Транзистори польові (mosfet) по доступним цінам з доставкою по Україні

за порядкомза зростанням ціниза зниженням ціниза новизною

ГалереяСписок

• Польовий Транзистор IRLR3705Z N-ch 55V 42A DPAK 03434

  61,60 грн

  В наявності 3 од.

• 76SwvNgvzmDuhcg0ozv7ofeYtlESnKBeJ6Gotsch0mM» data-advtracking-product-id=»69131215″ data-tg-chain=»{"view_type": "preview"}»>

  Польовий Транзистор IRF540N 33A 100V N-ch TO-220 01741

  20,70 грн

  В наявності 74 од. Оптом і в роздріб

• Польовий Транзистор IRF730 N-CH 400 В 5.5 A TO-220 01913

  22,20 грн

  В наявності 69 од.

• eyJwcm9kdWN0SWQiOjY5MTMwNjkzLCJjYXRlZ29yeUlkIjo0MDAxMDcsImNvbXBhbnlJZCI6MjA5NTc4OCwic291cmNlIjoicHJvbTpjb21wYW55X3NpdGUiLCJpYXQiOjE2ODA0Nzk1MDguNDI2Mzc5MiwicGFnZUlkIjoiMzc2NTI3NGYtYzM1MS00ZjYyLWIwZWUtZWE5ZDgxZDBhZGFlIiwicG93IjoidjIifQ.df4gXv_fL8QylKUMrFn2zpHnV6k_89pajvL7K01RscE» data-advtracking-product-id=»69130693″ data-tg-chain=»{"view_type": "preview"}»>

  Транзистор полевой 2N7002 MOSFET N-CH 60 В 300MA SOT-23 01766

  1,20 грн

  В наявності 124 од. Тільки оптом

• Польовий Транзистор IRF4905PBF -74A -55V P-ch TO-220 0519

  45,60 грн

  В наявності 54 од.

• Транзистор полевой IRF840 N-CH 500V 8A К-220AB 0551

  23,40 грн

  В наявності 121 од. Оптом і в роздріб

• 6WE3zc8SmYw8k2eTLBjQxodHbSuhLr7FaX86zlJ04js» data-advtracking-product-id=»69131391″ data-tg-chain=»{"view_type": "preview"}»>

  Польовий Транзистор IRFP150 IRFP150N N-CH 100 В 42A TO-247AC 01912

  45,60 грн

  В наявності 27 од.

• Польовий Транзистор P75NF75 n-ch 75 — 0.0095 Ом — 80A ТО-220 01917

  32,80 грн

  В наявності 59 од. Оптом і в роздріб

• eyJwcm9kdWN0SWQiOjcwMzA2NjYxLCJjYXRlZ29yeUlkIjo0MDAxMDcsImNvbXBhbnlJZCI6MjA5NTc4OCwic291cmNlIjoicHJvbTpjb21wYW55X3NpdGUiLCJpYXQiOjE2ODA0Nzk1MDguNDMwMDA1LCJwYWdlSWQiOiI3ZjA0NDBiOS1kOTFmLTRmZDItODJhZS0xMmQ2ZGNmY2JjMWUiLCJwb3ciOiJ2MiJ9.f3vRlBXhOqnjN1mZp5MgvdOrjBla_DDxPqa8pR1qaVk» data-advtracking-product-id=»70306661″ data-tg-chain=»{"view_type": "preview"}»>

  Польовий Транзистор IRF630 N-CH 200V 9A TO-220 01561

  19,50 грн

  В наявності 45 од. Оптом і в роздріб

• Польовий Транзистор IRF3205PBF N-CH 55V 75A TO-220 01560

  29,60 грн

  В наявності 81 од. Оптом і в роздріб

• Польовий Транзистор RJK0355DPA 30A 30V N-ch 8WPAK 02680

  49,90 грн

  В наявності 6 од.

• KI3BwtwFk3hdxX-tzKmsdVPMml4euhmoOj37ekrZON4″ data-advtracking-product-id=»98427921″ data-tg-chain=»{"view_type": "preview"}»>

  Польовий Транзистор IRLR3105PBF DPAK 03424

  33,20 грн

  В наявності 2 од.

• Польовий Транзистор IRLR6225 N-ch 20V 100A DPAK 03433

  28,50 грн

  В наявності 20 од.

• eyJwcm9kdWN0SWQiOjk4NDI5NTc0LCJjYXRlZ29yeUlkIjo0MDAxMDcsImNvbXBhbnlJZCI6MjA5NTc4OCwic291cmNlIjoicHJvbTpjb21wYW55X3NpdGUiLCJpYXQiOjE2ODA0Nzk1MDguNDM0MDk1NiwicGFnZUlkIjoiZDdmYmMzN2YtYTI1ZS00ZTI3LWIwODktYjdhMDU4ZWQ0ZTcyIiwicG93IjoidjIifQ.Q9EXt8KdM8tivSm7mXMV_hjbVadbHiijr2sc3iriEa4″ data-advtracking-product-id=»98429574″ data-tg-chain=»{"view_type": "preview"}»>

  Польовий Транзистор IRLR8743 160A 30V N-ch DPAK 03270

  43,30 грн

  В наявності 2 од.

• Польовий Транзистор IRLZ24NPBF 55V 18A 0. 06 R ТО220 03432

  29,30 грн

  В наявності 75 од. Оптом і в роздріб

• Польовий Транзистор P5506HVG здвоєний 4A 60V 2N-ch SOP-8 03431

  17,90 грн

  Закінчується

• E6QGevFrn4ViCclGAW_I-rzgtmAZuG1epCtjLi9cZJ8″ data-advtracking-product-id=»98430725″ data-tg-chain=»{"view_type": "preview"}»>

  Польовий Транзистор IRLZ34NPBF N-ch 55V 30A 35mOhm TO220 03437

  29,30 грн

  В наявності 38 од.

• Транзистор полевой STP10NK60Z N-CH 600В 10А ТО-220 03374

  38,60 грн

  В наявності 70 од. Оптом і в роздріб

• eyJwcm9kdWN0SWQiOjk4NDQxODQ5LCJjYXRlZ29yeUlkIjo0MDAxMDcsImNvbXBhbnlJZCI6MjA5NTc4OCwic291cmNlIjoicHJvbTpjb21wYW55X3NpdGUiLCJpYXQiOjE2ODA0Nzk1MDguNDM4NTc0LCJwYWdlSWQiOiIyYWM4ZmMxNC04Y2IwLTRiNmYtYjQ2YS02MzFhOTMwNjMyOWEiLCJwb3ciOiJ2MiJ9.bdMrWi2BtUtGYD0_awL3r_w_KEAF3nGVpl0Jf4XPUic» data-advtracking-product-id=»98441849″ data-tg-chain=»{"view_type": "preview"}»>

  Польовий Транзистор STP24NF10 26A 100V N-ch TO-220 03390

  24,60 грн

  В наявності 17 од.

• Польовий Транзистор STP4NB100 N-CH 1000B 3. 8 A 4.4 Ом TO220 03391

  36,70 грн

  В наявності 2 од.

• Транзистор полевой STP4NK60Z ТО-220 03392

  16,40 грн

  В наявності 39 од. Оптом і в роздріб

• l1LLdnd94TQYm4jw8ogPTemDbw0x50WaIQC-CiyqAeY» data-advtracking-product-id=»98450288″ data-tg-chain=»{"view_type": "preview"}»>

  Польовий Транзистор STP60NF06 N-CH 60В 60A 0.014 Ом TO-220 Power MOSFET 03393

  56,20 грн

  В наявності 38 од.

• Польовий Транзистор MMBF5458 N-CN 25В 10ma SOT23 03504

  8,60 грн

  В наявності 6 од.

• eyJwcm9kdWN0SWQiOjEwMDEwODkyOCwiY2F0ZWdvcnlJZCI6NDAwMTA3LCJjb21wYW55SWQiOjIwOTU3ODgsInNvdXJjZSI6InByb206Y29tcGFueV9zaXRlIiwiaWF0IjoxNjgwNDc5NTA4LjQ0MTg1NzYsInBhZ2VJZCI6ImJkMTQzYjgyLWE3MWEtNGVkOC04NTYyLTYwMjdkN2E5YWI5YSIsInBvdyI6InYyIn0.V4rkyV43HF4FEFFS8phtIoMTDfjINv3ZEqRFxVT5c0E» data-advtracking-product-id=»100108928″ data-tg-chain=»{"view_type": "preview"}»>

  Польовий Транзистор MMBFJ270 P-Channel 03505

  45,60 грн

  В наявності 15 од.

16243248

IRFS3206TRRPBF за 141.12 ₽ в наличии производства INFINEON (IRF)

Купить Транзистор N-MOSFET полевой IRFS3206TRRPBF производителя Infineon (IRF) можно оптом и в розницу с доставкой по всей России, Казахстану, Республике Беларусь и Украине, а так же в другие страны Таможенного союза (Армения, Киргизия и др.).

Для того, чтобы купить данный товар по базовой цене в розницу, положите его в корзину и оформите заказ следуя детальной инструкции. Обращаем Ваше внимание, что в зависимости от увеличения объёма продукции перерасчёт розничной цены будет произведен автоматически. Оптовая цена на транзистор n-mosfet полевой 60в 210а IRFS3206TRRPBF выставляется исключительно после отправки коммерческого запроса на e-mail: [email protected] или [email protected]

• Более подробная информация находится в разделе Оплата.

Мы работаем со всеми крупными транспортными компаниями и гарантируем оперативность и надежность каждой поставки независимо от региона присутствия заказчика. Данный товар так же поставляются с различных складов Европы, Китая и США. Возможные варианты поставки запрашивайте у специалистов компании SUPPLY24.ONLINE.

• Более подробная информация находится в разделе Доставка.

Гарантия предоставляется непосредственно заводом-изготовителем Infineon (IRF) . Гарантийный ремонт или замена оборудования осуществляется исключительно после проведения экспертизы и установления факта гарантийного случая.

• Более подробная информация находится в разделах Гарантия и Условия Гарантийных Обязательств.

Транзисторы с каналом N SMD практически всех известных мировых брендов представлены нашей компанией. В случае если интересующий Вас товар не был найден на нашем сайте, обратитесь в службу технической поддержки или обслуживающему Вас менеджеру и наши инженеры подберут аналоги для Вашего оборудования. Таким образом, возможно снизить затраты до 20% на обслуживание оборудования и оптимизировать Ваши расходы. Компания SUPPLY24.ONLINE берёт на себя полную ответственность за правильность подбора аналога. Наша компания предлагает только разумный подход, если по ряду критериев запрашиваемый товар не подразумевает замену на аналог, мы не предлагаем замену.
Стратегическая цель нашей компании помочь Вам подобрать оборудование и товар с оптимальными характеристиками, и разобраться в огромном количестве товарных позиций и предложений.

---

Внимание!

• Характеристики,внешний вид и комплектация товара могут изменяться производителем без уведомления.
• Изображение продукции дано в качестве иллюстрации для ознакомления и может быть изменено без уведомления.
• Точную спецификацию смотрите во вкладке «Характеристики» .
• При необходимости установки программного обеспечения и использования аксессуаров сторонних производителей, просьба проверить их совместимость с устройством, детально изучив документацию на сайте производителя Infineon (IRF)
• Запрещается нарушение заводских настроек и регулировок без привлечения специалистов сертифицированных сервисных центров.

Характеристики

Производитель

Infineon (IRF)

Корпус

Вид упаковки

бобина

Монтаж

Технология

HEXFET®

Тип транзистора

N-MOSFET

Полярность

полевой

Напряжение сток-исток

Ток стока

Рассеиваемая мощность

ДОСТАВКА ПО РОССИИ

Доставка осуществляется в течении 2-3 дней с момента зачисления средств на р/с компании при наличии товара на складе в РФ. В отдельных случаях, при большой удаленности Вашего региона, срок доставки может быть увеличен.

• Полный перечень городов, в которые осуществляется доставка, смотрите ниже.

ДОСТАВКА В СТРАНЫ ТАМОЖЕННОГО СОЮЗА

Доставка осуществляется в течении 3-5 дней с момента зачисления средств на р/с компании в следующие страны.

• Казахстан
• Армения
• Беларусь
• Киргизия

Обращаем Ваше внимание на то, что сроки доставки товаров напрямую зависят от наличия товара на Российском складе компании.

В случае, если выбранные товарные позиции находятся на одном из внешних складов Европы или США, то срок доставки товара может составлять до 3-4 недель. Для избежания недоразумений, рекомендуем уточнить актуальные сроки поставки в отделе логистики или у менеджера компании.

В данном случае, как правило, 90% заказов доставляются заказчикам в течении первых 2 недель.

Если какая-либо часть товара из Вашего заказа отсутствует на складе, мы отгрузим все имеющиеся в наличии товары, а после поступления с внешнего склада оставшейся части заказа отправим Вам её за счёт нашей компании.

ОФИСЫ ВЫДАЧИ ТОВАРА:

Доставка до ТК осуществляется бесплатно

CКЛАДЫ

Металлооксидные полупроводниковые полевые транзисторы — Полевые транзисторы

Полевые транзисторы

Полевой транзистор второго типа имеет некоторые преимущества перед JFET. Это устройство представляет собой полевой транзистор на основе оксида металла и полупроводника (MOSFET). MOSFET имеет еще более высокое входное сопротивление, чем JFET. Следовательно, МОП-транзистор еще меньше нагружает предшествующие цепи. Чрезвычайно высокое входное сопротивление в сочетании с высоким коэффициентом усиления делает MOSFET — высокоэффективное входное устройство для ВЧ/ПЧ усилителей и смесителей. для многих типов испытательного оборудования.

МОП-транзистор обычно сконструирован так, что он работает в одном из двух основных режимы: режим истощения или режим улучшения. Режим истощения MOSFET имеет сильно легированный канал и использует обратное смещение на затворе, чтобы вызвать истощение носителей тока в канале. JFET также работает в этом способ. Полевой МОП-транзистор в режиме улучшения имеет слегка легированный канал и использует прямое смещение для усиления текущих несущих в канале. МОП-транзистор может быть построены так, что будут работать в любом режиме в зависимости от типа смещения применяется, что позволяет увеличить диапазон входных сигналов.

В дополнение к двум основным режимам работы MOSFET, как и JFET, относится либо к P-канальному, либо к N-канальному типу. Каждый тип имеет четыре элементы: затвор, исток, сток, подложка. Схематические символы для четыре основных варианта MOSFET показаны на видах A, B, C и D рисунок ниже.

символы MOSFET.

Конструкция N-канального МОП-транзистора показана на рисунке ниже. Сильно легированные области N-типа (обозначенные N+) диффундируют в P-тип подложка или основа. Канал обычного материала N-типа диффундирует между сильно легированные области N-типа. Затем формируется изолирующий слой из оксида металла. над каналом, а слой металлического затвора осаждается поверх изолирующего слой. Нет электрического соединения между воротами и остальной частью Устройство. Этот метод строительства приводит к чрезвычайно высокой входной мощности. импеданс МОП-транзистора. Другое распространенное название устройства, производное из метода построения, это эффект поля изолированного затвора транзистор (БТПТ).

Структура МОП-транзистора.

Работа MOSFET или IGFET в основном аналогична работе JFET. Течение тока между истоком и стоком можно контролировать с использованием одного из двух методов или с использованием комбинации двух методов. В одном методе напряжение стока управляет током, когда потенциал затвора находится при нуле вольт. Во втором способе на затвор подается напряжение. Электрическое поле формируется напряжением затвора, которое влияет на ток поток в канале, либо истощая, либо увеличивая количество текущих доступные перевозчики. Как указывалось ранее, на затвор подается обратное смещение. истощает носители, а прямое смещение увеличивает их. Полярность напряжения, необходимого для прямого или обратного смещения MOSFET, зависит от независимо от того, относится ли он к типу P-канала или к типу N-канала. Эффекты напряжения обратного смещения на полевом МОП-транзисторе, предназначенном для работы в режиме обеднения показаны на видах A, B и C рисунка ниже. Количество применяемое обратное смещение оказывает прямое влияние на ширину тока канала и, таким образом, величина тока стока ( I _D ).

Влияние смещения на N-канальный полевой МОП-транзистор.

На рисунке ниже показано влияние прямого смещения на улучшение режим N-канальный MOSFET. В этом случае на затвор подается положительное напряжение увеличивает ширину канала тока и величину тока стока ( I _D ).

Влияние смещения на N-канальный полевой МОП-транзистор.

Полевые МОП-транзисторы, обсуждавшиеся до этого момента, имеют однозатворные МОП-транзисторы. Другой тип МОП-транзистора с двойным затвором показан на рисунке ниже. Поскольку подложка была подключена непосредственно к терминалу источника, полевой МОП-транзистор с двойным затвором по-прежнему имеет только четыре вывода: по одному для истока и стока, и два для ворот. Любые ворота могут контролировать проводимость независимо друг от друга. что делает этот тип МОП-транзистора действительно универсальным устройством.

МОП-транзистор с двойным затвором.

Одна проблема как с однозатворным, так и с двойным затвором MOSFET заключается в том, что оксид Слой между затвором и каналом может быть очень легко разрушен обычным статическое электричество. Запасные МОП-транзисторы поставляются в комплекте с выводами. замыкаются между собой специальной проволочной петлей или пружиной во избежание случайного повреждать. Правило, которое следует помнить при работе с этими короткозамыкающими пружинами, состоит в том, что они нельзя снимать до тех пор, пока MOSFET не будет припаян или вставлен в цепь. Одна из таких пружин показана на рисунке ниже.

Закорачивающая пружина МОП-транзистора.

Сегнетоэлектрический полупроводниковый полевой транзистор

• Артикул
• Опубликовано: 09 декабря 2019

• Мэнвэй Си ORCID: orcid.org/0000-0003-0397-7741 ^1,2 ,
• Атану К. Саха ¹ ,
• Шэнцзе Гао ^2,3 ,
• Ганг ¹ ,
• ORCID: orcid. org/0000-0003-2248-3253 ^1,2 ,
• Jingkai Qin ^1,2 ,
• Yuqin Duan ^1,2 ,
• Jie Jian ⁴ ,
• Chang Niu ^1,2 ,
• Haiyan Wang ORCID: orcid.org/0000-0002-7397-1209 ⁴ ,
• Wenzhuo Wu ^2,3 ,
• Sumeet K. Gupta ¹ & Ye.900D45 900 D ORCID: orcid.org/0000-0001-8466-9745 ^1,2  

Природная электроника том 2 , страницы 580–586 (2019)Процитировать эту статью

• 16 тыс. обращений

• 202 Цитаты

• 65 Альтметрический

• Сведения о показателях

Субъекты

• Электронные устройства

Abstract

Сегнетоэлектрические полевые транзисторы используют ферроэлектрический материал в качестве изолятора затвора, состояние поляризации которого можно определить с помощью проводимости канала устройства. В результате устройства потенциально могут использоваться в технологии энергонезависимой памяти, но они имеют короткое время хранения, что ограничивает их более широкое применение. Здесь мы сообщаем о сегнетоэлектрическом полупроводниковом полевом транзисторе, в котором двумерный сегнетоэлектрический полупроводник, селенид индия (α-In ₂ Se ₃ ), используется в качестве материала канала в устройстве. α-In ₂ Se ₃ был выбран из-за его соответствующей ширины запрещенной зоны, сегнетоэлектричества при комнатной температуре, способности поддерживать сегнетоэлектричество вплоть до нескольких атомных слоев и его потенциала для роста на больших площадях. Метод пассивации, основанный на осаждении атомарного слоя оксида алюминия (Al ₂ O ₃ ), был разработан для защиты и повышения производительности транзисторов. С оксидом гафния толщиной 15 нм (HfO ₂ ) в качестве масштабированного диэлектрика затвора, полученные устройства обеспечивают высокую производительность с большим окном памяти, высоким коэффициентом включения / выключения более 10 ⁸ , максимальным током включения 862 мкА мкм ^-1 и низким напряжение питания.

Это предварительный просмотр содержимого подписки, доступ через ваше учреждение

Соответствующие статьи

Статьи открытого доступа со ссылками на эту статью.

• Гигантская сегнетоэлектрическая поляризация в двухслойной графеновой гетероструктуре

  • Руируй Ню
  • , Чжосянь Ли
  •  … Цзяньмин Лу

  Связь с природой Открытый доступ 21 октября 2022 г.

• Двумерные полупроводники для конкретных электронных приложений: от устройства к системе

  • Сяохэ Хуан
  • , Чунсен Лю
  • и Пэн Чжоу

  npj 2D-материалы и приложения Открытый доступ 01 августа 2022 г.

Варианты доступа

Подпишитесь на этот журнал

Получите 12 цифровых выпусков и онлайн-доступ к статьям

118,99 € в год

всего 9,92 € за выпуск

Узнать больше

Арендуйте или купите этот товар

Получите только этот товар столько, сколько вам нужно

$39,95

Узнать больше

Цены могут облагаться местными налогами, которые рассчитываются при оформлении заказа

Рис. 1: Схематическая диаграмма и предложение по сегнетоэлектрическому полупроводниковому полевому транзистору (FeS-FET). Рис. 2: Свойства материала сегнетоэлектрического полупроводника α-In ₂ Se ₃ . Рис. 3: Измерение ЧИМ на α-In ₂ Se ₃ тонкая пленка. Рис. 4: Характеристики переключения α-In ₂ Se ₃ FeS-FET. Рис. 5: Моделирование α-In ₂ Se ₃ FeS-FET.

Доступность данных

Данные, подтверждающие графики в этой статье и другие результаты этого исследования, можно получить у соответствующего автора по обоснованному запросу. Необработанные данные для измерений PFM представлены в дополнительной информации.

Ссылки

1. Миллер С.Л. и Маквортер П.Дж. Физика сегнетоэлектрического полевого транзистора с энергонезависимой памятью. J. Appl. физ. 72 , 5999–6010 (1992).

   Артикул Google Scholar

2. Ишивара, Х. Текущее состояние и перспективы сегнетоэлектрической памяти на полевых транзисторах. Дж. Полуконд. Технол. науч. 1 , 1–14 (2001).

   Google Scholar

3. Ишивара, Х. FeFET и ферроэлектрическая память с произвольным доступом. Дж. Наноски. нанотехнологии. 12 , 7619–7627 (2012).

   Артикул Google Scholar

4. Мюллер, Дж. и др. Наносекундное переключение поляризации и длительное удержание в новом MFIS-FET на основе сегнетоэлектрика HfO ₂ . IEEE Электронное письмо об устройстве. 33 , 185–187 (2012).

   Артикул Google Scholar

5. Юрчук Э. и др. Происхождение ухудшения долговечности новых ферроэлектрических энергонезависимых запоминающих устройств на основе HfO ₂ 1T. На Международном симпозиуме по физике надежности IEEE 2E.5.1–2E.5.5 (IEEE, 2014).

6. Юрчук Э. и др. Явления захвата заряда в энергонезависимой памяти типа FeFET на основе HfO ₂ . IEEE Trans. Электронные устройства 63 , 3501–3507 (2016).

   Артикул Google Scholar

7. Muller, J. et al. Стратегии высокой износостойкости для сегнетоэлектрического полевого транзистора на основе оксида гафния. In 2016 16 th Симпозиум по технологиям энергонезависимой памяти (NVMTS) 7781517 (IEEE, 2016).

8. Chung, W., Si, M. & Ye, P.D. Безгистерезисные германиевые КМОП-транзисторы FinFET с отрицательной емкостью и двунаправленным сигналом менее 60  мВ/дек. В материалах Proceedings of IEEE International Electron Devices Meeting 365–368 (IEEE, 2017).

9. Chung, W. et al. Первые прямые экспериментальные исследования переключения сегнетоэлектрической поляризации Hf _0,5 Zr _0,5 O ₂ до 100 пикосекунд в германиевых ферроэлектрических полевых транзисторах с нанопроволокой со скоростью менее 60  мВ/дек. На симпозиуме по технологии СБИС 89–90 (IEEE, 2018).

10. Yoo, H.K. et al. Разработка скорости сегнетоэлектрического переключения в легированном Si HfO ₂ для высокоскоростного применения 1T-FERAM. In Proceedings of IEEE International Electron Devices Meeting 481–484 (IEEE, 2017).

11. Дюнкель, С. и др. Сверхбыстрая встраиваемая технология NVM со сверхнизким энергопотреблением на основе FeFET для 22-нм FDSOI и выше. В материалах Proceedings of IEEE International Electron Devices Meeting 485–488 (IEEE, 2017).

12. Si, M. et al. Отрицательная емкость MoS ₂ без крутых спадов гистерезиса. Нац. нанотехнологии. 13 , 24–29 (2018).

    Артикул Google Scholar

13. Si, M., Liao, P.-Y., Qiu, G., Duan, Y. & Ye, P.D. Сегнетоэлектрические полевые транзисторы на основе MoS ₂ и CuInP ₂ S ₆ двумерная ван-дер-ваальсова гетероструктура. ACS Nano 12 , 6700–6705 (2018 г.).

    Артикул Google Scholar

14. Миколаджик, Т., Шлезек, С., Парк, М. Х. и Шредер, У. Сегнетоэлектрический оксид гафния для ферроэлектрических запоминающих устройств с произвольным доступом и ферроэлектрических полевых транзисторов. МИССИС Бык. 43 , 340–346 (2018).

    Артикул Google Scholar

15. Li, J. et al. Сверхбыстрое переключение поляризации в тонкопленочных сегнетоэлектриках. Заяв. физ. лат. 84 , 1174–1176 (2004).

    Артикул Google Scholar

16. Ларсен, П.К., Кампшёр, Г.Л.М., Уленаерс, М.Дж.Э., Спирингс, Г.А.К.М. и Куппенс, Р. Наносекундное переключение тонких сегнетоэлектрических пленок. Заяв. физ. лат. 59 , 611–613 (1991).

    Артикул Google Scholar

17. «>

    Росс И. М. Полупроводниковое переводящее устройство. Патент США 2791760 (1957 г.).

18. Ма, Т. П. и Хан, Дж. П. Почему полевой транзистор с энергонезависимой сегнетоэлектрической памятью все еще неуловим? IEEE Электронное письмо об устройстве. 23 , 386–388 (2002).

    Артикул Google Scholar

19. Zhou, Y. et al. Внеплоскостное пьезоэлектричество и сегнетоэлектричество в слоистых α-In ₂ Se ₃ наночешуйках. Нано Летт. 17 , 5508–5513 (2017).

    Артикул Google Scholar

20. Дин, В. и др. Прогноз собственных двумерных сегнетоэлектриков в ван-дер-ваальсовых материалах In ₂ Se ₃ и других III ₂ –VI ₃ . Нац. коммун. 8 , 14956 (2017).

    Артикул Google Scholar

21. «>

    Cui, C. et al. Взаимокоррелированное плоскостное и внеплоскостное сегнетоэлектричество в сверхтонком двумерном слоистом полупроводнике In ₂ Se ₃ . Нано Летт. 18 , 1253–1258 (2018).

    Артикул Google Scholar

22. Xiao, J. et al. Собственное двумерное сегнетоэлектричество с дипольной синхронизацией. Физ. Преподобный Летт. 120 , 227601 (2018).

    Артикул Google Scholar

23. Zheng, C. et al. Сегнетоэлектричество в плоскости при комнатной температуре в Ван-дер-Ваальсе In ₂ Se ₃ . Науч. Доп. 4 , eaar7720 (2018).

    Артикул Google Scholar

24. Ван, С. и др. Сегнетоэлектричество при комнатной температуре и эффект переключаемого диода в двумерном α-In ₂ Se ₃ тонкие слои. Nanoscale 10 , 14885–14892 (2018).

    Артикул Google Scholar

25. Сюэ, Ф. и др. Перестраиваемые затвором и многонаправленные мемристивные явления в ван-дер-ваальсовом сегнетоэлектрике. Доп. Матер. 31 , 1

26. 0 (2019).

    Артикул Google Scholar

27. Лин, М. и др. Контролируемый рост атомарно тонкого In ₂ Se ₃ чешуйки методом ван-дер-ваальсовой эпитаксии. Дж. Ам. хим. соц. 135 , 13274–13277 (2013).

    Артикул Google Scholar

28. Zhou, J. et al. Контролируемый синтез высококачественного монослоя α-In ₂ Se ₃ методом физического осаждения из паровой фазы. Нано Летт. 15 , 6400–6405 (2015).

    Артикул Google Scholar

29. «>

    Макклеллан, С.Дж., Ялон, Э., Смит, К.К., Сурьяванши, С.В. и Поп, Э. Эффективное легирование n-типа монослоя MoS ₂ AlO _x . В 2017 75th Annual Device Research Conference (DRC) 7999392 (IEEE, 2017).

30. Цю, Г. и др. Высокопроизводительные малослойные КМОП-устройства на основе теллура, созданные с помощью метода легирования диэлектрика с осаждением атомарного слоя. In 2018 76-я ежегодная конференция по исследованию устройств (DRC) 8442253 (IEEE, 2018 г.).

31. Пауэлл, М. Дж. Нестабильность захвата заряда в тонкопленочных транзисторах на основе аморфного кремния и нитрида кремния. Заяв. физ. лат. 43 , 597–599 (1983).

    Артикул Google Scholar

32. Park, S.J. et al. Энергонезависимые транзисторы с реконфигурируемыми нанопроволоками кремния. Доп. Электрон. Матер. 4 , 1700399 (2018).

    Артикул Google Scholar

Скачать ссылки

Благодарности

Эта работа была частично поддержана программой NSF/AFOSR EFRI 2DARE и частично ASCENT, одним из шести центров JUMP, программы Semiconductor Research Corporation (SRC), спонсируемой DARPA. Дж.Дж. и Х.В. выражают признательность Управлению военно-морских исследований США за поддержку проекта TEM в Пердью.

Информация об авторе

Авторы и организации

1. Школа электротехники и вычислительной техники, Университет Пердью, Уэст-Лафайет, Индиана, США

   Mengwei Si, Atanu K. Saha, Gang Qiu, Jingkai Qin, Yuqin Duan, Chang Niu, Sumeet K. Gupta & Peide D. Ye

2. Центр нанотехнологий Birck, Университет Пердью, Западный Лафайет, Индиана, США

   3

   3 Mengwei Si, Shengjie Gao, Gang Qiu, Jingkai Qin, Yuqin Duan, Chang Niu, Wenzhuo Wu & Peide D. Ye

3. Школа промышленного проектирования, Университет Purdue, West Lafayette, IN, USA

   Shengjie Gao & Wenzho Wenzho

4. School of Materials Science and Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN, USA

   Jie Jian & Haiyan Wang

Авторы

1. Mengwei Si

   Посмотреть публикации автора

   Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar

2. Atanu K. Saha

   Просмотр публикаций автора

   Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar

3. Shengjie Gao

   Просмотр публикаций автора

   Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar

4. Gang Qiu

   Просмотр публикаций автора

   Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar

5. Jingkai Qin

   Просмотр публикаций автора

   Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar

6. Yuqin Duan

   Посмотреть публикации автора

   Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar

7. Jie Jian

   Просмотр публикаций автора

   Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar

8. Chang Niu

   Просмотр публикаций автора

   Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar

9. Haiyan Wang

   Просмотр публикаций автора

   Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Академия

10. Wenzhuo Wu

    Просмотр публикаций автора

    Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar

11. Sumeet K. Gupta

    Просмотр публикаций автора

    Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar

12. Peide D. Ye

    Просмотр публикаций автора

    Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar

Взносы

P.D.Y. и М.С. придумал идею и предложил концепцию FeS-FET. РС. выполнено изготовление устройства, электрические измерения и анализ. А.К.С. и С.К.Г. выполнил численное моделирование. С.Г. и В.В. выполненные измерения PFM. Дж.К., Дж.Дж. и Х.В. провели измерения ПЭМ и ЭДС. Ю.Д. и М.С. провели СЭМ-изображение и анализ ЭДС. Г.К. получены измерения комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции. Г.К. и К.Н. выполнен низкотемпературный I – V и измерения Холла. РС. и П.Д.Ю. был соавтором рукописи, и все авторы прокомментировали ее.

Автор, ответственный за переписку

Пейде Д.Е.

Заявление об этике

Конкурирующие интересы

Авторы не заявляют об отсутствии конкурирующих интересов.