%PDF-1. 4
%
1 0 объект
>
эндообъект
5 0 объект
/Title (BSS84 — полевой транзистор с режимом улучшения P-канала)
>>
эндообъект
2 0 объект
>
эндообъект
3 0 объект
>
эндообъект
4 0 объект
>
ручей
2021-10-18T10:41:43-07:00BroadVision, Inc.2021-10-18T10:43:53-07:002021-10-18T10:43:53-07:00Acrobat Distiller 21.0 (Windows)приложение/pdf
BSS84 — полевой транзистор с режимом улучшения P-канала
онсеми
Этот полевой транзистор с P-каналом в расширенном режиме изготовлен с использованием запатентованной onsemi технологии DMOS с высокой плотностью ячеек. Этот процесс с очень высокой плотностью сводит к минимуму сопротивление во включенном состоянии и обеспечивает прочную и надежную работу и быстрое переключение. BSS84 может использоваться с минимальными усилиями в большинстве приложений, требующих постоянного тока до 0,13 А, и может обеспечивать ток до 0,52 А. Этот продукт особенно подходит для приложений с низким напряжением, требующих слаботочного переключателя верхнего плеча.
UUID: a99d3834-fa17-4d20-bbb4-3a993c777c08uuid: e0565045-dfe9-4fc0-9bec-62284c5ae8b9 конечный поток
эндообъект
6 0 объект
>
эндообъект
7 0 объект
>
эндообъект
8 0 объект
>
эндообъект
90 объект
>
эндообъект
10 0 объект
>
эндообъект
11 0 объект
>
эндообъект
12 0 объект
>
эндообъект
13 0 объект
>
эндообъект
14 0 объект
>
эндообъект
15 0 объект
>
эндообъект
16 0 объект
>
эндообъект
17 0 объект
>
ручей
HTVIn-7)ЌFR:_9|h/r_`@Q*4G»֚y~sgJ%eT3QM|_9zi,u4Iw)Cי%FIMs!-όgS?~~TKMȵ ՓweѤH*$(Jmeքz~GFst« NuϮEKd\ Wډ`pU~KLC`da-hQ)-B8Y*[UBF%:$;:phvuP`Y+lΛDYUKRF7[S]Ȩ$HEM!wyך¬!fI.