Транзистор КТ339 — DataSheet
Перейти к содержимому
Цоколевка транзистора КТ339
Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
Аналог | КТ339АМ | BF199 | |||
КТ339А | BF208, 2N3291, 2N3292, 2SC123 *1, 2N702 *2, 2S101 *2, 2SC2839 *1, 2SC398, 2SC399 | ||||
КТ339Б | BF311, 2SC388A,BF595, CS9016, MPSh41 | ||||
КТ339В | BF173 | ||||
КТ339Г | BF197 | ||||
КТ339Д | MPSh47 | ||||
Структура | — | n-p-n | |||
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ339АМ | 55 °С | 260 | мВт |
КТ339А | 55 °С | 260 | |||
КТ339Б | 55 °С | 260 | |||
КТ339В | 55 °С | 260 | |||
КТ339Г | 55 °С | 260 | |||
КТ339Д | 55 °С | 260 | |||
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h31б, f**h31э, f***max | КТ339АМ | — | ≥300 | МГц |
КТ339А | — | ≥300 | |||
КТ339Б | — | ≥250 | |||
КТ339В | — | ≥450 | |||
КТ339Г | — | ≥250 | |||
КТ339Д | — | ≥250 | |||
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб. , U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ339АМ | — | 40 | |
КТ339А | — | 40 | |||
КТ339Б | — | 25 | |||
КТ339В | — | 40 | |||
КТ339Г | — | 40 | |||
КТ339Д | — | 40 | |||
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ339АМ | — | 4 | В |
— | 4 | ||||
КТ339Б | — | 4 | |||
КТ339В | — | 4 | |||
КТ339Г | — | 4 | |||
КТ339Д | — | 4 | |||
Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ339АМ | — | 25 | мА |
КТ339А | — | 25 | |||
КТ339Б | — | 25 | |||
КТ339В | — | 25 | |||
КТ339Г | — | 25 | |||
КТ339Д | — | 25 | |||
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ339АМ | 40 В | ≤1 | мкА |
КТ339А | 40 В | ≤1 | |||
КТ339Б | 40 В | ≤1 | |||
КТ339В | 40 В | ≤1 | |||
КТ339Г | 40 В | ≤1 | |||
КТ339Д | 40 В | ≤1 | |||
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ339АМ | 10 В; 7 мА | ≥25* | |
КТ339А | 10 В; 7 мА | ≥25* | |||
10 В; 7 мА | ≥15* | ||||
КТ339В | 10 В; 7 мА | ≥25* | |||
КТ339Г | 10 В; 7 мА | ≥40* | |||
КТ339Д | 10 В; 7 мА | ≥15* | |||
Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ339АМ | 5 В | ≤2 | пФ |
КТ339А | 5 В | ≤2 | |||
5 В | ≤2 | ||||
КТ339В | 5 В | ≤2 | |||
КТ339Г | 5 В | ≤2 | |||
КТ339Д | 5 В | ≤2 | |||
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у. р. | КТ339АМ | — | — | Ом, дБ |
КТ339А | — | — | |||
КТ339Б | — | — | |||
КТ339В | — | — | |||
КТ339Г | — | — | |||
КТ339Д | — | — | |||
Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ339АМ | — | — | Дб, Ом, Вт |
КТ339А | — | — | |||
КТ339Б | — | — | |||
КТ339В | — | — | |||
КТ339Г | — | — | |||
КТ339Д | — | — | |||
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ339АМ | — | ≤25 | пс |
КТ339А | — | ≤25 | |||
КТ339Б | — | ||||
КТ339В | — | ≤50 | |||
КТ339Г | — | ≤100 | |||
КТ339Д | — | ≤150 |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Цветовая и кодовая маркировка транзисторов
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите
Транзистор КТ339: КТ339А
ОТ КАТОДА ДО АНОДА
Поиск по сайту Новости iLumi — интеллектуальные светодиодные лампы | ГЛАВНАЯ » ТРАНЗИСТОРЫ » КТ339 Транзистор КТ339 — структуры n-p-n, эпитаксиально-планарный, кремниевый, усилительный. Основное использование — усилители высокой частоты. Имеет металлостеклянный корпус, выводы гибкие. На корпусе наносится тип прибора. Весит не более 0.4 г. Цоколевка КТ339Цоколевка КТ339 показана на рисунке. Электрические параметры КТ339
Предельные эксплуатационные характеристики КТ339
|