Site Loader

Содержание

Мощные биполярные транзисторы для импульсных источников питания, TV-приемников и мониторов. Справочник

Мощные биполярные транзисторы для импульсных источников питания, TV-приемников и мониторов — В справочнике приведены электрические характеристики мощных биполярных транзисторов, имеющих высокую скорость переключения. Данные приборы применяются в импульсных источниках питания различного назначения, в промышленном оборудовании, в бытовой и профессиональной видео- и аудиотехнике. В книге представлены изделия следующих ведущих производителей полупроводниковых приборов: FAIRCHILD, HITACHI, MOTOROLA (ON SEMICONDUCTOR), PANASONIC, PHILIPS, SANKEN, SAMSUNG, SANYO, SHINDENGEN, ST-MICROELECTRONICS, TOSHIBA и ZETEX. Таблица аналогов полупроводниковых приборов составлена на основании руководства Master Replacement Guide. Справочник рассчитан на специалистов, занимающихся обслуживанием и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры, а также на радиолюбителей.

Название: Мощные биполярные транзисторы для импульсных источников питания, TV-приемников и мониторов. Справочник
Автор: Авраменко Ю. Ф.
Издательство:

Додэка-ХХI, МК-Пресс
Год: 2006
Страниц: 538
Формат: DJVU
Размер: 87,1 МБ
ISBN: 5-94120-126-5, 966-8806-17-4
Качество: Отличное
Серия или Выпуск: Элементная база
Язык: Русский

Содержание:

Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD
FJA13009; FJAF6806D; FJAF6808D; FJAF6810; FJAF6810D; FJAF6812; FJAF6815; FJAF6820; FJAF6910; FJAF6916; FJAF6920; FJD5304D; FJE3303; FJE5304D; FJL6820; FJL6825; FJL6920; FJN13003; FJP3305; FJP5021; FJP5304D; FJP5321; FJP5355; FJP5554; FJP5555; FJPF13007; FJPF13009; FJPF3305; FJPF5021; FJPF5027; FJPF5321; FJPF5555; FJPF6806D; KSA1156; KSC2233; KSC2333; ICSC2335; KSC2518; KSC2751; KSC2752; KSC3552; KSC5026M; KSC5027; KSC5039F; KSC5042F; KSC5042M; KSC5338D; KSC5338DW; KSC5367F; KSC5386; KSC5504D; KSC5504DT; KSC5801; KSC5802; KSC5803; KSD362; KSD363; KSD5701; KSD5703; KSD5707; KSE5020

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI
2SC1942; 2SC2928; 2SC3025; 2SC3026; 2SC3322; 2SC3336; 2SC3365; 2SC3658; 2SC3659; 2SC4589; 2SC4692; 2SC4742; 2SC4743; 2SC4744; 2SC4745; 2SC4746; 2SC4747; 2SC4789; 2SC4796; 2SC4797; 2SC4877; 2SC4878; 2SC4879; 2SC4880; 2SC4897; 2SC4927; 2SC4928; 2SC4962; 2SC5058; 2SC5068A; 2SC5105; 2SC5132A; 2SC5207A; 2SC5219; 2SC5250; 2SC5251; 2SC5252; 2SC5447; 2SC5448; 2SC5470; 2SD2294; 2SD2295; 2SD2296; 2SD2297; 2SD2298; 2SD2299; 2SD2300; 2SD2301; 2SD2311; 2SD2337; 2SD2342; 2SD2381; 2SD2491; 2SD2492
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ON SEMICONDUCTOR (MOTOROLA)
BU406; BU407; BUL44; BUL45; BUV21; BUV22; BUV26; BUX85; MJE13003; MJE13005; MJE13007; MJE13009; MJE16002; MJE16004; MJE16106; MJE18002; MJE18004; MJE18206; MJF18002; MJF18004; MJF18206; MJW16212
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC
2SC3506; 2SC3507; 2SC3974; 2SC4420; 2SC5243; 2SC5244; 2SC5244A; 2SC5270; 2SC5270A; 2SC5406; 2SC5406A; 2SC5407; 2SC5412; 2SC5423; 2SC5440; 2SC5478; 2SC5513; 2SC5514; 2SC5515; 2SC5516; 2SC5517; 2SC5518; 2SC5519; 2SC5546; 2SC5552; 2SC5553; 2SC5583; 2SC5584; 2SC5591; 2SC5597; 2SC5622; 2SC5686; 2SC5739; 2SC5779; 2SC5788; 2SC5884; 2SC5885; 2SC5902; 2SC5904; 2SC5905; 2SC5909; 2SC5912; 2SC5913; 2SC5914; 2SC5931; 2SC5993; 2SC6012; 2SD1439; 2SD1440; 2SD1441; 2SD1541; 2SD1632; 2SD1729; 2SD1730; 2SD1731; 2SD1732; 2SD1739; 2SD1846; 2SD1849; 2SD1850; 2SD2057
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS

BU505; BU505D; BU505DF; BU505F; BU506; BU506D; BU506DF; BU506F; BU508AF; BU508AW; BU508DF; BU508DW; BU1506DX; BU1507AX; BU1507DX; BU1508AX; BU1508DX; BU2506DF; BU2506DX; BU2507AF; BU2507AX; BU2507DF; BU2507DX; BU2508A; BU2508AF; BU2508AW; BU2508AX; BU2508D; BU2508DF; BU2508DW; BU2508DX; BU2515AF; BU2515AX; BU2515DF; BU2515DX; BU2520A; BU2520AF; BU2520AW; BU2520AX; BU2520D; BU2520DF; BU2520DW; BU2520DX; BU2522A; BU2522AF; BU2522AW 145; BU2522AX; BU2522DF; BU2522DX; BU2523AF; BU2523AX; BU2523DF; BU2523DX; BU2525A; BU2525AF; BU2525AW; BU2525AX; BU2525DF; BU2525DW; BU2525DX; BU2527A; BU2527AF; BU2527AW; BU2527AX; BU2527DF; BU2527DX; BU2530AL; BU2530AW; BU2532AL; BU2532AW; BU2708AF; BU2708AX; BU2708DF; BU2708DX; BU2720AF; BU2720AX; BU2720DF; BU2720DX; BU2722AF; BU2722AX; BU2722DF; BU2722DX; BU2725AF; BU2725AX; BU2725DF; BU2725DX; BU2727A; BU2727AF; BU2727AW; BU2727AX; BU2730AL; BU4506AF; BU4506AX; BU4506AZ; BU4506DF; BU4506DX; BU4506DZ; BU4507AF; BU4507AX; BU4507AZ; BU4507DF; BU4507DX; BU4507DZ; BU4508AF; BU4508AX; BU4508AZ; BU4508DF; BU4508DX; BU4508DZ; BU4515AF; BU4515AX; BU4515DF; BU4515DX; BU4522AF; BU4522AX; BU4522DF; BU4522DX; BU4523AF; BU4523AW; BU4523AX; BU4523DF; BU4523DW; BU4523DX; BU4525AF; BU4525AL; BU4525AW; BU4525AX; BU4525DF; BU4525DL; BU4525DW; BU4525DX; BU4530AL; BU4530AW; BU4530AX; BU4540AL; BU4540AW; BU4550AL; BUJ101A; BUJ101AU; ВUJ101АХ; BUJ103A; BUJ103AU; ВUJ103АХ; BUJ105A; BUJ105AB; BUJ105AX; BUJ106A; BUJ106AX; BUJ202A; BUJ202AX; ВUJ204А; ВUJ204АХ; ВUJ205А; ВUJ205АХ; BUJ301A; ВUJ301АХ; BUJ302A; BUJ302AX; ВUJЗОЗА; ВUJ303АХ; BUJ304A; BUJ304AX; BUJ403A; BUJ403AX; ВUJ403ВХ; BUT11; BUT11A; BUT11AF; BUT11AI; BUT11AX; BUT11APX; BUT11APX-1200; BUT11F; BUT11XI; BUT12; BUT12A; BUT12AF; BUT12AI; BUT12F; BUT12XI; BUT18; BUT18A; BUT18AF; BUT18F; BUW11AF; BUW11F; BUW11AW; BUW11W; BUW13AF; BUW13F; BUW13AW; BUW13W; BUW14; BUX84; BUX84F; BUX84S; BUX85; BUX85F; BUX86P; BUX87P; BUX87-1100
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SAMSUNG
KSD5001; KSD5002; KSD5003; KSD5004; KSD5005; KSD5007; KSD5011; KSD5013; KSD5015; KSD5017
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANKEN
2SC3678; 2SC3679; 2SC3680; 2SC3830; 2SC3831; 2SC3832; 2SC3833; 2SC3890; 2SC3927; 2SC4020; 2SC4130; 2SC4138; 2SC4139; 2SC4140; 2SC4296; 2SC4297; 2SC4298; 2SC4299; 2SC4300; 2SC4304; 2SC4418; 2SC4434; 2SC4445; 2SC4517; 2SC4517A; 2SC4518; 2SC4518A; 2SC4546; 2SC4557; 2SC4662; 2SC4706; 2SC4907; 2SC4908; 2SC5002; 2SC5003; 2SC5071; 2SC5124; 2SC5130; 2SC5239; 2SC5249; 2SC5271; 2SC5287
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO
2SA1402; 2SA1403; 2SA1404; 2SA1405; 2SA1406; 2SA1407; 2SA1474; 2SA1475; 2SA1476; 2SA1536; 2SA1537; 2SA1538; 2SA1539; 2SA1540; 2SA1541; 2SA1967; 2SA1968LS; 2SC3176; 2SC3591; 2SC3595; 2SC3596; 2SC3597; 2АС3598; 2SC3599; 2SC3600; 2SC3601; 2SC3636; 2SC3637; 2SC3638; 2SC3642; 2SC3643; 2SC3675; 2SC3676; 2SC3685; 2SC3686; 2SC3687; 2SC3688; 2SC3780; 2SC3781; 2SC3782; 2SC3894; 2SC3895; 2SC3896; 2SC3897; 2SC3950; 2SC3951; 2SC3952; 2SC3953; 2SC3954; 2SC3955; 2SC3956; 2SC3995; 2SC3996; 2SC3997; 2SC3998; 2SC4030; 2SC4031; 2SC4123; 2SC4124; 2SC4125; 2SC4256; 2SC4257; 2SC4271; 2SC4291; 2SC4293; 2SC4411; 2SC4423; 2SC4425; 2SC4426; 2SC4427; 2SC4428; 2SC4429; 2SC4430; 2SC4435; 2SC4437; 2SC4440; 2SC4441; 2SC4450; 2SC4451; 2SC4475; 2SC4476; 2SC4478; 2SC4493; 2SC4563; 2SC4572; 2SC4578; 2SC4579; 2SC4630; 2SC4631; 2SC4632; 2SC4633; 2SC4634; 2SC4635; 2SC4636; 2SC4637; 2SC4660; 2SC4710; 2SC4710LS; 2SC4769; 2SC4770; 2SC4924; 2SC5041; 2SC5042; 2SC5043; 2SC5044; 2SC5045; 2SC5046; 2SC5047; 2SC5238; 2SC5296; 2SC5297; 2SC5298; 2SC5299; 2SC5300; 2SC5301; 2SC5302; 2SC5303; 2SC5443; 2SC5444; 2SC5450; 2SC5451; 2SC5452; 2SC5453; 2SC5506; 2SC5577; 2SC5578; 2SC5637; 2SC5638; 2SC5639; 2SC5680; 2SC5681; 2SC5682; 2SC5683; 2SC5689; 2SC5690; 2SC5696;2SC5698; 2SC5699; 2SC5722; 2SC5723; 2SC5776; 2SC5777; 2SC5778; 2SC5791; 2SC5792; 2SC5793; 2SC5794; 2SC5811; 2SC5899; 2SC5900; 2SC5932; 2SC5933; 2SC5966; 2SC5967; 2SC5968; 2SD1159; 2SD1876; 2SD1877; 2SD1878; 2SD1879; 2SD1880; 2SD1881; 2SD1882; 2SD1883; 2SD1884; 2SD1885; 2SD1886; 2SD1887; 2SD1908; 2SD1958; 2SD2251; 2SD2252; 2SD2578; 2SD2579; 2SD2580; 2SD2581; 2SD2624; 2SD2627LS; 2SD2629; 2SD2634; 2SD2645; 2SD2646; 2SD2648; 2SD2649; 2SD2650; 2SD2658LS; 2SD2688LS; 2SD2689LS; TS7988; TS7990; TS7992; TS7994; TT2138LS; TT2140LS; ТТ2142; TT2170LS; TT2190LS; ТТ2202
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SHINDENGEN

2SA1598; 2SA1599; 2SA1600; 2SA1601; 2SA1795; 2SA1796; 2SA1876; 2SA1877; 2SA1878; 2SA1879; 2SB1282; 2SB1283; 2SB1284; 2SB1285; 2SB1448; 2SC4051; 2SC4052; 2SC4053; 2SC4054; 2SC4055; 2SC4056; 2SC4057; 2SC4058; 2SC4059; 2SC4060; 2SC4148; 2SC4149; 2SC4150; 2SC4151; 2SC4230; 2SC4231; 2SC4232; 2SC4233; 2SC4234; 2SC4235; 2SC4236; 2SC4237; 2SC4580; 2SC4582; 2SC4583; 2SC4584; 2SC4585; 2SC4663; 2SC4664; 2SC4668; 2SC4669; 2SC4833; 2SC4834; 2SC4876; 2SC4914; 2SC4940; 2SC4941; 2SC4978; 2SC4979; 2SC4980; 2SC4981; 2SC4982; 2SC5241; 2SD1022; 2SD1023; 2SD1024; 2SD1025; 2SD1026; 2SD1027; 2SD1788; 2SD1789; 2SD1790; 2SD1791; 2SD1792; 2SD1793; 2SD1794; 2SD1795; 2SD2196
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST — MICROELECTRONICS
BU208A; BU505; BU508A; BU508AFI; BU508DFI; BU808DFI; BUF405A; BUF405AFP; BUF410; BUF410A; BUF420; BUF420A; BUF420M; BUh2015; BUh2015HI; BUh2215; BUh3M20AP; BUh415; BUh415D; BUh415DFH; BUH515; BUH515D; BUH615D; BUH715; BUL1101E; BUL1102E; BUL118; BUL1203E; BUL1403ED; BUL213; BUL216; BUL310; BUL310FP; BUL312FH; BUL312FP; BUL381; BUL381D; BUL382; BUL382D; BUL38D; BUL39D; BUL416; BUL49D; BUL510; BUL57; BUL57FP; BUL58D; BUL59; BUL654; BUL67; BUL742; BUL810; BUL89; BULB128D-1; BULB39D; BULB49D; BULD118D-1; BULK128D; BULT118; BULT118D; BUV48C; BUV48CFI; BUW1015; BUW1215; BUX48C; HD1520FX; HD1530FX; HD1530JL; HD1750FX; HD1750JL; HD1760JL; MD1803DFX; MD2310FX; MJD47T4; MJD49T4; MJD50T4; S2000AFI; SGSF313; SGSF313PI; SGSF344; SGSF464; SGSFI464; ST13003; ST13005; ST13007; ST13007FP; ST13007N; ST13007NFP; ST1802FH; ST1803DFH; ST1803DHI; ST2001FX; ST2009DXI; ST2310DXI; ST2310FX; ST2317DFX; ST2408h2; ST83003; STB13005-1; STD13003-1; STD13003-T4; STD83003-1; STD83003-T4; STK13003; STX13005; THD200F1; THD215HI; THD218DHI; THD277HI

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA
2SC3307; 2SC3425; 2SC3657; 2SC3715; 2SC3716; 2SC3884A; 2SC3885A; 2SC3886A; 2SC3887; 2SC3887A; 2SC3888; 2SC3888A; 2SC3889; 2SC3889A; 2SC3892; 2SC3892A; 2SC3893; 2SC3893A; 2SC4157; 2SC4288; 2SC4288A; 2SC4289; 2SC4289A; 2SC4290; 2SC4290A; 2SC4531; 2SC4532; 2SC4542; 2SC4560; 2SC4608; 2SC4757; 2SC4758; 2SC4759; 2SC4760; 2SC4761; 2SC4762; 2SC4763; 2SC4764; 2SC4765; 2SC4766; 2SC4806; 2SC4830; 2SC4916; 2SC5048; 2SC5129; 2SC5142; 2SC5143; 2SC5144; 2SC5148; 2SC5149; 2SC5150; 2SC5172; 2SC5266; 2SC5279; 2SC5280; 2SC5331; 2SC5332; 2SC5339; 2SC5353; 2SC5354; 2SC5386; 2SC5387; 2SC5404; 2SC5411; 2SC5421; 2SC5422; 2SC5439; 2SC5445; 2SC5446; 2SC5570; 2SC5587; 2SC5588; 2SC5589; 2SC5590; 2SC5612; 2SC5695; 2SC5716; 2SC5717; 2SC5748; 2SC5855; 2SC5856; 2SC5857; 2SC5858; 2SC5859; 2SD1279; 2SD1425; 2SD1426; 2SD1427; 2SD1428; 2SD1429; 2SD1430; 2SD1431; 2SD1432; 2SD1433; 2SD1543; 2SD1544; 2SD1545; 2SD1546; 2SD1547; 2SD1548; 2SD1553; 2SD1554; 2SD1555; 2SD1556; 2SD2089; 2SD2095; 2SD2125; 2SD2253; 2SD2348; 2SD2349; 2SD2428; 2SD2454; 2SD2498; 2SD2499; 2SD2500; 2SD2539; 2SD2550; 2SD2551; 2SD2553; 2SD2559; 2SD2586; 2SD2599; 2SD2638; 2SD811; 2SD818; 2SD819; 2SD820; 2SD821; 2SD822; 2SD868; 2SD869; 2SD870; 2SD871; S2000; S2000A; S2000AF; S2000F; S2000N; S2055; S2055A; S2055AF; S2055F; S2055N

Транзисторы с высокой скоростью переключения производства ZETEX
BST39; FMMT458; FMMT459; FMMT497; FZT458; FZT658; FZT857; FZTA42

Аналоги полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике

Типовое использование транзистора с высокой скоростью переключения в схемах строчной развертки

Скачать Мощные биполярные транзисторы для импульсных источников питания, TV-приемников и мониторов. Справочник

IGBT транзисторы. Справочник. Характеристики и параметры.

Отечественные производители IGBT (БТИЗ) транзисторов

IGBT справочник составлен из транзисторов, входящих в прайсы интернет-магазинов. Кроме того, приведены близкие по параметрам MOSFET транзисторы, которые могут составить конкуренцию IGBT (а где-то и лучше, если главным параметром становится быстродействие).

IGBT транзисторы на напряжение до 600В   IGBT транзисторы на напряжение до 1200В   IGBT транзисторы частотой 1-5 кГц   IGBT транзисторы с максимальной частотой до 20кГц   Высокочастотные IGBT транзисторы  
IGBT транзисторы Без диода   CoPack IGBT транзисторы С диодом   Показать все  

Основные характеристики IGBT.







IGBT MOSFET PDF Imax, A/
Uce(on),В
Корпус Примечание
Указан максимальный допустимый постоянный ток при Ткорп=100ºС и типичное падение напряжения при этом токе и Тj=150ºС  

1. IGBT транзисторы на напряжение до 600В

IRG4IBC20UD   6.0/1.87 ТО-220F UFAST, диод,
изолир корп
справочные данные на IGBT транзистор в изолированном корпусе IRG4IBC20UD
IRG4IBC20KD   6.3/2.05 ТО-220F FAST,диод,КЗ уст,
изолир крп
 
IRG4BC20UD IRF840 6.5/1.87 ТО-220 UFAST, диод IGBT и MOSFET транзисторы, аналогичные по характеристикам
IRG4BC20W   6.5/2.05 ТО-220 FAST ультрабыстрый IGBT транзистор IRG4BC20W, справочные данные
IRG4BC15UD SPP11N60 7.8/2.21 ТО-220 UFAST, диод IGBT и MOSFET транзисторы
IRG4IBC30UD SPP17N80 8.9/1.90 ТО-220F UFAST, диод,
изолир корп
IGBT и MOSFET транзисторы, близкие по характеристикам
IRG4BC30W-S   12/1.95 D2pak UFAST IGBT транзистор IRG4BC30W для корректоров мощности, справочные данные
IRGS10B60KD   12/2.20 D2pak диод, КЗ уст IGBT транзистор с диодом IRGS10B60KD, характеристики
IRG4RC20F   12/2.04 D2pak IGBT транзистор для поверхностного монтажа IRG4RC20F
IRG4BC30U
IRG4PC30U

12/2.09 ТО-220
TO-247
UFAST ультрабыстрые IGBT транзисторы IRG4BC30U и IRG4PC30U,, справочные данные
HGTP12N60C3   12/1.85 ТО-220 КЗ уст IGBT транзистор HGTP12N60C3, справочные данные
HGTP12N60C3D   12/1.85 ТО-220 диод, КЗ уст IGBT транзистор с антипараллельным диодом HGTP12N60C3, справочные данные
IRG4BC30W
IRG4PC30W
SPP20N60
SPW20N60

12/1.95 TO-220
ТО-247
UFAST IGBT транзисторы для корректоров мощности IRG4PC30W и близкие по характеристикам MOSFET транзисторы
IRG4BC30UD
IRG4PC30UD
BUZ30A
IRFP460

12/2.09 TO-220
ТО-247
UFAST, диод ультрабыстрый IGBT транзистор с диодом IRG4PC30UD, характеристики и близкие MOSFET аналоги
HGTG12N60B3   12/1.70 ТО-247 FAST HGTG12N60B3 — ультрабыстрый IGBT транзистор, характеристики
HGTG12N60C3D   12/1.85 ТО-247 диод, КЗ уст HGTG12N60C3 — IGBT транзистор с диодом, параметры
SKP15N60 IRFP360
IRFP22N60
15/2.30 ТО-220 UFAST,диод,КЗ уст SKP15N60 — ультрабыстрый IGBT транзистор с диодом в корпусе TO-220, характеристики и близкие MOSFET аналоги
IRG4BC30K-S
IRG4BC30K
 
16/2.36 D2Pak
TO-220
FAST,КЗ уст IRG4BC30K-S и IRG4BC30K — IGBT транзисторы, оптимизированные под управление электродвигателями
IRG4BC30KD-S
IRG4BC30KD
IRG4PC30KD
IRFP27N60

16/2.36 D2Pak
TO-220
TO-247
FAST,диод,КЗ уст ультрабыстрые IGBT транзисторы IRG4BC30KD-S, IRG4BC30KD, IRG4PC30KD, справочные данные, MOSFET транзистор IRFP27N60
IRG4BC30FD-S
IRG4PC30FD
 
17/1.70 D2Pak
TO-247
+ диод IGBT транзисторы IRG4BC30FD и IRG4PC30FD с низким падением напряжения, справочные данные
IRG4BC30F   17/1.70 ТО-220 IGBT транзистор IRG4BC30F с низки падением напряжения
IRG4PC30S   18/1.45 ТО-247   IGBT транзистор IRG4PC30S с низким падением напряжения
IRGS8B60K   19/2.70 D2pak КЗ уст IGBT транзистор IRGS8B60K, справочные данные
IRG4BC40U
IRG4PC40U
IRFP27N60
20/1.70 ТО-220
TO-247
UFAST характеристики IGBT транзисторов IRG4BC40U и IRG4PC40U, MOSFET транзистор IRFP27N60 с аналогичными параметрами
IRG4PC40UD IRFP31N50
IRFP27N60
20/1.70 ТО-247 UFAST, диод IGBT и MOSFET транзисторы, близкие по характеристикам
IRG4BC40W
IRG4PC40W
 
20/1.90 ТО-220
TO-247
UFAST IGBT транзисторы для PFC IRG4BC40W и IRG4PC40W
HGTG20N60B3   20/2.10 ТО-247 FAST, КЗ уст ультрабыстрый IGBT транзистор HGTG20N60B3, характеристики
HGTG20N60B3D   20/2.10 ТО-247 FAST,диод,КЗ уст IGBT с антипараллельным диодом HGTG20N60B3D, справочные данные
IRGB20B60PD1
IRGB20B60PD
 
22/3.30 ТО-20
TO-247
UFAST, диод ультрабыстрый IGBT транзистор IRGB20B60PD с диодом
IRGP4062D IRFPS40N60 24/2.03 ТО247 UFAST,диод,КЗ уст ультрабыстрый IGBT и MOSFET транзисторы IRGB20B60PD и IRFPS40N60, характеристики
IRG4PC40K 25/2.14 ТО-247 FAST, КЗ уст быстрый IGBT транзистор IRG4PC40K на ток до 25А
IRG4PC40KD 25/2.14 ТО-27 FAST, диод, КЗ уст IGBT с диодом IRG4PC40KD
IRG4BC40F
IRG4PC40F
 
27/1.6 ТО-220
TO-247
IGBT с низким падением напряжения IRG4PC40F, среднечастотного диапазона
IRG4PC40FD   27/.56 ТО-247 +диод  
IRG4PC50UD IRFPS40N50 27/1.60 ТО-247 UFAST, диод ультрабыстрый IGBT транзистор с диодом IRG4PC50UD, справочные данные
IRG4PC50W 27/1.71 ТО-247 UFAST IGBT и MOSFET транзисторы IRG4PC50W и IRFPS40N50, справочные данные
SGP30N60 30/2.50 ТO-220 FAST, КЗ уст IGBT транзистор SGP30N60, устойчивый к короткому замыканию
SGW30N60 30/2.50 ТО-247 FAST, КЗ уст IGBT транзистор SGW30N60, характеристики и параметры
IRG4PC50K   30/1.84 ТО-247 FAST, КЗ уст. igbt IRG4PC50K на ток до 30А
IRG4PC50KD   30/1.84 ТО-247 FAST,диод,КЗ уст. igbt транзистор IRG4PC50KD с диодом, на ток до 30А
IRGP35B60PD   34/3.00 ТО-247 UFAST, диод ультрабыстрый igbt с диодом IRGP35B60PD, характеристики
IRG4PC50F   39/1.53 ТО-247 мощный медленный, но зато с низким падением напряжения igbt IRG4PC50F
IRG4PC50FD   39/1.53 ТО-247 +диод мощный igbt транзистор с диодом IRG4PC50FD
HGTG40N60B3 IPW60R045 40/1.50 ТО-247 FAST, КЗ уст Ультрабыстрые IGBT транзисторы HGTG40N60B3, справочные данные
IRG4PC50S   41/1.28 ТО-247 мощные IGBT транзисторы IRG4PC50S, параметры
IRGP50B60PD1   45/3.10 ТО-247 UFAST,диод мощный ультрабыстрый IGBT транзистор с диодом IRGP50B60PD, характеристики
IRGP4063D   48/2.05 ТО-247 UFAST,диод,КЗ уст мощный IGBT IRGP4063D — транзистор, устойчивый к короткому замыканию
IRGP4068D   48/2.05 ТО-247 UFAST,диод,КЗ уст мощный IGBT транзистор, устойчивый к короткому замыканию IRGP4068D
IRGS30B60K
IRGB30B60K
  50/2.60 D2pak
ТО-220
КЗ уст. мощные IGBT транзисторы IRGS30B60K и IRGB30B60K
SGW50N60 50/3.15 ТО-247 FAST, КЗ уст мощный быстрый IGBT транзистор SGW50N60, устойчивый к короткому замыканию
IRG4PSC71K 60/1.81 S-247 FAST,КЗ уст мощный быстрый IGBT транзистор IRG4PSC71K, устойчивый к короткому замыканию
IRG4PSC71KD 60/1.81 S-247 FAST,диод,КЗ уст мощный быстрый IGBT транзистор IRG4PSC71KD, с диодом, устойчивый к короткому замыканию
IRG4PSC71U 60/1.71 S-247 UFAST мощный ультрабыстрый IGBT транзистор IRG4PSC71U
IRG4PSC71UD IRFP4668 60/1.71 S-247 UFAST, диод мощный ультрабыстрый IGBT транзистор с диодом IRG4PSC71UD и MOSFET транзистор IRFP4668
IXGH60N60C2 60/1.80 TO-247 UFAST мощный ультрабыстрый IGBT транзистор IXGH60N60C2 и близкий по току MOSFET

2. IGBT транзисторы на напряжение до 1200В

SGP02N120 2.8/3.70 ТО-220 FAST, КЗ уст igbt 1200v, 2.8A
IRG4Ph30K IRFPG50 5.0/2.84 О-247 КЗ уст igbt на ток до 5А
IRG4Bh30K-S 5.0/2.84 2Pak КЗ уст igbt на напряжение до 1200В
SGP07N120 8.0/3.70 ТО-220 FAST, КЗ уст ультрабыстрый igbt, напряжение до 1200В
IRG4Ph40K 10/3.01 ТО-247 FAST, КЗ уст ультрабыстрый igbt транзистор, напряжение до 1200В
IRG4Ph40KD 10/3.01 ТО-247 FAST, диод,КЗ уст ультрабыстрый igbt с диодом, ток до 10А
IRG4Ph50KD 15/2.53 ТО-247 FAST, диод,КЗ уст igbt с диодом, ток до 15А
BUP203 15/4.00 ТО-220 FAST, 1000В IGBT транзистор BUP203, характеристики
SKW15N120 15/3.70 ТО-247 FAST,диод,КЗ уст igbt с диодом, ток до 10А
IRG7Ph40K10D   16/2.60 ТО-247 FAST,диод,КЗ уст. ультрабыстрый IGBT транзистор IRG7Ph40K10D, справочные данные
BUP314S 17/4.60 ТО-21 FAST igbt, ток до 17А
IRGPh50F 17/3.00 ТО247 транзистор igbt, напряжение до 1200В
BUP213 20/3.60 ТО-220 FAST транзистор igbt, ток до 20А
IRGP20B120U-E   20/3.89 ТО-247 UFAST, КЗ ст. транзистор igbt, напряжение до 1200В
IRGP20B120UD-E   20/3.89 ТО-247 UFAST,диод,КЗ ут. транзистор igbt, ток до 20А
IRG4Ph50U   21/2.47 ТО-247 UFAST транзистор igbt, ток до 21А
IRG4Ph50UD   21/2.47 ТО-247 UFAST, диод высоковольтный транзистор igbt, ток до 21А
IRG7Ph40K10 IPW90R120 23/4.00 ТО-247 КЗ уст. IGBT транзистор IRG7Ph40K10, подробные характеристики
IRG4PH50KD 24/2.54 ТО-247 FAST, диод,КЗ ус  
IRG4PH50U 24/2.54 ТО-247 UFAST  
IRG4PH50UD 24/2.54 ТО-247 UFAST, диод  
SGW25N120 25/3.70 ТО-247 FAST, КЗ уст  
SKW25N120 25/3.70 ТО-247 FAST,диод,КЗ уст  
IRG4PF50W 28/2.12 ТО-247 UFAST, 900В  
IRG4PF50WD 28/2.12 ТО-247 UFAST, диод, 900В  
IRGP30B120KD   30/2.98 ТО-247 FAST,диод,КЗ уст.  
BUP314 33/3.80 ТО-218 FAST  
BUP314D 33/3.80 ТО-218 UFAST, диод IGBT транзистор с диодом BUP314D , справочные данные
HGTG27N120B   34/3.90 ТО-247 FAST, КЗ уст  
IRGPS40B120U   40/3.88 S-247 UFAST, КЗ уст мощный ультрабыстрый высоковольтный IGBT IRGPS40B120U
IRG4PSH71K   42/2.60 S-247 FAST, КЗ уст мощный быстрый высоковольтный IGBT транзистор IRG4PSH71K
IRG4PSH71KD   42/2.60 S-247 FAST,диод,КЗ уст мощный быстрый высоковольтный IGBT транзистор с диодом IRG4PSH71KD
IRG4PSH71U   50/2.40 S-247 UFAST мощный ультрабыстрый высоковольтный IGBT транзистор IRG4PSH71U
IRG4PSH71UD   50/2.25 S-247 UFAST, диод  
IRG7Ph52U   60/3.10 ТО-247 UFAST мощный ультрабыстрый высоковольтный IGBT транзистор IRG7Ph52U, характеристики
IRGPS60B120KD   60/3.04 S-247 FAST,диод, КЗ уст мощный IGBT транзистор с диодом IRGPS60B120KD
IRG7PSH73K10   75/2.60 S-247 FAST,КЗ уст мощный устойчивый к короткому замыканию IGBT транзистор IRG7PSH73K10
  На главную
 

Мощные полевые и биполярные транзисторы PHILIPS для импульсных источников питания

В ассортименте фирмы PHILIPS имеется целая гамма высоковольтных транзисторов, предназначенных для использования в импульсных силовых цепях питания телевизоров, видеомагнитовонов, мониторов и другой бытовой аппаратуры. Все они обычно выполнены либо по биполярной технологии, либо по технологии MOSFET — полевой МОП-транзистор с изолированным затвором.

Эти транзисторы в большинстве своем служат в устройствах формирования рабочих напряжений, в том числе для питания оконечных каскадов усилителей мощности звукового сигнала.

Наиболее экономично высоковольтные транзисторы работают в двухтактном преобразователе с прерывающимся тюком дросселя.

Максимальное значение напряжения на коллекторе транзистора в таком преобразователе равно сумме подводимого выпрямленного напряжения питающей сети и напряжения пикового броска. Амплитуда напряженияэтого броска зависит от начальной индуктивности трансформатора преобразователя и от емкости сглаживающего пульсации конденсатора, подключенного в цепи коллектора транзистора. Для используемого напряжения электросети устанавливается минимально необходимое напряжение коллектор-эмиттер, которое только может выдержать транзистор. При увеличении индуктивности трансформатора или при уменьшении емкости конденсатора надежность транзистора по мощности и частоте повышается.

Мощные полевые МОП-транзисторы с изолированным затвором для блоков питания

Сетевое напряжение 110/220 Вольт требует применения транзисторов с рабочим напряжением не менее 400 Вольт. Таким напряжением обладают мощные транзисторы серии Power MOSFET. При сетевом напряжении 220/240 Вольт рабочее напряжение транзистора должно быть не менее 800 Вольт и только в особых случаях (при ограничении напряжения на коллекторе) допускается применение транзистора той же серии с напряжением около 600 Вольт. Основные параметры указанных транзисторов даны в таблице ниже:

ТранзисторМаксимальное напряжение
сток-исток, В
Максимальное сопротивление
между стоком и истоком
открытого транзистора, Ом
Ток стока, А
BUK454-400B4001,81,5
BUK455-400B4001,02,5
BUK437-400B4000,56,5
BUK454-800A8006,01,0
BUK456-800A8003,01,5
BUK456-800B8002,04,0
BUK438-800A8001,54,0

Биполярные транзисторы для импульсных блоков питания

При напряжении питающей сети 220/240 Вольт в двухтактных преобразователях рекомендуют использовать транзистор, рассчитанный на напряжение 1000 В. Транзисторы, основные характеристики которых приведены в таблице 2, предназначены именно для этих целей. Если начальная индуктивность трансформатора велика и напряжение может превышать 1000 Вольт, лучше использовать транзисторы BU603 и BU903 с напряжением 1350 Вольт.

Таблица 2

ТранзисторМаксимальное напряжение коллектора, когда потенциал базы ниже или равен потенциалу эмиттера, ВМаксимальное напряжение коллектора, когда потенциал базы выше потенциала эмиттера, ВТок коллектора, АМинимальный коэффициент усиления потокуМаксимальное напряжение коллектор-эмиттер при насыщении транзистора, В
BUX851000450151,0
BUT11A10004502,551,5
BUT18A1000450451,5
BUT12A1000450551,5
BUW13A1000450851,5
BU6031350550262,0
BU90313505503,262,0

Критерии выбора транзистора для блока питания

Главным критерием выбора служат максимальные значения токов и напряжений, допустимые для выбранного транзистора. При выборе типа транзистора (MOSFET или биполярный) следует руководствоваться простотой его управления, стоимостью и требованием минимальной энергии при работе в наиболее сложных схемах. Следует также обращать внимание и на возможность переключения с малыми потерями на частотах ниже 50 кГц.

Играют роль также размеры прибора. Так, в устройствах питания от сети 110/120В наибольшее распространение получили транзисторы типа MOSFET с напряжением 400 В, в устройствах с напряжением питания 220/240 В преобладают биполярные транзисторы, хотя и здесь транзисторы MOSFET, рассчитанные на напряжение 800 Вольт, не менее популярны.

С помощью данных таблицы 3 можно выбрать транзистор для двухтактного преобразователя источника питания с учетом указанных выше критериев:

Таблица 3

Мощность, Вт110/120220/240
50BUK454-400BBUK454-800B; BUX85
100BUK455-400BBUK456-800A; BUT11A/BU603
120BUK437-400BBUK438-800B; BUT11A
150BUK437-400BBUK438-800B; BUT18A/BU903
200BUK437-400BBUK438-800B; BUT12A/BUW13A
Корпуса и цоколевка мощных транзисторов Philips для блоков питания

Тиристоры, симисторы, динисторы Philips основные характеристики и типы корпусов

Полный datasheet симистора BT134 с возможностью скачать бесплатно даташит в pdf формате или смотреть в онлайн справочнике по электронным компонентам на Времонт.su

Мощные СВЧ-транзисторы Philips Semiconductors

Мощные СВЧ-транзисторы Philips Semiconductors

   СВЧ-транзисторы применяются во многих областях человеческой деятельности: телевизионные и радиовещательные передатчики, ретрансляторы, радары гражданского и военного назначения, базовые станции сотовой системы связи, авионика и т. д.

   В последние годы заметна тенденция перехода с биполярной технологии производства СВЧ-транзисторов на технологии VDMOS (Vertical Diffusion Metal Oxide Semiconductors) и LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors). Самая передовая технология LDMOS обладает наилучшими характеристиками, такими, как линейность, усиление, тепловые режимы, устойчивость к рассогласованию, высокий КПД, запас по рассеиваемой мощности, надежность. Производимые Philips транзисторы имеют исключительно высокую повторяемость характеристик от партии к партии, и компания Philips этим гордится. При замене вышедших из строя транзисторов можно не беспокоиться о процессе настройки оборудования заново, так как все параметры транзисторов абсолютно идентичны. Этим не может похвастаться ни один из конкурентов Philips.

   Все новые разработки Philips базируются на новой современной LDMOS-технологии.

Транзисторы для базовых станций сотовой связи

   Кроме транзисторов упакованных в корпуса, Philips выпускает интегрированные модули.

Таблица 1.Транзисторы LDMOS 800 МГц- 1,0 ГГц
Тип Pвых, Вт Корпус
BLF1043 10 SOT538
BLF1046 45 SOT467
BLF1049 125 SOT502A
BLF0810-90 16 SOT502A
BLF0810-180 32 SOT502A
BLF900-110 25 SOT502A
Таблица 2. Транзисторы LDMOS 1,8 — 2,0 ГГц
Тип Pвых, Вт Корпус
BLF2043 10 SOT538
BLF1822-10 10 SOT467C
BLF1822-30 30 SOT467C
BLF1820-70 65 SOT502A
BLF1820-90 90 SOT502A
Таблица 3. Транзисторы LDMOS 2,0 — 2,2 ГГц для WCDMA
Тип PсрWCDMA,Вт Корпус
BLF1822-10 1 SOT467C
BLF1822-30 4 SOT467C
BLF202230 4 SOT608A
BLF2022-70 7,5 SOT502A
BLF2022-120 20 SOT539A
BLF2022-125 20 SOT634A
BLF2022-150 25 SOT634A
BLF2022-180 35 SOT539A
Таблица 4. Основные интегрированные модули
Тип Pвых, Вт Технология Частота Область применения
BGY916 19 BIPOLAR 900 МГц GSM
BGY916/5 19 BIPOLAR 900 МГц GSM
BGY925 23 BIPOLAR 900 МГц GSM
BGY925/5 23 BIPOLAR 900 МГц GSM
BGY2016 19 BIPOLAR 1800-2000 МГц GSM
BGF802-20 4 LDMOS 900-900 МГц CDMA
BGF 844 20 LDMOS 800-900 МГц GSM/EDGE (USA)
BGF944 20 LDMOS 900-1000 МГц GSM/EDGE (EUROPE)
BGF1801-10 10 LDMOS 1800-1900 МГц GSM/EDGE (EUROPE)
BGF1901-10 10 LDMOS 1900-2000 МГц GSM/EDGE (USA)

   Отличительные особенности интегрированных модулей:

  • LDMOS-технология (пайка прямо на радиатор, линейность, большее усиление), o пониженное искажение,
  • меньший нагрев полупроводника за счет использования медного фланца, o интегрированная компенсация температурного смещения,
  • 50-омные входы/выходы,
  • линейное усиление,
  • поддержка многих стандартов (EDGE, CDMA).

   Рекомендуемые решения для стандарта GSM: на 800 МГц: BGF844 + BLF1049 на 900 МГц: BGF944 + BLF1049 на 1800 МГц: BGF1801-10 + BLF1820-10 на 1900 МГц: BGF1901-10 + BLF1820-10

   Рекомендуемые решения для стандарта CDMA: на 800 МГц: BGF802-20 + BLF0810-180 на 1900 МГц: BGF1901-10 + BLF1820-90

   Рекомендуемые решения для стандарта EDGE:

   BGF0810-90

  • выходная мощность: 40 Вт,
  • усиление: 16 дБ,
  • КПД: 37%,
  • ослабление мощности по соседнему каналу ACPR: -60 дБ,
  • амплитуда вектора ошибок EVM: 2%.

   BLF1820-90

  • выходная мощность: 40 Вт,
  • усиление: 12 дБ,
  • КПД: 32%,
  • ослабление мощности по соседнему каналу ACPR: -60 дБ,
  • амплитуда вектора ошибок EVM: 2%.

Транзисторы для вещательных станций

   На протяжении последних 25 лет компания Philips сохраняет лидерство в данной области. Использование последних достижений в технологии LDMOS (серии BLF1xx, BLF2xx, BLF3xx, BLF4xx, BLF5xx,) позволяет постоянно укреплять позиции на рынке. В качестве примера можно привести огромный успех транзистора BLF861 для ТВ-передатчиков. В отличие от транзисторов конкурентов, BLF861 зарекомендовал себя высоконадежным и высокостабильным элементом, защищенным от выхода из строя при отключении антенны. Никто из конкурентов не смог приблизиться к характеристикам BLF861 по стабильности работы. Можно назвать основные сферы применения таких транзисторов: передатчики на частоты от HF до 800 МГц, частные радиостанции PMR (TETRA), передатчики VHF гражданского и военного назначения.

Таблица 5. L- и S-полосные транзисторы для радаров

Тип F, ГГц Vcc,B Tp, мкс Коэфф. заполнения, % Мощность, Вт КПД,% Усиление, дБ
L-полоса RZ1214B35Y 1,2-1,4 50 150 5 >35 >30 >7
RZ1214B65Y 1,2-1,4 50 150 5 >70 >35 >7
RX1214B130Y 1,2-1,4 50 150 5 >130 >35 >7
RX1214B170W 1,2-1,4 42 500 10 >170 >40 >6
RX1214B300Y 1,2-1,4 50 150 5 >250 >35 >7
RX1214B350Y 1,2-1,4 50 130 6 >280 >40 >7
Bill 21435 1,2-1,4 36 100 10 >35 45 >13
BLL1214-250 1,2-1,4 36 100 10 >250 45 >13
S-полоса BLS2731-10 2,7-3,1 40 100 10 >10 45 9
BLS2731-20 2,7-3,1 40 100 10 >20 40 8
BLS2731-50 2,7-3,1 40 100 10 >50 40 9
BLS2731-110 2,7-3,1 40 100 10 >110 40 7,5
Верхняя S-полоса BLS3135-10 3,1-3,5 40 100 10 >10 40 9
BLS3135-20 3,1-3,5 40 100 10 >20 40 8
BLS3135-50 3,1-3,5 40 100 10 >50 40 8
BLS3135-65 3,1-3,5 40 100 10 >65 40 >7
Таблица 6. Транзисторы для авионики

Тип F,ГГц Vcc,B Tp, мкс Коэфф. заполнения, % Мощность, Вт КПД,% Усиление, дБ
BIPOLAR MZ0912B50Y 0,96-1,215 50 10 10 >50 >42 >7
MX0912B100Y 0,96-1,215 50 10 10 >100 >42 >7
MX0912B251Y 0,96-1,215 50 10 10 >235 >42 >7
MX0912B351Y 0,96-1,215 42 10 10 >325 >40 >7
LDMOS

Vds




BLA1011-200 1,03-1,09 36 50 1 >200 50 15
BLA1011-10 1,03-1,09 36 50 1 >10 40 16
BLA1011-2 1,03-1,09 36 50 1 >2 18

   Основные характеристики транзистора BLF861A

  • Push-pull-транзистор (двухтактный усилитель),
  • выходная мощность более 150 Вт,
  • усиление более 13 дБ,
  • КПД более 50%,
  • закрывает полосу от 470 до 860 МГц (полосы IV и V),
  • надежный, устойчивый к рассогласованию,
  • устойчив к отключению антенны,
  • является индустриальным стандартом в ТВ-передатчиках на сегодняшний день.

   Новая модель транзистора BLF647

  • разработан на основе BLF861A,
  • большой коэффициент усиления 16 дБ на 600 МГц,
  • выходная мощность до 150 Вт,
  • закрывает полосу от 1,5 до 800 МГц,
  • надежный, устойчивый к рассогласованию,
  • устойчив к отключению антенны,
  • имеет встроенный резистор, позволяющий работать на частотах HF и VHF,
  • Push-pull-транзистор (двухтактный усилитель).

   Транзистор BLF872

  • разрабатывается как более мощная замена BLF861A,
  • начало производства 1 квартал 2004 года,
  • выходная мощность до 250 Вт,
  • самый надежный транзистор по устойчивости к рассогласованию,
  • сохраняет линейность,
  • сохраняет надежность,
  • смещение тока Idq менее 10% на 20 лет,
  • коэффициент усиления более 14 дБ,
  • закрывает полосу от 470 до 860 МГц.

Транзисторы для радаров и авионики

   Новые транзисторы Philips для радаров и авионики также производятся по современной LDMOS-технологии. Кристаллы, выполненные по технологии LDMOS, меньше нагреваются, являются более надежными, имеют большее усиление, не требуют изолятора между подложкой и радиатором. Соответственно, для достижения тех же характеристик требуется меньшее число транзисторов, что дополнительно повышает надежность и снижает стоимость изделия.

   Новые разработки:

   BLA0912-250

  • полоса от 960 до 1250 МГц (все главные частоты авионики),
  • высокое усиление до 13 дБ,
  • надежность, устойчивость к рассогласованию фаз 5:1,
  • линейность,
  • образцы будут доступны с июня 2003 года.

   BLS2934-100

  • полоса от 2,9 до 3,4 ГГц (все главные частоты авионики),
  • использование стандартного негерметичного корпуса,
  • образцы будут доступны к концу 2003 года.

   Подводя итоги, можно с уверенностью сказать, что компания Philips идет в ногу со временем и предлагает транзисторы, позволяющие создавать новые устройства, которые обладают более совершенными характеристиками: меньший размер, большая выходная мощность, меньшее число компонентов обвязки и меньшая цена конечного изделия.

Автор: Владимир Захаров,
Email: [email protected]

2.3 Мощные биполярные транзисторы

Главными характеристиками мощного транзистора являются напряжение, ток и преобразуемая мощность. Структура транзисторов должна позволять рассеивать большую мощность без каких-либо изменений. И, естественно, что она отличается от обычных малосигнальных транзисторных структур, так как должна пропускать большой коллекторный ток и выдерживать на коллекторе большое напряжение.

2.3.1. Структуры мощных транзисторов

Одна из немногих структур биполярного транзистора, реализующая бездрейфовый тип транзистора, это транзистор с одноразовой диффузией, в котором n+— эмиттер и n+— коллектор получены одновременной диффузией в однородно легированный p— кремний (рисунок 2.13).

При выборе концентрации примеси в базе и ее толщины в этом транзисторе приходится идти на компромиссы: относительно высокая концентрация примеси позволяет уменьшить толщину базы, так как затруднит эффект смыкания эмиттерного и коллекторного pn переходов, но не позволит получить большую величину коэффициента инжекции эмиттера, а, следовательно, и коэффициента усиления. Кроме того, в этом случае транзистор будет иметь небольшую величину напряжения лавинного пробоя из-за малой толщины коллекторного pn перехода. С другой стороны, уменьшение концентрации примеси в базе может привести к падению напряжения смыкания, что заставит увеличить её толщину со всеми вытекающими из этого нежелательными последствиями.

Улучшенный тип конструкции представлен на рисунок. 2.14. Введение в коллекторную область высокоомного слоя n (или ) позволит не бояться эффекта смыкания эмиттерного и коллекторного перехода, так как при ОПЗ коллекторного перехода при увеличении напряжения на коллекторе в основном будет распространяться в низколегированнуюn –область. Из-за наличия n –области также увеличивается ширина коллекторного напряжения и, как следствие растет величина напряжения лавинного пробоя.

Введение в коллектор n— слоя между областями n и n+ (рисунок 2.15) позволит уменьшить вероятность вторичного пробоя в случае, когда из-за эффекта Кирка квазинейтральная базовая область проникает далеко в n — слой коллектора.

Рисунок 2.13 — Структура n+pn+(a), профиль Рисунок 2.14 — Структурыn+pnn+(a) и

легирования (б) в мощном транзисторе профиль легирования (б_ в мощном

с одноразовой диффузией (N– концен- транзисторе с высоким сопротивлением

трация примеси; l – расстояние от поверх-n-коллекторной области (N– концен-

ности эмиттера трация примеси; l – расстояние от

поверхности эмиттера)

Рисунок 2.15 — Структура n+pnnn+(a) и профиль легирования в мощном транзисторе

с буферной зоной nтипа в коллекторе (N– концентрация примеси,

l– расстояние от поверхности эмиттера

2.3.2. Влияние высокого уровня легирования на коэффициент усиления по току

Повышение степени легирования эмиттера приводит к уменьшению ширины запрещенной зоны, увеличению собственной концентрации свободных носителей заряда в эмиттере, понижению времени жизни и, как следствие, к снижению величины коэффициента инжекции эмиттера, а, следовательно, и коэффициента усиления по току.

Плотность тока неосновных носителей Jp в эмиттере npn транзисторе

(2.12)

где поле

(2.13)

где N(x) – концентрация примеси в эмиттере, зависящая от координаты

— соотношение Эйнштейна.

Из выражений (2.12) и (2.13) с учетом соотношения Эйнштейна получим

(2.14)

Известно (2.1.3), что при высокой степени легирования эмиттера эффективная собственная концентрация носителей niэф связана с собственной концентрацией ni соотношением

Увеличение собственной концентрации собственных свободных носителей заряда является причиной появления дополнительного электрического поля в диффузионном эмиттере [2]

(2.15)

Это поле направлено против поля, обусловленного градиентом концентрации примеси в эмиттере. В итоге суммарное электрическое поле

(2.16)

Выражение для тока неосновных носителей

(2.17)

Судя по выражениям (2.16) и (2.17), изменение величины поля в эмиттере приводит к ослаблению противодействующего электрического поля и способствует достижению неосновными носителями эмиттерного контакта.

Известно [1], что коэффициент передачи тока

где (2.18)

где GNБ, GNэ числа Гуммеля в базе и эмиттере, соответственно, усредненные величины коэффициентов диффузии дырок в эмиттере и электронов в базе, соответственно

или

где концентрация доноров в эмиттере, зависящая от координаты.

С учетом эффектов высокого уровня легирования число Гуммеля в эмиттере получим

–профиль эффективного легирования эмиттера.

Из рисунка 2.16 видно, что эффективная концентрация примеси в эмиттере представляет собой величину на несколько порядков меньшую, чем заложенная технологией (действительная) степень легирования.

Рисунок 2.16 — Профили действительного (1) и эффективного (2) легирования (x– глубина эмиттера)

При больших концентрациях носителей заряда уменьшается время их жизни и, как следствие, уменьшается диффузионная длина неосновных носителей (дырок) в эмиттере, что приводит к снижению эффективности эмиттера [1]. При низких концентрациях носителей время жизни Lo определяется рекомбинацией Шокли-Рида-Хода (ШРХ). При концентрациях выше 1017см-3. Время жизни при Оже-рекомбинации уменьшается как квадрат концентрации неосновных носителей. Следовательно, при какой-то определенной величине концентрации носителей время жизни, определяемая ШРХ-рекомбинацией, будет равно при какой-то определенной точки Хо времени жизни зависящей от Оже-рекомбинации

Эмиттерная область, таким образом, будет разделена на две части: в области высоких концентраций I (ближе к поверхности) будет преобладать Оже-рекомбинация, а в области более низких значений концентраций II ШРХ-рекомбинация (рисунок 2.17)

Рисунок 2.17 — Действительный (кривая 1) и эффективный (2) графики [2],

в области Iпревалирует рекомбинация Оже, а в областиII– рекомбинация

Шокли-Рида-Холла, заштрихованная область – активная область эмиттера

Вследствие Оже-рекомбинации только часть эффективного профиля (заштрихованная область рисунок. 2.17) является активным эмиттером. Оже-рекомбинацией можно пренебречь только при Lp >> Xo. Однако, анализ литературы, приведенный в [2], показывает, что Оже-рекомбинация сама по себе не может предсказать реальные измерения значения коэффициента инжекции эмиттера.

Действительный и эффективный профили легирования двумерной модели транзистора, представленной на рисунке 2.19, резко отличаются между собой.

Электроны, инжектированные в сильнолегированную базу на периферии эмиттера, смогут достичь базового контакта вследствие преобладающего влияния на встроенное электрическое поле эффектов сильного легирования (отклонение niэф/ni резко возрастает). Дырки, инжектированные в эмиттер в любой точке его периферийной области, также из-за появления дополнительного электрического поля могут достаточно легко достигать эмиттерного металлического контакта. Поскольку время жизни, определяемое ШРХ-рекомбинацией, уменьшается с увеличением niэф по квадратичному закону, то токи утечки по периферии, где компенсация примеси наибольшая, существенно возрастут.

Эффективность инжекции через величину коэффициента усиления по току можно выразить как

, (2.19)

где — отношение полного коллекторного тока к току дырок, инжектированных в центральную область эмиттера;— отношение тока коллектора к току

Рисунок 2.18 — Двумерная модель n-p-nтранзистора: 1 – базовый контакт; 2 – эмиттерный контакт; 3 – коллекторный контакт; сплошная линия — граница эмиттера; штриховая линия – электроны; штрихпунктирная линия – дырки

дырок, инжектированных вдоль его периферии; — отношение коллекторного тока к электронному току, текущему из эмиттера в базовый контакт.

Анализ, проведенный в [2], показал, что в настоящее время не существует единого мнения относительно значимости влияния на величину коэффициента усиления по току транзистора рассмотренных в этом параграфе эффектов.

На эффективность эмиттера, в первую очередь, влияет сужение ширины запрещенной зоны, а именно, эффективная собственная концентрация niэф. Одним из наиважнейших механизмов, ограничивающих коэффициент инжекции эмиттера, является инжекция дырок в эмиттерную область в периферийной части эмиттера; эффективным стоком для этих дырок является эмиттерный контакт, а не рекомбинация в эмиттерном слое. При высоком уровне инжекции этот механизм, в основном, ответственный за падение тока. При малом уровне инжекции очень большую роль может играть рекомбинация в эмиттере вблизи поверхности полупроводника.

Оже-рекомбинация оказывает заметное влияние на коэффициент усиления по току в транзисторах с глубокими эмиттерами (xjэ 4 мкм).

Рисунок 2.19 — Действительный (кривая 1), эффективный (кривая 2) профили легирования в центральной части прибора (xjэ— глубины эмиттерного перехода)

alexxlab

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *