Мощные биполярные транзисторы для импульсных источников питания, TV-приемников и мониторов. Справочник
Мощные биполярные транзисторы для импульсных источников питания, TV-приемников и мониторов — В справочнике приведены электрические характеристики мощных биполярных транзисторов, имеющих высокую скорость переключения. Данные приборы применяются в импульсных источниках питания различного назначения, в промышленном оборудовании, в бытовой и профессиональной видео- и аудиотехнике. В книге представлены изделия следующих ведущих производителей полупроводниковых приборов: FAIRCHILD, HITACHI, MOTOROLA (ON SEMICONDUCTOR), PANASONIC, PHILIPS, SANKEN, SAMSUNG, SANYO, SHINDENGEN, ST-MICROELECTRONICS, TOSHIBA и ZETEX. Таблица аналогов полупроводниковых приборов составлена на основании руководства Master Replacement Guide. Справочник рассчитан на специалистов, занимающихся обслуживанием и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры, а также на радиолюбителей.
Название: Мощные биполярные транзисторы для импульсных источников питания, TV-приемников и мониторов. Справочник
Издательство: Додэка-ХХI, МК-Пресс
Год: 2006
Страниц: 538
Формат: DJVU
Размер: 87,1 МБ
ISBN: 5-94120-126-5, 966-8806-17-4
Качество: Отличное
Серия или Выпуск: Элементная база
Язык: Русский
Содержание:
Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD
FJA13009; FJAF6806D; FJAF6808D; FJAF6810; FJAF6810D; FJAF6812; FJAF6815; FJAF6820; FJAF6910; FJAF6916; FJAF6920; FJD5304D; FJE3303; FJE5304D; FJL6820; FJL6825; FJL6920; FJN13003; FJP3305; FJP5021; FJP5304D; FJP5321; FJP5355; FJP5554; FJP5555; FJPF13007; FJPF13009; FJPF3305; FJPF5021; FJPF5027; FJPF5321; FJPF5555; FJPF6806D; KSA1156; KSC2233; KSC2333; ICSC2335; KSC2518; KSC2751; KSC2752; KSC3552; KSC5026M; KSC5027; KSC5039F; KSC5042F; KSC5042M; KSC5338D; KSC5338DW; KSC5367F; KSC5386; KSC5504D; KSC5504DT; KSC5801; KSC5802; KSC5803; KSD362; KSD363; KSD5701; KSD5703; KSD5707; KSE5020
2SC1942; 2SC2928; 2SC3025; 2SC3026; 2SC3322; 2SC3336; 2SC3365; 2SC3658; 2SC3659; 2SC4589; 2SC4692; 2SC4742; 2SC4743; 2SC4744; 2SC4745; 2SC4746; 2SC4747; 2SC4789; 2SC4796; 2SC4797; 2SC4877; 2SC4878; 2SC4879; 2SC4880; 2SC4897; 2SC4927; 2SC4928; 2SC4962; 2SC5058; 2SC5068A; 2SC5105; 2SC5132A; 2SC5207A; 2SC5219; 2SC5250; 2SC5251; 2SC5252; 2SC5447; 2SC5448; 2SC5470; 2SD2294; 2SD2295; 2SD2296; 2SD2297; 2SD2298; 2SD2299; 2SD2300; 2SD2301; 2SD2311; 2SD2337; 2SD2342; 2SD2381; 2SD2491; 2SD2492
BU406; BU407; BUL44; BUL45; BUV21; BUV22; BUV26; BUX85; MJE13003; MJE13005; MJE13007; MJE13009; MJE16002; MJE16004; MJE16106; MJE18002; MJE18004; MJE18206; MJF18002; MJF18004; MJF18206; MJW16212
2SC3506; 2SC3507; 2SC3974; 2SC4420; 2SC5243; 2SC5244; 2SC5244A; 2SC5270; 2SC5270A; 2SC5406; 2SC5406A; 2SC5407; 2SC5412; 2SC5423; 2SC5440; 2SC5478; 2SC5513; 2SC5514; 2SC5515; 2SC5516; 2SC5517; 2SC5518; 2SC5519; 2SC5546; 2SC5552; 2SC5553; 2SC5583; 2SC5584; 2SC5591; 2SC5597; 2SC5622; 2SC5686; 2SC5739; 2SC5779; 2SC5788; 2SC5884; 2SC5885; 2SC5902; 2SC5904; 2SC5905; 2SC5909; 2SC5912; 2SC5913; 2SC5914; 2SC5931; 2SC5993; 2SC6012; 2SD1439; 2SD1440; 2SD1441; 2SD1541; 2SD1632; 2SD1729; 2SD1730; 2SD1731; 2SD1732; 2SD1739; 2SD1846; 2SD1849; 2SD1850; 2SD2057
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS
BU505; BU505D; BU505DF; BU505F; BU506; BU506D; BU506DF; BU506F; BU508AF; BU508AW; BU508DF; BU508DW; BU1506DX; BU1507AX; BU1507DX; BU1508AX; BU1508DX; BU2506DF; BU2506DX; BU2507AF; BU2507AX; BU2507DF; BU2507DX; BU2508A; BU2508AF; BU2508AW; BU2508AX; BU2508D; BU2508DF; BU2508DW; BU2508DX; BU2515AF; BU2515AX; BU2515DF; BU2515DX; BU2520A; BU2520AF; BU2520AW; BU2520AX; BU2520D; BU2520DF; BU2520DW; BU2520DX; BU2522A; BU2522AF; BU2522AW 145; BU2522AX; BU2522DF; BU2522DX; BU2523AF; BU2523AX; BU2523DF; BU2523DX; BU2525A; BU2525AF; BU2525AW; BU2525AX; BU2525DF; BU2525DW; BU2525DX; BU2527A; BU2527AF; BU2527AW; BU2527AX; BU2527DF; BU2527DX; BU2530AL; BU2530AW; BU2532AL; BU2532AW; BU2708AF; BU2708AX; BU2708DF; BU2708DX; BU2720AF; BU2720AX; BU2720DF; BU2720DX; BU2722AF; BU2722AX; BU2722DF; BU2722DX; BU2725AF; BU2725AX; BU2725DF; BU2725DX; BU2727A; BU2727AF; BU2727AW; BU2727AX; BU2730AL; BU4506AF; BU4506AX; BU4506AZ; BU4506DF; BU4506DX; BU4506DZ; BU4507AF; BU4507AX; BU4507AZ; BU4507DF; BU4507DX; BU4507DZ; BU4508AF; BU4508AX; BU4508AZ; BU4508DF; BU4508DX; BU4508DZ; BU4515AF; BU4515AX; BU4515DF; BU4515DX; BU4522AF; BU4522AX; BU4522DF; BU4522DX; BU4523AF; BU4523AW; BU4523AX; BU4523DF; BU4523DW; BU4523DX; BU4525AF; BU4525AL; BU4525AW; BU4525AX; BU4525DF; BU4525DL; BU4525DW; BU4525DX; BU4530AL; BU4530AW; BU4530AX; BU4540AL; BU4540AW; BU4550AL; BUJ101A; BUJ101AU; ВUJ101АХ; BUJ103A; BUJ103AU; ВUJ103АХ; BUJ105A; BUJ105AB; BUJ105AX; BUJ106A; BUJ106AX; BUJ202A; BUJ202AX; ВUJ204А; ВUJ204АХ; ВUJ205А; ВUJ205АХ; BUJ301A; ВUJ301АХ; BUJ302A; BUJ302AX; ВUJЗОЗА; ВUJ303АХ; BUJ304A; BUJ304AX; BUJ403A; BUJ403AX; ВUJ403ВХ; BUT11; BUT11A; BUT11AF; BUT11AI; BUT11AX; BUT11APX; BUT11APX-1200; BUT11F; BUT11XI; BUT12; BUT12A; BUT12AF; BUT12AI; BUT12F; BUT12XI; BUT18; BUT18A; BUT18AF; BUT18F; BUW11AF; BUW11F; BUW11AW; BUW11W; BUW13AF; BUW13F; BUW13AW; BUW13W; BUW14; BUX84; BUX84F; BUX84S; BUX85; BUX85F; BUX86P; BUX87P; BUX87-1100
KSD5001; KSD5002; KSD5003; KSD5004; KSD5005; KSD5007; KSD5011; KSD5013; KSD5015; KSD5017
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANKEN
2SC3678; 2SC3679; 2SC3680; 2SC3830; 2SC3831; 2SC3832; 2SC3833; 2SC3890; 2SC3927; 2SC4020; 2SC4130; 2SC4138; 2SC4139; 2SC4140; 2SC4296; 2SC4297; 2SC4298; 2SC4299; 2SC4300; 2SC4304; 2SC4418; 2SC4434; 2SC4445; 2SC4517; 2SC4517A; 2SC4518; 2SC4518A; 2SC4546; 2SC4557; 2SC4662; 2SC4706; 2SC4907; 2SC4908; 2SC5002; 2SC5003; 2SC5071; 2SC5124; 2SC5130; 2SC5239; 2SC5249; 2SC5271; 2SC5287
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO
2SA1402; 2SA1403; 2SA1404; 2SA1405; 2SA1406; 2SA1407; 2SA1474; 2SA1475; 2SA1476; 2SA1536; 2SA1537; 2SA1538; 2SA1539; 2SA1540; 2SA1541; 2SA1967; 2SA1968LS; 2SC3176; 2SC3591; 2SC3595; 2SC3596; 2SC3597; 2АС3598; 2SC3599; 2SC3600; 2SC3601; 2SC3636; 2SC3637; 2SC3638; 2SC3642; 2SC3643; 2SC3675; 2SC3676; 2SC3685; 2SC3686; 2SC3687; 2SC3688; 2SC3780; 2SC3781; 2SC3782; 2SC3894; 2SC3895; 2SC3896; 2SC3897; 2SC3950; 2SC3951; 2SC3952; 2SC3953; 2SC3954; 2SC3955; 2SC3956; 2SC3995; 2SC3996; 2SC3997; 2SC3998; 2SC4030; 2SC4031; 2SC4123; 2SC4124; 2SC4125; 2SC4256; 2SC4257; 2SC4271; 2SC4291; 2SC4293; 2SC4411; 2SC4423; 2SC4425; 2SC4426; 2SC4427; 2SC4428; 2SC4429; 2SC4430; 2SC4435; 2SC4437; 2SC4440; 2SC4441; 2SC4450; 2SC4451; 2SC4475; 2SC4476; 2SC4478; 2SC4493; 2SC4563; 2SC4572; 2SC4578; 2SC4579; 2SC4630; 2SC4631; 2SC4632; 2SC4633; 2SC4634; 2SC4635; 2SC4636; 2SC4637; 2SC4660; 2SC4710; 2SC4710LS; 2SC4769; 2SC4770; 2SC4924; 2SC5041; 2SC5042; 2SC5043; 2SC5044; 2SC5045; 2SC5046; 2SC5047; 2SC5238; 2SC5296; 2SC5297; 2SC5298; 2SC5299; 2SC5300; 2SC5301; 2SC5302; 2SC5303; 2SC5443; 2SC5444; 2SC5450; 2SC5451; 2SC5452; 2SC5453; 2SC5506; 2SC5577; 2SC5578; 2SC5637; 2SC5638; 2SC5639; 2SC5680; 2SC5681; 2SC5682; 2SC5683; 2SC5689; 2SC5690; 2SC5696;2SC5698; 2SC5699; 2SC5722; 2SC5723; 2SC5776; 2SC5777; 2SC5778; 2SC5791; 2SC5792; 2SC5793; 2SC5794; 2SC5811; 2SC5899; 2SC5900; 2SC5932; 2SC5933; 2SC5966; 2SC5967; 2SC5968; 2SD1159; 2SD1876; 2SD1877; 2SD1878; 2SD1879; 2SD1880; 2SD1881; 2SD1882; 2SD1883; 2SD1884; 2SD1885; 2SD1886; 2SD1887; 2SD1908; 2SD1958; 2SD2251; 2SD2252; 2SD2578; 2SD2579; 2SD2580; 2SD2581; 2SD2624; 2SD2627LS; 2SD2629; 2SD2634; 2SD2645; 2SD2646; 2SD2648; 2SD2649; 2SD2650; 2SD2658LS; 2SD2688LS; 2SD2689LS; TS7988; TS7990; TS7992; TS7994; TT2138LS; TT2140LS; ТТ2142; TT2170LS; TT2190LS; ТТ2202
2SA1598; 2SA1599; 2SA1600; 2SA1601; 2SA1795; 2SA1796; 2SA1876; 2SA1877; 2SA1878; 2SA1879; 2SB1282; 2SB1283; 2SB1284; 2SB1285; 2SB1448; 2SC4051; 2SC4052; 2SC4053; 2SC4054; 2SC4055; 2SC4056; 2SC4057; 2SC4058; 2SC4059; 2SC4060; 2SC4148; 2SC4149; 2SC4150; 2SC4151; 2SC4230; 2SC4231; 2SC4232; 2SC4233; 2SC4234; 2SC4235; 2SC4236; 2SC4237; 2SC4580; 2SC4582; 2SC4583; 2SC4584; 2SC4585; 2SC4663; 2SC4664; 2SC4668; 2SC4669; 2SC4833; 2SC4834; 2SC4876; 2SC4914; 2SC4940; 2SC4941; 2SC4978; 2SC4979; 2SC4980; 2SC4981; 2SC4982; 2SC5241; 2SD1022; 2SD1023; 2SD1024; 2SD1025; 2SD1026; 2SD1027; 2SD1788; 2SD1789; 2SD1790; 2SD1791; 2SD1792; 2SD1793; 2SD1794; 2SD1795; 2SD2196
BU208A; BU505; BU508A; BU508AFI; BU508DFI; BU808DFI; BUF405A; BUF405AFP; BUF410; BUF410A; BUF420; BUF420A; BUF420M; BUh2015; BUh2015HI; BUh2215; BUh3M20AP; BUh415; BUh415D; BUh415DFH; BUH515; BUH515D; BUH615D; BUH715; BUL1101E; BUL1102E; BUL118; BUL1203E; BUL1403ED; BUL213; BUL216; BUL310; BUL310FP; BUL312FH; BUL312FP; BUL381; BUL381D; BUL382; BUL382D; BUL38D; BUL39D; BUL416; BUL49D; BUL510; BUL57; BUL57FP; BUL58D; BUL59; BUL654; BUL67; BUL742; BUL810; BUL89; BULB128D-1; BULB39D; BULB49D; BULD118D-1; BULK128D; BULT118; BULT118D; BUV48C; BUV48CFI; BUW1015; BUW1215; BUX48C; HD1520FX; HD1530FX; HD1530JL; HD1750FX; HD1750JL; HD1760JL; MD1803DFX; MD2310FX; MJD47T4; MJD49T4; MJD50T4; S2000AFI; SGSF313; SGSF313PI; SGSF344; SGSF464; SGSFI464; ST13003; ST13005; ST13007; ST13007FP; ST13007N; ST13007NFP; ST1802FH; ST1803DFH; ST1803DHI; ST2001FX; ST2009DXI; ST2310DXI; ST2310FX; ST2317DFX; ST2408h2; ST83003; STB13005-1; STD13003-1; STD13003-T4; STD83003-1; STD83003-T4; STK13003; STX13005; THD200F1; THD215HI; THD218DHI; THD277HI
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA
2SC3307; 2SC3425; 2SC3657; 2SC3715; 2SC3716; 2SC3884A; 2SC3885A; 2SC3886A; 2SC3887; 2SC3887A; 2SC3888; 2SC3888A; 2SC3889; 2SC3889A; 2SC3892; 2SC3892A; 2SC3893; 2SC3893A; 2SC4157; 2SC4288; 2SC4288A; 2SC4289; 2SC4289A; 2SC4290; 2SC4290A; 2SC4531; 2SC4532; 2SC4542; 2SC4560; 2SC4608; 2SC4757; 2SC4758; 2SC4759; 2SC4760; 2SC4761; 2SC4762; 2SC4763; 2SC4764; 2SC4765; 2SC4766; 2SC4806; 2SC4830; 2SC4916; 2SC5048; 2SC5129; 2SC5142; 2SC5143; 2SC5144; 2SC5148; 2SC5149; 2SC5150; 2SC5172; 2SC5266; 2SC5279; 2SC5280; 2SC5331; 2SC5332; 2SC5339; 2SC5353; 2SC5354; 2SC5386; 2SC5387; 2SC5404; 2SC5411; 2SC5421; 2SC5422; 2SC5439; 2SC5445; 2SC5446; 2SC5570; 2SC5587; 2SC5588; 2SC5589; 2SC5590; 2SC5612; 2SC5695; 2SC5716; 2SC5717; 2SC5748; 2SC5855; 2SC5856; 2SC5857; 2SC5858; 2SC5859; 2SD1279; 2SD1425; 2SD1426; 2SD1427; 2SD1428; 2SD1429; 2SD1430; 2SD1431; 2SD1432; 2SD1433; 2SD1543; 2SD1544; 2SD1545; 2SD1546; 2SD1547; 2SD1548; 2SD1553; 2SD1554; 2SD1555; 2SD1556; 2SD2089; 2SD2095; 2SD2125; 2SD2253; 2SD2348; 2SD2349; 2SD2428; 2SD2454; 2SD2498; 2SD2499; 2SD2500; 2SD2539; 2SD2550; 2SD2551; 2SD2553; 2SD2559; 2SD2586; 2SD2599; 2SD2638; 2SD811; 2SD818; 2SD819; 2SD820; 2SD821; 2SD822; 2SD868; 2SD869; 2SD870; 2SD871; S2000; S2000A; S2000AF; S2000F; S2000N; S2055; S2055A; S2055AF; S2055F; S2055N
Транзисторы с высокой скоростью переключения производства ZETEX
BST39; FMMT458; FMMT459; FMMT497; FZT458; FZT658; FZT857; FZTA42
Аналоги полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Типовое использование транзистора с высокой скоростью переключения в схемах строчной развертки
Скачать Мощные биполярные транзисторы для импульсных источников питания, TV-приемников и мониторов. Справочник
Отечественные производители IGBT (БТИЗ) транзисторовIGBT справочник составлен из транзисторов, входящих в прайсы интернет-магазинов. Кроме того, приведены близкие по параметрам MOSFET транзисторы, которые могут составить конкуренцию IGBT (а где-то и лучше, если главным параметром становится быстродействие). IGBT транзисторы на напряжение до 600В IGBT транзисторы на напряжение до 1200В IGBT транзисторы частотой 1-5 кГц IGBT транзисторы с максимальной частотой до 20кГц Высокочастотные IGBT транзисторы | ||||||
Основные характеристики IGBT. | ||||||
| IGBT | MOSFET | Imax, A/ Uce(on),В | Корпус | Примечание | ||
| Указан максимальный допустимый постоянный ток при Ткорп=100ºС и типичное падение напряжения при этом токе и Тj=150ºС | ||||||
1. IGBT транзисторы на напряжение до 600В | ||||||
| IRG4IBC20UD | 6.0/1.87 | ТО-220F | UFAST, диод, изолир корп | справочные данные на IGBT транзистор в изолированном корпусе IRG4IBC20UD | ||
| IRG4IBC20KD | 6.3/2.05 | ТО-220F | FAST,диод,КЗ уст, изолир крп | |||
| IRG4BC20UD | IRF840 | 6.5/1.87 | ТО-220 | UFAST, диод | IGBT и MOSFET транзисторы, аналогичные по характеристикам | |
| IRG4BC20W | 6.5/2.05 | ТО-220 | FAST | ультрабыстрый IGBT транзистор IRG4BC20W, справочные данные | ||
| IRG4BC15UD | SPP11N60 | 7.8/2.21 | ТО-220 | UFAST, диод | IGBT и MOSFET транзисторы | |
| IRG4IBC30UD | SPP17N80 | 8.9/1.90 | ТО-220F | UFAST, диод, изолир корп | IGBT и MOSFET транзисторы, близкие по характеристикам | |
| IRG4BC30W-S | 12/1.95 | D2pak | UFAST | IGBT транзистор IRG4BC30W для корректоров мощности, справочные данные | ||
| IRGS10B60KD | 12/2.20 | D2pak | диод, КЗ уст | IGBT транзистор с диодом IRGS10B60KD, характеристики | ||
| IRG4RC20F | 12/2.04 | D2pak | IGBT транзистор для поверхностного монтажа IRG4RC20F | |||
| IRG4BC30U IRG4PC30U | | 12/2.09 | ТО-220 TO-247 | UFAST | ультрабыстрые IGBT транзисторы IRG4BC30U и IRG4PC30U,, справочные данные | |
| HGTP12N60C3 | 12/1.85 | ТО-220 | КЗ уст | IGBT транзистор HGTP12N60C3, справочные данные | ||
| HGTP12N60C3D | 12/1.85 | ТО-220 | диод, КЗ уст | IGBT транзистор с антипараллельным диодом HGTP12N60C3, справочные данные | ||
| IRG4BC30W IRG4PC30W | SPP20N60 SPW20N60 | | 12/1.95 | TO-220 ТО-247 | UFAST | IGBT транзисторы для корректоров мощности IRG4PC30W и близкие по характеристикам MOSFET транзисторы |
| IRG4BC30UD IRG4PC30UD | BUZ30A IRFP460 | | 12/2.09 | TO-220 ТО-247 | UFAST, диод | ультрабыстрый IGBT транзистор с диодом IRG4PC30UD, характеристики и близкие MOSFET аналоги |
| HGTG12N60B3 | 12/1.70 | ТО-247 | FAST | HGTG12N60B3 — ультрабыстрый IGBT транзистор, характеристики | ||
| HGTG12N60C3D | 12/1.85 | ТО-247 | диод, КЗ уст | HGTG12N60C3 — IGBT транзистор с диодом, параметры | ||
| SKP15N60 | IRFP360 IRFP22N60 | 15/2.30 | ТО-220 | UFAST,диод,КЗ уст | SKP15N60 — ультрабыстрый IGBT транзистор с диодом в корпусе TO-220, характеристики и близкие MOSFET аналоги | |
| IRG4BC30K-S IRG4BC30K | | 16/2.36 | D2Pak TO-220 | FAST,КЗ уст | IRG4BC30K-S и IRG4BC30K — IGBT транзисторы, оптимизированные под управление электродвигателями | |
| IRG4BC30KD-S IRG4BC30KD IRG4PC30KD | IRFP27N60 | | 16/2.36 | D2Pak TO-220 TO-247 | FAST,диод,КЗ уст | ультрабыстрые IGBT транзисторы IRG4BC30KD-S, IRG4BC30KD, IRG4PC30KD, справочные данные, MOSFET транзистор IRFP27N60 |
| IRG4BC30FD-S IRG4PC30FD | | 17/1.70 | D2Pak TO-247 | + диод | IGBT транзисторы IRG4BC30FD и IRG4PC30FD с низким падением напряжения, справочные данные | |
| IRG4BC30F | 17/1.70 | ТО-220 | IGBT транзистор IRG4BC30F с низки падением напряжения | |||
| IRG4PC30S | 18/1.45 | ТО-247 | IGBT транзистор IRG4PC30S с низким падением напряжения | |||
| IRGS8B60K | 19/2.70 | D2pak | КЗ уст | IGBT транзистор IRGS8B60K, справочные данные | ||
| IRG4BC40U IRG4PC40U | IRFP27N60 | | 20/1.70 | ТО-220 TO-247 | UFAST | характеристики IGBT транзисторов IRG4BC40U и IRG4PC40U, MOSFET транзистор IRFP27N60 с аналогичными параметрами |
| IRG4PC40UD | IRFP31N50 IRFP27N60 | 20/1.70 | ТО-247 | UFAST, диод | IGBT и MOSFET транзисторы, близкие по характеристикам | |
| IRG4BC40W IRG4PC40W | | 20/1.90 | ТО-220 TO-247 | UFAST | IGBT транзисторы для PFC IRG4BC40W и IRG4PC40W | |
| HGTG20N60B3 | 20/2.10 | ТО-247 | FAST, КЗ уст | ультрабыстрый IGBT транзистор HGTG20N60B3, характеристики | ||
| HGTG20N60B3D | 20/2.10 | ТО-247 | FAST,диод,КЗ уст | IGBT с антипараллельным диодом HGTG20N60B3D, справочные данные | ||
| IRGB20B60PD1 IRGB20B60PD | | 22/3.30 | ТО-20 TO-247 | UFAST, диод | ультрабыстрый IGBT транзистор IRGB20B60PD с диодом | |
| IRGP4062D | IRFPS40N60 | 24/2.03 | ТО247 | UFAST,диод,КЗ уст | ультрабыстрый IGBT и MOSFET транзисторы IRGB20B60PD и IRFPS40N60, характеристики | |
| IRG4PC40K | 25/2.14 | ТО-247 | FAST, КЗ уст | быстрый IGBT транзистор IRG4PC40K на ток до 25А | ||
| IRG4PC40KD | 25/2.14 | ТО-27 | FAST, диод, КЗ уст | IGBT с диодом IRG4PC40KD | ||
| IRG4BC40F IRG4PC40F | | 27/1.6 | ТО-220 TO-247 | IGBT с низким падением напряжения IRG4PC40F, среднечастотного диапазона | ||
| IRG4PC40FD | 27/.56 | ТО-247 | +диод | |||
| IRG4PC50UD | IRFPS40N50 | 27/1.60 | ТО-247 | UFAST, диод | ультрабыстрый IGBT транзистор с диодом IRG4PC50UD, справочные данные | |
| IRG4PC50W | 27/1.71 | ТО-247 | UFAST | IGBT и MOSFET транзисторы IRG4PC50W и IRFPS40N50, справочные данные | ||
| SGP30N60 | 30/2.50 | ТO-220 | FAST, КЗ уст | IGBT транзистор SGP30N60, устойчивый к короткому замыканию | ||
| SGW30N60 | 30/2.50 | ТО-247 | FAST, КЗ уст | IGBT транзистор SGW30N60, характеристики и параметры | ||
| IRG4PC50K | 30/1.84 | ТО-247 | FAST, КЗ уст. | igbt IRG4PC50K на ток до 30А | ||
| IRG4PC50KD | 30/1.84 | ТО-247 | FAST,диод,КЗ уст. | igbt транзистор IRG4PC50KD с диодом, на ток до 30А | ||
| IRGP35B60PD | 34/3.00 | ТО-247 | UFAST, диод | ультрабыстрый igbt с диодом IRGP35B60PD, характеристики | ||
| IRG4PC50F | 39/1.53 | ТО-247 | мощный медленный, но зато с низким падением напряжения igbt IRG4PC50F | |||
| IRG4PC50FD | 39/1.53 | ТО-247 | +диод | мощный igbt транзистор с диодом IRG4PC50FD | ||
| HGTG40N60B3 | IPW60R045 | 40/1.50 | ТО-247 | FAST, КЗ уст | Ультрабыстрые IGBT транзисторы HGTG40N60B3, справочные данные | |
| IRG4PC50S | 41/1.28 | ТО-247 | мощные IGBT транзисторы IRG4PC50S, параметры | |||
| IRGP50B60PD1 | 45/3.10 | ТО-247 | UFAST,диод | мощный ультрабыстрый IGBT транзистор с диодом IRGP50B60PD, характеристики | ||
| IRGP4063D | 48/2.05 | ТО-247 | UFAST,диод,КЗ уст | мощный IGBT IRGP4063D — транзистор, устойчивый к короткому замыканию | ||
| IRGP4068D | 48/2.05 | ТО-247 | UFAST,диод,КЗ уст | мощный IGBT транзистор, устойчивый к короткому замыканию IRGP4068D | ||
| IRGS30B60K IRGB30B60K | 50/2.60 | D2pak ТО-220 | КЗ уст. | мощные IGBT транзисторы IRGS30B60K и IRGB30B60K | ||
| SGW50N60 | 50/3.15 | ТО-247 | FAST, КЗ уст | мощный быстрый IGBT транзистор SGW50N60, устойчивый к короткому замыканию | ||
| IRG4PSC71K | 60/1.81 | S-247 | FAST,КЗ уст | мощный быстрый IGBT транзистор IRG4PSC71K, устойчивый к короткому замыканию | ||
| IRG4PSC71KD | 60/1.81 | S-247 | FAST,диод,КЗ уст | мощный быстрый IGBT транзистор IRG4PSC71KD, с диодом, устойчивый к короткому замыканию | ||
| IRG4PSC71U | 60/1.71 | S-247 | UFAST | мощный ультрабыстрый IGBT транзистор IRG4PSC71U | ||
| IRG4PSC71UD | IRFP4668 | 60/1.71 | S-247 | UFAST, диод | мощный ультрабыстрый IGBT транзистор с диодом IRG4PSC71UD и MOSFET транзистор IRFP4668 | |
| IXGH60N60C2 | 60/1.80 | TO-247 | UFAST | мощный ультрабыстрый IGBT транзистор IXGH60N60C2 и близкий по току MOSFET | ||
2. IGBT транзисторы на напряжение до 1200В | ||||||
| SGP02N120 | 2.8/3.70 | ТО-220 | FAST, КЗ уст | igbt 1200v, 2.8A | ||
| IRG4Ph30K | IRFPG50 | 5.0/2.84 | О-247 | КЗ уст | igbt на ток до 5А | |
| IRG4Bh30K-S | 5.0/2.84 | 2Pak | КЗ уст | igbt на напряжение до 1200В | ||
| SGP07N120 | 8.0/3.70 | ТО-220 | FAST, КЗ уст | ультрабыстрый igbt, напряжение до 1200В | ||
| IRG4Ph40K | 10/3.01 | ТО-247 | FAST, КЗ уст | ультрабыстрый igbt транзистор, напряжение до 1200В | ||
| IRG4Ph40KD | 10/3.01 | ТО-247 | FAST, диод,КЗ уст | ультрабыстрый igbt с диодом, ток до 10А | ||
| IRG4Ph50KD | 15/2.53 | ТО-247 | FAST, диод,КЗ уст | igbt с диодом, ток до 15А | ||
| BUP203 | 15/4.00 | ТО-220 | FAST, 1000В | IGBT транзистор BUP203, характеристики | ||
| SKW15N120 | 15/3.70 | ТО-247 | FAST,диод,КЗ уст | igbt с диодом, ток до 10А | ||
| IRG7Ph40K10D | 16/2.60 | ТО-247 | FAST,диод,КЗ уст. | ультрабыстрый IGBT транзистор IRG7Ph40K10D, справочные данные | ||
| BUP314S | 17/4.60 | ТО-21 | FAST | igbt, ток до 17А | ||
| IRGPh50F | 17/3.00 | ТО247 | транзистор igbt, напряжение до 1200В | |||
| BUP213 | 20/3.60 | ТО-220 | FAST | транзистор igbt, ток до 20А | ||
| IRGP20B120U-E | 20/3.89 | ТО-247 | UFAST, КЗ ст. | транзистор igbt, напряжение до 1200В | ||
| IRGP20B120UD-E | 20/3.89 | ТО-247 | UFAST,диод,КЗ ут. | транзистор igbt, ток до 20А | ||
| IRG4Ph50U | 21/2.47 | ТО-247 | UFAST | транзистор igbt, ток до 21А | ||
| IRG4Ph50UD | 21/2.47 | ТО-247 | UFAST, диод | высоковольтный транзистор igbt, ток до 21А | ||
| IRG7Ph40K10 | IPW90R120 | 23/4.00 | ТО-247 | КЗ уст. | IGBT транзистор IRG7Ph40K10, подробные характеристики | |
| IRG4PH50KD | 24/2.54 | ТО-247 | FAST, диод,КЗ ус | |||
| IRG4PH50U | 24/2.54 | ТО-247 | UFAST | |||
| IRG4PH50UD | 24/2.54 | ТО-247 | UFAST, диод | |||
| SGW25N120 | 25/3.70 | ТО-247 | FAST, КЗ уст | |||
| SKW25N120 | 25/3.70 | ТО-247 | FAST,диод,КЗ уст | |||
| IRG4PF50W | 28/2.12 | ТО-247 | UFAST, 900В | |||
| IRG4PF50WD | 28/2.12 | ТО-247 | UFAST, диод, 900В | |||
| IRGP30B120KD | 30/2.98 | ТО-247 | FAST,диод,КЗ уст. | |||
| BUP314 | 33/3.80 | ТО-218 | FAST | |||
| BUP314D | 33/3.80 | ТО-218 | UFAST, диод | IGBT транзистор с диодом BUP314D , справочные данные | ||
| HGTG27N120B | 34/3.90 | ТО-247 | FAST, КЗ уст | |||
| IRGPS40B120U | 40/3.88 | S-247 | UFAST, КЗ уст | мощный ультрабыстрый высоковольтный IGBT IRGPS40B120U | ||
| IRG4PSH71K | 42/2.60 | S-247 | FAST, КЗ уст | мощный быстрый высоковольтный IGBT транзистор IRG4PSH71K | ||
| IRG4PSH71KD | 42/2.60 | S-247 | FAST,диод,КЗ уст | мощный быстрый высоковольтный IGBT транзистор с диодом IRG4PSH71KD | ||
| IRG4PSH71U | 50/2.40 | S-247 | UFAST | мощный ультрабыстрый высоковольтный IGBT транзистор IRG4PSH71U | ||
| IRG4PSH71UD | 50/2.25 | S-247 | UFAST, диод | |||
| IRG7Ph52U | 60/3.10 | ТО-247 | UFAST | мощный ультрабыстрый высоковольтный IGBT транзистор IRG7Ph52U, характеристики | ||
| IRGPS60B120KD | 60/3.04 | S-247 | FAST,диод, КЗ уст | мощный IGBT транзистор с диодом IRGPS60B120KD | ||
| IRG7PSH73K10 | 75/2.60 | S-247 | FAST,КЗ уст | мощный устойчивый к короткому замыканию IGBT транзистор IRG7PSH73K10 | ||
| На главную | ||||||
Мощные полевые и биполярные транзисторы PHILIPS для импульсных источников питания
В ассортименте фирмы PHILIPS имеется целая гамма высоковольтных транзисторов, предназначенных для использования в импульсных силовых цепях питания телевизоров, видеомагнитовонов, мониторов и другой бытовой аппаратуры. Все они обычно выполнены либо по биполярной технологии, либо по технологии MOSFET — полевой МОП-транзистор с изолированным затвором.
Эти транзисторы в большинстве своем служат в устройствах формирования рабочих напряжений, в том числе для питания оконечных каскадов усилителей мощности звукового сигнала.
Наиболее экономично высоковольтные транзисторы работают в двухтактном преобразователе с прерывающимся тюком дросселя.
Максимальное значение напряжения на коллекторе транзистора в таком преобразователе равно сумме подводимого выпрямленного напряжения питающей сети и напряжения пикового броска. Амплитуда напряженияэтого броска зависит от начальной индуктивности трансформатора преобразователя и от емкости сглаживающего пульсации конденсатора, подключенного в цепи коллектора транзистора. Для используемого напряжения электросети устанавливается минимально необходимое напряжение коллектор-эмиттер, которое только может выдержать транзистор. При увеличении индуктивности трансформатора или при уменьшении емкости конденсатора надежность транзистора по мощности и частоте повышается.
Мощные полевые МОП-транзисторы с изолированным затвором для блоков питания
Сетевое напряжение 110/220 Вольт требует применения транзисторов с рабочим напряжением не менее 400 Вольт. Таким напряжением обладают мощные транзисторы серии Power MOSFET. При сетевом напряжении 220/240 Вольт рабочее напряжение транзистора должно быть не менее 800 Вольт и только в особых случаях (при ограничении напряжения на коллекторе) допускается применение транзистора той же серии с напряжением около 600 Вольт. Основные параметры указанных транзисторов даны в таблице ниже:
| Транзистор | Максимальное напряжение сток-исток, В | Максимальное сопротивление между стоком и истоком открытого транзистора, Ом | Ток стока, А |
| BUK454-400B | 400 | 1,8 | 1,5 |
| BUK455-400B | 400 | 1,0 | 2,5 |
| BUK437-400B | 400 | 0,5 | 6,5 |
| BUK454-800A | 800 | 6,0 | 1,0 |
| BUK456-800A | 800 | 3,0 | 1,5 |
| BUK456-800B | 800 | 2,0 | 4,0 |
| BUK438-800A | 800 | 1,5 | 4,0 |
Биполярные транзисторы для импульсных блоков питания
При напряжении питающей сети 220/240 Вольт в двухтактных преобразователях рекомендуют использовать транзистор, рассчитанный на напряжение 1000 В. Транзисторы, основные характеристики которых приведены в таблице 2, предназначены именно для этих целей. Если начальная индуктивность трансформатора велика и напряжение может превышать 1000 Вольт, лучше использовать транзисторы BU603 и BU903 с напряжением 1350 Вольт.
Таблица 2
| Транзистор | Максимальное напряжение коллектора, когда потенциал базы ниже или равен потенциалу эмиттера, В | Максимальное напряжение коллектора, когда потенциал базы выше потенциала эмиттера, В | Ток коллектора, А | Минимальный коэффициент усиления потоку | Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при насыщении транзистора, В |
| BUX85 | 1000 | 450 | 1 | 5 | 1,0 |
| BUT11A | 1000 | 450 | 2,5 | 5 | 1,5 |
| BUT18A | 1000 | 450 | 4 | 5 | 1,5 |
| BUT12A | 1000 | 450 | 5 | 5 | 1,5 |
| BUW13A | 1000 | 450 | 8 | 5 | 1,5 |
| BU603 | 1350 | 550 | 2 | 6 | 2,0 |
| BU903 | 1350 | 550 | 3,2 | 6 | 2,0 |
Критерии выбора транзистора для блока питания
Главным критерием выбора служат максимальные значения токов и напряжений, допустимые для выбранного транзистора. При выборе типа транзистора (MOSFET или биполярный) следует руководствоваться простотой его управления, стоимостью и требованием минимальной энергии при работе в наиболее сложных схемах. Следует также обращать внимание и на возможность переключения с малыми потерями на частотах ниже 50 кГц.
Играют роль также размеры прибора. Так, в устройствах питания от сети 110/120В наибольшее распространение получили транзисторы типа MOSFET с напряжением 400 В, в устройствах с напряжением питания 220/240 В преобладают биполярные транзисторы, хотя и здесь транзисторы MOSFET, рассчитанные на напряжение 800 Вольт, не менее популярны.
С помощью данных таблицы 3 можно выбрать транзистор для двухтактного преобразователя источника питания с учетом указанных выше критериев:
Таблица 3
| Мощность, Вт | 110/120 | 220/240 |
| 50 | BUK454-400B | BUK454-800B; BUX85 |
| 100 | BUK455-400B | BUK456-800A; BUT11A/BU603 |
| 120 | BUK437-400B | BUK438-800B; BUT11A |
| 150 | BUK437-400B | BUK438-800B; BUT18A/BU903 |
| 200 | BUK437-400B | BUK438-800B; BUT12A/BUW13A |
Корпуса и цоколевка мощных транзисторов Philips для блоков питания
Тиристоры, симисторы, динисторы Philips основные характеристики и типы корпусов
Полный datasheet симистора BT134 с возможностью скачать бесплатно даташит в pdf формате или смотреть в онлайн справочнике по электронным компонентам на Времонт.su
Мощные СВЧ-транзисторы Philips Semiconductors
Мощные СВЧ-транзисторы Philips Semiconductors
СВЧ-транзисторы применяются во многих областях человеческой деятельности: телевизионные и радиовещательные передатчики, ретрансляторы, радары гражданского и военного назначения, базовые станции сотовой системы связи, авионика и т. д.
В последние годы заметна тенденция перехода с биполярной технологии производства СВЧ-транзисторов на технологии VDMOS (Vertical Diffusion Metal Oxide Semiconductors) и LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors). Самая передовая технология LDMOS обладает наилучшими характеристиками, такими, как линейность, усиление, тепловые режимы, устойчивость к рассогласованию, высокий КПД, запас по рассеиваемой мощности, надежность. Производимые Philips транзисторы имеют исключительно высокую повторяемость характеристик от партии к партии, и компания Philips этим гордится. При замене вышедших из строя транзисторов можно не беспокоиться о процессе настройки оборудования заново, так как все параметры транзисторов абсолютно идентичны. Этим не может похвастаться ни один из конкурентов Philips.
Все новые разработки Philips базируются на новой современной LDMOS-технологии.
Транзисторы для базовых станций сотовой связи
Кроме транзисторов упакованных в корпуса, Philips выпускает интегрированные модули.
| Тип | Pвых, Вт | Корпус |
|---|---|---|
| BLF1043 | 10 | SOT538 |
| BLF1046 | 45 | SOT467 |
| BLF1049 | 125 | SOT502A |
| BLF0810-90 | 16 | SOT502A |
| BLF0810-180 | 32 | SOT502A |
| BLF900-110 | 25 | SOT502A |
| Тип | Pвых, Вт | Корпус |
|---|---|---|
| BLF2043 | 10 | SOT538 |
| BLF1822-10 | 10 | SOT467C |
| BLF1822-30 | 30 | SOT467C |
| BLF1820-70 | 65 | SOT502A |
| BLF1820-90 | 90 | SOT502A |
| Тип | PсрWCDMA,Вт | Корпус |
|---|---|---|
| BLF1822-10 | 1 | SOT467C |
| BLF1822-30 | 4 | SOT467C |
| BLF202230 | 4 | SOT608A |
| BLF2022-70 | 7,5 | SOT502A |
| BLF2022-120 | 20 | SOT539A |
| BLF2022-125 | 20 | SOT634A |
| BLF2022-150 | 25 | SOT634A |
| BLF2022-180 | 35 | SOT539A |
| Тип | Pвых, Вт | Технология | Частота | Область применения |
|---|---|---|---|---|
| BGY916 | 19 | BIPOLAR | 900 МГц | GSM |
| BGY916/5 | 19 | BIPOLAR | 900 МГц | GSM |
| BGY925 | 23 | BIPOLAR | 900 МГц | GSM |
| BGY925/5 | 23 | BIPOLAR | 900 МГц | GSM |
| BGY2016 | 19 | BIPOLAR | 1800-2000 МГц | GSM |
| BGF802-20 | 4 | LDMOS | 900-900 МГц | CDMA |
| BGF 844 | 20 | LDMOS | 800-900 МГц | GSM/EDGE (USA) |
| BGF944 | 20 | LDMOS | 900-1000 МГц | GSM/EDGE (EUROPE) |
| BGF1801-10 | 10 | LDMOS | 1800-1900 МГц | GSM/EDGE (EUROPE) |
| BGF1901-10 | 10 | LDMOS | 1900-2000 МГц | GSM/EDGE (USA) |
Отличительные особенности интегрированных модулей:
- LDMOS-технология (пайка прямо на радиатор, линейность, большее усиление), o пониженное искажение,
- меньший нагрев полупроводника за счет использования медного фланца, o интегрированная компенсация температурного смещения,
- 50-омные входы/выходы,
- линейное усиление,
- поддержка многих стандартов (EDGE, CDMA).
Рекомендуемые решения для стандарта GSM: на 800 МГц: BGF844 + BLF1049 на 900 МГц: BGF944 + BLF1049 на 1800 МГц: BGF1801-10 + BLF1820-10 на 1900 МГц: BGF1901-10 + BLF1820-10
Рекомендуемые решения для стандарта CDMA: на 800 МГц: BGF802-20 + BLF0810-180 на 1900 МГц: BGF1901-10 + BLF1820-90
Рекомендуемые решения для стандарта EDGE:
BGF0810-90
- выходная мощность: 40 Вт,
- усиление: 16 дБ,
- КПД: 37%,
- ослабление мощности по соседнему каналу ACPR: -60 дБ,
- амплитуда вектора ошибок EVM: 2%.
BLF1820-90
- выходная мощность: 40 Вт,
- усиление: 12 дБ,
- КПД: 32%,
- ослабление мощности по соседнему каналу ACPR: -60 дБ,
- амплитуда вектора ошибок EVM: 2%.
Транзисторы для вещательных станций
На протяжении последних 25 лет компания Philips сохраняет лидерство в данной области. Использование последних достижений в технологии LDMOS (серии BLF1xx, BLF2xx, BLF3xx, BLF4xx, BLF5xx,) позволяет постоянно укреплять позиции на рынке. В качестве примера можно привести огромный успех транзистора BLF861 для ТВ-передатчиков. В отличие от транзисторов конкурентов, BLF861 зарекомендовал себя высоконадежным и высокостабильным элементом, защищенным от выхода из строя при отключении антенны. Никто из конкурентов не смог приблизиться к характеристикам BLF861 по стабильности работы. Можно назвать основные сферы применения таких транзисторов: передатчики на частоты от HF до 800 МГц, частные радиостанции PMR (TETRA), передатчики VHF гражданского и военного назначения.
| Тип | F, ГГц | Vcc,B | Tp, мкс | Коэфф. заполнения, % | Мощность, Вт | КПД,% | Усиление, дБ | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| L-полоса | RZ1214B35Y | 1,2-1,4 | 50 | 150 | 5 | >35 | >30 | >7 |
| RZ1214B65Y | 1,2-1,4 | 50 | 150 | 5 | >70 | >35 | >7 | |
| RX1214B130Y | 1,2-1,4 | 50 | 150 | 5 | >130 | >35 | >7 | |
| RX1214B170W | 1,2-1,4 | 42 | 500 | 10 | >170 | >40 | >6 | |
| RX1214B300Y | 1,2-1,4 | 50 | 150 | 5 | >250 | >35 | >7 | |
| RX1214B350Y | 1,2-1,4 | 50 | 130 | 6 | >280 | >40 | >7 | |
| Bill 21435 | 1,2-1,4 | 36 | 100 | 10 | >35 | 45 | >13 | |
| BLL1214-250 | 1,2-1,4 | 36 | 100 | 10 | >250 | 45 | >13 | |
| S-полоса | BLS2731-10 | 2,7-3,1 | 40 | 100 | 10 | >10 | 45 | 9 |
| BLS2731-20 | 2,7-3,1 | 40 | 100 | 10 | >20 | 40 | 8 | |
| BLS2731-50 | 2,7-3,1 | 40 | 100 | 10 | >50 | 40 | 9 | |
| BLS2731-110 | 2,7-3,1 | 40 | 100 | 10 | >110 | 40 | 7,5 | |
| Верхняя S-полоса | BLS3135-10 | 3,1-3,5 | 40 | 100 | 10 | >10 | 40 | 9 |
| BLS3135-20 | 3,1-3,5 | 40 | 100 | 10 | >20 | 40 | 8 | |
| BLS3135-50 | 3,1-3,5 | 40 | 100 | 10 | >50 | 40 | 8 | |
| BLS3135-65 | 3,1-3,5 | 40 | 100 | 10 | >65 | 40 | >7 |
| Тип | F,ГГц | Vcc,B | Tp, мкс | Коэфф. заполнения, % | Мощность, Вт | КПД,% | Усиление, дБ | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BIPOLAR | MZ0912B50Y | 0,96-1,215 | 50 | 10 | 10 | >50 | >42 | >7 |
| MX0912B100Y | 0,96-1,215 | 50 | 10 | 10 | >100 | >42 | >7 | |
| MX0912B251Y | 0,96-1,215 | 50 | 10 | 10 | >235 | >42 | >7 | |
| MX0912B351Y | 0,96-1,215 | 42 | 10 | 10 | >325 | >40 | >7 | |
| LDMOS | Vds | |||||||
| BLA1011-200 | 1,03-1,09 | 36 | 50 | 1 | >200 | 50 | 15 | |
| BLA1011-10 | 1,03-1,09 | 36 | 50 | 1 | >10 | 40 | 16 | |
| BLA1011-2 | 1,03-1,09 | 36 | 50 | 1 | >2 | — | 18 |
Основные характеристики транзистора BLF861A
- Push-pull-транзистор (двухтактный усилитель),
- выходная мощность более 150 Вт,
- усиление более 13 дБ,
- КПД более 50%,
- закрывает полосу от 470 до 860 МГц (полосы IV и V),
- надежный, устойчивый к рассогласованию,
- устойчив к отключению антенны,
- является индустриальным стандартом в ТВ-передатчиках на сегодняшний день.
Новая модель транзистора BLF647
- разработан на основе BLF861A,
- большой коэффициент усиления 16 дБ на 600 МГц,
- выходная мощность до 150 Вт,
- закрывает полосу от 1,5 до 800 МГц,
- надежный, устойчивый к рассогласованию,
- устойчив к отключению антенны,
- имеет встроенный резистор, позволяющий работать на частотах HF и VHF,
- Push-pull-транзистор (двухтактный усилитель).
Транзистор BLF872
- разрабатывается как более мощная замена BLF861A,
- начало производства 1 квартал 2004 года,
- выходная мощность до 250 Вт,
- самый надежный транзистор по устойчивости к рассогласованию,
- сохраняет линейность,
- сохраняет надежность,
- смещение тока Idq менее 10% на 20 лет,
- коэффициент усиления более 14 дБ,
- закрывает полосу от 470 до 860 МГц.
Транзисторы для радаров и авионики
Новые транзисторы Philips для радаров и авионики также производятся по современной LDMOS-технологии. Кристаллы, выполненные по технологии LDMOS, меньше нагреваются, являются более надежными, имеют большее усиление, не требуют изолятора между подложкой и радиатором. Соответственно, для достижения тех же характеристик требуется меньшее число транзисторов, что дополнительно повышает надежность и снижает стоимость изделия.
Новые разработки:
BLA0912-250
- полоса от 960 до 1250 МГц (все главные частоты авионики),
- высокое усиление до 13 дБ,
- надежность, устойчивость к рассогласованию фаз 5:1,
- линейность,
- образцы будут доступны с июня 2003 года.
BLS2934-100
- полоса от 2,9 до 3,4 ГГц (все главные частоты авионики),
- использование стандартного негерметичного корпуса,
- образцы будут доступны к концу 2003 года.
Подводя итоги, можно с уверенностью сказать, что компания Philips идет в ногу со временем и предлагает транзисторы, позволяющие создавать новые устройства, которые обладают более совершенными характеристиками: меньший размер, большая выходная мощность, меньшее число компонентов обвязки и меньшая цена конечного изделия.
Автор: Владимир Захаров,
Email: [email protected]
2.3 Мощные биполярные транзисторы
Главными характеристиками мощного транзистора являются напряжение, ток и преобразуемая мощность. Структура транзисторов должна позволять рассеивать большую мощность без каких-либо изменений. И, естественно, что она отличается от обычных малосигнальных транзисторных структур, так как должна пропускать большой коллекторный ток и выдерживать на коллекторе большое напряжение.
2.3.1. Структуры мощных транзисторов
Одна из немногих структур биполярного транзистора, реализующая бездрейфовый тип транзистора, это транзистор с одноразовой диффузией, в котором n+— эмиттер и n+— коллектор получены одновременной диффузией в однородно легированный p— кремний (рисунок 2.13).
При выборе концентрации примеси в базе и ее толщины в этом транзисторе приходится идти на компромиссы: относительно высокая концентрация примеси позволяет уменьшить толщину базы, так как затруднит эффект смыкания эмиттерного и коллекторного p—n переходов, но не позволит получить большую величину коэффициента инжекции эмиттера, а, следовательно, и коэффициента усиления. Кроме того, в этом случае транзистор будет иметь небольшую величину напряжения лавинного пробоя из-за малой толщины коллекторного p—n перехода. С другой стороны, уменьшение концентрации примеси в базе может привести к падению напряжения смыкания, что заставит увеличить её толщину со всеми вытекающими из этого нежелательными последствиями.
Улучшенный тип
конструкции представлен на рисунок.
2.14. Введение в коллекторную область
высокоомного слоя n— (или 
)
позволит не бояться эффекта смыкания
эмиттерного и коллекторного перехода,
так как при ОПЗ коллекторного перехода
при увеличении напряжения на коллекторе
в основном будет распространяться в
низколегированнуюn –область. Из-за наличия n –области также увеличивается ширина
коллекторного напряжения и, как следствие
растет величина напряжения лавинного
пробоя.
Введение в коллектор n— слоя между областями n— и n+ (рисунок 2.15) позволит уменьшить вероятность вторичного пробоя в случае, когда из-за эффекта Кирка квазинейтральная базовая область проникает далеко в n— — слой коллектора.
Рисунок 2.13 — Структура n+—p—n+(a), профиль Рисунок 2.14 — Структурыn+—p—n——n+(a) и
легирования (б) в мощном транзисторе профиль легирования (б_ в мощном
с одноразовой диффузией (N– концен- транзисторе с высоким сопротивлением
трация примеси; l – расстояние от поверх-n— -коллекторной области (N– концен-
ности эмиттера трация примеси; l – расстояние от
поверхности эмиттера)
Рисунок 2.15 — Структура n+—p—n——n—n+(a) и профиль легирования в мощном транзисторе
с буферной зоной n—типа в коллекторе (N– концентрация примеси,
l– расстояние от поверхности эмиттера
2.3.2. Влияние высокого уровня легирования на коэффициент усиления по току
Повышение степени легирования эмиттера приводит к уменьшению ширины запрещенной зоны, увеличению собственной концентрации свободных носителей заряда в эмиттере, понижению времени жизни и, как следствие, к снижению величины коэффициента инжекции эмиттера, а, следовательно, и коэффициента усиления по току.
Плотность тока неосновных носителей Jp в эмиттере n—p—n транзисторе
(2.12)
где поле
(2.13)
где N(x) – концентрация примеси в эмиттере, зависящая от координаты
— соотношение
Эйнштейна.
Из выражений (2.12) и (2.13) с учетом соотношения Эйнштейна получим
(2.14)
Известно (2.1.3), что при высокой степени легирования эмиттера эффективная собственная концентрация носителей niэф связана с собственной концентрацией ni соотношением
Увеличение собственной концентрации собственных свободных носителей заряда является причиной появления дополнительного электрического поля в диффузионном эмиттере [2]
(2.15)
Это поле направлено против поля, обусловленного градиентом концентрации примеси в эмиттере. В итоге суммарное электрическое поле
(2.16)
Выражение для
тока неосновных носителей 
(2.17)
Судя по выражениям (2.16) и (2.17), изменение величины поля в эмиттере приводит к ослаблению противодействующего электрического поля и способствует достижению неосновными носителями эмиттерного контакта.
Известно [1], что коэффициент передачи тока
где 
(2.18)
где GNБ, GNэ – числа
Гуммеля в базе и эмиттере, соответственно, 
– усредненные величины коэффициентов
диффузии дырок в эмиттере и электронов
в базе, соответственно
или 
где 
– концентрация доноров в эмиттере,
зависящая от координаты.
С учетом эффектов высокого уровня легирования число Гуммеля в эмиттере получим
–профиль
эффективного легирования эмиттера.
Из рисунка 2.16 видно, что эффективная концентрация примеси в эмиттере представляет собой величину на несколько порядков меньшую, чем заложенная технологией (действительная) степень легирования.
Рисунок 2.16 — Профили действительного (1) и эффективного (2) легирования (x– глубина эмиттера)
При больших концентрациях носителей заряда уменьшается время их жизни и, как следствие, уменьшается диффузионная длина неосновных носителей (дырок) в эмиттере, что приводит к снижению эффективности эмиттера [1]. При низких концентрациях носителей время жизни Lo определяется рекомбинацией Шокли-Рида-Хода (ШРХ). При концентрациях выше 1017см-3. Время жизни при Оже-рекомбинации уменьшается как квадрат концентрации неосновных носителей. Следовательно, при какой-то определенной величине концентрации носителей время жизни, определяемая ШРХ-рекомбинацией, будет равно при какой-то определенной точки Хо времени жизни зависящей от Оже-рекомбинации
Эмиттерная область, таким образом, будет разделена на две части: в области высоких концентраций I (ближе к поверхности) будет преобладать Оже-рекомбинация, а в области более низких значений концентраций II ШРХ-рекомбинация (рисунок 2.17)
Рисунок 2.17 — Действительный (кривая 1) и эффективный (2) графики [2],
в области Iпревалирует рекомбинация Оже, а в областиII– рекомбинация
Шокли-Рида-Холла, заштрихованная область – активная область эмиттера
Вследствие Оже-рекомбинации только часть эффективного профиля (заштрихованная область рисунок. 2.17) является активным эмиттером. Оже-рекомбинацией можно пренебречь только при Lp >> Xo. Однако, анализ литературы, приведенный в [2], показывает, что Оже-рекомбинация сама по себе не может предсказать реальные измерения значения коэффициента инжекции эмиттера.
Действительный и эффективный профили легирования двумерной модели транзистора, представленной на рисунке 2.19, резко отличаются между собой.
Электроны, инжектированные в сильнолегированную базу на периферии эмиттера, смогут достичь базового контакта вследствие преобладающего влияния на встроенное электрическое поле эффектов сильного легирования (отклонение niэф/ni резко возрастает). Дырки, инжектированные в эмиттер в любой точке его периферийной области, также из-за появления дополнительного электрического поля могут достаточно легко достигать эмиттерного металлического контакта. Поскольку время жизни, определяемое ШРХ-рекомбинацией, уменьшается с увеличением niэф по квадратичному закону, то токи утечки по периферии, где компенсация примеси наибольшая, существенно возрастут.
Эффективность
инжекции через величину коэффициента
усиления по току 
можно выразить как
, (2.19)
где 
— отношение полного коллекторного тока
к току дырок, инжектированных в центральную
область эмиттера;
— отношение тока коллектора к току
Рисунок 2.18 — Двумерная модель n-p-nтранзистора: 1 – базовый контакт; 2 – эмиттерный контакт; 3 – коллекторный контакт; сплошная линия — граница эмиттера; штриховая линия – электроны; штрихпунктирная линия – дырки
дырок, инжектированных
вдоль его периферии; 
— отношение коллекторного тока к
электронному току, текущему из эмиттера
в базовый контакт.
Анализ, проведенный в [2], показал, что в настоящее время не существует единого мнения относительно значимости влияния на величину коэффициента усиления по току транзистора рассмотренных в этом параграфе эффектов.
На эффективность эмиттера, в первую очередь, влияет сужение ширины запрещенной зоны, а именно, эффективная собственная концентрация niэф. Одним из наиважнейших механизмов, ограничивающих коэффициент инжекции эмиттера, является инжекция дырок в эмиттерную область в периферийной части эмиттера; эффективным стоком для этих дырок является эмиттерный контакт, а не рекомбинация в эмиттерном слое. При высоком уровне инжекции этот механизм, в основном, ответственный за падение тока. При малом уровне инжекции очень большую роль может играть рекомбинация в эмиттере вблизи поверхности полупроводника.
Оже-рекомбинация оказывает заметное влияние на коэффициент усиления по току в транзисторах с глубокими эмиттерами (xjэ 4 мкм).
Рисунок 2.19 — Действительный (кривая 1), эффективный (кривая 2) профили легирования в центральной части прибора (xjэ— глубины эмиттерного перехода)
