Как проверить составной транзистор
Такие полупроводниковые элементы, как транзисторы, являются неотъемлемой частью практически всех электронных схем — от радиоприемников до системных плат сверхсложных вычислительных центров. Проверка этого элемента на работоспособность — операция, которую обязан уметь выполнять любой человек, так или иначе занимающийся ремонтом электронных плат, будь он профессиональный ремонтник или любитель. Для осуществления этой операции можно применять специальный тестер транзисторов, но если его нет под рукой, или в его надежности есть сомнения, можно воспользоваться самым обыкновенным мультиметром. Даже те модели, которые не имеют специального гнезда для проверки биполярных или полевых транзисторов, могут быть использованы для точной проверки. Дальнейшие действия по проверке будут зависеть от того, какого типа элемент требуется проверить.
Поиск данных по Вашему запросу:
Схемы, справочники, даташиты:
Прайс-листы, цены:
Обсуждения, статьи, мануалы:
Дождитесь окончания поиска во всех базах.
По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.
Содержание:
- Как проверить различные типы транзисторов мультиметром?
- Технология проверки работоспособности транзистора
- Составной транзистор дарлингтона работа и устройство
- Как проверить транзистор мультиметром без выпайки
- Составной транзистор. Транзисторная сборка Дарлингтона
Как проверить транзисторы мультиметром – алгоритм действий - Составной транзистор дарлингтона работа и устройство
- Как проверить транзистор в схеме
- Проверка транзистора мультиметром, как прозвонить и проверить
ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Проверка BU808dfx
youtube.com/embed/Trrd7C9F1Ag» frameborder=»0″ allowfullscreen=»»/>Как проверить различные типы транзисторов мультиметром?
Здравствуйте уважаемые читатели сайта sesaga. Сегодня хочу рассказать, как проверить исправность транзистора обычным мультиметром. Хотя для этого существуют специальные пробники, и даже в самом мультиметре имеется гнездо для проверки транзисторов, но, на мой взгляд, все они не совсем практичны. Вот чтобы подобрать пару транзисторов с одинаковым коэффициентом усиления h41э пробники вещь даже очень нужная.
А для определения исправности достаточно будет и обыкновенного мультика. Мы знаем, что транзистор имеет два p-n перехода, причем каждый переход можно представить в виде диода полупроводника. Отсюда получается, что один диод образован выводами, например, базы и коллектора, а другой диод выводами базы и эмиттера.
Тогда нам будет достаточно проверить прямое и обратное сопротивление этих диодов, и если они исправны, значит, и транзистор работоспособен.
Все очень просто. Начнем с транзисторов структуры проводимость p-n-p. На принципиальных схемах структура транзисторов обозначается стрелкой эмиттерного перехода. Если стрелка направлена к базе, значит это структура p-n-p, а если от базы, значит это транзистор структуры n-p-n.
Смотрите рисунок выше. Так вот, чтобы открыть p-n-p транзистор, на вывод базы подается отрицательное напряжение минус. Минусовым щупом черного цвета садимся на вывод базы, а плюсовым красного цвета поочередно касаемся выводов коллектора и эмиттера — так называемые коллекторный и эмиттерный переходы. Если переходы целы, то их прямое сопротивление будет находиться в пределах — Ом. Теперь проверяем обратное сопротивление коллекторного и эмиттерного переходов. Плюсовым щупом садимся на вывод базы, а минусовым касаемся выводов коллектора и эмиттера.
На этот раз мультиметр должен показать большое сопротивление на обоих p-n переходах. А это говорит о том, что коллекторный и эмиттерный переходы целы, а значит, наш транзистор исправен.
Таким способом можно проверять исправность транзистора и на печатной плате, не выпаивая его из схемы. Конечно, встречаются схемы, где p-n переходы транзистора сильно зашунтированы низкоомными резисторами. Но это редкость. Если при измерении будет видно, что прямое и обратное сопротивление коллекторного или эмиттерного переходов слишком мало, тогда придется выпаять вывод базы.
Исправность транзисторов структуры n-p-n проверяется так же, только уже к базе подключается плюсовой щуп мультиметра. Мы рассмотрели, как проверить исправный транзистор. А как понять, что транзистор неисправный?
Здесь тоже все просто. Вторая распространенная неисправность транзистора — это когда прямое и обратное сопротивления одного из p-n переходов равны нулю или около того. Это говорит о том, что переход пробит, и транзистор не годен. И тут уважаемый читатель Вы меня спросите: — А где у этого транзистора находится база, коллектор и эмиттер. Я его вообще в первый раз вижу. И будете правы.
А ведь действительно, где они? Как их определить? Значит, будем искать.
В первую очередь, нужно определить вывод базы. Плюсовым щупом мультиметра садимся, например, на левый вывод транзистора, а минусовым касаемся среднего и правого выводов. При этом смотрим, какую величину сопротивления показывает мультиметр.
На данном этапе это нам ничего не говорит. Идем дальше. Плюсовым щупом садимся на средний вывод, а минусовым касаемся левого и правого. Здесь результат измерения получился почти таким же, как и на рисунке выше. Тут опять ничего не ясно, поэтому идем дальше. Теперь садимся плюсовым щупом на правый вывод, а минусовым касаемся среднего и левого выводов транзистора.
На рисунке видно, что величина сопротивления между правым-средним и правым-левым выводами одинаковая и составила бесконечность. То есть получается, что мы нашли и измерили обратное сопротивление обоих p-n переходов транзистора. В принципе, уже можно смело утверждать, что вывод базы найден. Он оказался правым. Но нам еще надо определить, где у транзистора коллектор и эмиттер. Для этого измеряем прямое сопротивление переходов.
Минусовым щупом садимся на вывод базы, а плюсовым касаемся среднего и левого выводов. Величина сопротивления на левой ножке транзистора составила Ом — это эмиттер, а на средней Ом — это коллектор. Величина сопротивления коллекторного перехода всегда будет меньше по отношению к эмиттерному. Транзистор структуры p-n-p;2. Вывод базы находится с правой стороны;3. Вывод коллектора в середине;4. Вывод эмиттера — слева. А если у Вас остались вопросы, то можно дополнительно посмотреть мой видеоролик о проверке обычных транзисторов мультиметром.
Ну и напоследок надо сказать, что транзисторы бывают малой, средней мощности и мощные. Так вот, у транзисторов средней мощности и мощных, вывод коллектора напрямую связан с корпусом и находится в середине между базой и эмиттером.
Такие транзисторы устанавливаются на специальные радиаторы, предназначенные для отвода тепла от корпуса транзистора. Полупроводниковые элементы используются практически во всех электронных схемах. Те, кто называют их наиболее важными и самыми распространенными радиодеталями абсолютно правы.
Прежде, чем проверить мультиметром любой элемент на исправность, будь то транзистор, тиристор, конденсатор или резистор, необходимо определить его тип и характеристики. Сделать это можно по маркировке. Узнав ее, не составит труда найти техническое описание даташит на тематических сайтах. С его помощью мы узнаем тип, цоколевку, основные характеристики и другую полезную информацию, включая аналоги для замены.
Например, в телевизоре перестала работать развертка. Подозрение вызывает строчный транзистор с маркировкой D кстати, довольно распространенный случай. Найдя в интернете спецификацию ее фрагмент показан на рисунке 2 , мы получаем всю необходимую для тестирования информацию. Большая вероятность, что найденный даташит будет на английском, ничего страшного, технический текст легко воспринимается даже без знания языка.
Определив тип и цоколевку, выпаиваем деталь и приступаем к проверке.
Ниже приведены инструкции, с помощью которых мы будем тестировать наиболее распространенные полупроводниковые элементы.
С тестированием данного типа проблем не возникнет, достаточно представить pn переход в как диод. Тогда структуры pnp и npn будут иметь вид двух встречно или обратно подключенных диодов со средней точкой см. Включаем тестирующее устройство, переводим его в режим прозвонки или измерения сопротивления достаточно установить предел 2кОм , и приступаем к тестированию. Начнем с pnp проводимости:. Тестирование устройства обратной проводимости производится по такому же принципу, с небольшим изменением:.
Этот тип полупроводниковых элементов также называют mosfet и моп компонентами. На рисунке 4 показано графическое обозначение n- и p-канальных полевиков в принципиальных схемах.
Далее действуем по следующему алгоритму для n-канального элемента :. Для тестирования элементов p-канального типа последовательность действий остается той же, за исключением полярности щупов, ее нужно поменять на противоположную.
Заметим, что биполярные элементы, у которых изолированный затвор IGBT , тестируются также, как описано выше. На рисунке 5 показан компонент SC, относящийся к этому классу. Для тестирования необходимо выполнить те же действия, что и для полевого полупроводникового элемента, с учетом, что сток и исток последнего будут соответствовать коллектору и эмиттеру.
Подключать его нужно через сопротивление Ом. Для примера, на рисунке 6 показан фрагмент спецификации к КТА, где отображена эквивалентная схема его устройства. Проверить такой элемент мультиметром не получится, потребуется сделать простейший пробник, его схема показана на рисунке 7.
Такой результат говорит о работоспособности радиодетали, при других результатах потребуется замена. Этот вопрос довольно актуальный, особенно в тех случаях, если необходимо тестировать целостность smd элементов. К сожалению, только биполярные транзисторы можно проверить мультиметром не выпаивая из платы. Но даже в этом случае нельзя быть уверенным в результате, поскольку не редки случаи, когда p-n переход элемента зашунтирован низкоомным сопротивлением.
Как мы знаем транзисторы, в основном, бывают двух разновидностей: биполярные и полевые, принцип работы их похож но способы проверки существенно отличаются, поэтому мы рассмотрим разные методы проверки для каждых транзисторов по отдельности.
А диод как мы знаем, пропускает ток только в одну сторону, что мы и будем проверять. Если так получится что ток проходит в обе стороны перехода то это явно указывает на то что транзистор «пробит» но это все условности, в реальности же при замере сопротивления ни в какой из позиций проверяемых переходов не должно быть «нулевого» сопротивления — поэтому это и есть самый простой способ выявления поломки транзистора. Ну а теперь рассмотрим более достоверные способы проверки и поподробней.
Технология проверки работоспособности транзистора
При проектировании радиоэлектронных схем часто бывают ситуации, когда желательно иметь транзисторы с параметрами лучше тех, которые предлагают производители радиоэлементов. В некоторых случаях нам может потребоваться больший коэффициент усиления по току h 21 , в других большее значение входного сопротивления h 11 , а в третьих более низкое значение выходной проводимости h Для решения перечисленных проблем отлично подходит вариант использования электронного компонента о котором мы поговорим ниже.
Приведенная чуть ниже схема эквивалентна одиночному n-p-n полупроводнику.
Составно́й транзи́стор — электрическое соединение двух (или более) биполярных транзисторов, полевых транзисторов или IGBT-транзисторов.
Составной транзистор дарлингтона работа и устройство
При проведении ремонтных работ электронной техники, возникает вопрос проверки функционального состояния тех или иных полупроводниковых элементов. Решение этой проблемы сильно облегчает наличие специализированных приборов, однако, во многих случаях вполне можно обойтись и без них. Есть ряд способов, как проверить транзистор мультиметром без использования сложных приборов и каких-либо дополнительных электрических схем. Рассматриваются алгоритмы проверки различных типов транзисторов. Проверка trz транзистора , равно как и любого другого элемента схемы, начинается с определения его типа. Эту информацию несложно найти в интернете. У опытного мастера всегда есть под рукой ссылки на проверенные ресурсы. Если таковых нет, то, обычно достаточно вбить маркировку компонента в поисковой системе и нужная информация найдется уже на первой странице поисковой выдачи.
Наиболее распространенные типы транзисторов: биполярные, полевые, составные, однопереходные. Определив тип элемента, можно начинать его функциональную проверку.
Как проверить транзистор мультиметром без выпайки
Полупроводниковые элементы используются практически во всех электронных схемах. Те, кто называют их наиболее важными и самыми распространенными радиодеталями абсолютно правы. Но любые компоненты не вечны, перегрузка по напряжению и току, нарушение температурного режима и другие факторы могут вывести их из строя. Расскажем не перегружая теорией , как проверить работоспособность различных типов транзисторов npn, pnp, полярных и составных пользуясь тестером или мультиметром. Прежде, чем проверить мультиметром любой элемент на исправность, будь то транзистор, тиристор, конденсатор или резистор, необходимо определить его тип и характеристики.
Составной транзистор Дарлингтона компонуется из пары стандартны транзисторов, объединённых кристаллом и общим защитным покрытием.
Составной транзистор. Транзисторная сборка Дарлингтона
By Niferr , November 3, in Начинающим. Мы принимаем формат Sprint-Layout 6! Экспорт в Gerber из Sprint-Layout 6. Можно и мультиметром Моя ссылка ,по крайней мере пробой К-Э определяется точно. Конденсаторы Panasonic. Часть 4.
Как проверить транзисторы мультиметром – алгоритм действий
Статья Видео. У каждого современного радиолюбителя есть универсальный инструмент под названием цифровой мультиметр. Он позволяет измерять постоянные и переменные токи и напряжение, сопротивление элементов. Структура биполярного транзистора БТ включает в себя 2 p-n или 2 n-p перехода. Выводы этих переходов называются эмиттером и коллектором.
Нетрудно догадаться, что проверить составной транзистор мультиметром можно точно также, как и БТ. Следует.
Составной транзистор дарлингтона работа и устройство
К этим схемам относят так называемую пару Дарлингтона, пару Шиклаи, каскодную схему включения транзисторов, схему так называемого токового зеркала и др.
В этой схеме ток эмиттера предыдущего транзистора является базовым током последующего транзистора. Коэффициент усиления по току пары Дарлингтона очень высок и приблизительно равен произведению коэффициентов усиления по току транзисторов составляющих такую пару.
Как проверить транзистор в схеме
Если открыть любую книгу по электронной технике, сразу видно как много элементов названы по именам их создателей: диод Шоттки , диод Зенера он же стабилитрон , диод Ганна, транзистор Дарлингтона. Инженер-электрик Сидни Дарлингтон Sidney Darlington экспериментировал с коллекторными двигателями постоянного тока и схемами управления для них. В схемах использовались усилители тока. Инженер Дарлингтон изобрёл и запатентовал транзистор, состоящий из двух биполярных и выполненный на одном кристалле кремния с диффундированными n негатив и p позитив переходами. Новый полупроводниковый прибор был назван его именем. В отечественной технической литературе транзистор Дарлингтона называют составным.
Теория и практика. Кейсы, схемы, примеры и технические решения, обзоры интересных электротехнических новинок.
Проверка транзистора мультиметром, как прозвонить и проверить
Любая электронная схема состоит из полупроводниковых элементов. Наиболее распространённые из них транзисторы. Хотя в последнее время выпускаемые элементы отличаются надёжностью, но всё же нарушения в работе электронных устройств могут привести к повреждению полупроводника. Перед тем как проверить транзистор мультиметром, необязательно выпаивать его из схемы, но для получения точных результатов лучше это сделать. Транзисторы — это полупроводниковые приборы, служащий для преобразования электрических величин.
Здравствуйте уважаемые читатели сайта sesaga. Сегодня хочу рассказать, как проверить исправность транзистора обычным мультиметром. Хотя для этого существуют специальные пробники, и даже в самом мультиметре имеется гнездо для проверки транзисторов, но, на мой взгляд, все они не совсем практичны.
Вот чтобы подобрать пару транзисторов с одинаковым коэффициентом усиления h41э пробники вещь даже очень нужная.
Транзистор Дарлингтона. Как проверить и принцип работы
Один из видов такого транзистора изобрёл инженер-электрик Сидни Дарлингтон (Sidney Darlington).
Составной транзистор является каскадным соединением нескольких транзисторов, включенных таким образом, что нагрузкой в эмиттере предыдущего каскада является переход база-эмиттер транзистора следующего каскада, то есть транзисторы соединяются коллекторами, а эмиттер входного транзистора соединяется с базой выходного. Кроме того, в составе схемы для ускорения закрывания может использоваться резистивная нагрузка первого транзистора. Такое соединение в целом рассматривают как один транзистор, коэффициент усиления по току которого при работе транзисторов в активном режиме приблизительно равен произведению коэффициентов усиления первого и второго транзисторов:
Покажем, что составной транзистор действительно имеет коэффициент β , значительно больший, чем у его обоих компонентов.
Задавая приращение d l б = d l б1 , получаем:
Деля d lк на dl б , находим результирующий дифференциальный коэффициент передачи:
Следует подчеркнуть, что коэффициенты β 1 и β 1 могут различаться даже в случае однотипных транзисторов, поскольку ток эмиттера Iэ2 в 1 + β2 раз больше тока эмиттера Iэ1 (это вытекает из очевидного равенства Iб2 = Iэ1 ).
Паре Дарлингтона подобно соединение транзисторов по схеме Шиклаи, названное так в честь его изобретателя Джорджа Шиклаи, также иногда называемое комплементарным транзистором Дарлингтона. В отличие от схемы Дарлингтона, состоящей из двух транзисторов одного типа проводимости, схема Шиклаи содержит транзисторы разной полярности ( p – n – p и n – p – n ). Пара Шиклаи ведет себя как n – p – n -транзистор c большим коэффициентом усиления. Входное напряжение — это напряжение между базой и эмиттером транзистора Q1, а напряжение насыщения равно, по крайней мере, падению напряжения на диоде. Между базой и эмиттером транзистора Q2 рекомендуется включать резистор с небольшим сопротивлением.
Такая схема применяется в мощных двухтактных выходных каскадах при использовании выходных транзисторов одной полярности.
Каскад Шиклаи, подобный транзистору с n – p – n переходом
Составной транзистор, выполненный по так называемой каскодной схеме, характеризуется тем, что транзистор VT1 включен по схеме с общим эмиттером, а транзистор VT2 — по схеме с общей базой. Такой составной транзистор эквивалентен одиночному транзистору, включенному по схеме с общим эмиттером, но при этом он имеет гораздо лучшие частотные свойства и большую неискаженную мощность в нагрузке, а также позволяет значительно уменьшить эффект Миллера (увеличение эквивалентной ёмкости инвертирующего усилительного элемента, обусловленное обратной связью с выхода на вход данного элемента при его выключении).
Достоинства и недостатки составных транзисторов
Высокие значения коэффициента усиления в составных транзисторах реализуются только в статическом режиме, поэтому составные транзисторы нашли широкое применение во входных каскадах операционных усилителей.
В схемах на высоких частотах составные транзисторы уже не имеют таких преимуществ — граничная частота усиления по току и быстродействие составных транзисторов меньше, чем эти же параметры для каждого из транзисторов VT1 и VT2.
а) Высокий коэффициент усиления по току.
б) Cхема Дарлингтона изготавливается в виде интегральных схем и при одинаковом токе рабочая поверхность кремния меньше, чем у биполярных транзисторов. Данные схемы представляют большой интерес при высоких напряжениях.
а) Низкое быстродействие, особенно перехода из открытого состояния в закрытое. По этой причине составные транзисторы используются преимущественно в низкочастотных ключевых и усилительных схемах, на высоких частотах их параметры хуже, чем у одиночного транзистора.
б) Прямое падение напряжения на переходе база-эмиттер в схеме Дарлингтона почти в два раза больше, чем в обычном транзисторе, и составляет для кремниевых транзисторов около 1,2 — 1,4 В (не может быть меньше, чем удвоенное падение напряжения на p-n переходе).
в) Большое напряжение насыщения коллектор-эмиттер, для кремниевого транзистора около 0,9 В (по сравнению с 0,2 В у обычных транзисторов) для маломощных транзисторов и около 2 В для транзисторов большой мощности (не может быть меньше чем падение напряжения на p-n переходе плюс падение напряжения на насыщенном входном транзисторе).
Пара Шиклаи и каскодная схема
Другое название составного полупроводникового триода – пара Дарлингтона. Кроме неё существует также пара Шиклаи. Это сходная комбинация диады основных элементов, которая отличается тем, что включает в себя разнотипные транзисторы.
Что до каскодной схемы, то это также вариант составного транзистора, в котором один полупроводниковый триод включается по схеме с ОЭ, а другой по схеме с ОБ. Такое устройство аналогично простому транзистору, который включён в схему с ОЭ, но обладающему более хорошими показателями по частоте, высоким входным сопротивлением и большим линейным диапазоном с меньшими искажениями транслируемого сигнала.
Составной транзистор. Схемы Дарлингтона, Шиклаи. Расчет, применение
Составной транзистор — схемы, применение, расчет параметров. Схемы Дарлингтона, Шиклаи. Тонкости и подводные камни составных транзисторов (10+)
Составной транзистор, схемы Дарлингтона, Шиклаи. Расчет, применение
Составной транзистор
применяется, если необходим очень большой коэффициент передачи тока (h). У составного транзистора h равен произведению h транзисторов, входящих в его состав.
Недостатком составного транзистора является большое напряжение насыщения
коллектор — эмиттер. Оно в разы больше, чем у обычного транзистора. Простого решения этой проблемы не существует.
Схема Дарлингтона
обладает высоким напряжением насыщения эмиттер — база.
Схема Шиклаи
свободна от этого недостатка.
Применение составного транзистора требует тщательного выбора рабочих точек транзисторов и расчета параметров. Формулы приведены в статье.
Составные транзисторы находят применение там, где необходимо совсем небольшим током управлять токами большими, то есть там, где необходим большой коэффициент передачи тока.
Однако составному транзистору свойственны некоторые существенные недостатки, которые ограничивают его применение. Составной транзистор активно используется в аналоговых схемах. Применение его в ключевых схемах не эффективно.
Особенности работы устройства
У составных транзисторов постепенное уменьшение напряжения вдоль проводника на переходе база-эмиттер вдвое превышает стандартное. Уровень уменьшения напряжения на открытом транзисторе примерно равен тому падению напряжения, которое имеет диод.
По данному показателю составной транзистор сходен с понижающим трансформатором. Но относительно характеристик трансформатора транзистор Дарлингтона обладает гораздо большим усилением по мощности. Подобные транзисторы могут обслуживать работу переключателей частотой до 25 Гц.
Система промышленного выпуска составных транзисторов налажена таким образом, что модуль полностью укомплектован и оснащён эмиттерным резистором.
Типовые схемы составных транзисторов
Вашему вниманию подборка материалов:
Практика проектирования электронных схем Искусство разработки устройств.
Элементная база. Типовые схемы. Примеры готовых устройств. Подробные описания. Онлайн расчет. Возможность задать вопрос авторам
На рисунке изображены две основные схемы составных транзисторов. Обе схемы можно считать эквивалентными npn транзистору с большим коэффициентом передачи тока. Первая схема называется ‘Составной транзистор Дарлингтона
‘, вторая — ‘
Составной транзистор Шиклаи
‘
Резистор между базой и эмиттером второго транзистора используется в качестве источника тока. Действительно, падение напряжения между базой и эмиттером транзистора мало зависит от тока и является практически неизменным. [Ток через резистор
] = [
Напряжение на резисторе
] / [
Сопротивление резистора
]. Таким образом, через этот резистор течет ток практически постоянной силы.
Сопротивление данного резистора рассчитывается исходя из выбора рабочей точки транзисторов, входящих в составной. Рабочая точка выбирается исходя из соображений линейности, рассеиваемой мощности и ряда других.
Обсуждение этих соображений находится за рамками этой статьи.
Выберем рабочую точку транзисторов, определимся с желаемыми силами токов коллекторов транзисторов. Тогда [Сопротивление резистора
] = [
Напряжение насыщения база — эмиттер второго транзистора при токе базы Iб
] / ([
Iб
] — [
Ток коллектора второго транзистора в выбранной рабочей точке
] / [
Коэффициент передачи тока второго транзистора
]).
Для первой схемы [Iб
] = [
Ток коллектора первого транзистора в выбранной рабочей точке
] * (1 + 1/[
Коэффициент передачи тока первого транзистора
])
Для второй схемы [Iб
] = [
Ток коллектора первого транзистора в выбранной рабочей точке
]
Расчет параметров составного транзистора
Коэффициент передачи тока
Для первой схемы (Дарлингтона) [Коэффициент передачи тока
] = ([
Коэффициент передачи тока первого транзистора
] + 1) * [
Коэффициент передачи тока второго транзистора
]
Для второй схемы (Шиклаи) [Коэффициент передачи тока
] = [
Коэффициент передачи тока первого транзистора
] * ([
Коэффициент передачи тока второго транзистора
] + 1)
Напряжение насыщения база — эмиттер
Для первой схемы (Дарлингтона) [Напряжение насыщения база — эмиттер при токе базы Iб
] = [
Напряжение насыщения база — эмиттер первого транзистора при токе базы Iб
] + [
Напряжение насыщения база — эмиттер второго транзистора при токе базы I1
], где [
I1
] = [
Iб
] * (1 + [
Коэффициент передачи тока первого транзистора
]) — [
Ток через резистор
]
Для второй схемы (Шиклаи) [Напряжение насыщения база — эмиттер при токе базы Iб
] = [
Напряжение насыщения база — эмиттер первого транзистора при токе базы Iб
]
Как видно из формул, напряжение насыщения база — эмиттер во второй схеме намного ниже.
Это и есть главное преимущество второй схемы.
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер
[Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при токе коллектора Iк
] = [
Напряжение насыщения база — эмиттер второго транзистора при токе базы Iб
] + [
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер первого транзистора при токе коллектора I2
], где [
Iб
] = [
Iк
] / [
Коэффициент передачи тока второго транзистора
]
Для первой схемы (Дарлингтона), [I2
] = ([
Iб
] + [
Ток через резистор
]) / (1 + 1 / [
Коэффициент передачи тока первого транзистора
])
Для второй схемы (Шиклаи), [I2
] = ([
Iб
] + [
Ток через резистор
])
Сразу бросается в глаза, что напряжение насыщения коллектор — эмиттер составного транзистора в разы больше напряжения насыщения обычных транзисторов. Действительно, чтобы второй транзистор открылся, нужно подать на его базу напряжение, большее напряжения насыщения база — эмиттер.
А это напряжение обычно больше напряжения насыщения коллектор — эмиттер. Кроме того, напряжение подается через первый транзистор, на котором также падает часть напряжения. Вот и получается, что чтобы составной транзистор открылся, между его коллектором и эмиттером должно быть приложено значительное напряжение.
Как проверить транзистор Дарлингтона
Самый простой способ проверки составного транзистора заключается в следующем:
- Эмиттер подсоединяется к «минусу» источника питания;
- Коллектор подсоединяется к одному из выводов лампочки, второй её вывод перенаправляется на «плюс» источника питания;
- Посредством резистора к базе передаётся плюсовое напряжение, лампочка светится;
- Посредством резистора к базе передаётся минусовое напряжение, лампочка не светится.
Если всё получилось так, как описано, то транзистор исправен.
Пишите комментарии, дополнения к статье, может я что-то пропустил. Загляните на карту сайта, буду рад если вы найдете на моем сайте еще что-нибудь полезное.
Расчет схемы Дарлингтона.
| Страница 1 из 1 | [ Сообщений: 5 ] |
| Здравствуйте. Как расчитать резистор в схеме Дарлингтона? Резистор между базой и эмиттером второго транзистора используется в качестве источника тока. Действительно, падение напряжения между базой и эмиттером транзистора мало зависит от тока и является практически неизменным. [Ток через резистор] = [Напряжение на резисторе] / [Сопротивление резистора]. Таким образом, через этот резистор течет ток практически постоянной силы. Сопротивление данного резистора рассчитывается исходя из выбора рабочей точки транзисторов, входящих в составной (имея перед глазами характеристик транзисторов) ну и желания пользоваться поиском _________________ +7911 200 -2820 11-17 мск » Можно я лягу?»(C) JLCPCB, всего $2 за прототип печатной платы! Цвет — любой! Зарегистрируйтесь и получите два купона по 5$ каждый:https://jlcpcb.com/cwc Сборка печатных плат от $30 + БЕСПЛАТНАЯ доставка по всему миру + трафарет и Analog Devices приглашают всех желающих 27/04/2021 принять участие в вебинаре, посвященном решениям Analog Devices для гальванической изоляции. Широкий ассортимент винтовых клеммников Degson включает в себя различные вариации с шагом выводов от 2,54 до 15 мм, с числом ярусов от одного до трёх и углами подключения проводника 45°, 90°, 180°. К тому же Degson предлагает довольно большой выбор клеммных винтовых колодок кастомизированных цветов. Часовой пояс: UTC + 3 часа Кто сейчас на форумеСейчас этот форум просматривают: fcftdbx и гости: 10 Источник |
В программе вебинара: технологии гальванической изоляции iCoupler, цифровые изоляторы, технология isoPower, гальванически изолированные интерфейсы (RS-485, CAN, USB, I2C, LVDS) и другое. Вебинар будет интересен разработчикам промышленной автоматики и медицинской техники.Транзисторы Synapse на основе нановолокон Li7La3Zr2O12 (LLZO)/композитного диэлектрика под затвором поливинилового спирта (ПВС) для нейроморфных приложений
Транзисторы Synapse на основе Li
7 La 3 Zr 2 O 12 (LLZO) нановолокна/поливиниловый спирт (ПВС) композитный затворный диэлектрик для нейроморфных применений†Юйсин Лей, и июнь Ли, * аб Вэньхуэй Фу и и Цзяньхуа Чжан б
Принадлежности автора
* Соответствующие авторы
и Школа материаловедения и инженерии, Шанхайский университет, Цзядин, Шанхай 201800, Китайская Народная Республика
Электронная почта: lijun_yt@shu.
edu.cn
б Ключевая лаборатория передовых дисплеев и системных приложений, Министерство образования, Шанхайский университет, Шанхай 200072, Китайская Народная Республика
Аннотация
В качестве органического твердого электролита с эффектом двойного электрического слоя поливиниловый спирт (ПВС) является многообещающим диэлектриком под затвором в искусственных синаптических транзисторах. Однако низкая ионная проводимость ПВС ограничивает его применение. Здесь Li 7 La 3 Zr 2 O 12 (LLZO) впервые представил высокоэффективный литниковый диэлектрический композит для улучшения проводимости и конструкции нановолокна/ПВА.
синаптический транзистор. После термогравиметрического анализа было подтверждено, что температура отжига раствора предшественника LLZO составляет 700 ° C, а его высокая кристаллическая структура была подтверждена с помощью рентгеновской дифракции (XRD) и просвечивающей электронной микроскопии (TEM). Кроме того, морфологию нановолокон наблюдают с помощью сканирующего электронного микроскопа (СЭМ). Затем разрабатывается композитный диэлектрик затвора LLZO нановолокно/ПВС с высоким светопропусканием и электрической изоляцией. На его основе синаптический транзистор с высокой производительностью успешно моделировал синаптические функции, включая возбуждающий постсинаптический ток (EPSC), парное импульсное облегчение (PPF), фильтрацию высоких (низких) частот, логическую функцию и эксперименты Павлова. Стоит отметить, что парно-импульсная фасилитация, моделируемая этим устройством, имеет высокий коэффициент парно-импульсной фасилитации 1,89.даже на низкой частоте (1 Гц). Эта работа является позитивным исследованием для создания высокопроизводительных синаптических транзисторов.
составных доменов форм
составных доменов формСоставные домены форм
Операция формирует составной домен для каждого подключенного компонента домена из выбранных доменов, игнорируя границы между доменами. См. рис. 7-17. Это означает, что в одну операцию можно включить несколько не связанных между собой групп доменов.
Рисунок 7-17: Объект, который расширяется в другой объект, приводит к образованию домена в форме тонкого диска, выделенного зеленым цветом, после объединения форм. При формировании составного домена тонкий домен становится частью одного из своих соседей, в данном случае домена, выделенного синим цветом. Обратите внимание, что одно лицо скрыто для лучшей видимости.
Тонкие домены могут потребовать очень мелкой сетки для хорошего разрешения. Формирование составного домена тонкого домена с соседним доменом удалит тонкий домен и, следовательно, необходимость в мелкой сетке.
Того же результата можно добиться, используя функции «Игнорировать грани» (3D) и «Игнорировать края» (2D). Операция удаления сведений обеспечивает полностью автоматический способ поиска и удаления тонких и малых доменов.
Чтобы использовать операцию, на панели инструментов «Геометрия» в меню «Виртуальные операции» () выберите «Формировать составные домены» ( или ). Затем войдите в свойства операции, используя следующие разделы:
Ввод
Выберите домены, которые вы хотите объединить, в графическом окне. Затем они появятся в списке Домены в составной. Если последовательность геометрии включает пользовательские выборки над узлом Form Composite Domains, выберите Manual, чтобы выбрать домены, или выберите один из узлов выбора из списка рядом с Domains to Composite.
Нажмите кнопку «Активно», чтобы включить или выключить домены для составного выбора.
Используйте флажок Игнорировать соседние вершины (2D) или Игнорировать смежные ребра и вершины (3D) (выбрано по умолчанию), чтобы также удалить игнорируемые вершины (и ребра в 3D) на границе каждого результирующего составного домена.
В 3D снятие флажка оставляет ребра и вершины, смежные с гранями, которые были удалены.
Рисунок 7-18: Формирование составного домена из доменов, выделенных зеленым и синим цветом. Обратите внимание, что одна сторона синего домена скрыта для видимости. Если флажок Игнорировать смежные ребра и вершины снят, ребра и вершины игнорируемых граней остаются внутри геометрии (правое верхнее изображение). Если этот флажок установлен, ребра и вершины автоматически удаляются (нижнее правое изображение).
Управление сеткой
Используйте флажок Сохранить ввод для управления сеткой, чтобы указать, что выбранные домены составляются в геометрии, но доступны по отдельности при построении сетки. Это дает вам больше контроля над сеткой. Хорошо разделенная геометрия более эффективна для создания сетки и может, например, позволить создать высококачественную шестигранную сетку с помощью операций развертки. См. также домены управления сеткой.
|
Power Transistor: путь к библиотеке приложений Heat_Transfer_Module/Power_Electronics_and_Electronic_Cooling/power_transistor
