Простой генератор прямоугольных импульсов

Радио 2002, 5

Обычно генераторы прямоугольных импульсов строятся на основе симметричного мультивибратора с биполярными транзисторами одинаковой структуры и с двумя частотно-определяющими цепями. Однако можно построить более простой генератор на двух транзисторах разной структуры (см. рис. 1) только с одной частотно-определяющей цепью.

Рисунок 1. Схема генератора прямоугольных импульсов
C1 — 470 пФ, VT1 — BC547, VT2 — BC557

Схема работает так: при подаче напряжения питания (конденсатор С1 не заряжен) транзистор VT1 начинает проводить ток, протекающий через резистор смещения R1. Коллекторный ток этого транзистора является током базы для транзистора VT2 и этот коллекторный ток открывает транзистор VT2. Напряжение на коллекторной нагрузке транзистора VT2 увеличивается через сеть C1R2, и это дополнительно открывает транзистор VT1, в результате чего происходит лавинный процесс открытия двух транзисторов — это формирование фронта прямоугольного импульса.

Длительность импульса определяется зарядкой конденсатора С1 через резистор R2. По мере заряда конденсатора С1 ток базы транзистора VT1 уменьшается, и наступает момент, когда начинается лавинный процесс закрывания обоих транзисторов. На нагрузке формируется спадающий фронт импульса. Длительность между импульсами определяется длительностью разряда конденсатора С1 током, протекающим через резисторы R1 и R2. Затем процесс повторяется.

Работу генератора можно объяснить по-разному. Схема двухкаскадного усилителя имеет положительную обратную связь (цепь R2C1) и одновременно усилитель переводится в линейный режим транзистора VT1 подачей смещения на его базу через резистор R1. Поэтому генерируются релаксационные колебания. Для стабилизации работы генератора каждый каскад имеет отрицательную обратную связь — в первом каскаде она слабая (резистор R1), а во втором каскаде эмиттерная цепь транзистора VT2 имеет резистор R5.

simple_square_wave_generator_circuit_e. html

Генератор стабильно работает при напряжении питания от 1,5 до 12 В, а ток потребления от 0,15 мА до нескольких мА. Амплитуда выходных импульсов на «Выходе 1» составляет чуть более половины напряжения питания, а на «Выходе 2» примерно в 10 раз меньше. При желании можно добавить еще один каскад делителя напряжения (1/100), вставив резистор 24 Ом между нижним выводом резистора R4 и общим проводом.

При номиналах компонентов, показанных на рис. 1, а при напряжении питания 2,5 В ток потребления цепи 0,2 мА, частота 1000 Гц, скважность 50% (меандр), амплитуда сигнала на «Выходе 1» 1В .

Конечно, в таком простом генераторе параметры сигнала существенно зависят от напряжения питания. Поэтому генератор следует настроить на то же напряжение, с которым он будет использоваться. В случае отсутствия генерации подкорректировать номинал резистора R1 и, возможно, R5 (заменить резисторами другого номинала). Скважность устанавливается подбором номинала резистора R2.

Одно из возможных применений этого генератора — мигающая лампочка. Затем нагрузку (светодиод или лампу накаливания) включают последовательно с резистором R5, а с помощью конденсатора С1 емкостью 1 мкФ получают частоту колебаний около 0,5…1 Гц. Для получения необходимой яркости света номинал резисторов R3, R5 можно уменьшить, а резистор R4 исключить за ненадобностью.

В. Поляков, Москва

Скачать модель схемы LTSpice: simple_square_wave_generator_circuit_e.asc. В нем используются транзисторы КТ315Г и КТ361Г. Загрузите модели этих транзисторов из PSpice и вставьте их в файл «LTspiceIV\lib\cmp\standard.bjt» LTSpice.

НАЗАД

Категория:Крипы транзисторов — Wikimedia Commons

Следующие 91 файл находятся в этой категории из 91 всего.

• 01CII 108Q.jpg 4204 × 3868; 9,07 МБ
  

• 10N02Z 5838.jpg 3720 × 4452; 6,28 МБ
  

• 2N1307 Транзисторная связь wires.jpg 6472 × 4118; 9,87 МБ
  

• Транзисторный кристалл 2N1307 с прикрепленными соединительными проводами. jpg 6300 × 4070; 13,84 МБ
  

• Транзисторный кристалл 2N1307.jpg 5650 × 3755; 13,25 МБ
  

• 2N1307.jpg 1250 × 780; 437 КБ
  

• 2N140 PNP Переходной транзистор из германиевого сплава closeup.jpg 3680 × 2456; 2,15 МБ
  

• 2N2222.jpg 4540 × 4048; 10,12 МБ
  

• 2N3055 — крупный план соединения проводов с силиконовым корпусом.jpg 4338 × 2826; 10,49 МБ
  

• 2N3773 штамп.jpg 5000 × 4200; 12,21 МБ
  

• 2N3906 верхний металл.jpg 1042 × 1121; 163 КБ
  

• 2N404 задняя сторона.jpg 1600 × 1200; 705 КБ
  

• 2N404.jpg 1380 × 1200; 764 КБ
  

• 2N4957 штамп.jpg 925 × 826; 411 КБ
  

• 2N5038 штамп.jpg 5000 × 4200; 13,88 МБ
  

• 2N5872B штамп.jpg 5000 × 4200; 10,6 МБ
  

• 2N5881 штамп.jpg 5000 × 4200; 13,66 МБ
  

• 2n7002-NXP-HD. jpg 1863 × 1863; 1,81 МБ
  

• 2n7002-NXP-TrenchMOS.jpg 1000 × 280; 242 КБ
  

• 2SC867 кремниевый кристалл.jpg 2816 × 2604; 5,71 МБ
  

• 300301 die.jpg 6400 × 4450; 13,73 МБ
  

• 300301 открыл.jpg 6710 × 4470; 12,09 МБ
  

• 3EA4 Junction Field Effect Transistor.jpg 3700 × 3700; 9,81 МБ
  

• ACY21.jpg 1200 × 1100; 430 КБ
  

• AF 106 die.jpg 1911 × 1581; 1,28 МБ
  

• BC160.jpg 6602 × 4370; 22,81 МБ
  

• BC179 wire bonding.jpg 2400 × 2250; 3,31 МБ
  

• BC441.jpg 2550 × 2550; 3,8 МБ
  

• BC847BS-die1-HD.jpg 2265 × 2249; 4,39 МБ
  

• BC847BS-die2-HD.jpg 2261 × 2250; 4,34 МБ
  

• BC847BS-diff-HD.jpg 2265 × 2249; 8,03 МБ
  

• BC857BS-HD.jpg 2068 × 2104; 4,11 МБ
  

• BF167 штамп.jpg 2440 × 2485; 4,56 МБ
  

• BF257 wire bonding. jpg 2260 × 2520; 3,08 МБ
  

• BFG135-HD.jpg 2456 × 1996; 4,4 МБ
  

• BFG135-zoom.jpg 1000 × 713; 824 КБ
  

• BFR740L3RH-HD.jpg 2,240 × 1,944; 3,77 МБ
  

• BFR740L3RH-Si-HD.jpg 2248 × 1959; 4,94 МБ
  

• BFR740L3RH-Si2-HD.jpg 2848 × 1544; 5,4 МБ
  

• BFR740L3RH-Si3-HD.jpg 1592 × 668; 1,32 МБ
  

• Bfr93-die.jpg 1000 × 258; 184 КБ
  

• Bfr93-HD.jpg 2600 × 2616; 3,02 МБ
  

• ЧАНЦЗЯН-MMBT2222A-2-HD.jpg 1731 × 1716; 3,36 МБ
  

• Чипбонд bipolartr.jpg 672 × 445; 64 КБ
  

• Крупный план алюминиевых проводов, прикрученных к корпусу транзистора MD6100.jpg 612 × 500; 414 КБ
  

• Крупный план алюминиевых проводов, прикрепленных клиньями к кремниевому кристаллу транзистора MD6100.jpg 736 × 564; 505 КБ
  

• Компьютерный транзистор 1964 Collector. jpg 618 × 778; 147 КБ
  

• CRP INDUSTRIES 2N2222.jpg 4169× 3634; 8,12 МБ
  

• EXP416.jpg 6400 × 4300; 17,65 МБ
  

• Infineon-BFP450-HD.jpg 4112 × 3632; 12,21 МБ
  

• IPRS BANEASA 2N2222.jpg 4558 × 4274; 16,56 МБ
  

• IRF350 штамп 2.jpg 6300 × 4398; 7,12 МБ
  

• IRF350 die.jpg 6300 × 4398; 11,06 МБ
  

• ITT Semiconductors 2N2222.jpg 4590 × 4302; 9,67 МБ
  

• KF506.jpg 6666 × 4416; 22,78 МБ
  

• KT315A-7803-HD.jpg 2452 × 2576; 2,46 МБ
  

• KT315G-9202-HD.jpg 2314 × 2309; 2,04 МБ
  

• KT315G-сравнение размеров.jpg 1000 × 625; 353 КБ
  

• KT361G-8407-HD.jpg 2756 × 2844; 3,19 МБ
  

• КУЙ12 штамп.jpg 4600 × 3500; 15,2 МБ
  

• MJ15024 die.jpg 5000 × 4200; 13,91 МБ
  

• MM4001.jpg 5139 × 3520; 11,09 МБ
  

• MM8009.

  jpg 5 584 × 3 638; 11,38 МБ
  

• MMBT2222A-OnSemi-HD.jpg 1689 × 1686; 1,78 МБ
  

• Mmbt3904-HD.jpg 4108 × 4086; 14,88 МБ
  

• MRF5015.jpg 6000 × 4000; 26,52 МБ
  

• National Semiconductor J 2N2222A.png 4588 × 4256; 30,01 МБ
  

• NE3510M04-HD.jpg 2048 × 1996; 3,14 МБ
  

• Noname-mmbt3904-HD.jpg 2504 × 2520; 4,88 МБ
  

• NXP-BC847B-HD.jpg 1344 × 1352; 780 КБ
  

• NXP-PMST3904-HD.jpg 2600 × 2604; 3,61 МБ
  

• Phillips-BC847C-HD.jpg 2056 × 2040; 3,32 МБ
  

• РОС02.jpg 4030 × 3954; 8,37 МБ
  

• S9014-2-HD.jpg 2079× 2070; 3,56 МБ
  

• S9018-HD.jpg 2156 × 2164; 4,1 МБ
  

• SD211.jpg 3996 × 4010; 11,89 МБ
  

• Одиночный кремниевый кристалл Siliconix WD08.jpg 700 × 700; 468 КБ
  

• Одиночный кристалл Siliconix WD087 2.