Полевой транзистор подключение: Arduino и MOSFET транзистор — RC74 — интернет-магазин радиоуправляемых моделей

Содержание

Подключение n канального полевого транзистора

Полевые транзисторы служат опорой современной микроэлектроники. Все современные компьютеры, мобильные телефоны, ноутбуки построены на полевых транзисторах, и достойной альтернативы им пока не видно. На выходах портов MK находятся каскады с полевыми транзисторами. Однако новичок-радиолюбитель впадает в шоковое состояние, узнав, что существуют десятки разновидностей полевых транзисторов с разной структурой проводимости, разной топологией изоляции затвора, разной технологией легирования канала, разными фирменными названиями и брэндами, а также разными условными графическими изображениями на электрических схемах. Это достаточно узкий класс электронных приборов, хорошо исследованный и легко поддающийся изучению. Технологические достижения последнего десятилетия сделали такие транзисторы малогабаритными и дешёвыми.

Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.

Содержание:

Полевой МОП транзистор

Полевые транзисторы с изолированным затвором со встроенным каналом

Полевой транзистор

Управление мощной нагрузкой. Отличие полевого транзистора от биполярного. Сфера их применения

Подключение Mosfet к Aрдуино

Полевые транзисторы

Primary Menu

Управление мощной нагрузкой

Управление мощной нагрузкой. Отличие полевого транзистора от биполярного. Сфера их применения

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: 5 СХЕМ на ОДНОМ ПОЛЕВОМ (МОП, МДП, MOSFET) ТРАНЗИСТОРЕ 2N65F

Полевой МОП транзистор

В следующих статьях будут устройства, которые должны управлять внешней нагрузкой. Под внешней нагрузкой я понимаю все, что прицеплено к ножкам микроконтроллера — светодиоды, лампочки, реле, двигатели, исполнительные устройства … ну Вы поняли.

И как бы не была заезжена данная тема, но, чтобы избежать повторений в следующих статьях, я все-же рискну быть не оригинальным — Вы уж меня простите:.

Я кратенько, в рекомендательной форме, покажу наиболее распространенные способы подключения нагрузки если Вы что-то захотите добавить — буду только рад. Сразу договоримся, что речь идет о цифровом сигнале микроконтроллер все-таки цифровое устройство и не будем отходить от общей логики: 1 -включено, 0 -выключено.

Нагрузкой постоянного тока являются: светодиоды, лампы, реле, двигатели постоянного тока, сервоприводы, различные исполнительные устройства и т. Такая нагрузка наиболее просто и наиболее часто подключается к микроконтроллеру. Самый простой и, наверно, чаще всего используемый способ, если речь идет о светодиодах. Резистор нужен для того, чтобы ограничить ток протекающий, через ножку микроконтроллера до допустимых 20мА.

Его называют балластным или гасящим. Примерно рассчитать величину резистора можно зная сопротивление нагрузки Rн. Как видно, даже в самом худшем случае, когда сопротивление нагрузки равно нулю достаточно Ом для того, что бы ток не превысил 20мА. А значит, если неохота чего-то там считать — ставьте Ом и Вы защитите порт от перегрузки.

Достоинство способа очевидно — простота. Если так случилась, что Ваша нагрузка потребляет более 20мА, то, ясное дело, резистор тут не поможет. Нужно как-то увеличить читай усилить ток. Что применяют для усиления сигнала? Для усиления удобней применять n-p-n транзистор, включенный по схеме ОЭ.

При таком способе можно подключать нагрузку с большим напряжением питания, чем питание микроконтроллера.

Резистор на базе — ограничительный. Может варьироваться в широких пределах кОм , в любом случае транзистор будет работать в режиме насыщения. Транзистор может быть любой n-p-n транзистор. Коэффициент усиления, практически не имеет значения.

Выбирается транзистор по току коллектора нужный нам ток и напряжению коллектор-эмиттер напряжение которым запитывается нагрузка. Еще имеет значение рассеиваемая мощность — чтоб не перегрелся.

Ну а если ток нашей нагрузки лежит в пределах десятка ампер? Биполярный транзистор применить не получиться, так как токи управления таким транзистором велики и скорей всего превысят 20мА. Полевой транзистор просто замечательная штука, так как он управляется не током, а потенциалом на затворе.

Это делает возможным микроскопическим током на затворе управлять большими токами нагрузки. Для нас подойдет любой n-канальный полевой транзистор. Выбираем, как и биполярный, по току, напряжению и рассеиваемой мощности.

При включении полевого транзистора нужно учесть ряд моментов: — так как затвор, фактически, является конденсатором, то в моменты переключения транзистора через него текут большие токи кратковременно. Для того чтобы ограничить эти токи в затвор ставиться ограничивающий резистор.

У полевого транзистора на фоне всех его положительных качеств есть недостаток. Платой за управление малым током является медлительность транзистора. ШИМ, конечно, он потянет, но на превышение допустимой частоты он Вам ответит перегревом. Альтернативой применения полевого транзистора при сильноточной нагрузке является применение составного транзистора Дарлингтона. Внешне это такой-же транзистор, как скажем, биполярный, но внутри для управления мощным выходным транзистором используется предварительная усилительная схема.

Это позволяет малыми токами управлять мощной нагрузкой. Применение транзистора Дарлингтона не так интересно, как применение сборки таких транзисторов. Есть такая замечательная микросхема как ULN В ее составе аж 7 транзисторов Дарлингтона, причем каждый можно нагрузить током до мА, причем их можно включать параллельно для увеличения тока.

Микросхема очень легко подключается к микроконтроллеру просто ножка к ножке имеет удобную разводку вход напротив выхода и не требует дополнительной обвязки. В результате такой удачной конструкции ULN широко используется в радиолюбительской практике.

Соответственно достать ее не составит труда. Если Вам нужно управлять устройствами переменного тока чаще всего v , то тут все сложней, но не на много.

Самым простым и, наверное, самым надежным есть подключение при помощи реле. Катушка реле, сама собой, является сильноточной нагрузкой, поэтому напрямую к микроконтроллеру ее не включишь. Реле можно подключить через транзистор полевой или биполярный или через туже ULN, если нужно несколько каналов. Достоинства такого способа большой коммутируемый ток зависит от выбранного реле , гальваническая развязка.

Что-то рекомендовать для применения не имеет смысла — реле много, выбирайте по нужным параметрам и цене. Если нужно управлять мощной нагрузкой переменного тока а особенно если нужно управлять мощностью выдаваемой на нагрузку димеры , то Вам просто не обойтись без применения симистора или триака. Симистор открывается коротким импульсом тока через управляющий электрод причем как для отрицательной, так и для положительной полуволны напряжения.

Закрывается симистор сам, в момент отсутствия напряжения на нем при переходе напряжения через ноль.

Вот тут начинаются сложности. Микроконтроллер должен контролировать момент перехода через ноль напряжения и в точно определенный момент подавать импульс для открытия симистора — это постоянная занятость контроллера. Еще одна сложность это отсутствие гальванической развязки у симистора. Приходится ее делать на отдельных элементах усложняя схему. Хотя современные симисторы управляются довольно малым током и их можно подключить напрямую через ограничительный резистор к микроконтроллеру, из соображений безопасности приходится их включать через оптические развязывающие приборы.

Причем это касается не только цепей управления симистором, но и цепей контроля нуля. Довольно неоднозначный способ подключения нагрузки. Так как с одной стороны требует активного участия микроконтроллера и относительно сложного схемотехнического решения. С другой стороны позволяет очень гибко манипулировать нагрузкой. Еще один недостаток применения симисторов — большое количество цифрового шума, создаваемого при их работе — нужны цепи подавления.

Симисторы довольно широко используются, а в некоторых областях просто незаменимы, поэтому достать их не составляет каких либо проблем. Очень часто в радиолюбительстве применяют симисторы типа BT Здесь же я отдельно вынес такой важный практический вопрос, как подключение индуктивных датчиков с транзисторным выходом, которые в современном промышленном оборудовании — повсеместно. Кроме того, приведены реальные инструкции к датчикам и ссылки на примеры.

Принцип активации работы датчиков при этом может быть любым — индуктивные приближения , оптические фотоэлектрические , и т. В первой части были описаны возможные варианты выходов датчиков. По подключению датчиков с контактами релейный выход проблем возникнуть не должно. А по транзисторным и с подключением к контроллеру не всё так просто. Ниже для примера даны схемы подключения датчиков с транзисторным выходом.

Нагрузка — как правило, это вход контроллера. НО или НЗ датчик — зависит от схемы управления Main circuit. На схемах ниже показано в принципе то же самое. На левом рисунке — датчик с выходным транзистором NPN. Коммутируется общий провод, который в данном случае — отрицательный провод источника питания. Справа — случай с транзистором PNP на выходе. Этот случай — наиболее частый, так как в современной электронике принято отрицательный провод источника питания делать общим, а входы контроллеров и других регистрирующих устройств активировать положительным потенциалом.

Для этого нужно подать на него питание, то есть подключить его в схему. Затем — активировать инициировать его. При активации будет загораться индикатор. Но индикация не гарантирует правильной работы индуктивного датчика. Как я уже писал, есть принципиально 4 вида датчиков с транзисторным выходом, которые подразделяются по внутреннему устройству и схеме включения:. Понять работу этих схем поможет осознание того факта, что транзистор — это ключевой элемент, который можно представить обычными контактами реле примеры — ниже, в обозначениях.

Итак, схема слева. Предположим, что тип датчика — НО. Когда датчик активен, контакты замкнуты, со всеми вытекающими последствиями. Точнее, с протекающим током через эти контакты.

Протекающий ток создает падение напряжения на нагрузке. Внутренняя нагрузка показана пунктиром неспроста. Этот резистор существует, но его наличие не гарантирует стабильную работу датчика, датчик должен быть подключен к входу контроллера или другой нагрузке. Сопротивление этого входа и является основной нагрузкой. Как того же добиться с выходом NPN? Смотрим на изменения в схеме справа.

Прежде всего, обеспечен режим работы выходного транзистора датчика. Для этого в схему добавлен дополнительный резистор, его сопротивление обычно порядка 5,1 — 10 кОм. Да, не совсем то, что мы хотели.

Полевые транзисторы с изолированным затвором со встроенным каналом

В транзисторе имеется PN переход, но его единственное назначение — обеспечить непроводящую обедненную область, которая используется для ограничения тока через канал. Обратите внимание на то, что вывод стока соединяется с любым концом N-канала, и что вывод затвора прикреплен к металлической пластине, отделенной от канала тонким изолирующим барьером. Этот барьер иногда выполняется из двуокиси кремния основного химического соединения, находимого в песке , которая является очень хорошим изолятором. Также обратите внимание на то, что у полевого транзистора с изолированным затвором имеется четыре вывода. На практике вывод подложки непосредственно соединен с истоком , чтобы сделать эти два вывода общими.

МОП транзистор — это полевой транзистор с изолированным затвором. распространенного N-канального МОП-транзистора с индуцированным Поэтому, требуется соблюдать цоколевку при подключении МОП- транзистора в.

Полевой транзистор

Область, из которой носители заряда уходят в канал, называется истоком , область, в которую они входят из канала, называется стоком , электрод, на который подается управляющее напряжение, называется затвором. Впервые идея регулировки потока основных носителей электрическим полем в транзисторе с изолированным затвором была предложена Лилиенфельдом в — годах. Однако трудности в реализации этой идеи на практике позволили создать первый работающий прибор только в году. В году Джеймс Маккаллахем из Bell Labs установил, что использование полевых транзисторов может существенно увеличить производительность существующих вычислительных систем. К основным параметрам полевых транзисторов причисляют: входное сопротивление, внутреннее сопротивление транзистора, также называемое выходным, крутизну стокозатворной характеристики, напряжение отсечки и некоторые другие. Источник постоянного смещения, включенный во входную цепь, создаёт на единственном p-n-переходе обратное запирающее напряжение. Во входную цепь также включается и источник усиливаемого сигнала. При изменении входного напряжения изменяется обратное напряжение на p-n-переходе, в связи с чем меняется толщина обедненного слоя, то есть изменяется площадь поперечного сечения области в криcталле, через которую проходит поток основных носителей заряда. Эта область называется каналом. Тип полупроводниковой проводимости канала может быть как n-, так и p-типа.

Управление мощной нагрузкой. Отличие полевого транзистора от биполярного. Сфера их применения

На практике часто возникает необходимость управлять при помощи цифровой схемы например, микроконтроллера каким-то мощным электрическим прибором. Это может быть мощный светодиод, потребляющий большой ток, или прибор, питающийся от электрической сети. Рассмотрим типовые решения этой задачи. Будем считать, что нам нужно только включать или выключать нагрузку с низкой частотой.

Подключение Mosfet к Aрдуино

Транзистор BSS, производства компании Fairchild, представляет собой маломощный N-канальный полевой транзистор с изолированным затвором, способный длительное время выдерживать ток стока не менее мА при напряжении исток-сток до 50 В. Сопротивление его открытого канала не превышает 6 Ом уже при напряжении затвор-исток 4,5 В, обеспечивая при этом надежную и быструю коммутацию при управлении от логических микросхем серий CMOS и TTL. Благодаря пороговому напряжению 1,3 В, транзистор BSS отлично подходит для низковольтных слаботочных приложений на частотах до 1 МГц, таких как 3,3-вольтовые системы управления серводвигателями, силовые драйверы MOSFET-транзисторов, логические трансляторы и другие переключающие устройства. Каталог товаров О компании. Обратный звонок Ваше имя. Удобное время -.

Полевые транзисторы

Войдите , пожалуйста. Хабр Geektimes Тостер Мой круг Фрилансим. Мегапосты: Криминальный квест HR-истории Путешествия гика. Войти Регистрация. Полевые транзисторы. For dummies Электроника для начинающих Введение А теперь давайте поговорим о полевых транзисторах. Что можно предположить уже по одному их названию? Во-первых, поскольку они транзисторы, то с их помощью можно как-то управлять выходным током.

Иногда нужно подключить и управлять не только постоянным напряжением, а и Управление нагрузкой Ардуино N-канальным полевым транзистором.

Primary Menu

Тема в разделе » Силовая электроника «, создана пользователем Climber , 19 дек Войти или зарегистрироваться. Искать только в заголовках Сообщения пользователя: Имена участников разделяйте запятой. Новее чем: Искать только в этой теме Искать только в этом разделе Отображать результаты в виде тем.

Управление мощной нагрузкой

ВИДЕО ПО ТЕМЕ: MOSFET транзистор, подключение

Системы высокой готовности, такие как серверы, сетевые коммутаторы, устройства хранения данных RAID и другие устройства коммуникационной инфраструктуры, разрабатываются таким образом, чтобы обеспечить нулевое время простоя в течение всего их жизненного цикла. Если компонент такой системы выходит из строя или требует замены по другой причине, он должен быть заменен без прерывания работы всей системы. Плата или модуль должны быть извлечены и заменены, в то время как система остается включенной и работающей. Во время работы этот контроллер также обеспечивает непрерывную защиту от короткого замыкания и от перегрузки по току. Несмотря на то, что ток при подключении модуля может быть весьма большим, часто случается, что разработчик не уделяет должного внимания всем тонкостям проектирования таких схем. Напряжение —48 В традиционно для систем телекоммуникации.

Публиковать посты на тему: как сделать полноценный бюджетный умный дом? Просмотреть результаты.

Управление мощной нагрузкой. Отличие полевого транзистора от биполярного. Сфера их применения

Всем хороши мощные полевые транзисторы MOSFET, кроме одного маленького нюанса, — подключить их напрямую к выводам микроконтроллера зачастую оказывается невозможно. Это, во-первых, связано с тем, что допустимые токи для микроконтроллерных выводов редко превышают 20 мА, а для очень быстрых переключений MOSFET-ов с хорошими фронтами , когда нужно очень быстро заряжать или разряжать затвор который всегда обладает некоторой ёмкостью , нужны токи на порядок больше. И, во-вторых, питание контроллера обычно составляет 3 или 5 Вольт, что в принципе позволяет управлять напрямую только небольшим классом полевиков которые называют logic level — с логическим уровнем управления. Одним из выходов, в данной ситуации, является использование специальных микросхем, — драйверов, которые как раз и предназначены для того, чтобы тягать через затворы полевиков большие токи. Однако и такой вариант не лишён недостатков.

Мощные транзисторы MOSFET хорошо известны своей исключительной скоростью переключения при весьма малой мощности управления, которую нужно прикладывать к затвору. Основная причина в том, что затвор изолирован, поэтому требуется мощность только на перезаряд емкости затвор-исток, и в статическом режиме цепь затвора практически не потребляет тока. Основные недостатки, которые не дают MOSFET стать «идеальным», это сопротивление открытого канала R DS on , и значительная величина положительного температурного коэффициента чем выше температура, тем выше сопротивление открытого канала.

мир электроники — Знакомство с полевым транзистором

категория

Практическая электроника начинающим

материалы в категории

Журнал «Радио», номер 11, 1998г.
Автор: Б.Иванов

Известно, что входное сопротивление биполярного транзистора зависит от сопротивления нагрузки каскада, сопротивления резистора в цепи эмиттера и коэффициента передачи тока базы. Порою оно бывает сравнительно небольшим, усложняя согласование каскада с источником входного сигнала. Эта проблема полностью отпадает, если использовать полевой транзистор, — его входное сопротивление достигает десятков и даже сотен мегаом. Чтобы поближе познакомиться с полевым транзистором, проделайте предлагаемые эксперименты.

Устройство и характеристики полевых транзисторов

Как и у биполярного, у полевого три электрода, но называют их иначе: затвор (аналогичен базе), сток (коллектор), исток (эмиттер). По аналогии с биполярными полевые транзисторы бывают разной «структуры»: с р-каналом и n-каналом. В отличие от биполярных они могут быть с затвором в виде p-n перехода и с изолированным затвором. Наши эксперименты коснутся первых из них.

Основой полевого транзистора служит пластина кремния (затвор), в которой имеется тонкая область, называемая каналом (рис. 1,а). По одну сторону канала расположен сток, по другую — исток. При подключении к истоку транзистора плюсового, а к стоку минусового выводов батареи питания GB2 (рис. 1,б) в канале возникает электрический ток. Канал в этом случае обладает максимальной проводимостью.

Стоит подключить еще один источник питания — GB1 — к выводам истока и затвора (плюсом к затвору), как канал «сужается», вызывая увеличение сопротивления в цепи сток-исток. Сразу же уменьшается ток в этой цепи. Изменением напряжения между затвором и истоком регулируют ток стока. Причем в цепи затвора тока нет, управление током стока осуществляется электрическим полем (вот почему транзистор называют полевым), создаваемым приложенным к истоку и затвору напряжением.

Сказанное относится к транзистору с р-каналом, если же транзистор с n-каналом, полярность питающего и управляющего напряжений изменяется на обратную (рис. 1,в).

Чаще всего можно встретить полевой транзистор в металлическом корпусе — тогда, кроме трех основных выводов, у него может быть и вывод корпуса, который при монтаже соединяют с общим проводом конструкции.

Один из параметров полевого транзистора — начальный ток стока (I_{с нач} ), т. е. ток в цепи стока при нулевом напряжении на затворе транзистора (на рис. 2,а движок переменного резистора в нижнем по схеме положении) и при заданном напряжении питания.

Если плавно перемещать движок резистора вверх по схеме, то по мере роста напряжения на затворе транзистора ток стока уменьшается (рис. 2,б) и при определенном для данного транзистора напряжении снизится практически до нуля. Напряжение, соответствующее этому моменту, называют напряжением отсечки (U_ЗИотс ).

Зависимость тока стока от напряжения на затворе достаточно близка к прямой линии. Если на ней взять произвольное приращение тока стока и поделить его на соответствующее приращение напряжения между затвором и истоком, получим третий параметр — крутизну характеристики (S). Этот параметр нетрудно определить и без снятия характеристики или поиска его в справочнике. Достаточно измерить начальный ток стока, а затем подключить между затвором и истоком, скажем, гальванический элемент напряжением 1,5 В. Вычитаете получившийся ток стока из начального и делите остаток на напряжение элемента — получите значение крутизны характеристики в миллиамперах на вольт.

Знание особенностей полевого транзистора дополнит знакомство с его стоковыми выходными характеристиками (рис. 2,в). Снимают их при изменении напряжения между стоком и истоком для нескольких фиксированных напряжений на затворе. Нетрудно заметить, что до определенного напряжения между стоком и истоком выходная характеристика нелинейна, а затем в значительных пределах напряжения практически горизонтальна.

Конечно, для подачи напряжения смещения на затвор отдельный источник питания в реальных конструкциях не применяют. Смещение образуется автоматически при включении в цепь истока постоянного резистора нужного сопротивления.

А теперь подберите несколько полевых транзисторов серий КП103 (с р-каналом), КП303 (с n-каналом) с разными буквенными индексами и потренируйтесь в определении их параметров, пользуясь приведенными схемами.

Эксперименты с полевым транзистором

Полевой транзистор — сенсорный датчик

Слово «сенсор» означает чувство, ощущение, восприятие. Поэтому можем считать, что в нашем эксперименте полевой транзистор будет выступать в роли чувствительного элемента, реагирующего на прикосновение к одному из его выводов.

Помимо транзистора (рис. 3), например, любого из серии КП103, понадобится омметр с любым диапазоном измерений. Подключите щупы омметра в любой полярности к выводам стока и истока — стрелка омметра покажет небольшое сопротивление этой цепи транзистора.

Затем коснитесь пальцем вывода затвора. Стрелка омметра резко отклонится в сторону увеличения сопротивления. Произошло это потому, что наводки электрического тока изменили напряжение между затвором и истоком. Увеличилось сопротивление канала, которое и зафиксировал омметр.

Не отнимая пальца от затвора, попробуйте коснуться другим пальцем вывода истока. Стрелка омметра вернется в первоначальное положение — ведь затвор оказался соединенным через сопротивление участка руки с истоком, а значит, управляющее поле между этими электродами практически исчезло и канал стал токопроводящим.

Эти свойства полевых транзисторов нередко используют в сенсорных выключателях, кнопках и переключателях.

Полевой транзистор — индикатор поля.

Немного измените предыдущий эксперимент — приблизьте транзистор выводом затвора (либо корпусом) возможно ближе к сетевой розетке или включенному в нее проводу работающего электроприбора. Эффект будет тот же, что и в предыдущем случае — стрелка омметра отклонится в сторону увеличения сопротивления. Оно и понятно — вблизи розетки или вокруг провода образуется электрическое поле, на которое и среагировал транзистор.

В подобном качестве полевой транзистор используется как датчик устройств для обнаружения скрытой электропроводки или места обрыва провода в новогодней гирлянде — в этой точке напряженность поля возрастает.

Удерживая транзистор-индикатор вблизи сетевого провода, попробуйте включить и выключить электроприбор. Изменение электрического поля зафиксирует стрелка омметра.

Полевой транзистор — переменный резистор

Подключив между затвором и истоком цепь регулировки напряжения смещения (рис. 4), установите движок резистора в нижнее по схеме положение. Стрелка омметра, как и в предыдущих экспериментах, зафиксирует минимальное сопротивление цепи сток-исток.

Перемещая движок резистора вверх по схеме, вы можете наблюдать плавное изменение показаний омметра (увеличение сопротивления). Полевой транзистор превратился в переменный резистор с очень широким диапазоном изменения сопротивления независимо от номинала резистора в цепи затвора. Полярность подключения омметра значения не имеет, а вот полярность включения гальванического элемента придется изменить, если будет использоваться транзистор с n-каналом, например, любой из серии КП303.

Полевой транзистор — стабилизатор тока

Для проведения этого эксперимента (рис. 5) понадобится источник постоянного тока напряжением 15…18 В (четыре последовательно соединенные батареи 3336 или сетевой блок питания), переменный резистор сопротивлением 10 или 15 кОм, два постоянных резистора, миллиамперметр с пределом измерения 3-5 мА, да полевой транзистор.

Вначале установите движок резистора в нижнее по схеме положение, соответствующее подаче на транзистор минимального питающего напряжения — около 5 В при указанных на схеме номиналах резисторов R2 и R3. Подбором резистора R1 (если это понадобится) установите ток в цепи стока транзистора 1,8…2,2 мА. Перемещая движок резистора вверх по схеме, наблюдайте за изменением тока стока. Может случиться, что он вообще останется прежним либо незначительно увеличится. Иначе говоря, при изменении питающего напряжения от 5 до 15…18 В ток через транзистор будет автоматически поддерживаться на заданном (резистором R1) уровне. Причем точность поддержания тока зависит от первоначально установленного значения — чем оно меньше, тем выше точность. Утвердиться в этом выводе поможет анализ стоковых выходных характеристик, приведенных на рис. 2,в.

Подобный каскад называют источником тока или генератором тока. Его можно встретить в самых разнообразных конструкциях.

Соединение FET-OR для источников питания

Схема на Рисунке 1 обеспечивает функцию «диод-ИЛИ» для приложений, которые должны автоматически переключаться между основным и резервным напряжением питания. К таким приложениям относятся блоки памяти с батарейным питанием и любые работающие от батарей устройства с подключением к настенному адаптеру.

Например, схема SRAM с батарейным питанием (модуль энергонезависимой памяти) требует как минимум двух источников питания: сильноточный активный путь для памяти SRAM (VIN1) и слаботочный резервный источник (VIN2), который сохраняет содержимое памяти, когда основное питание отключено. Традиционное соединение диод-ИЛИ, показанное на рис. 2, представляет проблему на любом пути. В цепи VIN1 падение напряжения на диоде может привести к выходу напряжения питания за пределы допуска — 3,3 В ± 10 % имеет минимум 2,97 В, поэтому типичное падение напряжения на диоде (0,6 В) помещает VIN1 за пределы ±10%. Проблема толерантности еще хуже для ИС памяти с источниками питания с более низким напряжением.

На резервной стороне (VIN2) нам нужно как можно меньшее падение напряжения, чтобы максимально продлить срок службы резервного источника (будь то батарея, SuperCap™ или другой источник напряжения). Однако падение напряжения на 0,6 В составляет примерно 15% выходного напряжения полностью заряженной (4,1 В) Li+ батареи. Диоды Шоттки несколько улучшают ситуацию, уменьшая падение напряжения в прямом направлении до диапазона от 0,3 В до 0,5 В, но замена диодов на полевые транзисторы уменьшает падение почти до 0,1 В. Чтобы создать источник питания «FET-ORed» с низкими прямыми падениями, поместите полевой транзистор в каждый тракт питания, как показано на рис. 1. Оба полевых транзистора управляются секвенсором питания U1.

Вы можете уменьшить потери на VIN1 и VIN2 до уровня менее 50 мВ каждый, используя транзистор FDC633N (Fairchild) для пути VIN1 и FDN304P для пути VIN2. Q1 был выбран из-за его возможностей обработки тока и низкого R _DS(ON) . Q2 был выбран для низкого напряжения V _GS (до 1,8 В — эквивалент двух разряженных элементов AA по 0,9 В каждый) и низкого напряжения R _DS(ON).

Оба полевых транзистора установлены в обратном направлении для обратного смещения диодов в их корпусе и тем самым предотвращают протекание чрезмерного тока, обеспечивая при этом более плавный переход от одного источника к другому.

U1 действует как детектор источника и средство подавления дребезга для настенного адаптера. Устройство отслеживает VIN1 с программируемой задержкой (используйте MAX6819 для типичной фиксированной задержки в 200 мс), чтобы гарантировать, что питание от батареи не отключится до тех пор, пока напряжение сети не станет стабильным на уровне или выше напряжения срабатывания U1.

Обратите внимание, что без D1 VIN2 может быть обратно управляем VIN1 (за вычетом падения на корпусном диоде Q1) в течение периода задержки тайм-аута U1. Чтобы предотвратить эту проблему, D1 отключает Q2 при подаче питания от основного источника (VIN1).

Внутренний насос заряда U1 создает выходной сигнал GATE, который полностью усиливает Q1 и отключает Q2. Этот выход примерно равен V _CC2 + 5,5 В (см. рис. 3). Резистор R3 был добавлен для более быстрой передачи сигнала GATE на землю, тем самым способствуя включению транзистора Q2 при отключении VIN1. R3 должен быть как можно больше, потому что резистивная нагрузка на выход GATE увеличивает ток нагрузки и снижает возможности управления затвором. (Для правильной работы эта схема предполагает, что амплитуда VIN2 меньше амплитуды VIN1.)

Передача технологий и сотрудничество с промышленностью
Веб-семинар: «Стратегии в области ИС — акцент на совместно используемой ИС в совместных исследовательских проектах»
Обучение по эксплуатации: онлайн бизнес -обучение
Обучение по эксплуатации: онлайн -обучение бизнес -обучения
Обучение эксплуатации: онлайн бизнес -обучение
Инновационные возможности семинара
Инновационные возможности
Инновационные возможности. Акцент на совместно используемой ИС в совместных исследовательских проектах
Семинар по возможностям инноваций
Семинар по возможностям инноваций
Семинар по инновационным возможностям
Семинар по инновационным возможностям
Семинар по инновационным возможностям
Семинар по инновационным возможностям
Истории эксплуатации
Инновационные возможности.
Мастерская инновационных возможностей
Семинар инновационных возможностей
Семинар по инновационным возможностям
Семинар по инновационным возможностям
Семинар по инновационным возможностям
Семинар по инновационным возможностям
Семинар по инновационным возможностям
Семинар по инновациям
онлайн
онлайн бизнес и коучинг
Экспресс.
Тренинг по коммуникации – как сообщить результаты вашего исследования заинтересованным сторонам бизнеса
Тренинг по коммуникации – как сообщать результаты вашего исследования заинтересованным сторонам бизнеса
Тренинг по коммуникации – как сообщать результаты вашего исследования заинтересованным сторонам бизнеса
Тренинг по коммуникации – как сообщать результаты вашего исследования заинтересованным сторонам бизнеса
Тренинг по коммуникации – как общаться результаты ваших исследований заинтересованным сторонам бизнеса
Тренинг по коммуникации – как сообщать результаты ваших исследований заинтересованным сторонам бизнеса
Тренинг по коммуникации – как сообщить результаты вашего исследования заинтересованным сторонам бизнеса
Тренинг по коммуникации – как сообщить результаты вашего исследования заинтересованным сторонам бизнеса
Исследования встречаются с промышленностью – Энергетика и окружающая среда – 4 марта 2021 г.

Подключение n канального полевого транзистора

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

Полевой МОП транзистор

Полевые транзисторы с изолированным затвором со встроенным каналом

Полевой транзистор

Управление мощной нагрузкой. Отличие полевого транзистора от биполярного. Сфера их применения

Подключение Mosfet к Aрдуино

Полевые транзисторы

Primary Menu

Управление мощной нагрузкой

Управление мощной нагрузкой. Отличие полевого транзистора от биполярного. Сфера их применения

мир электроники — Знакомство с полевым транзистором

Практическая электроника начинающим

Устройство и характеристики полевых транзисторов

Эксперименты с полевым транзистором

Соединение FET-OR для источников питания

Abstract

Введение

FET Briefing – Преодоление разрыва в области инноваций FET

alexxlab

Добавить комментарий Отменить ответ