Транзистор в качестве стабилитрона
Что делать, когда нет стабилитрона на нужное напряжение?
Микромощный стабилизатор напряжения на транзисторе
Стабилизаторы с малым собственным потреблением тока зачастую оказываются весьма полезными в радиолюбительском хозяйстве, так как могут обеспечить такой
важнейший показатель электронной аппаратуры с автономным питанием, как экономичность входящих в её состав узлов.
Выбор интегральных микросхем в данной нише стабилизаторов заметно беднее, а цены, как правило, заметно ощутимей, чем на аналоги со стандартным
потреблением, поэтому на данной странице рассмотрим микромощные стабилизаторы на дискретных элементах.
А начнём со статьи, опубликованной в журнале Radio Communication, 1997, February, p.78:
Кремниевые транзисторы в диодном включении могут с успехом заменить стабилитроны малой мощности.
Рис.1 Схемы включения транзистора в режиме стабилизации напряжения
Напряжение стабилизации зависит от типа транзистора и в некоторой степени от конкретного экземпляра транзистора.
Для большинства транзисторов оно близко к 5…6 В. Экспериментируя с различными типами транзисторов, автор не обнаружил ни одного с напряжением
стабилизации более 8 В.
Если полученное напряжение стабилизации меньше требуемого, то можно последовательно с транзистором – «стабилитроном» включить один или два кремниевых диода
малой мощности (Рис.1 б) или ещё один транзистор – «стабилитрон» (Рис.1 в).
P. HAWKER. Technicals Topics.
Единственное, в чём можно не согласиться с автором, так это в том, что «диапазон стабилизируемых токов примерно соответствует стабилитронам с максимальной рассеиваемой мощностью 400 мВт».К примеру, эксперименты, давным давно проведённые с транзисторами КТ315, показали, что даже при малых токах (порядка 100 мкА) транзисторы прекрасно работают в качестве стабилитронов, обеспечивая напряжение стабилизации 6…7,5 В (в зависимости от экземпляра).
Рис.2 Схема стабилизатора с низким потреблением на КТ315 в качестве стабилитрона
Стабилизатор, приведённый на Рис.2 имеет собственное потребление тока 100 мкА и может обеспечивать стабилизированное напряжение около 6 В при токах в
нагрузке – до 20…30 мА.
Максимальный ток нагрузки зависит от β транзистора Т2, который представляет собой эмиттерный повторитель и выступает в качестве усилителя тока.
2.3.2. Транзисторный стабилизатор
Максимальная выходная мощность диодного стабилизатора зависит от значений и стабилитрона. Область применения таких стабилизаторов по мощности можно расширить, если использовать усилитель тока на транзисторе (рис. 4.4). Эта схема работает следующим образом. При возрастании по какой-либо причине напряжения происходит увеличение напряжения и напряжения , так как , а . Возрастание вызывает рост коллекторного тока , что приводит к увеличению падения напряжения на балластном резисторе, а это компенсирует начальное возрастание . Так как при работе транзистора в активной области ток коллектора ( ) экспоненциально зависит от напряжения , то изменение , необходимое для компенсации , будет сопровождаться малым изменением напряжения . Таким образом, и будет небольшим.
Рис. 4.4. Схема стабилизатора параллельного типа
Поскольку ток нагрузки диодного стабилизатора Д—R (рис. 4.4) является базовым током управляющего транзистора, то ток нагрузки транзисторного стабилизатора может быть в раз больше, чем у схемы диодного стабилизатора.
Рассматривая схему как линейную, можно показать, что
. (4.10)
Выходное сопротивление
, (4.11)
где и – соответственно сопротивление эмиттера и базы транзистора.
Сопротивление эмиттера транзистора существенно зависит от эмиттерного тока, который, в свою очередь, определяется током нагрузки. С уменьшением эмиттерного тока выходное сопротивление стабилизатора увеличивается, что приводит к ухудшению стабилизирующих свойств схемы. Уменьшать можно, применяя более мощный транзистор и увеличивая ток эмиттера. Заметим, что последнее приводит к ухудшению КПД схемы.
На рис. 4.5 показана схема стабилизатора последовательного типа (регулирующий транзистор включён последовательно с нагрузкой), который представляет собой эмиттерный повторитель. Источником опорного напряжения в этой схеме является стабилитрон
Рис. 4.5. Схема стабилизатора последовательного типа
Схема работает следующим образом. При возрастании по какой-либо причине выходного напряжения (возрастает или увеличится ), происходит уменьшение отпирающего напряжения транзистора (считаем, что падение напряжения на стабилитроне изменяется мало), что уменьшает ток эмиттера, в результате выходное напряжение изменяется мало. Коэффициент стабилизации схемы в линейном приближении равен
. (4.12)
Выходное сопротивление такой схемы определяется выражением (4.11).
Таким образом, у этой схемы и и с увеличением тока эмиттера или, что то же, с увеличением тока нагрузки уменьшается. Схема такого стабилизатора на практике применяется чаще, чем схема с параллельным включением регулирующего транзистора, так как она имеет больший КПД и позволяет использовать менее мощный транзистор. К недостаткам однокаскадных транзисторных схем следует отнести сравнительно высокое выходное сопротивление.
В двухкаскадном стабилизаторе последовательного типа (рис. 4.6а) транзистор Т1 является регулирующим, а транзистор Т2 – сравнивающим и усиливающим. Источником опорного напряжения является стабилитрон. При увеличении выходного напряжения сигнал ошибки воздействует на вход транзистора Т2 (напряжение считается постоянным), вызывая увеличение тока . Это приводит к уменьшению базового и эмиттерного тока транзистора Т1. В свою очередь, уменьшение эмиттерного тока Т1 приводит к уменьшению .
Обычно минимальный рабочий ток стабилитрона больше тока базы транзистора Т2, поэтому вводят дополнительную токопроводящую цепь через (на рис. 4.6а эта цепь показана пунктиром). Чтобы избежать применения токопроводящей цепи, стабилитрон можно включить не в базовую, а в эмиттерную цепь усилительного транзистора (рис. 4.6б).
Рис. 4.6а. Двухкаскадный стабилизатор последовательного типа
Рис. 4.6б. Двухкаскадный стабилизатор последовательного типа со стабилитроном в цепи эмиттера
Анализ двухкаскадного стабилизатора удобно проводить, рассматривая обобщённую схему рис. 4.7.
Рис. 4.7. Обобщённая схема двухкаскадного стабилизатора
В ней учтено, что на рабочем участке стабилитрон можно представить резистором, номинал которого равен дифференциальному сопротивлению стабилитрона. Используя обобщённые матричные методы анализа, можно показать, что коэффициент стабилизации выходного напряжения обобщённой схемы рис. 4.7
, (4.13)
здесь .
При выводе выражения (4.13) учтено, что для стабилизаторов напряжения стабилизатора.
Выходное сопротивление стабилизатора (рис. 4.7)
, (4.14)
здесь .
Как видно из выражений (4.13) и (4. 14), повышение эффективности работы двухкаскадных последовательных стабилизаторов напряжения может быть достигнуто за счёт уменьшения , и увеличения . Заметим, что, изменяя коэффициент деления делителя , , можно изменять величину номинального выходного напряжения.
ТранзисторPass увеличивает выходной ток регулятора
Скачать PDF
Abstract
Линейный стабилизатор 5 В с внешним проходным транзистором (который обеспечивает дополнительный параллельный путь для тока нагрузки) обеспечивает вдвое больший выходной ток (от 150 мА до 300 мА), сохраняя при этом стабилизацию 5 В.
На рис. 1 линейный стабилизатор 5 В (U1) обеспечивает ток нагрузки до 150 мА при самостоятельной работе. Работая с показанным внешним проходным транзистором (Q1), схема поддерживает стабилизацию 5 В, обеспечивая при этом более 300 мА.
Рис. 1. Внешний проходной транзистор (Q1) более чем в два раза увеличивает выходной ток этого 5-вольтового линейного стабилизатора (U1).
Схема допускает нормальные рабочие напряжения в диапазоне от 9 В до 14 В и обеспечивает ток нагрузки до 300 мА при 5 В. Он выдерживает входные переходные процессы до 65 В благодаря высокому входному напряжению микросхемы и внутренней тепловой защите. Широкий диапазон входного напряжения (от 6,5 В до 65 В) и температурный диапазон от -40°C до +125°C делают схему подходящей для автомобильных приложений с напряжением 12 В и 48 В.
Внешний проходной транзистор увеличивает доступный ток нагрузки, создавая дополнительный путь от входа к выходу. Тракт в данном случае был рассчитан на дополнительные 150 мА, но можно получить и большие выходные токи, заменив в схеме другие компоненты. Чтобы понять, как внешний транзистор допускает большие токи нагрузки, представьте схему без выходного тока. В этом случае напряжения на IN и эмиттере Q1 приблизительно равны V CC . Напряжение база-эмиттер Q1 равно нулю, и транзистор закрыт.
По мере того, как ток нагрузки медленно увеличивается от нуля до 300 мА, ток начинает течь через U1 от V CC к OUT, вызывая падение напряжения на резисторах R3 и D3. Такое же падение напряжения появляется на резисторе R1 и V BE транзистора Q1. V BE увеличивается по мере увеличения тока нагрузки. Когда V BE приближается к порогу Q1, транзистор постепенно открывается и пропускает ток от входа к нагрузке. Порог Q1 V BE составляет примерно 0,7 В при комнатной температуре и снижается при более высоких температурах примерно до 0,3 В.
Показанный транзистор (TIP32B) выбран из-за его способности рассеивать мощность и высокого напряжения коллектор-эмиттер (-80 В). Корпус TO-220 позволяет рассеивать мощность в несколько ватт, а напряжение коллектор-эмиттер -80 В позволяет работать (с U1) в приложениях с входным напряжением до 65 В. Как показано на рисунках 2-3, схема стабильна при наличии нагрузки и переходных процессов в сети.
Рис. 2. Переходный процесс нагрузки (верхняя кривая) для схемы на рис. 1.
Рис. 3. Переходный процесс в линии (верхняя кривая) для схемы на Рис. 1.
Эта дизайнерская идея появилась в выпуске журнала EE Times от 16 августа 2004 года.
Основы линейного регулятора — PNP
- Учебный дом TI
- Основы мощности — основы линейного регулятора
- Основы линейного регулятора — PNP
Основы мощности — основы линейного регулятора
Электронная почта
Здравствуйте, меня зовут Алан Мартин, и добро пожаловать в нашу тему, посвященную основам линейного регулятора. В этом модуле обсуждаются PNP-транзисторы при использовании в качестве проходного элемента внутри линейного регулятора. Все линейные регуляторы здесь похожи на эту конфигурацию. У вас есть элемент последовательного прохода внутри устройства, в данном случае это PNP-транзистор и делитель напряжения, подключенный к выходу, который питает усилитель ошибки вместе с внутренним опорным напряжением. Эти два элемента управляют сигналом ошибки, управляющим прошлым транзистором, потребляющим базовый ток от PNP, и впоследствии управляющим выходом линейного регулятора. Вот схематическое изображение. Это довольно просто. Q1 — это биполярный транзистор PNP, и одним из преимуществ такой конфигурации является то, что вы можете полностью насытить транзистор. Таким образом, общее падение от входа к выходу может составлять всего 50 милливольт, хотя при токе полной нагрузки оно может достигать половины вольта. Недостаток этой конфигурации состоит в том, что из всех топологий она имеет самый высокий ток заземления, который теряется впустую, и это то, что протекает как базовый ток через Q1 и через Q2 на землю в секции управления. Эта конфигурация требует выходного конденсатора, и этот выходной конденсатор может иметь определенные диапазоны ESR для достижения стабильности каскада. Обратите внимание, что глядя на терминал VN, вы видите эмиттер Q1. В результате коэффициент ослабления питания этого типа деталей обычно хуже, чем если бы вы искали в коллекторе, как в случае устройства типа NPN. Так что учитывайте эту спецификацию, когда смотрите на эти устройства. Вот простая модель, показывающая ожидаемые бета-версии. Типичная бета PNP составляет около 40. Таким образом, для одного ампера выходного тока у вас будет 40-я часть ампера базового тока, отводимого на землю, и весь этот ток будет проходить через Q2, управляющий транзистор, который управляет проходом PNP. элемент. Вот типичный пример типа токов заземления, которые вы могли бы ожидать. При выходном токе 5 миллиампер на землю уходит 126 микроампер потерянного тока. Когда вы увеличиваете выходной ток до 500 миллиампер, что является увеличением в 100 раз, вы, конечно, также видите увеличение тока заземления в 100 раз, или 12,6 миллиампер тока заземления, который потребляется в качестве тока базы управляющего элемента через PNP.