Слои транзистора, как внутренний, так и наружный, объединены с встроенными электродами, которые имеют свои названия в виде базы, эмиттера и коллектора.

Особых отличий по видам проводимости у коллектора и эмиттера не наблюдается, однако процент включения примесей у коллектора намного меньше, что позволяет повысить допустимое напряжение на выходе.

Средний слой полупроводника (база) имеет большую величину сопротивления, так как выполнена из слаболегированного материала. Она контактирует с коллектором на значительной площади. Это позволяет повысить теплоотвод, который необходим вследствие выделения тепла от смещения перехода в другую сторону. Хороший контакт базы с коллектором дает возможность легко проходить электронам, которые являются неосновными носителями.

Слои перехода выполнены по одному принципу. Однако биполярные транзисторы считаются несимметричными приборами. При чередовании крайних слоев местами с одной проводимостью нельзя образовать подобные параметры полупроводника.

Схемы подключения транзисторов выполнены таким образом, что могут обеспечить ему как закрытое, так и открытое состояние. При активной работе, когда полупроводник открыт, смещение эмиттера выполнено в прямом направлении. Для полного понимания этой конструкции, нужно подключить напряжение питания по изображенной схеме.

При этом граница на 2-м переходе коллектора закрыта, ток через нее не идет. Практически возникает обратное явление ввиду рядом расположенных переходов, их влияния друг на друга. Так как к эмиттеру подсоединен минусовой полюс батареи, то переход открытого вида дает возможность электронам проходить на базу, в которой осуществляется их рекомбинация с дырками, являющимися главными носителями. Появляется ток базы I_б. Чем выше базовый ток, тем больше выходной ток. В этом заключается принцип действия усилителей.

По базе протекает только диффузионное движение электронов, так как нет работы электрического поля. Из-за малой толщины этого слоя и значительном градиенте частиц, практически все они поступают на коллектор, хотя база имеет большое сопротивление. На переходе имеется электрическое поле, которое способствует переносу и втягивает их. Токи эмиттера и коллектора одинаковые, если не считать малой потери заряда от перераспределения на базе: I _э = I _б + I _к.

• Коэффициент усиления тока β = I_к / I_б.
• Коэффициент усиления напряжения U_эк / U_бэ.
• Сопротивление на входе.
• Характеристика частоты – возможность работы транзистора до определенной частоты, при выходе за границы которой процессы перехода опаздывают за изменением сигнала.

Вид схемы влияет на режим действия биполярного транзистора. Сигнал может сниматься и отдаваться в двух местах для разных случаев, а электродов имеется три штуки. Следовательно, что один произвольный электрод должен быть сразу выходом и входом. По такому принципу подключаются все биполярные транзисторы, и имеют три вида схем, которые мы рассмотрим ниже.

Сигнал проходит на сопротивление R_L, которое также включено в цепь коллектора.

Такая схема подключения дает возможность создать всего лишь усилитель по току. Достоинством такого эмиттерного повторителя можно назвать образование значительного сопротивления на входе. Это дает возможность для согласования каскадов усиления.

Сигнал входа проходит через С₁, далее снимается в цепи выхода коллектора, где базовый электрод общий. В итоге образуется усиление напряжения по подобию с общим эмиттером.

В схеме можно найти недостаток в виде малого входного сопротивления. Схема с общей базой используется чаще всего в качестве генератора колебаний.

Чаще всего при использовании биполярных транзисторов выполняют схему с общим эмиттером. Напряжение проходит по сопротивлению нагрузки R_L, к эмиттеру питание подключается отрицательным полюсом.

Сигнал переменного значения приходит на базу и эмиттер. В цепи коллектора он становится по значению больше. Главными элементами схемы являются резистор, транзистор и выходная цепь усилителя с источником питания. Дополнительными элементами стали: емкость С₁, которая не дает пройти току на вход, сопротивление R₁, благодаря которому открывается транзистор.

В цепи коллектора напряжение транзистора и сопротивления равны значению ЭДС: E= Ik Rk+Vke.

Отсюда следует, что малым сигналом Ec определяется правило изменения разности потенциалов в переменное выходное транзисторного преобразователя. Такая схема дает возможность увеличению тока входа во много раз, так же, как напряжению и мощности.

Из недостатков такой схемы можно назвать малое сопротивление на входе (до 1 кОм). Как следствие, возникают проблемы в образовании каскадов. Сопротивление выхода равно от 2 до 20 кОм.

Рассмотренные схемы показывают действие биполярного транзистора. На его работу влияет частота сигнала и перегрев. Для решения этого вопроса применяют дополнительные отдельные меры. Эмиттерное заземление образует на выходе искажения. Для создания надежности схемы, выполняют подключение фильтров, обратных связей и т.д. После таких мер, схема работает лучше, но уменьшается усиление.

Транзистор взаимодействует с сигналами разных видов во входной цепи. В основном транзистор применяется в усилителях. Входной переменный сигнал изменяет ток на выходе. В этом случае используются схемы с общим эмиттером или коллектором. В цепи выхода для сигнала необходима нагрузка.

Чаще всего для этого применяют сопротивление, установленное в цепи выхода коллектора. При его правильном выборе, значение напряжения на выходе будет намного больше, чем на входе.

Во время преобразования сигнала импульсов режим сохраняется таким же, как для синусоидальных сигналов. Качество изменения гармоник определяется характеристиками частоты полупроводников.

Этот режим образуется при снижении напряжения V_БЭ до 0,7 вольта. В таком случае переход эмиттера закрывается, и ток на коллекторе отсутствует, так как в базе отсутствуют электроны, и транзистор остается закрытым.

При подаче напряжения, достаточного для открытия транзистора, на базу, возникает малый ток входа и большой выходной ток. Это зависит от размера коэффициента усиления. В этом случае транзистор работает усилителем.

Эта работа имеет свои отличия от активного режима. Полупроводник открывается до конца, коллекторный ток достигает наибольшего значения. Его повышения можно добиться только путем изменения нагрузки, либо ЭДС выходной схемы. При корректировке тока базы ток коллектора не изменяется. Режим насыщения имеет особенности в том, что транзистор открыт полностью и работает переключателем. Если объединить режимы насыщения и отсечки биполярных транзисторов, то можно создать ключи.

Свойства характеристик выхода влияют на режимы. Это изображено на графике.

При отложении на осях координат отрезков, соответствующих наибольшему току коллектора и размеру напряжения, и далее, объединения концов друг с другом, образуется красная линия нагрузки. По графику видно: точка тока и напряжения сместится по линии нагрузки вверх при повышении базового тока.

Участок между заштрихованной характеристикой выхода и осью Vke является работа отсечки. В этом случае транзистор закрыт, а обратная величина тока мала. Характеристика в точке А вверху пересекается с нагрузкой, после которой при последующем повышении I_В ток коллектора уже не меняется. На графике участком насыщения является закрашенная часть между осью Ik и наиболее крутым графиком.

Транзисторные ключи служат для бесконтактных переключений в электрических цепях. Эта работа заключается в прерывистой регулировке величины сопротивления полупроводника. Биполярные транзисторы наиболее применимы в устройствах переключения.

Полупроводники применяются в схемах изменения сигналов. Их универсальная работа и широкая классификация дает возможность использовать транзисторы в различных цепях, которые определяют их возможности работы. Основными применяемыми схемами являются усиливающие, а также переключающие цепи.

Похожие темы:

4.5. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ | Политех в Сети

Транзистор – это полупроводниковый прибор с двумя электронно-дырочными переходами. Две крайние области полупроводникового кристалла однотипной проводимости разделены областью противоположной проводимости, как показано на рис. 4.13. Поскольку ток в полупроводниковых транзисторах обусловлен двумя типами носителей зарядов, то транзисторы называются биполярными. Биполярные транзисторы бывают

Рис.4.13. Структура и обозначение биполярных транзисторов

Средняя область транзистора называется базой. Левая на рисунке область транзистора называется эмиттер, правая — коллектор. Переход эмиттер-база называется эмиттерным переходом. Переход коллектор-база называется коллекторным переходом. Назначение эмиттера – инжекция подвижных носителей заряда, а коллектора – их экстракция.

На каждый

Режим отсечки. В этом режиме на оба

Режим насыщения. В этом режиме на оба

Активный режим. В этом режиме на эмиттерный переход подано прямое напряжение, а на коллекторный – обратное напряжение.

Инверсный активный режим. В этом режиме на эмиттерный переход подано обратное напряжение, а на коллекторный – прямое напряжение.

Режим отсечки и насыщения характерен для транзисторов, работающих в ключевом режиме. В режиме отсечки оба

Инверсный активный режим используется достаточно редко.

В активном режиме к эмиттерному переходу источник питания подключается в прямом направлении, а к коллекторному — в обратном, как показано на рис. 4.14. В активном режиме работают транзисторы усилителей электрических сигналов.

Рис. 4.14.Механизм возникновения токов в транзисторе

Рассмотрим работу биполярного транзистора в активном режиме. Под влиянием напряжения, приложенного к эмиттерному переходу, потенциальный барьер на эмиттерном переходе уменьшается и начинается диффузия дырок из эмиттера в область базы, а электронов из базы в область эмиттера, то есть через переход начинает протекать ток. Источник питания к коллекторному переходу подключается в обратном направлении и коллекторный переход смещен в обратном направлении. При этом создается ускоряющее электрическое поле для дырок, достигающих коллекторного перехода. В случае

Движение носителей тока в транзисторе приводит к появлению токов во внешней цепи. Ток коллектора течет по цепи: плюс источника

Токи в транзисторе связаны следующим соотношением:

Доля носителей зарядов, инжектированных эмиттером в базу и достигших вследствие диффузии коллектора, оценивается статическим коэффициентом передачи эмиттерного тока:

Величина которого для современных транзисторов составляет примерно

Другим параметром транзистора является статический коэффициент передачи базового тока:

Связь между

Поскольку

В транзисторе к составляющей коллекторного тока, обусловленной потоком инжектируемых эмиттером дырок, прибавляется составляющая обратного (теплового) тока коллекторного перехода

При выяснении механизма протекания токов в транзисторе

На основе биполярных транзисторов создают усилители электрических сигналов. Сопротивление коллекторного перехода, смещенного в обратном направлении, намного больше сопротивления эмиттерного перехода. Для получения максимальной мощности в нагрузке необходимо согласовать сопротивление коллекторной нагрузки с выходным сопротивлением транзистора. Для этого сопротивление в цепи коллектора должно быть достаточно большим (в реальных схемах усилителей единицы килоом). При этом напряжение источника коллекторной батареи должно составлять единицы-десятки вольт. Если в цепь эмиттерного перехода включить источник переменного управляющего напряжения (источник сигнала), то через транзистор наряду с постоянными токами начнут протекать переменные составляющие токов базы

Мощность переменного тока на выходе в коллекторной цепи будет равна:

Переменное напряжение на выходе в коллекторной цепи будет составлять при этом единицы вольт. А для эффективного управления эмиттерным переходом достаточны уровни управляющего напряжения равные нескольким значениям температурного потенциала

4.5.1. Статические характеристики биполярных транзисторов.

При включении в цепь коллектора сопротивления нагрузки напряжение на коллекторном переходе меняется с изменением коллекторного тока за счет падения напряжения на сопротивлении нагрузки. В этом случае ток коллектора становится функцией двух одновременно меняющихся факторов. Ток коллектора зависит от напряжения на коллекторе и от тока базы:

В свою очередь ток базы зависит от потенциала базы относительно эмиттера и от напряжения на коллекторе:

Зависимость токов транзистора от двух меняющихся факторов значительно затрудняет анализ. Поэтому вначале рассмотрим работу транзистора в статическом режиме, то есть при отсутствии сопротивления нагрузки в цепи коллектора. В этом случае напряжения на коллекторном и эмиттерном переходах будут постоянными при изменении токов в транзисторе. При этом свойства транзистора можно характеризовать графическими зависимостями токов, называемых статическими характеристиками.

В зависимости от того, какой из электродов является общим для входной и выходной цепей, различают три схемы включения биполярного транзистора, показанные на рис.4.15: с общим эмиттером (ОЭ), с общей базой (ОБ) и с общим коллектором (ОК).

а б в

Рис. 4.15. Схемы включения биполярного транзистора:

А — с общим эмиттером; Б – С общей базой; В – с общим коллектором.

В транзисторах между собой связаны четыре величины: входные и выходные токи и входные и выходные напряжения. При этом для каждой схемы включения транзистора можно представить два семейства статических вольтамперных характеристик – входные и выходные. Входные статические характеристики представляют собой зависимость входного тока от входного напряжения при постоянном выходном напряжении:

Выходные статические характеристики — это зависимость выходного тока от выходного напряжения при постоянном входном напряжении:

Для каждой их трех схем включения существуют свои семейства характеристик. Входные и выходные характеристики транзистора имеют тесную связь с вольтамперной характеристикой диода. Действительно, входные характеристики относятся к эмиттерному переходу, работающему при прямом напряжении смещения на переходе. Поэтому они аналогичны характеристикам, представляющим зависимость прямого тока диода от напряжения. Выходные характеристики подобны характеристике обратного тока диода, так как они отображают свойства коллекторного перехода, работающего при обратном напряжении смещения.

Для снятия статических характеристик в любой схеме включения транзистора необходимо иметь регулируемые источники постоянного напряжения для изменения напряжений на эмиттерном и коллекторном переходах, два вольтметра и два миллиамперметра для измерения изменений входного и выходного напряжений и токов.

Входные статические характеристики транзистора в схеме с общей базой представляют собой зависимости тока эмиттера от напряжения на эмиттерном переходе при постоянном напряжении на коллекторном переходе:

На рис. 4.16 представлены три входные характеристики

Характеристика при

Рис. 4.16. Входные статические характеристики транзистора в схеме с общей базой

С увеличением отрицательных напряжений на коллекторном переходе увеличивается ширина запорного слоя, а толщина базы становится меньше, что ускоряет прохождение дырок эмиттера через базу в область коллектора, поэтому ток эмиттера несколько увеличивается и характеристики располагаются левее. Это так называемый эффект модуляции толщины базы. По входным характеристикам можно рассчитать входное сопротивление транзистора как отношение приращения напряжения к приращению тока, взяв две точки на одной из характеристик:

Входное сопротивление транзистора в схеме с ОБ мало и составляет единицы-десятки Ом, потому что эмиттерный переход смещен в прямом направлении и малые изменения напряжения на нем вызывают большие изменения тока эмиттера.

Выходные статические характеристики

Рис. 4.17. Выходные статические характеристики транзистора в схеме с общей базой

Характеристика, снятая при

Выходное сопротивление в схеме с общей базой велико и может составлять сотни килом — единицы мегом.

Коэффициент передачи эмиттерного тока в схеме с общей базой можно рассчитать по выходным статическим характеристикам:

Поскольку

Статические входные характеристики транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, представляют собой зависимости

Входные статические характеристики

Рис. 4.18. Входные статические характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером

Из характеристик видно, что с увеличением прямого напряжения на эмиттерном переходе увеличивается ток базы, поскольку с увеличением прямого напряжения увеличивается количество дырок, переходящих из эмиттера в базу, и увеличивается вероятность рекомбинации.

Изменение напряжения на коллекторе относительно эмиттера также влияет на величину тока базы. С увеличением отрицательного напряжения на коллекторе ток базы уменьшается. Это вызвано эффектом модуляции толщины базы. При этом характеристики смещаются немного вправо.

По входным статическим характеристикам можно рассчитать входное сопротивление транзистора:

Входное сопротивление транзистора в схеме с общим эмиттером мало и составляет сотни ом – единицы килоом.

Выходные статические характеристики транзистора в схеме ОЭ представляют собой зависимости

Семейство выходных статических характеристик приведено на рис. 4.19. При токе базы равном нулю через транзистор протекает обратный ток неосновных носителей. С увеличением тока базы пропорционально увеличивается ток коллектора.

Рис. 4.19. Выходные статические характеристики

В схеме с ОЭ напряжение, приложенное к переходу коллектор-база, равно

Выходное сопротивление транзистора в схеме с ОЭ составляет единицы-десятки килоом.

По выходным статическим характеристикам можно рассчитать коэффициент усиления тока базы в схеме с ОЭ :

Схема с ОЭ отличается большим усилением по току, то есть небольшие приращения тока базы на входе вызывают большие приращения тока коллектора на выходе. Вместе с тем, схема с ОЭ обладает усилением по напряжению, так как благодаря большому выходному сопротивлению в цепь коллектора можно включать достаточно большое сопротивление, падение напряжения на котором будет значительно больше напряжения, поданного на вход.

Схема с общим коллектором имеет много общего со схемой с ОЭ. В этих схемах управляющим током является ток базы, а выходные токи

Входное семейство характеристик схемы с ОК по сравнению с семейством характеристик схемы с ОЭ будет сдвинуто вправо на величину напряжения на коллекторном переходе.

4.5.2. Параметры и свойства биполярных транзисторов.

Биполярные транзисторы управляются током при изменении напряжения на эмиттерном переходе. Поэтому они отличаются не очень большой величиной входного сопротивления. В схеме с ОБ величина входного сопротивления составляет единицы-десятки Ом, в схеме с ОЭ – сотни Ом — единицы килоом. Малое входное сопротивление нагружает источники сигналов.

Важными параметрами транзисторов, которые обязательно приводят в паспортных данных, являются максимальное напряжение на коллекторе и допустимая мощность рассеяния. Так как токи коллекторного и эмиттерного переходов примерно одинаковы, то выделяемая на переходе мощность определяется падением напряжения на

Максимально допустимое напряжение на коллекторе – это предельное значение напряжения на коллекторном переходе, при превышении которого происходит пробой перехода и транзистор выходит из строя. Рабочее напряжение на коллекторе должно быть равно или меньше максимально допустимого значения.

Биполярные транзисторы разных типов различаются по своим частотным свойствам. Частотные свойства биполярных транзисторов зависят от нескольких факторов. На высоких частотах время перехода носителей тока через область базы становится соизмеримым с периодом высокочастотного электрического сигнала. Это приводит к уменьшению коэффициента передачи эмиттерного тока и заметному сдвигу по фазе между токами эмиттера и коллектора.

Другой причиной, ограничивающей частотные возможности транзисторов, являются паразитные емкости эмиттерного и коллекторного переходов. Величина этих емкостей небольшая – единицы – десятки пикофарад. Емкость эмиттерного перехода в схеме усилителя подключена параллельно источнику входного сигнала, а емкость коллекторного перехода – параллельно нагрузке. С изменением частоты изменяется емкостное сопротивление. Емкость коллекторного перехода шунтирует сопротивление нагрузки, уменьшая сопротивление нагрузки и, следовательно, уменьшая усиление каскада.

Частотные свойства транзисторов зависят также и от подвижности носителей тока. Подвижность – это скорость, приобретаемая носителем тока в электрическом поле с напряженностью 1В/см. Подвижность электронов в два раза выше подвижности дырок, поэтому транзисторы

Для оценки частотных свойств транзисторов вводится такой параметр, как граничная частота коэффициента усиления тока в схеме с ОЭ. Это такая частота, на которой модуль коэффициента усиления по току становится равным 1. Граничные частоты современных биполярных транзисторов составляют единицы гигагерц.

Характеристики транзистора подвержены влиянию температуры. При увеличении температуры электронам валентной зоны полупроводника сообщается дополнительная энергия и увеличивается количество электронов, которые переходят из валентной зоны в зону проводимости. Вследствие этого увеличивается количество как основных, так и неосновных носителей тока. Кроме того, с увеличением температуры увеличивается подвижность носителей тока. Особенно сильно влияет повышение температуры на обратный ток коллекторного перехода. Температурная зависимость этого тока выражается формулой:

Где :

Если принять

При одной и той же температуре ток

4.5.3. Схемы задания режима работы транзистора по постоянному току.

Транзистор в схеме усилителя напряжения должен работать в активном режиме. Для обеспечения активного режима необходимо подать определенные постоянные напряжения для смещения эмиттерного перехода в прямом направлении и коллекторного перехода – в обратном направлении. При этом через транзистор начинают протекать постоянные составляющие токов базы, эмиттера и коллектора. При подаче на вход каскада переменного напряжения сигнала к постоянным составляющим токов добавляются переменные составляющие, повторяющие форму входного сигнала. Чтобы выделить на выходе усиленный сигнал, в цепь коллектора включают сопротивление нагрузки. Небольшие изменения напряжения сигнала на входе вызывают приращения токов базы, эмиттера и коллектора и значительные изменения переменного напряжения на выходе каскада. В схеме с ОЭ коллекторный ток получит приращение

Для подачи смещения на эмиттерный переход не нужен отдельный источник напряжения – наиболее экономично использовать для этого источник напряжения коллекторной цепи. Различают два способа подачи смещения: фиксированным током и фиксированным напряжением.

Рассмотрим простейший усилительный каскад на транзисторе P—N—P типа в активном режиме в схеме с общим эмиттером, представленный на рис. 4.20.

Рис. 4.20. Схема задания напряжения смещения фиксированным током

В активном режиме на эмиттерный переход надо подать прямое напряжение смещения, а на коллекторный – обратное. Если принять потенциал базы за нулевой, то для создания активного режима необходимо подать положительное напряжение на эмиттер, и отрицательное — на коллектор. Такой режим может обеспечить схема с фиксированным током базы. Через резистор

По входной статической характеристике можно выбрать положение рабочей точки на линейном участке и соответствующие рабочей точке напряжения

Недостатком такого способа задания смещения является нестабильность режима работы при изменении температуры и смене транзисторов.

Смещение на эмиттерный переход можно задать также фиксированным напряжением. Схема задания смещения фиксированным напряжением представлена на рис. 4.21. В этой схеме напряжение смещения на эмиттерный переход задается делителем напряжения +

Рис. 4.21. Схема задания смещения фиксированным напряжением.

Для устранения влияния тока базы на напряжение смещения необходимо выбрать резисторы делителя так, чтобы ток делителя был в несколько раз больше тока базы при максимальном сигнале. Это условие ограничивает величину резисторов, что приводит к уменьшению входного сопротивления схемы. Величина напряжения смещения на базе относительно эмиттера при этом определяется следующим выражением:

Существенным недостатком рассмотренных схем задания напряжения смещения является нестабильность положения рабочей точки при изменении температуры. С увеличением температуры концентрация основных и неосновных носителей тока увеличивается, так как большее число электронов переходит из валентной зоны в зону проводимости. Эти процессы приводят к тому, что с увеличением температуры изменяется положение и крутизна выходных статических характеристик. Для уменьшения влияния температурных изменений применяют специальные методы температурной стабилизации. Так как с увеличением температуры ток коллектора увеличивается, то в схемах температурной стабилизации воздействуют на цепи смещения так, чтобы с увеличением температуры ток коллектора автоматически уменьшался. Один из методов температурной стабилизации рабочей точки реализован в схеме, представленной на рис. 3.22.

Рис. 4.22. Схема с температурной стабилизацией рабочей точки.

В этой схеме температурная стабилизация рабочей точки осуществляется за счет падения напряжения на резисторе

Напряжение, снимаемое с резистора

При отсутствии входного переменного сигнала в схеме устанавливаются определенные постоянные напряжения на базе, эмиттере и коллекторе и протекают постоянные токи

Для переменного сигнала резистор

Где

Цепочка

4.5.4. Работа транзистора в режиме малого сигнала

Схема с общим эмиттером.

Режим работы транзистора с нагрузкой называется динамическим.

Рассмотрим отдельно каждую из трех схем включения транзистора, когда к входу подключен генератор гармонического сигнала. Схема с общим эмиттером на транзисторе

При подключении к входу каскада генератора сигналов к постоянным составляющим токов добавляются соответствующие переменные составляющие токов.

Рис. 4.23. Схема с ОЭ в динамическом режиме

Направление переменных составляющих токов по отношению к направлению постоянных составляющих будет зависеть от полярности входного сигнала. При положительной полуволне входного сигнала эмиттерный и коллекторный токи увеличиваются, так как входной сигнал смещает эмиттерный переход в прямом направлении. При этом они будут совпадать по направлению с постоянными составляющими токов. При отрицательной полярности входного сигнала переменные составляющие токов будут противоположны направлению постоянных составляющих и токи транзистора будут уменьшаться. С учетом этого переменное напряжение на коллекторе будет изменяться в противофазе по отношению к входному сигналу. Таким образом, схема с ОЭ поворачивает фазу входного сигнала на 180

Схема с ОЭ обеспечивает усиление по току и по напряжению. Коэффициент усиления тока базы для разных транзисторов составляет десятки-сотни раз. Такого же порядка и коэффициент усиления переменного напряжения сигнала. Коэффициент усиления входного сигнала по мощности может составлять десятки тысяч раз.

В динамическом режиме изменение переменного напряжения на эмиттерном переходе вызывает соответствующее изменение переменного напряжения на коллекторном переходе. Для снятия динамической характеристики в цепь коллектора включается соответствующее сопротивление нагрузки. Из уравнения (3.49) найдем зависимость

Это уравнение прямой с угловым коэффициентом

Выходную динамическую характеристику строят на семействе выходных статических характеристик, исходя из заданных значений

Рис. 4.24. Динамическая характеристика каскада по схеме с ОЭ

По оси напряжений откладывают отрезок, равный

Схема с общей базой.

На рис. 4.25 представлена схема с общей базой.

Рис. 4.25. Каскад по схеме с общей базой

В цепь коллектора включено сопротивление нагрузки

Где

Если к входу каскада подключить генератор гармонического сигнал, то при положительной полуволне сигнала ток через транзистор будет увеличиваться, так как эмиттерный переход смещается при этом в прямом направлении, а при отрицательной полуволне – уменьшаться, так как переменная составляющая тока будет противоположна по направлению постоянной составляющей тока. Напряжение на коллекторной нагрузке в схеме с ОБ будет совпадать по фазе с напряжением входного сигнала.

Коэффициент усиления по току схемы с ОБ меньше 1, так как входным током является ток эмиттера, а выходным током – ток коллектора. Коэффициент усиления по напряжению может составлять сотни — тысячи раз.

Схема с общим коллектором

Схема с общим коллектором представлена на рис. 4.26. К входу подключен генератор гармонического сигнала. Сопротивление нагрузки в этой схеме включено в цепь эмиттера. Потенциал коллектора по переменной составляющей равен нулю.

Рис. 4.26. Схема с общим коллектором

Выходное напряжение, снимаемое с сопротивления нагрузки

Так как

Коэффициент усиления по току в этой схеме равен:

Схема с ОК дает незначительное увеличение коэффициента усиления по току по сравнению со схемой с ОЭ. Коэффициент усиления по мощности немного меньше коэффициента усиления по току.

Выясним фазовые соотношения между входным и выходным сигналом. Положительная полуволна сигнала на входе вызывает увеличение тока через транзистор и увеличение падения напряжения на сопротивлении нагрузки, а отрицательная полуволна – уменьшение тока и уменьшение напряжения на выходе. В этой схеме потенциал эмиттера с небольшой разницей отслеживает потенциал базы. Схема с ОК не инвертирует фазу входного сигнала. Схему с ОК называют еще эмиттерный повторитель, так как напряжение на выходе повторяет входное напряжение по величине и по фазе.

Особенностью схемы с ОК является большое входное сопротивление и малое выходное сопротивление. Входное напряжение больше выходного напряжения, а входной ток значительно меньше выходного тока. Поэтому:

Величина

Выходное напряжение приложено к эмиттерному переходу и небольшое изменение выходного напряжения вызывает большие изменения тока эмиттера. Поэтому

Большое значение

Устройство и принцип работы биполярного транзистора: описание, характеристики

Автор Почемучка На чтение 28 мин. Просмотров 34

Остальные электроны, которым не хватило дырок в тонкой базе, устремляются в коллектор и будут извлечены оттуда более высоким потенциалом коллекторной батареи Eк-э. Под этим воздействием электроны преодолеют второй потенциальный барьер и через батарею вернутся в эмиттер.

Здесь мы уже не будем слишком подробно останавливаться на электронах, дырках и атомах, о которых уже было рассказано в предыдущих частях статьи, но кое-что из этого, при необходимости, все же придется вспомнить.

Полупроводниковый диод состоит из одного p-n перехода, о свойствах которого было рассказано в предыдущей части статьи. Транзистор, как известно, состоит из двух переходов, поэтому полупроводниковый диод можно рассматривать как предшественник транзистора, или его половину.

Если p-n переход находится в состоянии покоя, то дырки и электроны распределяются, как показано на рисунке 1, образуя потенциальный барьер. Постараемся не забыть условные обозначения электронов, дырок и ионов, показанные на этом рисунке.

Как устроен биполярный транзистор

Устройство биполярного транзистора на первый взгляд просто. Для этого достаточно на одной пластине полупроводника, называемой базой, создать сразу два p-n перехода. Некоторые способы создания p-n перехода были описаны в предыдущих частях статьи, поэтому здесь повторяться не будем.

Если проводимость базы будет типа p, то полученный транзистор будет иметь структуру n-p-n (произносится как «эн-пэ-эн»). А когда в качестве базы используется пластина n типа, то получается транзистор структуры p-n-p («пэ-эн-пэ»).

Уж коль скоро речь зашла о базе, то следует обратить внимание на такую вещь: полупроводниковая пластина, используемая в качестве базы очень тонкая, намного тоньше, чем эмиттер и коллектор. Это утверждение следует запомнить, поскольку оно понадобится в процессе объяснения работы транзистора.

Естественно, что для соединения с «внешним миром» от каждой области p и n выходит проволочный вывод. Каждый из них имеет название области, к которой соединен: эмиттер, база, коллектор. Такой транзистор называется биполярным, поскольку в нем используются два типа носителей заряда, — дырки и электроны. Схематическое устройство транзисторов обоих типов показано на рисунке 2.

В настоящее время в большей степени применяются кремниевые транзисторы. Германиевые транзисторы почти полностью вышли из употребления, будучи вытесненными кремниевыми, поэтому дальнейший рассказ будет именно о них, хотя иногда будут упоминаться и германиевые. Большинство кремниевых транзисторов имеют структуру n-p-n, поскольку эта структура более технологична в производстве.

Комплементарные пары транзисторов

Для германиевых транзисторов, видимо, более технологичной была структура p-n-p, поэтому германиевые транзисторы большей частью имели именно эту структуру. Хотя, в составе комплементарных пар (близкие по параметрам транзисторы, которые отличались лишь типом проводимости) выпускались и германиевые транзисторы разной проводимости, например ГТ402 (p-n-p) и ГТ404 (n-p-n).

Такая пара применялась в качестве выходных транзисторов в УНЧ различной радиоаппаратуры. И если несовременные германиевые транзисторы ушли в историю, то комплементарные пары кремниевых транзисторов выпускаются до сих пор, начиная от транзисторов в SMD – корпусах и вплоть до мощных транзисторов для выходных каскадов УНЧ.

Кстати, звуковые усилители на германиевых транзисторах меломанами воспринимались почти как ламповые. Ну, может чуть и похуже, но много лучше, чем усилители на кремниевых транзисторах. Это просто для справки.

Как работает транзистор

Для того, чтобы понять, как работает транзистор нам снова придется вернуться в мир электронов, дырок, доноров и акцепторов. Правда сейчас это будет несколько проще, и даже интересней, чем в предыдущих частях статьи. Такое замечание пришлось сделать для того, чтобы не испугать читателя, позволить дочитать все это до конца.

На рисунке 3 сверху показано условное графическое обозначение транзисторов на электрических схемах, а ниже p-n переходы транзисторов представлены в виде полупроводниковых диодов, к тому же включенных встречно. Такое представление очень удобно при проверке транзистора мультиметром.

А на рисунке 4 показано внутреннее устройство транзистора.

На этом рисунке придется немного задержаться, чтобы рассмотреть его поподробнее.

Так пройдет ток или нет?

Здесь показано, как к транзистору структуры n-p-n подключен источник питания, причем именно в такой полярности, как он подключается в реальных устройствах к настоящим транзисторам. Но, если присмотреться повнимательней, то получается, что через два p-n перехода, через два потенциальных барьера ток не пройдет: как ни меняй полярность напряжения один из переходов обязательно оказывается в запертом, непроводящем, состоянии. Так что уж оставим пока все, как показано на рисунке и посмотрим, что же там происходит.

Неуправляемый ток

При включении источника тока, как показано на рисунке, переход эмиттер – база (n-p) находится в открытом состоянии и легко пропустит электроны в направлении слева – направо. После чего электроны столкнутся с закрытым переходом база эмиттер (p-n), который остановит это движение, дорога для электронов будет закрыта.

Но, как всегда и везде из всяких правил бывают исключения: некоторые особо шустрые электроны под воздействием температуры все-таки этот барьер сумеют преодолеть. Поэтому хоть и незначительный ток при таком включении все же будет. Этот незначительный ток называется начальным током или током насыщения. Последнее название вызвано тем, что в образовании этого тока участвуют всех свободные электроны, способные при данной температуре преодолеть потенциальный барьер.

Начальный ток неуправляемый, он имеется у любого транзистора, но в то же время мало зависит от внешнего напряжения. Если его, напряжение, повысить весьма значительно (в пределах разумного, обозначенного в справочниках), начальный ток особо не изменится. Зато тепловое воздействие на этот ток влияет весьма заметно.

Дальнейшее повышение температуры вызывает увеличение начального тока, что в свою очередь может привести к дополнительному нагреву p-n перехода. Такая тепловая нестабильность может привести к тепловому пробою, разрушению транзистора. Поэтому следует принимать меры по охлаждению транзисторов, и не прилагать предельных напряжений при повышенной температуре.

А теперь вспомним о базе

Описанное выше включение транзистора с оборванной базой нигде в практических схемах не применяется. Поэтому на рисунке 5 показано правильное включение транзистора. Для этого понадобилось подать на базу относительно эмиттера некоторое небольшое напряжение, причем в прямом направлении (вспомним диод, и еще раз посмотрим на рисунок 3).

Если в случае с диодом все вроде бы понятно, — открылся и через него пошел ток, то в транзисторе происходят еще и другие события. Под действием эмиттерного тока электроны устремятся в базу с проводимостью p из эмиттера с проводимостью n. При этом часть электронов заполнят дырки, находящиеся в области базы и через базовый вывод протекает незначительный ток, — ток базы Iб. Вот тут как раз и следует вспомнить, что база тонкая и дырок в ней немного.

Остальные электроны, которым не хватило дырок в тонкой базе, устремляются в коллектор и будут извлечены оттуда более высоким потенциалом коллекторной батареи Eк-э. Под этим воздействием электроны преодолеют второй потенциальный барьер и через батарею вернутся в эмиттер.

Таким образом, небольшое напряжение, приложенное к переходу база – эмиттер, способствует открыванию перехода база – коллектор, смещенному в обратном направлении. Собственно в этом и заключается транзисторный эффект.

Остается только рассмотреть, как влияет это «небольшое напряжение», приложенное к базе, на ток коллектора, каковы их величины и соотношения. Но об этом рассказ в следующей части статьи про транзисторы.

Биполярным данный транзистор называется из-за того, что в физических процессах, протекающих во время его функционирования, участвуют оба типа носителей заряда – и электроны, и дырки. Это оказывает влияние на принцип управления выходным сигналом. В биполярных транзисторах выходными параметрами управляет ток, а не электрическое поле, как в полевых (униполярных).

Основной функцией биполярного транзистора (БТ) является увеличение мощности входного электрического сигнала. Эти полупроводниковые радиокомпоненты появились, как альтернатива электровакуумных триодов, и со временем практически вытеснили их из отрасли. Справедливости ради заметим, что лампы применяются и до сих пор, но в очень и очень узком сегменте аппаратуры специального назначения. В массовой же радиотехнике используются, в основном, транзисторы – биполярные и их ближайшие «родственники» полевые.

Ключевое преимущество этих элементов состоит в миниатюрности. Электровакуумный усилитель со схожими характеристиками оказывается в несколько раз крупнее биполярного транзистора. Вследствие этого применение БТ в радиоэлектронике приводит к существенному уменьшению габаритных размеров конечной радиотехнической продукции.

Биполярным данный транзистор называется из-за того, что в физических процессах, протекающих во время его функционирования, участвуют оба типа носителей заряда – и электроны, и дырки. Это оказывает влияние на принцип управления выходным сигналом. В биполярных транзисторах выходными параметрами управляет ток, а не электрическое поле, как в полевых (униполярных).

Устройство биполярного транзистора.

Этот полупроводниковый триод состоит из 3 частей – эмиттера, коллектора и базы. Таким образом, ключевыми элементами биполярного транзистора являются два p-n-перехода, а не один, как в полевых. Эмиттер исполняет функцию генератора носителей заряда, которые формируют рабочий ток, стекающий в приёмник – коллектор. База необходима для подачи управляющего напряжения.

Если рассматривать плоскую модель БТ, то радиокомпонент представляет собой две области с p- или n-проводимостью (эмиттер и коллектор), разделённые тонким слоем полупроводника с проводимостью обратного знака (база). Полупроводниковый кристалл со стороны коллектора физически крупнее. Такое соотношение обеспечивает правильную работу биполярного транзистора.

В зависимости от типа проводимости эмиттера, коллектора и базы различают PNP- и NPN-транзисторы. В принципе, они функционируют одинаково с той лишь разницей, что к ним прикладываются напряжения разной полярности. Выбор того или иного вида БТ определяется особенностями конкретных радиотехнических устройств.

Принцип работы биполярного транзистора.

При подключении эмиттера и коллектора к источнику питания создаются почти все условия для протекания тока. Однако свободному перемещению носителей заряда препятствует база, и для устранения этой помехи на неё подаётся напряжение смещения. В базовом слое полупроводника возникают физико-химические процессы электронно-дырочной рекомбинации, в результате которой через базу начинает течь небольшой ток. В результате p-n-переходы открывают путь потоку носителей заряда от эмиттера к коллектору.

Если ток, протекающий через базу, меняется по какому-то закону, то точно так же изменяется и мощный ток между эмиттером и коллектором. Следовательно, мы получаем на выходе биполярного транзистора такой же сигнал, как и на базе, но с более высокой мощностью. В этом и состоит усилительная функция биполярного транзистора.

Режимы работы.

Существует 4 режима, в одном из которых может работать биполярный транзистор. В этот список входят следующие:

1. отсечка;
2. активный режим;
3. насыщение;
4. барьерный режим.

Существует ещё так называемый инверсный режим, но он на практике не используется и интересен только при теоретических исследованиях поведения полупроводников. Поэтому опишем подробнее только четыре первых.

1. Отсечка.

В том случае, если разность потенциалов между эмиттером и базой ниже некоторого значения (примерно 0.6 Вольт), то база-эмиттерный p-n-переход оказывается закрытым, поскольку ток базы не возникает. В связи с этим коллекторный ток не протекает по той причине, что в базовом слое отсутствуют свободные электроны. Таким образом, транзистор переходит в состояние отсечки и сигнал не усиливает. Этот режим используется в цифровых схемах, когда БТ работает как ключ в положении «разомкнуто».

2. Активный режим.

В этом режиме радиокомпонент усиливает сигнал, то есть исполняет свою основную функцию. На базу подаётся разность потенциалов, которая открывает база-эмиттерный p-n-переход. Как следствие, в транзисторе начинают протекать токи коллектора и базы. Значение коллекторного тока вычисляется как арифметическое произведение величины тока базы и коэффициента усиления.

3. Насыщение.

4. Барьерный режим.

Здесь транзистор работает как диод с последовательно включённым резистором. Для этого базу напрямую или через малоомное сопротивление соединяют с коллектором. В данном режиме триоды хорошо показывают себя в высокочастотных устройствах. Кроме того, использование транзистора в барьерном режиме целесообразно на реальном производстве для снижения общего количества комплектующих.

Схемы включения биполярных транзисторов.

Полупроводниковый триод может включаться в электрическую цепь по одной из трёх схем – с общим эмиттером, с общим коллектором и с общей базой. В зависимости от способа подключения различаются электрические параметры транзистора, что определяет выбор схемы в каждом конкретном случае.

При включении биполярного транзистора с общим эмиттером достигается максимальное усиление входного сигнала. Благодаря этому данная схема в усилительных каскадах применяется чаще всего.

Схема с общим коллектором по-другому называется эмиттерным повторителем. Это связано с тем, что разность потенциалов на коллекторе и эмиттере оказываются практически равными. При таком включении наблюдаются большое усиление по току, высокое входное сопротивление и совпадение фаз входного и выходного сигналов. Вследствие этого эмиттерные повторители используются в согласующих и буферных усилителях.

При включении БТ по схеме с общей базой отсутствует усиление по току, но значительным оказывается усиление по напряжению. Особенностью данного способа является малое влияние транзистора на сигналы высокой частоты. Это делает схему с общей базой предпочтительной для использования в устройствах СВЧ.

Основные параметры биполярных транзисторов:

При включении транзистора в режиме усиления, эмиттерный переход получается открытым, а переход коллектора закрыт. Это получается путем подключения источников питания.

Биполярный транзистор принцип работы

При включении транзистора в режиме усиления, эмиттерный переход получается открытым, а переход коллектора закрыт. Это получается путем подключения источников питания.

Поскольку эмиттерный переход открыт, то через него будет проходить эмиттерный ток, возникающий из-за перехода дырок из базы в эмиттер, а так же электронов из эмиттера в базу. Таким образом, ток эмиттера содержит две составляющие – дырочную и электронную. Коэффициент инжекции определяет эффективность эмиттера. Инжекцией зарядов именуют перенос носителей зарядов из зоны, где они были основными в зону, где они делаются неосновными.

Этот тип транзистора имеет два перехода:

Режимы работы биполярных транзисторов

Режим отсечки

Переходы закрыты, прибор не работает. Этот режим получают при обратном подключении к внешним источникам. Через оба перехода протекают обратные малые коллекторные и эмиттерные токи. Часто считается, что прибор в этом режиме разрывает цепь.

Активный инверсный режим

Является промежуточным. Переход Б-К открыт, а эмиттер-база – закрыт. Ток базы в этом случае значительно меньше токов Э и К. Усиливающие характеристики биполярного транзистора в этом случае отсутствуют. Этот режим востребован мало.

Режим насыщения

Прибор полностью открыт. Оба перехода подключаются к источникам тока в прямом направлении. При этом снижается потенциальный барьер, ограничивающий проникновение носителей заряда. Через эмиттер и коллектор начинают проходить токи, которые называют «токами насыщения».

Коэффициент beta обычно составляет 100-500. Таким образом, незначительный ток базы управляет гораздо большим током коллектора. В этом и заключается принцип работы биполярного транзистора!

Принцип работы биполярного транзистора.

Итак, транзистор содержит два p-n перехода (эмиттер-база и база-коллектор). Если не прикладывать к выводам транзистора никаких внешних напряжений, то на каждом из p-n переходов формируются области, обедненные свободными носителями заряда. Все в точности так же как здесь

В активном же режиме переход эмиттер-база (эмиттерный переход) имеет прямое смещение, а коллекторный переход – обратное.

Так как переход эмиттер-база смещен в прямом направлении, то внешнее электрическое поле будет перемещать электроны из области эмиттера в область базы. Там они частично будут вступать во взаимодействие с дырками и рекомбинировать.

Но большая часть электронов доберется до перехода база-коллектор (это связано с тем, что область базы конструктивно выполняется очень тонкой и содержит небольшой количество примесей), который смещен уже в обратном направлении. И в этом случае внешнее электрическое поле снова будет содействовать электронам, а именно помогать им проскочить в область коллектора.

В результате получается, что ток коллектора приблизительно равен току эмиттера:

Коэффициент alpha численно равен 0.9…0.99. В то же время:

А что произойдет, если мы увеличим ток базы? Это приведет к тому, что переход эмиттер-база откроется еще сильнее, и большее количество электронов смогут попасть в область коллектора (все по тому же маршруту, который мы обсудили ). Давайте выразим ток эмиттера из первой формулы, подставим во вторую и получим:

Выражаем ток коллектора через ток базы:

Коэффициент beta обычно составляет 100-500. Таким образом, незначительный ток базы управляет гораздо большим током коллектора. В этом и заключается принцип работы биполярного транзистора!

Коэффициент, связывающий величину тока коллектора с величиной тока базы называют коэффициентом увеличения по току и обозначают h_ . Этот коэффициент является одной из основных характеристик биполярного транзистора. В следующих статьях мы будем рассматривать схемы включения транзисторов и подробнее разберем этот параметр и его зависимость от условий эксплуатации.

Так как полезной является только дырочная составляющая, то электронную стараются сделать как можно меньше. Качественной характеристикой эмиттерного перехода является коэффициент инжекции.

Принцип работы транзистора

Рассмотрим на примере p-n-p транзистора.

В отсутствие внешних напряжений, между слоями устанавливается разность потенциалов. На переходах устанавливаются потенциальные барьеры. Причем, если количество дырок в эмиттере и коллекторе одинаковое, тогда и потенциальные барьеры будут одинаковой ширины.

Для того чтобы транзистор работал правильно, эмиттерный переход должен быть смещен в прямом направлении, а коллекторный в обратном. Это будет соответствовать активному режиму работы транзистора. Для того чтобы осуществить такое подключение, необходимы два источника. Источник с напряжением Uэ подключается положительным полюсом к эмиттеру, а отрицательным к базе. Источник с напряжением Uк подключается отрицательным полюсом к коллектору, а положительным к базе. Причем Uэ

Под действием напряжения Uэ, эмиттерный переход смещается в прямом направлении. Как известно, при прямом смещении электронно-дырочного перехода, внешнее поле направлено противоположно полю перехода и поэтому уменьшает его. Через переход начинают проходить основные носители, в эмиттере это дырки 1-5, а в базе электроны 7-8. А так как количество дырок в эмиттере больше, чем электронов в базе, то эмиттерный ток обусловлен в основном ими.

Эмиттерный ток представляет собой сумму дырочной составляющей эмиттерного тока и электронной составляющей базы.

Так как полезной является только дырочная составляющая, то электронную стараются сделать как можно меньше. Качественной характеристикой эмиттерного перехода является коэффициент инжекции.

Коэффициент инжекции стараются приблизить к 1.

Пока дырки пересекают базовый слой они рекомбинируют с электронами находящимися там, например, как дырка 5 и электрон 6. А так как дырки поступают постоянно, они создают избыточный положительный заряд, поэтому, должны поступать и электроны, которые втягиваются через вывод базы и образуют базовый ток Iбр. Это важное условие работы транзистора – концентрация дырок в базе должна быть приблизительно равна концентрации электронов. Другими словами должна обеспечиваться электронейтральность базы.

Количество дырок дошедших до коллектора, меньше количество дырок вышедших из эмиттера на величину рекомбинировавших дырок в базе. То есть, ток коллектора отличается от тока эмиттера на величину тока базы.

Отсюда появляется коэффициент переноса носителей, который также стараются приблизить к 1.

Коллекторный ток транзистора состоит из дырочной составляющей Iкр и обратного тока коллектора.

Обратный ток коллектора возникает в результате обратного смещения коллекторного перехода, поэтому он состоит из неосновных носителей дырки 9 и электрона 10. Именно потому, что обратный ток образован неосновными носителями, он зависит только от процесса термогенерации, то есть от температуры. Поэтому его часто называют тепловым током.

От величины теплового тока зависит качество транзистора, чем он меньше, тем транзистор качественнее.

Коллекторный ток связан с эмиттерным коэффициентом передачи тока.

Токи в транзисторе можно представить следующим образом

Основное соотношение для токов транзистора

Ток коллектора можно выразить как

Из вышесказанного можно сделать вывод, что изменяя ток в цепи база – эмиттер, мы можем управлять выходным током коллектора. Причем незначительное изменение тока базы, вызывает значительное изменение тока коллектора.

Необходимые пояснения даны, переходим к сути.

Предисловие

Поскольку тема транзисторов весьма и весьма обширна, то посвященных им статей будет две: отдельно о биполярных и отдельно о полевых транзисторах.

Транзистор, как и диод, основан на явлении p-n перехода. Желающие могут освежить в памяти физику протекающих в нем процессов здесь или здесь.

Необходимые пояснения даны, переходим к сути.

Транзисторы. Определение и история

Транзистор — электронный полупроводниковый прибор, в котором ток в цепи двух электродов управляется третьим электродом. (tranzistors.ru)

Первыми были изобретены полевые транзисторы (1928 год), а биполярные появилсь в 1947 году в лаборатории Bell Labs. И это была, без преувеличения, революция в электронике.

Очень быстро транзисторы заменили вакуумные лампы в различных электронных устройствах. В связи с этим возросла надежность таких устройств и намного уменьшились их размеры. И по сей день, насколько бы «навороченной» не была микросхема, она все равно содержит в себе множество транзисторов (а также диодов, конденсаторов, резисторов и проч.). Только очень маленьких.

Кстати, изначально «транзисторами» называли резисторы, сопротивление которых можно было изменять с помощью величины подаваемого напряжения. Если отвлечься от физики процессов, то современный транзистор тоже можно представить как сопротивление, зависящее от подаваемого на него сигнала.

В чем же отличие между полевыми и биполярными транзисторами? Ответ заложен в самих их названиях. В биполярном транзисторе в переносе заряда участвуют и электроны, и дырки («бис» — дважды). А в полевом (он же униполярный) — или электроны, или дырки.

Также эти типы транзисторов разнятся по областям применения. Биполярные используются в основном в аналоговой технике, а полевые — в цифровой.

И, напоследок: основная область применения любых транзисторов — усиление слабого сигнала за счет дополнительного источника питания.

Биполярный транзистор. Принцип работы. Основные характеристики

Помню, моей одногрупнице принцип работы биполярного транзистора объясняли на примере водопроводного крана. Вода в нем — ток коллектора, а управляющий ток базы — то, насколько мы поворачиваем ручку. Достаточно небольшого усилия (управляющего воздействия), чтобы поток воды из крана увеличился.

Еще одно явления связано с тем, что при изменении напряжений на коллекторном и эмиттерном переходах меняется их толщина. И если база черезчур тонкая, то может возникнуть эффект смыкания (так называемый «прокол» базы) — соединение коллекторного перехода с эмиттерным. При этом область базы исчезает, и транзистор перестает нормально работать.

Вторым немаловажным параметром является входное сопротивление транзистора. Согласно закону Ома, оно представляет собой отношение напряжения между базой и эмиттером к управляющему току базы. Чем оно больше, тем меньше ток базы и тем выше коэффициент усиления.

Третий параметр биполярного транзистора — коэффициент усиления по напряжению. Он равен отношению амплитудных или действующих значений выходного (эмиттер-коллектор) и входного (база-эмиттер) переменных напряжений. Поскольку первая величина обычно очень большая (единицы и десятки вольт), а вторая — очень маленькая (десятые доли вольт), то этот коэффициент может достигать десятков тысяч единиц. Стоит отметить, что каждый управляющий сигнал базы имеет свой коэффициент усиления по напряжению.

Также параметрами биполярного транзистора являются:

• обратный ток коллектор-эмиттер
• время включения
• обратный ток колектора
• максимально допустимый ток

Условные обозначения n-p-n и p-n-p транзисторов отличаются только направлением стрелочки, обозначающей эмиттер. Она показывает то, как течет ток в данном транзисторе.

Режимы работы биполярного транзистора

Схемы включения биполярных транзисторов

Схема включения с общим эмиттером

Но ко всем плюшкам схема с ОЭ имеет и существенный недостаток. Он заключается в том, что рост частоты и температуры приводит к значительному ухудшению усилительных свойств транзистора. Таким образом, если транзистор должен работать на высоких частотах, то лучше использовать другую схему включения. Например, с общей базой.

Схема включения с общей базой

В схеме с общей базой не происходит инвертирование фазы сигнала, а уровень шумов на высоких частотах снижается. Но, как уже было сказано, коэффициент усиления по току у нее всегда немного меньше единицы. Правда, коэффициент усиления по напряжению здесь такой же, как и в схеме с общим эмиттером. К недостаткам схемы с общей базой можно также отнести необходимость использования двух источников питания.

Схема включения с общим коллектором

Особенность этой схемы в том, что входное напряжение полностью передается обратно на вход, т. е. очень сильна отрицательная обратная связь.

Напомню, что отрицательной называют такую обратную связь, при которой выходной сигнал подается обратно на вход, чем снижает уровень входного сигнала. Таким образом происходит автоматическая корректировка при случайном изменении параметров входного сигнала

Коэффициент усиления по току почти такой же, как и в схеме с общим эмиттером. А вот коэффициент усиления по напряжению маленький (основной недостаток этой схемы). Он приближается к единице, но всегда меньше ее. Таким образом, коэффициент усиления по мощности получается равным всего нескольким десяткам единиц.

В схеме с общим коллектором фазовый сдвиг между входным и выходным напряжением отсутствует. Поскольку коэффициент усиления по напряжению близок к единице, выходное напряжение по фазе и амплитуде совпадает со входным, т. е. повторяет его. Именно поэтому такая схема называется эмиттерным повторителем. Эмиттерным — потому, что выходное напряжение снимается с эмиттера относительно общего провода.

Такое включение используют для согласования транзисторных каскадов или когда источник входного сигнала имеет высокое входное сопротивление (например, пьезоэлектрический звукосниматель или конденсаторный микрофон).

Два слова о каскадах

Может также возникнуть необходимость в транзисторе с хорошей чувствительностью и при этом с хорошим коэффициентом усиления. В таких случаях используют каскад из чувствительного, но маломощного транзистора (на рисунке — VT1), который управляет энергией питания более мощного собрата (на рисунке — VT2).

Другие области применения биполярных транзисторов

Транзисторы можно применять не только схемах усиления сигнала. Например, благодаря тому, что они могут работать в режимах насыщения и отсечки, их используют в качестве электронных ключей. Также возможно использование транзисторов в схемах генераторов сигнала. Если они работают в ключевом режиме, то будет генерироваться прямоугольный сигнал, а если в режиме усиления — то сигнал произвольной формы, зависящий от управляющего воздействия.

Идеальный биполярный транзистор никогда не нагревается, так как имеет совершенное охлаждение. Идеальный БТ имеет нулевые размеры, не занимает место на плате. Он не шумит. Его выходной ток строго зависит от входного, без посторонних помех.

Идеальный биполярный транзистор

Идеальный БТ имеет фиксированный, постоянный, не зависящий от тока и внешних условий, например, температуры, коэффициент передачи тока. Он не имеет внутреннего сопротивления, индуктивности, емкости. Регулирование тока происходит мгновенно, без задержки во времени.

Ток базы не зависит от напряжения, входное сопротивление стремится к нулю, то есть изменение тока базы не приводит к изменению напряжения на базе относительно эмиттера.

Идеальный биполярный транзистор никогда не нагревается, так как имеет совершенное охлаждение. Идеальный БТ имеет нулевые размеры, не занимает место на плате. Он не шумит. Его выходной ток строго зависит от входного, без посторонних помех.

Идеальный биполярный транзистор выдерживает любое напряжение и любой ток. У идеального БТ ток коллектора не зависит от напряжения коллектор — эмиттер, которое может изменяться от нуля до бесконечности.

Фото — пример

Проверка

Самый простой способ измерить h31e мощных биполярных транзисторов – это прозвонить их мультиметром. Для открытия полупроводникового триода p-n-p подается отрицательное напряжение на базу. Для этого мультиметр переводится в режим омметра на -2000 Ом. Норма для колебания сопротивления от 500 до 1200 Ом.

Чтобы проверить другие участки, нужно на базу подать плюсовое сопротивление. При этой проверке индикатор должен показать большее сопротивление, в противном случае, триод неисправен.

Иногда выходные сигналы перебиваются резисторами, которые устанавливают для снижения сопротивления, но сейчас такая технология шунтирования редко используется. Для проверки характеристики сопротивления импульсных транзисторов n-p-n нужно подключать к базе плюс, а к выводам эммитера и коллектора — минус.

I к = I э(p) – I б +I ко =α I э + I ко ,

Главная > Реферат >Коммуникации и связь

15. Изобразите структурную схему и объясните принцип работы биполярного транзистора p — n — p .

ЭП — эмиттерный переход,

КП — коллекторный переход

Принцип работы транзисторов обоих типов одинаков, различие заключается лишь в том, что в транзисторе n-p-n–типа через базу к коллектору движутся электроны, инжектированные эмиттером, а в транзисторе p-n-p–типа–дырки. Для этого к электродам транзистора подключают источники тока обратной полярности.

Эмиттерный переход внешним источником напряжения смещен в прямом направлении (ЭП, рис.1.2). Напряженность поля эмиттерного перехода при этом уменьшается. Через эмиттерный переход происходит инжекция дырок из эмиттера в базу и электронов из базы в эмиттер. В цепи эмиттера появится ток, равный сумме токов, обусловленных электронной I э(n) и дырочной I э(p) электропроводностями:

I э = I э(n) + I э(p) ≈ I э(p)

Таким образом, ток эмиттера равен сумме токов базы I б и коллектора I к :

Ток коллектора состоит из потока дырок инжектируемых эмиттером за вычетом тока базы и собственного теплового тока коллекторного перехода:

I к = I э(p) – I б +I ко =α I э + I ко ,

где α = I к /I э – коэффициент передачи тока эмиттера; I к0 – тепловой ток обратно включенного коллекторного перехода.

Отсюда, ток базы равен:

I б = I э — I к = (1 – α) I э — I ко

Этот ток составляет не более 1% от тока эмиттера.

Все сказанное справедливо также для транзистора n-p-n–типа с учетом высказанных ранее замечаний о перемене на противоположное направление движения токов и смене знаков источников питания схемы транзистора.

В зависимости от того какой из выводов транзистора является общим между входным источником сигнала и выходной цепью транзистора существуют три основные схемы включения транзистора в электрическую цепь: с общим эмиттером (ОЭ), с общим коллектором (ОК), с общей базой (ОБ) (рис. 1.3).

28. Устройство, принцип работы, условное обозначение и область применения газоразрядного цифрового индикатора.

Для визуальной индикации электрических сигналов широко используются цифровые и буквенные индикаторы — многоэлект­родные приборы тлеющего разряда, в которых имеется несколько катодов в форме арабских цифр (от 0 до 9), букв, символов и других знаков (запятая, минус, плюс и т. д.). При горении разряда яркое свечение того или иного катода наблюдается через купол или боковую стенку баллона лампы.

Такие индикаторы применяются в счетно-решающих устрой­ствах, в различных измерительных приборах и другой аппаратуре дискретного действия, для визуального представления выходных данных. Индикаторы отличаются высокой яркостью и контраст­ностью изображения, малой потребляемой мощностью (десятые доли ватта), простотой и надежностью. Индикаторы обычно на­полняются неоном и имеют оранжево-красное свечение.

Значение рабочего тока ограничивается сопротивле­нием в цепи анода (рабочий ток — ток в цепи анода прибора).

При подаче напряжения на один из катодов в лампе возникает тлеющий разряд, при этом ток должен быть таким, чтобы доста­точно ярко светился весь катод. В процессе эксплуатации рабочий ток не должен выходить за пределы, указанные в справочных дан­ных. При больших значениях тока возможен переход в область аномального тлеющего разряда, возрастает распыление материала катода и сокращается долговечность прибора.

Снижение рабочего тока также недопустимо, так как в процессе работы поверхность катодов загрязняется (из-за распыления с со­седних катодов), и для хорошего свечения всей поверхности катодов требуется несколько большее напряжение горения. Поэтому уста­новленное значение рабочего тока обычно должно превышать значе­ние тока индикации . (Ток индикации — ток через прибор, при котором покрытые разрядным свечением катоды — цифры, буквы, символы — обеспечивают надежную визуальную ин­дикацию.)

В ряде случаев используется питание анода импульсным на­пряжением. Ток в импульсе может быть достаточно большим, ка­жущаяся яркость свечения повышается благодаря инерции зре­ния, хотя среднее значение тока оказывается ниже номинального. Благодаря этому поддерживаются высокая яркость свечения и на­дежная индикация цифр — катодов, в то же время долговечность приборов не снижается.

Долговечность индикаторов уменьшается, если разряд длительное время идет на один и тот же катод. Жела­тельно, чтобы при работе прибора поочередно использовались все катоды, при этом периоды нагрузки каждого катода должны быть короткими.

Для нормальной работы индикатора тлеющего разряда необ­ходима определенная начальная ионизация, снижающая время за­паздывания зажигания разряда. Такая ионизация обычно создает­ся внешним освещением. В темноте время запаздывания увеличи­вается и может составлять 1с.

Газоразрядные индикаторы, класс газоразрядных приборов, предназначенных для визуального воспроизведения информации; разновидность отображения информации приборов. Широко применяются в устройствах автоматики, промышленной электроники, контрольно-измерительных приборах, ЭВМ и др. Условное обозначение представлено на рис.2

Рис.2 Индикатор тлеющего разряда ИН-1. Катоды в форме арабских цифр высотой 17 мм.

Индикация осуществляется через купол баллона.

Оформление — стеклянное, с цоколем (РШ19). Масса 35 г.

Для построения многоразрядных систем иногда бывает удобно использовать индикаторы в прямоугольном баллоне, так как при этом уменьшается расстояние между соседними знаками.

Большинство индикаторов могут работать в диапазоне темпе­ратур окружающей среды от —60 до +70°С, однако предельные значения ухудшают надежность приборов и допустимы лишь кратко­временно.

Источники

Источник — http://electrik.info/main/school/702-ustroystvo-i-rabota-bipolyarnogo-tranzistora.html
Источник — http://eandc.ru/news/detail.php?ID=21477
Источник — http://www.joyta.ru/4620-bipolyarnyj-tranzistor-princip-raboty/
Источник — http://www.radioelementy.ru/articles/bipolyarnye-tranzistory/
Источник — http://microtechnics.ru/ustrojstvo-i-princzip-raboty-bipolyarnogo-tranzistora/
Источник — http://electroandi.ru/elektronika/printsip-raboty-bipolyarnogo-tranzistora.html
Источник — http://m.habr.com/ru/post/133136/
Источник — http://gyrator.ru/circuitry-bipolar-transistor
Источник — http://www.asutpp.ru/bipolyarnye-tranzistory.html
Источник — http://works.doklad.ru/view/G5nEdl79O-o.html

Режимы работы биполярного транзистора схемы

Биполярные транзисторы: устройство, принцип и режимы работы, схема включения, применение, основные параметры

Основной функцией биполярного транзистора (БТ) является увеличение мощности входного электрического сигнала. Эти полупроводниковые радиокомпоненты появились, как альтернатива электровакуумных триодов, и со временем практически вытеснили их из отрасли. Справедливости ради заметим, что лампы применяются и до сих пор, но в очень и очень узком сегменте аппаратуры специального назначения. В массовой же радиотехнике используются, в основном, транзисторы – биполярные и их ближайшие «родственники» полевые.

Ключевое преимущество этих элементов состоит в миниатюрности. Электровакуумный усилитель со схожими характеристиками оказывается в несколько раз крупнее биполярного транзистора. Вследствие этого применение БТ в радиоэлектронике приводит к существенному уменьшению габаритных размеров конечной радиотехнической продукции.

Биполярным данный транзистор называется из-за того, что в физических процессах, протекающих во время его функционирования, участвуют оба типа носителей заряда – и электроны, и дырки. Это оказывает влияние на принцип управления выходным сигналом. В биполярных транзисторах выходными параметрами управляет ток, а не электрическое поле, как в полевых (униполярных).

Устройство биполярного транзистора.

Этот полупроводниковый триод состоит из 3 частей – эмиттера, коллектора и базы. Таким образом, ключевыми элементами биполярного транзистора являются два p-n-перехода, а не один, как в полевых. Эмиттер исполняет функцию генератора носителей заряда, которые формируют рабочий ток, стекающий в приёмник – коллектор. База необходима для подачи управляющего напряжения.

Если рассматривать плоскую модель БТ, то радиокомпонент представляет собой две области с p- или n-проводимостью (эмиттер и коллектор), разделённые тонким слоем полупроводника с проводимостью обратного знака (база). Полупроводниковый кристалл со стороны коллектора физически крупнее. Такое соотношение обеспечивает правильную работу биполярного транзистора.

В зависимости от типа проводимости эмиттера, коллектора и базы различают PNP- и NPN-транзисторы. В принципе, они функционируют одинаково с той лишь разницей, что к ним прикладываются напряжения разной полярности. Выбор того или иного вида БТ определяется особенностями конкретных радиотехнических устройств.

Принцип работы биполярного транзистора.

При подключении эмиттера и коллектора к источнику питания создаются почти все условия для протекания тока. Однако свободному перемещению носителей заряда препятствует база, и для устранения этой помехи на неё подаётся напряжение смещения. В базовом слое полупроводника возникают физико-химические процессы электронно-дырочной рекомбинации, в результате которой через базу начинает течь небольшой ток. В результате p-n-переходы открывают путь потоку носителей заряда от эмиттера к коллектору.

Если ток, протекающий через базу, меняется по какому-то закону, то точно так же изменяется и мощный ток между эмиттером и коллектором. Следовательно, мы получаем на выходе биполярного транзистора такой же сигнал, как и на базе, но с более высокой мощностью. В этом и состоит усилительная функция биполярного транзистора.

Режимы работы.

Существует 4 режима, в одном из которых может работать биполярный транзистор. В этот список входят следующие:

1. отсечка;
2. активный режим;
3. насыщение;
4. барьерный режим.

Существует ещё так называемый инверсный режим, но он на практике не используется и интересен только при теоретических исследованиях поведения полупроводников. Поэтому опишем подробнее только четыре первых.

1. Отсечка.

В том случае, если разность потенциалов между эмиттером и базой ниже некоторого значения (примерно 0.6 Вольт), то база-эмиттерный p-n-переход оказывается закрытым, поскольку ток базы не возникает. В связи с этим коллекторный ток не протекает по той причине, что в базовом слое отсутствуют свободные электроны. Таким образом, транзистор переходит в состояние отсечки и сигнал не усиливает. Этот режим используется в цифровых схемах, когда БТ работает как ключ в положении «разомкнуто».

2. Активный режим.

В этом режиме радиокомпонент усиливает сигнал, то есть исполняет свою основную функцию. На базу подаётся разность потенциалов, которая открывает база-эмиттерный p-n-переход. Как следствие, в транзисторе начинают протекать токи коллектора и базы. Значение коллекторного тока вычисляется как арифметическое произведение величины тока базы и коэффициента усиления.

3. Насыщение.

В этот режим биполярный транзистор входит при увеличении тока базы до некоего предельного значения, при котором p-n-переходы полностью открываются. Значение тока, протекающего через БТ при его насыщении, зависит лишь от питающего напряжения и величины нагрузки в коллекторной цепи. В данном режиме входной сигнал не усиливается, ведь коллекторный ток не воспринимает изменений тока базы. Способность транзистора к переходу в насыщение используется в цифровой технике, когда БТ играет роль ключа в замкнутом положении.

4. Барьерный режим.

Здесь транзистор работает как диод с последовательно включённым резистором. Для этого базу напрямую или через малоомное сопротивление соединяют с коллектором. В данном режиме триоды хорошо показывают себя в высокочастотных устройствах. Кроме того, использование транзистора в барьерном режиме целесообразно на реальном производстве для снижения общего количества комплектующих.

Схемы включения биполярных транзисторов.

Полупроводниковый триод может включаться в электрическую цепь по одной из трёх схем – с общим эмиттером, с общим коллектором и с общей базой. В зависимости от способа подключения различаются электрические параметры транзистора, что определяет выбор схемы в каждом конкретном случае.

При включении биполярного транзистора с общим эмиттером достигается максимальное усиление входного сигнала. Благодаря этому данная схема в усилительных каскадах применяется чаще всего.

Схема с общим коллектором по-другому называется эмиттерным повторителем. Это связано с тем, что разность потенциалов на коллекторе и эмиттере оказываются практически равными. При таком включении наблюдаются большое усиление по току, высокое входное сопротивление и совпадение фаз входного и выходного сигналов. Вследствие этого эмиттерные повторители используются в согласующих и буферных усилителях.

При включении БТ по схеме с общей базой отсутствует усиление по току, но значительным оказывается усиление по напряжению. Особенностью данного способа является малое влияние транзистора на сигналы высокой частоты. Это делает схему с общей базой предпочтительной для использования в устройствах СВЧ.

Основные параметры биполярных транзисторов:

1. Максимально допустимый постоянный ток коллектора;
2. Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер;
3. Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю;
4. Максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю;
5. Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю;
6. Максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе;
7. Статический коэффициент передачи тока;
8. Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером;
9. Обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера;
10. Обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора;
11. Граничная частота коэффициента передачи тока;
12. Коэффициент шума;
13. Емкость коллекторного перехода;
14. Максимально допустимая температура перехода.

Транзистор, в схему включают так, что один из его выводов является входным, второй – выходным, а третий – общим для входной и выходной цепей. В зависимости от того, какой электрод является общим, различают три схемы включения транзисторов: ОБ, ОЭ и ОК. Для транзистора n-р-n в схемах включения изменяются лишь полярности напряжений и направление токов. При любой схеме включения транзистора, полярность включения источников питания должна быть выбрана такой, чтоб эмиттерный переход был включен в прямом направлении, а коллекторный – в обратном.

Статические характеристики биполярных транзисторов

Статическим режимом работы транзистора называется режим при отсутствии нагрузки в выходной цепи.

Статическими характеристиками транзисторов называют графически выраженные зависимости напряжения и тока входной цепи (входные ВАХ) и выходной цепи (выходные ВАХ). Вид характеристик зависит от способа включения транзистора.

Характеристики транзистора, включенного по схеме об

Входной характеристикой является зависимость:

IЭ = f(UЭБ) при UКБ = const (а).

Выходной характеристикой является зависимость:

IК = f(UКБ) при IЭ = const (б).

Статические характеристики биполярного транзистора, включенного по схеме ОБ. Выходные ВАХ имеют три характерные области: 1 – сильная зависимость Iк от UКБ; 2 – слабая зависимость Iк от UКБ; 3 – пробой коллекторного перехода. Особенностью характеристик в области 2 является их небольшой подъем при увеличении напряжения UКБ.

Характеристики транзистора, включённого по схеме оэ:

Входной характеристикой является зависимость:

IБ = f(UБЭ) при UКЭ = const (б).

Выходной характеристикой является зависимость:

IК = f(UКЭ) при IБ = const (а).

Режим работы биполярного транзистора

Транзистор может работать в трех режимах в зависимости от напряжения на его переходах. При работе в активном режиме на эмиттерном переходе напряжение прямое, а на коллекторном – обратное.

Режим отсечки, или запирания, достигается подачей обратного напряжения на оба перехода (оба р-n- перехода закрыты).

Если же на обоих переходах напряжение прямое (оба р-n- перехода открыты), то транзистор работает в режиме насыщения. В режиме отсечки и режиме насыщения управление транзистором почти отсутствует. В активном режиме такое управление осуществляется наиболее эффективно, причем транзистор может выполнять функции активного элемента электрической схемы – усиление, генерация.

Усилительный каскад на биполярном транзисторе

Наибольшее применение находит схема включения транзистора по схеме с общим эмиттером. Основными элементами схемы являются источник питания Ек, управляемый элемент – транзистор VT и резистор Rк. Эти элементы образуют выходную цепь усилительного каскада, в которой за счет протекания управляемого тока создается усиленное переменное напряжение на выходе схемы. Другие элементы схемы выполняют вспомогательную роль. Конденсатор Ср является разделительным. При отсутствии этого конденсатора в цепи источника входного сигнала создавался бы постоянный ток от источника питания Ек.

Резистор RБ, включенный в цепь базы, обеспечивает работу транзистора при отсутствии входного сигнала. Режим покоя обеспечивается током базы покоя IБ = Ек/RБ. С помощью резистора Rк создается выходное напряжение. Rк выполняет функцию создания изменяющегося напряжения в выходной цепи за счет протекания в ней тока, управляемого по цепи базы.

Для коллекторной цепи усилительного каскада можно записать следующее уравнение электрического состояния:

сумма падения напряжения на резисторе Rк и напряжения коллектор-эмиттер Uкэ транзистора всегда равна постоянной величине – ЭДС источника питания Ек.

Процесс усиления основывается на преобразовании энергии источника постоянного напряжения Ек в энергию переменного напряжения в выходной цепи за счет изменения сопротивления управляемого элемента (транзистора) по закону, задаваемого входным сигналом.

5)Что такое полевой транзистор? Какие виды бывают?

Полевой транзистор (ПТ) – полупроводниковый прибор, в котором ре-

гулирование тока осуществляется изменением проводимости проводящего

канала с помощью поперечного электрического поля. В отличие от биполяр-

ного ток полевого транзистора обусловлен потоком основных носителей.

Электроды полевого транзистора называют истоком (И), стоком (С) и

затвором (З). Управляющее напряжение прикладывается между затвором и ис-

током. От напряжения между затвором и истоком зависит проводимость кана-

ла, следовательно, и величина тока. Таким образом, полевой транзистор можно

рассматривать как источник тока, управляемый напряжением затвор-исток. Ес-

ли амплитуда изменения управляющего сигнала достаточно велика, сопротив-

ление канала может изменяться в очень больших пределах. В этом случае поле-

вой транзистор можно использовать в качестве электронного ключа.

По конструкции полевые транзисторы можно разбить на две группы:

-с управляющим p–n-переходом;

-с металлическим затвором, изолированным от канала диэлектриком.

Транзисторы второго вида называют МДП-транзисторами (металл –

диэлектрик – полупроводник). В большинстве случаев диэлектриком является

двуокись кремния SiO2, поэтому обычно используется название МОП-

транзисторы (металл – окисел – полупроводник). В современных МОП-

транзисторах для изготовления затвора часто используется поликристаллический

кремний. Однако название МОП-транзистор используют и для таких приборов.

Проводимость канала полевого транзистора может быть электронной

или дырочной. Если канал имеет электронную проводимость, то транзистор

называют n-канальным. Транзисторы с каналами, имеющими дырочную про-

водимость, называют p-канальными. В МОП- транзисторах канал может быть

обеднён носителями или обогащён ими. Таким образом, понятие «полевой

транзистор» объединяет шесть различных видов полупроводниковых прибо-

МОП-транзисторы находят широкое применение в современной электро-

нике. В ряде областей, в том числе в цифровой электронике, они почти полно-

стью вытеснили биполярные транзисторы. Это объясняется следующими при-229

чинами. Во-первых, полевые транзисторы имеют высокое входное сопротивле-

ние и обеспечивают малое потребление энергии. Во-вторых, МОП-транзисторы

занимают на кристалле интегральной схемы значительно меньшую площадь,

чем биполярные. Поэтому плотность компоновки элементов в МОП-

интегральных схемах значительно выше. В-третьих, технологии производства

интегральных схем на МОП-транзисторах требуют меньшего числа операций,

чем технологии изготовления ИС на биполярных транзисторах.

6)Что такое стабилитрон? Объясните принцип его работы. Нарисуйте его вольт-амперные характеристики.

Стабилитронами называют полупроводниковые диоды, использующие особенность обратной ветви вольтамперной характеристики на участке пробоя изменяться в широком диапазоне изменения токов при сравнительно небольшом отклонении напряжения. Это свойство широко используется при создании специальных устройств – стабилизаторов напряжения.

Напряжение пробоя стабилитрона зависит от ширины р-n-перехода, которая определяется удельным сопротивлением материала полупроводника. Поэтому существует определенная зависимость пробивного напряжения (т. е. напряжения стабилизации) от концентрации примесей.

Низковольтные стабилитроны выполняют на основе сильно легированного кремния. Ширина р-n-перехода в этом случае получается очень маленькой, а напряженность электрического поля потенциального барьера – очень большой, что создает условия для возникновения туннельного пробоя. При большой ширине р-n-перехода пробой носит лавинный характер.

Вольт-амперная характеристика стабилитрона представлена на рис. 6.1 Рабочий ток стабилитрона (его обратный ток) не должен превышать максимально допустимого значения во избежание перегрева полупроводниковой структуры и выхода его из строя.

Рис. 6.1. Конструкция корпуса (а), вольт-амперная характеристика и условное графическое обозначение стабилитрона

Существенной особенностью стабилитрона является зависимость его напряжения стабилизации от температуры. В сильно легированных полупроводниках вероятность туннельного пробоя с увеличением температуры возрастает. Поэтому напряжение стабилизации у таких стабилитронов при нагревании уменьшается, т. е. они имеют отрицательный температурный коэффициент напряжения стабилизации (ТКН)

.

В слабо легированных полупроводниках при увеличении температуры уменьшается длина свободного пробега носителей, что приводит к увеличению порогового значения напряжения, при котором начинается лавинный пробой. Такие стабилитроны имеют положительный ТКН. (рис. 6.2).

Рис. 6.2. Температурная зависимость вольт-амперной характеристика стабилитрона

Для устранения этого недостатка и создания термокомпенсированных стабилитронов последовательно в цепь стабилитрона включают обычные диоды в прямом направлении. Как известно, у обычных диодов в прямом направлении падение напряжения на р-n-переходе при нагревании уменьшается. И если последовательно со стабилитроном (рис. 6.3) включить диодов в прямом направлении, где , (– изменение прямого падения напряжения на диоде при нагревании отдо), то можно почти полностью компенсировать температурную погрешность стабилитрона.

Рис. 6.3. Термокомпенсация стабилитрона

Основные параметры стабилитронов:

Напряжение стабилизации – напряжение на стабилитроне при про-текании через него тока стабилизации;

Ток стабилизации – значение постоянного тока, протекающего через стабидитрон в режиме стабилизации;

Дифференциальное сопротивление стабилитрона – дифференциальное сопротивление при заданном значении тока стабилизации, т. е.;

Температурный коэффициент напряжения стабилизации – отношение относительного изменения напряжения стабилизации стабилитрона к абсолютному изменению температуры окружающей среды при постоянном значении тока стабилизации:;

Предельные параметры стабилитронов:

Минимально допустимый ток стабилизации – наименьший ток через стабилитрон, при котором напряжение стабилизации находится в заданных пределах;

Максимально допустимый ток стабилизации – наибольший ток через стабилитрон, при котором напряжение стабилизациинаходится в заданных пределах, а температура перехода не выше допустимой;

Максимально допустимая рассеиваемая мощность – мощность, при которой не возникает теплового пробоя перехода.

В этом цикле статей мы попытаемся просто и доходчиво рассказать о таких непростых компонентах, как транзисторы.

Сегодня этот полупроводниковый элемент встречается почти на всех печатных платах, в любом электронном устройстве (в сотовых телефонах, в радиоприёмниках, в компьютерах и другой электронике). Транзисторы являются основой для построения микросхем логики, памяти, микропроцессоров… Вот давайте и разберёмся, что это чудо из себя представляет, как работает и чем вызвана такая широта его применения.

Транзистор — это электронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий с помощью входного сигнала управлять током.

Многие считают, что транзистор усиливает входной сигнал. Спешу огорчить, — сами по себе, без внешнего источника питания, транзисторы ничего не усилят (закон сохранения энергии ещё никто не отменял). На транзисторе можно построить усилитель, но это лишь одно из его применений, и то, для получения усиленного сигнала нужна специальная схема, которая проектируется и рассчитывается под определённые условия, плюс обязательно источник питания.

Сам по себе транзистор может только управлять током.

Что нужно знать из самого важного? Транзисторы делятся на 2 большие группы: биполярные и полевые. Эти 2 группы отличаются по структуре и принципу действия, поэтому про каждую из этих групп мы поговорим отдельно.

Итак, первая группа — биполярные транзисторы.

Эти транзисторы состоят из трёх слоёв полупроводника и делятся по структуре на 2 типа: pnp и npn. Первый тип (pnp) иногда называют транзисторами прямой проводимости, а второй тип (npn) — транзисторами обратной проводимости.

Что означают эти буквы? Чем отличаются эти транзисторы? И почему именно двух проводимостей? Как обычно — истина где-то рядом. © Всё гениальное — просто. N — negative (англ.) — отрицательный. P — positive (англ.) — положительный. Это обозначение типов проводимостей полупроводниковых слоёв из которых транзистор состоит. «Положительный» — слой полупроводника с «дырочной» проводимостью (в нём основные носители заряда имеют положительный знак), «отрицательный» — слой полупроводника с «электронной» проводимостью (в нём основные носители заряда имеют
отрицательный знак).

Структура и обозначение биполярных транзисторов на схемах показаны на рисунке справа. У каждого вывода имеется своё название. Э — эмиттер, К — коллектор, Б — база. Как на схеме узнать базовый вывод? Легко. Он обозначается площадкой, в которую упираются коллектор и эмиттер. А как узнать эмиттер? Тоже легко, — это вывод со стрелочкой. Оставшийся вывод — это коллектор. Стрелочка на эмиттере всегда показывает направление тока. Соответственно, для npn транзисторов — ток втекает через коллектор и базу, а вытекает из эмиттера, для pnp транзисторов наоборот, — ток втекает через эмиттер, а вытекает через коллектор и базу.

Тонем в теории глубже… Три слоя полупроводника образуют в транзисторе два pn-перехода. Один — между эмиттером и базой, его обычно называют эмиттерный, второй — между коллектором и базой, его обычно называют коллекторный.

На каждом из двух pn-переходов может быть прямое или обратное смещение, поэтому в работе транзистора выделяют четыре основных режима, в зависимости от смещения pn-переходов (помним да, что если на стороне с проводимостью p-типа напряжение больше, чем на стороне с проводимостью n-типа, то это прямое смещение pn-перехода, если всё наоборот, то обратное). Ниже, на рисунках, иллюстрирующих каждый режим, стрелочками показано направление от большего напряжения к меньшему (это не направление тока!). Так легче ориентироваться: если стрелочка направлена от «p» к «n» — это прямое смещение pn-перехода, если от «n» к «p» — это обратное смещение.

Режимы работы биполярного транзистора:

1) Если на эмиттерном pn-переходе прямое смещение, а на коллекторном — обратное, то транзистор находится в нормальном активном режиме (иногда говорят просто: «активный режим», — опуская слово нормальный). В этом режиме ток коллектора зависит от тока базы и связан с ним следующим соотношением: Iк=Iб*β.

Активный режим используется при построении транзисторных усилителей.

2) Если на обоих переходах прямое смещение — транзистор находится в режиме насыщения. При этом ток коллектора перестаёт зависеть от тока базы в соответствии с указанной выше формулой (в которой был коэффициент β), он перестаёт увеличиваться, даже если продолжать увеличивать ток базы. В этом случае говорят, что транзистор полностью открыт или просто открыт. Чем глубже мы уходим в область насыщения — тем больше ломается зависимость Iк=Iб*β. Внешне это выглядит так, как будто коэффициент β уменьшается. Ещё скажу, что есть такое понятие, как коэффициент насыщения. Он определяется как отношение реального тока базы (того, который у вас есть в данный момент) к току базы в пограничном состоянии между активным режимом и насыщением.

3) Если у нас на обоих переходах обратное смещение — транзистор находится в режиме отсечки. При этом ток через него не течёт (за исключением очень маленьких токов утечки — обратных токов через pn-переходы). В этом случае говорят, что транзистор полностью закрыт или просто закрыт.

Режимы насыщения и отсечки используются при построении транзисторных ключей.

4) Если на эмиттерном переходе обратное смещение, а на коллекторном — прямое, то транзистор попадает в инверсный активный режим. Этот режим является довольно экзотическим и используется редко. Несмотря на то, что на наших рисунках эмиттер не отличается от коллектора и по сути они должны быть равнозначны (посмотрите ещё раз на самый верхний рисунок, — на первый взгляд ничего не изменится, если поменять местами коллектор и эмиттер), на самом деле у них есть конструктивные отличия (например в размерах) и равнозначными они не являются. Именно из-за этой неравнозначности и существует разделение на «нормальный активный режим» и «инверсный активный режим».

Иногда ещё выделяют пятый, так называемый, «барьерный режим». В этом случае база транзистора закорочена с коллектором. По сути правильнее было бы говорить не о каком-то особом режиме, а об особом способе включения. Режим тут вполне обычный — близкий к пограничному состоянию между активным режимом и насыщением. Его можно получить и не только закорачивая базу с коллектором. В данном конкретном случае вся фишка в том, что при таком способе включения, как бы мы не меняли напряжение питания или нагрузку — транзистор всё равно останется в этом самом пограничном режиме. То есть транзистор в этом случае будет эквивалентен диоду.

Итак, c теорией пока закончили. Едем дальше.

Биполярный транзистор управляется током. То есть, для того, чтобы между коллектором и эмиттером мог протекать ток (по другому говоря, чтобы транзистор открылся), — должен протекать ток между эмиттером и базой (или между коллектором и базой — для инверсного режима). Более того, величина тока базы и максимально возможного тока через коллектор (при таком токе базы) связаны постоянным коэффициентом β (коэффициент передачи тока базы): I_Б*β=I_K.

Кроме параметра β используется ещё один коэффициент: коэффициент передачи эмиттерного тока (α). Он равен отношению тока коллектора к току эмиттера: α=Iк/Iэ. Значение этого коэффициента обычно близко к единице (чем ближе к единице — тем лучше). Коэффициенты α и β связаны между собой следующим соотношением: β=α/(1-α).

В отечественных справочниках часто вместо коэффициента β указывают коэффициент h_21Э (коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером), в забугорной литературе иногда вместо β можно встретить h_FE. Ничего страшного, обычно можно считать, что все эти коэффициенты равны, а называют их зачастую просто «коэффициент усиления транзистора».

Что нам это даёт и зачем нам это надо? На рисунке слева изображены простейшие схемы. Они эквивалентны, но построены с участием транзисторов разных проводимостей. Также присутствуют: нагрузка, в виде лампочки накаливания, переменный резистор и постоянный резистор.

Смотрим на левую схему. Что там происходит? Представим себе, что ползунок переменного резистора в верхнем положении. При этом на базе транзистора напряжение равно напряжению на эмиттере, ток базы равен нулю, следовательно ток коллектора тоже равен нулю (I_К=β*I_Б) — транзистор закрыт, лампа не светится. Начинаем опускать ползунок вниз
— напряжение на нём начинает опускаться ниже, чем на эмиттере — появляется ток из эмиттера в базу (ток базы) и одновременно с этим — ток из эмиттера в коллектор (транзистор начнёт открываться). Лампа начинает светиться, но не в полный накал. Чем ниже мы будем перемещать ползунок переменного резистора — тем ярче будет гореть лампа.

И тут, внимание! Если мы начнём перемещать ползунок переменного резистора вверх — то транзистор начнёт закрываться, а токи из эмиттера в базу и из эмиттера в коллектор — начнут уменьшаться. На правой схеме всё то же самое, только с транзистором другой проводимости.

Рассмотренный режим работы транзистора как раз является активным. В чём суть? Ток управляет током? Именно, но фишка в том, что коэффициент β может измеряться десятками и
даже сотнями. То есть для того, чтобы сильно менять ток, протекающий из эмиттера в коллектор, нам достаточно лишь чуть-чуть изменять ток, протекающий из эмиттера в базу.

В активном режиме транзистор (с соответствующей обвязкой) используется в качестве усилителя.

Мы устали… отдохнём немного…

Теперь разберёмся с работой транзистора в качестве ключа. Смотрим на левую схему. Пусть переключатель S будет замкнут в положении 1. При этом база транзистора через резистор R притянута к плюсу питания, поэтому ток между эмиттером и базой отсутствует и транзистор закрыт. Представим, что мы перевели переключатель S в положение 2. Напряжение на базе становится меньше, чем на эмиттере, — появляется ток между эмиттером и базой (его величина определяется сопротивлением R). Сразу возникает ток КЭ. Транзистор открывается, лампа загорается. Если мы снова вернём переключатель S в положение 1 — транзистор закроется, лампа погаснет. (на правой схеме всё то же самое, только транзистор другой проводимости)

В этом случае говорят, что транзистор работает в качестве ключа. В чём суть? Транзистор переключается между двумя состояниями — открытым и закрытым. Обычно при использовании транзистора в качестве ключа — стараются, чтобы в открытом состоянии транзистор был близок к насыщению (при этом падение напряжения между коллектором и эмиттером, а значит и потери на транзисторе, — минимальны).Для этого специальным образом рассчитывают ограничительный резистор в цепи базы. Состояний глубокого насыщения и глубокой отсечки обычно стараются избежать, потому что в этом случае увеличивается время переключения ключа из одного состояния в другое.

Небольшой пример расчётов. Представим себе, что мы управляем лампой накаливания 12В, 50мА через транзистор. Транзистор у нас работает в качестве ключа, поэтому в открытом состоянии должен быть близок к насыщению. Падение напряжения между коллектором и эмиттером учитывать не будем, поскольку для режима насыщения оно на порядок меньше напряжения питания. Так как через лампу течёт ток 50 мА, то нам нужно выбрать транзистор с максимальным током КЭ не менее 62,5 мА (обычно рекомендуют использовать компоненты на 75% от их максимальных параметров, это такой своеобразный запас). Открываем справочник и ищем подходящий p-n-p транзистор. Например КТ361. В нашем случае по току подходят с буквенными индексами «а, б, в, г», так как максимальное напряжение КЭ у них 20В, а у нас в задаче всего 12В.

Предположим, что использовать будем КТ361А, с коэффициентом усиления от 20 до 90. Так как нам нужно, чтобы транзистор гарантированно открылся полностью, — в расчёте будем использовать минимальный Кус=20. Теперь думаем. Какой минимальный ток должен течь между эмиттером и базой, чтобы через КЭ обеспечить ток 50 мА?

50 мА/ 20 раз = 2,5 мА

Токоограничивающий резистор какого номинала нужно поставить, чтобы пустить через БЭ ток 2,5 мА?

Тут всё просто. Закон Ома: I=U/R. Следовательно R=(12 В питания — 0,65 В потери на pn-переходе БЭ) / 0,0025 А = 4540 Ом. Так как 2,5 мА — это минимальный ток, который в нашем случае должен протекать из эмиттера в базу, то нужно выбрать из стандартного ряда ближайший резистор меньшего сопротивления. Например, с 5% отклонением это будет резистор 4,3 кОм.

Теперь о токе. Для зажигания лампы с номинальным током 50 мА нам нужно коммутировать ток всего 2,5 мА. И это при использовании ширпотребовского, копеечного транзистора, с низким Кус, разработанного 40 лет назад. Чувствуете разницу? Насколько можно уменьшить габариты выключателей (а значит и их стоимость) при использовании транзисторов.

Вернёмся опять к теории.

В рассмотренных выше примерах мы использовали только одну из схем включения транзистора. Всего же, в зависимости от того, куда мы подаём управляющий сигнал и откуда снимаем выходной сигнал (от того, какой электрод для этих сигналов является общим) выделяют 3 основных схемы включения биполярных транзисторов (ну, логично, да? — у транзистора 3 вывода, значит если делить схемы по принципу, что один из выводов общий, то всего может быть 3 схемы):

1) Схема с общим эмиттером.

Если считать, что входной ток — это ток базы, входное напряжение — это напряжение на переходе БЭ, выходной ток — ток коллектора и выходное напряжение — это напряжение между коллектором и эмиттером, то можно записать, что: Iвых/Iвх=Iк/Iб=β , Rвх=Uбэ/Iб.

Кроме того, так как Uвых=Eпит-Iк*R, то видно, что, во-первых, выходное напряжение легко можно сделать гораздо выше входного, а во-вторых, что выходное напряжение инвертировано по отношению ко входному (когда Uбэ=Uвх увеличивается и входной ток растёт — выходной ток также растёт, но Uкэ=Uвых при этом уменьшается).

Такая схема включения (для краткости её обозначают ОЭ) является наиболее распространённой, поскольку позволяет усилить как ток, так и напряжение, то есть позволяет получить максимальное усиление мощности. Замечу, что эта дополнительная мощность у усиленного сигнала берётся не из воздуха и не от самого транзистора, а от источника питания (Eпит), без которого транзистор ничего не сможет усилить и вообще никакого тока в выходной цепи не будет. (Я думаю, — мы позже, в отдельной статье, про то, как именно работают транзисторные усилители и как их рассчитывать, подробнее напишем).

2) Схема с общей базой.

Здесь входной ток — это ток эмиттера, входное напряжение — это напряжение на переходе БЭ, выходной ток — ток коллектора, а выходное напряжение — это напряжение на включенной в цепь коллектора нагрузке. Для этой схемы: Iвых≈Iвх, т.к. Iк≈Iэ, Rвх=Uбэ/Iэ.

Такая схема (ОБ) усиливает только напряжение и не усиливает ток. Сигнал в данном случае по фазе не сдвигается.

3) Схема с общим коллектором (эмиттерный повторитель).

Здесь входной ток — это ток базы, а входное напряжение подключено к переходу БЭ транзистора и нагрузке, выходной ток — ток эмиттера, а выходное напряжение — это напряжение на включенной в цепь эмиттера нагрузке. Для этой схемы: Iвых/Iвх=Iэ/Iб=(I_К+I_Б)/I_Б=β+1, т.к. обычно коэффициент β достаточно большой, то иногда считают Iвых/Iвх≈β. Rвх=Uбэ/Iб+R. Uвых/Uвх=(Uбэ+Uвых)/Uвых≈1.

Как видим, такая схема (ОК) усиливает ток и не усиливает напряжение. Сигнал в данном случае по фазе не сдвигается. Кроме того, данная схема имеет самое большое входное сопротивление.

Оранжевыми стрелками на приведённых выше схемах показаны контура протекания токов, создаваемых источником питания выходной цепи (Епит) и самим входным сигналом (Uвх). Как видите, в схеме с ОБ ток, создаваемый Eпит, протекает не только через транзистор, но и через источник усиливаемого сигнала, а в схеме с ОК, наоборот, — ток, создаваемый входным сигналом, протекает не только через транзистор, но и через нагрузку (по этим приметам можно легко отличить одну схему включения от другой).

Ну и на последок поговорим о том, как проверить биполярный транзистор на исправность. В большинстве случаев о исправности транзистора можно судить по состоянию pn-переходов. Если рассматривать эти pn-переходы независимо друг от друга, то транзистор можно представить как совокупность двух диодов (как на рисунке слева). В общем-то взаимное влияние pn-переходов и делает транзистор транзистором, но при проверке можно с этим взаимным влиянием не считаться, поскольку напряжение к выводам транзистора мы прикладываем попарно (к двум выводам из трёх). Соответственно, проверить эти pn-переходы можно обычным мультиметром в режиме проверки диодов. При подключении красного щупа (+) к катоду диода, а чёрного к аноду — pn-переход будет закрыт (мультиметр показывает бесконечно большое сопротивление), если поменять щупы местами — pn-переход будет открыт (мультиметр показывает падение напряжения на открытом pn-переходе, обычно 0,6-0,8 В). При подключении щупов между коллектором и эмиттером мультиметр будет показывать бесконечно большое сопротивление, независимо от того какой щуп подключен к коллектору, а какой к эмиттеру.

Общие сведения о транзисторах с биполярным переходом

Введение

Транзисторы — это фундаментальный компонент цифровой электроники, от которого мы может создавать схемы, которые могут выполнять логику. По своей сути они действуют как переключатели включения / выключения, которыми можно управлять электрически, и хотя это простая концепция, мне было трудно понять, как именно как они работали в реальный мир. Например, в сообщении в блоге я написал о понимании комплект колеса рулетки, я не мог понять, что будет за транзистор делаю так, как серия резистор-конденсатор находилась в процессе зарядки; как близко к будет ли конденсатор полностью заряжен до включения затвора?

Многие веб-сайты объясняют, что делают NPN-транзисторы и как коллектор, base и emitter связаны с этим поведением.Например, Sparkfun’s страница транзистора разбивает рабочих режимов из ваш стандартный транзистор NPN в следующий:

• Режим насыщения происходит, когда напряжение на базе (относительно земля; В _база ) выше как напряжение на эмиттере и коллектор (опять же относительно земли; V _{эмиттер} и В _{коллектор} )
• активный режим происходит, когда базовое напряжение (V _base ) выше чем эмиттер V _{эмиттер} но ниже коллектора V _{коллектор}
• режим отсечки происходит, когда базовое напряжение (V _base ) ниже, чем как коллектор (V _{, коллектор} ) и эмиттер (V _{, эмиттер} )

Но простых соотношений и нескольких уравнений было недостаточно, чтобы помочь я понимаю, как я могу использовать эти транзисторы в реальных схемах.Так что для ради развития моего собственного понимания транзисторов (в частности, биполярных переходные транзисторы, или BJT), я установил несколько тестов, чтобы охарактеризовать поведение транзистора 2N2222 NPN.

Построение испытательной схемы

Чтобы получить практическое представление о том, как эти режимы выглядят на практике, я построил схему с потенциометром 10K, подключенным к базе, чтобы я мог посмотрим, в какой момент транзистор начал проводить:

где

• R1 подтягивает напряжение эмиттера от земли (вместе с R4 ), так что мы можем продемонстрировать режим отсечки
• R2 снимает напряжение коллектора
• R3 — блокиратор обратного хода для предотвращения короткого замыкания цепи, когда потенциометр сопротивление идет на ноль
• R4 поднимает напряжение эмиттера от земли
• R5 — потенциометр 10 кОм для проверки эффекта изменения V _база на эмиттере V

С помощью этой схемы мы можем напрямую измерить три напряжения, которые управляют поведение нашего NPN-транзистора при включении схемы в трех местах:

, а затем проведение измерений при отклонении потенциометра от нулевого сопротивления. на полные 10 кОм.Самый простой способ — использовать простой мультиметр. способ провести этот эксперимент, если это немного утомительно:

На фото выше черный зажим прикреплен к земле, а красный зажим — к земле. прикреплен к коллектору.

Эксперименты с тестовой схемой

Медленно поворачивая потенциометр и измеряя напряжение на коллектор, база, эмиттер, мы можем очень четко увидеть, как влияет напряжение на база (V _base ) имеет на эмиттер и коллектор.Набор в потенциометр для установки V _base на значения в диапазоне от 0 до 3,3 В с шагом 0,1 В и измерение других напряжений дает нам следующее:

На этой диаграмме много интересных данных, поэтому давайте рассмотрим несколько вещи, которые он говорит нам о транзисторах NPN.

1. Определение различных режимов транзистора

Как обсуждалось выше, транзисторы NPN могут работать в одном из трех режимов:

На нашем графике измеренных данных эти режимы представлены следующим образом:

И действительно, мы видим, что

• в режиме отсечки, коллектор остается под постоянным высоким напряжением, в то время как эмиттер остается при постоянном низком напряжении
• в режиме насыщения, коллектор находится под тем же напряжением , что и эмиттер, и действует как короткое замыкание. цепь
• в активном режиме, разница напряжений коллектор-эмиттер уменьшается по мере того, как напряжение базы увеличивается

Поведение во всех трех регионах заметно линейно; поскольку V _base является увеличивается, результирующее изменение двух других напряжений напрямую пропорциональный.Это удобно, потому что другие цифровые компоненты (как и серия RC) , а не , имеют простое линейное поведение; хорошо знать, что NPN-транзистор не усложняет еще больше, вводя другие нелинейное поведение.

2. Определение напряжения включения

Один практический аспект работы транзисторов — это диапазон напряжений, в котором они должен быть в активном режиме, но транзистор по-прежнему ведет себя так, как если бы он был в режим отсечки — то есть V _base > V _emitter но транзистор по-прежнему не пропускает ток.В наших измеренных данных это происходит между базовыми значениями V _{от 0,6 В до 1,2 В:}

Это минимальное напряжение для получения любой проводимости называется напряжением включения . Получается, что когда разница между V _base и В _{эмиттер} ниже этого напряжения включения 0,6 В, транзистор ведет себя так, как будто он все еще находится в режиме отсечки. Это V _BE <0,6 В критерии - внутреннее свойство транзистора; даже если Напряжение коллектора составляет 5 В (или выше), этот порог равен 0.Остается 6 В постоянный.

Это критическое свойство транзисторов с биполярным переходом, поскольку любой источник сопротивление, которое вы поставите после того, как эмиттер подтянет V _{эмиттер} и поэтому увеличьте базу V

Характеристики транзисторов PNP

PNP могут работать в одном из трех режимов:

, что по сравнению с таблицей для транзисторов NPN представляет собой почти полная противоположность режимам NPN.А если подключить резистор PNP (например, 2N2907) в нашу тестовую схему как есть и запускаем эксперимент, мы получаем очень странные результаты:

Согласно приведенной выше таблице, почти все значения V _base мы Тестирование происходит в четвертом режиме, который называется обратно-активным режимом , где V _{эмиттер} база коллектор . Это происходит потому, что ток течет от эмиттера к коллектору в PNP. транзисторы; мы только что перевернули наш PNP-транзистор!

Чтобы применить экспериментальную технику, которую мы использовали для характеристики NPN транзисторов на транзисторах PNP, есть несколько изменений, которые мы должны внести в наша тестовая схема:

1. Мы должны заменить NPN 2N2222 на PNP 2N2907 и перевернуть полярность , чтобы эмиттер находился под более высоким напряжением, чем коллектор.
2. R1 должен быть подключен после R2 сейчас. В нашей тестовой схеме NPN R1 работа заключалась в том, чтобы поднять напряжение на стороне низкого напряжения транзистора, чтобы мы можно было наблюдать режим отсечки, когда V _base был ниже, чем V _{Излучатель} . В этой испытательной схеме PNP будет соблюдаться режим отсечки. когда V _base выше, чем V _emitter , поэтому перемещение R1 будет вытаскиваем V _{эмиттер} из нашего +3.Источник 3 В.
3. R2 следует заменить на более низкое сопротивление, чтобы мы могли наблюдать режим насыщения. В тестовой схеме NPN задача R2 заключалась в том, чтобы тянуть V _{коллектор} внизу V _база , где V _база регулируется (частично) R3 . Режим насыщения в этом случае PNP требует что V _{эмиттер} будет на выше , чем V _base (опять же, частично на R3 ), поэтому R2 не должен быть больше R3 .

Применение этих трех изменений приводит к схеме, которая выглядит следующим образом:

Обратите внимание, что, поскольку эмиттер и коллектор физически перевернуты, мы должны позаботьтесь о том, чтобы не забыть, какой вывод транзистора мы измеряем нашим мультиметр!

Эта испытательная схема транзистора PNP демонстрирует следующие соотношения между коллектором V _{, базой} V и эмиттером V :

На первый взгляд, это может сильно отличаться от графика напряжения NPN-транзистора. из предыдущего раздела.Однако, если вы посмотрите на это вверх ногами, вы можете возможность увидеть, насколько похожи транзисторы PNP и NPN. Все одинаковые режимы присутствуют, как и напряжение включения:

Единственное отличие, как вам скажет любой учебник, состоит в том, что транзисторы PNP включены, когда базовое напряжение низкое.

Следующие шаги

Эти эксперименты поясняют, но их также очень утомительно проводить. с механическим потенциометром и портативным мультиметром. Чтобы выполнить это своего рода характеристики более сложных схем, таких как логические вентили, мы нужен более эффективный способ изменения напряжения и проведения измерений.К этому конец, я написал на странице о том, как использовать цифровой потенциометр (дигипот) и аналого-цифровой преобразователь (АЦП) вместе с Raspberry Pi для автоматизации этих эксперименты.

Режимы работы транзисторов — Клуб лекций

В этой лекции мы обсудим три основных режима работы транзисторов. Прежде чем перейти непосредственно к применению транзисторов, я рекомендую вам разобраться в режимах работы транзисторов.

Есть три режима транзистора

1. Режим отсечки
2. Активный режим
3. Режим насыщения

В режиме отсечки нет тока в транзистор.Другими словами, переходы база-эмиттер и база-коллектор имеют обратное смещение. Транзистор работает как разомкнутая цепь.

Следующий пример водопроводного крана объяснит вам точную работу режима отключения.

Предположим, что водопроводный кран представляет собой транзистор. Один конец — эмиттер (E), а другой конец — коллектор (C). Клапан является основанием (B). Вы можете наблюдать, когда клапан закрыт, вода не будет течь из эмиттера (E) в коллектор (C).

Аналогично, если базовый ток (Ib) равен нулю, ток в транзисторе будет равен нулю.Однако протекает небольшой ток утечки коллектора. Но это ничтожно мало.

Рис. 1: Режим отсечки

Условия режима отсечки для NPN транзистора

1. Поскольку эмиттер n-типа, а база p-типа. Таким образом, для обратного смещения перехода E-B напряжение эмиттера должно быть больше, чем напряжение базы
2. Поскольку коллектор снова n-типа, поэтому для достижения обратного смещения в переходе B-C напряжение коллектора также должно быть больше, чем напряжение базы.

Условия режима отсечки для транзистора PNP

1. Поскольку эмиттер p-типа, поэтому для обратного смещения BE-перехода, базовое напряжение должно быть больше, чем напряжение эмиттера
2. Коллектор p-типа, поэтому снова должно быть базовое напряжение больше, чем напряжение коллектора для обратного смещения BC-переход

В активном режиме BE-переход смещен в прямом направлении, а BC-переход смещен в обратном направлении. В этом режиме транзистор ведет себя как замкнутый переключатель.

Рис. 2: Активный режим

Условия активного режима для NPN-транзистора

1. Для прямого смещения перехода B-E базовое напряжение должно быть больше, чем напряжение эмиттера.
2. Аналогично обратному смещению перехода B-C, напряжение коллектора должно быть больше, чем напряжение базы.

Условия активного режима для транзистора PNP

1. Для прямого смещения перехода B-E базовое напряжение должно быть меньше, чем напряжение эмиттера.
2. Теперь коллектор p-типа, поэтому для обратного смещения перехода B-C напряжение коллектора должно быть меньше, чем напряжение базы.

В режиме насыщения через транзистор проходит максимальное количество тока. Для этого как соединение B-E, так и соединение B-C должны быть смещены в прямом направлении.

Короче транзистор ведет себя как короткое замыкание. Таким образом, мы больше не можем контролировать ток, используя базу.

Рис. 3: Режим насыщения

Условия режима насыщения для транзистора NPN

1. Эмиттер n-типа, а база — p-типа, поэтому базовое напряжение должно быть больше, чем напряжение эмиттера для прямого смещения BE соединение.
2. Подобно эмиттеру, коллектор также n-типа, поэтому снова базовое напряжение должно быть больше, чем напряжение коллектора, чтобы прямое смещение B-C перехода.

Условия режима насыщения для транзистора PNP

1. Эмиттер p-типа, а база n-типа, поэтому напряжение базы должно быть меньше напряжения эмиттера для прямого смещения перехода B-E.
2. Коллектор также p-типа, поэтому снова базовое напряжение должно быть меньше, чем напряжение коллектора, чтобы прямое смещение B-C перехода.

Полная видео-лекция на хинди / урду

Как это:

Нравится Загрузка …

Различные регионы работы BJT — Учебники

В нашем предыдущем руководстве о биполярном режиме переходные транзисторы (BJT), мы обсудили его базовую структуру и то, как в основном работают два его типа, npn и pnp. На этот раз мы собираемся обсудить различные рабочие области BJT, чтобы мы могли научиться правильно их использовать в различных приложениях.

Но прежде чем мы обсудим различные рабочие области BJT, мы собираемся сначала представить некоторые основные параметры BJT и проанализировать базовую схему BJT, чтобы вывести некоторые уравнения, которые помогут нам понять рабочие области.

Параметры BJT

Итак, первым параметром является DC beta ( β _DC ), который эквивалентен гибридному параметру ( h _FE ), который вы можете найти в таблице данных транзисторов.DC beta ( β _DC ) — это соотношение постоянного тока коллектора и постоянного тока базы, что означает, что это коэффициент усиления постоянного тока транзистора. Следовательно, значение DC beta ( β _DC ) определяет постоянный ток коллектора.

Изменение формулы,

Однако, если вы проверите таблицу данных BJT, вы обнаружите, что параметр DC beta ( β _DC ) не является постоянным. Он меняется в зависимости от тока коллектора и температуры перехода.Как вы можете видеть на рисунке ниже, если предположить, что температура перехода не меняется, увеличение тока коллектора приводит к увеличению постоянного бета ( β _DC ) и достижению максимальной точки. Однако, если ток коллектора продолжает увеличиваться выше максимальной точки, бета постоянного тока ( β _DC ) начнет уменьшаться. С другой стороны, если ток коллектора постоянный, бета постоянного тока ( β _DC ) напрямую зависит от температуры перехода.

Второй параметр BJT — это DC Alpha ( α _DC ). Это соотношение постоянного тока коллектора и постоянного тока эмиттера. Однако параметр DC Alpha ( α _DC ) редко используется в транзисторных схемах, особенно по сравнению с параметром DC beta ( β _DC ). Его значение всегда меньше 1, потому что ток коллектора всегда меньше тока эмиттера.

Анализ базовой схемы BJT

Теперь давайте рассмотрим и проанализируем базовую схему BJT на рисунке 2, поскольку мы собираемся использовать схему, похожую на нее, позже, чтобы понять рабочие области BJT. Как мы видим, у нас есть два внешних источника напряжения смещения, V _BB и V _CC , и два резистора, R _B и R _C . Мы также можем видеть три важных напряжения постоянного тока на переходах транзистора, V _BE , V _CE и V _CB , и три тока постоянного тока, I _B , I _C и I _E .

Напряжение внешнего смещения V _BB смещает в прямом направлении переход база-эмиттер. Переход база-эмиттер, как вы можете видеть на рисунке 3, похож на диод. Поэтому, когда он смещен в прямом направлении, на нем будет падение напряжения, подобное диоду, примерно 0,7 В или выше. Но для упрощения мы будем использовать 0,7 В. Итак, в схеме напряжение обозначено как V _BE .

По закону Кирхгофа напряжение на R _B равно:

А по закону Ома напряжение на R _B также равно:

Пересчитав уравнение, мы можем получить уравнение для постоянного тока базы для эта схема BJT:

Используя снова закон напряжения Кирхгофа, мы можем получить напряжение на коллекторе относительно эмиттера, которое равно V _CC минус падение напряжения на R _C :

Теперь, чтобы получить напряжение на переходе коллектор-база, нам нужно вычесть напряжение на коллекторе и напряжение на базе, которое в этой схеме составляет V _CE и V _BE .Итак, V _CB :

Обратите внимание, что здесь коллектор n-типа, а база p-типа. Если коллектор находится под более высоким напряжением, чем база, переход коллектор-база будет смещен в обратном направлении. С другой стороны, если коллектор находится под более низким напряжением, чем база, то переход коллектор-база будет смещен в прямом направлении.

Рабочие области BJT

Теперь мы закончили с параметрами BJT и анализом базовой схемы BJT, давайте перейдем к рабочим областям BJT.Как вы можете видеть на рисунке 4, есть три рабочих области BJT: область отсечки, область насыщения и активная область. Область поломки не включена, поскольку для BJT не рекомендуется работать в этом регионе.

Область отсечения

Итак, давайте начнем с области отсечения, поскольку она является наиболее простой для понимания. Непроводящее состояние BJT попадает в область отсечки.Как снова показано на рисунке 4, BJT работает в области отсечки, когда I _B равен нулю. В этом случае не должно быть тока, который будет протекать через коллектор. Однако в действительности будет очень небольшой ток утечки коллектора, который будет протекать из-за термически образованных носителей. Но поскольку этот ток утечки коллектора очень мал, им можно пренебречь, и V _CE будет считаться приблизительно равным V _CC , как показано на рисунке 5.

Область насыщения

BJT работает в области насыщения, когда его ток коллектора не зависит от тока базы и достиг максимума. Условием для этого является то, что переходы база-эмиттер и база-коллектор должны быть смещены в прямом направлении. Например, на рисунке 6 у нас есть схема BJT, которая похожа на схему, которую мы недавно проанализировали, хотя их отличие состоит в том, что здесь внешние напряжения смещения являются переменными.

Допустим, схема сконфигурирована в этом состоянии, V _BB будет смещать в прямом направлении переход база-эмиттер и генерировать определенное значение I _B , в то время как V _CC равно нулю. В этом случае напряжение V _BE будет примерно равно 0,7 В, в то время как эмиттер и коллектор находятся на уровне 0 В. Когда мы недавно анализировали базовую схему BJT, помните, что мы упоминали, что если коллектор находится под более низким напряжением, чем база, то переход коллектор-база будет смещен в прямом направлении.Поскольку здесь базовое напряжение, которое составляет примерно 0,7 В, выше, чем напряжение коллектора, равное 0 В, переход база-коллектор смещен в прямом направлении.

Теперь, на рисунке 7 мы устанавливаем V _CC на ненулевое значение, а затем увеличиваем базовый ток, увеличивая V _BB . В этом случае I _C увеличивается, а V _CE уменьшается, поскольку падение напряжения на R _C также увеличивается.По мере дальнейшего увеличения I _B , I _C также увеличивается, пока V _CE не достигнет напряжения насыщения (V _{CE (sat)} ). На этот раз BJT достигает насыщения, и I _C больше не может увеличиваться независимо от увеличения I _B .

Активная область

Используя линию нагрузки, мы можем видеть, что точка отсечки находится в нижней части линии нагрузки, где I _C равно нулю, а V _CE равно V _CC , а в верхней части линии нагрузки находится точка насыщения, где I _C равно I _{C (sat)} , а V _CE равно V _{CE (sat)} .Между отсечкой и насыщением вдоль линии нагрузки находится активная область BJT, также известная как линейная область. Для того чтобы BJT работал в активной области, необходимо, чтобы переход база-эмиттер был смещен в прямом направлении, а переход база-коллектор был смещен в обратном направлении. В этой области I _C почти остается постоянным для данного значения I _B . Но по мере увеличения V _CE I _C немного увеличивается, поскольку область истощения базового коллектора расширяется.Когда BJT работает в активной области, в идеале его выход представляет собой линейное воспроизведение входного сигнала.

Приложение / Сводка

Знание различных рабочих регионов BJT поможет вам использовать его в различных приложениях. Например, концепция областей отсечки и насыщения может использоваться для управления BJT в качестве переключателя. Когда BJT работает в области отсечки, он может использоваться как разомкнутый переключатель, в то время как, если он работает в области насыщения, BJT может использоваться как замкнутый переключатель.BJT можно также использовать в качестве усилителя, если вы правильно настроите его для работы в активной или линейной области. Я надеюсь, что вы нашли это руководство интересным или полезным. Если у вас есть вопросы, оставьте их в комментариях ниже. Увидимся в нашем следующем уроке!

Страница не найдена | MIT

• Образование
• Исследовательская работа
• Инновации
• Прием + помощь
• Студенческая жизнь
• Новости
• Выпускников
• О MIT
• Подробнее ↓
  • Прием + помощь
  • Студенческая жизнь
  • Новости
  • Выпускников
  • О MIT

Предложения или отзывы?

Как мне проверить биполярный транзистор на ток отсечки коллектора на моем измерителе кривой?

Ток отсечки коллектора — ICEx или ICEv

Что это такое:

Ток отсечки коллектора — это ИС, которая все еще течет, когда применяется указанный VC и заданное обратное смещение.Обычно он меньше, чем ICEO или ICER (ток коллектора при открытой базе или при резистивном подключении базы к эмиттеру). Это связано с тем, что обратное смещение удаляет большинство тепловых и лавинных носителей из базы.

Из-за нелинейностей и влияния импеданса источника базового привода базовый привод часто указывается как ток, а не как напряжение. Символ ICEX обычно используется для метода измерения тока, а ICEV — для метода измерения напряжения. Возможность управления током и напряжением измерителя кривой позволяет использовать любой метод.

На трассировщике кривой VC применяется коллекторами. Обратное смещение прикладывается к переходу база-эмиттер ступенчатым генератором, и IC измеряется на выводе коллектора.

Что показывает дисплей:

Дисплей показывает примененный VC на горизонтальной оси и результирующую IC на вертикальной оси. Спецификация соблюдается, если при указанных значениях VC и обратном смещении (ток или напряжение) IC не превышает указанный максимум.
Как это сделать:

1.Установите элементы управления:

A: Максимальное пиковое напряжение до минимального значения выше указанного VC

B: Максимальное пиковое напряжение в ваттах до минимального значения, которое удовлетворяет (IC x VC)

C: Горизонтальные вольт / деление для отображения VC между 5-е и 10-е горизонтальные деления

D: вертикальный ток / деление для отображения указанной IC между 5-м и 10-м делениями по вертикали

E: полярность питания коллектора к (+ DC) для NPN или (-DC) для PNP

F: Число шагов до минимума (ноль)

G: Шаг генератора по току (Icex) или напряжению (Icev)

H: Полярность шагового генератора для применения обратного смещения (- для NPN), (+ дляPNP)

I: Шаг / Смещение амплитуды примерно до 50% указанного базового тока (ICEx) или базового напряжения (ICEv)

J: Конфигурация на (Базовый / Ступенчатый Генератор, Эмиттер / Общий)

K: переменная подача коллектора до минимального% (полный против часовой стрелки)

L: DotCursor ON

2.Подайте питание на транзистор:

A: Установите переключатель влево / вправо в нужное положение

B: Нажимайте Step Gen Offset Oppose, пока Step Gen Offset не достигнет заданного значения обратного смещения

C: Медленно увеличивайте переменную подачу коллектора в% до тех пор, пока не будет достигнуто заданное значение VC.
3. Сравните с техническими данными:

Убедитесь, что при указанных значениях VC и обратного смещения IC меньше или равен указанному максимуму

Примечание 1: Ток отсечки коллектора может быть таким. низкий, что становится необходимым использовать режим Mag для получения значимых показаний.Нажмите кнопку Mag X 10 и используйте кнопки положения дисплея для центрирования дисплея.

Примечание 2: Если шум становится проблемой, выберите Avg в качестве режима сбора данных. Среднее значение 16 выборок для уменьшения шума.

Биполярный переходный транзистор

1. Отрезка (для NPN BJT)
2. Активная область ( для NPN)
3. Насыщенный (для NPN)

В активной области, для кремниевого БЮТ, и для германия BJT.

В насыщенной зоне, .

Общие реализации BJT показаны в 10.1.

В активном регионе:
На рисунке показаны три конфигурации в активной области. 10.2. Для активной области указанное условие смещения: удовлетворен.

Когда транзистор используется для переключения, он работает либо в режим отсечки или насыщения.

В активной области токи базы и коллектора удовлетворяют требованиям условие (Коэффициент усиления постоянного тока. Коэффициент абсолютного значения). является константой для конкретного транзистора, которая изменяется от до для разные транзисторы. Обратите внимание, что это условие НЕ выполняется для насыщения. и операции отключения BJT .

Теперь обратимся к проблеме схемотехники, в которой находим соответствующие значения сопротивлений и напряжений на рисунке 10.От 3 до обеспечить BJT в активных регионах. Проблема приобретает важность, поскольку многие транзисторные приложения — это те, в которых он находится в активной области.

В отсечке, как . Если становится меньше, транзистор находится в состоянии насыщения. Нам нужно обеспечить что БЮТ не находится в этих состояниях.

В активной области, как ,

Пусть . Затем, . Предполагать у BJT есть. .

Также нам необходимо обеспечить , так что BJT не в насыщенность. В предельном случае , когда BJT ввод насыщения из активной области. (В активной области, ).

Таким образом, . Это, для обеспечения БЮТ в активном область.

Предположим, мы увеличиваем до . Затем, . Таким образом, текущий прирост .

Отсечка и насыщение используются в коммутационном приложении.Для схемы, показанной на На рисунке 10.4 мы находим условия для работы BJT в качестве переключателя.

Когда,, и , так как БЮТ в отсечке.

Теперь найдите такой, что BJT находится в насыщении.

Таким образом, для , БЮТ находится в активной области.

Две разные стратегии смещения показаны на рисунке 10.6 и 10.7.

Режимы транзистора

Смещение транзистора — это процесс установки рабочего напряжения на выводах транзистора.BJT (биполярный переходный транзистор) имеет два перехода, один — переход база-эмиттер, а другой — переход база-коллектор. В зависимости от прямого и обратного смещения этого перехода различают три режима работы транзистора. Переход между базой транзистора и эмиттером зависит от его порогового напряжения. Когда уровень напряжения между базой и эмиттером падает ниже этого порогового значения, транзистор переходит в состояние отсечки. Когда уровень напряжения база-эмиттер выше этого порогового напряжения, тогда транзистор находится либо в состоянии насыщения, либо в активном состоянии.Теоретически значение порогового напряжения диода составляет 0,7 В, но практически оно составляет 0,65 В.

Необходимые компоненты:

 BC547 Транзистор NPN

 Потенциометр 1к

 1k сопротивление

 Некоторые перемычки

 Макет

 Электропитание (+ 5В)

 Мультиметр

Рис.1: Принципиальная схема транзистора в режиме отсечки

Режим отключения:

В этом режиме переходы база-эмиттер и база-коллектор имеют обратное смещение.Когда на базе транзистора очень низкое напряжение, тогда напряжение база-эмиттер ниже его порогового напряжения. Из-за этого транзистор находится в выключенном состоянии и действует как разомкнутый переключатель. Поскольку эмиттер подключен к земле, его ток равен нулю, но на коллекторе транзистора протекает небольшой ток из-за тепловых колебаний электронов. Этот небольшой ток известен как ток обратного насыщения (Ico). Поскольку базовое напряжение равно нулю, ток должен быть нулевым, но, тем не менее, на базе транзистора протекает небольшой отрицательный ток, противоположный обратному току насыщения (-Ico).Таким образом, из-за отрицательного тока на базе транзистора, переходы база-эмиттер и база-коллектор имеют обратное смещение. Следовательно, ток не будет течь от коллектора к эмиттеру транзистора, и мы получаем низкий уровень на выходе, который выключает светодиод.

Режим отсечки транзистора используется в операции переключения для приложения «Выключить».

Рис.2: Принципиальная схема транзистора в режиме насыщения

Состояние насыщения:

В этом режиме переход база-эмиттер и база-коллектор находятся в прямом смещении.Когда мы увеличиваем значение напряжения на базе транзистора, это приведет к тому, что напряжение база-эмиттер будет больше, чем пороговое напряжение. В этом случае транзистор находится в полностью открытом состоянии и действует как замыкающий или замыкающий переключатель. Поскольку базовый ток очень велик, чтобы получить большой ток коллектора, падение напряжения на сопротивлении R3 достаточно велико. Переход база-эмиттер находится в смещенном состоянии, так как эмиттер соединен с землей, а база — с положительным источником питания.Следовательно, путь от коллектора к эмиттеру действует как короткое замыкание, из-за которого ток в эмиттере и коллекторе транзистора почти равен. Теперь ток замыкается от коллектора к эмиттеру, проходит через коллектор транзистора к базе и идет к эмиттеру, который зажигает светодиод.

Режим насыщения транзистора используется в режиме переключения при включении.

Рис.3: Принципиальная схема транзистора в активном режиме

Активный режим:

В этом режиме переход база-эмиттер транзистора находится в прямом смещении, а переход база-коллектор находится в обратном смещении.В этом режиме транзистор находится в середине состояния отсечки и насыщения. Напряжение на базе транзистора меньше, чем на коллекторе, поэтому переход база-коллектор имеет обратное смещение. С другой стороны, эмиттер находится на земле, поэтому его напряжение меньше, чем у базы, что создает переход между базой и коллектором в обратном смещении. Когда мы прикладываем напряжение между режимами отсечки и насыщения на базу транзистора, транзистор переходит в активное состояние. В этом состоянии электроны, которые текут к базе транзистора, больше притягиваются к коллектору из-за положительного напряжения на коллекторе (из-за обратного смещения).Таким образом, от коллектора к базе проходит большой ток, который больше, чем ток от эмиттера к базе. Поэтому, прикладывая небольшое напряжение к базе, мы получаем высокое значение тока на коллекторе. Это называется усилением входного сигнала. Благодаря этому свойству транзистора в активном состоянии он используется в усилении.