Site Loader

Транзистор КТ339 — DataSheet

Перейти к содержимому

Цоколевка транзистора КТ339

 

Параметры транзистора КТ339
ПараметрОбозначениеМаркировкаУсловияЗначениеЕд. изм.
АналогКТ339АМBF199
КТ339АBF208, 2N3291, 

2N3292, 2SC123 *1, 2N702 *2, 2S101 *2, 2SC2839 *1, 2SC398, 2SC399

КТ339БBF311, 2SC388A,BF595, 

CS9016, MPSh41

КТ339ВBF173
КТ339ГBF197
КТ339ДMPSh47
Структура —n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектораPK max,P*K, τ max,P**K, и maxКТ339АМ55 °С260мВт
КТ339А55 °С260
КТ339Б55 °С260
КТ339В55 °С260
КТ339Г55 °С260
КТ339Д55 °С260
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттеромfгр, f*h31б, f**h31э, f***maxКТ339АМ≥300МГц
КТ339А≥300
КТ339Б≥250
КТ339В≥450
КТ339Г≥250
КТ339Д≥250
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттераUКБО проб.U*КЭR проб., U**КЭО проб.КТ339АМ40
В
КТ339А40
КТ339Б25
КТ339В40
КТ339Г40
КТ339Д40
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектораUЭБО проб., КТ339АМ4В
КТ339А
4
КТ339Б4
КТ339В4
КТ339Г4
КТ339Д4
Максимально допустимый постоянный ток коллектораIK max, I*К , и maxКТ339АМ25мА
КТ339А25
КТ339Б25
КТ339В25
КТ339Г25
КТ339Д25
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттераIКБО, I*КЭR, I**КЭOКТ339АМ40 В≤1мкА
КТ339А40 В≤1
КТ339Б
40 В≤1
КТ339В40 В≤1
КТ339Г40 В≤1
КТ339Д40 В≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттеромh21э,  h*21ЭКТ339АМ10 В; 7 мА≥25*
КТ339А10 В; 7 мА≥25*
КТ339Б
10 В; 7 мА≥15*
КТ339В10 В; 7 мА≥25*
КТ339Г10 В; 7 мА≥40*
КТ339Д10 В; 7 мА≥15*
Емкость коллекторного переходаcк,  с*12эКТ339АМ5 В≤2
пФ
КТ339А5 В≤2
КТ339Б
5 В≤2
КТ339В5 В≤2
КТ339Г5 В≤2
КТ339Д5 В≤2
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у. р.КТ339АМОм, дБ
КТ339А
КТ339Б
КТ339В
КТ339Г
КТ339Д
Коэффициент шума транзистораКш, r*b, P**выхКТ339АМДб, Ом, Вт
КТ339А
КТ339Б
КТ339В
КТ339Г
КТ339Д
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частотеτк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)КТ339АМ≤25пс
КТ339А≤25
КТ339Б
≤25
КТ339В≤50
КТ339Г≤100
КТ339Д≤150

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

 

Цветовая и кодовая маркировка транзисторов

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите

Ctrl+Enter.

Транзистор КТ339: КТ339А

ОТ КАТОДА ДО АНОДА

Поиск по сайту

Новости


iLumi — интеллектуальные светодиодные лампы

ГЛАВНАЯ » ТРАНЗИСТОРЫ » КТ339

Транзистор КТ339 — структуры n-p-n, эпитаксиально-планарный, кремниевый, усилительный. Основное использование — усилители высокой частоты. Имеет металлостеклянный корпус, выводы гибкие. На корпусе наносится тип прибора. Весит не более 0.4 г.

Цоколевка КТ339

Цоколевка КТ339 показана на рисунке.

Электрические параметры КТ339

• Коэффициент передачи тока (статический). Схема с общим эмиттером
при Uкб = 10 В, Iэ = 7 мА, не менее
25
• Коэффициент усиления по мощности
при Uкэ = 1.6 В, Iк = 7.2 мА, f = 35 МГц, не менее
24 дБ
• Граничная частота коэффициента передачи тока
при Uкб = 10 В, Iэ = 5 мА, не менее
300 МГц
• Постоянная времени цепи обратной связи при Iэ = 7 мА, не более25 нс
• Ёмкость коллекторного перехода при Uкб = 5 В, не более2 пФ

Предельные эксплуатационные характеристики КТ339

• Постоянное напряжение Б-К40 В
• Постоянное напряжение К-Э
25 В
• Постоянное напряжение Б-Э4 В
• Ток коллектора (постоянный)25 мА
• Рассеиваемая мощность коллектора (постоянная) при Т = −60.

alexxlab

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *