Site Loader
Posted on 21.01.2022

Полевой транзистор сдвоенный КПС104 — DataSheet

Перейти к содержимому

Цоколевка сдвоенного транзистора КПС104

 

Описание

Сдвоенные планарно-эпитаксиальные ионно-легированные полевые транзисторы с затвором на основе р-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих дифференциальных и операционных усилителей низкой частоты и
усилителей постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45…+85 °С.

 

Параметры транзистора КПС104
ПараметрОбозначениеМаркировкаУсловияЗначениеЕд. изм.
АналогКПС104АIFN421, IFN422, IFN423
КПС104БIFN421, IFN422, IFN423
КПС104ВIFN425, IFN426
КПС104Г2N4084, 2N4085, UPA68HAK *1
КПС104Д2N4084, 2N4085, UPA68HAK *1
КПС104Е2N4082, 2N4083
СтруктураКПС104АСдвоенные, с p-n переходом и n-каналом
КПС104Б
КПС104В
КПС104Г
КПС104Д
КПС104Е
Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная).PСИ, P*СИ, т maxКПС104А—45мВт, (Вт*)
КПС104Б—45
КПС104В—45
КПС104Г		—45
КПС104Д—45
КПС104Е—45
Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором). UЗИ отс, U*ЗИ порКПС104А—0.2…1В
КПС104Б—0.
2…1
КПС104В—0.4…2
КПС104Г—0.4…2
КПС104Д—0.8…3
КПС104Е—0.8…3
Максимальное напряжение сток-исток (постоянное). Со звездочкой максимальное напряжение затвор-сток.UСИ max, U*ЗC maxКПС104А—25; 30*
В
КПС104Б—25; 30*
КПС104В—25; 30*
КПС104Г—25; 30*
КПС104Д—25; 30*
КПС104Е—25; 30*
Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное).UЗИ maxКПС104А—-30; 0.5В
КПС104Б—-30; 0.5
КПС104В—-30; 0.5
КПС104Г—-30; 0.5
КПС104Д—-30; 0.5
КПС104Е—-30; 0.5
Ток стока (постоянный). Со звездочкой ток стока (импульсный)IС, I*С, ИКПС104А——
мА
КПС104Б——
КПС104В——
КПС104Г——
КПС104Д——
КПС104Е——
Начальный ток стокаIС нач, I*С остКПС104А—≤0.
8		мА
КПС104Б—≤0.8
КПС104В—≤0.8
КПС104Г—≤0.8
КПС104Д—≤0.8
КПС104Е—≤0.8
Крутизна характеристики полевого транзистораSКПС104А10 В≥0.35мА/В
КПС104Б		10 В≥0.35
КПС104В10 В≥0.65
КПС104Г10 В≥1
КПС104Д10 В≥1
КПС104Е10 В≥0. 65
Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истокомC11и, С*12и, С*22и
КПС104А		—≤4.5; ≤1.5*пФ
КПС104Б—≤4.5; ≤1.5*
КПС104В—≤4.5; ≤1.5*
КПС104Г—≤4.5; ≤1.5*
КПС104Д—≤4.5; ≤1.5*
КПС104Е—≤4.5; ≤1.5*
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора
при заданном напряжении сток-исток		RСИ отк, K*у. P, P**вых, ΔUЗИКПС104А—≤30***Ом, (дБ*), (Вт**),(мВ***)
КПС104Б—≤30***
КПС104В—≤50***
КПС104Г—≤50***
КПС104Д—≤30***
КПС104Е—
≤20***
Коэффициент шума транзистораКш, U*ш, E**ш,  Q***КПС104А10 Гц≤0.4*Дб, (мкВ*), (нВ/√Гц**), (Кл**)
КПС104Б10 Гц≤1*
КПС104В10 Гц≤5*
КПС104Г10 Гц≤1*
КПС104Д10 Гц≤5*
КПС104Е——
 Время включения транзистораtвкл, t*выкл, F**р, ΔUЗИ/ΔTКПС104А—≤50***нс, (нс*), (МГц**), (мкВ/°C***)
КПС104Б—≤150***
КПС104В—≤150***
КПС104Г—≤100***
КПС104Д—≤150***
КПС104Е—≤20***

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в буквенных обозначениях параметров полевых транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

MOSFET транзисторы обеднённого типа от IXYS – особенности и способы применения

MOSFET транзисторы обеднённого типа от IXYS – особенности и способы применения

Статья описывает особенности строения MOSFET транзисторов обеднённого типа (с собственным каналом) и возможные применения подобных транзисторов.

Автор Дмитрий Козлов

Американский производитель компонентов для силовой электроники IXYS предлагает семейство транзисторов обедненного (открытого) типа. Технологически это реализуется путём внедрения канала между стоком и истоком области с соответствующей электропроводимостью. В зависимости от степени легирования канала получают MOSFET транзисторы обогащённого и обеднённого типа. В транзисторах обогащённого типа при напряжении затвор-исток равно нулю ток равен так же равен нулю, тогда как в транзисторах обеднённого типа протекает ток стока. [1]

Рисунок 1. Схема включения транзистора обеднённого типа.

Транзисторы обедненного типа с собственным каналом (depletion mode) номинально открыты и пропускают ток, для закрытия транзистора необходимо приложить определённое напряжение (рис. 1). Таким образом, избыточное напряжение, ликвидируется при помощи защитного диода.
Силовые транзисторы IXYS выполняются по технологии DMOSFET (транзисторы двойной диффузии) и имеют вертикальную структуру, что позволяет с одной стороны иметь адекватную стоимость на рынке, с другой стороны выдерживать более высокое напряжение.
Компания IXYS в лице своего официального дистрибьютора на территории России ЭЛТЕХа выпустила на рынок 2 направления обеднённых MOSFET транзисторов: маломощные (таблица 1) и высокомощные MOSFET-транзисторы (таблица 2)

Таблица 1. Маломощные варианты исполнения MOSFET транзисторов обеднённого типа от IXYS.

Таблица 2. Высокомощные MOSFET транзисторы обеднённого типа от IXYS.

  • Примечание:
    Vdsx – напряжение сток-исток
    Rds(on) — сопротивление в открытом состоянии
    Vgs(off) – пороговое напряжение
    Idss – ток утечки затвора
    Id(on) – непрерывный ток стока

MOSFET транзисторы обеднённого типа получили довольно широкое применение в современной электронике. Рассмотрим некоторые схемы использования транзисторов IXYS.

Одной из таких областей является построение прецизионного источника тока путем установки транзистора в схему с источниками опорного напряжения [2]. В таком случае транзистор компенсирует колебания напряжения питания. Источник тока в итоге обеспечивает общий ток нагрузки, включающий в себя ток через резистор и ток покоя. Такая схема позволяет получить прецизионный ток и сверхвысокий выходной импеданс.

Рисунок 2. Использование MOSFET транзистора для источника прецизионного тока.

Другим применением может стать создание нормально замкнутого твердотельного реле с использованием специализированного оптически изолированного драйвера. В примере (рис. 3) используется оптический драйвер IXYS FDA217. Для реализации реле используются 2 внешних MOSFET транзистора обеднённого типа CPC3980, объединённые для создания AC/DC ключа. Т.к. FDA217 имеет внутреннюю схему выключения, отпадает необходимость в нагрузочных резисторах.

Рисунок 3. Схема нормально замкнутого реле с применением транзисторов IXYS.

Многие задачи требуют использование стабилизатора напряжения с низким выходным напряжением и высоким входным напряжением от 120 В до 240 В. В большинстве схем используется входное напряжение не больше 15 В и довольно низкий ток потребления. На рисунке 4 приведена схема стабилизатора с высоким входным напряжением и использованием LDO регулятора с MOSFET транзистором обедненного типа. Естественно при подборе транзистора в такую схему необходимо учитывать мощность, которая будет рассеиваться на транзисторе.

Рисунок 4. Схема регулятора напряжения с высоким входным напряжением.

Эта схема также может применяться для подавления высоковольтных выбросов в цепи питания. Высоковольтные переходные процессы в области телекоммуникаций обычно возникают из-за воздействия разрядов молнии и паразитного излучения. В автомобилестроении и авиастроении главной причиной подобных процессов обычно являются индуктивные нагрузки.
Ещё одно применение MOSFET транзисторов обедненного типа – защита измерительных входов от подачи на них высокого напряжения (рис. 5). В таком случае транзистор обеднённого типа работает как ограничитель тока, а избыточное напряжение уходит во входной защитный диод.

Рисунок 5. Защита измерительных цепей при помощи MOSFET транзистора.

Таким образом, при помощи MOSFET транзисторов обедненного типа от IXYS можно решить широкий спектр задач. При этом применение транзисторов IXYS позволяет также сократить расходы относительно более дорогих вариантов реализации схем. Информацию о самых новых компонентах IXYS вы можете найти на сайте компании ЭЛТЕХ.

Литература:

  1. Титце У., Шенк К. Полупроводниковая схемотехника. 12-е изд. Том I: Пер. с нем. – М.: ДМК. Пресс, 2008
  2. IXYS Integrated Circuits Division Application Note AN-500 Depletion-Mode Power MOSFETs and Applications

НСС40302ПДР2Г | onsemi NSS40302PDG Двойной транзистор NPN + PNP, 3 A, 40 В, 8-контактный SOIC

Посмотреть все Биполярные транзисторы

Доступно для заказа на отправку 28/06/2023

Добавить в корзину

tickAdded

3

50 Посмотреть корзину Цена каждая (на ленте 25)

£ 0,863

(EXC. PAN)

£ 1,036

(INC. НДС)

Единицы PER FAIL* PER FAIL* PER FAIL* FAIL* FAIL* PER FAIL* PER.
25 + £ 0,863 £ 21,575
*Индикативная цена

Варианты упаковки

. -4522

Произв. Артикул:
NSS40302PDR2G
Марка:
onsemi

Технический справочник

  • docPdfDatasheet
      Руководство по выбору PfESD
    • 0075
    • Doczipschematic Symbol & PCB Foolprint

    Законодательство и соответствие

    Детали продукта

    Dual NPN/PNP Transistors.

    Технические характеристики

    0

    Гибкий двухзатворный гетеросинаптический транзистор для обработки пространственно-временной информации

    Сюэронг Лю,‡ абв Цуй Солнце,‡ до н. э. Чжэчэн Го, д Юэджун Чжан, д Чжэн Чжан, 9 лет0205 и Джи Шан, до н.э. Чжичэн Чжун, до н.э. Сяоцзянь Чжу, * до н.э. Сюэ Ю * и а также Ран-Вэй Ли до н.э.

    Принадлежности автора

    * Соответствующие авторы

    и Факультет материаловедения и инженерии, Куньминский университет науки и технологии, Куньмин 650093, Китай
    Электронная почта: yuyu6593@126. com

    б Ключевая лаборатория магнитных материалов и устройств CAS, Нинбоский институт технологии и инженерии материалов, Китайская академия наук, Нинбо 315201, Китай
    Электронная почта: [email protected]

    в Ключевая лаборатория магнитных материалов и прикладных технологий провинции Чжэцзян, Нинбоский институт материаловедения и инженерии, Китайская академия наук, Нинбо 315201, Китай

    д Факультет электротехники и компьютерных наук, Университет Нинбо, Нинбо 315211, Китай

    и Ключевая лаборатория магнитных молекул и магнитных информационных материалов Министерства образования, Школа химии и материаловедения Шаньсийского педагогического университета, 339 Taiyu Road, Тайюань 030024, Китай

    Реферат

    rsc.org/schema/rscart38″> Искусственные синапсы на основе электролитно-управляемых транзисторов с характеристиками модуляции проводимости продемонстрировали свой большой потенциал в эмуляции функций памяти в человеческом мозге для нейроморфных вычислений. В то время как предыдущие исследования в основном были сосредоточены на эмуляции основных функций памяти гомосинапсов с использованием транзисторов с одним затвором, транзисторы с несколькими затворами открывают возможности для имитации более сложных и продвинутых процессов формирования памяти в биологических гетеросинапсах. В этой работе мы демонстрируем искусственный гетеросинапс на основе двухзатворного электролитного транзистора, который может реализовать in situ интеграция и хранение пространственно-временной информации. Мы показываем, что электрические импульсы, подаваемые на один затвор, или несинхронизированные электрические импульсы, подаваемые на двойные затворы, вызывают только модуляцию изменчивой проводимости для эмуляции кратковременной памяти.

    alexxlab

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

    Внимание! Внешний вид товара, комплектация и характеристики могут изменяться производителем без предварительных уведомлений. Данный интернет-сайт носит исключительно информационный характер и ни при каких условиях не является публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 (2) Гражданского кодекса Российской Федерации. 2024 © Все права защищены.
    Атрибут Значение
    Тип транзистора NPN + PNP
    Maximum DC Collector Current 3 A
    Maximum Collector Emitter Voltage 40 V
    Package Type SOIC
    Mounting Type Surface Mount
    Maximum Power Dissipation 783 мВт
    Коэффициент усиления по постоянному току 200
    Конфигурация транзистора Изолированный
    Maximum Collector Base Voltage 40 V
    Maximum Emitter Base Voltage -7 V, 6 V
    Maximum Operating Frequency 100 MHz
    Pin Count 8
    Number Количество элементов на чип 2
    Размеры 5 x 4 x 1,5 мм
    Максимальная рабочая температура +150 °C