Полевые транзисторы в блоках питания
В предыдущей статье мы рассматривали схемы ЗУ с использованием в качестве силового ключа мощные p-n-p или n-p-n транзисторы. Гораздо экономичней вместо биполярных транзисторов устанавливать силовые МОП MOSFET транзисторы, которые при тех же токах имеют гораздо меньшее в 5 раз падение напряжения на открытом переходе сток-исток. Проще всего вместо силового p-n-p транзистора установить мощный p-канальный полевой транзистор, ограничив с помощью дополнительного стабилитрона напряжение между истоком и затвором на уровне 15В. Параллельно стабилитрону подключается резистор сопротивлением около 1 кОм для быстрой разрядки ёмкости затвор-исток. Гораздо более распространены и доступней силовые n- канальные МОП транзисторы, но принципиальная схема устройства с такими транзисторами несколько усложняется, так как для полного открытия канала сток-исток на затвор необходимо подать напряжение на 15 В выше напряжения силовой части.
Поиск данных по Вашему запросу:
Схемы, справочники, даташиты:
Прайс-листы, цены:
Обсуждения, статьи, мануалы:
Дождитесь окончания поиска во всех базах.
По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.
Содержание:
- Задающие генераторы импульсных блоков питания (стр. 3 )
- Улучшение компьютерного блока питания
- Схемотехника блоков питания персональных компьютеров. Часть 2.
- Высоковольтные транзисторы PHILIPS для импульсных источников питания
:: МОЩНЫЙ БЛОК ПИТАНИЯ НА ПОЛЕВОМ ТРАНЗИСТОРЕ :: - Источник питания на полевых транзисторах типа IRF3205
- Импульсный блок питания 250 Ватт
- Please turn JavaScript on and reload the page.
- Самодельный импульсный блок питания
- Транзисторы для импульсных блоков питания телевизоров.
Замена
ЗаменаЗадающие генераторы импульсных блоков питания (стр. 3 )
Samsung могут выпустить нм битный чип Exynos 6 для Galaxy S5. Основные типы полупроводниковых ключей. Исторически сложилось, что в большинстве схем источников питания, в качестве ключевого элемента или проходного транзистора в линейном стабилизаторе использовался биполярный транзистор. По современным стандартам такие транзисторы не отличаются высоким быстродействием. Но у структур n-p-n и p-n-p есть большой плюс — дешевизна.
В последнее время широкое распространение в импульсных источниках питания получили мощные МОП — транзисторы или mosfet, или полевые транзисторы с изолированным затвором.
Эти полевые транзисторы характеризуются достаточно высокой скоростью переключения. Несмотря на то, что мощный полевой транзистор с изолированным затвором все же вытесняет биполярный из схемотехнических решений импульсных источников питания, дискуссии о том, какой же прибор лучше в данном применении ведутся и сегодня.
Сводятся дискуссии к следующему:. В х годах прошлого столетия был создан комбинированный полупроводниковый прибор в состав которого входила управляющая МОП-структура и биполярный выходной каскад.
Этот прибор получил название — биполярный транзистор с изолированным затвором insulated gate bipolar transistor или IGBT — транзистор. Схемотехника IGBT сегодня получила большое распространение наряду с биполярным транзистором в мощных импульсных преобразователях. Полупроводниковые силовые ключи далеки от идеала. Мы упоминали, что применение любого типа полупроводникового прибора, используемого в качестве силового ключа, приводит к потере мощности.
Так например, в отличии от механического выключателя, маленькая, но вполне измеряемая величина тока утечки, когда полупроводниковый прибор находится в режиме отсечки ключ разомкнут приводит к потери мощности.
В режиме насыщения ключ замкнут , происходят потери мощности при протекании прямого тока через прибор. В режиме переключения, когда полупроводниковый прибор переходит из одного состояния в другое, также имеет место потери мощности длительность переходного процесса при переключении имеет определенные значения, т. В конечном итоге, при разработке импульсного источника питания, необходимо свести к минимуму три вида упомянутых потерь и тем самым добиться максимального КПД.
Однако разработка импульсного источника питания представляет собой набор компромиссов. Например, при выборе силового ключа, мы останавливаемся на транзисторе с малым падением напряжения и добиваемся сверх малых потерь мощности в режиме насыщения.
Казалось, такой выбор, бесспорно, приведет к выигрышу эффективности. При серийном производстве, важнейшим критерием при проектировании, является себестоимость изделия.
И достаточно часто, для серийного изделия, предпочтение отдается более дешевому устройству, несмотря на его не самые высокие параметры.
Подводя черту, необходимо сказать, что выбор конкретного схемотехнического решения и элементной базы, целиком лежит на разработчике. Именно инженер, основываясь на своем опыте, принимает то или иное решение. Для отправки комментария вам необходимо авторизоваться. Копирование материалов сайта возможно только с указанием ссылки на первоисточник — сайт meandr.
Обратная связь. Какие транзисторы выбрать для импульсного источника питания Опубликовано в Коммутация , Питание Добавить комментарий Отменить ответ Для отправки комментария вам необходимо авторизоваться. Translation Русский English. Полезный совет Вместо канифоли для пайки можно использовать канифольный лак, имеющийся в продаже в хозяйственных магазинах. Его можно применять, как жидкий флюс взамен раствора канифоли в спирте. Этот же лак можно использовать и для антикоррозийного покрытия металлов.
А в году Адольф Браун из Нью-Йорка придумал машину для изготовления проволочных гвоздей, и с тех пор производство гвоздей стало дешевым.
Улучшение компьютерного блока питания
Дневники Файлы Справка Социальные группы Все разделы прочитаны. Можно ли ставить в импульсном БП разные силовые ключи полевые транзисторы? Ремонтирую импульсный блок питания. Сгорели силовые ключи и микросхема управления. Сразу не поменял микросхему с виду была целая, да и её «обвязка» в порядке , впаял транзисторы, в итоге один сжёг. Заменил микросхему, временно поставил другой транзистор вместо сгоревшего.
Полевые транзисторы, основные характеристики, подбор аналогов. Схемы блоков питания ATX. Полный список схем. Полевые транзисторы.
Схемотехника блоков питания персональных компьютеров. Часть 2.
Для питания различных транзисторных конструкций решил собрать блок питания далее — БП со стабилизатором на полевых транзисторах, так как они имеют малое падение напряжения при больших токах в нагрузку. Узел ограничения тока в нагрузку позволяет уменьшить последствия после аварийных ситуаций, а надеяться только на один предохранитель не очень разумно.
Правда, мне не понравилось место установки «датчика тока» R7 в схеме. Перед сборкой стабилизатора, показалось, что из-за него возможна просадка выходного напряжения. Все-таки, мне не повезло. При испытании БП, уже при токе нагрузки всего 4 А напряжение на нагрузке проседало с 14,56 до 13,72 В. Схема доработанного БП показана на Рис.
Высоковольтные транзисторы PHILIPS для импульсных источников питания
С магнитными компонентами выходной трансформатор, дроссели Магнитные компоненты в БП от ПК не сильно отличаются. Как правило, они работают на частоте Для нового блока питания я предпочел трансформаторы большего размера, поскольку они имеют больше места для увеличения обмоток при необходимости. Эта часть схемы достаточно проста.
Samsung могут выпустить нм битный чип Exynos 6 для Galaxy S5.
:: МОЩНЫЙ БЛОК ПИТАНИЯ НА ПОЛЕВОМ ТРАНЗИСТОРЕ ::
Интернет отсутствовал, а выручала литература. Практика замены транзисторов в блоках питания показывает, что данная методика работает, по крайней мере, возвратов нет.
Импульсные блоки питания телевизоров в большинстве своем построены с использованием в качестве силового ключа, мощные биполярные или полевые транзисторы. Эти транзисторы не полные аналоги друг друга, но вполне взаимозаменяемы. Проверять их нагрев необходимо после выключения телевизора.
Источник питания на полевых транзисторах типа IRF3205
Иначе говоря, использование квазирезонансного режима совместно с пропорционально-токовым управлением позволяет практически полностью избавиться от коммутационных потерь. Ниже описаны два практических варианта сетевого блока питания с квазирезонансным преобразователем и пропорционально-токовым управлением. Изготовление этих блоков не вызовет больших затруднений у радиолюбителей и позволит оценить все преимущества преобразователя. Стабилизированный блок уже более двух лет работает в высокочастотном частотомере и нареканий не вызывает. Основная доля потерь мощности в блоке падает на нагревание выпрямительных диодов вторичной цепи, а КПД самого преобразователя таков, что нет необходимости в теплоотводах для транзисторов.
23 апр. г.- МОЩНЫЙ БЛОК ПИТАНИЯ НА ПОЛЕВОМ ТРАНЗИСТОРЕ.
Импульсный блок питания 250 Ватт
При построении сильноточных стабилизаторов напряжения радиолюбители обычно используют специализированные микросхемы серии и аналогичные, «усиленные» одним или несколькими, включенными параллельно, биполярными транзисторами. Если для этих целей применить мощный переключательный полевой транзистор, то удастся собрать более простой сильноточный стабилизатор. Схема одного из вариантов такого стабилизатора приведена на рис. В нем в качестве силового применен мощный полевой транзистор IRLR
Please turn JavaScript on and reload the page.
Нужны еще сервисы? Архив Каталог тем Добавить статью. Как покупать? Крупную деталь можно паять и обычным паяльником Вт , если разогреть ее, например, на газовой плите.
В проекте специально использованы наиболее доступные компоненты, чтобы ни у кого не возникнет трудности с их поиском, а теперь давайте рассмотрим схему и поймем принцип ее работы.
Схема состоит из трех основных частейСетевой понижающий трансформатор красным обозначен он обеспечивает нужные для наших целей выходные параметры, а также гальваническую развязку.
Самодельный импульсный блок питания
Подскажите пожалуйста. Я как то давно сделал регулируемый блок питания по схеме что на картинке. Скажите, можно сделать как то регулируемый блок питания с силовым полевым транзистором, irf например, ведь потерь на полевом транзисторе меньше чем на биполярном? Мы принимаем формат Sprint-Layout 6! Экспорт в Gerber из Sprint-Layout 6. С чего вы взяли, что потери будут меньше???
Транзисторы для импульсных блоков питания телевизоров. Замена
Новокузнецк, Кемеровская обл. Логин: Пароль Забыли? Простой метод выбора ключевых транзисторов для импульсных источников питания.
Защита импульсных БП с функцией плавного пуска
Защита импульсных БП с функцией плавного пуска
| Схема |
Устройство защиты предназначено для импульсных блоков питаний, позволяет плавно включать нагрузку и отключать её при повышенном сетевом напряжении.
Как правило в импульсных блоках питаний на входе стоит мостовой выпрямитель переменного сетевого напряжения, к которому подключен конденсатор большой ёмкости. При включении в сеть блока питания через выпрямитель течёт огромный ток для зарядки этого конденсатора, в некоторых случаях это может привести к пробою одного или нескольких диодов моста, что чревато негативными последствиями для остальных узлов питания, в наиблагоприятном варианте событий сгорит входной плавкий предохранитель, а если его нет или вместо него впаяна перемычка, как это часто бывает в аппаратуре китайского производства? В таких случаях нам поможет нехитрая схема защиты, которая изображена на рисунке вверху. Работает она следующим образом. Диоды D1-D4 на схеме это выпрямительный мост в вашем блоке питания, а конденсатор C это сглаживающий конденсатор из того же блока питания, поэтому номиналы не указаны, так как в разных блоках питаний они разные. Что происходит при включении устройства в сеть? А начинается всё с протекания тока через конденсатор C и резистор R4, это приводит к тому, что полевой транзистор Q1 открывается и таким образом шунтирует затвор IGBT транзистора Q2 на минус питания, он запирается и не пропускает ток в нагрузку Rload.
Следующее Предыдущее Главная страница
Маломощный туннельный транзистор для высокопроизводительных устройств.
Исследования
Просвечивающий электронный микроскоп поперечного сечения вертикального TFET. На границе раздела источника и канала происходит туннелирование электронов. ILD — межслойный диэлектрик, разделяющий контакты. Контактами верхней плоскости являются золото (Au), палладий (Pd) и молибден (Mo). Предоставлено: Суман Датта/Пенн Стейт. Все права защищены.
12 декабря 2013 г.
By Walt Mills
ВАШИНГТОН, округ Колумбия — Новый тип транзистора, который может сделать возможными быстрые и маломощные вычислительные устройства для приложений с ограниченным энергопотреблением, таких как интеллектуальные сенсорные сети, имплантируемая медицинская электроника и сверхмобильные вычисления, по словам исследователей из Пенсильвании.
. Новое устройство, названное туннельным полевым транзистором с разомкнутым зазором (TFET), использует квантово-механическое туннелирование электронов через сверхтонкий энергетический барьер для обеспечения высокого тока при низком напряжении.
Penn State, Национальный институт стандартов и технологий и IQE, производитель специальных пластин, совместно представили свои выводы на Международной конференции по электронным устройствам в Вашингтоне, округ Колумбия. форум для сообщений о прорывах в полупроводниковых и электронных технологиях.
Туннельные полевые транзисторы считаются потенциальной заменой нынешним КМОП-транзисторам, поскольку производители устройств ищут способ продолжать уменьшать размер транзисторов и размещать больше транзисторов на заданной площади. Основная проблема, стоящая перед современной технологией микросхем, заключается в том, что по мере уменьшения размера мощность, необходимая для работы транзисторов, не уменьшается ступенчато. Результаты можно увидеть в батареях, которые разряжаются быстрее и увеличивают рассеивание тепла, что может привести к повреждению чувствительных электронных схем.
Различные новые типы архитектуры транзисторов с использованием материалов, отличных от стандартного кремния, изучаются для решения проблемы энергопотребления.
«Этот транзистор ранее был разработан в нашей лаборатории для замены полевых МОП-транзисторов в логических приложениях и для решения проблем с питанием», — сказал ведущий автор и аспирант Пенсильванского университета Биджеш Раджамоханан. «В этой работе мы сделали еще один шаг вперед и продемонстрировали возможность работы на высокой частоте, что удобно для приложений, где важны вопросы питания, например, для обработки и передачи информации от устройств, имплантированных внутрь человеческого тела».
Для имплантированных устройств генерация слишком большого количества энергии и тепла может привести к повреждению контролируемой ткани, а разрядка батареи требует частой операции по замене. Исследователи во главе с Суманом Даттой, профессором электротехники, настроили состав материала арсенида индия-галлия/арсенида галлия-сурьмы так, чтобы энергетический барьер был близок к нулю — или почти разрушенному зазору, что позволяло электронам туннелировать через барьер.
при желании. Чтобы улучшить усиление, исследователи переместили все контакты в одну плоскость на верхней поверхности вертикального транзистора.
Это устройство было разработано в рамках более крупной программы, спонсируемой Национальным научным фондом через Исследовательский центр передовых автономных систем интегрированных датчиков и технологий (NERC-ASSIST). Более широкой целью программы ASSIST является разработка безбатарейных носимых систем мониторинга состояния здоровья с участием Университета штата Пенсильвания, Университета штата Северная Каролина, Университета Вирджинии и Международного университета Флориды.
Доклад «Демонстрация InGaAs/GaAsSb туннельного полевого транзистора с закрытым зазором с ионами = 740 мкА/мкм, GM = 700 мкСм/мкм и гигагерцовыми характеристиками переключения при VDS = 0,5 В» будет доступен в публикации материалов конференции ИЭДМ.
Сканирующий электронный микроскоп, вид сверху на TFET. Предоставлено: Суман Датта/Пенн Стейт. Все права защищены.
Последнее обновление 9 января 2014 г.
Контакты
Теги
- Исследования
- Студенты
- Посетители и соседи
- Факультет и персонал
- Университетский парк
- Инженерная инженерия
- Science and Technology
- Академики
- Успех студентов
TDK-Lambda Power Power. удобный глоссарий, чтобы помочь с терминологией и сокращениями, относящимися к силовым продуктам. Выберите букву ниже, чтобы начать, или загрузите глоссарий, чтобы обращаться к нему в любое время.
ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWX-Z#
F
Сокращение от фарад .
Режим отказа
Способ, которым устройство не соответствует заданным требованиям.
Время спада
Время, необходимое для импульса , чтобы уменьшиться с 90% до 10% от его максимальной положительной (или отрицательной) амплитуды.
Вентиляторное охлаждение
Метод принудительного воздушного охлаждения, используемый для поддержания проектных температур.
Фарад
Единица измерения Емкость . Записывается как « фарад ». Аббревиатура «F»
Клетка Фарадея
Проводящий экран, полностью окружающий пространство для исключения электромагнитных полей. Часто используется для двойной цели: блокировать электрические поля и блокировать электромагнитное излучение (радиочастотное экранирование).
Экран Фарадея
Электростатический экран между входной и выходной обмотками трансформатора. Это можно использовать для уменьшения емкости связи, что, в свою очередь, снижает выходной синфазный шум. См. также Электростатический экран .
Отказоустойчивость
Резервирование системы для обеспечения непрерывной работы после указанных сбоев.
FCC
Сокращение для Федеральная комиссия по связи .
Федеральная комиссия по связи (FCC)
FCC — независимое правительственное агентство США. Регулирует использование радиочастотного спектра и телекоммуникаций в США (или из них). https://www.fcc.gov/
Фемто
Множитель префикса SI. Умножается на 10 -15 . Таким образом, 100 фФ = 100 х 10 -15 Ф. Записывается как «фемто». Сокращено до «ф».
Феррит
Керамический магнитомягкий материал с малыми потерями на высоких частотах, который содержит оксид железа, смешанный с оксидами или карбонатами одного или нескольких металлов, таких как марганец, цинк, никель или магний. Изобретен основателем TDK, доктором Йогоро Като и доктором Такэси Такейином. Корпорация TDK была основана для коммерциализации этого материала в 1935.
FET
Аббревиатура для полевого транзистора .
Полевой транзистор (FET)
Транзистор, который использует электрическое поле для управления проводимостью «канала» в полупроводниковом материале.
Иногда они используются в качестве резисторов, управляемых напряжением. Все полевые транзисторы [кроме J-FET (полевые транзисторы с переходом)] имеют четыре вывода (затвор, сток, исток и корпус/база). J-FET не имеют корпуса. Полевые транзисторы расширения обычно выключены (напряжение, приложенное между истоком и затвором, увеличивает ток от истока к стоку), полевые транзисторы истощения обычно включены (напряжение, приложенное между истоком и затвором, уменьшает ток от истока к стоку).
Схематическое обозначение полевого транзистора
Фильтр
Общий термин для любой схемы, выполняющей некоторый тип обработки сигналов. Обычно это делается для удаления/ослабления нежелательных сигналов (шума). Помехоподавляющие фильтры для выходов (и входов) блока питания (PSU), как правило, пассивны.
Плавающий выход
Выход источника питания (PSU), который не соединен с каким-либо другим выходом или землей, обычно означает полную гальваническую развязку.
Обычно их можно использовать как положительные или отрицательные выходы.
Обратноходовой преобразователь
Простая топология импульсного источника питания. В большинстве случаев используется один переключатель и нужен только один магнитный элемент — трансформатор. Энергия передается во время простоя первичного контура. Как правило, они ограничены выходной мощностью менее 200 Вт.
Свернутая схема ограничения тока
Схема ограничения тока, которая постепенно снижает выходной ток в условиях перегрузки до тех пор, пока не будет достигнут некоторый минимальный уровень тока при прямом коротком замыкании. См. Ограничение тока .
Прямой преобразователь
Изолированная форма понижающего регулятора , которая способна создавать выходные напряжения выше или ниже входного.
FR-2
Недорогой материал Печатная плата .
Конструкция из бумаги, пропитанной фенольной смолой.
FR-4
A Материал печатной платы . Конструкция выполнена из тканого стекловолоконного мата, пропитанного огнеупорной эпоксидной смолой. Это намного сильнее, чем FR-2 но дороже.
Диод свободного хода
Диод, используемый для обеспечения пути прохождения тока от индуктивного устройства. См. также Улавливающий диод .
Частота
Измерение числа повторений события в единицу времени. Единицей измерения является герц (Гц), который представляет собой количество повторений в секунду (циклов в секунду — cps).
Внешний блок питания
A блок питания предназначен для использования в системах Distributed Power Architecture для обеспечения преобразования переменного тока в постоянный. Обычно он обеспечивает выход 12 В для питания преобразователей точки нагрузки напрямую.
Ассортимент внешних блоков питания Lambda включает FPS1000 (от 1 кВт до 3 кВт) и NV-350FEP (до 350 Вт).
Full Brick
Стандартная площадь основания для преобразователей постоянного тока. Размеры составляют 116,8 мм x 61 мм (4,6 дюйма x 2,4 дюйма). См. также Половина кирпича , Четверть кирпича , Восьмой кирпич , Шестнадцатый кирпич . Преобразователи постоянного/постоянного тока серии PAF компании Lambda являются примерами полных блоков.
Двухполупериодный выпрямитель
Элемент схемы, такой как мостовой выпрямитель , который выпрямляет обе половины входной волны переменного тока для создания переменного постоянного тока на выходе. Сравните с двухполупериодным выпрямителем .
Предохранитель
Сокращение от « плавкая вставка ». Устройство защиты от перегрузки по току.
