [max], Вт Соответствует AEQ-101
PSMN0R9-25YLC 25 0,99 100 14 1,41 272 Нет
PSMN1R1-25YLC 25 1,15 100 11 1,43 215 Нет
PSMN1R2-25YLC 25 1,3 100 8,3 1,45 179 Нет
PSMN1R5-25YL 25 1,5 100 9,2 1,7 109 Нет
PSMN2R2-25YLC 25 2,4 100 5,2 1,54 106 Нет
PSMN2R9-25YLC 25 3,15 100 4,4 1,54 92 Нет
PSMN4R0-25YLC 25 4,5 84 3,5 1,53 61 Нет
PSMN6R0-25YLB
25
6,1 73 2,6 1,42 58 Нет
PSMN6R5-25YLC 25 6,5 64 2,8 1,54 48 Нет
BUK7Y07-30B 30 7 75 10,7 3 105 Да
BUK9Y07-30B 30 6 75 12,4 1,65 105 Да
PSMN0R9-30YLD 30 0,87 300 13,5 1,5 291 Нет
PSMN1R0-30YLD 30 1,02 300 10,9 1,75 238 Нет
PSMN1R2-30YLD 30 1,24 100 9,1 1,7 194 Нет
PSMN1R3-30YL 30 1,3 100 9,3 1,7 121 Нет
PSMN1R4-30YLD 30 1,42 100 8,5 1,7 166 Нет
PSMN1R5-30YLC 30 1,55 100 8,6 1,51 179 Нет
PSMN1R7-30YL 30 1,7 100 8,7 1,7 109 Нет
PSMN2R0-30YLD 30 2 100 6,3 1,7 142 Нет
PSMN2R2-30YLC 30 2,15 100 8 1,49 141 Нет
PSMN2R4-30YLD 30 2,4 100 5,3 1,7 106 Нет
PSMN2R5-30YL 30 2,4 100 6,5 1,7 88 Нет
PSMN2R6-30YLC 30 2,8 100 5,5 1,54 106 Нет
PSMN3R0-30YLD 30 3,1 100 4,5 1,7 91 Нет
PSMN3R2-30YLC 30 3,5 100 4,1 1,53 92 Нет
PSMN3R5-30YL 30 3,5 100 45 1,7 74 Нет
PSMN4R0-30YLD 30 4 95 2,9 1,74 64 Нет
PSMN4R1-30YLC 30 4,35 92 3,5 1,58 67 Нет
PSMN4R5-30YLC 30 4,8 84 2,85 1,54 61 Нет
PSMN5R0-30YL 30 5 91 3,8 1,7 61 Нет
PSMN6R0-30YLD 30 6 66 2,1 1,83 47 Нет
PSMN6R1-30YLD 30 6 66 1,7 1,68 47 Нет
PSMN7R0-30YLC 30 7,1 61 2,5 1,58 48 Нет
PSMN7R5-30MLD 30 7,6 57 1,7 1,7 45 Нет
BUK7Y3R5-40E 40 3,5 100 16,2 3 167 Да
BUK7Y4R4-40E 40 4,4 100 13 3 147 Да
BUK7Y7R6-40E 40 7,6 79 8,2 3 94,3 Да
BUK9Y3R0-40E 40 2,5 100 10,7 1,7 194 Да
BUK9Y3R5-40E 40 3,6 100 8,6 1,7 167 Да
BUK9Y4R4-40E 40 3,7 100 8,7 1,7 147 Да
BUK9Y7R6-40E 40 6 79 5,5 1,7 95 Да
PSMN1R0-40YLD 40 1,1 100 17 1,7 198 Нет
PSMN1R4-40YLD 40 1,4 100 13 1,7 238 Нет
PSMN1R6-40YLC 40 1,55 100 15,3 1,46 288 Нет
PSMN1R8-40YLC 40 1,8 100 10,9 1,45 272 Нет
PSMN2R6-40YS 40 2,8 100 14 3 131 Нет
PSMN3R3-40YS 40 3,3 100 11,2 3 117 Нет
PSMN4R0-40YS 40 4,2 100 7 3 106 Нет
PSMN5R8-40YS 40 5,7 90 7,8 3 89 Нет
PSMN8R3-40YSS 40 8,6 70 4,5 3 74 Нет
BUK7Y4R8-60E 60 4,8 100 22,2 3 238 Да
BUK7Y6R0-60E 60 6 100 12,1 3 195 Да
BUK7Y7R2-60E 60 7,2 100 15,8 3 167 Да
BUK9Y4R8-60E 60 4,1 100 18,1 1,7 238 Да
BUK9Y8R7-60E 60 7,5 86 9,7 1,7 147 Да
PSMN5R5-60YS 60 5,2 100 11,2 3 130 Нет
PSMN7R0-60YS 60 6,4 89 9,6 3 117 Нет
PSMN011-60ML 60 11,3 61 5,1 1,7 91 Нет
PSMN012-60YS 60 11,1 59 6,4 3 89 Нет
PSMN030-60YS 60 24,7 29 3 3 56 Нет
BUK7Y7R8-80E 80 7,8 100 17 3 238 Да
BUK7Y9R9-80E 80 9,9 89 14,4 3 195 Да
BUK9Y8R5-80E 80 8 100 17,1 1,7 238 Да
BUK9Y11-80E 80 10 84 13,2 1,7 194 Да
PSMN8R2-80YS 80 8,5 82 12 1,7 130 Нет
PSMN013-80YS 80 12,9 60 8 3 106 Нет
PSMN018-80YS 80 18 45 6 3 89 Нет
BUK7Y12-100E 100 12 85 21 3 238 Да
BUK7Y38-100E 100 38 30 11,3 3 95 Да
PSMN059-150Y 100 11,9 85 24 1,7 238 Да
BUK9Y19-100E 100 18 56 14,1 1,7 167 Да
PSMN013-100YSE 100 13 82 26 3 238 Нет
PSMN059-150Y 150 59 43 9,1 3 113 Нет
PSMN102-200Y 200 102 21,5 10,1 3 113 Нет

Область применения MOSFET‑транзисторов:

  • DC/DC-преобразователи, синхронные выпрямители, понижающие/повышающие конверторы, блоки управления электродвигателями, блоки управления подачей топлива для автозаправочных станций, системы безопасности железнодорожного транспорта, электронные балласты для люминесцентных и компактных люминесцентных ламп, зарядные устройства и блоки питания;
  • бытовая электроника – мобильные и бытовые телефоны, компьютеры, ноутбуки и блоки питания к ним, MP3- плееры и мобильные плееры, цифровые видеокамеры, схемы защиты Li-ion батарей, set-top-box, схемы управления вращением кулеров, кондиционеры, модули управления лазерными приводами, блоки управления холодильниками, стиральными машинами, пылесосами;
  • автомобильная электроника – генераторы и стартеры переменного тока, электронные модули рулевого управления, электронасосы топлива и воды, турбокомпрессоры, модули управления стеклоподъемниками, стеклоочистителями, зеркалами, системы ABS, ESP, EBD, автоматизированные коробки передач, модули DC/DC-преобразователей, регуляторы положения сидений, системы отопления, вентиляции, кондиционирования, система активной подвески.

На основании рассмотренных преимуществ MOSFET производства компании NXP Semiconductors можно сделать выводы, что, в сравнении с продукцией других производителей, они наиболее эффективны для использования в различных силовых системах электроники и наиболее пригодны для использования в особо важных системах безопасности автомобильного и железнодорожного транспорта.

Поделиться:

Похожие статьи

10.05.20167419

Магниторезистивные полупроводниковые датчики NXP Semiconductors
Магниторезистивный эффект Магниторезистивные датчики фирмы NXP Semiconductors разработаны на основе эффекта изменения ориентации намагниченности М внутренних…
Читать подробнее…

10.05.201616240

Решения NXP для источников питания
Независимо от того, какой источник питания требуется, NXP предлагает высоко интегрированные и экономически эффективные решения на базе семейства контроллеров…
Читать подробнее…

22. 06.20153175

Онлайн средства проектирования от NXP
Портал разработок NXP теперь онлайн. Портал разработок NXP – это место для осуществления централизованной поддержки Ваших разработок и доступ к разнообразным…
Читать подробнее…

Подписаться на рассылку

Last Name

Mod JT Popup

Заполняя форму вы соглашаетесь на обработку персональных данных в соответствии с условиями пользовательского соглашения

404: Страница не найдена

Страница, которую вы пытались открыть по этому адресу, похоже, не существует. Обычно это результат плохой или устаревшей ссылки. Мы приносим свои извинения за доставленные неудобства.

Что я могу сделать сейчас?

Если вы впервые посещаете TechTarget, добро пожаловать! Извините за обстоятельства, при которых мы встречаемся. Вот куда вы можете пойти отсюда:

Поиск
  • Пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы сообщить, что эта страница отсутствует, или используйте поле выше, чтобы продолжить поиск
  • Наша страница «О нас» содержит дополнительную информацию о сайте, на котором вы находитесь, WhatIs. com.
  • Посетите нашу домашнюю страницу и просмотрите наши технические темы

Просмотр по категории

Сеть

  • MAC-адрес (адрес управления доступом к среде)

    MAC-адрес (адрес управления доступом к среде) — это 12-значное шестнадцатеричное число, назначаемое каждому устройству, подключенному к сети.

  • таблица маршрутизации

    Таблица маршрутизации — это набор правил, часто просматриваемых в виде таблицы, которые используются для определения того, куда пакеты данных перемещаются по …

  • CIDR (бесклассовая междоменная маршрутизация или суперсеть)

    CIDR (бесклассовая междоменная маршрутизация или суперсеть) — это метод назначения IP-адресов, повышающий эффективность …

Безопасность

  • квантовое распределение ключей (QKD)

    Распределение квантовых ключей (QKD) — это безопасный метод обмена ключами шифрования, известными только между общими сторонами.

  • Общий свод знаний (CBK)

    В области безопасности Общий свод знаний (CBK) представляет собой всеобъемлющую структуру всех соответствующих тем, которые необходимы специалисту по безопасности…

  • опустошение буфера

    Опустошение буфера, также известное как опустошение буфера или перезапись буфера, возникает, когда буфер — временное удерживающее пространство …

ИТ-директор

  • ориентир

    Контрольный показатель — это стандарт или точка отсчета, которые люди могут использовать для измерения чего-либо еще.

  • пространственные вычисления

    Пространственные вычисления широко характеризуют процессы и инструменты, используемые для захвата, обработки и взаимодействия с трехмерными данными.

  • организационные цели

    Организационные цели — это стратегические задачи, которые руководство компании устанавливает для определения ожидаемых результатов и руководства . ..

SearchHRSoftware

  • Поиск талантов

    Привлечение талантов — это стратегический процесс, который работодатели используют для анализа своих долгосрочных потребностей в талантах в контексте бизнеса …

  • удержание сотрудников

    Удержание сотрудников — организационная цель сохранения продуктивных и талантливых работников и снижения текучести кадров за счет стимулирования …

  • гибридная рабочая модель

    Гибридная модель работы — это структура рабочей силы, включающая сотрудников, работающих удаленно, и тех, кто работает на месте, в офисе компании…

Обслуживание клиентов

  • маркетинг баз данных

    Маркетинг баз данных — это систематический подход к сбору, консолидации и обработке данных о потребителях.

  • стоимость взаимодействия (CPE)

    Цена за взаимодействие (CPE) — это модель ценообразования рекламы, при которой команды цифрового маркетинга и рекламодатели платят за рекламу только тогда, когда . ..

  • B2C (Business2Consumer или Business-to-Consumer)

    B2C (сокращение от Business-to-Consumer) — это модель розничной торговли, при которой продукты поступают непосредственно от предприятия к конечному пользователю, который …

МОП-транзисторы

МОП-транзисторы

МОП-транзисторы

На рис. 3-2 показана эквивалентная схема n-канального МОП-транзистора. Р-канальный MOSFET-транзистор обрабатывается аналогично, но полярность используемых напряжений меняется на противоположную.

Рисунок 3-2: Схема MOSFET-транзистора.

Следующие уравнения используются для расчета отношений между токами и напряжениями в цепи.

Между клеммами также есть несколько емкостей

Параметры модели следующие:

Таблица 3-2: Параметры модели MOSFET транзистора.

Параметр

По умолчанию

Описание

 КБР

0 Ж/м

Объемная емкость с нулевым смещением

 КГДО

0 Ж/м

Емкость перекрытия затвор-сток

 КГСО

0 Ж/м

Емкость перекрытия затвор-исток

 FC

0,5

Коэффициент емкости

 IS

1е-13 А

Массовый ток насыщения перехода

 КП

2е-5 А/В2

Параметр крутизны

 Л

50е-6 м

Длина ворот

  МДж

0,5

Коэффициент оценки объемного соединения

 N

1

Фактор идеальности объемного соединения

 ПБ

0,75 В

Массовый потенциал соединения

 РБ

0 Ом

Массовое сопротивление

 РД

0 Ом

Водонепроницаемость

  РДС

Инф (Ом)

Сопротивление сток-исток

 RG

0 Ом

Сопротивление затвора

руб.

alexxlab

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *