Характеристики транзистора 13001 S8D и его аналоги
Биполярный транзистор 13001 S8D нашел широкое применение в сфере радиоэлектронике малой мощности. Производителем его является компания «SHENZHEN JTD ELECTRONICS». Выпускается он в пластиковом корпусе типа ТО-92 со следующий цоколевкой:
- Эмиттер
- Коллектор
- База
Зарекомендовал себя как качественный продукт, с почти не ограниченным сроком службы при эксплуатации в условиях не превышающий допустимых значений.
Характеристики и аналоги 13001 S8D
Транзистор 13001S8D имеет следующие предельные значение ( Tj = 25 ℃, если не указано иное):
| Параметр | Условное обозначение | Значение | Единица измерения |
|---|---|---|---|
| Напряжение коллектор-база | VCBO | 600 | V |
| Напряжение коллектор-эмиттер | VCEO | 400 | V |
| Напряжение Эмиттер-База | VEBO | 7 | V |
| Ток коллектора | Ic | 0.5 | A |
| Полная рассеиваемая мощность | Pc | 0.65 | W |
| Температура хранения | Tstg | -65~150 | ℃ |
| Температура соединения | Tj | 150 | ℃ |
Также приведем электрические параметры:
| Параметр | Условное обозначение | Условия испытаний | Min | Max | Единица измерения |
|---|---|---|---|---|---|
| Напряжение пробоя коллектор-база | BVCBO | Ic=0.5mA,Ie=0 | 600 | V | |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | BVCEO | Ic=10mA,Ib=0 | 400 | V | |
| Напряжение пробоя базы эмиттера | BVEBO | Ie=1mA,Ic=0 | 7 | V | |
| Ток отсечки коллекторной базы | ICBO | Vcb=600V,Ie=0 | 100 | μA | |
| Ток отключения коллектор-эмиттер | ICEO | Vce=400V,Ib=0 | 20 | μA | |
| Ток отсечки эмиттер-базы | IEBO | Veb=7V,Ic=0 | 100 | μA | |
| Усиление постоянного тока | hFE | Vce=20V,Ic=20mA | 10 | 40 | |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | VCE(sat) | Ic=200mA,Ib=100mA | 0.6 | V | |
| Напряжение насыщения базы-излучателя | VBE(sat) | Ic=200mA,Ib=100mA | 1.2 | V | |
| Время хранения | Ts | Ic=0.1mA, (UI9600) | 2 | μS | |
| Время падения | fT | VCE =20V,Ic=20mA f=1MHZ | 0.8 | μS |
Аналоги 13001 S8D являются схожие по всем техническим значения биполярные NPN Транзисторы.
Транзисторы MJE13001(13001)и MJE13003(13003)- маркировка, цоколевка, основные параметры.
Транзисторы MJE13003 и 13003
Транзисторы MJE13003 и 13003 кремниевые мощные низкочастотные высоковольтные, структуры n-p-n,
Как и 13001 производятся в странах ЮВА, применяются в импульсных блоках питания, зарядных устройствах для
различных мобильных телефонов и планшетов.
Выпускаются в самых различных корпусах, обратите внимание на имеющиеся отличия в порядке расположения выводов(цоколевке) а так же — мощности рассеивания.
Маркировка буквенно — цифровая, на корпусе. На рисунке ниже — цоколевка 13003 с различными корпусами.
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока —
от 8 до 40, в зависимости от буквы
У MJE13003A — от 8 до 12.
У MJE13003B — от 12 до 18.
У MJE13003C — от 18
У MJE13003D — от 27 до 40.
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер — 400 В.
Максимальный ток коллектора — постоянный 1,5 А, пульсирующий — 3 А.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 1 А, базы 0,25 А
— 1в.
Напряжение насыщения база-эмиттерпри токе коллектора 1 А, базы 0,25 А —
— не выше 1,2в.
Рассеиваемая мощность коллектора:
В корпусе TO-126 — 1.4 ватт,
TO-220 — 50 ватт(с радиатором),
TO-252 и TO-251 — 25 ватт(с радиатором),
TO-92 и TO-92L — 1,1 ватт.
Граничная частота передачи тока — 4 МГц.
Схема «зарядки» для телефона.
R1 — 1 Ом, 1Ватт.
R2 — 20 кОм.
R3 — 680 кОм.
R4 — 100 кОм.
R5 — 43 Ом.
R6 — 5,1 Ом.
R7 — 33 Ом.
R8 — 1 кОм.
R9 — 1,5 кОм.
C1 — 22 мФ,25в(оксидный).
C2 — 1 нФ, 400в.
C3 — 3,3 нФ, 1000в.
C4 — 2,2 мФ,400в(оксидный).
C5 — 100 мФ,25в(оксидный).
VD2,VD3 — диод 1N407.
VD4 — диод 1N4937.
VD5 — индикаторный светодиод.
Транзистор — MJE13001(13001), MJE13003(13003), самый надежный вариант — MJE13005(13005).
На главную страницу
Аналоги транзисторов 13001, 13003, 13005, 13007Импортные транзисторы серии 13001, 13003, 13005, 13007, 13009 получили широкое в производстве бытовой аппаратуры. На данной страничке собрана информация по аналогам импортных транзисторов серии 13001, 13003, которые широко используются при сборке импортных электрических бытовых приборах таких как энергосберегающие лампы, фонари дневного света, зарядные устройства и т.д. Благодаря этой информации вы легко сможете подобрать сответствующие аналоги для транзисторов серий 13001, 13003, 13005, 13007, 13009 и т.д.
ПОНРАВИЛАСЬ СТАТЬЯ? ЖМИ НА КНОПКИ И ДЕЛИСЬ ИНФОРМАЦИЕЙ С ДРУЗЬЯМИ В СОЦ.СЕТЯХ: |
Как проверить транзистор мультиметром | Для дома, для семьи
Здравствуйте уважаемые читатели сайта sesaga.ru. Сегодня хочу рассказать, как проверить исправность транзистора обычным мультиметром. Хотя для этого существуют специальные пробники, и даже в самом мультиметре имеется гнездо для проверки транзисторов, но, на мой взгляд, все они не совсем практичны. Вот чтобы подобрать пару транзисторов с одинаковым
Мы знаем, что транзистор имеет два p-n перехода, причем каждый переход можно представить в виде диода (полупроводника). Поэтому можно утверждать, что транзистор — это два диода включенных встречно, а точка их соединения будет являться «базой».
Отсюда получается, что один диод образован выводами, например,
Начнем с транзисторов структуры (проводимость) p-n-p. На принципиальных схемах структура транзисторов обозначается стрелкой эмиттерного перехода. Если стрелка направлена к базе, значит это структура p-n-p, а если от базы, значит это транзистор структуры n-p-n. Смотрите рисунок выше.
Так вот, чтобы открыть p-n-p транзистор, на вывод базы подается отрицательное напряжение (минус). Мультиметр переводим в режим измерения сопротивлений на предел «
Минусовым щупом (черного цвета) садимся на вывод базы, а плюсовым (красного цвета) поочередно касаемся выводов коллектора и эмиттера — так называемые коллекторный и эмиттерный переходы. Если переходы целы, то их прямое сопротивление будет находиться в пределах 500 – 1200 Ом.
Теперь проверяем обратное сопротивление коллекторного и эмиттерного переходов.
Плюсовым щупом садимся на вывод базы, а минусовым касаемся выводов коллектора и эмиттера. На этот раз мультиметр должен показать большое сопротивление на обоих p-n переходах.
В данном случае на индикаторе высветилась «1», означающая, что для предела измерения «2000» величина сопротивления велика, и составляет более 2000 Ом. А это говорит о том, что коллекторный и эмиттерный переходы целы, а значит, наш транзистор исправен.
Таким способом можно проверять исправность транзистора и на печатной плате, не выпаивая его из схемы.
Конечно, встречаются схемы, где p-n переходы транзистора сильно зашунтированы низкоомными резисторами. Но это редкость. Если при измерении будет видно, что прямое и обратное сопротивление коллекторного или эмиттерного переходов слишком мало, тогда придется выпаять вывод базы.
Исправность транзисторов структуры n-p-n проверяется так же, только уже к базе подключается плюсовой щуп мультиметра.
Мы рассмотрели, как проверить исправный транзистор. А как понять, что транзистор неисправный?
Здесь тоже все просто. Если прямое и обратное сопротивление одного из p-n переходов бесконечно велико, т.е. на пределе измерения «2000» и выше мультиметр показывает «1», значит, этот переход находится в обрыве, и транзистор однозначно неисправен.
Вторая распространенная неисправность транзистора – это когда прямое и обратное сопротивления одного из p-n переходов равны нулю или около того. Это говорит о том, что переход пробит, и транзистор не годен.
И тут уважаемый читатель Вы меня спросите: — А где у этого транзистора находится база, коллектор и эмиттер. Я его вообще в первый раз вижу. И будете правы. А ведь действительно, где они? Как их определить? Значит, будем искать.
В первую очередь, нужно определить вывод базы.
Плюсовым щупом мультиметра садимся, например, на левый вывод транзистора, а минусовым касаемся среднего и правого выводов. При этом смотрим, какую величину сопротивления показывает мультиметр.
Между левым и средним выводами величина сопротивления составила «1», а между левым и правым мультиметр показал 816 Ом. На данном этапе это нам ничего не говорит. Идем дальше.
Плюсовым щупом садимся на средний вывод, а минусовым касаемся левого и правого.
Здесь результат измерения получился почти таким же, как и на рисунке выше. Между средним и левым величина сопротивления составила «1», а между средним и правым получилось 807 Ом. Тут опять ничего не ясно, поэтому идем дальше.
Теперь садимся плюсовым щупом на правый вывод, а минусовым касаемся среднего и левого выводов транзистора.
На рисунке видно, что величина сопротивления между правым-средним и правым-левым выводами одинаковая и составила бесконечность. То есть получается, что мы нашли и измерили обратное сопротивление обоих p-n переходов транзистора. В принципе, уже можно смело утверждать, что вывод базы найден. Он оказался правым. Но нам еще надо определить, где у транзистора коллектор и эмиттер. Для этого измеряем прямое сопротивление переходов. Минусовым щупом садимся на вывод базы, а плюсовым касаемся среднего и левого выводов.
Величина сопротивления на левой ножке транзистора составила 816 Ом – это эмиттер, а на средней 807 Ом – это коллектор.
Запомните! Величина сопротивления коллекторного перехода всегда будет меньше по отношению к эмиттерному. Т.е. вывод коллектора будет там, где сопротивление p-n перехода меньше, а эмиттера, где сопротивление p-n перехода больше.
Отсюда делаем вывод:
1. Транзистор структуры p-n-p;
2. Вывод базы находится с правой стороны;
3. Вывод коллектора в середине;
4. Вывод эмиттера – слева.
А если у Вас остались вопросы, то можно дополнительно посмотреть мой видеоролик о проверке обычных транзисторов мультиметром.
Ну и напоследок надо сказать, что транзисторы бывают малой, средней мощности и мощные. Так вот, у транзисторов средней мощности и мощных, вывод коллектора напрямую связан с корпусом и находится в середине между базой и эмиттером. Такие транзисторы устанавливаются на специальные радиаторы, предназначенные для отвода тепла от корпуса транзистора.
Зная расположение коллектора, базу и эмиттер определить будет легко.
Удачи!
Усилитель на транзисторах 13002
Хотя компактные люминесцентные лампы уже непопулярны, у многих самодельщиков накопились платы от них. Среди прочих компонентов, там присутствуют транзисторы типов 13001, 13002, 13003. Хотя они считаются ключевыми, перевести их в линейный режим общепринятым способом не составляет труда, выходная мощность при этом, конечно, невелика. Так, например, автор Instructables под ником Utsource123 собрал из двух таких транзисторов составной (его также называют транзистором Дарлингтона, который сделал соответствующее изобретение в 1953 году) и построил на нём простой однотактный усилитель мощности звуковой частоты (УМЗЧ).
Поскольку мастер решил не составлять схему усилителя, переводчику пришлось восстановить её по описанию и фотографиям. Получилась самая обыкновенная схема УМЗЧ на составном транзисторе без каких-либо особенностей. На старых транзисторах МП она выглядела бы точно так же. С учётом противоположной структуры, конечно.
Смещение на базу резистором, конденсатор, чтобы это смещение не попало в источник сигнала — всё как обычно. Конденсатор на 100 мкФ, 25 В, резистор на 1 кОм.
Первым делом мастер знакомит читателей с цоколёвкой транзистора 13002:
Затем он, как и положено при сборке из двух транзисторов одного составного, соединяет эмиттер первого транзистора с базой второго. Хорошо, они как раз расположены рядом.
Впаивает резистор смещения между коллектором и базой первого транзистора. Благодаря ему оба транзистора будут работать в линейном режиме.
Подключает к базе первого транзистора плюсовой вывод конденсатора:
Соединяет коллекторы обоих транзисторов перемычкой:
Подключает сигнальный кабель: общий провод припаивает к эмиттеру второго транзистора, а выход любого из стереоканалов — к минусовому выводу конденсатора:
Один вывод динамической головки соединяет с плюсом питания, второй — с соединёнными вместе коллекторами обоих транзистора. Минус питания подаёт на эмиттер второго транзистора.
Усилитель готов к работе. Если не добавлять к нему регулятор громкости, источник сигнала придётся взять такой, в котором соответствующий регулятор имеется. И можно слушать.
Собрав второй такой же усилитель и подав на него сигнал с другого стереоканала, вы получите стереофонический эффект.
Источник (Source) Становитесь автором сайта, публикуйте собственные статьи, описания самоделок с оплатой за текст. Подробнее здесь.
Схемы зарядных устройств для сотовых телефонов.
Схемы зарядных устройств для сотовых телефонов.На первую страницу
Простой сотовый зарядник с 2 цветным индикатором
Это зарядное устройство модели INTELLECT STANDART CHARGER (популярно на рынке!) применяется для зарядки аккумуляторов сотовых телефонов. Особенность: индикатор на 2 цветном светодиоде горящий КРАСНЫМ=»RED»> при зарядке (ток потребления > 200 мА) И ЗЕЛЕНЫМ =GREEN> при МЕНЬШЕМ ТОКЕ, что говорит о конце основного (быстрого) заряда; дозаряд малым током 10-70 МА или предзаряд (если АКБ разряжена ниже 3в) ПРИ ЭТОМ ИДЕТ!!!
Внимание! В процессе заряда многих сотиков, использующий импульсный тип подзаряда светодиод может мигать КРАСНЫЙ/ЗЕЛЕНЫЙ с преобладанием того или другого. В основе этого метода заряд АКБ тела током 0,3-0,8 Q (Q-емкость АКБ) в течение импульса 0,1-30сек. (обычно ток 300-700ма) и контроль напряжения в паузе — при этом проц. тела производит в паузе замеры напряжения с помощью АЦП и сравнивает его с порогами калибровки заданными в прошивке или EEPROM. При достижении порога меняется режим заряда – или скважность импульсов заряда, или переход на непрерывный заряд (дозаряд, предзаряд) малым током (при этом контроль тока заряда проц. не ведет — ток задает микросхема зарядки). Также проц. тела другим АЦП непрерывно проверяет температуру АКБ встроенным в него терморезистором (диодом), при превышении температуры переходит на заряд малым током (или делает блокировку заряда), — при этом на LCD тела выдается предупреждение о перегреве АКБ! это же АЦП и проверяет родной/левый АКБ вставлен (датчики разных фирм — разные) для левого блокируется быстрый заряд!
В данном случае вариант для телефона Panasonic GD87. на другие модели тел этот зарядник отличается разъемом и выходным напряжением. Выполнен он на основе 1- тактного обратноходового инвертора (импульсного блока питания). Выходное напряжение 4.8 — 9 вольта, максимальный ток 400-600 мА. — (в зависимости от модели телефона)
Схемотехника их одинакова в пределах ВСЕЙ ПАРТИИ, отличия в номиналах ряда деталей R5,R2,R4 VD4!,а также в наличие цепей оптронной обратной связи (U1 R11,R12,VD5) на плате есть под них дырки.
Вариант с оптроном обеспечивает очень хорошую стабильность напряжения, оно задается {R11,R12,VD5) вплоть до срабатывания защиты по току (R5)- такие стоят в фирмовых зарядках и китайских для тел которые умирают от повышенного напряжения (SE, LG). Схема срисована с печатной платы, так что все претензии к китайцам.
|
Внешний вид |
плата низ |
Плата верх |
Схема |
Простой сотовый зарядник
Это зарядное устройство модели AS1016 (4.8-8.5v/600ma) также применяется для зарядки аккумуляторов сотовых телефонов. Особенность: индикатор на светодиоде всегда горящий КРАСНЫМ при наличии сетевого питания. Схемотехника и внешний вид их мало отличается от других зарядок сотиков , отличие в номиналах ряда деталей ,а также отсутствие транзистора в цепи ограничения тока ключа-при этом коммутация транзистора в режиме ограничения тока происходит не по базе а по коллектору из-за резкого роста тока коллектора при насыщении сердечника трансформатора (выброс Ik= 2-4а!), в режиме стабилизации напряжения ШИМ работает за счет изменения точки отсечки ключа, при изменении отрицателного смещения на базеключа-подачей его туда через стабилитрон с базовой обмотки трансформатора (еще одной плохой стороной такого «стабилизатора» является заход транзистора в линейную область в момент его закрывания, в результате дешевые MPJ13001-13003 выходят из ОБР в момент запуска и перегруза выхода по току)-результат-крайне низкая крутизна регулировки и стабильность выходного напряжния (замена типа стабилитрона меняет вых. напряжение незначительно-и приходится китайцам применять разные трансы!-экономия транзистора выходит боком! )- поэтому зона работы ШИМ-стабилизации очень узкая -с одной стороны при холостом ходе инвертор начинает давать прерывистую генерацию-при большом сопротивлении демпфера и отсутствии баластного резистора на выходе -транзистор выбивает по напряжению ,а при длительной работе с непрерывным током нагрузки более 400ма или при КЗ выхода из-за отсутствия ограничения тока транзистор выходит из ОБР по току колектора и по динамической мощности-быстрый разогрев 1-10 минут и тепловой пробой. Надежна лишь работа с 13005 и подобными,но они намного дороже 13001-13003, которые надежно работали в зарядках с ограничением тока ключа, да и стабилность там могла быть очень хорошей, за счет того ,что менялся ток, при котором закрывался ключ-т.е. имело место предрегулирование-изменение сети не влияло на выход-ведь энергия запасенная при прямом ходе в трансе зависит только от амплитуды тока намагничивания, кроме того в 2-3 транзисторных зарядках транс в насыщение не входит -и имелся запас на регулировку путем подбора стабилитрона -здесь это малоэффективно-обмотку базы нельзя сделать высоковольтной-наружится режим автогенерации и транзистор будет перегружен еще и по Uбэо… Кроме того кое где из жадности не впаян кондер фильтр по 310в., а вся фильтрация задана выходным 220мкф25в-там пульсации ужасные просто…
|
Схема |
я категорически не советую использовать такие зарядки при малой нагрузке (выбросы до 15-18в могут убить тело), а долго оставлять их в розетке -ПОЖАРООПАСНО
да и для самоделок КАТЕГОРИЧЕСКИ НЕ РЕКОМЕНДУЮ(по крайней мере без переделки схемы включающей и трансформатор)
Примечание
из сотовых зарядок с успехом можно сделать питальники на 3-12в и током до 1а для радиолюбительских целей ,они с успехом заменят обычные китайские адаптеры с 50гц трансом и мостиком -при этом меньше габариты, вес и лучше стабильность напряжения -для этого они требуют небольших доработок (речь о 2-3-транзисторных зарядках).Замена стабилитрона позволяет менять Выходное напряжение 4 — 10 вольта, при максимальном токе 400-700 мА, для больших пределов нужно перемотать транс! увеличить ток можно заменив выходной диод+кондер и поставив силовой ключ на радиатор,снизить пульсации можно заменив 1 диодный сетевой выпрямитель мостом 1а 700в ,а фильтр по 310в на максимально возможный (какой влезет) 10-47мкф 400в
Автономный автоматический зарядникЭто зарядное устройство модели WLW-888 применяется для зарядки аккумуляторов сотовых телефонов АВТОНОМНО. Особенность: индикаторы на 3х светодиодах 1″TEST»(R)-питание (контроль полярности) позволяет выбрать переключателем правилную!!,2″CH»(G)МИГАЕТ — заряд или предзаряд (если АКБ разряжена ниже 2 в) ПРИ ЭТОМ ИДЕТ!!! ,3 «OK»(G)- говорит о конце основного заряда. В данном случае вариант для телефона с Li-ion, LiPol, NiMh (3эл.) этот зарядник отличается дополнительным разъемом (для АКБ со шлейфом) и выходным напряжением 3.6-4.2. Выполнен он на основе 1- тактного обратноходовогоинвертора (импульсного блока питания). Выходное напряжение отключения заряда=4.2 вольта, средний ток заряда 150+-70 мА.
В основе использованного здесь метода — заряд АКБ тела током 0,1-0,5 Q (Q-емкость АКБ) в течение импульса 0,5-3 сек. (ток 250ма) и контроль напряжения в паузе — при этом специализированный контроллер DA1 типа AE3102 производит в паузе сравнение напряжения АКБ с помощью встроенного компаратора и сравнивает его с образцовыми. При достижении порога меняется режим заряда – скважность импульсов заряда, или переход на непрерывный дозаряд малым током (при этом контроль тока заряда DA1. не ведет — ток задает R8, если он установлен*). В таком режиме ток дозаряда равен нескольким мА и не вызовет перезаряда в таком режиме от АКБ питается LED3 R7 и делитель компаратора R11/R12 (выполненный на прецизионных резисторах), поэтому при отсутствие R8 АКБ постепенно разрядится и контроллер DA1 вновь включит подзаряд, напряжение отключения заряда 4,2 +-0,05в, гистерезис около 0,02. Особенность схемотехники – отсутствие конденсатора фильтра по 310в –видимо из экономии, а возможно из-за отсутствии низких конденсаторов на 350-450в (при этом возросли помехи от инвертора в сеть). Схема срисована с печатной платы, так что все претензии к китайцам.(на фото верхний прижим с пружинными контактами снят-на мой взгляд он требует доработки)
|
Внешний вид |
Плата |
Схема |
Все права на материалы и дизайн сайта Глушков С .А.
Ссылки на сайты Serg Hard Unlimited при использовании материала – обязательны
Мои домены .SHU. и .serghard. на разных бесплатных хостах по ряду причин могут быть не доступны
или кем-то перезахвачены, поэтому пока я на www.serghard.narod.ru дальше видно будет
Copyright Serg Hard Unlimited 2000-2005
Замена транзистора дарлингтона полевыми транзисторами
Автор На чтение 21 мин. Просмотров 1 Опубликовано
Содержание справочника транзисторов
Параметры полевых транзисторов n-канальных.Параметры полевых транзисторов p-канальных.Добавитьописание полевого транзистора.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.Добавитьописание биполярного транзистора.
Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).Добавитьописание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск транзистора по маркировке.Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.Поиск полевого транзистора по основным параметрам.Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Типоразмеры корпусов транзисторов.Магазины электронных компонентов.
«Квантовые материалы комнатной температуры»
Кроме того, МЭСО может использоваться одновременно и для обработки, и для хранения данных — в каждый элемент можно записать по крайней мере 1 бит информации. Дело в том, что МЭСО изготавливаются из так называемого мультиферроика — соединения висмута, железа и кислорода (BiFeO3). Этот материал был впервые создан в 2001 г. Рамаморти Рамешем (Ramamoorthy Ramesh), профессором математики и инженерии Калифорнийского университета в Беркли и главным автором статьи в Nature.
Мультиферроик имеет два состояния — магнитное и ферроэлектрическое — которые связаны друг с другом. Меняя электрическое поле, можно изменить магнитное состояние. Таким образом, в качестве 0 и 1 здесь выступает восходящее и нисходящее направление намагниченности, которая меняется за счет манипуляций с полем.
Главным прорывом в создании МЭСО стало появление топологических материалов со спин-орбитальным эффектом, который позволяет эффективно считывать состояние мультиферроика. В МЭСО электрическое поле изменяет дипольное электрическое поле по всему материалу, что в свою очередь изменяет электронные спины, которые генерируют магнитное поле. Эта способность исходит из спин-орбитальной связи, квантового эффекта в материалах, который вырабатывает ток, определяемый направлением вращения электрона.
«МЭСО — это элемент, сделанный из квантовых материалов комнатной температуры», — поясняет Сасикант Манипатруни (Sasikanth Manipatruni), старший научный сотрудник и директор Научно-технологического центра Intel по интеграции и производству функциональной электроники.
- Короткая ссылка
- Распечатать
Транзисторы КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г.
Транзисторы КТ817, — кремниевые, универсальные, мощные низкочастотные, структуры — n-p-n. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, преобразователях и импульсных схемах. Корпус пластмассовый, с гибкими выводами. Масса — около 0,7 г. Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса, может быть двух типов.
Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и некодированная — в две. Первый знак в кодированной маркировке КТ817 цифра 7, второй знак — буква, означающая класс. Два следующих знака, означают месяц и год выпуска. В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке. На рисунке ниже — цоколевка и маркировка КТ817.
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока у транзисторов КТ817А, КТ817Б, КТ817В — 20. У транзистора КТ817Г — 15.
Граничная частота коэффициента передачи тока — 3 МГц.
Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. У транзистора КТ817А — 25в. У транзисторовКТ817Б — 45в. У транзистора КТ817В — 60в. У транзистора КТ817Г — 80в.
Максимальный ток коллектора. — 3А. Рассеиваемая мощность коллектора — 1 Вт, без теплоотвода, 25 Вт — с теплоотводом.
Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 3А, а базы 0,3А — не более 1,5в.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 3А, а базы 0,3А — не более 0,6в.
Обратный ток коллектора у транзисторов КТ817А при напряжении коллектор-база 25в, транзисторов КТ817Б при напряжении коллектор-база 45в, транзисторов КТ817В при напряжении коллектор-база 60в, транзисторов КТ817Г при напряжении коллектор-база 100 в — 100мкА.
Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в, на частоте 1МГц — не более — 60 пФ.
Емкость эмиттерного перехода при напряжении эмиттер-база 0,5 в — 115 пФ.
Комплиментарный (аналогичный по параметрам, но противоположной проводимости)транзистор — КТ816.
Транзисторы — купить… или найти бесплатно.
Где сейчас можно найти советские транзисторы? В основном здесь два варианта — либо купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.
Во время промышленного коллапса начала 90-х, образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки — можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».
Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — сломанные телевизоры, магнитофоны, приемники и.
Маркировка
Цифры “13001” на корпусе дают общее представление об этом полупроводниковом устройстве. Многие производители маркируют так свои изделия из-за отсутствия места на корпусе ТО-92, не указывая при этом префикс в начале. В статье приведены технические характеристики устройств малоизвестных в России производителей DGNJDZ, Semtech Electronics, YFWDIODE. Указанные производители в своих даташитах не указывают дополнительных символов маркировки. Без дополнительных обозначений маркирует свой транзистор TS13001 тайваньская компания TSMC. Первые две литеры “TS” являются аббревиатурой первых двух слов в полном названии компании Taiwan Semiconductor Manufacturing Company. В тоже время, на рыке достаточно широко представлены транзисторы mje13001, которые тоже промаркированы цифрами 13001. SHENZHEN JTD ELECTRONICS и многие другие производители применяют s13001 s8d при маркировке своих девайсов. Встречаются и другие префиксы, не рассмотренные в статье. Многие продавцы не заморачиваясь с маркировкой в наименовании товара, указывают все возможные его типы вместе с датой производства.
Подбор MOSFET или аналога (замены)
Результаты подбора MOSFET (поиска аналога)
| Тип | Code | Pol | Struct | Pd | Uds | Ugs | Ugs(th) | Id | Tj | Qg | Tr | Cd | Rds | Caps |
| 2SK3562 | K3562 | N | MOSFET | 40 | 600 | 30 | 4 | 6 | 150 | 28 | 20 | 110 | 1.25 | TO220SIS |
| 2SK3567 | K3567 | N | MOSFET | 35 | 600 | 30 | 4 | 3.5 | 150 | 16 | 12 | 60 | 2.2 | TO220SIS |
| 2SK3569 | K3569 | N | MOSFET | 45 | 600 | 30 | 4 | 10 | 150 | 42 | 22 | 180 | 0.75 | TO220SIS |
| 2SK3667 | N | MOSFET | 45 | 600 | 30 | 7.5 | 150 | 33 | 20 | 120 | 1 | TO220SIS | ||
| 2SK3797 | N | MOSFET | 50 | 600 | 30 | 13 | 150 | 62 | 60 | 270 | 0.43 | TO220SIS | ||
| 2SK3799 | K3799 | N | MOSFET | 50 | 900 | 30 | 4 | 8 | 150 | 60 | 25 | 190 | 1.3 | TO220SIS |
| 2SK3947 | N | MOSFET | 40 | 600 | 30 | 6 | 150 | 28 | 20 | 110 | 1.4 | TO220SIS | ||
| 2SK4013 | K4013 | N | MOSFET | 45 | 800 | 30 | 4 | 6 | 150 | 45 | 25 | 130 | 1.7 | TO220SIS |
| 2SK4014 | K4014 | N | MOSFET | 45 | 900 | 30 | 4 | 6 | 150 | 45 | 25 | 130 | 2 | TO220SIS |
| 2SK4015 | N | MOSFET | 45 | 600 | 30 | 10 | 150 | 42 | 22 | 180 | 0.86 | TO220SIS | ||
| 2SK4016 | N | MOSFET | 50 | 600 | 30 | 4 | 13 | 150 | 62 | 60 | 270 | 0.5 | TO220SIS | |
| TK10A60D | K10A60D | N | MOSFET | 45 | 600 | 30 | 4 | 10 | 150 | 25 | 22 | 135 | 0.75 | TO220SIS |
| TK10A80E | N | MOSFET | 50 | 800 | 30 | 4 | 10 | 150 | 46 | 40 | 150 | 1 | TO220SIS | |
| TK11A60D | K11A60D | N | MOSFET | 45 | 600 | 30 | 4 | 11 | 150 | 28 | 25 | 165 | 0.65 | TO220SIS |
| TK11A65D | K11A65D | N | MOSFET | 45 | 650 | 30 | 4 | 11 | 150 | 30 | 30 | 157 | 0.7 | TO220SIS |
| TK11A65W | N | MOSFET | 35 | 650 | 30 | 3.5 | 11.1 | 150 | 25 | 23 | 23 | 0.39 | TO220SIS | |
| TK12A60D | K12A60D | N | MOSFET | 45 | 600 | 30 | 4 | 12 | 150 | 38 | 40 | 190 | 0.55 | TO220SIS |
| TK12A60W | N | MOSFET | 35 | 600 | 30 | 3.7 | 11.5 | 150 | 25 | 23 | 23 | 0.3 | TO220SIS | |
| TK12A65D | K12A65D | N | MOSFET | 50 | 650 | 30 | 4 | 12 | 150 | 40 | 35 | 200 | 0.54 | TO220SIS |
| TK13A60D | K13A60D | N | MOSFET | 50 | 600 | 30 | 4 | 13 | 150 | 40 | 50 | 250 | 0.43 | TO220SIS |
| TK13A65D | K13A65D | N | MOSFET | 50 | 650 | 30 | 4 | 13 | 150 | 45 | 50 | 280 | 0.47 | TO220SIS |
| TK14A65W | N | MOSFET | 40 | 650 | 30 | 3.5 | 13.7 | 150 | 35 | 20 | 35 | 0.25 | TO220SIS | |
| TK15A60D | K15A60D | N | MOSFET | 50 | 600 | 30 | 4 | 15 | 150 | 45 | 50 | 280 | 0.37 | TO220SIS |
| TK16A60W | N | MOSFET | 40 | 600 | 30 | 3.7 | 15.8 | 150 | 38 | 25 | 35 | 0.19 | TO220SIS | |
| TK18A60V | K18A60V | N | MOSFET | 45 | 600 | 30 | 3.5 | 18 | 150 | 39 | 40 | 40 | 0.19 | TO220SIS |
| TK20A60T | K20A60T | N | MOSFET | 45 | 600 | 30 | 20 | 150 | 30 | 40 | 3800 | 0.19 | TO220SIS | |
| TK20A60W | N | MOSFET | 45 | 600 | 30 | 3.7 | 20 | 150 | 48 | 25 | 40 | 0.155 | TO220SIS | |
| TK25A60X | N | MOSFET | 45 | 600 | 30 | 3.5 | 25 | 150 | 40 | 15 | 60 | 0.125 | TO220SIS | |
| TK28A65W | N | MOSFET | 45 | 650 | 30 | 3.5 | 27.6 | 150 | 75 | 25 | 70 | 0.11 | TO220SIS | |
| TK31A60W | N | MOSFET | 45 | 600 | 30 | 3.7 | 30.8 | 150 | 86 | 32 | 70 | 0.088 | TO220SIS | |
| TK35A65W | N | MOSFET | 50 | 650 | 30 | 3.5 | 35 | 150 | 100 | 30 | 90 | 0.08 | TO220SIS | |
| TK39A60W | N | MOSFET | 50 | 600 | 30 | 3.7 | 38.8 | 150 | 110 | 50 | 90 | 0.065 | TO220SIS | |
| TK4A60D | K4A60D | N | MOSFET | 35 | 600 | 30 | 4.4 | 4 | 150 | 12 | 18 | 70 | 1.7 | TO220SIS |
| TK4A60DA | K4A60DA | N | MOSFET | 35 | 600 | 30 | 4.4 | 3.5 | 150 | 11 | 18 | 55 | 2.2 | TO220SIS |
| TK4A60DB | K4A60DB | N | MOSFET | 35 | 600 | 30 | 4.4 | 3.7 | 150 | 11 | 18 | 60 | 2 | TO220SIS |
| TK4A65DA | K4A65DA | N | MOSFET | 35 | 650 | 30 | 4.4 | 3.5 | 150 | 12 | 18 | 70 | 1.9 | TO220SIS |
| TK5A60D | K5A60D | N | MOSFET | 35 | 600 | 30 | 4.4 | 5 | 150 | 16 | 20 | 80 | 1.43 | TO220SIS |
| TK5A65D | K5A65D | N | MOSFET | 40 | 650 | 30 | 4 | 5 | 150 | 16 | 20 | 100 | 1.43 | TO220SIS |
| TK5A65DA | K5A65DA | N | MOSFET | 35 | 650 | 30 | 4.4 | 4.5 | 150 | 16 | 20 | 70 | 1.67 | TO220SIS |
| TK6A60D | K6A60D | N | MOSFET | 40 | 600 | 30 | 4 | 6 | 150 | 16 | 20 | 100 | 1.25 | TO220SIS |
| TK6A65D | K6A65D | N | MOSFET | 45 | 650 | 30 | 4 | 6 | 150 | 20 | 25 | 100 | 1.11 | TO220SIS |
| TK6A80E | N | MOSFET | 45 | 800 | 30 | 4 | 6 | 150 | 32 | 20 | 110 | 1.7 | TO220SIS | |
| TK7A65D | K7A65D | N | MOSFET | 45 | 650 | 30 | 4 | 7 | 150 | 24 | 25 | 120 | 0.98 | TO220SIS |
| TK7A90E | N | MOSFET | 45 | 900 | 30 | 4 | 7 | 150 | 32 | 20 | 110 | 2 | TO220SIS | |
| TK8A60DA | K8A60DA | N | MOSFET | 45 | 600 | 30 | 4 | 7.5 | 150 | 20 | 25 | 100 | 1 | TO220SIS |
| TK8A65D | K8A65D | N | MOSFET | 45 | 650 | 30 | 4 | 8 | 150 | 25 | 22 | 135 | 0.84 | TO220SIS |
| TK9A60D | K9A60D | N | MOSFET | 45 | 600 | 30 | 4 | 9 | 150 | 24 | 25 | 120 | 0.83 | TO220SIS |
| TK9A90E | N | MOSFET | 50 | 900 | 30 | 4 | 9 | 150 | 46 | 40 | 150 | 1.3 | TO220SIS |
Всего результатов: 48
Какими же транзисторами можно заменить?
Для начала разберем биполярные транзисторы, самые распространенные
Главное, что важно знать о них:
- первым делом необходимо выяснить, каково максимальное его напряжение;
- после чего нужно проверить, как обстоят дела с током коллектора;
- затем выяснение, насколько рассеиваема мощность, и какова частота;
- ну и, наконец, то как передается ток.
Вначале, конечно же, нужно начать с оценивания характеристики в общем. Самыми главными и первыми шагами будут: выяснение частоты и быстроты. Будет очень хорошо, если частоты будут отличаться, то есть рабочая будет меньше, чем граничная частота. Так все функционировать будет лучше.
Ну а если же будет наоборот, и рабочая с граничной будут практически на одной частоте, то в таком случае необходимо будет невероятно большое количество энергии, так как коэффициент передачи по току будет иметь свою определенную цель, он будет идти к 1. Поэтому необходимо, чтобы граничная частота того аналога, которого вы подбираете, была равна частоте этого предмета, который был прежде. Но можно сделать и так, чтобы частота была больше.
Далее обязательно обратить свое внимание на мощность. То есть нужно выяснить максимальный ток коллектора и напряжение коллектора-эмиттера
Максимальный ток коллектора обязан быть намного выше тока данного прибора. С напряжением же все, наоборот, у рабочего прибора должно оно быть выше.
Смотрите видео о том, чем заменить советские радиодетали.
Чем заменить советские радиодетали
Если же вы используете даташит для поиска аналога, то, конечно же, важно понимать, что все показатели аналога должны соответствовать прежнему прибору, хорошо было бы, даже если превосходили бы. К примеру, если же случилась неполадка с транзистором, а напряжение коллектор-эмиттер было около 80 вольт, а ток 10 ампер, то соответственно по данным должен составлять 15 ампер по току, а по напряжению около 230 вольт
И этот аналог пойдет для замены полностью
К примеру, если же случилась неполадка с транзистором, а напряжение коллектор-эмиттер было около 80 вольт, а ток 10 ампер, то соответственно по данным должен составлять 15 ампер по току, а по напряжению около 230 вольт. И этот аналог пойдет для замены полностью.
К примеру, очень часто 2N3055 заменяется на КТ819ГМ, и эти полупроводниковые компоненты спокойно могут друг друга заменять. Если говорить о схожести данных усилителей, то оба они считаются идеальной заменой друг друга и выйдут довольно эффективными, и они не принесут особых проблем.
КАК ПОДОБРАТЬ ТРАНЗИСТОР ДЛЯ УСИЛИТЕЛЯ
Для простых каскадных усилителей очень важно подобрать транзисторы с максимальным коэффициентом усиления (КУ). Известно, что характеристики транзисторов легко узнать в мануале, но даже там вы увидите огромный разброс параметров усилительных свойств транзисторов одно марки и серии.Иногда так и получается — установив указанные в нарисованной схеме детали , на практике при включении ничего должным образом не работает.Разброс параметров транзисторов настолько большой, что ПРОВЕРКА перед пайкой крайне необходима
Известно, что характеристики транзисторов легко узнать в мануале, но даже там вы увидите огромный разброс параметров усилительных свойств транзисторов одно марки и серии.Иногда так и получается — установив указанные в нарисованной схеме детали , на практике при включении ничего должным образом не работает.Разброс параметров транзисторов настолько большой, что ПРОВЕРКА перед пайкой крайне необходима.
Говоря о Коэффициенте Усиления надо оговориться , что у простого Биполярного транзистора их несколько — и по току и по напряжению и даже комплексный по мощности зависимый от ряда параметров схемы применения.
В частном случае Коэффициент усиления транзистора (по току, мощности или напряжению) – отношение изменения соответствующего показателя в цепи коллектора и в цепи базы.️ Коэффициент усиления транзистора по току Для схем с общей базой этот коэффициент обозначается буквой α (hfБ или h31Б), с общим эмиттером буквой β (hfЭ или h31Э).️ Коэффициент усиления по току (или, как еще указывается в литературе, коэффициент передачи тока) в первом случае (α) есть отношение силы тока в коллекторе (Iк) к силе тока эмиттера (Iэ) при неизменном напряжении в части коллектор-база: α = IК / IЭ, при UК-Б = const
Коэффициент усиления триода по мощности Это величина отношения выходной мощности (P2) к мощности, подаваемой на вход триода (P1): КР = Р2 / Р1Коэффициент усиления транзистора по мощности можно также определить произведением коэффициента усиления по току (КI) и коэффициента усиления по напряжению (KU): КР = КI * KU
Для расчета этих параметров достаточно собрать простенькую схему и провести измерения величин тока в цепях базы и коллектора.
На кухонном столе такая установка выглядит вот так.
С помощью простого расчеты мы легко сможем определить самый подходящий для нашего усилителя транзистор из имеющихся в наличии.
Удивил меня факт того, что транзистор регулярно используемый в усилителях КТ803А оказался далеко не лидером по КУ среди транзисторов изъятых из блоков питания и лампочек экономок.Его КУ равный 10 никак не соперничает с КУ транзистора 13003 равным 20.
А вот германиевые транзисторы П210А меня порадовали Коэффициентом усиления переваливающим за 200.
✅ КАК ПОДОБРАТЬ ТРАНЗИСТОР ДЛЯ УСИЛИТЕЛЯ ✔️ Что есть КУ ?
Источник
Особенности элемента
Преимуществом МЭСО является то, что напряжение, необходимое для его переключения, в пять раз ниже напряжения при переключении КМОП. Проведенные эксперименты показали, что для переключения достаточно 500 мВ, но ученые подсчитали, что это значение можно довести до 100 мВ.
В результате процессоры на МЭСО будут потреблять в 10-30 раз меньше энергии по сравнению с чипами на транзисторах, плюс будут сверхэкономными в спящем режиме. В перспективе можно говорить о повышении энергоэффективности в 10-100 раз по сравнению с тем, чего в будущем можно добиться от КМОП.
МЭСО изготавливаются из так называемого мультиферроика — соединения висмута, железа и кислорода (BiFeO3)Ученые сообщают, что МЭСО может вместить в пять раз больше логических операций на том же пространстве по сравнению с КМОП.
П О П У Л Я Р Н О Е:
Графический редактор — Tux Paint — простая бесплатная программа для рисования. Программа предназначена для детей и имеет простую понятную панель инструментов, веселое озвучивание команд, рисованный пингвин-помощник, который поможет детям своими подсказками 🙂
Хоть и Tux Paint простая программка, но в ней есть множество различных инструментов для рисования: набор разных кистей и штампов для рисования, формы и линии, заливка и размытие, волны и вздутие, рельсы и цветочки, зеркало и многое другое.
Прибор для проверки коэффициента усиления мощных и маломощных транзисторов своими руками
Хотя сейчас много в продаже различных приборов и мультиметров, измеряющих коэффициент усиления транзисторов, но любителям что-нибудь мастерить и паять можно порекомендовать несколько несложных схем и доработку.
Данный прибор для проверки транзисторов позволяет точно замерять ряд следующих параметров…
Цена: $5.37 за 10 комплектов
Перейти в магазин
Здравствуйте. Обзор модуля для регулировки электрической мощности с примерами применения. Купил я этот набор для изменения на мощности паяльнике. Раньше я делал подобное устройство, но для паяльника тот диммер чересчур большой, как по размерам, так и по мощности и приходится располагать его в отдельной коробке. И вот на глаза попался сабж, который можно встроить в сетевую вилку, не любую правда, но найти можно.
Размер печатной платы: 2*3.3 см Номинальная мощность: p = UI; 100 Вт = 220 В * 0.45а Модель: 100 Вт модуль диммера; Номинальная мощность: 100 Вт;
Печатная плата x1 шт Потенциометр с выключателем Wh249-500k x1 Потенциометра рукоятка x1 Динистор DB3 x1 Сопротивление 2 К, 0.25 Вт x1 Симистор MAC97A6 x1 Конденсатор 0,1 мкФ 630 В CBB x1
Размеры платы 30х20мм. В глубину от выступающих контактов регулятора до резьбы 17 мм. Посадочное отверстие 9,2 мм. Диаметр резьбы 6,8 мм.
Заказал лот из десяти наборов. Каждый набор помещен в полиэтиленовый пакет.
Деталей немного. Переменный резистор со встроенным выключателем. Принципиальная схема вроде этой, только номиналы другие. Модуль можно спаять за несколько минут. Провода слишком толстые и не дают переменнику полностью встать на свое место. Поэтому припаивать их надо в последнюю очередь, если они нужны, конечно.Теперь нужно подобрать вилку. Ничего лучшего, чем корпус от зарядки нокия я не нашел. Корпус скреплен винтами, правда с хитрым шлицем, но можно открутить обычной плоской отверткой. Вытаскиваю внутренности, делаю отверстие в крышке. Все, прибор готов. Ручка регулятора имеет такую же фактуру и цвет как и корпус и не создает впечатление инородного тела.Осталось подсоединить нагрузку — паяльник.
Лужу пружинные контакты от зарядки с помощью кислоты.
И соединяю провод паяльника с диммером и контактами.
И все это помещаю внутрь корпуса зарядки. Провод в корпусе дополнительно фиксировать не стал, влез довольно плотно. Теперь осталось отрегулировать температуру. Хоть паяльник и на 25 ватт, но раскочегаривается до 350 градусов.Вращением регулятора добиваюсь, чтобы на жале было 270 С и переставляю ручку регулятора указателем на винт, чтобы проще было потом ориентироваться. В это время паяльник потребляет 16,5 ватт.
Видео, демонстрирующее регулировку мощности.DSCN4510
Ради эксперимента поставил сабж в вентилятор.
Но здесь регулировку оборотов безболезненно можно делать лишь в небольших пределах. При достаточном снижении оборотов — обмотки двигателя начинают гудеть, перегреваться и рано или поздно, скорее рано, при такой эксплуатации двигатель может сгореть Ну и универсальный регулятор, к которому можно подключить и паяльник, и лампу и вентилятор. Корпус взял от от блока питания от дект телефона. Блок питания самый простой — только понижающий трансформатор, на выходе переменный ток. Поэтому разобрал его без сожаления. Корпус расколол на 2 части по шву легкими постукиванием молотка по ножу. Приятный сюрприз- вилка вывинчивается, что облегчает процесс самоделания. Конечно, необходимо немного попилить. Необходимые детали уложились в корпус довольно компактно. Соединяю вилку и розетку проводами. Все это помещаю в корпус, где уже установлен диммер. Провода на фото припаяны неправильно, по невнимательности. Ток при такой распайке идет напрямую через конденсатор и диммер естественно не работает. А я то подумал — брак положили. Перепаял провода, как положено, на контакты подписанные «220V».Готовое изделие. Применяю диммер по прямому назначению — лампу накаливания можно душевно затемнить. Во время эксплуатации, какого то чрезмерного нагрева прибора не обнаружил, но использовал я сабж на мощность ниже номинальной.На этом все
Спасибо за внимание
Результаты подбора MOSFET (поиска аналога)
| Тип | Code | Pol | Struct | Pd | Uds | Ugs | Ugs(th) | Id | Tj | Qg | Tr | Cd | Rds | Caps |
| 2SK3562 | K3562 | N | MOSFET | 40 | 600 | 30 | 4 | 6 | 150 | 28 | 20 | 110 | 1.25 | TO220SIS |
| 2SK3567 | K3567 | N | MOSFET | 35 | 600 | 30 | 4 | 3.5 | 150 | 16 | 12 | 60 | 2.2 | TO220SIS |
| 2SK3569 | K3569 | N | MOSFET | 45 | 600 | 30 | 4 | 10 | 150 | 42 | 22 | 180 | 0.75 | TO220SIS |
| 2SK3667 | N | MOSFET | 45 | 600 | 30 | 7.5 | 150 | 33 | 20 | 120 | 1 | TO220SIS | ||
| 2SK3797 | N | MOSFET | 50 | 600 | 30 | 13 | 150 | 62 | 60 | 270 | 0.43 | TO220SIS | ||
| 2SK3799 | K3799 | N | MOSFET | 50 | 900 | 30 | 4 | 8 | 150 | 60 | 25 | 190 | 1.3 | TO220SIS |
| 2SK3947 | N | MOSFET | 40 | 600 | 30 | 6 | 150 | 28 | 20 | 110 | 1.4 | TO220SIS | ||
| 2SK4013 | K4013 | N | MOSFET | 45 | 800 | 30 | 4 | 6 | 150 | 45 | 25 | 130 | 1.7 | TO220SIS |
| 2SK4014 | K4014 | N | MOSFET | 45 | 900 | 30 | 4 | 6 | 150 | 45 | 25 | 130 | 2 | TO220SIS |
| 2SK4015 | N | MOSFET | 45 | 600 | 30 | 10 | 150 | 42 | 22 | 180 | 0.86 | TO220SIS | ||
| 2SK4016 | N | MOSFET | 50 | 600 | 30 | 4 | 13 | 150 | 62 | 60 | 270 | 0.5 | TO220SIS | |
| TK10A60D | K10A60D | N | MOSFET | 45 | 600 | 30 | 4 | 10 | 150 | 25 | 22 | 135 | 0.75 | TO220SIS |
| TK10A80E | N | MOSFET | 50 | 800 | 30 | 4 | 10 | 150 | 46 | 40 | 150 | 1 | TO220SIS | |
| TK11A60D | K11A60D | N | MOSFET | 45 | 600 | 30 | 4 | 11 | 150 | 28 | 25 | 165 | 0.65 | TO220SIS |
| TK11A65D | K11A65D | N | MOSFET | 45 | 650 | 30 | 4 | 11 | 150 | 30 | 30 | 157 | 0.7 | TO220SIS |
| TK11A65W | N | MOSFET | 35 | 650 | 30 | 3.5 | 11.1 | 150 | 25 | 23 | 23 | 0.39 | TO220SIS | |
| TK12A60D | K12A60D | N | MOSFET | 45 | 600 | 30 | 4 | 12 | 150 | 38 | 40 | 190 | 0.55 | TO220SIS |
| TK12A60W | N | MOSFET | 35 | 600 | 30 | 3.7 | 11.5 | 150 | 25 | 23 | 23 | 0.3 | TO220SIS | |
| TK12A65D | K12A65D | N | MOSFET | 50 | 650 | 30 | 4 | 12 | 150 | 40 | 35 | 200 | 0.54 | TO220SIS |
| TK13A60D | K13A60D | N | MOSFET | 50 | 600 | 30 | 4 | 13 | 150 | 40 | 50 | 250 | 0.43 | TO220SIS |
| TK13A65D | K13A65D | N | MOSFET | 50 | 650 | 30 | 4 | 13 | 150 | 45 | 50 | 280 | 0.47 | TO220SIS |
| TK14A65W | N | MOSFET | 40 | 650 | 30 | 3.5 | 13.7 | 150 | 35 | 20 | 35 | 0.25 | TO220SIS | |
| TK15A60D | K15A60D | N | MOSFET | 50 | 600 | 30 | 4 | 15 | 150 | 45 | 50 | 280 | 0.37 | TO220SIS |
| TK16A60W | N | MOSFET | 40 | 600 | 30 | 3.7 | 15.8 | 150 | 38 | 25 | 35 | 0.19 | TO220SIS | |
| TK18A60V | K18A60V | N | MOSFET | 45 | 600 | 30 | 3.5 | 18 | 150 | 39 | 40 | 40 | 0.19 | TO220SIS |
| TK20A60T | K20A60T | N | MOSFET | 45 | 600 | 30 | 20 | 150 | 30 | 40 | 3800 | 0.19 | TO220SIS | |
| TK20A60W | N | MOSFET | 45 | 600 | 30 | 3.7 | 20 | 150 | 48 | 25 | 40 | 0.155 | TO220SIS | |
| TK25A60X | N | MOSFET | 45 | 600 | 30 | 3.5 | 25 | 150 | 40 | 15 | 60 | 0.125 | TO220SIS | |
| TK28A65W | N | MOSFET | 45 | 650 | 30 | 3.5 | 27.6 | 150 | 75 | 25 | 70 | 0.11 | TO220SIS | |
| TK31A60W | N | MOSFET | 45 | 600 | 30 | 3.7 | 30.8 | 150 | 86 | 32 | 70 | 0.088 | TO220SIS | |
| TK35A65W | N | MOSFET | 50 | 650 | 30 | 3.5 | 35 | 150 | 100 | 30 | 90 | 0.08 | TO220SIS | |
| TK39A60W | N | MOSFET | 50 | 600 | 30 | 3.7 | 38.8 | 150 | 110 | 50 | 90 | 0.065 | TO220SIS | |
| TK4A60D | K4A60D | N | MOSFET | 35 | 600 | 30 | 4.4 | 4 | 150 | 12 | 18 | 70 | 1.7 | TO220SIS |
| TK4A60DA | K4A60DA | N | MOSFET | 35 | 600 | 30 | 4.4 | 3.5 | 150 | 11 | 18 | 55 | 2.2 | TO220SIS |
| TK4A60DB | K4A60DB | N | MOSFET | 35 | 600 | 30 | 4.4 | 3.7 | 150 | 11 | 18 | 60 | 2 | TO220SIS |
| TK4A65DA | K4A65DA | N | MOSFET | 35 | 650 | 30 | 4.4 | 3.5 | 150 | 12 | 18 | 70 | 1.9 | TO220SIS |
| TK5A60D | K5A60D | N | MOSFET | 35 | 600 | 30 | 4.4 | 5 | 150 | 16 | 20 | 80 | 1.43 | TO220SIS |
| TK5A65D | K5A65D | N | MOSFET | 40 | 650 | 30 | 4 | 5 | 150 | 16 | 20 | 100 | 1.43 | TO220SIS |
| TK5A65DA | K5A65DA | N | MOSFET | 35 | 650 | 30 | 4.4 | 4.5 | 150 | 16 | 20 | 70 | 1.67 | TO220SIS |
| TK6A60D | K6A60D | N | MOSFET | 40 | 600 | 30 | 4 | 6 | 150 | 16 | 20 | 100 | 1.25 | TO220SIS |
| TK6A65D | K6A65D | N | MOSFET | 45 | 650 | 30 | 4 | 6 | 150 | 20 | 25 | 100 | 1.11 | TO220SIS |
| TK6A80E | N | MOSFET | 45 | 800 | 30 | 4 | 6 | 150 | 32 | 20 | 110 | 1.7 | TO220SIS | |
| TK7A65D | K7A65D | N | MOSFET | 45 | 650 | 30 | 4 | 7 | 150 | 24 | 25 | 120 | 0.98 | TO220SIS |
| TK7A90E | N | MOSFET | 45 | 900 | 30 | 4 | 7 | 150 | 32 | 20 | 110 | 2 | TO220SIS | |
| TK8A60DA | K8A60DA | N | MOSFET | 45 | 600 | 30 | 4 | 7.5 | 150 | 20 | 25 | 100 | 1 | TO220SIS |
| TK8A65D | K8A65D | N | MOSFET | 45 | 650 | 30 | 4 | 8 | 150 | 25 | 22 | 135 | 0.84 | TO220SIS |
| TK9A60D | K9A60D | N | MOSFET | 45 | 600 | 30 | 4 | 9 | 150 | 24 | 25 | 120 | 0.83 | TO220SIS |
| TK9A90E | N | MOSFET | 50 | 900 | 30 | 4 | 9 | 150 | 46 | 40 | 150 | 1.3 | TO220SIS |
Всего результатов: 48
Новый элемент
Исследователи из компании Intel, Калифорнийского университета в Беркли и Национальной лаборатории им. Лоуренса в Беркли разработали магнитоэлектрический спин-орбитальный (МЭСО) логический элемент, который должен прийти на смену комплементарным структурам металл-оксид-полупроводников (КМОП), то есть обычным транзисторам. Результаты исследования были опубликованы в журнале Nature, о них также сообщила Intel на своем сайте.
Intel считает, что применение МЭСО сможет вывести электронику из тупика, в которой она зайдет, когда миниатюризировать дальше современные транзисторы станет невозможно.
«Мы ищем революционные, а не эволюционные подходы к вычислениям в эпоху пост-КМОП. МЭСО построен вокруг низковольтных соединений и низковольтных магнитоэлектриков. Он объединяет инновации в области квантовых материалов и вычислений», — комментирует открытие Ян Янг (Ian Young), старший научный сотрудник Intel и директор группы исследования интегральных микросхем в группе технологий и производства.
Маркировка транзисторов в соответствии с европейской системой классификации.
В соответствии с европейской системой классификации обозначение транзистора состоит из двух букв и трех
цифр (приборы общего применения) или трех букв и двух цифр(приборы специального применения).
Первая буква характеризует материал, из которого сделан транзистор:
А-германий; В- кремний. Вторая буква обозначает область применения прибора:
С-маломощный низкочастотный прибор; D-мощный низкочастотный прибор;F- маломощный высокочастотный прибор;
L-мощный высокочастотный прибор.
Третья буква(если она есть) не несет особой смысловой нагрузки.
Например: транзистор AF115 — общего назначения, германиевый,маломощный, высокочастотный.
Транзистор BD135 — общего назначения, большой мощности, низкочастотный.
Какими же транзисторами можно заменить?
Для начала разберем биполярные транзисторы, самые распространенные
Главное, что важно знать о них:
- первым делом необходимо выяснить, каково максимальное его напряжение;
- после чего нужно проверить, как обстоят дела с током коллектора;
- затем выяснение, насколько рассеиваема мощность, и какова частота;
- ну и, наконец, то как передается ток.
Вначале, конечно же, нужно начать с оценивания характеристики в общем. Самыми главными и первыми шагами будут: выяснение частоты и быстроты. Будет очень хорошо, если частоты будут отличаться, то есть рабочая будет меньше, чем граничная частота. Так все функционировать будет лучше.
Ну а если же будет наоборот, и рабочая с граничной будут практически на одной частоте, то в таком случае необходимо будет невероятно большое количество энергии, так как коэффициент передачи по току будет иметь свою определенную цель, он будет идти к 1. Поэтому необходимо, чтобы граничная частота того аналога, которого вы подбираете, была равна частоте этого предмета, который был прежде. Но можно сделать и так, чтобы частота была больше.
Далее обязательно обратить свое внимание на мощность. То есть нужно выяснить максимальный ток коллектора и напряжение коллектора-эмиттера
Максимальный ток коллектора обязан быть намного выше тока данного прибора. С напряжением же все, наоборот, у рабочего прибора должно оно быть выше.
Смотрите видео о том, чем заменить советские радиодетали.
Если же вы используете даташит для поиска аналога, то, конечно же, важно понимать, что все показатели аналога должны соответствовать прежнему прибору, хорошо было бы, даже если превосходили бы. К примеру, если же случилась неполадка с транзистором, а напряжение коллектор-эмиттер было около 80 вольт, а ток 10 ампер, то соответственно по данным должен составлять 15 ампер по току, а по напряжению около 230 вольт
И этот аналог пойдет для замены полностью
К примеру, если же случилась неполадка с транзистором, а напряжение коллектор-эмиттер было около 80 вольт, а ток 10 ампер, то соответственно по данным должен составлять 15 ампер по току, а по напряжению около 230 вольт. И этот аналог пойдет для замены полностью.
К примеру, очень часто 2N3055 заменяется на КТ819ГМ, и эти полупроводниковые компоненты спокойно могут друг друга заменять. Если говорить о схожести данных усилителей, то оба они считаются идеальной заменой друг друга и выйдут довольно эффективными, и они не принесут особых проблем.
| 74LVC1G3208DCKTE4 | Инструменты Техаса | СЕРИЯ LVC / LCX / Z, 3 ВХОДА ИЛИ ВОРОТА, PDSO6, ЗЕЛЕНЫЙ, ПЛАСТИК, SC-70, 6 КОНТАКТОВ | |||
| TPS62208DBVTG4 | Инструменты Техаса | Понижающий преобразователь на выходе 1,875 В, 300 мА, КПД 95% в SOT-23 5-SOT-23-40 до 85 | |||
| TPS563208DDCR | Инструменты Техаса | 4.Вход с 5 В на 17 В, выход 3 А, синхронный понижающий преобразователь 6-SOT-23-THIN -40 до 125 | |||
| TPS561208DDCT | Инструменты Техаса | Вход от 4,5 В до 17 В, выход 1 А, синхронный понижающий преобразователь 6-SOT-23-THIN от -40 до 85 | |||
| 74LVC1G3208DCKTG4 | Инструменты Техаса | СЕРИЯ LVC / LCX / Z, 3 ВХОДА ИЛИ ВОРОТА, PDSO6, ЗЕЛЕНЫЙ, ПЛАСТИК, SC-70, 6 КОНТАКТОВ | |||
| CDC208DW | Инструменты Техаса | 5V Двойной драйвер тактовой частоты 1 в 4 20-SOIC |
MJE13001 и 13001 транзисторы.Распиновка.
Наименование прибора: MJE13001, 13001, KSE13001, TS13001, KTS13001, HK13001, ST13001.
Все эти транзисторы используются в основном в устройствах для питания и подзарядки различных электронных гаджетов.
13001 может иметь разные типы пакетов: ТО-92, СОТ-89, ТО-126.
Материал транзисторов: Si
Полярность: NPN
Внимание! MJE13001 (маркировка MJE13001) в корпусах TO-92, SOT-89 и TS13001 (маркировка 13001) в корпусе TO-92 имеют разное назначение выводов.
Например:
Более подробную информацию об этом MJE13001 можно найти, перейдя по этой ссылке.
Но в любом случае распиновку каждого 13001 лучше перед установкой проверить мультиметром или тестером.
Если транзистор неисправен таким образом, что мультиметр не может определить расположение его выводов.
или тестером, нужно обратить внимание на его подключение к электронной схеме устройства, в котором он используется.
Эмиттер чаще всего подключается напрямую или через резистор с небольшим сопротивлением к отрицательному выводу входного сглаживающего конденсатора.
Коллектор всегда находится посередине.
Таким образом, третий штифт — это основание .
Некоторые 13001 содержат встроенные диоды, подключенные между эмиттером и коллектором.
Их цель — защитить транзистор от импульсов обратного напряжения, возникающих при
он работает с индуктивной нагрузкой — обычно обмоткой трансформатора.
Основные параметры 13001.
Рассеиваемая мощность (P D ) при температуре окружающей среды 25 °, без радиатора. (| T A | = 25 °)
от 0,75 Вт до 1,1 Вт для корпуса TO-92 (в зависимости от производитель)
0,55 Вт (СОТ-89)
1 Вт (ТО-126)
Рассеиваемая мощность (P D ) при температуре коллектора не выше 25 °, поддерживаемой радиатором.(| T c | = 25 °)
20 W (TO-126)
Напряжение пробоя коллектор-база | В CBO |: 600 В,
500 В для HK13001 и ST13001,
400 В для KSE13001
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | В CEO |: 400 В
Напряжение пробоя эмиттер-база | В EBO |: 7 В,
9 В для HK13001
Максимальный ток коллектора | I c max |: 0.2 А для MJE13001,
0,1 А — для KTS13001, KSE13001, TS13001.
0,3 А — для HK13001 и ST13001.
Максимальная температура перехода | T j |: +150 C
Частота перехода (f t ): 8 МГц (мин)
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | В CE |: 0,5 В (IC = 50 мА, I B = 10 мА).
Напряжение насыщения база-эмиттер | В BE |: 1,2 В (IC = 50 мА, I B = 10 мА).
Коэффициент передачи прямого тока | h FE | : 10-70 , (I C = 20 мА, В CE = 20 В).
Время хранения | t с |: 1,5 мкс
Время спада | t F |: 0,3 мкс
MJE13001 Технический паспорт (PDF)
(Unisonic Technologies.)
TS13001 Лист данных (PDF)
Транзистор источника 13001 S8D 13001s Электронный транзистор 13001 Силовой транзистор MJE13001 Цепь NPN 13001 TO-92 Оригинал на м.alibaba.com
Исходный транзистор 13001 S8D 13001s Электронный транзистор 13001 Силовой транзистор MJE13001 Схема NPN 13001 TO-92 Оригинал на m.alibaba.comПодробнее о морских перевозках и других торговых услугах.
| Порт: | HK / Шэньчжэнь |
| Условия оплаты: | Л / К, Д / А, Д / П, Т / Т, западное соединение, МонейГрам, ПайПал |
| Возможность поставки: | 600000 штук / штук в день |
| Бренд: | Оригинальный бренд |
| Тип упаковки: | Сквозное отверстие |
| Тип: | Триодный транзистор |
| Место происхождения: | Малайзия |
| Упаковка: | Трубка, катушка и лоток |
| Пакет: | К-92 |
| Доставка по: | DHL \ UPS \ FedEx \ EMS \ HK Post |
| Номер модели: | 13001 |
| Номер детали: | Транзистор ТО-92 |
| Деталь упаковки: | Трубка, лоток и катушка со стандартной упаковкой |
Шэньчжэнь Quanyuantong Electronics Co., Ltd.
Поставщик золота
CN
Торговая компания, агент, дистрибьютор / оптовый торговец
97,4%
Скорость доставки в срок
Quan Yuan Tong
Номер модели | 13001-S8D |
| Упаковка | TO-92 |
| PIN | 9006BCE 9000 и катушка / трубка |
| HFE | 20-25 |
| BVCEO | > = 500V |
| Время выполнения | 24 часа |
9096
| Добро пожаловать, чтобы связаться со мной | |
| Контактное лицо: Yolanda Song 16 24 | WhatsApp: 86-14774868256Wechat: 14774868256 |
| Skype: qyt-yolanda1 | |
| QQ: 2880072536 | |
| Веб-сайт: www.quanyuantong.net |
Дешевый транзистор 13001, найдите 13001 сделок по транзистору в сети на Alibaba.com
Дешевый транзистор 13001, найдите 13001 предложения по транзистору в сети на Alibaba.comlecimo 13001 # Транзистор
null
Ltvystore 10 значений 200PCS NPN PNP Power Transistor Assortment Assortment Kit 9.77
Комплект поршня Kawasaki 650 куб. НОМЕР ДЕТАЛИ: A-6599948
94,43
TINYPONY Эпитаксиальный транзистор со сквозным отверстием NPN 100 В, 5 А, 40 Вт TIP122, 10 шт. Трехконтактная трубка регулятора напряжения
5,64
Комплект поршня Kawasaki 750 SS, 750 SSXi, 750 ST, 750 SX, 750XiR Модели 20 мм WRIST PIN 2 цилиндра OEM # 13001-3710, 13001-3707, 13001-3718 (0.25 мм (80,25 мм) 20 мм ШТИФТ НА ЗАПЯСТЬЕ)
74,95
Shoplet Best Value Kit — BEST-rite Recycled Rubber-Tackboard (BLTBRT13001 …
$ 205,30
VXi 13001 EC1020 Пенопластовый чехол для наушников для наушников VXI
$ 83,57
10 шт. KTC3964 C3964 2SC3964 TO-126 EPITAXIAL PLANAR NPN Transistor
8.99
50 шт. Шайба изоляционной втулки для транзистора TO-3
5.53
Rosewill Thermometer RTMT13001 RTL
$ 39.80
Надоело искать поставщиков? Попробуйте запрос предложений! | Запрос коммерческого предложения
Настройка обработки Apperal
|
Шайба изоляционной втулки 100 шт для транзистора TO-220, модель:
16.99
Шайба изоляционной втулки 50 шт. Для транзистора ТО-3, модель:
16,99
Кремниевый транзистор KT345B аналог BSY81, 2N3249 СССР 30 шт.
13,5
Изоляционная втулка транзистора внутреннего диаметра 50 x 3 мм, модель: 608641510676
16.99
Kokuyo Pen-style DotLiner Аппликатор для нанесения клея KOK13001
$ 6.39
MP111 Кремниевый транзистор СССР 20 шт.06
Кремниевый транзистор КТ605АМ СССР 50 шт.
13,5
КТ720А аналог BD166 транзистор кремний СССР 50 шт.
13,5
КТ668А аналог ВС556 кремний СССР 10 шт.
13,5
50 шт. / Лот МОП-транзистор IC, IRF3205 МОП -эффектный транзистор
26,00
Bheema TIP31C TIP31 NPN High Power 100V 3A Transistor Pack
2,75
Bheema Recycled Rubber-Tak Tackboard BLTBRT13001
$ 197.94
13001 Запасной газовый гриль для барбекю из 3 частей Горелка из нержавеющей стали для Vermont Castings и грилей модели Jenn Air
24,99
13001 Запасная газовая гриль для барбекю из 4 частей Горелка из нержавеющей стали для моделей Vermont Castings и Jenn Air
32,95
Набор из 2 штук Транзистор 2SC2785 Биполярный переходной транзистор, тип NPN, TO-221VAR
1.00
Бесплатная доставка A539 2SA539 KSA539 PNP Эпитаксиальный кремниевый транзистор TO-92 45V 200MA TO92 Триодный силовой транзистор 100шт / пакет
$ 17.2
Alsrobotbase N-Channel MOSFET IRF520, транзистор 40 В 12A
1,99
Вас также может заинтересовать:
Примечание: статьи, изображения, новости, мнения, видео или информация, размещенные на этой веб-странице (за исключением интеллектуальной свойства, принадлежащие Alibaba Group на этой веб-странице) загружаются зарегистрированными участниками Alibaba. Если вы подозреваете какое-либо несанкционированное использование ваших прав интеллектуальной собственности на этой веб-странице, сообщите нам об этом по следующему адресу: ali-guide @ service.alibaba.com.
Найти
может быть отправлен в тот же день. Paypal принят, закажите онлайн сегодня!
Тщательно выберите номер детали, производителя и упаковку из приведенной ниже таблицы, а затем добавьте в корзину, чтобы перейти к оформлению заказа.
Купите сейчас, и вы получите удовольствие
✓Отправьте заказ в тот же день!
✓ Доставка по всему миру!
✓ Распродажа с ограниченным сроком
✓ Легкий возврат.
| Обзор продукта | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Название продукта | Поиск | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Доступное количество | Возможна немедленная отправка | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Модель NO. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Код ТН ВЭД | 8529
Paypal (AMEX принимается через Paypal) Мы также принимаем банковский перевод. Просто отправьте нам электронное письмо с URL-адресами или кодами продукта. Укажите свой адрес доставки и предпочтительный способ доставки. Затем мы отправим вам полные инструкции по электронной почте. Мы никогда не храним данные вашей карты, они остаются в Paypal Товары доставляются почтовыми службами и оплачиваются по себестоимости.Товары будут отправлены в течение 1-2 рабочих дней с момента оплаты. Доставка может быть объединена при покупке большего количества. Другие способы перевозки могут быть доступны при оформлении заказа — вы также можете сначала связаться со мной для уточнения деталей.
Благодарим за покупку нашей продукции на нашем веб-сайте. Получите заказанный товар или верните свои деньги. Покрывает вашу закупочную цену и первоначальную доставку. Если вы не получите товар в течение 25 дней, просто сообщите нам, будет выпущена новая посылка или замена. PayPal Защита покупателей Защита вашей покупки от клика до доставки Вариант 1) Полный возврат средств, если вы не получили свой заказ Вариант 2) Полный или частичный возврат, если товар не соответствует описанию Если ваш товар значительно отличается от нашего описания продукта, вы можете: A: вернуть его и получить полный возврат, или B: получить частичный возврат и сохранить товар. Спецификация или технические характеристики в формате PDF доступны по запросу для загрузки.Почему выбирают нас?Каковы ваши основные продукты?
Какая цена?Какой способ оплаты?Что такое возврат и замена?Какое минимальное количество для заказа вашей продукции?Когда вы пришлете мне детали?Как разместить заказ?Предлагаете ли вы техническую поддержку?Предлагаете ли вы гарантию?Как сделать наш бизнес долгосрочным и хорошим?Если у Вас возникнут другие вопросы, свяжитесь с нами.Мы всегда к вашим услугам!Поискможет быть отправлен в тот же день. Paypal принят, закажите онлайн сегодня!Тщательно выберите номер детали, производителя и упаковку из приведенной ниже таблицы, а затем добавьте в корзину, чтобы перейти к оформлению заказа. Купите сейчас, и вы получите удовольствие
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
