Site Loader

Транзистор КТ835 — DataSheet

Перейти к содержимому

Цоколевка транзистора КТ835

 

Параметры транзистора КТ835
ПараметрОбозначениеМаркировкаУсловияЗначениеЕд. изм.
АналогКТ835А2SB906, MJE370K *1, MJE370 *1
КТ835БBD434, 41501 *2, BD196 *3, 2N6110, 2N6111
Структура —p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектораP
K max,
P*K, τ max,P**K, и max
КТ835А25*Вт
КТ835Б25*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттеромfгр, f*h31б, f**h31э, f***maxКТ835А≥1МГц
КТ835Б≥1
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттераUКБО проб.U*КЭR проб., U**КЭО проб.КТ835А30В
КТ835Б45
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектораUЭБО проб., КТ835А4В
КТ835Б
4
Максимально допустимый постоянный ток коллектораIK max, I*К , и maxКТ835А3А
КТ835Б7.5
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттераIКБО, I*КЭR, I**КЭOКТ835А30 В≤0.
1
мА
КТ835Б45 В≤0.15
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттеромh21э,  h*21ЭКТ835А1 В; 1 А≥25*
КТ835Б5 В; 2 А10…100*
Емкость коллекторного переходаcк,  с*12э
КТ835А10 В≤800пФ
КТ835Б10 В≤800
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ835А≤0.35Ом, дБ
КТ835Б≤0.8
Коэффициент шума транзистораКш, r*b, P**выхКТ835АДб, Ом, Вт
КТ835Б
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частотеτк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)КТ835Апс
КТ835Б

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

СТОРОЖЕВЫЕ УСТРОЙСТВА И ОХРАННАЯ СИГНАЛИЗАЦИЯ

 

Есть идеи или полезные схемы? Рады будем опубликовать! Присылайте:

  [email protected]

 

 

 

 

Наиболее доступными и часто применяемыми являются биполярные транзисторы, полевые униполярные транзисторы, трини-сторы, выпрямительные диоды.

Замена транзисторов в схемах без ухудшения основных электрических параметров и эксплуатационных характеристик радиоэлектронных устройств позволяет расширять возможности тиражирования этих устройств. При замене учитывают основные параметры транзисторов (максимально допустимые значения напряжения коллектор — миттер, ток коллектора, рассеиваемую мощность коллектора, статический коэффициент передачи тока и др.). Заменяющий транзистор выбирают из того же ряда, что и заменяемый, и с аналогичными характеристиками. Различные электронные устройства и электротехнические изделия сторожевой и охранной сигнализации находят все большее и большее применение. Особое место занимает оснащение охранной сигнализацией жилых помещений, хозяйственных и бытовых построек на приусадебных и садово-огородных участках, а также индивидуальных средств передвижения: легковых автомобилей, мотоциклов, катеров, яхт и т.п. Для охраны этих объектов могут быть применены электронные устройства, рассматриваемые в настоящей главе.
Предлагаемые сторожевые и сигнальные устройства выполнены на полупроводниковых приборах и интегральных микросхемах. На каждой приведенной принципиальной электрической схеме указаны типы полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, номинальные емкости конденсаторов и сопротивления резисторов. Элементы, отмеченные на схеме звездочкой, подбирают при настройке и регулировании устройств или при их ремонте. В таблицах приведены режимы работы по постоянному току полупроводниковых приборов для обеспечения настройки электронных устройств. Некоторые значения напряжений и токов, измеренные по переменному току, указаны на электрических схемах на входе или выходе каскадов. В табл. 1.1 приведены ряды взаимозаменяемых транзисторов, расположенных по группам в порядке возрастания качественных характеристик. к примеру, высокочастотные транзисторы расположены в порядке возрастания предельной частоты усиления, а низкочастотные — в порядке возрастания минимального значения коэффициента передачи тока.
При замене транзисторов средней и большой мощности необходимо соблюдать равенство или близость параметров заменяемого и заменяющего транзисторов. Для маломощных биполярных транзисторов существует правило замены германиевых транзисторов на кремниевые соответствующей структуры.
Таблица 1.1. Рекомендуемая замена транзисторов, применяющихся в радиоэлектронных бытовых устройствах
Обозначение заменяемого транзистора Обозначение заменяющего транзистора


МП9А МШО, МП10А, МП10Б
МП11 МП11А
МП13 МШЗБ, МП14, МП14А, МП15, МП15А, МП39, МП39Б, МП40,

МП40А. МП41.МП41А
МП16 МП16А, МШ6Б, ГТ308А, ГТ308Б, ГТ308В
МП20А МП20Б, МП21Б, МП21Г, МП21Д, МП21Е
МП25А МП25Б, МП26, МП26А, МП26Б
МП27 МП27А, МП28
МП35 МП36А, МП36Б, МП37, МП37А, МП37Б, МП38, МП38А, МП42,

МП42А, МП42Б
МП40 МП40А,МП41,МП41А
КТ104А КТ104Б, КТ104В, КТ104Г
ГТ108А ГТ108Б, ГТ108В, ГТ108Г
ГТ109А ГТ109Б, ГТ109В, ГТ109Г, ГТ109Д, ГТ109Ж, ГТ109И
МШИ МШ11А,МП111Б,МП112, МП113, МП113А
МП114 МП115,МП116
ГТП5А ГТ115Б, ГТ115В, ГТ115Г, ГТ115Д
ГТ122А ГТ122Б, ГТ122В, ГТ122Г
ГТ124А ГТ124Б, ГТ124В, ГТ124Г
ГТ125А ГТ125Б, ГТ125В, ГТ125Г, ГТ125Д . ГТ125Е, ГГ125Ж, ГТ125И,

ГТ125К, ГТ125Л
П29 П29А, ПЗО
П307 П307В, П308, П309
КТ201А КТ201Б, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д, КТ203А, КТ203Б, КТ203В
КТ208А КТ208Б, КТ208В, КТ208Г, КТ208Д, КТ208Е, КТ208Ж, КТ208И,

КТ208К, КТ208Л, КТ208М, КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209Г,

КТ209Д, КТ209Е, КТ209Ж, КТ209И, КТ209К, КТ209Л
КТ301 КТ301А, КТ301Б, КТ301В, КТ301Г, КТ301Д, КТ301Е, КТ301Ж,

ГТ338А, ГТ338Б, ГТ338В
ГТ305А ГТ305Б, ГТ305В
КТ306А КТ306Б, КТ306В, КТ306Г, КТ306Д, КТ340А, КТ340Б, КТ340В,

КТ340Д
ГТ309А ГТ309Б, ГТ309В, ГТ309Г, ГТ309Д, ГТ309Е, ГТ310А, ГТ310Б,

ГТ310В, ГТ310Г, ГТ310Д, ГТ310Е
ГТ311Е ГТ311Ж, ГТЗПИ, КТ312А, КТ312Б, КТ312В, ГТ328А, ГТ328Б,

ГТ328В
ГТ313А ГТ313Б, ГТ313В, КТ313А, КТ313Б, ГТ322А, ГТ322Б, ГТ322В
КТ315А КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж, КТ315И,

ГТ341А, ГТ341Б, ГТ341В
КТ316А КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д, КТ325А, КТ325Б, КТ325В,

КТ326А, КТ326Б, КТ337А, КТ337Б
Обозначение заменяемого транзистора Обозначение заменяющего транзистора
ГТ320А ГТ320Б, ГТ320В
ГТ321А ГТ321Б, ГТ321В, ГТ321Г, ГТ321Д, ГТ321Е
ГТ329А ГТ329Б, ГТ329В, ГТ329Г, ГТ329Д, ГТ329Ж, ГТ329И
КТ342А КТ342Б, КТ342В, КТ345А, КТ345Б, КТ345В
ГТ346А ГТ346Б, ГТ346В
КТ349А КТ347А, КТ349Б, КТ349В, КТ347В, КТ349Б, КТ350А, КТ351Б, КТ352Б КТ351А,
КТ361Ж КТ361А, КТ361В, КТ361Г, КТ361Д, КТ361К, КТ361И, КТ361Е
КТ3102А КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Г, КТ3102Д, КТ3102Е
КТ3107А КТ3107Б, КТ3107В, КТ3107Г, КТ3107Д, КТ3107Е, КТ3107Ж,

КТ3107И, КТ3107К, КТ3107Л
П302 ПЗОЗ, ПЗОЗА, П304, П306, П306А
ГТ402А ГТ402Б, ГТ402В, ГТ402Г, ГТ403А, ГТ403Б, ГТ403В, ГТ403Д, ГТ403Е, ГТ403Ж, ГТ403И, ГТ403Ю ГТ403Г,
ГТ404А ГТ404Б, ГГ404В, ГТ404Г, ГТ405А, ГТ405Б, ГТ405В, ГГ405Г
П601АИ П601И, П601БИ, П602И, П602АИ
П605 П605А. П606
П701 П701А; П701Б
КТ501А КТ501Б, КТ501В, КТ501Г, КТ501Д, КТ501Е, КТ501Ж, КТ501К, КТ501Л.КТ501М КТ501И,
П213 П213А, П213Б, П214, П214А, П214Б, П214В, П214Г, П216, П216А,

П216Б, П216В, П216Г, П216Д, П217, П217А, П217Б, П217В, П217Г
П702 П702А
КТ814А КТ814Б, КТ814В, КТ814Г, КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815Г,

КТ816А, КТ816Б, КТ816В, КТ816Г, КТ817А, КТ817Б, КТ817В,

КТ817Г
КТ835А КТ835Б, КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е,

КТ837Ж, КТ837И, КТ837К, КТ837Л, КТ837М, КТ837Н, КТ837П,

КТ837Р, КТ837С, КТ837Т, КТ837У, КТ837Ф
КТ902 КТ902А, КТ912А, КТ912Б, КТ926А, КТ926Б, КТ936А
КТ903 КТ903Б, КТ908А, КТ908Б
КТ904А КТ904Б
ГТ905А ГТ905Б
КТ911А КТ911Б, КТ911В, КТ911Г, КТ913А, КТ913Б, КТ913В, КТ916Б КТ916А,
КТ926А КТ926Б, КТ935А
КТ928А КТ928Б, КТ943Г, КТ943Д, КТ925Б
КТ921А КТ921Б, КТ927А, КТ927Б, КТ927В, КТ930Б, КТ940А, КТ940В КТ940Б,

Основными параметрами выпрямительных диодов являются предельно допустимые прямой ток и обратное напряжение, обратный ток и обратное сопротивление; для выпрямителей источников вторичного электропитания — предельный ток и максимальное напряжение. Многообразие вариантов применения радиоэлектронных устройств в быту ограничено из-за необходимости обеспечения техники электробезопасности, возможности этих устройств одновременно функционировать в реальных условиях эксплуатации при воздействии непреднамеренных радиопомех, а также целесообразности их использования. Напряжения на контрольных точках, указанные на принципиальных схемах, могут отличаться на +20 % вследствие большого разброса параметров полупроводниковых приборов. На сайте приведены сведения о применяемых в бытовых радиоэлектронных устройствах транзисторах, выпускаемых отечественной промышленностью, о взаимозаменяемости комплектующих элементов (в первую очередь транзисторов) . Несоблюдение правил электробезопасности приводит к несчастным случаям. Это особенно относится к самодельным радиоэлектронным устройствам.
Эксплуатация устройств охранной сигнализации и некоторых других видов устройств осуществляется в условиях воздействия на них разнообразных внешних факторов: климатических, механических, электромагнитных, радиационных, биологических. Рассматриваемые устройства можно применять при воздействии на них повышенной или пониженной температуры окружающей среды; повышенного или пониженного атмосферного давления; повышенной относительной влажности при повышенной температуре; пыли; инея; росы; повышенной напряженности внешнего электрического или магнитного поля. Поэтому при изготовлении и монтаже устройств охранной сигнализации, и особенно работающих на открытом воздухе, необходимо учитывать большинство внешних воздействующих факторов, размещение этих устройств, климатические зоны страны и высоту над уровнем моря. В зависимости от климатического исполнения устройства могут эксплуатироваться при определенных сочетаниях внешних воздействующих факторов, не превышающих предельных значений.
Сочетания относительной влажности и рабочей температуры окружающей среды, при которых устойчиво работают устройства охранной сигнализации, приведены в табл. 1.2. Рабочие значения температуры почвы на глубине 1 м в различных климатических зонах страны приведены в табл. 1.3. Таблица 1.2. Сочетания рабочих значений относительной влажности и температуры окружающей среды
Климат Относительная влажность, % Температура окружающей среды, «С
УХЛ 60.80 20.25
У.УХЛ 80 .100 15.25
ХЛ.ТУ 70.98 15.25

80.98 15.25

90.100 15.25

90.98 15.25
тс 40. 100 27.35

4О.80 27.35

90.100 15.25

60.80 15.25
ТВ.Т, О, 80.100 27.35
в, тм, ом 70.98 27.35

80.98 27.35
ТВ, т, в 70.98 27.35
тм, ом 70.98 27.35
ТВ, О, в 70. 98 27.35
м 60.80 20.25

70.98 27.35

80. 100 22.25

70.98 22.25

80.98 22.25

70.98 22.25

60.80 20.25

70.98 22.25

90. 100 22.25

80.98 22.25
Таблица 1.3. Рабочие значения температуры почвы на глубине 1 м в средней полосе России в зависимости от климата
Климат Температура, °С
Верхнее значение Нижнее значение
ТУ У УХЛ хл ТС, ТВ, т О, в 25 20 18 10 35 35 1 -5 -20 -20 10 -20
Примечание. Изменения температуры окружающего воздуха за 8 ч составляют: для исполнений У, УХЛ, ХЛ, Т, ТС, О, В .М °С для исполнений ТВ, TM .10 °С для исполнений ТУ, М, ОМ.  30 °С

.

  Указатель   Назад   Вперед

 

 

 

 

При использовании материалов этого сайта ссылка обязательна!

Правообладатели статей являются их правообладателями. Информация получена из открытых источников.

KT84 техническое описание и примечания по применению

org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> HHKax iureaHaa TeJieBh4opoB. yCOIQBHH 3KGEH7ATM5IH 2 .1 . lÿaHSSCïopH flonyoKajoT sKonnyaTamno b yojioBiMx h nocjie BOi£ ieraas m hhx «aew upK MexaHnneoKEx BaipyaoK:

org/Product»> org/Product»>
Недоступно

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Y89KPJ ФАЗОВЫЙ ТИРИСТОР Свойства: Центральный усилительный затвор n Металлический корпус с керамическим изолятором n Низкие потери в открытом состоянии и при переключении Типичные области применения n Контроллеры переменного тока n Управление двигателями постоянного и переменного тока n Управляемые выпрямители IT AV VDRM/VRRM ITSM I2t 3211 A


Оригинал
PDF Y89KPJ 100-4200В 103А2С КТ84дТ 300 мА
Недоступно

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Y89KKG ТИРИСТОР БЫСТРОГО ВЫКЛЮЧЕНИЯ Особенности: Встречно-штыревые усилительные затворы Быстрое включение и высокое значение di/dt Низкие потери при переключении Типичные области применения Индуктивный нагрев Электронные сварочные аппараты Самокоммутируемые инверторы IT AV VDRM/VRRM tq ITSM I2t 3416A 1900 ~2500В


Оригинал
PDF Y89KKG 103А2С КТ84дТ
КТ84Л

Реферат: датчик температуры kty84-130 KTY84 KT84L техническое описание nxp 544 KTY84-130 KTY84/151
Текст: Кремниевые датчики температуры серии KTY84 Ред. 06 — 8 мая 2008 г. Лист технических данных 1. Описание продукта 1.1 Общее описание Датчики температуры серии KTY84 имеют положительный температурный коэффициент сопротивления и подходят для использования в системах измерения и управления. Датчики


Оригинал
PDF KTY84 ДО-34) КТ84Л датчик температуры кты84-130 КТ84Л техпаспорт nxp 544 KTY84-130 KTY84/151
И89ККГ

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Y89KKG ТИРИСТОРЫ БЫСТРОГО ВЫКЛЮЧЕНИЯ Характеристики  Встречноштыревые усилительные затворы  Быстрое включение и высокое значение di/dt  Низкие коммутационные потери Типичные области применения  Индуктивный нагрев  Электронные сварочные аппараты  Самокоммутирующиеся инверторы IT AV VDRM/VRRM tq ITSM I2t


Оригинал
PDF Y89KKG 103А2С пик2000 450 мА Y89KKG
Недоступно

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Y89KPH ФАЗОВЫЙ ТИРИСТОР Свойства: Центральный усилительный затвор n Металлический корпус с керамическим изолятором n Низкие потери в открытом состоянии и при переключении Типичные области применения n Контроллеры переменного тока n Управление двигателями постоянного и переменного тока n Управляемые выпрямители IT AV VDRM/VRRM ITSM I2t 3835 A


Оригинал
PDF Y89км/ч 900-3000В 103А2С КТ84дТ I10580 300 мА
2T3130A9

Реферат: HEP310 kp303g kt117 HEP-310 kt117b kt117a KT117G kt816g kt3102e
Text: Tranzistory -Speciální KT117AM KT117BM KT117G KT117GM KT117VM 2N1923 2N739 BSV56C, HEP310 2N844 2N1573 Øízené polem 2P934A KP302A KP302A KP302B KP303B KP303G KP303V KP305A KP307Ž KP333A KP333B KP402A KP909A,B,V KP922A KP922A1 KP935G KP960A, B, V


Оригинал
PDF КТ117АМ КТ117БМ КТ117Г КТ117ГМ КТ117ВМ 2Н1923 2Н739 БСВ56С, HEP310 2Н844 2Т3130А9HEP310 КП303Г кт117 ГЭП-310 кт117б кт117а КТ117Г кт816г кт3102е
кт84л

Реферат: датчик температуры KTY84 KT84M kty84-130 KTY84 применение KTY84/130 kt84 MGU220 KT84L техническое описание KTY84-130
Текст: DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET dbook, половина страницы M3D050 Серия KTY84 Кремниевые датчики температуры Спецификация продукта Заменяет данные от 25 августа 2003 г. 15 сентября Philips Semiconductors Спецификация продукта Кремниевые датчики температуры серии KTY84 ОПИСАНИЕ


Оригинал
PDF M3D050 KTY84 МГУ220 KTY84/130 КТ84М KTY84/151 ДО-34) КТ84Л KTY84/150 кт84л КТ84М датчик температуры кты84-130 Приложение KTY84 KTY84/130 кт84 МГУ220 КТ84Л техпаспорт KTY84-130
КТ837

Реферат: КТ835 входной КТ837 кт830 фототранзистор К-Т КТ846 кт840 КТ847 А КТ83С КТ841
Текст: ПРОРЕЗНЫЕ ОПТИЧЕСКИЕ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ ФОТОТРАНЗИСТОР ВЫХОД r — T ‘M KT830 — СЕРИЯ KT840 Oplek Technology, Inc 345 Industrial Blvd. МакКинни, Техас 75069ОПИСАНИЕ Щелевые оптические переключатели серии KT830/KT840 предоставляют инженеру-проектировщику гибкость


OCR-сканирование
PDF 000D0S3 КТ830 КТ840 КТ830/КТ840 Р1700-935) кт42 КТ340 кт835 кт837 КТ332 КТ831
вход КТ837

Реферат: КТ837 КТ342 ОПТЭК кт датчик углеводородов кт841 КТ847 А КТ830 КЦ40 кт835
Текст: 7b OPTEK TECHNOLOGY INC DE IbTTflSflO 000D0S3 1 3 ПРОРЕЗНЫЕ ОПТИЧЕСКИЕ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ ВЫХОД ФОТОТРАНЗИСТОРА СЕРИИ KT830 — KT840 Oplak Technology, Inc 345 Industrial Blvd. МакКинни, Техас 75069214 542-9461 SEASGæ ’ ОПИСАНИЕ Щелевые оптические переключатели серии KT830/KT840 обеспечивают инженеру-конструктору гибкость


OCR-сканирование
PDF КТ830 КТ840 000D0S3 Т-41-13 КТ830/КТ840 Р1700-935) вход КТ837 КТ837 КТ342 ОПТЭК кт датчик углеводородов кт841 КТ847 А КТС40 кт835
КТ342

Аннотация: вход КТ837 КТ847 А КТ830 КТ836 ГИДРО КТ846
Текст: OPTEK TECHNOLOGY fib INC 1 D Elb T TflSflO 0 0 0 D0 S 3 1 3 ПРОРЕЗНЫЕ ОПТИЧЕСКИЕ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ ВЫХОД ФОТОТРАНЗИСТОРА СЕРИИ KT830 — KT840 Oplak Technology, Inc 345 Industrial Blvd. МакКинни, Техас 75069a s a o c m c n ii m Бюллетень продукции OPTEK OPB830 Июль 1989 г. Заменяет январь 1988 г. Щелевые оптические переключатели типов серий OPB830L, OPB840L •?6Q 6fiO ,240


OCR-сканирование
PDF OPB830 ОПБ830Л, ОПБ84М метанол ОПТЭК щелевой OPB830L OPB832L OPB842L QPS830L кт840
2Т931А

Реферат: КТ853 2Т926А КТ838А 2Т803А 2Т809А 2Т904А 2Т808А 2Т603 2Т9f§ W % a s Ü lg S I W M 7 \ w Jkw s i 4; h# » ik « W ‘ï illll ¡ P * te ili -X\ S I Iw 11 4-SU E S T am Ir ¿ « 1 1 1 » , ü i a Î3 & & C nPA BO H H M K


OCR-сканирование
PDF МОКП51КОБ, KTC631 ТИ2023 II2033 ТТ213 ТИ216 fI217 II302 XI306 н306А 2Т931А КТ853 2Т926А КТ838А 2Т803А 2Т809А 2Т904А 2Т808А 2Т603 2Т921А
КТ840

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Бюллетень продукции ОПТЭК OPB830 19 мая93 Щелевые оптические переключатели Типы серий OPB83QL, OPB84QL + G-C O .le c t o r o— Ji 1 .24Q 6 ,I0 .190(4.83) _ .170(4,32′ T -425 00.60) .40500,29) i • 0.125 широкая щель • Выбор апертуры • Выбор непрозрачного или пропускающего ИК


OCR-сканирование
PDF OPB830 OPB83QL, OPB84QL OPB830L OPB832L OPB84DL OPB842L КТ840
2T6551

Реферат: информационное приложение информационное приложение микроэлектроник микроэлектроник Heft KD 605 KT825 транзисторен KT 9is B le l c t s n or iil- c Information Informations- und Applikationshefte „ M IK R O E L E K T R O N IK » Bisher erschien en : Heft Heft Heft Heft Heft Heft Heft 1: 2: 3: 4: 5: 6: 7: A 210 и 211 A 301 A 290 A 202 A 244 и A281 Importbauelem ente RGW „IS»


OCR-сканирование
PDF

OCR-сканирование
PDF 250Се КТ840А КТ840Б сканы-048 DSAGER00036
1282 дискретный вход

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Бюллетень продукции OPTEK OPB830W, май 1993 г. Щелевые оптические переключатели Типы серий OPB83QW, OPB84QW Особенности Абсолютные максимальные номинальные значения Ta = 25°C, если не указано иное • Щель шириной 0,125 дюйма • Выбор апертуры • Выбор непрозрачного или пропускающего ИК материала корпуса

a s a aaotnn m Q>H QPTEK Product Bulletin OPB830 ; Июль 1989 г. Заменяет выпущенные в январе 1988 г. слотовые оптические переключатели серий OPB830L, OPB840L, 26fi 6,60> _ , 240(6,10, 3 js_

OCR-сканирование
PDF OPB830 ОПБ830Л, OPB840L OPB830LthtU OP8832L OPB840L OPB842L OPB835L OPB837L CP8845L КТ840
КТ853

Реферат: KT853A OH90У КТ826 К8702 КТ850Б КТ8150 КТ851А КР8803 кт853а2
Текст: >PTEK TECHNOLOGY S7E IN C D • b7TA 5ôü O O l l b a □ СТРАНИЦА НОМЕР ДЕТАЛИ ЗАМЕНЕН БЕЗ ИЗМЕНЕНИЙ it 6N140ATXV NEU СЕРИЯ 2N БЕЗ ИЗМЕНЕНИЙ * СЕРИЯ CLVA БЕЗ ИЗМЕНЕНИЙ 3N243 3N244 3N245 НЕТ ИЗМЕНЕНИЙ НЕТ ИЗМЕНЕНИЙ 1 12-4 24-4 24-4 24-4 24-4 -4 17 юаней / 17 юаней / 2 17 юаней / 3 17 юаней / 4


OCR-сканирование
PDF 3Н243 3Н244 3Н245 3N243TX 3Н243Р 3N244TX 3Н244Р 3N245TX 3Н245Р КТ853 КТ853А OH90U КТ826 K8702 КТ850Б КТ8150 КТ851А КР8803 кт853а2
ОПБ840В

Реферат: ОПТЭК щелевой диод кт840 27е
Текст: Optek Technology 27e Inc B7tösöü Ooodtaa T M Optek D Бюллетень продукта OPB83QW Июль 1989 г. Заменяет январь 1988 года. »


OCR-сканирование
PDF ОПБ830В, OPB840W OPB83QW, QPB840W 26AWG ОПТЭК щелевой кт840 диод 27е
КТ853

Резюме: KT850 KT853A LTR-305D H0A0872-n55 H0A1405-1 h0a2001 MOC70T3 HOA708-1 smd диод 825B
Текст: Перекрёстная ссылка Honeywell P/N P/N 100 H 0A0871-N55 50B2-4204 ФОТОДИОДЫ ВЫЗОВА, T 0 1 8 T A L L PIN 101 HOA1872-12 BC TR AN S A S S Y . PTX 5082-4205 ВЫЗОВ ФОТОДИОДЫ. P P PIN 10501 H 0A 1872-1 BC TRAN S A S S Y , PTX 5082-4207 ФОТОДИОДЫ ВЫЗОВА. T 0 1 8 ВЫСОКИЙ ШТИФТ


OCR-сканирование
PDF 1N5722 1N5723 1N5724 1N5725 1N6264 1N6265 1N6266 2004-90хх 3Н24х 24xTX КТ853 КТ850 КТ853А ЛТР-305Д H0A0872-n55 H0A1405-1 h0a2001 МОК70Т3 ТСЖ708-1 смд диод 825В
85C471 сис

Реферат: 85c407 85C471 SIS85C471 85C407 sis SIS 85C471 80486 РЕЖИМЫ АДРЕСАЦИИ cyrix 486 INTEL P24T Cyrix 486 dx2
Text: 85C471 Green PC ISA-YES A Single Chip 1. 85C471 ОБЗОР 1,1 Введение Однокристальный контроллер SiS85C471 поддерживает процессоры Intel 80486DX2/DX/SX/SL Enhanced, P24D/P24T/P24C, Cyrix Cx486S2 M6/M7 CPU и Процессор AMD Am486DXL/DXL2 SiS85C471 — это высокопроизводительный однокристальный контроллер, на 100 % совместимый с ПК/АТ.

alexxlab

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *