аналоги, чем заменить, характеристики, аналог
Аналоги транзистора Y1:
| Маркировка | Pol | Struct | Pd | Uds | Ugs | Ugs(th) | Id | Tj | Qg | Tr | Cd | Rds | Caps |
| 2SK1928 | N | MOSFET | 100,00 | 100,00 | 27,00 | 0.085 | TO220FL | ||||||
| 110N10 | N | MOSFET | 220,00 | 100,00 | 20,00 | 110,00 | 175,00 | 24,00 | 380,00 | 0.009 | TO220 | ||
| 1115,00 | N | MOSFET | 330,00 | 100,00 | 20,00 | 150,00 | 175,00 | 100,00 | 540,00 | 0.0068 | TO220 | ||
| AM60N10-70P | N | MOSFET | 300,00 | 100,00 | 20,00 | 1,00 | 51,00 | 175,00 | 13,00 | 9,00 | 83,00 | 0.078 | TO220AB |
| AM60N10-70PCFM | N | MOSFET | 300,00 | 100,00 | 20,00 | 1,00 | 51,00 | 175,00 | 43593,00 | 59,00 | 0.078 | TO220CFM | |
| AM70N10-44P | N | MOSFET | 300,00 | 100,00 | 20,00 | 1,00 | 70,00 | 175,00 | 22,00 | 13,00 | 147,00 | 0.044 | TO220AB |
| AOT2500L | N | MOSFET | 375,00 | 150,00 | 20,00 | 43588,00 | 152,00 | 175,00 | 20,00 | 586,00 | 0.0065 | TO220 | |
| AOT254L | N | MOSFET | 125,00 | 150,00 | 20,00 | 43648,00 | 32,00 | 175,00 | 10,00 | 110,00 | 0.046 | TO220 | |
| AOT2904 | N | MOSFET | 326,00 | 100,00 | 20,00 | 43527,00 | 120,00 | 175,00 | 49,00 | 605,00 | 0.0044 | TO220 | |
| AOT292L | N | MOSFET | 300,00 | 100,00 | 20,00 | 43558,00 | 105,00 | 175,00 | 43596,00 | 557,00 | 0.0045 | TO220 | |
| AOT296L | N | MOSFET | 107,00 | 100,00 | 20,00 | 43558,00 | 70,00 | 175,00 | 43593,00 | 238,00 | 0.01 | TO220 | |
| AOT414 | N | MOSFET | 115,00 | 100,00 | 25,00 | 4,00 | 43,00 | 175,00 | 4,00 | 165,00 | 0.025 | TO220 | |
| AOT416 | N | MOSFET | 150,00 | 100,00 | 25,00 | 4,00 | 42,00 | 175,00 | 43503,00 | 110,00 | 0.037 | TO220 | |
| AP40T10GP | N | MOSFET | 125,00 | 105,00 | 20,00 | 4,00 | 39,00 | 64,00 | 270,00 | 0.035 | TO220 | ||
| AP40T10GP-HF | N | MOSFET | 125,00 | 105,00 | 20,00 | 39,00 | 175,00 | 64,00 | 270,00 | 0.035 | TO220 | ||
| AP75T10BGP | N | MOSFET | 138,00 | 100,00 | 20,00 | 3,00 | 75,00 | 43602,00 | 550,00 | 0.012 | TO220 | ||
| AP75T10GP | N | MOSFET | 138,00 | 100,00 | 20,00 | 3,00 | 65,00 | 75,00 | 540,00 | 0.015 | TO220 | ||
| AUIRFB4615 | N | MOSFET | 144,00 | 150,00 | 35,00 | 26,00 | 0.039 | TO220AB | |||||
| AUIRFB4620 | N | MOSFET | 144,00 | 200,00 | 20,00 | 25,00 | 25,00 | 0.0725 | TO220AB | ||||
| BUK7515-100A | N | MOSFET | 300,00 | 100,00 | 20,00 | 4,00 | 75,00 | 175,00 | 0.015 | TO220AB | |||
| BUK7520-100A | N | MOSFET | 200,00 | 100,00 | 20,00 | 4,00 | 63,00 | 175,00 | 0.02 | TO220AB | |||
| BUK7528-100A | N | MOSFET | 166,00 | 100,00 | 20,00 | 4,00 | 47,00 | 175,00 | 0.028 | TO220AB | |||
| BUK7535-100A | N | MOSFET | 149,00 | 100,00 | 20,00 | 4,00 | 41,00 | 175,00 | TO220AB | ||||
| BUK7540-100A | N | MOSFET | 138,00 | 100,00 | 20,00 | 4,00 | 37,00 | 175,00 | 0.04 | TO220AB | |||
| BUK7575-100A | N | MOSFET | 99,00 | 100,00 | 20,00 | 4,00 | 23,00 | 175,00 | 0.075 | TO220AB | |||
| BUZ30AH | N | MOSFET | 125,00 | 200,00 | 21,00 | 0.13 | TO220 | ||||||
| CEP45N10 | N | MOSFET | 136,00 | 100,00 | 25,00 | 44,00 | 19,00 | 300,00 | 0.039 | TO220 | |||
| CEP50N10 | N | MOSFET | 136,00 | 100,00 | 25,00 | 50,00 | 175,00 | 19,00 | 300,00 | 0.03 | TO220 | ||
| CEP540L | N | MOSFET | 140,00 | 100,00 | 20,00 | 36,00 | 175,00 | 43468,00 | 199,00 | 0.05 | TO220 | ||
| CEP540N | N | MOSFET | 140,00 | 100,00 | 20,00 | 36,00 | 175,00 | 10,00 | 196,00 | 0.053 | TO220 | ||
| CEP60N10 | N | MOSFET | 200,00 | 100,00 | 20,00 | 57,00 | 175,00 | 5,00 | 440,00 | 0.024 | TO220 | ||
| CEP75N10 | N | MOSFET | 100,00 | 100,00 | 20,00 | 72,00 | 175,00 | 9,00 | 240,00 | 0.013 | TO220 | ||
| CEP80N15 | N | MOSFET | 300,00 | 150,00 | 20,00 | 76,00 | 175,00 | 24,00 | 455,00 | 0.019 | TO220 | ||
| CM40N20 | N | MOSFET | 250,00 | 200,00 | 20,00 | 40,00 | 175,00 | 300,00 | 0.065 | TO220 | |||
| CS3710_B8 | N | MOSFET | 200,00 | 100,00 | 20,00 | 57,00 | 175,00 | 30,00 | 620,00 | 0.023 | TO220AB | ||
| CS40N20_A8 | N | MOSFET | 250,00 | 200,00 | 20,00 | 40,00 | 175,00 | 30,00 | 300,00 | 0.065 | TO220AB | ||
| CS40N20F_A9E | N | MOSFET | 250,00 | 200,00 | 20,00 | 40,00 | 175,00 | 30,00 | 300,00 | 0.065 | TO220F | ||
| N | MOSFET | 250,00 | 200,00 | 20,00 | 40,00 | 175,00 | 30,00 | 300,00 | 0.065 | TO220F | |||
| CS540_A8 | N | MOSFET | 150,00 | 100,00 | 20,00 | 33,00 | 175,00 | 20,00 | 300,00 | 0.044 | TO220AB | ||
| CS540_B8 | N | MOSFET | 150,00 | 100,00 | 20,00 | 33,00 | 175,00 | 30,00 | 511,00 | 0.048 | TO220AB | ||
| FDP150N10A | N | MOSFET | 91,00 | 100,00 | 20,00 | 4,00 | 50,00 | 175,00 | 0.015 | TO220 | |||
| FDP150N10A_F102 | N | MOSFET | 91,00 | 100,00 | 20,00 | 36,00 | 175,00 | 43512,00 | 0.015 | TO220 | |||
| FDP2570 | N | MOSFET | 93,00 | 150,00 | 20,00 | 4,00 | 22,00 | 175,00 | 5,00 | 106,00 | 0.08 | TO220 | |
| FDP2572 | N | MOSFET | 135,00 | 150,00 | 20,00 | 4,00 | 29,00 | 175,00 | 26,00 | 0.054 | TO220 | ||
| FQP16N15 | N | MOSFET | 108,00 | 150,00 | 25,00 | 4,00 | 43571,00 | 175,00 | 23,00 | 115,00 | 145,00 | 0.16 | TO220 |
| FS20UM-5 | N | MOSFET | 150,00 | 250,00 | 30,00 | 20,00 | 0.15 | TO220 | |||||
| FS20VS-5 | N | MOSFET | 150,00 | 250,00 | 30,00 | 20,00 | 0.15 | TO220S | |||||
| G3710 | N | MOSFET | 200,00 | 100,00 | 20,00 | 59,00 | 175,00 | 52.5 | 665.3 | 0.025 | TO220 | ||
| IPP06CN10NG | N | MOSFET | 214,00 | 100,00 | 100,00 | 0.0065 | TO220 | ||||||
| IPP083N10N5 | N | MOSFET | 100,00 | 100,00 | 20,00 | 43680,00 | 73,00 | 175,00 | 5,00 | 337,00 | 0.0083 | TO220 | |
| IPP08CN10NG | N | MOSFET | 167,00 | 100,00 | 95,00 | 0.0085 | TO220 | ||||||
| IPP110N20NA | N | MOSFET | 300,00 | 200,00 | 20,00 | 4,00 | 88,00 | 175,00 | 26,00 | 401,00 | 0.0107 | TO220 | |
| IPP120N20NFD | N | MOSFET | 300,00 | 200,00 | 20,00 | 4,00 | 84,00 | 175,00 | 10,00 | 400,00 | 0.012 | TO220 | |
| IPP126N10N3G | N | MOSFET | 94,00 | 100,00 | 58,00 | 26,00 | 0.0126 | TO220 | |||||
| IPP12CN10NG | N | MOSFET | 125,00 | 100,00 | 67,00 | 0.0129 | TO220 | ||||||
| IPP200N15N3G | N | MOSFET | 150,00 | 150,00 | 50,00 | 23,00 | 0.02 | TO220 | |||||
| IPP220N25NFD | N | MOSFET | 300,00 | 250,00 | 20,00 | 4,00 | 61,00 | 175,00 | 10,00 | 398,00 | 0.022 | TO220 | |
| IPP320N20N3G | N | MOSFET | 136,00 | 200,00 | 34,00 | 22,00 | 0.032 | TO220 | |||||
| IPP410N30N | N | MOSFET | 300,00 | 300,00 | 20,00 | 4,00 | 44,00 | 175,00 | 9,00 | 374,00 | 0.041 | TO220 | |
| IPP600N25N3G | N | MOSFET | 136,00 | 250,00 | 25,00 | 22,00 | 0.06 | TO220 | |||||
| IRF4410A | N | MOSFET | 230,00 | 100,00 | 20,00 | 4,00 | 97,00 | 175,00 | 52,00 | 430,00 | 0.009 | TO220AB | |
| IRF530 | N | MOSFET | 90,00 | 100,00 | 20,00 | 4,00 | 16,00 | 175,00 | 26,00 | 900,00 | 0.16 | TO220 | |
| IRFB4020 | N | MOSFET | 100,00 | 200,00 | 20,00 | 18,00 | 18,00 | 0.1 | TO220AB | ||||
| IRFB4615 | N | MOSFET | 144,00 | 150,00 | 20,00 | 35,00 | 26,00 | 0.039 | TO220AB | ||||
| IRFB4620 | N | MOSFET | 144,00 | 200,00 | 20,00 | 25,00 | 25,00 | 0.0725 | TO220AB | ||||
| IRFB5615 | N | MOSFET | 144,00 | 150,00 | 20,00 | 35,00 | 26,00 | 0.039 | TO220AB | ||||
| IRFB5620 | N | MOSFET | 144,00 | 200,00 | 20,00 | 25,00 | 25,00 | 0.0725 | TO220AB | ||||
| MTE130N20KE3 | N | MOSFET | 125,00 | 200,00 | 20,00 | 18,00 | 175,00 | 32,00 | 85,00 | 0.143 | TO220 | ||
| MTN2510E3 | N | MOSFET | 155,00 | 100,00 | 30,00 | 50,00 | 175,00 | 67,00 | 236,00 | 0.017 | TO220AB | ||
| MTN2572FP | N | MOSFET | 125,00 | 150,00 | 30,00 | 48,00 | 175,00 | 12,00 | 225,00 | 0.034 | TO220FP | ||
| MXP1006AT | N | MOSFET | 333,00 | 100,00 | 20,00 | 155,00 | 175,00 | 155,00 | 425,00 | 0.006 | TO220 | ||
| MXP1007AT | N | MOSFET | 333,00 | 100,00 | 20,00 | 143,00 | 175,00 | 600,00 | 0.007 | TO220 | |||
| MXP1008AT | N | MOSFET | 242,00 | 100,00 | 20,00 | 115,00 | 175,00 | 130,00 | 536,00 | 0.008 | TO220 | ||
| MXP1015AT | N | MOSFET | 231,00 | 100,00 | 20,00 | 82,00 | 175,00 | 71,00 | 317,00 | 0.015 | TO220 | ||
| MXP1018CT | N | MOSFET | 150,00 | 100,00 | 76,00 | 175,00 | 73,00 | 707,00 | 0.018 | TO220 | |||
| P1510ATG | N | MOSFET | 150,00 | 100,00 | 20,00 | 64,00 | 175,00 | 110,00 | 420,00 | 0.015 | TO220 | ||
| PHP23NQ11T | N | MOSFET | 100,00 | 110,00 | 20,00 | 4,00 | 23,00 | 175,00 | 22,00 | 0.07 | TO220AB | ||
| PHP27NQ11T | N | MOSFET | 107,00 | 110,00 | 20,00 | 4,00 | 43643,00 | 175,00 | 0.05 | TO220AB | |||
| PHP28NQ15T | N | MOSFET | 150,00 | 150,00 | 20,00 | 4,00 | 43613,00 | 175,00 | 24,00 | 0.065 | TO220AB | ||
| PHP34NQ11T | N | MOSFET | 136,00 | 110,00 | 20,00 | 4,00 | 35,00 | 175,00 | 55,00 | 230,00 | 0.04 | TO220AB | |
| PHP45NQ10T | N | MOSFET | 150,00 | 100,00 | 20,00 | 4,00 | 47,00 | 175,00 | 0.025 | TO220AB | |||
| PHP45NQ15T | N | MOSFET | 230,00 | 150,00 | 20,00 | 4,00 | 45.1 | 175,00 | 22,00 | 290,00 | 0.042 | TO220AB | |
| RJK1008DPN | N | MOSFET | 125,00 | 100,00 | 80,00 | 0.0085 | TO220AB | ||||||
| RJK1021DPN | N | MOSFET | 100,00 | 100,00 | 70,00 | 0.016 | TO220AB | ||||||
| RJK1536DPN | N | MOSFET | 125,00 | 150,00 | 50,00 | 0.024 | TO220AB | ||||||
| RU1088R | N | MOSFET | 300,00 | 100,00 | 25,00 | 4,00 | 80,00 | 175,00 | 13,00 | 510,00 | 0.013 | TO220 | |
| RU1h200R | N | MOSFET | 150,00 | 100,00 | 25,00 | 4,00 | 75,00 | 175,00 | 86,00 | 265,00 | 0.015 | TO220 | |
| RU1h45R | N | MOSFET | 111,00 | 100,00 | 25,00 | 4,00 | 40,00 | 175,00 | 76,00 | 250,00 | 0.025 | TO220 | |
| RU1H60R | N | MOSFET | 120,00 | 100,00 | 20,00 | 3,00 | 60,00 | 175,00 | 18,00 | 760,00 | 0.02 | TO220 | |
| RU1H80R | N | MOSFET | 188,00 | 100,00 | 25,00 | 4,00 | 80,00 | 175,00 | 18,00 | 470,00 | 0.012 | TO220 | |
| RU2h40R | N | MOSFET | 176,00 | 200,00 | 25,00 | 4,00 | 30,00 | 175,00 | 48,00 | 308,00 | 0.085 | TO220 | |
| RU2h40S | N | MOSFET | 176,00 | 200,00 | 25,00 | 4,00 | 30,00 | 175,00 | 48,00 | 308,00 | 0.085 | TO220 | |
| RU3710R | N | MOSFET | 176,00 | 100,00 | 25,00 | 4,00 | 60,00 | 175,00 | 25,00 | 510,00 | 0.016 | TO220 | |
| RU80N15R | N | MOSFET | 176,00 | 150,00 | 25,00 | 4,00 | 80,00 | 175,00 | 32,00 | 550,00 | 0.036 | TO220 | |
| SPP70N10L | N | MOSFET | 250,00 | 100,00 | 20,00 | 2,00 | 70,00 | 175,00 | 250,00 | 640,00 | 0.016 | PTO220 | |
| SQP120N10-09 | N | MOSFET | 375,00 | 100,00 | 20,00 | 43588,00 | 120,00 | 175,00 | 24,00 | 635,00 | 0.0095 | TO220AB | |
| SSE70N10-44P | N | MOSFET | 300,00 | 100,00 | 20,00 | 70,00 | 175,00 | 30,00 | 0.044 | TO220P | |||
| SSE90N10-14 | N | MOSFET | 300,00 | 100,00 | 20,00 | 90,00 | 175,00 | 49,00 | 392,00 | 0.016 | TO220P | ||
| SSF1030 | N | MOSFET | 108,00 | 100,00 | 20,00 | 45,00 | 175,00 | 43509,00 | 144,00 | 0.022 | TO220 | ||
| SSPL1042 | N | MOSFET | 127,00 | 100,00 | 20,00 | 33,00 | 175,00 | 133.1 | 182,00 | 0.037 | TO220 | ||
| SSPL2015 | N | MOSFET | 150,00 | 200,00 | 20,00 | 18,00 | 175,00 | 43610,00 | 232,00 | 0.15 | TO220 | ||
| SSRF60N10 | N | MOSFET | 300,00 | 100,00 | 20,00 | 51,00 | 175,00 | 59,00 | 0.078 | ITO220 | |||
| SSS1510 | N | MOSFET | 300,00 | 150,00 | 20,00 | 100,00 | 175,00 | 105,00 | 657,00 | 0.0108 | TO220 | ||
| STP32N55M5 | N | MOSFET | 190,00 | 550,00 | 29,00 | 0.1 | TO220 | ||||||
| UF3710 | N | MOSFET | 200,00 | 100,00 | 20,00 | 57,00 | 175,00 | 58,00 | 410,00 | 0.023 | TO220 |
Автор: Редакция сайта
| Подробная информация о производителях — в GUIDE’е, о типах корпусов — здесь | |||||
| код | наименование | функция | корпус | производитель | примечания |
|---|---|---|---|---|---|
| Y1 | BZX84-C11 | стабилитрон 11В, 250мВт | sot23 | Fairchild, Taiwan Semi, Diodes | |
| Y1 | SS8050/W | npn: 25В/1,5А | sot23/323 | Galaxy Semi | |
| Y1## | R1210N512C | повышающий dc-dc: 5,1В 100кГц +LTD | sot23-5 | Ricoh | ## — lot-код |
| Y10 | BZX84-C27 | стабилитрон 27В, 250мВт | sot23 | Taiwan Semi, NXP | |
| Y11 | BZX84-C30 | стабилитрон 30В, 250мВт | sot23 | Taiwan Semi, NXP | |
| Y12 | BZX84-C33 | стабилитрон 33В, 250мВт | sot23 | Taiwan Semi, NXP | |
| Y13 | BZX84-C36 | стабилитрон 36В, 250мВт | sot23 | Taiwan Semi, NXP | |
| Y14 | BZX84-C39 | стабилитрон 39В, 250мВт | sot23 | Taiwan Semi, NXP | |
| Y15 | BZX84-C43 | стабилитрон 43В, 250мВт | sot23 | Taiwan Semi, NXP | |
| Y16 | BZX84-C47 | стабилитрон 47В, 250мВт | sot23 | Taiwan Semi, NXP | |
| Y1766 | 2SC1766 | npn: 50В/2А h31=180…390 | sot89 | Galaxy Semi | |
| Y17 | BZX84-C51 | стабилитрон 51В, 250мВт | sot23 | Taiwan Semi, NXP | |
| Y18 | BZX84-C56 | стабилитрон 56В, 250мВт | sot23 | NXP | |
| Y19 | BZX84-C62 | стабилитрон 62В, 250мВт | sot23 | NXP | |
| Y1p | BZX84-C11 | стабилитрон 11В, 250мВт | sot23 | NXP | @Hong Kong |
| Y1t | BZX84-C11 | стабилитрон 11В, 250мВт | sot23 | NXP | @Malaysia |
| Y1W | BZX84-C11 | стабилитрон 11В, 250мВт | sot23 | NXP | @China |
SMD коды Yxx
Расшифровка диодов, стабилитронов, транзисторов в SMD типе кодов Yxx с их кратким описанием…
Код | Наименование | Фирма | Корпус | Цоколевка | Эквивалент/Краткое описание |
Диоды, стабилитроны | |||||
| Y1(p,t) | BZX84-C11 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.3W 11V |
| Y10 | BZX84-C27 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.3W 27V |
| Y11 | BZX84-C30 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.3W 30V |
| Y12 | BZX84-C33 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.3W 33V |
| Y13 | BZX84-C36 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.3W 36V |
| Y14 | BZX84-C39 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.3W 39V |
| Y15 | BZX84-C43 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.3W 43V |
| Y16 | BZX84-C47 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.3W 47V |
| Y17 | BZX84-C51 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.3W 51V |
| Y18 | BZX84-C56 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.3W 56V |
| Y19 | BZX84-C62 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.3W 62V |
| Y2(p,t) | BZX84-C12 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.3W 12V |
| Y20 | BZX84-C68 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.3W 68V |
| Y21 | BZX84-C75 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.3W 75V |
| Y3(p,t) | BZX84-C13 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.3W 13V |
| Y4(p,t) | BZX84-C15 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.3W 15V |
| Y5(p,t) | BZX84-C16 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.3W 16V |
| Y50 | BZX84-A2V4 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.25W 2.4V 1% |
| Y51 | BZX84-A2V7 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.25W 2.7V 1% |
| Y52 | BZX84-A3V0 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.25W 3.0V 1% |
| Y53 | BZX84-A3V3 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.25W 3.3V 1% |
| Y54 | BZX84-A3V6 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.25W 3.6V 1% |
| Y55 | BZX84-A3V9 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.25W 3.9V 1% |
| Y56 | BZX84-A4V3 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.25W 4.3V 1% |
| Y57 | BZX84-A4V7 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.25W 4.7V 1% |
| Y58 | BZX84-A5V1 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.25W 5.1V 1% |
| Y59 | BZX84-A5V6 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.25W 5.6V 1% |
| Y6(p,t) | BZX84-C18 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.3W 18V |
| Y60 | BZX84-A6V2 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.25W 6.2V 1% |
| Y61 | BZX84-A6V8 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.25W 6.8V 1% |
| Y62 | BZX84-A7V5 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.25W 7.5V 1% |
| Y63 | BZX84-A8V2 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.25W 8.2V 1% |
| Y64 | BZX84-A9V1 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.25W 9.1V 1% |
| Y65 | BZX84-A10 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.25W 10V 1% |
| Y66 | BZX84-A11 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.25W 11V 1% |
| Y67 | BZX84-A12 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.25W 12V 1% |
| Y68 | BZX84-A13 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.25W 13V 1% |
| Y69 | BZX84-A15 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.25W 15V 1% |
| Y7(p,t) | BZX84-C20 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.3W 20V |
| Y70 | BZX84-A16 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.25W 16V 1% |
| Y71 | BZX84-A18 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.25W 18V 1% |
| Y72 | BZX84-A20 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.25W 20V 1% |
| Y73 | BZX84-A22 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.25W 22V 1% |
| Y74 | BZX84-A24 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.25W 24V 1% |
| Y75 | BZX84-A27 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.25W 27V 1% |
| Y76 | BZX84-A30 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.25W 30V 1% |
| Y77 | BZX84-A33 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.25W 33V 1% |
| Y78 | BZX84-A36 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.25W 36V 1% |
| Y79 | BZX84-A39 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.25W 39V 1% |
| Y8(p,t) | BZX84-C22 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.3W 22V |
| Y80 | BZX84-A43 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.25W 43V 1% |
| Y81 | BZX84-A47 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.25W 47V 1% |
| Y82 | BZX84-A51 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.25W 51V 1% |
| Y83 | BZX84-A56 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.25W 56V 1% |
| Y84 | BZX84-A62 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.25W 62V 1% |
| Y85 | BZX84-A68 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.25W 68V 1% |
| Y86 | BZX84-A75 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.25W 75V 1% |
| Y9(p,t) | BZX84-C24 | Philips | SOT23 | D1a | zener 0.3W 24V |
| YA | SMZG3801A | GenSemi | SMB | D7 | zener 1.5W 33V 10% |
| YB | SMZG3801B | GenSemi | SMB | D7 | zener 1.5W 33V 5% |
| YC | SMZG3802A | GenSemi | SMB | D7 | zener 1.5W 36V 10% |
| YD | SMZG3802B | GenSemi | SMB | D7 | zener 1.5W 36V 5% |
| YE | SMZG3803A | GenSemi | SMB | D7 | zener 1.5W 39V 10% |
| YF | SMZG3803B | GenSemi | SMB | D7 | zener 1.5W 39V 5% |
| YG | SMZG3804A | GenSemi | SMB | D7 | zener 1.5W 43V 10% |
| YH | SMZG3804B | GenSemi | SMB | D7 | zener 1.5W 43V 5% |
| YI | SMZG3805A | GenSemi | SMB | D7 | zener 1.5W 47V 10% |
| YJ | SMZG3805A.B | GenSemi | SMB | D7 | zener 1.5W 47V 5% |
| YK | SMZG3806A | GenSemi | SMB | D7 | zener 1.5W 51V 10% |
| YL | SMZG3806B | GenSemi | SMB | D7 | zener 1.5W 51V 5% |
| YO | BZX284-C2V4 | Philips | SOD110 | D6 | zener 0.4W 2.4V E12 ±5% |
| YP | BZX284-C2V7 | Philips | SOD110 | D6 | zener 0.4W 2.7V E12 ±5% |
| YQ | BZX284-C3V0 | Philips | SOD110 | D6 | zener 0.4W 3.0V E12 ±5% |
| YR | BZX284-C3V3 | Philips | SOD110 | D6 | zener 0.4W 3.3V E12 ±5% |
| YS | BZX284-C3V6 | Philips | SOD110 | D6 | zener 0.4W 3.6V E12 ±5% |
| YT | BZX284-C3V9 | Philips | SOD110 | D6 | zener 0.4W 3.9V E12 ±5% |
| YU | BZX284-C4V3 | Philips | SOD110 | D6 | zener 0.4W 4.3V E12 ±5% |
| YV | BZX284-C4V7 | Philips | SOD110 | D6 | zener 0.4W 4.7V E12 ±5% |
| YW | BZX284-C5V1 | Philips | SOD110 | D6 | zener 0.4W 5.1V E12 ±5% |
| YX | BZX284-C5V6 | Philips | SOD110 | D6 | zener 0.4W 5.6V E12 ±5% |
| YY | BZX284-C6V2 | Philips | SOD110 | D6 | zener 0.4W 6.2V E12 ±5% |
| YZ | BZX284-C6V8 | Philips | SOD110 | D6 | zener 0.4W 6.8V E12 ±5% |
Транзисторы | |||||
| Y* | 2SD1949 | Rohm | UMT3 | ||
| Y* | 2SD1484K | Rohm | SMT3 | ||
| YQ | 2PA1774JQ | Philips | SOT490 | ||
| YQ | 2PA1774Q | Philips | SC75 | ||
| YR | 2PA1774JR | Philips | SOT490 | ||
| YR | 2PA1774R | Philips | SC75 | ||
| YR | MSD601R | Motorola | SC59 | T1a | SI-N gp 25V |
| YS | 2PA1774JS | Philips | SOT490 | ||
| YS | 2PA1774S | Philips | SC75 | ||
| YS | MSD601S | Motorola | SC59 | T1a | SI-N gp 25V |
Изобретение транзистора — Википедия
Макет точечного транзистора Бардина и Браттейна. Треугольник в центре — прозрачная призма, по рёбрам которой приклеены полоски фольги — выводы коллектора и эмиттера. Базой служит металлическое основание, на котором закреплён германиевый кристалл.16 декабря 1947 года физик-экспериментатор Уолтер Браттейн, работавший с теоретиком Джоном Бардином, собрал первый работоспособный точечный транзистор
. Спустя полгода, но до обнародования работ Бардина и Браттейна, немецкие физики Герберт Матаре (англ.)русск. и Генрих Велькер (англ.)русск. представили разработанный во Франции точечный транзистор («транзистрон»). Так из безуспешных попыток создать сначала твердотельный аналог вакуумного триода, а затем полевой транзистор, родился первый несовершенный точечный биполярный транзистор.
Точечный транзистор, выпускавшийся серийно около десяти лет, оказался тупиковой ветвью развития электроники — ему на смену пришли германиевые плоскостные транзисторы. Теорию p-n-перехода и плоскостного транзистора создал в 1948—1950 годах Уильям Шокли. Первый плоскостной транзистор был изготовлен 12 апреля 1950 года методом выращивания из расплава. За ним последовали сплавной транзистор, «электрохимический» транзистор и диффузионный меза-транзистор.
В 1954 году Texas Instruments выпустила первый кремниевый транзистор. Открытие процесса мокрого окисления кремния сделало возможным выпуск в 1958 году первых кремниевых меза-транзисторов, а в марте 1959 года Жан Эрни[en] создал первый кремниевый планарный транзистор. Кремний вытеснил германий, а планарный процесс стал основной технологией производства транзисторов и сделал возможным создание монолитных интегральных схем.
В 1906 году Гринлиф Пикард (англ.)русск. запатентовал кремниевый кристаллический детектор[1]. В 1910 году Уильям Икклз обнаружил, что кристаллические детекторы в определённых условиях демонстрируют отрицательное дифференциальное сопротивление и потому могут быть использованы для генерации колебаний и усиления сигналов[2]. В 1922 году О. В. Лосев доказал возможность усиления и генерации электромагнитных колебаний на кристаллическом детекторе при подаче на него постоянного напряжения смещения (кристадинный эффект)[2]. Цинкитный детектор («кристадин») Лосева сохранял работоспособность на частотах до 10 МГц[2]. К концу 1920-х годов кристаллические детекторы были вытеснены вакуумными лампами, а развитие этого направления физики полупроводников приостановилось.
Нереализованный «полевой транзистор» Лилиенфельда. Патент США 1 745 175 на «метод и устройство управления электрическими токами» с приоритетом от 8 октября 1926 года (выдан 28 января 1930 года)В 1922—1927 годах Грёндаль и Гейгер изобрели и внедрили в практику медно-закисный выпрямитель, а в 1930-е годы ему на смену пришёл более совершенный селеновый выпрямитель[3]. Как писал Уолтер Браттейн, аналогия между выпрямителем на закиси меди и вакуумным диодом была очевидна для всех, изучавших полупроводники, — и многие из них задумывались о том, как внедрить в выпрямитель третий, управляющий электрод («сетку»), сделав из выпрямителя — усилитель[4]. В 1925 году немецкий физик Юлиус Лилиенфельд подал первую патентную заявку на твердотельный усилитель, состоящий из слоёв металла и полупроводника[5][6]. Лилиенфельд не смог довести своё предложение даже до стадии макета: его проект не мог быть реализован в 1920-е годы из-за недостаточного развития фундаментальной науки[6]. В 1935 году другой немецкий физик, Оскар Хайл (англ.)русск., запатентовал в Великобритании принцип действия полевого транзистора. В 1938 году сотрудники Гёттингенского университета Роберт Поль и Рудольф Хилш создали твердотельный «триод», способный усиливать медленно меняющийся входной сигнал[5]. Усилитель Пола был слишком медленным, работал только при высоких температурах и поэтому не имел практического развития, да и сам Пол не желал заниматься прикладными работами, предпочитая фундаментальную науку[7]. Все эти безуспешные эксперименты в той или иной мере воспроизводили устройство вакуумного триода. Так, в «триоде» Пола управляющий электрод представлял собой мелкоячеистую металлическую сетку, управлявшую полем внутри кристалла бромида калия[5]. Лосев в 1939 году упоминал о работе над полупроводниковой «трёхэлектродной системой, аналогичной триоду», но эти неопубликованные работы были утрачены[8].
Во время Второй мировой войны исследовательские бюджеты многократно выросли, но, по мнению Питера Морриса, в физике полупроводников было сделано слишком мало. Все существенные достижения были связаны с военным заказом в двух направлениях, в которых были бессильны вакуумные лампы, — детектирование инфракрасного излучения и детектирование отражённого сигнала в радиолокации[9]. Излучатели ранних радиолокаторов работали на частотах до 3 ГГц, а частотный диапазон детекторов на вакуумных диодах был ограничен 400 МГц[3]. Контактные полупроводниковые детекторы, напротив, могли эффективно выпрямлять сверхвысокие частоты, поэтому в конце 1930-х годов правительства Великобритании, Германии и США начали масштабные проекты по совершенствованию полупроводников. В ходе этих исследований были исследованы фундаментальные свойства полупроводников и заложены основы технологии их производства, сделавшие возможным серийный выпуск полупроводниковых приборов[10].
Плавка p-n-перехода по патенту Ола 1941 годаВ 1936 году директор по исследованиям Bell Labs Мервин Келли поручил Уильяму Шокли изучить возможность создания твердотельных переключателей, способных в перспективе заменить электромеханические реле телефонных станций[11]. Изучив опубликованные работы Поля, Иоффе и Давыдова[прим. 1] и результаты экспериментов Браттейна, Шокли пришёл к выводу о невозможности внедрения управляющего электрода в массив полупроводника[12]. Взамен 29 декабря 1939 года Шокли сформулировал принцип работы полевого транзистора: током в канале между двумя электродами должно управлять внешнее поле, создаваемое третьим (управляющим) электродом, размещённым вне канала[12]. Шокли предложил строить полупроводниковый триод на изученной Давыдовым закиси меди, но первые опыты закончились неудачно, а затем персонал Bell Labs был мобилизован на решение военно-прикладных задач. Шокли в 1940 году работал на урановом проекте, а с 1942 года и до конца войны занимался практическими задачами радиолокации[прим. 2].
Небольшое ядро физиков-твердотельщиков, оставшееся в Bell Labs после ухода Шокли, занималось поисками материалов для детектирования сверхвысоких частот в радиолокации[13]. Электрохимик и радиолюбитель Рассел Ол работал с кремниевыми детекторами ещё со времён великой депрессии[14]. Полагая, что нестабильное поведение ранних детекторов было вызвано недостаточной очисткой от примесей, Ол сосредоточился на технологиях очистки и плавки кремния[15]. В августе 1939 года Ол, Джон Скафф и Генри Тойерер провели первую плавку в гелиевой атмосфере[15]. Детекторы, изготовленные из поликристаллического кремния, очищенного до 99,8 %, были достаточно стабильными[15]. Часть из них проводила ток в одном направлении (из контакта в кристалл), часть — в другом (из кристалла в контакт), при этом полярность конкретного экземпляра можно было определить только опытным путём[15]. Полагая, что направление проводимости определяется только степенью очистки кремния, Ол назвал один тип «очищенным», а другой «коммерческим» (англ. purified and commercial)[15].
В октябре 1939 года среди заготовок для детекторов нашёлся странный образец, электрические параметры которого вели себя настолько беспорядочно, что дальнейшие измерения казались бессмысленными[15]. Только 23 февраля 1940 года Ол нашёл время, чтобы лично проверить его[16]. Оказалось, что образец реагировал на свет, а степень наблюдаемого фотоэффекта на порядок превосходила фотоэффект в традиционных фотоэлементах[16]. Проводимость образца зависела не только от освещённости, но и от температуры и влажности[16]. Несмотря на противодействие своего начальника, который был не в ладах с Келли, 6 марта Ол продемонстрировал свою находку Келли и Уолтеру Браттейну[16]. Браттейн догадался, что фотоэффект возникает на некоем невидимом барьере между двумя слоями кремния и что этот же барьер должен выпрямлять переменный ток[16]. Именно поэтому измерение проводимости на переменном токе давало необъяснимые, бессмысленные результаты[прим. 3].
Вскоре Скафф и Ол буквально увидели этот барьер: травление азотной кислотой вскрыло видимую глазу границу между двумя слоями кремния[16]. Скафф и Ол дали этим слоям новые названия: «кремний p-типа» (от англ. positive, положительный) и «кремний n-типа» (negative, отрицательный), в зависимости от направления тока в изготавливаемых из этих слоёв детекторах[16]. Барьерная зона получила название p-n-переход[17]. Постепенно Ол, Скафф и Тойерер пришли к пониманию того, что тип проводимости кремния определяется не его чистотой, а, напротив, присутствием характерных примесей[17]. Более лёгкие элементы подгруппы бора должны были сосредотачиваться в верхнем слое расплава, более тяжёлые элементы подгруппы азота — в центре тигля[17]. Действительно, химический анализ кремния p-типа выявил следы бора и алюминия, а присутствие фосфора в грубо очищенном кремнии n-типа ощущалось и без приборов — при обработке такого кремния выделялся фосфин[17].
Личным волевым решением Келли засекретил открытие p-n-перехода[18]. Bell Labs охотно делилась образцами кремния с американскими и британскими коллегами, но это был кремний исключительно p-типа[18]. Ол лично отвечал за то, чтобы кремний n-типа и pn-переходы не покидали стен компании[18]. Шокли узнал об открытии Ола только 24 марта 1945 года, а широкая публика — 25 июня 1946 года, когда Ол и Скафф получили патенты на свои изобретения 1940 года[18].
Независимо от американских физиков, в 1941 году В. Е. Лашкарёв представил теорию «запирающего слоя» и инжекции носителей заряда на границе раздела меди и закиси меди. Лашкарёв предположил, что два типа проводимости, обнаруженные термозондом в медно-закисном элементе, разделены гипотетическим переходным слоем, препятствующим электрическому току. Работы Лашкарёва и К. М. Косогоновой («Исследование запирающих слоёв методом термозонда» и «Влияние примесей на вентильный фотоэффект в закиси меди») были опубликованы в 1941 году[19].
Транзистор Бардина и Браттейна[править | править код]
Бардин, Шокли и Браттейн в лаборатории BellВ июне 1945 года Келли вновь сформировал отдел по исследованию твёрдого тела во главе с Шокли и Стэнли Морганом (в 1945 году Шокли по-прежнему был занят на военных проектах и не имел достаточно времени для единоличного управления отделом)[20]. В группу вошли Браттейн, теоретик Джон Бардин, экспериментатор Джеральд Пирсон, физхимик Роберт Джибни и инженер-электрик Хилберт Мур[20]. Образцы полупроводников изготавливали Уильям Пфанн (англ.)русск., Джон Скафф и Генри Тойерер[21]. Группа опиралась на ресурсы огромной по тем временам научной организации — в конце 1940-х годов в Bell Labs работали 5700 человек, из них около 2000 — дипломированные профессионалы[22].
Ознакомившись с наработками исследователей университета Пердью, Шокли сузил выбор полупроводников до двух (германия и кремния), а в январе 1946 года решил сосредоточиться на использовании эффекта поля[23]. Однако эксперименты показали, что в реальном полупроводнике эффект поля был на три порядка[24] слабее, чем предсказывала теория[25]. Бардин объяснил экспериментальные данные, предложив гипотезу поверхностных состояний, согласно которой на границе полупроводника и металлического электрода образуется пространственный заряд, нейтрализующий действие внешнего поля[25].
В течение 1947 года отдел Шокли искал решение проблемы объёмного заряда, с каждым шагом отступая всё дальше и дальше от концепции полевого транзистора. Шокли писал в 1972 году, что благодаря Бардину «мы прекратили „делать транзистор“. Взамен мы вернулись к принципу, который я называю „уважение к научной стороне практической задачи“»[26]. В ноябре 1947 года Джибни предложил подавать на «триод» постоянное напряжение смещения с помощью точечного управляющего электрода, отделённого от массы полупроводника слоем электролита[25]. Работы резко ускорились: в ноябре — декабре Бардин, Джибни и Браттейн испытали не менее пяти разных конструкций «триода»:
| Эксперименты Браттейна в ноябре — декабре 1947 года[27] | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Дата эксперимента | Полупроводник | Диэлектрик | Усиление | Частотный диапазон | Напряжение смещения[прим. 4] | Примечания | |||
| По напряжению | По току | По мощности | На «стоке» («коллекторе») | На «затворе» («эмиттере») | |||||
| 21 ноября | Поликристаллический кремний p-типа | Дистиллированная вода | Нет | Да | Да | <10 Гц | Положительное | Положительное | «Электролитический полевой транзистор», патент США 2 524 034 |
| 8 декабря | Поликристаллический германий n-типа | Электролит GU[прим. 5] | Да | Нет | Да | <10 Гц | Отрицательное | Отрицательное | |
| 10 декабря | Поликристаллический германий n-типа с приповерхностным слоем p-типа | Да | Да | Да | <10 Гц | Отрицательное | Отрицательное | ||
| 15 декабря | Оксидная плёнка | Да | Нет | Нет | 10 Гц — 10 кГц | Положительное | Отрицательное | ||
| 16 декабря | Нет | Да[28] | Да[28] | 2 дБ[29] | 1 кГц[29] | Положительное | Отрицательное | Изобретение точечного транзистора. Патент США 2 524 035 | |
| 23 декабря | 24 дБ на 1 кГц[30] 20 дБ на 10 МГц[31] | Да[31] | 2 дБ[30] | До 15 МГц[31] | |||||
Современный макет транзистора Бардина и Браттейна8 декабря Шокли, Бардин и Браттейн пришли к выводу о необходимости замены однородного полупроводника на двухслойную структуру — пластину германия, на поверхности которой был сформирован p-n-переход с высоким напряжением пробоя[32][28]. 10 декабря «электролитический триод» Бардина и Браттейна на германии n-типа с инверсным слоем p-типа продемонстрировал усиление по мощности около 6000[33]. Он был неприемлемо медленным даже для усиления звуковых частот, поэтому 12 декабря Бардин заменил электролит на тонкую плёнку окиси германия. Опыт в этот день окончился неудачно, вероятно, из-за повреждения плёнки при отмывке германиевой пластины[34]. 15 декабря установка с оксидной плёнкой продемонстрировала двукратное усиление по напряжению в частотном диапазоне до 10 кГц[29]. После этого опыта Бардин предложил использовать два контактных электрода — управляющий (эмиттер) и управляемый (коллектор). По расчётам Бардина, схема могла бы усиливать мощность при межэлектродном расстоянии не более пяти микрон (2*10−4 дюйма)[35][29].
15 или 16 декабря 1947 года Браттейн сконструировал контактный узел из пластмассовой треугольной призмы с наклеенной на неё полоской золотой фольги[36]. Аккуратно разрезав фольгу бритвой, Браттейн получил зазор между коллектором и эмиттером[36] шириной около 50 микрон[37][38]. 16 декабря Браттейн прижал контактный узел зазором к поверхности германиевой пластины[39], создав первый работоспособный точечный транзистор[прим. 6]. 23 декабря 1947 года Браттейн продемонстрировал коллегам транзисторный усилитель звуковых частот с пятнадцатикратным усилением по напряжению[прим. 7]. На частоте 10 МГц усиление составило 20 дБ при выходной мощности 25 мВт[31]. 24 декабря Браттейн продемонстрировал первый транзисторный генератор[31].
Так, из неудачных попыток создать полевой транзистор, началось развитие биполярного транзистора[40]. Руководство Bell Labs, понимая важность события, усилило отдел Шокли специалистами и на время засекретило проект[30]. Публика узнала об изобретении транзистора 30 июня 1948 года на открытой презентации транзистора в Нью-Йорке, приуроченной к выходу статей в Physical Review[21]. За месяц до этого события в Bell Labs состоялось тайное голосование по выбору имени нового прибора. Отбросив слишком длинное «полупроводниковый триод» (semiconductor triode), фактически неверное «триод на поверхностных состояниях» (surface states triode) и непонятное «йотатрон» (iotatron), Bell Labs утвердила «транзистор» (transistor) — от англ. transconductance (проводимость) или transfer (передача) и varistor (варистор, управляемое сопротивление)[41].
Транзистрон Матаре и Велкера[править | править код]
Рентгенограмма транзистрона Матаре-ВелкераВ 1944 году немецкий физик Герберт Матаре (англ.)русск., работавший за стенами Любежского монастыря (нем.)русск. над снижением шумов СВЧ-детекторов, изобрёл «дуодиод» — полупроводниковый выпрямитель с двумя точечными контактами[42]. При подаче на эти контакты одинакового напряжения смещения и противофазных напряжений гетеродина «дуодиод» подавлял высокочастотные шумы гетеродина[42]. Опыты на поликристаллическом германии Генриха Велкера (англ.)русск. и кремнии Карла Зайлера показали, что эффективное шумоподавление было возможно тогда, когда оба контакта замыкались на один и тот же кристаллик полупроводника[42]. Если расстояние между контактами не превышало 100 микрон, изменение напряжения на одном из контактов приводило к изменению тока через второй контакт[42]. В январе 1945 года Матаре бежал на запад от советского наступления, затем попал в плен к американцам, но вскоре был отпущен[42]. Велкер продолжал исследования до марта 1945 года. Независимо от Шокли, и несколько опережая его, Велкер пришёл к концепции полевого транзистора — и его первые опыты также закончились неудачей[43].
В 1946 году французские и британские агенты разыскали Велкера и Матаре, допросили их о немецких разработках в радиолокации и предложили работу на французском отделении Westinghouse, где в то время разворачивалось производство германиевых выпрямителей[43]. Оба согласились: заниматься наукой в разгромленной Германии было невозможно[43]. Велкер и Матаре основали лабораторию в Ольне-су-Буа и до конца 1947 года занимались наладкой производства выпрямителей[43]. На рубеже 1947 и 1948 годов Матаре вернулся к теме «дуодиода», а Велкер по просьбе Матаре занялся очисткой германия[43]. В июне 1948 года, до обнародования изобретения Бардина и Браттейна, усовершенствованный «дуодиод», а фактически — точечный транзистор, Матаре продемонстрировал стабильное усиление[43]. В июле 1948 года работами Матаре и Велкера заинтересовался министр связи Франции Эжен Тома (фр.)русск., он же дал новому прибору имя «транзистрон» (фр. transistron)[44]. В мае 1949 года Матаре и Велкер объявили о начале мелкосерийного выпуска транзистронов для дальней телефонной связи[44].
Первые серийные транзисторы[править | править код]
Структура серийного транзистора «тип А». Профили проводимости эмиттерного и коллекторного переходов определяются материалами электродов и режимом электротермотренировкиВ 1948—1951 годах специалисты Bell Labs под руководством Пфанна пытались наладить серийный выпуск точечных транзисторов, используя имеющуюся технологию контактных детекторов СВЧ-излучения[45]. Пфанн добился успеха благодаря случайному совпадению: фосфористая бронза коллекторных контактов загрязняла поверхность германия атомами фосфора, создавая островки проводимости n-типа[45]. Значение диффузии атомов меди, создававшей островки p-типа, было прояснено спустя несколько лет работами Кэлвина Фуллера (англ.)русск.[46]. Транзистор Пфанна фактически был четырёхслойной PNPN-структурой, которая в определённых обстоятельствах демонстрировала несвойственное «настоящим» транзисторам отрицательное сопротивление[45]. Серийное производство транзистора «тип А» на Western Electric началось в 1951 году и в апреле 1952 года вышло на уровень 8400 транзисторов в месяц[47]. Производство было трудоёмко, дорого, а воспроизводимость параметров транзисторов — неприемлемо низкой[45]. Поведение транзисторов зависело не только от температуры, но и от влажности воздуха[47]. Пентагон внимательно следил за развитием технологии, но отказывался приобретать аппаратуру на ненадёжных приборах[48]. Несмотря на то, что в 1951 году точечный транзистор уже устарел морально[49], производство «типа А» продолжалось почти десять лет[45], так как последовавшие за ним транзисторы на выращенных кристаллах и сплавные транзисторы уступали «типу А» в частотных свойствах. В течение всего десятилетия, по словам Шокли, успех производства зависел от «непостижимого шаманства» (англ. mysterious witchcraft)[50].
Матаре и Велкер начали производство «транзистронов» в 1949 году, а в 1950 году продемонстрировали Шокли и Браттейну работу транзисторных усилителей на телефонной линии Франция-Алжир[44]. Американцы насторожились: благодаря более совершенной технологии сборки «транзистроны» считались более надёжными приборами[51]. Однако вскоре французское правительство прекратило поддержку Матаре и Велкера, и те вернулись в Германию[44]. В 1952—1953 годах Матаре при поддержке Якоба Михаэля выпустил там опытную партию «транзистронов» и представил публике радиоприёмник на четырёх транзисторах (первый американский транзисторный приёмник Regency TR-1 был выпущен на год позже)[44]. Американская компания Clevite (будущий владелец Shockley Semiconductor Laboratory) выкупила компанию у Михаэля, а затем свернула производство в Германии[44]. Матаре переехал в США, Велкер возглавил полупроводниковые исследования на Siemens[44].
В 1949 году Элмар Франк и Ян Тауц выпустили в Чехии партию работоспособных транзисторов из трофейного немецкого германия, используя собственный (более совершенный, чем у американцев) метод формирования контактов[52]. В Советском Союзе А. В. Красилов и С. Г. Мадоян создали первый точечный транзистор в 1949 году, а первые промышленные образцы пошли в серию в 1950—1952 годах[53].
В 1951 году правительство США потребовало, чтобы AT&T предоставило лицензии на свои технологии всем заинтересованным американским компаниям без взимания роялти. К лету 1952 года лицензию (так называемую «книгу за 25 тысяч долларов») приобрели 26 американских и 14 иностранных компаний[54], но их попытки воспроизвести точечный транзистор не имели успеха. CBS-Hytron сумела запустить точечный транзистор в серию в 1951 году, а через год прекратила его выпуск[55]. Hughes Aircraft безуспешно пыталась делать транзисторы из отдельных зёрен поликристаллического германия и в итоге отказалась от проекта[52]. Philips, благодаря довоенным связям с Bell, получила лицензию раньше конкурентов, но серийное производство точечных транзисторов начала только в 1953 году, одновременно с более совершенными сплавными транзисторами[56].
В СССР первая научно-исследовательская работа по полупроводниковому триоду была выполнена в НИИ-160 (ныне НПП «Исток») дипломницей МХТИ Сусанной Гукасовной Мадоян. Лабораторный макет транзистора (точечного) заработал в феврале 1949 года.[57] Серийное производство точечных транзисторов (ТС1 — ТС7) началось в 1953 г., плоскостных (П1) — в 1955.
Теория Шокли[править | править код]
Главный творческий прорыв состоялся не тогда, когда я пытался изобрести транзистор, а когда я конструировал установку для экспериментов с поверхностными явлениями в точечных транзисторах. Внезапно до меня дошло, что экспериментальная структура и есть транзистор. Именно она и была запатентована как плоскостной транзистор[прим. 8]. Я был удручён тем, что, зная всё необходимое для этого изобретения, я целый год не мог соединить части целого — до тех пор, пока н
