Site Loader
Posted on 10.06.2023

Содержание

аналоги, чем заменить, характеристики, аналог

Аналоги транзистора 2TY:

Type Mat Struct Pc Ucb Uce Ueb Ic Tj Ft Hfe Caps
2N4403SC Si PNP 0.3560,0040,005,00 0.6150,00250,00150,00 SOT23
2STR2160 Si PNP 0.560,0060,005,001,00150,00250,00 SOT23
50A02CH-TL-E Si PNP 0.750,0050,005,00 0.5150,00690,00200,00 SOT23
50A02CH-TL-H Si PNP 0. 750,0050,005,00 0.5150,00690,00200,00 SOT23
8550HQLT1 Si PNP 0.340,0025,005,00 1.5150,00150,00 SOT23
8550QLT1 Si PNP 0.340,0025,005,00 0.8150,00150,00 SOT23
8550SLT1 Si PNP 0.340,0025,005,00 0.5150,00150,00
120,00		 SOT23
BCR569 Si Pre-Biased-PNP 0.3350,0050,005,00 0.5150,00150,00120,00 SOT23
BCV46 Si PNP 0.3680,0060,0010,00 0.5150,00200,0010000,00 SOT23
BSP62T1 Si PNP 1. 5100,0080,005,00 0.5150,00150,005000,00
 SOT23
BSP62T3 Si PNP 1.5100,0080,005,00 0.5150,00150,005000,00 SOT23
BTB1198N3 Si PNP 0.5680,0080,008,001,00150,00200,00120,00 SOT23
BTB1424N3 Si PNP 0.950,0050,005,003,00150,00240,00180,00 SOT23
BTB718N3 Si PNP 0.62550,0030,00
7,00		3,00150,00190,00180,00 SOT23
CMMT591A Si PNP 0.540,0040,005,001,00150,00150,00300,00 SOT23
CMPT591E Si PNP 0. 3580,0060,005,001,00150,00150,00200,00 SOT23
DPLS160 Si PNP 0.360,001,00150,00150,00 SOT23
KMMT720 Si PNP 0.3540,0040,005,00 1.5150,00150,00200,00 SOT23
KST8550S Si PNP 0.340,0025,005,00 0.5150,00150,00120,00 SOT23
KST9012 Si PNP 0.340,0025,005,00 0.5150,00150,00120,00 SOT23
KST9012C Si PNP 0.340,0025,005,00 0.5150,00150,00144,00
 SOT23
KTC9012SC Si PNP 0. 3540,0030,005,00 0.5150,00150,00200,00 SOT23
MMS8550-H Si PNP 0.340,0025,005,00 0.5150,00150,00200,00 SOT23
MMS8550-L Si PNP 0.340,0025,005,00 0.5150,00150,00
120,00		 SOT23
MMS9012-H Si PNP 0.340,0025,005,00 0.5150,00150,00200,00 SOT23
MMS9012-L Si PNP 0.340,0025,005,00 0.5150,00150,00120,00 SOT23
MPS8550SC Si PNP 0.3540,0025,005,00 1. 2150,00150,00200,00 SOT23
PBSS4041PT		 Si PNP 0.360,0060,005,00 2.7150,00150,00200,00 SOT23
PBSS5140T Si PNP 0.340,0040,005,001,00150,00150,00300,00 SOT23
S8550 Si PNP 0.340,0025,005,00 0.5150,00150,00120,00 SOT23
S8550LT1 Si PNP 0.340,0025,005,00 0.5150,00150,00120,00 SOT23
S9012 Si PNP 0.340,0025,005,00 0.5150,00150,00120,00 SOT23
TFN1424 Si PNP 0. 950,0050,005,003,00150,00240,00180,00 SOT23
ZXTC2045E6 Si NPN*PNP 1.140,0030,007,00 1.5150,00180,00 SOT236
ZXTP05120HFF Si PNP 1.5120,001,00150,003000,00 SOT23F
ZXTP19060CFF Si PNP 1.560,004,00180,00200,00 SOT23F
ZXTP2025F Si PNP 1.250,005,00190,00200,00 SOT23
ZXTP2041F Si PNP 0.3540,001,00150,00250,00 SOT23
ZXTP25040DFH Si PNP 1. 2540,003,00270,00200,00 SOT23
ZXTP25040DFL Si PNP 0.3540,00 1.5270,00300,00 SOT23
ZXTP25100CFH Si PNP 1.25100,001,00180,00180,00 SOT23

Транзистор J3Y: характеристики, аналоги и datasheet

Характеристики транзистора J3Y идентичны с S8050, так как это одно и тоже устройство только в разных корпусах. Он может использоваться в выходном каскаде двухтактного усилителя. Кроме этого его часто используют в схемах разработанных на основе Arduino, системах управления источниками освещения, работающих на светодиодах и других устройствах. Он имеет n-p-n структуру.

Цоколевка

Транзистор J3Y выполнен в SMD корпусе, предназначенном для навесного монтажа. С одной стороны, у него расположены выводы базы и эмиттера, а с другой, коллектор. Внешний вид, размеры и главные технические характеристики приведены на следующем рисунке.

Технические характеристики

Как и все производители, в первую очередь рассмотрим максимально допустимые технические параметры. Именно они являются наиболее важные при выборе устройства для замены вышедшего из строя, а также при конструировании новых электронных устройств. Их превышение приведёт к выходу J3Y из строя. Также нежелательна эксплуатация этого транзистора в течении длительного времени при значениях близких к предельных. Тестирование данных характеристик происходит при стандартной температуре, равной +25ОС. В нашем случае они равны:

  • напряжение между К-Б VCBO (Uкб max) — 40 В;
  • напряжение между К-Э VCEO (Uкэ max) — 25 В;
  • напряжение между Э-Б VEBO (Uэб max) — 5 В;
  • ток через коллектор IC (Iк max) — 500 мА;
  • мощность, рассеиваемая на коллекторном переходе – 300 мВт;
  • температура кристалла от -55 до +150 ОС.

Кроме предельных следует рассмотреть и электрические величины. Их также следует учитывать, так как от них зависят возможности J3Y и сфера его применения. Они измеряются при той же температуре +25ОС. Другие важные для измерения параметры приведены в отдельной колонке следующей таблицы.

ПараметрыРежимы измеренияОбозн.mintypmaxЕд. изм
Разность потенциалов при пробое К-БIC = 100мкA, IЕ = 0ВV(BR)CВO40  В
Разность потенциалов при пробое К-ЭIC=10мA, IВ= 0 ВV(BR)CEО25  В
Разность потенциалов при пробое Э-БIВ= 0 В, IC= 0 ВV(BR)EBO5  В
Ток через К-Б (текущий в обратном направлении)VCВ= 40В, IЕ = 0ICВO  0,1мкА
Ток через К-Э (текущий в обратном направлении)VCE= 20В, IВ= 0ICEХ  0,1мкА
Ток через эмиттер (текущий в обратном направлении)VEB = 6В, IC = 0IEBO  0,1мкА
Статический к-т усиленияVCE=1 В,IC= 50 мA VCE=1 В, IC=500 мAhFE1 hFE2120 50   350 
Разность потенциалов К-Э (насыщения)IC= 500мA, IB = 50мAV CE(sat)  0,6В
Разность потенциалов Б-Э (насыщения)IC= 500мA, IB = 50мAV ВE(sat)  1,2В
Граничная частота к-та усиленияVCE=6 В, IC= 20 мA, f=30 МГцfT150  МГц

Транзисторы J3Y делятся на две группы в зависимости от коэффициента усиления по току в схеме с общим эмиттером:

  • L в диапазоне 120 … 200;
  • H в диапазоне 200 …350.

Аналоги

Среди зарубежных транзисторов, с идентичными параметрами можно назвать следующие: MPS650, MPSA42, KSP06, MPS8050, KSP43, SS8050, 2SC1008, KSP42, S9013, MPS651, MPSA43, KSC1008, 2SD471A. Можно найти также отечественные аналоги для J3Y, это КТ6114(от А до В) и КТ968В. Имеется также комплементарная пара, это 2TY, который является устройством S8550 в SMD корпусе.

Производители

Среди зарубежных производителей отметим крупнейшие из них:

  • Daya Electric;
  • Diode Semiconductor Korea;
  • Foshan Blue Rocket Electronics;
  • SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS;
  • Shenzhen Yixinwei Technology;
  • SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY;
  • SUNMATE electronic;
  • Tiger Electronic;
  • Unisonic Technologies;
  • Weitron Technology;
  • Wing Shing Computer Components.

В отечественных магазинах можно встретить J3Y изготовленный такими компаниями:

  • Jiangsu Changjiang Electronics Technology;
  • Nanjing International;
  • SeCoS Halbleitertechnologie.
Транзистор

%2b2ty спецификация и примечания по применению

Модель ECAD Производитель Описание Техническое описание Скачать Купить Часть БД9В101МУФ-ЛБ РОМ Полупроводник 16–60 В, 1 А, 1 канал, 2,1 МГц, синхронный понижающий преобразователь со встроенным полевым транзистором (промышленного класса) БД9Г102Г-ЛБ РОМ Полупроводник 6–42 В, 0,5 А, 1 канал, простой понижающий преобразователь со встроенным полевым транзистором (промышленного класса) org/Product»> BD9G341AEFJ РОМ Полупроводник 12–76 В, понижающий импульсный стабилизатор со встроенным силовым МОП-транзистором 150 мОм БД9А600МУВ РОМ Полупроводник Входное напряжение от 2,7 В до 5,5 В, встроенный полевой МОП-транзистор 6 А, одиночный синхронный понижающий преобразователь постоянного тока в постоянный BD9G341AEFJ-LB РОМ Полупроводник 12–76 В, понижающий импульсный стабилизатор со встроенным силовым полевым МОП-транзистором 150 мОм (промышленного класса) org/Product»> BD9C601EFJ РОМ Полупроводник Вход от 4,5 В до 18 В, 6,0 А Встроенный MOSFET 1-канальный синхронный понижающий преобразователь постоянного тока в постоянный

транзистор%2b2ty Листы данных Context Search

org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»>
Каталог Лист данных MFG и тип ПДФ Теги документов
хб*9Д5Н20П

Реферат: khb9d0n90n 6v стабилитрон khb * 2D0N60P транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9Схема Д0Н90Н на транзисторе ктд998
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E хб*9Д5Н20П хб9д0н90н 6В стабилитрон хб*2Д0Н60П транзистор КХБ7Д0Н65Ф Транзистор BC557 киа*278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н транзистор ктд998
КИА78*ПИ

Реферат: Транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2Н3904хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004АФ ТРАНЗИСТОР мосфет КИА7812АПИ хб*2Д0Н60П
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E КИА78*пи транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2N3904 хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004AF ТРАНЗИСТОР MOSFET KIA7812API хб*2Д0Н60П
2SC4793 2sa1837

Реферат: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn к-220 2sc5198 аналог транзистора 2SC5359Транзистор 2SC5171, эквивалентный транзистору NPN
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2СК5200, 2СА1943, 2СК5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn к-220 эквивалент 2sc5198 транзистор 2SC5359 эквивалент транзистора 2SC5171 НПН-транзистор
транзистор

Реферат: транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор pnp bc547 транзистор BC327 NPN транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 ТРАНЗИСТОР PNP
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование		 PDF 2Н3904 2Н3906 2Н4124 2Н4126 2N7000 2Н7002 до н.э.327 до н.э.328 до н.э.337 до н.э.338 транзистор транзистор ИТТ BC548 п-н-п транзистор транзистор п-н-п BC337 п-н-п транзистор pnp bc547 транзистор BC327 NPN-транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2н3904 ТРАНЗИСТОР ПНП
Ч520Г2

Реферат: Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47к 22к ПНП НПН ФБПТ-523 Ч521Г2-30ПТ npn переключающий транзистор 60в транзистор Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904T1PT
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF А1100) QFN200 ЧДТА143ЕТ1ПТ ФБПТ-523 100 мА ЧДТА143ЗТ1ПТ ЧДТА144ТТ1ПТ CH520G2 Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47k 22k PNP NPN ФБПТ-523 Ч521Г2-30ПТ npn-переключающий транзистор 60 В транзистор Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904Т1ПТ
транзистор 45 f 122

Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 tlp 122 634 транзистор транзистор ac 127 TRANSISTOR транзистор 502 транзистор f 421
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование		 PDF TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор переменного тока 51 Моск 3021 СИМИСТОР 136 тлп 122 634 транзистор транзистор переменного тока 127 ТРАНЗИСТОР транзистор 502 транзистор ф 421
СТХ12С

Реферат: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N ​​2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 фн651 SLA4037 sla1004 СТВ-34Д SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Варистор RU

Реферат: Транзистор СЭ110Н 2SC5487 2SA2003 Транзистор СЭ090Н высоковольтный Транзистор СЭ090 РБВ-406 2SC5586
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор RU SE110N транзистор 2SC5487 2SA2003 SE090N высоковольтный транзистор SE090 РБВ-406 2SC5586
К2Н4401

Резюме: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 Q2N1132 D1N750 D02CZ10 D1N751
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF РД91ЭБ Q2N4401 Д1Н3940 Q2N2907A Д1Н1190 Q2SC1815 Q2N3055 Q2N1132 Д1Н750 D02CZ10 Д1Н751
фн651

Реферат: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 фн651 СТВ-34Д 2SC5586 ХВР-1×7 STR20012 sap17n 2сд2619 РБВ-4156Б SLA4037 2ск1343
2SC5471

Реферат: 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий транзистор PNP
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 А1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 транзистор 2са1015 транзистор 2sc1815 Транзистор 2SA970 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP
Мосфет ФТР 03-Е

Резюме: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона DTC114EVA DTC143EF V/65e9 транзистор транзистор 2SC337
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование		 PDF 2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Мосфет FTR 03-E мт 1389 фе 2СД122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона DTC114EVA DTC143EF Транзистор V/65e9 транзистор 2SC337
фгт313

Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A диод SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096 диодов ry2a
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 фгт313 транзистор фгт313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 фгт412 РБВ-3006 ФМН-1106С SLA5096 диод ry2a
транзистор 91 330

Реферат: tlp 122 ТРАНЗИСТОР TLP635F 388 транзистор R358 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование		 PDF 4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6Н136 6Н137 6Н138 6Н139 CNY17-L CNY17-M транзистор 91 330 тлп 122 ТРАНЗИСТОР TLP635F 388 транзистор Р358 395 транзистор транзистор ф 421 IC 4N25 симистор 40 РИА 120
1999 — Системы горизонтального отклонения телевизора

Реферат: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 TV горизонтальные системы отклонения 25 транзистор горизонтальная секция tv Горизонтальное отклонение переключающие транзисторы TV горизонтальные системы отклонения mosfet CRT TV электронная пушка горизонтальная секция в элт-телевидение TV трансформатор обратного хода
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 16 кГц 32 кГц, 64 кГц, 100 кГц. Системы горизонтального отклонения телевизора РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА Ан363 Системы горизонтального отклонения телевизора 25 транзистор горизонтальной секции телевизор Переключающие транзисторы с горизонтальным отклонением Мосфет системы горизонтального отклонения телевизора ЭЛТ ТВ электронная пушка горизонтальная секция в ЭЛТ-телевизоре Обратный трансформатор для телевизора
транзистор

Реферат: силовой транзистор npn к-220 PNP СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР TO220 транзистор PNP демпферный диод транзистор Дарлингтона 2SD2206A силовой транзистор npn транзистор дарлингтона TO220
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2СД1160 2СД1140 2СД1224 2СД1508 2SD1631 2SD1784 2СД2481 2SB907 2СД1222 2СД1412А транзистор силовой транзистор npn к-220 СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР PNP TO220 транзистор PNP демпферный диод Транзистор Дарлингтона 2СД2206А силовой транзистор нпн дарлингтон транзистор ТО220
1999 — транзистор

Реферат: POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип n-канальный полевой массив Низкочастотный силовой транзистор транзистор mp40 TRANSISTOR P 3 high hfe транзистор список
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF X13769XJ2V0CD00 О-126) МП-25 О-220) МП-40 МП-45 МП-45Ф О-220 МП-80 МП-10 транзистор МОЩНЫЙ МОП-транзистор FET 2sj 2sk транзистор 2ск тип 2СК n-канальный полевой массив Силовой низкочастотный транзистор транзистор мп40 ТРАНЗИСТОР Р 3 высокочастотный транзистор список
транзистор 835

Реферат: Усилитель на транзисторе BC548 TRANSISTOR регулятор АУДИО Усилитель на транзисторе BC548 транзистор 81 110 w 85 транзистор 81 110 w 63 транзистор транзистор 438 TRANSISTOR GUIDE транзистор 649
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование		 PDF БК327; БК327А; до н. э.328 БК337; БК337А; до н.э.338 до н.э.546; до н.э.547; до н.э.548 до н.э.556; транзистор 835 Усилитель на транзисторе BC548 ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор Усилитель ЗВУКА на транзисторе BC548 транзистор 81 110 Вт 85 транзистор 81 110 Вт 63 транзистор транзистор 438 ТРАНЗИСТОР РУКОВОДСТВО транзистор 649
2002 — SE012

Реферат: SE090 SE140N SE115N диод 2SC5487 sta474a 8050e SE110N SLA-7611
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 SE090 SE140N SE115N диод 2SC5487 sta474a 8050е SE110N SLA-7611
2SC5586

Реферат: транзистор 2SC5586 диод RU 3AM 2SA2003 диод СВЧ однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A 2SC5487 RG-2A диод Dual MOSFET 606 TFD312S-F
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод для микроволновой печи однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A 2SC5487 Диод РГ-2А Двойной МОП-транзистор 606 ТФД312С-Ф
PWM ИНВЕРТОРНЫЙ сварочный аппарат

Реферат: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 демпфирующий конденсатор powerex инвертор сварочная схема kd2245 kd224510 примечания по применению транзистор KD221K75
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование		 PDF
варикап диоды

Реферат: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Hitachi SAW Фильтр gsm-модуль с микроконтроллером P-канальный MOSFET Транзисторы MOSFET P-канальный Mosfet-транзистор Hitachi Низкочастотный силовой транзистор VHF FET LNA
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование		 PDF PF0032 PF0040 PF0042 ПФ0045А PF0065 ПФ0065А HWCA602 HWCB602 ХВКА606 HWCB606 варикапные диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Хитачи ПАВ Фильтр gsm модуль с микроконтроллером p-канальный мосфет Транзисторы mosfet p канал МОП-транзистор хитачи Силовой низкочастотный транзистор УКВ Фет лна
Транзистор мощности телевизора, техническое описание

Реферат: силовой транзистор 2SD2599 эквивалент 2SC5411 транзистор 2sd2499 транзистор 2Sc5858 эквивалент 2SC5570 компоненты в горизонтальном выходе 2SC5855
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Технический паспорт силового транзистора телевизора силовой транзистор Эквивалент 2SD2599 транзистор 2sd2499 транзистор эквивалент 2Sc5858 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе 2SC5855
2009 — 2sc3052ef

Реферат: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА КОД s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводниковая перекрестная ссылка toshiba smd код маркировки транзистора
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF 24 ГГц BF517 Б132-Х8248-Г5-С-7600 2sc3052ef 2н2222а СОТ23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 смд 1N4148 СОД323 полупроводниковая перекрестная ссылка toshiba smd маркировка код транзистора
2007 — ДДА114ТХ

Резюме: DCX114EH DDC114TH
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал		 PDF DCS/PCN-1077 ОТ-563 150 МВт 22кОм 47кОм DDA114TH DCX114EH DDC114TH

Предыдущий 1 2 3 … 23 24 25 Next

m%2ftransistor+smd+2ty спецификация и примечания по применению

Модель ECAD Производитель Описание Техническое описание Скачать Купить Часть PT5046C Инструменты Техаса 1.2A ИМПУЛЯЦИОННЫЙ РЕГУЛЯТОР, 800 кГц МАКС. ЧАСТОТА КОММУТ., SMA3, СООТВЕТСТВУЕТ ROHS, SMD-3 PT5049L Инструменты Техаса ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЙ РЕГУЛЯТОР 0,5 А, 950 кГц МАКС. ЧАСТОТА ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ, SMA3, SMD-3 PT5523C Инструменты Техаса 4 А ИМПУЛЯЦИОННЫЙ РЕГУЛЯТОР, 600 кГц МАКС. ЧАСТОТА КОММУТ., SMA5, СООТВЕТСТВУЕТ ROHS, SMD-5 PT5805C Инструменты Техаса ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЙ РЕГУЛЯТОР НА 18 А, МАКС. ЧАСТОТА ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ 350 кГц, SMA18, СООТВЕТСТВУЕТ ROHS, SMD-18 PT6521LT Инструменты Техаса 8A ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЙ РЕГУЛЯТОР, 400 кГц ПЕРЕКЛЮЧАЮЩАЯ ЧАСТОТА-МАКС. , SMA14, SMD-14 PT6522L Инструменты Техаса 8А ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЙ РЕГУЛЯТОР, 400 кГц ПЕРЕКЛЮЧАЮЩАЯ ЧАСТОТА-МАКС., SMA14, SMD-14

m%2ftransistor+smd+2ty Листы данных Context Search

org/Product»> org/Product»> 0110b 804/VDE 86/ХД 74bbfl51 ОТ212. 74bbflSl 0DD4fl03 Транзистор 2TY .2тый транзистор npn BS415птопары ОТ212. 74bbflSl 0DD4fl03 MSA048-2 453 оптопара Транзистор 2TY SOT230 org/Product»> org/Product»>
Каталог Лист данных MFG и тип ПДФ Теги документов
СМД 2TY

Реферат: Транзистор 2TY 2TY smd транзистор 2ty транзистор smd+2TY
Текст: Транзисторы Транзистор T SMD Тип Технические характеристики KST8550S SOT-23 Единица измерения: мм +0,1 2,9-0,1 +0,1 0,4-0,1 0,4 3 1 0,55 Ток коллектора: IC-=0,5A +0,1 1,3-0,1 +0,1 2,4-0,1 Особенности 2 +0,1 0,95-0,1 +0,1 1,9-0,1 0-0,1 +0,1 0,38-0,1 +0,1 , VCE= -6 В, IC= -20 мА, f=30 МГц 150 МГц Класс hFE 2TY Маркировка Ранг L H hFE , Транзисторы Транзистор T SMD Тип Спецификация продукта KST8550S Типовые характеристики Рис.
Оригинал		 PDF КСТ8550С ОТ-23 -500мА, -50 мА -20 мА 30 МГц СМД 2TY Транзистор 2TY 2TY smd-транзистор 2ты транзистор smd+2TY
СМД 2TY

Реферат: KST8550S 2TY маркировка 2ty smd smd 2TY сот-23 сот-23 маркировка 2TY маркировка 2TY .2TY кст8550 кст85
Текст: Транзисторы SMD Тип PNP Транзисторы KST8550S SOT-23 Единица измерения: мм +0,1 2,9-0,1 +0,1 0,4-0,1 0,4 3 1 0,55 Ток коллектора: IC-=0,5A +0,1 1,3-0,1 +0,1 2,4-0,1 Характеристики 2 + 0,1 0,95-0,1 +0,1 1,9-0,1 0-0,1 +0,1 0,38-0,1 +0,1 0,97-0,1 +0,05 , VCE= -6 В, IC= -20 мА, f=30 МГц 150 МГц hFE Классификация 2TY Маркировка Ранг L H hFE 120 200 200 350 www.kexin.com.cn 1 Транзисторы SMD Тип KST8550S Стандартный
Оригинал		 PDF КСТ8550С ОТ-23 -50 мА -500мА -500мА, -20 мА 30 МГц СМД 2TY КСТ8550С маркировка 2TY 2ты смд смд 2ты сот-23 сот-23 Маркировка 2TY маркировка 2TY . 2TY кст8550 кст85
Транзистор 2TY 948 б Е3


OCR-сканирование		 PDF 74bfcjflSl QEA123 QEA223 QEB123 QEB223 QEC113 QEC123 QED123 QED223 QED233 СОВЕТ 127
Транзистор 2TY

Реферат: PHILIPS CNX21 CNX21 .2ty транзистор npn транзистор 3TY диод 2Ty sot211 jn85 диод Оптопары .2ty транзистор
Текст: fyot 170 Апрель 1986 Высоковольтная оптопара CNX21 57E D ?4bb651` ilS ( 2TY — 5 5 к + , CNX21 ÛUALITY TECHNOLOGIES CORP S7E » 00014535 H0J M( 2TY . 10 VCE ( VI 100 Рис. 9)Типичный
OCR-сканирование		 PDF CNX21 74bbflSl вырезка 1986 года ОТ212. 0DD4fl03 MSA048-2 Транзистор 2TY ФИЛИПС CNX21 CNX21 .2тый транзистор npn Транзистор 3TY диод 2Ту сот211 jn85 диодные оптопары .2ты транзистор
2006 — Транзистор 2TY

Реферат: Транзистор S8550 2TY сот-23 Маркировка 2TY маркировка 2TY S8050 2TY S8550 2TY 2ty Транзистор SOT-23 2TY Транзистор+2TY 2ty сот23
Текст: JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD SOT-23 Транзисторы в пластиковой оболочке SOT-23 ТРАНЗИСТОР S8550 (PNP) 1. ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Дополняет S8050 2. ЭМИТТЕР 3. КОЛЛЕКТОР Ток коллектора: IC=0,5A МАРКИРОВКА: 2TY МАКСИМУМ НОМИНАЛЬНЫЕ ПАРАМЕТРЫ (TA=25°C, если не указано иное) Символ Значение параметра Единицы измерения VCBO Напряжение коллектор-база -40 В VCEO Напряжение коллектор-эмиттер -25 В VEBO Напряжение эмиттер-база -5 В IC Ток коллектора — непрерывный
Оригинал		 PDF ОТ-23 ОТ-23 S8550 S8050 -50 мА -500мА -500мА, Транзистор 2TY Транзистор S8550 2TY сот-23 Маркировка 2TY маркировка 2TY S8050 2TY S8550 2TY 2ты транзистор СОТ-23 2ТЫ Транзистор+2TY 2ты сот23
бт 44а

Реферат: Транзистор 2TY npn фототранзистор P042A
Текст: T > I 74bbflSl 0004b7L, bl2 ( 2TY 1stg Tamb Ptot Tsld — 5 5 до +150 °C — 4 0 t o +100 °C макс. 250 мВт, ?*! 321 P040/44A — ÖUALITY TECHNOLOGIES CORP S7E D 74bb–Sl OüQHb–S bES ( 2TY Рис. 19IB
OCR-сканирование		 PDF P040/44А 74bbflSl GDD4b74 ОТ90Б P040/44А Р040А, Р042А, Р043А, P044A 74bbfl51 бт 44а Транзистор 2TY npn фототранзистор P042A
Недоступно

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: 3flE 1 > … 74fc.fc.flSl 0003*142 b E3
OCR-сканирование		 PDF КСА122 КСА123 КСА124 QSA223 QSA224 QSB113 QSB114 QSB213 QSB214 QSC112
Транзистор 2TY

Аннотация: транзистор .2ty npn
Текст: (фототранзистор) выводы; с током детектирования около 1 мкА. 214 Октябрь 1990 г. CNX48U , VC E{V> … 7HbbfiSl 0 Q 0H575 6T5 W
OCR-сканирование		 PDF CNX48U 7Mhbfi51 E
LT1004-2

Реферат: 1251C 251C LM185 LT1004 LT1004C LT1004M 9-yûây(n – F LD) BIL-y y (H LP)»/7W-J?SO /’à -y ir –y (n – F D) (Tâ = 25°C)-/°« : 30 мА /f : 10 мА 3 f y 8 tTv : 0°C 70°C (LT1004C) -55°C + 1251C (LT1004M) : -65°C + 150r : 260t ÷ 10 сек (D, LP >\~,>r ÷ V) 300r ÷ 10 сек (LD ÷ y) SC ± S! SÃ
OCR-сканирование		 PDF LT1004 LT1004-1 LT1004-2 ЛМ185 LT1004C) 1251С LT1004M) -55тСТ 1251С 251С LT1004 LT1004C LT1004M
1999 — Транзистор 2TY

Реферат: Управляемый сотовым телефоном робот F6484 Sun Ultra 30 «Лентовод» «Магнитная лента»
Текст: /hypertext/InfoPro/gspl/ © FUJITSU LIMITED, 1999 г. Отпечатано в Японии BL0046- 2TY F6457 — большой , http://www.fujitsu.co.jp/hypertext/InfoPro/gspl/ © FUJITSU LIMITED, 1999 г. Отпечатано в Япония BL0046- 2TY
Оригинал		 PDF 128 дорожек 36-дорожечный V20L10 V10L10 V20L10 F6484 F6476 BL0046-2TY Транзистор 2TY Робот, управляемый мобильным телефоном Солнце Ультра 30 «ленточный накопитель» «магнитная лента»
диаграмма середины 1002

Резюме: CY7B991V CY7B991V-2JC CY7B991V-5JC CY7B991V-7JC распиновка для середины 1002
Текст: 2 Разделить на 2 НИЗКИЙ СРЕДНИЙ -3ty -6ty -6ty НИЗКИЙ ВЫСОКИЙ — 2ty -4ty -4ty СРЕДНИЙ НИЗКИЙ -1tu -2ty — 2ty СРЕДНИЙ СРЕДНИЙ Oty Oty Otu СРЕДНИЙ ВЫСОКИЙ + 1ty + 2ty + 2ty HIGH LOW + 2ty +4ty +4ty HIGH MID +3ty +6tu +6ty HIGH HIGH +4ty
OCR-сканирование		 PDF CY7B991V 80 МГц 32-контактный CY7B991V диаграмма середины 1002 г. CY7B9-yf m – t-mmnsk VDD тип – ax #Ã a % tr 5 В ns DIP SOP – SsaBWII 10 В ns A* MSM4053BRS – ii m* IS* JtMi IbV ns tf 5V ns JRC NJU4053B – ¢ ¢ Р. ОС К
OCR-сканирование		 PDF 4053Б MSM4053BRS NJU4053B TC4053BP UPD4053BC HD14053B МБ840 M4053BP БУ4053Б MC14053B см053b .2TY HFE4053BP МБ84053Б UPD4053 UPD4053BC M4053BP hfe4053 TC4053BP HD14053B
диаграмма середины 1002

Резюме: CY7B9911
Текст: LOW HIGH — 2ty -4ty -4ty MID LOW -1tu — 2ty — 2ty MID MID Oty Oty Oty MID HIGH + 1ty + 2ty + 2ty HIGH
OCR-сканирование		 PDF CY7B9911 75-к 100 МГц 32-контактный диаграмма середины 1002 г.
КИ7Б991В

Аннотация: R2130
Текст: HIGH — 2ty -4ty -4ty MID LOW -1tu — 2ty — 2ty MID MID Oty Oty Oty MID HIGH + 1tu +2tu + 2ty HIGH LOW + 2ty +4ty +4ty HIGH MID +3tu +6tu +6ty HIGH HIGH + 4tu Разделить на 4 Перевернутое Примечания: 1. Для всех
OCR-сканирование		 PDF CY7B991V 80 МГц 32-контактный R2130
Недоступно

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: ЦИЛИНДР КВАРЦЕВЫЙ КРИСТАЛЛ НИЗКОЙ/СРЕДНЕЙ ЧАСТОТЫ C-2-TYPE/C-TYPE C-001R C-002RX • Фотолитографическое покрытие обеспечивает равномерную и стабильную работу. • Отличная ударопрочность и экологичность. • Реакция на широкий диапазон частот от 20 кГц до 165 кГц и 307,2 кГц. Фактический размер Спецификации для C — 2-TYP E (характеристики) элемент Remsiwte t См. пример частоты на стр. 13 Температура хранения T stg Рабочая температура T
OCR-сканирование		 PDF С-001Р C-002RX 04 стр/мин 3000 г
453 оптопара

Реферат: Транзистор 2TY SOT230
Текст: CNX62A 57E D ПАРАМЕТРЫ … ?4btiB51 DDD4SB2 T3S … ( 2TY УСЛОВИЯ МИН. ТИП. МАКС., ток коллектора, типовые значения. Март 1991 г. 231
OCR-сканирование		 PDF CNX62A 74bb051 CNX62A ОТ230 E
CY78991

Резюме: CY7B991 CY7B9911 CY7B9911V CY7B9911V-5JC CY7B9911V-7JC
Текст: -6ty -6ty LOW HIGH — 2ty -4ty -4tu MID LOW «1tu — 2ty -2tu MID MID Oty Oty Otu MID HIGH + 1ty +2tu +2tu HIGH LOW + 2ty +4tu +4ty HIGH MID +3tu +6tu +6tu HIGH HIGH +4ty Разделить на 4 Перевернутые Примечания: 1 , 4 Fx (N/A) LM -6ty LL LH -4ty LM (N/A) -3ty LH ML — 2ty ML (N/A) -1tu MM MM Oty MH (N/A) + 1ty HL MH + 2ty HM (N/A) +3ty HH HL +4ty (N/A) HM +6tu (N/A) LLVHH DIVIDED (N/A) HH INVERT
OCR-сканирование		 PDF CY7B9911V 75-к 110 МГц 32-контактный CY7B9911V CY78991 CY7B991 CY7B9911 CY7B9911V-5JC CY7B9911V-7JC
Транзистор 2TY

Реферат: Транзистор S8550 2TY .2TY сот-23 Маркировка транзистора 2TY .2ty 2ty Транзистор 2TY маркировка s8550 сот-23 S8050 2TY S8550 сот 23
Текст: S8550 SOT-23 Транзистор (PNP) SOT-23 1. БАЗА 2. ЭМИТТЕР 3. КОЛЛЕКТОР Характеристики Дополняют S8050 Ток коллектора: IC=0,5A 2TY Размеры в дюймах и (миллиметрах) если не указано иное) Обозначение VCBO VCEO VEBO IC PC Tj Tstg Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Коллектор Ток — непрерывный Коллектор Рассеиваемая мощность Температура перехода Температура хранения Значение параметра -40 -25 -5 -0,5 0,3 150 -55- 150 ед. В В В А Вт
Оригинал		 PDF S8550 ОТ-23 ОТ-23 S8050 -500мА -500мА, -50 мА -20 мА Транзистор 2TY Транзистор S8550 2TY .2TY сот-23 Маркировка 2TY .2ты транзистор 2ты транзистор маркировка 2TY с8550 сот-23 S8050 2TY S8550 сот 23
2002 — сот-23 Маркировка 2TY

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: ï похоже МАРКИРОВКА: S8550LT1= 2TY МГц 9. /f SIL ри. ЧБ
OCR-сканирование		 PDF 10кфи,
2006 — сот-23 Маркировка 2TY

Реферат: Транзистор S8550 2TY маркировка 2TY SOT-23 2Ty
Текст: JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD SOT-23 Транзисторы в пластиковом корпусе SOT-23 ТРАНЗИСТОР S8550 (PNP) 1. ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Дополняет S8050 2. ЭМИТТЕР 3. КОЛЛЕКТОР Ток коллектора: IC=0,5A МАРКИРОВКА: 2TY МАКСИМУМ НОМИНАЛЬНЫЕ ПАРАМЕТРЫ (Ta=25°C, если не указано иное) Символ Значение параметра Единица измерения VCBO Напряжение коллектор-база -40 В VCEO Напряжение коллектор-эмиттер -25 В VEBO Напряжение эмиттер-база -5 В IC Ток коллектора — непрерывный
Оригинал		 PDF ОТ-23 ОТ-23 S8550 S8050 -50 мА -500мА -500мА, сот-23 Маркировка 2TY Транзистор S8550 2TY маркировка 2TY СОТ-23 2Ты
Маркировка 2TY

Реферат: s8550lt1 маркировка 2TY 8550LT1 8550L
Текст: МАРКИРОВКА УСТРОЙСТВА: S8550LT1= 2TY 170 M C C Типовые характеристики S8550LT1 V ceM . К О ЛЛЕК
OCR-сканирование		 PDF 8550LT1 S8550LT1 S8550LT1 маркировка 2TY маркировка 2TY 8550 л
2006 — Транзистор S8550 2TY

Реферат: маркировка 2ty Транзистор 2TY сот-23 Маркировка 2TY .2TY S8050 2TY 2TY транзистор с8550 2ty маркировка транзистора S8550 SOT-23
Текст: JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD SOT-23 Транзисторы в пластиковой оболочке SOT-23 ТРАНЗИСТОР S8550 (PNP) 1. ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Дополняет S8050 2. ЭМИТТЕР 3. КОЛЛЕКТОР Ток коллектора: IC=0,5A МАРКИРОВКА: 2TY МАКСИМУМ НОМИНАЛЫ (TA=25, если не указано иное) Символ Значение параметра Единицы измерения VCBO Напряжение коллектор-база -40 В VCEO Напряжение коллектор-эмиттер -25 В VEBO Напряжение эмиттер-база -5 В IC Ток коллектора — непрерывный
Оригинал		 PDF ОТ-23 ОТ-23 S8550 S8050 -100А, -50 мА -500мА -500мА, Транзистор S8550 2TY маркировка 2ты Транзистор 2TY сот-23 Маркировка 2TY .

alexxlab

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Внимание! Внешний вид товара, комплектация и характеристики могут изменяться производителем без предварительных уведомлений. Данный интернет-сайт носит исключительно информационный характер и ни при каких условиях не является публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 (2) Гражданского кодекса Российской Федерации. 2025 © Все права защищены.