характеристики, аналоги, цоколевка и datasheet

По своим техническим характеристикам D1555 является биполярным n-p-n транзистором с демпфирующим диодом. Это мощное устройство, способное выдерживать высокое напряжение, также отличающийся скоростью переключения. Обычно он используется в срочной развёртке телевизоров с ЭЛТ.

Цоколевка

Изготавливают 2SD1555 в корпусе ТО-3P(N)IS. Часто при нанесении маркировки производители пропускают первую цифру и следующую за ней букву «2S» и оставляют надпись «D1555». Выводы расположены в следующем порядке, если смотреть на устройство прямо на маркировку, ножки при этом должны быть повёрнуты вниз: база, коллектор и эмиттер.

В маркировке этого транзистора первые символы «2S» определяют тип устройства, буква «D» говорит что он имеет структуру n-p-n и рассчитан на работу в низкочастотных схемах, а цифры «1555» указывают на его серийный номер.

Технические характеристики

Все приведённые значения измерялись при температуре +25°С если не наказано другого. Рассмотрение начнём с предельно допустимых характеристик D1555:

• напряжение К-Б U_{кб max} = 1500 В;
• напряжение К-Э U_{кэ max} = 600 В;
• напряжение Э-Б U_{эб max} = 5 В;
• постоянный ток коллектора I_{к max} = 5 А;
• пиковый ток коллектора I_{Б max} = 2,5 А;
• мощность, рассеиваемая на коллекторе Р_{к max} = 50 Вт;
• диапазон рабочих температур Tstg = -55 … 150°С;
• максимальная температура кристалла T_j = 150°С.

От электрических характеристик также зависят возможности и сфера применения транзистора. Поэтому, их также нужно учитывать при конструировании устройств и поиске замены. Все параметры, влияющие на результаты измерения можно найти в столбце «Режимы измерения».

Электрические характеристики транзистора 2SD1555 (при Т = +25 оC)
Параметры	Режимы измерения	Обозн.	min	typ	max	Ед. изм
Напряжение пробоя эмиттер-база	IЕ = 0,2 A, IС = 0 A	V (BR)EBO	5			В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	IC = 4 A, IB = 0,8 A	V CE(sat)		3,0	5,0	В
Напряжение насыщения база-эмиттер	IC = 4 A, IB = 0,8 A	V ВE(sat)			1,5	В
Обратный ток коллектора	VCВ = 500 В, IE=0	ICBO			10	мА
Статический коэффициент передачи тока	IC= 1 A, VCE = 5 В	hFE	8
Граничная частота коэффициента передачи тока	VCE = 10 В, IC= 0,1 A	fT		3,0		МГц
Выходная емкость коллектора	IЕ = 0 A, VCВ = 10 В, f = 1 МГц			165		пФ

Аналоги

Заменить рассматриваемый транзистор D1555 можно на следующие зарубежные аналоги:

• 2SC4744;
• D2195;
• 2SD1554;
• 2SD1556;
• BU508D;
• 2SC42943;
• D2095.

Перед заменой нужно, как и обычно, ознакомиться с техническими характеристиками обеих устройств и убедиться, что они взаимозаменяемы. Комплементарной пары для 2SD1555 нет. Некоторые советуют использовать в качестве замены отечественный КТ838А, но этого делать не стоит, так как у него нет демпферного диода. При использовании в строчной развёртке телевизора он используется как ключ и имеет индуктивную нагрузку и поэтому, без защитного диода, велика вероятность выхода его из стоя. Кроме этого корпус у КТ838А больше, поэтому возникнут проблемы при его установке.

Производители

Первой компанией, выпустившей рассматриваемый транзистор, была компания Toshiba. Но сейчас она прекратила его выпускать. Среди современных производителей D1555 отметим наиболее крупные компании и приведём их datasheet:

• Quanzhou Jinmei Electronic;
• Savantic;
• Wing Shing Computer Components.

В отечественных магазинах наиболее часто встречаются изделия, выпущенные фирмой Inchange Semiconductor Company.

характеристики (параметры), цоколевка, аналоги отечественные и импортные

Главная » Транзистор

D1555 — кремниевый NPN транзистор, разработанный для систем горизонтальной развертки цветных телевизионных приемников. Конструктивное исполнение TO-3P(H)IS.

Содержание

1. Корпус, размеры и цоколевка
2. Характерные особенности
3. Предельные эксплуатационные характеристики
4. Электрические характеристики
5. Модификации транзистора D1555
6. Аналоги
7. Отечественное производство
8. Импортное производство
9. Графические данные характеристик

Корпус, размеры и цоколевка

Характерные особенности

• Высокое напряжение пробоя коллекторного перехода UCBO ≥ 1500 В.
• Высокая скорость переключений.
• Низкое напряжение насыщения.
• Встроенный защитный резистор (≈ 50 Ом) и демпфирующий (защитный) диод.

Предельные эксплуатационные характеристики

Данные действительны для температуры окружающей среды 25°C.

Характеристика	Символ	Значение
Напряжение коллектор-база, В	UCBO	1500
Напряжение коллектор-эмиттер, В	UCEO	600
Напряжение база-эмиттер, В	UEBO	5
Ток коллектора постоянный, А	ICO	5
Ток базы постоянный, А	IBO	2,5
Мощность рассеяния на коллекторе, Вт	PC	50
Предельная температура кристалла, °С	TJ	150
Диапазон температур при хранении, °С	TSTG	от -55 до 150

Электрические характеристики

Данные действительны для температуры окружающей среды 25°C.

Характеристика	Символ	Параметры при измерениях	Значение
Пробивное напряжение эмиттер-база, В	U(BR)EBO	IE = 200 мА, IC = 0	≥ 5
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	UCE(sat)	IC=4А, IB=0,8А	≤ 5,0
Напряжение насыщения база-эмиттер, В	UBE(sat)	IC=4А, IB=0,8А	≤ 1,5
Ток коллектора выключения, мкА	ICBO	UCB=500В, IE=0	≤ 10
Коэффициент усиления статический	hFE	UCE=5В, IC=1А	≥ 8
Падение напряжения на защитном диоде, В	UECF	IF=5А	≤ 2,0
Частота среза, МГц	fT	UCE=10В, IC=0,1А	Типовое значение 3
Выходная емкость, pF	COB	I E = 0, UCB = 10В, fTEST = 1 МГц	165
Время спада, мксек	tf	ICP = 4А, IB1=0,8А,	≤ 1,0 Типовое значение 0,5

Модификации транзистора D1555

Два производителя из пяти, поставляющих транзисторы с кодом 2SD1555 имеют некоторые отличия в номинальных параметрах, как показано ниже. Данные получены по материалам сайтов: alltranzistors.ru и chipdip.ru.

Модель	PC	UCB	UCE	UEB	IC	TJ	fT	CC, pF	hFE	Корпус	Производитель
2SD1555	50	1500	600	5	5	150	3	165	8	TO-3PHIS	Inchange Semiconductor
2SD1555	50	1500	600	5	5	150	3	165	8		JMnic
2SD1555	50	1500	600	5	5	150	3	165	8		SavantIC Semiconductor
2SD1555	50	1500	800	5	5	150	3	165	8	TO-3ML	TOSHIBA
2SD1555	50	1500	1500	6	5	150			8	2-16E3A	Wing Shing Corp.

٭ — в сборке отсутствуют защитное сопротивление и демпфирующий диод.

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые мезо-планарные, NPN, импульсные. Разработаны для применения в генераторах строчной развертки ТВ-приемников и видеоконтрольных устройств, источниках вторичного электропитания и высоковольтных переключающих устройствах.

Отечественное производство

Модель	PC	UCB	UCE	UEB	IC	TJ	fT	CC, pF	hFE	Корпус
2SD1555	50	1500	600	5	5	150	3	165	8	TO-3P(H)IS
КТ838А*	70	1500	600	5	5	115	≥ 3	170	≥ 4	ТО-3 (КТ-9)
КТ839А*	50	1500	1500	5	10	125	≥ 5	240	от 5 до 12
КТ886А1/Б1*	75	1400/1000	1400/1000	7	10	150		135	от 6 до 25	TOP-3 (КТ-43В-2)

٭ — в сборке отсутствуют защитное сопротивление и демпфирующий диод.

Импортное производство

Модель	PC	UCB	UCE	UEB	IC	TJ	fT	CC, pF	hFE	Корпус
2SD1555	50	1500	600	5	5	150	3	165	8	TO-3P(H)IS
2SD1546/7/8*	50	1500	600	5	6/7/10	150	3	165	8	TO-3PF
2SD1556	50	1500	600	5	6	150	3	165	8
2SD2125	50	1500	600	5	6	150	3	165	8
2SD2498*/9	50	1500	600	5	6	150	2	95	8	TO-3P(H)IS
2SC4293/4	50	1500	800	7	5/6	150			8	TO-3PN
2SC4744	50	1500		6	6	150			25	TO-3PFM
BUh517	55	1700	700	10	10	150			10	TO-3PF
BUH515	60	1500	700	10	10	150			10
BUH517*	55	1700	700	10	10	150			10
BUH615	55	1500	700	10	10	150			10
BUH715*	65	1500	700	10	10	150			10
KSC5086	50	1500	800	6	6	150			8
KSC5088*	50	1500	800	6	6	150			8
TS7988	70	1600	800	6	6	150			15
TS7990	75	1600	800	6	6	150			15
TS7992	75	1600	800	6	6	150			15
BU508D	125	1500	700		8	150	7	125	от 6 до 30	SOT-429
2SD1847/8	100	1300	1300	7	6	150	2		от 5 до 25	TO-3PFa
2SD5072	60	1500	800	6	5	150	3		8	TO-3MPL

٭ — в сборке отсутствуют защитное сопротивление и демпфирующий диод.

Примечание: все данные в таблицах получены из даташит производителя.

Графические данные характеристик

Рис. 1. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) от тока базы I_B при разных коллекторных нагрузках I_C. Температура корпуса транзистора T_C = 25°C.

Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току h_FE от тока коллектора I_C.

Зависимость снята в схеме включения транзистора с общим эмиттером при напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 5 В и при температуре корпуса T_C = 25°C.

Рис. 3. График снижения допустимой мощности рассеяния PC при увеличении температуры корпуса TC транзистора.

Рис. 4. Области безопасной работы транзистора.

Область безопасной работы транзистора ограничена предельным током коллектора IC(MAX), максимальным напряжением коллектор-эмиттер UCE(MAX) и кривой предельной мощности рассеяния PC.

Семейство графиков ограничения области безопасной работы снято при прохождении через транзистор одиночного неповторяющегося импульса тока различной длительности: 50 мкс, 100 мкс, 1 мс, 10 мс, 100 мс и постоянного тока. Графики этих режимов помечены символом «٭». График режима постоянного тока показан как «DC OPERATION». Семейство графиков снято при температуре корпуса TC = 25°C. При возрастании температуры графики пропорционально смещаются вниз по оси ординат.

Принцип замены транзисторов

При техническом обслуживании, проектно-экспериментальном или опытном производстве часто встречается замена транзисторов. Если освоен принцип замены (подмены) транзисторов, работа будет вначале эффективной. Принципы его замены (подмены) можно разделить на три вида: тот же тип, сходные характеристики и сходный внешний вид.

 

Один, того же типа

1. Материалы те же. То есть германиевая трубка заменяется германиевой трубкой, а кремниевая трубка заменяется кремниевой трубкой.

2. Полярность та же. То есть труба типа NPN заменяется трубой типа NPN, а труба типа PNP заменяется трубой типа PNP.

3. Фактическая модель такая же, но метод маркировки отличается, например: D1555 такой же, как 2SD1555; R1201 такой же, как GR1201; 3DG9014 такой же, как 9014; патч-тубус использует код для представления оригинальной модели и т. д. Однако не исключается, что параметры одной и той же модели сильно различаются из-за разных производителей.

 

Во-вторых, характеристики аналогичны

Транзисторы, используемые для замены (замены), должны иметь характеристики, аналогичные исходным транзисторам, а их значения основных параметров и характеристические кривые должны быть аналогичны или лучше, чем у оригинальных транзисторов. оригинальные транзисторы. Для разных цепей должен быть какой-то акцент. Вообще говоря, пока следующие основные параметры аналогичны, требования замены (замены) могут быть выполнены.

1. Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pcm)

Обычно требуется замена (замена) транзистора с Pcm, равным или превышающим исходную лампу. Если реальная мощность рассеяния постоянного тока исходного транзистора во всей схеме намного меньше его Pcm, его также можно заменить (заменить) транзистором с меньшим Pcm.

 

2. Максимально допустимый постоянный ток коллектора (Iсм)

Как правило, требуется заменить (заменить) транзистор с Iсм, равным или превышающим исходную лампу.

На самом деле у разных производителей разные правила ICM, а иногда и очень разные. Следует обратить внимание на условия испытаний, указанные производителями. Наиболее распространенными являются следующие:

(1) Определите Icm в соответствии с максимальным значением тока, допустимым для токоотвода. Это значение может быть очень большим, например, у транзистора с Pcn=200мВт его Icm может превышать 1А.

(2) Определите Icm в соответствии с Pcm, то есть Pcm=Icm×Uce для определения Icm. Значение Pcm при этом регулировании меньше, чем у обычных транзисторов, и больше, чем у переключающих ламп. Например, Pcm обычного транзистора 2SC2209и переключающая трубка 2SC2214 имеют мощность 10 Вт, но их значения Icm составляют 1,5 А и 4 А соответственно.

(3) Определить Icm по предельному значению допустимого разброса параметров транзистора (падение напряжения насыщения, коэффициент усиления тока и т.д.). Например, Icm транзистора 3DD103A определяется, когда его значение бета падает до 1/3 от измеренного значения (Icm=3A).

 

3. Напряжение пробоя

Используемый для замены (замены) транзистор должен безопасно выдерживать самое высокое рабочее напряжение во всей машине. К параметрам напряжения пробоя транзисторов в основном относятся следующие пять:

(1) BVcbo: напряжение пробоя коллектор-база. Это относится к падению напряжения между коллектором и базой, когда эмиттер открыт, а ток коллектора Ic имеет заданное значение (это падение напряжения называется соответствующим напряжением пробоя, то же самое ниже).

(2) BVceo: напряжение пробоя коллектор-эмиттер. Это относится к падению напряжения коллектор-эмиттер, когда база разомкнута, а ток коллектора Ic имеет заданное значение.

 

CDBVces: короткое замыкание база-эмиттер, напряжение пробоя коллектор-эмиттер.

⑷BVcer: последовательное сопротивление база-эмиттер, падение напряжения коллектор-эмиттер.

⑸BVebo: открытый коллектор, напряжение пробоя эмиттер-база.

 

При замене (подстановке) транзисторов в основном учитываются BVcbo и BVceo, а BVebo также следует учитывать при переключении транзисторов. Вообще говоря, BVcbo>BVceo одного и того же транзистора. Обычно требуется, чтобы указанные выше три напряжения пробоя используемых для замены (замены) транзисторов были не менее трех значений напряжения пробоя, соответствующих исходным транзисторам.

 

4. Частотные характеристики

Параметры частотной характеристики транзистора, обычно используются следующие четыре параметра:

⑴Характерная частота fT: Относится к частоте, когда испытательная частота достаточно высока, чтобы обеспечить коэффициент усиления тока с общим эмиттером транзистора. β=1.

(2) Частота среза β fβ: В схеме с общим эмиттером при коротком замыкании выходной клеммы значение коэффициента усиления тока β падает до частоты, при которой значение β низкой частоты (1 кГц) составляет 70,7 %. (3 дБ).

⑶α частота среза fα: В схеме с общей базой, когда выходная клемма закорочена, значение коэффициента усиления тока α падает до частоты, когда значение β низкой частоты (1 кГц) составляет 70,7% (3 дБ).

⑷Наивысшая частота генерации fmax: рабочая частота при коэффициенте усиления по мощности транзистора, равном 1.

При замене (подстановке) транзисторов в основном учитываются fT и fβ. Обычно требуется, чтобы fT и fβ транзистора, используемого для замены, были не меньше, чем соответствующие fT и fβ исходного транзистора. Полупроводниковые лампы делятся на высокочастотные и низкочастотные. Транзистор ft ниже 3M для низкочастотных ламп, а FET ниже 303MH. Напротив, это высокочастотная трубка.

 

5. Прочие параметры

Кроме перечисленных выше основных параметров, для некоторых специальных транзисторов при замене (подстановке) следует также учитывать следующие параметры:

(1) Для малошумящих транзисторов, транзисторы с или при замене (подстановке) следует использовать одинаковые коэффициенты шума.

(2) Для транзисторов с автоматической регулировкой усиления при замене (замене) следует использовать транзисторы с такими же характеристиками автоматической регулировки усиления.

(3) Для трубки переключателя параметры переключателя также следует учитывать при замене (замене), имеет ли он встроенное сопротивление.

 

3. Похожие по внешнему виду

Маломощные транзисторы, как правило, похожи по внешнему виду и могут быть заменены, если выводы каждого электрода четко обозначены, а выводные линии расположены в том же порядке, что и трубка, подлежащая замене.

Внешний вид мощных транзисторов сильно различается. При замене (подстановке) следует выбирать транзисторы с аналогичным внешним видом и такими же установочными размерами для установки и поддержания нормальных условий теплоотвода. Если его нет в наличии, вы также можете использовать пробирку с пластиковым запаиванием вместо пробирки с железным запаиванием.

транзистор%20d1555%20эквивалент%20номер спецификация и примечания по применению

Модель ECAD Производитель Описание Загрузить техпаспорт Купить Часть BD6047AGUL РОМ Полупроводник Тип защиты от отрицательного напряжения ИС защиты от заряда со встроенным полевым транзистором БМ2П016-З РОМ Полупроводник ИС преобразователя постоянного тока в постоянный с ШИМ, включающая переключающий МОП-транзистор БМ2П0361К-З РОМ Полупроводник ИС преобразователя постоянного тока в постоянный с ШИМ со встроенным переключающим полевым МОП-транзистором BD9B305QUZ РОМ Полупроводник Входное напряжение от 2,7 В до 5,5 В, 3,0 А Встроенный полевой МОП-транзистор с одним синхронным понижающим преобразователем постоянного тока в постоянный БД9Д300МУВ РОМ Полупроводник Вход от 4,0 В до 17 В, 3 А Встроенный полевой МОП-транзистор с одним синхронным понижающим преобразователем постоянного тока в постоянный БМ2П104ЭФ РОМ Полупроводник Встроенный полевой МОП-транзистор 730 В, 100 кГц, ШИМ-преобразователь постоянного тока ИС

транзистор%20d1555%20эквивалент%20номер Листы данных Context Search

Каталог данных	MFG и тип	ПДФ	Ярлыки для документов
хб*9Д5Н20П Реферат: khb9d0n90n 6v стабилитрон khb * 2D0N60P транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема ktd998 транзистор Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2N2904E до н. э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E хб*9Д5Н20П хб9д0н90н 6В стабилитрон хб*2Д0Н60П транзистор КХБ7Д0Н65Ф Транзистор BC557 киа*278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н транзистор ктд998
КИА78*ПИ Реферат: транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2Н3904хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004АФ ТРАНЗИСТОР мосфет КИА7812АПИ хб*2Д0Н60П Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E КИА78*пи транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2N3904 хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004AF ТРАНЗИСТОР MOSFET KIA7812API хб*2Д0Н60П
2SC4793 2sa1837 Реферат: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn к-220 2sc5198 аналог транзистора 2SC5359Транзистор 2SC5171, эквивалентный транзистору NPN Текст: нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2СК5200, 2СА1943, 2СК5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn к-220 эквивалент 2sc5198 транзистор 2SC5359 эквивалент транзистора 2SC5171 НПН-транзистор
транзистор Реферат: транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор pnp bc547 транзистор BC327 NPN транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 ТРАНЗИСТОР PNP Текст: нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	2Н3904 2Н3906 2Н4124 2Н4126 2N7000 2Н7002 до н. э.327 до н.э.328 до н.э.337 до н.э.338 транзистор транзистор ИТТ BC548 п-н-п транзистор транзистор п-н-п BC337 п-н-п транзистор pnp bc547 транзистор BC327 NPN-транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2н3904 ТРАНЗИСТОР ПНП
Ч520Г2 Реферат: Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47к 22к ПНП НПН ФБПТ-523 Ч521Г2-30ПТ npn переключающий транзистор 60в транзистор Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904T1PT Текст: нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	А1100) QFN200 ЧДТА143ЕТ1ПТ ФБПТ-523 100 мА ЧДТА143ЗТ1ПТ ЧДТА144ТТ1ПТ CH520G2 Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47k 22k PNP NPN ФБПТ-523 Ч521Г2-30ПТ npn-переключающий транзистор 60 В транзистор Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904Т1ПТ
транзистор 45 f 122 Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 tlp 122 634 транзистор транзистор ac 127 TRANSISTOR транзистор 502 транзистор f 421 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор переменного тока 51 Моск 3021 СИМИСТОР 136 тлп 122 634 транзистор транзистор переменного тока 127 ТРАНЗИСТОР транзистор 502 транзистор ф 421
СТХ12С Реферат: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N ​​2SC5586 2SK1343 CTPG2F Текст: нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 фн651 SLA4037 sla1004 СТВ-34Д SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Варистор RU Реферат: Транзистор СЭ110Н 2SC5487 2SA2003 Транзистор СЭ090Н высоковольтный Транзистор СЭ090 РБВ-406 2SC5586 Текст: нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор RU SE110N транзистор 2SC5487 2SA2003 SE090N высоковольтный транзистор SE090 РБВ-406 2SC5586
К2Н4401 Резюме: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 Q2N1132 D1N750 D02CZ10 D1N751 Текст: нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	РД91ЭБ Q2N4401 Д1Н3940 Q2N2907A Д1Н1190 Q2SC1815 Q2N3055 Q2N1132 Д1Н750 D02CZ10 Д1Н751
фн651 Реферат: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343 Текст: нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 фн651 СТВ-34Д 2SC5586 ХВР-1х7 STR20012 sap17n 2сд2619 РБВ-4156Б SLA4037 2ск1343
2SC5471 Реферат: 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий транзистор PNP Текст: нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 А1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 транзистор 2са1015 транзистор 2sc1815 Транзистор 2SA970 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP
МОП-транзистор FTR 03-E Резюме: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона DTC114EVA DTC143EF V/65e9 транзистор транзистор 2SC337 Текст: нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Мосфет FTR 03-E мт 1389 фе 2СД122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона DTC114EVA DTC143EF Транзистор V/65e9 транзистор 2SC337
фгт313 Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A диод SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096 диодов ry2a Текст: нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 фгт313 транзистор фгт313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 фгт412 РБВ-3006 ФМН-1106С SLA5096 диод ry2a
транзистор 91 330 Реферат: tlp 122 ТРАНЗИСТОР TLP635F 388 транзистор R358 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120 Текст: нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6Н136 6Н137 6Н138 6Н139 CNY17-L CNY17-M транзистор 91 330 тлп 122 ТРАНЗИСТОР TLP635F 388 транзистор Р358 395 транзистор транзистор ф 421 IC 4N25 симистор 40 РИА 120
1999 — Системы горизонтального отклонения телевизора Реферат: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 TV горизонтальные системы отклонения 25 транзистор горизонтальная секция tv Горизонтальное отклонение переключающие транзисторы TV горизонтальные системы отклонения mosfet CRT TV электронная пушка горизонтальная секция в элт-телевидение TV трансформатор обратного хода Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	16 кГц 32 кГц, 64 кГц, 100 кГц. Системы горизонтального отклонения телевизора РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА Ан363 Системы горизонтального отклонения телевизора 25 транзистор горизонтальной секции телевизор Переключающие транзисторы с горизонтальным отклонением Мосфет системы горизонтального отклонения телевизора ЭЛТ ТВ электронная пушка горизонтальная секция в ЭЛТ-телевизоре Обратный трансформатор для телевизора
транзистор Аннотация: силовой транзистор npn к-220 PNP СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР TO220 транзистор PNP демпферный диод транзистор Дарлингтона 2SD2206A силовой транзистор npn транзистор дарлингтона TO220 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2СД1160 2СД1140 2СД1224 2СД1508 2SD1631 2SD1784 2СД2481 2SB907 2СД1222 2СД1412А транзистор силовой транзистор npn к-220 СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР PNP TO220 транзистор PNP демпферный диод Транзистор Дарлингтона 2СД2206А силовой транзистор нпн дарлингтон транзистор ТО220
1999 — транзистор Реферат: POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип n-канальный полевой массив Низкочастотный силовой транзистор транзистор mp40 TRANSISTOR P 3 high hfe транзистор список Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	X13769XJ2V0CD00 О-126) МП-25 О-220) МП-40 МП-45 МП-45Ф О-220 МП-80 МП-10 транзистор МОЩНЫЙ МОП-транзистор FET 2sj 2sk транзистор 2ск тип 2СК n-канальный полевой массив Силовой низкочастотный транзистор транзистор мп40 ТРАНЗИСТОР Р 3 высокочастотный транзистор список
транзистор 835 Реферат: Усилитель на транзисторе BC548 TRANSISTOR регулятор АУДИО Усилитель на транзисторе BC548 транзистор 81 110 w 85 транзистор 81 110 w 63 транзистор транзистор 438 TRANSISTOR GUIDE транзистор 649 Текст: нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	БК327; БК327А; до н. alexxlab Добавить комментарий Отменить ответ Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены * Комментарий * Имя * Email * Сайт Рубрики Прост Радио Разное Своими руками Советы Схем Схемы Транзист Транзисторы Электрон Электроника