Типы корпусов транзисторов
Типы корпусов транзисторовRADIODETECTOR
Радиоэлектроника, схемы, статьи
и программы для радиолюбителей.
Стать автором
Вход Регистрация
- Вопрос/Ответ
- Литература
- Радиотовары с Aliexpress
- Объявления
- Пользователи
Представляем наиболее популярные серии импортных транзисторов и тиристоров. Корпуса стандартизованы для унификации и упрощения процесса изготовления изделий. В программах для составления печатных платы в базу данных уже забиты все эти корпуса с соответствующими размерами.
Техника безопасности превыше всего, тем более когда речь заходит о проводке. Учитывая характеристики проводов и соблюдая правила их грамотной установки, возможно избежать несчастных…
11 Янв 2022
- 1052
- 0
В Европе для маркировки кабеля используются свои стандарты и нормативные документы. Чтобы расшифровать маркировку импортного кабеля, необходимо знать, что обозначает конкретная…
7 Янв 2022
- 1838
- 0
Технические характеристики импортных микрофонов WM — 034, WM — 52, WM — 54, WM — 60, WM — 62, WM — 66, WM — 55, WM — 56 .
Таблица
Наименование
Чувствительность
Диапазон
частот
Уровень…
26 Апр 2021
- 1468
- 0
Динистор – неуправляемая разновидность тиристоров, также он еще называется триггер-диодом. Производится из полупроводникового монокристалла, который имеет несколько p-n переходов….
26 Апр 2021
- 1780
- 0
Тип
S1-S2/I(U)
мсим/А(В)
I01-I02/U
А/В
Iз/Uз
нА/В
C11
пф
C12
пф
C22
пф
Uзи/Iс(U0
В/mА(В)
Uзс
В
Uзи
В
Uси
В
Iс
А
P/Pт
вт
Тип
Кан
Цок
КП701А
КП701Б
800-2100/2.
18 Апр 2021
- 1424
- 0
Представляем наиболее популярные серии импортных транзисторов и тиристоров. Корпуса стандартизованы для унификации и упрощения процесса изготовления изделий. В программах для…
17 Мар 2020
- 5857
- 0
Если вы нашли ошибку в статье, или на сайте.
Ваше имя
Ваше почта
Сообщение
Сообщение
Администрация сайта свяжется с Вами в ближайшее время.
Скачать
Цифровые микросхемы транзисторы.
Поиск по сайту
Микросхемы ТТЛ (74…).
На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие tзд,р,ср.= 13 нс. и среднее значение тока потребления Iпот = 1,5…2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.
Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U1вых.
2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.
| ТТЛ серия | Параметр | Нагрузка | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Российские | Зарубежные | Pпот. мВт. | tзд.р. нс | Эпот. пДж. | Cн. пФ. | Rн. кОм. |
| К155 КМ155 | 74 | 10 | 9 | 90 | 15 | 0,4 |
| К134 | 74L | 1 | 33 | 33 | 50 | 4 |
| К131 | 74H | 22 | 6 | 132 | 25 | 0,28 |
| К555 | 74LS | 2 | 9,5 | 19 | 15 | 2 |
| К531 | 74S | 19 | 3 | 57 | 15 | 0,28 |
| К1533 | 74ALS | 1,2 | 4 | 4,8 | 15 | 2 |
| К1531 | 74F | 4 | 3 | 12 | 15 | 0,28 |
При совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов.
| Нагружаемый выход |
Число входов-нагрузок из серий | ||
|---|---|---|---|
| К555 (74LS) | К155 (74) | К531 (74S) | |
| К155, КM155, (74) | 40 | 8 | |
| К155, КM155, (74), буферная | 60 | 30 | 24 |
| К555 (74LS) | 20 | 5 | 4 |
| К555 (74LS), буферная | 60 | 15 | 12 |
| К531 (74S) | 50 | 12 | 10 |
| К531 (74S), буферная | 150 | 37 | 30 |
Выходы однокристальных, т.
е. расположенных в одном корпусе, логических элементов ТТЛ, можно соединять вместе. При этом надо учитывать, что импульсная помеха от сквозного тока по проводу питания пропорционально возрастет. Реально на печатной плате остаются неиспользованные входы и даже микросхемы (часто их специально «закладывают про запас») Такие входы логического элемента можно соединять вместе, при этом ток I
| Параметр | Условия измерения | К155 | К555 | К531 | К1531 | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Мин. |
Тип. | Макс. | Мин. | Тип. | Макс. | Мин. | Тип. | Макс. | Мин. | Макс. | ||
| U1вх, В схема |
U1вх или U0вх Присутствуют на всех входах | 2 | 2 | 2 | 2 | |||||||
| U0вх, В схема |
0,8 | 0,8 | 0,8 | |||||||||
| U0вых, В схема | Uи.п.= 4,5 В | 0,4 | 0,35 | 0,5 | 0,5 | 0,5 | ||||||
| I0вых= 16 мА | I0вых= 8 мА | I0вых= 20 мА | ||||||||||
| U1вых, В схема |
Uи. п.= 4,5 В |
2,4 | 3,5 | 2,7 | 3,4 | 2,7 | 3,4 | 2,7 | ||||
| I1вых= -0,8 мА | I1вых= -0,4 мА | I1вых= -1 мА | ||||||||||
| I1вых, мкА с ОК схема | U1и.п.= 4,5 В, U1вых=5,5 В | 250 | 100 | 250 | ||||||||
| I1вых, мкА Состояние Z схема |
U1и.п.= 5,5 В, U1вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 Uвх= 2 В | 40 | 20 | 50 | ||||||||
| I0вых, мкА Состояние Z схема |
U1и. п.= 5,5 В, Uвых= 0,4 В, Uвх= 2 В |
-40 | -20 | -50 | ||||||||
| I1вх, мкА схема | U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 2,7 В | 40 | 20 | 50 | 20 | |||||||
| I1вх, max, мА | U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 10 В | 1 | 0,1 | 1 | 0,1 | |||||||
| I0вх, мА схема |
U1и.п.= 5,5 В, U0вх= 0,4 В | -1,6 | -0,4 | -2,0 | -0,6 | |||||||
Iк. з., мА | U1и.п.= 5,5 В, U0вых= 0 В | -18 | -55 | -100 | -100 | -60 | -150 | |||||
Внешний вид транзистора (TO) Типы корпусов
Транзистор Схема (ТО) Типы упаковкитранзистор Семейство пакетов Outline (TO) состоит из множества типов упаковки. решения для транзисторов и подобных дискретных устройств, а также простые ИС с малым количеством выводов. Структуры пакетов TO различаются широко, от дорогих металлических корпусов банок до недорогих пластиковых формованных упаковочные корпуса (см. Таблицу 1 ниже)
.
Таблица 1.
Типы ТО
Пакеты (не показаны в масштабе)
|
См.
другие типы корпусов ИС
ДОМ
Авторские права 2008 www.EESemi.com . Все права защищены.
Упаковка для дискретных транзисторов | Корпуса интегральных схем
Упаковка дискретных транзисторов – Многие маломощные транзисторы залиты смолой с выступающими металлическими соединительными выводами, как показано на рис. 7-24. Это известно как ТО-92 пакет. Обратите внимание на соединения эмиттера, базы и коллектора. Они расположены в последовательности E, B, C слева направо, если смотреть на нижнюю часть транзистора плоской стороной вверх. Такая упаковка экономична, но имеет ограниченный диапазон рабочих температур.
На рис. 7-25 показан другой способ упаковки маломощных дискретных транзисторов, при котором устройство герметично помещается в металлическую банку. В зависимости от размера банки это определяется как упаковка от ТО-5 до ТО-18. Транзистор сначала монтируется так, чтобы его коллектор (механически и электрически) контактировал с теплопроводной металлической пластиной. Провода (изолированные от пластины) проходят для соединения эмиттера и базы, а металлический кожух приваривается к пластине. Глядя на нижнюю часть транзистора и двигаясь по часовой стрелке от вкладки, клеммы обозначены как E, B, C. Корпус из металлической банки обеспечивает более широкий диапазон температур и большее рассеивание мощности, чем инкапсуляция из смолы.
Для корпусов мощных дискретных транзисторов часто используется герметичная банка (ТО-3), [Рис. 7-26(а)]. При этом теплопроводящая пластина значительно больше, чем в корпусе ТО-5, и предназначена для монтажа непосредственно на радиатор.
Для базы и эмиттера предусмотрены соединительные штифты, а соединение коллектора выполнено с помощью металлической пластины. Обратите внимание на обозначения терминалов, снова взглянув на нижнюю часть устройства.
На рис. 7-26(b) показан силовой транзистор в пластиковом корпусе с металлическим язычком для крепления к радиатору. Еще раз обратите внимание на обозначение выводов транзистора и обратите внимание, что металлический язычок соединен с коллектором. Доступны несколько других типов корпусов для маломощных и мощных устройств.
Корпуса ИС:Как и полупроводниковые устройства, интегральные схемы должны быть упакованы так, чтобы обеспечить механическую защиту и клеммы для электрического соединения. Несколько стандартных пакетов общего назначения показаны на рис. 7-27.
Контейнер в виде металлической банки обеспечивает электромагнитное экранирование микросхемы, чего нельзя добиться в пластиковых упаковках [Рис. 7-27(а)].
