Site Loader

Содержание

Datasheet26.com — поиск даташит, даташитов скачивание

Номер в каталоге Особенности Производители PDF
2N930 NPN SILICON PLANAR TRANSISTORS
CDIL
PDF
2N930A NPN SILICON PLANAR TRANSISTORS
CDIL
PDF
40CTQ045-1PbF SCHOTTKY RECTIFIER
International Rectifier
PDF
40CTQ045SPbF SCHOTTKY RECTIFIER
International Rectifier
PDF
84PW041 INVERTER
NEC
PDF
AD9574 Ethernet/Gigabit Ethernet Clock Generator
Analog Devices
PDF
B156XW02-V3 LCD Module
AUO
PDF
D1U3CS-D-850-12-HA3C DC/DC Front End Power Supply
Murata Power Solutions
PDF
D1U3CS-D-850-12-HA4C DC/DC Front End Power Supply

Murata Power Solutions
PDF
D1U3CS-D-850-12-HC3C 81mm 1U Front End DC-DC Power Supply Converter
Murata Power Solutions
PDF
D1U3CS-D-850-12-HC4C 81mm 1U Front End DC-DC Power Supply Converter
Murata Power Solutions
PDF
D1U3CS-W-1200-12-HA3C 81mm 1U Front End AC-DC Power Supply Converter
Murata Power Solutions
PDF
D1U3CS-W-1200-12-HA4C 81mm 1U Front End AC-DC Power Supply Converter
Murata Power Solutions
PDF
D1U3CS-W-1200-12-HC3C
81mm 1U Front End AC-DC Power Supply Converter

Murata Power Solutions
PDF

На первой странице data sheets приводятся:
свойства компонента (features), его основные параметры (quick reference data), обозначение на принципиальных схемах (symbol), краткое описание (general description).

6822 транзистор параметры

Скачать прайс. Транзисторы, диоды и т. J TO92транзистор транзистор J TOpins транзистор J TO92 M1A транзистор


Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.

Содержание:

  • работа транзистора
  • параметры полевых транзисторов
  • Теоретические положения. Лабораторная работа 2. Характеристики биполярных транзисторов
  • Биполярные транзисторы — характеристики и аналоги
  • Транзистор BC547: параметры, цоколевка, аналог, datasheet
  • Mje13003br To-126
  • Цоколевка транзистора XW6822
  • Чем заменить транзюк в люминесцентном светильнике
  • Транзистор XW6822

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Общий эмиттер. Теория и пример расчета

работа транзистора


Используемая вами версия браузера не рекомендована для просмотра этого сайта. Установите последнюю версию браузера, перейдя по одной из следующих ссылок. Вы можете использовать несколько способов поиска продукции в нашем каталоге процессоров, наборов микросхем, комплектов, твердотельных накопителей, серверной и другой продукции.

Название торговой марки: Core i7. Номер продукции: iU. Код спецификации: SR2PA. Кодовое название: Kaby Lake. Литография указывает на полупроводниковую технологию, используемую для производства интегрированных наборов микросхем и отчет показывается в нанометре нм , что указывает на размер функций, встроенных в полупроводник.

Условия использования — это факторы окружающей среды и эксплуатационные характеристики, соответствующие должному использованию системы.

Для получения информации об условиях использования, относящихся к конкретному SKU, см. Текущую информацию об условиях использования см.

Количество ядер — это термин аппаратного обеспечения, описывающий число независимых центральных модулей обработки в одном вычислительном компоненте кристалл. Поток или поток выполнения — это термин программного обеспечения, обозначающий базовую упорядоченную последовательность инструкций, которые могут быть переданы или обработаны одним ядром ЦП. Базовая частота процессора является рабочей точкой, где задается расчетная мощность TDP. Частота измеряется в гигагерцах ГГц или миллиардах вычислительных циклов в секунду.

Кэш-память процессора — это область быстродействующей памяти, расположенная в процессоре. Шина — это подсистема, передающая данные между компонентами компьютера или между компьютерами. Расчетная тепловая мощность TDP указывает на среднее значение производительности в ваттах, когда мощность процессора рассеивается при работе с базовой частотой, когда все ядра задействованы в условиях сложной нагрузки, определенной Intel.

Ознакомьтесь с требованиями к системам терморегуляции, представленными в техническом описании. Доступные варианты для встраиваемых систем указывают на продукты, обеспечивающие продленную возможность приобретения для интеллектуальных систем и встроенных решений.

Обратитесь к представителю Intel для получения подробной информации. Поиск продукции с Доступные варианты для встраиваемых систем. Поддержка памяти ECC указывает на поддержку процессором памяти с кодом коррекции ошибок. Память ECC представляет собой такой типа памяти, который поддерживает выявление и исправление распространенных типов внутренних повреждений памяти. Обратите внимание, что поддержка памяти ECC требует поддержки и процессора, и набора микросхем.

Графическая система процессора представляет собой интегрированную в процессор схему обработки графических данных, которая формирует работу функций видеосистемы, вычислительных процессов, мультимедиа и отображения информации. Для получения дополнительной информации см.

Максимальное количество памяти, доступное для графической системы процессора. Графическая система процессора использует ту же память, что и сам процессор с учетом ограничений для ОС, драйвера и системы т. Вывод графической системы определяет интерфейсы, доступные для взаимодействия с отображениями устройства. Поддержка 4K определяет способность продукта воспроизводить данные с разрешением, как минимум, x Системное разрешение или разрешение экрана зависит от нескольких факторов дизайна системы, а именно, фактическое разрешение в системе может быть ниже.

Максимальное разрешение DP — максимальное разрешение, поддерживаемое процессором через интерфейс DP 24 бита на пиксель с частотой 60 Гц.

Максимальное разрешение встроенный плоский экран — максимальное разрешение, поддерживаемое процессором для встроенного плоского экрана 24 бита на пиксель с частотой 60 Гц. Системное разрешение или разрешение экрана зависит от нескольких факторов дизайна системы; фактическое разрешение на устройстве может быть ниже.

Максимальное разрешение VGA — максимальное разрешение, поддерживаемое процессором через интерфейс VGA 24 бита на пиксель с частотой 60 Гц. DirectX указывает на поддержку конкретной версии коллекции прикладных программных интерфейсов API Microsoft для обработки мультимедийных вычислительных задач. OpenGL Open Graphics Library — это язык с поддержкой различных платформ или кроссплатформенный прикладной программный интерфейс для отображения двухмерной 2D и трехмерной 3D векторной графики.

Редакция PCI Express — это версия, поддерживаемая процессором. PCIe Peripheral Component Interconnect Express представляет собой стандарт высокоскоростной последовательной шины расширения для компьютеров для подключения к нему аппаратных устройств.

Различные версии PCI Express поддерживают различные скорости передачи данных. Канал PCI Express PCIe состоит из двух пар каналов сигнализации, один из которых предназначен для приема, а другой — для передачи данных, и этот канал является базовым модулем шины PCIe. Число каналов PCI Express представляет собой общее число каналов, поддерживаемых процессором. Разъемом называется компонент, которые обеспечивает механические и электрические соединения между процессором и материнской платой.

Температура на фактическом пятне контакта — это максимальная температура, допустимая на кристалле процессора. Многопоточные приложения могут выполнять больше задач параллельно, что значительно ускоряет выполнение работы. Технология улучшает возможности управления, снижая время простоев и поддерживая продуктивность работы за счет выделения отдельных разделов для вычислительных операций. Эта технология помогает более эффективно осуществлять параллельные операции с помощью улучшенного контроля блокировки ПО.

Набор команд содержит базовые команды и инструкции, которые микропроцессор понимает и может выполнять. Показанное значение указывает, с каким набором команд Intel совместим данный процессор. Расширения набора команд — это дополнительные инструкции, с помощью которых можно повысить производительность при выполнении операций с несколькими объектами данных. Режим состояния простоя или C-состояния используется для энергосбережения, когда процессор бездействует.

C0 означает рабочее состояние, то есть ЦПУ в данный момент выполняет полезную работу. C1 — это первое состояние бездействия, С2 — второе состояние бездействия и т. Чем выше численный показатель С-состояния, тем больше действий по энергосбережению выполняет программа. Технологии термоконтроля защищают корпус процессора и систему от сбоя в результате перегрева с помощью нескольких функций управления температурным режимом.

Внутрикристаллический цифровой термодатчик температуры Digital Thermal Sensor — DTS определяет температуру ядра, а функции управления температурным режимом при необходимости снижают энергопотребление корпусом процессора, тем самым уменьшая температуру, для обеспечения работы в пределах нормальных эксплуатационных характеристик. Эта технология предоставляет простые и надежные средства контроля доступа к коммерческим и бизнес-данным в режиме онлайн, обеспечивая защиту от угроз безопасности и мошенничества.

Команды AES-NI могут применяться для решения широкого спектра криптографических задач, например, в приложениях, обеспечивающих групповое шифрование, расшифровку, аутентификацию, генерацию случайных чисел и аутентифицированное шифрование. Такое выполнение осуществляется с защитой от несанкционированного доступа или вмешательства любого другого программного обеспечения включая привилегированные приложения в системе. Эта технология обеспечивает для платформ цифрового офиса такие функции защиты, как измеряемый запуск приложений и защищенное выполнение команд.

Это достигается за счет создания среды, где приложения выполняются изолированно от других приложений системы. Бит отмены выполнения — это аппаратная функция безопасности, которая позволяет уменьшить уязвимость к вирусам и вредоносному коду, а также предотвратить выполнение вредоносного ПО и его распространение на сервере или в сети.

Intel поставляет эти процессоры OEM-производителям, которые предустанавливают их в свои системы. Intel называет такие процессоры процессорами в оптовой упаковке или OEM-процессорами. Для таких процессоров Intel не предоставляет непосредственное гарантийное обслуживание. За гарантийной поддержкой обращайтесь к OEM-производителю или реселлеру. В чем разница между процессорами в штучной и оптовой упаковке? Обратитесь в службу поддержки.

Оставьте свои вопросы, комментарии или предложения здесь. Вы получите ответ в течение 2 рабочих дней. Предоставленная вами персональная информация будет использована только для ответа на этот запрос. Ваше имя и адрес электронной почты не будут добавлены ни в какие списки рассылок, и вы не будете получать электронные сообщения от корпорации Intel без вашего запроса.

Вся информация, приведенная в данном документе, может быть изменена в любое время без предварительного уведомления. Корпорация Intel сохраняет за собой право вносить изменения в цикл производства, спецификации и описания продукции в любое время без уведомления. Корпорация Intel не делает никаких заявлений и гарантий в отношении точности данной информации, а также в отношении характеристик, доступности, функциональных возможностей или совместимости перечисленной продукции.

За дополнительной информацией о конкретных продуктах или системах обратитесь к поставщику таких систем. Функциональные возможности, производительность и другие преимущества этой функции могут в значительной степени зависеть от конфигурации системы.

Расчетная мощность системы и максимальная расчетная мощность рассчитаны для максимально возможных показателей. Номера процессоров указывают на различия характеристик процессоров в пределах семейства, а не на различия между семействами процессоров. Более подробную информацию можно найти по адресу www. Анонсированные артикулы SKUs на данный момент недоступны.

Safari Chrome IE Firefox. Главная страница службы поддержки Спецификации продукции Процессоры. Поиск примеров Вы можете использовать несколько способов поиска продукции в нашем каталоге процессоров, наборов микросхем, комплектов, твердотельных накопителей, серверной и другой продукции. Добавить для сравнения. Дополнительная информация. Спецификации памяти. Встроенная в процессор графическая система. Варианты расширения. Спецификации корпуса. Усовершенствованные технологии. Безопасность и надежность.

Информация о заказе и спецификациях. Информация о соблюдении торгового законодательства. Техническая поддержка продукции. Файлы для загрузки и ПО. Сообщество поддержки. Гарантия и замена.


параметры полевых транзисторов

Транзистор — популярный полупроводниковый прибор, выполняющий в электросхемах функции формирования, усиления или преобразования электросигналов и переключения электроимпульсов. Выделяют три типа этих приборов:. Домашним мастерам, специалистам по ремонту радиоаппаратуры, конструкторам часто требуется подобрать отечественный аналог импортных приборов или наоборот. В некоторых случаях это необходимо для экономии средств — российская продукция гораздо дешевле импортной. Это можно сделать несколькими способами:.

Цоколевка транзистора XW Начинающим. Подскажите какой структуры транзистор XW и где у него: б,к,э. Шериф вне форума.

Теоретические положения.

Лабораторная работа 2. Характеристики биполярных транзисторов

Интегральная электроника на сегодняшний день является одной из наиболее бурно развивающихся отраслей современной промышленности. Одной из составных частей данной науки является схемотехническая микроэлектроника. На каждом новом этапе развития технологии производства интегральных микросхем ИМС создаются принципиально новые методы изготовления структур ИМС, отражающие последние достижения науки. В настоящее время наибольшее внимание в микроэлектронике уделяется созданию СБИС — сверхбольших интегральных схем — интегральных структур с очень большой степенью интеграции элементов, что позволяет не только значительно уменьшить площадь подложки ИМС, а следовательно, габаритные размеры и потребляемую мощность, но также и значительно расширить перечень функций, которые данная СБИС способна выполнять. В частности, использование СБИС в вычислительной технике позволило создание высокопроизводительных микропроцессоров электронно-вычислительных машин, а также встраиваемых однокристальных микроконтроллеров, объединяющих на одном кристалле несколько взаимосвязанных узлов вычислительного комплекса. В настоящее время технология позволяет изготовление отдельных элементов ИМС с геометрическими размерами порядка 0,,18 мкм. Быстрое развитие мироэлектроники как одной из самых обширных областей промышленности обусловлено следующими факторами:. Надежность работы ИМС обусловлена монолитностью их структуры, а также защищенностью интегральных структур от внешних воздействий с помощью герметичных корпусов, в которых, как правило, выпускаются серийные ИМС. Значительное уменьшение массы и размеров конкретных радиоэлектронных приборов без потери качества работы также является одним из решающих факторов при выборе ИМС при разработке различных приборов и узлов радиоэлектронной аппаратуры.

Биполярные транзисторы — характеристики и аналоги

Актуальность темы диссертации. Создание радиационно-стойких субмикронных СБИС для применения их в космических аппаратах, ядерной и военной промышленности является одной из актуальных проблем современной микроэлектроники. Приборно-технологическое моделирование позволяет существенно упростить задачи разработки СБИС повышенной стойкости. К СБИС, предназначенным для применения в космических аппаратах, предъявляется ряд специфических требований: малое энергопотребление, малые габаритные размеры, широкий диапазон рабочих температур, высокая радиационная стойкость. Одним из важнейших параметров, определяющих радиационную стойкость КМОП СБИС, является устойчивость работы схемы в условиях стационарного ионизирующего излучения.

Дневники Файлы Справка Социальные группы Все разделы прочитаны.

Транзистор BC547: параметры, цоколевка, аналог, datasheet

Новости: 9. Юмор: Не умеешь летать — не пачкай тротуар! Основные параметры биполярного низкочастотного npn транзистора BUL SI Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора BUL SI Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Обозначение контактов: Международное: C — коллектор, B — база, E — эмиттер. Российское: К — коллектор, Б — база, Э — эмиттер.

Mje13003br To-126

Цель работы. Определение характеристик биполярных транзисторов, построение статических вольтамперных характеристик. Транзисторы — полупроводниковые приборы, служащие для генерации, усиления и преобразования сигналов электромагнитной природы. Увеличение мощности сигнала происходит за счет внешнего источника питания. По принципу действия они делятся на биполярные и полевые. Биполярным транзистор назван потому, что его работа обусловлена носителями обеих полярностей электронами и дырками. В дальнейшем будем рассматривать только биполярные транзисторы. Конструктивно транзистор представляет собой кристалл трехслойной структуры pnp или npn, помещенный в герметичный корпус с тремя выводами, каждый из которых связан с определенной областью кристалла рис.

Электрические параметры элементов интегральной схемы. Параметр IR, мА . Последовательность расчета параметров биполярного транзистора. Исходные данные для . eSiO24, в нашем случае S = ,76 мм2. Ширина.

Цоколевка транзистора XW6822

Создано при помощи. Мяу, товарищи! Всем доброго времени суток!

Чем заменить транзюк в люминесцентном светильнике

Механик Яр Пт мар 26, am. Android1 Пт мар 26, pm. Механик Яр Пт мар 26, pm. Геннадий2 Вт мар 30, pm. AlekAn Сб апр 03, am.

Курсовые работы Карта сайта. Гуманитарные науки.

Транзистор XW6822

На нашем сайте вы можете купить или заказать Транзистор XW , уточнить наличие в наших магазинах, ознакомиться с техническими характеристиками и внешним видом изделия. Вся информация носит справочный характер и не является публичной офертой. Технические параметры и изображения даны только для ознакомления. Каталог товаров Автоэлектроника Бытовая техника Вычислительная техника Карты памяти, флешки, накопители Антенны Радиостанции Системы безопасности Средства разработки, модули, конструкторы Датчики, энкодеры Автоматизация, умный дом Наушники, колонки, динамики Микрофоны Приборы Инструмент Источники питания Разъемы, наконечники Кабельные изделия Кабели, провода Силовая электрика Электролампы Светодиоды Электровакуумные приборы Полупроводники отечественные Полупроводники импорт Оптоприборы Конденсаторы неполярные Конденсаторы полярные Резисторы постоянные Резисторы переменные Пьезоэлементы Трансформаторы и дроссели Установочные изделия Материалы Коммутация Реле Двигатели, вентиляторы, сельсины Зип бытовой техники Зип сотовых телефонов Пульты ду Предохранители, устройства защиты. Полупроводники импорт. Транзистор XW

Основные различия в электронике между лампами существуют в следующих элементах: Номинальная емкость сглаживающего конденсатора. От ее величины зависит уровень пульсаций напряжения питания преобразователя и, как следствие, уровень мерцания светового потока. Чем больше емкость, тем равномернее световой поток во времени.


эквивалент%20для%20c5802 техническое описание и примечания по применению

Лучшие результаты (6)

Часть Модель ECAD Производитель Описание Техническое описание Скачать Купить Часть
TMP89FS60BUG Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation 8-разрядный микроконтроллер/производительность процессора, эквивалентная 16-разрядному MCU/P-LQFP64-1010-0. 50-003
ТМП89ФС60АЭФГ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation 8-разрядный микроконтроллер/производительность процессора, эквивалентная 16-разрядному MCU/QFP64-P-1414-0.80A
TMP89FS60AUG Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation 8-разрядный микроконтроллер/производительность процессора, эквивалентная 16-разрядному MCU/LQFP64-P-1010-0.50E
TMP89FS63AUG Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation 8-разрядный микроконтроллер/производительность процессора, эквивалентная 16-разрядному MCU/LQFP52-P-1010-0. 65
ТМП89ФС60БФГ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation 8-разрядный микроконтроллер/производительность процессора, эквивалентная 16-разрядному MCU/P-LQFP64-1414-0.80-002
TMP89FS63BUG Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation 8-разрядный микроконтроллер/производительность процессора, эквивалентная 16-разрядному MCU/P-LQFP52-1010-0.65-002

эквивалент%20for%20c5802 Листы данных Context Search

org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»>
Каталог данных MFG и тип ПДФ Теги документов
Продолжить PCD3

Резюме: A/ICE2QS03 ​​эквивалент TI040 TI041 эквивалент a/TDA7292 Micro Circuit Engineering IE-V850ES-G1 uPC393G2 эквивалент a/k5a50d 74hc1574
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 144 ГДж ЭА-144-20-0 ГМА144-20-0 U16594EJ1V0UM Продолжить PCD3 Эквивалент A/ICE2QS03 ТИ040 ТИ041 аналог a/TDA7292 Микросхемотехника IE-V850ES-G1 uPC393G2 аналог а/к5а50д 74hc1574
МСМ 7225

Резюме: MOLEX 10PIN SD CARD TT 2146 гнездовой разъем для печатной платы 9pin d-sub 15PIN D-SUB РАЗЪЕМЫ 68pin TO 50 PIN SCSI разъем 50 pin (2×25), разъемы с шагом 2 мм 50PIN D-SUB РАЗЪЕМЫ jst phr-6 68pin SCSI разъем
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF СЛМ-132-01-Г-С СЛМ-140-01-Г-С СЛМ-150-01-Г-С СЛМ-103-01-Г-С СЛМ-104-01-Г-С СЛМ-106-01-Г-С СЛМ-122-01-Г-С СЛМ-104-01-Г-Д СЛМ-105-01-Г-Д СЛМ-106-01-Г-Д МСМ 7225 10-контактная SD-карта MOLEX ТТ 2146 гнездовой разъем для печатной платы 9штифт d-sub 15-КОНТАКТНЫЕ РАЗЪЕМЫ D-SUB 68-контактный 50-контактный разъем SCSI 50-контактные (2×25), разъемы с шагом 2 мм 50-КОНТАКТНЫЕ РАЗЪЕМЫ D-SUB jst фраза-6 68-контактный разъем SCSI
2014 — 2SB646(A) эквивалент

Реферат: SKIIP 12NAB126 V23990-K218-F40-PM 11AC126V1 80-M006PNB010SA01-K615D A/APM2055N аналог 23NAB126V1
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF
МРФ947T1 эквивалент

Резюме: эквивалентный транзистор MRF947T1 NJ1006 BFP320 fll120mk FLL101ME MGF4919G fujitsu gaas fet fhx76lp HPMA-2086 MMBR521L
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2SA1977 2SA1978 2SC2351 2SC3355 2SC3357 2SC3545 2SC3583 2SC3585 2SC4093 2SC4094 Эквивалент MRF947T1 Эквивалентный транзистор MRF947T1 NJ1006 БФП320 полный120мк FLL101ME MGF4919G fujitsu gaas fet fhx76lp ГПМА-2086 ММБР521Л
1999 — эквивалентные транзисторы BC107

Резюме: 2n5401, эквивалентный BC557, эквивалентный 2N2907, эквивалентный 2n2905, эквивалентный bc327, эквивалентный bc237, эквивалентный MPSa06, эквивалентный для BC337, эквивалентный bc327
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2Н1613 2Н1711 2Н1893 2Н2219 2Н2219А 2Н2222/А 2Н2369/А 2Н2484 2Н2905 2Н2905А Транзисторы, эквивалентные BC107 эквивалент 2n5401 Эквивалент BC557 2Н2907 эквивалент 2н2905 замена эквивалент bc327 эквивалент bc237 Эквивалент MPSa06 эквивалент для BC337 замена бк327
релиматный соединитель

Резюме: micro USB 5Pin B SMT VHDCI 68-контактный разъем разъема Molex, штекер 6, разъем для SD-карты 1,27 мм, площадь основания для печатной платы, 48-контактный полуевро разъем, USB-разъем типа A, женский DIP, прямой 68-контактный разъем SCSI, серия MKL, MOLEX 1,5-мм контактный разъем.
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 15PIN релиматный соединитель микро-USB 5Pin B SMT ВХДКИ 68pin Соединитель разъема Molex, штекер 6 1,27 мм Гнездо для SD-карты, отпечаток на печатной плате 48-контактный полуевро разъем USB-разъем типа A Женский DIP Прямой 68-контактный разъем SCSI серия МКЛ Штыревой разъем MOLEX 1,5 мм
СМ160100

Резюме: CM160224 cm160200 cm200400 CM160211 CM200201 KS0066 CM080200 KS0066 техническое описание cm400202
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF CM080200 CM080210 СМ160100 СМ160108 СМ160110 СМ160112 СМ160200 СМ160211 СМ160220 СМ160222 СМ160100 СМ160224 см160200 см200400 СМ160211 СМ200201 KS0066 CM080200 Лист данных KS0066 см400202
ЖК-дисплей 1602G

Резюме: 1602a* LCD LCD 2004A 0802A LCD LCD 240*128 T6963C 12864B SG-32240C LCD 1602a LCD 1602B LCD 1602D
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF СК-0802А СК-1202А СК-1601С СК-1601D СК-Б1601А СК-B1601B СК-1602А СК-1602Б СК-1602С СК-1602D ЖК 1602G 1602a* ЖК ЖК 2004А ЖК-дисплей 0802A ЖК-дисплей 240*128 T6963C 12864Б СГ-32240С ЖК 1602а ЖК 1602Б ЖК 1602D
Реле OMRON G2V-2 12 В

Реферат: OMRON G2V-2 6V реле JR2a-DC24V FRL264 rz-24 реле Panasonic RELAY Cross Reference NEC OMRON RA4-24WM-K RA12WN-K TF2SA-12V RA5WN-K
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF MK3P5-S-AC12 MK3P5-S-AC120 MK3P5-S-AC24 MK3P5-S-AC240 54024У200 G7L-1A-БУБ-JCB-AC200/240 G7L-1A-ТУБ-JCB-AC200/240 54026У200 АС200/240 Реле OMRON G2V-2 12В Реле OMRON G2V-2 6В JR2a-DC24V 264 франка реле рз-24 Перекрестная ссылка Panasonic RELAY NEC OMRON РА4-24ВМ-К РА12ВН-К ТФ2СА-12В РА5ВН-К
аналог smd mosfet

Резюме: Конденсатор 4700 мкФ SMD 6 PIN IC ДЛЯ PWM резистор smd паразитная емкость sk15 усилитель mosfet 2n7000 mosfet SMD 6 PIN IC для PWM smd ic SUPERVISOR RESET 1 Вт драйвер светодиодов SMD ic smd конденсатор распиновка
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF ХВ9606ДБ1 ХВ9606ДБ1 ХВ9606 350 мВт. 150 мВт. 500 мВт. СМД-0805 аналог smd мосфет конденсатор 4700мкФ SMD 6 PIN IC для PWM паразитная емкость резистора smd ск15 усилитель мосфет 2n7000 MOSFET SMD 6 PIN IC для PWM smd ic СУПЕРВАЙЗЕР СБРОС 1 Вт светодиодный драйвер SMD ic распиновка смд конденсатора
CY78991

Резюме: upd76f0047 UPD76F uPD76F00 IE-V850ES-GS1 IEV850ES-GS1 cy78991v PG-FP4 эквивалент gc120 PD76F00
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF
2009 — эквивалент TIC106M-S

Резюме: TIC106D-S DO92 DO-92 tic106d TIC106M-S 2009 to92 TISP4080M3LM-S Каталог Борна TIC106M
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF
YQSOCKET100SDF

Резюме: CD 5888 CA850 V850ES IE-V850ES-G1 nec Терминология операционных усилителей
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF HQPACK100SD U16879EJ1V0UM YQSOCKET100SDF YQSOCKET100SDF CD 5888 CA850 V850ES IE-V850ES-G1 Терминология операционных усилителей nec
CD 5888 КБ

Реферат: uPD703191 CD 5888 tip71 v850es/sj3 uPC393 IE-V850ES-G1 диод P710 диод p711 PCT398
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF
2003 — CLK180

Аннотация: VHDL-код DS485 для DCM
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF DS485 CLK180 vhdl-код для DCM
1N4148 КОМПЛЕКТ ДЛЯ СМД

Реферат: 1N4148 эквивалент SMD 1N4148 sod123 эквивалент диода 1n4148 1N4148 эквивалент DL-35 для стабилитрона 1N4148 1N4148 SMD sot23 ПАКЕТ 1n4148 smd диод smd 1a 100v диодный мост Panasonic PPS пленка
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF ХВ9906ДБ3 ХВ9906ДБ3 ХВ9906 СМД1206 СМД0805 1N4148 СМД ПАКЕТ 1N4148 аналог SMD 1Н4148 сод123 Диод эквивалент 1n4148 1Н4148 ДЛ-35 эквивалент для стабилитрона 1N4148 1Н4148 СМД сот23 КОМПЛЕКТ 1н4148 смд диод smd 1a 100v диодный мост Пленка Panasonic PPS
2002 — 1N4148 сод123

Резюме: 1N4148, эквивалентный SMD-диод, эквивалентный 1n4148 1N4148 SMD PACKAGE, эквивалент упаковки DL-41 для стабилитрона 1N4148, эквивалентный диоду 1n4148, мостовой диод 1N4148 SMD, 1N4148 DL-35, пленка Panasonic PPS
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF ХВ9906ДБ3 ХВ9906ДБ3 ХВ9906 ХВ9906 СМД1206 СМД0805 1Н4148 сод123 1N4148 аналог SMD Диод эквивалент 1n4148 1N4148 СМД ПАКЕТ Пакет ДЛ-41 эквивалент для стабилитрона 1N4148 Диодный эквивалент моста 1n4148 диод 1N4148 для поверхностного монтажа 1Н4148 ДЛ-35 Пленка Panasonic PPS
2003 — на2х

Резюме: DF211 AA44 na4x AMI350HXSC DL011 DL021 sce 08-40 ami-350 AA2X
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF АМИ350HXSC na2x ДФ211 АА44 на4х DL011 DL021 сц 08-40 ами-350 АА2Х
1N4148 СОД323

Реферат: Диод Эквивалент 1n4148 HV9906DB6 BYD77D Стабилитрон 1n4148 smd-3528 Аналог 1N4148 SMD 1N4148 SMD ПАКЕТ 2,2 мкФ 100В BYD77G
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF ХВ9906ДБ6 ХВ9906ДБ6 ХВ9906 СМД0805 СМД0603 ДЛ-41 1N4148 СОД323 Диод эквивалент 1n4148 BYD77D стабилитрон 1н4148 СМД-3528 1N4148 аналог SMD 1N4148 СМД ПАКЕТ 2,2 мкФ 100В BYD77G
1N4148 СОД323

Реферат: 1N4148 SMD PACKAGE HV9906DB6 sot87 BYD77D philips 1n4148 SMD стабилитрон 4. 7V SMD3528 танталовый конденсатор SMD3528 конденсатор 0.01 мкФ 400v
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF ХВ9906ДБ6 ХВ9906ДБ6 ХВ9906 СМД0805 СМД0603 ДЛ-41 1N4148 СОД323 1N4148 СМД ПАКЕТ сот87 BYD77D Philips 1n4148 для поверхностного монтажа стабилитрон 4,7В Танталовый конденсатор SMD3528 СМД3528 конденсатор 0.01 мкФ 400В
молекс 2759Т 08-50

Реферат: Провод WIESON 2510c888-001 1007 AWG24 Socket 754 C1100 AMD Athlon Socket 754 Dow Corning 340 Радиатор Socket 478 Dow Corning AMD Athlon 5000 k8
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF ФХС-А7015А40/ФХС-А7015Б40 28oC/Вт С1100 СК102 288А0404 молекс 2759Т 08-50 ВИСОН 2510c888-001 провод 1007 AWG24 Сокет 754 АМД атлон сокет 754 Доу Корнинг 340 гнездо радиатора 478 Доу Корнинг АМД Атлон 5000 к8
2004 — Недоступно

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF ГТ1-1С-2428 ГТ1-1С-30 ГТ1-1С-2022 ГТ1-1П-30 ГТ1-1П-2428
1N4148 КОМПЛЕКТ ДЛЯ СМД

Реферат: 1N4148 sod123 100uH SMD 105k 250v конденсатор пленочный 105k 250v 1N4148 DL-35 PNP 200V 2A SOT89Диод эквивалентный 1n4148 TVS DIODE 6K 1N4148_SOD-123
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF ХВ9906ДБ4 ХВ9906ДБ4 750 мА. ХВ9906 СМД0805 1N4148 СМД ПАКЕТ 1Н4148 сод123 100 мкГн для поверхностного монтажа конденсатор 105к 250в фильм 105к 250в 1Н4148 ДЛ-35 ПНП 200В 2А СОТ89 Диод эквивалент 1n4148 ТВС ДИОД 6K 1Н4148_СОД-123
1N4148 СОД323

Реферат: 1N4148 SMD КОМПАКТНЫЙ стабилитрон 4. 7V BYD77D SMD3528 танталовый конденсатор 1N4148 SMD ст микроэлектроника smd стабилитрон philips 1n4148 SMD BYD77D 200V/2A HV9906ДБ6
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF ХВ9906ДБ6 ХВ9906ДБ6 ХВ9906 СМД0805 СМД0603 1N4148 СОД323 1N4148 СМД ПАКЕТ стабилитрон 4,7В BYD77D Танталовый конденсатор SMD3528 1Н4148 СМД ст микроэлектроника smd стабилитрон Philips 1n4148 для поверхностного монтажа БИД77Д 200В/2А
ФМ0х324З

Реферат:
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF ФМК0х434ЗТП( ФМ0х324З FM0V224ZTP ФМК0х204З ФМК0х434ЗТП ФМЭ0х323З ФМ0х573З ФМ0х203З ФМ0х203ЗТП ФМ0х204З ФМ0х204ЗТП

Предыдущий 1 2 3 … 23 24 25 Далее

транзистор%20c%205802 спецификация и примечания по применению

Модель ECAD Производитель Описание Техническое описание Скачать Купить Часть org/Product»> SCT3030AL РОМ Полупроводник 650 В, 70 А, THD, траншейная структура, карбидокремниевый (SiC) МОП-транзистор SCT3060AL РОМ Полупроводник 650 В, 39 А, THD, траншейная структура, карбидокремниевый (SiC) МОП-транзистор SCT3080KR РОМ Полупроводник 1200 В, 31 А, 4-контактный THD, траншейная структура, карбид кремния (SiC) MOSFET org/Product»> SCT3105KLHR РОМ Полупроводник 1200 В, 24 А, THD, траншейная конструкция, карбидокремниевый (SiC) МОП-транзистор для автомобильной промышленности SCT3022ALHR РОМ Полупроводник 650 В, 93 А, THD, траншейная структура, карбидокремниевый (SiC) МОП-транзистор для автомобильной промышленности SCT3040KLHR РОМ Полупроводник 1200 В, 55 А, THD, траншейная конструкция, карбидокремниевый (SiC) МОП-транзистор для автомобильной промышленности

транзистор%20c%205802 Листы данных Context Search

org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»>

alexxlab

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Каталог Лист данных MFG и тип ПДФ Теги документов
хб*9Д5Н20П

Реферат: khb9d0n90n 6v стабилитрон khb * 2D0N60P транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема ktd998 транзистор
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E хб*9Д5Н20П khb9д0н90н 6В стабилитрон хб*2Д0Н60П транзистор КХБ7Д0Н65Ф Транзистор BC557 киа*278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н транзистор ктд998
КИА78*ПИ

Реферат: Транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2Н3904хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004АФ ТРАНЗИСТОР мосфет КИА7812АПИ хб*2Д0Н60П
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E КИА78*пи транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004AF ТРАНЗИСТОР MOSFET KIA7812API хб*2Д0Н60П
2SC4793 2sa1837

Реферат: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn to-220 эквивалент 2sc5198 транзистор 2SC5359 2SC5171 транзистор эквивалент NPN транзистор
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2СК5200, 2СА1943, 2СК5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn к-220 эквивалент 2sc5198 транзистор 2SC5359 эквивалент транзистора 2SC5171 НПН-транзистор
транзистор

Реферат: Транзистор ITT BC548 pnp транзистор pnp BC337 pnp транзистор pnp bc547 транзистор BC327 NPN транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 TRANSISTOR PNP
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF 2Н3904 2Н3906 2Н4124 2Н4126 2N7000 2Н7002 до н. э.327 до н.э.328 до н.э.337 до н.э.338 транзистор транзистор ИТТ BC548 п-н-п транзистор транзистор п-н-п BC337 п-н-п транзистор pnp bc547 транзистор BC327 NPN-транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2н3904 ТРАНЗИСТОР ПНП
Ч520Г2

Реферат: Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47к 22к ПНП НПН ФБПТ-523 Ч521Г2-30ПТ npn переключающий транзистор 60в транзистор Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500ма 100ма Ч4904Т1ПТ
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF А1100) QFN200 ЧДТА143ЕТ1ПТ ФБПТ-523 100 мА ЧДТА143ЗТ1ПТ ЧДТА144ТТ1ПТ CH520G2 Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47k 22k PNP NPN ФБПТ-523 Ч521Г2-30ПТ npn-переключающий транзистор 60 В транзистор Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904Т1ПТ
транзистор 45 f 122

Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 tlp 122 634 транзистор транзистор ac 127 TRANSISTOR транзистор 502 транзистор f 421
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор переменного тока 51 Моск 3021 СИМИСТОР 136 тлп 122 634 транзистор транзистор переменного тока 127 ТРАНЗИСТОР транзистор 502 транзистор ф 421
СТХ12С

Реферат: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N ​​2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 фн651 SLA4037 sla1004 СТВ-34Д SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Варистор RU

Реферат: Транзистор СЭ110Н 2SC5487 2SA2003 Транзистор СЭ090Н высоковольтный Транзистор СЭ090 РБВ-406 2SC5586
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор RU SE110N транзистор 2SC5487 2SA2003 SE090N высоковольтный транзистор SE090 РБВ-406 2SC5586
К2Н4401

Резюме: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 Q2N1132 D1N750 D02CZ10 D1N751
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF РД91ЭБ Q2N4401 Д1Н3940 Q2N2907A Д1Н1190 Q2SC1815 Q2N3055 Q2N1132 Д1Н750 D02CZ10 Д1Н751
фн651

Реферат: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 фн651 СТВ-34Д 2SC5586 ХВР-1х7 STR20012 sap17n 2сд2619 РБВ-4156Б SLA4037 2ск1343
2SC5471

Реферат: 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий транзистор PNP
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 А1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 транзистор 2са1015 транзистор 2sc1815 Транзистор 2SA970 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP
Мосфет ФТР 03-Е

Резюме: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона DTC114EVA DTC143EF V/65e9 транзистор транзистор 2SC337
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF 2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Мосфет FTR 03-E мт 1389 фе 2СД122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона DTC114EVA DTC143EF Транзистор V/65e9 транзистор 2SC337
фгт313

Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A диод SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096 диодов ry2a
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 фгт313 транзистор фгт313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 фгт412 РБВ-3006 ФМН-1106С SLA5096 диод ry2a
транзистор 91 330

Реферат: tlp 122 ТРАНЗИСТОР TLP635F 388 транзистор R358 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF 4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6Н136 6Н137 6Н138 6Н139 CNY17-L CNY17-M транзистор 91 330 тлп 122 ТРАНЗИСТОР TLP635F 388 транзистор Р358 395 транзистор транзистор ф 421 IC 4N25 симистор 40 РИА 120
1999 — Системы горизонтального отклонения телевизора

Реферат: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 TV горизонтальные системы отклонения 25 транзистор горизонтальная секция tv Горизонтальное отклонение переключающие транзисторы TV горизонтальные системы отклонения mosfet CRT TV электронная пушка горизонтальная секция в элт-телевидение TV трансформатор обратного хода
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 16 кГц 32 кГц, 64 кГц, 100 кГц. Системы горизонтального отклонения телевизора РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА Ан363 Системы горизонтального отклонения телевизора 25 транзистор горизонтальной секции телевизор Переключающие транзисторы с горизонтальным отклонением Мосфет системы горизонтального отклонения телевизора ЭЛТ ТВ электронная пушка горизонтальная секция в ЭЛТ-телевизоре Обратный трансформатор для телевизора
транзистор

Аннотация: силовой транзистор npn к-220 PNP СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР TO220 транзистор PNP демпферный диод транзистор Дарлингтона 2SD2206A силовой транзистор npn транзистор дарлингтона TO220
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2СД1160 2СД1140 2СД1224 2СД1508 2SD1631 2SD1784 2СД2481 2SB907 2СД1222 2СД1412А транзистор силовой транзистор npn к-220 СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР PNP TO220 транзистор PNP демпферный диод Транзистор Дарлингтона 2СД2206А силовой транзистор нпн дарлингтон транзистор ТО220
1999 — транзистор

Реферат: POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип n-канальный полевой массив Низкочастотный силовой транзистор транзистор mp40 TRANSISTOR P 3 high hfe транзистор список
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF X13769XJ2V0CD00 О-126) МП-25 О-220) МП-40 МП-45 МП-45Ф О-220 МП-80 МП-10 транзистор МОЩНЫЙ МОП-транзистор FET 2sj 2sk транзистор 2ск тип 2СК n-канальный полевой массив Силовой низкочастотный транзистор транзистор мп40 ТРАНЗИСТОР Р 3 высокочастотный транзистор список
транзистор 835

Реферат: Усилитель на транзисторе BC548 TRANSISTOR регулятор АУДИО Усилитель на транзисторе BC548 транзистор 81 110 w 85 транзистор 81 110 w 63 транзистор транзистор 438 TRANSISTOR GUIDE транзистор 649
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF БК327; БК327А; до н. э.328 БК337; БК337А; до н.э.338 до н.э.546; до н.э.547; до н.э.548 до н.э.556; транзистор 835 Усилитель на транзисторе BC548 ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор Усилитель ЗВУКА на транзисторе BC548 транзистор 81 110 Вт 85 транзистор 81 110 Вт 63 транзистор транзистор 438 ТРАНЗИСТОР РУКОВОДСТВО транзистор 649
2002 — SE012

Реферат: SE090 SE140N SE115N диод 2SC5487 sta474a 8050e SE110N SLA-7611
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 SE090 SE140N SE115N диод 2SC5487 sta474a 8050е SE110N SLA-7611
2SC5586

Реферат: транзистор 2SC5586 диод RU 3AM 2SA2003 диод СВЧ однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A 2SC5487 RG-2A диод Dual MOSFET 606 TFD312S-F
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод для микроволновой печи однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A 2SC5487 Диод РГ-2А Двойной МОП-транзистор 606 ТФД312С-Ф
PWM ИНВЕРТОРНЫЙ сварочный аппарат

Реферат: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 демпфирующий конденсатор powerex инвертор сварочная схема kd2245 kd224510 примечания по применению транзистор KD221K75
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF
варикап диоды

Реферат: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Hitachi SAW Фильтр gsm-модуль с микроконтроллером P-канальный MOSFET Транзисторы MOSFET P-канальный Mosfet-транзистор Hitachi Низкочастотный силовой транзистор VHF FET LNA
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF PF0032 PF0040 PF0042 ПФ0045А PF0065 ПФ0065А HWCA602 HWCB602 ХВКА606 HWCB606 варикапные диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Хитачи ПАВ Фильтр gsm модуль с микроконтроллером p-канальный мосфет Транзисторы mosfet p канал МОП-транзистор хитачи Силовой низкочастотный транзистор УКВ Фет лна
Транзистор мощности телевизора, техническое описание

Реферат: силовой транзистор 2SD2599 эквивалент 2SC5411 транзистор 2sd2499 транзистор 2Sc5858 эквивалент 2SC5570 компоненты в горизонтальном выходе 2SC5855
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Технический паспорт силового транзистора телевизора силовой транзистор Эквивалент 2SD2599 транзистор 2sd2499 транзистор эквивалент 2Sc5858 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе 2SC5855
2009 — 2sc3052ef

Реферат: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА КОД s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводниковый перекрестный справочник toshiba smd код маркировки транзистора
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 24 ГГц BF517 Б132-Х8248-Г5-С-7600 2sc3052ef 2н2222а СОТ23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 смд 1N4148 СОД323 полупроводниковая перекрестная ссылка toshiba smd маркировка код транзистора