Site Loader

аналоги, чем заменить, характеристики, аналог

Аналоги транзистора Y1:

Маркировка Pol Struct Pd Uds Ugs Ugs(th) Id Tj Qg Tr Cd Rds Caps
2SK1928 N MOSFET 100,00 100,00 27,00 0.085 TO220FL
110N10 N MOSFET 220,00 100,00 20,00 110,00 175,00 24,00 380,00 0.009 TO220
1115,00 N MOSFET 330,00 100,00 20,00 150,00 175,00 100,00 540,00 0.0068 TO220
AM60N10-70P N MOSFET 300,00 100,00 20,00 1,00 51,00 175,00 13,00 9,00 83,00 0.078 TO220AB
AM60N10-70PCFM N MOSFET 300,00 100,00 20,00 1,00 51,00 175,00 43593,00 59,00 0.078 TO220CFM
AM70N10-44P N MOSFET 300,00 100,00 20,00 1,00 70,00 175,00 22,00 13,00 147,00 0.044 TO220AB
AOT2500L N MOSFET 375,00 150,00 20,00 43588,00 152,00 175,00 20,00 586,00 0.0065 TO220
AOT254L N MOSFET 125,00 150,00 20,00 43648,00 32,00 175,00 10,00 110,00 0.046 TO220
AOT2904 N MOSFET 326,00 100,00 20,00 43527,00 120,00 175,00 49,00 605,00 0.0044 TO220
AOT292L N MOSFET 300,00 100,00 20,00 43558,00 105,00 175,00 43596,00 557,00 0.0045 TO220
AOT296L N MOSFET 107,00 100,00 20,00 43558,00 70,00 175,00 43593,00 238,00 0.01 TO220
AOT414 N MOSFET 115,00 100,00 25,00 4,00 43,00 175,00 4,00 165,00 0.025 TO220
AOT416 N MOSFET 150,00 100,00 25,00 4,00 42,00 175,00 43503,00 110,00 0.037 TO220
AP40T10GP N MOSFET 125,00 105,00 20,00 4,00 39,00 64,00 270,00 0.035 TO220
AP40T10GP-HF N MOSFET 125,00 105,00 20,00 39,00 175,00 64,00 270,00 0.035 TO220
AP75T10BGP N MOSFET 138,00 100,00 20,00 3,00 75,00 43602,00 550,00 0.012 TO220
AP75T10GP N MOSFET 138,00 100,00 20,00 3,00 65,00 75,00 540,00 0.015 TO220
AUIRFB4615 N MOSFET 144,00 150,00 35,00 26,00 0.039 TO220AB
AUIRFB4620 N MOSFET 144,00 200,00 20,00 25,00 25,00 0.0725 TO220AB
BUK7515-100A N MOSFET 300,00 100,00 20,00 4,00 75,00 175,00 0.015 TO220AB
BUK7520-100A N MOSFET 200,00 100,00 20,00 4,00 63,00 175,00 0.02 TO220AB
BUK7528-100A N MOSFET 166,00 100,00 20,00 4,00 47,00 175,00 0.028 TO220AB
BUK7535-100A N MOSFET 149,00 100,00 20,00 4,00 41,00 175,00
0.035
TO220AB
BUK7540-100A N MOSFET 138,00 100,00 20,00 4,00 37,00 175,00 0.04 TO220AB
BUK7575-100A N MOSFET 99,00 100,00 20,00 4,00 23,00 175,00 0.075 TO220AB
BUZ30AH N MOSFET 125,00 200,00 21,00 0.13 TO220
CEP45N10 N MOSFET 136,00 100,00 25,00 44,00
175,00
19,00 300,00 0.039 TO220
CEP50N10 N MOSFET 136,00 100,00 25,00 50,00 175,00 19,00 300,00 0.03 TO220
CEP540L N MOSFET 140,00 100,00 20,00 36,00 175,00 43468,00 199,00 0.05 TO220
CEP540N N MOSFET 140,00 100,00 20,00 36,00 175,00 10,00 196,00 0.053 TO220
CEP60N10 N MOSFET 200,00 100,00 20,00 57,00 175,00 5,00 440,00 0.024 TO220
CEP75N10 N MOSFET 100,00 100,00 20,00 72,00 175,00 9,00 240,00 0.013 TO220
CEP80N15 N MOSFET 300,00 150,00 20,00 76,00 175,00 24,00 455,00 0.019 TO220
CM40N20 N MOSFET 250,00 200,00 20,00 40,00 175,00 300,00 0.065 TO220
CS3710_B8 N MOSFET 200,00 100,00 20,00 57,00 175,00 30,00 620,00 0.023 TO220AB
CS40N20_A8 N MOSFET 250,00 200,00 20,00 40,00 175,00 30,00 300,00 0.065 TO220AB
CS40N20F_A9E N MOSFET 250,00 200,00 20,00 40,00 175,00 30,00 300,00 0.065 TO220F
CS40N20F_A9H
N MOSFET 250,00 200,00 20,00 40,00 175,00 30,00 300,00 0.065 TO220F
CS540_A8 N MOSFET 150,00 100,00 20,00 33,00 175,00 20,00 300,00 0.044 TO220AB
CS540_B8 N MOSFET 150,00 100,00 20,00 33,00 175,00 30,00 511,00 0.048 TO220AB
FDP150N10A N MOSFET 91,00 100,00 20,00 4,00 50,00 175,00 0.015 TO220
FDP150N10A_F102 N MOSFET 91,00 100,00 20,00 36,00 175,00 43512,00 0.015 TO220
FDP2570 N MOSFET 93,00 150,00 20,00 4,00 22,00 175,00 5,00 106,00 0.08 TO220
FDP2572 N MOSFET 135,00 150,00 20,00 4,00 29,00 175,00 26,00 0.054 TO220
FQP16N15 N MOSFET 108,00 150,00 25,00 4,00 43571,00 175,00 23,00 115,00 145,00 0.16 TO220
FS20UM-5 N MOSFET 150,00 250,00 30,00 20,00 0.15 TO220
FS20VS-5 N MOSFET 150,00 250,00 30,00 20,00 0.15 TO220S
G3710 N MOSFET 200,00 100,00 20,00 59,00 175,00 52.5 665.3 0.025 TO220
IPP06CN10NG N MOSFET 214,00 100,00 100,00 0.0065 TO220
IPP083N10N5 N MOSFET 100,00 100,00 20,00 43680,00 73,00 175,00 5,00 337,00 0.0083 TO220
IPP08CN10NG N MOSFET 167,00 100,00 95,00 0.0085 TO220
IPP110N20NA N MOSFET 300,00 200,00 20,00 4,00 88,00 175,00 26,00 401,00 0.0107 TO220
IPP120N20NFD N MOSFET 300,00 200,00 20,00 4,00 84,00 175,00 10,00 400,00 0.012 TO220
IPP126N10N3G N MOSFET 94,00 100,00 58,00 26,00 0.0126 TO220
IPP12CN10NG N MOSFET 125,00 100,00 67,00 0.0129 TO220
IPP200N15N3G N MOSFET 150,00 150,00 50,00 23,00 0.02 TO220
IPP220N25NFD N MOSFET 300,00 250,00 20,00 4,00 61,00 175,00 10,00 398,00 0.022 TO220
IPP320N20N3G N MOSFET 136,00 200,00 34,00 22,00 0.032 TO220
IPP410N30N N MOSFET 300,00 300,00 20,00 4,00 44,00 175,00 9,00 374,00 0.041 TO220
IPP600N25N3G N MOSFET 136,00 250,00 25,00 22,00 0.06 TO220
IRF4410A N MOSFET 230,00 100,00 20,00 4,00 97,00 175,00 52,00 430,00 0.009 TO220AB
IRF530 N MOSFET 90,00 100,00 20,00 4,00 16,00 175,00 26,00 900,00 0.16 TO220
IRFB4020 N MOSFET 100,00 200,00 20,00 18,00 18,00 0.1 TO220AB
IRFB4615 N MOSFET 144,00 150,00 20,00 35,00 26,00 0.039 TO220AB
IRFB4620 N MOSFET 144,00 200,00 20,00 25,00 25,00 0.0725 TO220AB
IRFB5615 N MOSFET 144,00 150,00 20,00 35,00 26,00 0.039 TO220AB
IRFB5620 N MOSFET 144,00 200,00 20,00 25,00 25,00 0.0725 TO220AB
MTE130N20KE3 N MOSFET 125,00 200,00 20,00 18,00 175,00 32,00 85,00 0.143 TO220
MTN2510E3 N MOSFET 155,00 100,00 30,00 50,00 175,00 67,00 236,00 0.017 TO220AB
MTN2572FP N MOSFET 125,00 150,00 30,00 48,00 175,00 12,00 225,00 0.034 TO220FP
MXP1006AT N MOSFET 333,00 100,00 20,00 155,00 175,00 155,00 425,00 0.006 TO220
MXP1007AT N MOSFET 333,00 100,00 20,00 143,00 175,00 600,00 0.007 TO220
MXP1008AT N MOSFET 242,00 100,00 20,00 115,00 175,00 130,00 536,00 0.008 TO220
MXP1015AT N MOSFET 231,00 100,00 20,00 82,00 175,00 71,00 317,00 0.015 TO220
MXP1018CT N MOSFET 150,00 100,00 76,00 175,00 73,00 707,00 0.018 TO220
P1510ATG N MOSFET 150,00 100,00 20,00 64,00 175,00 110,00 420,00 0.015 TO220
PHP23NQ11T N MOSFET 100,00 110,00 20,00 4,00 23,00 175,00 22,00 0.07 TO220AB
PHP27NQ11T N MOSFET 107,00 110,00 20,00 4,00 43643,00 175,00 0.05 TO220AB
PHP28NQ15T N MOSFET 150,00 150,00 20,00 4,00 43613,00 175,00 24,00 0.065 TO220AB
PHP34NQ11T N MOSFET 136,00 110,00 20,00 4,00 35,00 175,00 55,00 230,00 0.04 TO220AB
PHP45NQ10T N MOSFET 150,00 100,00 20,00 4,00 47,00 175,00 0.025 TO220AB
PHP45NQ15T N MOSFET 230,00 150,00 20,00 4,00 45.1 175,00 22,00 290,00 0.042 TO220AB
RJK1008DPN N MOSFET 125,00 100,00 80,00 0.0085 TO220AB
RJK1021DPN N MOSFET 100,00 100,00 70,00 0.016 TO220AB
RJK1536DPN N MOSFET 125,00 150,00 50,00 0.024 TO220AB
RU1088R N MOSFET 300,00 100,00 25,00 4,00 80,00 175,00 13,00 510,00 0.013 TO220
RU1h200R N MOSFET 150,00 100,00 25,00 4,00 75,00 175,00 86,00 265,00 0.015 TO220
RU1h45R N MOSFET 111,00 100,00 25,00 4,00 40,00 175,00 76,00 250,00 0.025 TO220
RU1H60R N MOSFET 120,00 100,00 20,00 3,00 60,00 175,00 18,00 760,00 0.02 TO220
RU1H80R N MOSFET 188,00 100,00 25,00 4,00 80,00 175,00 18,00 470,00 0.012 TO220
RU2h40R N MOSFET 176,00 200,00 25,00 4,00 30,00 175,00 48,00 308,00 0.085 TO220
RU2h40S N MOSFET 176,00 200,00 25,00 4,00 30,00 175,00 48,00 308,00 0.085 TO220
RU3710R N MOSFET 176,00 100,00 25,00 4,00 60,00 175,00 25,00 510,00 0.016 TO220
RU80N15R N MOSFET 176,00 150,00 25,00 4,00 80,00 175,00 32,00 550,00 0.036 TO220
SPP70N10L N MOSFET 250,00 100,00 20,00 2,00 70,00 175,00 250,00 640,00 0.016 PTO220
SQP120N10-09 N MOSFET 375,00 100,00 20,00 43588,00 120,00 175,00 24,00 635,00 0.0095 TO220AB
SSE70N10-44P N MOSFET 300,00 100,00 20,00 70,00 175,00 30,00 0.044 TO220P
SSE90N10-14 N MOSFET 300,00 100,00 20,00 90,00 175,00 49,00 392,00 0.016 TO220P
SSF1030 N MOSFET 108,00 100,00 20,00 45,00 175,00 43509,00 144,00 0.022 TO220
SSPL1042 N MOSFET 127,00 100,00 20,00 33,00 175,00 133.1 182,00 0.037 TO220
SSPL2015 N MOSFET 150,00 200,00 20,00 18,00 175,00 43610,00 232,00 0.15 TO220
SSRF60N10 N MOSFET 300,00 100,00 20,00 51,00 175,00 59,00 0.078 ITO220
SSS1510 N MOSFET 300,00 150,00 20,00 100,00 175,00 105,00 657,00 0.0108 TO220
STP32N55M5 N MOSFET 190,00 550,00 29,00 0.1 TO220
UF3710 N MOSFET 200,00 100,00 20,00 57,00 175,00 58,00 410,00 0.023 TO220

Автор: Редакция сайта

smd-код y1

Подробная информация о производителях — в GUIDE’е, о типах корпусов — здесь
код наименование функция корпус производитель примечания
Y1 BZX84-C11 стабилитрон 11В, 250мВт sot23 Fairchild, Taiwan Semi, Diodes  
Y1 SS8050/W npn: 25В/1,5А sot23/323 Galaxy Semi  
Y1## R1210N512C повышающий dc-dc: 5,1В 100кГц +LTD sot23-5 Ricoh ## — lot-код
Y10 BZX84-C27 стабилитрон 27В, 250мВт sot23 Taiwan Semi, NXP  
Y11 BZX84-C30 стабилитрон 30В, 250мВт sot23 Taiwan Semi, NXP  
Y12 BZX84-C33 стабилитрон 33В, 250мВт sot23 Taiwan Semi, NXP  
Y13 BZX84-C36 стабилитрон 36В, 250мВт sot23 Taiwan Semi, NXP  
Y14 BZX84-C39 стабилитрон 39В, 250мВт sot23 Taiwan Semi, NXP  
Y15 BZX84-C43 стабилитрон 43В, 250мВт sot23 Taiwan Semi, NXP  
Y16 BZX84-C47 стабилитрон 47В, 250мВт sot23 Taiwan Semi, NXP  
Y1766 2SC1766 npn: 50В/2А h31=180…390 sot89 Galaxy Semi  
Y17 BZX84-C51 стабилитрон 51В, 250мВт sot23 Taiwan Semi, NXP  
Y18 BZX84-C56 стабилитрон 56В, 250мВт sot23 NXP  
Y19 BZX84-C62 стабилитрон 62В, 250мВт sot23 NXP  
Y1p BZX84-C11 стабилитрон 11В, 250мВт sot23 NXP @Hong Kong
Y1t BZX84-C11 стабилитрон 11В, 250мВт sot23 NXP @Malaysia
Y1W BZX84-C11 стабилитрон 11В, 250мВт sot23 NXP @China

SMD коды Yxx

Расшифровка диодов, стабилитронов, транзисторов в SMD типе кодов Yxx с их кратким описанием…

 

Код

Наименование

Фирма

Корпус

Цоколевка

Эквивалент/Краткое описание

Диоды, стабилитроны

Y1(p,t) BZX84-C11 Philips SOT23

D1a

zener 0.3W 11V
Y10 BZX84-C27 Philips SOT23

D1a

zener 0.3W 27V
Y11 BZX84-C30 Philips SOT23

D1a

zener 0.3W 30V
Y12 BZX84-C33 Philips SOT23

D1a

zener 0.3W 33V
Y13 BZX84-C36 Philips SOT23

D1a

zener 0.3W 36V
Y14 BZX84-C39 Philips SOT23

D1a

zener 0.3W 39V
Y15 BZX84-C43 Philips SOT23

D1a

zener 0.3W 43V
Y16 BZX84-C47 Philips SOT23

D1a

zener 0.3W 47V
Y17 BZX84-C51 Philips SOT23

D1a

zener 0.3W 51V
Y18 BZX84-C56 Philips SOT23

D1a

zener 0.3W 56V
Y19 BZX84-C62 Philips SOT23

D1a

zener 0.3W 62V
Y2(p,t) BZX84-C12 Philips SOT23

D1a

zener 0.3W 12V
Y20 BZX84-C68 Philips SOT23

D1a

zener 0.3W 68V
Y21 BZX84-C75 Philips SOT23

D1a

zener 0.3W 75V
Y3(p,t) BZX84-C13 Philips SOT23

D1a

zener 0.3W 13V
Y4(p,t) BZX84-C15 Philips SOT23

D1a

zener 0.3W 15V
Y5(p,t) BZX84-C16 Philips SOT23

D1a

zener 0.3W 16V
Y50 BZX84-A2V4 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 2.4V 1%
Y51 BZX84-A2V7 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 2.7V 1%
Y52 BZX84-A3V0 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 3.0V 1%
Y53 BZX84-A3V3 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 3.3V 1%
Y54 BZX84-A3V6 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 3.6V 1%
Y55 BZX84-A3V9 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 3.9V 1%
Y56 BZX84-A4V3 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 4.3V 1%
Y57 BZX84-A4V7 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 4.7V 1%
Y58 BZX84-A5V1 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 5.1V 1%
Y59 BZX84-A5V6 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 5.6V 1%
Y6(p,t) BZX84-C18 Philips SOT23

D1a

zener 0.3W 18V
Y60 BZX84-A6V2 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 6.2V 1%
Y61 BZX84-A6V8 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 6.8V 1%
Y62 BZX84-A7V5 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 7.5V 1%
Y63 BZX84-A8V2 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 8.2V 1%
Y64 BZX84-A9V1 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 9.1V 1%
Y65 BZX84-A10 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 10V 1%
Y66 BZX84-A11 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 11V 1%
Y67 BZX84-A12 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 12V 1%
Y68 BZX84-A13 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 13V 1%
Y69 BZX84-A15 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 15V 1%
Y7(p,t) BZX84-C20 Philips SOT23

D1a

zener 0.3W 20V
Y70 BZX84-A16 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 16V 1%
Y71 BZX84-A18 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 18V 1%
Y72 BZX84-A20 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 20V 1%
Y73 BZX84-A22 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 22V 1%
Y74 BZX84-A24 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 24V 1%
Y75 BZX84-A27 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 27V 1%
Y76 BZX84-A30 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 30V 1%
Y77 BZX84-A33 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 33V 1%
Y78 BZX84-A36 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 36V 1%
Y79 BZX84-A39 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 39V 1%
Y8(p,t) BZX84-C22 Philips SOT23

D1a

zener 0.3W 22V
Y80 BZX84-A43 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 43V 1%
Y81 BZX84-A47 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 47V 1%
Y82 BZX84-A51 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 51V 1%
Y83 BZX84-A56 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 56V 1%
Y84 BZX84-A62 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 62V 1%
Y85 BZX84-A68 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 68V 1%
Y86 BZX84-A75 Philips SOT23

D1a

zener 0.25W 75V 1%
Y9(p,t) BZX84-C24 Philips SOT23

D1a

zener 0.3W 24V
YA SMZG3801A GenSemi SMB

D7

zener 1.5W 33V 10%
YB SMZG3801B GenSemi SMB

D7

zener 1.5W 33V 5%
YC SMZG3802A GenSemi SMB

D7

zener 1.5W 36V 10%
YD SMZG3802B GenSemi SMB

D7

zener 1.5W 36V 5%
YE SMZG3803A GenSemi SMB

D7

zener 1.5W 39V 10%
YF SMZG3803B GenSemi SMB

D7

zener 1.5W 39V 5%
YG SMZG3804A GenSemi SMB

D7

zener 1.5W 43V 10%
YH SMZG3804B GenSemi SMB

D7

zener 1.5W 43V 5%
YI SMZG3805A GenSemi SMB

D7

zener 1.5W 47V 10%
YJ SMZG3805A.B GenSemi SMB

D7

zener 1.5W 47V 5%
YK SMZG3806A GenSemi SMB

D7

zener 1.5W 51V 10%
YL SMZG3806B GenSemi SMB

D7

zener 1.5W 51V 5%
YO BZX284-C2V4 Philips SOD110

D6

zener 0.4W 2.4V E12 ±5%
YP BZX284-C2V7 Philips SOD110

D6

zener 0.4W 2.7V E12 ±5%
YQ BZX284-C3V0 Philips SOD110

D6

zener 0.4W 3.0V E12 ±5%
YR BZX284-C3V3 Philips SOD110

D6

zener 0.4W 3.3V E12 ±5%
YS BZX284-C3V6 Philips SOD110

D6

zener 0.4W 3.6V E12 ±5%
YT BZX284-C3V9 Philips SOD110

D6

zener 0.4W 3.9V E12 ±5%
YU BZX284-C4V3 Philips SOD110

D6

zener 0.4W 4.3V E12 ±5%
YV BZX284-C4V7 Philips SOD110

D6

zener 0.4W 4.7V E12 ±5%
YW BZX284-C5V1 Philips SOD110

D6

zener 0.4W 5.1V E12 ±5%
YX BZX284-C5V6 Philips SOD110

D6

zener 0.4W 5.6V E12 ±5%
YY BZX284-C6V2 Philips SOD110

D6

zener 0.4W 6.2V E12 ±5%
YZ BZX284-C6V8 Philips SOD110

D6

zener 0.4W 6.8V E12 ±5%

Транзисторы

Y* 2SD1949 Rohm UMT3
Y* 2SD1484K Rohm SMT3
YQ 2PA1774JQ Philips SOT490
YQ 2PA1774Q Philips SC75
YR 2PA1774JR Philips SOT490
YR 2PA1774R Philips SC75
YR MSD601R Motorola SC59

T1a

SI-N gp 25V
YS 2PA1774JS Philips SOT490
YS 2PA1774S Philips SC75
YS MSD601S Motorola SC59

T1a

SI-N gp 25V

Изобретение транзистора — Википедия

Макет точечного транзистора Бардина и Браттейна. Треугольник в центре — прозрачная призма, по рёбрам которой приклеены полоски фольги — выводы коллектора и эмиттера. Базой служит металлическое основание, на котором закреплён германиевый кристалл.

16 декабря 1947 года физик-экспериментатор Уолтер Браттейн, работавший с теоретиком Джоном Бардином, собрал первый работоспособный точечный транзисторПерейти к разделу «#Транзистор Бардина и Браттейна». Спустя полгода, но до обнародования работ Бардина и Браттейна, немецкие физики Герберт Матаре (англ.)русск. и Генрих Велькер (англ.)русск. представили разработанный во Франции точечный транзистор («транзистрон»)Перейти к разделу «#Транзистрон Матаре и Велкера». Так из безуспешных попыток создать сначала твердотельный аналог вакуумного триодаПерейти к разделу «#Предыстория», а затем полевой транзистор, родился первый несовершенный точечный биполярный транзистор.

Точечный транзистор, выпускавшийся серийно около десяти лет, оказался тупиковой ветвью развития электроники — ему на смену пришли германиевые плоскостные транзисторы. Теорию p-n-перехода и плоскостного транзистора создал в 1948—1950 годах Уильям ШоклиПерейти к разделу «#Теория Шокли». Первый плоскостной транзистор был изготовлен 12 апреля 1950 года методом выращивания из расплаваПерейти к разделу «#Транзистор на выращенных переходах». За ним последовали сплавной транзисторПерейти к разделу «#Сплавной транзистор», «электрохимический» транзистор и диффузионный меза-транзисторПерейти к разделу «#Германиевый меза-транзистор».

В 1954 году Texas Instruments выпустила первый кремниевый транзистор. Открытие процесса мокрого окисления кремнияПерейти к разделу «#Открытие мокрого окисления» сделало возможным выпуск в 1958 году первых кремниевых меза-транзисторовПерейти к разделу «#Кремниевый меза-транзистор», а в марте 1959 года Жан Эрни[en] создал первый кремниевый планарный транзисторПерейти к разделу «#Планарный транзистор». Кремний вытеснил германий, а планарный процесс стал основной технологией производства транзисторов и сделал возможным создание монолитных интегральных схем.

В 1906 году Гринлиф Пикард (англ.)русск. запатентовал кремниевый кристаллический детектор[1]. В 1910 году Уильям Икклз обнаружил, что кристаллические детекторы в определённых условиях демонстрируют отрицательное дифференциальное сопротивление и потому могут быть использованы для генерации колебаний и усиления сигналов[2]. В 1922 году О. В. Лосев доказал возможность усиления и генерации электромагнитных колебаний на кристаллическом детекторе при подаче на него постоянного напряжения смещения (кристадинный эффект)[2]. Цинкитный детектор («кристадин») Лосева сохранял работоспособность на частотах до 10 МГц[2]. К концу 1920-х годов кристаллические детекторы были вытеснены вакуумными лампами, а развитие этого направления физики полупроводников приостановилось.

Нереализованный «полевой транзистор» Лилиенфельда. Патент США 1 745 175 на «метод и устройство управления электрическими токами» с приоритетом от 8 октября 1926 года (выдан 28 января 1930 года)

В 1922—1927 годах Грёндаль и Гейгер изобрели и внедрили в практику медно-закисный выпрямитель, а в 1930-е годы ему на смену пришёл более совершенный селеновый выпрямитель[3]. Как писал Уолтер Браттейн, аналогия между выпрямителем на закиси меди и вакуумным диодом была очевидна для всех, изучавших полупроводники, — и многие из них задумывались о том, как внедрить в выпрямитель третий, управляющий электрод («сетку»), сделав из выпрямителя — усилитель[4]. В 1925 году немецкий физик Юлиус Лилиенфельд подал первую патентную заявку на твердотельный усилитель, состоящий из слоёв металла и полупроводника[5][6]. Лилиенфельд не смог довести своё предложение даже до стадии макета: его проект не мог быть реализован в 1920-е годы из-за недостаточного развития фундаментальной науки[6]. В 1935 году другой немецкий физик, Оскар Хайл (англ.)русск., запатентовал в Великобритании принцип действия полевого транзистора. В 1938 году сотрудники Гёттингенского университета Роберт Поль и Рудольф Хилш создали твердотельный «триод», способный усиливать медленно меняющийся входной сигнал[5]. Усилитель Пола был слишком медленным, работал только при высоких температурах и поэтому не имел практического развития, да и сам Пол не желал заниматься прикладными работами, предпочитая фундаментальную науку[7]. Все эти безуспешные эксперименты в той или иной мере воспроизводили устройство вакуумного триода. Так, в «триоде» Пола управляющий электрод представлял собой мелкоячеистую металлическую сетку, управлявшую полем внутри кристалла бромида калия[5]. Лосев в 1939 году упоминал о работе над полупроводниковой «трёхэлектродной системой, аналогичной триоду», но эти неопубликованные работы были утрачены[8].

Во время Второй мировой войны исследовательские бюджеты многократно выросли, но, по мнению Питера Морриса, в физике полупроводников было сделано слишком мало. Все существенные достижения были связаны с военным заказом в двух направлениях, в которых были бессильны вакуумные лампы, — детектирование инфракрасного излучения и детектирование отражённого сигнала в радиолокации[9]. Излучатели ранних радиолокаторов работали на частотах до 3 ГГц, а частотный диапазон детекторов на вакуумных диодах был ограничен 400 МГц[3]. Контактные полупроводниковые детекторы, напротив, могли эффективно выпрямлять сверхвысокие частоты, поэтому в конце 1930-х годов правительства Великобритании, Германии и США начали масштабные проекты по совершенствованию полупроводников. В ходе этих исследований были исследованы фундаментальные свойства полупроводников и заложены основы технологии их производства, сделавшие возможным серийный выпуск полупроводниковых приборов[10].

Плавка p-n-перехода по патенту Ола 1941 года

В 1936 году директор по исследованиям Bell Labs Мервин Келли поручил Уильяму Шокли изучить возможность создания твердотельных переключателей, способных в перспективе заменить электромеханические реле телефонных станций[11]. Изучив опубликованные работы Поля, Иоффе и Давыдова[прим. 1] и результаты экспериментов Браттейна, Шокли пришёл к выводу о невозможности внедрения управляющего электрода в массив полупроводника[12]. Взамен 29 декабря 1939 года Шокли сформулировал принцип работы полевого транзистора: током в канале между двумя электродами должно управлять внешнее поле, создаваемое третьим (управляющим) электродом, размещённым вне канала[12]. Шокли предложил строить полупроводниковый триод на изученной Давыдовым закиси меди, но первые опыты закончились неудачно, а затем персонал Bell Labs был мобилизован на решение военно-прикладных задач. Шокли в 1940 году работал на урановом проекте, а с 1942 года и до конца войны занимался практическими задачами радиолокации[прим. 2].

Небольшое ядро физиков-твердотельщиков, оставшееся в Bell Labs после ухода Шокли, занималось поисками материалов для детектирования сверхвысоких частот в радиолокации[13]. Электрохимик и радиолюбитель Рассел Ол работал с кремниевыми детекторами ещё со времён великой депрессии[14]. Полагая, что нестабильное поведение ранних детекторов было вызвано недостаточной очисткой от примесей, Ол сосредоточился на технологиях очистки и плавки кремния[15]. В августе 1939 года Ол, Джон Скафф и Генри Тойерер провели первую плавку в гелиевой атмосфере[15]. Детекторы, изготовленные из поликристаллического кремния, очищенного до 99,8 %, были достаточно стабильными[15]. Часть из них проводила ток в одном направлении (из контакта в кристалл), часть — в другом (из кристалла в контакт), при этом полярность конкретного экземпляра можно было определить только опытным путём[15]. Полагая, что направление проводимости определяется только степенью очистки кремния, Ол назвал один тип «очищенным», а другой «коммерческим» (англ. purified and commercial)[15].

В октябре 1939 года среди заготовок для детекторов нашёлся странный образец, электрические параметры которого вели себя настолько беспорядочно, что дальнейшие измерения казались бессмысленными[15]. Только 23 февраля 1940 года Ол нашёл время, чтобы лично проверить его[16]. Оказалось, что образец реагировал на свет, а степень наблюдаемого фотоэффекта на порядок превосходила фотоэффект в традиционных фотоэлементах[16]. Проводимость образца зависела не только от освещённости, но и от температуры и влажности[16]. Несмотря на противодействие своего начальника, который был не в ладах с Келли, 6 марта Ол продемонстрировал свою находку Келли и Уолтеру Браттейну[16]. Браттейн догадался, что фотоэффект возникает на некоем невидимом барьере между двумя слоями кремния и что этот же барьер должен выпрямлять переменный ток[16]. Именно поэтому измерение проводимости на переменном токе давало необъяснимые, бессмысленные результаты[прим. 3].

Вскоре Скафф и Ол буквально увидели этот барьер: травление азотной кислотой вскрыло видимую глазу границу между двумя слоями кремния[16]. Скафф и Ол дали этим слоям новые названия: «кремний p-типа» (от англ. positive, положительный) и «кремний n-типа» (negative, отрицательный), в зависимости от направления тока в изготавливаемых из этих слоёв детекторах[16]. Барьерная зона получила название p-n-переход[17]. Постепенно Ол, Скафф и Тойерер пришли к пониманию того, что тип проводимости кремния определяется не его чистотой, а, напротив, присутствием характерных примесей[17]. Более лёгкие элементы подгруппы бора должны были сосредотачиваться в верхнем слое расплава, более тяжёлые элементы подгруппы азота — в центре тигля[17]. Действительно, химический анализ кремния p-типа выявил следы бора и алюминия, а присутствие фосфора в грубо очищенном кремнии n-типа ощущалось и без приборов — при обработке такого кремния выделялся фосфин[17].

Личным волевым решением Келли засекретил открытие p-n-перехода[18]. Bell Labs охотно делилась образцами кремния с американскими и британскими коллегами, но это был кремний исключительно p-типа[18]. Ол лично отвечал за то, чтобы кремний n-типа и pn-переходы не покидали стен компании[18]. Шокли узнал об открытии Ола только 24 марта 1945 года, а широкая публика — 25 июня 1946 года, когда Ол и Скафф получили патенты на свои изобретения 1940 года[18].

Независимо от американских физиков, в 1941 году В. Е. Лашкарёв представил теорию «запирающего слоя» и инжекции носителей заряда на границе раздела меди и закиси меди. Лашкарёв предположил, что два типа проводимости, обнаруженные термозондом в медно-закисном элементе, разделены гипотетическим переходным слоем, препятствующим электрическому току. Работы Лашкарёва и К. М. Косогоновой («Исследование запирающих слоёв методом термозонда» и «Влияние примесей на вентильный фотоэффект в закиси меди») были опубликованы в 1941 году[19].

Транзистор Бардина и Браттейна[править | править код]

Бардин, Шокли и Браттейн в лаборатории Bell

В июне 1945 года Келли вновь сформировал отдел по исследованию твёрдого тела во главе с Шокли и Стэнли Морганом (в 1945 году Шокли по-прежнему был занят на военных проектах и не имел достаточно времени для единоличного управления отделом)[20]. В группу вошли Браттейн, теоретик Джон Бардин, экспериментатор Джеральд Пирсон, физхимик Роберт Джибни и инженер-электрик Хилберт Мур[20]. Образцы полупроводников изготавливали Уильям Пфанн (англ.)русск., Джон Скафф и Генри Тойерер[21]. Группа опиралась на ресурсы огромной по тем временам научной организации — в конце 1940-х годов в Bell Labs работали 5700 человек, из них около 2000 — дипломированные профессионалы[22].

Ознакомившись с наработками исследователей университета Пердью, Шокли сузил выбор полупроводников до двух (германия и кремния), а в январе 1946 года решил сосредоточиться на использовании эффекта поля[23]. Однако эксперименты показали, что в реальном полупроводнике эффект поля был на три порядка[24] слабее, чем предсказывала теория[25]. Бардин объяснил экспериментальные данные, предложив гипотезу поверхностных состояний, согласно которой на границе полупроводника и металлического электрода образуется пространственный заряд, нейтрализующий действие внешнего поля[25].

В течение 1947 года отдел Шокли искал решение проблемы объёмного заряда, с каждым шагом отступая всё дальше и дальше от концепции полевого транзистора. Шокли писал в 1972 году, что благодаря Бардину «мы прекратили „делать транзистор“. Взамен мы вернулись к принципу, который я называю „уважение к научной стороне практической задачи“»[26]. В ноябре 1947 года Джибни предложил подавать на «триод» постоянное напряжение смещения с помощью точечного управляющего электрода, отделённого от массы полупроводника слоем электролита[25]. Работы резко ускорились: в ноябре — декабре Бардин, Джибни и Браттейн испытали не менее пяти разных конструкций «триода»:

Эксперименты Браттейна в ноябре — декабре 1947 года[27]
Дата эксперимента Полупроводник Диэлектрик Усиление Частотный диапазон Напряжение смещения[прим. 4] Примечания
По напряжению По току По мощности На «стоке» («коллекторе») На «затворе» («эмиттере»)
21 ноября Поликристаллический кремний p-типа Дистиллированная вода Нет Да Да <10 Гц Положительное Положительное «Электролитический полевой транзистор», патент США 2 524 034
8 декабря Поликристаллический германий n-типа Электролит GU[прим. 5] Да Нет Да <10 Гц Отрицательное Отрицательное
10 декабря Поликристаллический германий n-типа с приповерхностным слоем p-типа Да Да Да <10 Гц Отрицательное Отрицательное
15 декабря Оксидная плёнка Да Нет Нет 10 Гц — 10 кГц Положительное Отрицательное
16 декабря Нет Да[28] Да[28] 2 дБ[29] 1 кГц[29] Положительное Отрицательное Изобретение точечного транзистора. Патент США 2 524 035
23 декабря 24 дБ на 1 кГц[30]
20 дБ на 10 МГц[31]
Да[31] 2 дБ[30] До 15 МГц[31]
Перейти к разделу «#Планарный транзистор» Современный макет транзистора Бардина и Браттейна

8 декабря Шокли, Бардин и Браттейн пришли к выводу о необходимости замены однородного полупроводника на двухслойную структуру — пластину германия, на поверхности которой был сформирован p-n-переход с высоким напряжением пробоя[32][28]. 10 декабря «электролитический триод» Бардина и Браттейна на германии n-типа с инверсным слоем p-типа продемонстрировал усиление по мощности около 6000[33]. Он был неприемлемо медленным даже для усиления звуковых частот, поэтому 12 декабря Бардин заменил электролит на тонкую плёнку окиси германия. Опыт в этот день окончился неудачно, вероятно, из-за повреждения плёнки при отмывке германиевой пластины[34]. 15 декабря установка с оксидной плёнкой продемонстрировала двукратное усиление по напряжению в частотном диапазоне до 10 кГц[29]. После этого опыта Бардин предложил использовать два контактных электрода — управляющий (эмиттер) и управляемый (коллектор). По расчётам Бардина, схема могла бы усиливать мощность при межэлектродном расстоянии не более пяти микрон (2*10−4 дюйма)[35][29].

15 или 16 декабря 1947 года Браттейн сконструировал контактный узел из пластмассовой треугольной призмы с наклеенной на неё полоской золотой фольги[36]. Аккуратно разрезав фольгу бритвой, Браттейн получил зазор между коллектором и эмиттером[36] шириной около 50 микрон[37][38]. 16 декабря Браттейн прижал контактный узел зазором к поверхности германиевой пластины[39], создав первый работоспособный точечный транзистор[прим. 6]. 23 декабря 1947 года Браттейн продемонстрировал коллегам транзисторный усилитель звуковых частот с пятнадцатикратным усилением по напряжению[прим. 7]. На частоте 10 МГц усиление составило 20 дБ при выходной мощности 25 мВт[31]. 24 декабря Браттейн продемонстрировал первый транзисторный генератор[31].

Так, из неудачных попыток создать полевой транзистор, началось развитие биполярного транзистора[40]. Руководство Bell Labs, понимая важность события, усилило отдел Шокли специалистами и на время засекретило проект[30]. Публика узнала об изобретении транзистора 30 июня 1948 года на открытой презентации транзистора в Нью-Йорке, приуроченной к выходу статей в Physical Review[21]. За месяц до этого события в Bell Labs состоялось тайное голосование по выбору имени нового прибора. Отбросив слишком длинное «полупроводниковый триод» (semiconductor triode), фактически неверное «триод на поверхностных состояниях» (surface states triode) и непонятное «йотатрон» (iotatron), Bell Labs утвердила «транзистор» (transistor) — от англ. transconductance (проводимость) или transfer (передача) и varistor (варистор, управляемое сопротивление)[41].

Транзистрон Матаре и Велкера[править | править код]

Рентгенограмма транзистрона Матаре-Велкера

В 1944 году немецкий физик Герберт Матаре (англ.)русск., работавший за стенами Любежского монастыря (нем.)русск. над снижением шумов СВЧ-детекторов, изобрёл «дуодиод» — полупроводниковый выпрямитель с двумя точечными контактами[42]. При подаче на эти контакты одинакового напряжения смещения и противофазных напряжений гетеродина «дуодиод» подавлял высокочастотные шумы гетеродина[42]. Опыты на поликристаллическом германии Генриха Велкера (англ.)русск. и кремнии Карла Зайлера показали, что эффективное шумоподавление было возможно тогда, когда оба контакта замыкались на один и тот же кристаллик полупроводника[42]. Если расстояние между контактами не превышало 100 микрон, изменение напряжения на одном из контактов приводило к изменению тока через второй контакт[42]. В январе 1945 года Матаре бежал на запад от советского наступления, затем попал в плен к американцам, но вскоре был отпущен[42]. Велкер продолжал исследования до марта 1945 года. Независимо от Шокли, и несколько опережая его, Велкер пришёл к концепции полевого транзистора — и его первые опыты также закончились неудачей[43].

В 1946 году французские и британские агенты разыскали Велкера и Матаре, допросили их о немецких разработках в радиолокации и предложили работу на французском отделении Westinghouse, где в то время разворачивалось производство германиевых выпрямителей[43]. Оба согласились: заниматься наукой в разгромленной Германии было невозможно[43]. Велкер и Матаре основали лабораторию в Ольне-су-Буа и до конца 1947 года занимались наладкой производства выпрямителей[43]. На рубеже 1947 и 1948 годов Матаре вернулся к теме «дуодиода», а Велкер по просьбе Матаре занялся очисткой германия[43]. В июне 1948 года, до обнародования изобретения Бардина и Браттейна, усовершенствованный «дуодиод», а фактически — точечный транзистор, Матаре продемонстрировал стабильное усиление[43]. В июле 1948 года работами Матаре и Велкера заинтересовался министр связи Франции Эжен Тома (фр.)русск., он же дал новому прибору имя «транзистрон» (фр. transistron)[44]. В мае 1949 года Матаре и Велкер объявили о начале мелкосерийного выпуска транзистронов для дальней телефонной связи[44].

Первые серийные транзисторы[править | править код]

Структура серийного транзистора «тип А». Профили проводимости эмиттерного и коллекторного переходов определяются материалами электродов и режимом электротермотренировки

В 1948—1951 годах специалисты Bell Labs под руководством Пфанна пытались наладить серийный выпуск точечных транзисторов, используя имеющуюся технологию контактных детекторов СВЧ-излучения[45]. Пфанн добился успеха благодаря случайному совпадению: фосфористая бронза коллекторных контактов загрязняла поверхность германия атомами фосфора, создавая островки проводимости n-типа[45]. Значение диффузии атомов меди, создававшей островки p-типа, было прояснено спустя несколько лет работами Кэлвина Фуллера (англ.)русск.[46]. Транзистор Пфанна фактически был четырёхслойной PNPN-структурой, которая в определённых обстоятельствах демонстрировала несвойственное «настоящим» транзисторам отрицательное сопротивление[45]. Серийное производство транзистора «тип А» на Western Electric началось в 1951 году и в апреле 1952 года вышло на уровень 8400 транзисторов в месяц[47]. Производство было трудоёмко, дорого, а воспроизводимость параметров транзисторов — неприемлемо низкой[45]. Поведение транзисторов зависело не только от температуры, но и от влажности воздуха[47]. Пентагон внимательно следил за развитием технологии, но отказывался приобретать аппаратуру на ненадёжных приборах[48]. Несмотря на то, что в 1951 году точечный транзистор уже устарел морально[49], производство «типа А» продолжалось почти десять лет[45], так как последовавшие за ним транзисторы на выращенных кристаллах и сплавные транзисторы уступали «типу А» в частотных свойствах. В течение всего десятилетия, по словам Шокли, успех производства зависел от «непостижимого шаманства» (англ. mysterious witchcraft)[50].

Матаре и Велкер начали производство «транзистронов» в 1949 году, а в 1950 году продемонстрировали Шокли и Браттейну работу транзисторных усилителей на телефонной линии Франция-Алжир[44]. Американцы насторожились: благодаря более совершенной технологии сборки «транзистроны» считались более надёжными приборами[51]. Однако вскоре французское правительство прекратило поддержку Матаре и Велкера, и те вернулись в Германию[44]. В 1952—1953 годах Матаре при поддержке Якоба Михаэля выпустил там опытную партию «транзистронов» и представил публике радиоприёмник на четырёх транзисторах (первый американский транзисторный приёмник Regency TR-1 был выпущен на год позже)[44]. Американская компания Clevite (будущий владелец Shockley Semiconductor Laboratory) выкупила компанию у Михаэля, а затем свернула производство в Германии[44]. Матаре переехал в США, Велкер возглавил полупроводниковые исследования на Siemens[44].

В 1949 году Элмар Франк и Ян Тауц выпустили в Чехии партию работоспособных транзисторов из трофейного немецкого германия, используя собственный (более совершенный, чем у американцев) метод формирования контактов[52]. В Советском Союзе А. В. Красилов и С. Г. Мадоян создали первый точечный транзистор в 1949 году, а первые промышленные образцы пошли в серию в 1950—1952 годах[53].

В 1951 году правительство США потребовало, чтобы AT&T предоставило лицензии на свои технологии всем заинтересованным американским компаниям без взимания роялти. К лету 1952 года лицензию (так называемую «книгу за 25 тысяч долларов») приобрели 26 американских и 14 иностранных компаний[54], но их попытки воспроизвести точечный транзистор не имели успеха. CBS-Hytron сумела запустить точечный транзистор в серию в 1951 году, а через год прекратила его выпуск[55]. Hughes Aircraft безуспешно пыталась делать транзисторы из отдельных зёрен поликристаллического германия и в итоге отказалась от проекта[52]. Philips, благодаря довоенным связям с Bell, получила лицензию раньше конкурентов, но серийное производство точечных транзисторов начала только в 1953 году, одновременно с более совершенными сплавными транзисторами[56].

В СССР первая научно-исследовательская работа по полупроводниковому триоду была выполнена в НИИ-160 (ныне НПП «Исток») дипломницей МХТИ Сусанной Гукасовной Мадоян. Лабораторный макет транзистора (точечного) заработал в феврале 1949 года.[57] Серийное производство точечных транзисторов (ТС1 — ТС7) началось в 1953 г., плоскостных (П1) — в 1955.

Теория Шокли[править | править код]

Главный творческий прорыв состоялся не тогда, когда я пытался изобрести транзистор, а когда я конструировал установку для экспериментов с поверхностными явлениями в точечных транзисторах. Внезапно до меня дошло, что экспериментальная структура и есть транзистор. Именно она и была запатентована как плоскостной транзистор[прим. 8]. Я был удручён тем, что, зная всё необходимое для этого изобретения, я целый год не мог соединить части целого — до тех пор, пока н

alexxlab

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.