Site Loader

Содержание

2N2222 транзистор характеристики и его российские аналоги

Биполярный транзистор 2N2222 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2N2222

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора: TO18

2N2222 Datasheet (PDF)

SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR 2N2222AC1 • High Speed Saturated Switching • Hermetic Surface Mounted Package. • >1.2. 2n2222ahr.pdf Size:1138K _upd

2N2222AHR Hi-Rel 40 V, 0.8 A NPN transistor Datasheet — production data Features Parameter ESCC JANS 1 2 BVCEO min 40 V 50 V 3 IC (max) 0.8 A TO-18 3 3 hFE at 10 V — 150 mA 100 4 1 1 2 2 • Hermetic packages LCC-3 UB • ESCC and JANS qualified Pin 4 in UB is connected to the metallic lid. • Up to 100 krad(Si) low dose ratee Description Figure 1. Internal schematic

SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR 2N2222AC1 • High Speed Saturated Switching • Hermetic Surface Mounted Package. • >1.4. p2n2222ag.pdf Size:165K _upd

P2N2222A Amplifier Transistors NPN Silicon Features • These are Pb—Free Devices* http://onsemi.com COLLECTOR 1 MAXIMUM RATINGS (TA =25°C unless otherwise noted) Characteristic Symbol Value Unit 2 BASE Collector—Emitter Voltage VCEO 40 Vdc Collector—Base Voltage VCBO 75 Vdc 3 Emitter—Base Voltage VEBO 6.0 Vdc EMITTER Collector Current — Continuous IC 600 mAdc Total Devi

SILICON SWITCHING NPN TRANSISTOR 2N2222AC3A, 2N2222AC3B 2N2222AC3C • High Speed Saturated Switching • Hermetic LCC3 Ceramic package. • Variant B to MIL-PRF-19500/255 outline • Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise stated) VCBO Collector – Base Voltage 75V VCEO Collector – Emitter Voltage 50V VEBO Emitter – Bas

SILICON SWITCHING NPN TRANSISTOR 2N2222AC3A, 2N2222AC3B 2N2222AC3C • High Speed Saturated Switching • Hermetic LCC3 Ceramic package. • Variant B to MIL-PRF-19500/255 outline • Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise stated) VCBO Collector – Base Voltage 75V VCEO Collector – Emitter Voltage 50V VEBO Emitter – Bas

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Website: http: //www.microsemi.com RADIATION HARDENED NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/255 DEVICES LEVELS JANSM – 3K Rads (Si) 2N2221A 2N2222A JANSD – 10K Rads (Si) 2N2221AL 2N2222AL JANSP – 30K Rads (Si) 2N2221AUA 2N2222AUA

SILICON SWITCHING NPN TRANSISTOR 2N2222AC3A, 2N2222AC3B 2N2222AC3C • High Speed Saturated Switching • Hermetic LCC3 Ceramic package. • Variant B to MIL-PRF-19500/255 outline • Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise stated) VCBO Collector – Base Voltage 75V VCEO Collector – Emitter Voltage 50V VEBO Emitter – Bas

1.9. mtp2n2222a.pdf Size:238K _motorola

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by P2N2222A/D Amplifier Transistors NPN Silicon P2N2222A COLLECTOR 1 2 BASE 3 EMITTER MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 1 2 Collector�Emitter Voltage VCEO 40 Vdc 3 Collector�Base Voltage VCBO 75 Vdc CASE 29�04, STYLE 17 Emitter�Base Voltage VEBO 6.0 Vdc TO�92 (TO�226AA) Collector Current � Continuous IC 600 mAdc

1.10. p2n2222a.pdf Size:238K _motorola

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by P2N2222A/D Amplifier Transistors NPN Silicon P2N2222A COLLECTOR 1 2 BASE 3 EMITTER MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 1 2 Collector�Emitter Voltage VCEO 40 Vdc 3 Collector�Base Voltage VCBO 75 Vdc CASE 29�04, STYLE 17 Emitter�Base Voltage VEBO 6.0 Vdc TO�92 (TO�226AA) Collector Current � Continuous IC 600 mAdc

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D125 2N2222; 2N2222A NPN switching transistors 1997 May 29 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN switching transistors 2N2222; 2N2222A FEATURES PINNING � High current (max. 800 mA) PIN DESCRIPTION � Low voltage (max. 40 V). 1 emitter 2 ba

2N2218-2N2219 2N2221-2N2222 HIGH-SPEED SWITCHES DESCRIPTION The 2N2218, 2N2219, 2N2221 and 2N2222 are sili- con planar epitaxial NPN transistors in Jedec TO-39 (for 2N2218 and 2N2219) and in Jedec TO-18 (for 2N2221 and 2N2222) metal cases. They are designed for high-speed switching applications at collector currents up to 500 mA, and feature use- ful current gain over a wide range of col

2N2219A 2N2222A � HIGH SPEED SWITCHES PRELIMINARY DATA DESCRIPTION The 2N2219A and 2N2222A are silicon Planar Epitaxial NPN transistors in Jedec TO-39 (for 2N2219A) and in Jedec TO-18 (for 2N2222A) metal case. They are designed for high speed switching application at collector current up to 500mA, and feature useful current gain over a wide range of collector current, low leakage cur

2N2219A 2N2222A � HIGH SPEED SWITCHES PRELIMINARY DATA DESCRIPTION The 2N2219A and 2N2222A are silicon Planar Epitaxial NPN transistors in Jedec TO-39 (for 2N2219A) and in Jedec TO-18 (for 2N2222A) metal case. They are designed for high speed switching application at collector current up to 500mA, and feature useful current gain over a wide range of collector current, low leakage cur

DATA SHEET 2N2221A 2N2222A NPN SILICON TRANSISTOR JEDEC TO-18 CASE DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N2221A, 2N2222A types are Silicon NPN Planar Epitaxial Transistors designed for small signal general purpose and switching applications. MAXIMUM RATINGS: (TA=25�C) SYMBOL UNITS Collector-Base Voltage VCBO 75 V Collector-Emitter Voltage VCEO 40 V Emitter-Base Voltage VEBO

MCC 2N2222 Micro Commercial Components TM 20736 Marilla Street Chatsworth Micro Commercial Components CA 91311 2N2222A Phone: (818) 701-4933 Fax: (818) 701-4939 Features � High current (max.800mA) � Low voltage (max.40V) NPN Switching � Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) («P» Suffix designates Transistors RoHS Compliant. See ordering information) Maximum Ratings Symbol Ra

1.17. p2n2222a-d.pdf Size:164K _onsemi

P2N2222A Amplifier Transistors NPN Silicon Features � These are Pb—Free Devices* http://onsemi.com COLLECTOR 1 MAXIMUM RATINGS (TA =25�C unless otherwise noted) Characteristic Symbol Value Unit 2 BASE Collector—Emitter Voltage VCEO 40 Vdc Collector—Base Voltage VCBO 75 Vdc 3 Emitter—Base Voltage VEBO 6.0 Vdc EMITTER Collector Current — Continuous IC 600 mAdc Total Device Dis

1.18. 2n2222aub.pdf Size:250K _optek

Product Bulletin JANTX, JANTXV, 2N2222AUB September 1996 Surface Mount NPN General Purpose Transistor Type JANTX, JANTXV, 2N2222AUB Feature Absolute Maximum Ratings (TA = 25o C unless otherwise noted) Collector-Base Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75 V �Ceramic surface mount package Collector-Emitter Voltage. . . . . . . . .

1.19. 2n2222aua.pdf Size:186K _optek

1.20. p2n2222 a.pdf Size:240K _cdil

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTORS P2N2222 P2N2222A EBC TO-92 Complementary Silicon Transistors For Switching And Linear Applications DC Amplifier & Driver For Industrial Applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C unless otherwise specified) DESCRIPTION SYMBOL 2222 2222A UNIT Collecto

1.21. 2n2222au.pdf Size:326K _first_silicon

SEMICONDUCTOR 2N2222AU TECHNICAL DATA General Purpose Transistor NPN Silicon These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SC-323/SC-70 package which 3 is designed for low power surface mount applications. Features 1 2 compliance with RoHS requirements. • We declare that the material of product SC-70 / SOT– 323 ORDERING INFO

1.22. 2n2222ae.pdf Size:462K _first_silicon

SEMICONDUCTOR 2N2222AE TECHNICAL DATA General Purpose Transistor NPN Silicon These transistors are designed for general purpose amplifier 3 applications. They are housed in the SC-89 package which is designed for low power surface mount applications. 1 Features 2 compliance with RoHS requirements. • We declare that the material of product SC-89 ORDERING INFORMATION COLLECTOR

1.23. 2n2222as.pdf Size:446K _first_silicon

SEMICONDUCTOR 2N2222AS TECHNICAL DATA General Purpose Transistor NPN Silicon 3 compliance with RoHS requirements. • We declare that the material of product 2 1 ORDERING INFORMATION † SOT–23 Device Maring Shipping 2N2222AS 1P 3000 / Tape & Reel COLLECTOR 3 1 MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C) BASE Rating Symbol Max Unit 2 Collector-Emitter Voltage VCEO 40 Vdc EMITTER Col

Radiation Hardened NPN Silicon Switching Transistors 2N2221A, 2N2221AL, 2N2221AUA, 2N2221AUB 2N2222A, 2N2222AL, 2N2222AUA, 2N2222AUB Features • Qualified to MIL-PRF-19500/255 • Levels: Commerical JANS JANSM-3K Rads (Si) JANSD-l0K Rads (Si) JANSP-30K Rads (Si) JANSL-50K Rads (Si) JANSR-l00K Rads (Si) • TO-18 (TO-206AA), Surface mount UA & UB Packages Absolute Maximum Ra

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Юмор:
Заходи тихо, говори четко, проси мало, уходи быстро. /Н.Фоменко/

Справка об аналогах биполярного высокочастотного npn транзистора 2N2222.

Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного высокочастотного npn транзистора 2N2222 .

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

Можно попробовать заменить транзистор 2N2222
транзистором КТ3117А;

транзистором MM513;
транзистором TBC847;
транзистором TBC846;
транзистором 2SC1709;
транзистором 2SC1707;
транзистором 2SC1707H;
транзистором 2SC1707A;
транзистором 2SC1833;
транзистором 2T6552;
транзистором 2SC1071;

Коллективный разум.

Добавлено пользователями:
КТ315 — аналог;
комментарий: Всегда заменяю данным отечественным транзистором. Замена качественная, никогда не подводила. Только с ножками не всегда удобно.;
пользователь: Андрей , дата записи: 2015-03-10 21:22:15

пользователь: AMI , дата записи: 2015-05-20 15:09:22

дата записи: 2017-01-01 08:08:02

2N904 — аналог;
дата записи: 2015-07-13 12:54:10

2SC1213 — возможный аналог;
дата записи: 2019-04-23 11:35:45

Добавить аналог транзистора 2N2222.

Вы знаете аналог или комплементарную пару транзистора 2N2222? Добавьте. Поля, помеченные звездочкой, являются обязательными для заполнения.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Транзисторы 2N2222 и 2N2222A.

Т ранзисторы кремниевые структуры n-p-n, высокочастотные переключающие. Используются в качестве ключевых элементов и в схемах усиления постоянного тока. Выпускаются в корпусе TO-18. Тип прибора указывается на корпусе.
На рисунке ниже — цоколевка 2N2222.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока при токе коллектора 10 мА и напряжении коллектор-эмиттер 10 в — 75

Граничная частота передачи тока :
У транзисторов 2N2222 — 250МГц.
У транзисторов 2N2222A — 300МГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер:
У транзисторов 2N2222 — 30 в.
У транзисторов 2N2222A — 40 в.

Максимальное напряжение коллектор — база:
У транзисторов 2N2222 — 60 в.
У транзисторов 2N2222A — 75 в.

Максимальное напряжение эмиттер — база:
У транзисторов 2N2222 — 5 в.
У транзисторов 2N2222A — 6 в.

Максимальный ток коллектора постоянный и пульсирующий — 800 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер :
У транзисторов 2N2222 при токе коллектора 150 мА, базы 15 мА — 0,4 в.
У транзисторов 2N2222A при токе коллектора 150 мА, базы 15 мА — 0,3 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер :
У транзисторов 2N2222 при токе коллектора 150 мА, базы 15 мА — 1,3 в.
У транзисторов 2N2222A при токе коллектора 150 мА, базы 15 мА — 1,2 в.

Рассеиваемая мощность коллектора500 мВт.

Транзисторы A1015O, A1015Y, A1015GR.

Транзисторы A1015 кремниевые маломощные широкого применения, структуры p-n-p, Корпус пластиковый TO-92. Маркировка буквенно — цифровая, на корпусе. На рисунке ниже — цоколевка A1015.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока :
У транзисторов A1015O — от 70 до 140
У транзисторов A1015Y — от 120 до 240
У транзисторов A1015GR — от 200 до 400

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер50 в.

Максимально допустимое напряжение коллектор-база50 в.

Максимально допустимое напряжение коллектор-база5 в.

Максимальный ток коллектора150 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0,3 в.

Рассеиваемая мощность коллектора0,4 Вт.

Граничная частота передачи тока4 МГц.

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Сток-затворные характеристики МОП-транзисторов с индуцированными каналами в наноразмерном технологическом базисе Текст научной статьи по специальности «Электротехника, электронная техника, информационные технологии»

УДК 621.3.049.77: 001.63

СТОК-ЗАТВОРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МОП-ТРАНЗИСТОРОВ С ИНДУЦИРОВАННЫМИ КАНАЛАМИ В НАНОРАЗМЕРНОМ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОМ БАЗИСЕ

М.В. Хорошайлова, Д.В. Шеховцов, А.И. Мушта, А.В. Строгонов

Получены с использованием полиномов Чебышева аналитические выражения передаточных характеристик п-МОП- и р-МОП-транзисторов с индуцированными каналами в технологическом базисе с наноразмерными проектными нормами

Ключевые слова: технологический базис, МОП-транзистор, индуцированный канал, наноразмерные топологические нормы

Введение. Конструктивно-технологический базис МОП БИС представляет собой главную основу в мировом производстве полупроводниковых изделий [1]. Для эффективного проектирования, аналоговых устройств усиления, генерации, преобразования колебаний наноэлектронных «систем на кристалле» требуются характеристики МОП-транзисторов (МОПТ), реализованных в технологиях с наноразмерными проектными нормами. К настоящему времени этот вопрос в литературе рассмотрен недостаточно. Представляется целесообразным рассмотреть аналитическое описание характеристик МОПТ наноразмерного технологического базиса.

Реализация задачи. Полиномы Чебышева [2, 3] обладают рядом замечательных свойств, которые позволяют использовать их для построения и описания моделей объектов в различных областях техники.

Во-первых, полиномы Чебышева обладают таким важным свойством: если на нелинейный элемент, статическая характеристика которого представляет собой полином Чебышева некоторой степени п, подать гармонический сигнал, например, косинусоидальный (синусоидальный), единичной амплитуды, то на выходе такого нелинейного элемента также будет гармонический сигнал единичной амплитуды, но с п-кратной частотой.

Во-вторых, полиномы Чебышева растут за пределами интервала [-1, 1] наиболее быстро из всех полиномов такой же степени. Их используют для синтеза линейных фильтров. И такие фильтры при заданной неравномерности в полосе пропускания обладают наиболее крутой частотной характеристикой в полосе запирания по сравнению с другими фильтрами того же порядка.

В-третьих, полиномы Чебышева являются набором ортогональных с весом функций [2], что

Хорошайлова Марина Владимировна — ВГТУ, магистрант, тел. 8-920-4151565

Шеховцов Дмитрий Витальевич — НИИЭТ, канд. техн. наук, ведущий инженер-конструктор, тел. 8-908-1326813 Мушта Александр Иванович — ВГТУ, канд. техн. наук, доцент, тел. 8-919-1856830

Строгонов Андрей Владимирович, — ВГТУ, д-р техн. наук, профессор, тел. 8-910-2471470

позволяет представить, например, однозначную статическую характеристику нелинейного безинер-ционного звена в виде довольно быстро сходящего -ся ряда.

Полиномы Чебышева имеют вид:

Полином Чебышева на интервале (-1, 1) ограничен значениями (-1, 1), а за пределами этого интервала растет по абсолютной величине быстрее любого другого полинома той же степени, ограниченного тем же условием [4].

Нелинейная форма передаточной ID = f (UGS), а также выходной вольт-амперных характеристик (ВАХ) ID = f (UDS) характеристик МОПТ учитывает интегральное влияние параметров нано технологии на реализованные в наноразмерном технологическом базисе полевые транзисторы. Расчёт сток-затворной характеристики включает в себя измерение характеристики МОПТ и реализацию её аппроксимации.

Построение передаточных характеристик проводилось с использованием Spice-моделей n- или p-МОПТ КМОП-технологических процессов GPDK090 и GPDK045 [5] с соответствующими параметрами длины [L = (45, 100) нм] и ширины [W = (120, 360, 500,680) нм)] каналов по схемам, представленным на рис. 1. Нагрузочный резистор г=10 мОм в схеме измерения (рис. 1) позволяет определять величину тока стока транзистора при заданном значении напряжения смещения рабочей точки на затворе, изменяемом в пределах (0 — 2) В.

Для значений отношений L/W n- и p-МОПТ c использованием САПР БИС Cadence получено семейство передаточных характеристик схемотехническим моделированием в Spectre [6]. Иллюстрация передаточных характеристик, полученных для типовых топологических норм КМОПТ в нано технологиях GPDK045 и GPDK090, приведена на рис. 2.

Табличные значения напряжений и токов n- и p-МОПТ использовались для аппроксимации передаточных характеристик полиномами Чебыше-

ва 10-й степени по методу наименьших квадратов [7]. п- и р-МОПТ с параметрами каналов: а) Ь = 100 нм, W = (120, 360, 500, 680) нм; б) Ь = 45 нм, W = (120, 360, 500, 680) нм приведены в табл. 1 и 2.

а) б)

Рис. 1. Схемы измерения передаточных характеристик МОПТ, реализованных по технологиям 0РБК045, 0РБК090:

а) п-МОПТ, б) р-МОПТ

<к [V) ¿с (V)

Рис. 2. Сток-затворные характеристики МОПТ с различными параметрами каналов

Таблица 1

а1 п-МОПТ, Ь/W (нм) а1 р-МОПТ Ь/W (нм)

45/120 45/360 45/500 45/680 45/120 45/360 45/500 45/680

а0 -0.0000 -0.0000 -0.0000 -0.0000 а0 -0.0000 -0.0000 -0.0000 -0.0000

а: 0.0000 0.0000 0.0000 0.0000 а1 0.0000 0.0000 0.0000 0.0001

а2 -0.0000 -0.0003 -0.0005 -0.0006 а2 -0.0001 -0.0005 -0.0006 -0.0008

аэ 0.0006 0.0032 0.0049 0.0061 а3 0.0006 0.0027 0.0032 0.0040

а4 -0.0031 -0.0141 -0.0207 -0.0263 а4 -0.0012 -0.0064 -0.0067 -0.0077

а5 0.0075 0.0321 0.0465 0.0596 аз 0.0011 0.0071 0.0058 0.0048

а6 -0.0100 -0.0414 -0.0593 -0.0762 а6 -0.0001 -0.0034 -0.0002 0.0037

а7 0.0077 0.0314 0.0446 0.0574 а7 -0.0006 -0.0001 -0.0034 -0.0078

а8 -0.0035 -0.0140 -0.0197 -0.0253 а8 0.0004 0.0009 0.0026 0.0050

а9 0.0008 0.0034 0.0047 0.0061 а9 -0.0001 -0.0004 -0.0008 -0.0015

а10 -0.0001 -0.0003 -0.0005 -0.0006 а10 0.0000 0.0000 0.0001 0.0002

Таблица 2

а1 п-МОПТ, ЬМ (нм) а1 р-МОПТ ЬМ (нм)

100/120 100/360 100/500 100/680 100/120 100/360 100/500 100/680

а0 -0.0000 0.0001 -0.0000 -0.0000 а0 0.0000 0.0000 0.0000 0.0000

а1 0.0000 -0.0034 0.0001 0.0001 а1 -0.0000 -0.0000 -0.0000 -0.0000

а2 -0.0003 -0.0033 -0.0008 -0.0008 а2 0.0001 0.0002 0.0002 0.0003

а3 0.0016 0.2952 0.0023 0.0008 а3 -0.0002 -0.0003 -0.0005 -0.0005

а4 -0.0035 -1.4886 0.0006 0.0101 а4 -0.0002 -0.0015 -0.0018 -0.0028

а5 0.0041 3.3586 -0.0109 -0.0337 а5 0.0013 0.0055 0.0072 0.0104

а6 -0.0028 -4.2099 0.0190 0.0484 а6 -0.0021 -0.0079 -0.0107 -0.0150

а7 0.0010 3.1296 -0.0162 -0.0384 а7 0.0017 0.0062 0.0085 0.0118

а8 -0.0002 -1.3748 0.0076 0.0175 а8 -0.0008 -0.0028 -0.0039 -0.0053

а9 -0.0000 0.3302 -0.0019 -0.0043 а9 0.0002 0.0007 0.0010 0.0013

а10 0.0000 -0.0334 0.0002 0.0004 а10 -0.0000 -0.0001 -0.0001 -0.0001

На рис. 3 и рис. 4 представлены аппроксимированные передаточные характеристики МОПТ с индуцированными каналами в технологических базисах 0РБК090 и 0РБК045.45) в гораздо меньших пределах, чем у п-МОПТ. Снижение скорости роста выходного тока р-МОПТ по сравнению с п-МОПТ может быть объяснено тем, что подвижность дырок меньше подвижности электронов.

Приведена оценка влияния ширины кана-

ла МОП-транзисторов в технологическом базисе с наноразмерными топологическими нормами на сток-затворную характеристику.

Литература

1. Красников Г.Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОПТ. В 2-х частях, часть 1.М.:Изд-во Техносфера. 2002.

2. Г. Корн, Т. Корн. Справочник по математике. Перев. с англ. под общей редакцией Арамановича И.Г. -М., : Наука, 1974, с. 686 -687, 768 -774.

3. Баскаков С.И. Радиотехнические цепи и сигналы. Учебн. для вузов. 2-ое изд. — М., : Высш. шк. 1988 — 448 с.

4. Ратхор Т.С. Цифровые измерения. Методы и схемотехника. — М.: Техносфера, 2004. — 376 с

5. Reference Manual for Generic 90 nm Generic 90nm Salicide 1.2V/2.5V 1P 9M PDK, 2009, 31 c.

6. Cadence® AnaLog Design Enviroнмent User Guide. Product Version 5.0, 2003, 480 c.

7. Исследование нелинейных процессов преобразования частоты в смесителе на МОП- транзисторах с субмикронными топологическими нормами в интенсивной помеховой обстановке. [Текст] / А.И. Мушта, Ю.С. Балашов, И.В. Новосельцева, А.Н. Ковтун // Вестник Воронежского государственного технического университета. — 2010.- Т. 6. — № 1.- С. 98 — 105.

8. Лазарев Ю.Ф. Начала программирования в среде MatLAB: Учебное пособие.. Khoroshaylova, D.V. Shehovtsov, A.I. Mushta, A.V. Strogonov

Analytical expressions of transfer characteristics of п-МОП-and p-MOP-tranzistorov are received. The device of polynoms of Chebyshev is used. The technological basis with nanoscale design norms is realized

Key words: technological basis, MOS-transistor, induced channel, nanoscale topological norms

FQP50N06, Транзистор, N-канал 60В 50А [TO-220], Fairchild

Описание

FQP50N06 является N-канальным, силовым МОП-транзистором QFET® 60В с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от компании Fairchild Semiconductor. Эта усовершенствованная технология была специально разработана для минимизации сопротивления в активном состоянии и обеспечения превосходных коммутационных характеристик и стойкости к высоким импульсам энергии в лавинном и коммутационном режимах. Это устройство хорошо подходит для высокоэффективных импульсных источников питания, активной коррекции коэффициента мощности и электронного балласта на базе полумостовой топологии. Это устройство хорошо подходит для низковольтных устройств вроде DC-DC преобразователей, высокоэффективного коммутационного оборудования для портативных и устройств с питанием от батареи. Этот продукт является универсальным и подходит для различных применений.

• Низкий заряд затвора
• Лавинное тестирование 100%
• Улучшенная характеристика dv/dt
• Улучшение потерь коммутации
• Более низкие потери проводимости
• Максимальная температура перехода 175°C

Технические параметры

Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 50
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.022 Ом/25А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 120
Крутизна характеристики, S 40
Корпус to-220
Пороговое напряжение на затворе 2.5
Вес, г 2.5

Техническая документация

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

MMBT2222LT1 — Транзисторы общего назначения

% PDF-1.4 % 1 0 объект > эндобдж 5 0 obj > эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > эндобдж 4 0 obj > транслировать 2021-08-06T10: 29: 22 + 02: 00BroadVision, Inc.2021-08-06T10: 29: 52 + 02: 002021-08-06T10: 29: 52 + 02: 00 Приложение Acrobat Distiller 18.0 (Windows) / pdf

  • MMBT2222LT1 — Транзисторы общего назначения
  • на полу
  • uuid: a6fbb01b-f929-4c76-9d63-ef126d358c8euuid: c48ee147-49b9-4b2c-a32d-1d28c1a7fe29 конечный поток эндобдж 6 0 obj > эндобдж 7 0 объект > эндобдж 8 0 объект > эндобдж 9 0 объект > эндобдж 10 0 obj > эндобдж 11 0 объект > эндобдж 12 0 объект > эндобдж 13 0 объект > эндобдж 14 0 объект > эндобдж 15 0 объект > эндобдж 16 0 объект > эндобдж 17 0 объект > эндобдж 18 0 объект > эндобдж 19 0 объект > эндобдж 20 0 объект > эндобдж 21 0 объект > эндобдж 22 0 объект > транслировать HTWK6Z0 # GY9BxH) ~ $ {0ndHjhD)%? 8WN2qbi Ի $ & n & XC`ek’Iє * u] iK \ O; _1WOU ^ VWZ ^ 1W5? $ & Ɬ`rKd ~ WʃaSm] мм

    uxcell 300pcs MMBT2222 Транзистор 1P NPN 40V 600mA 300mW поверхностный монтаж SOT-23: Amazon.com: Industrial & Scientific


    В настоящее время недоступен.
    Мы не знаем, когда и появится ли этот товар в наличии.
    • Убедитесь, что это подходит введя номер вашей модели.
    • Название продукта: Транзистор СОТ23;
    • Ic: 600 мА; Vceo: 40 В; HFE: 100-300; PCM: 300 мВт; Модель: MMBT2222-1P; Тип транзистора: NPN; Материал: пластик, электронные компоненты;
    • Широко используется в области коммутационных цепей, бессвинцовый / соответствующий требованиям RoHS электронный компонент / поверхностный монтаж
    • Возможность высокого прямого импульсного тока / высокотемпературная пайка / низкие потери мощности, высокая эффективность
    • Содержание упаковки: 300 (+/- 2%) шт. X транзистор SOT23
    ]]>
    Характеристики этого продукта
    Фирменное наименование uxcell
    Номер детали a18071200ux0663
    Размер 300 шт.
    Спецификация соответствует Rohs
    Код UNSPSC 41000000
    Модули вывода транзисторов

    Yokogawa F3YD64-1P F3YD64-1P

    Производитель: YOKOGAWA Electric Corporation

    Модули вывода транзисторов Yokogawa F3YD64-1P

    Общий
    F3YD32-1P и F3YD64-1P — это 32- и 64-канальные транзисторные выходные модули соответственно.
    Характеристики
    — Модули имеют встроенную защиту от короткого замыкания на выходе


    Технические характеристики

    Модули транзисторных выходов Yokogawa F3YD64-1P

    Количество точек: 64 Тип выхода : Транзисторный контакт (сток)
    Тип общей линии: 8 точек / общий Isola Метод установки: Изоляция оптопары
    Напряжение включения: 0.5 В пост. Тока макс. Ток утечки в отключенном состоянии: макс. 0,1 мА.
    Устройство защиты от перенапряжения * 2: Схема активных зажимов
    Выдерживаемое напряжение: 1500 В переменного тока в течение одной минуты между группой клемм для внешнего подключения и внутренней цепью

    M одель и суффикс-коды

    Модули вывода транзисторов Yokogawa F3YD64-1P

    Модель
    Суффикс-код
    Код стиля
    Код опции
    Описание
    F3YD64
    -1П
    .. . . .
    . . . . .
    64-канальный транзисторный выход
    с защитой от короткого замыкания

    TIP120 Транзистор Дарлингтона NPN: распиновка, техническое описание, схема [видео]

    В этом блоге содержится подробная информация о транзисторе Дарлингтона NPN TIP120 , включая его распиновку, техническое описание, модели САПР и некоторые схемы, которые могут оказаться полезными, надеюсь, вам понравится это чтение!

    Во-первых, что такое TIP120? Что ж, технически TIP120 представляет собой NPN-транзистор с парой Дарлингтона.Он функционирует как обычный NPN-транзистор, но поскольку внутри него есть пара Дарлингтона, он имеет хороший номинальный ток коллектора около 5 А и коэффициент усиления около 1000. Он также может выдерживать около 60 В на своем коллекторе-эмиттере, следовательно, может использоваться для управления тяжелым током. нагрузки.

    На видео ниже показано, как использовать TIP120 с Arduino для питания светодиодной ленты 12 В, это легко понять и понять.

    Каталог


    Распиновка TIP120

    Функции контактов TIP120 показаны в таблице ниже:

    Номер контакта

    Имя контакта

    Описание

    1

    База

    Управляет смещением транзистора, используется для включения или выключения транзистора

    2

    Коллектор

    Ток протекает через коллектор, обычно подключенный к нагрузке

    3

    Излучатель

    Ток утекает через эмиттер, обычно соединенный с землей


    TIP120 CAD-модели


    Внутренние принципиальные схемы TIP120


    Характеристики TIP120

    • NPN Транзистор Дарлингтона средней мощности
    • Коэффициент усиления постоянного тока (hFE), обычно 1000
    • Постоянный ток коллектора (IC) 5А
    • Напряжение коллектор-эмиттер (VCE) 60 В
    • Напряжение коллектор-база (VCB) 60 В
    • Базовое напряжение эмиттера
    • (VBE) 5 В
    • Базовый ток (IB) составляет 120 мА
    • Пиковый ток нагрузки 8А
    • Доступен в упаковке To-220

    TIP120 Applications

    • Может использоваться для переключения сильноточных (до 5A) нагрузок
    • Могут использоваться как переключатели средней мощности
    • Используется там, где требуется высокое усиление
    • Контроль скорости двигателей
    • Инверторные и прочие выпрямительные схемы

    TIP120 Упаковка


    Испытательная цепь TIP120

    • Переключение резистивной нагрузки для типа NPN

    • Переключение резистивной нагрузки для типа PNP


    Где использовать TIP120

    Прежде всего, необходимо пояснить, что транзистор TIP120 известен своим высоким коэффициентом усиления по току (hfe = 1000) и высоким током коллектора (IC = 5A), поэтому он обычно используется для управления нагрузками с большим током или в приложениях. где требуется высокое усиление.Другими словами, этот транзистор имеет низкое напряжение база-эмиттер всего 5 В, поэтому им можно легко управлять с помощью логического устройства, такого как микроконтроллеры. Хотя следует позаботиться о том, чтобы проверить, может ли логическое устройство подавать ток до 120 мА.

    Итак, если вы ищете транзистор, которым можно было бы легко управлять с помощью логического устройства для переключения мощных нагрузок или для усиления высокого тока, то этот транзистор может быть идеальным выбором для вашего приложения.


    Функциональные эквиваленты TIP120


    TIP120 Популярность по регионам


    TIIP120 Анализ рыночных цен


    TIP120 Производитель

    Группа STmicroelectronics (ST) была создана в июне 1988 года в результате слияния итальянских компаний SGS Microelectronics и французской Thomson.В мае 1998 года SGS-Thomson Microelectronics изменила свое название на STmicroelectronics Limited.

    Это крупнейший в мире производитель специализированных аналоговых микросхем и микросхем преобразования энергии, крупнейший в мире поставщик промышленных полупроводников и микросхем для телевизионных приставок, а также мировой лидер в производстве дискретных компонентов, модулей камер для мобильных телефонов и автомобильных интегральных схем.


    Лист данных на компоненты

    транзистор% 201p техническое описание и примечания по применению

    TLP627M Корпорация Toshiba Electronic Devices & Storage Оптопара (выход фотодарлингтона), вход постоянного тока, 5000 В среднекв., DIP4
    SSM6K513NU Корпорация Toshiba Electronic Devices & Storage МОП-транзистор, N-канал, 30 В, 15 А, 0.0089 Ом @ 10В, UDFN6B
    TK065N65Z Корпорация Toshiba Electronic Devices & Storage МОП-транзистор, N-канал, 650 В, 38 А, 0,065 Ом при 10 В, TO-247
    TK1K7A60F Корпорация Toshiba Electronic Devices & Storage МОП-транзистор, N-канал, 600 В, 4,0 А, 1,7 Ом при 10 В, TO-220SIS
    TK2K2A60F Корпорация Toshiba Electronic Devices & Storage МОП-транзистор, N-канал, 600 В, 3.5 А, 2,2 Ом @ 10 В, TO-220SIS
    TK4K1A60F Корпорация Toshiba Electronic Devices & Storage МОП-транзистор, N-канал, 600 В, 2,0 А, 4,1 Ом при 10 В, TO-220SIS

    Synopsys Full EDA Flow первой получила сертификат Samsung Foundry 4LPP

    MOUNTAIN VIEW, Калифорния, 17 ноября 2021 г. —

    Основные характеристики:

    • Synopsys Fusion Design Platform и Custom Design Platform первыми получили сертификат Samsung Foundry по процессу 4LPP, что является частью комплексной технологической дорожной карты, которая поможет производителям микросхем разрабатывать и выпускать более быстрые и энергоэффективные микросхемы
    • Компилятор
    • Synopsys 3DIC прошел валидацию для процесса интеграции с несколькими кристаллами Samsung Foundry Multi-Die Integration (MDI), который включает в себя последние достижения технологического процесса 4LPP и обеспечивает масштабируемость для сотен миллиардов транзисторов
    • Synopsys DesignWare IP для процесса 4LPP обеспечивает низкую задержку, максимальную энергоэффективность и широкую полосу пропускания, сводя к минимуму риски интеграции

    Synopsys, Inc.Сегодня компания объявила, что весь процесс EDA сертифицирован Samsung Foundry для нового процесса 4LPP (4-нм Low Power Plus). Доступный сейчас процесс 4LPP представляет собой последнюю реализацию уникальной технологии FinFET от Samsung Foundry, которая обеспечивает преимущества в плотности, производительности и мощности микросхем для систем на кристалле, используемых в некоторых из наиболее востребованных сегодня приложений, включая высокопроизводительные вычисления, искусственный интеллект и Инфраструктура 5G.

    Решения Synopsys, сертифицированные для процесса Samsung Foundry 4LPP, охватывают полностью цифровую, аналоговую и смешанную реализацию, а также процесс согласования.Кроме того, сотрудничество между двумя компаниями привело к появлению решения Synopsys 3DIC Compiler для потока интеграции с несколькими кристаллами Samsung Foundry Multi-Die Integration (MDI), которое проверено на технологии 4LPP. 3DIC Compiler — это полноценное трехмерное решение для управления сложностью сотен миллиардов транзисторов при оптимизации мощности, производительности и площади (PPA) на кубический мм кремния. Synopsys также разрабатывает портфель DesignWare Foundation IP и Interface IP, который обеспечивает низкую задержку, высокую пропускную способность и энергоэффективность для микросхем, разработанных по процессу 4LPP.

    «Samsung Foundry рада тесному сотрудничеству с Synopsys, чтобы обеспечить готовность полного цикла EDA для нашего процесса 4LPP», — сказал Сангюн Ким, вице-президент группы технологий Foundry Design в Samsung Electronics. «Synopsys — идеальный партнер для объединения усилий в поиске путей для облегчения включения новых узлов, поскольку мы продолжаем продвигать нашу дорожную карту по новым технологиям, таким как наш предстоящий 3-нанометровый процесс универсального доступа».

    Как первый поставщик EDA, получивший полную сертификацию для процесса 4LPP с помощью программы SAFE-QEDA, Synopsys готова ускорить плавный процесс внедрения для клиентов, минимизируя риски и сокращая время и затраты на выполнение работ.Программа SAFE-QEDA предназначена для снижения рисков внедрения новых узлов.

    «Наше тесное сотрудничество продолжает ускорять технологический прогресс для стимулирования инноваций в высокопроизводительных вычислениях, ускорителях искусственного интеллекта, AR / VR и других популярных областях приложений», — сказал Шанкар Кришнамурти, GM и корпоративный персонал Silicon Realization Group в Synopsys. «Сертификация наших платформ для процесса 4LPP Samsung Foundry обеспечивает высочайший уровень корреляции кремний и надежность конструкции, что позволяет производителям микросхем реализовать лучший в своем классе PPA и сократить время выполнения работ.”

    Решения

    Synopsys для цифрового проектирования, которые являются частью сертифицированного потока, закреплены за платформой Fusion Design Platform, которая с ее единой моделью данных и возможностями машинного обучения охватывает весь жизненный цикл от проектирования до кремния, ускоряя разработку инновационных гиперконвергентных технологий. конструкции. Решения в этом потоке включают:

    Решения

    Synopsys по индивидуальному дизайну, которые являются частью сертифицированного потока, закреплены на платформе Custom Design Platform, которая включает в себя решение моделирования PrimeSim Continuum и предоставляет унифицированный набор инструментов проектирования и проверки для аналоговых и смешанных схем.Решение PrimeSim Continuum включает симуляторы PrimeSim HSPICE, PrimeSim SPICE, PrimeSim Pro и PrimeSim XA. Другие решения в этом потоке включают:

    • Решение Synopsys PrimeSim для анализа EMIR для подтверждения мощности на уровне транзисторов
    • Среда разработки Synopsys Custom Compiler для полностью настраиваемых аналоговых, специализированных цифровых и смешанных ИС
    • Synopsys SiliconSmart, решение для определения характеристик ячеек, ввода-вывода и памяти
    • Решение для унифицированной библиотеки Synopsys PrimeLib для характеризации и проверки

    Synopsys также разрабатывает широкое портфолио DesignWare IP для процесса Samsung 4LPP, включая:

    Samsung SAFE Forum 2021

    Президент

    Synopsys и главный операционный директор Сассин Гази выступит с основным докладом на форуме Samsung Advanced Foundry Ecosystem (SAFE ™) 2021 17 ноября.На мероприятии также будут представлены многочисленные технические презентации экспертов Synopsys. Для получения дополнительной информации посетите: https://www.synopsys.com/events/samsung-safe.html.

    О компании Synopsys

    Synopsys, Inc. является партнером Silicon to Software для инновационных компаний, разрабатывающих электронные продукты и программные приложения, на которые мы полагаемся каждый день. Synopsys, занимающая 15 место среди крупнейших разработчиков программного обеспечения в мире, уже давно является мировым лидером в области автоматизации проектирования электроники (EDA) и IP полупроводников, а также укрепляет свое лидерство в области безопасности программного обеспечения и качественных решений.Независимо от того, являетесь ли вы разработчиком системы на кристалле (SoC), создающим передовые полупроводники, или разработчиком программного обеспечения, создающим приложения, требующие высочайшего уровня безопасности и качества, у Synopsys есть решения, необходимые для создания инновационных, высококачественных и безопасных продуктов. Узнайте больше на www.synopsys.com.


    Источник: Synopsys

    Новые высоты производительности и эффективности

    На прошлой неделе Apple представила серию ноутбуков MacBook Pro нового поколения, новую серию флагманских устройств, которые принесут с собой значительные обновления для профессиональной и ориентированной на опытных пользователей пользовательской базы компании.Новые устройства особенно выделяются тем, что теперь они оснащены двумя новыми дополнительными моделями в линейке микросхем Apple, M1 Pro и M1 Max. В обзорной статье, опубликованной на прошлой неделе, мы уже рассказали о первом появлении двух новых микросхем, а сегодня мы получаем первые проблески производительности, которую мы ожидаем от нового кремния.

    M1 Pro: 10-ядерный процессор, 16-ядерный графический процессор, 33,7 миллиарда транзисторов

    Начиная с M1 Pro, младшего брата этих двух, дизайн выглядит как новая реализация чипа M1 первого поколения, но на этот раз спроектированный с нуля для увеличения масштабирования и повышения производительности.M1 Pro, на наш взгляд, является более интересным из двух дизайнов, поскольку он предлагает в основном все, что опытные пользователи сочтут важными для поколений с точки зрения обновлений.

    В основе SoC мы находим новый 10-ядерный процессор в конфигурации 8 + 2 с 8 производительными ядрами Firestorm и 2 эффективными ядрами Icestorm. Мы указали в нашем первоначальном обзоре, что, похоже, новые чипы Apple M1 Pro и Max используют аналогичный, если не тот же IP-адрес процессора того же поколения, что и на M1, вместо того, чтобы обновлять вещи до ядер нового поколения, которые используются в A15.Похоже, мы можем это подтвердить, поскольку не наблюдаем явных изменений в ядрах по сравнению с тем, что мы обнаружили на чипах M1.

    Ядра ЦП работают с максимальной тактовой частотой 3228 МГц, однако их частота зависит от количества активных ядер в кластере, снижаясь до 3132 МГц при 2 и 3036 МГц при 3 и 4 активных ядрах. Я говорю «на кластер», потому что 8 ядер производительности в M1 Pro и M1 Max действительно состоят из двух 4-ядерных кластеров, каждый из которых имеет свои собственные кэши L2 по 12 МБ, и каждый может синхронизировать свои процессоры независимо друг от друга. так что на самом деле возможно иметь четыре активных ядра в одном кластере на 3036 МГц и одно активное ядро ​​в другом кластере, работающее на 3.23 ГГц.

    Два ядра E в системных часах с частотой до 2064 МГц, и, в отличие от M1, на этот раз их всего два, однако Apple по-прежнему предоставляет им полные 4 МБ кеш-памяти L2, как и на M1 и А-производные чипы.

    Важной особенностью обоих чипов является их значительно увеличенная пропускная способность памяти и интерфейсы — M1 Pro оснащен 256-битной памятью LPDDR5 со скоростью 6400 МТ / с, что соответствует пропускной способности 204 ГБ / с. Это значительно выше, чем у M1 со скоростью 68 ГБ / с, а также, как правило, выше, чем у конкурирующих платформ ноутбуков, которые по-прежнему используют 128-битные интерфейсы.

    Нам удалось идентифицировать «SLC», или кэш системного уровня, как мы его называем, который составляет 24 МБ для M1 Pro и 48 МБ для M1 Max, что немного меньше, чем мы предполагали изначально, но имеет смысл, учитывая площадь кристалла SRAM, что на 50% больше, чем SLC для каждого блока на M1.

    M1 Max: чудовищный 32-ядерный графический процессор на 57 млрд транзисторов

    Помимо M1 Pro у нас есть второй новый чип M1 от Apple, M1 Max. M1 Max по сути идентичен M1 Pro с точки зрения архитектуры и многих функциональных блоков, но что отличает Max, так это то, что Apple оснастила его гораздо более крупным графическим процессором и комплексами кодирования / декодирования мультимедиа.В целом Apple удвоила количество ядер графического процессора и медиаблоков, в результате чего M1 Max практически вдвое повысил производительность графического процессора и мультимедиа.

    Интерфейсы графического процессора и памяти в чипе — это, безусловно, наиболее дифференцированные аспекты чипа, вместо 16-ядерного графического процессора Apple увеличила количество ядер до 32-ядерного. На M1 Max, который мы тестировали сегодня, графический процессор работает на частоте до 1296 МГц — довольно быстро для того, что мы считаем мобильным IP, но все же значительно медленнее, чем то, что мы видели на обычном ПК и в консольном пространстве, где теперь могут работать графические процессоры. примерно до 2.5 ГГц.

    Apple также удваивает количество интерфейсов памяти, используя колоссальную 512-битную подсистему памяти LPDDR5 — неслыханное явление для SoC и даже редкость среди исторических дискретных графических процессоров. Это дает чипу огромную пропускную способность 408 ГБ / с — как эта полоса пропускания доступна для различных IP-блоков на чипе — это одна из вещей, которые мы исследуем сегодня.

    Объем кэшей контроллера памяти в этом чипе составляет 48 МБ, что позволяет теоретически увеличить пропускную способность памяти для различных блоков SoC, а также уменьшить трафик DRAM вне кристалла, что также снижает энергопотребление чипа.

    Снимок M1 Max, сделанный Apple, изначально был немного странным, поскольку мы не были уверены, действительно ли он представляет физическую реальность — особенно в нижней части чипа, мы заметили, что, похоже, есть удвоенный NPU — что-то, что Apple официально не раскрывает. Удвоенный медиа-движок имеет смысл, поскольку это часть функций чипа, однако до тех пор, пока мы не получим сторонний снимок, подтверждающий, что чип действительно выглядит так, мы воздержимся от дальнейших спекуляций по этому поводу.

    alexxlab

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *