Транзистор КТ835 — DataSheet
Перейти к содержимому
Цоколевка транзистора КТ835
Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
Аналог | КТ835А | 2SB906, MJE370K *1, MJE370 *1 | |||
КТ835Б | BD434, 41501 *2, BD196 *3, 2N6110, 2N6111 | ||||
Структура | — | p-n-p | |||
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | P | КТ835А | — | 25* | Вт |
КТ835Б | — | 25* | |||
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h31б, f**h31э, f***max | КТ835А | — | ≥1 | МГц |
КТ835Б | — | ≥1 | |||
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб. , U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ835А | — | 30 | В |
КТ835Б | — | 45 | |||
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ835А | — | 4 | В |
КТ835Б | — | ||||
Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ835А | — | 3 | А |
КТ835Б | — | 7.5 | |||
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ835А | 30 В | ≤0. | мА |
КТ835Б | 45 В | ≤0.15 | |||
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ835А | 1 В; 1 А | ≥25* | |
КТ835Б | 5 В; 2 А | 10…100* | |||
Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ835А | 10 В | ≤800 | пФ |
КТ835Б | 10 В | ≤800 | |||
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ835А | — | ≤0.35 | Ом, дБ |
КТ835Б | — | ≤0.8 | |||
Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ835А | — | — | Дб, Ом, Вт |
КТ835Б | — | — | |||
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ835А | — | — | пс |
КТ835Б | — | — |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
Есть идеи или полезные схемы? Рады будем опубликовать! Присылайте: | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Наиболее доступными и часто применяемыми являются биполярные транзисторы, полевые униполярные транзисторы, трини-сторы, выпрямительные диоды. Замена транзисторов в схемах без ухудшения основных электрических параметров и эксплуатационных характеристик радиоэлектронных устройств позволяет расширять возможности тиражирования этих устройств. При замене учитывают основные параметры транзисторов (максимально допустимые значения напряжения коллектор — миттер, ток коллектора, рассеиваемую мощность коллектора, статический коэффициент передачи тока и др.). Заменяющий транзистор выбирают из того же ряда, что и заменяемый, и с аналогичными характеристиками. Различные электронные устройства и электротехнические изделия сторожевой и охранной сигнализации находят все большее и большее применение. Особое место занимает оснащение охранной сигнализацией жилых помещений, хозяйственных и бытовых построек на приусадебных и садово-огородных участках, а также индивидуальных средств передвижения: легковых автомобилей, мотоциклов, катеров, яхт и т.п. Для охраны этих объектов могут быть применены электронные устройства, рассматриваемые в настоящей главе.Таблица 1.1. Рекомендуемая замена транзисторов, применяющихся в радиоэлектронных бытовых устройствах
Основными параметрами выпрямительных диодов являются предельно допустимые прямой ток и обратное напряжение, обратный ток и обратное сопротивление; для выпрямителей источников вторичного электропитания — предельный ток и максимальное напряжение. Многообразие вариантов применения радиоэлектронных устройств в быту ограничено из-за необходимости обеспечения техники электробезопасности, возможности этих устройств одновременно функционировать в реальных условиях эксплуатации при воздействии непреднамеренных радиопомех, а также целесообразности их использования. Напряжения на контрольных точках, указанные на принципиальных схемах, могут отличаться на +20 % вследствие большого разброса параметров полупроводниковых приборов. На сайте приведены сведения о применяемых в бытовых радиоэлектронных устройствах транзисторах, выпускаемых отечественной промышленностью, о взаимозаменяемости комплектующих элементов (в первую очередь транзисторов) . Несоблюдение правил электробезопасности приводит к несчастным случаям. Это особенно относится к самодельным радиоэлектронным устройствам. Эксплуатация устройств охранной сигнализации и некоторых других видов устройств осуществляется в условиях воздействия на них разнообразных внешних факторов: климатических, механических, электромагнитных, радиационных, биологических. Рассматриваемые устройства можно применять при воздействии на них повышенной или пониженной температуры окружающей среды; повышенного или пониженного атмосферного давления; повышенной относительной влажности при повышенной температуре; пыли; инея; росы; повышенной напряженности внешнего электрического или магнитного поля. Поэтому при изготовлении и монтаже устройств охранной сигнализации, и особенно работающих на открытом воздухе, необходимо учитывать большинство внешних воздействующих факторов, размещение этих устройств, климатические зоны страны и высоту над уровнем моря. В зависимости от климатического исполнения устройства могут эксплуатироваться при определенных сочетаниях внешних воздействующих факторов, не превышающих предельных значений. Сочетания относительной влажности и рабочей температуры окружающей среды, при которых устойчиво работают устройства охранной сигнализации, приведены в табл. 1.2. Рабочие значения температуры почвы на глубине 1 м в различных климатических зонах страны приведены в табл. 1.3. Таблица 1.2. Сочетания рабочих значений относительной влажности и температуры окружающей среды
. Указатель Назад Вперед
При использовании материалов этого сайта ссылка обязательна! Правообладатели статей являются их правообладателями. Информация получена из открытых источников. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | Y89KPJ 100-4200В 103А2С КТ84дТ 300 мА | |
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | Y89KKG 103А2С КТ84дТ | |
КТ84Л Реферат: датчик температуры kty84-130 KTY84 KT84L техническое описание nxp 544 KTY84-130 KTY84/151 | Оригинал | KTY84 ДО-34) КТ84Л датчик температуры кты84-130 КТ84Л техпаспорт nxp 544 KTY84-130 KTY84/151 | |
И89ККГ Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | Y89KKG 103А2С пик2000 450 мА Y89KKG | |
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | Y89км/ч 900-3000В 103А2С КТ84дТ I10580 300 мА | |
2T3130A9 Реферат: HEP310 kp303g kt117 HEP-310 kt117b kt117a KT117G kt816g kt3102e | Оригинал | КТ117АМ КТ117БМ КТ117Г КТ117ГМ КТ117ВМ 2Н1923 2Н739 БСВ56С, HEP310 2Н844 2Т3130А9HEP310 КП303Г кт117 ГЭП-310 кт117б кт117а КТ117Г кт816г кт3102е | |
кт84л Реферат: датчик температуры KTY84 KT84M kty84-130 KTY84 применение KTY84/130 kt84 MGU220 KT84L техническое описание KTY84-130 | Оригинал | M3D050 KTY84 МГУ220 KTY84/130 КТ84М KTY84/151 ДО-34) КТ84Л KTY84/150 кт84л КТ84М датчик температуры кты84-130 Приложение KTY84 KTY84/130 кт84 МГУ220 КТ84Л техпаспорт KTY84-130 | |
КТ837 Реферат: КТ835 входной КТ837 кт830 фототранзистор К-Т КТ846 кт840 КТ847 А КТ83С КТ841 | OCR-сканирование | 000D0S3 КТ830 КТ840 КТ830/КТ840 Р1700-935) кт42 КТ340 кт835 кт837 КТ332 КТ831 | |
вход КТ837 Реферат: КТ837 КТ342 ОПТЭК кт датчик углеводородов кт841 КТ847 А КТ830 КЦ40 кт835 | OCR-сканирование | КТ830 КТ840 000D0S3 Т-41-13 КТ830/КТ840 Р1700-935) вход КТ837 КТ837 КТ342 ОПТЭК кт датчик углеводородов кт841 КТ847 А КТС40 кт835 | |
КТ342 Аннотация: вход КТ837 КТ847 А КТ830 КТ836 ГИДРО КТ846 | OCR-сканирование | OPB830 ОПБ830Л, ОПБ84М метанол ОПТЭК щелевой OPB830L OPB832L OPB842L QPS830L кт840 | |
2Т931АРеферат: КТ853 2Т926А КТ838А 2Т803А 2Т809А 2Т904А 2Т808А 2Т603 2Т9f§ W % a s Ü lg S I W M 7 \ w Jkw s i 4; h# » ik « W ‘ï illll ¡ P * te ili -X\ S I Iw 11 4-SU E S T am Ir ¿ « 1 1 1 » , ü i a Î3 & & C nPA BO H H M K | OCR-сканирование | МОКП51КОБ, KTC631 ТИ2023 II2033 ТТ213 ТИ216 fI217 II302 XI306 н306А 2Т931А КТ853 2Т926А КТ838А 2Т803А 2Т809А 2Т904А 2Т808А 2Т603 2Т921А | |
КТ840 Резюме: нет абстрактного текста | OCR-сканирование | OPB830 OPB83QL, OPB84QL OPB830L OPB832L OPB84DL OPB842L КТ840 | |
2T6551Реферат: информационное приложение информационное приложение микроэлектроник микроэлектроник Heft KD 605 KT825 транзисторен KT 9is B le l c t s n or iil- c Information Informations- und Applikationshefte „ M IK R O E L E K T R O N IK » Bisher erschien en : Heft Heft Heft Heft Heft Heft Heft 1: 2: 3: 4: 5: 6: 7: A 210 и 211 A 301 A 290 A 202 A 244 и A281 Importbauelem ente RGW „IS» | OCR-сканирование | ||
OCR-сканирование | 250Се КТ840А КТ840Б сканы-048 DSAGER00036 | ||
1282 дискретный вход Резюме: нет абстрактного текста | OCR-сканирование | OPB830 ОПБ830Л, OPB840L OPB830LthtU OP8832L OPB840L OPB842L OPB835L OPB837L CP8845L КТ840 | |
КТ853 Реферат: KT853A OH90У КТ826 К8702 КТ850Б КТ8150 КТ851А КР8803 кт853а2 | OCR-сканирование | 3Н243 3Н244 3Н245 3N243TX 3Н243Р 3N244TX 3Н244Р 3N245TX 3Н245Р КТ853 КТ853А OH90U КТ826 K8702 КТ850Б КТ8150 КТ851А КР8803 кт853а2 | |
ОПБ840В Реферат: ОПТЭК щелевой диод кт840 27е | OCR-сканирование | ОПБ830В, OPB840W OPB83QW, QPB840W 26AWG ОПТЭК щелевой кт840 диод 27е | |
КТ853 Резюме: KT850 KT853A LTR-305D H0A0872-n55 H0A1405-1 h0a2001 MOC70T3 HOA708-1 smd диод 825B | OCR-сканирование | 1N5722 1N5723 1N5724 1N5725 1N6264 1N6265 1N6266 2004-90хх 3Н24х 24xTX КТ853 КТ850 КТ853А ЛТР-305Д H0A0872-n55 H0A1405-1 h0a2001 МОК70Т3 ТСЖ708-1 смд диод 825В | |
85C471 сис Реферат: 85c407 85C471 SIS85C471 85C407 sis SIS 85C471 80486 РЕЖИМЫ АДРЕСАЦИИ cyrix 486 INTEL P24T Cyrix 486 dx2 |