Mosfet Транзистор полевые силовые в категории «Электрооборудование»
Mosfet MOS оптопара, изоляция модуль драйвера полевого транзистора, сухой контакт
На складе в г. Кропивницкий
Доставка по Украине
80 грн
Купить
Sxemki.com
Транзистор 2N60C (FQPF2N60C) N-MOSFET; полевой; 600В; 2А; 23Вт; TO220F
Доставка из г. Полтава
по 11.7 грн
от 2 продавцов
11.70 грн
Купить
Интернет магазин «E-To4Ka»
Транзистор полевой MOSFET FQPF4N90C
На складе в г. Бровары
Доставка по Украине
45 грн
Купить
Транзистор польовий MOSFET AOD472, (D472)
На складе в г. Бровары
Доставка по Украине
35 грн
Купить
Транзистор полевой 2N7002 MOSFET N-CH 60 В 300MA SOT-23
Доставка из г. Днепр
2.40 грн
Купить
MyDevise.com.ua
Транзистор полевой IRF7316 P-ch -30V -4,9A Dual P-Channel MOSFET SO8
Доставка из г.
Днепр
25.80 грн
Купить
MyDevise.com.ua
Транзистор полевой IRFP264 N-channel MOSFET 38A 250V (Б/У)
Заканчивается
Доставка по Украине
105.60 грн
Купить
MyDevise.com.ua
Транзистор полевой IRFP4242 300V 46 A N-Channel MOSFET TO-247 (Б/У)
Доставка по Украине
191.70 грн
Купить
MyDevise.com.ua
Транзистор полевой IRFZ34N N-Channel 55V 26A TO-220 Mosfet
Доставка по Украине
20.70 грн
Купить
MyDevise.com.ua
Модуль MOSFET транзистора IRF520 (силовой ключ)
На складе в г. Полтава
Доставка по Украине
37.7 — 38.4 грн
от 2 продавцов
38.40 грн
Купить
Интернет магазин «E-To4Ka»
IRFB7440 IRFB7440PBF cиловой полевой N-канальный транзистор
На складе
Доставка по Украине
39 грн
Купить
ФОП Носуль С. А. работает nosul.com.ua
Транзистор 2N60C (FQPF2N60C) N-MOSFET; польовий; 600В; 2А; 23Вт; TO220F
Доставка по Украине
16.
10 грн
Купить
РезиStore
Транзистор NTR5103NT1G Транзистор: N- MOSFET; полевой; 60В; 0,31А; 0,42Вт; SOT23, Производитель: ONS
Доставка по Украине
16 грн
Купить
Філур Електрик ЛТД
Транзистор BSS84LT1G Транзистор полевой SOT-23 P- MOSFET Vdss=50V, Id=0,13A, Rds=10 Ohm @ 100mA, 5V,
Доставка по Украине
Купить
Філур Електрик ЛТД
Транзистор FDS9435AR Транзи. полевой SOIC-8 P- MOSFET Vdss=30V, Id=5,3A, Rds=50 mOhm @ 5.3A, 10V, Pmax=2,5W,
Доставка по Украине
26 грн
Купить
Філур Електрик ЛТД
Смотрите также
Транзистор CSD19501KCS Транзистор полевой мощный MOSFET, N-Ch, TO-220; 80 В; 100 A; 0.0066 Ohm; Pd=217W
Доставка по Украине
104 грн
Купить
Філур Електрик ЛТД
Транзистор FQA28N15 Транзистор полевой мощный MOSFET N-CH 150V 33A TO-3PN-3
Доставка по Украине
92 грн
Купить
Філур Електрик ЛТД
Транзистор MOSFET 23N50E к сварке
Доставка по Украине
141 — 170 грн
от 2 продавцов
141 грн
Купить
PROFSVARKA
Модуль MOSFET транзистора IRF520 (силовой ключ)
Доставка по Украине
50 грн
Купить
РезиStore
IRF640N, MOSFET, полевой транзистор.
Доставка из г. Киев
17 грн
Купить
sk-электрон. Интернет магазин электронных изделий и компонентов.
IRLZ44N, полевой транзистор, MOSFET.
Доставка из г. Киев
18 грн
Купить
sk-электрон. Интернет магазин электронных изделий и компонентов.
2N60C, MOSFET, полевой транзистор.
Доставка из г. Киев
18 грн
Купить
sk-электрон. Интернет магазин электронных изделий и компонентов.
6N60C, MOSFET, полевой транзистор.
Доставка из г. Киев
20 грн
Купить
sk-электрон. Интернет магазин электронных изделий и компонентов.
4N60C, MOSFET, полевой транзистор.
Доставка из г. Киев
20 грн
Купить
sk-электрон. Интернет магазин электронных изделий и компонентов.
AO3403, Транзистор: P-MOSFET, польовий, -30В, -2,2А, 900 мВт, SOT23
Доставка из г. Черкассы
3.50 грн
Купить
Магазин Радіодеталей
Модуль IRF520 силовой ключ с полевым транзистором
Доставка из г.
Днепр
40.30 грн
Купить
Інтернет-магазин «Електроніка»
Транзистор MRF6V2150NBR1 Транзистор польовий ВЧ БМ TO-272 WB-4 Lateral N-channel RF Power MOSFET 150 W, 10-450
Заканчивается
Доставка по Украине
3 626 грн
Купить
Філур Електрик ЛТД
Транзистор K50EF5 IKW50N65F5FKSA1 IGBT транзистор для сварочного инвертора
Доставка из г. Днепр
от 220 грн
Купить
ТОВ «ЕЛЕКТРОЛОГІСТИК»
STP4NK60Z транзистор MOSFET N-CH 600V 4A TO-220 70W
Доставка из г. Киев
21 грн
Купить
CAR-LED. Радіокомпоненти.та LED освітлення.
MOSFET транзисторы NXP для автомобильного применения
MOSFET транзисторы NXP для автомобильного применения10.05.20165223
В настоящее время на рынке аналоговой техники доминируют биполярные транзисторы (международный термин биполярного транзистора – Bipolar Junction Transistor (BJT)). В другой важнейшей отрасли электроники – цифровой технике (логика, память, микроконтроллеры, цифровая связь и т.
п.) биполярные транзисторы практически полностью вытеснены полевыми транзисторами. Вся современная цифровая электроника построена в основном на полевых МОП
(метал-оксид-полупроводник) транзисторах, как более экономичных по сравнению с биполярными транзисторами. Иногда МОП-транзисторы называют МДП (металл-диэлектрик-полупроводник), в международном сообществе принято название MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor). Существуют два типа MOSFET: N-канальные и P-канальные. С момента изобретения первого транзистора быстрое развитие технологий позволило создать более совершенные и производительные и в тоже время экономичные и энергосберегающие элементы. В рамках интегральной технологии транзисторы изготавливаются на одном кристалле для изготовления микросхем памяти, микроконтроллеров, микросхем логики и др. Размеры современных MOSFET составляют 60-30 нм. При современной степени интеграции на одном чипе размером 1-2 см2 размещаются несколько млрд. транзисторов.
MOSFET-транзистор
В настоящее время MOSFET являются неотъемлемой частью практически любого электронного устройства.
На фоне жесткой конкуренции на рынке электроники и существующих требований к высокой энергоэффективности оборудования разработчики стремятся уменьшить габариты, энергопотребление и себестоимость конечной продукции. Эти и другие факторы подталкивают производителей электронных компонентов постоянно совершенствовать и предлагать все новые и новые разработки и технологии. Компания NXP, смогла занять одну из лидирующих позиций в области производства транзисторов, благодаря передовым технологиям и широкому портфолио MOSFET, насчитывающему более 900 наименований, включая высокочастотные, предоставляя реальный выбор разработчикам электроники подобрать для своих потребностей максимально удовлетворяющий их задачам элемент.
Параметры транзисторов распределяется в диапазоне напряжений сток-исток от 12–300 В, с током стока до 228 А и различными вариантами корпусов, рабочий диапазон температур транзисторов до –55…+175 °C. Краткий перечень и характеристики MOSFET NXP сведены в таблицу 1
Технология TrenchMos
Мощные MOSFET традиционно выпускались по планарной технологии.
В конце 1990 -х годов компания NXP вывела на рынок транзисторы, изготовленные по новой технологии, так называемой траншейной (TrenchMOS), обеспечивающей чрезвычайно низкое сопротивление открытого канала сток-исток. Развитие этой технологии позволило увеличить компактность кристалла и снизить сопротивление открытого канала RDS(ON) (потери в канале) в несколько раз, а так же снизить стоимость таких транзисторов. Противоречивые требования к MOSFET: с одной стороны, минимальное сопротивление открытого канала RDS(ON), с другой – минимальный заряд затвора, – прежде всего приводили разработчиков электроники к необходимости выбора различных марок транзисторов для работы в тех или иных каскадах. К тому же возникала потребность выбора оптимального соотношения занимаемой площади и рассеиваемой мощности транзисторов. По мере совершенствования технологий производства MOSFET-транзисторов производители предлагали различные варианты построения корпусов. Эффективность MOSFET-транзисторов основана не только на технологии получения кристалла, но и на корпусе, в который данный кристалл установлен.
Рисунок 1. Внутренне сопротивление популярных SMD корпусов.
Рисунок 2. Способы подключения выводов в популярных корпусах транзисторов и в LFPAK
Расчет площади занимаемой D2PAK, DPAK и LFPAK показывает, что экономия места при применении транзисторов в корпусе LFPAK достигает 75 и 46% соответственно. При соизмеримой площади занимаемой MOSFET в корпусе SO8, корпус LFPAK более компактен по высоте. Конструкция корпуса LFPAK при толщине всего 1,1 мм позволяет добиться оптимальных показателей по отводу тепла, обеспечивая дополнительный путь отвода тепла с верхней части корпуса, что позволяет при необходимости более эффективно использовать радиатор. Кроме того, корпус LFPAK имеет на 50% меньшую паразитную индуктивность, что делает транзисторы в этом корпусе идеальным для применения в мощных высокочастотных схемах.
На рис. 3 показаны результаты термографии MOSFET в корпусах SO8, DPAK и LFPAK. Данные измерения были проведены при прочих равных условиях, рассеиваемая мощность на поверхности корпусов примерно 1 Вт.
Исключительные термические свойства корпуса LFPAK наилучшим образом влияют на производительность MOSFET, и в ряде случаев это позволяет применить разработчикам два транзистора в корпусе LFPAK вместо трех транзисторов в корпусе SO8.
Рисунок 3.
Расширяя портфолио MOSFET, компания NXP предлагает ряд транзисторов для автомобильных применений, с этой целью было разработано семейство MOSFET TrenchPLUS с дополнительными функциями защиты и измерения температуры. Транзисторы семейства TrenchPLUS были разработаны и квалифицированы по методике AEC для использования в особо важных системах автомобиля, например: тормозные системы (ABS), системы управления (ЭМУР). На рис. 4 показана функциональная блок-схема устройства транзисторов семейства TrenchPLUS. Наличие встроенного датчика тока в силовом MOSFET позволяет эффективно защищать выходные цепи устройств от перегрузок по току и коротких замыканий. При таком построении транзистора повышается надежность прибора и снижается его стоимость, так как отпадает необходимость в использовании внешних элементов.
Рисунок 4. Функциональная схема транзистора, изготовленного по технологии TrenchPLUS
Таблица 1. Краткий перечень N-канальных MOSFET NXP в корпусе LFPAK
| Наименование | VDS [max], В | RDSon [max] @ VGS = 10 В, мОм | ID [max], А | QGD [typ], нКл | VGSth [typ], В | Ptot [max], Вт | Соответствует AEQ-101 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PSMN0R9-25YLC | 25 | 0,99 | 100 | 14 | 1,41 | 272 | Нет |
| PSMN1R1-25YLC | 25 | 1,15 | 100 | 11 | 1,43 | 215 | Нет |
| PSMN1R2-25YLC | 25 | 1,3 | 100 | 8,3 | 1,45 | 179 | Нет |
| PSMN1R5-25YL | 25 | 1,5 | 100 | 9,2 | 1,7 | 109 | Нет |
| PSMN2R2-25YLC | 25 | 2,4 | 100 | 5,2 | 1,54 | 106 | Нет |
| PSMN2R9-25YLC | 25 | 3,15 | 100 | 4,4 | 1,54 | 92 | Нет |
| PSMN4R0-25YLC | 25 | 4,5 | 84 | 3,5 | 1,53 | 61 | Нет |
| PSMN6R0-25YLB | 6,1 | 73 | 2,6 | 1,42 | 58 | Нет | |
| PSMN6R5-25YLC | 25 | 6,5 | 64 | 2,8 | 1,54 | 48 | Нет |
| BUK7Y07-30B | 30 | 7 | 75 | 10,7 | 3 | 105 | Да |
| BUK9Y07-30B | 30 | 6 | 75 | 12,4 | 1,65 | 105 | Да |
| PSMN0R9-30YLD | 30 | 0,87 | 300 | 13,5 | 1,5 | 291 | Нет |
| PSMN1R0-30YLD | 30 | 1,02 | 300 | 10,9 | 1,75 | 238 | Нет |
| PSMN1R2-30YLD | 30 | 1,24 | 100 | 9,1 | 1,7 | 194 | Нет |
| PSMN1R3-30YL | 30 | 1,3 | 100 | 9,3 | 1,7 | 121 | Нет |
| PSMN1R4-30YLD | 30 | 1,42 | 100 | 8,5 | 1,7 | 166 | Нет |
| PSMN1R5-30YLC | 30 | 1,55 | 100 | 8,6 | 1,51 | 179 | Нет |
| PSMN1R7-30YL | 30 | 1,7 | 100 | 8,7 | 1,7 | 109 | Нет |
| PSMN2R0-30YLD | 30 | 2 | 100 | 6,3 | 1,7 | 142 | Нет |
| PSMN2R2-30YLC | 30 | 2,15 | 100 | 8 | 1,49 | 141 | Нет |
| PSMN2R4-30YLD | 30 | 2,4 | 100 | 5,3 | 1,7 | 106 | Нет |
| PSMN2R5-30YL | 30 | 2,4 | 100 | 6,5 | 1,7 | 88 | Нет |
| PSMN2R6-30YLC | 30 | 2,8 | 100 | 5,5 | 1,54 | 106 | Нет |
| PSMN3R0-30YLD | 30 | 3,1 | 100 | 4,5 | 1,7 | 91 | Нет |
| PSMN3R2-30YLC | 30 | 3,5 | 100 | 4,1 | 1,53 | 92 | Нет |
| PSMN3R5-30YL | 30 | 3,5 | 100 | 45 | 1,7 | 74 | Нет |
| PSMN4R0-30YLD | 30 | 4 | 95 | 2,9 | 1,74 | 64 | Нет |
| PSMN4R1-30YLC | 30 | 4,35 | 92 | 3,5 | 1,58 | 67 | Нет |
| PSMN4R5-30YLC | 30 | 4,8 | 84 | 2,85 | 1,54 | 61 | Нет |
| PSMN5R0-30YL | 30 | 5 | 91 | 3,8 | 1,7 | 61 | Нет |
| PSMN6R0-30YLD | 30 | 6 | 66 | 2,1 | 1,83 | 47 | Нет |
| PSMN6R1-30YLD | 30 | 6 | 66 | 1,7 | 1,68 | 47 | Нет |
| PSMN7R0-30YLC | 30 | 7,1 | 61 | 2,5 | 1,58 | 48 | Нет |
| PSMN7R5-30MLD | 30 | 7,6 | 57 | 1,7 | 1,7 | 45 | Нет |
| BUK7Y3R5-40E | 40 | 3,5 | 100 | 16,2 | 3 | 167 | Да |
| BUK7Y4R4-40E | 40 | 4,4 | 100 | 13 | 3 | 147 | Да |
| BUK7Y7R6-40E | 40 | 7,6 | 79 | 8,2 | 3 | 94,3 | Да |
| BUK9Y3R0-40E | 40 | 2,5 | 100 | 10,7 | 1,7 | 194 | Да |
| BUK9Y3R5-40E | 40 | 3,6 | 100 | 8,6 | 1,7 | 167 | Да |
| BUK9Y4R4-40E | 40 | 3,7 | 100 | 8,7 | 1,7 | 147 | Да |
| BUK9Y7R6-40E | 40 | 6 | 79 | 5,5 | 1,7 | 95 | Да |
| PSMN1R0-40YLD | 40 | 1,1 | 100 | 17 | 1,7 | 198 | Нет |
| PSMN1R4-40YLD | 40 | 1,4 | 100 | 13 | 1,7 | 238 | Нет |
| PSMN1R6-40YLC | 40 | 1,55 | 100 | 15,3 | 1,46 | 288 | Нет |
| PSMN1R8-40YLC | 40 | 1,8 | 100 | 10,9 | 1,45 | 272 | Нет |
| PSMN2R6-40YS | 40 | 2,8 | 100 | 14 | 3 | 131 | Нет |
| PSMN3R3-40YS | 40 | 3,3 | 100 | 11,2 | 3 | 117 | Нет |
| PSMN4R0-40YS | 40 | 4,2 | 100 | 7 | 3 | 106 | Нет |
| PSMN5R8-40YS | 40 | 5,7 | 90 | 7,8 | 3 | 89 | Нет |
| PSMN8R3-40YSS | 40 | 8,6 | 70 | 4,5 | 3 | 74 | Нет |
| BUK7Y4R8-60E | 60 | 4,8 | 100 | 22,2 | 3 | 238 | Да |
| BUK7Y6R0-60E | 60 | 6 | 100 | 12,1 | 3 | 195 | Да |
| BUK7Y7R2-60E | 60 | 7,2 | 100 | 15,8 | 3 | 167 | Да |
| BUK9Y4R8-60E | 60 | 4,1 | 100 | 18,1 | 1,7 | 238 | Да |
| BUK9Y8R7-60E | 60 | 7,5 | 86 | 9,7 | 1,7 | 147 | Да |
| PSMN5R5-60YS | 60 | 5,2 | 100 | 11,2 | 3 | 130 | Нет |
| PSMN7R0-60YS | 60 | 6,4 | 89 | 9,6 | 3 | 117 | Нет |
| PSMN011-60ML | 60 | 11,3 | 61 | 5,1 | 1,7 | 91 | Нет |
| PSMN012-60YS | 60 | 11,1 | 59 | 6,4 | 3 | 89 | Нет |
| PSMN030-60YS | 60 | 24,7 | 29 | 3 | 3 | 56 | Нет |
| BUK7Y7R8-80E | 80 | 7,8 | 100 | 17 | 3 | 238 | Да |
| BUK7Y9R9-80E | 80 | 9,9 | 89 | 14,4 | 3 | 195 | Да |
| BUK9Y8R5-80E | 80 | 8 | 100 | 17,1 | 1,7 | 238 | Да |
| BUK9Y11-80E | 80 | 10 | 84 | 13,2 | 1,7 | 194 | Да |
| PSMN8R2-80YS | 80 | 8,5 | 82 | 12 | 1,7 | 130 | Нет |
| PSMN013-80YS | 80 | 12,9 | 60 | 8 | 3 | 106 | Нет |
| PSMN018-80YS | 80 | 18 | 45 | 6 | 3 | 89 | Нет |
| BUK7Y12-100E | 100 | 12 | 85 | 21 | 3 | 238 | Да |
| BUK7Y38-100E | 100 | 38 | 30 | 11,3 | 3 | 95 | Да |
| PSMN059-150Y | 100 | 11,9 | 85 | 24 | 1,7 | 238 | Да |
| BUK9Y19-100E | 100 | 18 | 56 | 14,1 | 1,7 | 167 | Да |
| PSMN013-100YSE | 100 | 13 | 82 | 26 | 3 | 238 | Нет |
| PSMN059-150Y | 150 | 59 | 43 | 9,1 | 3 | 113 | Нет |
| PSMN102-200Y | 200 | 102 | 21,5 | 10,1 | 3 | 113 | Нет |
Область применения MOSFET‑транзисторов:
- DC/DC-преобразователи, синхронные выпрямители, понижающие/повышающие конверторы, блоки управления электродвигателями, блоки управления подачей топлива для автозаправочных станций, системы безопасности железнодорожного транспорта, электронные балласты для люминесцентных и компактных люминесцентных ламп, зарядные устройства и блоки питания;
- бытовая электроника – мобильные и бытовые телефоны, компьютеры, ноутбуки и блоки питания к ним, MP3- плееры и мобильные плееры, цифровые видеокамеры, схемы защиты Li-ion батарей, set-top-box, схемы управления вращением кулеров, кондиционеры, модули управления лазерными приводами, блоки управления холодильниками, стиральными машинами, пылесосами;
- автомобильная электроника – генераторы и стартеры переменного тока, электронные модули рулевого управления, электронасосы топлива и воды, турбокомпрессоры, модули управления стеклоподъемниками, стеклоочистителями, зеркалами, системы ABS, ESP, EBD, автоматизированные коробки передач, модули DC/DC-преобразователей, регуляторы положения сидений, системы отопления, вентиляции, кондиционирования, система активной подвески.
На основании рассмотренных преимуществ MOSFET производства компании NXP Semiconductors можно сделать выводы, что, в сравнении с продукцией других производителей, они наиболее эффективны для использования в различных силовых системах электроники и наиболее пригодны для использования в особо важных системах безопасности автомобильного и железнодорожного транспорта.
Поделиться:
Похожие статьи
10.05.20167419
Магниторезистивные полупроводниковые датчики NXP Semiconductors
Магниторезистивный эффект Магниторезистивные датчики фирмы NXP Semiconductors разработаны на основе эффекта изменения ориентации намагниченности М внутренних…Читать подробнее…
10.05.201616240
Решения NXP для источников питания
Независимо от того, какой источник питания требуется, NXP предлагает высоко интегрированные и экономически эффективные решения на базе семейства контроллеров…Читать подробнее…
22.
06.20153175
Онлайн средства проектирования от NXP
Портал разработок NXP теперь онлайн. Портал разработок NXP – это место для осуществления централизованной поддержки Ваших разработок и доступ к разнообразным…Читать подробнее…
Подписаться на рассылку
Last Name
Mod JT Popup
Заполняя форму вы соглашаетесь на обработку персональных данных в соответствии с условиями пользовательского соглашения
404: Страница не найдена
Страница, которую вы пытались открыть по этому адресу, похоже, не существует. Обычно это результат плохой или устаревшей ссылки. Мы приносим свои извинения за доставленные неудобства.
Что я могу сделать сейчас?
Если вы впервые посещаете TechTarget, добро пожаловать! Извините за обстоятельства, при которых мы встречаемся. Вот куда вы можете пойти отсюда:
Поиск- Пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы сообщить, что эта страница отсутствует, или используйте поле выше, чтобы продолжить поиск
- Наша страница «О нас» содержит дополнительную информацию о сайте, на котором вы находитесь, WhatIs. com.
- Посетите нашу домашнюю страницу и просмотрите наши технические темы
com.Просмотр по категории
Сеть
- MAC-адрес (адрес управления доступом к среде)
MAC-адрес (адрес управления доступом к среде) — это 12-значное шестнадцатеричное число, назначаемое каждому устройству, подключенному к сети.
- таблица маршрутизации
Таблица маршрутизации — это набор правил, часто просматриваемых в виде таблицы, которые используются для определения того, куда пакеты данных перемещаются по …
- CIDR (бесклассовая междоменная маршрутизация или суперсеть)
CIDR (бесклассовая междоменная маршрутизация или суперсеть) — это метод назначения IP-адресов, повышающий эффективность …
Безопасность
- квантовое распределение ключей (QKD)
Распределение квантовых ключей (QKD) — это безопасный метод обмена ключами шифрования, известными только между общими сторонами.
- Общий свод знаний (CBK)
В области безопасности Общий свод знаний (CBK) представляет собой всеобъемлющую структуру всех соответствующих тем, которые необходимы специалисту по безопасности…
- опустошение буфера
Опустошение буфера, также известное как опустошение буфера или перезапись буфера, возникает, когда буфер — временное удерживающее пространство …
ИТ-директор
- ориентир
Контрольный показатель — это стандарт или точка отсчета, которые люди могут использовать для измерения чего-либо еще.
- пространственные вычисления
Пространственные вычисления широко характеризуют процессы и инструменты, используемые для захвата, обработки и взаимодействия с трехмерными данными.
- организационные цели
Организационные цели — это стратегические задачи, которые руководство компании устанавливает для определения ожидаемых результатов и руководства .
..
..SearchHRSoftware
- Поиск талантов
Привлечение талантов — это стратегический процесс, который работодатели используют для анализа своих долгосрочных потребностей в талантах в контексте бизнеса …
- удержание сотрудников
Удержание сотрудников — организационная цель сохранения продуктивных и талантливых работников и снижения текучести кадров за счет стимулирования …
- гибридная рабочая модель
Гибридная модель работы — это структура рабочей силы, включающая сотрудников, работающих удаленно, и тех, кто работает на месте, в офисе компании…
Обслуживание клиентов
- маркетинг баз данных
Маркетинг баз данных — это систематический подход к сбору, консолидации и обработке данных о потребителях.
- стоимость взаимодействия (CPE)
Цена за взаимодействие (CPE) — это модель ценообразования рекламы, при которой команды цифрового маркетинга и рекламодатели платят за рекламу только тогда, когда .
.. - B2C (Business2Consumer или Business-to-Consumer)
B2C (сокращение от Business-to-Consumer) — это модель розничной торговли, при которой продукты поступают непосредственно от предприятия к конечному пользователю, который …
..МОП-транзисторы
МОП-транзисторыМОП-транзисторы
На рис. 3-2 показана эквивалентная схема n-канального МОП-транзистора. Р-канальный MOSFET-транзистор обрабатывается аналогично, но полярность используемых напряжений меняется на противоположную.
Рисунок 3-2: Схема MOSFET-транзистора.
Следующие уравнения используются для расчета отношений между токами и напряжениями в цепи.
Между клеммами также есть несколько емкостей
Параметры модели следующие:
Параметр | По умолчанию | Описание |
КБР | 0 Ж/м | Объемная емкость с нулевым смещением |
КГДО | 0 Ж/м | Емкость перекрытия затвор-сток |
КГСО | 0 Ж/м | Емкость перекрытия затвор-исток |
FC | 0,5 | Коэффициент емкости |
IS | 1е-13 А | Массовый ток насыщения перехода |
КП | 2е-5 А/В2 | Параметр крутизны |
Л | 50е-6 м | Длина ворот |
МДж | 0,5 | Коэффициент оценки объемного соединения |
N | 1 | Фактор идеальности объемного соединения |
ПБ | 0,75 В | Массовый потенциал соединения |
РБ | 0 Ом | Массовое сопротивление |
РД | 0 Ом | Водонепроницаемость |
РДС | Инф (Ом) | Сопротивление сток-исток |
RG | 0 Ом | Сопротивление затвора |
руб.   |