Полевой транзистор самый мощный

Компьютер — это сложная система, состоящая из отдельных частей. Разбирая, как работают эти отдельные части большие и малые , мы приобретаем знание. Обретая знание, мы получаем шанс помочь своему железному другу-компьютеру, если он вдруг забарахлит. Мы же ведь в ответе за тех, кого приручили, не правда ли? Из всех видов транзисторов их немало мы ограничимся сейчас рассмотрением работы полевых транзисторов.

Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.

Содержание:

• Транзисторы
• Справочник по полевым транзисторам.
• Режимы работы и схемы включения полевых транзисторов. Напряжение открытия полевого транзистора
• Что такое полевой транзистор и как его проверить
• SMCreative
• Мощные полевые транзисторы в современном электроприводе
• Мощные полевые транзисторы: история, развитие и перспективы. Аналитический обзор
• Что такое полевой транзистор и как его проверить
• Primary Menu

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: ОЧЕНЬ ГРОМКИЙ УСИЛИТЕЛЬ на ПОЛЕВОМ ТРАНЗИСТОРЕ

Транзисторы

Все они выпускаются в стандартном популярном корпусе TOAC, что позволяет существенно снизить стоимость готового устройства. Производитель рекомендует следующие области применения новых МОП-транзисторов:. На рисунке 1 представлено сравнение Rds on новых транзисторов выделены желтым цветом и лучших приборов предыдущего поколения IR выделены синим цветом.

Таблица 1. При расчетах схем с этими транзисторами и сравнении с аналогичными приборами целесообразнее ориентироваться на сопротивление канала в открытом состоянии, не забывая об ограничении тока выводами корпуса ТОАС.

Однако за это приходится расплачиваться увеличением заряда затвора, что влечет за собой выбор драйверов MOSFET с большими выходными токами, короткими фронтами и малыми задержками, хотя выбор таких драйверов достаточно велик и обычно не вызывает никаких затруднений. Все новые транзисторы обладают очень низкими значениями теплового сопротивления переход-корпус, что позволяет более эффективно отводить тепло от кристалла.

Нужно отметить, что пять новых транзисторов заменяют большое количество транзисторов предыдущего поколения International Rectifier см. Таблица 2. Таблица 3. Рекомендуемые замены от IR для транзисторов с близкими параметрами других производителей. По сопротивлению канала с ним может конкурировать только транзистор IR в дорогом 7-выводном корпусе для поверхностного монтажа IRFS-7P.

Самый близкий прибор от другого производителя — это FDA с сопротивлением канала 2,1 мОм от компании Fairchild параметры для сравнения приведены в таблице 2. В крайнем правом столбце таблицы 2 для всех транзисторов других производителей указано отношение сопротивлений Rds on близкого по параметрам транзистора IR к Rds on конкретного транзистора другого производителя.

Все эти соотношения меньше 1, что говорит о том, что сопротивление канала транзисторов IR меньше или гораздо меньше аналогичного параметра приборов фирм Fairchild, ST и IXYS.

Диапазон В. Наконец, мы подошли к диапазону В. Здесь самый сильный игрок — новый транзистор IRFPPBF с сопротивлением канала 9,7 мОм, что для вольтовых приборов является эталонным показателем при таком напряжении. В некоторых случаях один новый МОП-транзистор IR может заменить до трех параллельно включенных транзисторов IR предыдущих поколений в диапазоне … В.

Кроме того, при параллельном соединении транзисторов добавляются сопротивления соединительных проводников, которые при токах десятки и сотни Ампер могут существенно ухудшать статические и динамические параметры эквивалентного транзистора. Цена одного нового транзистора меньше стоимости трех параллельно включенных приборов предшествующих поколений. При этом можно уменьшить размер радиатора и снизить температуру в блоке. Следует учесть, что при снижении температуры в блоке на 10 процентов срок службы электролитических конденсаторов удваивается.

Как известно, именно электролитические конденсаторы в большинстве случаев определяют время безотказной работы силового преобразователя. Новые транзисторы серии IRFPxxx обеспечивают высокие динамические характеристики при низкой мощности управления, устойчивость к лавинному пробою и надежную работу в режимах жесткого переключения в широком диапазоне частот.

Нижние кривые иллюстрируют работу транзистора при управляющем напряжении 4,5 В, что близко к логическим уровням цифровых микросхем с питанием от 5 В. На рисунке 4 иллюстрируется зависимость максимально допустимых токов транзистора IRFPPBF от температуры корпуса, ограниченных кристаллом и выводами корпуса транзистора.

При модернизации серийно выпускаемых преобразователей энергии в большинстве случаев достаточно без изменения схемы и печатной платы заменить используемые ранее транзисторы на новые из серии IRFP4xxx. При замене нескольких параллельно включенных транзисторов на один новый получается ощутимый выигрыш в цене и надежности за счет снижения выделяемого тепла и увеличения срока службы электролитических конденсаторов. Всего пять новых транзисторов могут заменить большое количество транзисторов IR предыдущих поколений и довольно большое количество аналогичных приборов других производителей см.

В статье рассмотрены транзисторы только наиболее популярных мировых производителей MOSFET, хорошо известных нашим разработчикам, но, конечно, читатель может попробовать заменить и транзисторы от производителей, не рассмотренных выше.

Получение технической информации, заказ образцов, поставка — e-mail: power. Преимущества по отношению к предыдущим поколениям MOSFET На рисунке 1 представлено сравнение Rds on новых транзисторов выделены желтым цветом и лучших приборов предыдущего поколения IR выделены синим цветом.

Наши информационные каналы. Новости Статьи Вебинары Все записи.

Справочник по полевым транзисторам.

Запомнить меня. Разработано Ext-Joom. Designed by admin radio-portal. Technical support Doc.

Полевой транзистор работает подобно обычному транзистору — слабым сигналом на Спасибо нашел. на В самый крутой IRL.

Режимы работы и схемы включения полевых транзисторов. Напряжение открытия полевого транзистора

Транзистор Q1 выполняет роль ключа верхнего плеча, Q2 — нижнего плеча, вместо диода. Имея значение сопротивления открытого канала R DS on всего лишь 1. Рисунок 2 иллюстрирует схему привода щеточно-коллекторного электродвигателя постоянного тока, которые обычно применяются в электроинструменте с батарейным питанием. Нормированные лавинные параметры полевых транзисторов гарантируют высокую надежность такой системы. Рисунок 3 демонстрирует упрощенную блок-схему аудиоусилителя класса D. Аудиосигнал сравнивается со сгенерированным треугольным импульсом, генерируется соответствующий сигнал ШИМ, который управляет открытием выходных транзисторов верхнего и нижнего плеча в полумостовой схеме двухтактового усилителя мощности. Выходной сигнал подается на низко-частотный фильтр и далее на динамическую головку акустической системы. Корпорация IXYS , всемирно известный производитель силовых полупроводниковых приборов и интегральных микросхем для применения в различных отраслях, представила силовые полевые транзисторы TrenchT4 TM на напряжение 40 В — новое поколение МОП-транзисторов из фирменной линейки Trench для коммутации высоких токов. Новинки рассчитаны на величины непрерывного тока стока от А до А и оптимизированы для синхронного выпрямления в коммутируемых преобразователях.

Что такое полевой транзистор и как его проверить

Большую часть механической энергии в промышленности, быту и других областях мы получаем путем преобразования электрической энергии с помощью электропривода. От качества электропривода во многом зависят как возможности реализации эффективных технологий, так и затраты энергии в самых разных сферах деятельности. Качественные показатели электропривода, такие как статическая и динамическая точность выполнения заданного движения, коэффициент мощности и коэффициент полезного действия, масса, габариты, надежность, стоимость и т. Преобразователь энергии обеспечивает управление потоком энергии от первичного источника питающей сети к двигателю в соответствии с сигналом, формируемым устройством управления.

Хочешь стать куратором любимой темы? Автор antacc Раздел Электровелосипеды.

SMCreative

Кроме транзисторов и сборок Дарлингтона есть еще один хороший способ рулить мощной постоянной нагрузкой — полевые МОП транзисторы. Полевой транзистор работает подобно обычному транзистору — слабым сигналом на затворе управляем мощным потоком через канал. Но, в отличии от биполярных транзисторов, тут управление идет не током, а напряжением. Если на пальцах, то в нем есть полупроводниковый канал который служит как бы одной обкладкой конденсатора и вторая обкладка — металлический электрод, расположенный через тонкий слой оксида кремния, который является диэлектриком. Когда на затвор подают напряжение, то этот конденсатор заряжается, а электрическое поле затвора подтягивает к каналу заряды, в результате чего в канале возникают подвижные заряды, способные образовать электрический ток и сопротивление сток — исток резко падает.

Мощные полевые транзисторы в современном электроприводе

Компания NXP Semiconductors одна из ведущих компаний в области производства высокочастотных полупроводниковых элементов. Биполярная технология широко применялась в х годах 20 века и на данный момент хорошо изучена и описана во многих литературных статьях. Эта технология обладает улучшенной термостабильностью и плотностью мощности транзисторов по сравнению с биполярными транзисторами. Технология LDMOS обладает наилучшими характеристиками по сравнению с биполярной и VDMOS технологией, такими, как линейность, усиление, тепловые режимы, устойчивость к рассогласованию, высокий КПД, запас по рассеиваемой мощности, надежность. Это достаточно молодая технология, которая основное развитие получила в конце х — начале х годов 20 века и стала одной из ключевых технологий на рынке высокочастотных устройств.

Последние достижения в области технологии LDMOS позволили не только использовать радиочастотные транзисторы в тех.

Мощные полевые транзисторы: история, развитие и перспективы. Аналитический обзор

Все они выпускаются в стандартном популярном корпусе TOAC, что позволяет существенно снизить стоимость готового устройства. Производитель рекомендует следующие области применения новых МОП-транзисторов:. На рисунке 1 представлено сравнение Rds on новых транзисторов выделены желтым цветом и лучших приборов предыдущего поколения IR выделены синим цветом.

Что такое полевой транзистор и как его проверить

ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Мощный стабилизатор напряжения на полевом …

Транзистор является полупроводниковым электронным компонентом. Поэтому его часто еще называют просто МОП транзистор. Кроме того, существуют полевые транзисторы:. Чтобы управлять потоком жидкости под высоким давлением в большой трубе, требуется мало усилий, чтобы открыть или закрыть кран. Другими словами, при небольшом объеме работы, мы получаем большой эффект. Небольшая сила, которую мы прикладываем к ручке крана управляет намного большей силой воды, которая давит на клапан.

Развитие мощных полевых транзисторов носит беспрецедентный характер.

Primary Menu

Транзисторы полевые — полупроводниковые приборы, через которые протекают потоки носителей электрического заряда. Эти потоки регулируются поперечным электрическим полем, создаваемым при помощи напряжения, приложенного между стоком и затвором или истоком и затвором сток и исток — внешние слои полупроводников, затвор — внутренний. Принцип работы полевых транзисторов основывается на перемещении основных носителей электрического заряда одного типа электроны или дырки , в отличие от биполярных транзисторов, у которых два типа носителей заряда. Вход с паролем и Регистрация. Мой регион: Россия.

Особенностью справочника является то, что импортные полевые транзисторы взяты из прайсов интернет-магазинов. Справочник транзисторов мощных биполярных. Справочник транзисторов полевых отечественных.

PSMN020-150W и PSMN040-200W, полевые транзисторы для работы в линейном режиме плюс «довесок» в виде IRFP260M

$0.34

Перейти в магазин

Не так давно у меня был обзор каких-то совсем «диких» непонятных транзисторов под маркировкой IXUS, которые были куплены на ТаоБао для электронной нагрузки. Но прошло время и я опять решил рискнуть заказав еще разных транзисторов, которые изначально предполагают работу в DC режиме, потому подходят для использования в силовом узле электронных нагрузок.

Я не буду рассказывать о нюансах, скажу лишь что редко какие полевые транзисторы рассчитаны на нормальную работу в линейном режиме с большой рассеиваемой мощностью, чаще всего она ограничена на уровне 30-50 Ватт в зависимости от корпуса, напряжения и других характеристик.

Но есть транзисторы, для которых этот режим является нормальным и они могут работать практически «на полную».

В прошлый раз китаец меня жестоко обманул, подсунув вместо транзисторов IXUS неизвестно что. Я уже как-то даже начал думать над вариантами покупки оригиналов, ну или ставить кучу более известных IRFP250, 460 и т.п. Но потом совершенно случайно вспомнил, что в комплекте к моей первой электронной нагрузке давали интересный транзистор с маркировкой PSMN. Открыв опять даташит я убедился что действительно транзисторы могут нормально работать в таком режиме, но мало того, IXUS знают наверно почти все, а вот что такое PSMN, думаю известно меньшему количеству радиолюбителей, хотя это также известная фирма — Philips Semiconductors.

Получил я в итоге три кучки транзисторов, аккуратно расфасованные в пакетики.

Всего было заказано 3 типа транзисторов, 13, 11 и 7 штук.

Но начну рассказ не с PSMN, а с более знакомых IRFP260M и сразу отвечу на резонный вопрос, кирич, вот нафига зачем ты их купил? Да если честно, то просто «за компанию» и отчасти из-за особенностей покупки на ТаоБао где стоимость доставки товара по Китаю обычно фиксирована, потому в итоге они мне вышли по 21 центу + услуга перевозчика.

И так, IRFP260M, стоимость $0.21, ссылка.

Картинка продавца

Что получил, разница пожалуй только в том что у продавца на фото они чище, но это нормально, транзисторы БУ и для фото их отмыли.

Полный даташит можно скачать здесь, я нижу буду приводить только краткие вырезки.

Общее описание.

Внимание, данные транзисторы не предназначены для работы в линейном режиме, хотя и могут так использоваться с ограничением мощности рассеивания на уровне 40-50 Ватт так как ориентированы под ключевой режим.

Выглядят нормально, выводы длинные, но очень похоже что выводы наварены, я подобные упоминания неоднократно встречал в отзывах. Для серийных изделий не стал бы использовать, а вот для своих каких-то поделок вполне.

Немножко тестов.
Основные параметры, которые я обычно измеряю у транзисторов и сравниваю с теми что приведены в документации, это емкость затвора и сопротивление в открытом состоянии, в случае подделок они чаще всего заметно отличаются.

В основном емкость затвора была как в даташите, около 4100-4300пФ, но у одного была около 5500 и еще нашелся один странный, сначала подключил и решил что он неисправен, так как показал что затвор скорее всего в обрыве, но пошевелил выводы и он показал 5300пФ. Скорее всего последний транзистор имеет где-то плохой контакт, потому использовать я его не буду.

Сопротивление измерялось в диапазоне напряжения затвора от 1 до 15 Вольт с шагом 0.5 Вольта, но ниже приведу его для четырех напряжений — 3, 5, 10 и 15 Вольт. Могу построить график зависимости сопротивления от напряжения на затворе, но не вижу в этом смысла.
При 5 Вольт сопротивление 60мОм, при 10 и 15 почти одинаковое и составляет около 34-35мОм, что вполне подходит под заявленные «менее 40».

А вот это уже куда более интересные транзисторы, потому заказал я их больше.

PSMN020-150W, цена $0.35, ссылка.
Со ссылкой есть некоторая странность, когда я пишу обзор товаров с тао, то беру ссылки со страницы заказа у посредника, так удобнее. Но в данном случае эта ссылка меня почему-то вывела на другой лот с другой картинкой и соответственно другими транзисторами, хотя у посредника показывала все правильно и получил я именно то, что заказывал. А выкинула она меня на IXFB100N50P — ссылка.

Фото со страницы товара именно заказанных транзисторов.

Как и в предыдущем случае, внешне совпадают, только мои грязнее.

Здесь я выделил сразу несколько групп имеющих разную кодовую маркировку, получилось 4 основные группы. На мой взгляд само то, что маркировка у них отличается, допускает что это все таки оригинал.

Ссылка на полный даташит, кстати есть еще сокращенный, без графиков.

Здесь на графике ОБР явно выделен режим DC и если посмотреть, то он перекрывает диапазон мощностей до 300 Ватт, но следует учитывать, что это все совсем не означает что вы сможете при помощи такого транзистора рассеивать все 300 Ватт, так как придется обеспечить при этом температуру в 25 градусов, а согласно другому графику при температуре корпуса 100 градусов следует ее ограничить на уровне 150 Ватт (50%).

Здесь транзисторы явно БУ, видны следы термопасты, герметика, потертости, короткие выводы

Параметры из даташита.

Емкость затвора согласно даташиту 9537пФ, при моих измерениях вышло от 9557 у одного и до 11060 у двух, остальные имели емкость около 10400пФ.

Сопротивление при напряжении 3, 5, 10 и 15 Вольт соответственно 27 Ом и 17, 12.5 и 12.1 мОм.

Третьи транзисторы из той же линейки что и предыдущие, основное отличие в напряжении и соответственно токе/сопротивлении.
PSMN040-200W, цена $0.28, ссылка.

Кстати, в маркировке обозначено напряжение и внутреннее сопротивление, соответственно PSMN040-200W это 40мОм 200 Вольт, а PSMN020-150W это 20мОм и 150 Вольт.

Фото товара появилось уже после того как я купил и получил транзисторы, изначально там было пустое место, потому покупал я по сути «кота в мешке». Заметил что все фото сделаны на одном и том же фоне, а значит скорее всего эти фото действительно сделаны продавцом.

Фото полученного товара.

Здесь также выделяются несколько групп, сходных по кодовой маркировке.

Ссылка на даташит и несколько скриншотов из него.

График ОБР похож на PSMN020-150W, но с учетом более высокого напряжения, например у PSMN020-150W было до 150 Вольт 2 Ампера, здесь соответственно до 200 Вольт 1.5 Ампера, лично на мой взгляд эти транзисторы лучше подходят для электронных нагрузок.

Внешне такие же как и предыдущие, конечно с учетом отличия в маркировки 🙂

И электрические характеристики.

По даташиту емкость затвора примерно как у предыдущих, около 9500пФ, измеренная также как и у PSMN020-150W, около 10500пФ, но один попался с 11330.

Сопротивление открытого канала при напряжении 3, 5, 10 и 15 Вольт соответственно 55 Ом и 28, 22 и 21.5 мОм, т.е. примерно в два раза больше чем у PSMN020-150W, все корректно.

Мне как-то в комментариях написали что я неправильно бутерброд ем измеряю, в общем-то да, согласен, сопротивление открытого канала измеряют под током и потому я собрал такой вот стенд.
В качестве источника я использовал не блок питания, выход которого нагружал бы открытым транзистором, а аккумулятор, который нагружал при помощи электронной нагрузки через проверяемый транзистор, на затвор подавалось напряжение 10 Вольт согласно даташиту.

Перед тестом аккумулятор был полностью заряжен.

IRFP260M тестировался последним, но чтобы не нарушать порядок, привожу сначала его.
И здесь у меня вылезла ошибка, дело в том, что когда я смотрел значение тестового тока, то совершенно случайно ткнул 250 вместо 260 и получил данные для IRFP250M, а так как проверял последним, то не заметил этого. Разница в том, что у IRFP250 данные приведены для тока 18 Ампер, а у 260 для 28 Ампер.
Кроме того это значение приводится для импульса шириной менее 300-400мкс, но мне придется проверять при длительной нагрузке.

Сразу после запуска напряжение было около 730мВ, но по мере прогрева начало расти и на фото попало уже 757мВ. Как я писал выше, ошибочно был установлен ток 18 Ампер, что с учетом напряжения дает нам 730/18=40. 5мОм. В даташите для импульса до 400мкс указано 40 мОм максимум, так что думаю можно считать что результат очень даже неплох.

PSMN020-150W
Здесь параметры декларируются для того же напряжения на затворе, но при токе 25 Ампер, из-за ограничений по току у электронной нагрузки был установлен ток 20 Ампер, но не думаю что это сильно повлияло на результат.

Сопротивление росло заметно медленнее так как мощность на транзисторе была также заметно меньше.
В итоге я получил сразу после включения около 283мВ, соответственно сопротивление 28320=14.15мОм, согласно даташиту типовое 12 мОм но не более 20, потому считаю данный тест пройденным успешно.

И последний транзистор, PSMN040-200W.
Заявленные условия теста и те в которых проводился тест идентичны предыдущему.

У меня вышло 513мВ, получается сопротивление составляет 51320=25.65мОм, что на мой взгляд с одной стороны хорошо, а с другой подозрительно, потому мне сложно сказать, все хорошо или все плохо, явно не хватает образца.

Если вы заметили, количество всех транзисторов нечетное, это из-за того что я изначально планировал вскрыть по одному транзистору каждого типа, хотя после тестов было немного жалко ломать рабочие компоненты.

Начал с PSMN020-150W.
В отличие от IXTK вскрывается он гораздо сложнее, думал что и тиски сломаю, пока вскрывал.
Толщина подошвы 2мм, на вид явно медь.

Через время я его все таки вскрыл.

Размеры кристалла составляют 7.2х6мм или соответственно 43мм.кв, что существенно больше чем у поддельных IXTK где площадь колебалась от 25 до 36мм.кв, а они были заявлены как более мощные.

PSMN050-200W я вскрывал последним, но по немного другой технологии, сначала пару раз прогрел на газовой плите, с последующим быстрым охлаждением, возможно потому здесь часть кристалла осталась целой.

Размеры те же что и у PSMN020-150W.

Третьим я вскрыл тот IRFP260M у которого «плавала» емкость затвора. Выяснилось что у него пропадает контакт вывода затвора, при нажатии в одну сторону, пропадает, в другую — появляется.

Я думал что PSMN020-150W вскрывался тяжело, нет, он вскрывался легко в сравнении с этим, но я его победил 🙂
Медь основания также толщиной 2мм.

Кристалл имеет другую форму, размеры около 7.5х4.5мм, площадь 33.5мм.кв.

Сравнительное фото, видно что у PSMN040 потемнела краска, это я доводил температуру до того, что начинал гореть пластик корпуса, хорошая краска 🙂

Я бы даже сказал что транзисторы PSMN оригинальные, по крайней мере исходя из того что я получил в результате тестов если бы не одно но…
Случайно наткнулся на фото в другом корпусе.

И действительно, согласно даташиту транзистор имеет корпус с боковыми вырезами полукруглой, а не прямоугольной формы, потому возникает вопрос на который я пока не могу ответить, это просто хорошая подделка или производитель выпускает транзисторы в таком корпусе? Дело в том, что насколько мне известно, выпускается он фирмами Philips и NXP у которой по сути тоже «ноги растут» от Philips

На сайте 1688. com нашелся даже лот с двумя вариантами.

Я затрудняюсь дать вердикт что это 100% оригиналы или подделки, китайцы большие мастера подобных фокусов, но по моему мнению они очень похожи на оригинал в плане характеристик. Хорошо конечно было бы узнать размеры кристалла 100% оригинального транзистора PSMN020 и 040, тогда можно было бы говорить точнее, но вот у IRFP260 размеры кристалла все таки больше похожи на оригинал.

В общем я пока планирую заказать себе еще таких транзисторов, надо только определиться сколько заказывать, если не в нагрузку, то куда нибудь точно пойдут. Кстати видел в каком-то местном интернет магазине транзисторы PSMN020-150W по цене около доллара и с длинными выводами, сомневаюсь что это оригинал. В другом магазине попались по 3 доллара, вот это больше похоже на цену оригинальных транзисторов, но и как минимум пятикратная разница в цене…

На этом у меня все, надеюсь что информация была полезной, любопытно ваше мнение по вопросу оригинальности.

$0. 34

Перейти в магазин

Findchips: RF%20power%20field effect%20transistors?page=6

Мы используем файлы cookie, чтобы предоставить вам лучший опыт на нашем веб-сайте. Используя наш веб-сайт и услуги, вы прямо соглашаетесь на размещение наших производительных, функциональных и рекламных файлов cookie. Пожалуйста, смотрите нашу Политику конфиденциальности для получения дополнительной информации.

Фильтр поиска

Выбранные записи:

Извините, ничего не найдено.

Мы не совсем поняли ваш поисковый запрос. Попробуйте новый поиск или просмотрите доступные детали, используя ссылки на категории ниже.

• Соединители

  
  49 667 728

• Транзисторы

  
  690 319

• Резисторы

  
  270 299 891

• Конденсаторы

  
  121 311 267

• Диоды

  
  2 377 505

• Силовые цепи

  
  10 429 265

• Микроконтроллеры и процессоры

  
  1 003 075

• Логика

  
  725 866

• Память

  
  1 468 998

• Схемы усилителя

  
  158 158

• Оптоэлектроника

  
  15 239 031

• Катушки индуктивности

  
  1 223 211

• Потребительские цепи

  
  75 825

• Переключатели

  
  11 238 378

• Опора разъема

  
  55 341 025

• Пусковые устройства

  
  410 028

• Телекоммуникационные цепи

  
  3 206 800

• Драйверы и интерфейсы

  
  148 518

• Сигнальные цепи

  
  811 254

• Аккумуляторы

  
  2 354

• Трансформаторы

  
  99 743

• Программируемая логика

  
  436 271

• Реле

  
  488 971

• Преобразователи

  
  335 962

• РЧ и СВЧ

  
  771 862

• Защита цепи

  
  1 843 912

• Осцилляторы

  
  43 059 204

• Сети RC

  
  255 948

• Фильтры

  
  397 883

• Волоконная оптика

  
  2 855 779

• Розетки

  
  975 485

• Устройства термоподдержки

  
  110 793

• Клеммные колодки

  
  1 344 265

• Кристаллы/Резонаторы

  
  21 366 576

• Датчики/преобразователи

  
  7 279 506

Добавить в список:

! Невозможно сохранить документ.
Пожалуйста, попробуйте еще раз.

!

1. 1 Загрузка документа
2. 2 Обработка документа
3. 3 Сохранение данных

Срок действия вашей лицензии Findchips PRO истек.

Пожалуйста, обновите данные своей учетной записи для будущих счетов.

Обновить данные учетной записи → или же Запросить расширение →

Ваша учетная запись достигла предела списка (3 списка). Чтобы создать новый список, необходимо удалить существующий список.

[PDF] Полевой эффект и физика биполярных силовых транзисторов, электронная книга Адольфа Блихера

[PDF] Полевой эффект и физика биполярных мощных транзисторов, электронная книга Адольфа Блихера | Perlego

Онлайн-библиотека для обучения

Прочтите эту и тысячи других книг по разумной ежемесячной цене.

📖 Электронная книга — PDF

Adolph Blicher

Поделитесь книги

📖 Электронная книга — PDF

Adolph Blicher

Об этой книге

Полевые и биполяные транзистовые транзисты. Физические управления физики. Ведущие физические управления. Физические управления. Операции ВОЗностей ВзМИСИКИ ОПИСАНИКИ. Он касается биполярных устройств, а также силовых полевых транзисторов. В книге содержится актуальная информация о прогрессе, достигнутом в разработке силовых транзисторов.
Этот том состоит из трех частей. Часть I исследует общие соображения и рассматривает теорию поверхности полупроводников как основу для понимания поверхностных явлений. Также обсуждается влияние высокой концентрации носителей заряда на свойства полупроводника. Часть II посвящена биполярным транзисторам и основным структурам силовых транзисторов. В части III обсуждаются переходные полевые и поверхностные полевые транзисторы.
Эта книга предназначена для инженеров-электриков, проектирующих схемы силовых транзисторов, физиков и проектировщиков устройств, а также студентов университетов. Читатель должен иметь некоторое представление о физике малосигнальных транзисторов, так как презентация предназначена для студентов старших курсов или аспирантов первого года обучения.

Информация

Издатель

Academic Press

Год

2012

ISBN

9780323155403

Тема

Технология и техника

Подтема

Электротехника и телекоммуникации

Содержание

Стили цитирования по физике полевых и биполярных силовых транзисторов из списка ниже и нажмите «Копировать», чтобы создать цитату. Если вашего стиля нет в списке, вы можете начать бесплатную пробную версию, чтобы получить доступ к более чем 20 дополнительным стилям из электронной книги Perlego.

APA 6 Ссылка

Блихер, А. (2012). Полевой эффект и физика биполярных силовых транзисторов ([издание недоступно]). Эльзевир Наука. Получено с https://www.perlego.com/book/1858519/fieldeffect-and-bipolar-power-transistor-physics-pdf (исходная работа опубликована в 2012 г.)

Chicago Citation

Блихер, Адольф. (2012) 2012. Полевой эффект и физика биполярных силовых транзисторов . [Издание недоступно]. Эльзевир Наука. https://www.perlego.com/book/1858519/Физика полевого эффекта и биполярного силового транзистора-pdf.

Harvard Citation

Бличер, А. (2012) Полевой эффект и физика биполярных силовых транзисторов . [издание недоступно]. Эльзевир Наука. Доступно по адресу: https://www.perlego.com/book/1858519/fieldeffect-and-bipolar-power-transistor-physics-pdf (дата обращения: 15 октября 2022 г.