Мощные полевые транзисторы 2П7160 АЕЯР.432140.374ТУ в металлостеклянных корпусах с приемкой ВП

Мощные переключательные МОП транзисторы с n-каналом используются в различных областях электронной техники: устройствах коммутации многоканальных систем, вторичных источниках питания, схемах управления электродвигателями, системах терморегулирования и приводах солнечных батарей, космических аппаратах и другой специальной аппаратуре.

Транзисторы обладают повышенной стойкостью к воздействиям спецфакторов.

МОП транзисторы изготавливаются в плоских металлостеклянных корпусах с планарными выводами КТ-97A, КТ-97B, КТ-97C. Масса транзистора в корпусе КТ-97A — 5 г, КТ-97B — 8,5 г, КТ-97C — 10 г.

Основные электрические параметры

Наимено­вание изделия	Тип корпуса	Покры­тие кор­пуса	UСИ max, B	IС max, A	IС(И) max, A	RСИ отк, Ом	PС max, Вт
2П7160А 2П7160А1	КТ-97C	Au Ni	30	46	70	0,006 (IС = 20 А, UЗИ = 12 В)	125
2П7160Б 2П7160Б1	КТ-97A	Au Ni	100	20	50	0,048 (IС = 15 А, UЗИ = 10 В)	75
2П7160В 2П7160В1	КТ-97B	Au Ni	200	35	70	0,080 (IС = 12 А, UЗИ = 10 В)	125
2П7160Г 2П7160Г1	КТ-97C	Au Ni	400	23	46	0,200 (IС = 10 А, UЗИ = 10 В)	150
2П7160Д 2П7160Д1	КТ-97C	Au Ni	500	20	46	0,230 (IС = 10 А, UЗИ = 10 В)	150
2П7160Е 2П7160Е1	КТ-97B	Au Ni	60	35	70	0,008 (IС = 15 А, UЗИ = 10 В)	150
2П7160Ж 2П7160Ж1	КТ-97A	Au Ni	100	20	50	0,036 (IС = 15 А, UЗИ = 10 В)	100
2П7160И 2П7160И1	КТ-97C	Au Ni	200	35	70	0,055 (IС = 12 А, UЗИ = 10 В)	150
2П7160К 2П7160К1	КТ-97C	Au Ni	600	20	46	0,270 (IС = 10 А, UЗИ = 10 В)	150

Каждый типономинал содержит две группы вариантов исполнения:

• вариант исполнения в корпусах с покрытием на основе золота;
• вариант исполнения в корпусах с покрытием на основе никеля (в окончании обозначения типономинала цифра «1».

Условное обозначение транзисторов при заказе и в конструкторской документации другой продукции:

Транзистор 2П7160А АЕЯР.432140.374ТУ.

Транзистор 2П7160А1 АЕЯР.432140.374ТУ.

Транзистор рекомендуется прижать к теплоотводу прижимом.

Рекомендуемый крутящий момент не более 28 Н·см для корпуса КТ-97А, не более 36 Н·смдля корпуса КТ-97В, не более 48 Н·см для корпуса КТ-97С.

Для улучшения теплового контакта рекомендуется наносить на нижнее основание корпуса транзисторов пасту типа КПТ-8 ГОСТ 19783-74.

Мощный транзистор в категории «Электрооборудование»

Мощный высоковольтный МДП транзистор 2П829Г

Доставка из г. Марганец

3 500 грн

Купить

Марганец

Бородин Б.А. Ломакин В.М. и др Мощные полупроводниковые приборы. Транзисторы. Справочник.

Доставка по Украине

230 грн

Купить

Инверторный сварочный аппарат Чехия БРНО Модель Grand 340A Использование мощных IGBT транзисторов Высокий КПД

На складе в г. Киев

Доставка по Украине

2 394 грн

2 520 грн

Купить

Аксенов А.И., Глушкова Д.Н. Мощные транзисторы в радиоустройствах. Выпуск 846

Доставка по Украине

270 грн

Купить

Полевой транзистор ADL FQA25N60 25A600V TO-3P

На складе в г. Каменское

Доставка по Украине

140 грн

Купить

Каменское

Полевой транзистор 12N80 MOSFET TO-220 12A800V

На складе в г. Каменское

Доставка по Украине

75 грн

Купить

Каменское

BU100 транзистор, 60В, 15А, 60Мгц оригинал SGS

Доставка по Украине

15 грн

Купить

BU127 транзистор, 120В, 15А, 60Мгц оригинал SGS

Доставка по Украине

18 грн

Купить

Транзистор MRF151G Транз. пол. мощный. ВЧ Pout=300 W, 175 MHz, 14 dB, Производитель: MACOM

Заканчивается

Доставка по Украине

7 400 грн

Купить

Транзистор NE5500234 Транз. пол. мощный. ВЧ SOT-89 N-Channel NEWMOS, 32.5 dB, 1.9 GHz, 3.0-6.0 V, 400 mA,

Доставка по Украине

171 грн

Купить

Транзистор ADL FQA20N65C 20A650V TO3P

Доставка из г. Каменское

120 грн

Купить

Каменское

Транзистор FQA28N15 Транзистор полевой мощный MOSFET N-CH 150V 33A TO-3PN-3

Доставка по Украине

92 грн

Купить

Транзистор IXTY48P05T Транзистор полевой мощный P-Channel Uds=-50V; Id=-48A; Rds=0,030Ohm Ptot=150W TO-252-3

Доставка по Украине

215 грн

Купить

FQA24N50 Fairchild TO-3PN 24A 500V 290W 200mOhm транзистор полевой N-канальный

Доставка из г. Днепр

от 150 грн

Купить

Транзистор полевой IRF1405, TO-220, Infineon

Доставка по Украине

116.80 грн

Купить

Смотрите также

КТ834А транзистор NPN (20А 500В) 100W

Доставка по Украине

123 грн

Купить

N-канальный МОП транзистор MOSFET IRFB3206, Транзистор с изолированным затвором, Полевой транзистор 60V/210A

На складе в г. Мукачево

Доставка по Украине

64 — 80 грн

от 2 продавцов

80 грн

160 грн

Купить

Мукачево

N-канальный МОП транзистор MOSFET IRFB3205, Транзистор с изолированным затвором, Полевой транзистор 55V/110A

На складе в г. Мукачево

Доставка по Украине

30 — 35 грн

от 2 продавцов

30 грн

60 грн

Купить

Мукачево

N-канальный МОП транзистор MOSFET HY3208P, Транзистор с изолированным затвором, Полевой транзистор 80V/120A

На складе в г. Мукачево

Доставка по Украине

70 грн

140 грн

Купить

Мукачево

Транзистор FQPF5N60C 5N60С (MOSFET, КМОП) HEXFET

Доставка из г. Днепр

20 грн

Купить

Транзистор IRFPS37N50A , транзистор 2N1671A

На складе в г. Днепр

Доставка по Украине

от 118 грн

Купить

Биполярный транзистор BUX21 , BUX22

Доставка по Украине

от 75 грн

Купить

Транзистор IRF3205 , MPS750 , транзистор IRF640N , IRF640N Мікросхема IRF3205

На складе в г. Днепр

Доставка по Украине

от 26 грн

Купить

Транзистор полевой IRLZ44N

Доставка по Украине

51 грн

Купить

Транзистор полевой IRF 520(N)

Доставка по Украине

16.50 грн

Купить

Транзистор полевой IRF 540N

Доставка по Украине

26 грн

Купить

Транзистор полевой IRF3707ZS

Заканчивается

Доставка по Украине

16.90 грн

Купить

Транзистор полевой IRFP250N

Заканчивается

Доставка по Украине

59 грн

Купить

Полевой транзистор 18n50.

Доставка по Украине

50 грн

Купить

Датчики на ионоселективных полевых транзисторах (FET) с модуляцией сильного поля с чувствительностью выше идеальной чувствительности Нернста

. 2018 29 мая; 8(1):8300.

doi: 10.

1038/s41598-018-26792-9.

Йи-Тин Чен ¹ , Инду Сарангадхаран ¹ , Ревати Сукесан ¹ , Чинг-Йен Сей ² , Гэн-Йен Ли ³ , Джен-Инн Чии ³ , Ю-Линь Ван ^{4 5}

Принадлежности

• ¹ Институт наноинженерии и микросистем, Национальный университет Цинхуа, Синьчжу, 300, Тайвань, Китайская Республика.
• ² Кафедра энергетического машиностроения, Национальный университет Цинхуа, Синьчжу, 300, Тайвань, Китайская Республика.
• ³ Факультет электротехники, Национальный центральный университет, город Чжунли, округ Таоюань, 320, Тайвань, Китайская Республика.
• ⁴ Институт наноинженерии и микросистем, Национальный университет Цинхуа, Синьчжу, 300, Тайвань, Китайская Республика. [email protected].
• ⁵ Кафедра энергетического машиностроения, Национальный университет Цинхуа, Синьчжу, 300, Тайвань, Китайская Республика. [email protected].

• PMID: 29844607
• PMCID: PMC5974191
• DOI: 10.1038/с41598-018-26792-9

Бесплатная статья ЧВК

Йи-Тин Чен и др. Научный представитель 2018 .

Бесплатная статья ЧВК

. 2018 29 мая; 8(1):8300.

doi: 10.1038/s41598-018-26792-9.

Авторы

Йи-Тин Чен ¹ , Инду Сарангадхаран ¹ , Ревати Сукесан ¹ , Чинг-Йен Сей ² , Гэн-Йен Ли ³ , Джен-Инн Чии ³ , Ю-Линь Ван ^{4 5}

Принадлежности

• ¹ Институт наноинженерии и микросистем, Национальный университет Цинхуа, Синьчжу, 300, Тайвань, Китайская Республика.
• ² Кафедра энергетического машиностроения, Национальный университет Цинхуа, Синьчжу, 300, Тайвань, Китайская Республика.
• ³ Факультет электротехники, Национальный центральный университет, город Чжунли, округ Таоюань, 320, Тайвань, Китайская Республика.
• ⁴ Институт наноинженерии и микросистем, Национальный университет Цинхуа, Синьчжу, 300, Тайвань, Китайская Республика. [email protected].
• ⁵ Кафедра энергетического машиностроения, Национальный университет Цинхуа, Синьчжу, 300, Тайвань, Китайская Республика. [email protected].

• PMID: 29844607
• PMCID: PMC5974191
• DOI: 10.
  1038/с41598-018-26792-9

Абстрактный

Транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT) из AlGaN/GaN с покрытием из свинцово-ион-селективной мембраны (Pb-ISM) использовались для демонстрации совершенно новой методологии создания ионоселективных датчиков на полевых транзисторах, которые могут обеспечивать сверхвысокую чувствительность (-36 мВ/log [Pb ²⁺ ]), превосходя предел идеальной чувствительности (-29,58 мВ/log [Pb ²⁺ ]) в типичном уравнении Нернста для иона свинца. Значительно улучшенная чувствительность значительно снизила предел обнаружения (10

-10 М) для концентрации ионов свинца на несколько порядков по сравнению с типичным ионоселективным электродом (ИСЭ) (10 ^-7 М). Высокая чувствительность была получена за счет создания сильного поля между электродом затвора и каналом HEMT. Было проведено систематическое исследование путем измерения различной конструкции датчика и смещения затвора, указывающее на сверхвысокую чувствительность и сверхнизкий предел обнаружения, полученные только в достаточно сильном поле. Теоретическое исследование чувствительности последовательно согласуется с экспериментальными данными и предсказывает максимальную и минимальную чувствительность. Предел обнаружения нашего датчика сравним с пределом обнаружения масс-спектра с индуктивно-связанной плазмой (ИСП-МС), который также имеет предел обнаружения около 10 ^-10 М.

Заявление о конфликте интересов

Авторы заявляют об отсутствии конкурирующих интересов.

Цифры

Рисунок 1

AlGaN/GaN HEMT с высокопольным вентилем…

Рисунок 1

Высокопольный стробируемый датчик AlGaN/GaN HEMT. Схематическое изображение датчика AlGaN/GaN HEMT (…

Рисунок 1

Высокопольный стробируемый датчик AlGaN/GaN HEMT. Схематическое изображение датчика AlGaN/GaN HEMT ( a ) без ISM ( b ) с ISM. Электрические характеристики датчика AlGaN/GaN HEMT ( c ) без ISM ( d ) с ISM.

Рисунок 2

Характеристики AlGaN/GaN HEMT без…

Рисунок 2

Характеристики AlGaN/GaN HEMT без ISM. ( a ) Текущая характеристика усиления…

фигура 2

Характеристики AlGaN/GaN HEMT без ISM. ( a ) Реакция датчика на усиление тока при увеличении ионной силы тестового раствора. ( b ) Текущее усиление отклика датчика на увеличение концентрации свинца.

Рисунок 3

Характеристики селективных ионов свинца…

Рисунок 3

Характеристики HEMT, селективного к ионам свинца (Pb-ISHEMT). ( a ) Текущая характеристика усиления…

Рисунок 3

Характеристики HEMT, селективного к ионам свинца (Pb-ISHEMT). ( a ) Текущая характеристика усиления Pb-ISHEMT во времени. ( b ) Текущая характеристика усиления Pb-ISHEMT для изменения pH тестового раствора.

Рисунок 4

Влияние зазора электрода затвора…

Рисунок 4

Влияние зазора электрода затвора и приложенного напряжения V _g на коэффициент усиления по току. (…

Рисунок 4

Влияние зазора электрода затвора и приложенного напряжения V _г по усилению тока. ( a ) Тестовая установка для оценки реакции датчика на различное приложенное электрическое поле. ( b — g ) Коэффициент усиления по току в зависимости от зазора для фиксированного V _g .

Рисунок 5

Обнаружение ионов свинца с помощью Pb-ISHEMT…

Рисунок 5

Обнаружение ионов свинца с помощью Pb-ISHEMT и сравнение чувствительности. ( и ) Текущий…

Рисунок 5

Обнаружение ионов свинца с использованием Pb-ISHEMT и сравнение чувствительности. ( a ) Реакция на усиление тока для различных приложенных V _g . ( b ) Текущая характеристика усиления для различных концентраций ионов свинца. ( c ) Эффективный V _г применяется для различных концентраций ионов свинца.

Рисунок 6

Характеристики двойного электрического слоя…

Рисунок 6

Характеристики двойного электрического слоя с ISM и без него. Распределение заряда в AlGaN/GaN…

Рисунок 6

Характеристики двойного электрического слоя с ISM и без него. Распределение заряда в датчике AlGaN/GaN HEMT ( a ) без ISM ( b ) с ISM ( c ) Ток утечки электрода затвора Pb-ISHEMT.

См. это изображение и информацию об авторских правах в PMC

Похожие статьи

• Состояние и перспективы HEMT на основе гетеропереходов для биосенсоров следующего поколения.

  Фаузи Н., Мохд Асри Р.И., Мохамед Омар М.Ф., Манаф А.А., Каварада Х., Фалина С., Сямсул М. Фаузи Н. и др. Микромашины (Базель). 2023 27 января; 14 (2): 325. дои: 10.3390/ми14020325. Микромашины (Базель). 2023. PMID: 36838025 Бесплатная статья ЧВК. Обзор.

• Мгновенное обнаружение ионов ртути в промышленных сточных водах с помощью микрочипа с использованием полевых транзисторов с удлиненным затвором и портативного устройства.

  Сукесан Р., Чен Ю.Т., Шахим С., Ван С.Л., Сарангадхаран И., Ван Ю.Л. Сукесан Р. и соавт. Датчики (Базель). 2019 13 мая; 19(9)):2209. дои: 10.3390/s19092209. Датчики (Базель). 2019. PMID: 31086067 Бесплатная статья ЧВК.

• Мультиплексное сверхчувствительное обнаружение ионов Cr(III) и Cr(VI) с помощью матрицы полевых транзисторов в жидкой среде.

  Шахим С., Сукесан Р., Сарангадхаран И., Ван Ю.Л. Шахим С. и др. Датчики (Базель). 2019 26 апреля; 19 (9): 1969. дои: 10.3390/s19091969. Датчики (Базель). 2019. PMID: 31035499 Бесплатная статья ЧВК.

• Селективные датчики ртути(II) на основе транзисторов AlGaN/GaN.

  Асадния М., Майерс М., Ахаван Н.Д., О’Доннелл К., Умана-Мембрено Г.А., Мишра Великобритания, Ненер Б., Бейкер М., Пэриш Г. Асадния М. и соавт. Анальный Чим Акта. 2016 2 ноября; 943: 1-7. doi: 10.1016/j.aca.2016.08.045. Epub 2016 20 сентября. Анальный Чим Акта. 2016. PMID: 27769368

• Биологически связанные затворные полевые транзисторы встречают в диагностике Vitro .

  Саката Т. Саката Т. АСУ Омега. 2019 9 июля; 4(7):11852-11862. doi: 10.1021/acsomega.9b01629. Электронная коллекция 2019 31 июля. АСУ Омега. 2019. PMID: 31460295 Бесплатная статья ЧВК. Обзор.

Посмотреть все похожие статьи

Цитируется

• Состояние и перспективы HEMT на основе гетеропереходов для биосенсоров следующего поколения.

  Фаузи Н., Мохд Асри Р.И., Мохамед Омар М.Ф., Манаф А.А., Каварада Х., Фалина С., Сямсул М. Фаузи Н. и др. Микромашины (Базель). 2023 27 января; 14 (2): 325. дои: 10.3390/ми14020325. Микромашины (Базель). 2023. PMID: 36838025 Бесплатная статья ЧВК. Обзор.

• Плоские металлооксидные транзисторы с симметричным ионно-затворным управлением для высокочувствительной и низковольтной биоэлектроники.

  Kang J, Jang YW, Moon SH, Kang Y, Kim J, Kim YH, Park SK. Кан Дж. и др. Adv Sci (Вейн). 2022 май;9(13):e2103275. doi: 10.1002/advs.202103275. Epub 2022 3 марта. Adv Sci (Вейн). 2022. PMID: 35240004 Бесплатная статья ЧВК.

• Десятилетний прогресс в области электрического обнаружения ионов тяжелых металлов (HMI) с использованием различных наносенсоров на полевых транзисторах (FET): обзор.

  Фалина С., Сямсул М., Раффор Н.А., Сал Хамид С., Мохамед Заин К.А., Абд Манаф А., Каварада Х. Фалина С. и др. Биосенсоры (Базель). 2021 25 ноября; 11 (12): 478. дои: 10.3390/биос11120478. Биосенсоры (Базель). 2021. PMID: 34940235 Бесплатная статья ЧВК. Обзор.

• Моделирование и анализ производительности биосенсора траншейного затвора TFET с двойным источником с диэлектрической модуляцией.

  Чонг С., Лю Х., Ван С., Чен С. Чонг С и др. Nanoscale Res Lett. 2021 12 февраля; 16 (1): 34. doi: 10.1186/s11671-021-03486-2. Nanoscale Res Lett. 2021. PMID: 33576891 Бесплатная статья ЧВК.

• Мгновенное обнаружение ионов ртути в промышленных сточных водах с помощью микрочипа с использованием полевых транзисторов с удлиненным затвором и портативного устройства.

  Сукесан Р., Чен Ю.Т., Шахим С., Ван С.Л., Сарангадхаран И., Ван Ю.Л. Сукесан Р. и соавт. Датчики (Базель). 2019 13 мая; 19(9):2209. дои: 10.3390/s19092209. Датчики (Базель). 2019. PMID: 31086067 Бесплатная статья ЧВК.

Просмотреть все статьи «Цитируется по»

Рекомендации

1. 1. Даффус Дж. Х. «Тяжелые металлы» — бессмысленный термин? (Технический отчет IUPAC) Чистая и прикладная химия. 2002;74:793–807. дои: 10.1351/pac200274050793. — DOI
2. 1. Шукла Г.С., Сингхал Р.Л. Современное состояние биологического действия токсичных металлов в окружающей среде: свинца, кадмия, марганца. Канадский журнал физиологии и фармакологии. 1984; 62: 1015–1031. дои: 10.1139/y84-171. — DOI — пабмед
3. 1. Fang HH, Xu LC, Chan KY. Воздействие токсичных металлов и химикатов на биопленку и биокоррозию. Исследования воды. 2002;36:4709–4716. doi: 10.1016/S0043-1354(02)00207-5. — DOI — пабмед
4. 1. Всемирная организация здравоохранения, Десять химических веществ, вызывающих серьезную озабоченность в области общественного здравоохранения, http://www.who.int/ipcs/assessment/public_health/chemicals_phc/en/ (2017).
5. 1. Settle DM, Паттерсон CC. Свинец в альбакоре: руководство по загрязнению свинцом у американцев. Наука. 1980; 207:1167–1176. doi: 10.1126/science.6986654. — DOI — пабмед

Механически прочные графеновые полевые транзисторы с частотой среза 39 ГГц на гибких подложках

Механически прочные графеновые полевые транзисторы с частотой среза 39 ГГц на гибких подложках†

Вэй Вэй, ^и Эмилиано Паллекки, * ^и Самул Хак, ^b Стефано Борини, ^б Ванесса Аврамович, ^и Альба Сентено, ^c Зурутуза Амайя ^c и Анри Счастливый ^и

Принадлежности автора

* Соответствующие авторы

^и Институт электроники, микроэлектроники и нанотехнологий (IEMN) CNRS UMR8520, Вильнев-д’Аск, cedex, Франция
Электронная почта: emiliano. [email protected]

^б Nokia Technologies, 21 JJ Thomson Av., Madingley Rd, Кембридж, Великобритания

^с Graphenea, Avenida de Tolosa, 20018 — Доностия/Сан-Себастьян, Испания

Аннотация

Графен рассматривался как многообещающий кандидатный материал канала для гибких устройств, работающих на радиочастоте (РЧ).