S9015 smd транзистор характеристики

Содержание

1. Транзистор S9015
2. Цоколевка транзистора s9015
3. Характеристики транзистора s9015
4. Комплементарная пара s9015
5. Аналоги транзистора s9015
6. Все своими руками
7. Электронные самоделки в домашних условиях
8. Транзистор S9015
9. Транзистор S9015: параметры, цоколевка, аналог, datasheet
10. Характеристики транзистора S9015
11. Цоколевка транзистора S9015
12. Габаритные и установочные размеры транзистора S9015
13. Аналог транзистора S9015
14. S9015 smd транзистор характеристики
15. S9015 Datasheet (PDF)

Транзистор S9015

Транзистор s9015 – кремниевый, высокочастотный биполярный транзистор c p-n-p структурой. Применяется в схемах усиления звука, каскадах пред усиления и ключевых схемах. Выпускается в классическом пластмассовом корпусе ТО-92 с гибкими выводами (S9015A, S9015B, S9015C, S9015D) и в корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа (S9015H, S9015L).

Цоколевка транзистора s9015

Транзистор s9015 в корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа обозначается кодом «M6»

Характеристики транзистора s9015

Транзистор	Uкбо(и),В	Uкэо(и), В	Iкmax(и), А	Pкmax(т), Вт	h31э	fгр., МГц
S9015A	50	45	0.1	0.45	60 — 150	150
S9015B	50	45	0.1	0.45	100 — 300	150
S9015C	50	45	0.1	0.45	200 — 600	150
S9015D	50	45	0.1	0.45	400 — 1000	150
S9015L	50	45	0.1	0.2	200 — 450	150
S9015H	50	45	0.1	0.2	450 — 1000	150

Uкбо(и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-база
Uкэо(и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-эмиттер
Iкmax(и) — Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора
Pкmax(т) — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом)
h_fe — Коэффициент усиления транзистора по току
fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока

Комплементарная пара s9015

Комплементарной парой для s9015 является транзистор s9014 c n-p-n структурой.

Аналоги транзистора s9015

Отечественные аналоги: S9015A: КТ3107А, КТ6112А
S9015B: КТ3107И, КТ6112Б
S9015C: КТ3107И, КТ6112В
S9015D: КТ3107К, КТ3107Л
Зарубежные аналоги: bc317, bc320, SS9015, KSP55, KSP56, KSP92, KSP93, KTC9015, MPSA92, MPSA93, MPSW55, MPSW55G, MPSW56, MPSW56G, MPSW92, MPSW92G

Источник

Все своими руками

Электронные самоделки в домашних условиях

Транзистор S9015

Биполярный маломощный транзистор S9015 pnp структуры, в корпусе TO-92 с рассеиваемой мощностью 0,4Вт и напряжением пробоя -45В
Характеристики транзистора S9015
Структура — p-n-p
Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -45 В

Напряжение коллектор-база, не более: -50 В
Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
Ток коллектора, не более: -0.1 А
Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.4 Вт
Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 1000
Граничная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц
Корпус: TO-92

Цоколевка транзистора S9015

Классификация по hFE S9015
Транзисторы серии S9015 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления.
S9015A КУ в диапазоне от 60 до 150,
S9015B — от 100 до 300
S9015C — от 200 до 600
S9015D — от 400 до 1000

Комплементарная пара S9015
Комплементарной парой для S9015 является транзистор S9014 c n-p-n структурой.

Поддержать мои проекты вы можете через форму ниже. Каждая копеечка пойдет на все новые и увлекательные проекты

Источник

Транзистор S9015: параметры, цоколевка, аналог, datasheet

S9015 — биполярный, кремниевый, высокочастотный, маломощный транзистор. Применяется в УНЧ, зарядных устройствах, предусилителях и в схемах коммутации.

Характеристики транзистора S9015

• Структура : PNP
• Напряжение коллектор-эмиттер U_кэо (max) : 45 В
• Напряжение коллектор-база U_кбо (max) : 50 В
• Напряжение эмиттер-база U_эбо (max) : 5 В
• Допустимый ток коллектора I_к (max) : 0. 10 А
• Коэффициент усиления транзистора по току hf_э : от 60 до 1000
• Граничная частота коэффициента передачи тока f_гр : 150.0 МГц
• Рассеиваемая мощность коллектора P_к (max) : 0.40 Вт
• Диапазон рабочих температур T_max : от -55 до +150 ˚C
• Корпус : TO-92

Транзистор S9015 может иметь коэффициент усиления по току от 60 до 1000:

• S9015A от 60 до 150
• S9015B от 100 до 300
• S9015C от 200 до 600
• S9015D от 400 до 1000

Цоколевка транзистора S9015

Габаритные и установочные размеры транзистора S9015

Аналог транзистора S9015

S9015 выпускается в пластиковом корпусе ТО-92. Если смотреть на плоскую сторону с выводами, направленными вниз, слева направо — эмиттер, база, коллектор.

Вы можете заменить S9015 на: KSP55, KSP56, KTC9015, MPSW55, MPSW55G, MPSW56, MPSW56G, SS9015.

Комплементарной парой S9015 является транзистор S9014.

Источник

S9015 smd транзистор характеристики

Наименование производителя: S9015

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200

S9015 Datasheet (PDF)

..1. s9015.pdf Size:228K _secos

S9015PNP SiliconElektronische Bauelemente Low Frequency, Low Noise AmplifierRoHS Compliant ProductA suffix of «-C» specifies halogen & lead-freeSOT-23FEATURESCollectorDim Min Max33A 2. 800 3.040B 1.200 1.400Power dissipation11C 0.890 1.1102 BasePCM : 0.2 WD 0.370 0.500Collector CurrentG 1.780 2.0402ICM : -0.1 A AEmitterH 0.013 0.100

..2. s9015.pdf Size:350K _jiangsu

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-23 S9015 TRANSISTOR (PNP) FEATURES 1. BASE Complementary to S9014 2. EMITTER 3. COLLECTOR MARKING: M6 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage -50 V VCEO Collector-Emitter Voltage -45 V VEBO Emitter-Base V

..3. s9015.pdf Size:1022K _htsemi

S901 5TRANSISTOR(PNP)SOT-23 FEATURES 1. BASE Complementary to S9014 2. EMITTER 3. COLLECTOR MARKING: M6 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -50 V VCEO Collector-Emitter Voltage -45 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -Continuous -0.1 A PC Collector Power Dissipation 0.2 W T

..4. s9015.pdf Size:241K _gsme

Guilin Strong Micro-Electronics Co. ,Ltd.Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.GM9015FEATURESFEATURES FEATURESExcellent HFE Linearity HFE hFE(0.1mA)/ hFE(2mA)=0.95(Typ.)Low Noise NF=1dB(Typ.),10db(Max.).Complementary to GM9014 GM9014

..5. s9015.pdf Size:1490K _lge

S9015 Silicon Epitaxial Planar TransistorFEATURESA SOT-23 Complementary To S9014. Dim Min MaxA 2.70 3.10E Excellent HFE Linearity. B 1.10 1.50K BC 1.0 Typical Power dissipation.(PC=0.2W) D 0.4 TypicalE 0.35 0.48JDG 1.80 2.00GH 0.02 0.1APPLICATIONS J 0.1 TypicalHK 2.20 2.60 Low frequency , low noise amplifier. CAll Dimensions in mm ORDERING

S9015 SOT-23 Transistor(PNP)SOT-231. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR Features Complementary to S9014 MARKING: M6 Dimensions in inches and (millimeters)MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -50 V VCEO Collector-Emitter Voltage -45 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -Continuous -0.

S9015(PNP)TO-92 Bipolar TransistorsTO-92 1. EMITTER 2. BASE 3. COLLECTOR Features High total power dissipation.(PC=0.45W) High hFE and good linearity Complementary to S9014 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -50 V VCEO Collector-Emitter Voltage -45 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V Di

..8. s9015.pdf Size:921K _wietron

S9015PNP General Purpose TransistorsTO-921. EMITTER122. BASE33. COLLECTORABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C)Rating SymbolValue UnitCollector-Emitter Voltage VCEO -45 VdcCollector-Base Voltage VCBO -50VdcEmitter-Base Voltage VEBO-5.0 VdcCollector Current IC100 mAdcPD 0.4Total Device Dissipation T =25 C WAJunction Temperature T 150j C-55 to +150S

..9. s9015.pdf Size:166K _shenzhen

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO-92 S9015 TRANSISTOR (PNP) 1.EMITTER FEATURES 2. BASE High total power dissipation.(PC=0. 45W) High hFE and good linearity 3. COLLECTOR Complementary to S9014 1 2 3 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Vol

ShenZhen CanSheng Industry Development Co.,Ltd. www.szcansheng.com SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors S9015 TRANSISTOR (PNP) FEATURES Complimentary to S9014 MARKING:M6 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Vo

..11. s9015.pdf Size:186K _galaxy

Product specification Silicon Epitaxial Planar Transistor S9015 FEATURES Pb Complementary To S9014. Lead-free Excellent H Linearity. FE Power dissipation.(P =0.2W) CAPPLICATIONS Low frequency , low noise amplifier. SOT-23 ORDERING INFORMATION Type No. Marking Package Code S9015 M6 SOT-23 : none is for Lead Free package; G is for

..12. s9015.pdf Size:1323K _anbon

S9015SOT-23 PNP Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES SOT-23 Complementary to S9014 MARKING: M6 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage -50 V VCEO Collector-Emitter Voltage -45 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -Continuous -0.1 A PC Collector Po

..13. s9015.pdf Size:852K _born

S9015Transistors SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors(PNP) RHOS FeaturesSOT-23 As complementary type the NPN transistor S9014 is recommended Epitaxial planar die construction Maximum Ratings (Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -50 V1. BASE VCEO Collector-Emitter Voltage —

..14. s9015.pdf Size:3473K _fuxinsemi

S9015FEATURES High Collector Current. SOT-23 Complementary to S9014. Excellent hFE Linearity.MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Value Unit V Collector-Base Voltage -50 V CBOV Collector-Emitter Voltage -45 V CEOVEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -100 mA P Collector Power Dissipation 200 mW CR Thermal Resistance

. .15. s9015.pdf Size:2002K _high_diode

S9 015SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR( P NP )Features SOT- 23 Complementary to S9014 Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -50 V V Collector-Emitter Voltage -45 V CEOCV Emitter-Base Voltage -5 V EBOI Collector Current -100 mA CP Collector Power Dissipation 200 mW CRJA Thermal Resistance From Junction To Ambient 625 /W

..16. s9015.pdf Size:241K _jsmsemi

S9015NPN Silicon Epitaxial Planar TransistorFEATURES High Collector Current.(IC= 500mA Complementary To S9012. Excellent HFE Linearity. Power dissipation.(PC=300mW) APPLICATIONS High Collector Current. SOT-23 MAXIMUM RATING @ Ta=25 unless otherwise specified Symbol Parameter Value UnitsCollector-Base Voltage VCBO 40 VCollector-Emitter Voltage VCEO 25 V

..17. s9015.pdf Size:604K _cn_doeshare

S9015 S9015 PNP Transistors General description SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Complementary to S9014 Power Dissipation of 200mW High Stability and High Reliability MECHANICAL DATA SOT-23 Small Outline Plastic Package Epoxy UL: 94V-0 Mounting Position: Any Marking: M6 Maximum Ratings & Thermal Characteristics TA = 25C unl

. .18. s9015.pdf Size:341K _cn_cbi

S9015 TRANSISTOR (PNP)FEATURES SOT-23 Complementary to S9014 1BASE 2EMITTER 3COLLECTOR MARKING: M6 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage -50 V VCEO Collector-Emitter Voltage -45 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -Continuous -0.1 A PC Collector Power Dissipation 0.2 W

..19. s9015.pdf Size:1075K _cn_fosan

ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTDS9015 FEATURES Excellent H Linearity H h (-0.1mA)/ h (-2mA)=0.95(Typ.)FE FE FE FELow Noise NF=1dB(Typ.),10db(Max.).Complementary to S9014 S9014 MAXIMUM RATINGS (Ta=25) CHARACTERISTIC Symbol Rating Unit

..20. s9015.pdf Size:2453K _cn_goodwork

S9015General Purpose Transistor PNP SiliconFEATURES Complementary to S9015eAMDe ea CEL1LHE1.BASE2.EMITTERSOT-23 mechanical data3.COLLECTORUNIT A C D E HE e M L L1 aMarkingmax1.1 0.15 1.4 3.0 2.6 0.5 1.95 0.00.55 0.36mm(ref) (ref)min 0.9 0. 08 1.2 2.8 2.2 0.3 1.7 0.15Type number Marking codemax43 6 55 118 102 20 77 0.0S9015 M622 14m

..21. s9015.pdf Size:646K _cn_hottech

S9015BIPOLAR TRANSISTOR (PNP)FEATURES Complementary to S9014 Excellent h LinearityFE Surface Mount deviceMECHANICAL DATA SOT-23 Case: SOT-23 Case Material: Molded Plastic. UL flammability Classification Rating: 94V-0Weight: 0.008 grams (approximate)MAXIMUM RATINGS (T = 25C unless otherwise noted)AParameter Symbol Value UnitVCollector-Base

..22. s9015.pdf Size:572K _cn_idchip

PNP S9015S9015 TRANSISTOR (PNP)FEATURES SOT-23 Complementary to S9014 1BASE 2EMITTER 3COLLECTOR MARKING: M6 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage -50 V VCEO Collector-Emitter Voltage -45 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Cu

0.1. ss9015.pdf Size:41K _fairchild_semi

SS9015Low Frequency, Low Noise Amplifier Complement to SS9014TO-9211. Emitter 2. Base 3. CollectorPNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base Voltage -50 VVCEO Collector-Emitter Voltage -45 VVEBO Emitter-Base Voltage -5 VIC Collector Current -100 mAPC Collector Power Dissi

0.2. ss9015.pdf Size:59K _samsung

SS9015 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORLOW FREQUENCY, LOW NOISE AMPLIFIERTO-92 Complement to SS9014ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitVCollector-Base Voltage VCBO -50VCollector-Emitter Voltage VCEO -45VEmitter-Base Voltage VEBO -5mACollector Current IC -100mWCollector Dissipation PC 450Junction Temperature TJ 150Storage Tem

S9015-BMCCMicro Commercial ComponentsTMS9015-C20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311S9015-DPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors Capable of 0.45Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.PNP Silicon Collector-current -0. 1A Collector-base Voltage -50VTransistors Operating

STS9015SemiconductorSemiconductorPNP Silicon TransistorDescription General purpose application. Switching application.Features Excellent hFE linearity : hFE(IC=0.1mA) / hFE(IC=2mA) = 0.95(Typ.) Low noise : NF = 10dB(Max.) Complementary pair with STS9014Ordering Information Type NO. Marking Package Code STS9015 STS9015 TO-92 Outline Dimensions uni

0.7. s9015t.pdf Size:597K _secos

S9015T -0.1A , -50V PNP Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92 FEATURES General Purpose Switching and Amplification. High Total Power Dissipation.(PC=0.45W) High hFE and Good Linearity CLASSIFICATION OF hFE Product-Rank S9015T-A S9015T-B S9015T-C S9015T-D Range 60

0.8. s9015w.pdf Size:891K _jiangsu

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD J C T SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors S9015W TRANSISTOR (PNP) SOT323 FEATURES Small Surface Mount Package High DC Current Gain MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit 1. BASE V Collector-Base Voltage -50 V CBO2. EMITTER V Collector-Emitter Voltage -45 V CEO

0.9. s9015w.pdf Size:456K _htsemi

S901 5WTRANSISTOR(PNP)SOT323 FEATURES Small Surface Mount Package High DC Current Gain MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit 1. BASE V Collector-Base Voltage -50 V CBO2. EMITTER V Collector-Emitter Voltage -45 V CEO3. COLLECTOR V Emitter-Base Voltage -5 V EBOIC Collector Current -100 mA P Collector Power Diss

0.10. s9015lt1.pdf Size:203K _wietron

S9015LT1PNP312SOT-23ValueVCEO -45-50-5-1002251.8556S9015QLT1=15Q S9015RLT1=15R S9015SLT1=15S-0.1-45-40-100-5.0-100u-0.1-40-0.1 u-3.0WEITRON 1/ 28-Apr-2011http://www.weitron.com.twS9015LT1ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25 C unless otherwise noted) (Countinued)Characteristics Symbol Max UnitMinON CHARACTERISTICSDC Current Gain

0.11. s9015lt1.pdf Size:271K _shenzhen

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors S9015LT1 TRANSISTOR (PNP) SOT-23 FEATURES 1. BASE 2. EMITTER Power dissipation 3. COLLECTOR PCM: 0.2 W (Tamb=25) Collector current 2. 4 ICM: -0.1 A 1. 3 Collector-base voltage V(BR)CBO: -50 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55 to

0.12. ss9015.pdf Size:239K _kexin

DIP Type e TransistorsSMD TypPNP TransistorsSS9015Unit:mmTO-924.8 0.3 3.8 0.3FeaturesComplementary to SS90140.60 Max0.45 0.1 0.521 31.Emitter2.Base1.272.543.CollectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO -50 VCollector-Emitter Voltage VCEO -45 VEmitter-Base Voltage VEBO -5 VCollector Current

0.13. s9015w.pdf Size:879K _cn_cbi

TRANSISTOR(PNP)FEATURES Small Surface Mount Package SOT323 High DC Current Gain MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit 1. BASE V Collector-Base Voltage -50 V CBO2. EMITTER VCEO Collector-Emitter Voltage -45 V 3. COLLECTOR VEBO Emitter-Base Voltage -5 V I Collector Current -100 mA CP Collector Power Dissipation 200

Источник

smd-код m6

smd-код m6

smd-код «M6»

Подробная информация о производителях — в GUIDE’е, о типах корпусов — здесь
код	наименование	функция	корпус	производитель	примечания
M6	2SA812	pnp: 50В/100мА h31=200. ..400	sot23	Galaxy Semi
M6	BSS66	npn: 40В/200мА 250МГц h31=150	sot23	Diodes
M6	BZX384-B22	стабилитрон 300мВт: 22В ±2%	sod323	NXP
M6	MMBA812M6	pnp: 40В/100мА h31=200…400	sot23	Motorola
M6	Si2316BDS	nМОП: 30В/4,5А/50мОм	sot23	Vishay
M6##	RP114K241B	LDO: 2,4В/300мА	dfn4	Ricoh	## — lot-код
M6A	ADM1816-20AKS/ART	супервизор 2,55В, open-drain, active-low	sc70/sot23	ADI
M6A	MMBF4416	n-канальный ВЧ FET: 30В	sot23	ON Semi
M6B	ADM1816-22AKS/ART	супервизор 2,18В, open-drain, active-low	sc70/sot23	ADI
M6C	ADM1816-23AKS/ART	супервизор 2,31В, open-drain, active-low	sc70/sot23	ADI
M6C	MMBFU310	n-канальный ВЧ FET: 25В	sot23	ON Semi
M6E	ADM1816-10AKS/ART	супервизор: 2,88В open-drain/active-low	sc70/sot23	ADI
M6G	SMMBF4393	nFET: 30В/50мА Ugs(off)=-3В	sot23	On Semi
M6H	ADM1816-20AKSZ/ARTZ	супервизор: 2. 55В open-drain/active-low	sc70/sot23	ADI	RoHS
M6H	MMBD354	два смесительных диода ОК: 7В/10мА	sot23	LGE | ON Semi
M6J	ADM803MAKSZ	супервизор: 4,38В open-drain/active-low	sc70	ADI	RoHS
M6K	ADM1816-5AKS/ART	супервизор: 3,06В open-drain/active-low	sc70/sot23	ADI
M6L	ADM803LAKSZ	супервизор: 4,63В open-drain/active-low	sc70	ADI	RoHS
M6M	ADM803RAKSZ	супервизор: 2,63В open-drain/active-low	sc70	ADI	RoHS
M6N	ADM803ZAKSZ	супервизор: 2,32В open-drain/active-low	sc70	ADI	RoHS
M6P	ADM809JAKSZ/JARTZ	супервизор: 4,00В push-pull/active-low	sc70/sot23	ADI	RoHS
M6P	BSR58	n-канальный FET: 40В/50мА	sot23	NXP
M6R	ADM809LAKSZ	супервизор: 4,63В push-pull/active-low	sc70	ADI	RoHS
M6S	ADM810MAKSZ/MARTZ	супервизор: 4,38В push-pull/active-high	sc70/sot23	ADI	RoHS
M6T	ADM810SAKSZ/SARTZ	супервизор: 2,93В push-pull/active-high	sc70/sot23	ADI	RoHS
M6U	ADM810ZAKSZ/ZARTZ	супервизор: 2,32В push-pull/active-high	sc70/sot23	ADI	RoHS
M6V	ADM810JAKSZ/JARTZ	супервизор: 4,00В push-pull/active-high	sc70/sot23	ADI	RoHS
M6W	ADM810LAKSZ/LARTZ	супервизор: 4,63В push-pull/active-high	sc70/sot23	ADI	RoHS
M6X	ADM1813-5AKSZ/ARTZ	супервизор: 4,62В open-drain/active-low	sc70/sot23	ADI	RoHS
M6Y	ADM1813-10AKSZ/ARTZ	супервизор: 4,35В open-drain/active-low	sc70/sot23	ADI	RoHS
M6Z	ADM1811-5AKSZ/ARTZ	супервизор: 4,62В push-pull/active-low	sc70/sot23	ADI	RoHS

Ангола — SurmaExpediciones

Ангола es uno de los países más ricos de África , puesto que cuenta con grandes reservas de petróleo y diamantes. Pero al mismo tiempo, Ангола también es uno de los países más desconocidos para los turistas , ya que aún son pocos los que se aventuran a dejarse seducir por las maravillas de este pais.

En Surmaexpediciones te descubriremos algunos de los lugares que no puedes perderte de este fascinante lugar.

Катаратас де Каландула. Situadas en el río Lucala y, aunque son bastante desconocidas fueran de Angola, lo cierto es que las cataratas de Kalandula constituyen un espectáculo realmente impponente por su volumen y por ser las más altas de África const sus 10desni.

Национальный парк Киссама . Establecido como reserva en 1938, también es conocido como Quiçama. Se encuentra ubicado al sur del río  Kwanza y es probablemente эль-мейор Национальный парк Анголы для исследования разнообразной фауны: слонов, африканских манатов и бегемотов, антилоп соболь, монос, цебра, нус и черепаха де мар. Tampoco puedes perderte los maravillosos baobabs nudosos que crecen en esta gran franja de sabana costera.

Национальный парк Луэнге-Луиана . Forma parte del área de conservación transfronteriza de Okavango/Zambeze, la cual comparte territorio con Замбия, Ангола, Намибия, Ботсвана и Зимбауэ, y además constituye una de las regiones más grandes de protección medioambiental de todo el mundo . Este Parque Nacional se encuentra hoy en día prácticamente virgen, ya que apenas ha sufrido el Impacto del Hombre. Aquí podrás disfrutar contemplando animales como la hiena manchada, el tejón, los antílopes sables, impalas, avestruces o ñus y, por supuesto, los cinco grandes mamíferos de África : слоны, леопарды, леонес, буйволы.

Национальный парк Кангандала, . Situado en la provincia de Malanje, en este Parque Nacional podrás ver en vivo el símbolo nacional de Angola: el famoso palanca negra gigante , un gran antílope que se answeró extinto durante más de 20 años, aunque afortunadamente fue redescubierto en 2000 en el 2009 se logró localizarlo y capturarlo para ponerlo bajo protección en este santuario. В настоящее время загар соло существует 80 экземпляров этого животного maravilloso.

Мирадору да Луа . Formado durante millones de años por la accion del viento y la lluvia, probablemente este sea el lugar más visitado de Toda Angola por los turistas. Se trata de un mirador sobre un cañón con acantilados que se desploman sobre el Atlantico y recuerdan mucho a un paisaje lunar, de ahí su nombre y que se conozca también como «Moon Valley View point».

Лубанго . Si quieres contemplar hermosas cascadas y fisuras volcánicas espectaculares , esta pequeña ciudad situada en un hermoso valle rodeado de montañas es un lugar que no puedes perderte.

Бенгела . Si eres más de playa, Бенгела-эс-ту-ситио. Автопрокламада столица культуры де ла республика, Benguela se encuentra rodeada de estupendas playas atlánticas donde podrás disfrutar de la arena y el mar a tus anchas.

Como ves, aunque bastante desconocida todavía, Angola atesora auténticas maravillas en su interior que son dignas de conocer y disfrutar. ¿Te animas a descubrirlas con nosotros?

Фелер 404

Фелер 404 изображение/svg+xml

Auswahl von Land und Sprache beeinflusst Deine Geschäftsbedingungen, Produktpreise und Sonderangebote

Sprache

Верунг

Preise

нетто

брутто

нетто

брутто

Nutze diesuchmaschine, um Themen zu finden, die Dich interessieren:

Каталог Ви кауфт человек Хильфе

или другой адрес: Дом

Abonnieren Sie jetzt

В том же информационном бюллетене вы найдете самые интересные и интересные сведения о новых продуктах, товарах и услугах на веб-сайте TME.
Hier können Sie sich auch von der Liste abmelden.

* Pflichtfeld

AnmeldenAuf Mitteilungsblatt verzichten

Ich habe mich mit der Ordnung des TME-Bulletins bekannt gemacht und erteile meine Zustimmung, damit das elektronische Informationsbulletin des TME-Dienstes meine E-Mail-Adresse geschickt wird. Ordnung des TME-Bulletins

*

1. Transfer Multisort Elektronik sp. о.о. mit Sitz в Лодзи, Адрес: ул. Ustronna 41, 93-350 Łódź teilt hiermit mit, dass sie der Administrator Ihrer personenbezogenen Daten sein wird.
2. Ein Datenschutzbeauftragter wird beim Administrator der personenbezogenen Daten ernannt und kann per E-Mail unter [email protected] kontaktiert werden.
3. Ihre Daten werden verarbeitet auf Grundlage von Art. 6 Абс. 1 лит. a) der Verordnung des Europäischen Parlaments und des Rates (EU) 2016/679vom 27. April 2016 zum Schutz natürlicher Personen bei der Verarbeitung personenbezogener Daten und zum freien Datenverkehr und zur Aufhebung der Richtlinie 95/46/EG (nachstehend «DSGVO» genannt), um an die angegebene E-Mail-Addresse den elektronischen Newsletter von TME цу сенден.

4. Die Angabe der Daten ist freiwillig, jedoch für den Versand des Newsletters erforderlich.
5. Ihre personenbezogenen Daten werden gespeichert, bis Ihre Einwilligung für die Verarbeitung Ihrer personenbezogenen Daten widerufen.
6. Sie haben das Recht auf Zugang, Berichtigung, Löschung oder Einschränkung der Verarbeitung Ihrer Daten;
Soweit Ihre personenbezogenen Daten aufgrund einer Einwilligung verarbeitet werden, haben Sie das Recht, die Einwilligung zu widerufen. Der Widerruf der Einwilligung berührt nicht die Rechtmäßigkeit der Verarbeitung auf der Grundlage der Einwilligung vor dem Widerruf.

7. Soweit Ihre Daten zum Zwecke des Vertragsabschlusses und der Vertragsabwicklung oder aufgrund Ihrer Einwilligung verarbeitet werden, haben Sie auch das Recht, Ihre personenbezogenen Daten zu übertragen, d. час von der verantwortlichen Stelle in structurierter, allgemein üblicher und maschinenlesbarer Form zu erhalten. Sie können diese Daten einen anderen Datenadministrator übersenden.
8. Sie haben auch das Recht, eine Beschwerde bei der für Datenschutz zuständigen Aufsichtsbehörde einzureichen.

больше Венигер

TME-Newsletter abonnieren

Анеботе — Рабатте — Нойхайтен. Sei auf dem Laufenden mit dem Angebot von TME

AGB zum Информационный бюллетень Auf Mitteilungsblatt verzichten

Daten werden verarbeitet

Die Operation wurde erfolgreich durchgeführt.

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuche noch einmal.

Логин

Пароль

Логин и пароль заранее.