Транзистор П4АЭ, П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ
Транзисторы германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные мощные. Предназначены для применения в схемах переключения, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 14 гр. Электрические параметры П4АЭ, П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ.
Предельные эксплуатационные данные.
1. Входные характеристики. 2. Зависимость относительного статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость максимальной допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса. 4. Зависимость относительного максимального допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер. |
КТ818 характеристики транзистора, datasheet, цоколевка и аналоги
Главная » Транзисторы
Технические характеристики серии транзисторов КТ818, можно определить по группе, обозначенной на корпусе. Она указана в конце маркировки буквами от А до Г (АМ-АГ). Немаловажное значение при этом имеют виды корпуса, которые будут рассмотрены ниже. Вся серия относится к низкочастотным биполярным полупроводниковым триодам большой мощности, имеющим p-n-p-структуру.
Эти устройства производятся с применением эпитаксиально-планарной технологии. Из-за неплохих выходных параметров и невысокой стоимости они были широко распространены в советское время в различных бытовых приборах: выходных каскадах УНЧ, стабилизаторах напряжения, а также различных схемах в качестве силового ключа.
Содержание
- Цоколевка
- Технические характеристики
- Комплементарная пара
- Аналоги
- Маркировка
- Производители
Цоколевка
Распиновка КТ818 зависит от его исполнения. Как говорилось ранее, эти транзисторы бывают двух видов: пластиковой упаковке КТ-28 (аналог импортного ТО220) и металлостеклянной КТ-9(ТО3). Обозначение типа приводится на корпусе. Таким устройство впервые появилось еще во времена СССР и с тех пор никак не изменилось. В техническом описании обычно указаны оба варианта.
Внимательно рассмотрим цоколевку у КТ-28. Если смотреть на обозначение транзистора, то слева будет эмиттер (Э), в центре коллектор (К), а справа база (Б).
В металлостеклянном корпусе КТ818 практически перестали выпускать. Связано это с их моральным устареванием и непригодностью применения при создании новой техники. Старое оборудование, в котором они использовались ранее, уже сильно уступает современным техническим новинкам по своим параметрам. В тоже время их можно использовать в учебных целях и ремонта оборудования советских времен.
На рисунке ниже указано расположение выводов для КТ818(КТ-9). Если перевернуть транзистор и посмотреть на него, то вывод Б будет слева, а Э справа. Корпус устройства – это контакт К.
Технические характеристики
Серия кремниевых биполярных транзисторов КТ818, в зависимости от групповой принадлежности, обладает такими максимальными эксплуатационными параметрами:
- напряжение между выводами: К-Э – 40…90 В; К-Б – 40…90 В; Э-Б – 5 В;
- ток коллектора: постоянный до 10 А; импульсный до 15 А;
- ток базы: постоянный до 3 А; импульсный до 5 А;
- рассеиваемая мощность с использование радиатора от 60 до 100 Вт, без него 1,5-3 Вт;
- температура перехода от +125 до +150 oC;
- диапазон рабочих температур от -45 до +100 oC;
В техописаний транзистора, по современным меркам, данных не так много. В некоторых версиях документации отсутствует даже информация о статическом коэффициенте передачи по току H21Э – в графе стоит прочерк. Многие значения тестирования вообще не указываются. Это связано моральным устареванием серии и нежеланием современных производителей заниматься её совершенствованием, а так же разрабатывать на неё новую документацию. Электрические параметры приводятся с указанием дополнительных условий их измерения, с учетом температуры окружающей среды до +25 oC.
Комплементарная пара
КТ819 являются комплементарными транзисторами с n-p-n-структурой, по отношению к семейству КТ818.
Аналоги
Отечественным аналогом для серии КТ818 считается КТ816. Также рассмотрим в качестве возможных вариантов для его замены импортные транзисторы. Распределим их по группам:
для устройств в корпусе КТ-28 (ТО220):
- А- 2N6111, BD292, 2N6132;
- Б- 2N6132, 2SB754, BD202, BD294, BD534, BD664, BD706, BD950, BDT92, BDV92, TIP42;
- В- 2N5194, 2N6109, 2N6133, 2SB1019, 2SB553, BD204, BD296, BD536,BDT94, BDW94, КТ816В;
- Г-2N5195, 2N6107, 2N6134, 2SB1016, 2SB1018, BD538, BD710, BD954, BDT96, BDV96;
для устройств в корпусе КТ-9(ТО3):
- АМ – аналогов нет;
- БМ -2N6469, BDW22, BDW52, BDX92, 2N6246;
- ГМ- 2N6247, 2N6248, 2SB558, BDW22B, BDW22C, BDW52B, BDW52C, BDX18, BDX96;
- ВМ — 2N6246, BDW22A, BDW52A, BDX94.
Маркировка
Ознакамливаясь со свойствами необходимо знать, что они так же имеют и другую, отличную от привычной маркировку. В свое время, для того чтобы выполнить условия ОСТ 11.336.919-81, производители применяли наименование 2Т818. Таким образом обозначали устройства, выпускавшиеся для нужд армии. Они имели лучшие характеристики по отношению версии КТ. При их изготовлении использовались более дорогие материалы. Для того, чтобы избежать путаницы у конечного потребителя, в новых версиях даташит приводятся оба варианта обозначений.
Производители
На российский рынок старичёк КТ818 продолжает поступать благодаря минскому предприятию «Интеграл». Сейчас такие устройства уже являются раритетом и их производство продолжает неумолимо сокращаться. Небольшие партии также изготавливаются отечественным заводом «Кремний» в г.Брянск. Рекомендуем скачать техническое описание советских времен, содержащее более полные данные.
PNP
Транзистор%20nec%2005d спецификация и примечания по применению
транзистор%20nec%2005d Листы данных Context Search
Каталог Лист данных | MFG и тип | ПДФ | Теги документов |
---|---|---|---|
хб*9Д5Н20П Реферат: khb9d0n90n 6v стабилитрон khb * 2D0N60P транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9Схема Д0Н90Н на транзисторе ктд998 | Оригинал | 2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E хб*9Д5Н20П хб9д0н90н 6В стабилитрон хб*2Д0Н60П транзистор КХБ7Д0Н65Ф Транзистор BC557 киа*278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н транзистор ктд998 | |
КИА78*ПИ Реферат: Транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2Н3904хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004АФ ТРАНЗИСТОР мосфет КИА7812АПИ хб*2Д0Н60П | Оригинал | 2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E КИА78*пи транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2N3904 хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004AF ТРАНЗИСТОР MOSFET KIA7812API хб*2Д0Н60П | |
2SC4793 2sa1837 Реферат: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn к-220 2sc5198 аналог транзистора 2SC5359Транзистор 2SC5171, эквивалентный транзистору NPN | Оригинал | 2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2СК5200, 2СА1943, 2СК5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn к-220 эквивалент 2sc5198 транзистор 2SC5359 эквивалент транзистора 2SC5171 НПН-транзистор | |
транзистор Реферат: транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор pnp bc547 транзистор BC327 NPN транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 ТРАНЗИСТОР PNP | OCR-сканирование | 2Н3904 2Н3906 2Н4124 2Н4126 2N7000 2Н7002 до н. э.327 до н.э.328 до н.э.337 до н.э.338 транзистор транзистор ИТТ BC548 п-н-п транзистор транзистор п-н-п BC337 п-н-п транзистор pnp bc547 транзистор BC327 NPN-транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2н3904 ТРАНЗИСТОР ПНП | |
Ч520Г2 Реферат: Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47к 22к ПНП НПН ФБПТ-523 Ч521Г2-30ПТ npn переключающий транзистор 60в транзистор Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904T1PT | Оригинал | А1100) QFN200 ЧДТА143ЕТ1ПТ ФБПТ-523 100 мА ЧДТА143ЗТ1ПТ ЧДТА144ТТ1ПТ CH520G2 Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47k 22k PNP NPN ФБПТ-523 Ч521Г2-30ПТ npn-переключающий транзистор 60 В транзистор Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904Т1ПТ | |
транзистор 45 f 122 Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 tlp 122 634 транзистор транзистор ac 127 TRANSISTOR транзистор 502 транзистор f 421 | OCR-сканирование | TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор переменного тока 51 Моск 3021 СИМИСТОР 136 тлп 122 634 транзистор транзистор переменного тока 127 ТРАНЗИСТОР транзистор 502 транзистор ф 421 | |
СТХ12С Резюме: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F | Оригинал | 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 фн651 SLA4037 sla1004 СТВ-34Д SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F | |
Варистор RU Реферат: Транзистор СЭ110Н 2SC5487 2SA2003 Транзистор СЭ090Н высоковольтный Транзистор СЭ090 РБВ-406 2SC5586 | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор RU SE110N транзистор 2SC5487 2SA2003 SE090N высоковольтный транзистор SE090 РБВ-406 2SC5586 | |
К2Н4401 Резюме: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 Q2N1132 D1N750 D02CZ10 D1N751 | Оригинал | РД91ЭБ Q2N4401 Д1Н3940 Q2N2907A Д1Н1190 Q2SC1815 Q2N3055 Q2N1132 Д1Н750 D02CZ10 Д1Н751 | |
фн651 Реферат: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343 | Оригинал | 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 фн651 СТВ-34Д 2SC5586 ХВР-1×7 STR20012 sap17n 2сд2619 РБВ-4156Б SLA4037 2ск1343 | |
2SC5471 Реферат: 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий транзистор PNP | Оригинал | 2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 А1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 транзистор 2са1015 транзистор 2sc1815 Транзистор 2SA970 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP | |
Мосфет ФТР 03-Е Резюме: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона DTC114EVA DTC143EF V/65e9 транзистор транзистор 2SC337 | OCR-сканирование | 2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Мосфет FTR 03-E мт 1389 фе 2СД122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона DTC114EVA DTC143EF Транзистор V/65e9 транзистор 2SC337 | |
фгт313 Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A диод SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096 диодов ry2a | Оригинал | 2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 фгт313 транзистор фгт313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 фгт412 РБВ-3006 ФМН-1106С SLA5096 диод ry2a | |
транзистор 91 330 Реферат: tlp 122 ТРАНЗИСТОР TLP635F 388 транзистор R358 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120 | OCR-сканирование | 4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6Н136 6Н137 6Н138 6Н139 CNY17-L CNY17-M транзистор 91 330 тлп 122 ТРАНЗИСТОР TLP635F 388 транзистор Р358 395 транзистор транзистор ф 421 IC 4N25 симистор 40 РИА 120 | |
1999 — Системы горизонтального отклонения телевизора Реферат: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 TV горизонтальные системы отклонения 25 транзистор горизонтальная секция tv Горизонтальное отклонение переключающие транзисторы TV горизонтальные системы отклонения mosfet CRT TV электронная пушка горизонтальная секция в элт-телевидение TV трансформатор обратного хода | Оригинал | 16 кГц 32 кГц, 64 кГц, 100 кГц. Системы горизонтального отклонения телевизора РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА Ан363 Системы горизонтального отклонения телевизора 25 транзистор горизонтальной секции телевизор Переключающие транзисторы с горизонтальным отклонением Мосфет системы горизонтального отклонения телевизора ЭЛТ ТВ электронная пушка горизонтальная секция в ЭЛТ-телевизоре Обратный трансформатор для телевизора | |
транзистор Реферат: силовой транзистор npn к-220 PNP СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР TO220 транзистор PNP демпферный диод транзистор Дарлингтона 2SD2206A силовой транзистор npn транзистор дарлингтона TO220 | Оригинал | 2СД1160 2СД1140 2СД1224 2СД1508 2SD1631 2SD1784 2СД2481 2SB907 2СД1222 2СД1412А транзистор силовой транзистор npn к-220 СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР PNP TO220 транзистор PNP демпферный диод Транзистор Дарлингтона 2СД2206А силовой транзистор нпн дарлингтон транзистор ТО220 | |
1999 — транзистор Реферат: POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип n-канальный полевой массив Низкочастотный силовой транзистор транзистор mp40 TRANSISTOR P 3 high hfe транзистор список | Оригинал | X13769XJ2V0CD00 О-126) МП-25 О-220) МП-40 МП-45 МП-45Ф О-220 МП-80 МП-10 транзистор МОЩНЫЙ МОП-транзистор FET 2sj 2sk транзистор 2ск тип 2СК n-канальный полевой массив Силовой низкочастотный транзистор транзистор мп40 ТРАНЗИСТОР Р 3 высокочастотный транзистор список | |
транзистор 835 Реферат: Усилитель на транзисторе BC548 TRANSISTOR регулятор АУДИО Усилитель на транзисторе BC548 транзистор 81 110 w 85 транзистор 81 110 w 63 транзистор транзистор 438 TRANSISTOR GUIDE транзистор 649 | OCR-сканирование | БК327; БК327А; до н. э.328 БК337; БК337А; до н.э.338 до н.э.546; до н.э.547; до н.э.548 до н.э.556; транзистор 835 Усилитель на транзисторе BC548 ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор Усилитель ЗВУКА на транзисторе BC548 транзистор 81 110 Вт 85 транзистор 81 110 Вт 63 транзистор транзистор 438 ТРАНЗИСТОР РУКОВОДСТВО транзистор 649 | |
2002 — SE012 Реферат: SE090 SE140N SE115N диод 2SC5487 sta474a 8050e SE110N SLA-7611 | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 SE090 SE140N SE115N диод 2SC5487 sta474a 8050е SE110N SLA-7611 | |
2SC5586 Реферат: транзистор 2SC5586 диод RU 3AM 2SA2003 диод СВЧ однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A 2SC5487 RG-2A диод Dual MOSFET 606 TFD312S-F | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод для микроволновой печи однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A 2SC5487 Диод РГ-2А Двойной МОП-транзистор 606 ТФД312С-Ф | |
PWM инверторный сварочный аппарат Реферат: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 демпфирующий конденсатор powerex инвертор сварочная схема kd2245 kd224510 примечания по применению транзистор KD221K75 | OCR-сканирование | ||
варикап диоды Реферат: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Hitachi SAW Фильтр gsm-модуль с микроконтроллером p-канальный mosfet Транзисторы mosfet p-канал Mosfet-транзистор Hitachi Низкочастотный силовой транзистор УКВ-полевой транзистор lna | OCR-сканирование | PF0032 PF0040 PF0042 ПФ0045А PF0065 ПФ0065А HWCA602 HWCB602 ХВКА606 HWCB606 варикапные диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Хитачи ПАВ Фильтр gsm модуль с микроконтроллером p-канальный мосфет Транзисторы mosfet p канал МОП-транзистор хитачи Силовой низкочастотный транзистор УКВ Фет лна | |
Транзистор мощности телевизора, техническое описание Реферат: силовой транзистор 2SD2599 эквивалент 2SC5411 транзистор 2sd2499 транзистор 2Sc5858 эквивалент 2SC5570 компоненты в горизонтальном выходе 2SC5855 | Оригинал | 2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Технический паспорт силового транзистора телевизора силовой транзистор Эквивалент 2SD2599 транзистор 2sd2499 транзистор эквивалент 2Sc5858 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе 2SC5855 | |
2009 — 2sc3052ef Реферат: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА КОД s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводниковая перекрестная ссылка toshiba smd код маркировки транзистора | Оригинал | 24 ГГц BF517 Б132-Х8248-Г5-С-7600 2sc3052ef 2н2222а СОТ23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 смд 1N4148 СОД323 полупроводниковая перекрестная ссылка toshiba smd маркировка код транзистора | |
2007 — ДДА114ТХ Резюме: DCX114EH DDC114TH | Оригинал | DCS/PCN-1077 ОТ-563 150 МВт 22кОм 47кОм DDA114TH DCX114EH DDC114TH |
Предыдущий 1 2 3 … 23 24 25 Next
p40%20транзистор техпаспорт и примечания по применению
Недоступно
Резюме: нет абстрактного текста
Текст: ток коллектора и глубина модуляции SFH601 -4 VCEsat=f (lc) (TA=25°C) Рисунок 20. Транзистор
OCR-сканирование
Недоступно
Резюме: нет абстрактного текста
Текст: ) Рис. 20. Емкость транзистора C -f(V o ) (Ta=25°C, f=1 МГц) 0 ,1 [· 0 i-i- — L I 10
OCR-сканирование
OCR-сканирование
принципиальная схемаS
Реферат: 911p «Схемы схем» samsung 943 схема
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
Принципиальные схемы
Аннотация: ЛИСТ30 Samsung P40 samsung 943 «Схемы» принципиальная плата
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
ремонт инвертора
Реферат: samsung lcd ремонт инвертора samsung samsung p40
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
2003 — макс131
Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
Х0038
Аннотация: «Обнаружение переполнения»
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
2000 — Транзистор П40
Аннотация: MA12
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
2003 — Недоступно
Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
2007 — а006
Резюме: poc20 p3400 2SW1 fxp8 0b01110111 pxxp2
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
эч5
Аннотация: «Обнаружение переполнения»
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
эч5
Аннотация: ech7 «Обнаружение переполнения»
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
2003 — Недоступно
Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
«Обнаружение переполнения»
Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
1998 — Д401 -у
Резюме: J402 q441c MAX180ACPL
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
Недоступно
Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
1999 г. — нет в наличии
Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
БЛ стр.
22 Резюме: LQFP44 QFP036 QFP36
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
2001 — M306NBFCTFP
Реферат: M306NAFGTFP m306na M306NB
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
уПД78Ф9222 78К0С/КА1
Резюме: CC78K0S RA78K0S uPD78F9222 sw07 78K0SKA1
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал