где применяются, область использования транзисторов

Полупроводниковый транзистор – радиоэлемент, изготавливаемый из полупроводникового материала, чаще всего кремния. Основное назначение транзистора – управление током в электрической цепи. Транзистор управляет током на выходе пропорционально изменению силы входного тока и величины входного напряжения, причем при незначительном изменении входных параметров при определенных условиях можно добиться существенного усиления выходного сигнала. Поэтому полупроводниковые транзисторы часто применяются в усилительных схемах.

Области, где используются транзисторы, зависят от технических характеристик последних. Транзисторы разного конструктивного исполнения рассчитаны на работу в ключевом или усилительном режимах.

Ключевой режим. Полупроводниковый транзистор в этом случае находится в одном из двух состояний – открытом или закрытом. Это экономичный вариант, поскольку для руководства значительными нагрузками требуются небольшие управляющие токи.

Усилительный (динамический). В основе этого режима лежит принцип значительного усиления выходного сигнала при незначительном повышении управляющего сигнала.

Применение транзисторов

Транзисторы востребованы практически во всех отраслях народного хозяйства. Минимализация габаритов этих приборов обеспечивает рост быстродействия электронных компонентов при снижении количества потребляемой энергии и выделения тепла.

Производство слуховых аппаратов

Благодаря практическому применению усиливающих свойств полупроводникового транзистора, стало возможным создание для слухового аппарата мощного микрофона с миниатюрными размерами.

Принцип работы слухового аппарата:

• звуковые волны, попадая на микрофон, преобразуются в электрический сигнал;
• транзистор усиливает поступивший на него электрический сигнал;
• усиленный электрический импульс преобразуется в акустический сигнал, и владелец слухового аппарата получает доступ к звуковой информации.

Производство компьютеров и калькуляторов

Полупроводниковые транзисторы используются во всех электронных компонентах компьютеров и калькуляторов. Они находятся в составе материнских плат, процессоров, карт расширения, периферийных устройств. Системы обработки, передачи и защиты данных – одни из основных областей, где применяются полупроводниковые транзисторы.

Транзисторы, работающие в ключевом режиме, используются для защиты программ от взлома и предотвращения кражи информации. Управление силой тока – аналоговое, регулирование – с помощью ширины импульса.

Транзисторы Дарлингтона (сборного типа)

Это составной транзистор, состоящий из двух или нескольких биполярных транзисторов, расположенных на одном монокристалле и заключенных в общий корпус. В высоковольтной электронике используются составные гибридные транзисторы IGBT, в состав которых входят биполярные и полевые модели. Основное назначение транзистора сборного типа – получение высокомощного сигнала в электрической цепи. Однако из-за низкого быстродействия они эффективны только в низкочастотной аппаратуре.

Силовые преобразователи инверторного типа

Мощные транзисторы с изолированным затвором применяются в оборудовании, рассчитанном на питание током высокого напряжения. Это индукционные нагреватели, мощные сварочные аппараты, мостовые и полумостовые резонансные преобразователи.

Где применяются транзисторы — видео

В этой статье мы только кратко перечислили области применения полупроводниковых транзисторов, присутствующих практически во всех электронных компонентах современных приборов и аппаратов. Более того, без этих радиоэлементов были бы невозможны достижения современной микроэлектроники, полеты в космос, создание систем наземного и воздушного наблюдения, связи, радиолокации и многих других.

---

Была ли статья полезна?

Да

Нет

Оцените статью

Что вам не понравилось?

---

Другие материалы по теме

Анатолий Мельник

Специалист в области радиоэлектроники и электронных компонентов. Консультант по подбору деталей в компании РадиоЭлемент.

Транзисторы: назначение, устройство и принципы работы

Что означает название «транзистор»

Первоначально все транзисторы называли полупроводниковыми триодами. Термин «транзистор» можно разделить на две составляющие: «трансфер» — передача, преобразование; «резистор» — электрическое сопротивление. Поэтому понятие «транзистор» определяется как преобразователь сопротивления. Такое объяснение совпадает и с принципом работы транзистора: транзистор открыт – сопротивление стремится к нулю, транзистор закрыт – сопротивление большое.

Применение транзисторов

Изначально транзисторы пришли на смену электрическим лампам в схемах усиления электрических сигналов в радиотехнике. Принцип действия любого усилителя достаточно прост: маломощный входной сигнал в электрической схеме с дополнительным источником питания получает усиление по амплитуде. Другими словами, транзистор позволяет управлять маломощным входным воздействием мощными потоками энергии.

В большинстве схем усиления сигналов транзисторы используются в качестве управляемого сопротивления с маломощным входным сигналом задания. Схемы управления в радиоэлектронике строятся на базе источников постоянного напряжения. Входной управляющий сигнал изменяет внутреннее сопротивление транзистора, формируя переменный сигнал на выходе транзистора. В соответствии с этим формируется ток в цепи нагрузки транзистора.

Электропроводность и строение атома

Электропроводность любого материала определяется строением его атомов. В начале ХХ века Нильс Бор ввел понятие «планетарной модели атома», которая представлена на рисунке ниже.

Согласно этой модели атом состоит из ядра (протоны и нейтроны), вокруг которого по орбитам вращаются заряженные частицы (электроны). Ядро имеет общий положительный заряд за счет наличия протонов. Количество протонов и электронов в ядре уравновешено, что позволяет атому находиться в состоянии электрического равновесия. При потере электрона атом превращается в положительно заряженный ион; при присоединении атомом чужого электрона – атом превращается в отрицательный ион. Строение атома рассмотрим на примере кремния (Si).

По таблице Менделеева можно определить строение любого атома. Так для кремния распределение электронов по орбитам будет выглядеть как 2-8-4. В любом атоме орбиты имеют сферический характер, однако для упрощения примем все орбиты движения электронов как расположенные в одной плоскости.

Свойства материала определяют электроны, расположенные на внешней орбите (валентные электроны), которые принимают участие в образовании молекул из нескольких атомов. Валентные электроны способны отрываться от атома и создавать электрический ток. Именно эти носители заряда и определяют полупроводниковые свойства транзисторов.

---

Всего комментариев: 0

---

его виды, назначение и принципы работы

Что такое транзистор? Наверняка каждый человек хотя бы раз в жизни слышал это слово. Однако далеко не каждый знаком с его значением, а тем более с устройством и назначением транзистора. Это понятие подробно изучают студенты технических ВУЗов. При этом довольно часто технические знания пригождаются в жизни людям, не имеющим ничего общего с инженерной деятельностью. В этой статье мы рассмотрим в каких областях они применяются.

Принцип работы прибора

Транзистор — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического сигнала. Благодаря особому строению кристаллических решёток и полупроводниковым свойствам, этот прибор способен увеличивать амплитуду протекающего тока.

Полупроводники — вещества, которые способны проводить ток, а также препятствовать его прохождению. Самыми яркими их представителями являются кремний и германий. Существует два вида полупроводников:

1. Электронные.
2. Дырочные.

В полупроводниках электрический ток возникает из-за недостатка или переизбытка свободных электронов. Например, кристаллическая решётка атома состоит из трёх электронов. Однако если ввести в это вещество атом, состоящий из четырёх электронов, один будет лишним. Он является свободным электроном. Соответственно, чем больше таких электронов, тем ближе это вещество по своим свойствам к металлу. А значит, и проводимость тока больше. Такие полупроводники называются электронными.

Теперь поговорим о дырочных. Для их создания в вещество вводятся атомы другого вещества, кристаллическая решётка которого содержит больше атомов. Соответственно, в нашем полупроводнике становится меньше электронов. Образуются вакантные места для электронов. Валентные связи будут разрушаться, так как электроны будут стремиться занять эти вакантные места. Далее, мы будем называть их дырками.

Электроны постоянно стремятся занять дырку и, начиная движение, образуют новую дырку. Таким поведением обладают абсолютно все электроны. В полупроводнике происходит их движение, а значит, начинает проводиться ток. Такие полупроводники называются дырочными.

Таким образом, вводя недостаток или избыток электронов в кремний или германий, мы способствуем их движению. Получается ток. Транзисторы состоят из соединений этих полупроводников по определённому принципу. С их помощью можно управлять протекающими токами и другими параметрами электрических сигналов.

Виды транзисторов

Существует несколько видов транзисторов. Их около четырёх. Однако основные из них это:

• Полевые.
• Биполярные.

Остальные виды собираются из полевых и биполярных. Рассмотрим более подробно каждый вид.

Полевые

Суть этого прибора заключается в управлении параметрами электрического сигнала с помощью электрического поля. Оно появляется при подаче напряжения к какому-либо из выводов:

1. Затвор нужен для регулирования параметров сигнала, благодаря подаче напряжения на него.
2. Сток — вывод, через который из канала уходят носители заряда (дырки и электроны).
3. Исток — вывод, через который в канал приходят электроны и дырки.

Такой транзистор состоит из полупроводника с определённой проводимостью и двух областей, помещённых в него с противоположной проводимостью. При подаче напряжения на затвор между этими двумя областями появляется пространство, через которое протекает ток. Это пространство называется каналом. Ширина этого канала регулируется напряжением, которое мы подаём на затвор. Соответственно, можно увеличивать и уменьшать ширину канала и управлять протекающим током.

Теперь поговорим о приборе с изолированным затвором. Разница в том, что в первом случае этот переход есть всегда, даже когда на затвор не подавалось напряжение. А при его подаче, переход и токопроводящий канал менялись в зависимости от полярности и амплитуды напряжения. Металлический затвор в таких транзисторах изолирован диэлектриком от полупроводниковой области. Их входное сопротивление гораздо больше.

Существует два вида приборов с изолированным затвором:

• Со встроенным каналом.
• С индуцированным каналом.

Встроенный канал позволяет протекать электрическому току с определённой амплитудой. При подаче напряжения с определённой амплитудой и полярностью мы можем менять ширину канала и его проводимость. Этот канал встраивается в транзисторы на производственных предприятиях.

Индуцированный канал появляется между двумя областями, о которых мы говорили выше, только при подаче напряжения определённой полярности на затвор. То есть, когда на затвор напряжение не подаётся, ток в нем не протекает.

Все виды полевых транзисторов отличаются друг от друга по следующим параметрам:

1. Входное сопротивление.
2. Амплитуда напряжения, которое необходимо подать на затвор.
3. Полярность.

Каждый из этих видов полевых транзисторов необходим для сборки определённых электрических и логических схем. Так как для реализации двух разных устройств необходимо разные электрические параметры.

Биполярные

Слово «биполярные» означает две полярности. То есть, такие приборы имеют две полярности, благодаря особенностям своего строения. Особенность их строения заключается в том, что они состоят из трёх полупроводниковых областей. Типы проводимости бывают следующими:

1. Электронная, далее n.
2. Дырочная, далее p.

Соответственно, можно сделать вывод, что существует два вида биполярных транзисторов:

Разница между ними заключается в том, что для корректной работы необходимо подавать напряжение разной полярности. К каждой из трёх полупроводниковых областей подключено по одному выводу. Всего их три:

1. База — центральный слой. Он является самым тонким. На выводе базы находится управляющий ток с небольшой амплитудой.
2. Коллектор — один из крайних слоёв. Он является самым широким. На него подаётся ток с большой амплитудой.
3. Эмиттер — вывод, на который подаётся ток с коллектора. На его выходе амплитуда тока немного больше, чем на входе.

Существует три схемы подключения биполярных транзисторов:

1. С общим эмиттером — входной сигнал подаётся на базу, а выходной снимается с коллектора.
2. С общим коллектором — входной сигнал подаётся на базу, а снимается с эмиттера.
3. С общей базой — входной сигнал подаётся на эмиттер, а снимается с коллектора.

Благодаря нескольким электронно-дырочным переходам, образующимся в биполярном транзисторе, можно управлять параметрами электрического сигнала. Полярность и амплитуда подаваемого напряжения зависят от типа биполярного транзистора.

Применение транзисторов в жизни

Транзисторы применяются в очень многих технических устройствах. Самые яркие примеры:

1. Усилительные схемы.
2. Генераторы сигналов.
3. Электронные ключи.

Во всех устройствах связи усиление сигнала необходимо. Во-первых, электрические сигналы имеют естественное затухание. Во-вторых, довольно часто бывает, что амплитуды одного из параметров сигнала недостаточно для корректной работы устройства. Информация передаётся с помощью электрических сигналов. Чтобы доставка была гарантированной и качество информации высоким, нам необходимо усиливать сигналы.

Транзисторы способны влиять не только на амплитуду, но и на форму электрического сигнала. В зависимости от требуемой формы генерируемого сигнала в генераторе будет установлен соответствующий тип полупроводникового прибора.

Электронные ключи нужны для управления силой тока в цепи. В состав этих ключей входит множество транзисторов. Электронные ключи являются одним из важнейших элементов схем. На их основе работают компьютеры, телевизоры и другие электрические приборы, без которых в современной жизни не обойтись.

Литература по электронике

Наука, которая изучает транзисторы и другие приборы, называется электроника. Целый ее раздел посвящён полупроводниковым приборам. Если вам интересно получить больше информации о работе транзисторов, можно почитать следующие книги по этой тематике:

1. Цифровая схемотехника и архитектура компьютера — Дэвид М.
2. Операционные системы. Разработка и реализация — Эндрю Т.
3. Силовая электроника для любителей и профессионалов — Б. Ю. Семенов .

В этих книгах описываются различные средства программируемой электроники. Конечно же, в основе всех программируемых схем, лежат транзисторы. Благодаря этим книгам вы не только получите новые знания о транзисторах, но и навыки, которые, возможно, принесут вам доход.

Теперь вы знаете, как работают транзисторы, и где они применяются в жизни. Если вам интересна эта тема, продолжайте её изучать, ведь прогресс не стоит на месте, и все технические устройства постоянно совершенствуются. В этом деле очень важно идти в ногу со временем. Успехов вам!

Транзисторы, виды, назначение. Купим транзисторы, по Украине

Виды, назначение

Транзистор представляет собой полупроводниковый триод, радиоэлектронный компонент, который производят из материалов, обладающих полупроводниковыми свойствами. Данная деталь имеет в основном три выхода. Применяют, чтобы управлять электротоком в электрической цепи, используя входной сигнал. Используют с целью порождения, усиления, преобразования, генерирования сигналов электрических. Раньше деталь называли «триодом», и только спустя некоторое время ее переименовали в транзистор.

Само понятие «транзистор» включает в себя два слова, которые можно перевести с английского языка, как трансфер – передатчик и резистор – сопротивляться, сопротивление. Транзистор представляет собой некий монокристалл с тремя выходами, который помещается в пластмассовые или металлические корпуса, в зависимости от назначения. Кристалл транзисторный производят из полупроводниковых материалов. Изменяя процесс обработки кристалла, можно добиться значительных пределов для изменения электропроводности.

Электровакуумные лампы против транзистора

До тех пор, пока не разработали транзистор, основным компонентом (активным) в электрическом оборудовании были лампы ЭВЛ. Но так как транзистор обладает большими преимуществами перед ЭВЛ, то он и пришел на смену этим габаритным РЭК, заменив лампы в различном оборудовании и приборах.

Преимущества транзистора перед ЭВЛ

• Малый размер, небольшой вес – эти показатели позволяют использовать компонент в современных миниатюрных приборах, гаджетах, оборудовании.
• Стоимость транзисторов невелика из-за высокой автоматизации изготовления, производства.
• Невысокое напряжение при работе – это дает возможность использовать компонент в миниатюрных устройствах, работающих от маленьких батареек.
• Нет необходимости в дополнительном времени нагревания катода при запуске прибора.
• Деталь имеет высокую физическую прочность, надежность.
• В схеме превосходно «уживается» с другими радиоэлектронными компонентами.

Виды транзисторов

На данный момент в электрических схемах применяют биполярный, полевой транзисторы, но распространение получил биполярный транзистор, который был создан раньше, чем полевой.

Биполярные транзисторы

В данном виде радиоэлектронного компонента ток электрический получается при помощи электрического заряда, имеющего двойную полярность – поэтому он и называется биполярным. В таком транзисторе электроны переносят отрицательные заряды, а положительный имеет название «дырка». Транзистор биполярный может состоять из кремниевого или из германиевого полупроводникового материала.

Полевые транзисторы

В полевых транзисторах электрический ток появляется при помощи движущейся «дырки», электрона, которые проходят между электродом с помощью электрополя, создаваемого третьим электродом.

Применение транзисторов

Наиболее применим на сегодняшний день биполярный транзистор, используемый в радиоэлектронном аналоговом оборудовании, как усилитель дискретных цепей в микросхемах (интегральных, аналоговых, цифровых). Позволяют усиливать слабые сигналы на выходе в схемах, не имеющих значительной мощности. Полевые транзисторы используют при изготовлении цифровых электронных устройств (память компьютера, процессор) из-за того, что такие полевые компоненты обладают высокой скоростью и экономичными свойствами.

Естественно, наибольшей ценностью обладают транзисторы, который производились в СССР до 90-ых годов, так как в них содержится большее количество драгмета (золото, серебро). Современные транзисторы или вообще не содержат драгоценных металлов, или же их столь минимальное количество, что изымать драгмет из подобных деталей нет вообще никакой коммерческой выгоды.

Наша компания купит транзисторы, бывшие в употреблении, производства Советского Союза в неограниченных количествах.

Назначение, классификация, устройство, принцип действия, основные параметры и характеристики полупроводниковых транзисторов.

Транзистор — полупроводниковое устройство, которое состоит из двух областей с полупроводниками p- или n-типа, между которыми находится область с полупроводником n- или p-типа. Таким образом, в транзисторе есть две области p-n перехода. Область кристалла между двумя переходами называют базой, а внешние области называют эмиттером и коллектором.

Биполярные– транзисторы в которых носителями зарядов могут быть как электроны, так и «дырки». Ток может течь, как в сторону эмиттера, так и в сторону коллектора. Для управления потоком применяются определённые токи управления.

Полевые транзисторы– распротранёные устройства в которых управление электрическим потоком происходит посредством электрического поля. То есть когда образуется большее поле – больше электронов захватываются им и не могут передать заряды дальше. То есть это своеобразный вентиль, который может менять количество передаваемого заряда (если полевой транзистор с управляемым p-n—переходом). Отличительной особенностью данных транзисторов являются высокое входное напряжение и высокий коэффи­циент усиления по напряжению.

Комбинированные– транзисторы с совмещёнными резисторами, либо другими транзисторами в одном корпусе. Служат для различных целей, но в основном для повышения коэффициента усиления по току.

транзистор – это своеобразный клапан, который при определённой силе тока, резко уменьшает сопротивление и пускает ток дальше (с коллектора на эмиттер). Происходит это потому, что при определенных условиях, дырки имеющие электрон, теряют его принимая новый и так по кругу. Если к базе не прилагать электрический ток, то транзистор будет находиться в уравновешенном состоянии и не пропускать ток на эмиттер.

Используются транзисторы в усилительных схемах, лампах,электродвигателях и других приборах где необходимо быстрое изменение силы тока

АО «ФЗМТ»

АО «ФЗМТ»

Новости и объявления

АО «ФЗМТ» выпускает приборы 2ДШ2942 АЕЯР.432120.555ТУ, 2Д2943 АЕЯР.432120.556ТУ, 2Д684 АЕЯР.432120.557ТУ, 2П7160 АЕЯР.432140.374ТУ/Д1 в керамических корпусах типа КТ-111A,B,C-1.02 (с отверситем во фланце) и в корпусах типа КТ-111A,B,C-2.02 (без отверстия во фланце).

Функциональное назначение, электрические параметры, тепловое сопротивление кристалл-корпус, методы крепления указаенных выше приборов в корпусах типа КТ-111A,B,C-1.02 и КТ-111A,B,C-2.02 идентичны.

В целях оптимизации номенклатуры и типоразмеров выпускаемых приборов, а также сокращения сроков поставки приборов по договорам, рассматривается вопрос о снятии с производства указанных выше приборов в корпусах типа КТ-111A,B,C-1.02 (с отверситем во фланце).

Просим Вас в конкурсной документации вашего предприятия а также в договорах на поставку оприборов предусмотреть допустимую замену приборов в корпусах типа КТ-111A,B,C-1.02 (с отверситем во фланце) на приборы в корпусах типа КТ-111A,B,C-2.02 (без отверстия во фланце).

Ожидаемый срок утверждения решения о снятии с производства — 2022 г.

 Письмо исх. № 67-ТО от 14.10.2020

5 июня 2021 г.

---

В АО «ФЗМТ» открыты следующие вакансии:

– инженер-конструктор,
– инженер-технолог,
– инженер-технолог по холодной обработке металла,
– механик инструментального участка,
– слесарь-ремонтник.

Обращаться в отдел кадров по тел. +7 (496) 565-27-95.

23 марта 2021 г.

Смотреть все новости…

О заводе

История завода начинается с 1 декабря 1964 года, когда в г. Фрязино Московской области было организовано производство полупроводниковых приборов.

Первоначально завод назывался «Опытно-показательный завод полупроводниковых приборов специального назначения» (ОПЗПП), с 1973 года — «Фрязинский завод им. 50-летия СССР» и являлся головным заводом производственного объединения «Электронприбор».

Выпуск продукции заводом начался с полупроводниковых приборов — диодов. С 1966 года предприятие начало производить мощные транзисторы, а с 1968 года — кремниевые маломощные бескорпусные транзисторы. В этом же году был освоен выпуск маломощных транзисторов в пластмассовом корпусе (КТ 315), а через год — интегральные микросхемы (ИМС) серии 110. Одним из первых в электронной отрасли завод освоил производство диалоговычислительных комплексов, изделий промышленной электроники, телевизоров, светотехнической продукции на базе электронных балластов.

Завод имел в своем составе ОКБ и СКТБ, производственные подразделения по изготовлению кристаллов и корпусов для ИЭТ, по нанесению гальванических покрытий, а также машиностроительный комплекс.

АО «ФЗМТ» основано в 1996 году, выделившись в самостоятельное предприятие из производственного объединения «Электронприбор», объединило при этом в своем составе те подразделения «Электронприбор», которые были связаны с разработкой и серийным производством мощных транзисторов. Предприятие является техническим преемником «Электронприбор» по всем направлениям деятельности, относящейся к мощным транзисторам.

В настоящее время АО «ФЗМТ» специализируется на производстве изделий специального назначения: биполярных мощных транзисторов (БМТ), мощных полевых (МОП МТ) и мощных биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ). С 2013 года начат выпуск мощных диодов и сборок на их основе.

Мощные транзисторы специального назначения, выпускаемые АО «ФЗМТ», находят применение в ответственных узлах и блоках электропитания и электрооборудования различных систем Вооружений и Военной Техники (ВВТ), включая ВВТ для ВМС, ВВС, РВСН и сухопутных войск.

АО «ФЗМТ» имеет сертификат соответствия системы качества на разработку и производство полупроводниковых приборов:

• мощные переключательные и импульсные биполярные транзисторы, сборки и модули на их основе,
• мощные переключательные биполярные транзисторы с изолированным затвором, сборки и модули на их основе,
• мощные n-канальные полевые транзисторы с изолированным затвором, сборки и модули на их основе,
• мощные диоды Шоттки, сборки и модули на их основе,
• мощные импульсные диоды, сборки и модули на их основе,
• мощные комбинированные транзисторно-транзисторные и транзисторно-диодные ключи, сборки и модули на их основе,
• корпуса для полупроводниковых приборов.

Мощные транзисторы общепромышленного назначения используются в следующих областях народного хозяйства:

• телевизионная и вычислительная техника — блоки питания и строчной развертки телевизоров, мониторов компьютеров,
• автомобильная электроника — блоки электронного зажигания и регуляторы напряжения питания автомобилей,
• светотехника — блоки электронных балластов (ЭПРА) для люминесцентных ламп и электронные трансформаторы для галогенных ламп,
• преобразовательная техника — электропривод станков ЧПУ, блоки электросварки, устройства катодной защиты газотрубопроводов от коррозии, электропривод средств передвижения на городском и железнодорожном электротранспорте,
• бытовая электроника — регулируемый электропривод в стиральных машинах, холодильниках, кондиционерах, кухонном оборудовании,
• телекоммуникации и системы связи — блоки распределенного электропитания, включая источники аварийного бесперебойного питания, усилители мощности.

Транзистор BU508 — DataSheet

Кремниевый n-p-n диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.

BU508AF Особенности

• Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
• Высокое напряжение пробоя

BU508AF Корпус SOT199

Вывод	Назначение	Цоколевка транзистора BU508AF
1	База
2	Коллектор
2	Эмиттер
Корпус	Изолированный

 

BU508AW Особенности

• Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
• Высокое напряжение пробоя

 

BU508AW Корпус SOT429

Вывод	Назначение	Цоколевка транзистора BU508AW
1	База
2	Коллектор
2	Эмиттер
Корпус	Коллектор

 

BU508DF Особенности

• Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
• Встроенный демпферный диод

 

BU508DF Корпус SOT119

Вывод	Назначение	Цоколевка транзистора BU508DF
1	База
2	Коллектор
2	Эмиттер
Корпус	Изолированный

 

 

BU508DW Особенности

• Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
• Встроенный демпферный диод

 

BU508DW Корпус SOT429

Вывод	Назначение	Цоколевка транзистора BU508DW
1	База
2	Коллектор
2	Эмиттер
Корпус	Коллектор

 

Предельно допустимые и основные электрические параметры

Обозначение	Параметр	Маркировка	Условия	Мин.	Тип.	Макс.	Ед. изм.
Vcesm	Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение	Bu508AF	Vbe = 0 B	—	—	1000	В
		Bu508AW				1500
		Bu508DF
		Bu508DW
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер (с отключенной)	Bu508AF	—	—	—	700	В
		Bu508AW
		Bu508DF
		Bu508DW
Ic	Ток коллектора постоянный	Bu508AF	—	—	—	8	А
		Bu508AW
		Bu508DF
		Bu508DW
Icm	Ток коллектора, пиковое значение	Bu508AF	—	—	—	15	А
		Bu508AW
		Bu508DF
		Bu508DW
Ptot	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Bu508AF	Т = 25°С	—	—	34	Вт
		Bu508AW				125
		Bu508DF				34
		Bu508DW				125
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Bu508AF	Ic = 4.5 А, Ib = 1.6 А	—	—	1	В
		Bu508AW
		Bu508DF
		Bu508DW
Ic_sat	Коллекторный ток насыщения К-Э	Bu508AF	F = 16 кГц	—	4.5	—	А
		Bu508AW
		Bu508DF
		Bu508DW
Ib	Ток базы	Bu508AF	—	—	—	4	А
		Bu508AW
		Bu508DF
		Bu508DW
Ibm	Ток базы пиковое значение	Bu508AF	—	—	—	6	А
		Bu508AW
		Bu508DF
		Bu508DW
Vf	Падение напряжения на открытом диоде	Bu508DF	I = 4.5 А	—	1.6	2	В
		Bu508DW
Tf	Время спада импульса	Bu508AF	Ic_sat = 4.5 А, F = 16 кГц	—	0.7	—	мкс
		Bu508AW
		Bu508DF
		Bu508DW
hfe	Коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ	Bu508AF	Ic = 100 мА, Vce = 5 В	—	13	30
		Bu508AW
		Bu508DF
		Bu508DW

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Интернет-магазин транзисторов

| Future Electronics

Дополнительная информация о транзисторах …

Что такое транзистор?

Транзистор — это полупроводник, содержащий твердую неподвижную часть, пропускающую заряд. Транзистор может усиливать и переключать электронные сигналы и электрическую мощность и сделан из полупроводникового материала с по крайней мере тремя выводами, которые используются для подключения к внешней цепи. Транзисторы могут усиливать сигнал, потому что выходная мощность может быть выше входной.При подаче напряжения или тока на одну из пар клемм происходит изменение тока через другую пару клемм.

Типы транзисторов

В Future Electronics существует несколько различных типов транзисторов. У нас есть многие из наиболее распространенных типов, которые классифицируются по нескольким параметрам, включая полярность, общую рассеиваемую мощность, ток коллектора, напряжение CE, тип упаковки и многие другие параметры, специфичные для типа транзистора. Наши параметрические фильтры позволят вам уточнить результаты поиска в соответствии с необходимыми спецификациями.

Транзисторы от Future Electronics

Future Electronics предлагает широкий ассортимент транзисторов от нескольких производителей. После того, как вы решите, нужны ли вам биполярные транзисторы, транзисторы Дарлингтона, цифровые транзисторы, транзисторы общего назначения, транзисторы IGBT, JFET или переключатели нагрузки, вы сможете выбрать из их технических атрибутов, и результаты поиска будут сужены в соответствии с вашим конкретным применением транзистора. потребности.

Приложения для транзисторов:

Транзисторы используются во многих приложениях, включая:

• Логические вентили
• Общее переключение
• Усиление и воспроизведение звука
• Обработка сигналов
• Радиопередача

Выбор правильного транзистора :

Вместе с FutureElectronics.com параметрический поиск, при поиске подходящих транзисторов вы можете фильтровать результаты по категориям. Мы предлагаем следующие категории транзисторов:

• Биполярные транзисторы
• Транзисторы Дарлингтона
• Цифровые транзисторы
• Транзисторы общего назначения
• Биполярные транзисторы (IGBT)
• JFET
• Переключатели нагрузки

Выбрав категорию транзисторов, вы можете сузить их можно уменьшить по различным атрибутам: по общей рассеиваемой мощности, полярности, напряжению CE и току коллектора и т. д.С помощью этих фильтров вы сможете найти подходящие транзисторы Дарлингтона, биполярные транзисторы, цифровые транзисторы, транзисторы IGBT, универсальные транзисторы, переключатели нагрузки или полевые транзисторы.

Транзисторы в готовой к производству упаковке или в количестве для НИОКР

Если количество транзисторов, которое вам требуется, меньше, чем полная катушка, мы предлагаем нашим клиентам несколько наших транзисторов в лотке, лампе или отдельных количествах, которые помогут вам избежать ненужных излишек.

Future Electronics также предлагает своим клиентам уникальную программу складских запасов, предназначенную для устранения потенциальных проблем, которые могут возникнуть из-за непредсказуемых поставок продуктов, которые могут содержать необработанные металлы, и продуктов с нестабильным или длительным сроком поставки. Поговорите с ближайшим отделением Future Electronics и узнайте больше о том, как вы и ваша компания можете избежать возможного дефицита.

Вектор плоского значка изолированных адресата. — ID: 82094507 — роялти-фри изображение

Вектор изолированного плоского значка адресата.- ID: 82094507 — Изображение — Stocklib 82094507 Вы здесь:

• Домашняя страница
• Изолированный плоский значок адресата. Элемент вектора назначения может быть использован для назначения, …

© Stocklib / Kama Ashurova

• Id: 82094507
• Тип носителя: Вектор
• Автор: Кама Ашурова / greatvector
• Ключевые слова:

Изолированный адресат Плоский значок.Элемент вектора назначения может использоваться для назначения, транзистора, концепции конструкции резистора.

Дополнительная информация 0,55

Размер	Ширина * Высота	МБ	Кредиты
Маленькая сеть (jpg)	px * 450 px
Большая паутина (jpg)	692 пикселей * 692 пикселей	1.37	2
Мелкий шрифт (jpg)	1024 пикселей * 1024 пикселей	3	3
Средний шрифт			2048 пикс.	12	4
Крупный шрифт (jpg)	3128 пикс. * 3128 пикс.	5000 пикселей * 5000 пикселей	71.53	6
ВЕКТОР без ограничений (eps)	—	—	10

Дополнительная информация

Размер	Ширина * Высота	MB	Кредиты
POEL (eps)	—	—	50
EOEL (eps)	—	—	75
CEL (eps)	—	—	100

Вы не авторизовались!

Войдите, чтобы скачать это изображение.

Невероятные материалы. Гибкая ценовая политика. Купите кредиты и начните скачивание сегодня.

Пожалуйста, подождите, ваше изображение загружается

Транзисторы Электрооборудование и материалы 2шт. Транзистор TOSHIBA TO-220F 2SA1304 + 2SC3296 A1304 + C3296 1pairs Business & Industrial

Транзисторы Электрооборудование и материалы 2PCS Transistor TOSHIBA TO-220F 2SA1304 + 2SC3296 A1304 + C3296 1pairs Business & Industrial

TO-220F 2SA1304 + 2SC3296 A1304 + C3296 1 пара 2 транзистора TOSHIBA, 2 транзистора TOSHIBA TO-220F 2SA1304 + 2SC3296 A1304 + C3296 1 пара, мы находимся на крупнейшем электронном рынке в Шэньчжэне, Китай, мы специализируемся на электронных компонентах более 10 лет , таких как микросхемы, транзисторы, диоды, резисторы, конденсаторы и т. д., клиенты экономят 60% на заказе, модные товары Tide flow, покупайте сейчас, гарантирована лучшая цена, появился новый стиль, мы предлагаем широкий выбор продуктов., 2шт транзистор TOSHIBA TO-220F 2SA1304 + 2SC3296 A1304 + C3296 1 пара.

Транзисторы, например коробка без надписи или пластиковый пакет. См. Список продавца для получения полной информации. См. Все определения условий ： Торговая марка: ： Небрендированные / универсальные ， MPN: ： Не применяется ： UPC: Не применяется ，, неповрежденный товар в оригинальной упаковке (если упаковка применима). Упаковка должна быть такой же, как в розничном магазине. Диоды неоткрытые, неиспользованные, конденсаторы и тд.. Состояние: Новое: Абсолютно новое. например, микросхемы, если только товар не был упакован производителем в нерозничную упаковку. Резисторы, 1 пара (2шт) Транзистор TOSHIBA TO-220F 2SA1304 + 2SC3296 A1304 + C3296. Мы находимся на крупнейшем электронном рынке в Шэньчжэне. Китай.Мы специализируемся на электронных компонентах более 10 лет.

2 шт. Транзистор TOSHIBA TO-220F 2SA1304 + 2SC3296 A1304 + C3296 1 пара

PG19 Черный нейлоновый кабельный ввод IP68 в сборе с контргайкой и шайбой Диаметр кабеля 6-14 мм., 25 8x6x4 Фирменная Картонная Коробка «EcoSwift» Упаковка Рассылка Доставка Гофрированный. Новый входной модуль ПЛК Omron CS1W-ID231 CS1WID231, 2PCS Транзистор TOSHIBA TO-220F 2SA1304 + 2SC3296 A1304 + C3296 1 пара . 60-121212 Скобы 12 «x 12» x 12 «Транспортные коробки Kraft 25 / Bundle CW29353, топливный насос 21515763 21125484 20497044 для Volvo Penta TAD520 TD720 TAD530 TAD730. Я езжу на HUCKING FARLEY HELMET STICKER. 2SC3296 A1304 + C3296 1 пара . Комплект 2-контактных разъемов Delphi Metri-pack 150 Series Unsealed Metripack 2 Position для продажи в Интернете.150 230+ 175 165 Сталь для MASSEY FERGUSON 135 1672622M94 NEW Рычаг ВОМ. 50V Керамические конденсаторы и дискотека 33 пФ NPO ± 5% Passo 5mm 10 pezzi. 2 шт. Транзистор TOSHIBA TO-220F 2SA1304 + 2SC3296 A1304 + C3296 1 пара . Epson DX5 UV Head Ink Damper для EPSON 4000 4800 7400 7800 7880 9400 9800 10 шт., 1 шт. Новый сенсорный экран WEINTEK TK6070IH IN BOX,

2 шт. Транзистор TOSHIBA TO-220F 2SA1304 + 2SC3296 A1304 + C3296 1 пара

2 шт. Транзистор TOSHIBA TO-220F 2SA1304 + 2SC3296 A1304 + C3296 1 пара

A1304 + C3296 1 пара 2 шт. Транзистор TOSHIBA TO-220F 2SA1304 + 2SC3296, транзистор TOSHIBA TO-220F 2SA1304 + 2SC3296 A1304 + C3296 1 пара 2 шт., 2 шт. Транзистор TOSHIBA TO-220F 2SA3296 1 +.

Загрузить () | Транзисторная вики | Фэндом

Нагрузка

Описание:

Взрывчатое вещество с поражением по площади

Нагрузка () — это функция транзистора. Он является производным от Следа Волны Теннегана и открывается при повышении уровня пользователя.

Load () — чрезвычайно мощная наступательная функция, которая формирует пакеты. При достаточной атаке пакеты взрываются и наносят огромный урон в среднем радиусе.Пакеты имеют 10 HP и запускаются в том направлении, в котором они были атакованы.

Установка Load () в качестве обновления для большинства других функций увеличивает область их действия.

Установка Load () в пассивный слот заставит пакеты формироваться автоматически в случайных местах с регулярным интервалом. Пакеты, сгенерированные таким образом, будут появляться только во время боя и только за пределами Turn ().

Подробнее []

Тип паза	Описание	Статистика	Глобальный коэффициент использования
Активный	Сформировать энергозависимый пакет.Ударьте пакет, чтобы произвести сильный взрыв.	> Повреждение пакета: 250 > Радиус взрыва пакета: 300 > Стоимость поворота (): 50	8%
Обновление	Увеличение области действия большинства функций.	См. Подробности в разделе ОБНОВЛЕНИЯ.	26%
Пассивный	Мгновенно генерировать энергозависимые пакеты с регулярным интервалом.	> Пакеты появляются автоматически > Перезарядка появления: 10 сек	3%

Обновления []

Загрузить () в качестве обновления []

Файлы функций []

Выбор

Осведомленность, дебаты.

Причины цитирования

«Вот почему большие идеи!»

Фон []

г.Волна Теннеган променяла тихую жизнь священника-священника, чтобы стать одним из крупнейших альтернативных телеведущих Клаудбанка за его отчетливое сочетание добродушных манер и проницательных социальных комментариев. Находясь на границе поколений между старой и новой гвардией, г-н Теннеган предложил хитроумный взгляд на многие факторы, влияющие на эволюцию города. Но во время одного из своих многочисленных встреч со своими слушателями он встретил группу людей, которые навсегда изменили ход его жизни.

Договоренности []

В тот вечер, после того, как его мероприятие подошло к концу, г-н Теннеган встретился с членами группы, называющими себя Камерата. Они пригласили г-на Теннегана приехать посмотреть, что на самом деле происходит в его городе, при условии, что г-н Теннеган пообещал не разглашать никаких фактов, касающихся существования группы. Мистер Теннеган внешне согласился, поскольку его любопытство невозможно было утолить. Но он внутренне отказался, так как его преданность своим слушателям не позволяла хранить такие секреты.Во-первых, он встретится с камерой на их условиях.

Исчезновение []

Насколько известно, мистер Теннеган нашел немного личного времени, потому что однажды его трансляции просто прекратились. Он ни разу в своей жизни не пропустил ни одного дня радиопередачи, поэтому его слушатели, хотя и были разочарованы, были очень понимающими, счастливыми и обеспокоенными за него. Подавляющее большинство полагало, что г-н Теннеган наконец взял перерыв, как он часто обещал, что однажды сделает. С тех пор молодой продюсер г-на Теннегана унаследовал его шоу, хотя аудитория постоянно снижалась до минимума и составляла всего 22% от аудитории мистера Теннегана.Среднее значение Теннегана.

Общая информация []

• Остатки строк в сценариях игры предполагают, что Load () изначально была функцией Trace от Q. Precht.
• Load () может похвастаться самым высоким базовым уроном из всех функций.
• Внутри Load () называется «бомба».
• Пакеты пассивного эффекта могут появляться за пределами области хода ().
• Ройс Брэкет использует Load () в своем противостоянии с Рэдом.

Бизнес и промышленные транзисторы smilesbysmaha.com Транзистор 6 шт. в партии NPN 2N2219A

Сайт работает на WordPress.

Транзистор 6 шт. В партии NPN 2N2219A

Разница в измерениях от 1-3 см, нескользящая на нижней стороне, чтобы ребенок не скользил, когда они начинают учиться ходить -Идеальный подарок для вашего сына. Эти туфли на танкетке — верный способ дополнить любой наряд как днем, так и ночью. Наш широкий выбор элегантен для бесплатной доставки и бесплатного возврата.вы полностью контролируете свою внутреннюю коммуникацию. Эти оригинальные жгуты проводов были изготовлены для вашего автомобиля GM. продукция для наружного энергетического оборудования, а также полная линейка пневматических гвоздезабивателей. : Двухкомпонентная завинчивающаяся крышка EcoVesselsel — серебристая с желто-зеленым ремешком: Спорт и активный отдых. Регулируемая застежка-липучка на запястьях позволяет легко выпадать перчаткам, делая обувь прочной и дышащей. Купить мужскую гавайскую рубашку Palm Wave Рубашка Aloha и другие повседневные рубашки на пуговицах в, Купить Ecoshirt ZB-0PVZ-8C8N Наклейки Fork Fox 36 Performance Elite 2016 Am104 Aufkleber Наклейки Autocollants Adesivi Forcela Gabel Fourche.Искусственный мех ， Женская куртка из искусственного меха с мягким мехом Пушистый зимний жилет Верхняя одежда: Одежда, шнурки Luvsecretlingerie Strong Cord Back, транзистор , 6 шт. За лот NPN 2N2219A . Купите летние джинсовые однотонные комбинезоны LiLiMeng для новорожденных девочек и мальчиков с карманом и другими комбинезонами на. A1: Материал подошвы и вампира прошел испытания и осмотр. Наш широкий выбор предлагает бесплатную доставку и бесплатный возврат. Larson Electronics 1017OJI2DFY 2011 Ford Expedition El-Rh Прожектор для крепления на внутренней стойке — 6 дюймов — светодиодный — со стороны пассажира с установочным комплектом (-черный): благоустройство дома.-Сертификация: одобрено DOT / SAE, 4OZ-FS10OZ-HRS275OZ Вибратор для бетона, однофазный двигатель переменного / постоянного тока на 17 ампер. Изготовлен из прочного высококачественного алюминия. Retro Con: покупайте лучшие модные бренды для мальчиков в ✓ БЕСПЛАТНОЙ ДОСТАВКЕ и возможен возврат при определенных покупках. Материал носков Crew Socks на 75% состоит из полиэстера. Мы хотим, чтобы вы любили свои украшения, и наша цель превзойти ваши ожидания красотой и качеством наших штук, а также наша служба поддержки клиентов до и после продажи. Двойная строчка на рукавах и нижнем крае для дополнительной прочности. Дата первого упоминания: 5 декабря. Хотя нам удается отправить большинство наших заказов в запланированные сроки, мы не можем контролировать возможные задержки из-за неисправности. Транзистор 6 шт. В партии NPN 2N2219A . рассеивает апатию и мотивирует на успех, так как хорошо сочетается со всеми предметами. 2-миллиметровый витой нейлоновый шнур 10 ярдов ТЕМНЫЙ ИЗУМРУД Зеленый атлас, место назначения и вид товара на усмотрение продавца. Отличное дополнение к любой коллекции Диснея или в качестве подарка для фанатов Диснея. ~ упакованы и отправлены в тяжелых, наградах MVP или ROY или признаны All-Stars. 14мм (зависит от вашего выбора) Количество: 1 шт. Я люблю создавать реквизит для своих кукол и потрясающие черные граненые пластиковые пуговицы, ► Мягкий центр для комфорта и защиты от солнечного света. Пожалуйста, опишите это в разделе персонализации.Все наши товары упакованы с осторожностью, чтобы обеспечить безопасную транспортировку, транзистор , 6 шт. В партии, NPN 2N2219A . Шрифты и размер могут отличаться от рекламируемого изображения. Пожалуйста, свяжитесь со мной, если у вас есть какие-либо требования, Уникальный подарок для письма улитки OOAK. Этот топпер имеет 1-дюймовую оборку и 1 3/4 дюйма карман для стержня и имеет длину 15 дюймов от верха оборки до низа занавески. Пожалуйста, следуйте этим простым шагам: Изготовлено из 100% натуральной воловьей кожи с красиво тисненым кельтским переплетением как на клапане, так и на корпусе.Я отправляю все заказы в течение 1-2 дней с момента покупки. ————————————. просто снимите верх из микрофибры с сердцевины тряпки и постирайте вручную теплой водой или водой с низким нагревом. Это произведение может стать домом для чего угодно, от книг и журналов до картин и сочинений. Этот предмет предназначен для конкретных транспортных средств, чехол на стул для патио является неотъемлемой частью внутреннего дворика, убедитесь, что ваш USB-кабель находится в рабочем состоянии (USB-шнур не входит в комплект), транзистор 6 шт. На лот NPN 2N2219A . ПРОЧНАЯ, ЕЩЕ ВЕНТИЛИРУЕМАЯ ТКАНЬ ДЛЯ РУКАВОВ. Наша уникальная смесь материалов поглощает огромное количество пота, Lily’s Home является зарегистрированным товарным знаком Solar Wholesale, BREEZE INSTALL — все монтажное оборудование в комплекте, Сумка для хранения катушки для удочки, Органайзер для рыболовных снастей для рыбалки и путешествий.Сверхмощный водонепроницаемый пылезащитный УФ-защита. Будет выбран случайный дизайн обложки, вы можете использовать карты способностей, чтобы ввести эффекты и реакции, которые могут повернуть битву в вашу пользу; Создание лучшей колоды, на которую вы способны, и хитрость в использовании этих способностей в идеальное время — вот секрет мастерства в игре и доминирования над противником. Каждый набор включает: 1) 8 наклеек (4 больших — задний обод, в том числе 24 дротика Mega Whistler , ACO 009E л / мин 120 Вт <0 дБ 1-120 / 220-20 В. Любые женщины / девушки будут рады получить это в подарок, Материал: Джинсовая ткань. Транзистор 6 шт. В партии NPN 2N2219A . поддерживает только систему Windows (также доступно для MAC). прозрачность различается от цвета к цвету, (1) Размер панели лотка для клавиатуры ~ 18×11 дюймов

Зимние курсы 2017 | Университет Калгари Контакты

901 LAB 1 9 0121 L 50
901

— Введение в системы связи и подробные сведения

905 : 30 — 13:45

ENEL 300 — Профессиональные навыки в области электротехники и компьютерной инженерии

Подробная информация

50 12 LEC 1 EDC 179 Сейед Поуян (Яни) Джазайери 45 ENG 124 Seyed Pouyan (Yani) Jazayeri

ENEL 327 — Сигналы и детали трансформации 9041 9012 9012 901 SA 104 9 0228 LEC 1 MWF 10:00 — 10:50 AD 140 Мохамед Хелауи Примечания: ОГРАНИЧИВАЕТСЯ ENEL, ENCO, СТУДЕНТЫ ENSF MEC 2 90W SA 104 Маджид Пахлевани Примечания: ОГРАНИЧЕНО ДЛЯ УЧАЩИХСЯ ENEL, ENCO, ENSF 9015 9015 SA 104 Мохамед Хелауи Примечания: ОГРАНИЧИВАЕТСЯ ENEL, ENCO, УЧАЩИЕСЯ ENSF Маджид Пахлевани Примечания: ОГРАНИЧЕНО ДЛЯ СТУДЕНТОВ ENEL, ENCO, ENSF

ENEL 343 — Цепи II

Детали

44 : 00 — 16:50 9021 LEC — 1 LEC 179 Brent Maundy Примечания: ОГРАНИЧЕНО ДЛЯ УЧАЩИХСЯ ENEL LAB 1 9012 W 14:00 — 124 Брент Маунди LAB 2 W 14:00 — 16:50 ENG 124 Брент Маунди ENG 130 Брент Маунди LAB 4 W 14 : 00 — 16:50 ENG 130 Brent Maundy TUT 1 R 13:00 — 13:50 ST 140 Brent Примечания: ОГРАНИЧЕНО ДЛЯ СТУДЕНТОВ ENEL

ENEL 361 — Электронные устройства и материалы

901 901 9011

9011

LEC 1

MWF 13:00 — 13:50

EDC 179

Kartikeya Murari

24

F 14:00 — 16:50

ENA 301

Kartikeya Murari

LAB 2

F 14:00 — 16:50

ENA 301

Kartikeya Murari

AB

ENA 305

Kartikeya Murari

LAB 4

F 14:00 — 16:50

ENA 305

9012

9012

TUT 1

T 13:00 — 13:50

ST 140

Картикея Мурари

ENEL 453 — Проектирование цифровых систем

Подробная информация

9CO ENEL 9022 LEC 1 MWF 08:00 — 08:50 ENE 239 Примечания: ОГРАНИЧИВАЕТСЯ ДЛЯ ENEL W 14:00 — 16:50 ENG 105 LAB 2 W 14:00 — 16:50 ENG 105 TUT 1 M 16:00 — 16:50 ENG 105 STUDENTS

ENEL 469 — Аналоговые электронные схемы

Детали

ENG4 ENG4 Минчев LEC 1 MWF 11:00 — 11:50 ES 054 Мартин П.Минчев Примечания: ОГРАНИЧЕНО ДЛЯ СТУДЕНТОВ ENCO и ENEL LAB 1 R 14:00 — 16:5012 905 LAB 2 TBA TBA 124 LAB 4 TBA TBA TUT 1 F 16:00 — 16:50 ES 054 Martin P.Минчев Примечания: ОГРАНИЧИВАЕТСЯ ДЛЯ СТУДЕНТОВ ENCO и ENEL

ENEL 47124 901

ENTR 9013 СТУДЕНТЫ : 50 9012 1 LAB 3 ENA 305 Примечания ОГРАНИЧЕНО ДЛЯ СТУДЕНТОВ ENEL ENCO LEC 1 MWF 09:00 — 09:50 ENE 239 Rushi Vyas LAB 1 W 14:00 — 16:50 ENA 301 Руши Вяс ENA 301 Руши Вяс T 14:00 — 16:50 ENA 305 Rushi Vyas LAB 4 T 14:00 — 16:50 12

ENEL 476 — Электромагнитные волны и приложения

Подробная информация

ENE 239

Elise Fear

Примечания: RESTRICTE D ДЛЯ СТУДЕНТОВ ENEL И ENCO

LAB 1

T 14:00 — 16:50

ENG 105

Elise Fear

14:00 — 16:50

ENG 105

Elise Fear

TUT 1

M 14:00 — 14:50

EEEL 210

Elise Fear

Примечания: ОГРАНИЧЕНО ДЛЯ СТУДЕНТОВ ENEL И ENCO

ENEL 487 — Электротехнические детали Энергетические системы

LEC 1

MWF 10:00 — 10:50

ENE 239

Сейед Пуйян (Яни) Джаза yeri

Примечания: ЗАПРЕЩЕНО ENEL, УЧАЩИЕСЯ ENCO

LAB 1

TBA

TBA

TBA

TBA

TUT 1

R 08:30 — 09:20

ENE 239

Seyanied Pouyan

Примечания: ОГРАНИЧИВАЕТСЯ ENEL, СТУДЕНТЫ ECNO

ENEL 500B — Компьютерная, электрическая и программная инженерная команда Дизайн
• 9012

  LEC 1

  TBA

  TBA

  Hamidr eza Zareipour

  Примечания: ЗАПРЕЩЕНО ДЛЯ СТУДЕНТОВ ENEL ENCO ENSF

  LAB 1

  F 16:00 — 17:00 — 17:50 F 16:00 — 17:00 —

  ENG 124 ENG 124

  Hamidreza Zareipour

  Примечания: ОГРАНИЧИВАЕТСЯ ENEL ENCO ENSF STUDENTS

  9012

  ENEL

  9012

  ENEL

  9012

  ENEL Детали

  LAB 1 902 28 LEC 1 TR 09:30 — 10:45 ST 128 Джон Нильсен W 17:00 — 18:50 ICT 319 Джон Нильсен

  ENEL 514 — Введение в нанотехнологии

  Подробные сведения

  SA 124A Анис С.Haque Примечания: ЗАПРЕЩЕНО ENEL, СТУДЕНТЫ ENCO TUT 1 R 17:30 — 18:20 SA Haque Примечания: ОГРАНИЧЕНО ДЛЯ ENEL, СТУДЕНТЫ ENCO

  ENEL 519.512

  Computing (Числовые данные) 9012 (Специальные темы в области электротехники)

  124 9012 9012 9012 9013 9012 9012 9012 9012 9012 9020 — 12:15 LAB 1 TBA TBA Примечания : ОГРАНИЧЕНО ДЛЯ ENEL, СТУДЕНТЫ ENCO ENEL 574 — Транзисторные усилители и генераторы СВЧ 9012 9012 9012 9012 9012 9011 9011 901 901 09:30 — 10:45 LEC 1 MWF 15:00 — 15:50 R 15:30 — 16:20 EEEL 345 EEEL 345 Abu Sesay LAB 1 F 09:30 — 10:50 ICT 320 Abu Sesay Подробная информация 9 0121 — EN Силовая электроника 9013 LEC 1 TR 09:30 — 10:45 SAVE 241 Ghannouchi LAB 1 M 09:00 — 10:50 ICT 317 Fadhel Ghannouchi LAB 2 M 09:00 — 10:50 ICT 317 Fadhel Ghannouchi Подробная информация сейчас Ed Nowicki LEC 1 TR 14:00 — 15:15 ENE 239 Примечания: ОГРАНИЧЕНО ДЛЯ ENEL, СТУДЕНТЫ ENCO LAB 1 W 09:00 — 10:50 ENG 105 LAB 2 W 09:00 — 10:50 ENG 105 Ed Nowicki 901 24 ENEL 594 — Дипломная исследовательская работа — Часть B Подробная информация 9012 AB 90BA Каран Калер Примечания: ОГРАНИЧИВАЕТСЯ ENEL, ENCO, СТУДЕНТЫ ENSF ENEL Electric Design Project — Индивидуальный проект по разработке программного обеспечения и программного обеспечения. Детали LAB 1 TBA TBA Martin P.Минчев Примечания: ОГРАНИЧИВАЕТСЯ ENEL ENCO ENSF 4-Й ГОД СТАНДАРТНЫЙ И ВЫШЕ Виртуальная среда 9013 15:30 — 16:15 LEC 1 TR 14:00 — 15:15 SA 249 Yaoping Hu SA 249 Yaoping Hu ENEL 613 — ВЧ усилители мощности и передатчики 2 2 9012 901 9012 901 9012 901 9012 901 9012 : 30 — 16:45 LEC 1 Вт 17:00 — 19:45 905 21 SA 123 Fadhel Ghannouchi LAB 1 M 17:00 — 17:50 ICT 317 Fadhel1 Fadhel ENEL 617 — RF Проектирование интегральных схем Подробная информация — 12:15 LEC 1 TR 125 Леонид Белостоцкий ENEL 619.11 — Особые проблемы (встроенный датчик и конструкция связи) Подробности LEC 1 M 17:00 — 19:45 ENA Руши Вяс ENEL 625 — Теория оценки Подробная информация ENG 201 Vassil Dimitrov ENEL 627 — Антенны 9012 9012 9012 9012 9012 9012 9012 9012 9012 901 LEC 1 TR 15:30 — 16:45 ST 125 Michal Okoniewski ENEL 641 — Оптимизация для инженеров Подробная информация ST 126 Лалех Бехджат ENEL 653 — Теория и практика Продвинутая архитектура процессора DSP 4 Подробная информация о процессоре 901 : 00 — 17:45 LEC 1 MWF 14:00 — 14:50 ENG 201 Майкл Смит ENA 301 Майкл Смит 90 124 TUT 1 R 08:30 — 09:20 ENF 334 Майкл Смит 9012EL 9012EL 901 Инверторы для альтернативных источников энергии Подробные сведения LEC 1 TR 11:00 — 12:15 ST 063 Ed 9012i сейчас ENEL 683 — Алгоритмы для автоматизации физического проектирования СБИС Подробности ST 129 Laleh Behjat

  ENEL 693 — Реструктуризация рынков электроэнергии

  Подробная информация

  201 Hamidreza Zareipour

  ENEL 695 — Прикладная математика для инженеров-электриков

  Подробности

  1

  TR 12:30 — 13:45

  ENA 235

  Майк Поттер

  TUT 1

  R 14:00 — 14:50

  ENA 23

  Майк Поттер

  901 21 ENEL 698B — Выпускной проект
  • Подробная информация
  Энди Найт

  LAB 1

  TBA

  TBA

  транзистор% 20mark% 20code% 20h7 техническое описание и примечания по применению

  Аннотация: ТРАНЗИСТОР tlp 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120
  Текст: нет текста в файле

  ТРАНЗИСТОР TLP 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120
  Categories Транзист
  

  alexxlab

  Добавить комментарий Отменить ответ

  Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

  Комментарий *

  Имя *

  Email *

  Сайт

  Рубрики

  • Прост
  • Радио
  • Разное
  • Своими руками
  • Советы
  • Схем
  • Схемы
  • Транзист
  • Транзисторы
  • Электрон
  • Электроника

  хб * 9Д5Н20П Аннотация: Стабилитрон khb9d0n90n 6v транзистор khb * 2D0N60P KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема транзистора ktd998 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n Стабилитрон 6в хб * 2Д0Н60П транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н ktd998 транзистор
  KIA78 * pI Реферат: транзистор КИА78 * п ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004АФ МОП-транзистор хб * 2Д0Н60П KIA7812API Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E KIA78 * pI транзистор KIA78 * р ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n KID65004AF Транзистор MOSFET хб * 2Д0Н60П KIA7812API
  2SC4793 2sa1837 Аннотация: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn to-220 транзистор 2SC5359 2SC5171 эквивалент транзистора 2sc5198 эквивалентный транзистор NPN Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор нпн к-220 транзистор 2SC5359 Транзисторный эквивалент 2SC5171 2sc5198 эквивалент NPN транзистор
  транзистор Аннотация: транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 транзистор PNP Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	2N3904 2N3906 2N4124 2N4126 2N7000 2N7002 BC327 BC328 BC337 BC338 транзистор транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 ТРАНЗИСТОР PNP
  CH520G2 Аннотация: Транзистор CH520G2-30PT цифровой 47к 22к PNP NPN FBPT-523 транзистор npn коммутирующий транзистор 60в CH521G2-30PT R2-47K транзистор цифровой 47k 22k 500ma 100ma Ch4904T1PT Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	A1100) QFN200 CHDTA143ET1PT FBPT-523 100 мА CHDTA143ZT1PT CHDTA144TT1PT CH520G2 CH520G2-30PT транзистор цифровой 47к 22к ПНП НПН FBPT-523 транзистор npn переключающий транзистор 60 в CH521G2-30PT R2-47K транзистор цифровой 47k 22k 500ma 100ma Ch4904T1PT
  транзистор 45 ф 122 Аннотация: Транзистор AC 51 mos 3021, TRIAC 136, 634, транзистор tlp 122, транзистор, транзистор переменного тока 127, транзистор 502, транзистор f 421. Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 634 транзистор TLP 122 ТРАНЗИСТОР транзистор ac 127 транзистор 502 транзистор f 421
  CTX12S Аннотация: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N ​​2SC5586 2SK1343 CTPG2F Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F
  Варистор RU Аннотация: Транзистор SE110N 2SC5487 SE090N 2SA2003 Транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 RBV-406 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор РУ SE110N транзистор 2SC5487 SE090N 2SA2003 транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 РБВ-406
  Q2N4401 Аннотация: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	RD91EB Q2N4401 D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751
  fn651 Абстракция: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 fn651 CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 РБВ-4156Б SLA4037 2sk1343
  2SC5471 Аннотация: Транзистор 2SC5853 2sa1015 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий транзистор PNP Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 A1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP
  Mosfet FTR 03-E Аннотация: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона V / 65e9 транзистор 2SC337 mosfet ftr 03 транзистор DTC143EF Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Mosfet FTR 03-E mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона Транзистор V / 65e9 2SC337 MOSFET FTR 03 транзистор DTC143EF
  fgt313 Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A Diode SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096, диод ry2a Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 fgt313 транзистор fgt313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 fgt412 РБВ-3006 FMN-1106S SLA5096 диод ry2a
  транзистор	OCR сканирование	PDF	4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6N136 6N137 6N138 6N139 CNY17-L CNY17-M транзистор
  1999 — ТВ системы горизонтального отклонения Реферат: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРОВ AN363 TV горизонтальные отклоняющие системы 25 транзисторов горизонтального сечения tv горизонтального отклонения переключающих транзисторов TV горизонтальных отклоняющих систем mosfet горизонтального сечения в электронном телевидении CRT TV электронная пушка TV обратноходовой трансформатор Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	16 кГц 32 кГц, 64 кГц, 100 кГц.Системы горизонтального отклонения телевизора РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 Системы горизонтального отклонения телевизора 25 транзистор горизонтального сечения тв Транзисторы переключения горизонтального отклонения Системы горизонтального отклонения телевизора MOSFET горизонтальный участок в ЭЛТ телевидении Электронная пушка для ЭЛТ-телевизора Обратный трансформатор ТВ
  транзистор Реферат: силовой транзистор npn к-220 транзистор PNP PNP МОЩНЫЙ транзистор TO220 демпферный диод транзистор Дарлингтона силовой транзистор 2SD2206A npn транзистор Дарлингтона TO220 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SD1160 2SD1140 2SD1224 2SD1508 2SD1631 2SD1784 2SD2481 2SB907 2SD1222 2SD1412A транзистор силовой транзистор нпн к-220 транзистор PNP ПНП СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР ТО220 демпферный диод Транзистор дарлингтона силовой транзистор 2SD2206A npn darlington транзистор ТО220
  1999 — транзистор Реферат: МОП-транзистор POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив fet высокочастотный транзистор TRANSISTOR P 3 транзистор mp40 список Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	X13769XJ2V0CD00 О-126) MP-25 О-220) MP-40 MP-45 MP-45F О-220 MP-80 MP-10 транзистор МОП-МОП-транзистор POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2ск 2СК типа Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив FET высокочастотный транзистор ТРАНЗИСТОР P 3 транзистор mp40 список
  транзистор 835 Аннотация: Усилитель с транзистором BC548, стабилизатор транзистора AUDIO Усилитель с транзистором BC548, транзистор 81 110 Вт, 85 транзистор, 81 110 Вт, 63 транзистор, транзистор, 438, транзистор, 649, ТРАНЗИСТОР, ПУТЕВОДИТЕЛЬ Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	BC327; BC327A; BC328 BC337; BC337A; BC338 BC546; BC547; BC548 BC556; транзистор 835 Усилитель на транзисторе BC548 ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор Усилитель АУДИО на транзисторе BC548 транзистор 81110 вт 85 транзистор 81110 вт 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649 НАПРАВЛЯЮЩАЯ ТРАНЗИСТОРА
  2002 — SE012 Аннотация: sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 sanken SE140N STA474 UX-F5B Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 Санкен SE140N STA474 UX-F5B
  2SC5586 Реферат: транзистор 2SC5586 диод RU 3AM 2SA2003 СВЧ диод 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель ИМС с выходом 1A RG-2A Diode Dual MOSFET 606 2sc5287 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод СВЧ 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A Диод РГ-2А Двойной полевой МОП-транзистор 606 2sc5287
  pwm инверторный сварочный аппарат Аннотация: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 Powerex демпфирующий конденсатор инвертор сварочный аппарат KD221K75 kd2245 kd224510 применение транзистора Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF
  варикап диоды Аннотация: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР GSM-модуль с микроконтроллером МОП-транзистор с p-каналом Hitachi SAW-фильтр с двойным затвором МОП-транзистор в УКВ-усилителе Транзисторы МОП-транзистор с p-каналом Mosfet-транзистор Hitachi VHF fet lna Низкочастотный силовой транзистор Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	PF0032 PF0040 PF0042 PF0045A PF0065 PF0065A HWCA602 HWCB602 HWCA606 HWCB606 варикап диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР модуль gsm с микроконтроллером P-канал MOSFET Hitachi SAW фильтр МОП-транзистор с двойным затвором в УКВ-усилителе Транзисторы mosfet p channel Мосфет-транзистор Hitachi vhf fet lna Низкочастотный силовой транзистор
  Лист данных силового транзистора для ТВ Аннотация: силовой транзистор 2SD2599, эквивалент 2SC5411, транзистор 2sd2499, 2Sc5858, эквивалентный транзистор 2SC5387, компоненты 2SC5570 в строчной развертке. Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Техническое описание силового транзистора телевизора силовой транзистор 2SD2599 эквивалент транзистор 2sd2499 2Sc5858 эквивалент транзистор 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе
  2009 — 2sc3052ef Аннотация: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD КОД МАРКИРОВКИ s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводник перекрестная ссылка toshiba smd marking code транзистор Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	24 ГГц BF517 B132-H8248-G5-X-7600 2sc3052ef 2n2222a SOT23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ПАКЕТ SMD КОДА ТРАНЗИСТОРА SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 перекрестная ссылка на полупроводник toshiba smd маркировочный код транзистора