Радиационно-стойкие транзисторы MOSFET в корпусе Sup-IR SMD™

15.01.2020

Подразделение компании Infineon Technologies AG – International Rectifier HiRel Products – предлагает радиационно-стойкие N-канальные транзисторы MOSFET IRHNS67160 и IRHNS63160 для поверхностного монтажа, выполненные в корпусе Sup-IR SMD™.

Технология корпусирования является ключевым фактором повышения производительности транзисторов MOSFET.

В таблице 1 представлено сравнение основных параметров транзистора в корпусе SMD-2 и корпусе Sup-IR SMD для кристалла HEX-6 с полосковой структурой ячеек (StripFET). При этом транзистор в корпусе Sup-IR SMD может быть установлен на плату без применения дополнительного кристаллодержателя.

 

Таблица 1. Сравнение основных параметров транзистора в корпусе SMD-2 и корпусе

Sup—IR SMD для кристалла HEX-6 с полосковой структурой ячеек (StripFET)

 

Параметр	SMD-2	Sup—IR SMD™
Площадь основания, дюйм2	0,595	0,376 – на 37% меньше
Вес, г	5,1	2,8 – на 45% легче
Ток номинальный, А	56	82 – на 46% больше
Тепловое сопротивление, ºC/Вт	0,75	0,50 – на 0,25 ºC/Вт меньше
Электрическое сопротивление, Ом	0,97	0,68 – на 30% меньше
Паразитная индуктивность, мкГн	2,19	0,52 – на 76% меньше

 

Транзисторы характеризуется высокой стойкостью как к воздействию поглощённой дозы (100/300 крад), так и одиночных заряженных частиц (90 МэВ•мг/см

2). Сочетание низкого сопротивления канала в открытом состоянии и низкого значения заряда затвора снижает потери мощности при коммутации транзистора в таких применениях как DC/DC-преобразователи и управление электроприводами.

Эти устройства сохранили все хорошо известные преимущества транзисторов MOSFET, такие как управление уровнем напряжения, быстрое переключение и температурная стабильность электрических параметров.

 

Таблица 2. Основные технические характеристики MOSFET

-транзисторов в корпусе Sup—IR SMD

Наименование	Суммарная накопленная доза, крад	Напряжение блокирующее BVDSS, В	Ток стока ID, А	Сопротивление канала RDS ( on) , мОм	Заряд затвора Qg, нК
IRHNS67160	100	100	56	0,01	170
IRHNS63160	300

 

Детальные технические характеристики транзисторов представлены в справочном листке.

HiRel Products

Поделиться:

---

№3 / 2022

Читать Купить

Сообщить о недоставленной печатной версии журнала «Современная электроника»

E-mail*

Фамилия*

Имя*

Компания*

Телефон*

Недоставленный номер журнала*

Номер№1 №2 №3 №4 №5 №6 №7 №8 №9 Год201520162017201820192020202120222023

Получали ли вы по этому же заявленному адресу предыдущие номера текущего года?*

• Да
• Нет

Комментарий

* — поля, обязательные для заполнения

Авторизация Регистрация

E-mail

Пароль

На указанный в форме e-mail придет запрос на подтверждение регистрации.

E-mail

Пароль

Повторите пароль

Нажимая кнопку «Регистрация», я принимаю условия Политики конфиденциальности

Восстановить пароль

E-Mail:

Вы успешно зарегистрированы. Перейти в личный кабинет

Пять последних номеров электронной версии журнала
доступны только авторизованным пользователям

Для чтения электронной версии журнала

зарегистрируйтесь или авторизуйтесь
(если зарегистрированы)

Авторизованные пользователи могут читать электронную версию журнала БЕСПЛАТНО

Для чтения печатной версии журнала купите его

Для чтения журнала

подпишитесь, или купите его

Специалистам в области электронных компонентов
подписка предоставляется БЕСПЛАТНО

БЕСПЛАТНАЯ ПОДПИСКА
на электронную версию

Для бесплатного доступа
к электронной версии журнала
«Современная электроника» вам необходимо зарегистрироваться на сайте.

Зарегистрироваться

Подписка на ПЕЧАТНУЮ версию с гарантированной доставкой.

Подписка на рассылки

E-mail

Будьте всегда в курсе самых свежих новостей

Подписаться на новости

Узнайте первыми о содержании нового номера

Подписаться на анонсы

Отказаться

Facebook  Twitter  

P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT-23-3 доставка по Украине.

Корпус:	SOT-23-3; SOT23; SOT23-3;
Производитель:	ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Заряд затвора:	2,2нC; 2.2нC;
Монтаж:	SMD
Мощность:	1Вт
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	-30В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	1Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	110мОм
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	P-MOSFET
Ток стока:	-2,2А; -2. 2А;

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT-23-3

smd%20transistor%202t спецификация и примечания по применению

Модель ECAD Производитель Описание Техническое описание Скачать Купить Часть ЛМЗ14202ТЗ-АДЖ/НОПБ Инструменты Техаса Силовой модуль SIMPLE SWITCHER® 6–42 В, 2 А в корпусе SMT-TO с выводами 7-TO-PMOD от -40 до 125 ЛМЗ14202ТЗЭ-АДЖ/НОПБ Инструменты Техаса Силовой модуль SIMPLE SWITCHER® 6–42 В, 2 А в выводном корпусе SMT-TO 7-TO-PMOD от -40 до 125 org/Product»> LMZ14202TZX-ADJ/НОПБ Инструменты Техаса Силовой модуль SIMPLE SWITCHER® 6–42 В, 2 А в выводном корпусе SMT-TO 7-TO-PMOD от -40 до 125 PT5046C Инструменты Техаса 1.2A ИМПУЛЯЦИОННЫЙ РЕГУЛЯТОР, 800 кГц МАКС. ЧАСТОТА КОММУТ., SMA3, СООТВЕТСТВУЕТ ROHS, SMD-3 PT5049L Инструменты Техаса ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЙ РЕГУЛЯТОР 0,5 А, 950 кГц МАКС. ЧАСТОТА ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ, SMA3, SMD-3 org/Product»> PT5523C Инструменты Техаса 4 А ИМПУЛЯЦИОННЫЙ РЕГУЛЯТОР, 600 кГц МАКС. ЧАСТОТА КОММУТ., SMA5, СООТВЕТСТВУЕТ ROHS, SMD-5

smd%20transistor%202t Листы данных Context Search

org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»>

Каталог Лист данных	MFG и тип	ПДФ	Теги документов
СМД 43 Реферат: Катушки индуктивности Силовые катушки индуктивности smd диод j 100N 1FW+43+smd Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDC2D18LD 2Д18ЛД СМД 43 Индукторы Силовые индукторы smd-диод j 100Н 1FW+43+СМД
SDC3D11 Реферат: smd led smd диод j транзистор SMD 41 068 smd Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDC3D11 смд светодиод smd-диод j транзистор СМД 41 068 смд
СМД 356 В Реферат: дроссель smd we 470 356 AT smd транзистор smd 24 дроссель smd 470 Led smd smd диод j smd транзистор 560 SDC3D16 SMD INDUCTOR 47 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDC3D16LD 3Д16ЛД СМД 356 АТ индуктор смд мы 470 356 В СМД транзистор СМД 24 индуктор смд 470 светодиод смд smd-диод j смд транзистор 560 SDC3D16 СМД ИНДУКТОР 47
СМД d105 Реферат: SMD a34 B34 SMD smd 028 F индукторы 25 34 SMD силовые индукторы k439 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDS3012E 3012E СМД д105 СМД а34 Б34 СМД СМД 028 Ф катушки индуктивности 25 34 СМД Силовые индукторы к439
к439 Аннотация: B34 SMD SMD a34 SDS301 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDS3015ELD 3015ELD к439Б34 СМД СМД а34 SDS301
СДК2Д14 Реферат: SDC2D14-2R2N-LF Дроссель bo smd транзистор SMD 24 «Силовые индукторы» СИЛОВЫЕ ДАТЧИКИ smd led smd сопротивление smd p 112 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDC2D14 СДК2Д14-2Р2Н-ЛФ Индуктор бо smd транзистор СМД 24 «Силовые индукторы» СИЛОВЫЕ ИНДУКТОРЫ смд светодиод смд сопротивление смд р 112
SDS2D10-4R7N-LF Резюме: SDS2D10 smd led smd 83 smd транзистор 560 4263B катушки индуктивности 221 a32 smd Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDS2D10 SDS2D10-4R7N-LF смд светодиод смд 83 смд транзистор 560 4263Б катушки индуктивности 221 а32 смд
2012 — Недоступно Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDC3D28
СДК2Д11-100Н-ЛФ Реферат: Катушки индуктивности Силовые катушки smd led «Силовые катушки индуктивности» smd 123 smd диод j 4263B SMD INDUCTOR 47 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDC2D11 СДК2Д11-100Н-ЛФ Индукторы Силовые индукторы смд светодиод «Силовые индукторы» смд 123 smd-диод j 4263Б СМД ИНДУКТОР 47
СДК2Д11ХП-3Р3Н-ЛФ Реферат: Силовые индукторы Катушки индуктивности smd led smd диод j 4263B Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDC2D11HP 2Д11ХП SDC2D11HP-3R3N-LF Силовые индукторы Индукторы смд светодиод smd-диод j 4263Б
2012 — СДК2Д14-1Р5Н-ЛФ Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDC2D14 СДК2Д14-1Р5Н-ЛФ
А44 СМД Резюме: смд 5630 5630 смд койлмастер смд B44 SDS4212E-100M-LF Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDS4212E 4212Е A44 СМД смд 5630 5630 смд койлмастер смд б44 SDS4212E-100M-LF
индуктор Резюме: смд светодиод SDC2D14HPS-221M-LF 13dBo 100N SDC2D14HPS Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	СДК2Д14ХП 2Д14ЛС индуктор смд светодиод SDC2D14HPS-221M-LF 13 дБ Бо 100Н SDC2D14HPS
катушки индуктивности Реферат: СИЛОВЫЕ ДАТЧИКИ Диод smd 86 smd диод j 100N SDC2D18HP «Силовые индукторы» Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDC2D18HP 2Д18ХП катушки индуктивности СИЛОВЫЕ ИНДУКТОРЫ Диод смд 86 smd-диод j 100Н «Силовые индукторы»
2012 — Недоступно Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDC2D18HP 2Д18ХП
СМД .А40 Резюме: a40 smd smd D10 Inductors Power Inductors SMD A40 smd g12 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDS4010E 4010Е СМД .А40 а40 смд смд д10 Индукторы Силовые индукторы СМД А40 смд г12
Силовые индукторы Реферат: smd диод j 100N Катушки индуктивности Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDC3D18 Силовые индукторы smd-диод j 100Н Индукторы
2Д18 Реферат: катушки индуктивности 221 лф 1250 smd j диод SDS2D18 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDS2D18 2Д18 катушки индуктивности 221 1250 лф smd-диод j
СМД 43 Реферат: катушки индуктивности Power Inductors 3D-14 smd диод j «Power Inductors» 3D14 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDC3D14 СМД 43 катушки индуктивности Силовые индукторы 3Д-14 smd-диод j «Силовые индукторы» 3D14
смд 3250 Реферат: SMD-диод Coilmaster Electronics j Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDC2D09 смд 3250 Койлмастер Электроника smd-диод j
пмб 4220 Резюме: Siemens pmb 4220 PMB 27251 4310 SMD IC 2197-T 82526-N smd 2035 DSP/pmb 4220 PMB27201 SICOFI PEF 2465 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	2025-Н 2025-П 2026Т-П 2026Т-С 20320-Н 2035-Н 2035-П 2045-Н 2045-П 2046-Н 4220 пмб Сименс пмб 4220 ПМБ 27251 ИС 4310 для поверхностного монтажа 2197-Т 82526-Н СМД 2035 DSP/пмб 4220 PMB27201 СИКОФИ ПЭФ 2465
Катушки индуктивности Реферат: Силовые индукторы 068 smd 0621 smd SMD a34 D160 SDS3015EHP-100M-LF Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDS3015EHP 3015EHP Индукторы Силовые индукторы 068 смд 0621 смд СМД а34 Д160 SDS3015EHP-100M-LF
СМД 43 Реферат: Дроссели транзисторные SMD мы SDS2D12-100M-LF h22 smd smd диод j 2D12 3r smd 340 smd «Дроссели силовые» Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDS2D12 СМД 43 Индукторы транзистор SMD мы СДС2Д12-100М-ЛФ h22 смд smd-диод j 2D12 3р смд 340 смд «Силовые индукторы»
2004 — стабилитрон SMD маркировка код 27 4F Реферат: smd диод шоттки код маркировка 2F smd стабилитрон код 5F panasonic MSL уровень smd стабилитрон код a2 SMD ZENER DIODE a2 smd стабилитрон 27 2f SMD стабилитрон код 102 A2 SMD стабилитрон SMD MARK A1 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2002/95/ЕС) стабилитрон SMD маркировка код 27 4F SMD-диод с кодом Шоттки, маркировка 2F smd стабилитрон код 5F уровень Panasonic MSL smd стабилитрон код a2 SMD ЗЕНЕР ДИОД a2 смд стабилитрон 27 2ф Маркировка стабилитрона SMD код 102 A2 для поверхностного монтажа стабилитрон SMD MARK A1
5a6 стабилитрон Реферат: Двойной MOSFET dip стабилитрон 6.2v 1w 10v ZENER DIODE 5A6 smd sot23 DG9415 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	Si4418DY 130 мОм@ Si4420BDY Si6928DQ 35 мОм@ Si6954ADQ 53 мОм@ SiP2800 СУМ47Н10-24Л 24 мОм@ стабилитрон 5а6 двойной мосфет провал диод стабилитрон 6.2в 1вт 10В ЗЕНЕРСКИЙ ДИОД 5А6 смд сот23 ДГ9415

Предыдущий 1 2 3 … 23 24 25 Следующие

База данных кодов маркировки компонентов SMD

Из-за малых размеров большинства SMD-компонентов производители не имеют возможности писать полный номер детали на корпусе. Вместо этого они обычно используют код маркировки. состоит из комбинации 2 или 3 букв или цифр. При ремонте неизвестного электронной доске, становится так трудно узнать, какой точный тип данного компонент. Эта база данных позволяет быстро найти артикул компонента SMD. когда у вас есть только код маркировки.

2T

APX803L-27C3

Диоды
SOT-323

Детектор напряжения IC
2.7V±1.5%&запятая; — Сброс ODO

2T

HS1M

Fagor Electronica
DO-214AC

Диод
U-fast recov. выпрямить&запятая; 1000 В&запятая; 1A&запятая; Vf<1,7 В(1A)@запятая; 75ns

2T

HT2

Ferranti Semiconductors
SOT-23

Транзистор NPN
GP&запятая; 90 В&запятая; 100 мА&запятая; 300 мВт&запятая; <500/2000ns

2T

IMP162TCUS

IMP
SOT-143

Детектор напряжения IC
3.08V±1.5%&запятая; +Сброс ODO&запятая; -MR

2T

IXD5126C50ANR-G

IXYS
SSOT-24

Датчик напряжения IC
5,0 В ± 0,8%&запятая; -Сброс ППО

2T

IXD5127N43CNR

IXYS
SSOT-24

Датчик напряжения IC
4.3V±0.8%&запятая; -Сброс ODO&запятая; -MR&запятая; задержка Rt 200 мс

2T

KST4403

Samsung Electronics
SOT-23

Транзистор PNP
GP, 60 В&запятая; 600 мА&запятая; 350 мВт&запятая; B=100. 300@запятая >200 МГц

2T

MMBT4403

Vishay Semiconductor
SOT-23

Транзистор PNP
GP, 40 В&запятая; 800 мА&запятая; 200 мВт&запятая; B= 100.300&запятая; >200 МГц

2T

MMBT4403T

Диоды
SOT-23

Транзистор PNP
GP, 40 В&запятая; 800 мА&запятая; 200 мВт&запятая; B= 100.300&запятая; >200 МГц

2T

R3117K481A

Ricoh
DFN1010-4

Детектор напряжения IC
4,8 В ± 1%&запятая; -Сброс ODO&запятая; Sense

2T

R3131N26HA3

Ricoh
SOT-23

Детектор напряжения IC
2,6 В ± 1,5 %, запятая + сброс PPO и запятая; 400 мс

2T

R3133Q37EA

Ricoh
SOT-143

Детектор напряжения IC
3,7 В±1,5%&запятая; +Сброс PPO&запятая; -МР

2T

RN5RF12BA

Ricoh
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LRip, +CE&запятая; 1,2 В±2%&запятая; 1А&аст;

2T

RP100K121D5

Ricoh
PLP1612-4

Линейный регулятор напряжения IC
LDO&запятая; LN&запятая; 1,25 В±0,8%&запятая; 200 мА&запятая; +CE&запятая; Класс

2T

RP173K501A

Ricoh
DFN1010-4

Линейный регулятор напряжения IC
LDO&запятая; 5,0 В±1%&запятая; 150 мА&запятая; -CE

2T

RQ5RW26CA

Ricoh
SC-82AB

Линейный регулятор напряжения IC
LDO&запятая; 2,6 В±2%&запятая; 150 мА

2T

SO4403

SGS-Thomson Microelectronics
SOT-23

Транзистор PNP
GP&запятая; 40 В&запятая; 600 мА&запятая; 225 мВт&запятая; B=30. 100@запятая; 200 МГц

2T

TMPT4403

Allegro MicroSystems
SOT-23

Транзистор PNP
GP&запятая; 40 В&запятая; 600 мА&запятая; 330 мВт&запятая; B=100.300@запятая >200 МГц

2T

UMZ27K

Rohm
SOT-343

Стабилитрон
Dual, 26,19,27,53 В&запятая; Изт=5мА&запятая; 200 мВт

2T

XC6126C50ANR-G

Torex Semiconductor
SSOT-24

Детектор напряжения IC
5,0 В±0,8%&запятая; -Сброс PPO

2T

XC6127N43CNR

Torex Semiconductor
SSOT-24

Датчик напряжения IC
4,3 В ± 0,8%&запятая; -Сброс ODO&запятая; -MR&запятая; Задержка Rt 200 мс

2T

XC6129C43CNR-G

Torex Semiconductor
SSOT-24

Детектор напряжения IC
4,3 В±0,8%&запятая; -Сброс PPO&запятая; Задержка обнаружения

2T

XC6129N43CNR-G

Torex Semiconductor
SSOT-24

Детектор напряжения IC
4,3 В ± 0,8%&запятая; -Сброс ODO&запятая; Задержка обнаружения

2T

XC6221C32B7R

Torex Semiconductor
USPN-4

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 3,25 В±1%&запятая; 200 мА&запятая; +CE&запятая; ПДР

2T

XC6221C32BNR

Torex Semiconductor
SSOT-24

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 3,25 В±1%&запятая; 200 мА&запятая; +CE&запятая; PDR

2T

XC6223C3419R-G

Torex Semiconductor
USPQ-4B03

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 3,4 В±1%&запятая; 300 мА&запятая; +CE&запятая; ПДР

2Т

XC6229h3411R-G

Torex Semiconductor
BGA-4

Линейный регулятор напряжения IC
LDO&запятая; 2,4 В±1%&запятая; 300 мА&запятая; +CE&запятая; ICP

2T

YTS4403

Toshiba
SOT-23

Транзистор PNP
GP, 40 В&запятая; 600 мА&запятая; 225 мВт&запятая; B=30. 100@запятая; 200 МГц

2T-

GMBT4403

GTM
SOT-23

Транзистор PNP
GP&запятая; 40 В&запятая; 600 мА&запятая; 225 мВт&запятая; B=30.100@запятая; 200 МГц

2T0

XC6103F531MR

Torex Semiconductor
SOT-25

Датчик напряжения IC
3,1 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс

2T1

GM9012

Guilin Strong Micro Electronics
SOT-23

Транзистор PNP
LF&запятая; Усилитель&запятая; 40 В&запятая; 500 мА&запятая; 305 мВт&запятая; B=70.400@запятая 300 МГц

2T1

S9012

Galaxy Semiconductor
SOT-23

Транзистор PNP
LF, Усилитель&запятая; 40 В&запятая; 500 мА&запятая; 305 мВт&запятая; B=70.400@запятая 300 МГц

2T1

XC6103F532MR

Torex Semiconductor
SOT-25

Детектор напряжения IC
3,2 В±2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс

2T1H

S9012LT1-H

Weitron Technology
SOT-23

Транзистор PNP
LF, Усилитель&запятая; 40 В&запятая; 500 мА&запятая; 300 мВт&запятая; B=200. 350@запятая >150 МГц

2T1L

S9012LT1-L

Weitron Technology
SOT-23

Транзистор PNP
LF, Усилитель&запятая; 40 В&запятая; 500 мА&запятая; 300 мВт&запятая; B=120.200@запятая; >150 МГц

2T2

XC6103F533MR

Torex Semiconductor
SOT-25

Детектор напряжения IC
3,3 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс

2T3

XC6103F534MR

Torex Semiconductor
SOT-25

Детектор напряжения IC
3,4 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс

2T4

XC6103F535MR

Torex Semiconductor
SOT-25

Детектор напряжения IC
3,5 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс

2T5

XC6103F536MR

Torex Semiconductor
SOT-25

Датчик напряжения IC
3,6 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс

2T6

XC6103F537MR

Torex Semiconductor
SOT-25

Датчик напряжения IC
3,7 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс

2T7

XC6103F538MR

Torex Semiconductor
SOT-25

Датчик напряжения IC
3,8 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс

2T8

XC6103F539MR

Torex Semiconductor
SOT-25

Детектор напряжения IC
3,9 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс

2T9

XC6103F540MR

Torex Semiconductor
SOT-25

Детектор напряжения IC
4,0 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс

2TA

XC6103F541MR

Torex Semiconductor
SOT-25

Детектор напряжения IC
4,1 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс

2 ТБ

XC6103F542MR

Torex Semiconductor
SOT-25

Датчик напряжения IC
4,2 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс

2TC

XC6103F543MR

Torex Semiconductor
SOT-25

Детектор напряжения IC
4,3 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс

2TD

XC6103F544MR

Torex Semiconductor
SOT-25

Детектор напряжения IC
4,4 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс

2TE

XC6103F545MR

Torex Semiconductor
SOT-25

Детектор напряжения IC
4,5 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс

2TF

XC6103F516MR

Torex Semiconductor
SOT-25

Детектор напряжения IC
1,6 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс

2TF

XC6103F546MR

Torex Semiconductor
SOT-25

Датчик напряжения IC
4,6 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс

2TH

XC6103F517MR

Torex Semiconductor
SOT-25

Детектор напряжения IC
1,7 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс

2TH

XC6103F547MR

Torex Semiconductor
SOT-25

Датчик напряжения IC
4,7 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс

2TK

XC6103F518MR

Torex Semiconductor
SOT-25

Детектор напряжения IC
1,8 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс

2TK

XC6103F548MR

Torex Semiconductor
SOT-25

Детектор напряжения IC
4,8 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс

2TL

XC6103F519MR

Torex Semiconductor
SOT-25

Детектор напряжения IC
1,9 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс

2TL

XC6103F549MR

Torex Semiconductor
SOT-25

Датчик напряжения IC
4,9 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс

2TM

XC6103F520MR

Torex Semiconductor
SOT-25

Детектор напряжения IC
2,0 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс

2TM

XC6103F550MR

Torex Semiconductor
SOT-25

Детектор напряжения IC
5,0 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс

2TN

XC6103F521MR

Torex Semiconductor
SOT-25

Датчик напряжения IC
2,1 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс

2TP

XC6103F522MR

Torex Semiconductor
SOT-25

Датчик напряжения IC
2,2 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс

2TR

XC6103F523MR

Torex Semiconductor
SOT-25

Датчик напряжения IC
2,3 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс

2TS

XC6103F524MR

Torex Semiconductor
SOT-25

Детектор напряжения IC
2,4 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс

2TT

XC6103F525MR

Torex Semiconductor
SOT-25

Детектор напряжения IC
2,5 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс

2TU

XC6103F526MR

Torex Semiconductor
SOT-25

Детектор напряжения IC
2,6 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс

2TV

XC6103F527MR

Torex Semiconductor
SOT-25

Детектор напряжения IC
2,7 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс

2TX

XC6103F528MR

Torex Semiconductor
SOT-25

Датчик напряжения IC
2,8 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс

2TY

XC6103F529MR

Torex Semiconductor
SOT-25

Детектор напряжения IC
2,9 В ± 2%&запятая; Hst&запятая; -MR&запятая; +Сброс PPO&запятая; Вес=400 мс&запятая; Rt=400 мс

2TYH

S8550H

Hottech Electronics
SOT-23

Транзистор PNP
GP&запятая; 40 В&запятая; 500 мА&запятая; 300 мВт&запятая; B=200.