Site Loader

Музей отечественных транзистоов — Транзистор П4

Меню сайта
Статистика

Онлайн всего: 1

Гостей: 1

Пользователей: 0

Следующая разработка, -транзистор П4 .

Мощный транзистор П4 был разработан в Московском НИИ-35 «Пульсар» в 1956 г.

Разработчиками были, А.В. Красилов и С.Г. Мадоян — инженеры, которые в феврале 1949 года создали первый в Советском Союзе образец транзистора.

Первые образцы П4 имели маркировку П4У — усилительный прибор, и П4П — преобразовательный.

Интересно, что опытные образцы П4 имели выводы, все три, — изолированные от корпуса

Паспорт от П4У , Опытный :

Но уже с апреля 1957 г у транзисторов П4У стали изготавливать обычные выводы :
    

В 1957 же году, транзисторы П4 стали маркировать обычным образом, буквами от А до Д :

   


П4 — это мощный германиевый транзистор.
 От предыдущих триодов П4 отличался новой конструкцией. Герметичный корпус, с хорошим теплоотводом.

Такая конструкция обеспечивала хорошее охлаждение кристалла германия, что очень важно для стабильной работы транзистора.

На транзисторах П4, начиная с 1962 г. появилась в обозначении буква Э :

Это означает, что в корпусе транзистора установлен дополнительный экран, который 

защищает кристалл полупроводника от попадания частичек расплавленного металла при сварке корпуса транзистора.
Разработка оказалась удачной, П4 и его модификации выпускался вплоть до 80-х годов.

В 1963 г. транзисторы П4 выпускались в модернизированном корпусе с маркировкой П4БМ :

 

После 1964 г. транзисторам П4БМ пришли на замену более совершенные транзисторы П216, П217, в таком же корпусе.

А транзисторы П4 продолжали выпускать в прежнем корпусе:


На первом искусственном спутнике Земли, с его знаменитым «Бип -бип», аппаратура была собрана на миниатюрных радиолампах.
 А вот на космическом корабле «Восток-1», на котором Юрий Алексеевич Гагарин совершил первый полет вокруг Земли, уже применялись транзисторы П4Б. В аппаратуре передачи на Землю телевизионного сигнала с борта корабля, стояли П4Б !

Некоторые фото с сайта Портативное ретрорадио

© Дубна, 2015 г.

Вход на сайт
Календарь

«  Ноябрь 2022  »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 123456
7891011
12
13
14151617181920
21222324252627
282930

Друзья сайта
  • Официальный блог
  • Сообщество uCoz
  • FAQ по системе
  • Инструкции для uCoz
  • Транзистор П4АЭ, П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ

    Все картинки в новостях кликабельные, то есть при нажатии они увеличиваются.

    Транзисторы германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные мощные.

    Предназначены для применения в схемах переключения, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 14 гр.


    Электрические параметры П4АЭ, П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ.

    Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=2 А, IБ=0,3 А П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ, не более 0,5 В
    Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ=10 В, IК=2 А
    П4АЭ, не менее 5
    П4БЭ 15-40
    П4ВЭ, не мене 10
    П4ГЭ 15-30
    П4ДЭ, не менее 30
    Коэффициент усиления по мощности при Рвых=10 Вт, UКБ=26 В, Rи=25 Ом, ?=1 кГц, не менее
    П4АЭ 20 дБ
    П4БЭ 23 дБ
    П4ГЭ 27 дБ
    П4ДЭ 30 дБ
    Коэффициент нелинейных искажений при Рвых=10 Вт, UКБ=26 В, Rи=25 Ом, ?=1 кГц, не более
    П4АЭ 15%
    П4БЭ, П4ГЭ, П4ДЭ 10%
    Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общей базой, не менее 150 кГц
    Обратный ток коллектора при UКБ=10 В, не более
    П4АЭ 500 мкА
    П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ 400 мкА
    Обратный ток коллектор-эмиттер при RБЭ=15 Ом
    при UКЭ=60 В П4БЭ, не более 20 мкА
    при UКЭ=50 В
    П4ГЭ, П4ДЭ, не более 20 мкА
    П4АЭ, не более 50 мкА
    при UКЭ=35 В П4ВЭ, не более 20 мкА

    Предельные эксплуатационные данные.

    Постоянное напряжение коллектор-база
    П4АЭ, П4ГЭ, П4ДЭ 60 В
    П4БЭ 70 В
    П4ВЭ 40 В
    Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБЭ?15 Ом
    П4АЭ, П4ГЭ, П4ДЭ 50 В
    П4БЭ 60 В
    П4ВЭ 35 В
    Постоянный ток коллектора 5 А
    Постоянный ток базы 1,2 А
    Постоянная рассеиваемая мощность с теплоотводом
    при Тк?313 К
    П4АЭ 20 Вт
    П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ 25 Вт
    при Тк=323 К
    П4АЭ 15 Вт
    П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ 20 Вт
    при Тк=343 К
    П4АЭ 7,5 Вт
    П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ 10 Вт
    без теплоотвода при Тк?298 К
    П4АЭ 2 Вт
    П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ 3 Вт
    Температура перехода 363 К
    Тепловое сопротивление переход-корпус
    П4АЭ 2,67 К/Вт
    П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ 2 К/Вт
    Температура корпуса От 213 до 343 К

    1. Входные характеристики. 2. Зависимость относительного статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость максимальной допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса. 4. Зависимость относительного максимального допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер.


    smd%20transistor%20p4 спецификация и примечания по применению

    Модель ECAD Производитель Описание Техническое описание Скачать Купить часть SCT4045DW7HR РОМ Полупроводник 750 В, 31 А, 7-контактный SMD, траншейная конструкция, полевой МОП-транзистор на основе карбида кремния (SiC) для автомобильной промышленности SCT3040KW7 РОМ Полупроводник 1200 В 56 А, 7-контактный SMD, траншейная структура, карбидокремниевый (SiC) МОП-транзистор SCT3080AW7 РОМ Полупроводник 650 В 29 А, 7-контактный SMD, канавка, карбид кремния (SiC) MOSFET SCT3120AW7 РОМ Полупроводник 650 В 21 А, 7-контактный SMD, канавка, карбидокремниевый (SiC) МОП-транзистор SCT3160KW7 РОМ Полупроводник 1200 В 17 А, 7-контактный SMD, канавка, карбид кремния (SiC) MOSFET SCT4062KW7HR РОМ Полупроводник 1200 В, 24 А, 7-контактный SMD, траншейная конструкция, полевой МОП-транзистор на основе карбида кремния (SiC) для автомобильной промышленности

    smd%20transistor%20p4 Листы данных Context Search

    SDC3D11

    Реферат: smd led smd диод j транзистор SMD 41 068 smd
    Текст: Нет доступного текста файла

    к439

    Аннотация: B34 SMD SMD a34 SDS301
    Текст: Нет доступного текста файла

    2012 — Недоступно

    Резюме: нет абстрактного текста
    Текст: Нет доступного текста файла

    2012 — SDC2D14-1R5N-LF

    Резюме: нет абстрактного текста
    Текст: Нет доступного текста файла

    2012 — Недоступно

    Резюме: нет абстрактного текста
    Текст: Нет доступного текста файла

    СМД 43

    Реферат: катушки индуктивности Power Inductors 3D-14 smd диод j «Power Inductors» 3D14
    Текст: Нет доступного текста файла

    Катушки индуктивности

    Реферат: Силовые индукторы 068 smd 0621 smd SMD a34 D160 SDS3015EHP-100M-LF
    Текст: Нет доступного текста файла

    5a6 стабилитрон

    Реферат: Двойной MOSFET dip стабилитрон 6.2v 1w 10v ZENER DIODE 5A6 smd sot23 DG9415
    Текст: Нет доступного текста файла

    Каталог Лист данных MFG и тип ПДФ Теги документов
    СМД 43

    Реферат: Катушки индуктивности Силовые катушки индуктивности smd диод j 100N 1FW+43+smd
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF SDC2D18LD 2Д18ЛД СМД 43 Индукторы Силовые индукторы smd-диод j 100Н 1FW+43+СМД

    Оригинал
    PDF SDC3D11 смд светодиод smd-диод j транзистор СМД 41 068 смд
    СМД 356 В

    Реферат: дроссель smd we 470 356 AT smd транзистор smd 24 дроссель smd 470 Led smd smd диод j smd транзистор 560 SDC3D16 SMD INDUCTOR 47
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF SDC3D16LD 3Д16ЛД СМД 356 АТ индуктор смд мы 470 356 В СМД транзистор СМД 24 индуктор смд 470 светодиод смд smd-диод j смд транзистор 560 SDC3D16 СМД ИНДУКТОР 47
    СМД d105

    Реферат: SMD a34 B34 SMD smd 028 F индукторы 25 34 SMD силовые индукторы k439
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF SDS3012E 3012E СМД д105 СМД а34 Б34 СМД СМД 028 Ф катушки индуктивности 25 34 СМД Силовые индукторы к439

    Оригинал
    PDF SDS3015ELD 3015ELD к439 Б34 СМД СМД а34 SDS301
    СДК2Д14

    Реферат: SDC2D14-2R2N-LF Дроссель bo smd транзистор SMD 24 «Силовые индукторы» СИЛОВЫЕ ДАТЧИКИ smd led smd сопротивление smd p 112
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF SDC2D14 СДК2Д14-2Р2Н-ЛФ Индуктор бо smd транзистор СМД 24 «Силовые индукторы» СИЛОВЫЕ ИНДУКТОРЫ смд светодиод смд сопротивление смд р 112
    SDS2D10-4R7N-LF

    Резюме: SDS2D10 smd led smd 83 smd транзистор 560 4263B катушки индуктивности 221 a32 smd
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF SDS2D10 SDS2D10-4R7N-LF смд светодиод смд 83 смд транзистор 560 4263Б катушки индуктивности 221 а32 смд

    Оригинал
    PDF SDC3D28
    СДК2Д11-100Н-ЛФ

    Реферат: Катушки индуктивности Силовые катушки smd led «Силовые катушки индуктивности» smd 123 smd диод j 4263B SMD INDUCTOR 47
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF SDC2D11 СДК2Д11-100Н-ЛФ Индукторы Силовые индукторы смд светодиод «Силовые индукторы» смд 123 smd-диод j 4263Б СМД ИНДУКТОР 47
    СДК2Д11ХП-3Р3Н-ЛФ

    Реферат: Силовые индукторы Катушки индуктивности smd led smd диод j 4263B
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF SDC2D11HP 2Д11ХП SDC2D11HP-3R3N-LF Силовые индукторы Индукторы смд светодиод smd-диод j 4263Б

    Оригинал
    PDF SDC2D14 СДК2Д14-1Р5Н-ЛФ
    А44 СМД

    Резюме: смд 5630 5630 смд койлмастер смд B44 SDS4212E-100M-LF
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF SDS4212E 4212E A44 СМД смд 5630 5630 смд койлмастер смд б44 SDS4212E-100M-LF
    индуктор

    Резюме: смд светодиод SDC2D14HPS-221M-LF 13dBo 100N SDC2D14HPS
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF СДК2Д14ХП 2Д14ЛС индуктор смд светодиод SDC2D14HPS-221M-LF 13 дБ Бо 100Н SDC2D14HPS
    катушки индуктивности

    Реферат: СИЛОВЫЕ ДАТЧИКИ Диод smd 86 smd диод j 100N SDC2D18HP «Силовые индукторы»
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF SDC2D18HP 2Д18ХП катушки индуктивности СИЛОВЫЕ ИНДУКТОРЫ Диод смд 86 smd-диод j 100Н «Силовые индукторы»

    Оригинал
    PDF SDC2D18HP 2Д18ХП
    СМД .А40

    Резюме: a40 smd smd D10 Inductors Power Inductors SMD A40 smd g12
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF SDS4010E 4010Е СМД .А40 а40 смд смд д10 Индукторы Силовые индукторы СМД А40 смд г12
    Силовые индукторы

    Реферат: smd диод j 100N Катушки индуктивности
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF SDC3D18 Силовые индукторы smd-диод j 100Н Индукторы
    2Д18

    Реферат: катушки индуктивности 221 лф 1250 smd j диод SDS2D18
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF SDS2D18 2Д18 катушки индуктивности 221 1250 лф smd-диод j

    Оригинал
    PDF SDC3D14 СМД 43 катушки индуктивности Силовые индукторы 3Д-14 smd-диод j «Силовые индукторы» 3D14
    смд 3250

    Реферат: SMD-диод Coilmaster Electronics j
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF SDC2D09 смд 3250 Койлмастер Электроника smd-диод j
    пмб 4220

    Резюме: Siemens pmb 4220 PMB 27251 4310 SMD IC 2197-T 82526-N smd 2035 DSP/pmb 4220 PMB27201 SICOFI PEF 2465
    Текст: Нет доступного текста файла


    OCR-сканирование
    PDF 2025-Н 2025-П 2026Т-П 2026Т-С 20320-Н 2035-Н 2035-П 2045-Н 2045-П 2046-Н 4220 пмб Сименс пмб 4220 ПМБ 27251 ИС 4310 для поверхностного монтажа 2197-Т 82526-Н СМД 2035 DSP/пмб 4220 PMB27201 СИКОФИ ПЭФ 2465

    Оригинал
    PDF SDS3015EHP 3015EHP Индукторы Силовые индукторы 068 смд 0621 смд СМД а34 Д160 SDS3015EHP-100M-LF
    СМД 43

    Реферат: Дроссели транзисторные SMD мы SDS2D12-100M-LF h22 smd smd диод j 2D12 3r smd 340 smd «Дроссели силовые»
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF SDS2D12 СМД 43 Индукторы транзистор SMD мы СДС2Д12-100М-ЛФ h22 смд smd-диод j 2D12 3р смд 340 смд «Силовые индукторы»
    2004 — стабилитрон SMD маркировка код 27 4F

    Реферат: smd диод шоттки код маркировка 2F smd стабилитрон код 5F panasonic MSL уровень smd стабилитрон код a2 SMD ZENER DIODE a2 smd стабилитрон 27 2f SMD стабилитрон код 102 A2 SMD стабилитрон SMD MARK A1
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF 2002/95/ЕС) стабилитрон SMD маркировка код 27 4F SMD-диод с кодом Шоттки, маркировка 2F smd стабилитрон код 5F уровень Panasonic MSL smd стабилитрон код a2 SMD ЗЕНЕР ДИОД a2 смд стабилитрон 27 2ф Маркировка стабилитрона SMD код 102 A2 для поверхностного монтажа стабилитрон SMD MARK A1

    Оригинал
    PDF Si4418DY 130 мОм@ Si4420BDY Si6928DQ 35 мОм@ Si6954ADQ 53 мОм@ SiP2800 СУМ47Н10-24Л 24 мОм@ стабилитрон 5а6 двойной мосфет провал диод стабилитрон 6.2в 1вт 10В ЗЕНЕРСКИЙ ДИОД 5А6 смд сот23 ДГ9415

    Предыдущий 1 2 3 … 23 24 25 Далее

    ОДИН кремний, ОДИН опыт, НЕСКОЛЬКО ролей

    11 декабря 2019 г.


    SP360: поставщик услуг

    Ракеш Чопра

    Где бы вы ни находились, вокруг вас наверняка есть устройства, содержащие полупроводниковый чип: компьютеры, телефоны, телевизоры, принтеры, автомобили, поезда, самолеты и многое другое. Почти трудно поверить, что этот крошечный электронный компонент вызвал такие же масштабные изменения, как и промышленная революция, сделав реальностью компьютерную революцию и цифровую эру. И эти полупроводниковые чипы повсюду; сегодня существует больше чипов, чем людей на земле.

    В качестве критического строительного блока сетевых устройств дизайн кремниевых чипсетов в первую очередь учитывал варианты использования маршрутизации, а чипсеты были оптимизированы для программируемости, глубокой буферизации и масштабирования. Когда предприятиям и облачным провайдерам потребовалась более высокая пропускная способность, появились кремниевые конструкции, специально оптимизированные для высокой пропускной способности и низкого энергопотребления. Они удовлетворяли насущную потребность, но за счет программируемости, буферизации и масштабируемости.

    Различные требования к кремниевым чипсетам толкнули отрасль вниз по траектории двух отдельных рынков — рынков коммутации и маршрутизации, каждый из которых определяется уникальной архитектурой, системами и программным обеспечением. Несмотря на несколько попыток объединить их в единую архитектуру, они остались отдельными. До сегодняшнего дня коммутация кремния всегда была быстрее, чем маршрутизация кремния.

    В то время как отрасль искала точку сближения, она столкнулась с замедлением действия «законов», регулирующих разработку кремниевых чипсетов. В течение десятилетий экономика кремния определялась 1) законом Мура — количество транзисторов на одном кремниевом кристалле удваивалось каждые два года и 2) законом масштабирования Деннарда — по мере уменьшения размеров транзистора каждый транзистор будет работать быстрее и использовать меньше. сила. Эти два закона определили золотой век кремниевых чипсетов, но они демонстрируют признаки слабости. В результате схемы кремния — как для маршрутизации, так и для коммутации — разошлись, поскольку компании пытались по-своему преодолеть ограничения законов Мура и Деннарда.

    Будучи новаторами, несмотря на растущие проблемы, мы никогда не переставали мечтать о единой архитектуре набора микросхем, которая могла бы удовлетворить потребности маршрутизации и коммутации. Можем ли мы построить единую архитектуру для удовлетворения многочисленных потребностей рынка, форм-факторов, ролей в системе и масштабировать ее по мере необходимости? И можем ли мы сделать все это, не идя ни на какие компромиссы?

    Если бы мы смогли его построить, это означало бы фундаментальный сдвиг в отрасли.

    Сегодня я очень рад представить Cisco Silicon One™ — революционную новую кремниевую архитектуру, которая позволила достичь этих высоких целей.

    Впервые мы не только поднимаем производительность микросхем маршрутизации до уровня производительности микросхем коммутации — как с точки зрения пропускной способности, так и с точки зрения эффективности энергопотребления — но мы также прокладываем путь к более быстрому увеличению производительности в ближайшем будущем.

    Cisco Silicon One — это первая архитектура, которая обслуживает несколько различных сегментов рынка — поставщиков услуг и веб-масштабирование. А с будущими линейками продуктов, построенными на единой кремниевой архитектуре, клиенты смогут пользоваться ОДНИМ интерфейсом во всей сети, во всех сетевых функциях и во всех форм-факторах. С помощью Cisco Silicon One клиенты могут значительно сократить операционные расходы, поскольку сетевые инженеры экономят время на тестировании функций, квалификации нового оборудования и развертывании новых услуг с большей согласованностью и более быстрым выходом на рынок.

    Cisco Silicon One Q100, первое поколение этой архитектуры, в два раза превышает пропускную способность сети всех других крупномасштабных ASIC для маршрутизации. Это первый микропроцессор маршрутизации, который преодолел контрольный показатель пропускной способности сети 10 Тбит/с без ущерба для возможностей операторского класса, таких как богатство функций, большой набор очередей, глубокие буферы, большие таблицы NPU и расширенные возможности программирования.

    Он также демонстрирует множество архитектурных преимуществ. Он может поддерживать фиксированный коммутатор или маршрутизатор с сетевыми портами емкостью 10,8 Тб, вплоть до больших неблокирующих распределенных маршрутизаторов с петабитным масштабом. Все они с неблокирующей производительностью, глубокой буферизацией, богатым качеством обслуживания и программируемой переадресацией.

    Еще одним важным нововведением Cisco Silicon One Q100 является его беспрецедентная универсальность. До сих пор поставщики сетевых устройств использовали различные и специфические наборы кремниевых микросхем для автономных процессоров, процессоров линейных карт и элементов коммутационной сети.

    Но с Cisco Silicon One Q100 все эти роли, включая автономный сетевой процессор (дополнительные глубокие буферы), традиционный сетевой процессор линейной карты (дополнительные глубокие буферы), сетевой процессор линейной карты с избыточной подпиской (дополнительные глубокие буферы) и элемент матрицы в распределенном маршрутизаторе можно встретить один чипсет. Все это достигается с помощью общего и унифицированного программируемого кода переадресации P4 и SDK.

    А сети, построенные на базе Cisco Silicon One Q100, обеспечат большую согласованность функций, услуг и телеметрии в нескольких сетевых расположениях, поскольку он унифицирует и оптимизирует операции, устраняя проблемы с четностью, обновления и другие проблемы, связанные с различными микросхемами.

    alexxlab

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *