Site Loader

Транзистор IRFZ44N: характеристики, datasheet, аналоги, распиновка

Как пишут производители в технических характеристиках на IRFZ44N, этот МОП-транзистор построен на кремниевой основе и имеет индуцированный n-канал и изолированный затвор. Его рекомендуется использовать в низковольтных блоках питания, стабилизаторах и схемах управления электрическими двигателями. Отличается низкой скоростью переключения.

Цоколевка

IRFZ44N изготавливается в корпусе ТО-220. Данный корпус является стандартным для транзисторов мощностью до 50 Вт. Самая левая ножка является затвором, посередине расположен сток, а справа исток. Увидеть расположение ножек можно на рисунке.

Технические характеристики

Производители, чаще всего, помещают максимально допустимые значения в начале своей технической документации. В них приведены предельные режимы эксплуатации, превышение которых приведёт к выхожу прибора из строя. Тестирование проводится при температуре +25°С.

Приведём характеристики для IRFZ44N:

  • длительный ток стока
  • при температуре +25°С Ic max = 49 А;
  • при температуре +100°С Ic max = 35 А.
  • кратковременный ток стока Icи max = 35 А;
  • мощность Рс max = 94 Вт;
  • линейный к-т снижения мощности 0,63 Вт/°С;
  • напряжение насыщения З – И Uзи = ±20 В;
  • лавинный ток Iл = 25 А;
  • пиковое диодное восстановление dv/dt = 5 В/нс;
  • температура кристалла Тj = 175°С;
  • рабочая температура Tamb = от -55 до +175°С;
  • температура хранения Tstg = от -55 до +175°С;
  • тепловое сопротивление кристалл корпус RθJC = 1,4 °С/Вт;
  • тепловое сопротивление кристалл радиатор RθCS = 0,5 °С/Вт;
  • тепловое сопротивление кристалл воздух RθJА = 62 °С/Вт.

Теперь перейдём к рассмотрению электрических характеристик. Для IRFZ44N производители выделили отдельный раздел, который показывает исток-сток показатели диода. Все измерения, как и для предельных значений, производились при температуре +25°С. Другие параметры проведения тестирования находятся в колонке «Условия измерения» в приведённой ниже таблицы.

Электрические (при Т = +25 оC)
ПараметрыУсловия измеренияОбозн.
minТип.maxЕд. изм
Напряжение пробоя С — ИIc = 250мкА, Uзи = 0Uси(проб.)55В
Температурный к-т напряжения пробояΔ Uси(проб.) /ΔTjIc=1мА0,058В/°С
Сопротивление С — И открытого транзистораIc = 25А, Uзи = 10ВRси(вкл)17,5мОм
Пороговое напряжение затвораIc = 250мкА, Uси= UзиUзи(пор.)24В
Проводимость в прямом направлении
Ic = 25А, Uси = 25В
Gпр.19S
Ток утечки сток-истокUси = 55ВIc ут.25мкА
Uси = 55В, TJ = 150°C250нА
Ток утечки затвор-истокUзи=20ВIз ут.100нА
Ток утечки затвор-исток обратныйUзи=-20ВIз ут.-100нА
Заряд затвораIc=28А, Uси=44В, Uзи=10В
63нКл
Заряд затвор-исток14нКл
Заряд затвор-сток23нКл
Время задержки выключенияUс=28В, Ic=25А,  

Rз=12ом, Uзи=10В

12нс
Время нарастания60нс
Время задержки выключения44нс
Время спада47нс
Индуктивность cтокаLc4,5нГн
Индуктивность иcтока7,5нГн
Ёмкость входаUзи=0В, Uси=25В, f=1МГцСвх.1470пФ
Ёмкость выходаСвых.360
Обратная ёмкостьСос88
Энергия лавины моноимпульсаI AS =25А, L=0.47мГнE AS530150мДж
Исток-сток:
Непрерывный ток истока (диод)49А
Импульсный ток истока (диод)Iи им160А
Прямое напряжение диодаIC = 25 A, Uзи = 0 В,

TJ = 25°C

Uид1,3В
Время восстановления при переключении в обратном направленииIд = 25 А, TJ = 25°C, di/dt =100мксtвост.95нс
Заряд обратного восстановленияQобр.вост.170260нКл

Аналоги

МОП-транзисторов полностью совпадающих по всем значениям с IRFZ44N не существует. Перечислим наиболее подходящие по параметрам устройства: BUZ102, IRFZ45, irfz44n IRFZ40, IRF3205, STP45NF06, STP50N06, IRLZ44Z, STP55NF06. Помните, что перечисленные транзисторы не являются полными аналогами, поэтому перед заменой нужно изучить характеристики обеих приборов.

Производители

Среди крупных производителей IRFZ44N (datasheet по ссылки) можно назвать следующие компании:

  • International Rectifier;
  • Inchange Semiconductor Company;
  • NXP Semiconductors;
  • Kersemi Electronic;
  • First Components International;
  • Suntac Electronic;
  • Thinki Semiconductor;
  • TRANSYS Electronics;
  • Tiger Electronic.

Наиболее часто в отечественных магазинах встречаются изделия International Rectifier.

IRFZ44N to-220 | Полевые транзисторы

Транзистор IRFZ44 (IRFZ44N, IRFZ44NPBF)

IRFZ44N мощный полевой трензистор, имеет низкую емкость затвора, напряжение открытия. Используется в промышленной, бытовой аппаратуре и конструкциях Arduino.

 

Параметры и характеристики

  • Напряжение сток-исток Uси (max): 60В
  • Ток сток-исток при 25 С  Iси (max): 50А
  • Напряжение затвор-исток Uзи  (max): ±20В
  • Сопротивление канала в открытом состоянии Rси: 28 мОм
  • Рассеиваемая мощность Pси  (max): 110Вт
  • Крутизна характеристики : 15S
  • Пороговое напряжение на затворе: 4В
  • Корпус: TO-220AB, TO-220FP, TO-263

 

Аналог  IRFZ44N

  • HUF75329P3
  • 2SK1879 (ближайший аналог)
  • BUZ102 (ближайший аналог)
  • IRFZ40 (ближайший аналог)
  • STP45NF06 (ближайший аналог) 

  

Особенности
  • Advanced Process Technology
  • Ultra Low On-Resistance
  • Dynamic dv/dt Rating
  • 175°C Operating Temperature
  • Fast Switching
  • Fully Avalanche Rated
Код товара :M-148-2043
Обновление:2023-05-24
Тип корпуса :TO-220

 

 

Дополнительная информация:

Обратите внимание, что транзисторы одной марки могут иметь различный тип корпуса (исполнение), поэтому смотрите картинку и параметры корпуса.

На нашем сайте опубликованы только основные параметры и характеристики. Полная информация о том как проверить IRFZ44N to-220, чем его заменить, схема включения, отечественный аналог, цоколевка, полный Datasheet и другие данные по этому транзистору, может быть найдена в PDF файлах раздела DataSheet и на сайтах поисковых систем Google, Яндекс и тд.

 

В магазине указаны розничные цены. Для оптовиков, мы готовы предложить оптовые цены (скидки), в этом случае, присылайте ваш запрос на наш емайл, мы отправим вам коммерческое предложение.

 

*** тэги, это текстовые метки, которые формируют сами посетители, для быстрого поиска требуемых компонентов, радиотоваров, инструментов, и тд. Например, добавив метку «ремонт», этот товар будет отображаться в результатах поиска по этому слову. В дальнейшем, достаточно будет нажать на ссылку для вывода списка товаров с этой меткой.

Что еще купить вместе с IRFZ44N to-220 ?

 

Огромное количество электронных компонентов и технической информации на сайте Dalincom, может затруднить Вам поиск и выбор требуемых дополнительных радиотоваров, радиодеталей, инструментов и тд. Следующую информационную таблицу мы подготовили для Вас, на основании выбора других наших покупателей.

 

Сопутствующие товары
КодНаименованиеКраткое описаниеРозн. цена

** более подробную информацию (фото, описание, маркировку, параметры, технические характеристики, и тд.) вы сможете найти перейдя по ссылке описания товара
2043IRFZ44N to-220Транзисторы IRFZ44 (IRFZ44N, IRFZ44NPBF) — Power MOSFET, N-Channel, 55V, 41A, TO-22032 pyб.
1732
Термоусадочная трубка, черная, 3 мм
Термоусадочная трубка SALIPT диаметр 3.0 мм, цвет черный15 pyб.
224PC817C dip-4Оптроны PC817 (аналог PS817C, PS817, PC817, EL817, CD817) — 5кВ 35В 0. 05A, DIP49.5 pyб.
1929NE555P dip-8Микросхемы NE555P — PRECISION TIMER IC, DIP-86.5 pyб.
282TL431 to-92Микросхемы TL431 (TL431A) — Voltage Regulator IC (источник опорного напряжения), TO-929.5 pyб.
2645Жало паяльника 900M-T-4CСменные наконечники (жала) HAKKO 900M-T-4C серии 900M для использования в паяльных станциях типа HAKKO-936, и других видах паяльников, где нагревательный элемент находится внутри жала43 pyб.
1734Термоусадочная трубка, черная, 2 ммТермоусадочная трубка SALIPT диаметр 2.0 мм, цвет черный13 pyб.
2330SRD-12VDC-SL-CРеле электромагнитное SRD-12VDC-SL-C (12В, 10A 250VAC, 1 группа на переключение, размеры 19.2X15.5X15.2mm)43 pyб.
1658Щупы для мультиметра (модель FC-136)Набор из двух прочных универсальных щупов для различных мультиметров (тестеров). Длина провода 1 метр.130 pyб.
3316FQPF12N60CТранзистор FQPF12N60 (FQPF12N60C) — Power MOSFET N-Channel, 12A, 600V, TO-220FP27 pyб.

 

IRFZ44N Спецификация: N-канальный МОП-транзистор для переключения мощных устройств

IRFZ44N МОП-транзистор серии IR

Без сомнения, транзисторы являются одним из основных активных электронных компонентов. Хотя на рынке существует бесчисленное множество транзисторов, в основном их всего два типа. У многих инженеров есть предпочтительный тип ‌; однако между биполярными транзисторами и полевыми транзисторами есть заметные различия.

Основное различие между BJT и FET заключается в том, как они управляются или включаются и выключаются. BJT управляются током, как и их предшественники, электронные лампы, а FET управляются путем подачи напряжения на затвор. BJT также обычно больше и имеют более высокий коэффициент усиления, чем FET. И хотя биполярные транзисторы дешевле, чем полевые транзисторы, они применяются реже.

Среди полевых транзисторов, которые включают полевые транзисторы с переходом (JFET) и полевые транзисторы на основе оксида металла (MOSFETS), MOSFET считаются лучшими для многих приложений. Это связано с их высоким входным сопротивлением и высоким сопротивлением стока. Infineon Technologies является известным производителем этих устройств, таких как IRLZ44N и IRFZ44N, которые относятся к их серии МОП-транзисторов IR.

Для наилучшего использования последнего необходимо использовать техническое описание IRFZ44N и легкодоступные проектные данные САПР.

Особенности и применение полевых МОП-транзисторов серии IR

Полевые МОП-транзисторы серии IR компании Infineon характеризуются следующими особенностями:

  • Оптимальные низкочастотные характеристики
  • Высокая сила тока
  • Стандартная упаковка и распиновка
  • Обширная сеть партнеров по сбыту
  • В частности, IRFZ44NPbF имеет следующие атрибуты:

    • Быстрое переключение
    • Рассчитан на полную лавину
    • Низкое рабочее сопротивление
    • Диапазон температур до 175 °C
    • Бессвинцовый

    Этот усилитель высокой мощности обычно используется в таких различных приложениях, как выключатели нагрузки, системы освещения, импульсные источники питания, инверторы и двигатели постоянного тока. Важные технические характеристики представлены ниже.

    Функциональность и работа IRFZ44N MOSFET

    IRFZ44N присутствует на рынке уже несколько десятилетий. Это связано с его благоприятными параметрами устройства, которые указаны в техническом описании IRFZ44N и показаны ниже.

    Атрибуты и параметры

    Абсолютные максимальные номинальные значения для IRFZ44N

    Ниже приведены электрические характеристики для использования в окружающей среде.

    IRFZ44N электрические характеристики

    IRFZ44N Эксплуатационные характеристики

    Как показано в техническом описании IRFZ44N, выходная характеристика усилителя остается постоянной в широком диапазоне токов.

    Влияние температуры на работу IRFZ44N

    Для защиты устройства и обеспечения безопасной работы необходимо соблюдать указанные ниже ограничения.

    Безопасный рабочий диапазон IRFZ44N

    Оптимальная конструкция с использованием технического описания IRFZ44N

    Использование IRFZ44N дает несколько преимуществ, о чем свидетельствует его долговечность и использование. Однако для наилучшего проектирования техническое описание IRFZ44N должно сопровождаться надежными и точными чертежами САПР, как показано ниже, а также информацией о моделировании и тестировании, доступной в онлайн-библиотеке UL.

    CAD-модели и проектная поддержка для выпрямителя IRFZ44N

    Если вам нужны CAD-модели и/или проектные данные для общих компонентов, таких как техническое описание IRFZ44N, Ultra Librarian поможет, собрав всю исходную и CAD-информацию в одном место. Работа с Ultra Librarian настроит вашу команду на успех, обеспечив оптимизированное и безошибочное проектирование, производство и поиск поставщиков. Зарегистрируйтесь сегодня бесплатно .

    IRFZ44N MOSFET: аналог, распиновка, упаковка, области применения и техническое описание

    Byadharsh Обновлено

    IRFZ44N MOSFET IRFZ44N MOSFET

    IRFZ44N MOSFET спецификация
    • N-канальный MOSFET
    • Напряжение пробоя сток-исток ( В BR ( DSS ) ) равно 55 В
    • Напряжение от затвора к источнику ( В gs ) is +/- 20 В
    • Затвор с пороговым напряжением ( В г (й) ) 2
    • Ток стока ( I d ) 49A
    • Импульсный ток стока ( I DM ) 160A
    • Рассеиваемая мощность ( P D ) 94 Вт
    • Сопротивление сток-исток в открытом состоянии ( R ДС (ВКЛ) ) 032 Ом
    • Ток утечки затвора на корпус ( I GSS ) 100 нА
    • Общий заряд затвора ( Q г ) составляет 63 нКл
    • Время обратного восстановления ( trr ) составляет от 63 до 95 нс
    • Время нарастания ( tr ) 60 нс
    • Термическое сопротивление перехода к корпусу (R th j-c) равно 5℃/Вт
    • Температура перехода ( T J ) находится в диапазоне от от -55 до 175℃

    Распиновка IRFZ44N MOSFET Распиновка IRFZ44N MOSFET
    Номер контакта Имя контакта Описание
    1 Ворота Gate запускает MOSFET-устройство   
    2 Слив  В клемме стока протекал ток в МОП-транзистор  
    3 Источник В источнике терминальный ток вытекает из МОП-транзистора  

     

    Корпус IRFZ44N MOSFET

    В устройстве IRFZ44N MOSFET корпус TO-220C будет использоваться в качестве полупроводникового устройства.

    Корпус TO-220C используется для изготовления эпоксидных и пластиковых материалов, эпоксидный материал обладает хорошей термостойкостью, поэтому они используются в устройствах POWER MOSFET.

    Задняя сторона МОП-транзистора выполнена из металла, который используется для передачи тепла, выделяемого компонентом. Для процесса передачи мы используем радиатор, присоединив его к МОП-транзистору.

    Транзистор AC128

    Описание электрических характеристик МОП-транзистора IRFZ44N

    В этом разделе мы попытаемся объяснить электрические характеристики и области применения МОП-транзистора IRFZ44N.

    Характеристики напряжения

    Характеристики напряжения на клеммах МОП-транзистора IRFZ44N: напряжение пробоя сток-исток составляет 55 В, напряжение затвор-исток составляет 20 В, а пороговое напряжение затвор-исток составляет от 2 до 4 В. Характеристики напряжения на клеммах показывают, что это устройство средней мощности с приложений на устройствах электропитания.

    Характеристики тока

    Характеристики тока IRFZ44N MOSFET: значение тока стока составляет 49 А, импульсный ток стока — 160 А, а ток утечки затвора на корпус — 100 мкА. Значение тока стока показывает максимальную нагрузочную способность устройства.

    Характеристики рассеивания

    Рассеиваемая мощность полевого МОП-транзистора IRFZ44N составляет 94 Вт, это мощность рассеивания или теплоемкость устройства.

    Сопротивление сток-исток в открытом состоянии

    Значение сопротивления сток-исток во включенном состоянии составляет 0,032 Ом, сопротивление МОП-транзистора в открытом состоянии означает общее сопротивление устройства.

    Температура перехода

    Температура перехода этого MOSFET 175℃ .

    Время обратного восстановления (trr)

    Время обратного восстановления полевого МОП-транзистора IRFZ44N составляет от 63 до 95 нс, это время, необходимое для разрядки перед началом проведения.

    IRFZ44N MOSFET ТЕХНИЧЕСКОЕ ОПИСАНИЕ IRFZ44N MOSFET ТЕХНИЧЕСКОЕ ОПИСАНИЕ

    Если вам нужно техническое описание в формате pdf, пожалуйста, нажмите на эту ссылку

    IRFZ44N MOSFET EQUI VALENT

    МОП-транзисторы, такие как IRF2807, IRFB3207, IRFB4710, 2SK2376 и IRF1010A, являются MOSFET эквивалент IRFZ44N.

    Электрические и физические характеристики всех этих МОП-транзисторов одинаковы, поэтому мы можем легко заменить IRFZ44N этими МОП-транзисторами.

    IRFZ44N, IRF2807, IRFZ48

    Ниже приведено сравнение электрических характеристик IRFZ44N, IRF2807 и IRFZ48.

    Характеристики IRFZ44N IRF2807 IRFZ48
    Напряжение пробоя сток-исток (VBR (DSS)) 55 В 75 В 60 В
    Напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В 20 В 20 В
    Пороговое напряжение затвора (Vg(th)) от 2 до 4 В от 4 В от 2 до 4 В
    Ток стока (Id) 49 А 82 А 50 А
    Общий заряд затвора (Qg) 63nC
    Рассеиваемая мощность (PD) 94 Вт 230 Вт 190 Вт
    Температура перехода (ТДж)  175°C 175°C 175°C
    Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (RDS) 0,032 Ом 13 МОм 0,018 Ом
    Время нарастания (tr) 60 нс 64 нс 250 нс
    Пакет ТО-220АБ ТО-220АБ ТО-220АБ

    Почти все электрические характеристики каждого полевого МОП-транзистора одинаковы, в этих трех МОП-транзисторах IRF2807 имеет более высокий ток и рассеиваемую способность.

    Каждый из этих трех полевых МОП-транзисторов в основном используется в источниках питания и высокоскоростных коммутационных устройствах.

    Кривые характеристик IRFZ44N MOSFET Выходные характеристики IRFZ44N MOSFET

    На рисунках показаны выходные характеристики IRFZ44N MOSFET, оба графика показывают, что когда напряжение затвор-исток контролирует ток стока, поскольку каждый раз, когда напряжение затвора увеличивается, сток ток пропорционально.

    Характеристики сопротивления МОП-транзистора IRFZ44N в открытом состоянии

    На рисунке показаны характеристики сопротивления МОП-транзистора IRFZ44N в открытом состоянии, кривая сопротивления в открытом состоянии построена с зависимостью сопротивления сток-исток в открытом состоянии от температуры перехода.

    При постоянных значениях напряжения и тока значение сопротивления во включенном состоянии увеличивается до фиксированного значения.

    Применение IRFZ44N MOSFET
    • Высокоскоростные коммутационные устройства
    • Устройства электропитания
    • Преобразователи
    • Устройства управления двигателем
    • Мостовые схемы

    Похожие сообщения

    МОП-транзистор

    CS630 MOSFET Спецификация, распиновка, ЭКВИВАЛЕНТ, спецификация

    Byadharsh

    CS630 N-канальный МОП-транзистор Спецификация CS630 MOSFET Это N-канальный МОП-транзистор Напряжение сток-исток (Vds) составляет 200 В Напряжение затвор-исток (Vgs) составляет 30В От затвора до порогового напряжения…

    Подробнее CS630 MOSFET Лист данных, распиновка, ЭКВИВАЛЕНТ, спецификацияПродолжить

    МОП-транзистор

    IRFP240 MOSFET: распиновка, аналог, спецификация, даташит

    Byadharsh

    IRFP240 MOSFET Спецификация IRFP240 IRFP240 представляет собой кремниевый затвор с улучшенным N-канальным режимом POWER MOSFET устройство Напряжение сток-исток (VDS) составляет 200 В Напряжение затвор-исток (VGS) составляет +/- 20 В Затвор… Подробнее IRFP240 MOSFET: распиновка, эквивалент, спецификация, техническое описаниеПродолжить

    МОП-транзистор

    IRF634 MOSFET: аналог, распиновка, спецификация, техническое описание

    Byadharsh

    alexxlab

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *