Site Loader

Содержание

Характеристики транзистора 13001 S8D и его аналоги

Биполярный транзистор 13001 S8D нашел широкое применение в сфере радиоэлектронике малой мощности. Производителем его является компания «SHENZHEN JTD ELECTRONICS». Выпускается он в пластиковом корпусе типа ТО-92 со следующий цоколевкой:

  1. Эмиттер
  2. Коллектор
  3. База

Зарекомендовал себя как качественный продукт, с почти не ограниченным сроком службы при эксплуатации в условиях не превышающий допустимых значений.

Характеристики и аналоги 13001 S8D

Транзистор 13001S8D имеет следующие предельные значение ( Tj = 25 ℃, если не указано иное):

ПараметрУсловное обозначениеЗначениеЕдиница измерения
Напряжение коллектор-базаVCBO600V
Напряжение коллектор-эмиттерVCEO400V
Напряжение Эмиттер-БазаVEBO7V
Ток коллектораIc0.5A
Полная рассеиваемая мощностьPc0.65W
Температура храненияTstg-65~150
Температура соединенияTj150

Также приведем электрические параметры:

ПараметрУсловное обозначениеУсловия испытанийMinMaxЕдиница измерения
Напряжение пробоя коллектор-базаBVCBOIc=0.5mA,Ie=0600V
Напряжение пробоя коллектор-эмиттерBVCEOIc=10mA,Ib=0400V
Напряжение пробоя базы эмиттераBVEBOIe=1mA,Ic=07V
Ток отсечки коллекторной базыICBOVcb=600V,Ie=0100μA
Ток отключения коллектор-эмиттерICEOVce=400V,Ib=020μA
Ток отсечки эмиттер-базыIEBOVeb=7V,Ic=0100μA
Усиление постоянного токаhFEVce=20V,Ic=20mA1040
Напряжение насыщения коллектор-эмиттерVCE(sat)Ic=200mA,Ib=100mA0.6V
Напряжение насыщения базы-излучателяVBE(sat)Ic=200mA,Ib=100mA1.2V
Время храненияTsIc=0.1mA, (UI9600)2μS
Время паденияfTVCE =20V,Ic=20mA
f=1MHZ
0.8μS

Аналоги  13001 S8D являются схожие по всем техническим значения биполярные NPN Транзисторы.

Транзисторы MJE13001(13001)и MJE13003(13003)- маркировка, цоколевка, основные параметры.

Транзисторы MJE13003 и 13003

Транзисторы MJE13003 и 13003 кремниевые мощные низкочастотные высоковольтные, структуры n-p-n, Как и 13001 производятся в странах ЮВА, применяются в импульсных блоках питания, зарядных устройствах для различных мобильных телефонов и планшетов.
Выпускаются в самых различных корпусах, обратите внимание на имеющиеся отличия в порядке расположения выводов(цоколевке) а так же — мощности рассеивания.

Маркировка буквенно — цифровая, на корпусе. На рисунке ниже — цоколевка 13003 с различными корпусами.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока — от 8 до 40, в зависимости от буквы
У MJE13003A — от 8 до 12.
У MJE13003B — от 12 до 18.
У MJE13003C — от 18

до 27.
У MJE13003D — от 27 до 40.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер 400 В.

Максимальный ток коллектора — постоянный 1,5 А, пульсирующий — 3 А.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 1 А, базы 0,25 А — 1в.

Напряжение насыщения база-эмиттерпри токе коллектора 1 А, базы 0,25 А — — не выше 1,2в.

Рассеиваемая мощность коллектора:


В корпусе TO-126 — 1.4 ватт,
TO-220 — 50 ватт(с радиатором),
TO-252 и TO-251 — 25 ватт(с радиатором),
TO-92 и TO-92L — 1,1 ватт.

Граничная частота передачи тока 4 МГц.

Схема «зарядки» для телефона.

R1 — 1 Ом, 1Ватт.
R2 — 20 кОм.
R3 — 680 кОм.
R4 — 100 кОм.
R5 — 43 Ом.
R6 — 5,1 Ом.
R7 — 33 Ом.
R8 — 1 кОм.
R9 — 1,5 кОм.
C1 — 22 мФ,25в(оксидный).
C2 — 1 нФ, 400в.
C3 — 3,3 нФ, 1000в.
C4 — 2,2 мФ,400в(оксидный).
C5 — 100 мФ,25в(оксидный).

VD1 — стабилитрон 5,6в.
VD2,VD3 — диод 1N407.
VD4 — диод 1N4937.
VD5 — индикаторный светодиод.
Транзистор — MJE13001(13001), MJE13003(13003), самый надежный вариант — MJE13005(13005).

На главную страницу

Аналоги транзисторов 13001, 13003, 13005, 13007

 Аналоги транзисторов 13001, 13003, 13005, 13007

Импортные транзисторы серии 13001, 13003, 13005, 13007, 13009 получили широкое в производстве бытовой аппаратуры.

На данной страничке собрана информация по аналогам импортных транзисторов серии 13001, 13003, которые широко используются при сборке импортных электрических бытовых приборах таких как энергосберегающие лампы, фонари дневного света, зарядные устройства и т.д.

Благодаря этой информации вы легко сможете подобрать сответствующие аналоги для транзисторов серий 13001, 13003, 13005, 13007, 13009 и т.д.

тип класс аналог Uкэ, В Iк, А h31 Uнас, В tрас, мкс
[fгр, МГц]
корпус производитель
КТ8121А npn MJE13005 400 4
 
1.0 0.4 КТ28 ИСКРА
КТ8126А npn MJE13007 400 8 >10 1.0 0.4 КТ28 ИСКРА
КТ8137А npn NJE13003 400 1.5 50 1.0 0.4 КТ27 ИСКРА
КТ8164А npn MJE13005 600 4       КТ28 ТРАНЗИСТОР
КТ8170А1 npn MJE31003 400 1.5 40 1.0 [0.004] КТ27 ТРАНЗИСТОР
КТ8175А npn MJE13003 700 1.5 40   0.4 КТ27 ЭЛИЗ
КТ8181А npn MJE13005 700 4 50   0.4 КТ28 ЭЛИЗ
КТ8182А npn MJE13007 700 8 50   0.15 КТ28
ЭЛИЗ
КТ8201А npn MJE13001 400 0.6 40   0.3 КТ27 МИКРОН
КТ8203А npn MJE13003 400 1.5 25   0.7 КТ27 МИКРОН
КТ8205А npn MJE13005 400 4 40   0.9 КТ28 МИКРОН
КТ8207А npn MJE13007 400 8 30   0.7 КТ28 МИКРОН
КТ8209А npn MJE13009 400 12 30     КТ28 МИКРОН
КТ8258А npn MJE13005 400 4 60 0.8   to220,to263 ЭПЛ
КТ8259А npn MJE13007 400 8 60 1.2   to220,to263 ЭПЛ
КТ8260А npn MJE13009 400 12 60 1.2   to220,to263 ЭПЛ
КТ8270А npn MJE13001 400 5.0 90 0.5   КТ27 ТРАНЗИСТОР

ПОНРАВИЛАСЬ СТАТЬЯ? ЖМИ НА КНОПКИ И ДЕЛИСЬ ИНФОРМАЦИЕЙ С ДРУЗЬЯМИ В СОЦ.СЕТЯХ:

Как проверить транзистор мультиметром | Для дома, для семьи

Здравствуйте уважаемые читатели сайта sesaga.ru. Сегодня хочу рассказать, как проверить исправность транзистора обычным мультиметром. Хотя для этого существуют специальные пробники, и даже в самом мультиметре имеется гнездо для проверки транзисторов, но, на мой взгляд, все они не совсем практичны. Вот чтобы подобрать пару транзисторов с одинаковым

коэффициентом усиления (h31э) пробники вещь даже очень нужная. А для определения исправности достаточно будет и обыкновенного мультика.

Мы знаем, что транзистор имеет два p-n перехода, причем каждый переход можно представить в виде диода (полупроводника). Поэтому можно утверждать, что транзистор — это два диода включенных встречно, а точка их соединения будет являться «базой».

Отсюда получается, что один диод образован выводами, например,

базы и коллектора, а другой диод выводами базы и эмиттера. Тогда нам будет достаточно проверить прямое и обратное сопротивление этих диодов, и если они исправны, значит, и транзистор работоспособен. Все очень просто.

Начнем с транзисторов структуры (проводимость) p-n-p. На принципиальных схемах структура транзисторов обозначается стрелкой эмиттерного перехода. Если стрелка направлена к базе, значит это структура p-n-p, а если от базы, значит это транзистор структуры n-p-n. Смотрите рисунок выше.

Так вот, чтобы открыть p-n-p транзистор, на вывод базы подается отрицательное напряжение (минус). Мультиметр переводим в режим измерения сопротивлений на предел «

2000», можно в режиме «прозвонка» — не критично.

Минусовым щупом (черного цвета) садимся на вывод базы, а плюсовым (красного цвета) поочередно касаемся выводов коллектора и эмиттера — так называемые коллекторный и эмиттерный переходы. Если переходы целы, то их прямое сопротивление будет находиться в пределах 500 – 1200 Ом.

Теперь проверяем обратное сопротивление коллекторного и эмиттерного переходов.
Плюсовым щупом садимся на вывод базы, а минусовым касаемся выводов коллектора и эмиттера. На этот раз мультиметр должен показать большое сопротивление на обоих p-n переходах.

В данном случае на индикаторе высветилась «1», означающая, что для предела измерения «2000» величина сопротивления велика, и составляет более 2000 Ом. А это говорит о том, что коллекторный и эмиттерный переходы целы, а значит, наш транзистор исправен.

Таким способом можно проверять исправность транзистора и на печатной плате, не выпаивая его из схемы.

Конечно, встречаются схемы, где p-n переходы транзистора сильно зашунтированы низкоомными резисторами. Но это редкость. Если при измерении будет видно, что прямое и обратное сопротивление коллекторного или эмиттерного переходов слишком мало, тогда придется выпаять вывод базы.

Исправность транзисторов структуры n-p-n проверяется так же, только уже к базе подключается плюсовой щуп мультиметра.

Мы рассмотрели, как проверить исправный транзистор. А как понять, что транзистор неисправный?
Здесь тоже все просто. Если прямое и обратное сопротивление одного из p-n переходов бесконечно велико, т.е. на пределе измерения «2000» и выше мультиметр показывает «1», значит, этот переход находится в обрыве, и транзистор однозначно неисправен.

Вторая распространенная неисправность транзистора – это когда прямое и обратное сопротивления одного из p-n переходов равны нулю или около того. Это говорит о том, что переход пробит, и транзистор не годен.

И тут уважаемый читатель Вы меня спросите: — А где у этого транзистора находится база, коллектор и эмиттер. Я его вообще в первый раз вижу. И будете правы. А ведь действительно, где они? Как их определить? Значит, будем искать.

В первую очередь, нужно определить вывод базы.
Плюсовым щупом мультиметра садимся, например, на левый вывод транзистора, а минусовым касаемся среднего и правого выводов. При этом смотрим, какую величину сопротивления показывает мультиметр.

Между левым и средним выводами величина сопротивления составила «1», а между левым и правым мультиметр показал 816 Ом. На данном этапе это нам ничего не говорит. Идем дальше.
Плюсовым щупом садимся на средний вывод, а минусовым касаемся левого и правого.

Здесь результат измерения получился почти таким же, как и на рисунке выше. Между средним и левым величина сопротивления составила «1», а между средним и правым получилось 807 Ом. Тут опять ничего не ясно, поэтому идем дальше.

Теперь садимся плюсовым щупом на правый вывод, а минусовым касаемся среднего и левого выводов транзистора.

На рисунке видно, что величина сопротивления между правым-средним и правым-левым выводами одинаковая и составила бесконечность. То есть получается, что мы нашли и измерили обратное сопротивление обоих p-n переходов транзистора. В принципе, уже можно смело утверждать, что вывод базы найден. Он оказался правым. Но нам еще надо определить, где у транзистора коллектор и эмиттер. Для этого измеряем прямое сопротивление переходов. Минусовым щупом садимся на вывод базы, а плюсовым касаемся среднего и левого выводов.

Величина сопротивления на левой ножке транзистора составила 816 Ом – это эмиттер, а на средней 807 Ом – это коллектор.

Запомните! Величина сопротивления коллекторного перехода всегда будет меньше по отношению к эмиттерному. Т.е. вывод коллектора будет там, где сопротивление p-n перехода меньше, а эмиттера, где сопротивление p-n перехода больше.

Отсюда делаем вывод:

1. Транзистор структуры p-n-p;
2. Вывод базы находится с правой стороны;
3. Вывод коллектора в середине;
4. Вывод эмиттера – слева.

А если у Вас остались вопросы, то можно дополнительно посмотреть мой видеоролик о проверке обычных транзисторов мультиметром.

Ну и напоследок надо сказать, что транзисторы бывают малой, средней мощности и мощные. Так вот, у транзисторов средней мощности и мощных, вывод коллектора напрямую связан с корпусом и находится в середине между базой и эмиттером. Такие транзисторы устанавливаются на специальные радиаторы, предназначенные для отвода тепла от корпуса транзистора.

Зная расположение коллектора, базу и эмиттер определить будет легко.
Удачи!

Усилитель на транзисторах 13002



Хотя компактные люминесцентные лампы уже непопулярны, у многих самодельщиков накопились платы от них. Среди прочих компонентов, там присутствуют транзисторы типов 13001, 13002, 13003. Хотя они считаются ключевыми, перевести их в линейный режим общепринятым способом не составляет труда, выходная мощность при этом, конечно, невелика. Так, например, автор Instructables под ником Utsource123 собрал из двух таких транзисторов составной (его также называют транзистором Дарлингтона, который сделал соответствующее изобретение в 1953 году) и построил на нём простой однотактный усилитель мощности звуковой частоты (УМЗЧ).

Поскольку мастер решил не составлять схему усилителя, переводчику пришлось восстановить её по описанию и фотографиям. Получилась самая обыкновенная схема УМЗЧ на составном транзисторе без каких-либо особенностей. На старых транзисторах МП она выглядела бы точно так же. С учётом противоположной структуры, конечно.

Смещение на базу резистором, конденсатор, чтобы это смещение не попало в источник сигнала — всё как обычно. Конденсатор на 100 мкФ, 25 В, резистор на 1 кОм.

Первым делом мастер знакомит читателей с цоколёвкой транзистора 13002:

Затем он, как и положено при сборке из двух транзисторов одного составного, соединяет эмиттер первого транзистора с базой второго. Хорошо, они как раз расположены рядом.

Впаивает резистор смещения между коллектором и базой первого транзистора. Благодаря ему оба транзистора будут работать в линейном режиме.

Подключает к базе первого транзистора плюсовой вывод конденсатора:

Соединяет коллекторы обоих транзисторов перемычкой:

Подключает сигнальный кабель: общий провод припаивает к эмиттеру второго транзистора, а выход любого из стереоканалов — к минусовому выводу конденсатора:

Один вывод динамической головки соединяет с плюсом питания, второй — с соединёнными вместе коллекторами обоих транзистора. Минус питания подаёт на эмиттер второго транзистора.


Усилитель готов к работе. Если не добавлять к нему регулятор громкости, источник сигнала придётся взять такой, в котором соответствующий регулятор имеется. И можно слушать.

Собрав второй такой же усилитель и подав на него сигнал с другого стереоканала, вы получите стереофонический эффект.


Источник (Source) Становитесь автором сайта, публикуйте собственные статьи, описания самоделок с оплатой за текст. Подробнее здесь.

Схемы зарядных устройств для сотовых телефонов.

Схемы зарядных устройств для сотовых телефонов.

На первую страницу

Простой  сотовый зарядник с 2 цветным индикатором

Это зарядное устройство модели INTELLECT STANDART CHARGER (популярно на рынке!) применяется для зарядки аккумуляторов сотовых телефонов. Особенность: индикатор на 2 цветном светодиоде горящий КРАСНЫМ=»RED»> при зарядке (ток потребления > 200 мА) И ЗЕЛЕНЫМ =GREEN> при МЕНЬШЕМ ТОКЕ, что говорит о конце основного (быстрого) заряда; дозаряд малым током 10-70 МА или предзаряд (если АКБ разряжена ниже 3в) ПРИ ЭТОМ ИДЕТ!!!

Внимание! В процессе заряда многих сотиков, использующий импульсный тип подзаряда светодиод может мигать КРАСНЫЙ/ЗЕЛЕНЫЙ с преобладанием того или другого. В основе этого метода заряд АКБ тела током 0,3-0,8 Q (Q-емкость АКБ) в течение импульса 0,1-30сек. (обычно ток 300-700ма) и контроль напряжения в паузе — при этом проц. тела производит в паузе замеры напряжения с помощью АЦП и сравнивает его с порогами калибровки заданными  в прошивке или EEPROM. При достижении порога меняется режим заряда – или скважность импульсов заряда, или переход на непрерывный заряд (дозаряд, предзаряд) малым током (при этом контроль тока заряда проц. не ведет — ток задает микросхема зарядки). Также проц. тела  другим АЦП непрерывно проверяет температуру АКБ встроенным в него терморезистором (диодом), при превышении температуры переходит на заряд малым током (или делает блокировку заряда), — при этом на LCD тела выдается предупреждение о  перегреве АКБ! это же АЦП и проверяет родной/левый АКБ вставлен (датчики разных фирм — разные) для левого блокируется быстрый заряд!

В данном случае вариант для телефона Panasonic GD87. на другие модели тел этот зарядник отличается разъемом и выходным напряжением. Выполнен он на основе 1- тактного обратноходового инвертора (импульсного блока питания). Выходное напряжение 4.8 — 9 вольта, максимальный ток 400-600 мА. — (в зависимости от модели телефона)

Схемотехника их одинакова в пределах ВСЕЙ ПАРТИИ, отличия в номиналах ряда деталей R5,R2,R4 VD4!,а также в наличие цепей оптронной обратной связи (U1 R11,R12,VD5) на плате есть под них дырки.

Вариант с оптроном обеспечивает очень хорошую стабильность напряжения, оно задается {R11,R12,VD5) вплоть до срабатывания защиты по току (R5)- такие стоят в фирмовых зарядках и китайских для тел которые умирают от повышенного напряжения (SE, LG). Схема срисована с печатной платы, так что все претензии к китайцам. 

Внешний вид

плата низ

Плата верх

Схема

Простой  сотовый зарядник 

Это зарядное устройство модели   AS1016 (4.8-8.5v/600ma) также применяется для зарядки аккумуляторов сотовых телефонов. Особенность: индикатор на светодиоде  всегда горящий КРАСНЫМ при наличии сетевого питания. Схемотехника  и внешний вид их мало отличается от других зарядок сотиков , отличие в номиналах ряда деталей ,а также отсутствие транзистора  в цепи ограничения тока ключа-при этом коммутация транзистора в режиме ограничения тока происходит не по базе а по коллектору из-за резкого роста тока коллектора при насыщении сердечника трансформатора (выброс Ik= 2-4а!), в режиме стабилизации напряжения ШИМ работает за счет изменения точки отсечки ключа, при изменении  отрицателного смещения на базеключа-подачей его туда через стабилитрон с базовой обмотки трансформатора (еще одной плохой стороной такого «стабилизатора» является заход транзистора в линейную область в момент его закрывания, в результате дешевые MPJ13001-13003 выходят из ОБР в момент запуска и перегруза выхода по току)-результат-крайне низкая крутизна регулировки и стабильность выходного напряжния (замена типа стабилитрона меняет вых. напряжение незначительно-и приходится китайцам применять разные трансы!-экономия транзистора выходит боком! )- поэтому зона работы ШИМ-стабилизации очень узкая -с одной стороны при холостом ходе  инвертор начинает давать прерывистую генерацию-при большом сопротивлении демпфера и отсутствии баластного резистора на выходе -транзистор выбивает по напряжению ,а при длительной работе с непрерывным током нагрузки более 400ма или  при КЗ выхода из-за отсутствия ограничения тока транзистор выходит из ОБР по току колектора и по динамической мощности-быстрый разогрев 1-10 минут и  тепловой пробой. Надежна лишь работа с 13005 и подобными,но они намного дороже 13001-13003, которые надежно работали в зарядках с ограничением тока ключа, да и стабилность  там могла быть очень хорошей, за счет того ,что менялся ток, при котором закрывался ключ-т.е. имело место предрегулирование-изменение сети не влияло на выход-ведь энергия запасенная при прямом ходе в трансе зависит только от амплитуды тока намагничивания, кроме того в 2-3 транзисторных зарядках транс в насыщение не входит -и имелся запас на регулировку путем подбора стабилитрона -здесь это малоэффективно-обмотку базы нельзя сделать высоковольтной-наружится режим автогенерации и транзистор будет перегружен еще и по Uбэо… Кроме того кое где  из жадности не впаян кондер  фильтр по 310в., а вся фильтрация задана выходным 220мкф25в-там пульсации ужасные просто…

Схема

я категорически не советую использовать такие зарядки при малой нагрузке (выбросы до 15-18в могут убить тело), а долго оставлять их в розетке -ПОЖАРООПАСНО

да и для самоделок КАТЕГОРИЧЕСКИ НЕ РЕКОМЕНДУЮ(по крайней мере без переделки  схемы включающей и трансформатор)

Примечание

из сотовых зарядок с успехом можно сделать питальники на 3-12в  и током до 1а для радиолюбительских целей ,они с успехом заменят обычные китайские адаптеры с 50гц трансом и мостиком -при этом меньше габариты, вес и лучше стабильность напряжения -для этого они требуют небольших доработок (речь о 2-3-транзисторных зарядках).Замена стабилитрона позволяет менять Выходное напряжение 4 — 10 вольта, при максимальном токе 400-700 мА, для больших пределов нужно перемотать транс! увеличить ток можно заменив выходной диод+кондер и поставив  силовой ключ на радиатор,снизить пульсации можно заменив 1 диодный сетевой выпрямитель мостом 1а 700в ,а фильтр по 310в на максимально возможный (какой влезет) 10-47мкф 400в

Автономный автоматический зарядник

Это зарядное устройство модели WLW-888 применяется для зарядки аккумуляторов сотовых телефонов АВТОНОМНО. Особенность: индикаторы на 3х светодиодах 1″TEST»(R)-питание (контроль полярности) позволяет выбрать переключателем правилную!!,2″CH»(G)МИГАЕТ — заряд или предзаряд (если АКБ разряжена ниже 2 в) ПРИ ЭТОМ ИДЕТ!!! ,3 «OK»(G)- говорит о конце основного заряда. В данном случае вариант для телефона с Li-ion, LiPol, NiMh (3эл.) этот зарядник отличается дополнительным разъемом (для АКБ со шлейфом) и выходным напряжением 3.6-4.2. Выполнен он на основе 1- тактного обратноходовогоинвертора (импульсного блока питания). Выходное напряжение отключения заряда=4.2 вольта, средний ток заряда 150+-70 мА.

 В основе использованного  здесь метода — заряд АКБ тела током 0,1-0,5 Q (Q-емкость АКБ) в течение импульса 0,5-3 сек. (ток 250ма) и контроль напряжения в паузе — при этом   специализированный контроллер DA1 типа AE3102 производит в паузе сравнение напряжения АКБ с помощью встроенного компаратора и сравнивает его с образцовыми. При достижении порога меняется режим заряда –  скважность импульсов заряда, или переход на непрерывный дозаряд малым током (при этом контроль тока заряда DA1. не ведет — ток задает R8, если он установлен*). В таком режиме ток дозаряда равен нескольким мА и не вызовет перезаряда в таком режиме от АКБ питается LED3 R7  и делитель компаратора R11/R12 (выполненный на прецизионных резисторах), поэтому при отсутствие R8 АКБ постепенно разрядится и контроллер DA1 вновь включит подзаряд, напряжение отключения заряда 4,2 +-0,05в, гистерезис около 0,02. Особенность схемотехники – отсутствие конденсатора фильтра по 310в –видимо из экономии, а возможно из-за отсутствии низких  конденсаторов на 350-450в (при этом возросли помехи  от инвертора в сеть). Схема срисована с печатной платы, так что все претензии к китайцам.(на фото верхний прижим с пружинными контактами снят-на мой взгляд он требует доработки)

Внешний вид

Плата

Схема

Все права на материалы  и дизайн сайта Глушков С .А.

Ссылки на сайты Serg Hard Unlimited при использовании материала – обязательны

Мои домены .SHU. и .serghard. на разных бесплатных хостах по ряду причин могут быть не доступны

или кем-то перезахвачены, поэтому пока  я  на www.serghard.narod.ru дальше видно будет

Copyright Serg Hard Unlimited 2000-2005


Замена транзистора дарлингтона полевыми транзисторами

Автор На чтение 21 мин. Просмотров 1 Опубликовано

Содержание справочника транзисторов

Параметры полевых транзисторов n-канальных.Параметры полевых транзисторов p-канальных.Добавитьописание полевого транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.Добавитьописание биполярного транзистора.

Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).Добавитьописание биполярного транзистора с изолированным затвором.

Поиск транзистора по маркировке.Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.Поиск полевого транзистора по основным параметрам.Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.

Типоразмеры корпусов транзисторов.Магазины электронных компонентов.

«Квантовые материалы комнатной температуры»

Кроме того, МЭСО может использоваться одновременно и для обработки, и для хранения данных — в каждый элемент можно записать по крайней мере 1 бит информации. Дело в том, что МЭСО изготавливаются из так называемого мультиферроика — соединения висмута, железа и кислорода (BiFeO3). Этот материал был впервые создан в 2001 г. Рамаморти Рамешем (Ramamoorthy Ramesh), профессором математики и инженерии Калифорнийского университета в Беркли и главным автором статьи в Nature.

Мультиферроик имеет два состояния — магнитное и ферроэлектрическое — которые связаны друг с другом. Меняя электрическое поле, можно изменить магнитное состояние. Таким образом, в качестве 0 и 1 здесь выступает восходящее и нисходящее направление намагниченности, которая меняется за счет манипуляций с полем.

Главным прорывом в создании МЭСО стало появление топологических материалов со спин-орбитальным эффектом, который позволяет эффективно считывать состояние мультиферроика. В МЭСО электрическое поле изменяет дипольное электрическое поле по всему материалу, что в свою очередь изменяет электронные спины, которые генерируют магнитное поле. Эта способность исходит из спин-орбитальной связи, квантового эффекта в материалах, который вырабатывает ток, определяемый направлением вращения электрона.

«МЭСО — это элемент, сделанный из квантовых материалов комнатной температуры», — поясняет Сасикант Манипатруни (Sasikanth Manipatruni), старший научный сотрудник и директор Научно-технологического центра Intel по интеграции и производству функциональной электроники.

  • Короткая ссылка
  • Распечатать

Транзисторы КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г.

Транзисторы КТ817, — кремниевые, универсальные, мощные низкочастотные, структуры — n-p-n. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, преобразователях и импульсных схемах. Корпус пластмассовый, с гибкими выводами. Масса — около 0,7 г. Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса, может быть двух типов.

Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и некодированная — в две. Первый знак в кодированной маркировке КТ817 цифра 7, второй знак — буква, означающая класс. Два следующих знака, означают месяц и год выпуска. В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке. На рисунке ниже — цоколевка и маркировка КТ817.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у транзисторов КТ817А, КТ817Б, КТ817В — 20. У транзистора КТ817Г — 15.

Граничная частота коэффициента передачи тока — 3 МГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. У транзистора КТ817А — 25в. У транзисторовКТ817Б — 45в. У транзистора КТ817В — 60в. У транзистора КТ817Г — 80в.

Максимальный ток коллектора. — 3А. Рассеиваемая мощность коллектора — 1 Вт, без теплоотвода, 25 Вт — с теплоотводом.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 3А, а базы 0,3А — не более 1,5в.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 3А, а базы 0,3А — не более 0,6в.

Обратный ток коллектора у транзисторов КТ817А при напряжении коллектор-база 25в, транзисторов КТ817Б при напряжении коллектор-база 45в, транзисторов КТ817В при напряжении коллектор-база 60в, транзисторов КТ817Г при напряжении коллектор-база 100 в — 100мкА.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в, на частоте 1МГц — не более — 60 пФ.

Емкость эмиттерного перехода при напряжении эмиттер-база 0,5 в — 115 пФ.

Комплиментарный (аналогичный по параметрам, но противоположной проводимости)транзистор — КТ816.

Транзисторы — купить… или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы? В основном здесь два варианта — либо купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х, образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки — можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — сломанные телевизоры, магнитофоны, приемники и.

Маркировка

Цифры “13001” на корпусе дают общее представление об этом полупроводниковом устройстве. Многие производители маркируют так свои изделия из-за отсутствия места на корпусе ТО-92, не указывая при этом префикс в начале. В статье приведены технические характеристики устройств малоизвестных в России производителей DGNJDZ, Semtech Electronics, YFWDIODE. Указанные производители в своих даташитах не указывают дополнительных символов маркировки. Без дополнительных обозначений маркирует свой транзистор TS13001 тайваньская компания TSMC. Первые две литеры “TS” являются аббревиатурой первых двух слов в полном названии компании Taiwan Semiconductor Manufacturing Company. В тоже время, на рыке достаточно широко представлены транзисторы mje13001, которые тоже промаркированы цифрами 13001. SHENZHEN JTD ELECTRONICS и многие другие производители применяют s13001 s8d при маркировке своих девайсов. Встречаются и другие префиксы, не рассмотренные в статье. Многие продавцы не заморачиваясь с маркировкой в наименовании товара, указывают все возможные его типы вместе с датой производства.

Подбор MOSFET или аналога (замены)

Результаты подбора MOSFET (поиска аналога)

Тип Code Pol Struct Pd Uds Ugs Ugs(th) Id Tj Qg Tr Cd Rds Caps
2SK3562 K3562 N MOSFET 40 600 30 4 6 150 28 20 110 1.25 TO220SIS
2SK3567 K3567 N MOSFET 35 600 30 4 3.5 150 16 12 60 2.2 TO220SIS
2SK3569 K3569 N MOSFET 45 600 30 4 10 150 42 22 180 0.75 TO220SIS
2SK3667 N MOSFET 45 600 30 7.5 150 33 20 120 1 TO220SIS
2SK3797 N MOSFET 50 600 30 13 150 62 60 270 0.43 TO220SIS
2SK3799 K3799 N MOSFET 50 900 30 4 8 150 60 25 190 1.3 TO220SIS
2SK3947 N MOSFET 40 600 30 6 150 28 20 110 1.4 TO220SIS
2SK4013 K4013 N MOSFET 45 800 30 4 6 150 45 25 130 1.7 TO220SIS
2SK4014 K4014 N MOSFET 45 900 30 4 6 150 45 25 130 2 TO220SIS
2SK4015 N MOSFET 45 600 30 10 150 42 22 180 0.86 TO220SIS
2SK4016 N MOSFET 50 600 30 4 13 150 62 60 270 0.5 TO220SIS
TK10A60D K10A60D N MOSFET 45 600 30 4 10 150 25 22 135 0.75 TO220SIS
TK10A80E N MOSFET 50 800 30 4 10 150 46 40 150 1 TO220SIS
TK11A60D K11A60D N MOSFET 45 600 30 4 11 150 28 25 165 0.65 TO220SIS
TK11A65D K11A65D N MOSFET 45 650 30 4 11 150 30 30 157 0.7 TO220SIS
TK11A65W N MOSFET 35 650 30 3.5 11.1 150 25 23 23 0.39 TO220SIS
TK12A60D K12A60D N MOSFET 45 600 30 4 12 150 38 40 190 0.55 TO220SIS
TK12A60W N MOSFET 35 600 30 3.7 11.5 150 25 23 23 0.3 TO220SIS
TK12A65D K12A65D N MOSFET 50 650 30 4 12 150 40 35 200 0.54 TO220SIS
TK13A60D K13A60D N MOSFET 50 600 30 4 13 150 40 50 250 0.43 TO220SIS
TK13A65D K13A65D N MOSFET 50 650 30 4 13 150 45 50 280 0.47 TO220SIS
TK14A65W N MOSFET 40 650 30 3.5 13.7 150 35 20 35 0.25 TO220SIS
TK15A60D K15A60D N MOSFET 50 600 30 4 15 150 45 50 280 0.37 TO220SIS
TK16A60W N MOSFET 40 600 30 3.7 15.8 150 38 25 35 0.19 TO220SIS
TK18A60V K18A60V N MOSFET 45 600 30 3.5 18 150 39 40 40 0.19 TO220SIS
TK20A60T K20A60T N MOSFET 45 600 30 20 150 30 40 3800 0.19 TO220SIS
TK20A60W N MOSFET 45 600 30 3.7 20 150 48 25 40 0.155 TO220SIS
TK25A60X N MOSFET 45 600 30 3.5 25 150 40 15 60 0.125 TO220SIS
TK28A65W N MOSFET 45 650 30 3.5 27.6 150 75 25 70 0.11 TO220SIS
TK31A60W N MOSFET 45 600 30 3.7 30.8 150 86 32 70 0.088 TO220SIS
TK35A65W N MOSFET 50 650 30 3.5 35 150 100 30 90 0.08 TO220SIS
TK39A60W N MOSFET 50 600 30 3.7 38.8 150 110 50 90 0.065 TO220SIS
TK4A60D K4A60D N MOSFET 35 600 30 4.4 4 150 12 18 70 1.7 TO220SIS
TK4A60DA K4A60DA N MOSFET 35 600 30 4.4 3.5 150 11 18 55 2.2 TO220SIS
TK4A60DB K4A60DB N MOSFET 35 600 30 4.4 3.7 150 11 18 60 2 TO220SIS
TK4A65DA K4A65DA N MOSFET 35 650 30 4.4 3.5 150 12 18 70 1.9 TO220SIS
TK5A60D K5A60D N MOSFET 35 600 30 4.4 5 150 16 20 80 1.43 TO220SIS
TK5A65D K5A65D N MOSFET 40 650 30 4 5 150 16 20 100 1.43 TO220SIS
TK5A65DA K5A65DA N MOSFET 35 650 30 4.4 4.5 150 16 20 70 1.67 TO220SIS
TK6A60D K6A60D N MOSFET 40 600 30 4 6 150 16 20 100 1.25 TO220SIS
TK6A65D K6A65D N MOSFET 45 650 30 4 6 150 20 25 100 1.11 TO220SIS
TK6A80E N MOSFET 45 800 30 4 6 150 32 20 110 1.7 TO220SIS
TK7A65D K7A65D N MOSFET 45 650 30 4 7 150 24 25 120 0.98 TO220SIS
TK7A90E N MOSFET 45 900 30 4 7 150 32 20 110 2 TO220SIS
TK8A60DA K8A60DA N MOSFET 45 600 30 4 7.5 150 20 25 100 1 TO220SIS
TK8A65D K8A65D N MOSFET 45 650 30 4 8 150 25 22 135 0.84 TO220SIS
TK9A60D K9A60D N MOSFET 45 600 30 4 9 150 24 25 120 0.83 TO220SIS
TK9A90E N MOSFET 50 900 30 4 9 150 46 40 150 1.3 TO220SIS

Всего результатов: 48

Какими же транзисторами можно заменить?

Для начала разберем биполярные транзисторы, самые распространенные

Главное, что важно знать о них:

  • первым делом необходимо выяснить, каково максимальное его напряжение;
  • после чего нужно проверить, как обстоят дела с током коллектора;
  • затем выяснение, насколько рассеиваема мощность, и какова частота;
  • ну и, наконец, то как передается ток.

Вначале, конечно же, нужно начать с оценивания характеристики в общем. Самыми главными и первыми шагами будут: выяснение частоты и быстроты. Будет очень хорошо, если частоты будут отличаться, то есть рабочая будет меньше, чем граничная частота. Так все функционировать будет лучше.

Ну а если же будет наоборот, и рабочая с граничной будут практически на одной частоте, то в таком случае необходимо будет невероятно большое количество энергии, так как коэффициент передачи по току будет иметь свою определенную цель, он будет идти к 1. Поэтому необходимо, чтобы граничная частота того аналога, которого вы подбираете, была равна частоте этого предмета, который был прежде. Но можно сделать и так, чтобы частота была больше.

Далее обязательно обратить свое внимание на мощность. То есть нужно выяснить максимальный ток коллектора и напряжение коллектора-эмиттера

Максимальный ток коллектора обязан быть намного выше тока данного прибора. С напряжением же все, наоборот, у рабочего прибора должно оно быть выше.

Смотрите видео о том, чем заменить советские радиодетали.

Чем заменить советские радиодетали

Если же вы используете даташит для поиска аналога, то, конечно же, важно понимать, что все показатели аналога должны соответствовать прежнему прибору, хорошо было бы, даже если превосходили бы. К примеру, если же случилась неполадка с транзистором, а напряжение коллектор-эмиттер было около 80 вольт, а ток 10 ампер, то соответственно по данным должен составлять 15 ампер по току, а по напряжению около 230 вольт

И этот аналог пойдет для замены полностью

К примеру, если же случилась неполадка с транзистором, а напряжение коллектор-эмиттер было около 80 вольт, а ток 10 ампер, то соответственно по данным должен составлять 15 ампер по току, а по напряжению около 230 вольт. И этот аналог пойдет для замены полностью.

К примеру, очень часто 2N3055 заменяется на КТ819ГМ, и эти полупроводниковые компоненты спокойно могут друг друга заменять. Если говорить о схожести данных усилителей, то оба они считаются идеальной заменой друг друга и выйдут довольно эффективными, и они не принесут особых проблем.

КАК ПОДОБРАТЬ ТРАНЗИСТОР ДЛЯ УСИЛИТЕЛЯ

Для простых каскадных усилителей очень важно подобрать транзисторы с максимальным коэффициентом усиления (КУ). Известно, что характеристики транзисторов легко узнать в мануале, но даже там вы увидите огромный разброс параметров усилительных свойств транзисторов одно марки и серии.Иногда так и получается — установив указанные в нарисованной схеме детали , на практике при включении ничего должным образом не работает.Разброс параметров транзисторов настолько большой, что ПРОВЕРКА перед пайкой крайне необходима

Известно, что характеристики транзисторов легко узнать в мануале, но даже там вы увидите огромный разброс параметров усилительных свойств транзисторов одно марки и серии.Иногда так и получается — установив указанные в нарисованной схеме детали , на практике при включении ничего должным образом не работает.Разброс параметров транзисторов настолько большой, что ПРОВЕРКА перед пайкой крайне необходима.

Говоря о Коэффициенте Усиления надо оговориться , что у простого Биполярного транзистора их несколько — и по току и по напряжению и даже комплексный по мощности зависимый от ряда параметров схемы применения.

В частном случае Коэффициент усиления транзистора (по току, мощности или напряжению) – отношение изменения соответствующего показателя в цепи коллектора и в цепи базы.️ Коэффициент усиления транзистора по току Для схем с общей базой этот коэффициент обозначается буквой α (hfБ или h31Б), с общим эмиттером буквой β (hfЭ или h31Э).️ Коэффициент усиления по току (или, как еще указывается в литературе, коэффициент передачи тока) в первом случае (α) есть отношение силы тока в коллекторе (Iк) к силе тока эмиттера (Iэ) при неизменном напряжении в части коллектор-база: α = IК / IЭ, при UК-Б = const

Коэффициент усиления триода по мощности Это величина отношения выходной мощности (P2) к мощности, подаваемой на вход триода (P1): КР = Р2 / Р1Коэффициент усиления транзистора по мощности можно также определить произведением коэффициента усиления по току (КI) и коэффициента усиления по напряжению (KU): КР = КI * KU

Для расчета этих параметров достаточно собрать простенькую схему и провести измерения величин тока в цепях базы и коллектора.

На кухонном столе такая установка выглядит вот так.

С помощью простого расчеты мы легко сможем определить самый подходящий для нашего усилителя транзистор из имеющихся в наличии.

Удивил меня факт того, что транзистор регулярно используемый в усилителях КТ803А оказался далеко не лидером по КУ среди транзисторов изъятых из блоков питания и лампочек экономок.Его КУ равный 10 никак не соперничает с КУ транзистора 13003 равным 20.

А вот германиевые транзисторы П210А меня порадовали Коэффициентом усиления переваливающим за 200.

✅ КАК ПОДОБРАТЬ ТРАНЗИСТОР ДЛЯ УСИЛИТЕЛЯ ✔️ Что есть КУ ?

Источник

Особенности элемента

Преимуществом МЭСО является то, что напряжение, необходимое для его переключения, в пять раз ниже напряжения при переключении КМОП. Проведенные эксперименты показали, что для переключения достаточно 500 мВ, но ученые подсчитали, что это значение можно довести до 100 мВ.

В результате процессоры на МЭСО будут потреблять в 10-30 раз меньше энергии по сравнению с чипами на транзисторах, плюс будут сверхэкономными в спящем режиме. В перспективе можно говорить о повышении энергоэффективности в 10-100 раз по сравнению с тем, чего в будущем можно добиться от КМОП.

МЭСО изготавливаются из так называемого мультиферроика — соединения висмута, железа и кислорода (BiFeO3)

Ученые сообщают, что МЭСО может вместить в пять раз больше логических операций на том же пространстве по сравнению с КМОП.

П О П У Л Я Р Н О Е:

Графический редактор — Tux Paint — простая бесплатная программа для рисования. Программа предназначена для детей и имеет простую понятную панель инструментов, веселое озвучивание команд, рисованный пингвин-помощник, который поможет детям своими подсказками 🙂

Хоть и Tux Paint простая программка, но в ней есть множество различных инструментов для рисования: набор разных кистей и штампов для рисования, формы и линии, заливка и размытие, волны и вздутие, рельсы и цветочки, зеркало и многое другое.

Прибор для проверки коэффициента усиления мощных и маломощных транзисторов своими руками

Хотя сейчас много в продаже различных приборов и мультиметров, измеряющих коэффициент усиления транзисторов, но любителям что-нибудь мастерить и паять можно порекомендовать несколько несложных схем и доработку.

Данный прибор для проверки транзисторов позволяет точно замерять ряд следующих параметров…

Цена: $5.37 за 10 комплектов

Перейти в магазин

Здравствуйте. Обзор модуля для регулировки электрической мощности с примерами применения. Купил я этот набор для изменения на мощности паяльнике. Раньше я делал подобное устройство, но для паяльника тот диммер чересчур большой, как по размерам, так и по мощности и приходится располагать его в отдельной коробке. И вот на глаза попался сабж, который можно встроить в сетевую вилку, не любую правда, но найти можно.

Размер печатной платы: 2*3.3 см Номинальная мощность: p = UI; 100 Вт = 220 В * 0.45а Модель: 100 Вт модуль диммера; Номинальная мощность: 100 Вт;

Печатная плата x1 шт Потенциометр с выключателем Wh249-500k x1 Потенциометра рукоятка x1 Динистор DB3 x1 Сопротивление 2 К, 0.25 Вт x1 Симистор MAC97A6 x1 Конденсатор 0,1 мкФ 630 В CBB x1

Размеры платы 30х20мм. В глубину от выступающих контактов регулятора до резьбы 17 мм. Посадочное отверстие 9,2 мм. Диаметр резьбы 6,8 мм.

Заказал лот из десяти наборов. Каждый набор помещен в полиэтиленовый пакет.

Деталей немного. Переменный резистор со встроенным выключателем. Принципиальная схема вроде этой, только номиналы другие. Модуль можно спаять за несколько минут. Провода слишком толстые и не дают переменнику полностью встать на свое место. Поэтому припаивать их надо в последнюю очередь, если они нужны, конечно.

Теперь нужно подобрать вилку. Ничего лучшего, чем корпус от зарядки нокия я не нашел. Корпус скреплен винтами, правда с хитрым шлицем, но можно открутить обычной плоской отверткой. Вытаскиваю внутренности, делаю отверстие в крышке. Все, прибор готов. Ручка регулятора имеет такую же фактуру и цвет как и корпус и не создает впечатление инородного тела.

Осталось подсоединить нагрузку — паяльник.

Лужу пружинные контакты от зарядки с помощью кислоты.

И соединяю провод паяльника с диммером и контактами.

И все это помещаю внутрь корпуса зарядки. Провод в корпусе дополнительно фиксировать не стал, влез довольно плотно. Теперь осталось отрегулировать температуру. Хоть паяльник и на 25 ватт, но раскочегаривается до 350 градусов.

Вращением регулятора добиваюсь, чтобы на жале было 270 С и переставляю ручку регулятора указателем на винт, чтобы проще было потом ориентироваться. В это время паяльник потребляет 16,5 ватт.

Видео, демонстрирующее регулировку мощности.

DSCN4510

Ради эксперимента поставил сабж в вентилятор.

Но здесь регулировку оборотов безболезненно можно делать лишь в небольших пределах. При достаточном снижении оборотов — обмотки двигателя начинают гудеть, перегреваться и рано или поздно, скорее рано, при такой эксплуатации двигатель может сгореть Ну и универсальный регулятор, к которому можно подключить и паяльник, и лампу и вентилятор. Корпус взял от от блока питания от дект телефона. Блок питания самый простой — только понижающий трансформатор, на выходе переменный ток. Поэтому разобрал его без сожаления. Корпус расколол на 2 части по шву легкими постукиванием молотка по ножу. Приятный сюрприз- вилка вывинчивается, что облегчает процесс самоделания. Конечно, необходимо немного попилить. Необходимые детали уложились в корпус довольно компактно. Соединяю вилку и розетку проводами. Все это помещаю в корпус, где уже установлен диммер. Провода на фото припаяны неправильно, по невнимательности. Ток при такой распайке идет напрямую через конденсатор и диммер естественно не работает. А я то подумал — брак положили. Перепаял провода, как положено, на контакты подписанные «220V».

Готовое изделие. Применяю диммер по прямому назначению — лампу накаливания можно душевно затемнить. Во время эксплуатации, какого то чрезмерного нагрева прибора не обнаружил, но использовал я сабж на мощность ниже номинальной.

На этом все

Спасибо за внимание

Результаты подбора MOSFET (поиска аналога)

Тип Code Pol Struct Pd Uds Ugs Ugs(th) Id Tj Qg Tr Cd Rds Caps
2SK3562 K3562 N MOSFET 40 600 30 4 6 150 28 20 110 1.25 TO220SIS
2SK3567 K3567 N MOSFET 35 600 30 4 3.5 150 16 12 60 2.2 TO220SIS
2SK3569 K3569 N MOSFET 45 600 30 4 10 150 42 22 180 0.75 TO220SIS
2SK3667 N MOSFET 45 600 30 7.5 150 33 20 120 1 TO220SIS
2SK3797 N MOSFET 50 600 30 13 150 62 60 270 0.43 TO220SIS
2SK3799 K3799 N MOSFET 50 900 30 4 8 150 60 25 190 1.3 TO220SIS
2SK3947 N MOSFET 40 600 30 6 150 28 20 110 1.4 TO220SIS
2SK4013 K4013 N MOSFET 45 800 30 4 6 150 45 25 130 1.7 TO220SIS
2SK4014 K4014 N MOSFET 45 900 30 4 6 150 45 25 130 2 TO220SIS
2SK4015 N MOSFET 45 600 30 10 150 42 22 180 0.86 TO220SIS
2SK4016 N MOSFET 50 600 30 4 13 150 62 60 270 0.5 TO220SIS
TK10A60D K10A60D N MOSFET 45 600 30 4 10 150 25 22 135 0.75 TO220SIS
TK10A80E N MOSFET 50 800 30 4 10 150 46 40 150 1 TO220SIS
TK11A60D K11A60D N MOSFET 45 600 30 4 11 150 28 25 165 0.65 TO220SIS
TK11A65D K11A65D N MOSFET 45 650 30 4 11 150 30 30 157 0.7 TO220SIS
TK11A65W N MOSFET 35 650 30 3.5 11.1 150 25 23 23 0.39 TO220SIS
TK12A60D K12A60D N MOSFET 45 600 30 4 12 150 38 40 190 0.55 TO220SIS
TK12A60W N MOSFET 35 600 30 3.7 11.5 150 25 23 23 0.3 TO220SIS
TK12A65D K12A65D N MOSFET 50 650 30 4 12 150 40 35 200 0.54 TO220SIS
TK13A60D K13A60D N MOSFET 50 600 30 4 13 150 40 50 250 0.43 TO220SIS
TK13A65D K13A65D N MOSFET 50 650 30 4 13 150 45 50 280 0.47 TO220SIS
TK14A65W N MOSFET 40 650 30 3.5 13.7 150 35 20 35 0.25 TO220SIS
TK15A60D K15A60D N MOSFET 50 600 30 4 15 150 45 50 280 0.37 TO220SIS
TK16A60W N MOSFET 40 600 30 3.7 15.8 150 38 25 35 0.19 TO220SIS
TK18A60V K18A60V N MOSFET 45 600 30 3.5 18 150 39 40 40 0.19 TO220SIS
TK20A60T K20A60T N MOSFET 45 600 30 20 150 30 40 3800 0.19 TO220SIS
TK20A60W N MOSFET 45 600 30 3.7 20 150 48 25 40 0.155 TO220SIS
TK25A60X N MOSFET 45 600 30 3.5 25 150 40 15 60 0.125 TO220SIS
TK28A65W N MOSFET 45 650 30 3.5 27.6 150 75 25 70 0.11 TO220SIS
TK31A60W N MOSFET 45 600 30 3.7 30.8 150 86 32 70 0.088 TO220SIS
TK35A65W N MOSFET 50 650 30 3.5 35 150 100 30 90 0.08 TO220SIS
TK39A60W N MOSFET 50 600 30 3.7 38.8 150 110 50 90 0.065 TO220SIS
TK4A60D K4A60D N MOSFET 35 600 30 4.4 4 150 12 18 70 1.7 TO220SIS
TK4A60DA K4A60DA N MOSFET 35 600 30 4.4 3.5 150 11 18 55 2.2 TO220SIS
TK4A60DB K4A60DB N MOSFET 35 600 30 4.4 3.7 150 11 18 60 2 TO220SIS
TK4A65DA K4A65DA N MOSFET 35 650 30 4.4 3.5 150 12 18 70 1.9 TO220SIS
TK5A60D K5A60D N MOSFET 35 600 30 4.4 5 150 16 20 80 1.43 TO220SIS
TK5A65D K5A65D N MOSFET 40 650 30 4 5 150 16 20 100 1.43 TO220SIS
TK5A65DA K5A65DA N MOSFET 35 650 30 4.4 4.5 150 16 20 70 1.67 TO220SIS
TK6A60D K6A60D N MOSFET 40 600 30 4 6 150 16 20 100 1.25 TO220SIS
TK6A65D K6A65D N MOSFET 45 650 30 4 6 150 20 25 100 1.11 TO220SIS
TK6A80E N MOSFET 45 800 30 4 6 150 32 20 110 1.7 TO220SIS
TK7A65D K7A65D N MOSFET 45 650 30 4 7 150 24 25 120 0.98 TO220SIS
TK7A90E N MOSFET 45 900 30 4 7 150 32 20 110 2 TO220SIS
TK8A60DA K8A60DA N MOSFET 45 600 30 4 7.5 150 20 25 100 1 TO220SIS
TK8A65D K8A65D N MOSFET 45 650 30 4 8 150 25 22 135 0.84 TO220SIS
TK9A60D K9A60D N MOSFET 45 600 30 4 9 150 24 25 120 0.83 TO220SIS
TK9A90E N MOSFET 50 900 30 4 9 150 46 40 150 1.3 TO220SIS

Всего результатов: 48

Новый элемент

Исследователи из компании Intel, Калифорнийского университета в Беркли и Национальной лаборатории им. Лоуренса в Беркли разработали магнитоэлектрический спин-орбитальный (МЭСО) логический элемент, который должен прийти на смену комплементарным структурам металл-оксид-полупроводников (КМОП), то есть обычным транзисторам. Результаты исследования были опубликованы в журнале Nature, о них также сообщила Intel на своем сайте.

Intel считает, что применение МЭСО сможет вывести электронику из тупика, в которой она зайдет, когда миниатюризировать дальше современные транзисторы станет невозможно.

«Мы ищем революционные, а не эволюционные подходы к вычислениям в эпоху пост-КМОП. МЭСО построен вокруг низковольтных соединений и низковольтных магнитоэлектриков. Он объединяет инновации в области квантовых материалов и вычислений», — комментирует открытие Ян Янг (Ian Young), старший научный сотрудник Intel и директор группы исследования интегральных микросхем в группе технологий и производства.

Маркировка транзисторов в соответствии с европейской системой классификации.

В соответствии с европейской системой классификации обозначение транзистора состоит из двух букв и трех
цифр (приборы общего применения) или трех букв и двух цифр(приборы специального применения).
Первая буква характеризует материал, из которого сделан транзистор:
А-германий; В- кремний. Вторая буква обозначает область применения прибора:
С-маломощный низкочастотный прибор; D-мощный низкочастотный прибор;F- маломощный высокочастотный прибор;
L-мощный высокочастотный прибор.
Третья буква(если она есть) не несет особой смысловой нагрузки.
Например: транзистор AF115 — общего назначения, германиевый,маломощный, высокочастотный.
Транзистор BD135 — общего назначения, большой мощности, низкочастотный.

Какими же транзисторами можно заменить?

Для начала разберем биполярные транзисторы, самые распространенные

Главное, что важно знать о них:

  • первым делом необходимо выяснить, каково максимальное его напряжение;
  • после чего нужно проверить, как обстоят дела с током коллектора;
  • затем выяснение, насколько рассеиваема мощность, и какова частота;
  • ну и, наконец, то как передается ток.

Вначале, конечно же, нужно начать с оценивания характеристики в общем. Самыми главными и первыми шагами будут: выяснение частоты и быстроты. Будет очень хорошо, если частоты будут отличаться, то есть рабочая будет меньше, чем граничная частота. Так все функционировать будет лучше.

Ну а если же будет наоборот, и рабочая с граничной будут практически на одной частоте, то в таком случае необходимо будет невероятно большое количество энергии, так как коэффициент передачи по току будет иметь свою определенную цель, он будет идти к 1. Поэтому необходимо, чтобы граничная частота того аналога, которого вы подбираете, была равна частоте этого предмета, который был прежде. Но можно сделать и так, чтобы частота была больше.

Далее обязательно обратить свое внимание на мощность. То есть нужно выяснить максимальный ток коллектора и напряжение коллектора-эмиттера

Максимальный ток коллектора обязан быть намного выше тока данного прибора. С напряжением же все, наоборот, у рабочего прибора должно оно быть выше.

Смотрите видео о том, чем заменить советские радиодетали.

Если же вы используете даташит для поиска аналога, то, конечно же, важно понимать, что все показатели аналога должны соответствовать прежнему прибору, хорошо было бы, даже если превосходили бы. К примеру, если же случилась неполадка с транзистором, а напряжение коллектор-эмиттер было около 80 вольт, а ток 10 ампер, то соответственно по данным должен составлять 15 ампер по току, а по напряжению около 230 вольт

И этот аналог пойдет для замены полностью

К примеру, если же случилась неполадка с транзистором, а напряжение коллектор-эмиттер было около 80 вольт, а ток 10 ампер, то соответственно по данным должен составлять 15 ампер по току, а по напряжению около 230 вольт. И этот аналог пойдет для замены полностью.

К примеру, очень часто 2N3055 заменяется на КТ819ГМ, и эти полупроводниковые компоненты спокойно могут друг друга заменять. Если говорить о схожести данных усилителей, то оба они считаются идеальной заменой друг друга и выйдут довольно эффективными, и они не принесут особых проблем.

13001% 20s% 208d техническое описание и примечания к применению

74LVC1G3208DCKTE4 Инструменты Техаса СЕРИЯ LVC / LCX / Z, 3 ВХОДА ИЛИ ВОРОТА, PDSO6, ЗЕЛЕНЫЙ, ПЛАСТИК, SC-70, 6 КОНТАКТОВ
TPS62208DBVTG4 Инструменты Техаса Понижающий преобразователь на выходе 1,875 В, 300 мА, КПД 95% в SOT-23 5-SOT-23-40 до 85
TPS563208DDCR Инструменты Техаса 4.Вход с 5 В на 17 В, выход 3 А, синхронный понижающий преобразователь 6-SOT-23-THIN -40 до 125
TPS561208DDCT Инструменты Техаса Вход от 4,5 В до 17 В, выход 1 А, синхронный понижающий преобразователь 6-SOT-23-THIN от -40 до 85
74LVC1G3208DCKTG4 Инструменты Техаса СЕРИЯ LVC / LCX / Z, 3 ВХОДА ИЛИ ВОРОТА, PDSO6, ЗЕЛЕНЫЙ, ПЛАСТИК, SC-70, 6 КОНТАКТОВ
CDC208DW Инструменты Техаса 5V Двойной драйвер тактовой частоты 1 в 4 20-SOIC

MJE13001 и 13001 транзисторы.Распиновка.

Наименование прибора: MJE13001, 13001, KSE13001, TS13001, KTS13001, HK13001, ST13001.
Все эти транзисторы используются в основном в устройствах для питания и подзарядки различных электронных гаджетов.
13001 может иметь разные типы пакетов: ТО-92, СОТ-89, ТО-126.
Материал транзисторов: Si
Полярность: NPN

Внимание! MJE13001 (маркировка MJE13001) в корпусах TO-92, SOT-89 и TS13001 (маркировка 13001) в корпусе TO-92 имеют разное назначение выводов.
Например:

Более подробную информацию об этом MJE13001 можно найти, перейдя по этой ссылке.
Но в любом случае распиновку каждого 13001 лучше перед установкой проверить мультиметром или тестером.

Если транзистор неисправен таким образом, что мультиметр не может определить расположение его выводов. или тестером, нужно обратить внимание на его подключение к электронной схеме устройства, в котором он используется.
Эмиттер чаще всего подключается напрямую или через резистор с небольшим сопротивлением к отрицательному выводу входного сглаживающего конденсатора.
Коллектор всегда находится посередине.
Таким образом, третий штифт — это основание .

Некоторые 13001 содержат встроенные диоды, подключенные между эмиттером и коллектором. Их цель — защитить транзистор от импульсов обратного напряжения, возникающих при он работает с индуктивной нагрузкой — обычно обмоткой трансформатора.

Основные параметры 13001.

Рассеиваемая мощность (P D ) при температуре окружающей среды 25 °, без радиатора. (| T A | = 25 °)
от 0,75 Вт до 1,1 Вт для корпуса TO-92 (в зависимости от производитель)
0,55 Вт (СОТ-89)
1 Вт (ТО-126)

Рассеиваемая мощность (P D ) при температуре коллектора не выше 25 °, поддерживаемой радиатором.(| T c | = 25 °)
20 W (TO-126)

Напряжение пробоя коллектор-база | В CBO |: 600 В,
500 В для HK13001 и ST13001,
400 В для KSE13001

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | В CEO |: 400 В

Напряжение пробоя эмиттер-база | В EBO |: 7 В,
9 В для HK13001

Максимальный ток коллектора | I c max |: 0.2 А для MJE13001,
0,1 А — для KTS13001, KSE13001, TS13001.
0,3 А — для HK13001 и ST13001.

Максимальная температура перехода | T j |: +150 C

Частота перехода (f t ): 8 МГц (мин)

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | В CE |: 0,5 В (IC = 50 мА, I B = 10 мА).

Напряжение насыщения база-эмиттер | В BE |: 1,2 В (IC = 50 мА, I B = 10 мА).

Коэффициент передачи прямого тока | h FE | : 10-70 , (I C = 20 мА, В CE = 20 В).

Время хранения | t с |: 1,5 мкс

Время спада | t F |: 0,3 мкс

MJE13001 Технический паспорт (PDF)
(Unisonic Technologies.)
TS13001 Лист данных (PDF)

Транзистор источника 13001 S8D 13001s Электронный транзистор 13001 Силовой транзистор MJE13001 Цепь NPN 13001 TO-92 Оригинал на м.alibaba.com

Исходный транзистор 13001 S8D 13001s Электронный транзистор 13001 Силовой транзистор MJE13001 Схема NPN 13001 TO-92 Оригинал на m.alibaba.com

Подробнее о морских перевозках и других торговых услугах.

Порт: HK / Шэньчжэнь
Условия оплаты: Л / К, Д / А, Д / П, Т / Т, западное соединение, МонейГрам, ПайПал
Возможность поставки: 600000 штук / штук в день
Бренд: Оригинальный бренд
Тип упаковки: Сквозное отверстие
Тип: Триодный транзистор
Место происхождения: Малайзия
Упаковка: Трубка, катушка и лоток
Пакет: К-92
Доставка по: DHL \ UPS \ FedEx \ EMS \ HK Post
Номер модели: 13001
Номер детали: Транзистор ТО-92
Деталь упаковки: Трубка, лоток и катушка со стандартной упаковкой

Шэньчжэнь Quanyuantong Electronics Co., Ltd.

Поставщик золота

CN

Торговая компания, агент, дистрибьютор / оптовый торговец

97,4%

Скорость доставки в срок

Quan Yuan Tong

9006

Номер модели

13001-S8D
Упаковка TO-92
PIN BCE 9000 и катушка / трубка
HFE 20-25
BVCEO > = 500V
Время выполнения 24 часа

9096

WhatsApp: 86-14774868256

9 0244
Добро пожаловать, чтобы связаться со мной
Контактное лицо: Yolanda Song
16

24

Wechat: 14774868256

Skype: qyt-yolanda1
QQ: 2880072536
Веб-сайт: www.quanyuantong.net

Дешевый транзистор 13001, найдите 13001 сделок по транзистору в сети на Alibaba.com

Дешевый транзистор 13001, найдите 13001 предложения по транзистору в сети на Alibaba.com

lecimo 13001 # Транзистор

null

Ltvystore 10 значений 200PCS NPN PNP Power Transistor Assortment Assortment Kit 9.77

Комплект поршня Kawasaki 650 куб. НОМЕР ДЕТАЛИ: A-6599948

94,43

TINYPONY Эпитаксиальный транзистор со сквозным отверстием NPN 100 В, 5 А, 40 Вт TIP122, 10 шт. Трехконтактная трубка регулятора напряжения

5,64

Комплект поршня Kawasaki 750 SS, 750 SSXi, 750 ST, 750 SX, 750XiR Модели 20 мм WRIST PIN 2 цилиндра OEM # 13001-3710, 13001-3707, 13001-3718 (0.25 мм (80,25 мм) 20 мм ШТИФТ НА ЗАПЯСТЬЕ)

74,95

Shoplet Best Value Kit — BEST-rite Recycled Rubber-Tackboard (BLTBRT13001 …

$ 205,30

VXi 13001 EC1020 Пенопластовый чехол для наушников для наушников VXI

$ 83,57

10 шт. KTC3964 C3964 2SC3964 TO-126 EPITAXIAL PLANAR NPN Transistor

8.99

50 шт. Шайба изоляционной втулки для транзистора TO-3

5.53

Rosewill Thermometer RTMT13001 RTL

$ 39.80

Надоело искать поставщиков? Попробуйте запрос предложений!

Запрос коммерческого предложения

  • Получите расценки по индивидуальным запросам
  • Позвольте подходящим поставщикам найти вас
  • Завершите сделку одним щелчком мыши

Настройка обработки Apperal

  • 1000 фабрик могут процитировать для вас
  • Более быстрый ответ
  • 100% гарантия доставки

Шайба изоляционной втулки 100 шт для транзистора TO-220, модель:

16.99

Шайба изоляционной втулки 50 шт. Для транзистора ТО-3, модель:

16,99

Кремниевый транзистор KT345B аналог BSY81, 2N3249 СССР 30 шт.

13,5

Изоляционная втулка транзистора внутреннего диаметра 50 x 3 мм, модель: 608641510676

16.99

Kokuyo Pen-style DotLiner Аппликатор для нанесения клея KOK13001

$ 6.39

MP111 Кремниевый транзистор СССР 20 шт.06

Кремниевый транзистор КТ605АМ СССР 50 шт.

13,5

КТ720А аналог BD166 транзистор кремний СССР 50 шт.

13,5

КТ668А аналог ВС556 кремний СССР 10 шт.

13,5

50 шт. / Лот МОП-транзистор IC, IRF3205 МОП -эффектный транзистор

26,00

Bheema TIP31C TIP31 NPN High Power 100V 3A Transistor Pack

2,75

Bheema Recycled Rubber-Tak Tackboard BLTBRT13001

$ 197.94

13001 Запасной газовый гриль для барбекю из 3 частей Горелка из нержавеющей стали для Vermont Castings и грилей модели Jenn Air

24,99

13001 Запасная газовая гриль для барбекю из 4 частей Горелка из нержавеющей стали для моделей Vermont Castings и Jenn Air

32,95

Набор из 2 штук Транзистор 2SC2785 Биполярный переходной транзистор, тип NPN, TO-221VAR

1.00

Бесплатная доставка A539 2SA539 KSA539 PNP Эпитаксиальный кремниевый транзистор TO-92 45V 200MA TO92 Триодный силовой транзистор 100шт / пакет

$ 17.2

Alsrobotbase N-Channel MOSFET IRF520, транзистор 40 В 12A

1,99

Вас также может заинтересовать:

Примечание: статьи, изображения, новости, мнения, видео или информация, размещенные на этой веб-странице (за исключением интеллектуальной свойства, принадлежащие Alibaba Group на этой веб-странице) загружаются зарегистрированными участниками Alibaba. Если вы подозреваете какое-либо несанкционированное использование ваших прав интеллектуальной собственности на этой веб-странице, сообщите нам об этом по следующему адресу: ali-guide @ service.alibaba.com.

Найти

может быть отправлен в тот же день. Paypal принят, закажите онлайн сегодня!

Тщательно выберите номер детали, производителя и упаковку из приведенной ниже таблицы, а затем добавьте в корзину, чтобы перейти к оформлению заказа.

Купите сейчас, и вы получите удовольствие
✓Отправьте заказ в тот же день!
✓ Доставка по всему миру!
✓ Распродажа с ограниченным сроком
✓ Легкий возврат.

Обзор продукта
Название продукта Поиск
Доступное количество Возможна немедленная отправка
Модель NO.
Код ТН ВЭД 85290
Минимальное количество От одной штуки
Атрибуты продукта
Категории
  • Поиск
  • идентификатор товара
    артикул
    gtin14
    МЛН
    Состояние детали Активный
    Все основные кредитные и дебетовые карты через PayPal.
    Paypal (AMEX принимается через Paypal)
    Мы также принимаем банковский перевод. Просто отправьте нам электронное письмо с URL-адресами или кодами продукта. Укажите свой адрес доставки и предпочтительный способ доставки. Затем мы отправим вам полные инструкции по электронной почте.

    Мы никогда не храним данные вашей карты, они остаются в Paypal

    Товары доставляются почтовыми службами и оплачиваются по себестоимости.
    Товары будут отправлены в течение 1-2 рабочих дней с момента оплаты. Доставка может быть объединена при покупке большего количества.
    Другие способы перевозки могут быть доступны при оформлении заказа — вы также можете сначала связаться со мной для уточнения деталей.
    Судоходная компания Расчетное время доставки Информация для отслеживания
    Плоская транспортировка 30-60 дней Нет в наличии
    Заказная Авиапочта 15-25 дней В наличии
    DHL / EMS / FEDEX / TNT 5-10 дней В наличии
    Окончательный срок поставки Может быть задержан вашей местной таможней из-за таможенного оформления.

    Благодарим за покупку нашей продукции на нашем веб-сайте.
    Чтобы иметь право на возмещение, вы должны вернуть товар в течение 30 календарных дней с момента покупки. Товар должен быть в том же состоянии, в котором вы его получили, и не иметь каких-либо повреждений.
    После того, как мы получим ваш товар, наша команда профессионалов проверит его и обработает ваш возврат. Деньги будут возвращены на исходный способ оплаты, который вы использовали при покупке. При оплате кредитной картой возврат средств может появиться в выписке по кредитной карте в течение 5–10 рабочих дней.
    Если товар поврежден каким-либо образом или вы инициировали возврат по прошествии 30 календарных дней, вы не имеете права на возврат.
    Если что-то неясно или у вас есть вопросы, свяжитесь с нашей службой поддержки клиентов.

    См. Подробную информацию о защите покупок PayPal.
    Получите заказанный товар или верните свои деньги.
    Покрывает вашу закупочную цену и первоначальную доставку.
    Если вы не получите товар в течение 25 дней, просто сообщите нам, будет выпущена новая посылка или замена.
    PayPal Защита покупателей
    Защита вашей покупки от клика до доставки
    Вариант 1) Полный возврат средств, если вы не получили свой заказ
    Вариант 2) Полный или частичный возврат, если товар не соответствует описанию
    Если ваш товар значительно отличается от нашего описания продукта, вы можете: A: вернуть его и получить полный возврат, или B: получить частичный возврат и сохранить товар.

    Спецификация или технические характеристики в формате PDF доступны по запросу для загрузки.

    Почему выбирают нас?

  • Расположен в Шэньчжэне, центре электронного рынка Китая.
  • 100% гарантия качества компонентов: Подлинный оригинал.
  • Достаточный запас на ваш срочный запрос.
  • Опытные коллеги помогут вам решить проблемы и снизить риски с помощью производства по требованию.
  • Быстрая доставка: компоненты, имеющиеся на складе, могут быть отправлены в тот же день.
  • Круглосуточное обслуживание.
  • Каковы ваши основные продукты?

    Наша основная продукция
    Интегральные схемы (ИС) Дискретный полупроводник Потенциометры, переменные R
    Аудио специального назначения Принадлежности Реле
    Часы / синхронизация Мостовые выпрямители Датчики, преобразователи
    Сбор данных Diacs, Sidacs Резисторы
    Встроенный Диоды Катушки индуктивности, дроссели
    Интерфейс МОП-транзисторы Фильтры
    Изоляторы — Драйверы ворот БТИЗ Кристаллы и генераторы
    Линейный JFET (эффект поля перехода) Разъемы, межкомпонентные соединения
    Логика Полевые транзисторы РФ Конденсаторы
    Память РЧ Транзисторы (БЮТ) Изоляторы
    PMIC SCR светодиод
    Транзисторы (БЮТ)
    Транзисторы
    Симисторы

    Какая цена?

  • Все цены являются ценами за единицу в долларах США (USD).
  • Цена на некоторые детали нестабильна в зависимости от рынка, пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последней и лучшей цены.
  • Какой способ оплаты?

  • PayPal, кредитные карты через PayPal, банковский перевод, Western Union, MoneyGram.
  • Покупатель несет ответственность за все расходы по доставке.
  • Свяжитесь с нами, если вы предпочитаете другой способ оплаты.
  • Что такое возврат и замена?

  • Если есть какие-либо проблемы с качеством, убедитесь, что все эти предметы должны быть возвращены в их первоначальном состоянии, чтобы претендовать на возврат или замену.(Любые использованные или поврежденные предметы не подлежат возврату или замене).
  • Какое минимальное количество для заказа вашей продукции?

  • Минимальное количество заказа от ОДНОЙ штуки.
  • Вы можете купить сколько угодно.
  • Когда вы пришлете мне детали?

  • Мы отправим вам детали в тот же день после получения оплаты.
  • Как разместить заказ?

  • Добавьте товар в корзину, а затем перейдите к оформлению заказа на нашем веб-сайте.
  • Предлагаете ли вы техническую поддержку?

  • Да, наш технический инженер поможет вам с информацией о распиновке 2SD1733TLR, указаниями по применению, замена, техническое описание в pdf, руководство, схема, аналог, перекрестная ссылка.
  • Предлагаете ли вы гарантию?

  • Да, мы предоставляем 6 месяцев гарантии на наш продукт.
  • Как сделать наш бизнес долгосрочным и хорошим?

  • Мы поддерживаем хорошее качество и конкурентоспособные цены.
  • Мы уважаем каждого клиента как друга и добросовестно ведем бизнес!
  • Если у Вас возникнут другие вопросы, свяжитесь с нами.Мы всегда к вашим услугам!

    Поиск

    может быть отправлен в тот же день. Paypal принят, закажите онлайн сегодня!

    Тщательно выберите номер детали, производителя и упаковку из приведенной ниже таблицы, а затем добавьте в корзину, чтобы перейти к оформлению заказа.

    Купите сейчас, и вы получите удовольствие
    ✓Отправьте заказ в тот же день!
    ✓ Доставка по всему миру!
    ✓ Распродажа с ограниченным сроком
    ✓ Легкий возврат.

    Обзор продукта
    Название продукта Поиск
    Доступное количество Возможна немедленная отправка
    Модель NO.
    Код ТН ВЭД 85290
    Минимальное количество От одной штуки
    Атрибуты продукта
    Категории
  • Поиск
  • идентификатор товара
    артикул
    gtin14
    МЛН
    Состояние детали Активный
    Все основные кредитные и дебетовые карты через PayPal.
    Paypal (AMEX принимается через Paypal)
    Мы также принимаем банковский перевод. Просто отправьте нам электронное письмо с URL-адресами или кодами продукта. Укажите свой адрес доставки и предпочтительный способ доставки. Затем мы отправим вам полные инструкции по электронной почте.

    Мы никогда не храним данные вашей карты, они остаются в Paypal

    Товары доставляются почтовыми службами и оплачиваются по себестоимости.
    Товары будут отправлены в течение 1-2 рабочих дней с момента оплаты. Доставка может быть объединена при покупке большего количества.
    Другие способы перевозки могут быть доступны при оформлении заказа — вы также можете сначала связаться со мной для уточнения деталей.
    Судоходная компания Расчетное время доставки Информация для отслеживания
    Плоская транспортировка 30-60 дней Нет в наличии
    Заказная Авиапочта 15-25 дней В наличии
    DHL / EMS / FEDEX / TNT 5-10 дней В наличии
    Окончательный срок поставки Может быть задержан вашей местной таможней из-за таможенного оформления.

    Благодарим за покупку нашей продукции на нашем веб-сайте.
    Чтобы иметь право на возмещение, вы должны вернуть товар в течение 30 календарных дней с момента покупки. Товар должен быть в том же состоянии, в котором вы его получили, и не иметь каких-либо повреждений.
    После того, как мы получим ваш товар, наша команда профессионалов проверит его и обработает ваш возврат. Деньги будут возвращены на исходный способ оплаты, который вы использовали при покупке. При оплате кредитной картой возврат средств может появиться в выписке по кредитной карте в течение 5–10 рабочих дней.
    Если товар поврежден каким-либо образом или вы инициировали возврат по прошествии 30 календарных дней, вы не имеете права на возврат.
    Если что-то неясно или у вас есть вопросы, свяжитесь с нашей службой поддержки клиентов.

    См. Подробную информацию о защите покупок PayPal.
    Получите заказанный товар или верните свои деньги.
    Покрывает вашу закупочную цену и первоначальную доставку.
    Если вы не получите товар в течение 25 дней, просто сообщите нам, будет выпущена новая посылка или замена.
    PayPal Защита покупателей
    Защита вашей покупки от клика до доставки
    Вариант 1) Полный возврат средств, если вы не получили свой заказ
    Вариант 2) Полный или частичный возврат, если товар не соответствует описанию
    Если ваш товар значительно отличается от нашего описания продукта, вы можете: A: вернуть его и получить полный возврат, или B: получить частичный возврат и сохранить товар.

    Спецификация или технические характеристики в формате PDF доступны по запросу для загрузки.

    Почему выбирают нас?

  • Расположен в Шэньчжэне, центре электронного рынка Китая.
  • 100% гарантия качества компонентов: Подлинный оригинал.
  • Достаточный запас на ваш срочный запрос.
  • Опытные коллеги помогут вам решить проблемы и снизить риски с помощью производства по требованию.
  • Быстрая доставка: компоненты, имеющиеся на складе, могут быть отправлены в тот же день.
  • Круглосуточное обслуживание.
  • Каковы ваши основные продукты?

    Наша основная продукция
    Интегральные схемы (ИС) Дискретный полупроводник Потенциометры, переменные R
    Аудио специального назначения Принадлежности Реле
    Часы / синхронизация Мостовые выпрямители Датчики, преобразователи
    Сбор данных Diacs, Sidacs Резисторы
    Встроенный Диоды Катушки индуктивности, дроссели
    Интерфейс МОП-транзисторы Фильтры
    Изоляторы — Драйверы ворот БТИЗ Кристаллы и генераторы
    Линейный JFET (эффект поля перехода) Разъемы, межкомпонентные соединения
    Логика Полевые транзисторы РФ Конденсаторы
    Память РЧ Транзисторы (БЮТ) Изоляторы
    PMIC SCR светодиод
    Транзисторы (БЮТ)
    Транзисторы
    Симисторы

    Какая цена?

  • Все цены являются ценами за единицу в долларах США (USD).
  • Цена на некоторые детали нестабильна в зависимости от рынка, пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последней и лучшей цены.
  • Какой способ оплаты?

  • PayPal, кредитные карты через PayPal, банковский перевод, Western Union, MoneyGram.
  • Покупатель несет ответственность за все расходы по доставке.
  • Свяжитесь с нами, если вы предпочитаете другой способ оплаты.
  • Что такое возврат и замена?

  • Если есть какие-либо проблемы с качеством, убедитесь, что все эти предметы должны быть возвращены в их первоначальном состоянии, чтобы претендовать на возврат или замену.(Любые использованные или поврежденные предметы не подлежат возврату или замене).
  • Какое минимальное количество для заказа вашей продукции?

  • Минимальное количество заказа от ОДНОЙ штуки.
  • Вы можете купить сколько угодно.
  • Когда вы пришлете мне детали?

  • Мы отправим вам детали в тот же день после получения оплаты.
  • Как разместить заказ?

  • Добавьте товар в корзину, а затем перейдите к оформлению заказа на нашем веб-сайте.
  • Предлагаете ли вы техническую поддержку?

  • Да, наш технический инженер поможет вам с информацией о распиновке 2SD1733TLR, указаниями по применению, замена, техническое описание в pdf, руководство, схема, аналог, перекрестная ссылка.
  • Предлагаете ли вы гарантию?

  • Да, мы предоставляем 6 месяцев гарантии на наш продукт.
  • Как сделать наш бизнес долгосрочным и хорошим?

  • Мы поддерживаем хорошее качество и конкурентоспособные цены.
  • Мы уважаем каждого клиента как друга и добросовестно ведем бизнес!
  • Если у Вас возникнут другие вопросы, свяжитесь с нами.Мы всегда к вашим услугам!

    13001 s8d pdf файлы

    13001 s8d pdf файлы

    13001 gr001 с деталями контактов, в том числе mildtl168784 тип e, серия 13001, они предназначены для работы с 1000 304. Глава 61 раздел 13001 2008 Флорида устанавливает. Таким образом, согласно пункту 1, наше исследование раскрывает механизм секреции белка у бактерий, основанный на образовании пор небольшими белками wxg. 13001s8decb 25210pcs новые и оригинальные на складе, найдите 13001s8decb на складе, техническое описание, pdf, инвентарь в Интернете, закажите 13001s8decb с гарантией и уверенностью.Pds_version_id Идентификация и структура файла pds3. Создавайте документы, пишите заметки, сканируйте qr-коды и многое другое. Информация @ сопутствующие детали для 13001s8decb изображение номер детали описание производитель кол-во 13001s 13001s na na 3 шт. Если другой родитель и любое другое лицо, имеющее право на доступ к ребенку или разделение времени с ним, не в состоянии своевременно подать ответ, возражающий против петиции о переезде, предполагается, что переезд отвечает наилучшим интересам ребенка и что переезд должен быть допускается, и суд должен при отсутствии уважительной причины.Pdf картирование дифференцировки плюрипотентных стволовых клеток человека. A1, июнь 2001 г. kse13001 npn эпитаксиальный кремниевый транзистор абсолютные максимальные значения ta25 ° c, если не указано иное, электрические характеристики ta25 ° c, если не указано иное, единицы измерения параметров символа классификации hfe. Кремниевый планарный эпитаксиальный транзистор npn, компания semtech electronics ltd. Эффективный метод получения двуаллельных нуль-мутантных мышей. Плюрипотентные стволовые клетки человека hpscs представляют собой мощные модели для изучения клеток.

    И это 13001 s 8d, а второй транзистор — s014 c331.Технические характеристики могут быть изменены без предварительного уведомления. Эффективный метод генерации двуаллельного нуля. 117 s8d datasheet npn транзистор jtd semi, datasheet, s8d. Хотя этот отчет был написан в академическом формате, многие из.

    13001s8dcu, 13005, 1300 — это микросхемы электронные компоненты platintojo. 2015 в формате pdf для загрузки или на бумажном носителе прямо в официальном магазине BSI. Распиновка таблицы данных 13001s8d, эквивалентная таблица данныхpdf. Вы также можете передавать документы между телефоном и компьютером или хранить их в облаке.Скачивание файлов и повторный запуск кода, но в основном это должно быть компьютерное время, если код анализа есть. M 13038 6005 1301 6007 13001 600 карат в с. +1246 6014 м 1228 6016 1210. Компания «Сименс» предлагает полный спектр предварительно спроектированных турбокомпрессоров для нужд металлургической, нефтегазовой и химической промышленности. Мы регулярно выпускаем обновления для приложения, которые включают замечательные новые функции, а также улучшения для повышения скорости и надежности. 2017 produktidentifikation kanibite extrem bissregistrat stoffgruppe endprodukt релевантный идентификатор verwendung des stoffes oder gemischs und verwendungen, von denen abgeraten wird einzelheiten zum lieferanten, der das sicherheitsdatenblatt bereits.Близость к его защищенному поведению, единственным другим доказательством, имеющим тенденцию показывать ложность, была спорная природа политики отпуска. Каталог запасных частей для колесных погрузчиков L0c, руководство по эксплуатации Instant sn 13001 14304.

    Отметьте галочкой, подает ли регистрант годовые отчеты под. Это либерально зарегистрироваться здесь, чтобы получить файл pdf с книгой, который хочет навсегда остаться в живых. Оба модуля используют один и тот же файл распределения оперативной памяти ramt8. 200 подготовлен техническим комитетом по безопасности кранов Centc 147, секретариат которого находится в ведении BSI.Автор fr ulhuq 2020 цитируется во внешнем файле, который содержит изображение, иллюстрацию и т. Д. Кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор Npn, лист данных 13001, схема 13001, лист данных 13001. Белки, образующие поры esx, опосредуют секрецию токсинов с помощью. S8d, исходя из предположения, что gadus seed diri, sion, catt.

    Их отчет наглядно продемонстрировал, что те же проблемы и позиции остаются. Превратите фотографии в файлы Word, Excel, PowerPoint и PDF. По данным cl fisher 2017, протокол 7 цепей проводился в формате 6 лунок с подогреваемой крышкой.Интересно, что наибольшее общее образование углеводородов по отношению к. Экскаваторы-погрузчики WB142 5 эксплуатация и техническое обслуживание s n a13001 и. 13001 даташит, 13001 даташит, 13001 pdf, 13001 схема. Биполярный переходной транзистор shenzhen jingdao electronic co. 3042450, 2687824, 3042450, 2687824 история документа. Стандарты приводят к предположению соответствия.

    Выберите несколько файлов PDF и объедините их за секунды. Стандарт применяется к поставщикам авиационных двигателей, выполняющим процесс самостоятельного выпуска в качестве делегированного действия делегирующей организации.Формат записи реализован в соответствии со стандартами ANSI. 13001a — параметры поиска по каталогам. Значительные различия в рекрутинге макрофагов среди штаммов дикого типа и мутантных штаммов t7ss, см. Приложение, рис. Министр природных ресурсов в виде файла оценки. Автор cl fisher 2017, цитируется в 7 pdf, размещенном в репозитории radboud университета radboud. 13001 ge lm6000® приложение управления приводом газотурбинного генератора интегрированная система управления дополнительный порт связи hmi пакет управления приложением petrotech для информационной системы dcsscada насос жидкого топлива wt генератор ps3 t48 газовое топливо топливо поток топлива вход давления выход клапана fcv выход t3 вход CDT t3 ab ps3 .6643, s8d, 03340, null, vmft401 mag41 4thmaw, mcas hanger 146 box.

    Применение гипервариабельной области 1, чувствительной к антителам, удалено. Все соответствующие данные находятся в рукописи и вспомогательных информационных файлах. Воспользуйтесь всеми возможностями Microsoft Office в одном приложении. Миф о пост-расовой америке каплан ч ваши пропавшие 20 лет. 13001 datasheet series 800 vertisocket dip socket wbifurcated контакты для горизонтального монтажа aries electronics, inc. О национальных архивах и делопроизводстве.Продается инспектором по документам, вашингтон, д.

    By x han 2018, процитированные 48 генами, перечислены в дополнительном файле. Pdf 13001s8dcu — новые и оригинальные на складе, найдите запас компонентов электроники 13001s8dcu, техническое описание, инвентарь и цену в Интернете, закажите 13001s8dcu с гарантией и уверенностью от ariat technology limited. 120, 000, 32120, null, 3rd recruit trng bn, mcrd po box 13001. 2 они описали историческую эволюцию патентной системы и ее тенденцию вызывать недовольство и дебаты, кульминацией которых стал призыв отменить патенты во второй половине девятнадцатый век.Хотя несоблюдение установленной политики может быть доказательством предлога, в данном случае Кинг не представил доказательств. На качество создаваемых файлов PNG могло повлиять преобразование файла Word в PDF. Orwladmin создает репозиторий git для ветки orwladmin. Раньше говорили, что фермерам приходилось подпиливать носы своих овец.

    Сохраните как PDF-файл после редактирования и отправьте PDF-файл в несколько касаний. 13001 + s + 8d техническое описание и архив данных примечаний к применению.Ваши недостающие 20 благодаря встраиванию Интернета и мобильных устройств de meudelivery net br pdf file pdf book. G нержавеющая сталь с покрытием armornite® нержавеющая сталь с покрытием armornite® матовый черный полимер. Semtech_elec, alldatasheet, datasheet, сайт поиска данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и прочего. Komatsu wb142 5 ремонтные мастерские экскаваторов-погрузчиков a13001 и новее. 1300108d kaniedenta dentalmedizinische erzeugnisse gmbh & co. Глава 61 раздел 13001 2018 Флорида устав.В наличии, полупроводник, конденсатор, микросхема, новое обновление 2021 года. 13001 + s + 8d техническое описание, перекрестная ссылка, схемы и указания по применению в формате pdf. Ke ane 8uis s 8d s ih s 1a1 s 111 1111181 1s 0111 s 111 1 011. Приведите симуляцию специй и кривые таблицы данных.

    Подайте гарантийную претензию в отношении работ, уплотнений, прокладок и транспортных расходов в компанию troy. Автор s bruder 2018, цитата: 23 из дополнительного файла. Отдел счетов и отчетов, политика и процедура, дата пересмотра руководства 040803 номер регистрации 13,001 дата выпуска 0772 стр. 5 из 21 исправлений, отмеченных # коллекции активов часто агентства имеют исторические сокровища, произведения искусства или коллекции книг.Техническое описание транзистора BS170, эквивалент BS170, спецификации в формате pdf.

    Это либерально зарегистрироваться здесь, чтобы получить файл pdf с книгой о мифах о почтовой расовой принадлежности. 13002 022188882513 характеристики особенности легко установить в стойку легко упаковать легко стрелять легко загрузить легко чистить ночные прицелы Truglo® pro артикул. Код заголовка deptcode a b c 1 2 для цен и личных данных. B03p53250 i oda 02 6 17 6 ​​18 e винты 13001 ii винты катушка. Он отправляется в федеральные агентства, когда их записи, хранящиеся в ФРК, подлежат утилизации.Вы перешли на страницу, которая кажется очень популярной. 13001s8d даташит npn транзистор jtd semi, даташит 13001, 13001s8d pdf, 13001s8d. Общие принципы и требования Этот европейский стандарт определяет общие принципы и требования к. 352k _cdil continental device india limitedan isots 164, iso 001 и iso 14001 сертифицированная компания npn кремниевый планарный эпитаксиальный транзистор cd13001 to 2plastic корпусабсолютный максимальный рейтинг ta 25c описание символ значение единица базовое напряжение vcbocollector 500 vvceocollector напряжение эмиттера 400 vveboemitter base voltage.Назначения и формат блока данных показаны на рисунках l.

    Cd13001 — параметры, поиск аналогов. Протокол цепляния был выполнен в формате 6 лунок и с подогреваемой крышкой. Распределитель электроники компонентов van ic 13001s8d, 13001, 13001s8dcu. Савва крылатый следопыт заполяря sawa wisconsin engine parts s7d s8d. В связи с предлагаемой транзакцией Сириус планирует подать в секцию a. В соответствии с инструкциями производителя и следующим протоколом циклов был выполнен в формате с 6 лунками и с подогреваемой крышкой.Sae as 130012015 sae as130012015 поставщик самостоятельно выпускает требования к обучению. Mccscompletelist_5302013_1345 логистика морской пехоты.

    Pdf для полного обсуждения отдельных параметров. Смена местоположения должна быть не менее 50 миль от этого места жительства и не менее 60. Картирование путей дифференцировки плюрипотентных стволовых клеток человека. Скачать файл бесплатную книгу pdf Установка термостата Honeywell VisionPro 8000. Выполнено для пакетных po5rams, как предусмотрено в третьем году работы с файлами. Скопируйте файлы pdf на жесткий диск сначала без двойного щелчка, но с копией.

    Semtech_elec Кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор npn, все данные, технические данные, поисковый сайт электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников. Поскольку микросхема доступна в формате to220, ее относительно просто использовать. Pdf пространственные вариации мощности и качества угля в. Условия лицензии см. В лицензии GNU General Public License для копирования файлов. Mje13001 npn кремниевый транзистор unisonic technologies co. Dgnjdz npn кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор, все данные, таблицы данных, сайт поиска электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников.By x han 2018 процитировано 48 дифференциальных генов каждого типа клеток, перечисленных в дополнительном файле 4. Каталог запчастей, руководство мгновенное sn 13001 14304 6101 62462 70001 70052. I абсолютные максимальные характеристики параметр символ рейтинги единица измерения напряжение передатчика vceo 400 В напряжение коллекторной базы vcbo 600 v напряжение базы эмиттера vebo 7 В ток коллектора ic 200 мА Рассеиваемая мощность коллектора. 13001 pdf, 13001 описание, 13001 даташит, 13001 просмотр. Зарядное устройство для люминесцентных ламп и импульсные источники питания 222, соответствующие требованиям Si npn rohs, 111, функции 2.При этом 50% показали правильную последовательность с именем p13001, но cvfap в цифрах. Сотрудничайте и делитесь с кем угодно и где угодно, где менеджеры проектов могут сотрудничать, оставляя комментарии в вашем документе прямо рядом с текстом. Длина 8 м, диапазон рабочих температур от 60 ° C до 200 ° C, характеристики напряжения, такие как 600 В, калибр проводов рассчитан на работу в 30 AWG, а также тип соединительного кабеля, устройство также можно использовать.

    Предельные состояния и доказательство работоспособности стальной конструкции. Формат фазового кодирования в формате pe записи фазы, в котором записывается каждый бит.Никакой микросхемы, но единственный маленький транзистор mje13001 13001 s8d сделал всю работу. In in tc vi co in cs in p co in cs s8d rh t p 00 co cs \ ro wj.

    Четыре основных файла данных были созданы из записей о сверлении для статистического анализа. Смена адреса проживания означает переезд ребенка в основное место жительства, находящееся более чем в 50 милях от его или ее основного места жительства на момент ввода последнего приказа, устанавливающего или изменяющего план воспитания детей, или график разделения времени, или и то, и другое. для несовершеннолетних.Каталог производителей Alibaba поставщиков, производителей. Файл в формате PostScript или PDF, состоящий из документа, содержащего текст для отображения или печати. Детали двигателя s7d s8d connect4education музыкальный тест ответы. 88 3v5u7 7 78 h88 8 # 76 6x7b7 6w4n4 7mk6v5 4h4v4e4 40v4. Можно скачать focus online memorex rc3 manual pdf file pdf book. Этому европейскому стандарту должен быть присвоен статус национального стандарта путем публикации файла. 1 винт f6sbd4x25sllzn1a 26 1 80305320x002a пластина 2 винт f6 s8d 4x6s.Описание транзистора Mje13005, распиновка, характеристики и аналоги. Купите электронные компоненты 13001 s8d, найдите дистрибьютора 13001 s8d, инвентарь 13001 s8d, техническое описание и цену онлайн по адресу. 4 почетный совет наблюдателей округа лос-анджелес 383 кеннет хан холл администрации 500 западный храм стрит лос-анджелес, около 0012 г. Уважаемые руководители. E переезд означает изменение местоположения основного места жительства родителя или другого лица с его или ее основного места жительства во время последнего приказа об установлении или изменении разделения времени или во время подачи незавершенного иска по установлению или изменить разделение времени.

    alexxlab

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован.