Применение новой серии P-канальных MOSFET транзисторов

Введение

Семейство p-канальных MOSFET-транзисторов компании IXYS обладает всеми основными преимуществами сопоставимых n-канальных MOSFET, такими как очень быстрое переключение, управление с помощью уровня напряжения затвора, простота параллельного соединения и высокая температурная стабильность. Оптимизация паразитного p-n-p-транзистора позволила получить приборы с отличной стабильностью к лавинному пробою [1]. По сравнению с n-канальными силовыми MOSFET со схожей топологией, p-канальные транзисторы имеют лучшую FB-SOA (область безопасной работы при прямом токе) и практически имеют иммунитет к феномену одиночного эффекта выгорания (Single Event Burnout — открытие паразитного биполярного транзистора под воздействием космического излучения: приводит к разрушению прибора) [2]. Но главным преимуществом p-канальных силовых MOSFET является простота управления в схемах верхнего ключа [3].

Источник питания для управления p-канальным транзистором в схеме верхнего ключа может быть однополярным, в то время как управление n-канальным MOSFET в схеме верхнего ключа требует наличия либо изолированного драйвера, либо импульсного трансформатора, который во многих случаях может работать некорректно. Более того, во многих случаях драйвер нижнего ключа может успешно управлять p-канальным MOSFET в верхнем включении. Такое решение часто позволяет упростить драйвер и снизить общую итоговую стоимость изделия. Главный же недостаток p-канальных MOSFET — более высокое сопротивление в открытом состоянии (R

ds(on)) по сравнению с n-канальными транзисторами. Это означает, что стоимостная эффективность решения на p-канальных MOSFET напрямую связана с оптимизацией по параметру R

ds(on) [4].

Рис. 1. MOSFET
а) p-канальный;
б) n-канальный

Компания IXYS разработала два семейства p-канальных MOSFET, перекрывающих диапазон напряжений от –50 до –600 В и диапазон токов I_D25 от –10 до –170 А. Таблица для выбора находится на сайте www.ixyspower.com. p-канальные Trench MOSFET в диапазоне от –50 до –150 В предлагают очень низкое сопротивление канала в открытом состоянии, низкий заряд затвора, быстрое переключение и быстрый встроенный диод. Планарные p-канальные MOSFET семейства Polar имеют превосходные динамические и статические характеристики в области напряжений от –100 до –600 В. Оба семейства доступны в лучших в отрасли изолированных корпусах семейства ISOPLUS.

 

Схемотехника драйверов управления в схеме верхнего ключа

В этом разделе рассмотрены различные техники управления полумостовыми схемами. Управление p-канальным MOSFET — более простое и менее затратное, если сравнивать его с n-канальным MOS-FET в схеме верхнего ключа [5].

Рис. 2. p-канальный драйвер в схеме PWM

На рис. 2 приведен пример схемы с p-канальным MOSFET в верхнем ключе. Эта схема управления более проста и экономически более эффективна, если сравнивать ее со схемами на рис. 5 и 7 для n-канальных MOSFET. В этой схеме Dz, Rz и Ch добавлены к стандартной схеме на

n-канальном MOSFET-тран-зисторе. Конденсатор Ch, который «удерживает» постоянное напряжение между верхней и нижней схемами управления, должен быть существенно больше, чем входная емкость p-канального MOSFET. Dz удерживает напряжение между затвором и истоком в диапазоне от минуса напряжения на диоде Зенне слишком мала, ток в цепи будет слишком высок, и он сможет повредить схему драйвера управления или Dz. Если емкость Ch будет слишком велика, p-канальный MOSFET будет включаться слишком медленно. Это будет происходить из-за медленного нарастания фронта на затворе транзистора и может привести к его повреждению. Rh3 и R12 регулируют скорость закрывания MOSFET. (Rh2+Rh3) и (R11+R12) определяют скорость включения транзистора. В большинстве применений требуется более низкая скорость открытия и более высокая скорость закрытия транзистора [4].

Рис. 3. Управление p-канальным и n-канальным MOSFET с помощью одного драйвера

Во многих случаях p-канальный и n-канальный MOSFET могут управляться одной микросхемой драйвера, как показано на рис. 3. Это наиболее экономичное решение и самый простой способ управления полумостовой схемой. Для исключения сквозных токов введена задержка dead time между включениями транзисторов, определяемая различием в скорости включения и выключения. Если эта задержка слишком мала, есть шанс высокого выделения тепла и повреждения транзисторов. Если задержка слишком велика, выходное напряжение мостовой схемы может упасть ниже допустимого уровня. В данной схеме в начале включения каждого из транзисторов напряжение на затворе недостаточно для полного включения MOSFET, и это приводит к дополнительным потерям мощности. Таким образом, данная схема не приспособлена для работы в режиме жестких переключений. Но для некоторых приложений с переключением на нулевом уровне напряжения (Zero Voltage Switching), когда MOSFET-транзистор включается в тот момент, когда другой MOS-FET работает в режиме диода, данная схема может быть экономически эффективна [4].

Рис. 4. Задержка dead time в схеме с одним драйвером

На рис. 5 показан пример управления n-канальным MOSFET с помощью импульсного трансформатора. Амплитуда управляющего импульса в этой схеме не чувствительна к изменению скважности импульсов, в отличие типовой схемы с импульсным трансформатором. Теоретически, скважность может быть любой. Но в реальной продукции наличие паразитных связей вносит ограничения на величину скважности. В момент подачи запирающего фронта импульса на затвор транзистор Qh разряжает емкость затвора. Rb является базовым сопротивлением для Qh. Малая емкость Cb используется для ускорения переключения Qh. (Rh2+Rh3) есть сопротивление затвора при включении, а Rh3 является сопротивлением затвора при выключении. Dz поддерживает напряжение между затвором и истоком в диапазоне от 0 до номинального напряжения диода Зенера.

Рис. 5. n-канальный MOSFET, управляемый через импульсный трансформатор

На рис. 6 представлен изолированный драйвер управления, который управляет и n-канальным, и p-канальным транзисторами при наличии одного импульсного трансформатора. n-канальный MOSFET использован в качестве верхнего ключа, в то время как p-канальный транзистор — нижнего ключа. Транзисторы применяются в схеме с общим истоком. Эта схема обеспечивает постоянное время задержки dead time, определяемое разницей времени между зарядом и разрядом входной емкости.

Рис. 6. Управление n-канальным и p-канальным MOSFET с помощью одного импульсного трансформатора

Поскольку импульсный трансформатор объемный и не обладает высокой надежностью, во многих схемах используются дорогостоящие изолированные драйверы с оптоизо-ляцией или с развязкой по току. Простейший метод обеспечения питания такой схемы — применение техники bootstrap, показанной на рис. 7. Пока транзистор M1 находится во включенном состоянии и напряжение на истоке M2 близко к 0, конденсатор Cb заряжается через диод Db и резистор Rb. В случае если напряжение «земли» верхнего драйвера опустится ниже референсного значения, схема драйвера может стать причиной отказа. Чтобы уменьшить такую возможность, добавляют резистор в цепь стока транзистора Mh.

Рис. 7. Управление схемой с n-канальными MOSFET с помощью специализированного драйвера

Данный метод используется преимущественно в автомобильных применениях, где вся нагрузка обычно подключается между ключом и общей «землей» на корпусе. Все ключи в автомобильных применениях располагаются в области положительного потенциала схемы. Для управления n-канальным MOSFET на очень низкой частоте импульсные трансформаторы или технику bootstrap применять невозможно. На рис. 8 показана схема, генерирующая напряжение на затворе выше входного напряжения цепи постоянного тока. Когда генератор прямоугольных импульсов устанавливает на выходе нулевое значение напряжения, диод Dc заряжает емкость накачки Cp. Когда выход генератора прямоугольных импульсов устанавливает положительное напряжение на уровне напряжения питания, диод Dd разряжает емкость Cp. Заряд передается на емкость Cd, которая является источником питания для схемы драйвера верхнего ключа.

Рис. 8. Низкочастотное управление n-канальным MOSFET с помощью «накачки» емкости

Как видно на рис. 9, p-канальные MOSFET требуют гораздо более простой схемы управления, нежели схема на рис. 8. В общем случае более простая схема является более надежной. Хотя p-канальные MOSFET имеют более высокое сопротивление канала в открытом состоянии и, как следствие, более высокую удельную стоимость, эта схема управления во многих случаях делает применение

p-канальных MOSFET более экономически выгодным [4].

Рис. 9. Низкочастотное управление p-канальным MOSFET-транзистором

 

Выбор p-канальных и n-канальных MOSFET

Невозможно создать p-канальный силовой MOSFET, который имел бы такие же электрические характеристики, как и n-канальный MOS-FET. Поскольку подвижность носителей заряда в n-канальном силовом MOSFET в 2,5–3 раза выше, то для обеспечения одного и того же сопротивления в открытом состоянии R_ds(on), размер кристалла p-канального MOSFET должен быть в 2,5–3 раза больше, по сравнению с

n-канальным транзистором. Вследствие большей площади кристалла p-канальные MOSFET-транзисторы имеют меньшее тепловое сопротивление и более высокие значения допустимого тока. Но их динамические характеристики (емкость, заряд затвора и др.) зависят от размера кристалла.

На низких частотах переключений, при которых доминируют потери проводимости, p-канальный MOSFET должен иметь тот же уровень номинального тока I_D25, что и n-канальный транзистор. Если два транзистора имеют одинаковый номинальный ток I_D25, нагрев их кристаллов будет практически одинаков при одинаковой температуре корпуса и одинаковом токе. В этом случае оптимальный размер кристалла p-канального MOSFET составит уже 1,5–1,8 от размера кристалла n-канального транзистора.

На высоких частотах переключения, где доминируют динамические потери, p-канальный MOSFET должен иметь ту же величину заряда затвора, что и n-канальный транзистор. Если два транзистора имеют одинаковый заряд затвора и управляются одинаково, их динамические потери близки. В этом случае p-канальный MOSFET имеет тот же размер кристалла, что и n-канальный, но его номинальный ток I_D25 может быть меньше, чем у n-канального.

Для работы в линейном режиме необходимо соответствие p-канального и n-канального транзистора по FBSOA (области безопасной работы) в реальном режиме. Это часто означает соответствие по номинальной рассеиваемой мощности I_D25, но, кроме того, нужно обращать внимание на физическую способность транзистора работать в линейном режиме.

В реальных приложениях необходимо тщательно выбирать p-канальный MOSFET-тран-зистор по номинальному току I_D25 или заряду затвора Qg. Приложений, в которых требуется одинаковое сопротивление в открытом состоянии R_ds(on), не так много.

 

Примеры применения

Может быть, аудиоусилители являются наиболее популярной областью применения p-канальных MOSFET-транзисторов. На рис. 10а n-канальный MOSFET применен в качестве верхнего ключа (HS), а p-канальный — в качестве нижнего (LS). Выход аудиоусилителя как бы является в данном случае схемой истокового повторителя. Если коэффициент усиления по напряжению данной схемы равен 1, схема устойчива. На рис. 10б использован транзистор Дарлингтона в комбинации p-n-p- и n-канального транзисторов, вместо p-канального MOSFET. MOSFET включен по схеме с общим истоком, которая имеет большой коэффициент усиления по напряжению и обратную связь, контролируемую p-n-p-транзистором. То есть эта схема может быть неустойчива. После компенсации частотный диапазон этой схемы не может быть достаточен для передачи аудиосигнала высокого качества.

Рис. 10. Выходной каскад на MOSFET для аудиоусилителя:
а) n-канальный и p-канальный;
б) оба n-канальные

 

Аудиоусилитель класса AB

На рис. 11 показана схема аудиоусилителя класса AB, который имеет комплементарный выход на MOSFET-транзисторах, дифференциальный вход и схему смещения выходного каскада. Данная схема предлагает улучшенные характеристики по сравнению с эквивалентной схемой на биполярных транзисторах, а также позволяет существенно упростить схему управления.

Рис. 11. Схема аудиоусилителя класса AB [6]

Входная цепь имеет дифференциальный компаратор на p-n-p-транзисторах, который получает сигнал через цепочку R1C1 и негативную обратную связь от выходного каскада на базу транзистора Q2 через резистор R6. Компаратор управляет транзистором Q4, который, в свою очередь, управляет выходным каскадом. Компоненты R6 и R5 определяют усиление в цепи обратной связи как β = R5/(R5+R6). R2 определяет ток смещения во входном каскаде, обычно порядка 2 мА. Элементы R4 и C3 создают фильтр, который обеспечивает дополнительное подавление выбросов в цепи питания.

Источник постоянного напряжения, выполненный на R7, R8, R9 и Q3, обеспечивает напряжение смещения V_b между затворами транзисторов Q5 и Q6. Конденсатор C5 удерживает заданную величину напряжения. Если напряжение база-эмиттер V_be на транзисторе Q3 составляет порядка 0,6 В, R9 ≈ 10 KОм, R7 ≈ 100 KОм, напряжение смещения V_b будет V_b≈10 × V_be≈6 В. Назначение этого напряжения — сместить напряжение на затворах Q5 и Q6, чтобы слегка приоткрыть их и обеспечить протекание тока покоя в выходном каскаде. Ток покоя снижает задержку при переходе напряжения в выходном каскаде через 0. Конденсаторы небольшой емкости C2 и C4 обеспечивают стабильность всей схемы.

Выходной каскад объединяет n— и p-канальные силовые MOSFET (Q5 и Q6), соединенные последовательно между терминалами положительного (+V_dd) и отрицательного напряжения (–V_dd). Стоки Q5 и Q6 соединены с выходными клеммами, к которым подключается нагрузка (громкоговоритель). Выходной каскад является, по сути, стоковым повторителем с коэффициентом усиления, очень близким к 1 (но чуть меньше 1), и выполняет функцию идеального источника напряжения. Его выходное напряжение практически нечувствительно к выходному току [6].

Оба транзистора MOSFET в схеме класса AB требуют наличия области безопасной работы FBSOA, поскольку работают в линейном режиме. Рассеиваемая мощность будет высока по той же причине.

Линейные регуляторы напряжения широко используются для обеспечения питания электронных устройств. Они имеют множество модификаций для различных приложений. Один из примеров применения показан на рис. 12. Резистивный делитель на R3 и R4 отслеживает изменение выходного напряжения и создает обратную связь по напряжению на положительный вход операционного усилителя U1. Инверсный вход операционного усилителя получает величину опорного напряжения с диода Зенера ZD1. Операционный усилитель обеспечивает напряжение управления на затворе p-канального MOSFET-транзистора Q1. Поскольку падение напряжения на MOSFET близко к 0, эта схема имеет широкий диапазон выходных напряжений.

Рис. 12. Линейный регулятор напряжения

Рассеиваемая мощность на транзисторе Q1 высока, поскольку она является функцией от разницы между входным и выходным напряжением и выходного тока. p-канальный MOS-FET-транзистор работает в линейном режиме и требует расширенной области безопасной работы FBSOA, которая присутствует в обоих семействах p-канальных MOSFET компании IXYS.

На рис. 13 показана схема зарядки и разрядки ячейки на литий-ионных (Li+) аккумуляторах. Один MOSFET используется для зарядки аккумуляторной батареи, а другой — для ее разрядки. Когда оба транзистора выключены, ячейка изолирована от окружающей среды и батарея защищена. В начале цикла зарядки может протекать постоянный ток, и MOS-FET будет работать в линейном режиме. Когда батарея достигнет определенного уровня напряжения, ток заряда должен быть снижен для достижения заданного уровня напряжения, и схема заряда должна начать работать при постоянном напряжении [7].

Рис. 13. Схема зарядки и защиты аккумуляторной батареи на p-канальном MOSFET [7]

На рис. 14 представлена типовая мостовая схема преобразователя с применением p-канальных MOSFET в верхнем ключе. Каждая фаза содержит один p-канальный и один n-канальный MOSFET. В режиме верхнего ключа p-канальный MOSFET может быть включен напряжением меньшего уровня, чем напряжение питающей шины верхнего ключа, поскольку он требует отрицательного напряжения затвор/исток V_gs. Важно, чтобы амплитуда этого напряжения была больше напряжения открытия транзистора V_{gs (th)}. Это исключает необходимость внешних цепей bootstrap или накачки емкости, что упрощает требования к DC/DC-конвертору [5].

Рис. 14. Мостовой преобразователь с P-канальными MOSFET в верхнем ключе [3]

Обе схемы зарядки аккумуляторной батареи и мостового преобразователя на рис. 13 и 14 являются примерами приложений, требующих низкого R_{ds (on)} и хороших переключательных характеристик, таких как низкий заряд затвора и низкая входная и выходная емкости.

Литература

1. Erickson R. W., Maksimovic D. Fundamental of Power Electronics. University of Colorado, Boulder, Colorado, Second Edition, 2001.
2. Dodge J. Reduced Circuit Zapping from Cosmic Radiation. Applications Engineering Manager, Power Products Group, Microsemi, September, 2007.
3. How p-Channel MOSFETs Can Simplify Your Circuit. AN-940, International Rectifier.
4. Mohan N., Undeland T. M., Robbins W. P. Power Electronics Converters, John Wiley & Sons, Second Edition.
5. p-Channel MOSFETs, the Best Choice for High-Side Switching. AN804, Vishay Siliconix, March 10, 1997. Linear Power Amplifier using Complementary HEXFETs. AN-948, International Rectifier.
6. A Discrete Approach to Battery Charging for Cellular Phones. AN817, Vishay, January, 2001.
7. Sattar A., Tsukanov V. Linear Power MOSFETs Basics and Applications. IXAN0068. IXYS Corporation.

Мосфет для мехмода: зачем нужен транзистор

Содержание статьи

К чему мосфеты для мехмода? В сети можно найти жуткие истории о том, как без этого приспособления устройство… взрывается, безвозвратно ломаясь и калеча своего владельца. Так ли это и с какой целью на самом деле нужен мосфет – попробуем разобраться в этой статье.

Немного о мехмодах

Мехмод – это, грубо говоря, разновидность боксмода. Для тех, кто не знает, что такое боксмод – это дополнение к электронной сигарете, в котором содержатся одна или несколько аккумуляторных батарей. Он нужен для интенсивного длительного парения без подзарядки.

Мехмод — наиболее простая форма боксмода. Чаще он изготавливается в виде трубки на одну батарейку с кнопкой для подачи напряжения на атомайзер. Никакой сложной электроники там нет.

В этом и заключается главный плюс мехмода: благодаря примитивности устройства его очень сложно сломать.

Кроме того, устройство не боится воды.

Благодаря мехмоду можно получить максимум мощности из аккумулятора. В то же время он не защищен от перегрузки, перегрева или короткого замыкания, поэтому нужно соблюдать осторожность. Собственно говоря, именно отсюда растут ноги у легенд про взрывы. С натяжкой, конечно, неприятные последствия можно назвать взрывом. На самом деле, при неправильном использовании может произойти короткое замыкание и перегореть атомайзер – что тоже, в общем-то, малоприятно. Поэтому мехмод в первую очередь рекомендуется использовать с дрипкой из-за, опять же, простоты ее конструкции.

Немного о мосфетах

Мосфет, а точнее – MOSFET, расшифровывается как Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor. Еще его называют моп-транзистор или полевой транзистор.

Состоит мосфет из диэлектрика, полупроводника и металла. У него четыре электрода: исток, сток, подложка и затвор.

Его отличительная особенность в том, что затвор изолирован от канала слоем диэлектрика. Чаще используется двуокись кремния.

Состоит из трех слоев:

1. Пластина, вырезанная из однородного кристалла кремния или из кремния с примесью германия.
2. Напыление очень тонкой прослойки диэлектрика (изолятора) из диоксида кремния или оксида металла (оксиды алюминия или циркония) толщиною от 1,2 нм до 10 нм.
3. Хорошо проводящий металл. Чаще всего для этой цели используют золото.

Для чего он используется? Обычно мосфет применяют:

• в качестве усилителя сигнала;
• в качестве выпрямителя;
• для понижения напряжения.

По сути, мосфет позволяет управлять протекающим через него электрическим током, и это качество делает возможным (и нужным) его применение в мехмодах. Также его сфера применения распространяется на компьютерную технику, некоторые бытовые приборы и даже рабочие электроинструменты.

Назначение мосфета в мехмоде

А теперь о том, зачем эту штуку устанавливают в мехмоды. В первую очередь, для безопасности. Если случится перегрузка или короткое замыкание, он прервет подачу напряжения, тем самым предотвратив беду – возгорание или тот самый пресловутый взрыв. Иногда в мехмодах с аналогичными целями устанавливаются защитные фьюзы.

Кроме того, он обеспечивает уменьшение потерь напряжения, то есть, фактически, увеличивает его и регулирует. Если без мосфета можно пользоваться намоткой спирали атомайзера с сопротивлением не более 2 Ом, то с ним можно без опаски применять и больше. Это позволяет получить много качественного, густого, насыщенного пара. Это еще одна важная причина, по которой многие вейперы предпочитают использовать моды с мосфетом. Поступление напряжения на атомайзер, а значит, и парообразование, происходит сразу же после замыкания цепи, без задержек.

Еще одна полезная функция, которую в состоянии обеспечить моп-транзистор при использовании в механическом моде, это продление срока жизни кнопок и контактов. Без него они рано или поздно выгорают, кнопка также сильно нагревается, что делает использование устройства некомфортным. Мосфет не дает им перегреваться и выгорать, а значит – продлевает срок бесперебойной работы всего мода.

Своими руками

Мехмод на мосфете можно и купить, конечно. Но поклонники вейпинга, всерьез увлекающиеся этим делом, разбирающиеся в устройстве приборов для курения и с руками из нужного места, предпочитают делать моды самостоятельно.

Итак, чтобы собрать механический мод с мосфетом, понадобятся:

• коннектор 510;
• кнопка;
• рамка для аккумуляторов;
• корпус;
• соединительные провода;
• мосфет;
• фольгированный текстолит;
• термоклей;
• аккумуляторы 18650;
• паяльник.

Корпус изделия может быть каким угодно, из любого материала – дерева, пластика, металла. Бюджетный, но в то же время недолговечный, да и не очень красивый вариант можно сделать из картона. Главное, чтобы подходил по размеру и был удобен в использовании, а как он будет выглядеть – дело вкуса и финансовых возможностей.

Какую выбрать кнопку, тоже зависит от личных предпочтений. Они бывают пластиковые, металлические, различного цвета, размера и формы. Главное – выбирать надежный вариант, который в состоянии выдержать условия эксплуатации.

Мосфет можно приобрести в любом магазине радиодеталей либо снять с ненужной материнской платы от компьютера.

Главное, заниматься сборкой этого (да и любого другого) устройства стоит, только если есть опыт и понимание электроники. В противном случае либо ничего не получится, либо, неправильно собранный прибор в процессе использования расплавится, загорится и может нанести тем самым вред владельцу и его имуществу.

Facebook

Twitter

Вконтакте

Одноклассники

Google+

Новые серии MOSFET от International Rectifier

20 ноября 2014

Мировой рынок полевых транзисторов (MOSFET) в 2013 году оценивался в 6 миллиардов долларов, что побуждает практически всех производителей на рынке электронных компонентов стараться откусить свой «кусок пирога». Компания International Rectifier является одним из самых крупных производителей электронных компонентов. По данным за 2013 год, доля IR на рынке MOSFET составила 10,3%, что ставит компанию на первое место в этом сегменте рынка.

Компания International Rectifier выпускает множество различных транзисторов для нескольких сегментов напряжения (рисунок 1).

Рис. 1. MOSFET производства IR с точки зрения напряжения и сегментов применения

Наиболее широка линейка N-канальных транзисторов, как наиболее распространенных и востребованных рынком. Низковольтные MOSFET, рассчитанные на напряжения до 30 В, массово используются в ноутбуках, планшетах, принтерах, персональных компьютерах, серверах, в электроинструменте с питанием от аккумуляторных батарей. Основные области применения MOSFET среднего напряжения (40…300 В) во многом пересекаются с низковольтными, но при повышенных уровнях мощности и напряжения на оборудовании. Для работы в разнообразной аппаратуре с питанием от сети переменного тока 110 В или 230 В в сетевых источниках электропитания, светотехнике, бытовой и промышленной технике используются MOSFET с допустимыми напряжениями от 500 В и выше.

Кроме того, IR выпускает P-канальные MOSFET с максимальным напряжением «сток-исток» до -150 В для применения в цепях защиты аккумуляторных батарей, подключения нагрузки к шине питания и так далее,.

В течение более чем полувековой истории производства MOSFET компания International Rectifier занимает лидирующие позиции в отрасли как в части совершенства и разнообразия применяемых технологий, так и по объему портфеля и техническим характеристикам выпускаемых MOSFET. Для того чтобы успешно выдерживать конкуренцию и в полной мере соответствовать требованиям потребителей, компания постоянно расширяет номенклатуру производимых MOSFET и улучшает их свойства.

Результатом такой стратегии в 2014 году явилось расширение нескольких линеек транзисторов, предназначенных для выполнения конкретного класса задач, определяемых основными техническими характеристиками транзисторов. Данные семейства представлены на рисунке 2.

Рис. 2. Основные направления совершенствования MOSFET International Rectifier в 2014 году

Семейство FastIRFET™

Активно развивается семейство MOSFET под торговой маркой FastIRFET™. В 2013 году были разработаны и выпущены на рынок одиночные и сдвоенные транзисторы на низкий (25 В) уровень напряжения, а в 2014 году семейство пополнилось представителями на 100 В. Продолжающиеся разработки направлены на расширение диапазона рабочих напряжений. В скором времени планируется выпустить транзисторы на 80 В и 150 В. Транзисторы данного семейства предназначены для применения в импульсных источниках питания постоянного тока и оптимизированы для достижения минимальных динамических потерь при работе в высокочастотных преобразователях напряжения. Для повышения общего КПД импульсного преобразователя сопротивление канала, а следовательно – и потери проводимости для данного семейства транзисторов также минимизируются. Это семейство рассматривалось нами в одном из предыдущих номеров журнала [1], поэтому в данной статье мы не будем рассматривать всех его представителей, а ограничимся новыми транзисторами 100 В. Их основные характеристики перечислены в таблице 1.

Таблица 1. Транзисторы семейства FastIRFET™ на 100 В

Наименование	Vdss, В	Корпус	Rds(on) тип./макс. при 10Vgs, мОм	Ток Id при 25°C, А	Заряд Qg тип./макс., нКл
IRFH7185TRPBF	100	PQFN 5×6	4,2/5,2	123	36/54
IRFH7188TRPBF			5,0/6,0	105	33/50
IRFH7191TRPBF			6,2/8,0	80	26/39
IRF7171MTRPBF		DFET MN	5,3/6,5	93	36/54

Семейство StrongIRFET™

Для задач промышленного применения, требующих достижения малых статических потерь, высокой надежности при жестких условиях эксплуатации и привлекательных конкурентоспособных цен, предназначено и активно развивается семейство StrongIRFET™. Это семейство также было создано в 2013 году. Изначально были выпущены транзисторы на максимальное напряжение 40 В. Коммерческий успех данного семейства и возрастающие потребности производителей промышленных (и не только) электронных систем подтвердили актуальность дальнейшего расширения диапазона рабочих напряжений. В результате инженерных усилий, предпринятых компанией IR, в уходящем году были выпущены полноценные семейства StrongIRFET™ 60 В и 75 В. Эти транзисторы по-прежнему отличает сверхнизкое сопротивление открытого канала и высокая стойкость ко внешним помехам и стрессовым электрическим воздействиям. Детальному рассмотрению этого семейства посвящена отдельная статья в этом же номере журнала.

Семейство DirectFET™

Основные характеристики транзистора (сопротивление канала, заряд затвора, паразитные индуктивность и емкость выводов и так далее) определяются не только параметрами кристалла транзистора, но и характеристиками корпуса. При этом учитываются «внешние» факторы корпуса – размеры, длина выводов и тому подобное – а также «внутренние» – способ и материалы разварки кристалла на выводы, расположение кристалла внутри корпуса и так далее. Именно поэтому, помимо исследований, направленных на улучшение технологий изготовления кристаллов транзисторов, оптимизирующих их характеристики, компания IR постоянно ведет исследовательские работы по улучшению технологий корпусирования MOSFET.

Вершиной эволюции технологии корпусирования транзисторов явилось появление в 2009…2010 годах нового семейства DirectFET™ [2, 3, 4]. Транзисторы этого семейства отличает высочайшая плотность рабочего тока, возможность применения двустороннего охлаждения корпуса, низкое тепловое сопротивление «кристалл-корпус» (рисунок 3), минимальные паразитные индуктивности и емкости выводов, миниатюрные размеры. Все эти качества сделали транзисторы DirectFET™ незаменимым компонентом мощных компактных промышленных систем управления двигателями и преобразователей напряжения.

Рис. 3. Тепловое сопротивление корпуса DirectFET™: а) пути отвода тепла; б) тепловое сопротивление

В 2014 году изменения коснулись транзисторов DirectFET™ в корпусах типа L-Can: параллельно с «историческими» транзисторами типа L2 появились новые MOSFET типа L1. Что же изменилось?

Технология DirectFET 2.0 (тип L2) была разработана в 2008 для автомобильного сегмента электроники. Дополнительный этап в производстве таких транзисторов позволил обеспечить успешное прохождение температурных тестов готового MOSFET в автоклаве, необходимое для соответствия автомобильному стандарту Q101. Группа L2 охватывает рабочие напряжения в диапазоне 40…200 В. В настоящее время IR проводит плавное изменение наименования таких транзисторов на аналогичные имена, содержащие префикс “AU”, что явно указывает на соответствие такого компонента требования стандарта Q101.

Новая технология DirectFET 1.5 (тип L1) использует измененный БОМ и изготавливается с выполнением меньшего числа технологических операций, Это позволило снизить стоимость производства подобных MOSFET по сравнению с технологией DirectFET 2.0, но лишило транзисторы типа L1 статуса автомобильных компонентов. Сейчас транзисторы типа L1 производятся на напряжения 40 В, 60 В и 100 В.

Представители обоих типов транзисторов и их основные характеристики представлены в таблице 2.

Таблица 2. Транзисторы DirectFET™ в корпусах L-Can

Высоковольтные планарные MOSFET

Одним из самых ожидаемых и важных событий рынка электронных компонентов 2014 года является возврат компанией International Rectifier своих прав на производство высоковольтных планарных транзисторов. В 2007 году эта технология (вместе с технологиями производства дискретных диодов и IGBT-модулей) была продана компании Vishay. 1 апреля 2014 г. договор в отношении высоковольтных MOSFET прекратил свое действие, и компания IR начала восстанавливать производство высоковольтных линеек, начав с «классических», ставших уже легендарными, моделей MOSFET на напряжение 500 В. Хотя в последние годы для изготовления высоковольтных MOSFET применяются конструктивно-технологические решения, основанные на технологии Superjunction, при возобновлении производства этих транзисторов специалисты International Rectifier решили сохранить их классическую планарную конструкцию.

Ее привлекательность заключается в отлаженности технологии производства и высокой надежности, подтвержденной многолетним, поистине огромным, опытом успешного применения этих MOSFET по всему миру. И по сей день планарные транзисторы успешно применяются в промышленных системах, подверженных постоянным электрическим стрессовым воздействиям, стойкость к которым у планарных решений значительно выше, чем у более поздних структур Superjunction и CoolMOS.

Высоковольтные транзисторы будут выпускаться как по полностью классической технологии (поколение 3.0), так и в модифицированном варианте, в котором учтены новые возможности оборудования (поколение 3.5), появившиеся за время, прошедшее после разработки оригинальных MOSFET 500 В. Улучшенная технология позволяет повысить электрическую прочность затвора (напряжение UЗИ макс увеличено с ±20 В до ±30 В) и дает приблизительно двукратный выигрыш по величине заряда, протекающего в цепи затвора при переключении MOSFET. Еще одним важным доводом в пользу планарных высоковольтных MOSFET по сравнению с Superjunction-транзисторами является простота технологических процессов и, соответственно, более выгодная цена. Для многих сегментов рынка в таких странах, как Китай, Индия, ЮАР, Россия критерий цены является одним из ключевых факторов выбора, работающим в пользу приборов планарной конструкции.

В таблице 3 представлены основные характеристики пятисотвольтовых моделей MOSFET, массовое производство которых International Rectifier планирует запустить в 2014…2015 годах.

Таблица 3. Основные параметры MOSFET 500 В производства компании IR

Наименование	Поколение	Корпус	Rds(on) макс. при Vgs=10 В, Ом	Id при 25°С, А	Vgs макс., В	Qg макс., нКл	Qrr тип., нКл	Начало поставок
								образцов	серийно
IRFP22N50APBF	3.5	TO-247AC	0,23	22	30	120	6100	4 квартал 2014	1 квартал 2015
IRFP460PBF	3.0	TO-247AC	0,27	20	20	210	5700	Уже	4 квартал 2014
IRFP460APBF	3.5	TO-247AC	0,27	20	30	105	5000	4 квартал 2014	1 квартал 2015
IRFP450PBF	3.0	TO-247AC	0,4	14	20	150	4800	Уже	4 квартал 2014
IRFPS37N50APBF	3.5	SUPER-247	0,13	36	30	180	8600	4 квартал 2014	1 квартал 2015
IRFB11N50APBF	3.5	TO-220AB	0,52	11	30	52	3400	4 квартал 2014	1 квартал 2015
IRF840PBF	3.0	TO-220AB	0,85	8	20	63	4200	Уже	4 квартал 2014
IRF840APBF	3.5	TO-220AB	0,85	8	30	38	2160	4 квартал 2014	1 квартал 2015
IRF830PBF	3.0	TO-220AB	1,5	4,5	20	38	1000	Уже	1 квартал 2015
IRF830APBF	3.5	TO-220AB	1,4	5	30	24	1620	4 квартал 2014	1 квартал 2015
IRF820PBF	3.0	TO-220AB	3	2,6	20	24	700	Уже	4 квартал 2014
IRFR420TRPBF	3.0	D-PAK	3	2,4	20	19	700	4 квартал 2014	1 квартал 2015

Основные области применения этих транзисторов:

• электронные балласты люминесцентных ламп;
• электронные корректоры коэффициента мощности;
• обратноходовые преобразователи в составе импульсных источников питания от сети переменного тока;
• системы электропривода;
• счетчики электроэнергии.

Заключение

Наиболее значимым событием 2014 года является возобновление после семилетнего перерыва массового производства высоковольтных транзисторов.

Сочетание традиционно высокого качества MOSFET, производимых компанией International Rectifier, широкого ассортимента продукции, привлекательных цен и постоянное совершенствование технологий производства делает IR одним из лидеров мирового рынка MOSFET.

Литература

1. Автушенко К., Попов А., Попов С. FastIRFETs и PowerBlocks – новые решения International Rectifier для высокоэффективных синхронных POL-преобразователей//Новости электроники №10/2013, с. 30…33.
2. Автушенко К. Дорогу молодым! – новые семейства силовых транзисторов от International Rectifier//Новости электроники №5/2013, с. 5…9.
3. Никитин А. Преимущества транзисторов в корпусах DirectFET//Новости электроники №7/2010, с. 25…28.
4. Автушенко К. Особенности монтажа силовых транзисторов IR в корпусах DirectFET//Компоненты и технологии №8/2013/ с. 113…116.

Получение технической информации, заказ образцов, заказ и доставка.

 

IRG7PK35UD1 – первый 1400 В IGBT от компании IR

Компания International Rectifier представила рынку свой первый IGBT 1400 В транзистор с рабочей частотой до 30 кГц, оптимизированный для систем с режимом мягкой коммутации силовых цепей.

Транзистор IRG7PK35UD1 объединяет в одном корпусе кристалл IGBT седьмого поколения, изготовленный по Trench-технологии на тонких пластинах и обладающий сверхнизким значением Vce(on), и кристалл быстрого диода со сверхнизким (1,2 В) прямым падением напряжения. Такая конструкция обеспечивает ультрабыстрое (с частотой до 30 кГц) переключение транзистора и сверхмалые значения потерь проводимости и коммутации, что позволяет достичь более высокого КПД системы.

Расширенный диапазон рабочего напряжения (1400 В) позволяет проектировать более мощные источники питания с параллельным резонансом и обеспечивает дополнительную защиту в приложениях с жесткими условиями эксплуатации. Транзистор обеспечивает рабочий ток до 40 А и способен выдерживать токовые импульсы амплитудой 200 А.

IRG7PK35UD1 расширяет семейство IGBT-транзисторов от IR®, предназначенных для работы в режиме мягкой коммутации, до 1400 В и увеличивает выходную мощность систем индукционного нагрева и резонансных источников питания.

 

IRAM630-1562F – 3-фазный мост с ККМ от IR в одном корпусе

Компания International Rectifier выпустила на рынок новый интеллектуальный модуль IRAM630-1562F, представляющий собой трехфазный инвертор, снабженный каскадом ККМ. Новый модуль упрощает разработку и уменьшает габариты систем электропривода бытовых и промышленных двигателей средней мощности. Модуль отлично подходит для использования в кондиционерах, вентиляционных и насосных системах, а также промышленных системах иного назначения.

Модуль IRAM630-1562F содержит в себе трехфазный мост, построенный с применением высокоэффективных IGBT и высоковольтного трехфазного драйвера, а также входной каскад корректора мощности (ККМ). Таким образом, модуль объединяет более 30 компонентов в одном компактном изолированном корпусе. Встроенные функции защиты от пониженного напряжения питания, контроля температуры и защиты по выходному току обеспечивают модулю высокий уровень надежности и защиты от сбоев в работе. Другие интегрированные функции, такие как встроенный диод вольтодобавки (для управления верхними ключами) и однополярное питание упрощают разработку конечного устройства и снижают его стоимость.

Силовой мост модуля IRAM630-1562F выполнен по схеме открытого эмиттера, что позволяет использовать внешний токовый шунт в каждой фазе и организовать сложное векторное управление двигателем без ограничений по топологии печатной платы. Система температурной защиты отключает модуль в случае перегрева, предотвращая тем самым его тепловое повреждение. Благодаря уменьшенной длине цепей связи, оптимизированной топологии модуля и его внутреннему экранированию, электромагнитное излучение модуля минимально. Максимальное рабочее напряжение модуля составляет 600 В, а ток может достигать 15 А, что позволяет спроектировать системы мощностью до 2 кВт.

•••

Наши информационные каналы

Топ 5 MOSFET транзисторов с минимальным сопротивлением сток-исток

Полевые транзисторы являются монополярными транзисторами. Ток, проходящий от стока к истоку, не пересекает P-N-переход, как в биполярном транзисторе. Из-за этого внутри него образуется внутреннее сопротивление, когда вы включаете его с помощью сигнала затвора. Сопротивление полевого транзистора является основной характеристикой транзистора. Чем оно ниже, тем меньше тепла выделяется в нем током, проходящим через него. Сопротивление при включении зависит от легирующего примеси в кремниевой матрице, размера металло-свинцового корпуса и размера соединительных проводов, которые производитель использует для соединения матрицы с контактами.

Физически большой кубик будет иметь более низкое сопротивление при прочих равных условиях. Номинал пробоя транзистора прямо пропорционален сопротивлению. Сопротивление в несколько миллиомов гораздо чаще встречается для устройств низкого напряжения, чем для устройств с напряжением пробоя 150 В. Напряжение 1000 В будет иметь сопротивление включения 10 Ом.

Из-за более медленной подвижности дырок по сравнению с электронами полевые транзисторы с P-каналом будут иметь более высокое сопротивление по сравнению с N-канальными типами. Напряжение затвора является еще одним фактором, который следует учитывать. Управление клеммой затвора с напряжением 10 В даст меньшее сопротивление при включении, чем напряжение 5 В. Если вы управляете транзисторной логикой, вы должны внимательно изучить параметры транзистора, чтобы узнать его сопротивление при определенном напряжении затвора.

Одно из преимуществ резистивной природы полевых MOSFET-транзисторов заключается в том, что вы можете распараллеливать их, чтобы уменьшить общее сопротивление цепи. Биполярные транзисторы «имеют тенденцию» брать немного больше тока, что заставляет их нагреваться больше и, таким образом, потреблять еще больше тока. Хотя параллельное включение полевых транзисторов задача не сверх тяжелая, необходимо убедиться, что дорожки на печатной плате, подводящие питание к затворам, имеют одинаковую длину и полное сопротивление, чтобы несколько транзисторов включались и выключались одновременно, без временных задержек. Размещение небольшого последовательного резистора на каждой дорожке платы затвора может помочь ослабить колебания тока за счет более медленного переключения.

Для получения выборки из пяти полевых транзисторов с низким сопротивлением, мы сосредоточились на одном пакете, DPAK, также называемом TO-252 или SC-63. Это хороший транзистор среднего размера, который может управлять токами до 100 А, но при этом достаточно мал, чтобы его можно было использовать в компактных конструкциях. DPAK также имеет гораздо лучшую номинальную мощность, чем пакеты TO-92 или SOT-23, но вдвое меньше пакета T0-220. Вот пять полевых транзисторов в пакете DPAK с низким сопротивлением включения, иногда называемые RDS (включено) (сопротивление от стока до источника включено):

1. IPD100N04S402ATMA1 от Infineon имеет RDS (сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии) 2 мОм с напряжением пробоя 40 В. Напряжение управления затвором 10 В.
2. TK55S10N1, LQ от Toshiba имеет RDS 6,5 мОм с напряжением пробоя 100 В. Напряжение управления затвором 10 В.
3. FDD86250-F085 от ON Semiconductor имеет RDS 22 мОм с напряжением пробоя 150 В. Напряжение управления затвором 10 В.
4. AOD424 от Alpha и Omega Semiconductor имеет RDS 5,7 мОм с напряжением пробоя 20 В. Напряжение управления затвором 2,5 В.
5. P-канал SQD50P03-07_GE3 от Vishay Siliconix имеет RDS 7 мОм с напряжением пробоя 30 В. Напряжение управления затвором 10 В.

Если вам нужно контролировать большой ток с малыми потерями мощности в вашей электрической схеме, обратите внимание на приведенные выше транзисторы.

2. Металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор (MOSFET)

Металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор (MOSFET)

Металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор (МОП-транзистор) представляет собой четырехконтактное устройство. Терминалы являются источник (S), ворота (G) и сток (D), подложка or тело образует четвертый терминал. МОП-транзистор выполнен с затвором, изолированным от канала диэлектриком диоксида кремния. МОП-транзисторы могут быть истощение or режим улучшения, Мы определим эти два термина в ближайшее время.

Рисунок 1 — истощение n-канального МОП-транзистора

МОП-транзисторы иногда называют IGFET (полевые транзисторы с изолированным затвором) из-за SiO₂ слой используется в качестве изолятора между затвором и подложкой. Мы начинаем наш анализ с MOSFET в режиме обеднения. Так же, как BJT могут быть NPN or PNPМОП-транзисторы могут быть n-канал (NMOS) или p-канал (PMOS). Рисунок 1 иллюстрирует физическую структуру и символ для nистощение каналов МОП-транзистор. Обратите внимание, что подложка подключена к терминалу источника. Это почти всегда будет так.

Истощение МОП-транзистор построен с физический канал вставлен между стоком и истоком. В результате, когда напряжение, v_DS, применяется между стоком и источником тока, i_D, существует между стоком и истоком, хотя клемма G затвора остается не подключенной (v_GS= 0 V).

Строительство nистощение канала начинается с pлегированный кремний. nлегированные истоковые и сливные скважины образуют низкоомные соединения между концами n-канал, как показано на рисунке 1. Тонкий слой диоксида кремния осаждается, покрывая область между истоком и стоком. SiO₂ это изолятор. Алюминиевый слой наносится на изолятор из диоксида кремния, чтобы сформировать клемму затвора. В эксплуатации отрицательный v_GS выталкивает электроны из области канала, тем самым истощая канал. когда v_GS достигает определенного напряжения, V_Tканал ущипнул, Положительные значения v_GS увеличить размер канала, что приведет к увеличению тока утечки. Истощение МОП-транзистора может работать с положительными или отрицательными значениями v_GS, Поскольку затвор изолирован от канала, ток затвора пренебрежимо мал (порядка 10^-12 А).

Рисунок 2 — истощение p-канала MOSFET

Рисунок 2 сопоставим с рисунком 1, за исключением того, что мы изменили nМОП-транзистор pистощение каналов МОП-транзистор.

Освободи Себя n-канальное расширение MOSFET показано на рисунке 3 вместе с символом схемы. Это наиболее часто используемая форма полевого транзистора.

Рисунок 3 — n-канальное расширение MOSFET

Освободи Себя nМОП-транзистор с улучшенным каналом отличается от МОП-транзистора с истощением отсутствием тонкого n-слой. Для установления канала требуется положительное напряжение между затвором и источником. Этот канал формируется действием положительного напряжения затвор-источник, v_GS, который притягивает электроны из области подложки между nлегированный сток и исток. положительный v_GS заставляет электроны накапливаться на поверхности под оксидным слоем. Когда напряжение достигает порога, V_Tдостаточное количество электронов притягивается к этой области, чтобы она действовала как проводящая nканальное. Нет заметного тока утечки, i_D существует до v_GS превышает V_T.

Рисунок 4 сопоставим с рисунком 3, за исключением того, что мы изменили nМОП-транзистор p-канальное улучшение MOSFET.

Рисунок 4 — p-канал улучшения MOSFET

Таким образом, семейство MOSFET демонстрирует i_D в сравнении с v_GS Кривые показаны на рисунке 5. Каждая характеристическая кривая разработана с достаточным напряжением сток-исток v_DS  поддерживать устройство в нормальном рабочем районе i_D в сравнении с v_DS кривые. Обсуждение в последующих разделах будет определять пороговое напряжение V_T как для полевых МОП-транзисторов, так и для полевых МОП-транзисторов.

Рисунок 5 —  i_D в сравнении с v_GSхарактеристики семейства MOSFET для достаточного напряжения источника стока V_DS

Характеристики терминала MOSFET в расширенном режиме 2.1

Теперь, когда мы представили базовую структуру и основу для работы полевого МОП-транзистора, мы используем подход, чтобы исследовать поведение терминала устройства расширенного режима. Давайте сначала сделаем некоторые общие наблюдения из рисунка 1. Думайте о нормальном течении тока в MOSFET, как о протекании от стока к истоку (как и в BJT, это происходит между коллектором и эмиттером). Как и в случае с NPN BJT, два спина к спине существуют между стоком и истоком. Поэтому мы должны приложить внешние напряжения к затвору, чтобы ток мог течь между стоком и истоком.

Если мы заземлим источник и подадим положительное напряжение на затвор, это напряжение будет напряжением затвора-истока. Положительное напряжение на затворе притягивает электроны и отталкивает дырки. Когда напряжение превышает порог (V_T), достаточно электронов притягивается, чтобы образовать проводящий канал между стоком и истоком. В этот момент транзистор включается, и ток является функцией обоих v_GS и v_DS, Должно быть ясно, что V_T положительное число для n-канальное устройство и отрицательное число для pустройство

После создания канала (т. Е. v_GS >V_T), ток может происходить в этом канале между стоком и истоком. Этот ток зависит от v_DS, но это также зависит от v_GS. Когда v_GS едва превышает пороговое напряжение, может течь очень маленький ток. Как v_GS увеличивается за порог, канал содержит больше несущих и возможны более высокие токи. На рисунке 6 показана взаимосвязь между i_D и v_DS в котором v_GS это параметр. Обратите внимание, что для v_GS меньше порога, ток не течет. Для высшего v_GS, отношение между i_D и v_DS является приблизительно линейным, указывая, что MOSFET ведет себя как резистор, сопротивление которого зависит от v_GS.

Рисунок 6 —i_Dв сравнении с v_DS для расширенного режима nканал МОП-транзистор, когда v_DS маленький

Кривые рисунка 6 выглядят как прямые линии. Тем не менее, они не будут продолжаться как прямые линии, когда v_DS становится больше. Напомним, что положительное напряжение затвора используется для создания канала проводимости. Это происходит путем привлечения электронов. Положительное напряжение стока делает то же самое. Когда мы приближаемся к концу стока, напряжение, создающее канал, приближается v_GS–v_DS так как два источника противостоят друг другу. Когда эта разница меньше V_Tканал больше не существует для всего пространства между истоком и стоком. Канал ограничен на конце утечки, и в дальнейшем увеличивается v_DS не приводит к увеличению i_D, Это называется нормальным рабочим регионом или насыщение область показана на рисунке 7 горизонтальным разрезом характеристических кривых. Когда разница больше чем V_Tмы называем это триод режим, потому что потенциалы на всех трех клеммах сильно влияют на ток.

Предыдущее обсуждение приводит к рабочим кривым на рисунке 7.

Рисунок 7 —i_D в сравнении с v_GS для MOSFET в улучшенном режиме

Переход между триодом и нормальной рабочей областью (называемой областью насыщения и часто идентифицируемой как операция в режиме пинч-офф) операции показан пунктирной линией на рисунке 7, где

(1)

На границе области триода колени кривых приблизительно следуют соотношению,

(2)
В уравнении (2) K является константой для данного устройства. Его стоимость зависит от габаритов устройства и материалов, из которых он изготовлен. Константа определяется как

(3)
В этом уравнении μ_n подвижность электронов; C_окисьоксидная емкость — это емкость на единицу площади затвора; W ширина ворот; L это длина ворот. Уравнение указывает на сложную и нелинейную связь между i_D и два напряжения, v_DS и v_GS, Поскольку мы хотели бы, чтобы ток стока изменялся примерно линейно с v_GS (независим от v_DS), FET обычно не используется в области триода.

Теперь мы хотим найти уравнение для рабочих кривых в области насыщения. Мы можем установить значения на переходе между триодом и областью насыщения, оценив уравнение (2) на переходе (колено). То есть,

(4)
Это уравнение устанавливает величину тока стока на границе (пунктирная линия на рисунке 8) как функцию напряжения затвор-исток v_GS, При необходимости мы можем учесть небольшой наклон характеристических кривых в области насыщения, добавив линейный коэффициент.

(5)
В уравнении (5), λ является небольшой константой (наклон почти горизонтального участка характеристических кривых, показанных на рисунке 8). Обычно это меньше, чем 0.001 (V^-1). затем

(6)

Все наше предыдущее обсуждение касалось NMOS-транзистора. Теперь мы кратко обсудим необходимые модификации для PMOS. Для PMOS значения v_DS будет отрицательным. Кроме того, чтобы создать канал в PMOS, .

Рисунок 8 — Клеммные характеристики МОП-транзистора

Единственное отличие от характеристик транзисторов NMOS (рисунок 7) состоит в том, что горизонтальная ось теперь равна -v._DS вместо + v_DS, и параметрические кривые представляют более высокий ток стока при уменьшении напряжения на затворе (вместо увеличения для транзистора NMOS). Кривые для увеличения значений тока соответствуют более отрицательному напряжению затвора. когда v_GS > V_TТранзистор отключен. Для улучшения PMOS, V_T отрицательно, и для истощения PMOS, V_T положительно.

Уравнение для тока на переходе триодной области для транзистора PMOS идентично уравнению NMOS. То есть,

(7)
Обратите внимание, что v_GS и v_DS оба отрицательные величины. Уравнение для области насыщения в транзисторе PMOS также идентично уравнению NMOS. То есть,

(8)

Обратите внимание, что λ отрицательно для транзисторов PMOS, так как скорость изменения кривой () отрицательно.

Взяв частную производную обеих сторон уравнения (6) по v_GS, , мы получаем

(9)
Мы предпочитаем ценность g_m быть постоянным, особенно при больших колебаниях сигнала. Тем не менее, мы можем приблизиться к этому условию, только если мы используем FET для приложений с малым сигналом. Для больших условий сигнала искажение формы сигнала может быть неприемлемым в некоторых приложениях.

2.2 МОП-транзистор в режиме истощения

В предыдущем разделе речь шла о MOSFET в расширенном режиме. Теперь мы сопоставим это с МОП-транзистором в режиме обеднения. Для n— Режим улучшения канала, чтобы получить канал, мы должны были подать положительное напряжение на затвор. Это напряжение должно было быть достаточно большим, чтобы заставить достаточное количество подвижных электронов генерировать ток в индуцированном канале.

Рисунок 9 — Режим истощения n-канального МОП-транзистора

В n-канальный МОП-транзистор в режиме истощения, нам не нужно это положительное напряжение, так как у нас есть физически имплантированный канал. Это позволяет нам иметь ток между выводами стока и истока даже при отрицательном напряжении, приложенном к затвору. Конечно, существует ограничение на величину отрицательного напряжения, которое может быть приложено к затвору, при этом ток между стоком и истоком все еще протекает. Этот предел снова определяется как пороговое напряжение, V_T. Отличие от режима улучшения состоит в том, что напряжение затвор-исток теперь может быть отрицательным или положительным, как показано на рисунке 9.

Уравнения, которые определяют работу МОП-транзистора в режиме обеднения, очень похожи на уравнения в режиме улучшения. Значение тока стока при v_GS ноль идентифицируется как I_DSS, Это часто называют ток насыщения сток-исток, или ноль — ток стока затвора, Сравнивая уравнения полевого МОП-транзистора с уравнениями в режиме обеднения, находим

(10)

Затем мы находим,

(11)

МОП-транзисторы в режиме истощения доступны в дискретной форме или могут быть изготовлены на микросхемах интегральных микросхем наряду с типами режимов расширения. Это включает в себя как pтип и n-тип. Это обеспечивает большую гибкость в методах проектирования схем.

2.3 Эквивалентная схема с большим сигналом

Теперь мы хотим разработать эквивалентную схему, которая представляет характеристики большого сигнала на рисунке 8 [Уравнение (5) или (8)] в области насыщения. Обратите внимание, что ток утечки, i_D, зависит от v_GS и v_DS. Для постоянного напряжения затвор-исток мы действуем по одной из параметрических кривых на рисунке, и соотношение является приблизительно прямой линией. Прямолинейная зависимость между током и напряжением моделируется резистором. Таким образом, эквивалентная схема состоит из резистора, подключенного параллельно источнику тока, где значение источника тока определяет часть тока стока, обусловленную v_GS, Наклон кривой зависит от v_GS, Наклон является частной производной,

(12)

в котором r₀ это инкрементное выходное сопротивление. Из уравнения [(5) или (8)] видно, что это сопротивление

(13)

где мы используем верхний регистр V_GS чтобы указать, что сопротивление определено для определенного постоянного значения напряжения затвора к источнику. Окончательное приближение в уравнении (13) получается из уравнения (5) с предположением, что λ маленький. Следовательно, сопротивление обратно пропорционально току смещения, I_D, Модель, эквивалентная большому сигналу, представлена ​​на рисунке 11, где r₀ как разработано в уравнении (13).

Рисунок 11 — Эквивалентная схема с большим сигналом

2.4 Малосигнальная модель МОП-транзистора

Теперь мы хотим взглянуть на дополнительные эффекты, связанные с уравнением. Три параметра схемы в этом уравнении, i_D, v_GS и v_DS состоят из обоих dc (предвзятость) и ac компоненты (именно поэтому мы использовали прописные буквы в выражениях). Мы заинтересованы в ac компоненты для слабосигнальной модели. Мы видим, что ток стока зависит от двух напряжений: затвор-исток и сток-исток. Для дополнительных значений мы можем записать это соотношение как

(14)
В уравнении (14), g_m is прямая трансдуктивность и r₀ это выходное сопротивление. Их значения находятся путем взятия частных производных в уравнении (5). Таким образом,

(15)
Аппроксимация в уравнении (15) является результатом наблюдения, что λ если маленький. Уравнение (14) приводит к модели слабого сигнала на рисунке 12.

Рисунок 12 — Модель MOSFET со слабым сигналом

 

ПРЕДЫДУЩАЯ — 1. Преимущества и недостатки полевых транзисторовСЛЕДУЮЩАЯ — 3. Соединительный полевой транзистор (JFET)

Высоковольтные MOSFET-транзисторы STMicroelectronics — PT Electronics

По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к нашим специалистам департамента Активных компонентов.

---

 

Преимущество технологии ST

Наименование	Технология	Применение
MDmesh тм
STxNyM5	MDmesh M5 для наилучшей эффективности на 650 В (самое низкое R_dson в мире)	Источники питания SMPS высокого класса, UPS, продвинутое уличное освещение
STxNMyN STxNyM2	MDmesh M2 для наилучшего соотношения производительность/цена 500/600 В. Новые компоненты в семействе MDmesh II Plus с низким Qg	PFC в HID освещении, LED, промышленные SMPS
STxNyDM2	MDmesh DM2 (MDmesh со встроенным ультрабыстрым диодом)	Мостовые топологии в освещении, сварочное оборудование, электропривод, серверные SMPS
STxNyK5	“K5“ Высоковольтная технология 800…1200 В (самое низкое R_dson в мире в этом диапазоне)	Освещение, 3-фазные источники питания, счетчики, повышающие преобразователи для солнечных панелей
SuperMESHТМ
STxNyK3	“K3“ планарная высоковольтная технология ST – мировой лидер в стандартных высоковольтных MOSFET	Освещение, SMPS, электропривод
Корпус
STLxNy	Power FLAT 8x8HV, 5x6HV, 5×6 VHV & 3.3×3.3	PV-инверторы, телеком, освещение

 

Номенклатура семейства MDMESH™ M2

Наименование	Max RDS (Ω)	Max ID(A)	Qg (нКл)	Корпус
BVDSS 600 В
STx9N60M2	0,780/0,860*	5,5	8	IPAK/DPAK/TO-220/TO-220FP/I2 PAKFP/PowerFLAT 5×6 HVSTx10N60M2
STx10N60M2	0,600/0,66*	8	10	IPAK/DPAK/D2PAK/TO-220/TO-220FP/I2PAKFP/PowerFLAT 5×6 HV
STx13N60M2	0,380/0,420*	11	16	IPAK/DPAK/D2PAK/TO-247/TO-220/ TO-220FP/I2PAKFP/PowerFLAT 5×6 HV
STx18N60M2	0,280/0,308*	13	21	TO-220/FP/TO-247/D2PAK/PowerFLAT 5×6 HV
STx24N60M2	0,190/ 0,210*	18	29	TO-220/FP/D2PAK/I2 PAKFP/I2PAK/TO-247/PowerFLAT 8×8 HV
STx28N60M2	0,150	24	39	TO-220/TO-220FP/TO-220FPNL/I2PAKFP/D2 PAK/TO-247
STx33N60M2	0,125/0,135*	26	45	TO-220/FP/TO-247/D2 PAK/PowerFLAT 8×8 HV
STx40N60M2	0,088	34	75	TO-220/FP/D2PAK/I2PAKFP/TO-247/TO-3PF
STW70N60M2	0,040	68	130	TO-247

* Значение для корпуса PowerFLAT

 

Номенклатура P-канальных MOSFET серии F6​

Наименование​

BV[В]

RDS [мОм] макс.

Qg [нКл] 4,5 В​

Корпус

@10 В

@4,5 В

@2,5 В

@1,8 В

ТO-220

DPAK

5х6

5×6 D.I.

SO-8

SOT-223

3,3×3,3

SO-8 D.I.

SOT 23-6L

SOT 23

2×2

P-канальная серия STripFET F6

STL13DP10F6

-100

180

17 @ 10 В

✔

STD10P10F6

180

✔

STL42P6LLF6

-60

26

34

30

✔

STD35P6LLF6

28

36

✔

STL12P6F6

160

6,4 @10 В

✔

STx10P6F6

✔

✔

STx3P6F6

✔

✔

STL60P4LLF6

-40

14

19

30

✔

STD46P4LLF6

15

20

✔

STS10P4LLF6

✔

STL42P4LLF6

18

26

22

✔

STD36P4LLF6

20,5

29

✔

STL8P4LLF6

✔

STS7P4LLF6

✔

P-канальная серия STripFET H6

STL62P3LLH6

-30

10,5

16

33

✔

STD52P3LLH6

12

17

✔

STS10P3LLH6

✔

STL45P3LLH6

13

19,5

24

✔

STD40P3LLH6

15

22,5

✔

STx9P3LLH6

✔

✔

STL30P3LLH6

30

50

12

✔

STD26P3LLH6

✔

STx6P3LLH6

✔

✔

STS8C6HLL

✔

STx5P3LLH6

56

90

6

✔

✔

STx4P3LLH6

✔

✔

STR2P3LLH6

✔

P-канальная серия STripFET H7

STx9P2UH7

-20

25

43

22

✔

✔

STL8P2UH7

✔

STT7P2UH7

✔

STL4P2UH7

130

180

4,8

✔

STT3P2UH7

✔

STR1P2UH7

✔

Выбор полевого MOSFET транзистора для стола и экструдера — мануал по важным аспектам даташитов

Вместо твердотельного реле для управления питанием нагрева стола или экструдера альтернативным решением является использование полевых (MOSFET) транзисторов. Но какой из всего многообразия моделей и скудности ассортимента ближайшего магазина радиотоваров выбрать? Заказать на Али и ждать месяц? Или бегать по городу и искать ‘тот самый, как в инструкции’? Давайте попробуем разобраться.

Сразу предупрежу — в радиотехнике и электронике я слабоват, так что если есть люди более компетентные с достаточным занием, то оставляйте коментарии, попробую дополнить. Все что здесь будет изложено — лишь перевод англоязычного источника.

Очевидно, что для выбора понадобится учесть параметры нагрузки — это напряжение и сила тока. Для 40 Ваттного нагревательного картриджа экструдера работающего от 12 В это примерно 3,33 А и при 24 В — 1,7 А. Для 150 Ваттного стола Prusa это будет 12,5 А при 12 В и 6,25 А при 24 В.

В огромных таблицах даташитов на полевые транзисторы обычно очень много разных значений, но самые важные вынесены на первую страницу документа справа.

Вот к примеру страница производителя International Rectifier со ссылками на даташиты своей продукции.2 = 0,0158 Ω * 156,25 A = 2,47 Ватт

Теперь посмотрим на другой параметр Rθja — тепловое сопротивление Junction-to-Ambient. Оно измеряется в Градусах Цельсия на Ватт. Находим этот параметр в нашем даташите:

В случае SMD корпуса D2 (для модели IRFS3806PBF) это значение было бы 40 ℃/Вт, но для TO-220 (IRFB3806PBF) это значение будет 62 ℃/Вт.

Теперь умножим мощность, которую необходимо рассеять на найденное значение:

2,47 Ватт * 62 ℃/Ватт = 153,14 ℃

Ого, уже выглядит не очень. Но и это не всё. Т.к. Junction-to-Ambient намекает нам на то, что мы имеем дело с окружающей средой, то было бы опрометчиво не добавить температуру окружающей транзистор среды — пусть будет 25℃. И в итоге получим температуру, до которой нагреется корпус нашего транзистора — нехилых 178,14℃!

Не то чтобы обеспечить достаточное охлаждение в таком случае совершенно невозможно, но в домашних условиях пытаться это сделать будет проблематично. Лучше подыскать что-то более подходящее.2 = 0.0017 Ω * 156.25 A = 0,266 Вт

И тогда температура корпуса транзистора будет:

0,266 Вт * 62 ℃/Ватт + 25 = 41,5 ℃

Вот это дело! Температура поднимется всего 41,5 ℃ при максимальных нагрузках, а при нормальных будет и того меньше — смотрим Rdss(on) typ. и получим 38,5 ℃. Отличный вариант! Именно этот транзистор был указан в мануале для сборки Ultimaker от Plastmaska.

Может быть америку тут не открыл, но надеюсь, эти две нехитрые формулы помогут вам выбрать подходящий полевой транзистор. Ну и не забываем, что у всех всё разное, без пересчёта под свои значения брать MOSFET из статьи не стоит.

МОП-транзисторов | МОП-транзистор | Power MOSFET Switch

Металлооксидные транзисторы (MOSFET) — один из самых популярных и распространенных типов транзисторов, используемых в современной электронике. В современных процессорах и интегральных схемах они часто исчисляются миллиардами. МОП-транзисторы можно отнести к категории переключателей, управляемых напряжением. Их также можно использовать для выполнения логических операций и создания усилителей. Они являются основным строительным блоком, используемым для создания некоторых из самых мощных компьютеров, машин для обработки данных и вычислительных машин, когда-либо созданных.МОП-транзисторы популярны, потому что они относительно дешевы в массовом производстве на кремниевых (Si) пластинах.
МОП-транзисторы состоят из металлического затвора, расположенного поверх изолятора, известного как оксид. Диоксид кремния или SiO2 был обычным оксидом, используемым в предыдущих технологических процессах. МОП-транзисторы также имеют две ячейки n-типа, которые содержат легированный материал n-типа, залитый в кремниевую подложку p-типа. Существуют также полевые МОП-транзисторы p-типа, у которых тип лунки и подложка полярно противоположны, чем у полевых МОП-транзисторов n-типа.Длина, известная как длина канала, которая является ключевым параметром в полевых МОП-транзисторах, физически разделяет две лунки n-типа. Две скважины называются стоком и истоком. На этом расстоянии между двумя n-ямами возникает электрическое поле, когда напряжение прикладывается к металлическому затвору. Как только напряжение подается на затвор, формируется электрическое поле, которое создает инверсию, так что на металлическом затворе появляется положительный заряд, а отрицательный заряд выстраивается вдоль канала. Как только эта инверсия создается электрическим полем и отрицательные заряды накапливаются по длине канала, создается канал проводимости, и теперь ток или электроны могут течь от стока к источнику.В этом состоянии транзистор включен, как переключатель, позволяя течь току, который ранее не позволял току течь. Вот почему полевые МОП-транзисторы считаются переключателем, управляемым напряжением. Текущий ток называется Ids. Как только напряжение, известное как Vgs, будет снято с затвора, канал закроется, ток не будет проводиться, и транзистор выключится. Полевые МОП-транзисторы
не ведут себя как идеально линейные устройства и имеют разные рабочие состояния. В зависимости от использования и применения разные состояния могут быть желательными или нежелательными.Обычное состояние называется насыщением, когда, независимо от приложения большего напряжения к затвору, устройство больше не будет проводить ток. Подробнее Читать меньше

1960: Показан металлооксидно-полупроводниковый (МОП) транзистор | Кремниевый двигатель

В 1959 году MM (Джон) Аталла и Давон Канг из Bell Labs создали первый успешный полевой транзистор с изолированным затвором (FET), который долгое время ждали Лилиенфельд, Хейл, Шокли и другие (1926 Milestone), преодолев » поверхностные состояния », блокирующие проникновение электрических полей в полупроводниковый материал.Изучая термически выращенные слои диоксида кремния, они обнаружили, что эти состояния могут быть заметно уменьшены на границе раздела между кремнием и его оксидом в сэндвиче, состоящем из слоев металла (M — затвор), оксида (O — изоляция) и кремния (S — полупроводник) — отсюда и название MOSFET, широко известный как MOS. Поскольку их устройство было медленным и не удовлетворяло насущным потребностям телефонной системы, дальнейшее его развитие не проводилось. Однако в меморандуме 1961 года Канг указал на его потенциальную «простоту изготовления и возможность применения в интегральных схемах.«Но исследователи из Fairchild и RCA признали эти преимущества. В 1960 году Карл Зайнингер и Чарльз Меллер изготовили МОП-транзистор в RCA, а CT Sah из Fairchild построили тетрод с МОП-управлением. В 1962 году Фред Хейман и Стивен Хофштейн разработали экспериментальный 16- транзисторное интегрированное устройство на RCA.

Проводящая область МОП-транзистора изготовлена ​​из материала p-типа (что делает его устройством « p-канал ») или n-типа (устройство « n-канал »).Последние быстрее, чем p-канал, но их сложнее сделать. MOS-устройства поступили на коммерческий рынок в 1964 году. General Microelectronics (GME 1004) и Fairchild (FI 100) предложили p-канальные устройства для логических и коммутационных приложений; RCA представила n-канальный транзистор (3N98) для усиления сигналов. Из-за их меньшего размера и более низкого энергопотребления, чем биполярные устройства, более 99 процентов микрочипов, производимых сегодня, используют МОП-транзисторы. Для достижения такой повсеместности потребовались десятилетия усилий.(Веха 1964 года)

• Канг, Давон, «Полупроводниковое устройство с управляемым электрическим полем», Патент США №3,102,230 (подана 31 мая 1960 г., выдана 27 августа 1963 г.).
• Канг, Давон. «Поверхностные устройства, индуцируемые полем из диоксида кремния и диоксида кремния», — технический меморандум, выпущенный Bell Labs (16 января 1961 г.), перепечатанный в Sze, S.M. Полупроводниковые приборы: новаторские статьи .(Сингапур: World Scientific Publishing Co., 1991) стр. 583-596.
• Sah, C. T., «Новый полупроводниковый триод, транзистор с управляемым поверхностным потенциалом», Proceedings of the IRE , Vol. 49, № 11 (ноябрь 1961 г.), стр. 1623–1634.
• Хофштейн, С. Р. и Хейман, Ф. П., «Полевой транзистор с кремниевым изолированным затвором», Протоколы IEEE , Vol. 51 (сентябрь 1963 г.), стр. 1190-1202.

• Аталла, м.М. и др., «Стабилизация поверхности кремния термически выращенными оксидами», Bell System Technical Journal , Vol. 38 (май 1959 г.), стр. 749-783.
• Аугартен, Стан. «Новая форма транзистора», Состояние дел: фотографическая история интегральной схемы . (Нью-Хейвен и Нью-Йорк: Тикнор и Филдс, 1983) стр. 12.
• Сах, К. Т. «Эволюция МОП-транзистора», Труды IEEE , Vol. 76, выпуск 10, (октябрь 1988 г.) стр. 1293.
• Росс, Ян М.«Основы кремниевого века» Технический журнал Bell Labs (осень 1997 г.) с. 11.
• Arns, R.G. «Другой транзистор: ранняя история металлооксидного полупроводникового полевого транзистора», IEEE Engineering Science and Education Journal . Том 7, выпуск 5 (октябрь 1998 г.), стр. 233–240.
• Бассетт, Росс Нокс. В цифровую эпоху . (Балтимор: Издательство Университета Джона Хопкинса, 2002) стр. 24-45.

• Доктор.Чарльз В. Мюллер, инженер-электрик, устная история, проведенная в 1975 году Марком Хейером и Аль Пински, Центр истории IEEE, Университет Рутгерса, Нью-Брансуик, Нью-Джерси, США.

Как заменить транзистор (BJT) на MOSFET

В этом посте мы обсуждаем метод правильной замены BJT на MOSFET, не влияя на окончательный результат схемы.

Введение

До тех пор, пока полевые МОП-транзисторы не пришли в область электроники, транзисторы или биполярные транзисторы, если быть точным, управляли схемами переключения питания и приложениями.

Хотя даже биполярные переходные транзисторы (BJT) нельзя игнорировать из-за их огромной гибкости и низкой стоимости, полевые МОП-транзисторы, безусловно, стали чрезвычайно популярными в том, что касается переключения больших нагрузок, и из-за высокой эффективности, связанной с этими компонентами.

Однако, хотя эти два аналога могут выглядеть одинаково по своим функциям и стилю, эти два компонента полностью различаются по своим характеристикам и конфигурации.

Разница между BJT и MOSFET

Основное различие между BJT и MOSFET состоит в том, что работа BJT зависит от тока и должна пропорционально увеличиваться с нагрузкой, тогда как МОП-транзистор зависит от напряжения.

Но здесь MOSFET имеет преимущество перед BJT, потому что напряжением можно легко управлять и без особых проблем достигать требуемой степени, в отличие от увеличения тока, что означает большую мощность, которая должна быть доставлена, что приводит к плохой эффективности, более громоздким конфигурациям и т. Д.

Еще одним большим преимуществом полевого МОП-транзистора перед биполярным транзистором является высокое входное сопротивление, что позволяет напрямую интегрировать его с любой логической ИС, независимо от того, насколько велика нагрузка, переключаемая устройством.Это преимущество также позволяет нам подключать множество полевых МОП-транзисторов параллельно даже при очень слабых входных токах (в мА).

МОП-транзисторы в основном бывают двух типов, а именно. Тип режима улучшения и тип режима истощения. Тип улучшения используется чаще и является преобладающим.

МОП-транзисторы N-типа могут быть включены или активированы путем подачи заданного положительного напряжения на их затворы, в то время как МОП-транзисторы P-типа потребуют прямо противоположного, а именно отрицательного напряжения для включения.

Базовый резистор BJT против резистора затвора MOSFET

Как объяснено выше, переключение базы BJT зависит от тока.Это означает, что его базовый ток необходимо увеличивать пропорционально увеличению тока нагрузки коллектора.

Это означает, что базовый резистор в BJT играет важную роль и должен быть правильно рассчитан для обеспечения оптимального включения нагрузки.

Однако базовое напряжение для BJT не имеет большого значения, поскольку оно может составлять от 0,6 до 1 В для удовлетворительного переключения подключенной нагрузки.

С полевыми МОП-транзисторами все наоборот: вы можете включать их при любом напряжении от 3 до 15 В и токе от 1 до 5 мА.

Следовательно, базовый резистор может иметь решающее значение для BJT, но резистор для затвора MOSFET может быть несущественным. Тем не менее, необходимо включить резистор затвора низкого номинала, чтобы защитить устройство от внезапных скачков напряжения и переходных процессов.

Поскольку напряжения выше 5 В или до 12 В легко доступны для большинства цифровых и аналоговых ИС, затвор MOSFET можно быстро связать с любым таким источником сигнала, независимо от тока нагрузки.

Как заменить транзистор (BJT) на MOSFET

В общем, мы можем легко заменить BJT на MOSFET, если мы позаботимся о соответствующей полярности.

Для NPN BJT мы можем заменить BJT на правильно указанный MOSFET следующим образом:

• Удалите базовый резистор из схемы, потому что он нам больше не нужен с MOSFET.
• Подключите затвор N-MOSFET непосредственно к источнику напряжения активации.
• Оставьте положительный вывод питания подключенным к одной из клемм нагрузки, а другую клемму нагрузки подключите к стоку полевого МОП-транзистора.
• Наконец, подключите источник полевого МОП-транзистора к земле……. ВЫПОЛНЕНО, вы заменили BJT на MOSFET за считанные минуты.

Процедура останется такой же, как описано выше, даже если PNP BJT будет заменен P-канальным MOSFET, вам нужно будет просто поменять соответствующие полярности питания.

Схема замены совместимых выводов

для PNP BJT с P-канальным MOSFET

Металлооксидно-кремниевый транзистор (MOSFET)

— для чего нужен этот транзистор? — ES Components

Полевой транзистор металл-оксид-полупроводник ( MOSFET , MOS-FET или MOS FET ), также известный как металл-оксидно-кремниевый транзистор ( MOS ), представляет собой тип полевого транзистора (FET), который изготавливается путем контролируемого окисления кремния.Он имеет изолированный затвор, напряжение которого определяет проводимость устройства. Эта способность изменять проводимость в зависимости от приложенного напряжения может использоваться для усиления или переключения электронных сигналов. MOSFET был изобретен Мохамедом Аталлой и Давоном Кангом в Bell Labs в 1959 году и на сегодняшний день является самым распространенным типом транзисторных и полупроводниковых устройств в мире.

Два силовых полевых МОП-транзистора в корпусах D2PAK для поверхностного монтажа. Работая как переключатели, каждый из этих компонентов может выдерживать блокирующее напряжение 120 В в состоянии выключен, и может проводить непрерывный ток 30 А в состоянии на , рассеивая примерно до 100 Вт и контролируя нагрузку более 2000 Вт.Для масштаба изображена спичка.

Основным преимуществом полевого МОП-транзистора является то, что он почти не требует входного тока для управления током нагрузки по сравнению с биполярными транзисторами (транзисторами с биполярным переходом или BJT). В режиме улучшения MOSFET напряжение, приложенное к выводу затвора, увеличивает проводимость устройства. В режиме истощения транзисторов напряжение, приложенное к затвору, снижает проводимость. MOSFET-транзисторы обладают высокой масштабируемостью (закон Мура и масштабирование Деннарда) с увеличением миниатюризации и могут быть легко уменьшены до меньших размеров.Они также потребляют гораздо меньше энергии и имеют более высокую плотность, чем биполярные транзисторы. MOSFET также дешевле и имеет относительно простые этапы обработки, что приводит к высокому выходу продукции. MOSFET является фундаментальным для создания интегральных схем (ИС) высокой плотности и устройств VLSI.Поскольку MOSFET могут быть изготовлены из полупроводников p-типа или n-типа, дополнительные пары MOS-транзисторов могут использоваться для создания схем переключения с очень низким энергопотреблением. , в виде логики CMOS.

Название «металл-оксид-кремний» (МОП) обычно относится к металлическому затвору, оксидной изоляции и кремниевому полупроводнику. Однако «металл» в названии MOSFET иногда используется неправильно, потому что материал затвора также может быть слоем поликремния (поликристаллического кремния). Точно так же слово «оксид» в названии также может быть неправильным, поскольку различные диэлектрические материалы могут использоваться с целью получения прочных каналов с меньшими приложенными напряжениями.

MOSFET, безусловно, является наиболее распространенным транзистором, используемым в цифровых схемах, и, вероятно, самым производимым устройством в истории.Он произвел революцию в электронной промышленности, сыграл центральную роль в революции микроэлектроники в конце 20-го века и является фундаментальным строительным блоком цифровой электроники в век информации. С 2010 года полевые МОП-транзисторы используются в десятках тысяч цифровых продуктов (например, в компьютерах и смартфонах), а с 2013 года ежедневно производятся миллиарды полевых МОП-транзисторов; миллиарды МОП-транзисторов часто находятся в одной ИС, такой как микросхема памяти или микропроцессор. Управление по патентам и товарным знакам США называет MOSFET «революционным изобретением, которое изменило жизнь и культуру во всем мире»

Источник: Википедия

Понимание разницы между BJT и MOSFET и как выбрать правильный вариант для ваших конструкций

Если вы исследуете мир электроники, и вы хотите узнать больше о транзисторах и полевых МОП-транзисторах для своего грядущего блестящего проекта, вы попали в нужное место.В этой статье мы обсудим основы BJT, Transistors, и MOSFET . До появления полупроводников (особенно транзисторов) единственными устройствами, доступными для усиления и переключения сигналов, были Vacuum Tubes . И когда я говорю об электронных лампах, первое, что приходит в голову, — это большое громоздкое устройство, внутри которого находятся электронные лампы. Им требуется высокое рабочее напряжение (они много едят!), Поэтому, к сожалению для них, общество сделало их неэффективными сотрудниками, и они были уволены.Транзисторы — это новые сотрудники, и пока все хорошо! Тогда животрепещущий вопрос заключается в том, кто между BJT и MOSFET должен получить награду «Сотрудник года»?

Ранее мы создавали множество проектов, для правильной работы которых требовались биполярные транзисторы, транзисторы или полевые МОП-транзисторы. Вы можете проверить их, если вы хотите создавать с ними крутые проекты. Мы также сделали руководство по вакуумным трубкам, вы также можете проверить его, если хотите узнать о нем больше.

Давайте поприветствуем нашего первого кандидата — BJT

Биполярный транзистор (BJT) был изобретен в 1948 году в Bell Telephone Laboratories. Биполярный в названии означает тот факт, что оба отверстий и e lectron s используются в этом транзисторе для проводимости тока. Как и любой транзистор, BJT может усиливать сигнал или переключать нагрузку большой мощности, используя очень слабый сигнал.Что касается архитектуры BJT, здесь можно выделить три важных термина. Это регионов, , пересечения , и режимы работы . BJT разделен на три области в зависимости от допинга. Он имеет эмиттерную область , которая сильно легирована. Слегка легированная основная область и коллекторная область , которая умеренно легирована.

Второй член — переходы. Каждый BJT имеет два соединения P-N, называемых переходом эмиттер-база (EB), и переходом коллектор-база (CB) . В зависимости от смещения этих двух переходов BJT может работать в разных режимах.

Режим работы	EBJ	CBJ
Отключение (используется для переключения)	Обратно-смещенный	Обратно-смещенный
Активный (используется для усиления)	Прямое смещение	Обратно-смещенный
Реверсивно-активный	Обратно-смещенный	с упором на будущее
Насыщенность (используется для переключения)	Прямое смещение	Прямое смещение

BJT, почему вы должны называться лучшим транзистором?

Что ж, BJT нелегко повредить статическим электричеством, они дешевле и их легче смещать, чем MOSFET.BJT — это более надежный кандидат на . Они являются предпочтительным вариантом для слаботочных приложений , таких как переключение слаботочного реле, светодиодов и усилителей.

Мы называем BJT переключающим устройством, потому что он не потребляет много энергии для обеспечения регулирования. Вы можете спросить: « Как это делает ? Это из космоса ? «Что ж, ответ прост. Чтобы работать как разомкнутый переключатель, BJT работает в режиме отсечки, здесь нулевой ток коллектора, что означает, что в идеале BJT потребляет нулевую мощность.С другой стороны, чтобы работать как замкнутый переключатель, BJT работает в режиме насыщения, имеет высокий ток коллектора и нулевое напряжение коллектора, что означает, что в идеале BJT потребляет нулевую мощность.

Помните фразу: « Они являются предпочтительным вариантом для слаботочных приложений »? Выделите термин слаботочный. БЮТ — это высоковольтные слаботочные устройства. Это означает, что при нормальных условиях эксплуатации BJT может выдерживать десятки ампер, выдерживая при этом до одной тысячи вольт и более.

Спасибо, кандидат один.

Теперь перейдем ко второму кандидату — MOSFET

MOSFET означает Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor . Может показаться, что объединение 5 слов только для названия одного устройства — это немного лишнее, но название имеет смысл, поскольку описывает как структуру, так и работу устройства.

Металлооксидный — МОП-транзистор имеет три области: исток , сток , и затвор .Он состоит из легированного полупроводника . Две области, исток , и сток , размещаются сверху легированного полупроводника. Между истоком и стоком находится оксидный слой, который действует как изолятор. Поверх оксидного слоя имеется металлическая пластина для установки структуры затвора . Вот почему в названии присутствует оксид металла.

Эффект поля — Название объясняет, как работает этот транзистор.Помните, что структура полевого МОП-транзистора такова, что область затвора расположена поверх изолирующего оксидного слоя. Это делает затвор электрически изолированным от остальной схемы. Однако его электрическая изоляция не мешает ему управлять потоком тока от источника к стоку. И снова вопрос: « КАК? ”Когда на затвор-исток подается напряжение, создается электрическое поле, которое управляет проводящим путем между истоком и стоком.Вот почему полевой МОП-транзистор известен как тип F.E.T

.

Наконец, MOSFET, в отличие от BJT, является униполярным транзистором. Это означает, что ток проводится либо через поток электронов (N-канальный полевой МОП-транзистор), , либо через отверстия (полевой МОП-транзистор с P-каналом).

MOSFET, почему вы должны быть названы лучшим транзистором?

Во-первых, полевые МОП-транзисторы имеют более высокую скорость переключения и меньшие потери переключения, чем биполярные транзисторы. Биполярные транзисторы имеют частоты переключения до сотен кГц, в то время как полевые МОП-транзисторы могут легко переключать устройства в диапазоне МГц.Таким образом, для высокочастотных приложений, где коммутационные потери играют важную роль в общих потерях мощности, предпочтительнее использовать MOSFET. Для разработчиков цифровых схем размеры MOSFET могут быть уменьшены с меньшими затратами на изготовление, чем BJT. МОП-транзисторы широко используются в устройствах памяти, таких как микропроцессоры . Какой транзистор используется в процессоре? FinFETs, которые представляют собой тип транзисторов MOSFET.

Да, полевые МОП-транзисторы дороже, чем биполярные транзисторы. Их более высокая цена хорошо известна, поскольку они не страдают от вторичных проблем с поломкой, таких как BJT.У них также есть положительный температурный коэффициент сопротивления, что упрощает параллельную работу . Параллельная работа — это метод проектирования, который пригодится, когда нужно увеличить пропускную способность цепи. Это просто параллельное соединение транзисторов, когда ток в цепи больше, чем может выдержать один транзистор.

Полевые МОП-транзисторы

имеют более простую конструкцию схемы драйвера затвора , чем базовую схему драйвера BJT. Причина этого в том, что обычно в электронике легче подавать постоянное напряжение, чем подавать постоянный ток.Так что, к счастью для полевых МОП-транзисторов, поскольку они являются устройствами, управляемыми напряжением, ими становится легче управлять. С другой стороны, BJT — это устройства с управлением по току, поэтому для них все немного сложно.

Спасибо, второй кандидат.

Быстрое сравнение BJT и MOSFET

БЮТ	МОП-транзистор
Биполярный	Однополярный
Это высоковольтное слаботочное устройство	Это устройство низкого напряжения, сильноточного тока
Нижняя скорость переключения	Высокая скорость переключения / частота
Жесткий диск	Легкость вождения
Дешевле	Дороже
Прочный	Легко повреждается статическим электричеством
Легко смещается	Сложно предвзято
Имеет вторичную неисправность	Нет вторичной неисправности
Отрицательный температурный коэффициент	Положительный температурный коэффициент
Подходит для слаботочных приложений	Подходит для сильноточных и высокочастотных приложений

Какой лучше?

Некоторые говорят BJT, а другие говорят MOSFET.У людей разные ответы, потому что они используют их для разных приложений. Например, BJT лучше подходят для слаботочных приложений, тогда как MOSFET лучше подходят для сильноточных приложений. Чтобы выбрать, какой транзистор лучше подходит для вашего проекта, правильно оцените ключевые параметры вашего проекта, такие как бюджет, требуемая скорость переключения, максимальное напряжение и номинальные токи проекта. На их основе можно выбрать лучшего сотрудника (MOSFET или BJT) для выполнения задачи.

МОП-транзистор

IRF510 — RadioShack

RadioShack.com Политика возврата в Интернете

Из-за COVID-19 обработка возврата может занять больше времени, чем обычно. Пожалуйста, подождите от 14 до 21 дня, прежде чем связываться со службой поддержки клиентов относительно статуса вашего возврата. Спасибо за терпеливость.

На RadioShack.com мы хотим, чтобы вы были полностью удовлетворены каждым приобретенным товаром. Если вы не удовлетворены своей покупкой на RadioShack.com, вы можете вернуть большинство товаров в течение 30 дней с полным возмещением покупной цены за вычетом доставки, обработки или других дополнительных расходов.См. Раздел «Исключения» для продуктов, на которые не распространяется наша политика возврата.

ВАЖНО: За некоторыми исключениями, возврат осуществляется в виде кредита интернет-магазина, который можно погасить на RadioShack.com. RadioShack не возмещает стоимость доставки. За некоторыми исключениями, мы не предоставляем предоплаченные этикетки для возврата; Вы несете ответственность за покрытие любых транспортных расходов при возврате вашего товара (ов).

Пожалуйста, не забудьте отправить ваш товар (-ы) обратно в полном соответствии с нашей Политикой возврата через Интернет:

• Товар (-ы) необходимо отправить обратно в течение 30 дней с даты доставки.
• Товар (-ы) должны быть неиспользованными и в новом состоянии.
• Все товары должны быть возвращены в оригинальной упаковке со всеми прилагаемыми аксессуарами и документами.
• При возврате, отправленном обратно на наш склад без разрешения на возврат, созданного в нашем Центре возврата или связавшись с нашей службой поддержки клиентов, взимается сбор за ручную обработку в размере 10 долларов США.

Исключения: RadioShack.com не принимает возврат некоторых товаров. Товары, которые не подлежат возврату, указаны в Интернете.Невозвратные товары включают:

• Продукты, которые были перепроданы или изменены (или помечены) для перепродажи, не принимаются.
• Открытое программное обеспечение или комплекты.
• Электронные носители, не имеющие дефектов (например, флэш-накопители USB и карты памяти).
• Средства личной гигиены (например, маски для лица, защитные маски).
• Товары, перечисленные как окончательная продажа или невозвратные.
• Продукты, приобретенные не на RadioShack.com.

Возврат внутри страны (США)

Для возврата или обмена товара:

• Начните с посещения нашего центра возврата по адресу radioshack.com / returns и введите адрес электронной почты, который вы использовали при размещении заказа.
• Ваш запрос на возврат ваших товаров должен быть отправлен в течение 30 дней с даты доставки или иным образом в рамках нашей Политики возврата.
• За некоторыми исключениями, мы не предоставляем предоплаченные этикетки для возврата; Вы несете ответственность за оплату обратной доставки. Стоимость обратной доставки будет вычтена из суммы возврата.
• Вы получите электронное письмо с инструкциями по возврату. Выберите «Начать возврат» и выберите товары, которые хотите вернуть.Следуйте инструкциям, чтобы распечатать этикетку обратной доставки.
• Пожалуйста, используйте выданную транспортную этикетку, чтобы гарантировать надлежащую обработку вашего возврата. Сохраните номер отслеживания возврата из возвращаемой посылки, чтобы гарантировать, что посылка будет возвращена на наш склад.
• Вы можете вернуть посылку в любое почтовое отделение США. Как только ваш возврат будет получен и обработан на нашем складе, вам будет отправлено электронное письмо с подтверждением.

Международный возврат

Если вы решите вернуть товар (-ы), RadioShack не предоставляет этикетки с предоплаченным возвратом, и вы несете ответственность за покрытие транспортных расходов.Кроме того, клиенты за пределами США не смогут использовать наш онлайн-центр возврата. Вместо этого следуйте приведенным ниже инструкциям, чтобы вернуть товар в соответствии с нашей Политикой возврата через Интернет.

Чтобы вернуть товар (-ы) по почте, свяжитесь с нашей службой поддержки клиентов по адресу [email protected] или позвоните нам по телефону 1-800-THE-SHACK (1-800-843-7422). Мы предоставим вам этикетку для возврата, которую вы можете передать любому из местных перевозчиков. Отправляйте возвращаемые товары в наш отдел возврата по адресу, указанному ниже:

.

RadioShack Returns
900 Terminal Road # 244
Fort Worth, TX 76106

Поврежденные или дефектные товары

Если вы получили поврежденный или бракованный товар от RadioShack.com, немедленно свяжитесь с представителем службы поддержки клиентов.

● Сообщите представителю номер вашего заказа, номер позиции и номер отслеживания из исходного электронного письма с подтверждением. Представителю также понадобятся ваш адрес электронной почты и номер телефона.

● RadioShack.com сделает все возможное, чтобы помочь вам с возвращением.

● Неисправный элемент может быть заменен в течение 30 дней с даты покупки в соответствии с нашей Гарантийной политикой или в течение гарантийного срока производителя, в зависимости от того, какой срок больше.Обратитесь за помощью к представителю службы поддержки клиентов.

● По возможности предоставьте фотографии повреждения или дефекта, чтобы ускорить оказание помощи.

● Поврежденные или дефектные товары будут заменены, если они доступны, или будет предоставлен кредит магазина RadioShack.com.

Пропавший предмет (ы)

Если ваш номер отслеживания показывает, что заказ был доставлен, но вы так и не получили его от RadioShack.com, немедленно свяжитесь с представителем службы поддержки клиентов.

● Свяжитесь с перевозчиком и подайте претензию в отношении утерянных при транспортировке предметов.Сообщите представителю номер вашего заказа, номер позиции, номер для отслеживания из исходного электронного письма с подтверждением и номер претензии. Представителю также понадобятся ваш адрес электронной почты и номер телефона. ● RadioShack.com приложит все разумные усилия, чтобы помочь вам с заменой, если таковая имеется, или будет предоставлен кредит магазина.

Отмена заказа

Поскольку ваш заказ обрабатывается максимально быстро, в обычное рабочее время существует 15-минутное окно для отмены заказа.Если вы разместили заказ по ошибке, немедленно позвоните в службу поддержки по телефону 1-800-843-7422. Если запрос на отмену поступает более чем через 15 минут после размещения заказа или в нерабочее время, заказ будет доставлен и должен быть обработан как возврат после доставки.

Гарантии на продукцию

Щелкните здесь , чтобы ознакомиться с положениями и условиями для всех штатов.

Многие товары, которые продаются на RadioShack.com, поставляются с гарантией производителя.Применимую информацию о гарантии обычно можно найти внутри коробки или упаковки. Для получения дополнительной информации о гарантии производителя на конкретный продукт обращайтесь непосредственно к производителю.

На наши продукты под собственной торговой маркой RadioShack предоставляется 90-дневная или 1-летняя гарантия, в зависимости от продукта. Вы можете прочитать условия этих ограниченных гарантий ниже.

Условия гарантии

За исключением Калифорнии, RadioShack не дает никаких дополнительных гарантий, явных или подразумеваемых, в отношении любого продукта, произведенного сторонней организацией, кроме RadioShack.

ЗА ИСКЛЮЧЕНИЕМ ЗАКОНОДАТЕЛЬСТВ, ПОДРАЗУМЕВАЕМЫЕ ГАРАНТИИ КОММЕРЧЕСКОЙ ЦЕННОСТИ И ПРИГОДНОСТИ ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕННОЙ ЦЕЛИ ОСОБЕННО ОТКАЗЫВАЮТСЯ: (1) ДЛЯ ВСЕХ ПРОДАЖ «КАК ЕСТЬ»; И (2) ПОСЛЕ ПРОИЗВОДСТВА: [A] истечения срока действия ЛЮБЫХ ПРИМЕНИМЫХ ЯВНЫХ ГАРАНТИЙ, ИЛИ [B] 90 ДНЕЙ С ДАТЫ ПОКУПКИ.

RadioShack не несет ответственности за любые убытки или ущерб (включая косвенные, особые, случайные или косвенные убытки), прямо или косвенно вызванные продуктами, перечисленными в этой квитанции.В некоторых штатах не допускаются ограничения подразумеваемых гарантий (например, гарантии товарной пригодности или пригодности для определенной цели) или исключение случайных или косвенных убытков, поэтому вышеуказанные ограничения или исключения могут к вам не относиться. Кроме того, у вас могут быть другие права, которые варьируются от штата к штату.

Продукты, которые подверглись неправильному использованию (включая статический разряд), небрежному обращению, аварии или модификации, или которые были спаяны или изменены во время сборки и не могут быть протестированы, исключаются из любой гарантии RadioShack.com.

Продукты, которые мы продаем, не авторизованы для использования в качестве критических компонентов в устройствах, имплантируемых человеку, а также в устройствах или системах жизнеобеспечения. Критическим компонентом является любой компонент имплантируемого человеку устройства, устройства или системы жизнеобеспечения, отказ которых, как можно обоснованно ожидать, вызовет отказ имплантата, устройства или системы жизнеобеспечения или повлияет на их безопасность или эффективность.

На многие другие продукты, предлагаемые на этом веб-сайте, распространяется гарантия производителя.Копия конкретной гарантии, если она предлагается гарантом, будет доступна для проверки перед продажей по специальному запросу по нашему каталожному номеру.

Мы поставляем множество продуктов, которые соответствуют военным спецификациям производителя. Мы не отслеживаем эти продукты; поэтому мы поставляем их только как коммерческие детали.

Информация для международных клиентов или клиентов, путешествующих за границу: продуктов, приобретенных на RadioShack.com или через наши розничные точки в США не подлежат возврату для гарантийного обслуживания ни в одном из наших международных представительств.

90-дневная ограниченная гарантия

RadioShack Online OpCo LLC (далее «RadioShack») гарантирует отсутствие в этом продукте дефектов материалов и изготовления при нормальном использовании первоначальным покупателем в течение девяноста (90) дней с даты покупки в магазине RadioShack.com, принадлежащем RadioShack. , или авторизованный франчайзи или дилер RadioShack.RADIOSHACK НЕ ДАЕТ НИКАКИХ ДРУГИХ ЯВНЫХ ГАРАНТИЙ.

Данная гарантия не распространяется на: (a) повреждения или неисправности, вызванные или связанные с неправильным обращением, неправильным использованием, несоблюдением инструкций, неправильной установкой или обслуживанием, переделками, авариями, стихийными бедствиями (такими как наводнения или молнии) или превышением напряжения или текущий; (б) ненадлежащим или неправильно выполненным ремонтом лицами, не авторизованными сервисным центром RadioShack; (c) расходные материалы, такие как предохранители или батареи; (d) обычный износ или косметическое повреждение; (e) расходы на транспортировку, доставку или страхование; (f) затраты на снятие, установку, настройку, настройку или переустановку продукта; и (g) претензии лиц, не являющихся первоначальным покупателем.

В случае возникновения проблемы, на которую распространяется данная гарантия, доставьте продукт и товарный чек RadioShack в качестве доказательства даты покупки в место первоначальной покупки или посетите сайт www.radioshack.com/warranty. RadioShack по своему усмотрению, если иное не предусмотрено законом (а) заменит продукт таким же или сопоставимым продуктом, или (б) вернет покупную цену. Все замененные продукты и продукты, за которые производится возврат, становятся собственностью RadioShack.

RADIOSHACK ЯВНО ОТКАЗЫВАЕТСЯ ОТ ВСЕХ ГАРАНТИЙ И УСЛОВИЙ, НЕ УКАЗАННЫХ В ДАННОЙ ОГРАНИЧЕННОЙ ГАРАНТИИ.ЛЮБЫЕ ПОДРАЗУМЕВАЕМЫЕ ГАРАНТИИ, КОТОРЫЕ МОГУТ БЫТЬ НАЛОЖЕННЫМ ЗАКОНОДАТЕЛЬСТВОМ, ВКЛЮЧАЯ ПОДРАЗУМЕВАЕМУЮ ГАРАНТИЮ КОММЕРЧЕСКОЙ ЦЕННОСТИ И, ЕСЛИ ПРИМЕНИМО, ПОДРАЗУМЕВАЕМУЮ ГАРАНТИЮ ПРИГОДНОСТИ ДЛЯ КОНКРЕТНОЙ ЦЕЛИ, ДЕЙСТВУЮТ ПО ДЕЙСТВУЮЩЕЙ ГАРАНТИИ.

, ЗА ИСКЛЮЧЕНИЕМ УКАЗАННОГО ВЫШЕ, RADIOSHACK НЕ НЕСЕТ НИКАКОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТИ ПЕРЕД ПОКУПАТЕЛЕМ ПРОДУКТА ИЛИ ЛЮБЫМ ДРУГИМ ЛИЦОМ ИЛИ ЛИЦОМ В ОТНОШЕНИИ ЛЮБОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТИ, ПОТЕРЯ ИЛИ УЩЕРБ, ВЫЗВАННЫЙ НАПРЯМУЮ ИЛИ НЕПОСРЕДСТВЕННЫМ ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ПРОДУКЦИИ. НАРУШЕНИЕ ДАННОЙ ГАРАНТИИ, ВКЛЮЧАЯ, НО НЕ ОГРАНИЧИВАЯСЬ, ЛЮБЫЕ УБЫТКИ, ВЫЗВАННЫЕ НЕУДОБСТВАМИ И ЛЮБЫМИ ТЕРЯМИ ВРЕМЕНИ, ДАННЫХ, ИМУЩЕСТВА, ДОХОДА ИЛИ ПРИБЫЛИ И ЛЮБЫХ КОСВЕННЫХ, СПЕЦИАЛЬНЫХ, СЛУЧАЙНЫХ ИЛИ КОСВЕННЫХ УБЫТКОВ, ДАЖЕ ЕСЛИ ВОЗМОЖНОСТЬ ТАКИХ УБЫТКОВ.

В некоторых штатах не допускается ограничение срока действия подразумеваемой гарантии, а также исключение или ограничение случайных или косвенных убытков, поэтому указанные выше ограничения или исключения могут к вам не относиться. Эта гарантия дает вам определенные юридические права, и вы также можете иметь другие права, которые варьируются от штата к штату.

Вы можете связаться с RadioShack по телефону:

Служба поддержки клиентов RadioShack

www.radioshack.com
1-800-THE-SHACK
shop @ radioshack.com

Обновлено 06.10.

Ограниченная гарантия на 1 год

RadioShack Online OpCo LLC (далее «RadioShack») гарантирует отсутствие в этом продукте дефектов материалов и изготовления при нормальном использовании первоначальным покупателем в течение одного (1) года с даты покупки в магазине RadioShack.com, принадлежащем RadioShack. , или авторизованный франчайзи или дилер RadioShack. RADIOSHACK НЕ ДАЕТ НИКАКИХ ДРУГИХ ЯВНЫХ ГАРАНТИЙ.

Данная гарантия не распространяется на: (a) повреждения или неисправности, вызванные или связанные с неправильным обращением, неправильным использованием, несоблюдением инструкций, неправильной установкой или обслуживанием, переделками, авариями, стихийными бедствиями (такими как наводнения или молнии) или превышением напряжения или текущий; (б) ненадлежащим или неправильно выполненным ремонтом лицами, не авторизованными сервисным центром RadioShack; (c) расходные материалы, такие как предохранители или батареи; (d) обычный износ или косметическое повреждение; (e) расходы на транспортировку, доставку или страхование; (f) затраты на снятие, установку, настройку, настройку или переустановку продукта; и (g) претензии лиц, не являющихся первоначальным покупателем.

В случае возникновения проблемы, на которую распространяется данная гарантия, доставьте продукт и товарный чек RadioShack в качестве доказательства даты покупки в место первоначальной покупки или посетите сайт www.radioshack.com/warranty. RadioShack по своему усмотрению, если иное не предусмотрено законом (а) заменит продукт таким же или сопоставимым продуктом, или (б) вернет покупную цену. Все замененные продукты и продукты, за которые производится возврат, становятся собственностью RadioShack.

RADIOSHACK ЯВНО ОТКАЗЫВАЕТСЯ ОТ ВСЕХ ГАРАНТИЙ И УСЛОВИЙ, НЕ УКАЗАННЫХ В ДАННОЙ ОГРАНИЧЕННОЙ ГАРАНТИИ.ЛЮБЫЕ ПОДРАЗУМЕВАЕМЫЕ ГАРАНТИИ, КОТОРЫЕ МОГУТ БЫТЬ НАЛОЖЕННЫМ ЗАКОНОДАТЕЛЬСТВОМ, ВКЛЮЧАЯ ПОДРАЗУМЕВАЕМУЮ ГАРАНТИЮ КОММЕРЧЕСКОЙ ЦЕННОСТИ И, ЕСЛИ ПРИМЕНИМО, ПОДРАЗУМЕВАЕМУЮ ГАРАНТИЮ ПРИГОДНОСТИ ДЛЯ КОНКРЕТНОЙ ЦЕЛИ, ДЕЙСТВУЮТ ПО ДЕЙСТВУЮЩЕЙ ГАРАНТИИ.

, ЗА ИСКЛЮЧЕНИЕМ УКАЗАННОГО ВЫШЕ, RADIOSHACK НЕ НЕСЕТ НИКАКОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТИ ПЕРЕД ПОКУПАТЕЛЕМ ПРОДУКТА ИЛИ ЛЮБЫМ ДРУГИМ ЛИЦОМ ИЛИ ЛИЦОМ В ОТНОШЕНИИ ЛЮБОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТИ, ПОТЕРЯ ИЛИ УЩЕРБ, ВЫЗВАННЫЙ НАПРЯМУЮ ИЛИ НЕПОСРЕДСТВЕННЫМ ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ПРОДУКЦИИ. НАРУШЕНИЕ ДАННОЙ ГАРАНТИИ, ВКЛЮЧАЯ, НО НЕ ОГРАНИЧИВАЯСЬ, ЛЮБЫЕ УБЫТКИ, ВЫЗВАННЫЕ НЕУДОБСТВАМИ И ЛЮБЫМИ ТЕРЯМИ ВРЕМЕНИ, ДАННЫХ, ИМУЩЕСТВА, ДОХОДА ИЛИ ПРИБЫЛИ И ЛЮБЫХ КОСВЕННЫХ, СПЕЦИАЛЬНЫХ, СЛУЧАЙНЫХ ИЛИ КОСВЕННЫХ УБЫТКОВ, ДАЖЕ ЕСЛИ ВОЗМОЖНОСТЬ ТАКИХ УБЫТКОВ.

В некоторых штатах не допускается ограничение срока действия подразумеваемой гарантии, а также исключение или ограничение случайных или косвенных убытков, поэтому указанные выше ограничения или исключения могут к вам не относиться. Эта гарантия дает вам определенные юридические права, и вы также можете иметь другие права, которые варьируются от штата к штату.

Вы можете связаться с RadioShack по телефону:

Служба поддержки клиентов RadioShack

www.radioshack.com
1-800-THE-SHACK
shop @ radioshack.com

Обновлено 06.10.

IRLZ34 Логический уровень SMD Mosfet-транзистор

Вся продукция поставляется в запечатанной коробке. Вся продукция тщательно упакована. Перед отправкой мы проверяем всю электронику и контролируем механику всех продуктов. Так что вы никогда не будете разочарованы, когда откроете нашу упаковочную коробку JSumo.

У нас есть 2 варианта доставки:

• Заказная Авиапочта (фиксированная цена 9,95 долларов США, бесплатно при заказе на сумму свыше 199 долларов США)
  Экспресс-доставка по всему миру DHL (в зависимости от веса)

Пример расписания для международных перевозок воздушным транспортом Почта
Страны Европы	2-3 недели (иногда меньше)	США	3-4 недели
* Мексика	4-6 недель	Страны Африки	4-6 недель
Япония	2-3 недели	Катар	3-4 недели
Бразилия	3-6 недель	Малайзия	4-5 недель
* Перу, Эквадор, Колумбия	4-6 недель	Филиппины	4-6 недель
Россия	3-4 недели	Саудовская Аравия	3-4 недели
Страны Средней Азии	3-4 недели	Азербайджан	2-3 недели
Монголия, Китай	4-6 недель	Великобритания, Ирландия	3-4 недели
Латвия, Эстония, Литва	3 недели	Канада	2-3 недели
* Доставка из Мексики, Перу, Эквадора и Колумбии может потерять слишком много время в переходах после выхода. Мы отправляем код доставки, но его можно только отследить внутри вашей страны. Мы предлагаем эти страны для экспресс-доставки DHL (Время прибытия 3-5 дней) для более надежного и отслеживания вариант.
Эти страны — единственные примеры. Если вашей страны нет в список, не бойтесь. Мы отправляем по всему мир включая вашу страну тоже 🙂

Какова ваша политика возврата?

Вы можете вернуть товар для возврата или обмена (если возникла из-за нашей ошибки) в течение 30 дней с даты отправки заказа.(Дата отгрузки заказа и уведомление о заказе отправляются вам по электронной почте). Все возвраты должны сопровождаться номером разрешения на возврат товара (номер заказа).

Если мы отправили вам не тот товар, или он прибыл с дефектом или повреждением

Нет проблем. Просто свяжитесь с нами в течение 30 дней с даты первоначальной доставки товара, чтобы организовать возврат вашей покупки.