Транзистор КТ814, КТ815, КТ816, КТ817
Транзисторы
30.06.2019
Arazbor
Транзистор КТ814, КТ815, КТ816, КТ817
Справочник содержания драгоценных металлов в радиодеталях основанный на справочных данных различных организаций занимающихся переработкой лома радиодеталей, паспортах устройств, формулярах и других открытых источников. Стоит отметить, что реальное содержание может отличатся на 20-30% в меньшую сторону.
Радиодетали могут содержать золото, серебро, платину и МПГ (Металлы платиновой группы, Платиновая группа, Платиновые металлы, Платиноиды, ЭПГ)
Содержание драгоценных металлов в транзисторе: КТ814, КТ815, КТ816, КТ817
Золото: 0.0043
Серебро: 0
Платина: 0
МПГ: 0
По данным: Справочник по драгоценным металлам ПРИКАЗ №70
Транзистор, полупроводниковый триод — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.
Типы транзисторов
Существует два основных типа транзисторов: биполярные и полевые.
1. Биполярные транзисторы. Они являются, вероятно, более распространенным типом (именно о них, например, шла речь в предыдущих разделах этой главы). В базу такого транзистора подается небольшой ток, а он, в свою очередь, управляет количеством тока, протекающего между коллектором и эмиттером.
2. Полевые транзисторы. Имеют три вывода, но они называются затвор (вместо базы у биполярного), сток (вместо коллектора) и исток (вместо эмиттера). Аналогично воздействие на затвор транзистора (но на этот раз не тока, а напряжения) управляет током между стоком и истоком. Полевые транзисторы также имеют разную полярность: они бывают N-канальные (аналог NPN-биполярного транзистора) и Р-канальные (аналог PNP).
Маркировка транзисторов СССР
Обозначение транзисторов до 1964 года
Первый элемент обозначения — буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно, транзистором. Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами — МП, буква М означала модернизацию. Второй элемент обозначения — одно, двух или трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной(или предельной) частоты.
От 1 до 99 — германиевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 101 до 199 — кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 201 до 299 — германиевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 301 до 399 — кремниевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 401 до 499 — германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 501 до 599 — кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 601 до 699 — германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
От 701 до 799 — кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
Обозначение транзисторов после 1964 года
Первый символ необходим для обозначения типа используемого материала
Буква Г или цифра 1 — германий.
Буква К или цифра 2 — кремний.
Буква А или цифра 3 — арсенид галлия.
Второй символ обозначает тип транзистора
П — полевой транзистор
Т — биполярный транзистор
Третий символ необходим для обозначения мощности и граничной частоты
1 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц).
2 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц).
3 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные.
4 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
5 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц).
6 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные и СВЧ.
7 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
8 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц).
9 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.
Четвертый и пятый элементы обозначения — определяют порядковый номер разработки.
Изменения в маркировке вступившие в силу в 1978 году. Изменения коснулись обозначения функциональных возможностей — третьего элемента.
Для биполярных транзисторов:
1 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
2 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
4 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой более 300 МГц.
7 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
8 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
9 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой свыше 300 МГц.
Когда мы включаем , напряжения на выходе не сразу достигают нужного значения, а примерно через 0.02 секунды, и чтобы исключить подачу пониженного напряжения на компоненты ПК, существует специальный сигнал «power good», также иногда называемый «PWR_OK» или просто «PG», который подаётся, когда напряжения на выходах +12В, +5В и +3.3В достигают диапазона корректных значений. Для подачи этого сигнала выделена специальная линия на ATX разъёме питания, подключаемого к (№8, серый провод). Ещё одним потребителем этого сигнала является схема защиты от подачи пониженного напряжения (UVP) внутри БП, о которой ещё пойдёт речь – если она будет активна с момента включения на БП, то она просто не даст компьютеру включиться, сразу отключая БП, поскольку напряжения будут заведомо ниже номинальных. Поэтому эта схема включается только с подачей сигнала Power Good. Этот сигнал подаётся схемой мониторинга или ШИМ-контроллером (широтно-импульсная модуляция, применяемая во всех современных импульсных БП, из-за чего они и получили своё название, английская аббревиатура – PWM, знакомая по современным кулерам – для управления их частотой вращения подаваемый на них ток модулируется подобным образом.) Диаграмма подачи сигнала Power Good согласно спецификации ATX12V. Защита в обоих случаях реализована при помощи одной и той же схемы, мониторящей выходные напряжения +12В, +5В и 3. Некоторую проблему составляет то, что и OVP, и UVP обычно сконфигурированы так, что точки срабатывания находятся слишком далеко от номинального значения напряжения и в случае с OVP это является прямым соответствием стандарту ATX12V:
Т.е. можно сделать БП с точкой срабатывания OVP по +12В на 15.6В, или +5В на 7В и он всё ещё будет совместим со стандартом ATX12V. Такой будет длительное время выдавать, допустим, 15В вместо 12В без срабатывания защиты, что может привести к выходу из строя компонентов ПК. С другой стороны, стандарт ATX12V чётко оговаривает, что выходные напряжения не должны отклоняться более чем на 5% от номинального значения, но при этом OVP может быть конфигурирована производителем БП на срабатывание при отклонении в 30% по линиям +12В и +3.3В и в 40% — по линии +5В. Производители выбирают значения точек срабатывания используя ту или иную микросхему мониторинга или ШИМ-контроллера, потому что значения этих точек жёстко заданы спецификациями той или иной конкретной микросхемы. Как пример возьмём популярную микросхему мониторинга PS223 , которая используется в некоторых , которые до сих присутствуют на рынке. Эта микросхема имеет следующие точки срабатывания для режимов OVP и UVP:
Другие микросхемы предоставляют другой набор точек срабатывания. И ещё раз напоминаем вам, насколько далеко от нормальных значений напряжения обычно сконфигурированы OVP и UVP. Для того, чтобы они сработали, блок питания должен оказаться в весьма сложной ситуации. На практике, дешёвые БП, не имеющие кроме OVP/UVP других типов защиты, выходят из строя раньше, чем срабатывает OVP/UVP. В случае с этой технологией (англоязычная аббревиатура OCP — Over Current Protection) есть один вопрос, который следовало бы рассмотреть более подробно. По международному стандарту IEC 60950-1 в компьютерном оборудовании ни по одному проводнику не должно передаваться более 240 Вольт-ампер, что в случае с постоянным током даёт 240 Ватт. Спецификация ATX12V включает в себя требование о защите от превышения по току во всех цепях. Однако во многих дешёвых БП с заявленными двумя линиями +12В на практике используется только одна схема защиты по току, а все +12В провода внутри подключаются к одному выходу. Для того, чтобы реализовать адекватную работу такой схемы, защита от нагрузки по току срабатывает не при 20А, а при, например, 40А, и ограничение максимального тока по одному проводу достигается тем, что в реальной системе нагрузка в +12В всегда распределена по нескольким потребителям и ещё большему количеству проводов. Более того, иногда разобраться, используется ли в данном конкретном БП отдельная защита по току для каждой линии +12В можно, только разобрав его и посмотрев на количество и подключение шунтов, используемых для измерения силы тока (в некоторых случаях количество шунтов может превышать количество линий, поскольку для измерения силы тока на одной линии могут использоваться несколько шунтов). Различные типы шунтов для измерения силы тока. Ещё одним интересным моментом является то, что в отличие от защиты от повышенного/пониженного напряжения допустимый уровень тока регулируется производителем БП, путём подпаивания резисторов того или иного номинала к выходам управляющей микросхемы. А на дешёвых БП, несмотря на требования стандарта ATX12V, эта защита может быть установлена только на линии +3.3В и +5В, либо отсутствовать вовсе. Как следует из её названия (OTP — Over Temperature Protection), защита от перегрева выключает блок питания, если температура внутри его корпуса достигает определённого значения. Ей оснащены далеко не все блоки питания. В блоках питания можно увидеть термистор, прикреплённый к радиатору (хотя в некоторых БП он может быть припаян прямо к печатной плате). Этот термистор соединён с цепью управления скоростью вращения вентилятора, он не используется для защиты от перегрева. В БП, оборудованных защитой от перегрева, обычно используется два термистора – один для управления вентилятором, другой, собственно для защиты от перегрева. Защита от короткого замыкания (SCP — Short Circuit Protection) – вероятно, самая старая из подобных технологий, потому что её очень легко реализовать при помощи пары транзисторов, не задействуя микросхему мониторинга. Эта защита обязательно присутствует в любом БП и отключает его в случае короткого замыкания в любой из выходных цепей, во избежание возможного пожара. |
кт%20817%20транзистор техническое описание и примечания по применению
kt%20817%20транзистор Листы данных Context Search
Каталог Лист данных | MFG и тип | ПДФ | Теги документов |
---|---|---|---|
КТ 3127 Реферат: КТ3102 ТМ100 КТ 1117 кт3117 lg схема светодиодов UF 3004 LED Tr 1121 LED LG LED | Оригинал | ||
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | ||
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | ||
КТ 30 Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | ||
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | ||
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | ||
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | ||
МА723 Резюме: ma741 420C 610C HSS102 HSU276 HSU88 MA2S784 MA4S713 MA700 | OCR-сканирование | HSS102 HSU88 HSU276 30 МГц) MA2S784 MA4S713 МА743 MA704A MA721В МА744 МА723 ма741 420С 610С МА700 | |
кабель Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | ||
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | ||
2008 — КТ 6396 Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | ||
КТ920Б Реферат: KT920A KT920 FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation Funkamateur kt9205 kt 501 920B4 920a BT320 | OCR-сканирование | 175 МГц КТ920Б КТ920А КТ920 FUNKAMATEUR-Информация о доработках Funkamateur кт9205 кт 501 920Б4 920а БТ320 | |
пластик Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | ||
кт21 Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | ||
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | ||
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | ||
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | ||
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | ||
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | ||
1827 Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | ||