Справочник параметры зарубежных транзисторов: Страница не найдена — RC74 — интернет-магазин радиоуправляемых моделей

Содержание

Технические справочники

Что-то не так?

Пожалуйста, отключите Adblock.

Портал QRZ.RU существует только за счет рекламы, поэтому мы были бы Вам благодарны если Вы внесете сайт в список исключений. Мы стараемся размещать только релевантную рекламу, которая будет интересна не только рекламодателям, но и нашим читателям. Отключив Adblock, вы поможете не только нам, но и себе. Спасибо.

Как добавить наш сайт в исключения AdBlock QRZ.RU > Технические справочникиclass=»small»>

Радиолюбительский разговорник EW1MM (WinWord)

Полупроводниковая техника

Справочник по полупроводниковым диодам
Справочник по полупроводниковым светоизлучающим приборам
Справочник по полевым транзисторам

Справочник по биполярным транзисторам
Маркировка диодов
Цветовая и кодовая маркировка транзисторов
Краткие справочные данные зарубежных транзисторов
Характеристики динисторов и тиристоров
Справочник по отечественным и зарубежным полупроводниковым приборам: транзисторам, тиристорам, диодам — 8.4М

Микросхемы

Номенклатура и аналоги отечественных микросхем
Справочник по микросхемам ТТЛ серий
Справочник по низкочастотным цифровым КМОП микросхемам
Справочник по цифровым КМОП микросхемам
Справочник по полупроводниковым аналоговым коммутаторам
Справочник по операционным усилителям

Справочник по стабилизаторам напряжения
Справочник по микросхемам памяти
Замена импортных ТТЛ микросхем отечественными аналогами
Замена импортных КМОП микросхем отечественными аналогами
Замена импортных операционных усилителей отечественными аналогами
Замена импортных компараторов отечественными аналогами
Справочник по электронной технике для студентов ВУЗов
Справочник по аналоговым микросхемам для аудиоаппаратуры — 11.6М
Справочник по микросхемам для теле- и видеоаппаратуры — 46.9М
Справочник по цифровым логическим микросхемам ч1 — 26.8М

Справочник по цифровым логическим микросхемам ч2 — 39.8М
Справочник по полупроводниковым приборам — 24.1М

Светоизлучающие и фоточувствительные приборы

Характеристики светоизлучающих диодов импортного производства
Характеристики светоизлучающих диодов отечественного производства :: (Вариант в XLS)
Характеристики светоизлучающих диодов отечественного производства —
Каталог по светодиодам, Нижний Новгород, PDF, 27 стр.
Характеристики инфракрасных светоизлучающих диодов АЛ164…172
Фотодиоды КДФ115 — фотоэлектрические параметры
Фототранзисторы

Маркировка электронных компонентов

Введение

Корпуса компонентов для поверхностного монтажа (SMD)
Сквозная нумерация наиболее популярных корпусов SMD
Ряды (резисторы и конденсаторы)
Резисторы. Цветовая маркировка
Резисторы. Цветовая маркировка фирмы Philips
Резисторы. Нестандартная цветовая маркировка
Резисторы. кодовая маркировка
Кодовая маркировка прецизионных высокостабильных резисторов фирмы Panasonic
Перемычки и резисторы с «нулевым» сопротивлением
Резисторы. Кодовая маркировка фирмы Philips
Резисторы. Кодовая маркировка фирмы Bourns
Конденсаторы. Допуски
Конденсаторы. Температурный коэффициент емкости (ТКЕ)

Конденсаторы. Цветовая маркировка
Конденсаторы. Кодовая маркировка
Конденсаторы. Кодовая маркировка электролитических конденсаторов для поверхностного монтажа (SMD)
Индуктивности. Цветовая маркировка
Индуктивности. Кодовая маркировка
Транзисторы. Кодовая маркировка. Корпус КТ-26 (ТО-92)
Транзисторы. Цветовая маркировка. Корпус КТ-26 (ТО-92)
Транзисторы. Маркировка. Корпус КТ-27 (ТО-126)

Ламповая техника

Термины и определения справочников по радиолампам
Общие данные о лампах
Рекомендации по применению
Тренировка радиоламп
Отечественные радиолампы
Зарубежные радиолампы
Приёмно-усилительные и генераторные лампы (список)

Генераторные лампы
Импульсные генераторные лампы
Импульсные модульные лампы
Ультрафиолетовые лампы серии ДРТ для стирания ПЗУ
Импульсные лампы серии ИФК
NEW! Приемные электронно-лучевые трубки. Справочник, Москва «Радио и связь», Н.И. Вуколов, А.И. Гербин, Г.С. Котовщиков, 1993 г. — формат DjVU [что это такое], 289 стр (В этом справочнике представлены характеристики практически всех известных электронно-лучевых трубок)

Осциллографические трубки

Аудиотехника

Справочник по динамическим громкоговорителям

ВЧ техника

Справочник по коаксиальным кабелям
Справочник по высокочастотным трансформаторным устройствам (в одном файле 6 мб | разными файлами)
Электрические характеристики радиочастотных коаксиальных кабелей со сплошной ПЭ изоляцией
Пересчет dBm в вольты и ватты на нагрузке 50 ОМ
Катушки индуктивности — физическая природа
hot! Соединители радиочастотные коаксиальные (ВЧ-разъемы)

Антенны

hot! Радиопрозрачные канатики Мастрант
Компьютерное моделирование антенн на программе MMANA

Книга предоставлена автором на исключительных правах публикации только на сервере QRZ.RU ! Все копии файлов с любых других сайтов кроме сайта автора или QRZ.RU — краденые!

Эта книжка посвящена описанию работы с одной из лучших на сегодняшний день и, что особенно следует подчеркнуть, бесплат.ной компьютерной программой моделирования антенн MMANA. Краткое описание программы было опубликовано в журнале «Радио» в 2001 г. (июнь.сентябрь). В этом издании приведено пол.ное ее описание. Особое внимание уделено тонкостям работы с MMANA, которые не освещенны в журнальном варианте, кроме того разобраны типичные ошибки, приведены ответы на часто встре.чающиеся вопросы. Наличие большой библиотеки файлов готовых антенн позволяет не только подобрать подходящую антенну, но и проверить на кон.кретных примерах уровень освоения программы. Также даны, хотя и не относящиеся непосредственно к MMANA, но желательные для уверенной работы и правильного понимания полученных результатов, основы компьютерного моделирования антенн.

Характеристики основных типов военных антенн

Справочник по ферритам

Ферритовые кольца в спортивной аппаратуре
Ферромагнитные материалы
Изделия завода «Ферроприбор»

Компьютерная техника

Разводка контактов различных интерфейсов, разъемов, компьютерных шин и т.п.
Компьютерные кабели — распиновка. Как сделать кабель последовательного интерфейса и много других
Компьютерные адаптеры — схемы, описание, спецификации
Различные схемы (активные фильтры и проч.)

Справочные таблицы

Прочее

Микрофоны электретные (формат XLS)
Микрофоны электретные часть 2
Определение номинала резистора по цветовой маркировке
Схемы и параметры резисторных сборок М019НР1, М019НР2, М020НР1, М021НР1, М022НР1, М023НР1, М024НР1, М025НР1, М026НР1, М027НР1, М042НР1, М043НР1, М044НР1, М050НР1.
Коммутационные переключатели 220В
Изготовление сетевого предохранителя на любой ток
Справочные данные трансформаторов ТА, ТН, ТАН, ТПП
Батарейки и аккумуляторы
Расчет трансформаторов — формулы, таблицы. Скан страниц из книги 50 х годов Гинзбурга. (DjVU)
10 лучших бесплатных онлайн симуляторов электроцепи
hot! Телевизионные стандарты
hot! Сокращения и условные обозначения

ГОСТ

ГОСТ 23849-87 Аппаратура радиоэлектронная бытовая. Методы измерения электрических параметров усилителей сигналов звуковой частоты.
ГОСТ 7845-92 — Системы вещательного телевидения. Основные параметры. Методы измерений.

Благодарим!

Информация для этого раздела предоставлена:

Виктором Козак kozak (at) inp.nsk.su
Дмитрием oldradio.ru webmaster (at) oldradio.al.ru
Дмитрием cityradio.narod.ru cityradio (at) narod.ru
Андреем Ковалевым anklab (at) pirit.sibtel.ru
Сергеем Владимировичем 24cerg24 (at) mtu-net.ru
Евгением evgen136 (at) online.sinor.ru
DeadMazay’ем deadmazay (at) mail.ru
Алексеем (РадиоСпутник) rsputnik (at) mail.ru
Михаилом UA9JMJ ua9jmj (at) kogalym.ru
Дмитрием RK9ABJ master (at) chebar.afps.chel.su
Василием Бобылевым bobwa (at) realmail.ru

Справочник — DataSheet

Буквенное обозначение		Параметр
Отечественное	Международное	Параметр
I_КБО	I_CBO	Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
I_ЭБО	I_EBO	Обратный ток эмиттера — ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
I_КЭO	I_CEO	Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и разомкнутом выводе базы.
I_КЭR	I_CER	Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
I_КЭК	I_CES	Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и короткозамкнутых выводах базы и эмиттера
I_КЭV	I_CEV	Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и запирающем напряжении (смещении) в цепи база-эмиттер.
I_КЭX	I_CEX	Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и обратном напряжении база-эмиттер.
I_{K max}	I_C max	Максимально допустимый постоянный ток коллектора.
I_Э max	I_E max	Максимально допустимый постоянный ток эмиттера.
I_Б max	I_B max	Максимально допустимый постоянный ток базы.
I_{К , и max}	I_CM max	Максимально допустимый импульсный ток коллектора.
I_{Э , и max}	I_EM max	Максимально допустимый импульсный ток эмиттера.
I_КР	—	Критический ток биполярного транзистора.
U_{КБО проб.}	U_{(BR) CBO}	Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера.
U_{ЭБО проб.}	U_{(BR) ЕBO}	Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора.
U_{КЭО проб.}	U_{(BR) CEO}	Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и разомкнутой цепи базы.
U_{КЭR проб.}	U_{(BR) CER}	Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер.
U_{КЭK проб.}	U_{(BR) CES}	Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и короткозамкнутых выводах базы и эмиттера.
U_{КЭV проб.}	U_{(BR) CEV}	Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при запирающем напряжении в цепи база-эмиттер.
U_{КЭХ проб.}	U_{(BR) CEX}	Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении база-эмиттер и токе коллектор-эмиттер.
U_{КЭО гр}	U_{(L) CEO}	Граничное напряжение транзистора — напряжение между коллектором и эмиттером при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера.
U_смк	U_pt	Напряжение смыкания транзистора.
U_{КЭ нас}	U_{CE sat}	Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при заданных токах базы и коллектора.
U_{БЭ нас}	U_{BE sat}	Напряжение насыщения база-эмиттер при заданных токах базы и эмиттера.
U_{ЭБ пл}	U_EBfl	Плавающее напряжение эмиттер-база — напряжение между эмиттером и базой при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутой цепи эмиттера.
U_{КБ max}	U_{CB max}	Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база.
U_{КЭ max}	U_{CE max}	Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер.
U_{ЭБ max}	U_{EB max}	Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база.
U_{КЭ, и max}	U_{CEM max}	Максимальное допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер.
U_{КБ, и max}	U_{CBM max}	Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база.
U_{ЭБ, и max}	U_{EBM max}	Максимально допустимое импульсное напряжение эмиттер-база.
P	P_tot	Постоянная рассеиваемая мощность транзистора.
P_ср	P_AV	Средняя рассеиваемая мощность транзистора.
P_и	P_M	Импульсная рассеиваемая мощность транзистора.
P_K	P_C	Постоянная рассеиваемая мощность коллектора.
P_{K, τ max}	—	Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом.
P_вых	P_out	Выходная мощность транзистора.
P_{и max}	P_M max	Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность.
P_K max	P_C max	Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора.
P_{K ср max}	—	Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора.
r_b	r_bb , r_b	Сопротивление базы.
r_{КЭ нас}	r_{CE sat}	Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером.
с_11э, с_11б	c_11e, c_11b	Входная емкость транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
с_22э, с_22б	c_22e, c_22b	Выходная емкость транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
c_к	c_c	Емкость коллекторного перехода.
c_э	c_e	Емкость эмиттерного перехода.
f_гр	f_T	Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером.
f_max	f_max	Максимальная частота генерации.
f_h31э, f_h31б	f_h31e, f_hfe;f_h31b, f_hfb	Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой.
t_вкл	t_on	Время включения.
t_выкл	t_off	Время выключения.
t_зд	t_d	Время задержки.
t_нр	t_r	Время нарастания.
t_рас	t_s	Время рассасывания.
t_сп	t_f	Время спада.
h_11э, h_11б	h_11e, h_11b;h_ie, h_ib	Входное сопротивление в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
h_21э, h_21б	h_21e, h_21b;h_fe, h_fb	Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
h_12э, h_12б	h_12e, h_12b;h_re, h_rb	Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
h_22э, h_22б	h_22e, h_22b;h_oe, h_ob	Выходная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
\|h_21э\|	\|h_21e\|	Модуль коэффициента передачи тока транзистора на высокой частоте.
h_11Э	h_11E,h_IE	Входное сопротивление транзистора в режиме большого сигнала для схемы с общим эмиттером.
h_21Э	H_11E,H_FE	Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала.
Y_21Э	Y_21E	Статическая крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером.
Y_11э, Y_11б	Y_11e, Y_11b;Y_ie, Y_ib	Входная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
Y_12э, Y_12б	Y_12e, Y_12b;Y_re, Y_rb	Полная проводимость обратной передачи транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
Y_21э, Y_21б	Y_21e, Y_21b;Y_fe, Y_fb	Полная проводимость прямой передачи транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
Y_22э, Y_22б	Y_22e, Y_22b;Y_oe, Y_ob	Выходная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
S_11э, S_11б, S_11к	S_11e, S_11b, S_11c; S_ie, S_ib, S_ic	Коэффициент отражения входной цепи транзистора для схем с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
S_12э, S_12б, S_12к	S_12e, S_12b, S_12c; S_re, S_rb, S_rc	Коэффициент обратной передачи напряжения для схемы с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
S_22э, S_22б, S_22к	S_22e, S_22b, S_22c; S_oe, S_ob, S_oc	Коэффициент отражения выходной цепи транзистора для схемы с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
S_21э, S_21б, S_21к	S_21e, S_21b, S_21c; S_fe, S_fb, S_fc	Коэффициент прямой передачи для схем с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
—	f_se, f_sb, f_sc	Частота, при которой коэффициент прямой передачи равен 1 (S_21е = 1, S_21b = 1, S_21c= 1.
К_{у, р}	G_p	Коэффициент усиления мощности.
—	G_A, G_a	Номинальный коэффициент усиления по мощности.
К_ш	F	Коэффициент шума транзистора.
τ_к(r’_бС_к)	τc(r’_bbС_c)	Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте.
T_окр	T_A, T_amb	Температура окружающей среды.
T_к	T_c , T_case	Температура корпуса.
T_п	T_j	Температура перехода.
R_{т, п-с}	R_thja	Тепловое сопротивление от перехода к окружающей среде.
R_{т, п-к}	R_thjс	Тепловое сопротивление от перехода к корпусу.
R_{т, к-с}	R_thса	Тепловое сопротивление от корпуса к окружающей среде.
τ_{т, п-с}	τ_thja	Тепловая постоянная времени переход-окружающая среда.
τ_{т, п-к}	τ_thjс	Тепловая постоянная времени переход-корпус.
τ_{т, к-с}	τ_thса	Тепловая постоянная времени корпус-окружающая среда.

Справочник транзисторов основные параметры и характеристики. Справочники электронных компонентов

Справочник содержит Техническую документацию в формате.PDF на более чем 3500 типов микросхем памяти. Вся техническая документация на микросхемы памяти отсортирована по фирмам производителям микросхем памяти. Каждый файл можно скачать отдельно. Скачать файл содержания всех архивов 86 КБ, формат.xls Фирмы производители: ALLIANCE — размер файла 16 МБ. AMD — размер файла 15 МБ. ATMEL — размер файла 30 МБ. CATALYST — размер файла 2, 8 МБ. CROSSLINK — размер файла 5, 3 МБ. CYPRESS — размер файла 44 МБ.

Приведены технические характеристики действующего и нового электрооборудования: трансформаторов, электродвигателей, коммутационных аппаратов, кабельных и воздушных линий и т. д. Даны сведения по электрическим измерениям, электротехническим материалам, режимам нейтрали, нормам качества электроэнергии, осветительным устройствам и т. д. Книга предназначена для инженеров, техников и мастеров, работающих по эксплуатации систем электроснабжения как в промышленности, так и в сельском хозяйстве.

В первом томе справочного издания приводятся электрические и эксплуатационные характеристики полупроводниковых диодов — выпрямительных диодов и столбов, диодных сборок, блоков модулей и матриц. Даются классификация и система обозначений, основные стандарты для описанных в справочнике приборов. Для конкретных типов приборов приводятся сведения об основном назначении, габаритных и присоединительных размерах и маркировке. В приложении даются зарубежные аналоги полупроводниковых диодов, помещенных в справочнике, и названия фирм-изготовителей.

Данная книга посвящена маркировке микросхем, тиристоров, приборов индикации, звуковой сигнализации, коммутации и защиты электрических цепей. Помимо сведений по маркировке приведены типовые схемы включения, установочные размеры, логотипы и буквенные сокращения при маркировке микросхем ведущих зарубежных производителей. Представлена полезная информация, которая в целом поможет определить тип и назначение элемента, подобрать ему замену с учетом площади, определенной ему на плате. Книга предназначена для специалистов по ремонту радиоэлектронной аппаратуры, а также широкого круга радиолюбителей.

При практической работе, связанной в первую очередь с ремонтом электронной техники, возникает задача определить тип электронного компонента, его параметры, расположение выводов, принять решение о прямой замене или использовании аналога. В большинстве существующих справочников приводится информация по отдельным типам радиокомпонентов (транзисторы, диоды и т. д.). Однако ее недостаточно, и необходимым дополнением к таким книгам служит данное справочное пособие. Представляемая читателю книга по маркировке электронных компонентов содержит в отличие от издававшихся ранее подобных изданий, больший объем информации.

В первом томе пятитомного справочного издания приводятся электрические и эксплуатационные характеристики зарубежных маломощных биполярных транзисторов. Габаритные размеры корпусов указаны в российском стандарте, с указанием допусков по данным фирм изготовителей. В справочнике имеются также зарубежные аналоги транзисторов (причем помещены также аналоги приборов снятых с производства) и перечень фирм изготовителей. Для удобства работы со справочником составлен указатель типов приборов, по которому читатель с невероятной легкостью найдет необходимый ему прибор.

Во втором томе справочного издания приводятся данные по элект рическим параметрам габаритным размерам, предельным эксплуата ционным характеристикам сведения по основному функциональному назначению отечественных силовых тиристоров Приводятся динами-ческие импульсные частотные температурные зависимости парамет ров а также описываются особенности применения тиристоров в ра диоэлектронной аппаратуре Для инженерно-технических рабогникои занимающихся разработ кой эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры Год выпуска: 2002

Приведены данные по зарубежным аналогам микросхем со ветского производства применяемым в бытовой радиоаппара туре, включая конструктивное исполнение и функциональное назначение. Содержит информацию по более чем 600 наиме нований микросхем. Для специалистов по ремонту импортной бытовой радиоап паратуры, а также широкого круга радиолюбителей. Год выпуска: 1992 Автор: Пирогов Е.В. Жанр: Справочник Издательство: М.: БИАР Формат: DjVu Размер: 1, 4 МБ Качество: Отсканированные страницы Количество страниц: 48 Скачать книгу >>> Отечественные аналоги зарубежных микросхем для бытовои радиоаппара туры: Справочник Программа для чтения книги: DjVuReader СОДЕРЖАНИЕ Предисловие Фирменные знаки и сокращенные обозначен фирм изготовителей микросхем 1.

В справочнике содержится подробная информация по современным логическим ИС; быстродействующим маломощным ТТЛШ микросхемам серии КР1533 и быстродействующим КМОП микросхемам серии КР1554 Серия КР1533 Маломощные быстродействующие цифровые интегральные микросхемы серии KPJ53S предназначены для орга низации высокоскоростного обмена и обработки цифровой информации, вре менного и электрического согласования сигналов в вычислительных системах. Микросхемы серии КР1533 по сравне нию с известными сериями логических ТТЛ микросхем обладают минималь ным значением произведения быстро действия на рассеиваемую мощность.

Цель издания настоящего справочника из серии «Ин тегральные микросхемы» — предоставить разработчи кам и техническим специалистам наиболее полную ин формацию по всему спектру микросхем АЦП и ЦАП, уст ройств выборки и хранения (УВХ), систем сбора данных, а также преобразователей напряжение — частота (ПНЧ) и частота — напряжение (ПЧН). По сравнению с первым выпуском справочника «Мик росхемы для аналого-цифрового преобразования и средств мультимедиа», вышедшим в 1996 году, в котором были представлены микросхемы АЦП серий 572 и 1175, а также их аналоги, настоящее издание существенно рас ширено.

Подборка справочных данных на отечественные биполярные транзисторы малой, средней и большой мощности. В основном производства советского союза

Полупроводниковые приборы малой мощности имеют допустимую мощность рассеяния в коллекторном переходе до 0,3 Вт . (Под мощностью в данной классификации подразумевается мощность, выделяемая на коллекторном переходе полупроводника) Отвод тепла от коллекторного перехода к корпусу у них происходит вдоль тонкой пластины базы, имеющей малую теплопроводность. Рассчитываются для работы без специальных теплоотводящих устройств (радиаторов).Все внешние выводы расположены по диаметру донышка и в обычно средний вывод является базовым, а эмиттерный расположен чкть ближе к базовому, чем коллекторный.

К этим полупроводникам относят приборы с рассеиваемой мощностью в интервале от 0,3 до 1,5 Вт

Для транзисторов большой мощности рассеиваемая мощность превышает 1,5 Вт.

Типы корпусов зарубежных и отечественных транзисторов

Корпус — это основная и самая габаритная часть конструкции абсолютно любого транзистора, выполняющая защитную функцию от внешних воздействий и используемая также для соединения с внешними схемами с помощью металлических выводов. Типы корпусов зарубежных транзисторов стандартизованы для простоты процесса изготовления и применения изделий в радиолюбительской практике. Число типовых транзисторов в настоящее время исчисляется сотнями.

Каждый полупроводниковый прибор, в том числе и транзистор, имеет свое уникальное обозначение, по которой можно его идентифицировать из кучи других радиокомпонентов и деталей.

Основным элементом двухпереходного биполярного транзистора является монокристалл полупроводника типа п или р, в котором с помощью примесей созданы три области с электронной и дырочной электропроводимостью, разделенные двумя p-n переходами (смотри рисунок в верхней части страницы). Если средняя область имеет электронную проводимость типа п, а две крайние дырочную типа р, то такой транзистор имеет структуру р-п-р в отличие от транзисторов п-р-п, имеющих среднюю область с дырочной, а крайние области с электронной проводимостями.

Средняя область 1 кристалла полупроводника с n-проводимостью называется базой. Одна крайняя область 2 с р-проводимостью, инжектирующая (эмиттирующая) неосновные носители заряда, называется эмиттером, а другая 3, осуществляющая экстракцию (выведение) носителей заряда из базы, — коллектором. База отделена от эмиттера и коллектора эмиттерным 4 и коллекторным 5 р-п-переходами. От базы 1, эмиттера 2 и коллектора 3 сделаны металлические выводы (Б, Э, К), которые проходят через изоляторы в дне корпуса.

Транзисторы изготовляют в герметичных металлостеклянных, металлокерамических или пластмассовых корпусах, а также без корпусов. Бескорпусные транзисторы защищены от влияния внешней среды слоем лака, смолы, легкоплавкого стекла и герметизируются совместно с устройством, в котором они предварительно монтируются. настоящее время большинство транзисторов, в том числе транзисторы интегральных схем, выполняют на основе кремния с плоскостным типом перехода. Применение точечных переходов из-за нестабильности работы ограничено. Базовая область транзисторов выполняется с очень малой толщиной (от 1 до 25 мкм). Различна степень легирования областей. Концентрация примесей в эмиттере на несколько порядков выше, чем в базе. Степень легирования базы и коллектора зависит от типа транзистора.

В рабочем режиме к электродам транзисторов подключают постоянные напряжения внешних источников энергии. Помимо постоянных напряжений, к электродам подводят сигналы, подлежащие преобразованию. В связи с этим различают входную цепь, в которую подводят сигнал, и выходную, в которой с нагрузки снимают сигнал. В зависимости от того, какой из электродов при включении транзистора является общим для входной и выходной цепей, различают схемы с общей базой ОБ, общим эмиттером ОЭ и общим коллектором ОК. В схеме с ОБ входной цепью является цепь эмиттера, а выходной — цепь коллектора. В схеме с ОЭ входной является цепь базы, а выходной- цепь коллектора. В схеме с ОК входной является цепь базы, а выходной — цепь эмиттера.

Физические процессы, протекающие в транзисторах со структурой р-п-р и п-р-п, одинаковы. В транзисторах п-р-п в отличие от транзисторов р-п-р подается напряжение обратной полярности и токи имеют противоположное направление.

В зависимости от полярности напряжений, приложенных к эмиттерному и коллекторному переходам, различают активный, отсечки, насыщения и инверсный режимы включения транзистора.

Активный режим используется при усилении слабых сигналов. В этом режиме на эмиттерный переход подается прямое, а на коллекторный- обратное напряжение. В активном режиме эмиттер инжектирует в область базы неосновные для нее носители, а коллектор производит экстракцию (выведение) неосновных носителей из базовой области.

В режиме отсечки к обоим переходам подводятся обратные напряжения, при которых ток через транзистор ничтожно мал. В режиме насыщения оба перехода транзистора находятся под прямым напряжением; в обоих переходах происходит инжекция носителей; транзистор превращается в двойной диод; ток в выходной цепи максимален при выбранном значении нагрузки и не управляется током входной цепи; транзистор полностью открыт.

В режимах отсечки и насыщения обычно используется транзистор в схемах электронных переключателей. В инверсном режиме меняют функции эмиттера и коллектора, подключив к коллекторному переходу прямое, а к эмиттерному—обратное напряжение. Однако из-за несимметрии структуры и различия концентрации носителей в областях коллектора и эмиттера инверсное включение транзистора неравноценно его нормальному включению в активном режиме.

Для радиолюбителей, скачать справочник радиодеталей по транзисторам, микросхемам, SMD компонентам отечественного и импортного производства.

Справочник «микросхемы современных телевизоров». В этом справочном пособии собраны данные о наиболее распространенных интегральных микросхемах, которые применяются в современной телевизионной технике. В книге представлена справочная информация о более чем 100 микросхемах таких известных фирм-производителей, как SAMSUNG, SANYO, SONY, SIEMENS, MATSUSHITA, PHILIPS, SGS-THOMSON и других.

Формат книги DjView. Размер архива – 3,29Mb. СКАЧАТЬ

Справочник «микросхемы для современных мониторов». Данная книга является справочным пособием по микросхемам для современных LCD и CRT мониторов. В ней приведена исчерпывающая информация о 150 микросхемах ведущих производителей полупроводниковых компонентов для мониторов.

Формат книги DjView. Размер архива – 5,77Mb. СКАЧАТЬ

Справочник «отечественные транзисторы для бытовой, промышленной и специальной аппаратуры». В этом справочнике представлена полная информация о номенклатуре, изготовителях, параметрах, корпусах и аналогах 5000 наименований транзисторов!

Формат книги DjView. Размер архива – 16,4Mb СКАЧАТЬ

Сборник их 3х справочников по импортным микросхемам, транзисторам, диодам, тиристорам и SMD компонентам. Книга 1 из 3х . В этом справочнике представлена информация по радиоэлектронным компонентам зарубежных производителей с буквенным индексом от A до R . Приводятся характеристики, цоколевка, аналоги и производители компонентов.

Размер файла – 198Mb. Формат книги DjView. Скачать с Deposit Files

Справочник по импортным микросхемам, тиристорам, диодам, транзисторам и SMD компонентам. Книга 2 из 3х . В этом справочнике представлена информация по радиоэлектронным компонентам зарубежных производителей с буквенным индексом от R до Z .

Размер файла – 319Mb. Формат книги DjView. Скачать с Deposit Files

Справочник по импортным микросхемам, тиристорам, диодам, транзисторам и SMD компонентам. Книга 3 из 3х . В этом справочнике представлена информация по радиоэлектронным компонентам зарубежных производителей с цифровым индексом от 0 до 9 .

Размер файла – 180Mb. Формат книги DjView. СКАЧАТЬ

Справочник по активным SMD компонентам. Приводятся SMD коды для 33 тысяч транзисторов, тиристоров, микросхем и диодов, типовые схемы включения SMD микросхем, маркировка, характеристики, замена.

Размер архива — 16Mb. Формат книги DjView. СКАЧАТЬ

Справочник «транзисторы и их зарубежные аналоги» том 1. В первом томе справочника приводятся электрические и эксплуатационные характеристики полупроводниковых приборов – полевых и биполярных транзисторов малой мощности. Даются классификация и система обозначений, основные стандарты для описанных в справочнике приборов. Для конкретных типов приборов приводятся сведения об основном назначении, габаритных и присоединительных размерах, маркировке, предельных эксплуатационных режимах и условиях работы. В приложении даются зарубежные аналоги транзисторов, помещенных в справочнике.

Формат книги DjView. Размер архива – 6,19Mb СКАЧАТЬ

Справочник «транзисторы и их зарубежные аналоги» том 2. Во втором томе справочника приводится информация по низкочастотным биполярным транзисторам средней и большой мощности с указанием их зарубежных аналогов.

Формат книги DjView. Размер архива – 5,62Mb. СКАЧАТЬ

Справочник «транзисторы и их зарубежные аналоги» том 3. В третьем томе приводится справочная информация по полевым и высокочастотным биполярным транзисторам средней и большой мощности с указанием их зарубежных аналогов.

Формат книги DjView. Размер архива – 6,28Mb . СКАЧАТЬ

Справочник «маркировка радиодеталей» том 1. В книге приведены данные по буквенной, цветовой и кодовой маркировке компонентов, по кодовой маркировке зарубежных полупроводниковых приборов для поверхностного монтажа (SMD). Приведены рекомендации по использованию и проверке исправности электронных компонентов.

Формат книги DjView. Размер архива – 8Mb СКАЧАТЬ

Справочник «маркировка радиодеталей» том 2. В этой книге читатель найдет много полезной информации по маркировке микросхем, некоторых типов полупроводниковых приборов, установочных и коммутационных изделий и много другой полезной информации.

Формат книги DjView. Размер архива – 3,95Mb СКАЧАТЬ

Справочник «маркировка радиодеталей». В книге описана система маркировки отечественных и зарубежных: резисторов, конденсаторов, индуктивностей, кварцевых резонаторов, пьезоэлектрических и ПАВ-фильтров, полупроводниковых приборов, SMD-компонентов, микросхем. Описаны особенности тестирования электронных компонентов.

Формат книги DjView. Размер архива – 3,60Mb СКАЧАТЬ

Справочник по микросхемам для импортных телевизоров. В книге на Русском языке приводятся структурные схемы и назначение выводов более трехсот микросхем, применяемых в европейских и восточно-азиатских цветных телевизорах. Описание каждого прибора сопровождается функциональными диаграммами и характеристиками.

Формат книги DjWiev. Размер архива – 16Mb СКАЧАТЬ

Справочник по микросхемам для аудио и радиоаппаратуры: генераторы, ключи и переключатели, УНЧ, малошумящие и предварительные усилители, операционные усилители, регуляторы громкости и тембра, схемы управления индикаторами. В книге представлены основные особенности, цоколевки, структурные схемы и типовые схемы применения свыше 300 типов микросхем для аудиотехники.

Формат книги DjWiev. Размер архива – 10,7Mb СКАЧАТЬ

Справочник по интегральным микросхемам для промышленной электронной аппаратуры. В книге приведены условные обозначения, электрические параметры, структурные схемы, функциональное назначение (цоколевка) и конструкции корпусов широко распространенных зарубежных аналоговых и цифровых микросхем.

Формат книги DjWiev. Размер архива – 2,68Mb СКАЧАТЬ

Лучший в Европе справочник по УНЧ . В нем обобщены и систематизированы сведения о большинстве ИМС УНЧ в интегральном исполнении, выпускаемых мировыми производителями. Приведены наиболее важные характеристики микросхем, типы корпусов, цоколевка, внешний вид, аналоги, производители, функциональное назначение .

Формат книги DjWiev. Размер архива – 19,9Mb СКАЧАТЬ

Справочник по интегральным микросхемам для телевидения. В книге дан обзор интегральных микросхем, применяемых в современных телевизионных приемниках, видео- и аудиотехнике. Приведены основные параметры и характеристики микросхем, блок-схемы внутренней структуры и типовые схемы их включения.

Формат книги DjWiev. Размер архива – 2,30Mb СКАЧАТЬ

Справочные данные биполярных транзисторов

От составителя

Настоящий справочник является попыткой совместить в одном издании полноту охвата приборов, компактность представления информации, а также удобство ее использования.

Справочник предназначен для широкого круга пользователей от разработчиков радиоэлектронных устройств, до радиолюбителей.

В справочнике представлены основные электрические параметры биполярных транзисторов. Для компактности и удобства использования настоящего справочника, в нем использована табличная форма представления информации. Кроме электрических параметров в справочнике приводятся габаритные и присоединительные размеры, а также типовая область применения биполярных транзисторов. Описанный подход позволил создать компактный, удобный и недорогой справочник, который принесет практическую пользу его владельцу.

В справочнике собраны параметры биполярных транзисторов, рассеянные по отечественной литературе. Поскольку главным принципом при составлении справочника являлась полнота охвата номенклатуры, то для некоторых приборов приведены всего несколько параметров (которые приводились в научной статье разработчиков прибора). По мере появления дополнительной информации, она включалась в справочник.
Для некоторых приборов приводятся вместо предельных параметров типовые, когда информация о предельных параметрах отсутствует, а о типовых значениях есть.

Как появился этот справочник? В середине 70-х годов, составитель справочника столкнулся в своей работе с отсутствием справочника, устраивающего его самого и его коллег. Существующие справочники обладали многими недостатками, наиболее очевидные из которых описываются ниже.

1. Большая избыточность:

А) Многие справочники имели массу графиков, которые либо достаточно хорошо описывались теоретическими кривыми, либо отражали малосущественные зависимости;
б) Большинство разработчиков не интересуют такие параметры, как время хранения на складе и степень устойчивости полупроводниковых приборов против воздействия плесени и грибков;
в) От 10% до 30% объема справочников занимали общеизвестные вещи- условные обозначения на электрических схемах, классификация приборов и тому подобные многократно описанные в разнообразной литературе понятия.

2. Неполнота- долгий срок прохождения через издательства приводил к быстрому устареванию справочника. Большинство составителей имели тяготение к определенному кругу изготовителей полупроводниковых приборов и если изделия одного изготовителя были представлены достаточно полно, то изделия другого производителя не включали новых разработок. Для работы приходилось пользоваться одновременно несколькими справочниками одновременно (тем более что разные составители включали разное количество известных для данного прибора параметров) и рядом журнальных статей, в которых описывались новые полупроводниковые приборы.

3. Неудобство в пользовании- большинство составителей вводили разбивку справочника на части по таким критериям как мощность рассеивания, рабочая частота, тип перехода. Кроме этого, очень часто внутри раздела материал дополнительно группировался по аналогичным принципам. Все это существенно затрудняло поиск нужного прибора и особенно сравнение нескольких полупроводниковых приборов по ряду параметров.

4. Недостоверность- в процессе издания в любом справочнике накапливались ошибки. Если ошибки в обычном тексте легко обнаруживаются при вычитке, то ошибки в числовой информации даже специалистом обнаруживаются с трудом.

Все описанные причины побудили составить справочник более удобный для разработчика электронной аппаратуры. Благодаря компактной форме, справочник получился достаточно дешевым и удовлетворяющим большинство потребностей. Если же разработчику потребуются более подробные характеристики какого-либо изделия (это случается достаточно редко), он всегда может обратиться либо к специализированному изданию, либо к отраслевому стандарту. В повседневной же работе ему достаточно этой маленькой книжечки.

Справочник составлен в 1993 году, переведен в HTML в 2000 году.

Составитель: Козак Виктор Романович, email: kozak @ inp.nsk.su

24
янв
2014

Год выпуска: 2014
Жанр: Справочник
Разработчик: LordGray
Сайт разработчика: http://rc-db.ru
Язык интерфейса: Русский + Английский
Тип сборки: Standard
Разрядность: 32-bit
Операционная система: Windows XP, 7
Системные требования: 70 Мб ОЗУ, 11 Гб на диске
Описание: Электронный справочник со следующими характеристиками:

Биполярные транзисторы: 13541 шт
Полевые транзисторы: 35661 шт
IGBT: 2893 шт
Диоды: 17330 шт
Стабилитроны: 52 шт

В нем 38554 спецификации (datasheets), 131 производитель, 12909 моделей проверены.
В программе есть сортировка, фильтрация, редактирование и ввод новых моделей, обновление по интернету и из файла. Обновления базы выходят каждое воскресение, вечером.

18
июл
2018

Сергей , г. Екатеринбург

18-07-2018 09:16:09

03
янв
2010

Электронный восточный гороскоп гороскоп по 2031 год Rus 2.0

Год выпуска: 2009
Жанр: гороскоп
Разработчик: dekan
Сайт разработчика: www.dekan.ru
Язык интерфейса: Русский
Платформа: Windows: XP , 2003 , Vista , 2008 , 7
Системные требования:
Оперативная память: 128 Мб
Видеокарта: 32 Мб
Описание: Электронный гороскоп по 2031 год Rus Если вы любите гороскопы и хотите гороскоп на ближайшие дни или узнать о характере человека то Электронный гороскоп поможет Вам приоткрыть эти тайны! В наши дни практически каждый человек просматривает астрологические прогнозы, чтобы сверить свою жизнь с ритмами планет. Влияние планет на человека настолько велико, что лю…

23
янв
2014

Год выпуска: 2013
Жанр: охрана труда
Разработчик: Форум Медиа
Сайт разработчика: http://www.forum-media.ru
Язык интерфейса: Русский
Тип сборки: Standard
Разрядность: 32-bit
Операционная система: Windows (XP)
Системные требования: офисная конфигурация компьютера
Описание: В обязанности инженера по охране труда входит подготовка огромного количества разнообразных документов. Наличие и правильность составления документов гарантируют, что ваша организация будет готова к проверкам контролирующих органов, избежит штрафов и других санкций. Электронный набор документов на компакт-диске поможет вам ор…

29
сен
2010

Xrumer 3.0.165.347, 4.0.165.410, 5.0.0.747

Год выпуска: 2010
Жанр: Массовая рассылка
Разработчик: Botmaster Labs
Сайт разработчика: http://www.botmasterru.com
Язык интерфейса: Русский + Англиский
Платформа: Windows 2000, XP, XP x64, Vista, Vista x64, 7, 7 x64
Системные требования: Intel or AMD Cpu 800Mhz или выше RAM 512Mb или больше Свободного места на диске ~210Mb Файлы в комплекте: Xrumer 3, 4, 5 База форумов 1500000 Denwer 3.0 Файлы необходимые для сервера(папка botmaster.ru)
Описание: XRumer — программа, в автоматическом режиме размещающая Ваши обьявления на форумах, гостевых книгах, досках обьявлений и каталогах ссылок (а так…

24
ноя
2011

The KMPlayer 3.0.0.1441 LAV сборка 7sh4 от 21.11.2011

Год выпуска: 2011
Жанр: Мультимедиаплеер

Тип сборки: Standard
Разрядность: 32/64-bit

29
ноя
2011

The KMPlayer 3.0.0.1441 LAV сборка 7sh4 от 28.11.2011

Год выпуска: 2011
Жанр: Мультимедиаплеер
Разработчик: http://www.kmplayer.com/
Сайт разработчика: The KMPlayer
Язык интерфейса: Мультиязычный (русский присутствует)
Тип сборки: Standard
Разрядность: 32/64-bit
Операционная система: Windows XP, Vista, 7
Описание: The KMPlayer — это универсальный проигрыватель, который способен проигрывать практически любые форматы медиафайлов, например: VCD, DVD, AVI, MKV, Ogg Theora, OGM, 3GP, MPEG-1/2/4, WMV, RealMedia, QuickTime и другие. Также программа понимает cубтитры на DVD дисках и способна записывать звук, видео или картинки из любой части проигрываем…

03
ноя
2011

The KMPlayer 3.0.0.1441 LAV сборка 7sh4 от 02.11.2011

Год выпуска: 2011
Жанр: Мультимедиаплеер
Разработчик: http://www.kmplayer.com/
Сайт разработчика: The KMPlayer
Язык интерфейса: Мультиязычный (русский присутствует)
Тип сборки: Standard
Разрядность: 32/64-bit
Операционная система: Windows XP, Vista, 7
Системные требования: — 50 МБ свободного дискового пространства
Описание: The KMPlayer — это универсальный проигрыватель, который способен проигрывать практически любые форматы медиафайлов, например: VCD, DVD, AVI, MKV, Ogg Theora, OGM, 3GP, MPEG-1/2/4, WMV, RealMedia, QuickTime и другие. Также программа понимает cубтитры на DVD дисках и способн…

24
янв
2018

Acronis Disk Director 11 Home 11.0.2343 Update 2 (Официальная русская версия) 11.0

Год выпуска: 2013
Жанр: Работа с жёстким диском
Разработчик: Acronis International GmbH
Сайт разработчика: acronis.ru
Язык интерфейса: Русский
Тип сборки: Standard
Разрядность: 32/64-bit
Операционная система: Windows (2000), Windows (XP), Windows (2003), Windows (Vista), Windows (2008), Windows (7), Windows (8), Windows (10)
Системные требования:
Загрузочный модуль: На основе BIOS*
Основной процессор: Современный процессор с тактовой частотой не менее 800 МГц
Оперативная память: 256 Мбайт
Разрешение экрана: 800×600 пикселей Место для установки: 150 Мбайт
Другое: Мышь * Не поддерживаются машины…

30
янв
2010

ScrenSaver девушки моют ваш монитор 3.4.0.0

Год выпуска: 2010
Жанр: Скринсейвер
Количество файлов: 1
Разработчик: sergunas
Сайт разработчика: http://sergunas.ru/
Язык интерфейса: Только английский
Платформа: Windows/Vista
Системные требования:
Операционная система: Windows 2000/XP/2003/Vista
Процессор: Pentium
Память: 128МБ
Видеокарта: 16 бит Свободное место на
ЖД: 126 мб
Таблэтка: Присутствует
Описание: Интересный скринсейвер. Безумно сексуальные и влекущие, полураздетые девушки моют ваш монитор. Девушка-блондинка очень тщательно вымоет экран монитора с обратной стороны. И мыть она его будет очень эротично, отчасти собой. Оригинальная…

10
авг
2013

Freemake Video Converter 4.0.3.0

Год выпуска: 2013
Жанр: Видео конвертер
Разработчик: Ellora Assets Corporation
Сайт разработчика: http://www.freemake.com/
Язык интерфейса: Мультиязычный (русский присутствует)
Тип сборки: Standard
Разрядность: 32/64-bit
Операционная система: Windows XP, Vista, 7, 8
Системные требования: Microsoft .NET Framework 4
Описание: Freemake Video Converter — это бесплатный видео конвертер для Microsoft Windows с предустановленным.NET Framework, разработанный «Ellora Assets Corporation». Утилита предназначена для конвертирования видео, прожига и риппинга DVD, прожига Blu-ray, создания слайд-шоу фотог…

31
мая
2011

Электронный словарь Ожегова и Шведовой 2.00 Portable

Год выпуска: 2009
Жанр: Словарь
Разработчик: Kertvin
Сайт разработчика: http://www.inetio.org/otherdic.html
Язык интерфейса: Русский
Тип сборки: Portable
Разрядность: 32/64-bit
Операционная система: Windows 95, 98, Me, 2000, XP, 2003, Vista, 2008, 7
Описание: Толковый словарь русского языка С. И. Ожегова и Н. Ю. Шведовой. Однотомный толковый словарь русского языка содержит 80000 слов и фразеологических выражений. Слова и фразеологизмы, заключенные в словаре, относятся к общелитературной лексике, а также к взаимодействующим с ней специальным сферам языка; в словаре широко представлена также про…

24
мар
2011

NetLimiter Pro 3.0.0.11 32-bit/64-bit

Год выпуска: 2011
Жанр: Управление трафиком
Разработчик: Locktime Software s.r.o.
Сайт разработчика: http://netlimiter.com
Язык интерфейса: Мультиязычный (русский присутствует)
Платформа: Windows XP, ХР х64, Vista, Vista х64, 7, 7 х64
Системные требования: Интернет соединение
Описание: NetLimiter Pro — программа, решающая проблему контроля сетевого трафика. NetLimiter следит за деятельностью каждого приложения, использующего доступ к Интернету, а также активно управляет трафиком, контролируя скорость потока данных. Вы можете самостоятельно настроить скорость загрузки и отправки информации для…

03
фев
2010

Год выпуска: 2009
Жанр: Запись дисков
Разработчик: Nero AG
Сайт разработчика: http://www.nero.com/
Язык интерфейса: Мультиязычный (русский присутствует)
Платформа: Windows XP, Vista, 7
Описание: Nero 9 — это набор программного обеспечения цифрового мультимедиа и домашнего центра развлечений следующего поколения, которое пользуется наибольшим доверием в мире. Его характеризует передовая функциональность, благодаря которой наслаждаться цифровым мультимедиа так просто. Этот простой в использовании, но мощный набор мультимедиа дает вам свободу создавать, считывать, копировать, записывать, редактир…

19
авг
2013

HTMLPad 11.4.0.133

Год выпуска: 2011
Жанр: Редактор веб-страниц
Разработчик: Blumentals Solutions SIA
Сайт разработчика: http://www.blumentals.net/ru/
Язык интерфейса: Мультиязычный (русский присутствует)
Тип сборки: Standard
Разрядность: 32-bit
Операционная система: Windows XP, Vista, 7
Описание: HTMLPad — функциональный и одновременно компактный веб-редактор, имеющий удобную панель инструментов для быстрого форматирования текста, создания форм, таблиц, вставки тэгов, причем не только HTML, но также JavaScript, ASP и SSI. Основные возможности программыСамый полный редактор HTML и XHTML на сегодня Расширенный…

20
авг
2015

Highscreen Zera_S (rev.a) 4.4.2 V1.0.2.2014.12.11

Год выпуска: 2014
Жанр: Прошивка
Разработчик: Highscreen
Сайт разработчика: http://highscreen.ru/
Язык интерфейса: Мультиязычный (русский присутствует)
Платформа: Android
Системные требования: 1 ГБ внутренний памяти, 1 ГБ оперативной памяти
Описание: Обновлённая версия прошивки для Highscreen Zera_S (rev.a) Установка прошивки1. Скачайте утилиту для прошивки https://yadi.sk/d/Dim7kjZePPcie 2. Скачайте и установите драйвер PreLoader USB VCOM Driver https://yadi.sk/d/ZLbie_WQPPcxE 3. Запустите SP Flash Tool, в поле Scatter-loading выберите файл MT6582_Android_scatter.txt, который находится в па…

c3198 транзистор характеристики и его российские аналоги

На чтение 3 мин. Просмотров 514 Опубликовано 15.12.2019

Биполярный транзистор 2SC3198 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC3198

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20

Корпус транзистора: TO92

2SC3198 Datasheet (PDF)

4.2. 2sc3199.pdf Size:541K _secos

2SC3199 0.15 A , 50 V NPN Plastic-Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free FEATURES TO-92S ? High Current Capability ? High DC Current Gain Millimeter REF. Min. Max. ? Small Package A 3.90 4.10 B 3.05 3.25 C 1.42 1.62 D 15.1 15.5 E 2.97 3.27 APPLICATIONS F 0.66 0.86 G 2.44 2.64 ? Audi

Содержание

Транзистор – популярный полупроводниковый прибор, выполняющий в электросхемах функции формирования, усиления или преобразования электросигналов и переключения электроимпульсов. Выделяют три типа этих приборов:

Однопереходные – иначе называются «двухбазовыми диодами». Представляют собой трехэлектродные полупроводники с одним p-n переходом;
Биполярные – имеют два p-n перехода;
Полевые – специальный класс, могут служить выключателями или регуляторами тока.

Домашним мастерам, специалистам по ремонту радиоаппаратуры, конструкторам часто требуется подобрать отечественный аналог импортных приборов или наоборот. В некоторых случаях это необходимо для экономии средств – российская продукция гораздо дешевле импортной. Это можно сделать несколькими способами:

Найти data sheets – техническую документацию к зарубежным электронным компонентам, в которой указываются основные параметры, обозначение на схемах и краткое описание. Затем воспользоваться справочниками на отечественные устройства. И методом подбора найти российские аналоги транзисторов или близкие по характеристикам устройства. Это длительный и сложный путь.
Использовать таблицу, представленную на нашем сайте. Она поможет заменить зарубежный транзистор отечественным или уменьшить диапазон поиска до нескольких экземпляров.

В нашем каталоге транзисторов вы можете подобрать и купить отечественные аналоги зарубежных транзисторов.

Таблицы зарубежных аналогов транзисторов

Если вы нашли неточность в таблицах аналогов или хотите дополнить их — напишите об этом в комментариях внизу страницы!

Главная

О сайте

Теория

Практика

Контакты

Юмор:
Ученье — свет, а не ученье — чуть свет и на работу!

Основные параметры транзистора 2SC3198 биполярного высокочастотного npn.

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора 2SC3198 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn

Pc max	Ucb max	Uce max	Ueb max	Ic max	Tj max, °C	Ft max	Cc tip	Hfe
400mW	60V	50V	5V	150mA	125°C	130MHz	2	70MIN

Производитель: KEC
Сфера применения: VHF, Medium Power, General Purpose
Популярность: 33823
Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Схемы транзистора 2SC3198

Общий вид транзистора 2SC3198.	Цоколевка транзистора 2SC3198.

Обозначение контактов:
Международное: C — коллектор, B — база, E — эмиттер.
Российское: К — коллектор, Б — база, Э — эмиттер.

Коллективный разум. Дополнения для транзистора 2SC3198.

Комментарий к рисунку: Нет.
Дата добавления: 2014-01-07 19:19:00; Пользователь: Без имени.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

справочник приборов ВЧ и СВЧ

Транзисторы высокочастотные и СВЧ отечественного и зарубежного производства

Основные параметры:

Uмакс. — Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор — эмиттер
Iмакс. — Максимально допустимый постоянный ток коллектора
Pмакс. — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
fгран. — Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ
h31э — Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ
Iкбо — Обратный ток коллектора
Kус. — Коэффициент усиления по мощности
Kш. — Коэффициент шума транзистора

Транзисторы малой мощности

Корпус SOT-23

Наименование	Структура	Uмакс., В	Iмакс., А	Pмакс., Вт	fгран., ГГц	Кш., дБ	h31э
BFR92A	N-P-N	15	25	0,3	5	2,1	40-90
BFR93A	N-P-N	12	35	0,3	6	1,9	40-90
BFR193	N-P-N	12	80	0,58	8	1,3	50-200
BFS17A	N-P-N	15	25	0,3	2,8	2,5	25-90
BFT92	P-N-P	15	25	0,3	5	2,5	20-50
BFT93	P-N-P	12	35	0,3	5	2,4	20-50

Корпус TO-50

Наименование	Структура	Uмакс., В	Iмакс., А	Pмакс., Вт	fгран., ГГц	Кш., дБ	h31э
BF970	P-N-P	35	30	0,3	1	4,2	25-90
BF979	P-N-P	20	50	0,3	1,75	3,4	20-90
BFR90A	N-P-N	15	30	0,3	6	1,8	50-150
BFR91A	N-P-N	12	50	0,3	6	1,6	40-150
BFR96TS	N-P-N	15	100	0,7	5	4	25-150

Корпус TO-92

Наименование	Структура	Uмакс., В	Iмакс., А	Pмакс., Вт	fгран., МГц	h31э
BF199	N-P-N	25	25	0,5	550	>38
BF240	N-P-N	40	25	0,3	>150	60-220
BF324	P-N-P	30	25	0,3	450	>25
BF450	P-N-P	40	25	0,3	375	>50
BF494	N-P-N	20	30	0,3	>260	>30
BF959	N-P-N	20	100	0,625	>600	>35

Транзисторы в других типах корпусов

Наименование	Структура	Uмакс., В	Iмакс., А	Pмакс., Вт	fгран., ГГц	h31э	Корпус
BFG425W	N-P-N	4,5	30	0,135	25	50-120	SOT343R
BFP67	N-P-N	10	50	0,2	7,5	65-150	SOT143
BFP450	N-P-N	4,5	100	0,45	24	50-150	SOT343R
BFP540	N-P-N	4,5	80	0,25	33	50-200	SOT343R
BFP620	N-P-N	2,3	80	0,185	65	100-320	SOT343R

Транзисторы высокочастотные советской разработки

Наименование	Структура	Pмакс., Вт	Iмакс., А	Uмакс., В	Iкбо., мкА	h31э	fгран., МГц	Корпус
КТ3102А-Ж	N-P-N	0,25	200	20-50	< 0,05	100/250-400/1000	150	КТ-1-7
КТ3102АМ-КМ	N-P-N	0,25	200	20-50	< 0,05	100/250-400/1000	150	КТ-26
КТ3107	P-N-P	0,3	100	20-45	< 0,1	70/140-380/800	250	КТ-26
КТ3108	P-N-P	0,3	200	45-60	< 0,2	50/150-100/300	250	КТ-1-7
КТ3117А, Б	N-P-N	0,3	400	50	< 10	40/200	300	КТ-1-7
КТ3117А1	N-P-N	0,3	400	50	< 10	40/200	300	КТ-26
КТ3129	P-N-P	0,15	100	20-40	< 1,0	30/120-200/500	200	КТ-46
КТ3130	N-P-N	0,1	100	15-40	< 0,1	100/250-400/1000	150	КТ-46
КТ315	N-P-N	0,15	50-100	25-60	0,5	20/90-50/350	200	КТ-13
КТ3151А9, Д9	N-P-N	0,2	100	80	< 1,0	> 20	100	КТ-46
КТ3153А9	N-P-N	0,3	400	50	< 0,05	100/300	250	КТ-46
КТ3157А	P-N-P	0,2	30	250	< 0,1	> 50	60	КТ-26
КТ3172А9	N-P-N	0,2	200	20	< 0,4	40/150	500	КТ-46
КТ339АМ	N-P-N	0,26	25	25	< 1,0	> 25	550	КТ-26
КТ342АМ, БМ, ВМ	N-P-N	0,25	50	30	< 30	100/250	250	КТ-26
КТ361	P-N-P	0,15	50-100	10-45	< 1	20/90-100/350	150	КТ-13

СВЧ-транзисторы советской разработки

Наименование	Структура	Pмакс., Вт	Iмакс., А	Uмакс., В	Iкбо., мкА	h31э	fгран., МГц	Корпус
КТ3101А-2	N-P-N	0,1	20	15	0,5	35/300	2250	Н/С-1
КТ3101АМ	N-P-N	0,1	20	15	0,5	35/300	1000	КТ-14
КТ3115А-2(Б, Д)	N-P-N	0,07	8,5	7-10	0,5	15/80	5800	КТ-22
КТ3120А	N-P-N	0,1	20	15	5	> 40	1800	КТ-14
КТ3126А,Б	P-N-P	0,15	30	30	0,5	25/100-60/180	500	КТ-26
КТ3128А1	P-N-P	0,3	30	35	0,1	35/150	800	КТ-26
КТ3168А9	N-P-N	0,18	28	15	< 0,5	60/180	<3000	КТ-46
КТ326А,Б	P-N-P	0,2	50	15	0,5	20/70-45/160	250	КТ-1-7
КТ326АМ,БМ	P-N-P	0,2	50	15	0,5	20/70-45/160	250	КТ-26
КТ368А,Б	N-P-N	0,225	30	15	0,5	50/300	900	КТ-1-12
КТ368АМ,БМ	N-P-N	0,225	30	15	0,5	50/450	900	КТ-26
КТ368А9, Б9	N-P-N	0,1	30	15	0,5	50/300	900	КТ-46
КТ399АМ	N-P-N	0,15	30	15	0,5	40/170	1800	КТ-26

Транзисторы средней мощности

Зарубежные

Наименование	Структура	Uмакс., В	Iмакс., А	Pмакс., Вт	fгран., ГГц	h31э	Корпус
BFG135	N-P-N	15	150	1	7	80-130	SOT223
BFG540W	N-P-N	15	120	0,5	9	100-250	SOT343N
BFG97	N-P-N	15	100	1	5,5	25-80	SOT223
BFQ19	N-P-N	15	100	1	5,5	25-80	SOT89
BLT50	N-P-N	10	500	2	0,47	25	SOT223
BLT80	N-P-N	10	250	2	0,9	25	SOT223
BLT81	N-P-N	9,5	500	2	0,9	25	SOT223

Транзисторы высокочастотные советской разработки

Наименование	Структура	Pмакс., Вт	Iмакс., А	Uмакс., В	Iкбо., мкА	h31э	fгран., МГц	Корпус
КТ626А-Д	P-N-P	9	1,5	20-80	1	15/60-40/250	45	КТ-27-2
КТ646А,Б	N-P-N	3,5	1	40-50	10	40/200-150/300	250	КТ-27-2
КТ683А-Е	N-P-N	8	1	60-150		40/120-160/480	50	КТ-27-2
КТ6127А-К	P-N-P	0,8	2	10-200	< 20	> 30	150	КТ-26
КТ630А-Е	N-P-N	0,8	1	60-150	< 1	40/120-160/480	50	КТ-2-7
КТ639А-И	P-N-P	1	1,5	30-80	< 0,1	40/100-180/400	80	КТ-27-2
КТ644А-Г	P-N-P	1	0,6	40-60	< 0,1	40/120-100/300	200	КТ-27-2
КТ645А	N-P-N	0,5	0,3	50	< 10	20/200	200	КТ-26
КТ660А,Б	N-P-N	0,5	0,8	30-45	< 1	110/220-200/450	200	КТ-26
КТ664А9	P-N-P	1	1	100	< 10	40/250	50	КТ-47
КТ665А9	N-P-N	1	1	100	< 10	40/250	50	КТ-47
КТ680А	N-P-N	0,35	0,6	25	< 10	85/300	120	КТ-26
КТ681А	P-N-P	0,35	0,6	25	< 10	85/300	120	КТ-26
КТ698	N-P-N	0,6	2	12-90	< 20	20/118-50/649	100	КТ-26

Транзисторы большой мощности

Зарубежные

Наименование	Структура	Uмакс., В	Iмакс., А	Pмакс., Вт	fгран., ГГц	h31э	Корпус
BLT53	N-P-N	10	2500	35,5	3,9	25	SOT122D

ВЧ-транзисторы советской разработки

Наименование	Структура	Pмакс., Вт	Iмакс., А	Uмакс., В	fгран., МГц	Кус., дБ	Iкбо., мкА	Корпус
КТ9115А	P-N-P	1,2	0,1	300	> 90		< 0,05мкА	КТ-27-2
КТ9180А-В	N-P-N	12,5	3,0	40-80	> 100			КТ-27-2
КТ9181А-В	P-N-P	12,5	3,0	40-80	> 100			КТ-27-2
КТ920А	N-P-N	5,0	0,5	36	30/200	4	2	КТ-17
КТ920Б	N-P-N	10,0	1,0	36	30/200		4	КТ-17
КТ920В	N-P-N	25,0	3,0	36	30/200		7,5	КТ-17
КТ920Г	N-P-N	25,0	3,0	36	30/200	3,5	7,5	КТ-17
КТ922А	N-P-N	8,0	0,8	65	50/175	3	5	КТ-17
КТ922Б	N-P-N	20,0	1,5	65	50/175	3		КТ-17
КТ922В	N-P-N	40,0	3,0	65	50/175		40	КТ-17
КТ922Г	N-P-N	20,0	1,5	65	50/175		20	КТ-17
КТ929А	N-P-N	6,0	0,8	30	> 50	8	5	КТ-17
КТ940А-В, A1	N-P-N	10,0	0,1	160-300	> 90		0,5	КТ-27-2, -26
КТ961А-В	N-P-N	12,5	1,5	60-100	> 50		10	КТ-27-2
КТ969А	N-P-N	6,0	0,1	250	> 60		0,05	КТ-27-2
КТ972А,Б	N-P-N	8,0	4,0	45-60	> 200		1	КТ-27-2
КТ973А,Б	P-N-P	8,0	4,0	45-60	> 200		1	КТ-27-2

СВЧ-транзисторы советской разработки

Наименование	Структура	Pмакс., Вт	Iмакс., А	Uмакс., В	fгран., МГц	Кус., дБ	Iкбо., мкА	Корпус
КТ913А	N-P-N	4,7	0,5	55	900/1500	2	10	КТ-16-2
КТ913Б	N-P-N	8	1	55	900/1500	2	50	КТ-16-2
КТ913В	N-P-N	12	1	55	900/1500	2	50	КТ-16-2
КТ916А	N-P-N	30	2	55	200/1800	2,5	25	КТ-16-2
КТ925А	N-P-N	5,5	0,5	36	500/1250	12	7	КТ-17
КТ925Б	N-P-N	11	1	36	375/1100	7	12	КТ-17
КТ925В	N-P-N	25	3,3	36	300/550	5,3	30	КТ-17
КТ925Г	N-P-N	25	3,3	36	300/550	5,3	30	КТ-17
КТ934А	N-P-N	7,5	0,5	60	> 100		5	КТ-17
КТ934Б	N-P-N	15	1	60	> 100		10	КТ-17
КТ934В	N-P-N	30	2	60	> 100		20	КТ-17
КТ939А	N-P-N	4	0,4	30	> 100		1	КТ-16-2
КТ939Б	N-P-N	4	0,4	30	> 100		2	КТ-16-2

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:

Интегральные микросхемы — Справочник — Тарабрин Б. Лунин Л.Ф

Название: Справочник — Популярные цифровые микросхемы.

Приведены сведения о трех самых распространенных в радиолюбительской практике видах цифровых микросхем: ТТЛ, КМОП и ЭСЛ. Кратко рассмотрены основы их схемотехники, показаны структуры, цоколевки и дано описание работы более 300 типов массовых цифровых микросхем: логических элементов, триггеров, регистров, счетчиков, мультиплексоров, арифметических и др. Даны рекомендации по их применению. Для подготовленных радиолюбителей и специалистов народного хозяйства, разрабатывающих и применяющих импульсно-цифровую аппаратуру.

Предлагаемая книга посвящена схемотехнике самых массовых серий микросхем — цифровых малой и средней степени интеграции. Известно, что в 70-е — 80-е годы в аппаратуре доминируют три вида таких микросхем; ТТЛ, КМОП и ЭСЛ. Их выпускают сотнями миллионов штук в год. Возможно, многие из них будут изготавливать до конца столетия.
В каждом из трех видов микросхем существуют преемственно развивающиеся серии. Имея описание микросхемы, можно реализовать ее свойства полностью. Каждая группа микросхем (к примеру, счетчиков, регистров) имеет сейчас много схемотехнических применений. Варианты схемотехники отображают* как ход развития микросхем, так и расширение запросов потребителей. Вдумчивый читатель может проследить путь развития схемотехники от простейших микросхем до современных и перспективных. Кроме того, полезно сравнить, как исходные устройства оптимизируются и трансформируются под схемотехнику ТТЛ, КМОП и ЭСЛ.

1. ЦИФРОВЫЕ МИКРОСХЕМЫ ТТЛ
1.1. Общие сведения об элементах ТТЛ
1.2. Схемотехника элементов ТТЛ
1.3. Традиционные серии ТТЛ
1.4. Перспективные серии ТТЛ
1.5. Буферные и разрешающие элементы ТТЛ
1.6. Схемотехника элементов И, ИЛИ, И/ИЛИ
1.7. Микросхемы ТТЛ: И,И, ИЛИ, И/ИЛИ, расширители
1.8. Автогенераторы на элементах ТТЛ
1.9. Логические элементы — триггеры Шмитта
1.10. Исключающее ИЛИ
1.11. Триггерные схемы
1.12. RS- и D-триггеры
1.13. JK-триггеры
1.14. Счетчики ТТЛ
1.15. Регистры ТТЛ
1.16. Дешифраторы и шифраторы ТТЛ
1.17. Мультиплексоры ТТЛ
1.18. Сумматоры ТТЛ
1.19. Оперативные и постоянные запоминающие устройства ТТЛ
1.20. Узлы вычислительных устройств
1.21. Ждущие мультивибраторы и автогенераторы
2. ЦИФРОВЫЕ МИКРОСХЕМЫ КМОП
2.1. Устройство и свойства логического элемента КМОП
2.2. Основные логические элементы И, ИЛИ, Z
2.3. Микросхемы с инверторами и их применение
2.4. Схемы генераторов и преобразователей
2.5. Преобразователи уровней логических сигналов
2.6. Коммутаторы цифровых и аналоговых сигналов
2.7. Триггерные микросхемы КМОП
2.8. Счетчики-делители КМОП
2.9. Регистры КМОП
2.10. Дешифраторы КМОП
2.11. Арифметические схемы КМОП
2.12. Микросхемы ФАП и мультивибраторы
3. ЦИФРОВЫЕ МИКРОСХЕМЫ ЭСЛ
3.1. Схемотехника логических элементов
3.2. Комбинаторные микросхемы серии К500
3.3. Триггеры, счетчики и регистры серии К500
3.4. Элементы вычислительных устройств из серии К500
3.5. Комбинаторные микросхемы серии К1500
3.6. Триггеры и регистры серии К1500
3.7. Узлы вычислительных устройств серии К1500
Приложение
Список литературы

Бесплатно скачать электронную книгу в удобном формате, смотреть и читать:
Скачать книгу Справочник — Популярные цифровые микросхемы — Шило В.Л. — fileskachat.com, быстрое и бесплатное скачивание.

Скачать djvu
Ниже можно купить эту книгу по лучшей цене со скидкой с доставкой по всей России.

В настоящем справочнике приведены перечни различных классов отечественных транзисторов и их зарубежных аналогов с указанием фирм-изготовителей, а так же зарубежных транзисторов и их отечественных аналогов. Для удобства работы книга разделена на две части. В первой части приведены зарубежные аналоги отечественных транзисторов, которые выстроены в алфавитно-цифровой последовательности. Во второй части приводятся отечественные аналоги зарубежных транзисторов, которые так же выстроены в алфавитно-цифровой последовательности.

Рассмотрены свойства и особенности биполярных и полевых транзисторов (с p-n-переходом, МОП, биполярных транзисторов со статической индукцией и с изолированным затвором), предназначенных для применения в бытовой, промышленной и специальной аппаратуре, приведены их электрические параметры, области применения, стандартизованные корпуса и зарубежные аналоги, а также указаны предприятия-изготовители. В справочном пособии представлена информация об особенностях применения, параметрах и характеристиках биполярных и полевых транзисторов, изготовленных в странах СНГ и Балтии.

В книге приведено самое полное описание устройств на полевых транзисторах. Особое внимание уделено новым классам этих приборов — мощным полевым транзисторам различного типа, IGBT и интегральным микросхемам на их основе. Даны основы теории, расчета и описание работы самых различных схем на полевых транзисторах: ключей, электронных регуляторов, импульсных и резонансных источников электропитания, высокоскоростных импульсных устройств, формирователей мощных импульсов, усилителей и генераторов различных частот.

Книга является вторым, исправленным и дополненным изданием выпуска, посвященного микросхемам для линейных источников питания. По сравнению с первым изданием введено большое дополнение, посвященное современным микросхемам для линейных источников питания ведущих зарубежных фирм, доступным на Российском рынке, а также исправлены все замеченные опечатки, внесены сведения о новых приборах. Для специалистов в области проектирования, эксплуатации и ремонта практически любых изделий радиоэлектроники, а также широкого круга радиолюбителей и студен юв технических ВУЗов.

Эта книга, оставаясь в рамках серии «Интегральные микросхемы», является попыткой «быстрого реагирования» на постоянно возрастающие потребности в информации рынка электронных компонентов. В ней приводятся подробные технические данные некоторых новых для России микроэлектронных изделий, а также путеводитель по продукции фирмы «Burr-Brown» и, соответственно, торговые марки и адреса производителей описанных приборов. Для специалистов в области радиоэлектроники, студентов технических вузов и широкого круга читателей интересующихся достижениями электроники.

Наиболее полный и подробный справочник по всем внутренним и внешним интерфейсам персонального компьютера последовательного и параллельного портов, инфракрасного порта, IDE, SCSI, шинам ISA, EISA, MCA, VESA, PCI, AGP, PC-Card (PCIMCIA) и др В книге приводятся полные описания и спецификации интерфейсов от адресов ввода/вывода и прерываний до уровней сигналов и контактов разъемов Эта книга посвящена интерфейсам, позволяющим подключать к персональным (и не только) компьютерам разнообразные периферийные устройства (ПУ) и их контроллеры.

В книге описаны терминология, концепции, технологии и устройства, которые ис пользуются во всем мире для передачи данных и голосовых сигналов. Она написана та ким образом, чтобы материал был понятен даже тем читателям, которые мало знают о телекоммуникациях, но при этом книга может стать хорошим техническим руководством и для опытных инженеров. Эта книга призвана стать справочным руководством к широкому диапазону технологий, применяемых в современных телекоммуникационных сетях. Материал, представленный в книге, не ограничивается лишь североамериканскими технологиями.

Справочник является логическим продолжением аналогичного издания 1997 г. Он устанавливает связь между типом отечественной микросхемы, ее зарубежным аналогом, функциональным назначением и производителем. В нем перечислены все когда-либо разработанные и произведенные на территории СНГ микросхемы — всего около 8000 типов. По сравнению с первым изданием, значительно расширен перечень приборов, уточнены аналоги многих микросхем и добаалена информация о состоянии производства приборов. Кроме этого, добавлены таблица функционального назначения микросхем и таблица всех типономиналов, рекомендуемых к применению приборов.

Книга начинает серию энциклопедических справочников по современной элементной базе электронной техники. Отличительной особенностью справочника является широкое использование ссылок на электронные базы компонентов фирм-производителей. В книге приводятся все необходимые сведения, позволяющие понять принципы работы, систему классификации, терминологию, типовые параметры и схемы включения, а вся фактическая информация о конкретных микросхемах содержится в виде ссылок на сайты производите лей. Такой подход позволил в книге небольшого формата разместить данные о 10 видах современных БИС: ЦАП, АЦП, синтезаторах частот, ИМС памяти, микропроцессорах, мик роконтроллерах, цифровых сигнальных процессорах, программируемых логических матри цах, схемах с квадратурной обработкой и кодеках.

В настоящем справочнике приведены схемы подключения и параметры более чем 3500 микросхем усилителей мощности низкой частоты, выпускаемых ведущими фирмами-производителями — » ECG-Philips, Matsushita-Panasonic, National Semiconductors, NTE, Philips, RCA, Sanyo, Siemens, SGS-Thomson, Telefunken-Temic, Toshiba и др. Здесь представлены как стандартные, так и нестандартные (мостовые) схемы включения. Микросхемы, имеющие идентичную электрическую схему включения, собраны в одном разделе, так как практически они являются аналогами.

Формат книги DjView. Размер архива — 3,29Mb. СКАЧАТЬ

Формат книги DjView. Размер архива — 5,77Mb. СКАЧАТЬ

Формат книги DjView. Размер архива — 16,4Mb СКАЧАТЬ

Размер файла — 198Mb. Формат книги DjView. Скачать с Deposit Files

Размер файла — 319Mb. Формат книги DjView. Скачать с Deposit Files

Размер файла — 180Mb. Формат книги DjView. СКАЧАТЬ

Размер архива — 16Mb. Формат книги DjView. СКАЧАТЬ

Справочник «транзисторы и их зарубежные аналоги» том 1. В первом томе справочника приводятся электрические и эксплуатационные характеристики полупроводниковых приборов — полевых и биполярных транзисторов малой мощности. Даются классификация и система обозначений, основные стандарты для описанных в справочнике приборов. Для конкретных типов приборов приводятся сведения об основном назначении, габаритных и присоединительных размерах, маркировке, предельных эксплуатационных режимах и условиях работы. В приложении даются зарубежные аналоги транзисторов, помещенных в справочнике.

Формат книги DjView. Размер архива — 6,19Mb СКАЧАТЬ

Формат книги DjView. Размер архива — 5,62Mb. СКАЧАТЬ

Формат книги DjView. Размер архива — 6,28Mb . СКАЧАТЬ

Формат книги DjView. Размер архива — 8Mb СКАЧАТЬ

Формат книги DjView. Размер архива — 3,95Mb СКАЧАТЬ

Формат книги DjView. Размер архива — 3,60Mb СКАЧАТЬ

Формат книги DjWiev. Размер архива — 16Mb СКАЧАТЬ

Формат книги DjWiev. Размер архива — 10,7Mb СКАЧАТЬ

Формат книги DjWiev. Размер архива — 2,68Mb СКАЧАТЬ

Формат книги DjWiev. Размер архива — 19,9Mb СКАЧАТЬ

Формат книги DjWiev. Размер архива — 2,30Mb СКАЧАТЬ

В справочнике приведены данные по цифровым и аналоговым интегральным микросхемам. Дана классификация отечественных интегральных микросхем. Описаны типы корпусов, общие характеристики и параметры.

По каждой серии интегральных микросхем приведены подробные данные; основное назначение каждой серии, принципиальные электрические схемы, цоколевка, электрические параметры.

По сравнению с первым изданием (1977 г.) в настоящем издании справочника существенно изменена номенклатура микросхем. В частности, значительно дополнен состав перспективных в настоящее время серий ТТЛ и КМОП микросхем, серий операционных усилителей и вторичных источников электропитания, включены микросхемы с высокой помехоустойчивостью, а также серии микросхем сверхвысокого быстродействия на основе схем эмиттерно-связанной логики. Вместе с тем исключен ряд серий микросхем, имеющих в настоящее время ограниченное применение.

Расширен раздел по применению микросхем различных классов (ТТЛ, КМОП, ЭСЛ, ВПЛ), дана справочная таблица соответствия старых и новых условных обозначений.

Справочник рассчитан на инженерно-технических работников, занимающихся разработкой, эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры.

Предисловие
РАЗДЕЛ I ЦИФРОВЫЕ МИКРОСХЕМЫ
Глава 1. Общие сведения о цифровых микросхемах средней степени интеграции
1.1. Классификация
1.2. Основные характеристики и параметры ЛЭ
1.3. Сравнение обобщенных параметров цифровых микросхем
1.4. Типовые корпуса микросхем
Глава 2. Микросхемы на основе ТТЛШ
2.1. Маломощные ТТЛШ ИС
2.2. Базовый логический элемент ИС533 (К533, КМ533, К555, КМ555)
2.3. Базовый логический элемент ИС1533 (КР1533)
2.4. Быстродействующие ТТЛШ ИС
2.5. Базовый логический элемент ИС530 (К530, КМ530, КМ531, КР531)
2.6. Базовый логический элемент ИС1531 (КР1531)
2.7. Логические элементы
2.8. Магистральные элементы
2.9. Мультиплексоры
2.10. Шифраторы и дешифраторы
2.11. Триггеры
2.12. Регистры
2.13. Счетчики
2.14. Арифметическо-логические устройства
2.15. Приемопередатчики
2.16. Формирователи
2.17. Мультивибраторы
2.18. Зависимость параметров микросхем от режимов работы и условий эксплуатации
Глава 3. Микросхемы на основе КМОП-технологии
3.1. Основные характеристики ИС К564
3.2. Сопряжение ИС К564 с другими сериями
3.3. Базовые логические элементы
3.4. Комбинационные устройства
3.5. Последовательностные устройства
Глава 4. Микросхемы на основе ЭСЛ
4.1. Быстродействующие микросхемы
4.2. Базовый логический элемент ИС К500 (100, К100,500)
4.3. Базовый логический элемент ИС К1500 (1500)
4.4. Особенности применения ЭСЛ ИС
Глава 5. Микросхемы на основе арсенида галлия
5.1. Базовый логический элемент сверхбыстродействующих ИС К6500
5.2. Логические элементы, триггер, счетчики, регистры
РАЗДЕЛ II. ЦИФРОВЫЕ БАЗОВЫЕ МАТРИЧНЫЕ КРИСТАЛЛЫ
Глава 6. Проектирование полузаказных БИС на основе базовых матричных кристаллов
6.1. Классификация методов проектирования специализированных БИС
6.2. Особенности конструкции БК
6.3. Терминология, основные параметры и характеристики БК
6.4. Основные направления развития БМК
6.5. Организация разработки БИСМ
6.6. Применение матричных БИС в унифицированных узлах РЭА
Глава 7. Цифровые базовые матричные кристаллы на основе эмиттерно-связанной логики
7.1. Базовые матричные кристаллы типа К1520ХМ1, К1521ХМ1
7.2. Базовый матричный кристалл типа К1520ХМ2
7.3. Базовый матричный кристалл типа К1572ХМ1
Глава 8. Цифровые базовые матричные кристаллы на основе транзисторно-транзисторной логики с диодами Шатки
8.1. Базовый матричный кристалл типа К1527ХМ1
8.2. Базовый матричный кристалл типа К1548ХМ1
Глава 9. Цифровые базовые матричные кристаллы на основе я-МОП-структур типа К1801ВП1
Глава 10. Цифровые базовые матричные кристаллы на основе КМОП-структур
10.1. Базовые матричные кристаллы типа К1806ВП1, КР1806ВП1
10.2. Базовый матричный кристалл типа К1515ХМ1
Глава 11. Цифровые базовые матричные кристаллы на новых материалах типа К6501ХМ1
РАЗДЕЛ III. ПРОГРАММИРУЕМЫЕ ПОТРЕБИТЕЛЕМ ЛОГИЧЕСКИЕ МИКРОСХЕМЫ
Глава 12. Ресурс программируемых логических микросхем
Глава 13. Программируемые логические микросхемы
13.1. Микросхемы К556РТ1, К556РТ2
13.2. Микросхема КМ1556ХП4
13.3. Микросхема КМ1556ХП6
13.4. Микросхема КМ1556ХП8
13.5. Микросхема КМ1556ХЛ8
13.6. Программируемая логическая интегральная микросхема с ультрафиолетовым стиранием информации
13.7. Расширение логических возможностей ПЛМ
Приложение 1. Принципиальные электрические схемы и условные графические обозначения библиотечных ФЯ БМК типа К1521ХМ1
Приложение 2. Принципиальные электрические схемы и условные графические обозначения библиотечных ФЯ БМК типа К1520ХМ1
Приложение 3. Принципиальные электрические схемы и условные графические обозначения библиотечных ФЯ БМК типа К1520ХМ2
Приложение 4. Принципиальные электрические схемы и условные графические обозначения библиотечных ФЯ БМК типа К1572ХМ1
Приложение 5. Принципиальные электрические схемы и условные графические обозначения библиотечных ФЯ БМК типа К1527ХМ1
Приложение 6. Принципиальные электрические схемы и условные графические обозначения библиотечных ФЯ БМК типа К1548ХМ1
Приложение 7. Условные графические обозначения библиотечных ФЯ БМК типа К1801ВП1
Приложение 8. Принципиальные электрические схемы и условные графические обозначения библиотечных ФЯ БМК типа К1515ХМ1
Приложение 9. Условные графические обозначения библиотечных ФЯ БМК типа К6501ХМ1
Список литературы

Справочник импортных транзисторов и их аналогов. Устройства, которыми можно заменить транзистор

В этой статье я хочу описать, на какие критерии нужно обращать внимание при выборе транзисторов на замену. Надеюсь, статья будет полезна начинающим радиолюбителям. Постараюсь изложить информацию очень кратко, но достаточно для правильного выбора транзистора при отсутствии аналогичного.

Транзисторы биполярные.

Предлагаю оценку и выбор аналога на замену транзистора Начну с анализа схемы — частота, напряжение, ток.Приступим к подбору быстродействия транзистора, то есть рабочей частоты транзистора. В этом случае граница фгр. МГц (та, при которой его коэффициент усиления равен единице) частота транзистора должна быть больше реальной частоты, на которой работает устройство, желательно во много раз. После выбора по частоте делаем выбор по допустимой мощности, другими словами коллекторный ток транзистора должен превышать максимальный ток в первичной цепи.Далее подбираем транзистор по допустимому напряжению эмиттер-коллектор, которое также должно превышать максимальное напряжение, подаваемое на транзистор в любой момент. Коэффициент усиления: известно, что коллекторный ток биполярного транзистора с током базы подключается через параметр h31. Проще говоря, ток коллектора больше тока базы в х31. Из этого можно сделать вывод, что лучше использовать транзисторы, значение этого параметра в которых как можно больше. Это повысит эффективность за счет снижения затрат на управление транзисторами, и даже тогда транзистору с большим значением этого параметра проще перейти в режим насыщения.Кроме того, чтобы уменьшить потери мощности на транзисторе (он будет меньше нагреваться), его напряжение насыщения (напряжение коллектор-эмиттер в открытом состоянии) должно быть как можно ниже, потому что мощность, выделяемая транзистором, равна произведению тока, протекающего по нему, и падения напряжения на нем и более, максимальная рассеиваемая мощность коллектора (указанная в справочнике) не должна быть меньше фактически выделенной, иначе транзистор не справится (мгновенно выйдет из строя). В статье «Транзисторы для импульсных источников питания ТВ.Замена »Я уже описал методику замена транзисторов .

Полевые транзисторы.

У них много преимуществ перед биполярными, а главное — более низкая цена. Наиболее важные преимущества полевых транзисторов По моему мнению следующие:

Управляется не током, а напряжением (электрическим полем), это значительно упрощает схему и снижает затраты энергии на управление.
В полевых транзисторах нет второстепенных носителей, поэтому они могут переключаться с гораздо большей скоростью.
Повышенная термостойкость. Повышение температуры полевого транзистора при приложении к нему напряжения будет по закону Ома увеличивать сопротивление открытого транзистора и, соответственно, уменьшать ток.

Сопротивление полевого транзистора помогает разработчику при параллельном подключении устройств увеличить нагрузочную способность. Можно параллельно включать достаточно большое количество полевых работников без уравнительных резисторов в силовых цепях и при этом не бояться измерения токов, что очень опасно для биполярных транзисторов.Однако параллельное соединение полевых транзисторов также имеет свои особенности.

Что касается подбора транзисторов на замену , то порядок примерно такой же, т. Е. Скорость потом мощность. Напряжение исток-сток также выбирается из тех же соображений, что и для биполярного, максимальный ток стока также выбирается с запасом, здесь его выбрать намного проще, т. К. Полевые транзисторы имеют достаточно большие допустимые токи стока и их разнесение составляет очень большие, что нельзя сказать Bipolar — биполярные транзисторы с током коллектора более 20 А, это уже большая редкость.У полевых транзисторов нет напряжения насыщения, у них аналогичный параметр — сопротивление открытого канала, у транзисторов с допустимым напряжением до 150 В оно составляет десятки миллиметров, в омах более высокое напряжение. Чем меньше значение этого сопротивления, тем параметры транзистора ближе к идеальным и меньше потерь. Потеря мощности (рассеивание) в открытом состоянии определяется как квадрат тока, умноженный на сопротивление открытого канала. Естественно, чем меньше это значение, тем меньше будет нагреваться транзистор.Аналог параметра h31 для полевого транзистора — крутизна характеристики. Этот параметр связывает ток стока и напряжение на затворе, другими словами, ток стока определяется как произведение напряжения затвора и крутизны характеристики транзистора. Обычно ключевые транзисторы имеют большую крутизну характеристики. Даже в этом типе транзисторов на затворе имеется так называемое постороннее напряжение — это минимальное значение управляющего напряжения, достаточное для перевода транзистора в абсолютно открытый режим (насыщение).При выборе необходимо учитывать, что минимальное напряжение на затворе не ниже порога, иначе вся мощность будет распределяться на транзисторе, а не на нагрузке, потому что он не полностью открыт. Как правило, такой режим работы транзисторы не выдерживают; после включения сгорают с небольшой (или большой) задержкой. Параметр мощности рассеяния коллектора для биполярного транзистора имеет аналогичный параметр для полевого транзистора — мощность рассеяния на стоках.Параметры абсолютно идентичны.

Активнее пользуйтесь справочниками и Интернетом, информации о параметрах транзисторов сейчас достаточно.

Сразу оговорюсь, что речь пойдет о выборе аналогов N-канальных полевых транзисторов «логического уровня» в цепях питания на материнских платах и видеокартах. Логический уровень в данном случае означает, что мы говорим об устройствах, которые управляются, то есть способны полностью открыть переход от стока к источнику, когда применяется затвор с относительно небольшим, до 5 вольт, напряжением.

Как может выглядеть полевой транзистор

Рис.1 Корпус типа D²PAK, также известный как TO-263-3.
Встречается в основном на старых платах, что редко используется на современных.

Pic2
Корпус типа DPAK, также известный как TO-252-3.
Чаще всего используется уменьшенный D²PAK.

Рис.3
Корпус типа СО-8.
Встречается на материнских платах и видеокартах, чаще всего на последних.Внутри можно спрятать один или два полевых транзистора.

Рис.4
SuperSO-8, он же TDSON-8. Он отличается от SO-8 тем, что 4 вывода подключены к подложке транзистора, что облегчает температурный режим. Характерно для продукции компании Infineon. Легко заменяется аналогом в корпусе SO-8

Рис.5
Ипак. Другое название — ТО-251-3. По сути — полный аналог DPAK, но с полноценной второй ногой.Intel любит использовать этот тип транзисторов на некоторых своих платах.

Рисунок A Первый вариант — один N-канальный транзистор.

Рис.B.
Второй, два N-канальных транзистора.

Рис. C
Третий, N-канальный плюс P-канальный транзисторы в одном флаконе.

Рисунок D.
Корпус типа LFPAK или SOT669.
Частный случай корпуса SO-8 с одним N-канальным транзистором, в котором ножки от 5 до 8 дюймов заменены теплоотводящим фланцем. На данный момент видел только на видеокартах.

Как правило, вместо устройства в корпусе D²PAK его легко установить в корпусе DPAK.

При определенных навыках можно «раскрыть» D²PAK на сиденье под DPAK, хотя это не будет выглядеть эстетично.

LFPAK естественно меняется на SO-8 с одним N-канальным транзистором, и наоборот.

В остальных случаях необходимо подбирать устройство в полностью аналогичном корпусе.

Где можно использовать полевой транзистор

Выше соглашаемся, что рассматриваем только подсистему питания, поэтому вариантов немного:

Преобразователь напряжения импульсный.
Линейный регулятор напряжения.
Ключ в цепях переключения напряжения.

Система маркировки полевых транзисторов

Рассмотрим это на примере.Пусть, у нас есть 20N03. Это означает, что он рассчитан на напряжение (Vds) ~ 30 В и ток (Id) ~ 20 А. Буква N означает, что это N-канальный транзистор. Но есть исключения из любого правила, например, фирма Infineon указывает маркировку Rds полевой шины, а не максимальный ток.

ИПП 15 N 03 Vds = 30 В Rds = 12,6 мОм Id = 42A TO220
IPB 15 N 03 L — N-канальный полевой МОП-транзистор Infineon OptiMOS Vds = 30 В Rds = 12.6 мОм Id = 42A TO263 (D²PAK)
SPI 80 N 03 S2L-05 — N-канальный полевой МОП-транзистор Infineon OptiMOS Vds = 30 В Rds = 5,2 мОм Id = 80 A TO262
NTD 40 N 03 R — на полумощном МОП-транзисторе 45 А 25 Вольт Rds = 12,6 мОм
Стандартное 10 ПФ 06 — ST STripFET ™ II Power P-channel MOSFET 60V 0,18Ω 10A IPAK / DPAK

Итак, в случае маркировки XXYZZ мы можем утверждать, что XX — это либо Rds, либо Id Y — тип канала ZZ это Vds

Основные характеристики N-канального полевого транзистора

Вообще разные параметры важны, и не очень, в полевых транзисторах много.Подойдем к вопросу с прикладной точки зрения и ограничимся рассмотрением практически необходимых нам параметров.

Vds — Drain to Source Voltage — максимальное напряжение сток-исток.
Vgs — Gate to Source Voltage — максимальное напряжение затвор-исток.
Id — Drain Current — максимальный ток стока.
Vgs (th) — Gate to Source Threshold Voltage — пороговое напряжение затвор-исток, при котором начинается переход сток-исток.
Rds (on) — Drain to Source On Resistance — переходное сопротивление сток-исток в открытом состоянии.
Q (tot) — Total Gate Charge — полный заряд затвора.

Хочу отметить, что параметр Rds (on) может указываться при разных напряжениях затвор-исток, обычно это 10 и 4,5 вольта, это важная особенность, которую необходимо учитывать.

Степень критичности параметров в различных приложениях

Vds, Vgs — параметры учитываются всегда, т.к. при их превышении транзистор выходит из строя.Он должен быть на больше или равен аналогичному параметру заменяемого устройства. При работе в импульсном преобразователе нет необходимости использовать устройства с запасом рабочего напряжения более 2-2,5 раза, так как устройства с высоким рабочим напряжением, как правило, имеют худшие скоростные характеристики.

Id — параметр важен только в импульсном преобразователе, так как в остальных случаях ток редко превышает 10% от номинала даже в не слишком мощных устройствах.Он должен быть на больше или равен аналогичного параметра заменяемого устройства в случае импульсного преобразователя и быть не менее 10 ампер в остальных случаях.

Vgs (th) — имеет определенное значение при работе в линейном стабилизаторе, так как только там транзистор работает в активном, а не в ключевом режиме. Хотя полевых транзисторов почти логического уровня, которые могут не подходить по этому параметру, нет. Этот параметр критичен для линейных стабилизаторов напряжения, где TL431 запитан от + 5В в качестве управляющего элемента (например, такая схема часто используется в линейных стабилизаторах напряжения на видеокартах)

Rds (on) — этот параметр напрямую влияет на нагрев транзистора, работающего в ключевом режиме, при прохождении тока по открытому каналу.В этом случае меньше — лучше . ВНИМАНИЕ не следует забывать, что максимальная токовая защита и защита от короткого замыкания серии HIP63 ** и некоторых других используют Rds (on) нижних клавиш (от дросселя к земле) в качестве датчика тока; он сработает раньше, чем необходимо — в результате сбоя питания при пиковой нагрузке — или ток короткого замыкания настолько велик, что убьет ключи до того, как мать отключит блок питания, сняв PW-ON;

Q (tot) — влияет на время перезарядки затвора и соответственно может задерживать открытие и закрытие транзистора.И снова меньше — лучше .

Документ из Fairchild «Выбор полевых МОП-транзисторов в импульсных преобразователях постоянного тока в постоянный» — рекомендации по выбору (и, следовательно, замене) полевых МОП-транзисторов.

За изобретение этого компонента физики получили Нобелевскую премию, благодаря которой произошла революция в появлении интегральных схем и компьютеров. Транзисторы используются для управления током в электрической цепи. Они могут усиливать, преобразовывать и генерировать электрические сигналы.Для увеличения выходного тока и напряжения эти устройства используются в области цифровой связи, в процессорах, цифровой технике. Используйте полевые (униполярные) и биполярные устройства.

Транзисторы различаются по частоте (низкая и высокая частота), по мощности, по материалам (германий, кремний, арсенид галлия, полученный путем объединения галлия и мышьяка). В настоящее время в матрицах дисплеев используются устройства на основе прозрачных полупроводников; предлагается использовать полупроводниковые полимеры в короткие сроки.

Радиолюбители иногда испытывают трудности с заменой зарубежных, в частности японских, транзисторов. В бытовой технике используется большое количество различных полупроводниковых приборов. Большинство производят биполярных транзисторов (обратная и прямая проводимость). Они производятся электронной промышленностью в странах Северной Америки, Европы и Японии. На корпусах устройств можно найти одинаковую маркировку для Японии и Южной Кореи.

В зависимости от сложности предстоящего ремонта оборудования можно рассмотреть общие подходы к замене транзисторов.В первом случае на корпусе транзистора есть маркировка, по которой определяется его тип, и это устройство можно купить по небольшой цене на обычном рынке радиоаппаратуры. В более сложном случае тип инструмента определить несложно, но сложно приобрести из-за высокой стоимости или отсутствия на внутреннем рынке. В сложных случаях невозможно определить тип устройства или нет инструкции по его использованию.

Сложность в том, что часто приходится заменять мощных импульсных транзистора иностранного производства отечественных аналогов, которые не всегда соответствуют всем необходимым параметрам.Например, сложно подобрать устройство в компактных корпусах и корпусах из пластика, пластика. Зато подобрать отечественную замену приборам типа ТО-3 в металлическом корпусе несложно. Важно учитывать размеры устройства, они должны совпадать.

Правильная замена прибора происходит с соблюдением двух вариантов изоляции (сломанной и покупной), способа подключения коллектора к пластине корпуса, отводящей тепло.

Если устройство, требующее замены, снабжено кожухом, обеспечивающим изоляцию, а его аналог имеет только пластиковую втулку в креплении, то для его защиты устанавливаем прокладку из фторопласта или слюды.Из фторопласта делают первичную обмотку высоковольтных проводов за счет высокой способности изолировать ток. Если изоляция втулки отсутствует, возможно, потребуется заизолировать крепежный винт. При замене устройства важно помнить, что транзисторы в металлическом корпусе лучше отводят тепло, чем их аналоги в пластиковом корпусе.

При замене прибора сначала определите, какие параметры наиболее важны для данной техники, и руководствуйтесь ими при выборе замены.Для этого нужно иметь конкретное представление о схемах и параметрах включения транзистора. При ремонте часто приходится заменять приборы на бытовую технику, видеомагнитофоны, телевизоры (выходные каскады импульсных блоков питания).

Для бытовой техники лучше всего подходят высокочастотные транзисторы . По инструкции к устройству можно определить, насколько изолирован корпус, насколько шумно работает устройство, где его использовать (например, тип G используется для связи).Но в устройствах со встроенными резисторами, диодами и другими модификациями маркировка может отличаться от общепринятой. Так фирмы NEC и TOSHIBA имеют свои обозначения высокочастотных и низкочастотных транзисторов.

Полупроводниковый прибор может выйти из строя из-за перегрузок, колебаний напряжения в сети. Поэтому нужно искать замену на защитные резисторы, диоды, учитывать уровень сопротивления. Чтобы не допустить перегрева корпуса и повторного выхода из строя, необходимо быстродействующее устройство.

При замене транзистора необходимо учитывать коэффициент передачи тока, рабочее напряжение на коллекторе прибора. Желательно, чтобы замена была не хуже оригинала. Или подключите параллельно несколько устройств меньшей мощности, но одного типа. При возникновении ошибки при установке аналога система может перегреться.

Полевые транзисторы заменить сложнее, чем биполярный.Их разновидности меньше, а параметры значительно различаются. Есть два основных типа: утепленная створка и рН переходный. Все современное цифровое оборудование построено на этих устройствах. Они сделаны на кристаллах кремния и используются для построения схем процессора, памяти, логики. Однако кремниевые транзисторы обычно не работают при напряжении выше 1000 вольт.

Модели и параметры транзисторов

| r-Параметры

Модели и параметры транзисторов:

T-Equivalent Circuit — Поскольку транзистор состоит из двух pn-переходов с общим центральным блоком, должна быть возможность использовать две эквивалентные схемы pn-перехода переменного тока в качестве моделей и параметров транзисторов.На рисунке 6-9 показана эквивалентная схема переменного тока для транзистора, подключенного по схеме с общей базой. Резистор r _e представляет сопротивление перехода BE, r _c представляет сопротивление перехода CB, а r _b представляет сопротивление области базы, которое является общим для обоих переходов. Емкости перехода C _BE и C _BC также включены.

Если оставить схему замещения моделей и параметров транзистора просто как комбинацию сопротивлений и емкостей, она не сможет учесть тот факт, что большая часть тока эмиттера течет из клеммы коллектора как ток коллектора.Чтобы представить это, генератор тока включен параллельно с r _c и C _BC. Генератору тока присваивается значение αI _e, где α = I _c / I _e.

Полная схема известна как Т-эквивалентная схема или эквивалентная схема с r-параметром. Эквивалентная схема может быть преобразована в конфигурацию с общим эмиттером или общим коллектором.

Токи на рис. 6-9 обозначены I _b, I _c и I _e (вместо I _B, I _C и I _E), чтобы указать, что они величины переменного тока, а не постоянного тока.Параметры схемы r _c, r _b, r _e и α также являются величинами переменного тока.

r-Параметры:

Ссылаясь на рис. 6-9, r _e представляет сопротивление переменного тока смещенного в прямом направлении перехода BE, поэтому оно имеет низкое значение сопротивления (обычно 25 Ом). Сопротивление обратносмещенного CB-перехода (r _c) высокое (обычно от 100 кОм до 1 МОм). Сопротивление основной области (r _b) зависит от плотности легирования основного материала.Обычно r _b находится в диапазоне от 100 Ом до 300 Ом.

C _BE — это емкость pn-перехода с прямым смещением, а C _BC — емкость смещенного в обратном направлении перехода. На средних и низких частотах емкостями перехода можно пренебречь. Вместо генератора тока (αI _e), параллельно с r _c, можно использовать генератор напряжения (αI _e r _c) последовательно с r _c. Две модели транзисторов с r-параметром показаны на рис.6-10.

Определение r _e:

Поскольку r _e является сопротивлением переменного тока смещенного в прямом направлении перехода база-эмиттер BJT, его можно определить из графика зависимости I _E от V _BE. Как показано на Рис. 6-11,

Это аналогично определению динамического сопротивления (r _d) для диода с прямым смещением. Также, как и в случае диода, сопротивление переменному току для перехода BE транзистора может быть рассчитано с точки зрения тока, проходящего через переход.

Как и в случае r ‘_d для диода, r ’_e не включает сопротивление полупроводникового материала устройства. Следовательно, r ’_e немного меньше фактического измеренного значения r _e для данного транзистора.

Уравнение 6-2 применимо только к транзисторам при температуре 25 ° C. Для определения r ’_e при более высоких или более низких температурах уравнение должно быть изменено.

h-Параметры:

Было показано, что схемы моделей и параметров транзисторов могут быть представлены схемой r-параметра или T-эквивалентом.В схемах с более чем одним транзистором анализ по r-параметрам может быть практически невозможен. Гибридные параметры, или h-параметры, намного удобнее для анализа схем. Они используются только для анализа цепей переменного тока, хотя коэффициенты усиления постоянного тока также выражаются как It-параметры. Модели транзисторов с h-параметрами упрощают анализ транзисторных схем, разделяя входные и выходные каскады анализируемой схемы.

На рис. 6-12 эквивалентная схема с h-параметром с общим эмиттером сравнивается со схемой с r-параметром с общим эмиттером.В каждом случае включен внешний резистор коллектора (R _C), а также напряжение источника сигнала (v _s) и сопротивление источника (r _s). Обратите внимание, что генератор выходного тока в цепи r-параметра имеет значение αI _e, что равно βI _b.

Вход в схему h-параметра представлен как входное сопротивление (h _{, т.е.}), включенное последовательно с источником напряжения (h _re υ _ce). Глядя на схему r-параметра, видно, что изменение выходного тока I _c вызывает изменение напряжения на r _e.Это означает, что напряжение подается обратно с выхода на вход. В схеме h-параметра это напряжение обратной связи представлено как часть h _re выходного напряжения υ _ce. Параметр h _re соответственно называется передаточным отношением обратного напряжения .

Выход схемы h-параметра представлен как выходное сопротивление (1 / h _oe) параллельно с генератором тока (h _fe I _b), где I _b — (вход) базовый ток.Итак, h _fe I _b создается входным током I _b, и он делится между выходным сопротивлением устройства 1 / h _oe и резистором коллектора R _C. I _c — ток, передаваемый на R _C. Это можно сравнить с эквивалентной схемой с параметром r, где часть тока генератора (βI _b) протекает через r _c. Параметр генератора тока (h _fe) называется коэффициентом прямого переданного тока .Выходная проводимость составляет h _oe, так что 1 / h _oe является сопротивлением.

r _π Эквивалентная цепь:

Примерная модель h-параметра транзисторной CE-схемы показана на рис. 6-13 (a). В этом случае генератор обратной связи (h _re υ _ce на рис. 6-12 (b)) опускается. Влияние h _re υ _ce обычно настолько мало, что им можно пренебречь для большинства практических целей.

Примерная схема h-параметра воспроизведена на рис.6-13 (б) с компонентами, обозначенными как r-параметры; r _π = h _{, т.е.}, βI _b = h _fe I _b и r _c = 1 / h _oe. Эта схема, известная как гибридная π-модель, иногда используется вместо схемы с h-параметром.

Определение h-параметров:

Буква e в нижнем индексе h _{, то есть}, определяет параметр как величину общего эмиттера, а i означает, что это входное сопротивление.Входные сопротивления с общей базой и общим коллектором обозначены соответственно h _ib и h _ic.

В качестве входного сопротивления переменного тока h _{, то есть}, можно определить как входное напряжение переменного тока, деленное на входной ток переменного тока.

Обычно обозначается как,

Это означает, что напряжение коллектор-эмиттер (V _CE) должно оставаться постоянным при измерении h _{, т.е.}.

Входное сопротивление также может быть определено с точки зрения изменения уровней постоянного тока;

Уравнение 6-5 может использоваться для определения h _{, т.е.}, исходя из входных характеристик транзистора с общим эмиттером.Как показано на рис. 6-14, ΔV _BE и ΔI _B измеряются в одной точке характеристики, и вычисляется h _{, т.е.}.

Коэффициент обратной передачи h _re также может быть определен в терминах величин переменного тока или как отношение изменений постоянного тока. В обоих случаях входной ток (I _B) должен поддерживаться постоянным.

Коэффициент передачи прямого тока h _fe может быть аналогичным образом определен в терминах величин переменного тока или как отношение изменений постоянного тока.В обоих случаях выходное напряжение (V _CE) должно поддерживаться постоянным.

Уравнение 6-8 можно использовать для определения h _fe из характеристик усиления тока CE. На рисунке 6-15 показано измерение ΔI _C и ΔI _B в одной точке характеристик для расчета h _fe.

Выходная проводимость, h _fe, представляет собой отношение переменного тока коллектора к переменному напряжению коллектор-эмиттер, и его значение можно определить по выходным характеристикам общего эмиттера (см.рис.6-16).

h-параметр с общей базой и общим коллектором:

H-параметры с общей базой и общим коллектором определяются аналогично h-параметрам с общим эмиттером. Они также могут быть получены из характеристик CB и CC. Параметры с общей базой обозначаются как h _ib, h _fb и т. Д., А параметры с общим коллектором обозначаются h _ic, h _fc и так далее.

Параметры Взаимосвязи:

Производители устройств не указывают значения всех параметров в технических паспортах транзисторов.Обычно указываются только h-параметры CE. Однако h-параметры CB и CC могут быть определены из h-параметров CE. r-параметры также могут быть вычислены из h-параметров CE. Таблица 6-1 показывает взаимосвязь параметров.

Q: биполярный переходной транзистор

3,17 Q: биполярный переходной транзистор

3.17.1 Синтаксис

Устройство

Q xxxxxxx nc nb ne ns mname { area } { args }
.BJT этикетка nc nb ne ns mname { area } { args }

Модель (обязательно)

.model mname NPN { args }
.model mname PNP { args }

3.17.2 Назначение

Биполярный переходной транзистор,

3.17.3 Комментарии

Nc , nb , ne и ns — коллектор, база, эмиттер и подложка соответственно. Mname — это модель имя.Узел подложки не является обязательным.

Площадь — это безразмерный множитель площади.

Параметры (команда .options) rstray определяют, включены непоследовательные сопротивления. rstray используется по умолчанию. Norstray является эквивалентом установки всех параметров модели rc, re и rb на ноль.

Ввод значения параметра 0 — это не то же самое, что не указывать Это. Такое поведение несовместимо со SPICE. В SPICE значение 0 часто интерпретируется как не указанное, в результате чего вычислить его другим способом.Если вы хотите, чтобы он был рассчитан, не указывайте это.

Еще одно небольшое отличие от SPICE заключается в том, что Gnucap может опускать некоторые ненужные части модели, которые могут повлиять на некоторые заявленные ценности. Это не должно влиять на напряжение или ток.

3.17.4 Параметры элемента

Параметры совместимости с Basic Spice

M = x: Множитель устройства. (По умолчанию = 1.) Эквивалентное количество устройств, подключенных параллельно.
ПЛОЩАДЬ = x: Площадка стыковки.(По умолчанию = 1) Это параметр масштабирования с нет соответствующих фактических единиц.
ВЫКЛ: (По умолчанию = не указано) Если это слово указано, первоначальное предположение будет считать, что устройство выключено.
ТЕМП = x: Температура перехода. (По умолчанию = глобальная температура.)
ICVBE = x: Исходное состояние, Vbe. (По умолчанию = NA) Используйте это как начальное условие, когда указана опция UIC.Синтаксис: отличается от Spice, но функция та же.
ICVCE = x: Исходное состояние, Vce. (По умолчанию = NA) Используйте это как начальное условие, когда указана опция UIC. Синтаксис: отличается от Spice, но функция та же.

3.17.5 Параметры модели

Основные параметры постоянного тока

BF = x: Идеальная максимальная форвардная бета. (По умолчанию = 100) Альтернативное имя — BFM.
BR = x: Идеальная максимальная обратная бета. (По умолчанию = 1) Альтернативное имя — BRM.
IBC = x: BC Транспортное насыщение Ток на площадь. (По умолчанию = IS) Если опущено, IS используется. Вы должны указать IS или IBC, не оба.
IBE = x: BE Транспортное насыщение Ток на площадь. (По умолчанию = IS) Если не указано, IS используется. Вы должны указать IS или IBE, не оба.
IS = x: Транспортное насыщение Ток на площадь. (По умолчанию = 1e-16) Если IBE и IBC указаны, они используются вместо них. Не указывать оба.
NF = x: Коэффициент выбросов прямого тока. (По умолчанию = 1)
NR = x: Коэффициент обратного тока эмиссии. (По умолчанию = 1)

Модуляция базовой ширины

VAF = x: Прямое раннее напряжение.(По умолчанию = Бесконечное). Альтернативные имена — VA и VBF.
VAR = x: Обратное раннее напряжение. (По умолчанию = Infinite) Альтернативное имя — VB.

Слаботочная бета-дегенерация

ISC = x: Ток насыщения утечки B-C. (По умолчанию = c4 * is)
C4 = x: Масштабный коэффициент утечки B-C. (По умолчанию = 0) Альтернативное имя — JLC.
NC = x: Коэффициент выбросов утечки B-C.(По умолчанию = 2)
ISE = x: Ток насыщения утечки B-E. (По умолчанию = c2 * is)
C2 = x: Масштабный коэффициент утечки B-E. (По умолчанию = 0) Альтернативное имя — JLE.
NE = x: Коэффициент выбросов утечки B-E. (По умолчанию = 1,5)

Сильноточная бета-дегенерация

IKF = x: Прямой бета-угол спада тока.(По умолчанию = Бесконечный) Альтернативный имена JBF и IK.
IKR = x: Обратный бета-спад углового тока. (По умолчанию = Бесконечный) Альтернативный зовут JBR.

Паразитостойкость

IRB = x: Ток для сопротивления базы = (rb + rbm) / 2 дюйма (по умолчанию = бесконечный). где базовое сопротивление падает наполовину до минимального значения. Альтернативный зовут JRB.
RB = x: Базовое сопротивление нулевого смещения.(По умолчанию = 0)
RBM = x: Минимальное сопротивление базы при большом токе. (По умолчанию = rb)
RE = x: Сопротивление эмиттера. (По умолчанию = 0)
RC = x: Коллекторное сопротивление. (По умолчанию = 0)

Емкость перехода

CJC = x: Емкость разряда B-C при нулевом смещении. (По умолчанию = 0)
CJE = x: Емкость обеднения B-E нулевого смещения.(По умолчанию = 0)
CJS = x: Емкость C-S нулевого смещения. (По умолчанию = 0) Альтернативное имя — CCS.
FC = x: Коэффициент для формулы истощающей емкости прямого смещения. (Дефолт = .5)
MJC = x: Коэффициент градации соединения B-C. (По умолчанию = .33) Альтернативные имена: MJ и MC.
MJE = x: Коэффициент градации соединения B-E.(По умолчанию = 0,33) Альтернативное имя: МЕНЯ.
MJS = x: Коэффициент градации стыка субстрата. (По умолчанию = 0) Альтернативные имена это MS и MSUB.
VJC = x: B-C встроенный потенциал. (По умолчанию = 0,75) Альтернативное имя — ПК.
VJE = x: B-E встроенный потенциал. (По умолчанию = 0,75) Альтернативное имя — PE.
VJS = x: Соединение субстрата построено в потенциале.(По умолчанию = 0,75) Альтернативное имя это PS.
XCJC = x: Часть емкости B-C, подключенная к внутреннему базовому узлу. (По умолчанию = 1)

Паразитная емкость

CBCP = x: Внешняя постоянная паразитная емкость B-C. (По умолчанию = 0)
CBEP = x: Постоянная паразитная емкость внешнего B-E. (По умолчанию = 0)
CBSP = x: Внешняя постоянная паразитная емкость B-S для боковых транзисторов.(По умолчанию = 0)
CCSP = x: Внешняя постоянная паразитная емкость B-C для вертикальных транзисторов. (По умолчанию = 0)

Время перехода

ITF = x: Сильноточная зависимость TF. (По умолчанию = 0)
PTF = x: Превышение фазы при частоте = 1.0 / (TF * 2PI) Гц. (По умолчанию = 0)
TF = x: Идеальное время для прямой перевозки.(По умолчанию = 0)
TR = x: Идеальное время обратного транзита. (По умолчанию = 0)
VTF = x: Напряжение, дающее зависимость VBC от TF. (По умолчанию = Бесконечный)
XTF = x: Коэффициент зависимости TF от смещения. (По умолчанию = 0)

Влияние температуры

XTB = x: Прямая и обратная бета-температурная экспонента.(По умолчанию = 0)
XTI = x: Температурная экспонента влияния на IS. (По умолчанию = 3)
EG = x: Энергетический зазор для температурной зависимости IS. (По умолчанию = 1,11)
TNOM = x: Параметр измерения температуры, Цельсия. (По умолчанию = 27)

3.17.6 Датчики

Это не полный список. Все «рассчитанные параметры» могут быть исследовал. Смотрите исходный файл d_bjt.модель для списка.

Все параметры внутренних элементов (Ice, Ipi, Imu, Cbx, Cbc, Ccs, Cbe, Rc, Re, Yb, Cbcp, Cbep, Cbs) доступны. Чтобы получить к ним доступ, соедините метки внутреннего элемента с этим устройством, разделенные точкой. Cbe.Q6 — это емкость между базой и эмиттером Q6.

Для анализа переменного тока нет зондов, кроме внутренних. элементы.

VBEINT: Внутреннее напряжение база-эмиттер.
VBCINT: Внутреннее напряжение база-коллектор.
VBXINT: Напряжение между внешней базой и внутренней базой.
VCSINT: Внутреннее напряжение коллектор-подложка.
VBS: Напряжение база-подложка.
VBE: Напряжение база-эмиттер.
VBC: Напряжение база-коллектор.
VCS: Напряжение коллектор-подложка.
VCB: Напряжение коллектор-база.
VCE: Напряжение коллектор-эмиттер.
VES: Напряжение эмиттер-подложка.
ВЭБ: Напряжение эмиттер-база.
VEC: Напряжение эмиттер-коллектор.
VB: Напряжение база-земля.
VC: Напряжение коллектор-земля.
VE: Напряжение эмиттер-земля.
VS: Напряжение «подложка-земля».
VBI: Внутреннее напряжение заземления.
VCI: Внутреннее напряжение коллектор-земля.
VEI: Внутреннее напряжение эмиттер-земля.
ICE: Коллектор-эмиттерный ток.
ICEOffset: Смещение части ДВС.
GO: Выходная проводимость (коллектор-эмиттер).
GM: Крутизна.
IPI: Ток база-эмиттер.
IPIOffset: Смещенная часть IPI.
GPI: Проводимость база-эмиттер.
IMU: Ток база-коллектор.
IMUOffset: Смещение части IMU.
GMU: Проводимость база-коллектор.
IB: Базовый ток.
GX: Проводимость основного сопротивления растеканию.
RX: Базовое сопротивление растеканию.
IC: Коллекторный ток.
IE: Ток эмиттера.
QBX: Внешняя база-коллекторный заряд.
CQBX: Внешняя емкость база-коллектор.
CBX: Внешняя емкость база-коллектор (CQBX).
QBC: Внутренний коллекторный заряд базы.
CQBC: Внутренняя емкость база-коллектор.
CBC: Внутренняя емкость база-коллектор (CQBC).
CMU: Внутренняя емкость база-коллектор (CQBC).
QCS: Заряд коллектор-подложка.
CQCS: Емкость коллектор-подложка.
CCS: Емкость коллектор-подложка (CQCS).
QBE: Заряд база-эмиттер.
CQBE: Емкость база-эмиттер.
CBE: Емкость база-эмиттер. (CQBE).
CPI: Емкость база-эмиттер. (CQBE).
P: Питание.
PD: Рассеиваемая мощность. Мощность рассеивается в виде тепла. Это всегда положительный и не включает источник питания. Он должен быть таким же, как P, потому что транзисторы не могут генерировать энергию.
PS: Источник питания. Сила, исходящая от детали. Это всегда положительно и не учитывает собственное рассеивание. Должно быть 0, потому что транзисторы не могут генерировать энергию.

Все параметры внутренних элементов (Ice, Ipi, Imu, Rc, Re, Yb, Cbx, Cbc, Ccs, Cbe, Cbcp, Cbep, Cbsp, Ccsp) доступны. Чтобы получить доступ их, объедините метки для внутреннего элемента с этим устройство, разделенные точкой. Cbe.Q6 — это емкость от базы к эмиттеру. Q6.

В этом выпуске нет доступных зондов для анализа переменного тока, кроме для внутренних элементов.

Параметры и ограничения биполярного режима

Все биполярные транзисторы и модели Дарлингтона основаны на модифицированной SPICE модели Гаммеля-Пуна. Типичная модель для одиночного транзистора показана следующим образом:

* Zetex FMMT493A SPICE Model v1.0 Последняя редакция 30/3/06 * .MODEL FMMT493A NPN IS = 6E-14 NF = 0,99 BF = 1100 IKF = 1,1 + NK = 0,7 VAF = 270 ISE = 0,3E-14 NE = 1,26 NR = 0,98 BR = 70 IKR = 0.5 + VAR = 27 ISC = 1,2e-13 NC = 1,2 RB = 0,2 RE = 0,08 RC = 0,08 RCO = 8 + GAMMA = 5E-9 CJC = 15,9E-12 MJC = 0,4 VJC = 0,51 CJE = 108E-12 + MJE = 0,35 VJE = 0,7 TF = 0,8E-9 TR = 55e-9 XTB = 1,4 QUASIMOD = 1 *

В биполярной модели:

IS и NF контролируют Icbo и значение Ic при средних уровнях смещения .
ISE и NE контролируют падение hFE, которое происходит при низком Ic.
BF контролирует пиковое значение hFE, а XTB контролирует его изменение в зависимости от температуры.
BR управляет пиковым обратным hFE i.е. коллектор и эмиттер поменяны местами.
IKF и NK регулируют ток и скорость падения hFE при высоких токах коллектора.
IKR контролирует падение обратного hFE при высоких токах эмиттера.
ISC и NC контролируют падение обратного hFE при малых токах.
RC, RB и RE добавляют к этим клеммам устройства последовательное сопротивление.
VAF контролирует изменение тока коллектора в зависимости от напряжения, когда транзистор работает в линейной области.
VAR — это обратная версия VAF.
CJC, VJC и MJC управляют Ccb и как они зависят от Vcb.
CJE, VJE и MJE управляют Cbe Ccb и как это зависит от Veb.
TF контролирует Ft и скорость переключения.
TR контролирует переключение времени хранения.
RCO, GAMMA, QUASIMOD контролируют область квазинасыщения.

Некоторые стандартные модели SPICE биполярных транзисторов могут не включать параметр, который позволяет BF, параметру hFE, изменяться в зависимости от температуры. Если XTB отсутствует, он по умолчанию равен нулю, например.грамм. нет температурной зависимости. Если температурные эффекты hFE представляют интерес и XTB не моделируется, то для получения оценки или отправной точки для дальнейшего исследования можно использовать следующие значения:

Полярность	XTB
НПН	1,6
PNP	1,9

Рекомендуется изучить соответствующий профиль hFE из таблицы данных и создать испытательную схему SPICE, которая имитирует рассматриваемое устройство и генерирует набор кривых hFE.Двух или трех таких итераций обычно бывает достаточно для определения значения XTB в каждом случае.

Пожалуйста, помните, что эти примечания являются лишь приблизительным руководством в отношении влияния параметров модели. Кроме того, многие параметры взаимозависимы, поэтому настройка одного параметра может повлиять на многие характеристики устройства.

В компании Diodes мы пытались сделать модели максимально приближенными к реальным образцам, но вынуждены идти на некоторые компромиссы, которые при некоторых обстоятельствах могут привести к ошибкам моделирования.Основными ошибками, наблюдаемыми до сих пор, были:

ДИОДЫ ОТКАЗ ОТ ОТВЕТСТВЕННОСТИ

ДИОДЫ ВКЛЮЧЕНЫ И ЕГО ДОЧЕРНИЕ КОМПАНИИ (КОЛЛЕКТИВНО, «ДИОДЫ») ПРЕДОСТАВЛЯЮТ ДАННЫЕ МОДЕЛИ И ДАННЫЕ ДЛЯ СПЕЦИЙ И ДАННЫЕ (СОБИРАЮЩИЕ) «И БЕЗ КАКИХ-ЛИБО ЗАЯВЛЕНИЙ ИЛИ ГАРАНТИЙ, ЯВНЫХ ИЛИ ПОДРАЗУМЕВАЕМЫХ, ВКЛЮЧАЯ ЛЮБЫЕ ГАРАНТИИ КОММЕРЧЕСКОЙ ЦЕННОСТИ ИЛИ ПРИГОДНОСТИ ДЛЯ КОНКРЕТНОЙ ЦЕЛИ, ЛЮБЫХ ГАРАНТИЙ, ВЫЯВЛЯЮЩИХСЯ ИЗ ГОДА ТОРГОВЛИ ИЛИ ГАРАНТИИ ПО ДАННЫМ ДАННЫХ ИЛИ ЛЮБЫХ ГАРАНТИЙ, ПРЕДУСМОТРЕННЫХ ДАННЫМИ ДАННЫХ, ИЛИ ЛЮБЫМИ ГАРАНТИЯМИ. БЕСПЕРЕБОЙНЫЙ, ИЛИ ДАННЫЕ SM ИЛИ ЛЮБОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ДАННЫХ SM БУДЕТ БЕЗ ОШИБОК.В МАКСИМАЛЬНОЙ СТЕПЕНИ, РАЗРЕШЕННОЙ ЗАКОНОМ, НИ ПРИ КАКИХ ОБСТОЯТЕЛЬСТВАХ ДИОДЫ НЕ НЕСЕТ ОТВЕТСТВЕННОСТИ ЗА ЛЮБЫЕ КОСВЕННЫЕ, СПЕЦИАЛЬНЫЕ, СЛУЧАЙНЫЕ, КАРАТЕЛЬНЫЕ ИЛИ КОСВЕННЫЕ УБЫТКИ, ВОЗНИКАЮЩИЕ В РЕЗУЛЬТАТЕ ИЛИ В СВЯЗИ С ПРОИЗВОДСТВОМ ИЛИ ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ДАННЫХ SM, КАК ВЫЗВАННЫЕ И НЕ ПРИНИМАЮТСЯ ИЛИ ТЕОРИЯ ОТВЕТСТВЕННОСТИ (ВКЛЮЧАЯ, БЕЗ ОГРАНИЧЕНИЙ, ПО ЛЮБОМУ ДОГОВОРУ, НЕБРЕЖНОСТИ ИЛИ ДРУГИМ ТЕОРИИ ОТВЕТСТВЕННОСТИ), ДАЖЕ ЕСЛИ ДИОДЫ БЫЛИ ПРЕДЪЯВЛЯЛИ О ВОЗМОЖНОСТИ ТАКИХ УЩЕРБОВ И ДРУГИХ ДИОДОВ В СООТВЕТСТВИИ С ДАННЫМИ ) В ОТНОШЕНИИ ДАННЫХ SM НЕ ПРЕВЫШАЕТ НИКАКИХ СУММ, ВЫПЛАЧЕННЫХ ВАМИ ЗА ДАННЫЕ SM.

Получая доступ, просматривая и / или загружая ДАННЫЕ SM, вы безоговорочно подтверждаете и соглашаетесь с вышеуказанным «ОТКАЗОМ ОТ ОТВЕТСТВЕННОСТИ ОТ ДИОДОВ».

Щелкните здесь, чтобы перейти к поиску моделей SPICE »

SPICE часто излишне оптимистичен в отношении hFE, которое транзистор дает при работе с номинальными токами, превышающими указанные в паспорте. Это особенно верно для высоковольтного транзистора, работающего при низком напряжении коллектор-эмиттер, и для улучшения моделей в этой области были введены параметры квазинасыщения RCO, GAMMA и QUASIMOD.
SPICE может быть пессимистичным при прогнозировании времени хранения при переключении, когда ток извлекается из базы транзистора для ускорения выключения.

(PDF) Извлечение параметров для модели PSPHV LDMOS-транзистора

XIA и др .: ИЗВЛЕЧЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ДЛЯ МОДЕЛИ PSPHV LDMOS-транзистора

зависимость объемного напряжения Satbo от скорости-

, насыщенность

зависимость от скорости затвора

насыщенность

экспонента satlexp для зависимости от длины

thesat

thesato / l температурная зависимость скорости-

насыщенность

толщина оксида токсозатра

toxovd2o толщина оксида для второго затвора

толщина оксида для

перекрытие затвор-сток

толщина оксида токсово для

перекрытие затвор-исток

uo подвижность в нулевом поле

vdi0o / l напряжение зажима для Vdi

vdislopeo зависимость напряжения стока от Vdi

зажим

vdislopgo зависимость напряжения затвора от Vdi

c lamping

Коэффициент сглаживания vdismooth для ограничения Vdi

vdscalebo / l / w / lw Зависимость объемного напряжения от Vds

масштабирования

Показатель vdscalele для зависимости от длины

масштабирования Vds

Коэффициент масштабирования vdscaleow / lds / w / w для NULD

vfbo / l / w / lw напряжение плоской полосы

vfbov напряжение плоской полосы для затвор-исток

перекрытие

vfbovd напряжение плоской полосы для затвора-стока

перекрытие

wvaro / w разница между фактическое и

запрограммированное открытие оксида поля

xbeta температурная экспонента DR II

параметр beta

xcoro параметр неуниверсальности

xlgdovq смещение длины для затвор-сток сверх-

емкость прихвата

xvsato температурная экспонента DR sat-

номинальная скорость

xw Смещение ширины DR.

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

[1] К. Ся, К. С. МакЭндрю, Р. ван Лангевельде, Г. Д. Дж. Смит,

и А. Дж. Шолтен, «PSPHV: модель на основе поверхностного потенциала для транзисторов

ldmos», IEEE Trans. Электронные устройства, т. 66, нет. 12,

pp. 5246–5253, декабрь 2019 г., DOI: 10.1109 / TED.2019.2945832.

[2] Руководство модели PSP 103.6. Доступ: сентябрь 2019 г.

[Online]. Доступно: http://www.cea.fr/cea-

tech / leti / pspsupport / Documents / psp103p6_summary.pdf.

[3] К. Ся и К. К. МакЭндрю, «JFETIDG: компактная модель для

независимых двухзатворных полевых транзисторов с соединением или МОП-затворами», IEEE

Trans. Электронные устройства, т. 65, нет. 2, pp. 747–755, февраль 2018 г.,

DOI: 10.1109 / TED.2017.2786043.

[4] А. Дж. Шолтен, Г. Д. Дж. Смит, Р. ван Лангевельде и

Д. Б. М. Клаассен, «Модель JUNCAP2 для переходных диодов»,

в компактном моделировании: принципы, методы и приложения.

г.Gildenblat, Ed. Нью-Йорк, Нью-Йорк, США: Springer, 2010, гл. 10,

стр. 299–326, DOI: 10.1007 / 978-90-481-8614-3.

[5] PSPHV LDMOS 1.0.3. Доступ: апрель 2020 г. [Online]. Доступно по адресу:

https://nanohub.org/projects/psphvldmos

[6] В. Яо, Г. Гилденблат, С. К. МакЭндрю и А. Кассань, «SP-

HV: масштабируемая основанная на потенциале поверхности компактная модель для транзисторов LDMOS

», IEEE Trans. Электронные устройства, т. 59, нет. 3, pp. 542–550,

Mar.2012 г., DOI: 10.1109 / TED.2011.2177092.

[7] Х. Агарвал и др., «BSIM-HV: модель полевого МОП-транзистора высокого напряжения

, включая эффект квазинасыщения и самонагревания», IEEE Trans.

Электронные устройства, т. 66, нет. 10, pp. 4258–4263, октябрь 2019 г.,

doi: 10.1109 / TED.2019.2933611.

[8] Х. Дж. Маттауш, М. Мияке, Т. Иизука, Х. Кикучихара,

и М. М. Маттауш, «Второе поколение компактных моделей HiSIM_HV

для высоковольтных полевых МОП-транзисторов», IEEE Trans.

Электронные устройства, т. 60, нет. 2, pp. 653–661, февраль 2013 г.,

DOI: 10.1109 / TED.2012.2225836.

[9] Ю. С. Чаухан, Ф. Крумменахер, Р. Гиллон, Б. Бейкерут,

М. Дж. Деклерк и А. М. Ионеску, «Компактное моделирование распространенного неоднородного легирования в высоковольтных полевых транзисторах высокого напряжения», IEEE Trans.

Электронные устройства, т. 54, нет. 6, стр. 1527–1537, июнь 2007 г.,

DOI: 10.1109 / TED.2007.896597.

[10] М. Б. Виллемсен и Р. ван Лангевельде, «Высоковольтная компактная модель LDMOS

для ВЧ приложений», в Int.Electron Devices Meeting

(IEDM) Tech. Dig., Вашингтон, округ Колумбия, США, 2005 г., стр. 208–211,

DOI: 10.1109 / IEDM.2005.1609308.

[11] S. J. Sque, A. J. Scholten, A. C. T. Aarts, D. B. M. Klaassen,

«Пороговое поведение области дрейфа: недостающий элемент

в моделировании LDMOS», в IEEE Int. Electron Devices Meeting

(IEDM) Tech. Dig., Вашингтон, округ Колумбия, США, 2013 г., стр. 336–339,

DOI: 10.1109 / IEDM.2013.6724619.

[12] Ю.С. Чаухан, «Компактное транзисторное моделирование полевых МОП-транзисторов высокого напряжения

», Ph.D. диссертация, англ. Sci. Tech. Gen. Electron. Lab.,

EPFL, Lausanne, Switzerland, 2007.

[13] A. W. Ludikhuize, «Ограничения эффекта Кирка в высоковольтных ИС», в 6th

Int. Symp. Power Semicond. Устройства Ics Tech. Копать землю. (ISPSD), Давос,

, Швейцария, 1994, стр. 249–252, DOI: 10.1109 / ISPSD.1994.583734.

[14] HiSIM_HV 2.4.1 Руководство пользователя. Доступ: март 2020 г.

[Online].Доступно: http: // https: //home.hiroshima-

u.ac.jp/usdl/HiSIM_HV/index.html

[15] Дж. Гилденблат и др., «Компактная модель поверхностного потенциала.

объемный MOSFET », в компактном моделировании: принципы, методы и приложения

, Г. Гилденблат, Под ред. Нью-Йорк, Нью-Йорк, США: Springer, 2010,

ch. 1, стр. 3–40, DOI: 10.1007 / 978-90-481-8614-3.

[16] К. Ся, К. С. МакЭндрю, Р. ван Лангевельде, Г. Д. Дж. Смит и

А. Дж. Шолтен, «Улучшенное моделирование LDMOS с неоднородным легированием бокового канала

», в Proc.Electron Devices Technol. Manuf.

Conf., Сингапур, 2019, стр. 124–125.

[17] К. Гупта, Х. Агарвал, Р. Гоэль, К. Ху и Ю. С. Чаухан, «Улучшенное моделирование эффекта объемного заряда

для модели BSIM-BULK», IEEE

Trans. Электронные устройства, т. 66, нет. 6, pp. 2850–2853, июнь 2019 г.,

doi: 10.1109 / TED.2019.27.

[18] К. Ся, «Новые функции c∞ для ограничения напряжения сток – исток в моделировании транзисторов

», IEEE Trans. Электронные устройства, т.67, нет. 4,

pp. 1764–1768, апрель 2020 г., DOI: 10.1109 / TED.2020.2974790.

[19] П. Хауэр и др., «Прочный LDMOS для технологии LBC5 —

ogy», в Proc. 17-й Int. Symp. Power Semicond. Устройства

ИС (ISPSD), Санта-Барбара, Калифорния, США, 2005 г., стр. 327–330,

DOI: 10.1109 / ISPSD.2005.1488017.

КЭДЗЮН СЯ (старший член IEEE) получил

докторскую степень. степень в области электротехники от

Обернского университета, Оберн, Алабама, США, в 2006 году.

С 2006 по 2014 год он работал над моделированием SPICE

в качестве старшего главного члена технического персонала

в компании Maxim Integrated, Бивертон,

, штат Орегон, США. С 2014 по 2019 год он руководил

группой по моделированию устройств и продуктов для NXP

Semiconductors, Чандлер, Аризона, США, где он

в настоящее время руководит группой разработки технологий высокого напряжения и аналоговых

ТОМ 8, 2020 823

CT 815 в каком режиме работает.Транзисторы П213 и КТ815

На этой странице представлена существующая справочная информация о параметрах биполярного высокочастотного NPN-транзистора 2SC815 . Подробная информация о параметрах, схеме и базе, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Полупроводниковая переходная структура: NPN

Производитель: nec.
Область применения: Средняя мощность, высокое напряжение
Популярность: 13955
Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Схема транзистора

2SC815

Обозначение контакта:
Международные: C — коллектор, B — цоколь, E — эмиттер.
Русский: К — коллектор, б — база, э — эмиттер.

Коллективный разум. Дополнения для транзистора 2SC815.

Вы знаете еще про транзистор 2SC815, что написано в справочнике? Делитесь своими данными с другими пользователями сайта.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и студентам. Всем тем, кто так или иначе столкнулся с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробно обо всех возможностях этого Интернет-каталога вы можете прочитать на странице сайта.
Если вы заметили ошибку, огромная просьба.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Т Ранзистори P213. — Германия, мощные, низкочастотные, структуры — p-n-p.
Металло-стеклянный корпус.
Алфавитно-цифровая маркировка, верх корпуса. На рисунке ниже COCOLOGA P213.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока.
Имею транзистор р213 без буквы — от 20 перед 50
Есть транзистор p213a — 20
Транзистор П213Б — 40

Текущая граничная частота — ОТ 100 перед 150 кГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер — 30 дюймов

Максимальный ток коллектора (постоянный) — 5 НО.

Обратный ток коллектора при напряжении коллектора эмиттера 45В и температуре окружающей среды +25 Цельсия: в транзисторах P213 0,15 Ma
In транзисторы P213A, P213B — 1 Ма

Коллектор-эмиттер обратного тока при напряжении коллектор-эмиттер 30В и нулевом токе базы в транзисторах P213 — 20 Ма
В транзисторах П213А, П213Б при напряжении коллектор-эмиттер 30В и сопротивлении база-эмиттер 50 10 Ма

Обратный ток эмиттера при напряжении эмиттер-база 15В и температуре +25 Цельсия, в транзисторах П213 — 0,3 Ма
В транзисторах П213А, П213Б при напряжении базы эмиттера 10В — 0,4 Ма

Коллектор-эмиттер напряжения насыщения
— не более 0,5 дюйм.

Базовый эмиттер напряжения насыщения с током коллектора 3a и базой 0,37a
— не более 0,75 дюйм.

Коллектор рассеянной энергии — 11,5 Вт (на радиатор).

Консоль раскрашивания на стр 213.

Очень простую цветную консоль можно собрать на трех транзистах P213. Три отдельных каскада усиления предназначены для усиления трех звуков звуковой частоты. Каскад на транзисторе VT1 усиливает сигнал с частотой более 1000 Гц, на транзисторе VT2 — с 1000 до 200 Гц, на транзисторе VT3 — ниже 200 Гц.Частотное разделение осуществляется простыми RC-фильтрами.

Входной сигнал снимается с выходных акустических колонок. Его уровень регулируется с помощью потенциометра R1. Для регулировки уровня яркости каждого канала используются резисторы R3, R5, R7.
Смещение на базах транзисторов определяется номиналами резисторов R2, R4, R6. Нагрузкой каждого каскада являются две параллельные лампочки (6,3 В x 0,28 А). Схема от БП с выходным напряжением 8-9 В и максимальным током выше 2а запитана.

P213 транзисторы могут иметь значительный разброс при усилении тока. Поэтому номиналы резисторов R2, R4, R6 нужно подбирать для каждого каскада — индивидуально. Токосъемник настроен на такую величину, чтобы нити ламп немного светились при отсутствии входного сигнала. Заодно обязательно начнутся транзисторы. Стабильность немецких полупроводниковых приборов очень сильно зависит от температуры. Поэтому на радиаторы необходимо устанавливать P213 — площадью 75 кв.м.

Если у вас есть старая, ненужная техника — вы можете попробовать достать из нее транзисторы (и другие детали). Транзисторы
P213 можно найти радиол бригантина, приемник транзисторов WEF 17, приемники Ocean, Рига 101, Рига 103, Урал Авто-2. Транзисторы CT815 в ресиверах ABAVA RP-8330, магнитофонах Vega 342, Азамат (!), Spring 205-1, Willma 204-стерео и др.

Использование любых материалов данной страницы допускается при наличии ссылки на сайт

Имеет структуру типа n — p — n, созданную на основе эпитаксиально-планарной технологии.Имеет большое количество разновидностей, а также отечественных и зарубежных аналогов. Комплементарной парой этого элемента является транзистор CT814, в паре с которым на этих транзисторах составлены схемы эмиттерного повторителя.

Наиболее популярное применение этого элемента — усилители НЧ . Кроме того, это устройство часто используется в операционных и дифференциальных усилителях и преобразователях различных типов.

Транзистор получил широкое распространение в 80-х годах 20 века как элемент большого количества бытовой техники.Название устройства может сказать о нем минимально необходимую информацию. Буква К означает «кремнезем», Т — «транзистор». Рисунок 8 указывает на принадлежность к мощным устройствам, предназначенным для работы на средних частотах. На рисунке 15 указан номер разработки.

Характеристики Kt815

Ниже представлена таблица С. Технические характеристики КТ815

Имя	У КБ, в	U CE в	I k, ma	R k, W	ч31 E.	I kb, ma	ф, MHT	У КЕ, В.
КТ815А.	40	30	1500 (3000)	1 (10)	40-275	≤50	≥ 3
КТ815Б.	50	45	1500 (3000)	1 (10)	40-275	≤50	≥ 3
КТ815В.	70	65	1500 (3000)	1 (10)	40-275	≤50	≥ 3
KT815	100	85	1500 (3000)	1 (10)	30-275	≤50	≥ 3

Обозначения в таблице следующие:

У этого элемента есть и другие важные характеристики, которые по тем или иным причинам не попали в приведенную выше таблицу.Еще несколько характеристик, например, температура :

Показатель температуры перехода 150 градусов Цельсия.
Рабочая температура транзистора — от -60 до +125 градусов Цельсия.

Эти параметры транзистора КТ815 такие же, как у транзисторов в корпусах КТ-27 и в корпусах КТ-89.

CT815 CT815 маркировка

База транзистора CT815 зависит от типа корпуса устройства.Корпус бывает двух типов — КТ-27 и КТ-89 . Первый корпус используется для объемной установки элементов, второй — для поверхности. По зарубежной классификации типы корпусов имеют, соответственно, следующие обозначения: до -126 для первого случая и DPAK для второго случая.

Расположение выводов элемента прибора в корпусе КТ-27 имеет следующий порядок: эмиттер-коллектор-база, если смотреть на транзистор лицевой стороной.Для элемента в корпусе СТ-89 расположение выводов имеет следующий порядок: база-эмиттер, где коллектор — верхний электрод устройства.

На сегодняшний день Использование элементов в корпусе КТ-27 ограничивается в основном радиолюбительскими схемами и конструкциями. Элементы в корпусах СТ-89 используются в производстве бытовой техники и по сей день.

Для маркировки этого устройства изначально использовалось его полное название, например CT815A, а также дополнялась маркировкой месяца и года выпуска транзистора.В дальнейшем обозначения значительно сократились, оставив на корпусе элемента всего одну букву, обозначающую тип элемента и цифру, например -5а для прибора КТ815А.

Аналоги транзистора Кт815

Для данного товара можно выбрать довольно значительное количество аналогов . Как внутри страны, так и за рубежом. Например, это устройство можно заменить на отечественный аналог КТ815 — КТ961 или КТ8272. В качестве зарубежных аналогов чаще всего используются транзисторы BD 135, BD 137 и BD 139 в качестве замены.

Чек KT815

Не всегда купленные товары находятся в рабочем состоянии. Пусть не так часто попадаются бракованные элементы, но любой радиолюбитель или просто покупатель должен знать, как проверить такой прибор.

Во-первых , Есть возможность проверить работоспособность КТ815 специальным щупом, но рассмотрим тест обычного мультиметра, так как предыдущий прибор далеко не все.

Для проверки мультиметром прибор нужно перевести в режим разговора.Сначала мы прикладываем отрицательный зонд к базе данных, а положительный — к коллектору. На дисплее должно отображаться от 500 до 800 мВ. Потом меняем щупы, положив на базу положительный, а на эмиттер отрицательный. Ценности должны быть примерно равны прошлым.

Затем нужно проверить обратное падение напряжения . Для этого сначала к базе прикладываем отрицательный щуп, а к коллектору — положительный. Должен быть агрегат. В случае измерения и измерения эмиттера это произойдет.

% PDF-1.3 % 1 0 объект > эндобдж 2 0 obj > / ExtGState> >> эндобдж 3 0 obj > эндобдж 4 0 obj > / ExtGState> >> эндобдж 5 0 obj > эндобдж 6 0 obj > / ExtGState> >> эндобдж 7 0 объект > эндобдж 8 0 объект > / ExtGState> >> эндобдж 9 0 объект > эндобдж 10 0 obj > / ExtGState> >> эндобдж 11 0 объект > эндобдж 12 0 объект > / ExtGState> >> эндобдж 13 0 объект > эндобдж 14 0 объект > / ExtGState> >> эндобдж 15 0 объект > эндобдж 16 0 объект > / ExtGState> >> эндобдж 17 0 объект > эндобдж 18 0 объект > / ExtGState> >> эндобдж 19 0 объект > эндобдж 20 0 объект > / ExtGState> >> эндобдж 21 0 объект > эндобдж 22 0 объект > / ExtGState> >> эндобдж 23 0 объект > эндобдж 24 0 объект > / ExtGState> >> эндобдж 25 0 объект > эндобдж 26 0 объект > / ExtGState> >> эндобдж 27 0 объект > эндобдж 28 0 объект > / ExtGState> >> эндобдж 29 0 объект > эндобдж 30 0 объект > / ExtGState> >> эндобдж 31 0 объект > эндобдж 32 0 объект > / ExtGState> >> эндобдж 33 0 объект > эндобдж 34 0 объект > / ExtGState> >> эндобдж 35 0 объект > эндобдж 36 0 объект > / ExtGState> >> эндобдж 37 0 объект > эндобдж 38 0 объект > / ExtGState> >> эндобдж 39 0 объект > эндобдж 40 0 объект > / ExtGState> >> эндобдж 41 0 объект > эндобдж 42 0 объект > / ExtGState> >> эндобдж 43 0 объект > эндобдж 44 0 объект > / ExtGState> >> эндобдж 45 0 объект > эндобдж 46 0 объект > / ExtGState> >> эндобдж 47 0 объект > эндобдж 48 0 объект > / ExtGState> >> эндобдж 49 0 объект > эндобдж 50 0 объект > / ExtGState> >> эндобдж 51 0 объект > эндобдж 52 0 объект > / ExtGState> >> эндобдж 53 0 объект > эндобдж 54 0 объект > / ExtGState> >> эндобдж 55 0 объект > транслировать ph (X1 «H 6 # af9r21 \ 6S0 B * AEa @ T3A`Cps) $ qi.

Технические справочники

Что-то не так?

Радиолюбительский разговорник EW1MM (WinWord)

Полупроводниковая техника

Микросхемы

Светоизлучающие и фоточувствительные приборы

Ламповая техника

Осциллографические трубки

Аудиотехника

ВЧ техника

Антенны

Справочник по ферритам

Компьютерная техника

Прочее

ГОСТ

Справочник — DataSheet

Справочник транзисторов основные параметры и характеристики. Справочники электронных компонентов

Электронный восточный гороскоп гороскоп по 2031 год Rus 2.0

Xrumer 3.0.165.347, 4.0.165.410, 5.0.0.747

The KMPlayer 3.0.0.1441 LAV сборка 7sh4 от 21.11.2011

The KMPlayer 3.0.0.1441 LAV сборка 7sh4 от 28.11.2011

The KMPlayer 3.0.0.1441 LAV сборка 7sh4 от 02.11.2011

Acronis Disk Director 11 Home 11.0.2343 Update 2 (Официальная русская версия) 11.0

ScrenSaver девушки моют ваш монитор 3.4.0.0

Freemake Video Converter 4.0.3.0

Электронный словарь Ожегова и Шведовой 2.00 Portable

NetLimiter Pro 3.0.0.11 32-bit/64-bit

HTMLPad 11.4.0.133

Highscreen Zera_S (rev.a) 4.4.2 V1.0.2.2014.12.11

c3198 транзистор характеристики и его российские аналоги

Биполярный транзистор 2SC3198 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

2SC3198 Datasheet (PDF)

Содержание

Таблицы зарубежных аналогов транзисторов

Основные параметры транзистора 2SC3198 биполярного высокочастотного npn.

Схемы транзистора 2SC3198

Коллективный разум. Дополнения для транзистора 2SC3198.

Другие разделы справочника:

справочник приборов ВЧ и СВЧ

Транзисторы высокочастотные и СВЧ отечественного и зарубежного производства

Интегральные микросхемы — Справочник — Тарабрин Б. Лунин Л.Ф

Справочник импортных транзисторов и их аналогов. Устройства, которыми можно заменить транзистор

Транзисторы биполярные.

Полевые транзисторы.

| r-Параметры

Q: биполярный переходной транзистор

3,17 Q: биполярный переходной транзистор

3.17.1 Синтаксис

Устройство

Модель (обязательно)

3.17.2 Назначение

3.17.3 Комментарии

3.17.4 Параметры элемента

Параметры совместимости с Basic Spice

3.17.5 Параметры модели

Основные параметры постоянного тока

Модуляция базовой ширины

Слаботочная бета-дегенерация

Сильноточная бета-дегенерация

Паразитостойкость

Емкость перехода

Паразитная емкость

Время перехода

Влияние температуры

3.17.6 Датчики

Параметры и ограничения биполярного режима

ДИОДЫ ОТКАЗ ОТ ОТВЕТСТВЕННОСТИ

(PDF) Извлечение параметров для модели PSPHV LDMOS-транзистора

CT 815 в каком режиме работает.Транзисторы П213 и КТ815

2SC815

Коллективный разум. Дополнения для транзистора 2SC815.

Другие разделы справочника:

Наиболее важные параметры.

Консоль раскрашивания на стр 213.

Характеристики Kt815

CT815 CT815 маркировка

Аналоги транзистора Кт815

Чек KT815

alexxlab

Добавить комментарий Отменить ответ