| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Транзистор П4АЭ, П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ
 Транзисторы германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные мощные. Предназначены для применения в схемах переключения, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 14 гр. Электрические параметры П4АЭ, П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ.
Предельные эксплуатационные данные.
1. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
_%D0%BF6%D0%B0_%D0%BF6%D0%B1_%D0%BF6%D0%B2_%D0%BF6%D0%B4.jpg)
Входные характеристики. 2. Зависимость относительного статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость максимальной допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса. 4. Зависимость относительного максимального допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер.smd%20transistor%20p4 спецификация и примечания по применению
org/Product»>
org/Product»>smd%20transistor%20p4 Листы данных Context Search
| Каталог Лист данных | MFG и тип | ПДФ | Теги документов |
|---|---|---|---|
СМД 43 Реферат: Катушки индуктивности Силовые катушки индуктивности smd диод j 100N 1FW+43+smd | Оригинал | SDC2D18LD 2Д18ЛД СМД 43 Индукторы Силовые индукторы smd-диод j 100Н 1FW+43+СМД | |
SDC3D11 Реферат: smd led smd диод j транзистор SMD 41 068 smd | Оригинал | SDC3D11 смд светодиод smd-диод j транзистор СМД 41 068 смд | |
СМД 356 В Реферат: дроссель smd we 470 356 AT smd транзистор smd 24 дроссель smd 470 Led smd smd диод j smd транзистор 560 SDC3D16 SMD INDUCTOR 47 | Оригинал | SDC3D16LD 3Д16ЛД СМД 356 АТ индуктор смд мы 470 356 В СМД транзистор СМД 24 индуктор смд 470 светодиод смд smd-диод j смд транзистор 560 SDC3D16 СМД ИНДУКТОР 47 | |
СМД d105 Реферат: SMD a34 B34 SMD smd 028 F индукторы 25 34 SMD силовые индукторы k439 | Оригинал | SDS3012E 3012E СМД д105 СМД а34 Б34 СМД СМД 028 Ф катушки индуктивности 25 34 СМД Силовые индукторы к439 | |
к439 Аннотация: B34 SMD SMD a34 SDS301 | Оригинал | SDS3015ELD 3015ELD к439 Б34 СМД СМД а34 SDS301 | |
СДК2Д14 Реферат: SDC2D14-2R2N-LF Дроссель bo smd транзистор SMD 24 «Силовые индукторы» СИЛОВЫЕ ДАТЧИКИ smd led smd сопротивление smd p 112 | Оригинал | SDC2D14 СДК2Д14-2Р2Н-ЛФ Индуктор бо smd транзистор СМД 24 «Силовые индукторы» СИЛОВЫЕ ИНДУКТОРЫ смд светодиод смд сопротивление смд р 112 | |
SDS2D10-4R7N-LF Резюме: SDS2D10 smd led smd 83 smd транзистор 560 4263B катушки индуктивности 221 a32 smd | Оригинал | SDS2D10 SDS2D10-4R7N-LF смд светодиод смд 83 смд транзистор 560 4263Б катушки индуктивности 221 а32 смд | |
2012 — Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | SDC3D28 | |
СДК2Д11-100Н-ЛФ Реферат: Катушки индуктивности Силовые катушки smd led «Силовые катушки индуктивности» smd 123 smd диод j 4263B SMD INDUCTOR 47 | Оригинал | SDC2D11 СДК2Д11-100Н-ЛФ Индукторы Силовые индукторы смд светодиод «Силовые индукторы» смд 123 smd-диод j 4263Б СМД ИНДУКТОР 47 | |
СДК2Д11ХП-3Р3Н-ЛФ Реферат: Силовые индукторы Катушки индуктивности smd led smd диод j 4263B | Оригинал | SDC2D11HP 2Д11ХП SDC2D11HP-3R3N-LF Силовые индукторы Индукторы смд светодиод smd-диод j 4263Б | |
2012 — SDC2D14-1R5N-LF Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | SDC2D14 СДК2Д14-1Р5Н-ЛФ | |
А44 СМД Резюме: смд 5630 5630 смд койлмастер смд B44 SDS4212E-100M-LF | Оригинал | SDS4212E 4212E A44 СМД смд 5630 5630 смд койлмастер смд б44 SDS4212E-100M-LF | |
индуктор Резюме: смд светодиод SDC2D14HPS-221M-LF 13dBo 100N SDC2D14HPS | Оригинал | СДК2Д14ХП 2Д14ЛС индуктор смд светодиод SDC2D14HPS-221M-LF 13 дБ Бо 100Н SDC2D14HPS | |
катушки индуктивности Реферат: СИЛОВЫЕ ДАТЧИКИ Диод smd 86 smd диод j 100N SDC2D18HP «Силовые индукторы» | Оригинал | SDC2D18HP 2Д18ХП катушки индуктивности СИЛОВЫЕ ИНДУКТОРЫ Диод смд 86 smd-диод j 100Н «Силовые индукторы» | |
2012 — Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | SDC2D18HP 2Д18ХП | |
СМД .А40 Резюме: a40 smd smd D10 Inductors Power Inductors SMD A40 smd g12 | Оригинал | SDS4010E 4010Е СМД .А40 а40 смд смд д10 Индукторы Силовые индукторы СМД А40 смд г12 | |
Силовые индукторы Реферат: smd диод j 100N Катушки индуктивности | Оригинал | SDC3D18 Силовые индукторы smd-диод j 100Н Индукторы | |
2Д18 Реферат: катушки индуктивности 221 лф 1250 smd j диод SDS2D18 | Оригинал | SDS2D18 2Д18 катушки индуктивности 221 1250 лф smd-диод j | |
СМД 43 Реферат: катушки индуктивности Power Inductors 3D-14 smd диод j «Power Inductors» 3D14 | Оригинал | SDC3D14 СМД 43 катушки индуктивности Силовые индукторы 3Д-14 smd-диод j «Силовые индукторы» 3D14 | |
смд 3250 Реферат: SMD-диод Coilmaster Electronics j | Оригинал | SDC2D09 смд 3250 Койлмастер Электроника smd-диод j | |
пмб 4220 Резюме: Siemens pmb 4220 PMB 27251 4310 SMD IC 2197-T 82526-N smd 2035 DSP/pmb 4220 PMB27201 SICOFI PEF 2465 | OCR-сканирование | 2025-Н 2025-П 2026Т-П 2026Т-С 20320-Н 2035-Н 2035-П 2045-Н 2045-П 2046-Н 4220 пмб Сименс пмб 4220 ПМБ 27251 ИС 4310 для поверхностного монтажа 2197-Т 82526-Н СМД 2035 DSP/пмб 4220 PMB27201 СИКОФИ ПЭФ 2465 | |
Катушки индуктивности Реферат: Силовые индукторы 068 smd 0621 smd SMD a34 D160 SDS3015EHP-100M-LF | Оригинал | SDS3015EHP 3015EHP Индукторы Силовые индукторы 068 смд 0621 смд СМД а34 Д160 SDS3015EHP-100M-LF | |
СМД 43 Реферат: Дроссели транзисторные SMD мы SDS2D12-100M-LF h22 smd smd диод j 2D12 3r smd 340 smd «Дроссели силовые» | Оригинал | SDS2D12 СМД 43 Индукторы транзистор SMD мы СДС2Д12-100М-ЛФ h22 смд smd-диод j 2D12 3р смд 340 смд «Силовые индукторы» | |
2004 — стабилитрон SMD маркировка код 27 4F Реферат: smd диод шоттки код маркировка 2F smd стабилитрон код 5F panasonic MSL уровень smd стабилитрон код a2 SMD ZENER DIODE a2 smd стабилитрон 27 2f SMD стабилитрон код 102 A2 SMD стабилитрон SMD MARK A1 | Оригинал | 2002/95/ЕС) стабилитрон SMD маркировка код 27 4F SMD-диод с кодом Шоттки, маркировка 2F smd стабилитрон код 5F уровень Panasonic MSL smd стабилитрон код a2 SMD ЗЕНЕР ДИОД a2 смд стабилитрон 27 2ф Маркировка стабилитрона SMD код 102 A2 для поверхностного монтажа стабилитрон SMD MARK A1 | |
5a6 стабилитрон Реферат: Двойной MOSFET dip стабилитрон 6.2v 1w 10v ZENER DIODE 5A6 smd sot23 DG9415 | Оригинал | Si4418DY 130 мОм@ Si4420BDY Si6928DQ 35 мОм@ Si6954ADQ 53 мОм@ SiP2800 СУМ47Н10-24Л 24 мОм@ стабилитрон 5а6 двойной мосфет провал диод стабилитрон 6.2в 1вт 10В ЗЕНЕРСКИЙ ДИОД 5А6 смд сот23 ДГ9415 | |
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>Предыдущий 1 2 3 … 23 24 25 Далее
ОДИН кремний, ОДИН опыт, НЕСКОЛЬКО ролей
11 декабря 2019 г.
SP360: поставщик услуг
Ракеш Чопра
Где бы вы ни находились, вокруг вас наверняка есть устройства, содержащие полупроводниковый чип: компьютеры, телефоны, телевизоры, принтеры, автомобили, поезда, самолеты и многое другое. Почти трудно поверить, что этот крошечный электронный компонент вызвал такие же масштабные изменения, как и промышленная революция, сделав реальностью компьютерную революцию и цифровую эру.
И эти полупроводниковые чипы повсюду; сегодня существует больше чипов, чем людей на земле.
В качестве критического строительного блока сетевых устройств дизайн кремниевых чипсетов в первую очередь учитывал варианты использования маршрутизации, а чипсеты были оптимизированы для программируемости, глубокой буферизации и масштабирования. Когда предприятиям и облачным провайдерам потребовалась более высокая пропускная способность, появились кремниевые конструкции, специально оптимизированные для высокой пропускной способности и низкого энергопотребления. Они удовлетворяли насущную потребность, но за счет программируемости, буферизации и масштабируемости.
Различные требования к кремниевым чипсетам толкнули отрасль вниз по траектории двух отдельных рынков — рынков коммутации и маршрутизации, каждый из которых определяется уникальной архитектурой, системами и программным обеспечением. Несмотря на несколько попыток объединить их в единую архитектуру, они остались отдельными.
До сегодняшнего дня коммутация кремния всегда была быстрее, чем маршрутизация кремния.
В то время как отрасль искала точку сближения, она столкнулась с замедлением действия «законов», регулирующих разработку кремниевых чипсетов. В течение десятилетий экономика кремния определялась 1) законом Мура — количество транзисторов на одном кремниевом кристалле удваивалось каждые два года и 2) законом масштабирования Деннарда — по мере уменьшения размеров транзистора каждый транзистор будет работать быстрее и использовать меньше. сила. Эти два закона определили золотой век кремниевых чипсетов, но они демонстрируют признаки слабости. В результате схемы кремния — как для маршрутизации, так и для коммутации — разошлись, поскольку компании пытались по-своему преодолеть ограничения законов Мура и Деннарда.
Будучи новаторами, несмотря на растущие проблемы, мы никогда не переставали мечтать о единой архитектуре набора микросхем, которая могла бы удовлетворить потребности маршрутизации и коммутации.
Можем ли мы построить единую архитектуру для удовлетворения многочисленных потребностей рынка, форм-факторов, ролей в системе и масштабировать ее по мере необходимости? И можем ли мы сделать все это, не идя ни на какие компромиссы?
Если бы мы смогли его построить, это означало бы фундаментальный сдвиг в отрасли.
Сегодня я очень рад представить Cisco Silicon One™ — революционную новую кремниевую архитектуру, которая позволила достичь этих высоких целей.
Впервые мы не только поднимаем производительность микросхем маршрутизации до уровня производительности микросхем коммутации — как с точки зрения пропускной способности, так и с точки зрения эффективности энергопотребления — но мы также прокладываем путь к более быстрому увеличению производительности в ближайшем будущем.
Cisco Silicon One — это первая архитектура, которая обслуживает несколько различных сегментов рынка — поставщиков услуг и веб-масштабирование. А с будущими линейками продуктов, построенными на единой кремниевой архитектуре, клиенты смогут пользоваться ОДНИМ интерфейсом во всей сети, во всех сетевых функциях и во всех форм-факторах.
С помощью Cisco Silicon One клиенты могут значительно сократить операционные расходы, поскольку сетевые инженеры экономят время на тестировании функций, квалификации нового оборудования и развертывании новых услуг с большей согласованностью и более быстрым выходом на рынок.
Cisco Silicon One Q100, первое поколение этой архитектуры, в два раза превышает пропускную способность сети всех других крупномасштабных ASIC для маршрутизации. Это первый микропроцессор маршрутизации, который преодолел контрольный показатель пропускной способности сети 10 Тбит/с без ущерба для возможностей операторского класса, таких как богатство функций, большой набор очередей, глубокие буферы, большие таблицы NPU и расширенные возможности программирования.
Он также демонстрирует множество архитектурных преимуществ. Он может поддерживать фиксированный коммутатор или маршрутизатор с сетевыми портами емкостью 10,8 Тб, вплоть до больших неблокирующих распределенных маршрутизаторов с петабитным масштабом.
Все они с неблокирующей производительностью, глубокой буферизацией, богатым качеством обслуживания и программируемой переадресацией.
Еще одним важным нововведением Cisco Silicon One Q100 является его беспрецедентная универсальность. До сих пор поставщики сетевых устройств использовали различные и специфические наборы кремниевых микросхем для автономных процессоров, процессоров линейных карт и элементов коммутационной сети.
Но с Cisco Silicon One Q100 все эти роли, включая автономный сетевой процессор (дополнительные глубокие буферы), традиционный сетевой процессор линейной карты (дополнительные глубокие буферы), сетевой процессор линейной карты с избыточной подпиской (дополнительные глубокие буферы) и элемент матрицы в распределенном маршрутизаторе можно встретить один чипсет. Все это достигается с помощью общего и унифицированного программируемого кода переадресации P4 и SDK.
А сети, построенные на базе Cisco Silicon One Q100, обеспечат большую согласованность функций, услуг и телеметрии в нескольких сетевых расположениях, поскольку он унифицирует и оптимизирует операции, устраняя проблемы с четностью, обновления и другие проблемы, связанные с различными микросхемами.
