Site Loader

Содержание

Биполярный транзистор КТ315Б — описание, параметры и цоколевка

Описание транзистора КТ315Б

Транзистор КТ315Б кремниевый эпитаксиально-планарный структура n-p-n усилительный.
Предназначен для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты.
Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке, а также на корпусе прибора в виде буквы соответствующего типономинала.
Масса транзистора не более 0,18 г.

Цоколевка и размеры транзистора КТ315Б

Характеристики транзистора КТ315Б

Структура n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 20 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 20 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 100 мА
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом) 0,15 Вт
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 50-350
Обратный ток коллектора
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>250 МГц
Коэффициент шума транзистора -

КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж, КТ315И

Все картинки в новостях кликабельные, то есть при нажатии они увеличиваются.

Транзисторы КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж, КТ315И кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n усилительные высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в схемах усилителей высокой, промежуточной и низкой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

Масса транзистора не более 0,18 гр.

Чертёж транзистора КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж, КТ315И

Электрические параметры.

Граничное напряжение при IЭ=5 мА, не менее
КТ315А, КТ315Б, КТ315Ж 15 В
КТ315В, КТ315Д, КТ315И 30 В
КТ315Г, КТ315Е 25 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=20 мА, IБ=2 мА, не более
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г 0,4 В
КТ315Д, КТ315Е 1 В
КТ315Ж 0,5 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=20 мА, I
Б
=2 мА, не более
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г 1,1 В
КТ315Д, КТ315Е 1,5 В
КТ315Ж 0,9 В
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ=10 В, IК=1 мА
КТ315А, КТ315В, КТ315Д 20-90
КТ315Б, КТ315Г, КТ315Е 50-350
КТ315Ж 30-250
КТ315И, не менее 30
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте при U
КБ
=10 В, IЭ=5 мА, не более
КТ315А 300 нс
КТ315Б, КТ315В, КТ315Г 500 нс
КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж 1000 нс
Модуль коэффициента передачи тока при UКЭ=10 В, IК=1 мА, ƒ=100 МГц, не менее
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315И 2,5
КТ315Ж 1,5
Ёмкость коллекторного перехода при UКБ=10 В, не более
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315И 7 пФ
КТ315Ж 10 пФ
Входное сопротивление при UКЭ=10 В, IК=1 мА, не менее 40 Ом
Выходная проводимость при UКЭ=10 В, IК=1 мА, не более 0,3 мкСм
Обратный ток коллектора при UКБ=10 В, не более 1 мкА
Обратный ток коллектор-эмиттер при RБЭ=10 кОм, UКЭ=UКЭ,макс, не более
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е 1 мкА
КТ315Ж 10 мкА
КТ315И 100 мкА
Обратный ток эмиттера при UБЭ=5 В, не более
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж 30 мкА
КТ315И 50 мкА

Предельные эксплуатационные данные КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж, КТ315И.

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБЭ=10 кОм
КТ315А 25 В
КТ315Б 20 В
КТ315В, КТ315Д 40 В
КТ315Г, КТ315Е 35 В
КТ315Ж 15 В
КТ315И 60 В
Постоянное напряжение база-эмиттер 6 В
Постоянный ток коллектора
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е 100 мА
КТ315Ж, КТ315И 50 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т=213-298 К
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е 150 мВт
КТ315Ж, КТ315И 100 мВт
Температура перехода 119,85°С
Температура окружающей среды От -60,15 до 99,85°С

Примечания: 1. Постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, при Т=298-373 К определяется по формуле:

РКмакс=(393-Т)/0,67

Допускается эксплуатация транзисторов в режиме РК=250 мВт при UКБ=12,5 В, IК=20 мА.

2. Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 2 мм от корпуса транзистора.

При включении транзистора в схему, находящуюся под напряжением, базовый вывод должен подсоединяться первым и отсоединяться последним. Не рекомендуется работа транзисторов при рабочих токах, соизмеримых с неуправляемыми обратными токами во всём интервале температур.

1. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера. 2. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора. 3. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока базы.

1. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера. 2. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора. 3. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока базы.


Кт815б характеристики транзистора, цоколевка, аналог, datasheet

Маркировка транзисторов

Транзистор КТ315. Тип транзистора указывается в этикетке, а также на корпусе прибора в виде буквы указывалась группа. На корпусе указывается полное название транзистора или только буква, которая сдвинута к левому краю корпуса. Товарный знак завода может не указываться. Дата выпуска ставится в цифровом или кодированном обозначении (при этом могут указывать только год выпуска). Точка в составе маркировки транзистора указывает на его применяемость – в составе цветного телевидения. Старые же (произведенные до 1971 года) транзисторы КТ315 маркировались буквой, стоящей посередине корпуса. При этом первые выпуски маркировались лишь одной большой буквой, а примерно в 1971 году перешли на привычную двухстрочную. Пример маркировки транзистора КТ315 показан на рисунке 1. Следует также отметить, что транзистор КТ315 был первым массовым транзистором с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13. Подавляющее большинство транзисторов КТ315 и КТ361 (характеристики такие же, как у КТ315, а проводимость p-n-p) было выпущено в корпусах желтого или красно-оранжевого цветов, значительно реже можно встретить транзисторы розового, зелёного и черного цветов. В маркировку транзисторов предназначенных для продажи помимо буквы обозначающей группу, товарного знака завода и даты изготовления входила и розничная цена, например «ц20к», что означало цена 20 копеек.

Транзистор КТ315-1. Тип транзистора также указывается в этикетке, а на корпусе указывается полное название транзистора, а также транзисторы могут маркироваться кодовым знаком. Пример маркировки транзистора КТ315-1 приведен на рисунке 2. Маркировка транзистора кодовым знаком приведена в таблице 2.

Цветомузыкальная приставка на П213.

Очень несложную цветомузыкальную приставку можно собрать
на трех транзистрах П213. Три раздельных усилительных каскада предназначены
для усиления трех полос звуковой частоты. Каскад на транзисторе VT1 усиливает
сигнал на частоте свыше 1000Гц, на транзисторе VT2 – от 1000 до 200Гц,
на транзисторе VT3 – ниже 200гЦ. Разделение частот осуществляется простыми RC- фильтрами.

Входной сигнал берется с выхода акустических колонок. Его уровень
регулируется с помощью потенциометра R1. Для подстройки
уровня яркости каждого канала используются подстроечные резисторы R3, R5, R7.
Смещение на базах транзисторов определяется значениями резисторов R2, R4, R6. Нагрузкой
каждого каскада являются две параллельно включенные лампочки (6,3 В х 0,28 А). Питается
схема от блока питания с выходным напряжением 8-9 В и максимальным током свыше 2А.

Транзисторы П213 могут иметь значительный разброс по усилению тока.
Поэтому, значения резисторов R2, R4, R6 необходимо подбирать для каждого каскада — индивидуально. Ток коллектора при этом настраивается на такую величину, чтобы нити накала ламп немного светились в отсутствии входного
сигнала.
При этом транзисторы обязательно будут греться. Стабильность работы
германиевых полупроводниковых приборов очень зависит от температуры.
Поэтому, необходимо установить П213 на радиаторы — площадью от 75 кв.см.

Таблица 5 – Предельно-допустимые режимы эксплуатации транзистора КТ315

Параметр, единица измеренияОбозначениеНорма параметра
КГ315АКГ315БКГ315ВКГ315ГКТЗ15ДКГ315ЕКГ315ЖКГ315ИКТ315НКТ315Р
Макс. допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер, (RBE = 10 кОм), В 1)UCERmax2520403540352035
Макс. допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при коротком замыкании в цепи эмиттер-база, В 1)UCES max2060
Макс. допустимое постоянное напряжение коллектор-база, В 1)UCB max2520403540352035
Макс. допустимое постоянное напряжение эмиттер-база, В 1)UEB max6666666666
Макс. допустимый постоянный ток коллектора, мА 1)IC max100100100100100100100100100100
Макс. допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт 2)PC max200200200200200200200200200200
Макс. допустимая температура перехода, ⁰Сtj max125125125125125125125125125125

Примечание: 1. Для всего диапазона рабочих температур. 2. При tатв от минус 60 до 25 °С. При повышении температуры более 25 °С PCmax рассчитывается по формуле:

где Rt hjα – общее тепловое сопротивление переход-окружающая среда, равное 0,5 °С/мВт.


Рисунок 3 – Типовые входные характеристики транзисторов КТ315 при UCE = 0, tатв = (25±10) °С


Рисунок 4 – Типовые выходные характеристики транзисторов типа КТ315 при tатв = (25±10) °С


Рисунок 5 – Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер от постоянного тока коллектора для транзисторов КТ315 при IC/IB = 10, tатв = (25±10) °С


Рисунок 6 – Зависимость статического коэффициента передачи тока от постоянного тока эмиттера для транзисторов КТ315 при UCB = 10, tатв = (25±10) °С


Рисунок 7 – Зависимость модуля коэффициента передачи тока по высокой частоте от постоянного тока эмиттера при UCB = 10, f = 100 МГц, tатв = (25±10) °С


Рисунок 8 – Зависимость постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте от напряжения коллектор-база при IE = 5 мА, tатв = (25±10) °С для КТ315


Рисунок 9 – Зависимость постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте от тока эмиттера при UCB = 10 В, f = 5 МГц, tатв = (25±10) °С для КТ315

Технические характеристики

D882 имеет достаточно хорошие технические параметры. Не много транзисторов, в корпусе TO-126, могут похвастаться возможностью пропускать через себя импульсные токи величиной до 6 А. Рассмотрим другие его максимальные значения предельно допустимых эксплуатационных значений:

  • напряжение между: К-Б — VCBO (Uкб max) до 40 В; К-Е — VCEO (Uкэ max) до 30 В;Э-Б — VEBO (Uэб max) до 6 В;
  • коллекторный ток: постоянный IC (Iк max) = 3 А; переменный, при tP < 5ms — ICM (Iки max) до 6 А;
  • ток базы IB (IБ max) = 3 А до 1 А;
  • мощность рассеиваемая на коллекторе РСк max) до 1.25 Вт;
  • тепловое сопротивление перехода Rthj-case —  10 ° C/Вт;
  • диапазон температур хранения и использования Tstg = -55 … 150 оС;
  • температура кристалла TJ до 150 оС.

Электрические параметры

Электрические параметры D882 тоже неплохие. Они представлены в даташит в виде отдельной таблицы с дополнительными условиями их измерений. Температуре окружающей среды, при этом, составляет не более 25 оС.

Коэффициента усиления по току

В зависимости от коэффициента передачи тока (hFE) транзистор D882 делятся на четыре группы по буквам: R (маленькое) – от 60 до 120; О (среднее) от 100 до 200; Y (высокое)– от 160 до 320; GR (самое большое) от 200 до 400.

Влияние радиатора

Стоит учитывать сильный нагрев D882 при использовании в предельно допустимых режимах, которые могут привести к выходу его из строя. Вероятности такого исхода очень высока, поэтому не рекомендуется длительная эксплуатация устройства на максимальных значениях.

Большое значение, в повышении надежности и уменьшении нагрева транзистора при работе, имеет его система охлаждения. Ниже приведен график зависимости рассеиваемой мощности (по горизонтали) от температуры окружающей среды (по вертикали). При тестировании изготовитель использует алюминиевый радиатор толщиной 10 мм.

Как видно из графика, при температуре вокруг корпуса выше +25ОС рассеиваемая мощность D882 начинает понижаться, а при +150ОС падает до ноля. На рисунке наглядно показана положительная роль использования радиатора для подобных электронных устройств.

Таблица 2 – Маркировка транзистора КТ315-1 кодовым знаком

Тип транзистораМаркировочная метка на срезе боковой поверхности корпусаМаркировочная метка на торце корпуса
KT315A1Треугольник зеленого цветаТочка красного цвета
KT315Б1Треугольник зеленого цветаТочка желтого цвета
KT315В1Треугольник зеленого цветаТочка зеленого цвета
KT315Г1Треугольник зеленого цветаТочка голубого цвета
KT315Д1Треугольник зеленого цветаТочка синего цвета
KT315Е1Треугольник зеленого цветаТочка белого цвета
KT315Ж1Треугольник зеленого цветаДве точки красного цвета
KT315И1Треугольник зеленого цветаДве точка желтого цвета
KT315Н1Треугольник зеленого цветаДве точки зеленого цвета
KT315Р1Треугольник зеленого цветаДве точки голубого цвета

Транзистор КТ815

ПараметрОбозначениеМаркировкаУсловияЗначениеЕд. изм.
КТ815А BD165, TIP29, 2N4921, 2N4910 *3 , DTL1651 *1 , 2SD146 *1 , 2SD236 *1
КТ815БBD167, MJE720, 2SC1419 *3 , BD233 *2 , BD813 *3 , BD165
КТ815В BD169, MJE721, KD235, BD815 *3 , BD167, 2N1481 *1 , 2N1479 *3 , 2N4922 *2 , 2N4911 *3 , 2SD147 *3
КТ815Г BD818, MJE722, 2N1482 *1 , 2N1480 *1 , BD169 *2 , 2N4923, 2N4912 *3 , DT41653 *3
Структураn-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектораPK max,P * K, τ max,P ** K, и maxКТ815А10*Вт
КТ815Б10*
КТ815В10*
КТ815Г10*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттеромfгр, f * h31б, f ** h31э, f *** maxКТ815А≥3МГц
КТ815Б≥3
КТ815В≥3
КТ815Г≥3
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттераUКБО проб., U * КЭR проб., U ** КЭО проб.КТ815А0.1к40*В
КТ815Б0.1к50*
КТ815В0.1к70*
КТ815Г0.1к100*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектораUЭБО проб.,КТ815А5В
КТ815Б5
КТ815В5
КТ815Г5
Максимально допустимый постоянный ток коллектораIK max, I * К , и maxКТ815А1.5(3*)А
КТ815Б1.5(3*)
КТ815В1.5(3*)
КТ815Г1.5(3*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттераIКБО, I * КЭR, I ** КЭOКТ815А40 В≤0.05мА
КТ815Б40 В≤0.05
КТ815В40 В≤0.05
КТ815Г40 В≤0.05
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттеромh21э, h * 21ЭКТ815А2 В; 0.15 А≥40*
КТ815Б2 В; 0.15 А≥40*
КТ815В2 В; 0.15 А≥40*
КТ815Г2 В; 0.15 А≥30*
Емкость коллекторного переходаcк, с * 12эКТ815А5 В≤60пФ
КТ815Б5 В≤60
КТ815В5 В≤60
КТ815Г5 В≤60
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттеромrКЭ нас, r*БЭ нас, К ** у.р.КТ815А≤1.2Ом, дБ
КТ815Б≤1.2
КТ815В≤1.2
КТ815Г≤1.2
Коэффициент шума транзистораКш, r * b, P ** выхКТ815АДб, Ом, Вт
КТ815Б
КТ815В
КТ815Г
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частотеτк, t*рас, t ** выкл, t *** пк(нс)КТ815Апс
КТ815Б
КТ815В
КТ815Г

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Зарубежные прототипы

  • КТ815Б — BD135
  • КТ815В — BD137
  • КТ815Г — BD139

14 thoughts on “ КТ815 параметры ”

Мощным данный транзистор назвать нельзя, не смотря на 8-ку в маркировке. Он ближе к средней мощности, а в мощных схемах используется как предварительный для 819-х и выше

Как основной недостаток, я бы выделил разброс коэффициента усиления, а в некоторых схемах это важно. Почему то не приведена граничная частота, а она тоже не очень высокая

Одним словом — обычный, среднепараметризованный транзистор для бытового использования. Да, еще там начальная нелинейность подзатянута, не для всех классов усиления хороши.

Граничная частота КТ815 для схемы с общим эмиттером составляет 3 МГц. p. s. Как и всех отечественных «чисто гражданских» транзисторов разброс параметров КТ815 очень большой.

Предполагаю, что гражданскими транзисторами «КТ» являлась отбраковка военных транзисторов «2Т». Протестировали кристаллы, те что получше — в металл, похуже в пластик. Именно из-за такого разброса на заводах была даже такая профессия «регулировщик».

На алиэкспрессе можно и на перемаркированные детали попасть. Я покупаю только если есть положительные отзывы. Думаю цены на BD139 и BD140 такие потому что раритет. Если в схеме нужны биполярные на небольшую мощность, я ставлю что-то из серии BCP51 — BCP56. И в Китае делают хорошую продукцию, но только под контролем американских, европейский, японских или южнокорейских фирм

Контролировать работу необходимо, причем не только китайских, но и всех узко… вы понимаете. А делать это сейчас очень и очень несложно, не выходя из, скажем AMD-шного офиса, находящегося в Германии почему-то. Все линии автоматизированы, все данные поступают на сервер и могут контролироваться в реальном режиме времени из любой точки мира. К нему-же и видео наблюдение подстегнуто. Смотришь, пошел курить опий, берешь микрофон и, на доступном японамамском, вежливо просишь вернуться назад. Загранкомандировки технологам оплачивать не нужно.

Возможно, что и перемаркировка. Но, когда только сделал характериограф, из любопытства тыкал в него все что под руку попадалось, в том числе и транзисторы с распая корейской аудио-видео аппаратуры. Транзисторы из одного раскуроченного музыкального центра LG имеют близкие параметры, а те же транзисторы из другого МЦ сделанного годом-двумя раньше отличаются от них как небо и земля. Транзисторы из одной партии похожи друг на друга, а вот когда они из разных партий, тут уже возможны варианты…

Старый, добрый КТ815, именно на нём делал свои первые самоделки, они встречались практически во всей советской аппаратуре. Даже сейчас, если порыться в хламе, штук 10-15 выпаять можно.

Транзистор удобен в практике. Их много почти у каждого в загашнике. Относительно не большой, и мощный, не дорогой. Разной проводимости КТ814 (p-n-p) и КТ815 (n-p-n).

По характеристикам указана предельная температура 150 °C, но на практике сталкивался с выходом из строя в блоках питания КТ815 уже при температуре близкой к 100 °C, возникала холостая проводимость между К-Э. При перегревах выходных каскадов на КТ815 и КТ814 в УМЗЧ иногда происходили необратимые изменения ВАХ, но усилитель продолжал дальше работать с незначительными искажениями. Часто использовал такие транзисторы в схемах стабилизации частоты вращения моторчиков на старых магнитолах, и в коммутации к радиоуправляемым моделям.

Таблица 1 – Краткие технические характеристики транзисторов КТ315 и КТ315-1

ТипСтруктураPК max, PК* т. max, мВтfгр, МГцUКБО max, UКЭR*max, ВUЭБО max, ВIК max, мАIКБО, мкАh31э, h31Э*CК, пФrКЭ нас, Омrб, Омτк, пс
KT315A1n-p-n150≥250256100≤0,520…90 (10 В; 1 мА)≤7≤20≤40≤300
KT315Б1n-p-n150≥250206100≤0,550…350 (10 В; 1 мА)≤7≤20≤40≤300
KT315В1n-p-n150≥250406100≤0,520…90 (10 В; 1 мА)≤7≤20≤40≤300
KT315Г1n-p-n150≥250356100≤0,550…350 (10 В; 1 мА)≤7≤20≤40≤300
KT315Д1n-p-n150≥250406100≤0,520…90 (10 В; 1 мА)≤7≤20≤40≤300
KT315Е1n-p-n150≥250356100≤0,520…90 (10 В; 1 мА)≤7≤20≤40≤300
KT315Ж1n-p-n100≥250156100≤0,530…250 (10 В; 1 мА)≤7≤20≤40≤300
KT315И1n-p-n100≥250606100≤0,530 (10 В; 1 мА)≤7≤20≤40≤300
KT315Н1n-p-n150≥250206100≤0,550…350 (10 В; 1 мА)≤7
KT315Р1n-p-n150≥250356100≤0,5150…350 (10 В; 1 мА)≤7
КТ315Аn-p-n150 (250*)≥250256100≤0,530…120* (10 В; 1 мА)≤7≤20≤40≤300
КТ315Бn-p-n150 (250*)≥250206100≤0,550…350* (10 В; 1 мА)≤7≤20≤40≤500
КТ315Вn-p-n150 (250*)≥250406100≤0,530…120* (10 В; 1 мА)≤7≤20≤40≤500
КТ315Гn-p-n150 (250*)≥250356100≤0,550…350* (10 В; 1 мА)≤7≤20≤40≤500
КТ315Дn-p-n150 (250*)≥25040* (10к)6100≤0,620…90 (10 В; 1 мА)≤7≤30≤40≤1000
КТ315Еn-p-n150 (250*)≥25035* (10к)6100≤0,650…350* (10 В; 1 мА)≤7≤30≤40≤1000
КТ315Жn-p-n100≥25020* (10к)650≤0,630…250* (10 В; 1 мА)≤7≤25≤800
КТ315Иn-p-n100≥25060* (10к)650≤0,6≥30* (10 В; 1 мА)≤7≤45≤950
КТ315Нn-p-n150≥25035* (10к)6100≤0,650…350* (10 В; 1 мА)≤7≤5,5≤1000
КТ315Рn-p-n150≥25035* (10к)6100≤0,5150…350* (10 В; 1 мА)≤7≤20≤500

Примечание: 1. IКБО – обратный ток коллектора – ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера, измеренный при UКБ = 10 В; 2. IК max – максимально допустимый постоянный ток коллектора; 3. UКBO max – пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе кол- лектора и разомкнутой цепи эмиттера; 4. UЭБO max – пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора; 5. UКЭR max – пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер; 6. РК.т max – постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом; 7. PК max – максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора; 8. rб – сопротивление базы; 9. rКЭ нас – сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером; 10. CК – емкость коллекторного перехода , измеренная при UК = 10 В; 11. fгp – граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы общим эмиттером; 12. h3lэ – коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме мало сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно; 13. h3lЭ – статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала; 14. τк – постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте.

Проверка КТ815

Не всегда покупаемые элементы оказываются в рабочем состоянии. Пусть бракованные элементы попадаются не так часто, но любой радиолюбитель или просто покупатель обязан знать, как проверить такой прибор.

Во-первых

, проверить работоспособность КТ815 можно специальным пробником, но рассмотрим проверку обычным мультиметром , так как предыдущий прибор есть далеко не у всех.

Для проверки при помощи мультиметра, прибор нужно перевести в режим прозвонки. Сначала прикладываем отрицательный щуп к базе, а положительный к коллектору. На дисплее должно отобразиться значение от 500 до 800 мв. Затем меняем щупы, поставив на базу положительный, а на эмиттер отрицательный. Значения должны примерно равны прошлым.

Затем нужно проверить обратное падение напряжение

. Для этого поставим сначала отрицательный щуп на базу, а положительный на коллектор. Должны получится единица. В случае с замером на базе и эмиттере, произойдёт то же самое.

Таблица 3 – Зарубежные аналоги транзистора КТ315

Отечественный транзисторЗарубежный аналогВозможность купитьПредприятие производительСтрана производитель
КТ315АBFP719нетUnitra CEMIПольша
КТ315БBFP720нетUnitra CEMIПольша
КТ315ВBFP721нетUnitra CEMIПольша
КТ315ГBFP722нетUnitra CEMIПольша
КТ315Д2SC641естьHitachiЯпония
КТ315Е2N3397есть ~ 4$Central SemiconductorСША
КТ315Ж2N2711есть ~ 9$Sprague electric corp.США
BFY37, BFY37iестьITT Intermetall GmbHГермания
КТ315И2SC634есть ~ 16$New Jersey SemiconductorСША
естьSonyЯпония
КТ315Н2SC633есть ~ 1$SonyЯпония
КТ315РBFP722нетUnitra CEMIПольша

Зарубежным прототипом транзистора КТ315-1 являются транзисторы 2SC544, 2SC545, 2SC546 предприятие производитель Sanyo Electric, страна производства Япония. Транзисторы 2SC545, 2SC546 также можно приобрести, ориентировочная цена составляет около 6$.

Цветомузыкальная приставка на П213.

Очень несложную цветомузыкальную приставку можно собрать на трех транзистрах П213. Три раздельных усилительных каскада предназначены для усиления трех полос звуковой частоты. Каскад на транзисторе VT1 усиливает сигнал на частоте свыше 1000Гц, на транзисторе VT2 – от 1000 до 200Гц, на транзисторе VT3 – ниже 200гЦ. Разделение частот осуществляется простыми RC- фильтрами.

Входной сигнал берется с выхода акустических колонок. Его уровень регулируется с помощью потенциометра R1. Для подстройки уровня яркости каждого канала используются подстроечные резисторы R3, R5, R7. Смещение на базах транзисторов определяется значениями резисторов R2, R4, R6. Нагрузкой каждого каскада являются две параллельно включенные лампочки (6,3 В х 0,28 А). Питается схема от блока питания с выходным напряжением 8-9 В и максимальным током свыше 2А.

Транзисторы П213 могут иметь значительный разброс по усилению тока. Поэтому, значения резисторов R2, R4, R6 необходимо подбирать для каждого каскада — индивидуально. Ток коллектора при этом настраивается на такую величину, чтобы нити накала ламп немного светились в отсутствии входного сигнала. При этом транзисторы обязательно будут греться. Стабильность работы германиевых полупроводниковых приборов очень зависит от температуры. Поэтому, необходимо установить П213 на радиаторы — площадью от 75 кв.см.

Транзисторы — купить. или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы? В основном здесь два варианта — либо купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х, образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки — можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из нее. Транзисторы П213 можно найти радиоле Бригантина, приемнике ВЭФ Транзистор 17, приемниках Океан, Рига 101, Рига 103, Урал Авто-2. Транзисторы КТ815 в приемниках Абава РП-8330, Вега 342, магнитофонах «Азамат»(!), Весна 205-1, Вильма 204- стерео и т. д.

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький «Кикстартер»

Амбициозная цель компании MediaTek — сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик — порог входа очень низкий.

КТ815 параметры сходные для всех модификаций

Таблица с предельно допустимыми электрическими режимами:

ПараметрыОбозначениеЗначение
Напряжение эмиттер — базаUэб max5 В
Постоянный ток коллектораIк max1,5 А
Импульсный ток коллектораIк max3 А
Максимально допустимый постоянный ток базыIб max0,5 А
Рассеиваемая мощность коллектораPк max10 Вт
Температура переходаTпер150 °C

Основные электрические параметры КТ815 при Токр.среды = 25°С

ПаpаметpыОбозначениеРежимы измеpенияMinMaхЕд.измеp
Обратный ток коллектораIкбоUкэ=50 В (А,Б), Uкэ=65 В (В,Г)50мкА
Обратный ток коллектор-эмиттерIкэоRэб ≤ 100 Ом, Uкэ=50 В (А,Б), Uкэ=65 В (В,Г)100мкА
Статический коэффициент передачи токаh31эUкб=2 В, Iэ=0,15 А40,30(Г)275
Напряжение насыщения коллектор-эмиттерUкэ насIк=0,5 А, Iб=50 мА0,6В
Оцените статью:

Электротехника: мая 2011

 Метод двух узлов является частным случаем метода узловых потенциалов. Данным методом могут быть рассчитаны цепи содержащие два неустранимых узла. Для расчёта методом двух узлов находят напряжение между зтими узлами  U
ab
по формуле: Где Ek — напряжение источника ЭДС k-ой ветви, Gk — проводимость k-ой ветви, Jk — ток источника тока k-ой ветви.
Затем находят токи в ветвях без источников тока по формуле:

Ток в ветви с источником тока равен току этого источника.

Рассмотрим расчёт методом двух узлов на примере расчёта схемы на рисунке 1:

 Рисунок 1 — Схема для расчёта методом двух узлов

Пусть в этой схеме E1=10 В, R1=0.1 Ом, R2=4 Ом, R3=8 Ом, E3=-20 В, J4=40 А. Найдём проводимости резисторов:

 Далее рассчитаем напряжение между узлами а и b по формуле (1):

Затем найдём токи в ветвях по формуле (2):

Рассчтаем мощность выделяющуюся в резисторах Pр и мощность отдаваемую источниками Pи для проверки балланса мощностей:

Мощность выделяющаяся в резисторах, с допустимой погрешностью, равна мощности выделяемой источниками следовательно балланс мощностей выполнен и расчёт произведён верно.

Пример 2

При расчёте схемы методом двух узлов можно применить немного другой подход. 

Рассмотрим схему:

Рисунок 2 — Схема 2 для расчёта методом двух узлов

Направления токов в ветвях, кроме тех в которых стоят источники тока, выбраны произвольно. В схеме имеется 2 узла: узел a и узел b. Будем считать что потенциал узла b равен нулю, напряжение Uab, в таком случае, равно потенциалу узла a. Определим проводимости каждой ветви, при этом учтём то что:

сопротивление источника ЭДС (с одинарной стрелочкой в кружке) равно нулю а его проводимость равна бесконечности,

сопротивление источника тока (с двумя стрелочками в кружке) равно бесконечности а его проводимость равна нулю.

Проводимость ветви с током I1 будет равна G1=1/R1, проводимости источников ЭДС равны нулю поэтому они не учитываются (их можно считать перемычками на которых есть напряжение).

Проводимость ветви с током I2 будет равна G2=1/R2 источник опять же не учитывается.

 проводимость ветви с током I3 равна нулю (т.к. проводимость источника тока равна нулю (источник тока можно считать разрывом через который течёт ток) ).

Проводимость ветви с током I4 равна нулю т.к. проводимость источника тока равна нулю, можно считать что в этой ветви разрыв и резистор R3 ничего не меняет.

Пусть в этой схеме E1=4 В, R1=10 Ом, R2=5 Ом, R3=2 Ом, E2=6 В, E3=10 В, J1=5 А, J2=4 А. Найдём проводимости резисторов:

Найдём напряжение Uab по формуле (1)

E1 записан со знаком минус т.к. его эдс (стрелочка внутри) направлена от узла а

E2 записано со знаком + т.к. его эдс направлена к узлу а

E3 записано со знаком + т.к. его эдс направлено к узлу а

J1 записан со знаком — т.к. его ток направлен от узла а

J2 записан со знаком + т.к. его ток направлен к узлу а

в знаменателе записана сумма проводимости первой ветви и второй, оставшиеся две ветви имеют проводимость равную нулю поэтому не записываются.

(В первом случае направления источников эдс учитывались а алгебраических знаках перед значениями этих эдс).

Ток I3=J1=5 т.к. источник тока создаёт в ветви ток равный току этого источника,

Ток I4=J2=4 т.к. источник тока создаёт в ветви ток равный току этого источника.

Аналогично можно найти ток I2:

Для составления баланса мощностей необходимо найти напряжение на источнике тока J2 (см. рисунок 2), найдём напряжение UJ2 на источнике тока J2:

Составим баланс мощностей:

Pи- отдаваемая и принимаемая мощность источников, Pп-мощность принимаемая резисторами. Если направление тока совпадает с направлением эдс источника эдс то это эдс записывается со знаком «+» если нет то со знаком «-«. Если напряжение на источнике тока направлено противоположно току этого источника то ток этого источника записывается в уравнение баланса мощностей со знаком «+» если направление напряжения и тока совпадают то со знаком «-«.

Чем заменить транзистор кт315

Транзисторы КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315И, КТ315Ж.

Т ранзисторы КТ315 — кремниевые, маломощные высокочастотные, структуры — n-p-n.
Корпус пластиковый — желтого, красного, темно — зеленого, оранжевого цветов. Масса — около 0,18г. Маркировка буквенно — цифровая, либо буквенная. Цоколевка легко определяется с помощью буквы, обозначающей подкласс транзистора. Она распологается напротив вывода эмиттера. Вывод коллектора — посередине, базы — оставшийся, крайний.

Наиболее широко распространенный отечественный транзистор. При изготовлении КТ315 впервые массово была применена планарно — эпитаксиальная технология. На пластине из материала n — проводимости формировался участок базы, проводимостью — p, затем, уже в нем — n участок эмиттера. Эта технология способствовала значительному удешевлению производства, при меньшем разбросе параметрических характеристик, по тому времени — довольно высоких.

Благодаря плоской форме корпуса и выводов КТ315 хорошо подходит для поверхностного монтажа.
Таким образом, применение КТ315 позволило в свое время значительно уменьшить размеры элементов ТТЛ советских ЭВМ второго поколения. Область применения КТ315 черезвычайно широка, кроме элементов логики это — низкочастотные, среднечастотные, высокочастотные усилители, генераторы, все что сотавляло основу огромного количества бытовых и промышленных электронных устройств советской эпохи.

Разработка КТ315 была отмечена в 1973 г. Государственной премией СССР.
Примечательно, что КТ315 до сих пор производятся в Белоруссии, в корпусе ТО-92.

Наиболее важные параметры.

Граничная частота передачи тока250 МГц.
Коэффициент передачи тока у транзисторов КТ315А, КТ315В, КТ315Д — от 20 до 90.
У транзисторов КТ315Б,КТ315Г,КТ315Е — от 50 до 350.
У транзистора КТ315Ж, — от 30 до 250.
У транзистора КТ315Ж, не менее 30.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. транзистора КТ315А — 25в.
Транзистора КТ315Б — 20в, транзистора КТ315Ж — 15в. У транзисторов КТ315В, КТ315Д — 40 в.
у транзисторов КТ315Г, КТ315Е — 35 в.
У транзистора КТ315И — 60 в.

Напряжение насыщения база — эмиттер при токе коллектора 20 мА, а токе базы — 2 мА:
У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г — 1,1 в.
У транзисторов КТ315Д, КТ315Е — 1,5 в.
У транзисторов КТ315Ж — 0,9 в.

Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при токе коллектора 20 мА, а токе базы 2 мА:
У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г — 0,4 в.
У транзисторов КТ315Д, КТ315Е — 1 в.
У транзисторов КТ315Ж — 0,5 в.

Максимальное напряжение эмиттер-база6 в.

Обратный ток коллектор-эмиттер при предельном напряжении : У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е — 1 мкА.
У транзисторов КТ315Ж — 10 мкА.
У транзисторов КТ315И — 100 мкА.

Обратный ток коллектора при напряжении колектор-база 10в — 1 мкА.

Максимальный ток коллектора. У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е — 100 мА.
У транзисторов КТ315Ж, КТ315И — 50 мА.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в, не более:
У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г,КТ315Д, КТ315Е, КТ315И — 7 пФ.
У транзисторов КТ315Ж — 10 пФ.

Рассеиваемая мощность коллектора.

У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е — 150 мВт.
У транзисторов КТ315Ж, КТ315И — 100 мВт.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ315.

Прямых зарубежных аналогов у КТ315 нет. Наиболее близкий аналог(полное совпадение параметров) транзистора КТ315А — BFP719.

Аналог КТ315Б — 2SC633. Параметры этих транзисторов в основном совпадают, но у 2SC633 несколько ниже граничная частота передачи тока — 200МГц.

Аналог КТ315Г — BFP722, КТ315Д — BC546B

Транзисторы КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Г, КТ3102Е, КТ3102Д.

Транзисторы КТ3102 — кремниевые, усилительные маломощные высокочастотные, структуры n-p-n.
Пониженный коэффициент шума на частоте 1000 гц позволяет использовать эти транзисторы в каскадах предварительных усилителей звуковой частоты.
Кроме того, они применяются в усилительных и генераторных схемах высокой частоты. Корпус металлостеклянный(у более древних экземпляров) или пластиковый — ТО-92, с гибкими выводами. Масса — около 0,5 г. Маркировка буквенно — цифровая, либо цветовая — на боковой и верхней поверхностях корпуса.

При цветовой маркировке, темно-зеленое пятно на боковой поверхности определяет тип(КТ3102). Цветовое пятно сверху обозначает группу:
Бордовое — группа А(КТ3102А).
Желтое — группа Б(КТ3102Б).
Темно-зеленое — группа В(КТ3102В).
Голубое — группа Г(КТ3102Г).
Синие — группа Д(КТ3102Д).
Цвета «электрик» — группа Е(КТ3102Е).

Цоколевка КТ3102 — на рисунке ниже.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у транзисторов КТ3102А — от 100, до 250.
У транзисторов КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Д — от 200, до 500.
У транзисторов КТ3102Г, КТ3102Е — от 400, до 1000.

Коэффициент шума при напряжении коллектор-эмиттер 5в, коллекторном токе 0,2мА, на частоте 1КГц:
У транзисторов КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102А, КТ3102Г — не более 10дБ.
У транзисторов КТ3102Д, КТ3102Е — не более 10дБ. 1000.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. У транзисторов КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102Е — 50в.
У транзисторов КТ3102В, КТ3102Д — 30в.
У транзистора КТ3102Г — 20в.

Максимальный ток коллектора100мА.

Максимальное напряжение эмиттер-база5в.

Обратный ток коллектор-эмиттер : У транзисторов КТ3102А, КТ3102Б при напряжении коллектор-эмиттер 50 в — не более0,1мкА.
У транзисторов КТ3102В, КТ3102Д при напряжении коллектор-эмиттер 30 в и транзисторов КТ3102Г, КТ3102Е при напряжении коллектор-эмиттер 20 в — не более0,05мкА.

Обратный ток коллектора не более: У транзисторов КТ3102А, КТ3102Б при напряжении коллектор-эмиттер 50 в — не более 0,05мкА, при температуре +25 Цельсия.
При температуре +85 — не более 5мкА.
У транзисторов КТ3102В, КТ3102Д при напряжении коллектор-эмиттер 30 в и у КТ3102В, КТ3102Д при напряжении коллектор-эмиттер 20 в — не более 0,015мкА, при температуре +25 Цельсия.
При температуре +85, обратный ток может вырасти до 5мкА.

Рассеиваемая мощность коллектора.250мВт.

Граничная частота коэффициента передачи тока150 МГц.

Транзистор комплиментарный КТ3102 — КТ3107.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ3102.

КТ3102А — 2N4123
КТ3102А — 2N2483
КТ3102А — 2SC828
КТ3102А — BC546C
КТ3102А — B547B
КТ3102А — BC547C

Транзисторы КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г.

Транзисторы КТ817, — кремниевые, универсальные, мощные низкочастотные, структуры — n-p-n.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, преобразователях и импульсных схемах.
Корпус пластмассовый, с гибкими выводами.
Масса — около 0,7 г. Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса, может быть двух типов.

Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и некодированная — в две. Первый знак в кодированной маркировке КТ817 цифра 7, второй знак — буква, означающая класс. Два следующих знака, означают месяц и год выпуска. В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке. На рисунке ниже — цоколевка и маркировка КТ817.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у транзисторов КТ817А, КТ817Б, КТ817В — 20.
У транзистора КТ817Г — 15.

Граничная частота коэффициента передачи тока3 МГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. У транзистора КТ817А — 25в.
У транзисторовКТ817Б — 45в.
У транзистора КТ817В — 60в.
У транзистора КТ817Г — 80в.

Максимальный ток коллектора.3А. Рассеиваемая мощность коллектора1 Вт, без теплоотвода, 25 Вт — с теплоотводом.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 3А, а базы 0,3А — не более 1,5в.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 3А, а базы 0,3А — не более 0,6в.

Обратный ток коллектора у транзисторов КТ817А при напряжении коллектор-база 25в, транзисторов КТ817Б при напряжении коллектор-база 45в, транзисторов КТ817В при напряжении коллектор-база 60в, транзисторов КТ817Г при напряжении коллектор-база 100 в — 100мкА.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в, на частоте 1МГц — не более — 60 пФ.

Емкость эмиттерного перехода при напряжении эмиттер-база 0,5 в — 115 пФ.

Комплиментарный (аналогичный по параметрам, но противоположной проводимости)транзистор — КТ816.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ817.

КТ817А — TIP31A
КТ817Б — TIP31B
КТ817В — TIP31C
КТ817Г — 2N5192.

Транзисторы — купить. или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы?
В основном здесь два варианта — либо купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х, образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки — можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — сломанные телевизоры, магнитофоны, приемники и. т. д — можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из него.
Проще всего обстоит дело с КТ315. В любой промышленной и бытовой аппаратуре и с середины 70-х годов двадцатого века и заканчивая началом 90-х его можно встретить практически повсеместно.
КТ3102 можно найти в предварительных каскадах усилителей магнитофонов — «Электроника», «Вега», «Маяк», «Вильма» и. т. д.
КТ817 — в стабилизаторах блоков питания тех же магнитофонов, иногда в оконечных каскадах усилителей звука (в магнитолах Вега РМ-238С,РМ338С и. т. п)

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Транзисторы КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315И, КТ315Ж.

Т ранзисторы КТ315 — кремниевые, маломощные высокочастотные, структуры — n-p-n.
Корпус пластиковый — желтого, красного, темно — зеленого, оранжевого цветов. Масса — около 0,18г. Маркировка буквенно — цифровая, либо буквенная. Цоколевка легко определяется с помощью буквы, обозначающей подкласс транзистора. Она распологается напротив вывода эмиттера. Вывод коллектора — посередине, базы — оставшийся, крайний.

Наиболее широко распространенный отечественный транзистор. При изготовлении КТ315 впервые массово была применена планарно — эпитаксиальная технология. На пластине из материала n — проводимости формировался участок базы, проводимостью — p, затем, уже в нем — n участок эмиттера. Эта технология способствовала значительному удешевлению производства, при меньшем разбросе параметрических характеристик, по тому времени — довольно высоких.

Благодаря плоской форме корпуса и выводов КТ315 хорошо подходит для поверхностного монтажа.
Таким образом, применение КТ315 позволило в свое время значительно уменьшить размеры элементов ТТЛ советских ЭВМ второго поколения. Область применения КТ315 черезвычайно широка, кроме элементов логики это — низкочастотные, среднечастотные, высокочастотные усилители, генераторы, все что сотавляло основу огромного количества бытовых и промышленных электронных устройств советской эпохи.

Разработка КТ315 была отмечена в 1973 г. Государственной премией СССР.
Примечательно, что КТ315 до сих пор производятся в Белоруссии, в корпусе ТО-92.

Наиболее важные параметры.

Граничная частота передачи тока250 МГц.
Коэффициент передачи тока у транзисторов КТ315А, КТ315В, КТ315Д — от 20 до 90.
У транзисторов КТ315Б,КТ315Г,КТ315Е — от 50 до 350.
У транзистора КТ315Ж, — от 30 до 250.
У транзистора КТ315Ж, не менее 30.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. транзистора КТ315А — 25в.
Транзистора КТ315Б — 20в, транзистора КТ315Ж — 15в. У транзисторов КТ315В, КТ315Д — 40 в.
у транзисторов КТ315Г, КТ315Е — 35 в.
У транзистора КТ315И — 60 в.

Напряжение насыщения база — эмиттер при токе коллектора 20 мА, а токе базы — 2 мА:
У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г — 1,1 в.
У транзисторов КТ315Д, КТ315Е — 1,5 в.
У транзисторов КТ315Ж — 0,9 в.

Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при токе коллектора 20 мА, а токе базы 2 мА:
У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г — 0,4 в.
У транзисторов КТ315Д, КТ315Е — 1 в.
У транзисторов КТ315Ж — 0,5 в.

Максимальное напряжение эмиттер-база6 в.

Обратный ток коллектор-эмиттер при предельном напряжении : У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е — 1 мкА.
У транзисторов КТ315Ж — 10 мкА.
У транзисторов КТ315И — 100 мкА.

Обратный ток коллектора при напряжении колектор-база 10в — 1 мкА.

Максимальный ток коллектора. У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е — 100 мА.
У транзисторов КТ315Ж, КТ315И — 50 мА.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в, не более:
У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г,КТ315Д, КТ315Е, КТ315И — 7 пФ.
У транзисторов КТ315Ж — 10 пФ.

Рассеиваемая мощность коллектора.

У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е — 150 мВт.
У транзисторов КТ315Ж, КТ315И — 100 мВт.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ315.

Прямых зарубежных аналогов у КТ315 нет. Наиболее близкий аналог(полное совпадение параметров) транзистора КТ315А — BFP719.

Аналог КТ315Б — 2SC633. Параметры этих транзисторов в основном совпадают, но у 2SC633 несколько ниже граничная частота передачи тока — 200МГц.

Аналог КТ315Г — BFP722, КТ315Д — BC546B

Транзисторы КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Г, КТ3102Е, КТ3102Д.

Транзисторы КТ3102 — кремниевые, усилительные маломощные высокочастотные, структуры n-p-n.
Пониженный коэффициент шума на частоте 1000 гц позволяет использовать эти транзисторы в каскадах предварительных усилителей звуковой частоты.
Кроме того, они применяются в усилительных и генераторных схемах высокой частоты. Корпус металлостеклянный(у более древних экземпляров) или пластиковый — ТО-92, с гибкими выводами. Масса — около 0,5 г. Маркировка буквенно — цифровая, либо цветовая — на боковой и верхней поверхностях корпуса.

При цветовой маркировке, темно-зеленое пятно на боковой поверхности определяет тип(КТ3102). Цветовое пятно сверху обозначает группу:
Бордовое — группа А(КТ3102А).
Желтое — группа Б(КТ3102Б).
Темно-зеленое — группа В(КТ3102В).
Голубое — группа Г(КТ3102Г).
Синие — группа Д(КТ3102Д).
Цвета «электрик» — группа Е(КТ3102Е).

Цоколевка КТ3102 — на рисунке ниже.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у транзисторов КТ3102А — от 100, до 250.
У транзисторов КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Д — от 200, до 500.
У транзисторов КТ3102Г, КТ3102Е — от 400, до 1000.

Коэффициент шума при напряжении коллектор-эмиттер 5в, коллекторном токе 0,2мА, на частоте 1КГц:
У транзисторов КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102А, КТ3102Г — не более 10дБ.
У транзисторов КТ3102Д, КТ3102Е — не более 10дБ. 1000.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. У транзисторов КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102Е — 50в.
У транзисторов КТ3102В, КТ3102Д — 30в.
У транзистора КТ3102Г — 20в.

Максимальный ток коллектора100мА.

Максимальное напряжение эмиттер-база5в.

Обратный ток коллектор-эмиттер : У транзисторов КТ3102А, КТ3102Б при напряжении коллектор-эмиттер 50 в — не более0,1мкА.
У транзисторов КТ3102В, КТ3102Д при напряжении коллектор-эмиттер 30 в и транзисторов КТ3102Г, КТ3102Е при напряжении коллектор-эмиттер 20 в — не более0,05мкА.

Обратный ток коллектора не более: У транзисторов КТ3102А, КТ3102Б при напряжении коллектор-эмиттер 50 в — не более 0,05мкА, при температуре +25 Цельсия.
При температуре +85 — не более 5мкА.
У транзисторов КТ3102В, КТ3102Д при напряжении коллектор-эмиттер 30 в и у КТ3102В, КТ3102Д при напряжении коллектор-эмиттер 20 в — не более 0,015мкА, при температуре +25 Цельсия.
При температуре +85, обратный ток может вырасти до 5мкА.

Рассеиваемая мощность коллектора.250мВт.

Граничная частота коэффициента передачи тока150 МГц.

Транзистор комплиментарный КТ3102 — КТ3107.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ3102.

КТ3102А — 2N4123
КТ3102А — 2N2483
КТ3102А — 2SC828
КТ3102А — BC546C
КТ3102А — B547B
КТ3102А — BC547C

Транзисторы КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г.

Транзисторы КТ817, — кремниевые, универсальные, мощные низкочастотные, структуры — n-p-n.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, преобразователях и импульсных схемах.
Корпус пластмассовый, с гибкими выводами.
Масса — около 0,7 г. Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса, может быть двух типов.

Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и некодированная — в две. Первый знак в кодированной маркировке КТ817 цифра 7, второй знак — буква, означающая класс. Два следующих знака, означают месяц и год выпуска. В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке. На рисунке ниже — цоколевка и маркировка КТ817.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у транзисторов КТ817А, КТ817Б, КТ817В — 20.
У транзистора КТ817Г — 15.

Граничная частота коэффициента передачи тока3 МГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. У транзистора КТ817А — 25в.
У транзисторовКТ817Б — 45в.
У транзистора КТ817В — 60в.
У транзистора КТ817Г — 80в.

Максимальный ток коллектора.3А. Рассеиваемая мощность коллектора1 Вт, без теплоотвода, 25 Вт — с теплоотводом.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 3А, а базы 0,3А — не более 1,5в.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 3А, а базы 0,3А — не более 0,6в.

Обратный ток коллектора у транзисторов КТ817А при напряжении коллектор-база 25в, транзисторов КТ817Б при напряжении коллектор-база 45в, транзисторов КТ817В при напряжении коллектор-база 60в, транзисторов КТ817Г при напряжении коллектор-база 100 в — 100мкА.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в, на частоте 1МГц — не более — 60 пФ.

Емкость эмиттерного перехода при напряжении эмиттер-база 0,5 в — 115 пФ.

Комплиментарный (аналогичный по параметрам, но противоположной проводимости)транзистор — КТ816.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ817.

КТ817А — TIP31A
КТ817Б — TIP31B
КТ817В — TIP31C
КТ817Г — 2N5192.

Транзисторы — купить. или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы?
В основном здесь два варианта — либо купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х, образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки — можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — сломанные телевизоры, магнитофоны, приемники и. т. д — можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из него.
Проще всего обстоит дело с КТ315. В любой промышленной и бытовой аппаратуре и с середины 70-х годов двадцатого века и заканчивая началом 90-х его можно встретить практически повсеместно.
КТ3102 можно найти в предварительных каскадах усилителей магнитофонов — «Электроника», «Вега», «Маяк», «Вильма» и. т. д.
КТ817 — в стабилизаторах блоков питания тех же магнитофонов, иногда в оконечных каскадах усилителей звука (в магнитолах Вега РМ-238С,РМ338С и. т. п)

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Характеристики транзистора КТ315 – сделали его самым популярным и самый известным во времена СССР, изготовлялся в пластиковом корпусе по эпитаксиально-планарной технологии. По своему устройству является кремниевым, биполярным, NPN-транзистором, малой мощности и высокой частоты. Начал выпускаться в далеком 1967 г., а в уже 1968 г. на его основе стали производить первые электронные приборы.

С ростом современных технологий популярность этого транзистора начала резко таять. Однако на многих форумах молодые радиолюбители продолжают спорить со старожилами о качестве данного устройства и возможности его применения. Сравнения ведутся зачастую с современными зарубежными решениями. На наш взгляд такое сравнение некорректно. Несомненно, современные аналоги обгоняют кт315 по своим свойствам и параметрам. Однако стоит признать, что для своего времени он был действительно прорывным и технически совершенным.

Распиновка

В советское и перестроечное время производился в корпусе КТ-13, который никогда не использовался зарубежными производителями. Притом, что КТ315 рабочая лошадка советской радиопромышленности. В наши дни, его продолжают выпускать в корпусе КТ-26 (TO-92) и КТ-46А (SOT-23), а так же в ограниченных количествах в КТ-13. Посмотрите внимательней на фотографии цоколевки КТ315 в разных корпусах и на буквы обозначающие назначение его электродов.

Несмотря на внешние различия транзисторов, их распиновка совпадает. Так, если смотреть на маркировку любого из них, то электроды слева на право будут всегда иметь следующее назначение: эмиттер (Э), коллектор (К) и база (Б), соответственно. Исходя из этого, становится понятной аббревиатура из трех букв «ЭКБ», которая встречается на технических форумах.

Характеристики

Технические свойства этого биполярника на удивление хороши, даже по сегодняшним меркам. К сожалению, в даташит современного производителя КТ315, представлена только основная информация. В них не найти графиков, отражающих поведение устройство в различных условиях эксплуатации, которыми наполнены современные технические описания на другие подобные устройства от зарубежных производителей.

Максимальные характеристики

Максимальные значения допустимых электрических режимов эксплуатации КТ315 до сих пор впечатляют начинающих радиолюбителей. Например, максимальный ток коллектора может достигать уровня в 100 мА, а рабочая частота у некоторых экземпляров превышает заявленные 250 МГц. Его более дорогие современники из серии КТ2xx/3xx, даже имея металлический корпус, не могли похвастаться такими показателями. КТ315 был долгое время своеобразным техническим лидером, пока ему на смену не пришёл усовершенствованный КТ3102. Рассмотрим максимально допустимые электрические режимы эксплуатации КТ315, в корпусе ТО-92, белорусского ОАО «Интеграл». В конце обозначения таких приборов присутствует цифра «1».

Основные электрические параметры

Будьте внимательны, несмотря на свои достаточно хорошие характеристики, КТ315 не может конкурировать с современными устройствами по некоторым параметрам. Так у современной серии КТ315, как и 50 лет назад, относительно небольшой диапазон рабочих температур от — 45 до + 100°C. А коэффициент шума (КШ) достигает 40 Дб, что уже много для современного устройства, предназначенного для усиления в низкочастотных трактах.

Классификация

Кроме основных параметров, в техническом описании можно найти распределение устройств по группам. Таблица классификации дает представление о параметрах всей серии КТ315. Используя её можно подобрать нужное устройство, путем сравнения основных характеристик всей серии.

Комплементарная пара

У КТ315 имеется комплементарная пара – КТ361. Эти устройства довольно часто применялись вместе, особенно в бестрансформаторных двухтактных схемах. Совместное применение данной пары безусловно вошло в историю российской электроники.

Историческая справка

Созданию первого транзистора по планарной технологии способствовали знания и опыт, полученные СССР при разработке интегральных микросхем. Их разработка в 60-е годы велась в НИИ «Пульсар», НИИ-35 и различных опытно-конструкторских бюро на предприятиях советской промышленности. В 1962 году в НИИ «Пульсар» перешли на планарную кремневую технологию, которая в последующем дала жизнь КТ315.

В 1962 году, под руководством инженера Осокина Ю.Н., были созданы первые советские германиевые микросхемы Р12–2 (Рижский завод полупроводниковых приборов). Эти микросхемы были своеобразным ответом СССР на первые подобные устройства появившиеся в США у компании Texas Instruments.

Небольшой временной период от разработки до серийного выпуска этого устройства, позволяет судить о высоком уровне развития электронной промышленности СССР в те времена. Судите сами, на сколько быстро и оперативно это было сделано. В 1966 г. министр энергетической промышленности Шокин А.И. узнал о появлении в США технологии промышленного изготовления транзисторов по планарной технологии. Уже в 1967 г. Фрязинский завод полупроводниковых приборов так же начинает выпускать первый в СССР высокочастотник в пластиковом корпусе, по аналогичной технологии – КТ315.

В 1968 г. начался выпуск первого электронного калькулятора — «Электроника-68», в котором насчитывалось около 400 транзисторов данного вида. А к 1973 он стал основой для разработки более 20 подобных полупроводниковых устройств. Примерно до начала 90-х годов КТ315 оснащалась почти вся отечественная электроника, так как, несмотря на свою дешевизну, он получился весьма надежным и технологичным. В настоящее время, в мире насчитывается более 7 миллиардов этих транзисторов. Они были выпущены не только в нашей стране, но и за рубежом по государственной лицензии от СССР.

Аналоги

Зарубежные аналоги КТ315, с похожими параметрами являются: BC547, 2SC9014, 2N3904, PN2222. Российской заменой можно считать усовершенствованный КТ3102 (ТО-92), но он имеет другую цоколевку. Зарубежных аналогов в корпусе КТ-13 в настоящее время не существует. Для министерства обороны СССР выпускались идентичные устройства в метало-стеклянных корпусах с маркировкой 2Т312, 2Т316.

Маркировка

По маркировке кт315 можно точно понять, что перед нами именно он, рассмотрим его в корпусе КТ13. Он имеет цифробуквенное обозначение и может отличается от своих собратьев цветом. Чаще всего встречается в оранжевом исполнении. В правом верхнем углу корпуса размещен знак завода-изготовителя, а в левом группа коэффициента усиления. Под условными обозначениями группы и предприятия-изготовителя указана дата выпуска. Вот их фотографии во всем цветовом разнообразии.

Устройства в таком исполнении до 1986 года имели золоченные контакты. После 1986 года количество содержания драгметаллов в них значительно снизилось. А в современных устройствах его практически нет. Усовершенствованный KT315 выпускается в корпусах для дырочного КТ-26 (TO-92) и поверхностного монтажа КТ-46А (SOT-23). На фотографии пример такого устройства — КТ315Г1 (TO-92).

Цифра «1», в конце указывает на современный КТ315(TO-92), а предпоследняя буква «Г» на группу, к которой относится транзистор из этой серии. На основе значений параметров в группе, можно определить его основное назначение. Например, КТ315Н1 использовался ранее в цветных телевизорах, а KT315P и КТ315Р1 применялись в видеомагнитофонах «Электроника ВМ».

Схема мультивибратора

Этот транзистор до сих пор применяется в учебных целях в различных радиолюбительских кружках. В сети интернет представлено множество схем, собранных на его основе. Наиболее популярная у начинающих радиолюбителей схема мультивибратора на кт315.

Проверка мультиметром

С помощью мультиметра можно проверить кт315, да и собственно любой полупроводниковый триод в два этапа. На первом этапе надо посмотреть состояние p-n переходов между базой и другими выводами. Как известно, p-n переходы у транзистора представляют собой два диода. Для их проверки надо установить на мультиметре режим измерения для диодов.

Далее приложите положительный щуп «+» мультиметра к базе, а отрицательны «-» на любой из электродов. Если переходы рабочие, то падение напряжения на них должно быть в пределах 500-700 милливольт. При подключения тестера по другому, когда отрицательный щуп установлен на базе, на экране мультиметра должна отображается единица. Единица указывает на бесконечно большое сопротивление перехода. Если эти условия не выполняются, то транзистор не проходит первый этап проверки и считается не исправным.

Падение напряжения на переходе база-эммитер должно быть больше чем на базе-коллектор. Обычно так определяют его контакты.

На втором этапе проверяется проводимость между выводами коллектора и эммитера. Щупы прикладываются разными способами между этими электродами, при этом на мультиметре должна отображаться единица. Если это не так –полупроводниковый прибор не исправен.

Нестандартное применение

А вот пример нестандартного применения нашего героя. На одном из технических форумов выложена интересная поделка из радиодеталей. Таким изящным образом радиолюбители продлевают жизнь давно вышедшим из строя, но дорогим сердцу радиодеталям.

Производители

В настоящее время производство данного транзистора значительно снизилось. Многие предприятия больше его не выпускают, в связи растущим применением в электронике более современных решений. Небольшими партиями транзистор КТ315 иногда впускается в корпусе КТ-13 компанией СКБ «Элькор» в Республике Кабардино-Балкария г. Нальчик. Белорусский конкурент ОАО «Интеграл» (холдинг завод «Транзистор») производит его в корпусе ТО-92. Скачать полную версию datasheet на этот прибор в формате pdf можно по ссылке.

Расчет усилительного каскада

Дано:

Рис. 1 – Принципиальная электрическая схема усилительного каскада

Рассчитаем сопротивление резистора в цепи коллектора транзистора:

Выбираем номинал сопротивления резистора Ом

Определим эквивалентное сопротивление нагрузки каскада:

Найдем амплитуду коллекторного тока:

Рассчитаем ток покоя транзистора:

k3 – коэффициент запаса,

k3 =0,7÷0,95

Определим минимальное напряжение коллектор – эмиттер в рабочей точке транзистора:

т.к. меньше типового значения, принимаем

Рассчитываем напряжение источника питания:

Выбираем напряжение питания

Определяем сопротивление резистора:

Ом

принимаем номинал резистора Ом

Выбираем транзистор КТ315Б:

Вычертим выходные и входные характеристики транзистора кт315б (рис. 2)

На выходных характеристиках транзистора КТ315Б построим нагрузочную прямую постоянного тока по точка А и В.

Точка А: ,

Точка В: ,

Нанесем рабочую точку С на нагрузочную прямую с координатой , уточним напряжениев точке покоя.

Рассчитаем мощность в точке покоя транзистора:

Определим наибольшую мощность рассеивания транзистора при максимальной рабочей температуре:

, следовательно, транзистор КТ315Б выбран правильно.

Находим координаты рабочей точки С на входной характеристике транзистора:

,

Определим ток базового делителя ,:

Рассчитаем сопротивление резистора базового делителя:

принимаем номинал сопротивления резистора

Определяем сопротивление резистора базового делителя:

принимаем номинал резистора

Найдем эквивалентное сопротивление базового делителя:

По выходным характеристикам транзистора (рис. 2) определим , в рабочей точке транзистора:

По входным характеристикам (рис.2) найдем в рабочей точке:

Ом

Найдем входное сопротивление каскада:

Рассчитаем выходное сопротивление каскада:

Построим на выходных характеристиках транзистора нагрузочную прямую по переменному току, проходящею через рабочую точку С и имеющую наклон:

Находим амплитуду тока базы по выходным характеристикам:

Определим по выходным характеристикам амплитуду входного напряжения транзистора:

Определим коэффициент усиления каскада по току:

Найдем коэффициент усиления каскада по напряжению:

Рассчитаем коэффициент усиления по мощности:

Определим амплитуду напряжения источника сигнала:

Распределим частотные искажения в области нижних частот, вносимые емкостями конденсаторов ,,, равномерно между ними:

Рассчитаем емкость разделительного конденсатора:

выбираем номинал электролитического конденсатора

Определим емкость разделительного конденсатора:

выбираем номинал емкости электролитического конденсатора

Найдем емкость блокировочного конденсатора:

принимаем емкость блокировочного конденсатора

Покупаем на выгодных условиях: платы, радиодетали, микросхемы, АТС, приборы, лом электроники, катализаторы

Мы гарантируем Вам честные цены! Серьезный подход и добропорядочность — наше главное кредо.

Компания ООО «РадиоСкупка» (скупка радиодеталей) закупает и продает радиодетали , а также любое радиотехническое оборудование и приборы. У нас Вы сможете найти не только наиболее востребованные радиодетали, но и редкие производства СССР и стран СЭВ. Мы являемся партнером  «ФГУП НИИ Радиотехники» и накопили огромный опыт  за наши годы работы. Также многих радиолюбителей заинтересует наш уникальный справочник по содержанию драгметаллов в радиодеталях. В левом нижнем углу нашего сайта Вы сможете узнать актуальные цены на драгметаллы такие, как золото, серебро, платина, палладий (цены указаны в $ за унцию) а также текущие курсы основных валют. Работаем со всеми  городами России и география нашей работы простирается от Пскова и до Владивостока. Наш квалифицированный персонал произведет грамотную и выгодную для Вас оценку вашего оборудования, даст профессиональную консультацию любым удобным Вам способом – по почте или телефону.  Наш клиент всегда доволен!

Покупаем платы, радиодетали, приборы, АТС, катализаторы. Заинтересованы в выкупе складов с неликвидными остатками радиодеталей а также цехов под ликвидацию с оборудованием КИПиА.

Приобретаем:

  • платы от приборов, компьютеров
  • платы от телевизионной и бытовой техники
  • микросхемы любые
  • транзисторы
  • конденсаторы
  • разъёмы
  • реле
  • переключатели
  • катализаторы автомобильные и промышленные
  • приборы (самописцы, осциллографы, генераторы, измерители и др.)

Купим Ваши радиодетали и приборы в любом состоянии, а не только новые. Цены на сайте указаны на новые детали. Расчет стоимости б/у деталей осуществляется индивидуально в зависимости от года выпуска, состоянии, а также текущих цен Лондонской биржи металлов. Работаем почтой России, а также транспортными компаниями. Наша курьерская служба встретит и заберет Ваш груз с попутного автобуса или поезда.

Честные цены, наличный и безналичный расчет, порядочность и клиентоориентированность наше главное преимущество!

Остались вопросы – звоните 8-961-629-5257, наши менеджеры с удовольствием ответят на все Ваши вопросы. Для вопросов по посылкам: 8-900-491-6775. Почта [email protected]

С уважением, директор Александр Михайлов.

Источники частоты | Подробности | Hackaday.io

Сначала я подумал: «Хорошо, я попробую работать на 115200 бод», а потом понял, что GBWP некоторых транзисторов этого не позволяет.

Как бы то ни было, я начал поиск кристаллов кварца 1,8432 МГц (я заказал несколько), и первое, что нужно сделать, это как можно больше снизить частоту, сначала в 2-4-8-16 раз, так что более сложные вентили / схемы можно использовать на более низких частотах.

Потом я наткнулся на крошечные 38.Кристаллы 4KHz на eBay: это не обеспечит большой пропускной способности, но гораздо больше подходит для германиевых траншей. Я не возражаю, что он не будет работать на скорости 115200 бод, потому что он экономит много высокочастотных делителей … Но мы только начинаем!

Эти современные крошечные кристаллы когда-нибудь будут доставлены из Китая, когда / если будут решены проблемы с экспортом (из-за вирусной эпидемии). С Украиной такой проблемы нет: у нашего старого друга bird_sr71a резонаторы получше, «всего» на 19200 Гц! В худшем случае, если мне придется разделить на 2, я все равно смогу достичь 9600 бод, довольно стандартную и полезную частоту, хотя я посмотрю, смогу ли / как я угнаться за 19.2 кбит / с.

Он намного более стильный и более согласованный с остальными технологиями, которые я использую 🙂

Но мы можем пойти еще дальше …

Ближе к Парижу британский магазин предлагает европейские винтажные кристаллы, которые еще старше .

Сейчас очень и очень медленно … и я надеюсь, что OC70 не будет жаловаться! В худшем случае — 1200 бод, что по-прежнему «довольно быстро», если вы родились в 70-х годах во Франции: Minitel использовал 1200 бод над POTS.

Я ожидаю получить пару этих сверхмедленных резонаторов, так что будет один для передающей стороны и один для принимающей стороны.

Управлять этими лампами было бы легко с парой OC70 и схемой генератора, которую я обсуждал в прошлом протоколе.


Итак, у меня есть источник частоты для различных транзисторных технологий:
  • OC70 / OC139 «ленивый германий» в стеклянных трубках -> 2,4 Кбит / с было бы хорошо
  • У меня есть более быстрые германиевые транзисторы, но очень мало NPN для 19,2K
  • KT315 и KT361: кремниевые плоские комплементарные российские трансиверы: они могут легко работать на 38,4 Кбит / с. Я надеюсь.
  • У меня очень хороший запас BC550 / 549 и BC559, и я надеюсь, что им удастся достичь 115200 бит / с 🙂

В любом случае: мне все еще не хватает тонны германия NPN. Цена OC139 / OC140 / OC141 взлетела до небес из-за «безумия педалей DIY disto», наряду со многими другими … У меня достаточно запасов OC70, но моя минимальная схема защелки также требует NPN: — /

Транзистор биполярный — основное устройство для усиления электрических сигналов

В развитии отечественной и мировой электротехники и электроники полупроводниковые устройства, такие как биполярный транзистор, сыграли ключевую роль.

Транзистор биполярный — устройство, состоящее из двух соединенных между собой p-n переходов и созданное на основе полупроводниковых материалов. Этот тип транзистора имеет три вывода. Усилительные характеристики, которыми обладает биполярный транзистор, объясняются на основе знаний об обогащении и обеднении полупроводниковых пластин зарядами (проводятся процедуры инжекции и извлечения соответственно), а также законов электромагнетизма.

Сегодня существует два основных типа биполярных транзисторов, которые выделяют в зависимости от того, как чередуются области разной проводимости в используемом образце полупроводника: типы n-p-n и p-n-p.Преимущества одного типа перед другим невозможно отличить; Разница между этими типами транзисторов только в том, какой полярностью внешний источник питания подключен к тому или иному выводу устройства.

Транзистор представляет собой биполярное устройство, состоящее из трех основных элементов: коллектора, эмиттера и базы. Как правило, к каждому из элементов подключается по одной клемме.

Биполярные транзисторы часто классифицируются по мощности, рассеиваемой на коллекторе. По этому параметру устройства делятся на транзисторы малой мощности (около 0.3 Вт), средний (от 0,3 до 1,5 Вт) и большой (более 1,5 Вт). Еще один принцип классификации транзисторов — рабочий частотный диапазон. При таком принципе разделения низкочастотные устройства (до пяти МГц), средние частоты (от 5 МГц до 35 МГц), высокочастотные (от 35 МГц до 350 МГц) и сверхвысокие частоты (более 350 МГц) выделены транзисторы.

Каждый биполярный транзистор маркируется в соответствии с принятыми государственными стандартами. Обычно обозначение состоит из шести или семи знаков (цифр или букв).В маркировке должен быть указан тип материала, тип устройства, частотные характеристики и мощность устройства. Также по маркировке можно определить тип и серийный номер разработки устройства. Таким образом, обозначение транзистора — это паспорт прибора, в котором раскрываются все основные характеристики прибора.

Существует четыре основных режима работы биполярного транзистора:

  • активный режим, который открывает переход на эмиттер и закрывает переход на коллектор;
  • отсечка, при которой оба перехода (и эмиттер, и коллектор) закрыты и не пропускают ток в прямом направлении;
  • насыщение — режим, противоположный отсечке, при котором открываются переходы на коллекторе и эмиттере;
  • инверсия (инверсный режим) — фаза, когда коллекторный переход открыт, а эмиттер смещен в обратном направлении (не пропускает «постоянный» ток).

В зависимости от того, какой из электродов (выводов) транзистора становится общим в каскадах усиления как по входному, так и по выходному току, выделяют три основных типа включения устройства в цепь: биполярный транзистор с общим эмиттер, коллектор или база. В зависимости от того, какой тип коммутации устройства используется в том или ином каскаде, могут использоваться разные достоинства транзистора.

В заключение отметим, что сегодня биполярные транзисторы широко используются в электротехнике и аналоговой электронике.Эти устройства используются в различных каскадах усиления, без них невозможно было бы создать операционный усилитель — устройство, позволившее осуществить переход от аналоговой схемы к цифровой. Поэтому биполярный транзистор можно считать одним из фундаментальных полупроводниковых устройств, положивших начало развитию современной электротехники.

Усилитель воспроизведения на полевых транзисторах. Мосфит усилитель мощности на полевых транзисторах

Качественный ультразвуковой усилитель на полевых транзисторах с компенсирующей обратной связью

Сегодня уже сложно удивить любителей качественного воспроизведения звука или тех, кто умеет держать паяльник в руках конструкторов с усилителем на полевых транзисторах.Большинство этих устройств, даже лучшие мировые образцы, построены по традиционной схеме с дифференциальным входным каскадом и множеством дополнительных элементов, не участвующих в усилении сигнала, но обеспечивающих временную и температурную стабильность. Использование в выходных каскадах мощных комплементарных транзисторов с разным типом проводимости канала принципиально не изменило традиционных схемных решений.

В результате активных творческих поисков и сознательного отхода от многочисленных доминирующих стереотипных схемотехнических решений мне удалось создать собственный оригинальный прототип усилителя с минимальным количеством электронных компонентов и исключительной стабильностью, надежностью и высокими техническими характеристиками, способными удовлетворить запросы потребителей. потребности даже самых искушенных музыкальных гурманов.

Основные параметры усилителя с сопротивлением нагрузки 8 Ом приведены в таблице.

Параметр

Значение

Коэффициент усиления по напряжению

Максимальная выходная мощность

Скорость нарастания выходного напряжения

Диапазон частот

20–3 0000

Нестабильность средней точки

Выходное шумовое напряжение

Коэффициент гармонических искажений

При разработке усилителя особое внимание было уделено качественным показателям, максимальному КПД и минимальному количеству используемых деталей, что позволило значительно повысить его надежность и упростить повторение.Также было учтено наличие и доступность запчастей в розничной сети, что значительно снизило стоимость усилителя.

Усилитель (см. Схему) состоит из входного каскада на маломощных полевых транзисторах разного типа проводимости VT1 ​​и VT2, соединенных по схеме с общим источником, нагрузкой которого служат резисторы R2 и R3. Резистор R1 соединяет затворы этих транзисторов с землей и определяет входное сопротивление усилителя, а вместе с емкостью входного блокирующего конденсатора C1 задает его частотную характеристику в низкочастотной области звукового спектра.Транзисторы VT3 и VT4 соединены по схеме с общими базами, напряжение на которых задается стабилитронами VD1 и VD2, и обеспечивают развязку входных транзисторов от переменной составляющей их выходного сигнала, а также снижают избыточную постоянное напряжение питания на их стоках. Транзисторы VT5 и VT6 включены в общую коллекторную цепь, их переходы база-эмиттер являются элементами смещения для транзисторов VT1 и VT2, а изменение постоянного напряжения на базах, соединенных через резисторы R7 и R10 с выходом усилителя, компенсирует произвольный дрейф средней точки и увеличение тока покоя.Падение постоянного напряжения на резисторах R2 и R3 открывает мощные выходные транзисторы VT7 и VT8 на величину начального тока стока (тока покоя), определяющего работу усилителя в классе AB.


Схема усилителя работает следующим образом. Положительная полуволна входного сигнала через конденсатор С1 проходит на затвор транзистора VT1 и вызывает увеличение его тока стока, в результате чего увеличивается падение напряжения на резисторе R2, что приводит к разблокировке транзистор VT7 и появление положительной полуволны сигнала на выходе усилителя.Через делитель напряжения на элементах R7, C2, R8, задающий коэффициент усиления всего усилителя, и эмиттерный повторитель на транзисторе VT5, часть выходного сигнала поступает на исток транзистора VT1, действуя как отрицательная обратная связь. , компенсируя нелинейные искажения огибающей сигнала, а постоянное, снятое с резистора R11, напряжение стабилизирует ток покоя и среднюю точку. Аналогичным образом происходит усиление отрицательной полуволны входного сигнала и стабилизация параметров в нижней, симметричной верхней половине схемы.Резисторы R4 и R5 вместе с входными емкостями транзисторов VT7 и VT8 образуют фильтры нижних частот, ограничивающие полосу пропускания усилителя и исключающие его самовозбуждение.

Усилитель смонтирован на печатной плате из одностороннего фольгированного стеклотекстолита размером 115 ´ 63 мм и толщиной 2-3 мм. Ниже представлена ​​печатная плата со стороны дорожки.


Регулировка усилителя сводится к установке тока покоя через выходные транзисторы подстроечными резисторами R2 и R3, а также нулевого напряжения на выходе усилителя (средняя точка).Для этого резисторы R2 и R3 устанавливаются в среднее положение, выход усилителя загружается на маломощную лампу накаливания 24В и подается напряжение питания. При этом лампа не должна светиться, что свидетельствует о правильной установке и исправности деталей. Поочередно и плавно вращая оба подстроечных резистора в сторону увеличения их номинала, они добиваются появления тока через транзисторы VT7 и VT8, который контролируется цифровым милливольтметром по падению напряжения на резисторе R11 или R12.Значение этого напряжения должно быть в пределах 15-20 мВ, что соответствует току покоя 75-100 мА. Если средняя точка на выходе усилителя смещена в сторону плюса, она устанавливается подстроечным резистором R2, если смещена к минусовой стороне, она устанавливается подстроечным резистором R3. Ток покоя выходных транзисторов снова контролируется и при необходимости повторяется операция еще раз.

Усилитель работает при напряжении питания от ± 15 до ± 30 Вольт.Необходимо только использовать блок питания на ток не менее 5 Ампер, стабилитроны VD 1 и VD 2 на напряжение, равное половине напряжения питания, конденсаторы C5 и C6 на соответствующее рабочее напряжение, и при постоянной работе. усилителя на максимальную мощность мощность резисторов R11 и R12 следует увеличить до 5 Вт.

Входные транзисторы VT1 и VT2 должны иметь равные или близкие начальные токи стока IDSS. Выходные транзисторы VT7 и VT8 необходимо подбирать с напряжением открытия закрытого канала VGS (to), которое для данного типа транзисторов может составлять от 3 до 4 Вольт.Сделать это можно непосредственно при покупке, договорившись с продавцом и используя простое самодельное или промышленное приспособление. Указанные на схеме типы транзисторов хорошо пропарены; их необходимо устанавливать на радиаторы отопления с площадью соответствующей мощности через специальные изоляционные прокладки. Резисторы R2 и R3 многооборотные прецизионные типа СП3-39А, СП5-2 или аналогичные. Электролитические конденсаторы С2 и С3 неполярного типа; при использовании импульсного источника питания конденсаторы С5 и С6 следует зашунтировать безиндуктивными конденсаторами емкостью 0.1 — 1,0 мкФ. Резисторы R11 и R12 представляют собой резисторы с предохранителями, которые отключаются при перегрузке.

Одной из основных особенностей схемы усилителя является то, что выходной сигнал, усиливаемый мощными транзисторами, снимается с их стоков, в которых нет управляющих электродов. Это позволило значительно снизить удельные искажения, вызванные действием обратной ЭДС звуковой катушки громкоговорителя на выходные транзисторы, если сигнал снимается с их источников или эмиттеров.Таким образом, по принципу действия этот усилитель приравнивается к ламповому усилителю, однако значительно превосходит его по КПД, полосе воспроизводимых частот, быстродействию и надежности, не говоря уже о искажениях и стоимости комплектующих.

Важным свойством полевых транзисторов является то, что при перегреве уменьшается проводимость их канала, соответственно уменьшается крутизна характеристики и ток стока, что автоматически защищает их от теплового пробоя.Еще одним свойством полевых транзисторов, используемых в выходном каскаде усилителя, является их квадратичная переходная характеристика, которая помогает уменьшить нелинейные искажения при высоких уровнях выходной мощности. Чем выше ток через транзисторы VT7 и VT8, тем больше становится их крутизна и коэффициент усиления и тем глубже становится отрицательная обратная связь.

Когда усилитель подключен к сети, пока не будет достигнута половина напряжения питания на конденсаторах C5 и C6, стабилитроны VD1 и VD2 запираются, а вместе с ними и все транзисторы, которые плавно и одновременно отпираются в обеих половинах. схемы, что полностью исключает характерный для многих аналогичных конструкций неприятный хлопок в динамике.По этой причине усилитель не боится аварийных отключений и включения питающего напряжения даже при работе на полной выходной мощности.

Усилитель протестирован с различными источниками сигнала, при разных температурах окружающей среды, показал свою высокую надежность, отличные выходные и динамические характеристики и рекомендуется для повторения любителям качественного домашнего или профессионального воспроизведения звука. Блок управления громкостью, тембром и балансом может быть выполнен по схеме, представленной на сайте http: // cxem.net / sound / tembrs / tembr14.php на специализированной микросхеме TDA1524A. При необходимости в схему также может быть добавлен усилитель микрофонного сигнала, выполненный по любой известной схеме. Расположение деталей на плате усилителя показано на рисунке ниже.


Для увеличения линейности усилителя и дальнейшего уменьшения общих гармонических искажений можно параллельное соединение в каждое плечо двух выходных транзисторов и регулировку (регулировку номинала) одного из резисторов R 8 или R 9 в цепи обратной связи.Если убрать переходной конденсатор С 1, схему можно превратить в мощный линейный усилитель постоянного тока для автоматики, телемеханики и систем управления.

Юрко Стрелков-Серга
А / я 5000 Винница-18
[адрес электронной почты защищен]

В предлагаемых версиях усилителей используются JFET или боковые МОП-транзисторы, так как они имеют передаточные и выходные характеристики, практически идентичные таковым у пентодов, что позволяет максимально приблизиться к ламповому звучанию.У них также есть отрицательная зависимость тока стока от температуры, что исключает необходимость термостабилизации. Усилитель построен по классической «ламповой» схеме — фазоинвертор на дифференциальном каскаде, а затем двухтактный выходной каскад, нагруженный на выходной трансформатор. Трансформатор позволяет решить две задачи — защиту динамиков в случае выхода из строя выходных транзисторов и согласование с разными импедансами динамиков (с помощью отводов вторичной обмотки)

Есть еще два важных момента, касающихся использования гитары источника питания.

Первый момент — это достаточно высокий выходной импеданс, соизмеримый с импедансом динамика, что позволяет гитарному кабинету «дышать» на резонансах. На картинке представлены графики зависимости напряжения на выходе клеммы от частоты сигнала при нагрузке на балласт и корпус гитары.

Аналогичного эффекта можно добиться на «классическом каменном» наконечнике, введя обратную связь по току. В этом случае клемма должна иметь запас по выходному напряжению (мощности), чтобы не натолкнуться на ограничение по пиковым значениям выходного напряжения при резонансах динамика.

Второй момент — загрузка наконечника. Это не очень важно для современного «современного» звука с высоким коэффициентом усиления, так как он практически не использует нагрузку усилителя. Для винтажных стилей нагрузка на наушники составляет почти половину звука. Например, звук Marshall Super Lead не может быть получен без загрузки наконечника.

Предлагаемые варианты оконечной нагрузки учитывают обе эти точки, а также высокое выходное сопротивление и нагрузку «мягкой трубки».

250 мВт, идеально для ночных репетиций

Монтаж на верхней стороне (pdf)

Крепление снизу (pdf)

Вид платы в собранном виде

Сравнительный тест с Randal RG75 (вживую).Цепочка записи — Charvel Model 6, Chris Custom Screamer, ENGL Tubetoner e430, Shure SM58 (без крышки), Digilab SPM-100.

Сравнительный тест с Randal RG75 (смесь).

5 Вт (приведенное сопротивление первичной обмотки трансформатора Ra-a = 360 Ом)

Монтаж на верхней стороне (pdf)

Крепление снизу (pdf)

Вид платы в собранном виде

Соединительные разъемы и регуляторы (pdf)

Вид в корпусе




Образцы усилителя с ламповым предусилителем УЭНГО-1.Записал Константин Долотов (dks) при помощи GtLab. Присутствие и глубина посередине (версия усилителя без регулятора Cut).

Два семплируемых усилителя с ламповыми предусилителями. Присутствие, глубина и разрез по часовой стрелке до упора.

Схема записи: Ibanez RG3120TW -> Ламповый предусилитель (JCM800 / SLO-100) -> Полевой усилитель -> Celestion G10 Vintage 25HR -> Конденсаторный микрофон (Octave MK105 в 2 метрах от кабинета) -> Микрофонный предусилитель — \ u003e ДЕЛЬТА-44 -> Samplitude v8.

15 Вт (приведенное сопротивление первичной обмотки трансформатора Ra-a = 600 Ом, P1, P5 питание 80V, P2-P4 подключение выходного трансформатора)

Монтаж на верхней стороне (pdf)

Крепление снизу (pdf)

Вид платы в собранном виде

2×15 Вт, вид коробки



Низкочастотные усилители (УНЧ) используются для преобразования слабых сигналов преимущественно звукового диапазона в более мощные сигналы, приемлемые для прямого восприятия через электродинамические или другие излучатели звука.

Отметим, что усилители ВЧ до частот 10 … 100 МГц строятся по аналогичным схемам, все отличие чаще всего сводится к тому, что значения емкости конденсаторов таких усилителей уменьшаются на столько же раз, поскольку частота высокочастотного сигнала превышает частоту низкочастотного.

Усилитель простой однотранзисторный

Простейший УНЧ, выполненный по схеме с общим эмиттером, показан на рис.1. В качестве нагрузки используется телефонная капсула. Допустимое напряжение питания для данного усилителя 3 … 12 В.

Номинал резистора смещения R1 (десятки кОм) желательно определить экспериментальным путем, так как его оптимальное значение зависит от напряжения питания усилителя, сопротивления телефонной капсулы и коэффициента передачи конкретного экземпляра транзистора.

Рисунок: 1. Схема простого УНЧ на одном транзисторе + конденсатор и резистор.

Для выбора начального номинала резистора R1 следует учитывать, что его значение должно быть примерно в сто и более раз выше сопротивления, включенного в цепь нагрузки.Для выбора резистора смещения рекомендуется последовательно включать постоянный резистор сопротивлением 20 … 30 кОм и переменный резистор сопротивлением 100 … 1000 кОм, после чего подавая звуковой сигнал малой амплитуды. к входу усилителя, например, с магнитофона или плеера, поверните ручку переменного резистора, чтобы добиться наилучшего качества сигнала при максимальной громкости.

Величина емкости переходного конденсатора С1 (рис. 1) может находиться в диапазоне от 1 до 100 мкФ: чем больше значение этой емкости, тем более низкие частоты может усилить УНЧ.Для освоения техники усиления низких частот рекомендуется поэкспериментировать с подбором номиналов элементов и режимов работы усилителей (рис. 1 — 4).

Варианты усовершенствованных однотранзисторных усилителей

Сложная и улучшенная по сравнению со схемой на рис. 1 схемы усилителя показаны на рис. 2 и 3. На схеме на рис. 2, каскад усиления дополнительно содержит цепочку частотно-зависимой отрицательной обратной связи (резистор R2 и конденсатор C2), которая улучшает качество сигнала.

Рисунок: 2. Однотранзисторная УНЧ-схема с частотно-зависимой цепью отрицательной обратной связи.

Рисунок: 3. Однотранзисторный усилитель с делителем для подачи напряжения смещения на базу транзистора.

Рисунок: 4. Однотранзисторный усилитель с автоматической настройкой смещения базы транзистора.

На схеме на рис. 3 смещение к базе транзистора устанавливается более «жестко» с помощью делителя, что улучшает качество усилителя при изменении условий его работы.В схеме на рис. 4 используется «автоматическая» установка смещения на основе усилительного транзистора.

Усилитель на транзисторах двухкаскадный

Последовательно соединив два простейших каскада усиления (рис. 1), можно получить двухкаскадный УНЧ (рис. 5). Коэффициент усиления такого усилителя равен произведению коэффициентов усиления отдельных каскадов. Однако получить большой стабильный коэффициент усиления с последующим увеличением числа каскадов непросто: вероятно, усилитель самовозбудится.


Рисунок: 5. Схема простого двухкаскадного усилителя низких частот.

Новые разработки усилителей низкой частоты, схемы которых часто цитируются на страницах журналов в последние годы, нацелены на достижение минимальных общих гармонических искажений, увеличение выходной мощности, расширение полосы частот для усиления и т. Д.

В то же время при настройке различных устройств и проведении экспериментов часто требуется простой УНЧ, который можно собрать за несколько минут.Такой усилитель должен содержать минимальное количество дефектных элементов и работать в широком диапазоне изменения напряжения питания и сопротивления нагрузки.

Схема УНЧ на полевых и кремниевых транзисторах

Схема простого НЧ усилителя мощности с прямой связью между каскадами показана на рис. 6 [Rl 3 / 00-14]. Входное сопротивление усилителя определяется значением потенциометра R1 и может изменяться от сотен Ом до десятков МОм. Выход усилителя можно подключить к нагрузке сопротивлением от 2… От 4 до 64 Ом и выше.

При высокоомной нагрузке транзистор КТ315 можно использовать в качестве VT2. Усилитель работает в диапазоне напряжений питания от 3 до 15 В, хотя его приемлемые характеристики сохраняются даже при снижении напряжения питания до 0,6 В.

Емкость конденсатора С1 можно выбирать в диапазоне от 1 до 100 мкФ. В последнем случае (С1 = 100 мкФ) УНЧ может работать в диапазоне частот от 50 Гц до 200 кГц и выше.


Рисунок: 6.Схема простого усилителя низкой частоты на двух транзисторах.

Амплитуда входного УНЧ сигнала не должна превышать 0,5 … 0,7 В. Выходная мощность усилителя может варьироваться от десятков мВт до единиц Вт в зависимости от сопротивления нагрузки и напряжения питания.

Настройка усилителя заключается в подборе резисторов R2 и R3. С их помощью устанавливается напряжение на стоке транзистора VT1, равное 50 … 60% от напряжения источника питания. Транзистор VT2 необходимо установить на пластину радиатора (радиатора).

Гусеничный УНЧ с прямой муфтой

На рис. 7 показана схема еще одного, казалось бы, простого УНЧ с прямыми связями между каскадами. Такая связь улучшает частотную характеристику усилителя в низкочастотном диапазоне, а общая схема упрощается.


Рисунок: 7. Принципиальная схема трехступенчатого УНЧ с прямым включением каскадов.

В то же время настройка усилителя усложняется тем, что сопротивление каждого усилителя нужно подбирать индивидуально.Примерно соотношение резисторов R2 и R3, R3 и R4, R4 и R BF должно быть в пределах (30 … 50) к 1. Резистор R1 должен быть 0,1 … 2 кОм. Расчет усилителя, показанного на рис. 7, можно найти в литературе, например [P 9 / 70-60].

Каскадные УНЧ-схемы на биполярных транзисторах

На рис. 8 и 9 показаны схемы каскодных биполярных УНЧ транзисторов. Такие усилители имеют довольно высокий коэффициент усиления Ku. Усилитель на рис. 8 имеет Ku = 5 в диапазоне частот от 30 Гц до 120 кГц [МК 2 / 86-15].УНЧ по схеме на рис. 9 с коэффициентом гармоник менее 1% имеет коэффициент усиления 100 [RL 3 / 99-10].

Рисунок: 8. Каскад УНЧ на двух транзисторах с усилением = 5.

Рисунок: 9. Каскад УНЧ на двух транзисторах с усилением = 100.

УНЧ экономичный на трех транзисторах

Для портативного электронного оборудования важным параметром является КПД УНЧ. Схема такого УНЧ показана на рис. 10 [RL 3 / 00-14].Здесь каскадное соединение полевого транзистора VT1 и биполярного транзистора VT3, причем транзистор VT2 включен таким образом, что стабилизирует рабочую точку VT1 и VT3.

При увеличении входного напряжения этот транзистор шунтирует переход эмиттер-база VT3 и снижает значение тока, протекающего через транзисторы VT1 и VT3.


Рисунок: 10. Схема простого экономичного усилителя НЧ на трех транзисторах.

Как и в приведенной выше схеме (см. Рис.6) входное сопротивление этого УНЧ можно установить в диапазоне от десятков Ом до десятков МОм. В качестве нагрузки используется телефонная капсула, например, ТК-67 или ТМ-2В. Капсюль телефона, который соединяется с вилкой, может одновременно служить выключателем питания схемы.

Напряжение питания УНЧ от 1,5 до 15 В, хотя устройство остается работоспособным даже при падении напряжения питания до 0,6 В. В диапазоне напряжений питания 2 … 15 В описывается ток, потребляемый усилителем. выражением:

1 (мкА) = 52 + 13 * (Упит) * (Упит),

, где Usup — напряжение питания в вольтах (В).

Если выключить транзистор VT2, потребляемый прибором ток увеличивается на порядок.

Двухступенчатый УНЧ с прямым включением ступеней

Примерами УНЧ с прямым подключением и минимальным выбором режима работы являются схемы, показанные на рис. 11–14. Они обладают высоким коэффициентом усиления и хорошей стабильностью.


Рисунок: 11. Простой двухкаскадный УНЧ для микрофона (малошумящий, высокий КУ).


Рисунок: 12.Двухкаскадный усилитель низкой частоты на транзисторах КТ315.


Рисунок: 13. Двухкаскадный усилитель низкой частоты на транзисторах КТ315 — вариант 2.

Микрофонный усилитель (рис. 11) характеризуется низким уровнем собственных шумов и высоким коэффициентом усиления [MK 5/83-XIV]. В качестве микрофона ВМ1 используется микрофон электродинамического типа.

Телефонный капсюль также может выступать в качестве микрофона. Стабилизация рабочей точки (начальное смещение по входному транзистору) усилителей на рис.11 — 13 осуществляется из-за падения напряжения на сопротивлении эмиттера второго каскада усиления.


Рисунок: 14. Двухкаскадный УНЧ с полевым транзистором.

Усилитель (рис. 14), имеющий высокое входное сопротивление (около 1 МОм), выполнен на полевом транзисторе VT1 (истоковый повторитель) и биполярный — VT2 (общий).

Низкочастотный каскадный усилитель на полевых транзисторах, также обладающий высоким входным сопротивлением, показан на рис.пятнадцать.


Рисунок: 15. Схема простого двухкаскадного УНЧ на двух полевых транзисторах.

Цепи УНЧ при низкоомной нагрузке

Типовые УНЧ, предназначенные для работы с нагрузкой с низким сопротивлением и имеющие выходную мощность в десятки мВт и выше, показаны на рис. 16, 17.

Рисунок: 16. Простой УНЧ для работы с включением нагрузки с малым сопротивлением.

Электродинамическая головка ВА1 может быть подключена к выходу усилителя, как показано на рис.16, либо по диагонали моста (рис. 17). Если источник питания состоит из двух последовательно соединенных батарей (аккумуляторов), то правый вывод головки ВА1 по схеме можно подключить непосредственно к их средней точке, без конденсаторов СЗ, С4.

Рисунок: 17. Схема усилителя низкой частоты с включением низкоомной нагрузки по диагонали моста.

Если вам нужна схема простого лампового УНЧ, то такой усилитель можно собрать даже на одной лампе, смотрите на нашем сайте электроники в соответствующем разделе.

Литература: Шустов М.А. Практическая схемотехника (книга 1), 2003.

Исправления в публикации: на рис. 16 и 17 вместо диода D9 установлена ​​цепочка диодов.

Усилители на полевых транзисторах (FET) имеют высокое входное сопротивление. Обычно такие усилители используются в качестве первых каскадов предварительных усилителей, усилителей постоянного тока для измерения и другого электронного оборудования.
Использование усилителей с большим входным сопротивлением в первых каскадах позволяет согласовывать источники сигналов с большим внутренним сопротивлением с последующими более мощными усилительными каскадами с низким входным сопротивлением.Усилительные каскады на полевых транзисторах чаще всего выполняются по схеме с общим истоком.

Поскольку напряжение смещения между затвором и истоком равно нулю, режим покоя транзистора VT характеризуется положением точки A на характеристике сток-затвор при U ZI = 0 (рис. 15, б).
В этом случае при поступлении на вход усилителя гармонического (то есть синусоидального) напряжения переменного тока U ZI с амплитудой U mZI положительный и отрицательный полупериоды этого напряжения будут усиливаться неравномерно: с отрицательной половиной. -период входного напряжения U ZI, амплитуда переменной составляющей тока стока I «mc будет больше, чем с положительным полупериодом (I» «mc), так как крутизна характеристики сток-затвор в участок АВ больше, чем наклон участка переменного тока: в результате форма переменной составляющей тока стока и переменного напряжения на нагрузке U OUT будет отличаться от формы входного напряжения, то есть искажение усиленного сигнала.
Для уменьшения искажения сигнала при его усилении необходимо обеспечить работу полевого транзистора с постоянной крутизной его характеристики сток-затвор, то есть на линейном участке этой характеристики.
Для этого в цепь истока включен резистор Ri (рис. 16, а).


Ток стока I C0, протекающий через резистор, создает на нем напряжение
U Ri = I C0 Ri, которое прикладывается между истоком и затвором, включая ЭДП, сформированную между областями затвора и истока, в противоположное направление.Это приводит к уменьшению тока стока и режим работы в этом случае будет характеризоваться точкой А »(рис. 16, б).

Чтобы предотвратить снижение коэффициента усиления, большой конденсатор C подключен параллельно резистору R и, что устраняет отрицательную обратную связь по переменному току, создаваемую переменным напряжением на резисторе Ri. В режиме, характеризующемся точкой А «, крутизна характеристики сток-затвор при усилении переменного напряжения остается примерно одинаковой при усилении положительного и отрицательного полупериодов входного напряжения, в результате чего искажается усиленные сигналы будут незначительными
(участки A «B» и A «C» примерно равны).
Если в режиме покоя напряжение между затвором и истоком обозначено как U ZIO, а ток стока, протекающий через ПТ, равен I C0, то сопротивление резистора Ri (в омах) можно рассчитать по формуле:
Ri = 1000 U ZIO / I C0,
, в которое подставляется ток стока I C0 в миллиамперах.
В схеме усилителя, показанной на рис. 15, используется полевой транзистор с управляющим p-n-переходом и каналом p-типа. Если в качестве ПТ используется аналогичный транзистор, но с каналом n-типа, схема остается прежней, а меняется только полярность подключения блока питания.Усилители
на основе полевых МОП-транзисторов с индуцированным или встроенным каналом имеют еще большее входное сопротивление. При постоянном токе входное сопротивление таких усилителей может превышать 100 МОм. Поскольку их напряжения затвора и стока имеют одинаковую полярность, вы можете использовать напряжение G C источника питания для обеспечения необходимого напряжения смещения затвора, подключив его к делителю напряжения, подключенному ко входу транзистора, как показано на рисунке 17.

Усилители с общим стоком

Схема усилителя на полевых транзисторах с общим стоком аналогична схеме усилителя с общим коллектором.На рисунке 18, а показана схема усилителя с общим стоком на полевом транзисторе с управляющим p-n переходом и каналом p-типа.


Резистор Ri включен в цепь истока, а сток напрямую подключен к отрицательному полюсу источника питания. Следовательно, ток стока, в зависимости от входного напряжения, создает падение напряжения только на резисторе Ri. Работа каскада иллюстрируется графиками на рис. 18, б для случая, когда входное напряжение синусоидальное.В исходном состоянии ток стока I C0 протекает через транзистор, который проходит через резистор R и создает напряжение U I0 (U OUT0). Во время положительного полупериода входного напряжения обратное смещение между затвором и истоком увеличивается, что приводит к уменьшению тока стока и абсолютного значения напряжения на резисторе Ri. В отрицательном полупериоде входного напряжения, наоборот, напряжение смещения затвора уменьшается, ток стока и абсолютное значение напряжения на резисторе R и увеличиваются.В результате выходное напряжение, снимаемое с резистора Ri, то есть с источника ПТ (рис. 18, б), имеет такую ​​же форму, что и входное напряжение.
В связи с этим усилители с общим стоком называются повторителями истока (напряжение истока повторяет входное напряжение по форме и значению).


Это устройство позволяет подключать к звуковой карте компьютера динамический микрофон, электрогитару и другие источники сигнала с высоким выходным сопротивлением. Устройство не вносит частотных искажений в звуковой диапазон частот, а также искажений, связанных с нелинейностью усилителя, так как оно построено по схеме истокового повторителя.

Другими словами, если вас хоть немного беспокоит качество записываемого звука, у вас хорошая звуковая карта и дорогой микрофон, то это устройство — то, что вам нужно.

Немного о схеме. Устройство начинает работать, если в разъем J1 вставить моно-джек или, по научному мнению, штекер 6,35 мм (1/4 дюйма). При этом через гнездо минусовой контакт силового аккумулятора замыкается на минус питания и устройство начинает работать. Также вторым контактом этой вилки входной сигнал поступает на резистор R1, что обеспечивает высокое входное сопротивление устройства.Конденсатор C2 выполняет частотную коррекцию, сокращая частоты выше звукового диапазона. Резисторы R2-R4 обеспечивают необходимое смещение затвора полевого транзистора.



В этой конструкции используется полевой транзистор KP303 с индексом E. При использовании транзистора с другим индексом может потребоваться уменьшение номиналов резисторов R3 и R4. Резистор R5 является нагрузкой каскада усилителя, звуковой сигнал снимается с него конденсатором С5 и через резистор R7 подается на вход звуковой карты компьютера.

Диод VD1 в схеме выполняет функцию защиты от случайного переполюсовки, так как конструктивные особенности разъема аккумулятора «Крона» не исключают такой возможности. Лучше использовать германиевый диод, так как падение напряжения на нем будет меньше. Но это совсем не критично, его можно заменить на любой маломощный кремниевый диод, например, КД521, КД522, 1Н4148 и т.д.

Устройство собрано на плате из однослойной PCB размером 47х26мм. .Трассировка платы в программе Dip Trace будет показана ниже. Но можно обойтись и без платы, а собрать все на универсальной плате (та, что с кучей отверстий) такого же размера.



Корпус устройства выполнен из однослойной печатной платы для полного экранирования усилителя.

Размеры его частей следующие:
— боковые стенки 60х50 мм — 2 шт.
— передняя стенка 50х30 мм — 1 шт.
— задняя стенка 46х30 мм — 1 шт.Размер 46 мм не критичен, он может варьироваться от 50 мм до 35 мм. Все зависит от того, как вы хотите установить аккумулятор.
— нижняя и промежуточные стенки 55×30 мм

Стенки корпуса спаяны припоем. Фольга на всех стенках должна быть внутри корпуса. Старайтесь не перегревать печатную плату, так как фольга может легко отслоиться.

Первым делом спаиваются все стенки, кроме тыльной. Затем просверливаются отверстия для разъема jack диаметром 10 мм, отверстие для проводов питания диаметром около 3 мм и столько же в задней стенке для экранированного провода с миниджеком.

Также в месте крепления задней стенки припаивается скоба из толстой медной проволоки, в которую будет вставляться низ задней стенки.

После этого нужно будет приклеить коннектор для «Корона». Кстати, можно взять из уже израсходованной короны, как всегда делаю. Этот разъем приклеен горячим клеем к тыльной стороне передней стенки. Важно, чтобы ни один из контактов разъема не касался фольги корпуса.


Не работает усилитель на транзисторах CT315.Усилительный каскад на одном транзисторе

Этот усилитель может быть встроен в любую аппаратуру низковольтного питания: приемники, радиоприемники, слуховые аппараты и другое подобное оборудование.

Технические характеристики:
Максимальная выходная мощность (нагрузка 8 Ом, 1 кГц) = 0,3 Вт
Номинальное напряжение питания (0,3 Вт, 8 Ом) = 3B
THD + N (при максимальной выходной мощности, 1 кГц) = 1 — 1,5%

Схема усилителя:

Устройство и принцип действия

Усилитель состоит из двух узлов: входного каскада на транзисторе Т1 и выходного двухтактного на транзисторах Т2 — Т5.Сигнал, усиленный транзистором Т1, поступает на нагрузку R1 и выходной каскад. Транзисторы выходного каскада образуют два так называемых «плеча» выходного каскада. Транзисторы в этих «плечах» разной конструкции, что является обязательным условием для данного усилителя. Поскольку транзистор КТ315 открывается положительным, а КТ361 отрицательным напряжением, образованные ими «плечи» выходного каскада усиливают только полуволны сигнала, идущего от транзистора Т1, который «открывает» образующие их транзисторы.Получается так: Т3 и Т4 усиливают положительную полуволну сигнала, Т2 и Т5 — отрицательную. В точке подключения эмиттеров транзисторов Т4 и Т5 сигнал суммируется и подается на нагрузку. Поскольку для этого усилителя характерен тип ступенчатого типа, который неизбежно появится при использовании этого усилителя, для их затухания включен резистор R2. Этот резистор создает небольшое напряжение смещения на базах транзисторов и ослабляет искажение сигнала.

Этот усилитель требует тщательной настройки, а именно:
Подбором резистора R1 выставлен начальный ток транзисторов (ток, протекающий через транзисторы при отсутствии сигнала). Подбором этого резистора необходимо установить ток покоя на уровне 5-7 мА.
Подбором резистора резистора R5 необходимо установить напряжение в точке подключения транзисторов выходного каскада равным половине напряжения питания, то есть 1,5 В.

Возможные дополнения

Если устройство, к которому подключен усилитель, не имеет регулятора тембра или с него снимается сигнал, можно собрать предварительный усилитель.

Если нет необходимости, если тембр не нужен, то его можно исключить из схемы.
На резисторе R4 собран пассивный стабилизатор времени ВЧ — НЗ в одном резисторе. Резистор R3 — регулятор громкости. Все усиление сигнала ложится на транзистор. Пусть смущает отсутствие конденсатора между резистором R3 и коллектором транзистора. Все работает и так.
Детали б / у и возможная замена.

комн.

Возможна замена

CT3102 А — Д, КТ312, 315, 316.

CT361 A — E.

CT315 A — E.

КТ815, 817 А — ок.

КТ816, 814 А — ок.

Данный усилитель был собран навесным способом, поэтому печатной платы нет.Хотя сектор для этого усилителя нарисовать несложно.

Простой в исполнении усилитель выполнен на транзисторах разной конструкции и имеет коэффициент усиления по напряжению около 10. Максимальное входное напряжение может составлять около 0,1 В.

Принцип работы двухтактного усилителя

Первый каскад собран на транзисторе VT1, второй — на VT2 и VT3 разной структуры. Первый каскад обеспечивает усиление напряжения звуковой частоты, и оба они одинаковы.Второй — усиливает токовый сигнал, но каскад на транзисторе VT2 работает с положительными полуволнами, а на транзисторе VT3 — с отрицательными.

Режим постоянного тока выбран таким, чтобы напряжение в точке подключения эмиттеров транзисторов второго каскада было примерно вдвое меньше напряжения источника питания. Этот режим достигается включением обратной связи резистора R2. Ток коллектора входного транзистора, проходя через диод VD1, приводит к падению на нем напряжения смещения на базах входных транзисторов относительно их эмиттеров, что позволяет уменьшить искажение усиленного сигнала.

Нагрузка подключена к усилителю через электролитический конденсатор С2. При работе усилителя на динамической головке с сопротивлением от 8 Ом до 10 Ом емкость этого конденсатора должна быть как минимум вдвое больше.

Фото сборки фото

Взгляните на нагрузку первого каскада усиления, которая представляет собой резистор R4. Его верхний вывод соединен с нижним выводом нагрузки. Это так называемая цепочка «VoltdDDDD», благодаря которой небольшое значение звуковой частоты выходных транзисторов в основной схеме выходных транзисторов является положительной обратной связью, выравнивающей условия для транзисторов.

Перечень используемых запчастей

C1, C2, C3 47 мкФ 16 дюймов
R1, R4. 1 ком 0,25 Вт
R2 10 ком 0,25 Вт
R3 3 ком 0,25 Вт
VD1. КД521А.
ВТ1, ВТ2. Кт315б
VT3 Kt361b

Цель данной статьи — отдать должное одному из самых популярных транзисторов 70-х — 90-х годов — КТ315.Доступность, небольшие размеры и неплохие параметры позволили радиолюбителям использовать транзистор КТ315 в различных схемах, от простых до микрокомпьютерных. В таблицах ниже указаны основные параметры линейки КТ315.

Предельные параметры транзисторов Кт315 при Т = 25 ° С

I K, Макс Ma U CER MAX (U Cap Max), дюйм U Eb0 Max, дюйм P до макс., (P макс.), МВт Т, ° С T P MAX, ° C T Макс, ° C
100 25 6 150 25 120 100
100 20 6 150 25 120 100
100 40 6 150 25 120 100
100 35 6 150 25 120 100
100 40 6 150 25 120 100
100 35 6 150 25 120 100
50 15 6 100 25 120 100
50 60 6 100 25 120 100

Параметры транзисторов Кт315 при Т = 25 ° С

h 21E (H 21E) U KB (U CE), в I e (i k), ma У нас в I KB0, (I CE), ICA f GR (F h31), МГц C k, PF
20..,90 (10) 1 0,4 1 250 7
50 … 350 (10) 1 0,4 1 250 7
20 … 90 (10) 1 0,4 1 250 7
50 … 350 (10) 1 0,4 1 250 7
20..,90 (10) (1) 1 1 250 7
50 … 350 (10) (1) 1 1 250 7
30 … 250 (10) (1) 0,5 1 150 10
30 (10) (1) 1 250 7

Немного презюмирую: — первый планарно-эпитаксальный транзистор конца 60-х, т.е.д, когда в процессе изготовления эмиттера, коллектор и основание снимаются последовательно на одной кремниевой пластине. Для этого необходима кремниевая пластина, легированная по типу N (выбор), легированная до некоторой глубины по типу P (основание) и сверху всегда на меньшей глубине по типу N (эмиттер). Далее при помощи скребка пластину нужно разрезать на части, и каждая часть упаковывается в пластиковый футляр.
Такой процесс изготовления был намного дешевле, чем технология сплава, и позволял получить немыслимые параметры транзистора (в частности, рабочую частоту до 300 МГц).
И естественно установка кристалла не в металлический корпус, а на металлическую ленту с выводами привела к сокращению производства — кристалл, на дне которого коллектор припаян к центральному выводу, и основание и эмиттер подключили к сваренной проволоке, залили пластиком, отрезали лишние детали ленты — и получился CT315.

Приведем пару примеров схем на транзисторе CT315.

1. Усилитель для наушников.

Пока шарнир является целым, база транзистора соединена с массой, а транзистор закрыт. При проникновении в защищаемую зону злоумышленник разрывает провод, происходит положительное смещение, и транзистор принимает транзистор на базу транзистора, что приводит к срабатыванию электромагнитного реле. В контактной цепи реле может быть сиреной, радиопередатчиком или другим.

3. Индикатор выходной мощности ONLC.

C1, C2 — 10 мкФ x 16b

Д11 — КД510А.

RX — 300 Ом — 100 ком (для каждого каскада нужно подбирать.)

D1 — D10 — светодиоды разных цветов.

Всем, кто определился с выбором первой схемы сборки, хочу порекомендовать данный усилитель на 1 транзисторе. Схема очень простая, и может быть выполнен как навесной, так и распечатанный монтаж.

Сразу скажу, сборка этого усилителя оправдана только в качестве эксперимента, так как качество звука будет в лучшем случае на уровне дешевых китайских ресиверов — сканеров.Если кто-то хочет собрать маломощный усилитель с более качественным звуком, то с использованием микросхемы TDA 2822 M. можно перейти по следующей ссылке:


Переносная колонка для плеера или телефона на микросхеме TDA2822M
Фото для проверки усилителя:


На следующем рисунке представлен список необходимых деталей:

В схеме можно использовать практически любой из биполярных транзисторов средней и большой мощности.n — P — N Конструкции, например КТ 817. Конденсатор на входе желательно ставить пленочный, емкостью 0,22 — 1 мкФ. Пример пленочных конденсаторов на следующем фото:

Привожу картинку печатной платы из программы SPRINT-LAYOUT:


Сигнал снимается с выхода MP3 плеера или телефона, земля и один из каналов использовал. На следующем рисунке вы можете увидеть штекер штекера jack 3.5, для подключения к источнику сигнала:


При желании этот усилитель, как и любой другой, может быть снабжен регулятором громкости, подключив потенциометр на 50 кОм соответственно. к штатной схеме используется 1 канал:


Параллельно с питанием, если в блоке питания после диодного моста не установлен электролитический конденсатор большой емкости, необходимо поставить электролит на 1000- 2200 мкФ, при рабочем напряжении больше напряжения на схеме.
Пример такого конденсатора:

Скачать pCB Усилитель на одном транзисторе для программы Sprint — макет можно в разделе сайта Мои файлы.

Оценить качество звука этого усилителя вы можете, посмотрев видео его работы на нашем канале.

  • 03.10.2014

    На рисунке показан GSM / GPRS-модуль на базе GSM / GPRS-модуля на микросхеме NPS54260. Номинальное входное напряжение в этой схеме 12 В, а полный рабочий диапазон — 8 В… 40 V. Методы расчетов и результаты испытаний подробно описаны в документе «Создание источника питания GSM / GPRS из TPS54260». В этом же документе можно найти схему номинального напряжения …

  • 04.10.2014

    Существует довольно много схем регуляторов мощности на тиристорах или имитаторах, где регулировка осуществляется изменением угла разблокировки. Регуляторы с такой схемой создают помехи в сети, поэтому применять их можно только с громоздкими LC-фильтрами.В тех случаях, когда не имеет значения, что мощность подается на нагрузку каждые полупериод, но имеет значение …

  • 28.09.2014

    Принципиальная схема такого плеера показана на рисунке. Усилитель рассчитан на работу на 4-х колонках (2-х передних и 2-х задних). Тыловые колонки — дуплексные, каждая состоит из одного эллиптического динамика достаточно большого диаметра и одного выжатого. Фронтальные каналы проще — каждый состоит из одного широкополосного динамика. У тыловых каналов есть подъем частот выше…

  • 25.09.2014

    Развитие ядерной энергетики и широкое использование источников ионизирующего излучения в различных областях науки, техники и их возможное появление в новых условиях требуют ознакомления со свойствами и методами регистрации альфа , бета- и гамма-излучения, а также приобретение соответствующих знаний и практических навыков по защите от их воздействия. Оценка и проведение исследования …

  • 21.09.2014

    Реле времени мощностью не более 100 Вт с отключением для выключения осветительной лампы примерно на 10 минут можно собрать по концепциям, показанным на рисунке. Устройство содержит выпрямительный мост VD1-VD4, тринистор VS1, управление транзистором VT1 и чувствительный к времени узел на конденсаторе С1, стабилизацию VD2 и транзистор VT2. Когда контакты переключателя SA1 замкнуты …

Зарядное устройство для короны на 9В своими руками. Простая память для батареек кроны.Что нужно для сборки

Схема и описание самодельного зарядного устройства для зарядки аккумуляторов на 9 вольт (7Д-01 «Корона») и им подобных.

Схема зарядного устройства представлена ​​на рисунке 1.

Кликните по картинке для просмотра.

Состоит из однокамерного выпрямителя на диоде VD1, стабилизатора напряжения на стабилизации VD2 и балластных резисторов R1, R2, электронного ключа на транзисторе VT1 и диода VD3, порогового устройства на тринисторе VS1.

Пока аккумулятор, подключенный к разъему XP2, заряжается и напряжение ниже номинального, тринистор закрыт. Как только напряжение аккумулятора возрастет до номинального, тринистор открывается. Загорается контрольная лампа HL1 и одновременно закрывается транзистор. Зарядка аккумулятора прекращается.

Порог срабатывания автомата зависит от сопротивления резистора R4.

Диод

Д226Д можно заменить любым другим из той же серии, Д226Б — другим выпрямляющим диодом с выпрямленным током не ниже 50 мА и обратным напряжением не ниже 300 В, Стабилитрон Д813 — Стабилитрон Д814Д, транзистор КТ315Б — другим транзистором этой серии с коэффициентом передачи тока не менее 50 Тринистор КУ103В — Тринистор КУ103А.

Самодельное зарядное устройство устанавливается, когда аккумулятор подключен и контрольный вольтметр постоянного тока измеряет напряжение аккумулятора. Как только напряжение достигнет 9,45 В, контрольная лампа должна загореться. Если этого не произошло, выбирается резистор R4. Аппарат включается только после надежного подключения АКБ !!!

Популярные схемы зарядных устройств:

Инструкция

Ознакомьтесь с кодами батареи Croon. У самого аккумулятора или аккумулятора этого типа, а также при замене его блока питания большая клемма — отрицательная, маленькая — положительная.В зарядном устройстве, как и от любого устройства, питающегося от Короны, все наоборот: маленькая клемма — отрицательная, большая — положительная.

Убедитесь, что аккумулятор, который у вас есть на складе, действительно является аккумулятором.

Определите ток зарядки аккумулятора. Для этого его емкость, выраженную в миллиампер-часах, разделите на 10. Это будет зарядный ток в миллиамперах. Например, для аккумулятора емкостью 125 мАч ток зарядки составляет 12,5 мА.

В качестве источника питания для зарядного устройства используйте любой блок питания, напряжение на выходе которого составляет около 15 В, а максимально допустимый потребляемый ток не превышает заряд аккумулятора.

Ознакомьтесь с основанием стабилизатора LM317T. Если поставить лицевую сторону с маркировкой к себе, а выходы вниз, то левый будет регулировать, посередине выход, правый — вход. Выберите микросхему на радиаторе, которая изолирует от любых других токоведущих частей зарядного устройства, поскольку она электрически подключена к выходу стабилизатора.

Микросхема LM317T — стабилизатор напряжения. Чтобы использовать его не по назначению — в качестве стабилизатора тока — включить нагрузочный резистор между его выходом и выходом настройки.Его сопротивление рассчитывают по закону Ома, учитывая, что напряжение на выходе стабилизатора равно 1,25 В. Для этого зарядный ток, выраженный в миллиамперах, подставьте в следующую формулу:
R = 1,25 / I
Сопротивление будет быть в километрах. Например, для зарядного тока 12,5 мА расчет будет выглядеть так:
I = 12,5 мА = 0,0125a

R = 1,25 / 0,0125 = 100 Ом

Рассчитайте мощность резистора в Вт, умножив падение напряжения на нем, равное 1.25 В для зарядного тока, также предварительно переведенного в амперы. Округлите результат до ближайшего значения из стандартной строки.

Подключите плюсовой источник питания к плюсу аккумулятора, минусовой аккумулятор к входу стабилизатора, настроив выход стабилизатора на минусовой источник питания. Между входом и регулировкой стабилизатора включить электролитический конденсатор на 100 мкФ, 25 в плюс ко входу. Проверьте его керамическую емкость.

Включите питание и оставьте аккумулятор заряжаться на 15 часов.

Видео по теме

Аккумуляторы «Корона» появились в СССР, но до сих пор остаются востребованными. Этот элемент питания незаменим для устройств с большим энергопотреблением, так как дает ток намного больше по сравнению с другими батареями.

Характеристики батарей «Crohn»

Силовые элементы имеют типы AA, AAA, C, D, имеют цилиндрическую форму и отличаются только размерами. В отличие от них, батарея Крона имеет измеритель PP3 и представляет собой параллелепипед.Солевые элементы питания отличаются недолговечностью, их нельзя использовать в высокотехнологичных устройствах. Максимум, на что они рассчитаны — это часы или другое простое устройство. Элементы также различаются по электрохимической системе. Щелочные и литиевые батареи обладают большей производительностью.

Мини-батарейки «Крона» характеризуются достаточно высокими характеристиками, у них напряжение на выходе в районе девяти (по сравнению с ним литиевая или щелочная батарейка типа АА «выдает» всего 1 ед. .5 вольт). Аккумулятор Krone состоит из шести последовательно соединенных в одну цепочку полууровневых батарей (на выходе получается девять вольт). Силовые элементы могут иметь силу тока до 1200 м / ч, стандартная мощность 625 мА / ч. Емкость батареек Krone будет варьироваться в зависимости от типов химических элементов. Никель-кадмиевые элементы имеют емкость 50 мА / ч, никель-металлогидридные аккумуляторы на порядок мощнее (175-300 мА / ч). В самом большом контейнере установлены литий-ионные элементы, их мощность 350-700 мА / ч.Стандартный размер батареек Crohn — 48,5×26,5×17,5 мм. Эти батарейки используются в детских игрушках и панелях управления, их можно встретить в навигаторах, в шокерах.

Как зарядить кроновую батарею

В Советском Союзе угольно-марганцевые батареи такого размера, а также щелочные, которые имели более высокую цену, назывались «корундом». Батареи изготавливались из прямоугольных галерейных элементов, для их изготовления использовался металлический корпус из тинной жести, дно из пластика или генитакса и контактная площадка.Простые одноразовые батареи «Корона» допускали небольшое восстановление, хотя это не было рекомендовано производителем. Однако из-за нехватки этих аккумуляторов во многих книгах и журналах зарядные устройства были опубликованы за «чешские кроны».

Продлить работу одноразового аккумулятора «Корона» можно с помощью блока с силой тока и напряжения. Для начала необходимо определить ток зарядки аккумулятора, для этого его следует разделить на десять (например, 150 мА / ч: 10 = 15 мА / ч — для этого зарядного устройства напряжение не должно быть больше 15 вольт) .Заряжать «корону» можно не более двух раз. При этом следует учитывать, что если бы элементы просушивались внутри, то с перебоями не получилось бы.


  • Стилус-насадка для носа — гаджет для тех, кто постоянно мечтал иметь лишний палец на лице …


  • Titan Sphere — продукт скоро компании SGRL, неудачная попытка сообщить новое слово в области джойстиков …

  • Проклятия для глазных капель позволяют вполне правильно целиться в глаз, при этом его приказ нужен…


  • Неужели там ненужные органы? Вряд ли кто-то захочет расстаться со своим аппендиксом, пока он …

  • «Мать всех демонов», 1968 …


  • Будущее с инопланетянами — почему бы и нет? Некоторые уверены, что пришельцы уже среди нас …


05.06.2015

Таких зарядных устройств такого зарядного устройства по большому счету немало. В этой статье представлен простой и дешевый вариант, который поможет с экономией и усилиями изготовить зарядное устройство для кроны.Предложенная схема на основе зарядки для сотового телефона позволяет сделать устройство своими руками.

Создатель видеоблогера Ака Касьян.

Кстати, 9-вольтовую батарею короной называют только в РФ, а остальные страны идут из СССР. В мире он известен как стандарт 6 F 22. Своим названием Crohn он обязан простой батарее того же образца, которая производилась в СССР.

Все, что вам нужно для сборки устройства, вы можете найти в этом китайском магазине.Плагин для Google Chrome Для экономии: вам возвращается 7 процентов от приобретений. Обратите внимание на товары с бесплатной доставкой.

Перезаряжаемая заводная головка представляет собой сборку из последовательно соединенных батареек, достаточно редких стандартных 4А. В общем случае их количество 7 штук. В большинстве случаев это никель-металлогидридный тип.

Схемы зарядки аккумулятора Crown

Для зарядки аккумуляторной коронки рекомендуется сила тока не более 20 — 30 мА.Ни на что не рекомендуется поднимать ток выше 40 миллиампер. Схема зарядного устройства довольно проста и сделана на основе китайской зарядки для сотового телефона.

Недорогое китайское зарядное устройство не редкость двух основных типов. В большинстве случаев реализуются как импульсные, так и автогенеральные схемы. На выходе выдается напряжение около 5 вольт.

Зарядное устройство первого типа

Самый популярный сорт — первый. Регулировки выходного напряжения нет, но его можно изменить методом выбора Stabilon, который в большинстве случаев в таких схемах есть во входной цепи.Стабилодон гораздо чаще бывает на 4,7 — 5,1 вольт.

Для зарядки короны нам необходимо напряжение около 10 вольт. Исходя из этого, стабилизация заменяется другой с нужным напряжением. Кроме того, рекомендуется заменить электролитический конденсатор на выходе зарядного устройства.

Заменяем на 16 — 25 вольт. Вместимость от 47 до 220 микрофрейд.

Зарядка второго типа

Вторая разновидность — Схема зарядки сотовых телефонов. Это автогенеральная схема, но с контролем выходного напряжения с помощью оптопары Stabitron.В таких схемах возможен либо простой стабилодон, либо регулируемый, как TL431, в качестве элемента управления.

В данном случае стоит простейший стабилитрон на 4,7 вольта. На видео демонстрируется метод доработки на основе 2х схем. Уберем все, что есть на торце трансформатора, не считая узла контроля выходного напряжения. Это оптопара, стабилизатор и два резистора. Замена диодного выпрямителя кроме.

Доступна замена диода на FR107 (хороший бюджетный вариант).

Кроме того, мы заменяем выходной электролит с огромным напряжением. Подбираем Стабилодон на 10 вольт. В результате зарядка стала выдавать напряжение, необходимое для бытовых нужд.

По окончании переделки зарядного устройства собираем узел стабилизации тока на базе микросхемы LM317.

В принципе, на такие незначительные токи можно обойтись без микросхемы. Вместо него поставить один гасящий резистор, но желательно с хорошей стабилизацией. Все-таки перезаряжаемая заводная головка — это совсем не недорогой вид батарейки.

Ток стабилизации будет зависеть от сопротивления резистора R1, программа расчета для этой микросхемы загружена.

Эта схема работает очень легко. Светодиод будет гореть, при этом на выходе будет включаться нагрузка. В данном случае Krone, потому что на резисторе R2 наблюдается падение напряжения. По мере зарядки аккумулятора ток в цепи будет падать и при этом падение напряжения на каждом резисторе будет недостаточным. Светодиод О.

Это будет в конце процесса зарядки, когда напряжение на заводной головке будет равно напряжению на выходе зарядного устройства.Следовательно, предстоящий процесс зарядки станет неосуществимым. Другими словами, почти непроизвольный принцип.

За корону можно не нервничать, ведь ток в конце процесса заряда фактически нулевой. Микросхема LM317T установлена ​​на радиаторе ненужно из-за тока прокрутки заряда. Она не нагреется по большому счету.

В итоге осталось прикрепить к выходу зарядного устройства разъем для заводной головки, который можно сделать из второй нерабочей заводной головки.И, конечно же, поразмыслить над корпусом для устройства.

Зарядка короны от DC-DC преобразователя

Если подобрать небольшую плату преобразователя DC-DC, то без проблем можно сделать юсб зарядку для короны. Модуль преобразователя увеличит напряжение порта порта до желаемых 10-11 вольт. А то уже есть стабилизатор тока на LM317 и, что.

Случайных записей:

Зарядка телефона от короны. Сделай это сам.Сделай сам.

Один из самых простых способов зарядки серебряно-цинковых элементов типа СК-21. Для этого параллельно используется элемент типа 373 («Орион-М») и извлекаемый элемент СК-21 (рис. 1). Перед зарядкой напряжение на СК-21 было около 1,5 В. В процессе зарядки это напряжение достигло нормы: 1,55 … 1,6 6, при этом перезарядка элемента ОП-21 исключена. Минимальное время восстановления заряда составило 1 … 1,5 дня. В качестве аккумулятора-донора также можно использовать элементы типа 343 и к нему такие элементы, напряжение на которых близко к 1.6 6. Так как зарядный ток небольшой, то можно использовать отработанные сухие батареи.

Рис. 1. Перезаряжаемый SC-21 от элемента 373

Рис. 2. Схема зарядки аккумулятора 2x2d-0.1 от автомобильного аккумулятора

Зарядка миниатюрных аккумуляторов типа 2x2d-0.1 или 7dd-0.1 может осуществляться в в полевых условиях от любых источников постоянного тока, в частности от автомобильных аккумуляторов Напряжение 12 В или напряжение бортовой сети 24 … 27 В. Для зарядки АКБ 2х2д-0,1 от 12-вольтовой АКБ с зарядным током 24 мА необходимо для включения последовательного сопротивления цепи зарядки (например, типа м / 77) около 110 Ом, как показано на рис.2.
Для АКБ 7Д-0.1, зарядный ток которой составляет 12 мА, требуется гасящее сопротивление 300 Ом.
В указанных случаях время полной зарядки составит 15 … 16 часов. При необходимости частично разряженным аккумуляторам можно дать подзарядку, время которой определяется стоимостью утерянного контейнера.
Схема простого устройства для регенерации гальванических элементов несимметричным током с соотношением токов за полупериоды 1:10 с гальваническим переключением от сети представлена ​​на рис.3.

Рис. 3. Схема устройства для регенерации гальванических элементов несимметричным током

Значения сопротивлений резисторов устройства можно определить из выражений:
Здесь: UBX — напряжение на входе устройства (выходы трансформатора), дюйм; U0 — напряжение заряженного элемента, В, I0 — ток заряда, мА; R1, R2 — в ком.
На следующем рисунке показан усложненный и улучшенный вариант схемы, позволяющий ограничить падение напряжения на зарядном элементе, указать светящийся световой процесс зарядки и момент его окончания.При повышении напряжения на элементе в процессе зарядки Стабилитрон плавно открывается, загорается светодиод. Подбор напряжения стабилизации на заряженном элементе можно ограничить, это защитит аккумулятор от перезарядки.
Похожим методом можно заряжать и никель-кадмиевые аккумуляторы.
Известно, что марганцево-цинковые батареи обладают способностью перезаряжаться. Такой способностью обладают
, в частности, широко распространенные элементы и аккумуляторы типа КБС, «Крона» и др. При условии, что перезарядки производятся в течение срока службы элемента или аккумулятора, а также при условии отсутствия повреждений. к цинковому стеклу или изоляционной оболочке элемента.Зарядка марганцево-цинковых элементов и аккумуляторов осуществляется асимметричным током, обеспечивающим плотный осадок цинка на отрицательном электроде.

Рис. 4. Усовершенствованные схемы зарядного устройства с сетевым питанием

Рис. 5. Схема простейшего устройства для зарядки марганцево-цинковых и ртутно-цинковых элементов и асимметричных аккумуляторов

Существует несколько схем получения асимметричных Текущий. Простая схема выпрямителя для зарядки элементов МК и RC, а также аккумуляторов представлена ​​на рис.5.
Схемы подготовки асимметричного зарядного тока (рис.6 и 7) рассчитаны на использование выходного трансформатора с выходным напряжением 7,5 6, что позволяет использовать их для зарядки аккумуляторов с напряжением 4,5 В и ниже. . В одной из схем (см. Рис. 6) для передачи переменной составляющей диода используется небольшое сопротивление. Лампа EL1 3,5 6, 0,28 А, включенная в цепь зарядки, служит стабилизатором тока и одновременно выполняет роль индикатора окончания процесса зарядки аккумулятора, который определяется по уменьшению яркости нити.

Рис. 6. Схема устройства для получения асимметричного зарядного тока

Рис. 7. Вариант схемы устройства для получения асимметричного зарядного тока

Следующая схема получения асимметричного зарядного тока (Рис. 7) использует два диода по направлению к диоду. Окончание заряда АКБ в этой схеме определяется прекращением роста напряжения, которое после достижения 6 В (для АКБ КОС) не увеличивается за счет уравнивания токов в обеих параллельных ветвях и протекания только переменная составляющая, не вызывающая повышения напряжения.
При использовании таких схем необходимо контролировать как постоянное напряжение, так и переменную составляющую. Заряд аккумуляторов КБС, разряженных не ниже 2,3 … 2,4 В, продолжается с помощью описанных устройств в течение 12 … 14 часов, чтобы сообщить АКБ 140 … 160% от номинальной емкости.
Принципиальная схема устройства для зарядки серебряно-цинковых и никель-цинковых аккумуляторов асимметричным током представлена ​​на рис. 8. Регулировкой потенциометра может быть предусмотрено необходимое соотношение токов для зарядки.
Как было показано ранее, для зарядки аккумуляторов можно использовать источник переменного тока, имеющий асимметрию положительного и отрицательного наполовину установленных.
Для получения асимметричного переменного тока авторами изобретения была предложена схема трансформатора (рис. 9), имеющая разные коэффициенты трансформации для положительного и отрицательного полувывода.

Рис. 8. Схема устройства для зарядки серебряно-цинковых и никель-цинковых аккумуляторов асимметричным током

Рис. 9. Схема приготовления асимметричного переменного напряжения

Рис.10. Схема получения регулируемого несимметричного переменного тока

Рассмотренная выше схема трансформатора не позволяет получить регулируемое соотношение напряжений на выходе. Как следует из рис. 9, соотношение амплитуд полупериодов на выходе трансформатора остается неизменным. Однако эту проблему легко решить, включив в схему дополнительный потенциометр R1 (рис. 10). Следует отметить, что вместо потенциометра R1 можно использовать и его транзисторный аналог — управляемый «сопротивлением» полевыми или биполярными транзисторами.
В другом изобретении возможность преобразования напряжения с регулировкой формы выходного напряжения (рис. 11): радиометр R3 настраивается по частоте генерации, R4 — длительность полупериодов выходного напряжения.
Такие схемные решения могут быть использованы, например, для создания устройств зарядки аккумуляторов асимметричного тока с автоматической или принудительной ручной регулировкой формы зарядного тока.

Рис. 11. Схема преобразователя напряжения с регулировкой формы выходного напряжения

Рис.12. Схема зарядного устройства со стабилизаторами зарядного тока на основе ламп накаливания

Зарядное устройство (рис. 12) позволяет одновременно заряжать несколько аккумуляторов разными токами. Для зарядки используется пульсирующее напряжение, снимаемое с выхода мостового выпрямителя на диодах VD1 — VD4. В качестве стабилизаторов заряда используются слаботочные лампы накаливания, включенные последовательно с заряженными элементами.
Лампы защищают от короткого замыкания и сигнализируют о процессе зарядки. При кратковременном замыкании в нагрузке одного из каналов лампа этого канала горит ярким светом, сигнализируя об аварийном режиме работы.Если принять другие меры (отключение короткозамкнутой нагрузки), лампа перегорит. Процесс зарядки оставшихся аккумуляторов не прерывается.
Напряжение на зажимах заряженных аккумуляторов может находиться в диапазоне от 1,2 до 12 6. Напряжение на вторичной обмотке трансформатора Т1 должно быть 32 6.
Многие аккумуляторы не допускают разряда ниже определенного значения: это необходимо пройти определенный предел, и в аккумуляторе произойдут необратимые процессы, после которых источник питания станет непригодным для дальнейшей эксплуатации.В связи с этим очень актуален вопрос защиты элементов питания от слишком глубоких выделений.
Схема одного из устройств, предназначенных для защиты аккумуляторов от разряда ниже допустимого, представлена ​​на рис. 13. Для контроля напряжения питания или замены его лавинного транзистора VT3 используется обычный стабилизатор VD1.

Рис. 13. Схема устройства защиты аккумуляторов от разряда ниже допустимого значения

Стоит разрядить источник напряжения GB1 до напряжения, меньший объем стабилизации стабилизации стабилизации (или лавинный транзистор VT3 транзистор) и падение напряжения на эмиттерном транзисторе транзистора VT2, так как ключ транзистора
(VT1 и VT2) срабатывает и отключает нагрузку от аккумулятора GB1.
Согласно одной из концепций, зарядный ток стабильного значения считается наиболее выгодным зарядом герметичных аккумуляторов.
Зарядное устройство (рис. 14) позволяет получить на выходе «заданные» зарядные токи, не зависящие от колебаний входного напряжения, а также сопротивления заряжаемого элемента. На нагрузке транзистора VT1 напряжение стабилизировалось. С двигателей группы потенциометров, включенных параллельно и питаемых стабильным напряжением, снимается определенная доля напряжения и вводятся транзисторы VT2 — VT5.С помощью резисторов R3, R5, R7, R9 устанавливается предельное значение через транзисторы и, соответственно, через заряженные элементы.

Рис. 14. Схема зарядного устройства с набором стабильных зарядных токов

Схема (Рис. 15) предназначена для раздельного заряда до шести химических источников тока. При этом вы можете заряжать полностью разряженные батареи и те, которые необходимо перезарядить после хранения. Последние никогда не перезарядятся, если остановят заряд одновременно с теми, которым необходимо полностью восстановить контейнер.Из-за технологического разброса при производстве батарей каждая из них имеет разную емкость, даже когда они подключены к батарее, особенно это касается батарей непрерывного действия.
Батарея, подключенная к разъему XS1, заряжается эмиттерным током транзистора VT1, пропорциональным току базы
, который убывает по экспоненциальному закону. Таким образом, аккумулятор автоматически заряжается оптимально.
Опорное напряжение формируется аналогом низковольтной стабилизации на элементах VT7, VT8, VD1, VD2.Диоды VD1, VD2 выбираются из комбинации кремния — Германия или обе Германия. Критерием правильного выбора является напряжение 1,35 … 1,4 6 на эмиттере транзистора VT1. Резистор в цепи базы транзистора определяет начальный ток заряда. Само зарядное устройство во время работы постоянного наблюдения не требует.

Рис. 15. Схема зарядного устройства для никель-кадмиевых аккумуляторов

На диаграмме указаны номинальные значения заряда аккумулятора CAC-0.45. Зарядное устройство также позволяет заряжать аккумуляторы типов Д-0,06, Д-0,125, Д-0,25, но для каждой из них необходимо установить в цепи базы транзистора резистор, обеспечивающий соответствующую начальную зарядный ток.
В зарядном устройстве не предусмотрена система защиты от перегрузки. Питание прибора — от стабилизированного источника +5 В с максимальным током 2 А.
Следует отметить, что батареи ниже 1 6 разряжать не нужно, такие батареи теряют штатную емкость, а это происходит, и выкупаются. .
Для контроля окончания зарядки можно использовать схему на Рис. 16.

Рис. 16. Схема контроля окончания заряда

В основе ее лежит компаратор DA1. В инвертирующих целях на входе 1,35 В напряжение поступает от двигателя регулируемого резистора R1. Через контакты кнопок SB1 на инвертирующий вход подается напряжение от управляемой батареи. Если при фиксации кнопки SB1 начинает светиться светодиод HL1, значит аккумулятор «заряжен до номинального напряжения 1».35 В. Затем контролируйте напряжение на следующем аккумуляторе и т. Д.
Зарядное устройство с автоматическим отключением на базе тиристорного ключа (рис. 17) состоит из выпрямителя и источника стабилизированного опорного напряжения. Источник опорного напряжения выполнен на стабитроне VD6. Через резистивный делитель (потенциометр R2) стабилизированное напряжение подается на базу транзистора VT2. Эмиттер этого транзистора соединен анодным диодом VD7, соединенным своим катодом с заряженной батареей. Как только напряжение аккумулятора поднимается выше заданного уровня, транзисторы VT1 и VT2, а также тиристор, через который протекает зарядный ток, отключаются, прерывая процесс заряда.
Стоит отметить, что тиристор питается импульсами выпрямленного напряжения от диодного моста VD1 — VD4. Конденсатор фильтра С1, схема транзистора А стабилизатор напряжения подключен к выпрямителю через диод VD5. Лампа накаливания сигнализирует о процессе заряда и при необходимости ограничивает ток короткого замыкания в аварийной ситуации. Зарядные устройства
также могут использовать схему стабилизатора тока. На рис. 18 представлена ​​схема зарядного устройства-эохия на базе микросхемы LM117 с лимитом заряда до 50 мА.Этот ток легко изменить с помощью резистора R1.

Рис. 17. Зарядное устройство Зарядное устройство с автоматическим отключением

Рис. 18. Схема заряда на основе стабилизатора тока

Рис. 19. Зарядное устройство Зарядное устройство Зарядное напряжение аккумулятора 12 В

Простое зарядное устройство с напряжением 12 В аккумулятор может быть выполнен на базе микросхемы LM117 (рис. 19). Выходное сопротивление устройства определяется номиналом резистора RS.
Схема еще одного зарядного устройства с ограничителем зарядного тока на 600 мА (с резистором сопротивления R3 = 1 Ом) для заряда 6 в АКБ приведена на рис.двадцать.

Рис. 20. Схема зарядного устройства с ограничением цепи заряда

Рис. 21. Зарядное устройство Зарядное устройство для аккумуляторов CAC-0.45

На схеме зарядного устройства (рис. 21) для заряда аккумулятора TNA-0.45 , использовался стабилизатор тока типа КР142Эн5А. Ток заряда (50 … 55 мА) устанавливаем
) Резистор R1 с резистором: на это сопротивление падает 5 В 5 В, следовательно, ток, протекающий по последней цепи от заряженного аккумулятора и генератора стабильного тока на основе микросхема DA1 — это (b) / 120 (OM) = 45 + \ C (Ma), где 1C = 5… 10 Ма — ток собственного потока микросхемы. Действительно, ток будет выше указанного показателя еще на 3 мА, потому что в расчетах ток не снимается через этодитированный индикатор
HL1, указывающий на работу устройства.
Напряжение на конденсаторе фильтра С1 должно быть на расстоянии 15 … 25 В.
При использовании стабилизаторов на больший выход, величина резистора R1 должна быть изменена (в сторону исключения).
Устройство можно практически без переделки использовать на другие токи зарядки, до 1 А.Для этого потребуется подбор резистора R1 и при необходимости использование радиатора для микросхемы DA1.
Зарядное устройство (см. Рис. 22) питается от выпрямленного напряжения 12 В. Сопротивление токоограничивающих резисторов рассчитывается по формуле: R = UCT / I, где UCT — выходное напряжение стабилизатора; I — — Ток зарядки. В рассматриваемом случае UCT = 1,25 В; Соответственно сопротивление резисторов такое: R1 = 1,25 / 0,025 = 50 Ом / и, R2 = 1.25 / 0,0125 = 100 Ом. В расчетах не учитывается ток собственного потребления микросхемы (см. Выше), который может составлять 5 … 10 мА.

Рис. 22. Схема зарядного устройства со стабилизацией тока

В устройстве можно использовать микросхему типа SD1083, SD1084, ND1083 или ND1084.
Схема зарубежного зарядного устройства «Солнце-100» представлена ​​на рис. 23. Устройство позволяет одновременно заряжать 3 пары Ni-CD аккумуляторов. В процессе зарядки горит светодиод HL1, затем светодиод HL1 начинает периодически мигать.Постоянное свечение светодиодов HL1 и HL2 указывает на окончание процесса зарядки.
Зарядное устройство «Солнце-100» не лишено недостатков. Заряд наиболее распространенных аккумуляторов емкостью 450 мАч током 160 … 180 мА недопустим. Режим ускоренного заряда выдерживает не все аккумуляторы, поэтому О. Долга разработало более совершенное зарядное устройство, схема которого представлена ​​на следующем рисунке (рис. 24).
Пониженное трансформатором Т1 до 10 В сетевое напряжение выпрямляется диодами VD1 — VD4 и через токоограничивающий резистор R2 и составной транзистор VT2, VT3 поступает в зарядную батарею GB1.Индикатор HL1 указывает на наличие зарядного тока.

Рис. 23. Схема зарядного устройства «Солнце-100» для аккумуляторов NI-CD

Рис. 24. Схема усовершенствованного зарядного устройства для Ni-CD аккумуляторов

Начальное значение тока заряда определяется по формуле напряжение вторичной плавки трансформатора и сопротивление резистора R2. Но напряжения на выходе прибора
недостаточно для открытия стабитрона VD5, поэтому транзистор VT1 закрыт, а составной транзистор открыт и находится в состоянии насыщения.При напряжении на батарее аккумуляторов 2,7 … 2,8 В транзистор VT1 открывается, светодиод HL2 загорается, а составной транзистор, закрываясь, снижает ток заряда.
Вторичная обмотка сетевого трансформатора должна быть рассчитана на напряжение 8 … 12 В и максимальный ток заряда с учетом все равно заряженных аккумуляторов. Начальный ток заряда предлагаемого устройства составляет около 100 мА.
Устройство настроено на установку максимального тока заряда и выходного напряжения, при которых загорается индикатор HL2.На вывод устройства через миллиамперметр, пару разряженных аккумуляторов и подбором резистора R2 выставляется нужный ток зарядки. Затем эмиттерный выход транзистора VT3 временно отключают от внешних цепей, подключают к выходу устройства пару полностью заряженных аккумуляторов (или другой источник напряжения 2,7 … 2,8 6) и подбором резисторов R5 и R6 добиваются светодиод HL2. После этого восстанавливаем открытое соединение — и устройство готово к работе.
Для зарядки никель-кадмиевых аккумуляторов В. Севастьянов применил стабилизатор тока на основе интегральной микросхемы DA1 типа КР142ЕН1А (рис. 25). Зарядный ток регулируется примерно и плавно с помощью резисторов R3 и R4.
Сама микросхема может обеспечивать номинальный выходной ток до 50 мА и максимальный — до 150 мА. При необходимости увеличьте этот ток, чтобы подключить транзисторный усилитель к составному транзистору. Транзистор необходимо установить на радиатор. В варианте, показанном на фиг.25 Устройство обеспечивает на выходе регулируемый стабильный ток в диапазоне 3,5 … 250 мА.
Заряженные предметы подключаются к прибору через диоды VD1 — VD3.
Для заряда аккумуляторов Д-0,06 общий зарядный ток устанавливается в пределах 16 … 18 мА; Заряд этим током выдает 6 часов, затем зарядный ток удваивается и продолжают заряжать еще 6 часов.

Рис. 25. Схема стабилизатора цепи для заряда аккумуляторов NI-CD

Рис.26. Схема устройства для восстановления серебряно-цинковых элементов SC-21

Для восстановления серебро-цинковых элементов SC-21 V. Pizza использовалась схема (рис. 26), в основе которой лежит задающий генератор на транзистор и микросхема К155ЛАЗ. К выводам 8 и 11 микросхемы DA1 подключены диодные цепочки, образованные из последовательно включенных кремниевых диодов KD102, встречно-параллельных которых подключены германские диоды D310.
Благодаря такому включению, при попеременном появлении значений логического нуля и логической единицы на выходе микросхемы (т.е., подключая цепочку диодов к шине положительного или полного питания) происходит совмещенный дозированный заряд элементов ГБ1 и ГБ2 с их последующим разрядом. Зарядный ток превышает ток разряда, что в конечном итоге способствует восстановлению свойств элементов.

По материалам
сайта Волгоградского Радио Пьесы RA4A.

Многие используют стандартные батареи на 9 В (коронки) для настройки или тестирования многих своих электронных проектов. Конечно, 9 вольт берут не всегда — раз нужно 5, 3 и даже меньше, и собирать из более низковольтных аккумуляторов либо он не работает, либо нет желания — проще ткнуть заводную головку и посмотреть, как там там будет работать.А избыток напряжения просто увидим из-за слабости этого гальванического элемента. Но лучше один раз сделать грамотно — и дальше не бояться, что в схеме что-то выйдет из строя. Далее предлагаем собрать миниатюрные насадки на плату аккумулятор — блок питания. Они обеспечивают необходимое пониженное напряжение и имеют удобный форм-фактор для использования с батареей 9 В.

На печатной плате Микросхема представляет собой регулятор с элементами привязки с одной стороны и контактами для 9 в батарее с другой.Короче идея в том, что блок питания станет частью самого аккумулятора!

Несколько вариантов схем стабилизатора

В этом варианте используется специальный понижающий преобразователь:

Во второй версии используется понижающий / повышающий преобразователь:

А это прототип, в котором используется дешевый линейный регулятор LM317:

Печатные платы протравлены, просверлены (планировались сами платодеты) и после распада плата цепляется за коронку, обеспечивая на выходе необходимое напряжение.

Схема усилителя низкой частоты. Простая схема усилителя на транзисторе своими руками.

Усилитель низкой частоты (УНЧ) — это такое устройство для усиления электрических колебаний, соответствующих диапазону частот, слышимых человеческим ухом, то есть УНЧ должны усиливаться в диапазоне частот от 20 Гц до 20 кГц, но некоторые УНЧ могут иметь диапазон до 200 кГц. УНЧ может быть собран как самостоятельное устройство, либо использоваться в более сложных устройствах — телевизорах, радиоприемниках, магнитолах и т. Д.

Особенность данной схемы в том, что вывод 11 микросхемы TDA1552 управляет режимами работы — Нормальный или MUTE.

C1, C2 — проходные блокирующие конденсаторы, служащие для отсечки постоянной составляющей синусоидального сигнала. Лучше не использовать электролитические конденсаторы. Микросхему TDA1552 желательно разместить на радиаторе, используя теплопроводную пасту.

В принципе, представленные схемы представляют собой мостовые схемы, так как в одном случае микросборки TDA1558Q имеется 4 канала усиления, поэтому выводы 1-2 и 16-17 соединены попарно, и они принимают входные сигналы обоих каналов через конденсаторы. C1 и C2.Но если вам нужен усилитель с четырьмя динамиками, то вы можете использовать вариант схемы ниже, хотя мощность будет в 2 раза меньше на канал.

Основа конструкции — микросборка TDA1560Q класса H. Максимальная мощность этого УНЧ достигает 40 Вт, при нагрузке 8 Ом. Такая мощность обеспечивается повышенным напряжением примерно вдвое, за счет работы конденсаторов.

Выходная мощность усилителя в первой схеме, собранной на TDA2030, составляет 60 Вт при нагрузке 4 Ом и 80 Вт при нагрузке 2 Ом; TDA2030A 80Вт при нагрузке 4 Ом и 120Вт при нагрузке 2 Ом.Вторая схема рассматриваемого УНЧ уже с выходной мощностью 14 Вт.


Это типичный двухканальный УНЧ. С небольшой обвязкой на этой микросхеме пассивных радиодеталей можно собрать отличный стереоусилитель с выходной мощностью 1 ватт на каждом канале.

Микросборка

TDA7265 — довольно мощный двухканальный усилитель Hi-Fi класса AB в типичном мультиваттном корпусе, микросхема нашла свою нишу в качественной стереоаппаратуре класса Hi-Fi.Простые схемы подключения и отличные параметры сделали TDA7265 идеально сбалансированным и отличным решением для создания высококачественного любительского радиоаудиооборудования.

Сначала тестовая версия была собрана на макетной плате точно так, как в даташите по ссылке выше, и успешно протестирована на динамиках S90. Звук хороший, но чего-то не хватало. Спустя время решил переделать усилитель по доработанной схеме.

Микросборка представляет собой четырехканальный усилитель класса AB, разработанный специально для использования в автомобильных аудиосистемах.На основе этой микросхемы можно построить несколько качественных УНЧ-вариантов с использованием минимума радиодеталей. Микросхему можно посоветовать начинающим радиолюбителям для домашней сборки различных акустических систем.

Основным преимуществом схемы усилителя на основе данной микросборки является наличие в ней четырех независимых каналов. Этот усилитель мощности работает в режиме AB. Его можно использовать для усиления различных стереосигналов. При желании вы можете подключить к акустической системе автомобиль или персональный компьютер.

TDA8560Q — просто более мощный аналог широко известной радиолюбителям микросхемы TDA1557Q. Разработчики только усилили выходной каскад, сделав УНЧ идеальным для двухомной нагрузки.

Микросборка LM386 — это готовый усилитель мощности, который можно использовать в системах низкого напряжения. Например, когда схема питается от батареи … LM386 имеет усиление по напряжению около 20. Но, подключив внешние сопротивления и конденсаторы, вы можете настроить усиление до 200, и выходное напряжение автоматически станет равным половине напряжение питания.

Micro-assembly LM3886 — это высококачественный усилитель с выходной мощностью 68 Вт на нагрузке 4 Ом или 50 Вт на нагрузке 8 Ом. В пиковый момент выходная мощность способна достигать 135 Вт. На микросхему применим широкий диапазон напряжений от 20 до 94 вольт. Причем вы можете использовать как биполярные, так и однополярные источники питания. Гармонические искажения УНЧ 0,03%. И это во всем диапазоне частот от 20 до 20 000 Гц.


В схеме используются две ИС в типичном подключении — КР548Ух2 в качестве микрофонного усилителя (установлен по касательной) и (TDA2005) в мостовом подключении в качестве выходного усилителя (установлен в корпусе сирены вместо материнской платы).В качестве акустического излучателя используется доработанная сирена от сигнализации с магнитной головкой (пьезоизлучатели не подходят). Доработка заключается в том, чтобы разбить сирену и выбросить привычный зуммер с усилителем. Микрофон — электродинамический. При использовании электретного микрофона (например, от китайских телефонных трубок) точку соединения микрофона с конденсатором необходимо подключить к + 12В через резистор ~ 4,7К (после кнопки!). Резистор 100К в цепи обратной связи К548Ух2 лучше ставить сопротивлением ~ 30-47К.Этот резистор используется для регулировки громкости. Микросхему TDA2004 лучше установить на небольшой радиатор.

Испытание и эксплуатация — с радиатором под капотом и переговорным устройством в салоне. В противном случае неизбежен визг от самовозбуждения. Подстроечный резистор устанавливает уровень громкости таким образом, чтобы не было сильных искажений звука и самовозбуждения. В случае недостаточной громкости (например, плохой микрофон) и кажущегося запаса мощности излучателя, коэффициент усиления микрофонного усилителя можно увеличить, в несколько раз увеличив значение подстроечного резистора в цепи обратной связи (того, которое составляет 100К). ).По-хорошему — нам также понадобится примамбас, который не позволяет схеме самовозбуждаться — какая-то схема сдвига фазы или фильтр для частоты возбуждения. Хотя схема работает нормально без осложнений

Схема № 1

Выбор класса усилителя … Сразу предупредим радиолюбителя — усилитель класса А на транзисторах делать не будем. Причина проста — как уже упоминалось во введении, транзистор усиливает не только полезный сигнал, но и приложенное к нему смещение.Проще говоря, он усиливает постоянный ток. Этот ток вместе с полезным сигналом будет проходить через акустическую систему (AC), и динамики, к сожалению, способны воспроизводить этот постоянный ток. Они делают это самым очевидным способом — толкая или вытягивая диффузор из нормального положения в неестественное.

Попробуйте надавить пальцем на конус динамика — и вы увидите, в какой кошмар превратится звук. Постоянный ток по своему действию удачно заменяет пальцы, поэтому динамической голове он категорически противопоказан.Отделить постоянный ток от переменного сигнала можно только двумя способами — трансформатором или конденсатором — и оба варианта, как говорится, один хуже другого.

Принципиальная схема

Схема первого усилителя, который мы соберем, представлена ​​на рис. 11.18.

Это усилитель обратной связи, выходной каскад которого работает в режиме B. Единственное преимущество этой схемы — ее простота и единообразие выходных транзисторов (не требуется специальных дополнительных пар).Тем не менее он широко используется в усилителях малой мощности. Еще один плюс схемы в том, что она не требует какой-либо настройки, и если детали целы, она сразу заработает, а это для нас сейчас очень важно.

Рассмотрим, как работает эта схема. Усиленный сигнал поступает на базу транзистора VT1. Усиленный этим транзистором сигнал с резистора R4 поступает на базу составного транзистора VT2, VT4, а от него — на резистор R5.

Транзистор VT3 включен в режиме эмиттерного повторителя.Он усиливает положительные полуволны сигнала на резисторе R5 и подает их через конденсатор C4 на переменный ток.

Отрицательные полуволны усиливаются составным транзистором VT2, VT4. В этом случае падение напряжения на диоде VD1 закрывает транзистор VT3. Сигнал с выхода усилителя поступает на делитель контура обратной связи R3, R6, а с него — на эмиттер входного транзистора VT1. Таким образом, транзистор VT1 у нас есть и играет роль устройства сравнения в цепи обратной связи.

Усиливает постоянный ток с коэффициентом усиления, равным единице (поскольку сопротивление конденсатора С постоянному току теоретически бесконечно), а полезный сигнал — с коэффициентом, равным отношению R6 / R3.

Как видите, значение емкостного сопротивления конденсатора в этой формуле не учитывается. Частота, начиная с которой конденсатор можно не учитывать в расчетах, называется частотой среза RC-цепочки. Эту частоту можно рассчитать по формуле

F = 1 / (R × C) .

Для нашего примера это будет около 18 Гц, т.е. усилитель будет усиливать более низкие частоты хуже, чем мог бы.

Оплата … Усилитель собран на односторонней плате из стеклопластика толщиной 1,5 мм и размерами 45 × 32,5 мм. Зеркальный макет и макет печатной платы доступны для загрузки. Вы можете скачать видео об усилителе в формате MOV для просмотра. Сразу хочу предупредить радиолюбителя — звук, воспроизводимый усилителем, был записан на видео с помощью микрофона, встроенного в камеру, поэтому говорить о качестве звука, к сожалению, не совсем уместно! Внешний вид усилителя представлен на рис.11.19.

Элементная база … При изготовлении усилителя транзисторы VT3, VT4 могут быть заменены любыми транзисторами, рассчитанными на напряжение не ниже напряжения питания усилителя, и с допустимым током не менее 2 А. Диод VD1 должен быть рассчитан. для того же тока.

Остальные транзисторы — любые с допустимым напряжением не менее напряжения питания и допустимым током не менее 100 мА. Резисторы — любые с допустимой рассеиваемой мощностью не менее 0.125 Вт, конденсаторы — электролитические, емкостью не меньше указанной на схеме, и рабочим напряжением меньше напряжения питания усилителя.

Радиаторы усилителя … Прежде чем пытаться сделать нашу вторую конструкцию, давайте, уважаемый радиолюбитель, остановимся на излучателях для усилителя и приведем здесь очень упрощенную методику их расчета.

Сначала рассчитаем максимальную мощность усилителя по формуле:

P = (U × U) / (8 × R), W ,

где U — напряжение питания усилителя, В; R — сопротивление динамика (обычно 4 или 8 Ом, хотя бывают исключения).

Во-вторых, рассчитываем мощность, рассеиваемую на коллекторах транзисторов по формуле:

P рас = 0,25 × P, W .

В-третьих, рассчитываем площадь радиатора, необходимую для отвода соответствующего количества тепла:

S = 20 × P рас, см 2

В-четвертых, подбираем или изготавливаем радиатор, площадь поверхности которого будет не меньше расчетной.

Этот расчет очень приблизительный, но для радиолюбительской практики его обычно достаточно.Для нашего усилителя с напряжением питания 12 В и сопротивлением переменному току 8 Ом «правильным» радиатором была бы алюминиевая пластина размером 2 × 3 см и толщиной не менее 5 мм для каждого транзистора. Обратите внимание, что более тонкая пластина плохо передает тепло от транзистора к краям пластины. Сразу предупреждаю — радиаторы во всех остальных усилителях тоже должны быть «нормальных» размеров. Какие — посчитайте сами!

Качество звука … Собрав схему, вы обнаружите, что звук усилителя не совсем чистый.

Причина тому — «чистый» режим класса B в выходном каскаде, характерные искажения которого даже обратная связь не в состоянии полностью компенсировать. Ради эксперимента попробуйте заменить в схеме транзистор VT1 на КТ3102ЭМ, а транзистор VT2 на КТ3107Л. Эти транзисторы имеют значительно больший коэффициент усиления, чем КТ315Б и КТ361Б. И вы обнаружите, что звук усилителя значительно улучшился, хотя некоторые искажения все равно будут заметны.

Причина этого также очевидна — более высокий коэффициент усиления усилителя в целом обеспечивает большую точность обратной связи и больший компенсирующий эффект.

Продолжить чтение

В этой статье мы подробно разберем схему лампового усилителя DIY .

SE или несимметричные схемы — это усилители, в которых сигнал усиливается одним усилительным элементом (лампой, транзистором) последовательно на каждом этапе.Эти системы работают в чистом классе A и ценятся многими аудиофилами за их хорошую микродинамику и точность в деталях. Простота также является преимуществом. К недостаткам этих схем относятся: низкая энергоэффективность (класс А), низкий коэффициент усиления, несколько более высокие искажения. Мы представляем здесь схему такого усилителя.

ламповый усилитель

ламповый усилитель стоит не дешево соберите. Но вполне возможно и реальный собрать свои руки.А то, что собирать, собирался не один год. Он во многом лучше полупроводников, а звук теплее. И так, приступим — схема и фотоотчет лампового усилителя своими руками со всеми файлами и описаниями.

Домашний кинотеатр своими руками на лампах

Домашний кинотеатр своими руками на лампах

Для каждого истинного ценителя звука ламповый усилитель говорит о многом, но последней модой стало создание полноценного многоканального лампового усилителя.домашний кинотеатр … Поверьте, с экраном 32 «эффект просто потрясающий! Берем классическую несимметричную схему, с параллельным включением ламп на выходе для увеличения выходной мощности. Усилитель работает по классу» А » », что обеспечивает максимальное качество звука. На входе можно использовать лампы — 6Н1П, 6Н2П, 6Н23П; на выходе — 6П14П, 6П15П, 6П43П, 6П3С — короче богатого.

Другой усилитель TDA низкой чистоты

DIY усилитель низкой частоты на tda

Этот усилитель хорошо подходит для сборки и для тех, кто недавно увлекся радиотехникой, освоил технологию нанесения дорожек на плату и ее травления.

Усилитель собран на микросхеме tda7377 и ne555.

Pout — максимум 20 Вт на канал.
Выходная мощность позволяет вам наслаждаться любимыми треками.

DIY фильтр нижних частот

фильтр нижних частот для сабвуфера — схема


Все мы знаем, что низкочастотная головка сабвуфера без каких-либо фильтров при подключении к усилителю мощности будет просто работать как обычный динамик, конечно, отлично воспроизводя низкие частоты, но без фильтров низких частот хороший сабвуфер не собрать.

DIY ламповый усилитель 50 Вт


Добрый вечер всем любителям звука радиоламп! На сайте много хороших схем усилителей звука, так что опубликую версию своего моно-ЛАНЧА. Его собирали долго, почти целый год я периодически брался за проект и постепенно доделывал, и вот, наконец, пришло время представить на ваш суд финальную версию. Назначение: рассчитано использование канала сабвуфера.

DIY ламповый усилитель для гитары

DIY ламповый усилитель для гитары

Недавно возникла необходимость собрать простой УНЧ для гитары , для которой стандарт ЛАНЧ по схеме с использованием ламп типа 6н23п и 6п14п.

DIY гибрид ULF

DIY гибрид ULF

По многочисленным просьбам радиолюбителей приношу улучшенную и более полную схему гибридного УНЧ с подробным описанием , списком деталей и схемой питания. Лампа на входе схемы гибридного УНЧ 6Н6П была заменена на 6Н2П … Можно также поставить в этом блоке и более распространенные в старых лампах 6Н23П. Полевые транзисторы взаимозаменяемы с другими аналогичными — с изолированным затвором и током стока от 5А и выше.

Variable R1 — 50 кОм — качественный переменный резистор для регулятора громкости. Можно поставить до 300кОм, ничего не испортится. Обязательно проверьте регулятор на предмет шороха и неприятного трения при вращении. В идеале вам следует использовать WG ALPS — японскую компанию, которая производит регуляторы качества. Не забываем про регулятор баланса.

Схема лампового усилителя

Лампа унч своими руками

Ламповые усилители становятся все более популярными среди любителей звука.От транзисторных они отличаются и качеством, и более эстетичным ретро-стилем.

Представлена ​​на фото лампочка УНЧ не сложно своими руками .

Автор решил собрать УМЗЧ по двухтактной схеме на лампах 6П6С. Сразу скажу, что звук действительно хороший, хотя долго вдумчиво не слушал. Мощности хватает для глаз, хотя убрать фон было сложно, особенно в правом канале.Собрал по прилагаемой схеме, только выпрямитель сделал на 5Ц3С , после конденсатора кенатрона 47 мкФ, на каждый канал свой дроссель Д21, после каждого дросселя 330 мкФ емкости и еще немного гудит.

DIY усилитель для K174UN14

DIY усилитель для K174UN14

Данный усилитель прост в сборке, узч по схеме собран на довольно известной микросхеме к174ун14 , которая также является аналогом импортной микросхемы tda2003 .

Собрать эту схему могут даже новички в радиотехнике. И так далее смотрим характеристики и саму схему присланного Айдаром Галимовым устройства

Уверен, многие из вас недовольны хрипом и искажением от несерьезных китайских компьютерных колонок … Я пробовал подключить к компьютеру несколько вариантов такой акустики, но ни один из них не подошел мне ни по качеству звука, ни по функционалу, и самое главное в плохом дизайне. Так что мне пришлось попробовать что-то сделать самому.Более того, современные микросхемы позволяют паять действительно хорошие УНЧ характеристики всего за один вечер. Все электронные мелочи были найдены дома, закуплены только микросхемы усилителя и переключатели с гнездами для наушников.

Мощный усилитель 2х25 Вт, выполненный на микросхеме TDA7265 — это основной УНЧ. Подробное описание микросхем скачать здесь.


Это небольшой, относительно маломощный УНЧ для наушников 2х5 Вт. Его превосходство, конечно, очевидно, по крайней мере, с точки зрения выходной мощности.Но сделал это не только для ушей, а больше для удобства использования. Ведь для того, чтобы подключить наушники с толстым штекером Jack 6,3 мм, с переходниками будет много сложностей, не говоря уже о том, что они не могут полноценно и с достойным качеством прокачаться слабым усилителем.


Часто внешний вид покупных китайских динамиков оставляет желать лучшего и их хочется просто положить под стол, чтобы их не видеть. Но тогда включать их будет неудобно.Этот усилитель, собранный своими руками и на свой вкус, разместится на видном удобном месте на столе, являясь своеобразным украшением, поэтому все розетки, регуляторы и кнопки УНЧ будут под рукой. Подсветка при желании отключается кнопкой на тыльной стороне УНЧ, чтобы не мешала пользоваться компьютером в темноте, но после очередного включения усилителя автоматически включается снова.


Корпус для УНЧ был изготовлен из ДСП, после чего его тщательно очистили и выкрасили в серьезный черный цвет.

Я хотел сделать индикатор похожим на индикаторы известных брендовых усилителей.


Регулятор выполнен классический — большой круглый, и уж точно не кнопочный. Чтобы при вращении было ощущение, что это вещь, а не какой-то дешевый игрушечный хлам. На энкодере регулировка пропала сама собой, нужна была подсветка положения на ручке, а бесконечно крутить проволокой не получилось бы. Поэтому решил сделать стабилизатор с переменным резистором.


Опоры для самодельных УНЧ решено было сделать в классическом стиле радиоаппаратуры — никелированным, но с небольшой изюминкой в ​​стиле хай-тек. У основания ног используется синяя подсветка. Как видно на фотографиях, это делается с помощью залитых синим светом светодиодов у основания ножек.


На передней панели УНЧ расположены: сетевой выключатель, выключатель переменного тока, постоянный сигнал на наушники, независимо от того, включены динамики или нет — это тоже часть задуманного плана.Усилителя с такой схемой сейчас не найти, даже серьезные дорогие усилители делаются по принципу «подключили наушники, а на динамик нет сигнала», а раньше все усилители делались по этой схеме. Для меня такая схема раздачи сигналов очень актуальна.

Предлагаю начинающим любителям качественного воспроизведения звука одну из разработанных и испытанных УНЧ схем. Эта конструкция поможет создать высококачественный усилитель, который можно модифицировать с минимальными затратами, и использовать усилитель для исследований схемотехники.

Это поможет на пути от простого к сложному и более совершенному. К описанию прилагаются файлы печатных плат, которые можно трансформировать под конкретный корпус.

В представленной версии использован корпус от Радиотехники У-101.

Этот усилитель мощности я разработал и изготовил в прошлом веке из того, что можно было без труда купить. Я хотел сделать конструкцию с максимально возможным соотношением цены и качества. Это не High-End, но и не третий класс.Усилитель имеет качественный звук, отличную повторяемость и прост в настройке.

Принципиальная схема усилителя

Схема полностью сбалансирована для положительной и отрицательной полуволн низкочастотного сигнала. Входной каскад выполнен на транзисторах VT1 — VT4. От прототипа отличается транзисторами VT1 ​​и VT4, повышающими линейность каскадов на транзисторах VT2 и VT3. Существует много типов схем входного каскада с различными преимуществами и недостатками.Этот каскад был выбран из-за его простоты, возможности снижения нелинейности амплитудных характеристик транзисторов. С появлением более совершенных схем входного каскада его можно заменить.

Сигнал отрицательной обратной связи (NFB) снимается с выхода усилителя напряжения и поступает в эмиттерные цепи транзисторов VT2 и VT3. Отказ от общего OOS обусловлен желанием избавиться от влияния на OOS всего лишнего, что не является выходным сигналом схемы.В этом есть свои плюсы и минусы. При такой конфигурации это оправдано. С более качественными компонентами вы можете попробовать разные типы обратной связи.

В качестве усилителя напряжения была выбрана каскодная схема, которая имеет большой входной импеданс, небольшую пропускную способность и меньшие нелинейные искажения по сравнению со схемой OE. Недостатком каскодной схемы является меньшая амплитуда выходного сигнала. Это цена за меньшее искажение. Если установить перемычки, то схему ОЕ тоже можно собрать на печатной плате.Питание усилителя напряжения от отдельного источника напряжения не вводилось из-за стремления упростить конструкцию УНЧ.

Выходной каскад представляет собой параллельный усилитель, который имеет ряд преимуществ перед другими схемами. Одним из важных преимуществ является линейность схемы со значительным разбросом параметров транзисторов, что было проверено при сборке усилителя. Этот каскад должен быть по возможности более линейным. общего ООС нет и от него зависит качество выходного сигнала усилителя.Напряжение питания усилителя 30 В.

Конструкция усилителя

Разработаны печатные платы для «доступных» корпусов усилителей Радиотехники У-101. Я разместил схему на двух частях печатной платы. В первой части, которая крепится к радиатору, размещены «параллельный» усилитель и усилитель напряжения. На второй части платы находится входной каскад. Эта доска крепится к первой доске с помощью уголков. Такое разделение платы на две части позволяет улучшить усилитель с минимальными изменениями конструкции.Кроме того, такую ​​схему можно использовать и для лабораторных исследований каскадов.

Необходимо собрать усилитель в несколько этапов. Сборка начинается с параллельного усилителя и его настройки. На втором этапе собирается и настраивается остальная часть схемы и проводится окончательная минимизация искажений схемы. При размещении транзисторов выходного каскада на радиаторе необходимо помнить о необходимости теплового контакта корпусов транзисторов VT9, VT14 и VT10, VT13 попарно.

Печатные платы спроектированы с использованием Sprint Layout 6, что позволит вам регулировать размещение элементов на плате, то есть настраивать для конкретной конфигурации или корпуса. Смотрите архивы ниже.

Детали усилителя

Параметры усилителя зависят от качества используемых радиоэлементов и их расположения на плате. Применяемые схемные решения позволяют обойтись без выбора транзисторов, но желательно использовать транзисторы с предельной частотой усиления от 5 до 200 МГц и запасом предельного рабочего напряжения более чем в 2 раза по сравнению с питанием. напряжение ступени.

Если есть желание и возможность, то транзисторы желательно выбирать по принципу «комплементарности» и одинаковых усилительных характеристиках. Пробовали варианты изготовления с подбором транзисторов и без. Вариант с выбранными «комплементарными» отечественными транзисторами показал значительно лучшие характеристики, чем без выбора. Лишь КТ940 и КТ9115 из отечественных транзисторов комплементарны, остальные имеют условную комплементарность. Среди зарубежных транзисторов очень много комплементарных пар, информацию об этом можно найти на сайтах производителей и в справочниках.

В качестве VT1, VT3, VT5 можно использовать транзисторы серии КТ3107 с любыми буквами. В качестве VT2, VT4, VT6 можно использовать транзисторы серии КТ3102 с буквами, которые имеют характеристики, аналогичные тем, которые используются транзисторами для другой полуволны звукового сигнала. Если возможен подбор транзисторов по параметрам, то лучше это сделать. Практически все современные тестеры позволяют это делать без проблем. При больших отклонениях времени на настройку будет больше, а результат скромнее.Для VT6 подходят транзисторы КТ9115А, КП960А, а для VT7 — КТ940А, КП959А.

Транзисторы КТ817В (Г), КТ850А можно использовать как VT9 и VT12, а КТ816В (Г), КТ851А как VT10 и VT11. Для VT13 подходят транзисторы КТ818В (Г), КП964А, а для VT14 — КТ819В (Г), КП954А. Вместо стабилитронов VD3 и VD4 можно использовать два последовательно соединенных светодиода AL307 и т.п.

Схема позволяет применять другие детали, но может потребоваться коррекция печатной платы. Конденсатор С1 может иметь емкость от 1 мкФ до 4 мкФ.7 мкФ и должен быть полипропиленом или другим, но качественным. Информацию об этом можно найти на сайтах любительского радио. Напряжение питания, входные и выходные сигналы подключаются с помощью печатных клемм.

Настройка усилителя

При первом включении УНЧ он должен быть подключен через мощные керамические резисторы (10 — 100 Ом). Это убережет элементы от перегрузки и выхода из строя в случае ошибки установки. На первой части платы УНЧ ток покоя (150-250 мА) задается резистором R23 при отключенной нагрузке.Далее необходимо установить отсутствие постоянного напряжения на выходе усилителя при подключении фиктивной нагрузки. Это делается изменением номинала одного из резисторов R19 или R20.

После установки остальной части цепи установите резистор R14 в среднее положение. На эквивалентной нагрузке проверяется отсутствие возбуждения усилителя и устанавливается резистор R5 на отсутствие постоянного напряжения на выходе усилителя. Усилитель можно считать статически настроенным.

Для установки в динамическом режиме последовательная RC-цепь подключается параллельно фиктивной нагрузке. Резистор мощностью 0,125 Вт номиналом 1,3-4,7 кОм. Неполярный конденсатор 1-2 мкФ. Параллельно конденсатору подключаем микроамперметр (20-100 мкА). Затем, подав на вход усилителя синусоидальный сигнал частотой 5-8 кГц, через осциллограф и вольтметр, подключенный к выходу переменного тока, необходимо оценить порог насыщения усилителя.После этого понижаем входной сигнал до уровня 0,7 от насыщения и резистором R14 добиваемся минимального показания микроамперметра. В некоторых случаях для уменьшения искажений на высоких частотах необходимо заранее провести фазовую коррекцию, установив конденсатор С12 (0,02-0,033 мкФ).

Конденсаторы C8 и C9 выбраны для лучшей передачи импульсного сигнала 20 кГц (при необходимости устанавливаются). Конденсатор С10 можно не ставить, если схема устойчива. Изменяя номинал резистора R15, устанавливают одинаковое усиление для каждого из каналов стерео или многоканальной версии.Изменяя значение тока покоя выходного каскада, можно попытаться найти наиболее линейный режим работы.

Оценка звука

В сборе усилитель очень хороший звук. Длительное прослушивание усилителя не приводит к «утомлению». Конечно есть усилители получше, но по соотношению цена / качество схема понравится многим. Используя лучшие детали и их выбор, вы можете добиться еще более значительных результатов.

Ссылки и файлы

1. Кинг В., «УМЗЧ с компенсацией нелинейности амплитудных характеристик» — Радио, 1989, №1.12, стр. 52-54.

09.06.2017 — Исправлена ​​схема, перезагружены все архивы.
▼ 🕗 06.09.17 ⚖️ 24,43 Кб ⇣ 17 Привет, читатель! Меня зовут Игорь, мне 45 лет, я сибиряк, заядлый электронщик-любитель. Я придумал, создал и поддерживаю этот замечательный сайт с 2006 года.
Более 10 лет наш журнал существует исключительно за мой счет.

Хорошо! Халява закончилась. Если вам нужны файлы и полезные статьи — помогите!

РУКОВОДСТВО ПО СБОРКЕ ERICA SYNTHS SUPER-ENHANCED POLIVOKS VCO

Лаборатория усилителя для наушников Altoids Tin

Altoids Tin Headphone Amplifier Lab Michigan State University AEE / IEEE Шаг 1: Необходимые детали В таблице 1 приведен полный список деталей, необходимых для выполнения этого проекта.На рисунке 1 показано изображение

. Подробнее

Лабораторная работа № 2: Конденсаторы и таймер 555.

1 Введение Лабораторная работа № 2: Конденсаторы и таймер 555 Целью этой лабораторной работы является ознакомление с конденсаторами, выполняющими их роль элементов схем синхронизации, и преобразование аналогового колебания в цифровое колебание

Подробнее

Введение 1 Блок-схема 1

Electric Druid VCLFO Введение 1 Блок-схема 1 Характеристики 2 Самая быстрая частота LFO около 12.8 Гц 2 Самая низкая частота LFO около 0,05 Гц 2 Выходное разрешение 10-битного LFO 2 Частота дискретизации 19,5 кГц

Подробнее

Транзисторные усилители

Physics 3330 Эксперимент № 7, осень 1999 г. Транзисторные усилители Назначение Целью этого эксперимента является разработка биполярного транзисторного усилителя с коэффициентом усиления минус 25. Усилитель должен принимать входной сигнал

Подробнее

3TrinsRGB + 1c Руководство V1 2013/2014

3TrinsRGB + 1c Руководство, версия 1, 2013/2014 3TrinsRGB + 1c — аналоговый аудио-видео синтезатор с микросхемой HEF40106 в качестве источника генератора.Причина использования этой микросхемы в том, что ее часто используют люди, только начинающие

. Подробнее

Лабораторная работа 9: Назначение в лаборатории операционных усилителей.

3 учебных дня 1. Дифференциальный усилитель Источник: Практическая работа, глава 8 (~ HH 6.1) Лабораторная работа 9: Лабораторное задание операционных усилителей Дифференциальный усилитель. Части горшка по обе стороны от слайдера служат R3 и R4.

Подробнее

Глава 5 Системное время

Светодиодный осциллограф, Часть 2 Глава 5: Страница 1 L.E.D. Осциллограф Изучите электронику на практике. Теория — вещь довольно тонкая, пока ее не смешивают с опытом. Подробнее

MMT8 DC аккумуляторный модуль питания

Модуль питания постоянного тока MMT8 Автор Graham Meredith 2007 Эта модификация позволяет вам запускать MMT8 от блока питания постоянного тока 12 В, который гораздо более распространен и доступен, чем блок питания переменного тока 9 В, который обычно

Подробнее

Эксперимент № (7) Модулятор FSK

Факультет инженерии Исламского университета Газы Электротехнический факультет Эксперимент № (7) Лаборатория цифровой связи модулятора FSK.Подготовлено: Eng. Мохаммед К. Абу Фол Цели эксперимента: 1. Понять

Подробнее

Жидкий хай-хет v1.1

Liquid High Hat v. Разработан Риком Джоном Миллером. Реализация печатной платы Thekreator и инструкции выполнены с помощью шестнадцатеричного инвертора. Liquid High Hat — это источник шума, управляемый напряжением. Может использоваться для высоких головных уборов

Подробнее

Модуль Noise Swash 4 мс

4ms Noise Swash Module Kit Builder’s Guide for PCB v1.3.1 Модуль Noise Swash в формате Eurorack Это руководство предназначено для создания модуля Swash 4 мс в формате Eurorack. В комплект входят все необходимые детали.

Подробнее

Глава 3 Широтно-импульсный модулятор

Глава 3 Широтно-импульсный модулятор Широтно-импульсный модулятор 3-1: Задачи учебной программы 1. Реализовать широтно-импульсный модулятор с использованием µa741. 2. Разобраться в характеристиках и принципиальной схеме LM555.

Подробнее

Усилители на биполярных транзисторах

Physics 3330 Эксперимент № 7 Осень 2005 г. Усилители на биполярных транзисторах Назначение Целью этого эксперимента является создание усилителя на биполярных транзисторах с коэффициентом усиления минус 25 по напряжению. Усилитель должен быть

Подробнее

OP AMP -, рисунок 1

Усилители OP AMP, как правило, принимают на входе один или несколько электрических сигналов и выдают на выходе одну или несколько вариаций этих сигналов.Чаще всего к усилителю используют небольшой

Подробнее

Сборка и руководство пользователя

Регулируемая электронная нагрузка на 1 ампер Макс. 30 В, 1 ампер, 20 Вт Питание от: 9-вольтовой батареи Сборка и руководство пользователя Пико-нагрузка — это удобная нагрузка с постоянным током для тестирования батарей и источников питания. Цифровой

Подробнее

ТАБЛИЧНЫЙ КОМПЛЕКТ ТАЙМЕРА 555

ОСНОВНАЯ ИНФОРМАЦИЯ ИНСТРУКЦИИ ПО СОЗДАНИЮ ПРОВЕРКА ПЕЧАТНОЙ ПЛАТЫ И ПОИСК НЕИСПРАВНОСТЕЙ МЕХАНИЧЕСКИХ ДЕТАЛЕЙ КАК РАБОТАЕТ КОМПЛЕКТ ИССЛЕДУЙТЕ ЧИП ТАЙМЕРА 555 С ЭТИМ НАБОРОМ ТАЙМЕРА 555 Версия 2.0 Инструкции по сборке

Подробнее

Операционный усилитель — IC 741

Операционный усилитель — IC 741 Tabish, декабрь 2005 г. Цель: изучить работу операционного усилителя 741 путем проведения следующих экспериментов: (a) Измерение входного тока смещения (b) Входное смещение

Подробнее

Таймер 555: формирование формы волны

Таймер 555: формирование формы волны Введение: генераторы повсеместно используются не только в исследовательской среде, но и в нашем современном технологически ориентированном обществе.Генераторы используются для связи, тайминги

Подробнее

Wiard GR-341 Classic VCO Rev:

Wiard GR-341 Classic VCO Rev: 031001 Classic VCO Генератор напряжения управления звуком 5 форм сигналов со скоростью звука В низком диапазоне действует как LFO, огибающая AR Одна цепь — Процессор VCO1 VCA управляет амплитудой,

Подробнее

Синтезатор частоты с ФАПЧ

ЛАБОРАТОРНОЕ УПРАЖНЕНИЕ 4 АНАЛОГОВОЙ И ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ Лабораторное занятие 4: Синтезатор частоты с ФАПЧ 1.1 Цель Целями этого лабораторного упражнения являются: — Проверить поведение системы ФАПЧ и всей системы ФАПЧ — Найти захват

Подробнее

Как сделать стерео предусилитель

Описание Quasar kit No. 1215 является частью новой линейки конструкций, которые в совокупности образуют полноценную стереосистему. Линия состоит из следующего набора KITS Quasar Kit No 1214, стерео селектор на 6 входов Quasar

. Подробнее

ИНСТРУКЦИЯ ПО СТРОИТЕЛЬСТВУ

etap2hw 38 мм интерфейс I2C к ЖК-дисплею ИНСТРУКЦИИ ПО СОЗДАНИЮ Октябрь 2013 г., стр.Verbruggen Rev 1.01 15-Oct-13 Страница 1 Содержание Глава 1 Общая информация 1.1 Меры предосторожности от электростатического разряда 1.2 Дополнительные принадлежности 1.3

Подробнее

Ljunggren Audio Roll Ваш собственный секвенсор VC

Ljunggren Audio Roll Your Own VC Sequencer Версия: VC Sequencer 1.5 TH Для предыдущей версии 1.2: http://ljunggrenaudio.com/products/vcseq/vcsequencer1.2.pdf Для предыдущей версии 1.3: http://ljunggrenaudio.com/products/ vcseq / vcsequencer1.3.pdf

Подробнее

Лабораторная работа 3. Транзисторы и логические вентили.

Лабораторная работа 3. Транзисторы и логические вентили. Лабораторная инструкция. Сегодня вы узнаете, как использовать транзистор для усиления слабого сигнала переменного тока, а также использовать его в качестве переключателя для построения цифровых логических схем. Введение

Подробнее

Основы цифровых технологий

Основы цифровых технологий Десятое издание Глава 1 Флойда, 2009 г., Pearson Education, Upper 2008 Pearson Saddle River, Education NJ 07458.Все права защищены. Аналоговые величины. Наиболее естественные величины, которые мы видим.

. Подробнее

Операционные усилители

Рациональные усилители. Рациональные усилители Рациональные усилители (обычно известные как операционные усилители) — это интегральные схемы, разработанные для усиления малых напряжений (или токов) до приемлемых уровней. Физическая упаковка

Подробнее

Электронные весы

Цели изучения электронных весов К концу этого лабораторного эксперимента экспериментатор должен уметь: Объяснять, что такое операционный усилитель и как его можно использовать для усиления сигнала

Подробнее

Конструкция усилителя класса А

Модуль 2 Усилители. Введение в конструкцию усилителя. Что вы узнаете из Модуля 2.Базовый процесс проектирования. Раздел 2.0 Введение в конструкцию усилителя. Раздел 2.1 Условия постоянного тока. Разработайте BJT класс A common

Подробнее

ГЕНЕРАТОР ФУНКЦИЙ ПК

ГЕНЕРАТОР ФУНКЦИЙ ПК Создавайте стандартные волны сигнала, например доступны синус, треугольник и прямоугольник; другие синусоидальные волны можно легко создать с помощью интегрированного программного обеспечения. Всего точек пайки: 954 Сложность

Подробнее

Глава 13: Компараторы

Глава 13: Компараторы До сих пор мы использовали операционные усилители в их нормальном, линейном режиме, где они следуют Золотым правилам операционных усилителей (отсутствие входного тока на любой из входов, отсутствие разницы напряжений между входами).

Подробнее

Инфракрасный ШИМ-приемник

Лабораторное руководство ECE 2C 5 Обзор инфракрасного ШИМ-приемника В этой лабораторной работе вы создадите схему приемника, которая дополнит плату ШИМ-передатчика, которую вы собрали на прошлой неделе. Этот приемник обнаруживает, усиливает,

Подробнее

ГЛАВА 11: Вьетнамки

ГЛАВА 11: Триггеры В этой главе вы создадите часть схемы, которая управляет последовательностью команд.Требуемая схема должна управлять счетчиком и микросхемой памяти. Когда учат

Подробнее

Глава 19 Операционные усилители

Глава 19 Операционные усилители Операционный усилитель, или операционный усилитель, является основным строительным блоком современной электроники. Операционные усилители появились еще в первые дни создания электронных ламп, но стали обычным явлением только

. Подробнее

Светодиоды и датчики: аналого-цифровые

Светодиоды и датчики: от аналогового к цифровому В прошлом уроке мы использовали переключатели для создания входа для Arduino, и через микроконтроллер входы управляли нашими светодиодами во время игры с Саймоном.В этом уроке

Подробнее

Дизайн-проект: силовой инвертор

Проектный проект: инвертор мощности Этот рабочий лист и все связанные файлы находятся под лицензией Creative Commons Attribution License, версия 1.0. Чтобы просмотреть копию этой лицензии, посетите http://creativecommons.org/licenses/by/1.0/,

. Подробнее

Широтно-импульсная модуляция

Широтно-импульсная модуляция Широтно-импульсная модуляция (ШИМ) — это метод, в котором для управления аналоговой схемой используется серия цифровых импульсов.Длина и частота этих импульсов определяют всего

Подробнее

КАРМАННЫЙ АУДИОГЕНЕРАТОР K8065

КАРМАННЫЙ АУДИОГЕНЕРАТОР K8065 Отличное маленькое устройство для сервисного ремонта, тестирования, обучения и т.д. Подробнее

Комплект громкоговорителей DIY — Руководство

Комплект громкоговорителей «сделай сам» — ручная технология спасет нас ДОБРО ПОЖАЛОВАТЬ В РУКОВОДСТВО ПО ДИНАМИКУ «Сделай сам» Этот набор для самостоятельного изготовления поставляется с специально разработанным усилителем под названием Uber Amp 9000 и всеми компонентами, необходимыми для изготовления

Подробнее

ТЕХНИЧЕСКОЕ ОБСЛУЖИВАНИЕ И РЕГУЛИРОВКА

ТЕХНИЧЕСКОЕ ОБСЛУЖИВАНИЕ И НАСТРОЙКА Теория схем Концепция синтеза частот системы ФАПЧ не является недавней разработкой, однако прошло совсем немного времени с тех пор, как цифровая теория была соединена с

.

alexxlab

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *