Почему у первого транзистора СССР была только «мама»? / Хабр
Сейчас невозможно представить наш мир без транзисторов и микросхем, а ведь создание первого транзистора СССР возложили на хрупкие плечи студентки института. Чем же была так гениальна студентка Сусанна Мадоян?
В 1948 году американская исследовательская корпорация Bell Telephone Laboratories объявила о создании транзистора-полупроводникового прибора, способного усиливать электрические сигналы. В прессе были опубликованы научные статьи об этом.
Мир воспринял эту новость не то что спокойно, а вообще равнодушно. Заинтересовались только научные учреждения, занимающиеся полупроводниками. В СССР эта область относилась Московскому Химико-Технологическому Институту. В список дипломных работ 1948 года включили тему: «Исследование материалов для кристаллического триода».
По легенде, тема сначала досталась некому «студенту-ботанику», который отказался от такой малоперспективной работы и тему передали бойкой студентке-отличнице Сусанне Мадоян и она отправилась на преддипломную практику в город Фрязино, в лабораторию А.
В. Красилова (военное НИИ-160). Несмотря на все трудности, она сумела создать макет и исследовать работу кристаллического триода (транзистора), полностью раскрыв тему дипломной работы. Под руководством Красилова она опубликовала первый научный труд: статью «Кристаллический триод».
Так Сусанна Гукасовна Мадоян стала создателем первого транзистора СССР, практически «мамой» советской полупроводниковой промышленности.
Ни в США, ни в СССР никто тут же не бросился налаживать производство транзисторов-они были еще очень ненадежны и не отличались стабильностью характеристик. К ним тогда относились по принципу «может когда и пригодится».
В начале 50х годов эксперименты с полупроводниками проводили во многих НИИ СССР и было принято решение объединить усилия создав Институт Полупроводниковой Электроники (НИИ-35). В этом институте Сусанна Мадоян стала руководителем лаборатории по разработке и внедрению плоскостных германиевых транзисторов серии «П» (П1,2,3)
Примеру СССР так же последовала фирма Philips, принявшее решение самостоятельно разработать транзисторы.
А вот японская фирма Sony предпочла купить лицензию на производство транзисторов в США за 25000 долларов, удачно вложив доходы от продажи саке. Лицензию, кстати, мог купить любой желающий, таковых оказалось около 10 фирм.
К 1953 году американская промышленность была готова к крупносерийному производству транзисторов, но все производители радиоаппаратуры отказывались использовать такой экзотический и непонятный прибор. Концерну Texas Instruments практически пришлось умолять никому не известную фирму IDEA взяться за выпуск карманных радиоприемников, обещая в будущем «большие пряники». Первый транзисторный приемник Regency TR-1 поступил в продажу в конце 1954 года. Всего было изготовлено около 100 тысяч штук. Хотя приемник оказался убыточным в производстве, он «раздразнил» других производителей начать производство транзисторной аппаратуры.
Интересный список первых приемников с ценами здесь.
Сусанна Гукасовна Мадоян стала кандидатом технических наук и в 1969 году перешла на преподавательскую работу, возглавив кафедру «Полупроводниковые приборы» в Институте стали и сплавов .
Читала студентам лекции по курсу «Технология полупроводниковых приборов» и была научным руководителем аспирантов.
Эту статью я уже публиковал на другом сайте, надеюсь и читателям ХАБРа было интересно узнать такой малоизвестный факт.
Первый советский транзистор — изобретение транзистора
Транзисторная история. Изобретение транзисторов и развитие полупроводниковой электроники. >
Начиная с 1947 г. в СССР начались интенсивно вестись работы в области полупроводниковых усилителей — в ЦНИИ-108 (лаб. С. Г. Калашникова) и в НИИ-160 (НИИ «Исток», Фрязино, лаб. А. В. Красилова). 15 ноября 1948 года в журнале «Вестник информации» А.В. Красилов опубликовал статью «Кристаллический триод». Это была первая публикация в СССР о транзисторах. Таким образом, первый советский транзистор в СССР был создан независимо от работы американских учёных. Напомним, что 16 декабря 1947 года в американской компании Bell Labs был создан первый в мире транзистор, а в июле 1948 года, на 4 месяца раньше советской публикации, информация об этом изобретении появилась в журнале «The Physical Review».
В серийное производство первые советские германиевые триоды С1-С4 (термин «транзистор» в СССР вошёл в обиход в 1960-е годы) были запущены лабораторией Красилова уже в 1949 г. В 1950 г. образцы германиевых триодов были разработаны в ФИАНе (Б.М. Вул, А. В. Ржанов, В. С. Вавилов и др.), в ЛФТИ (В.М. Тучкевич, Д. Н. Наследов) и в ИРЭ АН СССР (С.Г. Калашников, Н. А. Пенин и др.). На тот момент советские транзисторы были ничем не хуже импортных транзисторов. Естественно, транзисторы появились не на пустом месте – этому предшествовали годы исследований. Александр Викторович Красилов
Эти исследования были прерваны войной. Однако война же остро поставила вопрос о необходимости развития советской электронной промышленности. |
В частности, необходимо было развивать радиолокацию. НАБОР #2 из 10 советских военных транзисторов MP Сделано в
Продается полный набор СОВЕТСКИХ военных германиевых транзисторов !
Самые интересные транзисторы мы собрали в один набор из 10 шт., эти транзисторы датированы 1967-1972 гг., некоторые из них имеют маркировку «ВП» , что означает, что они были изготовлены для военной техники. Это крайне редкие транзисторы, и по большинству из них нет никакой информации, так как они производились для оборонной промышленности, но мы надеемся, что вы сможете построить супер звучащую 9.0003 Педаль FUZZ , на основе этих неизвестных военных транзисторов, почему бы и нет? Итак, вот что у нас есть:
1ШТ МП26 [МП26] с маркировкой 1972 г.
1ШТ МП26 [МП26] с маркировкой 1969 г.
ПНП германиевый сплав транзистор
44; Утб: 70В; Uce: 70В; Uэб: 70В;
Ic/макс.
имп./- 400 мА;
Ie-80ma Ft: 0,2 МГц; Hfe:10/25
1 ШТ. МП115 [МП115] маркировка 1967 год
Материал транзистора: кремний
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc), Вт: 0,15
Максимальное напряжение коллектор-база |Ucb|, В: 30 Максимальное напряжение коллектор-эмиттер |Uce|, В: 0
Максимальное напряжение эмиттер-база |Ueb|, В: 10
Максимальный ток коллектора |Ic max|, А: 0,05
Максимальная температура перехода (Tj), °С: 120
Частота перехода (ft), МГц: 0,1
Collector capacitance (Cc), pF:
Forward current transfer ratio (hFE), min: 9
1PCS MP14B [МП14Б] marked 1972 year
Material of transistor: germanium
Polarity : PNP
Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc): 150 мВт
Максимальное напряжение коллектор-база (Ucb): 30 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 В
Максимальное напряжение эмиттер-база (Ueb) ): 30 В
Максимальный ток коллектора (Ic max): 20 мА
Максимальная температура перехода (Tj): 75°C
Частота перехода (ft): 1 МГц
Емкость коллектора (Cc), Pf: 452 7 9000 Коэффициент передачи по прямому току (hFE), мин/макс: 30/60
Применение: малой мощности, общего назначения
1ШТ П403 [П403] Маркировка 1969 г.
PC Max, MW — 100
FH31B, MHZ — 100
U (BR) CBO, V — 10
IC Max, MA — 20
CC, PF -10
. — 40-100
1ШТ МП15А [МП15А] с маркировкой 1969 г.в.
фх31б — предельная частота коэффициента передачи тока транзистора
для общего эмиттера и общей базы: не менее 2 МГц;
Образцы Укбо — напряжение пробоя коллектор-база для заданного реверса
ток коллектора и эмиттера обрыва цепи: 15 В;
Образцы Уэбо — напряжение пробоя эмиттер-база, обратный ток
при заданном обрыве эмиттерной и коллекторной цепи: 15 В;
Ik max — максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА;
Ikbo — обратный коллекторный ток — ток через коллекторный переход
обратное напряжение для данного коллекторно-базового и открытого эмиттерного выхода: не более 30 мА;
х31э — статический коэффициент передачи тока транзистора малой сигнальной цепи для
с общим эмиттером и с общей базой соответственно: 50-100;
СК — емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ
1ШТ МП13Б [МП13Б] маркировка 1968 г.
Тип: германий
9002 Конструкция0017 Pk max — постоянная рассеиваемая мощность Коллектор: 150 мВт;
фх31б — граничная частота коэффициента усиления по току транзистора для с общим эмиттером
и с общей базой: не менее 1 МГц;
Образцы Укбо — напряжение пробоя коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и эмиттерном обрыве цепи: 15 В;
Уэбо пробы — напряжение пробоя перехода эмиттер-база обратного тока при заданном эмиттерном и коллекторном обрыве цепи: 15 В;
Ik max — максимальный постоянный ток коллектора: 20 мА;
Ikbo — обратный коллекторный ток — ток через коллекторный переход обратного напряжения при заданном коллектор-база и открытом эмиттерном выходе: не более 30 мА;
х31э — статический коэффициент передачи тока транзистора малого сигнала для с общим эмиттером и с общей базой соответственно: 45-100;
СК — емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ;
RM — Шумовой транзистор: менее 10 дБ при 1 кГц
1PCS MP25B [MP25B] Отмеченный 1967 год
Тип: Германия
200 мВт;
фх31б — граничная частота коэффициента усиления по току транзистора для с общим эмиттером
и с общей базой: не менее 0,5 МГц;
Образцы укбо — напряжение пробоя коллектор-база для данного коллектора обратного тока и обрыв цепи эмиттера: 40 В;
Уэбо пробы — напряжение пробоя перехода эмиттер-база, обратный ток
при заданном обрыве эмиттерной и коллекторной цепи: 40 В;
Ik и max — максимальный импульсный ток коллектора: 400мА;
Iкбо — обратный коллекторный ток — ток через коллекторный переход
обратное напряжение при заданном коллектор-база и открытом эмиттерном выходе: не более 75 мА;
х31э — статический коэффициент передачи тока транзистора малого сигнала для с общим эмиттером и с общей базой соответственно 30-80;
СК — емкость коллекторного перехода: не более 20 пФ;
Рке ус — сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером:
не более 1,8 Ом;
1 ШТ МП115 [МП115] маркировка 1970 год
Тип: Силикон
Состав: ПНП
Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc), Вт: 0,15
Максимальное напряжение коллектор-база |Ucb|, В: 30
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер |Uce|, В: 0
Максимальное напряжение эмиттер-база |Ueb|, В: 10
Максимальный ток коллектора |Ic max|, А: 0,05
Максимальная температура перехода (Tj), °С: 120
Частота перехода (ft), МГц: 0,1
Емкость коллектора (Cc), пФ:
Коэффициент передачи по прямому току (hFE), не менее: 9
1шт МП13Б [МП13Б] маркировка 1968
Тип: германий
Структура: p-n-p
Pk max — постоянная мощность рассеивания 150 мВт;
фх31б — граничная частота коэффициента усиления по току транзистора для с общим эмиттером
и с общей базой: не менее 1 МГц;
Образцы Укбо — напряжение пробоя коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и эмиттерном обрыве цепи: 15 В;
Уэбо пробы — напряжение пробоя перехода эмиттер-база, обратный ток
при заданном разомкнутой цепи эмиттера и коллектора: 15 В;
Ik max — максимальный постоянный ток коллектора: 20 мА;
Ikbo — обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход
обратное напряжение при заданном коллектор-база и открытом эмиттерном выходе: не более 30 мА;
х31э — статический коэффициент передачи тока транзистора малого сигнала для общего эмиттера и общебазовый соответственно: 45-100;
СК — емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ;
Rm — Шумовой транзистор: менее 10 дБ на 1 кГц
Эти транзисторы находятся в состоянии «новые старые запасы» и никогда не использовались.
Лот из 10 транзисторов из описания. Смотрите фото состояния.
Обратите внимание, что цена доставки, которую мы предлагаем, является ценой за стандартную доставку Почтой России с расчетным сроком доставки 30-45 дней, также мы можем обеспечить быструю доставку EMS Express с расчетным временем 10-15 дней. Стоимость быстрой доставки 30 долларов США. Просто дайте нам знать, если вам это нужно быстрее!
СПАСИБО ЗА ПОИСК!
ПОЖАЛУЙСТА, НЕ ЗАДАВАЙТЕ ЛЮБЫЕ ВОПРОСЫ,
МЫ ОТВЕЧАЕМ БЫСТРО!
Все наши предметы перечислены в нашем магазине eBay,
и доступны в нашем местном магазине в Москве
, так что не тратьте свое время,
. Список может быть закончен на следующий день !!!
REVERB ЭТО САМЫЙ ДЕШЕВЫЙ СПОСОБ ПРИОБРЕСТИ ЕГО СЕЙЧАС!!!
1T403I — Транзисторы | Русская электронная компания
Главная / Продукты / Транзисторы / 1Т403И
Транзисторы
Транзисторы 1Т403И германиевые, сплавные, усилительные со структурой p-n-p.
Транзисторы предназначены для применения в коммутационных устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, трансформаторах и стабилизаторах постоянного тока.
Транзисторы выполнены в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Масса транзистора, не более 4 г.
Characteristics of transistors 1 Т 403 А , 1 Т 403B, 1 Т 403V, 1 Т
Transistor type | structure | Maximum values of parameters at Тp=25°С | Parameters values at Тp=25°С | Tp | Т | |||||||||||||||||
ИК | ИК. макс. | Uke0 макс. | Ukb0 max | Ueb0 max | Рkmax | h31E | Уке сат. | ИкбО | ИэбО | ф л. | к.штч | SK | SE | |||||||||
A | A | V | V | W | V | mcА | mcА | dB | pF | пФ | °С | °С | ||||||||||
1Т403А | p-n-p | 1,25 | — | 30 | 45 | 20 | 4 | 20. | 0,5 | 50 | 50 | 8 | — | — | — | .0507-60…+70 | ||||||
1Т403B | p-n-p | 1,25 | — | 30 | 45 | 20 | 4 | 50 … 150 | 0,5 | 50 | 50 | 05 | 8 | — | — | — | 85 | -60…+70 | ||||
p-n-p | 1,25 | — | 45 | 60 | 25 20 0006 5 | 20. | 0,5 | 50 | 50 | 8 | — | — | — | 85 | -60…+70 | |||||||
1T403G | P-N-P | 9000 1,259 1,259 1,259 1,25 | 1,25 | 1,25 | .0482 | — | 45 | 60 | 20 | 4 | 50…150 | 0,5 | 50 | 50 | 8 | — | — | — | 85 | -60…+7066 | -60…+7066 | . 0005 |
1Т403D | p-n-p | 1,25 | — | 45 | 60 | 30 | 4 | 50…150 | 0,5 | 50 | 50 | 8 | 820006 —— | — | 85 | -60…+70 | ||||||
1Т403Е | p-n-p | 1,25 | — | 60 | 20 | 5 | > 30 | 0,5 | 50 | 50 | 8 | — | — | — | 85 | -60…+70 | ||||||
1T403ZH | P-N-P | 1,25 | -9055 | -9055 | —
| .80 | 20 | 4 | 20…60 | 0,5 | 70 | 70 | 8 | — | — | — | 85 | -60…+70 | ||||
1T403I | ||||||||||||||||||||||
1T403I | ||||||||||||||||||||||
1T403I | ||||||||||||||||||||||
1T403I | ||||||||||||||||||||||
1t482 | ||||||||||||||||||||||
1482 | ||||||||||||||||||||||
t4820435 | p-n-p | 1,25 | — | 60 | 80 | 20 | 4 | >30 | 0, 5 | 70 | 70 | 8 | — 27 | — | 85 | -60…+70 | ||||||
..60
..60
0005 Российская электронная компания Россия, Московская область, г.
