Характеристики и параметры транзистора КТ815, цоколевка и аналоги

Характеристики и параметры транзистора КТ815, цоколевка и аналоги 

| Зарядные устройства | Металлоискатели | Основы электроники | Справка по электронным компонентам | Строительство | Прочее |

КТ815 – биполярные транзисторы n-p-n большой мощности (Pк max > 1,5 Вт) низкой частоты (Fгр ≤ 3 МГц). Предназначены для применения в ключевых и линейных схемах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.

• Прототип КТ815 Б — BD135
• Прототип КТ815 В — BD137
• Прототип КТ815 Г — BD139

• Максимально допустимая температура корпуса — 100 °C
• Комплиментарная пара – КТ814

• пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126)

№1 — Эмиттер

№2 — Коллектор

№3 — База

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (I_{K max}):

• КТ815А, Б, В, Г — 1,5 А

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (I_{K, и max}):

• КТ815А, Б, В, Г — 3 А

Граничное напряжение (U_{KЭ0 гр}):

• КТ815А — 25 В
• КТ815Б — 40 В
• КТ815В — 60 В
• КТ815Г — 80 В

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (U_{ЭБ0 max}):

• КТ815А, Б, В, Г — 5 В

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектоpа (P_{K max}) при температуре корпуса 25° C:

• КТ815А, Б, В, Г —
  10 Вт

Максимально допустимая температура перехода (Т_{п max}):

• КТ815А, Б, В, Г — 125° C

Статический коэффициент передачи тока (h_21Э) при постоянном напряжении коллектор-эмиттеp (U_КЭ) 2 В, при постоянном токе коллектоpа (I_К) 0,15 А:

• КТ815А, Б, В — 40
• КТ815Г — 30

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (U_{КЭ нас})

• КТ815А, Б, В, Г — 0,6 В

Обратный ток коллектоpа (I_КБО)

• КТ815А, Б, В, Г — 0,05 мА

Граничная частота коэффициента передачи тока (f_гр)

• КТ815А, Б, В, Г — 3 МГц

Емкость коллектоpного перехода (C_К)

• КТ815А, Б, В, Г — 60 пф

Емкость эмиттеpного перехода (C_Э)

• КТ815А, Б, В, Г — 75 пф

Тепловое сопротивление переход-корпус (R_Тп-к)

• КТ815А, Б, В, Г — 10° С/Вт

| Микросхемы | Транзисторы | Диоды | Тиристоры |

Транзистор КТ815: характеристики (параметры), зарубежные аналоги

Главная » Транзистор

КТ815 — биполярный транзистор на кремниевой основе, изготовлен по эпитаксиально-планарной технологии со структурой перехода NPN.

Содержание

1. Корпус, цоколевка и размеры
2. Применение
3. Особенности транзистора
4. Маркировка
5. Модификации
6. Предельные эксплуатационные характеристики
7. Электрические параметры
8. Условия монтажа
9. Комплементарная пара
10. Аналоги
11. Графические зависимости

Корпус, цоколевка и размеры

Корпус компонента исполнен в стандарте КТ-27, который является аналогом ТО-126. Транзистор также встречается в корпусе КТ-89 для поверхностного монтажа. 

Применение

КТ815 — низкочастотный и мощный транзистор, что позволяет его применять во многих линейных или ключевых схемам. Компонент может использоваться в операционных схемах, дифференциальных или низкочастотных усилителях, различных импульсных электрических устройствах и преобразователях.

Наличие у транзистора комплементарной пары обуславливает частое их применение в схемах предкаскадах усилителей мощности и стабилизаторов напряжения небольших нагрузок.

Особенности транзистора

• Низкая частота;
• Высокая мощность;
• Наличие комплементарной пары;
• Несколько модификаций.

Маркировка

Транзисторы серии КТ815 имеют два основных метода маркировки:

1. Первый заключается в нанесении на корпус полного названия, например КТ815А;
2. Второй заключается в нанесении четырехзначной маркировки, где первым символом будет 5, вторым модель, а последние два символа — дата выпуска. Например 5ВU2 это транзистор КТ815В.

Модификации

Транзистор имеет несколько модификаций, которые имеют небольшие, но важные различия:

• КТ815А — U_кбо(и) = 40 В, U_кэо(и) = 30 В;
• КТ815Б — U_кбо(и) = 50 В, U_кэо(и) = 45 В;
• КТ815В — U_кбо(и) = 70 В, U_кэо(и) = 65 В;
• КТ815Г — U_кбо(и) = 100 В, U_кэо(и) = 85 В.

Предельные эксплуатационные характеристики

Характеристика	Обозначение	КТ815А	КТ815Б	КТ815В	КТ815Г
Значение напряжения коллектор-эмиттер	Uкэ макс, В	40	50	70	100
Значение напряжения эмиттер-база	Uэб макс, В	5
Значение постоянного тока на коллекторе	Iк макс, А	1. 5
Значение импульсного тока на коллекторе	Iки макс, А	3
Максимальный рабочий ток на базе	Iб макс, А	0.5
Значение рассеиваемой мощности на коллекторе	Pк макс, Вт	10
Максимальная рабочая температура на переходе	Tмакс, °C	150
Диапазон температуры окружающей среды	Tокр, °C	-60..+125

Стоит отметить, что граничная частота для данных транзисторов находится в районе 3 МГц, и редко указывается в документации.

Электрические параметры

Характеристика	Обозначение	КТ815А	КТ815Б	КТ815В	КТ815Г
Значение граничного напряжения на коллекторе-эмиттере	Uкэо гp. , В	30	45	65	85
Значение обратного тока на коллекторе	Iкбо, мкА	50
Значение обратного тока на коллекторе-эмиттере	Iкэr, мкА	100
Коэффициент усиления	h21э	40. .275			30..275
Значение напряжения насыщения коллектор-эмиттер	Uкэ нас, В	0.6
Емкость коллекторного перехода	Ск, пФ	60
Емкость эмиттерного перехода	Сэ, 75 пФ	75

Условия монтажа

При применении транзисторов КТ815 и их монтаже, следует придерживаться следующих правил:

• Изгиб выводов транзистора должен находиться минимум в 5 мм от корпуса, при этом радиус закругления должен быть в районе от 1.5 до 2 мм;
• Не допускается установка, при которой на корпус будет передаваться усилие;
• При пайке транзистора необходимо держать жало паяльника на расстоянии не менее 5 мм от корпуса;
• Выводы должны подвергаться пайке при температуре не выше 250 °C не более 2 секунд.

Комплементарная пара

Для всех моделей транзистора КТ815 имеется своя комплементарная пара серии КТ814, с соответствующей буквой в маркировке. Например: для КТ815В комплементарной парой является КТ814В.

Аналоги

Тип	Uкбо(и), В	Uкэо(и), В	Iкmax(и), А	Pкmax(т), Вт	h21э	fгр., МГц
Оригинал
КТ815А	40	25	1.5 (3)	10	40	3
КТ815Б	50	40	1.5 (3)	10	40	3
КТ815В	70	60	1.5 (3)	10	40	3
КТ815Г	100	80	1.5 (3)	10	30	3
Зарубежное производство
BD135	45	45	1.5 (3)	8	63	—
BD137	60	60	1.5 (3)	8	63	—
BD139	80	80	1. 5 (3)	8	63	—
Отечественное производствто
КТ817	от 40	от 40	3 (6)	25	25	3

Стоит отметить, что транзистор КТ817 имеет широкий модельный ряд, позволяющий подобрать замену для каждой из модификации КТ815.

Примечание: данные в таблице взяты из даташип компаний-производителей.

Графические зависимости

Основные зависимости на которые стоит обращать внимание при проектировании устройств с применением транзисторов КТ815

Рис 1. Зависимость коэффициента усиления от значения тока на эмиттере.

Рис 2. Зависимость значений напряжений насыщения КЭ и БЭ от тока на коллекторе.

DataSheet PDF Search Site

Вы устали рыскать по Интернету в поисках нужных вам спецификаций? Не ищите ничего, кроме Datasheet39. com, основного источника таблиц данных. С обширной коллекцией спецификаций для электронных компонентов, от транзисторов до микроконтроллеров, Datasheet39В домене .com есть все, что вам нужно для завершения ваших электронных проектов.

Новые списки

Номер детали	Функция	Производители	ПДФ
2N7588T3	РАДИАЦИОННО-УСТОЙЧЕННЫЙ МОЩНЫЙ МОП-транзистор	Международный выпрямитель
2N7590T3	РАДИАЦИОННО-УСТОЙЧЕННЫЙ МОЩНЫЙ МОП-транзистор	Международный выпрямитель
2N7592T3	РАДИАЦИОННО-УСТОЙЧЕННЫЙ МОЩНЫЙ МОП-транзистор	Международный выпрямитель
2N7594T3	РАДИАЦИОННО-УСТОЙЧЕННЫЙ МОЩНЫЙ МОП-транзистор	Международный выпрямитель
2N7599T3	РАДИАЦИОННО-УСТОЙЧЕННЫЙ МОЩНЫЙ МОП-транзистор	Международный выпрямитель
2SB1465	PNP КРЕМНИЕВЫЙ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР	Ренесас
2SK613	Кремниевый N-канальный переходной полевой транзистор	Сони
3521	ШИМ-КОНТРОЛЛЕР	Юнисоник Текнолоджиз
51494	монолитная биполярная интегральная схема	Юнисоник Текнолоджиз
7130-1	LDO малой мощности 30 мА	Холтек

Лист данных PDF Search Site

Вы устали рыскать по Интернету в поисках нужных вам спецификаций? Не ищите ничего, кроме Datasheet39. alexxlab Добавить комментарий Отменить ответ Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены * Комментарий * Имя * Email * Сайт Рубрики Прост Радио Разное Своими руками Советы Схем Схемы Транзист Транзисторы Электрон Электроника